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KR920007097B1 - Bus transmitter having controlled trapezoidal slew rate - Google Patents

Bus transmitter having controlled trapezoidal slew rate Download PDF

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KR920007097B1
KR920007097B1 KR1019880007838A KR880007838A KR920007097B1 KR 920007097 B1 KR920007097 B1 KR 920007097B1 KR 1019880007838 A KR1019880007838 A KR 1019880007838A KR 880007838 A KR880007838 A KR 880007838A KR 920007097 B1 KR920007097 B1 KR 920007097B1
Authority
KR
South Korea
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pull
transistor
bus
terminal
mosfet
Prior art date
Application number
KR1019880007838A
Other languages
Korean (ko)
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KR890001325A (en
Inventor
에스. 그론달스키 데이비드
Original Assignee
디지탈 이큅먼트 코포레이션
마리에라 엠. 에디에르
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디지탈 이큅먼트 코포레이션, 마리에라 엠. 에디에르 filed Critical 디지탈 이큅먼트 코포레이션
Publication of KR890001325A publication Critical patent/KR890001325A/en
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L12/00Data switching networks

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

제어된 사다리꼴 회전율을 갖는 버스 전송기Bus Transmitter with Controlled Trapezoid Turnover

제1도는 본 발명에 따라 구성된 디지탈 데이타 버스 전송기의 개략 회로도.1 is a schematic circuit diagram of a digital data bus transmitter constructed in accordance with the present invention.

제2도는 제1도에 도시한 전송기를 이해하는데 유용한 제1도에 도시한 회로의 2지점에서의 신호 파형을 설명하는 도면.FIG. 2 illustrates signal waveforms at two points in the circuit shown in FIG. 1 useful for understanding the transmitter shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 전송기 11 : 버스 구동기 트랜지스터10: transmitter 11: bus driver transistor

12 : 버퍼 회로 13 : 인버터12 buffer circuit 13 inverter

15 : P-형 트랜지스터 16 : p-형 풀-업 트랜지스터15: P-type transistor 16: p-type pull-up transistor

17 : n-형 풀-다운 트랜지스터 20, 21 : 정전류원17: n-type pull-down transistor 20, 21: constant current source

본 발명은 일반적으로 전자 회로 분야에 관한 것으로, 특히, 디지탈 데이타 처리 시스템(processing system)내의 버스(bus)를 통해 신호를 전송하기 위한 회로에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention generally relates to the field of electronic circuits, and more particularly to circuitry for transmitting signals over a bus in a digital data processing system.

디지탈 데이타 처리 시스템은, 한개 이상의 프로세서, 메모리, 및 한개 이상의 버스들에 의해 모두 상호 접속된 대랑 기억 장치(mass storage device), 비디오 디스플레이 터미날, 프린터 및 원격 통신(telecommunication) 장치와 같은 입/출력 장치를 포함하는, 다수의 기능 유니트(functional unit)를 포함 한다. 버스는 시스템을 구성하는 다수의 유니트들 사이의 정보를 나타내는 신호를 이송할뿐만 아니라 본래 정보 신호의 전송을 제어하는 신호도 제어한다.Digital data processing systems include input / output devices such as mass storage devices, video display terminals, printers, and telecommunication devices all interconnected by one or more processors, memory, and one or more buses. It includes, a plurality of functional units (functional unit). The bus not only carries a signal representing information between the plurality of units constituting the system, but also controls a signal that controls the transmission of the original information signal.

일반적으로, 버스는 다수의 기능 유니트들이 병렬로 접속될 수 있는 와이어 (wire) 셋트로 되어 있다. 유니트가 버스내의 와이어를 통해 신호를 전송하는 경우에, 신호는 버스의 종단부에 도달할때 반사될 수 있다. 반사된 신호는 버스 와이어를 통해 나중에 전송되는 신호를 방해할 수 있어, 버스상의 에러를 신호화 할 수 있다. 신호 반사로 인한 주된 문제점은 나중에 전송된 신호를 와전시킬 수 있다는 것이다. 따라서, 시스템 설계자는 신호 반사로부터 유사한 방해를 최소화시키기 위하여 다른 전송이 발생하기 전에 한 전송 다음에 충분한 지연 시간을 제공해야 한다.In general, a bus is a wire set in which multiple functional units can be connected in parallel. In the case where the unit transmits a signal through a wire in the bus, the signal can be reflected when reaching the end of the bus. The reflected signal can interfere with the signal transmitted later over the bus wire, signaling the error on the bus. The main problem with signal reflection is that it can cause the transmission of the transmitted signal later. Thus, the system designer must provide sufficient delay time after one transmission before another transmission occurs to minimize similar disturbances from signal reflections.

선택적으로, 시스템 설계자는 반사를 최소화시키기 위바여 버스 또는 이 버스상에 전송된 신호를 구성할 수 있다. 예를들면, 소정의 와이어는 반사를 감소시키는데 도움이 되는 저항기 네트윅(network)을 각각의 단부에 포함한다. 버스용의 전력도 또한 이 버스 터미네이터(terminator) 네트윅을 통해 제공될 수 있다.Optionally, system designers can configure the bus or signals transmitted on it to minimize reflections. For example, certain wires include a resistor network at each end to help reduce reflections. Power for the bus can also be provided through this bus terminator network.

부수적으로, 신호 파형의 형태는 상이한 버스 라인들 상의 신호들 사이의 반사 및 누화(Crosstalk)를 최소화시키도록 조정될 수 있다. 특히, 신호 파형은 비교적 구형 (square)으로 될 수 있어, 버스 와이어의 전압 레벨은 고(high) 및 저 (low) 전압 레벨 사이로 비교적 가파르게 변화된다. 이러한 신호 파형은 고속 신호화를 허용하나, 이것도 또한 신호 반사 및 누화를 야기시킬 가능성이 대단히 크다.Incidentally, the shape of the signal waveform can be adjusted to minimize reflection and crosstalk between signals on different bus lines. In particular, the signal waveform can be relatively square so that the voltage level of the bus wire changes relatively steeply between high and low voltage levels. Such signal waveforms allow for high speed signaling, but this is also very likely to cause signal reflection and crosstalk.

반면에, 신호가 "사다리꼴(trapezoidal)" 형태로 되어 신호의 전압 레벨이 고 및 저 레벨 사이로 덜 가파르나 여전히 고속 비율로 변화하면, 반사의 가능성이 최소화될 수 있다. 이러한 신호를 발생시키는 전송기는 선택된 범위내로 와이어 상의 전압 변화율, 즉 "회전율(slew rate)"을 제어할 수 있어야 한다. 이 문제점은, 대부분의 시스템에서, 버스가 이 버스에 접속된 광범위하게 변화하는 다수의 유니트를 조정하여, 버스 와이어 상에 전송된 신호의 회전율을 변화시킬 수 있는 광범위하게 변화하는 용량성 부하(capacitive load) 상태를 발생시킬 수 있기 때문에, 복합적이다.On the other hand, if the signal is "trapezoidal" and the signal's voltage level is less steep between the high and low levels but still changes at a high rate, the possibility of reflection can be minimized. The transmitter generating this signal must be able to control the rate of change of voltage on the wire, or "slew rate," within the selected range. This problem is, in most systems, a widely varying capacitive load that can vary the number of widely varying units that a bus is connected to, thereby changing the turnover of signals transmitted on the bus wires. It is complex because it can generate a load) state.

현재, 사다리꼴 신호 파형을 발생시킬 수 있는 전송기는 전기값이 고정확도로 제어될 수 있는 이산(discrete) 저항기 및 그외의 다른 부품(component)과 결합하여 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 장치를 사용하여 실시된다. 디지탈 데이타 처리 시스템의 기능 유니트를 구성하는 대부분의 회로는 MOSFET(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터) 장치를 사용하여 실시되고, 바이폴라 전송기 회로는 유니트를 구성하는 다른 부품과 분리되어 떨어져 실시되어, 유니트를 구성하는 회로소자들이 장착된 인쇄 회로 기판상에 상당히 넓은 공간을 차지한다. 부수적으로, 바이폴라 전송기는 이산되어 있고 바이폴라로 되어 있으며 다른 장치와 분리되기 때문에, 상당한 양의 전력을 필요로 하고 전송된 신호 내에 여분의 지연을 제공한다.Currently, transmitters capable of generating trapezoidal signal waveforms are implemented using bipolar transistor devices in combination with discrete resistors and other components whose electrical values can be controlled with high accuracy. . Most of the circuits that make up the functional unit of a digital data processing system are implemented using a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor) device, and the bipolar transmitter circuit is implemented separately from other components constituting the unit. It occupies a fairly large space on a printed circuit board on which the circuit elements forming the circuit board are mounted. Incidentally, because bipolar transmitters are discrete, bipolar and separate from other devices, they require a significant amount of power and provide extra delay in the transmitted signal.

본 발명은 버스를 통해 전송하기 위하여 사다리꼴 파형으로 신호를 발생시키기 위해 MOSFET 장치를 사용하여 실시된 새롭고 개량된 전송기 회로를 제공한다.The present invention provides a new and improved transmitter circuit implemented using MOSFET devices to generate signals in trapezoidal waveforms for transmission over a bus.

간단히 요약하면, 새로은 버스 전송기 회로는 전류가 정전류원(constant current source)에 의하여 제어되는 풀-업(pull-uP) 및 풀-다운(Pull-down) 트랜지스터 전류를 갖고 있는 버퍼(buffer) 회로에 의해 구동된 MOSFET 버스 구동기 트랜지스터를 포함한다. 구동기 트랜지스터의 게이트(Sate)와 드레인(drain)간 캐패시턴스 CGD는 게이트 단자에서의 다른 캐패시턴스 보다 상당히 높다 구동기 트랜지스터의 게이트 단자는 풀-업 및 풀-다운 트랜지스터에 접속되어 이들 트랜지스터에 의하여 제어된다. 구동기 트랜지스터의 드레인 단자는 버스 라인에 접속되어 이 버스 라인을 제어한다. 버스 라인 상에 신호를 어써트(assert)하기 위하여, 풀-업 트랜지스터는 전류원에 의하여 지배되는 비율로 노드내로 전류를 구동시키기 위해 턴온(turn On)되어, 노드의 전압 레벨을 증가시킨다. 노드의 전압 레벨이 구동기 트랜지스터의 임계(threshold) 레벨에 도달할때, 구동기 트랜지스터는 턴온되기 시작하여, 버스 라인의 전압 레벨이 강하되게 한다. 동시에, 전류는 구동기 트랜지스터의 게이트와 드레인간 캐패시턴스를 통해 버스 라인으로부터 노드내로 흐르기 시작하여, 노드의 전압 레벨을 제한시키므로 구동기 트랜지스터를 통하는 전류 흐름을 제한시키게 된다. 그러므로, 전류는 버스 라인상의 전압 레벨의 변화율에 의해 부분적으로 제어된 식으로 버스 라인으로부터 구동기 트랜지스터늘 통해 흐름으로써, 버스 라인상의 신호의 사다리꼴 회전을 달성하게 된다. 버스 라인상의 신호를 네게이트(negate)하면, 동작이 유사하게 되어, 전류는 풀-다운 트랜지스터 및 구동기 트랜지스터의 게이트와 드레인간 캐패시턴스를 통해 노드 외부로 흐르게 된다.In short, the new bus transmitter circuit is a buffer circuit with pull-uP and pull-down transistor currents whose current is controlled by a constant current source. And a MOSFET bus driver transistor driven by it. The capacitance C GD between the gate and drain of the driver transistor is significantly higher than the other capacitance at the gate terminal. The gate terminal of the driver transistor is connected to the pull-up and pull-down transistors and controlled by these transistors. The drain terminal of the driver transistor is connected to the bus line to control this bus line. To assert a signal on the bus line, the pull-up transistor is turned on to drive the current into the node at a rate governed by the current source, increasing the voltage level of the node. When the voltage level of the node reaches the threshold level of the driver transistor, the driver transistor begins to turn on, causing the voltage level of the bus line to drop. At the same time, current begins to flow from the bus line into the node through the gate-to-drain capacitance of the driver transistor, limiting the voltage level at the node, thus limiting the current flow through the driver transistor. Thus, current flows from the bus line through the driver transistors in a manner that is partly controlled by the rate of change of the voltage level on the bus line, thereby achieving trapezoidal rotation of the signal on the bus line. Negate the signal on the bus line, the operation is similar, so that current flows out of the node through the gate-drain capacitance of the pull-down transistor and driver transistor.

본 발명은 첨부된 특허청구의 범위내에 상세하게 지적되어 있다. 본 발명의 상기 장점 및 그외는 다른 장점은 첨부한 도면과 함께 다음 설명을 참조함으로써 양호하게 이해할 수 있다.The invention is pointed out in detail within the scope of the appended claims. The above and other advantages of the present invention can be better understood by referring to the following description in conjunction with the accompanying drawings.

제1도를 참조하면, 본 발명에 따라 구성된 전송기(10)은 게이트 단자가 인버터의 형태로 버퍼 회로(12)로부터 BUF OUT 버퍼 출력 디지탈 데이타 신호를 수신하는 버스 구동기 트랜지스터(11)을 포함한다. 버퍼 회로(12)로부터의 어써트된(즉, 하이 상태인) BUF OUT 버퍼 출력신호에 응답하여, 버스 구동기 트랜지스터는 버스 라인(14)를 거쳐 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 디지탈 데이타 신호를 전송하기 위하여 턴온된다. 버스 구동기 트랜지스터(11)은 버스 라인(14)에 직접 접속된 드레인 단자, 및 효율적으로 접지 전압 레벨에 있는 Vss공급 전원에 접속된 소오스 단자를 갖고 있다. 버스 구동기 트랜지스터(11)은 n-형 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)이다.Referring to FIG. 1, a transmitter 10 constructed in accordance with the present invention includes a bus driver transistor 11 whose gate terminal receives a BUF OUT buffer output digital data signal from the buffer circuit 12 in the form of an inverter. In response to the asserted (ie high state) BUF OUT buffer output signal from the buffer circuit 12, the bus driver transistor passes through the bus line 14 to the BUS OUT (L) bus output (assert low). Turn on to transmit a digital data signal. The bus driver transistor 11 has a drain terminal directly connected to the bus line 14 and a source terminal connected to the V ss supply power supply which is efficiently at the ground voltage level. The bus driver transistor 11 is an n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).

버퍼 회로(12)는 2개의 정전류원(20 및 21) 사이에 접속된 P-형 풀-업 트랜지스터(16) 및 n-형 풀-다운 트랜지스터(17)을 포함한다. 전류원(20)은 VDD공급 전원에 접속되고, 풀-업 트랜지스터(16)의 드레인 단자에 결합되는 전류를 제어한다. 풀-업 트랜지스터(16)의 소오스 단자는 노드(22)에 접속되는데, 이 노드(22)에는 풀-다운 트랜지스터(17)의 드레인 단자도 접속되어 있다. 풀-다운 트랜지스터(17)의 소오스 단자는 노드(22)로부터 Vss공급 전원으로 흐르는 전류를 제어하는 전류원(21)에 접속된다. 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트 단자에 결합되는 BUF OUT 인버터 출력 신호는 풀-업 트랜지스터(16) 소오스 단자와 풀-다운 트랜지스터(17)의 드레인 단자 사이의 노드(22)에 제공된다. 트랜지스터(11)을 다시 참조하면, 이 트랜지스터는 노드(22)에서의 다른 캐패시턴스에 비해 높은 게이트 및 드레인 단자 사이의 캐패 시턴드(제1도에 CGD로 도시됨)를 가지므로, 게이트와 드레인 간의 캐패시턴스 CGD가 노드(22)상의 다른 캐패시턴스 소오스 보다 상당히 우세하다.The buffer circuit 12 includes a P-type pull-up transistor 16 and an n-type pull-down transistor 17 connected between two constant current sources 20 and 21. The current source 20 is connected to the V DD supply and controls the current coupled to the drain terminal of the pull-up transistor 16. The source terminal of the pull-up transistor 16 is connected to the node 22, which is also connected to the drain terminal of the pull-down transistor 17. The source terminal of the pull-down transistor 17 is connected to a current source 21 which controls the current flowing from the node 22 to the V ss power supply. The BUF OUT inverter output signal coupled to the gate terminal of the bus driver transistor 11 is provided to the node 22 between the pull-up transistor 16 source terminal and the drain terminal of the pull-down transistor 17. Referring back to transistor 11, the transistor has a high capacitance between the gate and drain terminals (shown as C GD in FIG. 1) relative to the other capacitance at node 22, and thus the gate and drain The capacitance C GD of the liver is considerably superior to other capacitance sources on node 22.

풀-업 트랜지스터(16) 및 풀-다운 트랜지스터(17)의 게이트 단자는 다른 회로(도시하지 않음)로부터의 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 반전하는 인버터(13)로부터의 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호에 의하여 직렬로 제어된다. SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트 된) 신호도 또한 드레인 단자가 노드(22)에 접속되고 소오스 단자가 Vss공급전원에 접속된 P-형 트랜지스터(15)를 제어한다.The gate terminals of the pull-up transistor 16 and the pull-down transistor 17 are inverters 13 that invert the SIG OUT (L) signal output (asserted low) from another circuit (not shown). Is controlled in series by the SIG OUT (H) signal output (asserted high). The SIG OUT (L) signal output (asserted low) also controls the P-type transistor 15 having a drain terminal connected to the node 22 and a source terminal connected to the V ss power supply.

처음에, SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 저전압(네게이트된) 상태에 있다. 그 결과, 트랜지스터(15)가 온(on)된다. 인버터(13)는 트랜지스터 (17)을 온상태로 유지시키고 트랜지스터(16)을 오프상태로 유지시키는 고전압 레벨(네게이트된) SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 제공하기 위해 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호를 보수화(complement)한다. 이 때, 노드(22)로부터의 전하(charge)는 전류원(21)를 통해 Vss소오스 전압 레벨(즉, 접지)로 전송되므로, BUF OUT 버퍼 출력 신호는 저전압 레벨에 있게 된다. 부수적으로, 구동기 트랜지스터(11)의 오프되기 때문에, BUF OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 시간 A(제2도)에서 도시한 바와 같이, 고전압 레벨에 있게 된다(그러므로, 네게이트된 논리 레벨을 갖고 있는 신호를 제공하게 된다).Initially, the SIG OUT (H) signal output (asserted high) signal is in a low voltage (negated) state. As a result, the transistor 15 is turned on. Inverter 13 provides a high voltage level (negated) SIG OUT (L) signal output (asserted in a low state) signal that keeps transistor 17 on and transistor 16 off. Complement the SIG OUT (H) signal output (asserted high) to do so. At this time, the charge from the node 22 is transferred through the current source 21 to the V ss source voltage level (ie, ground), so that the BUF OUT buffer output signal is at the low voltage level. Incidentally, because the driver transistor 11 is off, the BUF OUT (L) bus output (asserted low) is at a high voltage level, as shown at time A (figure 2) (and therefore This provides a signal with a negated logic level.

SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호가 네게이트된(저전압) 상태로부터 어써트된(고전압)상태로 시프트될때, 트랜지스터(15)는 턴오프된다. 부수적으로, 인버터(13)은 저전압(어써트된) 상태에서 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된)신호를 형성하기 위하여 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호를 보수화한다. 그 결과, 트랜지스터(17)이 턴오프되어 노드(22)로부터 전류원(21)을 통하여 Vss공급 전원으로의 전류경로를 차단하게 된다. 부수적으로, SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 트랜지스터(16)을 턴온시키어, VDD공급 전원으로부터 전류원(20)을 통해 노드(22)로의 경로를 발생시킨다.When the SIG OUT (H) signal output (asserted high) signal is shifted from the negated (low voltage) state to the asserted (high voltage) state, the transistor 15 is turned off. Incidentally, the inverter 13 is SIG OUT (H) signal output (asserted high) to form a SIG OUT (L) signal output (asserted low) in a low voltage (asserted) state. ) Repair the signal. As a result, the transistor 17 is turned off to block the current path from the node 22 to the V ss supply through the current source 21. Incidentally, the SIG OUT (L) signal output (asserted low) turns on the transistor 16 to generate a path from the V DD supply to the node 22 through the current source 20.

트랜지스터(16)이 온되기 때문에, BUF OUT 버퍼 출력 신호의 전압 레벨은 제 2도에 시간 A로부터 시간 B까지 도시한 바와 같이 상승하기 시작한다. 시간 B(제2도)에서, BUF OUT 버퍼 출력 신호의 전압 레벨은 임계 전압 레벨로 상승하므로, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 턴온되기 시작한다. 이것은 버스 라인(14)로부터의 전류가 버스 구동기 트랜지스터(11)을 통해 흐를 수 있게 하므로, 시간 B(제2도) 직후에 도시한 바와 같이 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 강하하게 한다. 그러나, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD가 노드(22)상의 총 캐패시턴스의 비교적 큰 부분이기 때문에, 전류도 또한 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통해 버스 라인(14)로부터 노드(22)내로 인입된다. 그러므로, 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD는 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호가 노드(22)의 전압 레벨에 영향을 미치도록 궤환 경로를 제공한다.Since transistor 16 is on, the voltage level of the BUF OUT buffer output signal starts to rise as shown from time A to time B in FIG. At time B (Figure 2), the voltage level of the BUF OUT buffer output signal rises to the threshold voltage level, so the bus driver transistor 11 begins to turn on. This allows current from the bus line 14 to flow through the bus driver transistor 11, so the BUS OUT (L) bus output (low asserted as shown) immediately after time B (figure 2). This causes the voltage level of the signal to drop. However, because the gate-to-drain capacitance C GD of the bus driver transistor 11 is a relatively large portion of the total capacitance on the node 22, the current is also a node from the bus line 14 through the gate-drain capacitance C GD . It is drawn in (22). Therefore, the gate-to-drain capacitance C GD provides a feedback path such that the BUS OUT (L) bus output (asserted low) affects the voltage level at node 22.

이때, 2개의 소오스 즉, [풀-업 트랜지스터(16)을 통하는]전류원(20), 및 [버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통하는] 버스 라인(14)는 반대 방향으로부터 노드(22)내로 전류가 강제로 들어오게 하기 때문에, 접지에 관련된 노드(22)의 전압 레벨 (즉, Vss소오스 공급 전원의 전압 레벨)은 제2도 내의 시간 B 및 C 사이에 도시한 바와 같이 변화하지 않는다. 따라서, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트 단자상의 전압 레벨은 거의 임계 레벨에 유지되므로, 트랜지스터 (11)이 온으로 유지되나, 버스 라인(14)의 전압 레벨이 제어된 비로 강하하는 레벨에 유지된다. 즉, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압은, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인 간 캐패시턴스 CGD및 전류원(20)에 의해 제공된 전류 흐름에 관련되는 기간동안 고레벨로부터 저레벨로 변화된다.At this time, two sources, namely, the current source 20 (via the pull-up transistor 16) and the bus line 14 (via the gate-drain capacitance C GD of the bus driver transistor 11) are in opposite directions. Since the current is forced into the node 22 from the node 22, the voltage level of the node 22 relative to ground (i.e., the voltage level of the Vss source supply) is shown between time B and C in FIG. As does not change. Thus, the voltage level on the gate terminal of the bus driver transistor 11 is maintained at almost the threshold level, so that the transistor 11 is kept on, but the voltage level of the bus line 14 is maintained at a level that drops to a controlled ratio. . That is, the voltage of the BUS OUT (L) bus output (asserted low) signal is related to the capacitance C GD between the gate and the drain of the bus driver transistor 11 and the period related to the current flow provided by the current source 20. During the transition from high level to low level.

버스 라인(14)상의 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 하향 전이를 완료했을때, 전류가 버스 라인(14)로부터 게이트와 드레인간 캐패시턴스 CGD를 통해 노드(22)내로 인입되는 비율도 또한 강하된다. 그 결과, 풀-업 트랜지스터(16)을 통해 전류원(20)으로부터 노드(22)내로 인입된 전류가 노드(22)를 지배하고, 노드(22)의 전압 레벨은 시간 C 및 D(제2도) 사이에 도시한 바와 같이, 중 가하기 시작한다. 증가비는 게이트와 드레인간의 캐패시턴스 CGD를 포함하는 노드(22)의 캐패시턴스, 및 전류원(20)에 의하여 공급된 전류에 좌우된다. 시간 D(제2도)에서, 노드(22)는 최대 전압 레벨로 충전된다. 이때, 제 2도의 시간 D에서 하이 BUF OUT 버퍼 출력 신호로 도시된 바와 같이, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 완전히 온되고 노드(22)는 완전히 충전된다. 또한, 시간 D에서 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 완전히 어써트된다. 즉, 저전압 레벨에 있게 된다.When the voltage level of the BUS OUT (L) bus output (asserted low) signal on bus line 14 has completed a downward transition, current flows from bus line 14 via the gate-to-drain capacitance C GD . The rate of entry into node 22 also drops. As a result, the current drawn from the current source 20 into the node 22 through the pull-up transistor 16 dominates the node 22, and the voltage level of the node 22 is determined by the time C and D (FIG. 2). As shown between), it starts to add. The increase ratio depends on the capacitance of the node 22, including the capacitance C GD between the gate and drain, and the current supplied by the current source 20. At time D (FIG. 2), node 22 is charged to the maximum voltage level. At this time, as shown by the high BUF OUT buffer output signal at time D of FIG. 2, the bus driver transistor 11 is fully on and the node 22 is fully charged. In addition, at time D, the BUS OUT (L) bus output (asserted low) is fully asserted. That is, at a low voltage level.

시간 E까지, BUF OUT 버퍼 출력 신호는 고전압 레벨에 유지되고 BUS OUT(L) 버스 출력 (로우 상태로 어써트된) 신호는 저전압에 유지된다. 시간 E에서, SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 네게이트된다. 즉, 저전압 레벨에서 구동된다. 그 결과, 인버터(13)은 하이 SIG OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 제공하기 위해 로우 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호 를 보수화한다. 하이 S1G OUT(L) 신호 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 풀-업 트랜지스터(16)을 턴 오프시키어, 전류원(20)으로부터 노드(22)로의 전류 경로를 턴오프시키고, 풀-다운 트랜지스터(17)을 턴온 시키어, 노드(22)로부터 전류원(21)로의 전류 경로를 제공한다.By time E, the BUF OUT buffer output signal remains at the high voltage level and the BUS OUT (L) bus output (asserted low) remains at the low voltage. At time E, the SIG OUT (H) signal output (asserted high) is negated. That is, driven at a low voltage level. As a result, inverter 13 complements the low SIG OUT (H) signal output (asserted in high state) signal to provide a high SIG OUT (L) signal output (asserted in low state) signal. A high S1G OUT (L) signal output (asserted low) turns off pull-up transistor 16 to turn off the current path from current source 20 to node 22 and pull-down The transistor 17 is turned on to provide a current path from the node 22 to the current source 21.

부수적으로, 하이 SIG OUT(H) 신호 출력(하이 상태로 어써트된) 신호는 트랜지스터(15)를 턴온시키어, 노드(22)와 Vss소오스 공급 전원에 의하여 제공된 접지 전압 레벨 사이에 직접 전류 경로를 제공한다. 트랜지스터(15)를 통하는 전류 경로는 노드(22)가 시간 E와 F(제2도) 사이에서 트랜지스터(15)의 임계 전압 레벨로 신속히 방전되게 한다. 트랜지스터(15)가 P-형 트랜지스터로 된 한 특정 실시예에 있어서, 트랜지스터(15)는 노드(22)의 전압 레벨이 5V의 완전 충전 상태로부터 약 2.5V로 강하하게 된다. 소정의 전류도 또한 이 시간 동안 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 노드(22)로부터 흐르나, 주요 전류 경로는 트랜지스터(15)를 통과한다. 노드(22)의 전압 레벨이 버스 구동기 트랜지스터(11)의 임게 레벨로 되게 하기에 충분한 전류가 노드(22)로부터 흐른 후, 버스 구동기 트랜지스터(11)은 턴오프되기 시작하여, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 전압 레벨이 상승하게 함으로써, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 네게이트하게 된다.Incidentally, the high SIG OUT (H) signal output (asserted in high state) signal turns on transistor 15, direct current path between node 22 and the ground voltage level provided by the Vss source supply. To provide. The current path through transistor 15 causes node 22 to quickly discharge to the threshold voltage level of transistor 15 between times E and F (FIG. 2). In one particular embodiment where transistor 15 is a P-type transistor, transistor 15 causes the voltage level at node 22 to drop from about 5V to about 2.5V from a fully charged state. A predetermined current also flows from node 22 through pull-down transistor 17 and current source 21 during this time, but the main current path passes through transistor 15. After sufficient current flows from the node 22 to cause the voltage level of the node 22 to become the dwell level of the bus driver transistor 11, the bus driver transistor 11 starts to be turned off, so that BUS OUT (L) By causing the voltage level of the bus output (low asserted) signal to rise, it negates the BUS OUT (L) bus output (asserted low) signal.

시간 F주위에서, 트랜지스터(15)의 게이트 단자와 드레인 단자간의 전압차가 트랜지스터의 임계 레벨로 강하할때, 트랜지스터(15)는 기본적으로, 턴오프된다. 그러나, 전류는 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 노드(22)로부터 계속 흐르려고 한다. 동시에 전류는 반대 방향으로, 즉, 버스 구동기 트랜지스터(11)의 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD를 통해 노드(22)로부터 계속 흐른다. 전류가 반대 방향으로 노 드(22)로부터 유출되기 때문에, BUF OUT 버퍼 출력 신호를 제공하는 노드(22)의 전압 레벨은, 제2도의 시간 F-G에 도시한 바와 같이, 트랜지스터(11)을 제어 레벨에서 온상태로 유지시키기에 춘분한 레벨로 일정하게 된다. 이것은 제2도에 도시한 바와 같이, 이 기간동안, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어 써트된) 신호의 전압 레벨이 안정하게 제어된 비로 증가되게 된다.Around time F, when the voltage difference between the gate terminal and the drain terminal of the transistor 15 drops to the threshold level of the transistor, the transistor 15 is basically turned off. However, current continues to flow from node 22 through pull-down transistor 17 and current source 21. At the same time, the current continues to flow from the node 22 in the opposite direction, ie through the capacitor C GD between the gate and the drain of the bus driver transistor 11. Since the current flows out of the node 22 in the opposite direction, the voltage level of the node 22 which provides the BUF OUT buffer output signal is controlled by the transistor 11, as shown at time FG in FIG. It remains constant at the level of equinox to keep on. This causes the voltage level of the BUS OUT (L) bus output (asserted to low state) signal to increase stably during this period, as shown in FIG.

시간 G에서, 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD는 노드(22)로부터 전하를 인출하는 것을 중지시키므로, 전류원(21)에 의해 제어된 비로 아직 온상태에 있는 트랜지스터(17)을 통해서만 노드(22)에 전하가 남게 된다. 따라서, 노드(21)의 전압 레벨은 전송기 회로(10)의 접지 레벨인 Vss소오스 공급 전원 레벨로 강하한다. 따라서, BUF OUT(L) 버퍼 출력(로우 상태로 어써트된) 신호는 제2도에 도시한 바와 같이 시간 G-H(제2도) 사이에서 제어된 비로 강하한다.At time G, the gate-drain capacitor C GD stops drawing charge from the node 22, and therefore only to the node 22 through the transistor 17 which is still on at a controlled rate by the current source 21. An electric charge will remain. Thus, the voltage level at node 21 drops to the Vss source supply power level, which is the ground level of transmitter circuit 10. Thus, the BUF OUT (L) buffer output (asserted low) drops to a controlled ratio between time GH (figure 2) as shown in FIG.

트랜지스터(15)는 버스 구동기 트랜지스터(11)이 턴오프되기 시작하는 지점으로 노드(22)의 전압 레벨을 풀(pull)하는데 필요한 시간 E-F를 감소시키기 위해 제공된다. 트랜지스터(15)의 부재시에, 그 대신, 전류는 풀-다운 트랜지스터(17) 및 전류원(21)을 통해 흐르나, 전류원(21)이 전류의 흐름을 제한하기 때문에, 노드(22)의 전압을 구동기 트랜지스터(11)이 턴오프되기 시작하는 지점에 오게 하는데 긴 시간을 괼요로 하게 된다.Transistor 15 is provided to reduce the time E-F required to pull the voltage level of node 22 to the point where bus driver transistor 11 begins to turn off. In the absence of the transistor 15, instead, current flows through the pull-down transistor 17 and the current source 21, but because the current source 21 restricts the flow of current, the voltage at the node 22 is driven. It takes a long time to get to the point where transistor 11 starts to turn off.

부수적으로, 커다란 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD는 기본적으로 궤환 경로를 제공하여, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호가 노드(22)상의 전압 레벨을 부분적으로 제어하여 신호의 상승 및 하강을 제어하게 한다. 이것은 적당한 상승 및 하강 시간을 갖는 선행 연부(leading edge, 제2도의 시간, B-C사이) 및 추종연부(trailing edge, 제2도의 시간 F-G 사이)를 갖고 있는 BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호를 발생시키어, "사디리꼴" 신호를 제공한다. 이 신호 형태는 대단히 짧은(즉, 구형) 상승 및 하강 시간을 갖고 있는 신호내의 링잉(ringing) 및 그외의 다른 고유 잡음을 감소시킨다. 이 신호 형태는, 상술한 바와 같이, BUS OUT(L) 버스 출력(로우 상태로 어써트된) 신호의 신호전이 중에 게이트와 드레인간 캐패시터 CGD를 통하는 전류흐름을 용이하게 하기 위하여 구동기 트랜지스터의 게이트 단자에서의 총 캐패시턴스를 상당히 지배하는 커다란 게이트와 드레인간 캐재시턴스 CGD를 가짐으로써 달성된다.Incidentally, the large gate-to-drain capacitor C GD essentially provides a feedback path so that the BUS OUT (L) bus output (low asserted) signal partially controls the voltage level on node 22 To control the rise and fall of. This is the BUS OUT (L) bus output (low state) with a leading edge (time of FIG. 2, BC) and a trailing edge (time FG of FIG. 2) with moderate rise and fall times. Generates an asserted) signal, providing a "sadie" signal. This signal type reduces ringing and other inherent noise in the signal with very short (ie spherical) rise and fall times. This signal type, as described above, is used to facilitate the flow of current through the capacitor C GD between the gate and drain during the signal transition of the BUS OUT (L) bus output (asserted low) signal to the gate of the driver transistor. This is achieved by having a large gate-to-drain capacitance C GD that significantly governs the total capacitance at the terminal.

상술한 설명은 본 발명의 특정 실시예에 제한되어 있다. 그러나, 본 발명의 소정 또는 모든 장점을 성취함으로써 본 발명을 변형 및 변경시킬 수 있다. 그러므로, 첨부된 특허청구 범위의 목적은 본 발명의 원리 및 범위내에서 생길 수 있는 모든 변형 및 변경을 커버하기 위한 것이다.The foregoing description is limited to specific embodiments of the present invention. However, it is possible to modify and alter the present invention by achieving any or all of its advantages. Therefore, it is the object of the appended claims to cover all such variations and modifications as may occur within the spirit and scope of the invention.

Claims (6)

A. 출력단자 및 제어 단자를 포함하고, 이 출력 단자와 제어 단자 사이에 궤환 경로를 제공하기 위해 출력 단자와 제어 단자 사이에 비교적 큰 캐패시턴스를 갖고 있는 구동기 장치, 및 B 입력 신호의 상태에 응답하여 구동기 장치의 제어 단자를 제어하기 위한 제어 노드를 정하고, 제어 방식으로 구동기 장치를 턴온 및 오프시키도록 제어 노드로 및 제어 노드로부터의 전류 흐름을 제어하기 위한 전류원 장치를 포함하는 제어 버퍼 장치로 구성되고, 상기 궤환 경로가 구동기 장치가 턴온 및 오프되는 비를 제어하여 출력 단자에서의 신호의 전압 레벨을 제어하는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.A. A drive device comprising an output terminal and a control terminal, the driver device having a relatively large capacitance between the output terminal and the control terminal to provide a feedback path between the output terminal and the control terminal, and in response to the state of the B input signal. A control buffer device for determining a control node for controlling a control terminal of the driver device, the control buffer device including a current source device for controlling the current flow from and to the control node to turn on and off the driver device in a controlled manner; And the feedback path controls the ratio at which the driver device is turned on and off to control the voltage level of the signal at the output terminal. 제1항에 있어서, 구동기 장치가, 출력 단자가 버스 라인에 접속되기 위한 드레인 단자를 구성하고 제어 단자가 게이트 단자를 구성하며, 소오스 공급 전원에 접속되기 위한 소오스 단자 장치를 포함하고, 게이트 단자에서의 다른 캐패시턴스를 상당히 지배하는 게이트 단자와 드레인 단자 사이의 캐패시턴스를 갖고 있는 MOSFET 구동기 트랜지스터 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.2. A driver device according to claim 1, wherein the driver device comprises a source terminal device for connecting the source terminal to a drain terminal for the output terminal to be connected to the bus line and the control terminal for a gate terminal, and for connecting to the source supply power source. And a MOSFET driver transistor device having a capacitance between the gate terminal and the drain terminal that substantially dominates the other capacitance of the bus transmitter circuit. 제1항에 있어서, 제어 버퍼 장치가 MOS FET 트랜지스터 장치와 풀-업 전류원으로 구성되는 풀-업 장치, 및 풀-다운 MOSFET 트랜지스터 장치와 풀-다운 전류원 장치로 구성되는 풀-다운 장치를 포함하고, 풀-업 MOSFET 트랜지스터 장치와 풀-다운 MOSFET 트랜지스터 장치가 제어 노드에 함께 접속되며 입력 신호에 의해 직렬로 제어되고, 풀-업 MOSFET 트랜지스터 장치와 풀-다운 MOSFET 트랜 지스터를 통해 제어노드로 흐르는 전류가 각각의 전류원에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.2. The apparatus of claim 1, wherein the control buffer device comprises a pull-up device comprised of a MOS FET transistor device and a pull-up current source, and a pull-down device comprised of a pull-down MOSFET transistor device and a pull-down current source device; The pull-up MOSFET transistor device and the pull-down MOSFET transistor device are connected together to the control node and controlled in series by the input signal, and the current flowing to the control node through the pull-up MOSFET transistor device and the pull-down MOSFET transistor. Bus control circuit characterized in that is controlled by each current source. 제1항에 있어서, 구동기 장치의 게이트 단자에 접속되고, 입력 신호가 레벨을 시프트할때 선택된 레벨로 제어 노드의 상태를 조정하여 구동기 장치의 고속 턴-오프를 용이하게 하기 위하여 입력 신호의 보수화에 의해 제어되는 풀-다운 트랜지스터 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.2. The method of claim 1, connected to the gate terminal of the driver device and adapted to repair the input signal to facilitate a fast turn-off of the driver device by adjusting the state of the control node to a selected level when the input signal shifts the level. And a pull-down transistor device controlled by the bus transmitter circuit. A. 버스 타인에 접속된 드레인 단자와 소오스 단자 사이의 전류 흐름을 제어하는 게이트 단자, 및 드레인 단자와 게이트 단자 사이에 궤환 경로를 제공하기 위해 커다란 게이트와 드레인간 캐패시턴스를 갖고 있는 MOSFET 트랜지스터 장치로 구성되는 버스 구동기 장치 ; 및 B. (i) 온 상태 및 오프 상태를 갖고 있는 MOSFET 풀-업 트랜지스터와, 온 상태에 있을때, MOSFET 풀-업 트랜지스터를 통하는 전류의 흐름을 제어하기 위한 풀-업 전류원을 갖고 있는 풀-업 장치, 및 (ii) 온 상태 및 오프 상태를 갖고 있는 MOSFET 풀-다운 트랜지스터와, 온 상태에 있을때, MOSFET 풀-다운 트랜지스터를 통하는 전류의 흐름을 제어하기 위한 풀-다운 전류원을 갖고 있는 풀-다운 장치로 구성된 버퍼장치로 구성되고 ; MOSFET 풀-업 트랜지스터와 MOSFET 풀-다운 트랜지스터가 입력 신호에 의하여 직렬로 제어되고, MOSFET 풀-업 트랜지스터 또는 MOSFET 풀-다운 트랜지스터 중의 한 트랜지스터가 입력 신호의 교호상태에 응답하여 온으로 되며, 이 풀-업 장치와 풀-다운 장치가 제어 노드를 형성하도록 함께 접속되 고, 버스 구동기 장치 게이트 단자가 제어 노드에 접속되는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.A. It consists of a gate terminal that controls the current flow between the drain terminal and the source terminal connected to the bus tines, and a MOSFET transistor device having a large gate-to-drain capacitance to provide a feedback path between the drain terminal and the gate terminal. Bus driver device; And B. (i) a MOSFET pull-up transistor having an on state and an off state, and a pull-up having a pull-up current source for controlling the flow of current through the MOSFET pull-up transistor when in the on state; Device, and (ii) a MOSFET pull-down transistor in the on and off states, and a pull-down with a pull-down current source to control the flow of current through the MOSFET pull-down transistor when in the on state. A buffer device consisting of a device; The MOSFET pull-up transistor and the MOSFET pull-down transistor are controlled in series by the input signal, and either the MOSFET pull-up transistor or the MOSFET pull-down transistor is turned on in response to an alternating state of the input signal. A bus-upper device gate terminal connected to the control node, wherein the up-up device and the pull-down device are connected together to form a control node. 제5항에 있어서, 버스 구동기 장치의 게이트 단자에 접속되고, 입력 신호가 레벨을 시프트할때, 선택된 레벨로 제어 노드의 상태를 조정하여 버스 구동기 장치의 고속 턴-오프를 용이하게 하기 위하여 입력 신호의 보수화에 의해 제어되는 풀-다운 트랜지스터 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 버스 전송기 회로.6. The input signal of claim 5, which is connected to a gate terminal of a bus driver device and, when the input signal shifts in level, adjusts the state of the control node to the selected level to facilitate fast turn-off of the bus driver device. And a pull-down transistor device controlled by the maintenance of the circuit.
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