KR900003842B1 - 광전 변환장치 및 제조방법 - Google Patents
광전 변환장치 및 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900003842B1 KR900003842B1 KR1019870000015A KR870000015A KR900003842B1 KR 900003842 B1 KR900003842 B1 KR 900003842B1 KR 1019870000015 A KR1019870000015 A KR 1019870000015A KR 870000015 A KR870000015 A KR 870000015A KR 900003842 B1 KR900003842 B1 KR 900003842B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- electrode
- substrate
- layer
- resin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 69
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021357 chromium silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 235000009754 Vitis X bourquina Nutrition 0.000 description 1
- 235000012333 Vitis X labruscana Nutrition 0.000 description 1
- 240000006365 Vitis vinifera Species 0.000 description 1
- 235000014787 Vitis vinifera Nutrition 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제 1a, 1b 및 1c 도는 종래기술의 영상 감지기의 도시도.
제 2a 내지 2j 도는 본 발명에 따른 선형 접촉 영상 감지기를 도시한 평면도 및 단면도.
제 3a 내지 3d 도는 본 발명에 따라 다른 선형 접촉 영상 감지기를 도시한 평면도 및 단면도.
제 4a 내지 4j 도는 본 발명에 따른 두 크기의 접촉 영상 감지기를 도시한 평면도 및 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 내열성 투명기판 2 : 제 1 전도층
3 : 광감지 반도체층 4 : 크롬 규소층
5 : 제 2 전도층 9 : 알루미늄층
10 : 박층부재 19 : 투명한 전극 스트립
20 : 셀 블럭
본 발명은 광전 변환 장치에 판한 것이다. 종래에는, 많은 광전 변환 장치에 대한 응용이 제안되어 왔다. 그러한 응용의 일례로서, 팩시밀리 기계에 대한 접촉 영상 감지기가 제 1 도에 개략적으로 도시되어 있다. 상기 감지기는 3개의 마스크를 이용한 석판 인쇄술로 제조되는 대향 표면상의 한쌍의 전극(2 및 4)으로 제공된 광감지 반도체층(3)으로 구성된다.
종래장치에 대한 제조방법은 아래와 같이 이루어진다. 첫째로, 크롬의 반도체층은 기판(1)상에 형성되어, 다수의 제 1 전극(2)을 형성하도록 제 1 마스크 1m로 패턴된다. 패턴된 전극(2)을 통해, 비결정 실리콘의 광감지 고유 반도체층은 글로우 방전방법으로 1 마이크로미터의 두께에 부착되어, 광권 변환층(3)을 형성하도록 금속의 제 2 마스크 2m로 패턴된다. 반도체층(3)에 따라서, 비결정 실리콘층의 패턴된 층은 제 1전극(2)에 이동(displacement) 가능한 마스크 2m를 충분히 커버한다. 그때, 인듐산화물의 도체층은 반도체층(3)상에 형성되어, 제 2 전극(4)을 형성하도록 제 3 마스크 3m로 패턴된다. 정류 다이오드는 제 2 전극(4) 및 반도체층(3) 사이의 접합(MI 접합) 및, 쇼트키 장벽으로부터 형성될 수 있다.
광선이 제 1c 도에 도시된 바와같이 제 2전극(4)을 통해 반도체층(3)상에 입사할 시에, 전자 홀(hole)쌍은 입사광선의 강도에 비례하여 발생된다.
그러나, 제 1a 내지 1c 도에 도시된 영상 감지기는 제 1 전극(2)보다 큰 반도체층(3)으로 구성된다.
이것으로, 대향 전극(2 및 4) 사이에 수평적으로 배치되는 영역내에 전자 홀쌍이 발생되며, 상기 영역내에서 발생된 캐리어의 측면 드리프트(drift)는 제 1a 도에 도시된 바와같이 화살표에 따라 발생한다. 측면드리프트는 응답을 지연시킨다
한편으로, 상기와 같이 제조된 고유 반도체층은 그의 노출면상에 기생 채널을 형성하는 경향이 있으며, 상기 노출면은 쉽게 n형으로 변환되어, 제품의 질의 큰 암 전류 및 분산을 유발시킨다. 게다가, 세 마스크의 이용으로 비용이 감소될 수 있다.
본 발명의 목적은 제품을 제조하기 위해 개량된 광전 변환장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 실시간에 입사 광선을 변환시킬 수 있는 제품을 제조하기 위해 개량된 광전 변환장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 입사 광선에 응답하여 시간이 거의 지연되지 않는 제품을 제조하기 위해 개량된 광전 변환장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 장치의 광전 반도체 상에서 거의 기생되지 않는 채널을 갖는 제품을 제조하기 위해 개량된 광전 변환 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
제 2a 내지 2j 도에서, 본 발명의 실시예는 그의 제조 공정에 따라 설명된다.
석영판이나 파이렉스 유리판과 같이 투명한 내열성 기판(1)상에서, 제 1 포트 마스크 1m를 이용함으로써 주석 산화물의 다수의 투명전극 스트립(19)은 형성된다. 제 1 전도층(2), 광감지 반도체층(3) 및 제 2 전도층(5)은 순차적으로 형성된다. 제 1전도층은 두께가 2000Å 인 주석 인듐 산화층이다. 반도체층은 P-i-n, ni-n 또는 m-i 접합을 통합한 비결정 실리콘 반도체층과 같은 적어도 거의 고유 반도체층으로 구성되어, 공지된 CVD 시스템에 의해 침전(deposit)된다. 실리콘 반도체층은 명백히 약간의 n형 전도성을 가짐으로써, 반도체가 거의 고유성을 갖도록 붕소와 같은 P형 불순물로 도프된다.
예를 들면, 반도체층은 200Å 두께의 P형 반도체층, 3500Å 두께의 고유 반도체층 및 300Å 두께의 n형 반도체층으로 구성되며, 상기와 같은 반도체층은(소화 54년 일본국 특허출된 제 104452호에 기술된 바와같은) 멀티 챔버 플라스마가 향상된 시스템에 의해 부착된다. 이런 경우에 있어서, 제 2 전도층(5)은 1000Å의 두께를 갖는 크롬으로 형성되고, 크롬 규화물의 투명한 전도층(4)은 반도체층(3) 및 크롬층(5) 사이에서 두께가 10 내지 200Å인 생성물로서 형성된다. 크롬 규소층(4)은 반도체층(3)과 버퍼층으로서의 옴 전극(5) 사이를 접촉케 한다.
그다음, 전도층(2), (4) 및 (5)의 박층과 반도체층(3)은 전체적으로 제 2 마스크 2m에 의해 에치되어, 제 2c, 2d 및 2e 도에 도시된 바와같이 각 스트립(19)상에 셀 블럭(10)을 발생시킨다.
셀 블럭(10)은 접촉 영상 감지기의 감지부를 구성하며, 상기 셀 블럭의 각각은 30 마이크로미터의 간격에 따라 150 마이크로미터의 길이와 100 마이크로미터의 폭을 가지며, 그리고 선형 배열로 설계된다.
제 2f 도에 도시된 바와같이, 광전 경화(photocurable) 유기수지층(6), 예를들어 방향성 폴리마이드 전구체 용액은 코팅 방법에 의해 1.6 마이크로미터의 두께로 형성되어, 셀 부재(10)를 완전히 봉입한다. 그때, 투명한 기판(1)은 한시간 동안에 80℃로 세척 가마내에서 먼저 베이크되어, 비 마스크를 이용한 것이외에 공지된 마스얼라이너(aligner)에 의해 자외선에 따라 상기 기판의 배면으로부터 방사된다. 방사 시간은코발트 Co로 부터 분해된 얼라이너가 이용될 시에 약 2분이 소요된다. 경화한 후에, 수지층의 경화되지 않은 부분은 적절한 가시기(rinsing) 액체를 이용하여 제거됨으로써, 잔여 수지층이 결과적으로 노출되는 셀 블럭의 최상부면과 거의 플러시 한다. 이런 접속으로 경화처리로 대략 계수 2의 수지 볼륨이 감소됨으로써, 경화하기 전에 수지층의 두께는 0.8 마이크로미터의 두께를 갖는 셀 블럭에 대한 약 1.6 마이크로미터로 선택된다. 300 내지 400nm 파장(10mw/cm2)을 갖는 자외선에 따라, 방사 시간은 l5 내지 30초이다.
최종으로, 기판(1)은 30분동안에 180℃,300℃ 및 400℃로 질소 기압에서 가열되며, 알루미늄층(9)은 기판(1)의 상부면을 통해 0.1 내지 1.5 마이크론의 두께로 형성되어, 잔여 알루미늄층이 통과할 정도로 제 3 포트 마스크 3m에 의해 에치되며, 모든 셀 블럭(10)의 노출면과 접촉한 모든 셀 블럭을 확실하게 커버한다. 상기 알루미늄 전극(9)의 폭은 셀 블럭(20)을 바이스트라이딩(bistriding)하여 블럭의 주변부보다 연장해 있으므로, 장치의 후측면을 통해 셀 블럭(20)에 투사한 광선은 확실히 블럭된다. 그때 부드러운 최상부면을 갖는 영상 감지기에 대한 제조 공정이 완료된다. 예를 들면, 셀 블럭은 한 라인 내에서 1mm 당 8개의 셀로 정렬될 수 있다.
발명자는 전극(9)을 형성하기에 앞서 전자 현미경에 의해 셀 블럭 및 수지층 사이의 접촉 부근을 조사하여 왔다. 결과, 약간 일정치 않게 판찰되어 왔지만, 전극(2 또는 4)의 재질을 끌어 당김(drawing)으로써 대향 전극(2 및 4) 사이의 짧은 전류를 유발시키는 크래크(crack)가 없으며, 또한 판찰된 것은 배치된 분리 패턴을 리드하는 돌출부가 없으며, 그리고 측면으로 인접한 두 층은 서로 부드럽게 접속되는 것으로 인식된다. 이런 구성에 의해, 인터페이스 바로 위의 위치에서 분리의 가능성을 갖지 않고 층상의 전극(9)으로서 ITO(인듐 주석 산화)층이 중복될 수 있다.
따라서, 형성된 셀 블럭으로서의 광전 변환소자(20)는 라인(19)와 접촉한 제 1전극(2), 반도체층(3), 제 2 전극(4) 및 라인(13)과 접촉한 제 3 전극(5)으로 구성된다. 상기 반도체층(3)은 최상부 및 최하부면에서의 전극 및 측면에서의 수지층으로 완전히 봉입됨으로써, 누설 전류 및 기생 채널이 반도체층상에서 발생하지 않는다.
더욱이, 대향전극(2 및 4)은 정확한 패턴과 무판하게 반도체층(3)과 모양 및 영역이 동일하다.
본 발명에 따라 P-i-n 접합을 갖는 광전 장치를 이용하여 실험함으로써 성취된 일례의 광전 특성에 대해서는 아래에 기술된다. 즉, 인가된 3V의 전압을 갖는 암전류는 1.8×10-13A 이며 셀 영역, 100마이크론×150 마이크론,100LX의 방사선을 갖는 포토 전류는 3.5×10-8이다. 장치의 응답 특성은 1마이크로초당 스위치 오버하는 입사 광선이 추적될 수 있는 것이다. 전술된 바와같은 종래의 기술의 장치는 그러한 주파수 변환을 따를 수 없다.
다른 실험으로, n-i-n 접합을 구비한 광전장치가 제조된다. 인가된 바이어스대 접합을 통과하는 전류특성은 0 바이어스에 대해 대칭적이다. 암전류는 4×10-13A이며, 포토 전도성은 100LX의 기준 광선을 갖는다. 장치는 만족스럽게도 0.2 마이크로초의 간격에서 단속 방사를 수행할 수 있다.
전술된 실시예가 기판을 통해 입사 광선을 수행하고 장치에 구성되지만, 본 발명은 또한 전환 측면으로부터 입사 광선을 수납하는 장치에 이용할 수 있다. 이런 형태의 다른 실시예는 제 3a 내지 3d 도를 참조로 하여 기술된다. 이런 종류의 장치에 대한 제조 공정에 있어서, 제 2g 도에 기술된 단계까지 앞선실시예에 대한 공정의 단계는 동일하게 이용되므로, 제조 공정은 상기 단계후에만 기술된다.
제 2f 도내의 수지층(6)을 침전시킨 후에, 수지층(6) 및 전도층(5)은 잔여 수지층의 표면이 제 3a 도에 도시된 바와같이 크롬규소층(4)과 플러시할 정도로 이동된다. 수지층을 이동은 상기 실시예에서와 같은 방식으로 수행된다.
최종으로, 기판(1)은 30분 동안에 180℃,300℃ 및 400℃로 질소기압에서 가열되며, 알루미늄층(9)은 기판(1)의 상부면을 통해 0.1 내지 1.5 마이크론의 두께로 형성되어, 잔여 알루미늄층이 통과할 정도로 제 3 포도 마스크 3m에 의해 에칭되며, 제 3b, 3c 및 3d 도에 도시된 바와같이 모든 셀 블럭(10)의 노출면과 접촉한 모든 셀 블럭을 확실하게 커버한다. 상기 알루미늄 전극(9)의 폭은 셀 블럭(20)을 바이스트라이딩하여 블럭의 주변보다 연장해 있으므로, 장치의 후측면을 통해 셀 블럭(20)에 투사한 광선을 확실히 블럭된다. 그때 부드러운 최상부면을 갖는 영상 감지기에 대해 제조 공정이 완료된다. 예를들면, 셀 블럭은 한 라인내에서 1mm 당 8개의 셀로 정렬될 수 있다.)
제 4a 내지 4j도는 셀 블럭이 매트릭스내에 배치되는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것이며, 상기 실시예는 두 크기의 접촉 영상 감지기를 설명한다.
석영판이나 파이렉스 유리판과 같이 투명한 내열성 기판(l)상에서, 제 1 포토 마스크 1m를 이용함으로써 주석 산화물의 다수 투명 전극 스트립(19)은 형성된다. 제 1전도층(2), 광감지 반도체층(3) 및 제 2 전도층(5)은 순차적으로 형성된다. 제 1 전도층은 두께가 2000Å 인 주석 인듐 산화층이다. 반도체층은 P-i-n-, n-i-n 또는 m-i 접합을 통합한 비결정 실리콘 반도체층과 같은 적어도 거의 고유 반도체층으로 구성되어, 공지된 CVD 시스템에 의해 침전된다. 실리콘 반도체층은 명백히 약간의 n형 전도성을 가짐으로써, 반도체가 거의 고유성을 갖도록 붕소와 같은 P형 불순물로 도프된다.
예를들면, 반도체층은 200Å 두께의 P형 반도체층, 3500Å 두께의 고유 반도체층 및 300Å 두께의 n형 반도체층으로 구성되며, 상기와 같은 반도체층은(소화 54년 일본국 특허출된 제 104452호에 기술된 바와같은) 멀티 쌤버 플라스마가 향상된 CVD 시스템에 의해 부착된다. 이런 경우에 있어서, 제 2 전도층(5)은 1000Å의 두께를 갖는 크롬으로 형성되고, 크롬 규화물의 투명한 전도층(4)은 반도체층(3) 및 크롬층(5) 사이에서 두께가 10 내지 200Å인 생성물로서 형성된다. 크롬 규소층(4)은 반도체층(3)과 버퍼층으로서의 음전극(5) 사이를 접촉케 한다.
그다음, 전도층(2), (4) 및 (5)의 박층과 반도체층(3)은 전체적으로 제 2마스크 2m에 의해 에치되어, 제 4c, 4d 및 4e 도에 도시된 바와같이 각 스트립(19)상에 다수의 셀 블럭(10)을 발생시킨다.
셀 블럭(10)은 두 크기의 접촉 영상 감지기를 구성하도록 메트릭스 형태로 배치된다. 셀 블럭(10)은 접촉영상 감지기의 감지부이며, 상기 셀 블럭의 각각은 30 마이크로미터의 간격에 따라 150 마이크로미터의 길이와 100 마이크로미터의 폭을 갖는다.
제 4f 도에 도시된 바와같이, 광전 경화유기수지층(6), 예를 들어 방향성 폴리마이드 전구체 용액은 코팅 방법에 의해 1.6 마이크로미터의 두께로 형성되어, 셀 부재(10)를 완전히 봉입한다. 그때, 투명한 기판(1)은 한시간 동안에 80℃로 세척 가마내에서 먼저 베이크되어, 비 마스크를 이용한 것 이외에 공지된 마스얼라이너(aligner)에 의해 자외선에 따라 상기 기판의 배면으로부터 방사된다. 방사 시간은 코발트 Co 로부터 분배된 얼라이너가 이용될 시에 약 2분이 소요된다. 경화한 후에, 수지층의 경화되지 않은 부분은 적절한 가시기(rinsing) 액체를 이용하여 제거됨으로써, 잔여 수지층이 결과적으로 노출되는 셀 블럭의 최상부면과 거의 플러시한다. 이런 접속으로, 경화 처리로 대략 계수 2의 수지 볼륨이 감소됨으로써, 경화하기전에 수지층의 두께는 0.8 마이크로미터의 두께를 갖는 셀 블럭에 대한 약 1.6 마이크로미터로 선택된다. 300 내지 400nm 파장(mw/cm2)을 갖는 자외선에 따라, 방사 시간은 15 내지 30초이다.
최종으로, 기판(1)은 30분 동안에 180℃, 300℃ 및 400℃로 질소 기압에서 가열되며, 다수의 분리 알루미늄층(9)은 기판(1)의 상부면을 통해 0.1 내지 1.5 마이크론의 두께로 형성되어, 각 메트릭스 행상의 블럭이 제각기 메트릭스 행을 따라 연장하는 한 알루미늄층에 완전히 커버할 정도로 제 3 포트 마스크 3m에 의해 에칭된다. 상기 알루미늄 전극(9)의 폭은 셀 블럭(20)을 바이스트라이딩하여 열 방향에서 블럭의 주변부보다 연장해 있으므로, 장치의 후측면을 통해 셀 블럭(20)에 투사한 광선은 확실히 블럭된다. 그때 부드러운 최상부면을 갖는 영상 감지기에 대한 제조 공정이 완료된다. 예를 들면, 셀 블럭은 한 라인내에서 제곱 mm당 64개의 셀로 정렬될 수 있다.
따라서, 형성된 셀 블럭으로서의 광전 변환소자(20)는 라인(19)와 접촉한 제 1전극(2), 반도체층(3), 제 2 전극(4) 및 라인(13)과 접촉한 제 3 전극(5)으로 구성된다. 상기 반도체층(3)은 최상부 및 최하부면에서의 전극 및 측면에서의 수지층으로 완전히 봉입됨으로써, 누설 전류 빛 기생 채널이 반도체층상에서 발생하지 않는다.
더욱이, 대향 전극(2 및 4)은 징확한 패턴과 무판하게 반도체(3)과 모양 및 영역이 동일하다.
전술된 바와같이, 본 발명에 따른 장치는 주변부가 제각기 수지층으로 에워싸인 박층으로 구성된다. 층의 상부면은 수지층이 제공되지 않는 것처럼 노출된다. 층 및 수지층상의 표면이 양호하게도 서로 다른 플러시로 구성되지만, 수지층은 부재면보다 낮게 위치된 상기 층의 상부면으로 형성된다.
본 발명은, 다수의 감지 소자가 양호하게도 인접한 토오킹(talking) 사이의 크로스 토오킹을 유발시키지 않고 기판상에 배치되고, 감지 소자가 오랜 시간 동안에 높은 신뢰도를 유지하여 외부 충격에 대한 마멸에 있어서의 높은 저항성을 갖기 때문에 영상 감지기에 특히 유용하다.
본 발명은 첨부된 청구범위만을 제외하고는 상술된 실시예에만 국한되지는 않으며, 실시예의 변형 및 수정이 본 기술의 숙련자에게는 다양하게 이루어질 수 있다.
실시예에서는 접촉 영상 감지기에 판해 기술되었지만, 본 발명은 하나뿐이거나 소수의 변환소자를 갖는 다른 형태의 광전 변환 부품으로 이용될 수 있다. 광전 변환 반도체층은 P-i-n 또는 n-i-n 접합 이외에 P-i, n-i, m-i(쇼토키 접촉), n-i-p 또는 m-i-n 접합을 가질 수 있다. 본 발명에 이용될 반도체 재질은 6 Ge1-x(0〈x≤
1),6C1-x(0〈x≤
1) 또는 6Sn1-x(0〈x≤
1)이다.
Claims (18)
- 투명한 기판, 상기 기판상에서 전극이 배치된 광감지 반도체층 및 상기 기판상의 상기 반도체층에 인접하고, 상기 반도체층의 주변부와 접촉한 수지층을 구비하는데, 상기 수지층과 그의 주변부 사이의 접촉부는 상기 수지층을 에치하도록 마스크로서의 상기 반도체층을 이용함으로써 근접하여, 기생 채널이 상기 접촉부상에 거의 존재하지 않는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 기판 및 상기 기판상에 배치된 광감지 반도체 배열을 구비하는데, 상기 배열의 각 소자는 상기 반도체층의 대향 표면상에 형성되어 상기 대향 표면을 완전히 커버하는 한쌍의 전극 및 반도체층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.
- 제 2 항에 있어서, 제 1 및 2 전극과 상기 반도체층은 서로 일치하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.
- 제 2 항에 있어서, 제각기 상기 제 1전극과 접촉한 다수의 신호 추출 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.
- 제 2 항에 있어서, 각각의 인접한 상기 배열 소자 사이에 배치된 수지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.
- 제 5 항에 있어서, 상기 수지층의 상부면은 상기 반도체층의 상부면보다 더 높지 않는 것을 특징으로 하는 영상감지기.
- 제 5항에 있어서, 상기 수지층은 상기 반도체층과 플러시하는 것을 특징으로 하는 영상 감지기.
- 다수의 감지 소자로 구성된 영상 감지기를 제조하는 방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계, 상기 기판상에 제 1전극을 형성하는 단계, 상기 제 1 전극상에 광전 반도체층을 형성하는 단계, 상기 반도체층상에 제 2 전극을 형성하는 단계 및 제각기 감지 소자에 대응하는 위치부내에 위치되는 상기 제 2 전극상에서 동시에 다수의 마스크를 갖는 상기 반도체층과 상기 제 1 및 2 전극을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 영상 감지기 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 소자의 출력을 추출하기 위해 다수의 전도 라인을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 영상 감지기 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 소자 사이의 수지층을 배치하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 영상감지기 제조방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 투명한 것을 특징으로 하는 영상 감지기 제조방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 수지층은 마스크로서의 상기 소자와 포토 에칭함으로써 음 광저항으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 영상 감지기 제조방범.
- 제 12 항에 있어서, 에칭 상태는 선택되어 잔여 수지층이 상기 반도체층과 플러시하는 것을 특징으로하는 영상 감지기 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 전극 배치는 상기 반도체층의 한 표면상에 제공되는 제 1전극과, 상기 반도체층의 다른 표면상에 제공되는 제 2 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 광전 변환장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 광전 반도체층으로 입사 광선을 접근시키도록 투명하게 제조되는 반면에, 상기 제 2 전극은 불투명하게 제조되는 것을 특징으로 하는 광전 변환장치.
- 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 및 2전극은 상기 광전 반도체 층으로 입사 광선을 접근시키도록 투명하게 제조되는 것을 특징으로 하는 광전 변환장치.
- 제 14 항에 있어서, 반도체층과 제 1 및 2 전극 사이의 접촉부는 옴인 것을 특징으로 하는 광전 변환장치.
- 제 17 항에 있어서, 상기 반도체층은 그내에 n-i-n, p-i-n 또는 m-i 접합을 갖는 것을 특징으로 하는 광전 변환장치.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1007 | 1986-01-06 | ||
| JP61001007A JPS62158361A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 光電変換装置の作成方法 |
| JP1006 | 1986-01-06 | ||
| JP61001006A JPS62158360A (ja) | 1986-01-06 | 1986-01-06 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870007576A KR870007576A (ko) | 1987-08-20 |
| KR900003842B1 true KR900003842B1 (ko) | 1990-06-02 |
Family
ID=26334159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870000015A Expired KR900003842B1 (ko) | 1986-01-06 | 1987-01-06 | 광전 변환장치 및 제조방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4810661A (ko) |
| EP (1) | EP0229397B1 (ko) |
| KR (1) | KR900003842B1 (ko) |
| CN (1) | CN1008783B (ko) |
| DE (1) | DE3650363T2 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0228712B1 (en) * | 1986-01-06 | 1995-08-09 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed and method for manufacturing the same |
| US5317796A (en) * | 1989-04-18 | 1994-06-07 | Hunter Robert M | Technique for rendering packaging child resistant |
| FR2737045B1 (fr) * | 1995-07-21 | 1997-08-29 | Commissariat Energie Atomique | Structure photosensible durcie aux rayonnements electromagnetiques durs et son application aux cameras video |
| RU2127472C1 (ru) * | 1996-03-28 | 1999-03-10 | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя |
| RU2127471C1 (ru) * | 1996-03-28 | 1999-03-10 | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя из монокристаллического кремния |
| RU2127009C1 (ru) * | 1996-03-28 | 1999-02-27 | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя |
| US20060180198A1 (en) * | 2005-02-16 | 2006-08-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and method of manufacturing solar cell string |
| JP4290747B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2009-07-08 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびインターコネクタ付き光電変換素子 |
| CN105043423B (zh) * | 2015-07-24 | 2018-06-05 | 宋金会 | 位置传感器 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| US4290844A (en) * | 1979-02-26 | 1981-09-22 | Carson Alexiou Corporation | Focal plane photo-detector mosaic array fabrication |
| US4316049A (en) * | 1979-08-28 | 1982-02-16 | Rca Corporation | High voltage series connected tandem junction solar battery |
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| JPS5715476A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Canon Inc | Photosensor |
| JPS581878A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
| JPS59147469A (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-23 | Hitachi Ltd | 非晶質シリコン太陽電池 |
| JPS59172274A (ja) * | 1983-03-18 | 1984-09-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-30 EP EP86118154A patent/EP0229397B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-30 DE DE3650363T patent/DE3650363T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-01-06 KR KR1019870000015A patent/KR900003842B1/ko not_active Expired
- 1987-01-06 CN CN87100057A patent/CN1008783B/zh not_active Expired
- 1987-11-24 US US07/124,565 patent/US4810661A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1008783B (zh) | 1990-07-11 |
| KR870007576A (ko) | 1987-08-20 |
| US4810661A (en) | 1989-03-07 |
| DE3650363T2 (de) | 1996-01-25 |
| EP0229397A3 (en) | 1989-01-25 |
| DE3650363D1 (de) | 1995-09-14 |
| CN87100057A (zh) | 1987-07-22 |
| EP0229397A2 (en) | 1987-07-22 |
| EP0229397B1 (en) | 1995-08-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5346833A (en) | Simplified method of making active matrix liquid crystal display | |
| KR910001194B1 (ko) | 광 감지기 | |
| US4644406A (en) | Large scale contact type image reading unit using two-dimensional sensor array | |
| EP0362928B1 (en) | Display arrangement provided with diodes and method of manufacturing the display arrangement | |
| KR100621488B1 (ko) | 박막 트랜지스터와 이를 포함하는 전자 장치 | |
| KR100530682B1 (ko) | 감광픽셀들의어레이 | |
| US5614731A (en) | Thin-film transistor element having a structure promoting reduction of light-induced leakage current | |
| KR900003842B1 (ko) | 광전 변환장치 및 제조방법 | |
| EP0314211B1 (en) | Display device including lateral schottky diodes | |
| US4979007A (en) | Photoelectric conversion device | |
| CN105702682A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板 | |
| US5187563A (en) | Photoelectric conversion device with Al/Cr/TCO electrode | |
| KR100641732B1 (ko) | 엑스-선 검출소자의 제조방법 | |
| CN109411335B (zh) | 一种像素结构及其制作方法 | |
| US7368315B2 (en) | X-ray detecting device and fabricating method thereof | |
| KR20030055504A (ko) | 박막트랜지스터를 이용한 디지털 엑스레이 검출기 제조방법 | |
| JPH05347427A (ja) | 光センサ | |
| EP0601200A1 (en) | Semiconductor device | |
| KR0162299B1 (ko) | 포토다이오드의 제조방법 | |
| KR940005901B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR960006197B1 (ko) | 전하결합소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR940001294B1 (ko) | 밀착형 이미지 센서 제조방법 | |
| JPH02210882A (ja) | ホトトランジスタとその作製方法 | |
| JPS61141172A (ja) | 一次元イメ−ジセンサ | |
| JPS61201461A (ja) | 光センサ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19870106 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19870106 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| PG1605 | Publication of application before grant of patent |
Comment text: Decision on Publication of Application Patent event code: PG16051S01I Patent event date: 19900430 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19900823 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19900927 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19900927 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 19930426 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 19940421 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 19950428 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19960531 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 19960531 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |