[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR920006991A - 반도체메모리 장치의 고전압발생회로 - Google Patents

반도체메모리 장치의 고전압발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR920006991A
KR920006991A KR1019900015225A KR900015225A KR920006991A KR 920006991 A KR920006991 A KR 920006991A KR 1019900015225 A KR1019900015225 A KR 1019900015225A KR 900015225 A KR900015225 A KR 900015225A KR 920006991 A KR920006991 A KR 920006991A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high voltage
output
terminal
voltage
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019900015225A
Other languages
English (en)
Inventor
김진기
이웅무
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019900015225A priority Critical patent/KR920006991A/ko
Priority to DE4036973A priority patent/DE4036973C2/de
Priority to JP31299090A priority patent/JPH07122998B2/ja
Priority to FR9014799A priority patent/FR2667169B1/fr
Priority to US07/632,932 priority patent/US5276646A/en
Priority to ITRM910712A priority patent/IT1250777B/it
Publication of KR920006991A publication Critical patent/KR920006991A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체메모리 장치의 고전압발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 회로블럭도.

Claims (17)

  1. 반도체메모리 장치의 고전압발생회로에 있어서, 고전압출력단(19)과, 전원전압단과 상기 고전압출력단(19)사이에 복수개로 직렬 연결되고 서로 반대 논리의 제1및 제2펌핑 제어신호에 의해 제어되는 전압 펌핑회로(100)와, 상기 고전압출력단(19)과 접지전압단 사이에 연결되어 상기 고전압출력단의 전압레벨을 감지하는 고전압 감지수단(200)과, 전원공급단과 접지전압단 사이에 연결되고 라이트 인에이블신호에 의해 제어되어 소정레벨의 기준전압을 출력하는 기준전압 발생수단(300)과, 상기 전압감지수단(200)과 기준전압 발생수단(300)의 출력을 입력하고, 상기 라이트 인에이블신호에 의해 제어되는 비교증폭수단(400)과, 라이트 인에이블신호 및 펌핑클럭과 상기 비교증폭수단(400)의 출력을 입력하여 상기 제1및 제2펌핑 제어신호(17)(18)를 출력하는 펌핑 제어 신호 출력수단(500)으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고전압 감지수단(200)이 상기 고전압출력단(19)과 접지전압단 사이에 직렬연결된 제1및 제2저항(201)(202)과, 상기 제1및 제2저항(201)(202)사이의 출력노드(207)로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 고전압발생회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 펌핑 제어신호 출력수단(500)이 상기 라이트 인에이블신호와 펌핑 클럭 및 상기 비교증폭수단(400)의 출력을 각각 동시에 입력하는 노아게이트(501,502)를 가짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로.
  4. 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로에 있어서, 고전압 출력단과, 전원전압단과 상기 고전압출력단 사이에 복수개로 직렬 연결되고, 제 1및 제2펌핑 제어신호에 응답하는 전압펌프회로와 상기 고전압출력단 및 접지전압단 사이에 직렬 연결된 제1및 제2저항과 상기 제1및 제2저항사이에 위치한 출력노드로 구성된 고전압 감지수단과, 전원공급단과 접지전압단 사이에 연결되고 라이트 인에이블신호에 의해 제어되어 소정레벨의 기준전압을 출력하는 기준전압 발생수단의 출력을 입력하고 상기 라이트 인에이블 신호에 의해 제어되는 비교증폭수단과, 상기 비교증폭수단의 두개의 입력단 중 어느 하나에 연결된 다이나믹 저항수단과, 상기 라이트 인에이블신호 및 펌핑 클럭과 상기 비교증폭수단의 출력을 입력하여 서로 반대의 논리를 가지는 제1및 제2펌핑 제어신호를 출력하는 펌핑 제어 신호 출력수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 고전압발생회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다이나믹 저항수단이 소정이 제어신호를 인가받는 게이트를 가지는 절연게이트 트랜지스터(205,206)와 상기 절연게이트 트랜지스터에 직렬 연결된 저항으로 이루어지고, 상기 절연게이트 트랜지스터의 게이트가 이이피롬 휴즈 회로의 출력단에 연결되어 있고 채널이 상기 비교증폭 수단의 두개의 입력단 중 어느 하나에 연결되어 있음을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 이이피롬 휴즈 회로가 전원전압단에 드레인이 접속되고 게이트와 소오스가 접속된 디플리션 트랜지스터와, 채널이 상기 디플리션 트랜지스터의 소오스와 접지전압단 사이에 연결되고 드레인 셀상태 제어신호에 연결되고 컨트롤게이트가 리세트신호에 연결된 이이피롬 휴즈 셀과, 상기 디플리션 트랜지스터의 소오스 및 상기 이이피롬 휴즈 셀의 드레인 사이에 접속된 출력단으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로.
  7. 제4항에 있어서, 상기 펌핑 제어신호 출력수단(500)이 상기 라이트 인에이블신호와 펌핑 클럭 및 상기 비교 증폭수단(400)의 출력을 각각 동시에 입력하는 노아게이트(501,502)를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 고전압발생회로.
  8. 이이피롬의 고전압 발생회로에 있어서, 고전압 출력단과, 전원전압단과 상기 고전압출력단 사이에 복수개로 직렬 연결되고 서로 반대의 위상을 가지는 두개의 신호에 의해 제저되는 전압 펌프회로와, 상기 고전압 출련단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된 제1및 제2저항과 상기 제1및 제2저항 사이의 출력노드로 구성되어 고전압 출력단의 전압레벨을 감지하는 고전압 감지수단과, 제1고전압 감지수단과 제1저항과 병렬 연결되고 소정의 제어신호를 인가받는 게이트를 가지는 하나의 절연게이트 트랜지스터와 하나의 저항으로 구성된 다이나믹 저항수단과 전원공급단과 접지전압단 사이에 연결되고 라이트 인에이블신호에 의해 제어되는 소정레벨의 기준전압을 출력하는 기준전압 발생수단(300)과, 상기 고전압 감지수단과 기준전압 발생수단의 출력을 입력하고 상기 라이트 인에이블신호에 의해 제어되는 비교증폭수단(400)과, 라이트 인에이블신호 및 펌핑 클럭과 상기 비교증폭수단의 출력을 입력하여 상기 반대의 위상을 가지는 두개의 신호를 출력하는 펌핑 제어신호 출력수단(500)으로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압 발생회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 절연게이트 트랜지스터의 게이트가 각각의 프로그램상태 감지수단(210)(220)의 출력단에 연결되어 있음을 특징으로 아이피롬의 고전압발생회로.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 이이피롬 휴즈 회로가 전원전압단에 드레인이 접속되고 게이트와 소오스가 접속된 디플리션 트랜지스터(211)(221)와, 채널이 상기 디플리션 트랜지스터의 소오스와 접지전압단 사이에 연결되고 컨트롤게이트가 리세트 신호에 연결되고 드레인이 셀 상태 제어신호에 연결된 이이피롬 휴즈 셀(212)(222)과, 상기 디플리션트랜지스터의 소오스 또는 상기 디플리션 트랜지스터의 소오스와 상기 이이피롬 휴즈 셀의 드레인 사이에 위치한 출력단으로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압발생회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 다이나믹저항수단의 저항소자가 다결정실리콘저항 또는 노멀리온상태의 디플리션트랜지스터임을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압 발생회로.
  12. 제8항에 있어서, 상기 펌핑제어신호출력단이 라이트인에이블신호와 펌핑클럭 및 상기 비교증폭수단(400)의 출력을 각각 동시에 입력하는 두개의 노아게이트와, 상기 노아게이트의 출력을 각각 입력하여 각각 반대의 논리를 가지는 신호를 출력하는 인버터 및 버퍼로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압발생회로.
  13. 이이피롬의 고전압발생회로에 있어서, 고전압출력단과, 전원전압단과 상기 고전압출력단 사이에 복수개로 직렬 연결되고 서로 반대의 위상을 가지는 두개의 신호에 의해 제어되는 전압펌프회로와, 상기 고전압출력단과 접지전압단사이에 연결되어 고전압출력단의 전압레벨을 감지하는 고전압 감지수단과, 전원공급단과 접지전압단 사이에 연결되고 라이트 인에이블 신호에 의해 제어되며 소정의 출력단을 가지는 기준전압발생수단과, 상기 기준 전압 발생수단의 출력단과 접지전압단 사이에 연결된 다이나믹 저항수단과, 전원전압단과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 기준전압 발생수단 및 고전압 감지수단의 출력을 입력하고 라이트 인에이블신호에 의해 제어되는 비교 증폭수단과, 라이트 인에이블신호 및 펌핑클럭과 상기 비교증폭수단의 출력을 입력하여 상기 서로 반대의 위상을 가지는 두개의 신호를 출력하는 펌핑제어 신호출력수단으로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압발생회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 다이나믹 저항수단이 상기 기준전압 발생수단의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된 절연게이트 트랜지스터 및 저항소자로 구성되고, 상기 절연게이트 트랜지스터 게이트가 이이피롬 휴즈 회로의 출력단에 연결되어 있음을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압 발생회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 다이나믹 저항수단의 저항소자 다결정실리콘저항 또는 노멀리온 상태의 디플리션 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압 발생회로.
  16. 제14항에 있어서, 상기 이이피롬 휴즈 회로가 전원전압단에 드레인이 접속되고 게이트와 소오스가 접속된 디플리션 트랜지스터와, 채널이 상기 디플리션 트랜지스터의 소스와 접지전압단 사이에 연결되고 드레인이 소정의 셀 상태 제어신호에 연결되고 컨트롤게이트가 리세트신호에 연결된 이이피롬 휴즈 셀과, 상기 디플리션 트랜지스터의 소오스와 상기 이이피롬 휴즈 셀의 드레인 사이에 위치한 출력단으로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 고전압발생회로.
  17. 제13항에 있어서, 상기 펌핑 제어신호 출력수단이 라이트 인에이블신호와 펌핑클럭 및 상기 비교증폭수단의 출력을 각각 동시에 입력하는 두개의 노아게이트와, 상기 노아게이트의 출력을 각각 입력하여 반대의 논리를 가지는 신호를 출력하는 인버터 및 버퍼로 구성됨을 특징으로 하는 이이피롬의 전압발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900015225A 1990-09-25 1990-09-25 반도체메모리 장치의 고전압발생회로 Withdrawn KR920006991A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900015225A KR920006991A (ko) 1990-09-25 1990-09-25 반도체메모리 장치의 고전압발생회로
DE4036973A DE4036973C2 (de) 1990-09-25 1990-11-20 Schaltung zur Erzeugung einer gegenüber einer extern zugeführten Versorgungsspannung erhöhten Lösch- oder Programmierspannung in einer Halbleiter-Speicherschaltung
JP31299090A JPH07122998B2 (ja) 1990-09-25 1990-11-20 半導体メモリ素子の高電圧発生回路
FR9014799A FR2667169B1 (fr) 1990-09-25 1990-11-27 Circuit de production de haute tension pour un circuit de memoire a semiconducteur.
US07/632,932 US5276646A (en) 1990-09-25 1990-12-24 High voltage generating circuit for a semiconductor memory circuit
ITRM910712A IT1250777B (it) 1990-09-25 1991-09-24 Circuito di generazione di alta tensione per un circuito di memoria a semiconduttori.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900015225A KR920006991A (ko) 1990-09-25 1990-09-25 반도체메모리 장치의 고전압발생회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920006991A true KR920006991A (ko) 1992-04-28

Family

ID=19303989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900015225A Withdrawn KR920006991A (ko) 1990-09-25 1990-09-25 반도체메모리 장치의 고전압발생회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5276646A (ko)
JP (1) JPH07122998B2 (ko)
KR (1) KR920006991A (ko)
DE (1) DE4036973C2 (ko)
FR (1) FR2667169B1 (ko)
IT (1) IT1250777B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010099849A (ko) * 1998-12-21 2001-11-09 추후제출 고효율 전압 증폭 장치 및 그 용도
KR100481833B1 (ko) * 1997-07-29 2005-07-04 삼성전자주식회사 고전압펌핑회로

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9007791D0 (en) 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C High voltage boosted wordline supply charge pump and regulator for dram
GB9007790D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Lines Valerie L Dynamic memory wordline driver scheme
JP2831914B2 (ja) * 1992-09-30 1998-12-02 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US5452251A (en) * 1992-12-03 1995-09-19 Fujitsu Limited Semiconductor memory device for selecting and deselecting blocks of word lines
US5553030A (en) * 1993-09-10 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output voltage provided by a charge pump circuit
US5442586A (en) * 1993-09-10 1995-08-15 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output current provided by a charge pump circuit
US5422586A (en) * 1993-09-10 1995-06-06 Intel Corporation Apparatus for a two phase bootstrap charge pump
US5430402A (en) * 1993-09-10 1995-07-04 Intel Corporation Method and apparatus for providing selectable sources of voltage
US5420798A (en) * 1993-09-30 1995-05-30 Macronix International Co., Ltd. Supply voltage detection circuit
WO1995009483A1 (en) * 1993-09-30 1995-04-06 Macronix International Co., Ltd. Improved supply voltage detection circuit
KR0141432B1 (ko) * 1993-10-01 1998-07-15 기다오까 다까시 반도체 기억장치
US5511026A (en) * 1993-12-01 1996-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Boosted and regulated gate power supply with reference tracking for multi-density and low voltage supply memories
JP3090833B2 (ja) * 1993-12-28 2000-09-25 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5532915A (en) * 1994-03-23 1996-07-02 Intel Corporation Method and apparatus for providing an ultra low power regulated negative charge pump
FR2719135B1 (fr) * 1994-04-21 1996-06-28 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de limitation de tension avec comparateur à hystérésis.
JPH07322606A (ja) * 1994-05-27 1995-12-08 Sony Corp 昇圧回路及びこれを用いた固体撮像装置
US5508971A (en) * 1994-10-17 1996-04-16 Sandisk Corporation Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems
US5495453A (en) * 1994-10-19 1996-02-27 Intel Corporation Low power voltage detector circuit including a flash memory cell
EP0792505B1 (en) * 1994-10-19 2001-07-04 Intel Corporation Voltage supplies for flash memory
US5483486A (en) * 1994-10-19 1996-01-09 Intel Corporation Charge pump circuit for providing multiple output voltages for flash memory
US5671179A (en) * 1994-10-19 1997-09-23 Intel Corporation Low power pulse generator for smart voltage flash eeprom
FR2729259A1 (fr) * 1995-01-11 1996-07-12 Bouvier Jacky Procede et dispositif de commande du fonctionnement des moyens electroniques d'un objet portatif alimente a partir de l'energie recue au niveau de son antenne
DE19506907A1 (de) * 1995-02-28 1996-09-05 Telefunken Microelectron Schaltungsanordnung zur Variation eines Eingangssignals mit bestimmter Eingangsspannung und bestimmtem Eingangsstrom
US5619459A (en) * 1995-05-31 1997-04-08 Micron Technology, Inc. On-chip mobile ion contamination test circuit
DE69513658T2 (de) * 1995-09-29 2000-05-31 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Spannungsregler für nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnungen
US5596532A (en) * 1995-10-18 1997-01-21 Sandisk Corporation Flash EEPROM self-adaptive voltage generation circuit operative within a continuous voltage source range
US5757706A (en) * 1995-12-29 1998-05-26 Intel Corporation Dynamic leaker for bit line refresh
DE19601369C1 (de) * 1996-01-16 1997-04-10 Siemens Ag Vorrichtung zur Spannungsvervielfachung, insb. verwendbar zur Erzeugung der Löschspannung für ein EEPROM
JP2917914B2 (ja) * 1996-05-17 1999-07-12 日本電気株式会社 昇圧回路
JPH09320267A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 昇圧回路の駆動方法および昇圧回路
US5740109A (en) * 1996-08-23 1998-04-14 Motorola, Inc. Non-linear charge pump
FR2761214B1 (fr) * 1997-03-19 1999-05-21 Sgs Thomson Microelectronics Circuit elevateur de tension du type pompe de charge a nombre d'etages controle
KR100273208B1 (ko) * 1997-04-02 2000-12-15 김영환 반도체메모리장치의고효율전하펌프회로
US6768165B1 (en) * 1997-08-01 2004-07-27 Saifun Semiconductors Ltd. Two bit non-volatile electrically erasable and programmable semiconductor memory cell utilizing asymmetrical charge trapping
US5905682A (en) * 1997-08-22 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for biasing the substrate of an integrated circuit to an externally adjustable voltage
DE69726136T2 (de) * 1997-08-29 2004-08-26 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren und Schaltung zur Erzeugung einer Gatterspannung für nichtfluchtige Speicheranordnungen
KR100293449B1 (ko) * 1998-05-04 2001-07-12 김영환 고전압발생회로
US6172553B1 (en) 1998-06-25 2001-01-09 Cypress Semiconductor Corp. High voltage steering network for EEPROM/FLASH memory
US6166982A (en) * 1998-06-25 2000-12-26 Cypress Semiconductor Corp. High voltage switch for eeprom/flash memories
US6094095A (en) * 1998-06-29 2000-07-25 Cypress Semiconductor Corp. Efficient pump for generating voltages above and/or below operating voltages
FR2782421B1 (fr) * 1998-08-11 2000-09-15 St Microelectronics Sa Dispositif de generation d'une haute tension
JP2001069747A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Texas Instr Japan Ltd 昇圧回路
US6816000B2 (en) 2000-08-18 2004-11-09 Texas Instruments Incorporated Booster circuit
US6577535B2 (en) 2001-02-16 2003-06-10 Sandisk Corporation Method and system for distributed power generation in multi-chip memory systems
DK1367958T3 (da) 2001-03-14 2008-01-28 Braun Gmbh Anordning til tandrensning
US6448750B1 (en) 2001-04-05 2002-09-10 Saifun Semiconductor Ltd. Voltage regulator for non-volatile memory with large power supply rejection ration and minimal current drain
US6577514B2 (en) 2001-04-05 2003-06-10 Saifun Semiconductors Ltd. Charge pump with constant boosted output voltage
US6584017B2 (en) 2001-04-05 2003-06-24 Saifun Semiconductors Ltd. Method for programming a reference cell
KR100386085B1 (ko) 2001-05-25 2003-06-09 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생회로
US6791396B2 (en) 2001-10-24 2004-09-14 Saifun Semiconductors Ltd. Stack element circuit
US7098107B2 (en) * 2001-11-19 2006-08-29 Saifun Semiconductor Ltd. Protective layer in memory device and method therefor
US6700818B2 (en) * 2002-01-31 2004-03-02 Saifun Semiconductors Ltd. Method for operating a memory device
US6917544B2 (en) 2002-07-10 2005-07-12 Saifun Semiconductors Ltd. Multiple use memory chip
US6963505B2 (en) 2002-10-29 2005-11-08 Aifun Semiconductors Ltd. Method circuit and system for determining a reference voltage
US6992932B2 (en) 2002-10-29 2006-01-31 Saifun Semiconductors Ltd Method circuit and system for read error detection in a non-volatile memory array
US7136304B2 (en) 2002-10-29 2006-11-14 Saifun Semiconductor Ltd Method, system and circuit for programming a non-volatile memory array
US20040151032A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-05 Yan Polansky High speed and low noise output buffer
US6842383B2 (en) 2003-01-30 2005-01-11 Saifun Semiconductors Ltd. Method and circuit for operating a memory cell using a single charge pump
US6967896B2 (en) * 2003-01-30 2005-11-22 Saifun Semiconductors Ltd Address scramble
US7178004B2 (en) * 2003-01-31 2007-02-13 Yan Polansky Memory array programming circuit and a method for using the circuit
JP2004274861A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 昇圧回路
US6885244B2 (en) 2003-03-24 2005-04-26 Saifun Semiconductors Ltd. Operational amplifier with fast rise time
US7142464B2 (en) * 2003-04-29 2006-11-28 Saifun Semiconductors Ltd. Apparatus and methods for multi-level sensing in a memory array
US6906966B2 (en) 2003-06-16 2005-06-14 Saifun Semiconductors Ltd. Fast discharge for program and verification
KR100493061B1 (ko) * 2003-06-20 2005-06-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리가 내장된 단일 칩 데이터 처리 장치
JP4031399B2 (ja) * 2003-07-08 2008-01-09 セイコーインスツル株式会社 半導体集積回路装置
US7123532B2 (en) * 2003-09-16 2006-10-17 Saifun Semiconductors Ltd. Operating array cells with matched reference cells
US7050319B2 (en) * 2003-12-03 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Memory architecture and method of manufacture and operation thereof
KR100521385B1 (ko) * 2003-12-15 2005-10-12 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로 및 그것을 포함한 반도체 메모리 장치
US8339102B2 (en) * 2004-02-10 2012-12-25 Spansion Israel Ltd System and method for regulating loading on an integrated circuit power supply
US7176728B2 (en) * 2004-02-10 2007-02-13 Saifun Semiconductors Ltd High voltage low power driver
US7652930B2 (en) * 2004-04-01 2010-01-26 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and system for erasing one or more non-volatile memory cells
TW200541082A (en) * 2004-04-14 2005-12-16 Renesas Tech Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7755938B2 (en) * 2004-04-19 2010-07-13 Saifun Semiconductors Ltd. Method for reading a memory array with neighbor effect cancellation
US7187595B2 (en) * 2004-06-08 2007-03-06 Saifun Semiconductors Ltd. Replenishment for internal voltage
US7256438B2 (en) * 2004-06-08 2007-08-14 Saifun Semiconductors Ltd MOS capacitor with reduced parasitic capacitance
US7190212B2 (en) * 2004-06-08 2007-03-13 Saifun Semiconductors Ltd Power-up and BGREF circuitry
US7317633B2 (en) 2004-07-06 2008-01-08 Saifun Semiconductors Ltd Protection of NROM devices from charge damage
US7095655B2 (en) * 2004-08-12 2006-08-22 Saifun Semiconductors Ltd. Dynamic matching of signal path and reference path for sensing
KR20060020075A (ko) * 2004-08-31 2006-03-06 삼성전자주식회사 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치
US20060068551A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Saifun Semiconductors, Ltd. Method for embedding NROM
US7638850B2 (en) * 2004-10-14 2009-12-29 Saifun Semiconductors Ltd. Non-volatile memory structure and method of fabrication
US20060136824A1 (en) * 2004-11-12 2006-06-22 Bo-In Lin Process official and business documents in several languages for different national institutions
US20060146624A1 (en) * 2004-12-02 2006-07-06 Saifun Semiconductors, Ltd. Current folding sense amplifier
US7257025B2 (en) * 2004-12-09 2007-08-14 Saifun Semiconductors Ltd Method for reading non-volatile memory cells
EP1684307A1 (en) 2005-01-19 2006-07-26 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and systems for erasing one or more non-volatile memory cells
US8053812B2 (en) 2005-03-17 2011-11-08 Spansion Israel Ltd Contact in planar NROM technology
US7233192B2 (en) * 2005-04-06 2007-06-19 Saifun Semiconductors Ltd On/off charge pump
US20070141788A1 (en) * 2005-05-25 2007-06-21 Ilan Bloom Method for embedding non-volatile memory with logic circuitry
KR100680441B1 (ko) * 2005-06-07 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 안정적인 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생기
US8400841B2 (en) * 2005-06-15 2013-03-19 Spansion Israel Ltd. Device to program adjacent storage cells of different NROM cells
US7184313B2 (en) * 2005-06-17 2007-02-27 Saifun Semiconductors Ltd. Method circuit and system for compensating for temperature induced margin loss in non-volatile memory cells
US7804126B2 (en) * 2005-07-18 2010-09-28 Saifun Semiconductors Ltd. Dense non-volatile memory array and method of fabrication
US20070036007A1 (en) * 2005-08-09 2007-02-15 Saifun Semiconductors, Ltd. Sticky bit buffer
US7668017B2 (en) 2005-08-17 2010-02-23 Saifun Semiconductors Ltd. Method of erasing non-volatile memory cells
US20070096199A1 (en) * 2005-09-08 2007-05-03 Eli Lusky Method of manufacturing symmetric arrays
US7221138B2 (en) 2005-09-27 2007-05-22 Saifun Semiconductors Ltd Method and apparatus for measuring charge pump output current
US20070120180A1 (en) * 2005-11-25 2007-05-31 Boaz Eitan Transition areas for dense memory arrays
US7352627B2 (en) * 2006-01-03 2008-04-01 Saifon Semiconductors Ltd. Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array
US7808818B2 (en) * 2006-01-12 2010-10-05 Saifun Semiconductors Ltd. Secondary injection for NROM
US20070173017A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Saifun Semiconductors, Ltd. Advanced non-volatile memory array and method of fabrication thereof
US7692961B2 (en) * 2006-02-21 2010-04-06 Saifun Semiconductors Ltd. Method, circuit and device for disturb-control of programming nonvolatile memory cells by hot-hole injection (HHI) and by channel hot-electron (CHE) injection
US7760554B2 (en) * 2006-02-21 2010-07-20 Saifun Semiconductors Ltd. NROM non-volatile memory and mode of operation
US8253452B2 (en) * 2006-02-21 2012-08-28 Spansion Israel Ltd Circuit and method for powering up an integrated circuit and an integrated circuit utilizing same
US7638835B2 (en) 2006-02-28 2009-12-29 Saifun Semiconductors Ltd. Double density NROM with nitride strips (DDNS)
US7701779B2 (en) * 2006-04-27 2010-04-20 Sajfun Semiconductors Ltd. Method for programming a reference cell
US7605579B2 (en) * 2006-09-18 2009-10-20 Saifun Semiconductors Ltd. Measuring and controlling current consumption and output current of charge pumps
US7859240B1 (en) 2007-05-22 2010-12-28 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for preventing reverse current flow into a voltage regulator from an output thereof
KR100894490B1 (ko) 2008-03-03 2009-04-22 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치의 내부전압 생성회로
US8436659B1 (en) * 2008-06-24 2013-05-07 Marvell International Ltd. Circuits and methods for reducing electrical stress on a transistor
US20100148840A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Siyou Weng Pulse modulated charge pump circuit
FR2951576B1 (fr) * 2009-10-20 2011-12-16 St Microelectronics Rousset Circuit integre comprenant une borne non dediee de reception d'une haute tension d'effacement programmation
EP2317519A1 (fr) 2009-10-20 2011-05-04 STMicroelectronics Rousset SAS Circuit intégré comprenant une borne non dédié de réception d'une haute tension d'effacement programmation
US10832754B1 (en) * 2019-06-06 2020-11-10 Micron Technology, Inc. Current monitor for a memory device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4481566A (en) * 1983-04-04 1984-11-06 International Business Machines Corporation On chip charge trap compensated high voltage converter
JPS62196861A (ja) * 1986-02-24 1987-08-31 Mitsubishi Electric Corp 内部電位発生回路
US4769784A (en) * 1986-08-19 1988-09-06 Advanced Micro Devices, Inc. Capacitor-plate bias generator for CMOS DRAM memories
US4825142A (en) * 1987-06-01 1989-04-25 Texas Instruments Incorporated CMOS substrate charge pump voltage regulator
JPH0827662B2 (ja) * 1987-06-12 1996-03-21 沖電気工業株式会社 比較電圧発生回路及びそれを用いた電圧検出回路
JPS6445157A (en) * 1987-08-13 1989-02-17 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPH01149299A (ja) * 1987-12-04 1989-06-12 Fujitsu Ltd 不揮発性半導体記憶装置
JPH084137B2 (ja) * 1988-01-12 1996-01-17 日本電気株式会社 電荷転送装置の出力回路
US4888738A (en) * 1988-06-29 1989-12-19 Seeq Technology Current-regulated, voltage-regulated erase circuit for EEPROM memory
IT1225608B (it) * 1988-07-06 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione.
JPH077912B2 (ja) * 1988-09-13 1995-01-30 株式会社東芝 昇圧回路
JP2780365B2 (ja) * 1989-08-14 1998-07-30 日本電気株式会社 基板電位発生回路
US5059815A (en) * 1990-04-05 1991-10-22 Advanced Micro Devices, Inc. High voltage charge pumps with series capacitors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100481833B1 (ko) * 1997-07-29 2005-07-04 삼성전자주식회사 고전압펌핑회로
KR20010099849A (ko) * 1998-12-21 2001-11-09 추후제출 고효율 전압 증폭 장치 및 그 용도

Also Published As

Publication number Publication date
IT1250777B (it) 1995-04-21
DE4036973C2 (de) 1994-06-30
JPH04132088A (ja) 1992-05-06
FR2667169B1 (fr) 1994-04-15
ITRM910712A1 (it) 1992-03-26
JPH07122998B2 (ja) 1995-12-25
FR2667169A1 (fr) 1992-03-27
ITRM910712A0 (it) 1991-09-24
US5276646A (en) 1994-01-04
DE4036973A1 (de) 1992-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920006991A (ko) 반도체메모리 장치의 고전압발생회로
KR960042760A (ko) 반도체 메모리 소자
KR970071820A (ko) 감지 증폭기
KR890009003A (ko) 반도체 집적회로
KR920001542A (ko) 감지 증폭기를 갖는 반도체 메모리
KR900006979A (ko) 반도체 기억장치
KR920022293A (ko) 비정기적인 리프레쉬 동작을 실행하는 반도체 메모리 장치
KR910006979A (ko) 비교 기능을 갖는 반도체 메모리장치
KR920008769A (ko) 비소멸성 반도체 기억 장치용 센스 증폭기
KR950001766A (ko) 반도체 기억회로
KR960038967A (ko) 반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로
KR850006902A (ko) 전압레벨 검출회로
KR860006875A (ko) 반도체 장치
KR950001862A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR940026953A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970063246A (ko) 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치
KR870700181A (ko) 고 신뢰성 상보 논리회로
KR970008190A (ko) 반도체장치의 모드 설정회로
KR920001521A (ko) 반도체기억장치
KR920008758A (ko) 파워-온 리세트회로
KR950012703A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 입력 버퍼
KR900010793A (ko) Cmos 프로그래밍을 지니는 ecl eprom
KR910007134A (ko) 페일-세이프(fail-safe) 회로를 갖는 웨이퍼 스캐일 반도체 장치
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR980005006A (ko) Vcc 검출수단을 이용한 비트라인 전압 보상회로

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19900925

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid