[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR900008911A - 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 - Google Patents

발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR900008911A
KR900008911A KR1019880015121A KR880015121A KR900008911A KR 900008911 A KR900008911 A KR 900008911A KR 1019880015121 A KR1019880015121 A KR 1019880015121A KR 880015121 A KR880015121 A KR 880015121A KR 900008911 A KR900008911 A KR 900008911A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive type
conductive
layer
light emitting
type
Prior art date
Application number
KR1019880015121A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910006705B1 (ko
Inventor
김기준
Original Assignee
안시환
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 안시환, 삼성전자 주식회사 filed Critical 안시환
Priority to KR1019880015121A priority Critical patent/KR910006705B1/ko
Priority to JP18900489A priority patent/JPH0770756B2/ja
Priority to US07/440,673 priority patent/US5063420A/en
Publication of KR900008911A publication Critical patent/KR900008911A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910006705B1 publication Critical patent/KR910006705B1/ko
Priority to US07/763,293 priority patent/US5242840A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 발광다이오드 어레이의 사시도.
제2도는 본 발명에 따른 발광다이오드 어레이의 사시도.
제3(A)-(E)도는 본 발명에 따른 제조공정도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판상에 형성되는 발광다이오드 어레이에 있어서, 상기 반도체기판(11)상에 이종접한을 이루는 제1도전형의 발광층(12)과 제2도전형의 투과층(13)과, 상기 제2도전형의 투과층(13) 상부에 제2도전형의 전극(19)과의 전기적 접촉을 좋게하기 위한 제2도전형의 캡층(15)과, 상기 제2도전형의 투과층(13) 내부에 소자간의 분리하기 위란 제1도전형의 확산영역(17)과, 상기 제2도전형의 캡층(15)을 제외한 전표면에 형성된 절연막(18)과, 상기 제1도전형의 반도체기판(11) 하부에 제1도전형의 공통전극(20)으로 구비됨을 특징으로 하는 발광다이오드 어레이.
  2. 반도체 기판상부에 발광다이오드 어레이의 제조방법에 있어서, 상기 제1도전형의 반도체기판(11) 상부에 제1도전형의 발광층(12)과, 상기 제1도전형과 반대도전형인 제2도전형인 발광층(13)과 제2도전형의 캡층으로 이루어진 캡층(14)을 형성하는 제1공정과, 상기 제2도전형의 캡층(14)의 소정부분을 식가하여 소정의 형상으로 가공한 캡층(15)을 형성하는 제2공정과, 상기 제2도전형의 투과층(13)의 소정부분을 제1도전형의 불순물을 주입하여 제1도전형으로 반전된 확산영역(17)을 형성하는 제3공정과, 상기 투과층(13) 상부에 상기 캡층(15)을 제외한 전표면에 산화막(18)을 형성하는 제4공정과, 상기 캡층(15) 상부에 제2도전형의 전극(19)과, 상기 제1도전형의 반도체기판 (11) 하부에 제1도전형의 공통전극(20)을 형성하는 제5공정을 구비하여 상기 공정의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 발광다이오드 어레이의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015121A 1988-11-17 1988-11-17 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법 KR910006705B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880015121A KR910006705B1 (ko) 1988-11-17 1988-11-17 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
JP18900489A JPH0770756B2 (ja) 1988-11-17 1989-07-24 発光ダイオードアレイの製造方法
US07/440,673 US5063420A (en) 1988-11-17 1989-11-24 Method for making an LED array
US07/763,293 US5242840A (en) 1988-11-17 1991-09-20 Method for making an LED array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880015121A KR910006705B1 (ko) 1988-11-17 1988-11-17 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900008911A true KR900008911A (ko) 1990-06-04
KR910006705B1 KR910006705B1 (ko) 1991-08-31

Family

ID=19279333

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880015121A KR910006705B1 (ko) 1988-11-17 1988-11-17 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5063420A (ko)
JP (1) JPH0770756B2 (ko)
KR (1) KR910006705B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449926A (en) * 1994-05-09 1995-09-12 Motorola, Inc. High density LED arrays with semiconductor interconnects
US5453386A (en) * 1994-05-09 1995-09-26 Motorola, Inc. Method of fabrication of implanted LED array
US5472886A (en) * 1994-12-27 1995-12-05 At&T Corp. Structure of and method for manufacturing an LED
TW456058B (en) * 2000-08-10 2001-09-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and the manufacturing method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3636617A (en) * 1970-03-23 1972-01-25 Monsanto Co Method for fabricating monolithic light-emitting semiconductor diodes and arrays thereof
JPS60229368A (ja) * 1984-04-27 1985-11-14 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPS62184763U (ko) * 1986-05-16 1987-11-24
US4755485A (en) * 1986-05-27 1988-07-05 Hewlett-Packard Company Method of making light-emitting diodes
DE3727488C2 (de) * 1987-08-18 1994-05-26 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100291911B1 (ko) * 1994-07-26 2001-09-17 김순택 반도체발광소자를이용한표시소자

Also Published As

Publication number Publication date
US5063420A (en) 1991-11-05
JPH0770756B2 (ja) 1995-07-31
KR910006705B1 (ko) 1991-08-31
JPH02152283A (ja) 1990-06-12
US5242840A (en) 1993-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0272453A3 (en) Merged bipolar/cmos technology using electrically active trench
KR950034867A (ko) 반도체 상호접속재를 구비한 고집적의 발광 다이오드 배열 및 그 제조방법
KR900011053A (ko) 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
KR900004031A (ko) 바이폴러 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960039320A (ko) 집적 광전 패키지 및 그 제조 방법
KR920017309A (ko) 레이저 다이오드 어레이 및 그 제조방법
KR930005259A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR860006851A (ko) 반도체 레이저
KR910007332A (ko) 밀착형 이미지센서
KR910008860A (ko) 전력용 압접형 반도체장치
KR900008911A (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
KR910008861A (ko) 집적회로소자
KR970067916A (ko) 접합누설이 적은 저 스트레스 광다이오드
KR910008843A (ko) Mos형 집적회로
KR880011935A (ko) 반도체 장치 및 제조 방법
KR910008850A (ko) 반도체 디바이스
KR900015316A (ko) 반도체장치
KR910008853A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
KR910010718A (ko) 반도체 기억 장치 및 그 제조방법
KR920010981A (ko) 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
KR890016688A (ko) 발광다이오우드 어레이의 제조방법
KR850700185A (ko) 반도체 집적 회로
KR920020796A (ko) 레이저다이오드의 제조방법
KR920009008A (ko) 레이저 다이오드의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19881117

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19881117

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19910731

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19911127

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19911207

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19911207

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19940715

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19950728

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19960730

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19970731

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19980721

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 19990721

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20000714

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010706

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020708

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030707

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040329

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050708

Start annual number: 15

End annual number: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060728

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070801

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070801

Start annual number: 17

End annual number: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee