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KR920010053B1 - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

액정표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR920010053B1
KR920010053B1 KR1019880015499A KR880015499A KR920010053B1 KR 920010053 B1 KR920010053 B1 KR 920010053B1 KR 1019880015499 A KR1019880015499 A KR 1019880015499A KR 880015499 A KR880015499 A KR 880015499A KR 920010053 B1 KR920010053 B1 KR 920010053B1
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South Korea
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film
monomolecular film
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히데아끼 모찌쯔끼
쯔요시 우에무라
도오루 다무라
히로시 사다니
마사가즈 우에가라
마고또 무라다
Original Assignee
마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
다니이 아끼오
카네가후찌가가꾸고오교오 가부시기가이샤
니이노 마비도
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Priority claimed from JP62298573A external-priority patent/JPH01138533A/ja
Priority claimed from JP62298574A external-priority patent/JPH01138534A/ja
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Abstract

내용 없음.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법
제1도는 본 발명에 따른 액정표시소자를 도시한 개략도.
제2도는 LB 방법을 설명하는 개략도.
제3도는 LB 방법에 의해 기판상에 적층으로 형성된 막을 도시한 도면.
제4도는 본 발명에 따라 얻은 TN형 액정셀을 도시한 도면.
제5도는 본 발명에 따라 얻은 강유전성 액정셀을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11,23,41,42,51,52 : 기판 12 : 투명전극층
13 : 절연막(유전막) 14 : 배향제어막
15,45,55 : 시일링수지 16 : 액정층
21 : 물 22 : 수면상에 전개된 단분자막
24 : 이동에 의해 기판에 형성된 단분자막
25,33,43,44,53,54 : 기판을 끌어올리는 방향
31,41a,42a,51a,52a : 단분자막 미적층단부
32 : 단분자막 적층부 45a,55a : 개구부
본 발명은 액정용 분자배향방법과 상기 분자배향방법을 사용한 액정소자에 관한 것이다.
현재, 액정표시소자(LCD)는 예를들면, 손목시계, 오락기기, 칼라텔레비젼 및 랩톱(lap-top) 컴퓨터를 포함하는 모든 가능한 응용분야에 폭넓게 사용되고 있으며, 이런 추세에 따라, 고성능 LCD에 대한 요구가 급속히 증가하고 있다. 이러한 요구에 부합하기 위하여 능동매트릭스표시, 강유전성액정표시, 슈퍼트위스티드 네마틱액정표시등을 사용하는 것을 포함하여 고성능 액정표시소자가 개발되어 왔다.
액정소자의 성능을 결정하는 가장 근본적인 요인으로서는 배향제어기술을 지적할 수 있다. 이 기술은 표시소자의 전체표면에 걸쳐 일정한 방향에 액정분자를 배향하는 방법으로서, 이에 의해 이들의 표시품질이 크게 좌우된다. 배향이 충분히 제어되지 못하면 시간경과에 의하여 예를들면, 고르지 않은 표시, 감소된 콘트라스트 및 감소된 성능과 같은 결정적인 결점이 발생되게 된다. 배향제어기술의 중요성을 꼬인 네마틱형(TN형) LCD 뿐만아니라 다양한 형태의 상기 언급한 고성능 액정소자상에 공통으로 강조되고 있으며, 이것은 이 기술이 바람직하게 더욱더 중요해지는 것을 의미한다.
액정분자의 배향제어를 성취하기 위한 종래의 방법들은 예를들면, 폴리이미드와 같은 중합체를 전극의 표면상에 도포하여 그위에 막을 형성한 후에, 이렇게 얻어진 표면을 천등으로 문지르는 러빙법(rubbing method)과 예를들면 SiO2같은 물질을 사선방향에서 전극의 표면상에 증착시키는 사선증착법이 있으며, 이들중에서 러빙법이, 단순하고 비용이 저렴하여 주로 사용되고 있다. 액정표시소자가 크기의 대형화 및 구조의 고도화 추세로 진행중인 상황하에서, 배향제어막을 형성하고 단지 문지르는 종래 기술에 따른 방법을 사용하여 이들의 전체표면에 거쳐 균일하고 고품질의 표시를 얻는 것은 어렵게 되었다. 즉, 러빙천의 섬유먼지의 발생과 이전에 그렇게 많이 지적되지 않았던 러빙공정시 균일한 러빙력을 부여하는데 따른 어려움으로부터 초래된 이전에 그렇게 많이 지적되지 않았던 러빙공정시 균일한 러빙력을 부여하는데 따른 어려움으로부터 초래된 결점은 액정소자의 고성능화에 대한 증가된 경향이 수반하여 두드러지게 되었고 특히, 다음의 종래기술의 방법으로 만족될 수 있는 상기 언급한 고성능 액정표시소자는 없었다.
특히, 앞서의 꼬인네마틱 액정소자와는 상이한 강유전성 액정소자에 대해서 배향상태의 쌍안정화는 유지되어야 한다. 따라서, 초기분자 배향처리가 과도하게 소행되면, 배향상태는 한 방향에서만 안정되므로 강유전성 액정소자로서의 성능은 상실된다. 반면에, 상기 배향처리가 불충분하게 수행되면, 배향은 고르지 않게 된다. 그 결과, 강유전성 액정소자의 배향기술은 종래기술에 따른 것과 비교할 수 없는 곤란성 및 개별성을 지닌다.
일본국 특개소 62-291621호(발명자 : 에구찌등)에 발표된 방법은 강유전성액정의 배향제어막으로서 동일한 한분자에 친수성부분과 소수성 부분을 공통으로 지니는 중합화합물의 단분자막 또는 적층 단분자막으로 이루어진 중합도포막을 사용하며, 에구찌등에 의해 명확하게 밝혀진 바와같이, 이런 방법에서는, 러빙이 실행되지 않으면 배향제어력이 감소되어 배향의 불균일성이 생성된다. 또한, 일본국 특개소 63-126578호(발명자 : 우에키타등)에서는 랑그뮈어-블로젯트방법을 통해 중합화합물을 적층하여 형성된 얇은 막을 포함하는 조성물부분의 한적용으로서의 액정배향막을 지적하였으나 강유전성 액정의 분자배향특성을 나타내지 못한다.
그러므로, 강유전성 액정소자는 앞서의 꼬인네마틱 액정소자의 절반이하 정도로 극히 얇은 두께를 지니는 액정층을 지니므로, 러빙처리라 불리우는 후처리에 의한 제조시의 결점발생이 현저하게 증가될 수 있다. 따라서, 배향제어는 러빙처리를 실시하지 않고서 가능한 성취하는 것이 바람직하다.
본 발명은 액정의 분자배향을 실행하기 위하여 러빙처리라 불리우는 후처리를 실시함이 없이 기판의 전표면에 균일하고 결함없는 배향상태를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 언급한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 방법에서는 전극이 형성된 한쌍의 기판중 적어도 하나의 기판상에 배향제어막을 형성한다. 이 배향제어막은, 주성분으로서 옆사슬에 긴사슬 알킬치환기를 지니는 동시에 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 가진 폴리아미드화합물을 지니는 단분자막을 랑그뮈어-블로젯트(LB) 방법을 통해 단층 또는 적층해서 형성함으로써 제조된다. 상기 배향 제어막을 각각 지니는 액정지지판은, 상기 배향제어막이 형성된 측면에 접착된 스페이서를 통해 서로 쌍으로 대향해서 유지되고, 상기 한쌍의 액정지지판 사이에 형성된 공간에 액정물질을 주입하여 유지한 것이다. 액정분자는 상기 한상의 기판이 잠기는 방향에 평행인 방향으로 배향된다.
상기 언급한 배향제어방법을 사용함으로써, 소위 러빙처리라 불리우는 후처리를 실시함이 없이 전극의 전체표면에 걸쳐, 배향방향의 차이를 제거하는 것이 가능한 균일한 구조와 높은 표시품질을 지니는 액정의 분자배향을 제공할 수 있다. 즉, 러빙공정에 수반된 먼지발생 및 분자배향의 불균일성과, 이들로부터 초래된 결함발생이 제거될 수 있다. 또한, 분자는 저분자량을 지니는 화합물과는 달리 단분자막을 형성하는 성질을 지닌 정합아미드로 이루어져 있으므로 전극표면상에 존재하는 불규칙성에 대해 적층막은 균일하게 형성될 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
[A 그룹의 실시예]
구체적인 실시예로서, 혼합 LB 막을 사용하여 생성된 TN형 액정표시소자를 우선 설명한다. 제1도는 본 발명의 액정표시소자의 개략도이다. 제1도에서, (11), (12), (13), (14), (15) 및 (16)은 각각 기판, 투명 전극층, 절연막(유전막), 배향제어막, 시일링수지 및 액정층을 나타낸다.
기판상에 단분자막을 LB 막이라 한다. 제2도는 LB 방법을 개략적으로 도시한 것이며, 제2도에서 (21), (22), (23), (24) 및 (25)는 각각 물, 이 물의 표면(이하, 수면(水面)상에 전개된 단분자막, 유리가핀, 이동에 의해 기판상에 형성된 단분자막 및 유리기판을 수중으로부터 끌어올리는 방향을 나타낸다. 우선, 단분자막을 형성할 수 있는 능력을 지닌 화합물과 액정과의 혼합물을 유기용매속에 용해하고, 이렇게 얻어진 용액을 수면상에 적하하여 이 수면상에 상기 혼합물을 전개한다. 다음, 수면상에 전개된 상기 혼합물의 단분자막(22)을 특정의 표면압에 도달할때까지 압축하여 소위 고체막을 형성한다. 또한, 수면상에 전개된 상기 단분자막(22)의 표면압이 이들의 고체상태를 파괴시키지 않도록 일정하게 유지되는 동안, 미리 형성된 인듐과 산화주석으로 만들어진 투명전극(ITO 전극)의 특정패턴을 지니는 유리기판(23)을, 수면상에 전개된 상기 단분자막(22)을 가로질러 상하로 움직여 상기 단분자막을 이동시켜 기판표면상에 형성한다. 수면을 가로지르는 횟수를 변화시킴으로써, 소정두께로 적층할 수 있다.
제3도는 LB 방법에 의해 기판표면상에 형성된 적층막을 도시한 것으로서, (31), (32) 및 (33)은 각각 단분자막이 미적층된 부분, 이미 적층된 부분 및 기판을 끌어올리는 방향을 나타낸다. 또한, 투명전극의 일단부에는 도전성을 확보하기 위하여 단분자막의 미적층된 부분(31)을 잔존시킨 것이다. 또한, 예를들면 산화규소로 이루어진 유전성 박막을 미리 ITO 전극상에 형성하고, 그위에 LB 막을 적층해도 된다.
상기 언급한 방법에 의해 배향제어막으로서 LB 막을 지니는 각각의 2개의 유리기판은, LB 막이 형성된 표면을 서로 대향시켜 유지한 다음, 이들을 접착한다. 제4도는 본 발명에 따라서 얻을 수 있는 꼬인 네마틱(TN)형 액정셀을 도시한 것으로서, (41), (42), (43), (44) 및 (45)는 각각 상부기판, 하부기판, 상부기판을 끌어올리는 방향, 하부기판을 끌어올리는 방향 및 시일링수지를 나타낸다. 즉, 제4도에 도시된 바와같이, 2개의 유리기판중 하나에서, 한번의 일부를 제외한 4변상에 일정직경의 스페이서를 분산하여 지닌 산무수물 경화형 에폭시수지조성물을 인쇄하여 시일링수지(45)를 형성한다. 이렇게 인쇄된 조성물은 가압상태하에 140℃에서 3시간동안 가열함으로써 경화되므로 2개의 유리기판은 접착된다. 이렇게 접착된 2개의 유리기판의 세트를 셀이라 하고 액정물질은 감압상태하에 이셀의 개구부(45a)를 통해 그속으로 주입된다. 주입완료후, 개구부를, 산무수물 경화형 에폭시수지조성물을 사용하여 시일하므로써, 본 발명의 액정셀이 완성된다.
상기와 같이 단분자막형성기능을 지니는 화합물로서는, 분자중에 친수성기와 소수성기를 겸비한 소위 양친매성물질을 이용하는 것이 가능하며, 더욱 상세하게는, 예를들면 일반적으로 LB 막을 형성하기 위해 사용되는 스텐아린산(금속염)등의 탄소수 16~22를 지닌 긴사슬의 알킬기를 지니는 알콜, 카르복시산, 금속염 및 이들의 유도체 또는 예를들면 일본국 특개소 62-61673호 및 62-129317호에 개시된 것과 같은 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 폴리아미드수지가 단독 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 또한, 형성되는 막의 내열성 및 안정성의 점으로부터, 주요성분으로서 중합화합물을 지니는 것을 사용하는 것이 가장 바람직하며, 특히, 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 폴리아미드화합물 또는 폴리아미드산의 긴사슬의 알킬에스테르단위를 지니는, 화합물중에서 사용하는 것이 바람직하다. 그외에, 이들 화합물과 혼합되는 액정으로서는, 예를들면 시프염기, 아조, 아족시, 비페닐, 시클로헥산, 시클록헥산 카르복시페닐에스테르, 페닐시클로헥산, 비페닐시클로헥산, 피리미딘, 디옥산, 티오에스테르, 디에스테르, 터페닐 및 신나모니트릴계와 같은 액정이 단독 또는 혼합되어 혼합액정을 만든다.
배향제어막으로서, 상기 제시한 바와 같은 한성분으로서 액정을 함유하는 혼합 LB 막을 사용하는 액정표시소자는, 러빙처리를 실시하지 않아도 액정의 분자배향이 제공될 수 있는 성질을 나타낸다. 더욱이, LB 막이 단독으로 사용되는 경우에 비해서, 액정물질을 혼합해서 사용하면, 분자배향성질을 더욱 향상하고 불균일한 배향을 현저하게 감소시켜 고품질의 표시특성을 제공하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명에 따른 꼬인 네마틱(TN)형 액정표시소자의 구체적인 실시예를 기술한다.
[실시예 A1]
60mm×50mm 크기의 유리기판의 한면상에, 패턴이 형성된 마스크를 사용하여 진공증착에 의해서 200nm의 두께를 지니는 ITO 전극을 형성한다. 다음, 유전층으로서, 진공증착도포기술에 의해서, ITO 전극상에 100nm의 두께를 지니는 산화규소막을 형성한다. 한편, 피로멜리트산 디스테아릴 에스테르의 산클로라이드를 4,4′-다아미노디페닐에테르와 반응시켜 얻은 폴리이미드전구체(PIP)와 액정(멜크 (Melk)사 제품, 상품명 ; ZLI 3220)과의 1:1 비율의 혼합물을 디메틸-아세토아미드와 클로로포름과의 혼합용매에 용해한다. 이렇게 얻은 용액을 사용하여, 상기 ITO 전극이 증착형성된 유리기판상에, PIP와 액정과의 혼합 LB 막을 상기 언급한 방법에 의해 5층으로 적층한다. 동일방법으로 처리된 2개의 유리기판을 제조하고, 제4도에 도시한 바와 같이 LB 막의 형성시 기판을 끌어올리는 방향이 서로 지각을 이루도록 셀을 구성한다. 2개의 유리기판중 하나에서 그의 한변을 그의 중심부에서 5mm 길이 부분을 인쇄하지 않은 상태로 남겨두는 것을제외하고 이들의 4변상에 각각 7㎛ 직경의 유리섬유를 분산해서 지니는 산무수물 경화형 에폭시수지조성물을 1mm의 폭으로 주회(周回) 패턴으로 인쇄한다. 다음, 제1도에 도시한 바와 같이 2개의 유리기판을, 전극 표면이 서로 대향하도록 유지하고, 그위에 150℃에서 1시간동안 가압하여 경화접착되게 한다. 접착후, 감압하에, 액정물질(멜크사제품, ZLI 3225)을 상기 개구부로부터 그속으로 주입한다. 주입후 개구부를 시판중인 산무수물 경화형 에폭시수지조성물로 봉합하여, 소위 꼬인네마틱(TN)형 액정셀을 완성한다. 이렇게 완성된 TN형 액정셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
Figure kpo00001
[실시예 A2]
피로멜리트산 디스테아릴 에스테르의 산화클로라이드를 2,5-디아미노벤즈아미드로 반응시켜 얻은 폴리이미드 이소인드로퀴나졸린디온 전구체(PIIQP), PIP 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻어진 셀을 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
Figure kpo00002
[실시예 A3]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻어진 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
[실시예 A4]
PIIQP, PIP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻어진 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
[실시예 A5]
PIP와 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1 :1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻어진 셀을 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
[실시예 A6]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLT 3489)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻은 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향 상태를 지닌다.
[실시예 A7]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻은 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
[실시예 A8]
PIIQP, PIP 및 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 실시예 A1과 동일한 방법으로 TN형 액정셀을 제조한다. 이렇게 얻은 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 지닌다.
[B 그룹의 실시예]
다음, 본 발명에 따라서 강유전성 액정소자의 실시예를 설명한다. 강유전성 액정소자를 형성하는데 사용하는 기판과 그위에 형성되는 LB 막의 각각은 주입되는 액정만이 서로 상이한 것 이외에는 TN형 액정소자를 만드는데 사용한 것과 동일한 것으로 만들어질 수 있다. 우선, 배향제어막으로서 혼합된 액정을 지니지 않는 LB 막이 사용될때의 실시예를 설명한다.
이들 실시예에서는 A 그룹의 실시예와 동일한 기판이 사용되며 이들의 표면상에, 혼합된 액정을 지니지 않으며 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 폴리아미드로 만들어진 LB 막이 A 그룹의 실시예에서 설명된 방법으로 형성된다. 배향제어막으로서 LB 막이 각각 형성된 2개의 유리기판은 LB 막이 도포된 표면이 서로 대향하도록 유지된 다음, 접착된다. 제5도는 본 발명의 방법으로 얻어진 강유전성 액정표시소자를 도시한 것으로서, (51), (52), (53), (54) 및 (55)는 상부기판, 하부기판, 상부기판을 끌어올리는 방향, 하부기판을 끌어올리는 방향 및 시일링수지를 나타낸다. 즉, 제5도에 도시된 바와 같이, 2개의 유리기판중 하나에서, 한변의 일부를 제외한 4변상에 일정직경의 스페이서를 분산해서 지니는 산무수물 경화형 에폭시수지조성물을 인쇄하여 시일링수지(55)를 형성한다. 2개의 유리기판을 전압하에 140℃에서 3시간동안 가열하여 서로 접착시킨다. 이렇게 서로 접착된 2개의 유리기판의 세트를 셀이라하며, 감압상태하에서 그의 개구부(55a)를 통해 그속으로 액정물질로 만들어진 혼합액정물질중에서 강유전성 액정물질을 선택할 수도 있다. 상승된 온도에서 냉각될때 액정셀을 완성한다. 상기 설명한 바와 같이, 주성분으로서 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 폴리아미드화합물을 함유하는 단분자막 또는 적층단분자막을 사용하는 강유전성 액정표시소자는 러빙처리를 실시함이 없이 강유전성 액정의 분자배향을 성취할 수 있는 성질과 배향불균일성이 감소된 고품질의 표시특성을 지닌다.
이하, 구체적인 실시예를 사용하여 본 발명을 상세히 설명한다.
[실시예 B1]
60mm×50mm 크기의 유리기판의 한면상에, 패턴형성된 마스크를 사용하여 진공증착에 의해서 200nm의 두께를 지니는 ITO 전극을 형성한다. 다음, 유전막으로서 100nm의 두께를 지니는 산화규소막을 진공증착 도포기술로 ITO 전극상에 형성한다. 한편, 피로멜리트산 디스테아릴 에스테르의 산클로라이드를 4,4′-디아미노-디페닐에테르와 반응시켜 얻은 폴리이미드전구체(PIP)를 디메틸 아세토아미드와 클로로포름과의 혼합용매속에 용해한다.
Figure kpo00003
이렇게 얻은 용액을 사용하여, 상기 언급한 방법을 통해 증착형성된 상기 ITO 전극을 니는 유리기판상에, PIP의 LB을 5층으로 적층한다. 동일방법으로 처리된 2개의 유리기판을 제조하고 상부기판(51), 하부기판(52)이 제5도에 도시한 바와 같이 LB 막의 형성시 서로 반대인 끌어올리는 방향(53)과 끌어올리는 방향(54)을 지니도록 하는 방법으로 셀을 구성한다. 투명전극층이 형성된 하부기판(52)의 표면상에서, 그의 한편의 중심부에서 비인쇄된 5mm 길이 부분을 남겨두는 것을 제외하고 이들의 4변상에 각각 2.0㎛ 직경의 플라스틱비드를 분산해서 지니는 산무수물 경화형 에폭시수지조성물을 1mm의 폭으로 주회패턴으로 인쇄하여 시일링수지(55)를 형성한다. 다음, 제1도에 도시한 바와 같이, 2개의 유리기판을 투명전극층(12)이 서로 대향하도록 유지하고, 그위에 140℃에서 3시간동안 가압하여 경화접착을 실행한다. 접착후, 개구부(55a)로부터 강유전성 액정물질(멜크사제품, ZLT 3489)을 감압하에 그속으로 주입한다. 주입후, 개구부는 시판중인 산무수물 경화형 에폭시수지조성물로 시일되므로 강유전성 액정(FLC) 셀이 완성된다. 이렇게 얻은 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 실시한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 B2]
피로멜리트산 디스테아릴 에스테르의 산클로라이드를 2,5-디아미노벤즈아미드와 반응시켜 얻은 폴리이미드 이소인드로퀴나졸린디온 전구체(PIIQP)의 LB 막을 사용하여, 주입되는 액정으로서 상기 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 B1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 셀을 100℃로 예비가열한 다음 첨차로 냉각하는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
Figure kpo00004
[실시예 B3]
PIP와 스테아릴알콜과의 1:1 비율의 혼합물로 만들어진 LB 막을 사용하여, 실시예 B1과 동일한 방법으로, 주입되는 액정으로서 상기 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 셀을 100℃로 예비 가열한 다음 점차로 냉각하는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 B4]
PIIQP, PIP 및 스테아릴 알콜과의 1:1:1 비율의 혼합물로 만들어진 LB 막을 사용하여, 실시예 B1과 동일한 방법으로, 주입되는 액정으로서 상기 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기 배향처리를 시행한다. 따라서 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 B5]
주입되는 강유전성 액정으로서 치소(chisso) 주식회사 제품, 상품명 CS 1015를 사용하는 것외에 실시예 B1과 동일한 방법으로 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서 FLC 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타낸다.
[실시예 B6]
주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, 상품명 CS 1015를 사용하는 것 외에 실시예 B2와 동일한 방법으로 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, FLC 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타낸다.
[실시예 B7]
주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, 상품명 CS 1015를 사용하는 것외에 실시예 B3과 동일한 방법으로 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, FLC 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타낸다.
[실시예 B8]
주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, 상품명 CS 1015를 사용하는 것외에 실시예 B4와 동일한 방법으로 FLC 셀을 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차적으로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, FLC 셀은 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타낸다.
[비교실시예 B1]
폴리-옥타데센-1-말레인산 무수물로 이루어진 LB 막을 사용하여, 주입되는 액정으로서 멜크사제품, ZLI 3489를 사용하는 FLC 셀을 실시예 B1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 그러나, 이렇게 얻어진 FLC 셀을 강유전성 액정표시소자로서 쌍안정이 불충분하며 액정분자배향의 불균일성이 크다.
[C 그룹의 실시예]
또한, 배향제어막은 이것의 성분으로서 액정을 지니며 주입되는 액정이 강유전성 액정인 본 발명의 액정소자의 실시예를 이하 설명한다. 배향제어막속에 혼합되어 사용된 액정은 시프염기, 아조, 아족시, 비페닐, 시클로헥산, 시클로헥산카르복시페닐에스테르, 페닐시클로헥산, 비페닐시클로헥산, 피리미딘, 디옥산, 티오에스테르, 디에스테르, 터페닐, 신나모니트릴계 및 다른 계의 액정으로 이루어진 군에서 혼합액정을 형성하기 위해 단일 또는 혼합으로 사용되도록 선택된다. 배향제어막으로서의 한성분으로 액정을 함유하는 이러한 혼합 LB 막을 사용하는 강유전성 액정표시소자는 러빙처리를 실행하지 않아도 액정분자를 배향하는 성질과, LB 막이 단독으로 사용되는 경우에 비해서 액정물질의 혼합사용에 의해 향상된 분자배향을 지니므로 분자배향의 불균일성이 없이 고품질의 표시특성을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 제시한다.
[실시예 C1]
60mm×50mm 크기의 유기판의 한면상에, 패턴형성된 마스크를 사용하여 진공증착에 의해 200mm의 두께를 지니는 ITO 전극을 형성한다. 다음, 유전층으로서 100nm의 두께를 지니는 산화규소막을 진공증착도포기술로 ITO 전극상에 형성한다. 한편, 피로멜리트산 디스테아릴 에스테르의 산클로라이드를 4,4′-디아미노페닐에스테르와 반응시켜 얻은 폴리이미드전구체(PIP)와 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1:1 비율의 혼합물을 디메틸아세토아미드와 클로로포름과의 혼합용매내에 용해한다. 이렇게 얻은 용액을 사용하여, 증착형성된 상기 ITO 전극을 지니는 유리기판상에 상기 언급한 방법을 통하여 PIP와 액정물질과의 혼합 LB 막을 5층으로 적층한다.
Figure kpo00005
동일방법으로 처리된 2개의 유리기판을 제조하고 제5도에 도시한 바와 같이, 상부 기판(51)과 하부기판(52)이 LB 막 형성시 서로 반대인 끌어올리는 방향(53)과 끌어올리는 방향(54)을 각각 지니는 방법으로 셀을 구성한다. 투명전극층이 형성된 하부기판(52)의 표면상에서, 그의 하변의 중심부에 비인쇄된 5mm 길이 부분을 남겨두는 것을 제외하고 이들의 4변상에 각각 2.0㎛ 직경의 플라스틱비드를 분산해서 지니는 산무수물 경화형 에포시수지조성물을 1mm의 폭으로 주회패턴으로 인쇄하여 시일링수지(55)를 형성한다. 다음, 제1도에 도시한 바와 같이, 2개의 유리기판은 투명전극층(12)이 서로 대향하도록 유지되고 그위에 140℃에서 3시간동안 가압하에 경화접착을 실행한다. 접착후, 개구부는 시판되는 산무수물 경화형 에포시수지조성물로 봉합하여 강유전성 액정(FLC) 셀을 완성하였다. 이렇게 얻은 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C2]
피로멜리트산 디스테아릴에스테르의 산클로라이드를 2,5-디아미노벤즈아미드와 반응시켜 얻은 폴리이미드 이소인드로퀴나졸린디온 전구체(PIIQP), PIP 및 액정(멜크사제품, ZLI 3484)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3484를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
Figure kpo00006
[실시예 C3]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C4]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C5]
PIP, 다음의 폴리아미드화합물(PA ; 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기로서 옥타메카닐기를 지니는 폴리아미드화합물) 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자 배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
Figure kpo00007
[실시예 C6]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품 CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3654를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C7]
PIP, PIIQP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3489)과의 1:1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다.
따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C8]
PIP 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로 ZLI 3484를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C9]
PIP, PIIQP 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C11]
PIP, PIIQP, 스테아릴알콜 및 액정(멜크사제품, ZLI 3220)과의 1:1:1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃ 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C12]
PIP 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C13]
PIP, PIIQP 및 액정(치소사제품 CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C14]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품 CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3489를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C15]
PIP, PIIQP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 액정으로서 ZLI 3484를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 100℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C16]
PIP와 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 강유전성액정으로서 치소사제품, 상품명 CS 1015를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C17]
PIP, PIIQP 및 액정(치소사제품, CS1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여 밀봉주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, CS 1015를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C18]
PIP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, CS 1015를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
[실시예 C19]
PIP, PIIQP, 스테아릴알콜 및 액정(치소사제품, CS 1014)과의 1:1:1:1 비율의 혼합 LB 막을 사용하여, 밀봉주입되는 강유전성 액정으로서 치소사제품, CS 1015를 지니는 FLC 셀을 실시예 C1과 동일한 방법으로 제조한다. 이렇게 제조된 FLC 셀을 110℃로 예비가열한 다음 점차로 냉각시키는 방법으로 초기배향처리를 시행한다. 따라서, 불균일성이 없는 현저한 분자배향상태를 나타내는 FLC 셀을 얻을 수 있다.
상기 기술한 본 발명의 실시예에서는, LB 막의 형성방법으로서 수직담금방법으로 사용하였으나, 일반적으로 잘알려진 회전원통방법이나 수평접착방법을 사용해도 된다.
또한, 본 발명의 LB 막의 성분으로 사용되는 액정은 멜크사제품인 상품명 ZLI 3220 및 ZLI 3225에만 한정되는 것은 아니다. 또한, TN형 액정표시소자와 강유전성 액정표시소자에 대해서만 기술하였으나, 본 발명은 상기 언급한 것외에 액정분자의 배향제어를 실행하는 것이 필요한 다른 표시소자에 대해서도 효과적으로 적용될 수 있다.

Claims (10)

  1. 각각 전극층이 형성되고 이와같이 형성된 전극층이 서로 대향하도록 배치된 한쌍의 기판과, 상기 한쌍의 기판사이에 삽입된 액정층과, 최소한 하나의 상기 전극층과 상기 액정층사이에 형성된 액정분자배향제어막을 포함하며, 상기 액정분자배향제어막은 주성분으로서 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 폴리아미드화합물을 함유하고, 상기 폴리아미드화합물과 액정과의 혼합물의 단분자막 또는 적분단분자막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액정분자 배향제어막은 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 지닌 폴리아미드화합물을 주성분으로 하는 단분자막 또는 적층단분자막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제1항에 있어서, 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 상기 폴리아미드화합물은 폴리아미드산의 긴사슬의 알킬에스테르단위를 지닌 화합물인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 각각 전극층이 형성되고 이와같이 형성된 전극층이 서로 대향하도록 배치된 한쌍의 기판과, 상기 한쌍의 기판사이에 삽입된 액정층과, 최소한 하나의 상기 전극층과 상기 액정층사이에 형성된 액정분자배향제어막을 포함하며, 상기 액정분자배향제어막은 주성분으로서 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지닌 폴리아미드화합물을 함유하는 단분자막 또는 적층단분자막으로 이루어지고, 상기 액정층은 강유전성 액정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 액정분자배향제어막은 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 지닌 폴리아미드 화합물을 주성분으로 하는 단분자막 또는 적층단분자막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 액정분자 배향제어막은 주성분으로 폴리아미드 화합물을 함유하고 상기 폴리아미드 화합물과 액정과의 혼합물의 단분자막 또는 적층단분자막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 제4항에 있어서, 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 상기 폴리아미드화합물은 폴리아미드산의 긴사슬의 알킬에스테르단위를 지닌 화합물인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  8. 각각 전극층이 형성되어 있는 한쌍의 기판을 준비하는 단계와, 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 동시에 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 지닌 폴리아미드화합물과 액정과의 혼합물의 단분자막을, 랑그뮈어-블로젯트 방법에 의해 상기 한쌍의 기판중 적어도 하나의 기판위에, 단일 또는 적층으로 형성하여 기판상에 분자배향제어막을 형성하는 단계와, 상기 한쌍의 기판을 서로 대향하도록 공간을 두고 유지하는 단계와, 상기 공간속으로 액정물질을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 각각 전극층이 형성되어 있는 상기 한쌍의 기판중의 적어도 하나의 기판위에, 랑그뮈어-블로젯트방법에 의해서, 옆사슬에 긴사슬의 알칼치환기를 지니는 동시에 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 지니는 폴리아미드화합물과 액정과의 혼합물로 이루어진 상기 분자배향제어막을 단일 또는 적층으로 형성하고, 상기 단분자막의 적층시 기판의 담금방향이 서로 직각을 이루도록 상기 한쌍의 기판을 공간을 두고 대향시켜 유지하고, 상기 공간으로 네마틱액정물질을 주입하고 유지하므로써 꼬인 네마틱형 액정소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
  10. 각각 전극층이 형성되어 있는 한쌍의 기판을 준비하는 단계와, 주성분으로서 옆사슬에 긴사슬의 알킬치환기를 지니는 동시에 수면상에 전개되어 단분자막을 형성하는 성질을 지닌 폴리아미드화합물을 함유하는 단분자막을, 랑그뮈어-블로젯트방법에 의해, 상기 한쌍의 기판중 적어도 하나의 기판위에, 단일 또는 적층으로 형성하여 분자배향제어막을 형성하는 단계와, 상기 단분자막의 적층시 기판의 단금방향이 서로 역방향이 되도록 상기 한쌍의 기판을 공간을 두고 대향시켜 유지하는 단계, 상기 공간으로 강유전성 액정물질을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132620A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 전북대학교산학협력단 액정 수직배향 유도제 및 이를 이용하여 제조된 액정표시장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5009489A (en) * 1986-04-04 1991-04-23 Ken Eguchi Liquid crystal device
US5067797A (en) * 1988-03-25 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display cell and process for producing the same
CA2020970A1 (en) * 1989-07-21 1991-01-22 Masakazu Uekita Liquid crystal display element
JP2635435B2 (ja) * 1989-09-06 1997-07-30 シャープ株式会社 液晶表示装置
EP0418833A3 (en) * 1989-09-20 1993-03-17 Hitachi, Ltd. Organic thin film and liquid crystal display devices with the same
US7227603B1 (en) 1993-07-22 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same
US5594569A (en) * 1993-07-22 1997-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same
JP3827806B2 (ja) * 1997-04-30 2006-09-27 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP3390633B2 (ja) 1997-07-14 2003-03-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7202497B2 (en) * 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) * 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6346975B2 (en) * 1998-08-04 2002-02-12 International Business Machines Corporation Liquid crystal display having alignment layer using ion bombarded amorphous material 100Å thickness or less
KR100601454B1 (ko) * 2000-10-04 2006-07-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2005015298A1 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Merck Patent Gmbh Alignment layer with reactive mesogens for aligning liquid crystal molecules

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4615919A (en) * 1984-10-09 1986-10-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132620A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 전북대학교산학협력단 액정 수직배향 유도제 및 이를 이용하여 제조된 액정표시장치

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