KR920007097B1 - Bus transmitter having controlled trapezoidal slew rate - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 발명에 따라 구성된 디지탈 데이타 버스 전송기의 개략 회로도.1 is a schematic circuit diagram of a digital data bus transmitter constructed in accordance with the present invention.
제2도는 제1도에 도시한 전송기를 이해하는데 유용한 제1도에 도시한 회로의 2지점에서의 신호 파형을 설명하는 도면.FIG. 2 illustrates signal waveforms at two points in the circuit shown in FIG. 1 useful for understanding the transmitter shown in FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 전송기 11 : 버스 구동기 트랜지스터10: transmitter 11: bus driver transistor
12 : 버퍼 회로 13 : 인버터12
15 : P-형 트랜지스터 16 : p-형 풀-업 트랜지스터15: P-type transistor 16: p-type pull-up transistor
17 : n-형 풀-다운 트랜지스터 20, 21 : 정전류원17: n-type pull-
본 발명은 일반적으로 전자 회로 분야에 관한 것으로, 특히, 디지탈 데이타 처리 시스템(processing system)내의 버스(bus)를 통해 신호를 전송하기 위한 회로에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention generally relates to the field of electronic circuits, and more particularly to circuitry for transmitting signals over a bus in a digital data processing system.
디지탈 데이타 처리 시스템은, 한개 이상의 프로세서, 메모리, 및 한개 이상의 버스들에 의해 모두 상호 접속된 대랑 기억 장치(mass storage device), 비디오 디스플레이 터미날, 프린터 및 원격 통신(telecommunication) 장치와 같은 입/출력 장치를 포함하는, 다수의 기능 유니트(functional unit)를 포함 한다. 버스는 시스템을 구성하는 다수의 유니트들 사이의 정보를 나타내는 신호를 이송할뿐만 아니라 본래 정보 신호의 전송을 제어하는 신호도 제어한다.Digital data processing systems include input / output devices such as mass storage devices, video display terminals, printers, and telecommunication devices all interconnected by one or more processors, memory, and one or more buses. It includes, a plurality of functional units (functional unit). The bus not only carries a signal representing information between the plurality of units constituting the system, but also controls a signal that controls the transmission of the original information signal.
일반적으로, 버스는 다수의 기능 유니트들이 병렬로 접속될 수 있는 와이어 (wire) 셋트로 되어 있다. 유니트가 버스내의 와이어를 통해 신호를 전송하는 경우에, 신호는 버스의 종단부에 도달할때 반사될 수 있다. 반사된 신호는 버스 와이어를 통해 나중에 전송되는 신호를 방해할 수 있어, 버스상의 에러를 신호화 할 수 있다. 신호 반사로 인한 주된 문제점은 나중에 전송된 신호를 와전시킬 수 있다는 것이다. 따라서, 시스템 설계자는 신호 반사로부터 유사한 방해를 최소화시키기 위하여 다른 전송이 발생하기 전에 한 전송 다음에 충분한 지연 시간을 제공해야 한다.In general, a bus is a wire set in which multiple functional units can be connected in parallel. In the case where the unit transmits a signal through a wire in the bus, the signal can be reflected when reaching the end of the bus. The reflected signal can interfere with the signal transmitted later over the bus wire, signaling the error on the bus. The main problem with signal reflection is that it can cause the transmission of the transmitted signal later. Thus, the system designer must provide sufficient delay time after one transmission before another transmission occurs to minimize similar disturbances from signal reflections.
선택적으로, 시스템 설계자는 반사를 최소화시키기 위바여 버스 또는 이 버스상에 전송된 신호를 구성할 수 있다. 예를들면, 소정의 와이어는 반사를 감소시키는데 도움이 되는 저항기 네트윅(network)을 각각의 단부에 포함한다. 버스용의 전력도 또한 이 버스 터미네이터(terminator) 네트윅을 통해 제공될 수 있다.Optionally, system designers can configure the bus or signals transmitted on it to minimize reflections. For example, certain wires include a resistor network at each end to help reduce reflections. Power for the bus can also be provided through this bus terminator network.
부수적으로, 신호 파형의 형태는 상이한 버스 라인들 상의 신호들 사이의 반사 및 누화(Crosstalk)를 최소화시키도록 조정될 수 있다. 특히, 신호 파형은 비교적 구형 (square)으로 될 수 있어, 버스 와이어의 전압 레벨은 고(high) 및 저 (low) 전압 레벨 사이로 비교적 가파르게 변화된다. 이러한 신호 파형은 고속 신호화를 허용하나, 이것도 또한 신호 반사 및 누화를 야기시킬 가능성이 대단히 크다.Incidentally, the shape of the signal waveform can be adjusted to minimize reflection and crosstalk between signals on different bus lines. In particular, the signal waveform can be relatively square so that the voltage level of the bus wire changes relatively steeply between high and low voltage levels. Such signal waveforms allow for high speed signaling, but this is also very likely to cause signal reflection and crosstalk.
반면에, 신호가 "사다리꼴(trapezoidal)" 형태로 되어 신호의 전압 레벨이 고 및 저 레벨 사이로 덜 가파르나 여전히 고속 비율로 변화하면, 반사의 가능성이 최소화될 수 있다. 이러한 신호를 발생시키는 전송기는 선택된 범위내로 와이어 상의 전압 변화율, 즉 "회전율(slew rate)"을 제어할 수 있어야 한다. 이 문제점은, 대부분의 시스템에서, 버스가 이 버스에 접속된 광범위하게 변화하는 다수의 유니트를 조정하여, 버스 와이어 상에 전송된 신호의 회전율을 변화시킬 수 있는 광범위하게 변화하는 용량성 부하(capacitive load) 상태를 발생시킬 수 있기 때문에, 복합적이다.On the other hand, if the signal is "trapezoidal" and the signal's voltage level is less steep between the high and low levels but still changes at a high rate, the possibility of reflection can be minimized. The transmitter generating this signal must be able to control the rate of change of voltage on the wire, or "slew rate," within the selected range. This problem is, in most systems, a widely varying capacitive load that can vary the number of widely varying units that a bus is connected to, thereby changing the turnover of signals transmitted on the bus wires. It is complex because it can generate a load) state.
현재, 사다리꼴 신호 파형을 발생시킬 수 있는 전송기는 전기값이 고정확도로 제어될 수 있는 이산(discrete) 저항기 및 그외의 다른 부품(component)과 결합하여 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 장치를 사용하여 실시된다. 디지탈 데이타 처리 시스템의 기능 유니트를 구성하는 대부분의 회로는 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 장치를 사용하여 실시되고, 바이폴라 전송기 회로는 유니트를 구성하는 다른 부품과 분리되어 떨어져 실시되어, 유니트를 구성하는 회로소자들이 장착된 인쇄 회로 기판상에 상당히 넓은 공간을 차지한다. 부수적으로, 바이폴라 전송기는 이산되어 있고 바이폴라로 되어 있으며 다른 장치와 분리되기 때문에, 상당한 양의 전력을 필요로 하고 전송된 신호 내에 여분의 지연을 제공한다.Currently, transmitters capable of generating trapezoidal signal waveforms are implemented using bipolar transistor devices in combination with discrete resistors and other components whose electrical values can be controlled with high accuracy. . Most of the circuits that make up the functional unit of a digital data processing system are implemented using a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) device, and the bipolar transmitter circuit is implemented separately from other components constituting the unit. It occupies a fairly large space on a printed circuit board on which the circuit elements forming the circuit board are mounted. Incidentally, because bipolar transmitters are discrete, bipolar and separate from other devices, they require a significant amount of power and provide extra delay in the transmitted signal.
본 발명은 버스를 통해 전송하기 위하여 사다리꼴 파형으로 신호를 발생시키기 위해 MOSFET 장치를 사용하여 실시된 새롭고 개량된 전송기 회로를 제공한다.The present invention provides a new and improved transmitter circuit implemented using MOSFET devices to generate signals in trapezoidal waveforms for transmission over a bus.
간단히 요약하면, 새로은 버스 전송기 회로는 전류가 정전류원(constant current source)에 의하여 제어되는 풀-업(pull-uP) 및 풀-다운(Pull-down) 트랜지스터 전류를 갖고 있는 버퍼(buffer) 회로에 의해 구동된 MOSFET 버스 구동기 트랜지스터를 포함한다. 구동기 트랜지스터의 게이트(Sate)와 드레인(drain)간 캐패시턴스 CGD는 게이트 단자에서의 다른 캐패시턴스 보다 상당히 높다 구동기 트랜지스터의 게이트 단자는 풀-업 및 풀-다운 트랜지스터에 접속되어 이들 트랜지스터에 의하여 제어된다. 구동기 트랜지스터의 드레인 단자는 버스 라인에 접속되어 이 버스 라인을 제어한다. 버스 라인 상에 신호를 어써트(assert)하기 위하여, 풀-업 트랜지스터는 전류원에 의하여 지배되는 비율로 노드내로 전류를 구동시키기 위해 턴온(turn On)되어, 노드의 전압 레벨을 증가시킨다. 노드의 전압 레벨이 구동기 트랜지스터의 임계(threshold) 레벨에 도달할때, 구동기 트랜지스터는 턴온되기 시작하여, 버스 라인의 전압 레벨이 강하되게 한다. 동시에, 전류는 구동기 트랜지스터의 게이트와 드레인간 캐패시턴스를 통해 버스 라인으로부터 노드내로 흐르기 시작하여, 노드의 전압 레벨을 제한시키므로 구동기 트랜지스터를 통하는 전류 흐름을 제한시키게 된다. 그러므로, 전류는 버스 라인상의 전압 레벨의 변화율에 의해 부분적으로 제어된 식으로 버스 라인으로부터 구동기 트랜지스터늘 통해 흐름으로써, 버스 라인상의 신호의 사다리꼴 회전을 달성하게 된다. 버스 라인상의 신호를 네게이트(negate)하면, 동작이 유사하게 되어, 전류는 풀-다운 트랜지스터 및 구동기 트랜지스터의 게이트와 드레인간 캐패시턴스를 통해 노드 외부로 흐르게 된다.In short, the new bus transmitter circuit is a buffer circuit with pull-uP and pull-down transistor currents whose current is controlled by a constant current source. And a MOSFET bus driver transistor driven by it. The capacitance C GD between the gate and drain of the driver transistor is significantly higher than the other capacitance at the gate terminal. The gate terminal of the driver transistor is connected to the pull-up and pull-down transistors and controlled by these transistors. The drain terminal of the driver transistor is connected to the bus line to control this bus line. To assert a signal on the bus line, the pull-up transistor is turned on to drive the current into the node at a rate governed by the current source, increasing the voltage level of the node. When the voltage level of the node reaches the threshold level of the driver transistor, the driver transistor begins to turn on, causing the voltage level of the bus line to drop. At the same time, current begins to flow from the bus line into the node through the gate-to-drain capacitance of the driver transistor, limiting the voltage level at the node, thus limiting the current flow through the driver transistor. Thus, current flows from the bus line through the driver transistors in a manner that is partly controlled by the rate of change of the voltage level on the bus line, thereby achieving trapezoidal rotation of the signal on the bus line. Negate the signal on the bus line, the operation is similar, so that current flows out of the node through the gate-drain capacitance of the pull-down transistor and driver transistor.
본 발명은 첨부된 특허청구의 범위내에 상세하게 지적되어 있다. 본 발명의 상기 장점 및 그외는 다른 장점은 첨부한 도면과 함께 다음 설명을 참조함으로써 양호하게 이해할 수 있다.The invention is pointed out in detail within the scope of the appended claims. The above and other advantages of the present invention can be better understood by referring to the following description in conjunction with the accompanying drawings.
제1도를 참조하면, 본 발명에 따라 구성된 전송기(10)은 게이트 단자가 인버터의 형태로 버퍼 회로(12)로부터 BUF OUT 버퍼 출력 디지탈 데이타 신호를 수신하는 버스 구동기 트랜지스터(11)을 포함한다. 버퍼 회로(12)로부터의 어써트된(즉, 하이 상태인) BUF OUT 버퍼 출력신호에 응답하여, 버스 구동기 트랜지스터는 버스 라인(14)를 거쳐 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 디지탈 데이타 신호를 전송하기 위하여 턴온된다. 버스 구동기 트랜지스터(11)은 버스 라인(14)에 직접 접속된 드레인 단자, 및 효율적으로 접지 전압 레벨에 있는 Vss공급 전원에 접속된 소오스 단자를 갖고 있다. 버스 구동기 트랜지스터(11)은 n-형 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이다.Referring to FIG. 1, a
버퍼 회로(12)는 2개의 정전류원(20 및 21) 사이에 접속된 P-형 풀-업 트랜지스터(16) 및 n-형 풀-다운 트랜지스터(17)을 포함한다. 전류원(20)은 VDD공급 전원에 접속되고, 풀-업 트랜지스터(16)의 드레인 단자에 결합되는 전류를 제어한다. 풀-업 트랜지스터(16)의 소오스 단자는 노드(22)에 접속되는데, 이 노드(22)에는 풀-다운 트랜지스터(17)의 드레인 단자도 접속되어 있다. 풀-다운 트랜지스터(17)의 소오스 단자는 노드(22)로부터 Vss공급 전원으로 흐르는 전류를 제어하는 전류원(21)에 접속된다. 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트 단자에 결합되는 BUF OUT 인버터 출력 신호는 풀-업 트랜지스터(16) 소오스 단자와 풀-다운 트랜지스터(17)의 드레인 단자 사이의 노드(22)에 제공된다. 트랜지스터(11)을 다시 참조하면, 이 트랜지스터는 노드(22)에서의 다른 캐패시턴스에 비해 높은 게이트 및 드레인 단자 사이의 캐패 시턴드(제1도에 CGD로 도시됨)를 가지므로, 게이트와 드레인 간의 캐패시턴스 CGD가 노드(22)상의 다른 캐패시턴스 소오스 보다 상당히 우세하다.The
풀-업 트랜지스터(16) 및 풀-다운 트랜지스터(17)의 게이트 단자는 다른 회로(도시하지 않음)로부터의 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 반전하는 인버터(13)로부터의 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호에 의하여 직렬로 제어된다. SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트 된) 신호도 또한 드레인 단자가 노드(22)에 접속되고 소오스 단자가 Vss공급전원에 접속된 P-형 트랜지스터(15)를 제어한다.The gate terminals of the pull-
처음에, SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 저전압(네게이트된) 상태에 있다. 그 결과, 트랜지스터(15)가 온(on)된다. 인버터(13)는 트랜지스터 (17)을 온상태로 유지시키고 트랜지스터(16)을 오프상태로 유지시키는 고전압 레벨(네게이트된) SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 제공하기 위해 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호를 보수화(complement)한다. 이 때, 노드(22)로부터의 전하(charge)는 전류원(21)를 통해 Vss소오스 전압 레벨(즉, 접지)로 전송되므로, BUF OUT 버퍼 출력 신호는 저전압 레벨에 있게 된다. 부수적으로, 구동기 트랜지스터(11)의 오프되기 때문에, BUF OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 시간 A(제2도)에서 도시한 바와 같이, 고전압 레벨에 있게 된다(그러므로, 네게이트된 논리 레벨을 갖고 있는 신호를 제공하게 된다).Initially, the SIG OUT (H) signal output (asserted high) signal is in a low voltage (negated) state. As a result, the transistor 15 is turned on.
SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호가 네게이트된(저전압) 상태로부터 어써트된(고전압)상태로 시프트될때, 트랜지스터(15)는 턴오프된다. 부수적으로, 인버터(13)은 저전압(어써트된) 상태에서 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된)신호를 형성하기 위하여 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호를 보수화한다. 그 결과, 트랜지스터(17)이 턴오프되어 노드(22)로부터 전류원(21)을 통하여 Vss공급 전원으로의 전류경로를 차단하게 된다. 부수적으로, SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 트랜지스터(16)을 턴온시키어, VDD공급 전원으로부터 전류원(20)을 통해 노드(22)로의 경로를 발생시킨다.When the SIG OUT (H) signal output (asserted high) signal is shifted from the negated (low voltage) state to the asserted (high voltage) state, the transistor 15 is turned off. Incidentally, the
트랜지스터(16)이 온되기 때문에, BUF OUT 버퍼 출력 신호의 전압 레벨은 제 2도에 시간 A로부터 시간 B까지 도시한 바와 같이 상승하기 시작한다. 시간 B(제2도)에서, BUF OUT 버퍼 출력 신호의 전압 레벨은 임계 전압 레벨로 상승하므로, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 턴온되기 시작한다. 이것은 버스 라인(14)로부터의 전류가 버스 구동기 트랜지스터(11)을 통해 흐를 수 있게 하므로, 시간 B(제2도) 직후에 도시한 바와 같이 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 강하하게 한다. 그러나, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD가 노드(22)상의 총 캐패시턴스의 비교적 큰 부분이기 때문에, 전류도 또한 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통해 버스 라인(14)로부터 노드(22)내로 인입된다. 그러므로, 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD는 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호가 노드(22)의 전압 레벨에 영향을 미치도록 궤환 경로를 제공한다.Since
이때, 2개의 소오스 즉, [풀-업 트랜지스터(16)을 통하는]전류원(20), 및 [버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통하는] 버스 라인(14)는 반대 방향으로부터 노드(22)내로 전류가 강제로 들어오게 하기 때문에, 접지에 관련된 노드(22)의 전압 레벨 (즉, Vss소오스 공급 전원의 전압 레벨)은 제2도 내의 시간 B 및 C 사이에 도시한 바와 같이 변화하지 않는다. 따라서, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트 단자상의 전압 레벨은 거의 임계 레벨에 유지되므로, 트랜지스터 (11)이 온으로 유지되나, 버스 라인(14)의 전압 레벨이 제어된 비로 강하하는 레벨에 유지된다. 즉, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압은, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인 간 캐패시턴스 CGD및 전류원(20)에 의해 제공된 전류 흐름에 관련되는 기간동안 고레벨로부터 저레벨로 변화된다.At this time, two sources, namely, the current source 20 (via the pull-up transistor 16) and the bus line 14 (via the gate-drain capacitance C GD of the bus driver transistor 11) are in opposite directions. Since the current is forced into the
버스 라인(14)상의 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 하향 전이를 완료했을때, 전류가 버스 라인(14)로부터 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통해 노드(22)내로 인입되는 비율도 또한 강하된다. 그 결과, 풀-업 트랜지스터(16)을 통해 전류원(20)으로부터 노드(22)내로 인입된 전류가 노드(22)를 지배하고, 노드(22)의 전압 레벨은 시간 C 및 D(제2도) 사이에 도시한 바와 같이, 중 가하기 시작한다. 증가비는 게이트와 드레인간의 캐패시턴스 CGD를 포함하는 노드(22)의 캐패시턴스, 및 전류원(20)에 의하여 공급된 전류에 좌우된다. 시간 D(제2도)에서, 노드(22)는 최대 전압 레벨로 충전된다. 이때, 제 2도의 시간 D에서 하이 BUF OUT 버퍼 출력 신호로 도시된 바와 같이, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 완전히 온되고 노드(22)는 완전히 충전된다. 또한, 시간 D에서 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 완전히 어써트된다. 즉, 저전압 레벨에 있게 된다.When the voltage level of the BUS OUT (L) bus output (asserted low) signal on
시간 E까지, BUF OUT 버퍼 출력 신호는 고전압 레벨에 유지되고 BUS OUT(L) 버스 출력 (로우 상태로 어써트된) 신호는 저전압에 유지된다. 시간 E에서, SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 네게이트된다. 즉, 저전압 레벨에서 구동된다. 그 결과, 인버터(13)은 하이 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 제공하기 위해 로우 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호 를 보수화한다. 하이 S1G OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 풀-업 트랜지스터(16)을 턴 오프시키어, 전류원(20)으로부터 노드(22)로의 전류 경로를 턴오프시키고, 풀-다운 트랜지스터(17)을 턴온 시키어, 노드(22)로부터 전류원(21)로의 전류 경로를 제공한다.By time E, the BUF OUT buffer output signal remains at the high voltage level and the BUS OUT (L) bus output (asserted low) remains at the low voltage. At time E, the SIG OUT (H) signal output (asserted high) is negated. That is, driven at a low voltage level. As a result,
부수적으로, 하이 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 트랜지스터(15)를 턴온시키어, 노드(22)와 Vss소오스 공급 전원에 의하여 제공된 접지 전압 레벨 사이에 직접 전류 경로를 제공한다. 트랜지스터(15)를 통하는 전류 경로는 노드(22)가 시간 E와 F(제2도) 사이에서 트랜지스터(15)의 임계 전압 레벨로 신속히 방전되게 한다. 트랜지스터(15)가 P-형 트랜지스터로 된 한 특정 실시예에 있어서, 트랜지스터(15)는 노드(22)의 전압 레벨이 5V의 완전 충전 상태로부터 약 2.5V로 강하하게 된다. 소정의 전류도 또한 이 시간 동안 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 노드(22)로부터 흐르나, 주요 전류 경로는 트랜지스터(15)를 통과한다. 노드(22)의 전압 레벨이 버스 구동기 트랜지스터(11)의 임게 레벨로 되게 하기에 충분한 전류가 노드(22)로부터 흐른 후, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 턴오프되기 시작하여, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 상승하게 함으로써, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 네게이트하게 된다.Incidentally, the high SIG OUT (H) signal output (asserted in high state) signal turns on transistor 15, direct current path between
시간 F주위에서, 트랜지스터(15)의 게이트 단자와 드레인 단자간의 전압차가 트랜지스터의 임계 레벨로 강하할때, 트랜지스터(15)는 기본적으로, 턴오프된다. 그러나, 전류는 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 노드(22)로부터 계속 흐르려고 한다. 동시에 전류는 반대 방향으로, 즉, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD를 통해 노드(22)로부터 계속 흐른다. 전류가 반대 방향으로 노 드(22)로부터 유출되기 때문에, BUF OUT 버퍼 출력 신호를 제공하는 노드(22)의 전압 레벨은, 제2도의 시간 F-G에 도시한 바와 같이, 트랜지스터(11)을 제어 레벨에서 온상태로 유지시키기에 춘분한 레벨로 일정하게 된다. 이것은 제2도에 도시한 바와 같이, 이 기간동안, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어 써트된) 신호의 전압 레벨이 안정하게 제어된 비로 증가되게 된다.Around time F, when the voltage difference between the gate terminal and the drain terminal of the transistor 15 drops to the threshold level of the transistor, the transistor 15 is basically turned off. However, current continues to flow from
시간 G에서, 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD는 노드(22)로부터 전하를 인출하는 것을 중지시키므로, 전류원(21)에 의해 제어된 비로 아직 온상태에 있는 트랜지스터(17)을 통해서만 노드(22)에 전하가 남게 된다. 따라서, 노드(21)의 전압 레벨은 전송기 회로(10)의 접지 레벨인 Vss소오스 공급 전원 레벨로 강하한다. 따라서, BUF OUT(L) 버퍼 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 제2도에 도시한 바와 같이 시간 G-H(제2도) 사이에서 제어된 비로 강하한다.At time G, the gate-drain capacitor C GD stops drawing charge from the
트랜지스터(15)는 버스 구동기 트랜지스터(11)이 턴오프되기 시작하는 지점으로 노드(22)의 전압 레벨을 풀(pull)하는데 필요한 시간 E-F를 감소시키기 위해 제공된다. 트랜지스터(15)의 부재시에, 그 대신, 전류는 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 흐르나, 전류원(21)이 전류의 흐름을 제한하기 때문에, 노드(22)의 전압을 구동기 트랜지스터(11)이 턴오프되기 시작하는 지점에 오게 하는데 긴 시간을 괼요로 하게 된다.Transistor 15 is provided to reduce the time E-F required to pull the voltage level of
부수적으로, 커다란 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD는 기본적으로 궤환 경로를 제공하여, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호가 노드(22)상의 전압 레벨을 부분적으로 제어하여 신호의 상승 및 하강을 제어하게 한다. 이것은 적당한 상승 및 하강 시간을 갖는 선행 연부(leading edge, 제2도의 시간, B-C사이) 및 추종연부(trailing edge, 제2도의 시간 F-G 사이)를 갖고 있는 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 발생시키어, "사디리꼴" 신호를 제공한다. 이 신호 형태는 대단히 짧은(즉, 구형) 상승 및 하강 시간을 갖고 있는 신호내의 링잉(ringing) 및 그외의 다른 고유 잡음을 감소시킨다. 이 신호 형태는, 상술한 바와 같이, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 신호전이 중에 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD를 통하는 전류흐름을 용이하게 하기 위하여 구동기 트랜지스터의 게이트 단자에서의 총 캐패시턴스를 상당히 지배하는 커다란 게이트와 드레인간 캐재시턴스 CGD를 가짐으로써 달성된다.Incidentally, the large gate-to-drain capacitor C GD essentially provides a feedback path so that the BUS OUT (L) bus output (low asserted) signal partially controls the voltage level on
상술한 설명은 본 발명의 특정 실시예에 제한되어 있다. 그러나, 본 발명의 소정 또는 모든 장점을 성취함으로써 본 발명을 변형 및 변경시킬 수 있다. 그러므로, 첨부된 특허청구 범위의 목적은 본 발명의 원리 및 범위내에서 생길 수 있는 모든 변형 및 변경을 커버하기 위한 것이다.The foregoing description is limited to specific embodiments of the present invention. However, it is possible to modify and alter the present invention by achieving any or all of its advantages. Therefore, it is the object of the appended claims to cover all such variations and modifications as may occur within the spirit and scope of the invention.
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