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KR830008634A - 후막파인패턴(thick film fine pattern) 도전체(導電體)의 제조방법 - Google Patents

후막파인패턴(thick film fine pattern) 도전체(導電體)의 제조방법 Download PDF

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KR830008634A
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Abstract

내용 없음

Description

후막 파인패턴(thick film fine pattern) 도전체(導電體)의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도 내지 제1(e)도는 본 발명의 1실시예를 설명한 제조공정도.
제2도 및 제3도는 각각 본 발명에 의해 제조된 고밀도 도전체의 평면도 및 단면도이다.

Claims (23)

  1. (a) 금속박판상에 레지스트(resist)를 패턴(pattern)부 이외의 부분에 형성하고 금속박판을 음극으로 하여 패턴부에 전기도금을 함으로써 회로밀도 3liens/mm이상, 필름두께 15-200㎛의 도전체를 형성하고,
    (b) 금속박막을 위로하여 도금된 금속박막을 절연기판에 접착하며,
    (c) 금속박판을 에칭(etching)제거하는 공정을 구성함을 특징으로하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서 금속박판을 위로하고 도금된 금속박판을 절연기판 양면에 접착하여 금속박판의 도전 체패턴이 서로간에 대향되어 있음을 특징으로 하는 후막파인 패턴도전체의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서 금속박판을 에칭제거한 후 노광도전체를 전기도금하여 두께 15-200㎛의 도전체층을 형성함으로써 도금된 도전체를 후막화함이 없이 도전체의 실질적인 두께를 얻을수 있는 공정을 구성함을 특징으로 하는 후막파인 패턴도전체의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서 절연기판양면의 금속박판을 에칭제거한후 절연기판상의 도전체패턴의 통공접속부에 구멍을 뚫고, 노광도전체를 전기도금하여 두께 15-200㎛의 도전체층을 형성하는 공정을 구성함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  5. 제1,2 또는 4항에 있어서, 금속박판에 전기도금을 함에 있어 음극전류밀도는 필름두게가 0.3-10㎛로 될때가지 0.05-2A/d㎡의 범위이며 그다음 총필름두께가 15-200㎛로 될때까지 3-50A/d㎡으로 증가함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서 금속박판을 에칭제거한 후 노광도전체에 전기도금을 하는데 있어 음극전류밀도는 3-50A/d㎡의 범위임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  7. 제1,2 또는 4항에 있어서 금속박판을 두께 1-500㎛의 알루미늄, 주석 및 아연에서 선택함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  8. 제1,2 또는 4항에 있어서 도전체가 동(銅)임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  9. 제1,2 또는 4항에 있어서 절연기판이 두께 5-200㎛인 폴리머필름(polymer film)임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  10. 제3항에 있어서 금속박판에 전기도금을 하는데 있어 음극전류밀도는 필름두께가 0.3-10㎛으로 될 때까지 0.05-2A/d㎡의 범위이며 그 다음 총필름두께가 15-200㎛으로 될때까지 3-50A/d㎡로 증가함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  11. 제3항에 있어서 금속박판을 에칭제거한 후 노광도전체에 전기도금을 함에 있어 음극전류밀도는 3-50A/d㎡의 범위임을 특징으로 하는 후막파인패턴 도전체의 제조방법.
  12. 제3항에 있어서 금속박판은 두께 1-500㎛의 알루미늄, 주석 및 아연임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  13. 제3항에 있어서 도전체가 동(銅)임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  14. 제3항에 있어서 절연기판이 두께 5-200㎛의 폴리머플름임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  15. 제5항에 있어서 금속박판은 두께 1-500㎛의 알루미늄, 주석 및 아연에서 서택함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  16. 제6항에 있어서 금속박판은 두께 1-500㎛의 알루미늄 주석 및 아연에서 선택함을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  17. 제5항에 있어서 도전체가 동(銅)임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  18. 제6항에 있어서 도전체가 동(銅)임을 특징으로 하는 후막파인패턴도전체의 제조방법.
  19. 제7항에 있어서 도전체가 동임을 특징으로 하는 후막 파인패턴도전체의 제조방법.
  20. (a) 금속박판상에 레지스트를 회로부이외의 장소에 형성하고,
    (b) 전류밀도 0.05-2A/d㎡에서 후막 0.3-10㎛로 금속박판을 전기도금하며
    (c) 전류밀도 3-50A/d㎡에서 소요의 필름두께로 금속박판을 전기도금하고
    (d) 금속박판의 전면 또는 회로부이외의 장소를 제거하는 공정을 구성함을 특징으로 하는 파인패턴 인쇄 회로기판의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서 도금된 필름두께와 패턴간격의 비가 3A/d㎡이상의 음극전류밀도에서 1.4이상임을 특징으로 하는 후막파인패턴 인쇄회로기판의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서 위 공정(a)내지 (c)후에 또 위 공정 (d)전에 금속박판을 절연기판에 접착하는 공정을 구성함을 특징으로 하는 후막파인패턴 인쇄회로기판의 제조방법.
  23. 제5항에 있어서 도금된 필름두께와 패턴간격의 비가 3A/d㎡이상의 음극전류밀도에서 1.14임을 특징으로 하는 후막파인패턴 인쇄회로기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019810004604A 1980-11-28 1981-11-27 후막 파인패턴(thick film fine pattern) 도전체(導電體)의 제조방법 KR850001363B1 (ko)

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JP55-166614 1980-11-28
JP166614 1980-11-28
JP9147981A JPS57207392A (en) 1981-06-16 1981-06-16 Method of producing ultrafine thick film printed circuit board

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