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KR20240160403A - Apparatus for cleaning a wafer - Google Patents

Apparatus for cleaning a wafer Download PDF

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Publication number
KR20240160403A
KR20240160403A KR1020230057169A KR20230057169A KR20240160403A KR 20240160403 A KR20240160403 A KR 20240160403A KR 1020230057169 A KR1020230057169 A KR 1020230057169A KR 20230057169 A KR20230057169 A KR 20230057169A KR 20240160403 A KR20240160403 A KR 20240160403A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cleaning
brush
cleaning device
vertical axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020230057169A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이경태
박범영
배기호
김호영
윤보언
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020230057169A priority Critical patent/KR20240160403A/en
Publication of KR20240160403A publication Critical patent/KR20240160403A/en
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Abstract

웨이퍼 세정 장치는적어도 하나의 세정 바디, 브러시 및 세정제 노즐을 포함할 수 있다. 상기 세정 바디는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼의 가장자리 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 브러시는 상기 세정 바디에 의해서 상기 수직축과 평행한 다른 수직축을 중심으로 회전되어 상기 웨이퍼의 가장자리 영역과 직접 접촉하여 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 세정제를 이용해서 제거할 수 있다. 상기 세정제 노즐은 상기 브러시로 상기 세정제를 분사할 수 있다. 따라서, 제거되지 않은 오염 물질이 웨이퍼의 중앙 영역으로 이동하여, 웨이퍼의 중앙 영역에 형성된 회로들을 손상시키는 것이 방지될 수 있다.A wafer cleaning device may include at least one cleaning body, a brush, and a cleaning agent nozzle. The cleaning body may be positioned adjacent to an edge region of a wafer that rotates about a vertical axis on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. The brush may be rotated about another vertical axis parallel to the vertical axis by the cleaning body to directly contact the edge region of the wafer and remove contaminants adhered to the edge region of the wafer using a cleaning agent. The cleaning agent nozzle may spray the cleaning agent onto the brush. Accordingly, contaminants that are not removed may be prevented from moving to the central region of the wafer and damaging circuits formed in the central region of the wafer.

Description

웨이퍼 세정 장치{APPARATUS FOR CLEANING A WAFER}{APPARATUS FOR CLEANING A WAFER}

본 발명은 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정 이후 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 제거하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning device. More specifically, the present invention relates to a device for removing contaminants adhered to an edge area of a wafer after a chemical mechanical polishing process.

일반적으로, 웨이퍼에 대해서 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 공정을 수행한 이후, 웨이퍼에 묻은 오염 물질들을 제거하기 위한 세정 공정이 수행될 수 있다. 세정 공정은 주로 브러시를 이용해서 수행될 수 있다. 브러시는 회전하는 브러싱 돌기들을 회전 중인 웨이퍼에 물리적으로 접촉시켜서, 웨이퍼로부터 오염 물질을 제거할 수 있다. In general, after performing a chemical mechanical polishing (CMP) process on a wafer, a cleaning process can be performed to remove contaminants on the wafer. The cleaning process can be performed mainly using a brush. The brush can remove contaminants from the wafer by physically contacting the rotating brushing protrusions with the rotating wafer.

관련 기술들에 따르면, 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질은 기존의 브러시로 완벽하게 제거할 수 없다. 특히, 웨이퍼의 가장자리 영역에 홈이 형성된 경우, 이러한 홈 내에 위치한 오염 물질은 기존의 브러시로는 제거할 수가 없다. 제거되지 않은 오염 물질은 회로들이 형성된 웨이퍼의 중앙 영역으로 이동하게 되어, 회로들을 손상시킬 수 있다.According to related technologies, contaminants attached to the edge area of the wafer cannot be completely removed with existing brushes. In particular, when grooves are formed in the edge area of the wafer, contaminants located within these grooves cannot be removed with existing brushes. Unremoved contaminants may move to the central area of the wafer where circuits are formed, thereby damaging the circuits.

본 발명은 화학 기계적 연마 공정이 수행된 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있는 장치를 제공한다.The present invention provides a device capable of effectively removing contaminants adhered to an edge area of a wafer on which a chemical mechanical polishing process has been performed.

본 발명의 일 견지에 따른 웨이퍼 세정 장치는 적어도 하나의 세정 바디, 브러시 및 세정제 노즐을 포함할 수 있다. 상기 세정 바디는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼의 가장자리 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 브러시는 상기 세정 바디에 의해서 상기 수직축과 평행한 다른 수직축을 중심으로 회전되어 상기 웨이퍼의 가장자리 영역과 직접 접촉하여 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 세정제를 이용해서 제거할 수 있다. 상기 세정제 노즐은 상기 브러시로 상기 세정제를 분사할 수 있다.According to one aspect of the present invention, a wafer cleaning device may include at least one cleaning body, a brush, and a cleaning agent nozzle. The cleaning body may be positioned adjacent to an edge area of a wafer that rotates around a vertical axis on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. The brush may be rotated around another vertical axis parallel to the vertical axis by the cleaning body to directly contact the edge area of the wafer and remove contaminants adhered to the edge area of the wafer using a cleaning agent. The cleaning agent nozzle may spray the cleaning agent onto the brush.

본 발명의 다른 견지에 따른 웨이퍼 세정 장치는 적어도 하나의 세정 바디 및 세정 노즐을 포함할 수 있다. 상기 세정 바디는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼의 가장자리 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 세정 노즐은 상기 세정 바디에 의해서 상기 수직축과 평행한 다른 수직축을 중심으로 회전될 수 있다. 상기 세정 노즐은 세정제를 상기 웨이퍼의 가장자리 영역으로 분사할 수 있다.A wafer cleaning device according to another aspect of the present invention may include at least one cleaning body and a cleaning nozzle. The cleaning body may be positioned adjacent to an edge region of a wafer that rotates about a vertical axis on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed. The cleaning nozzle may be rotated about another vertical axis parallel to the vertical axis by the cleaning body. The cleaning nozzle may spray a cleaning agent onto the edge region of the wafer.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 가장자리 영역에 인접한 브러시 또는 세정 노즐이 세정제를 이용해서 웨이퍼의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질, 특히 웨이퍼의 가장자리 영역에 형성된 홈 내에 위치한 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 제거되지 않은 오염 물질이 웨이퍼의 중앙 영역으로 이동하여, 웨이퍼의 중앙 영역에 형성된 회로들을 손상시키는 것이 방지될 수 있다.According to the present invention, a brush or cleaning nozzle adjacent to an edge area of a wafer can effectively remove contaminants adhered to the edge area of the wafer, particularly contaminants located within a groove formed in the edge area of the wafer, using a cleaning agent. Accordingly, contaminants that are not removed can be prevented from moving to the central area of the wafer and damaging circuits formed in the central area of the wafer.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously expanded within a scope that does not depart from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 브러시를 나타낸 측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 세정판을 나타낸 사시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.Figure 1 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.
Figure 2 is a side view showing a brush of the wafer cleaning device illustrated in Figure 1.
Figure 3 is a perspective view showing the cleaning plate of the wafer cleaning device illustrated in Figure 1.
FIG. 4 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.
FIG. 5 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 브러시를 나타낸 측면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치의 세정판을 나타낸 사시도이다.FIG. 1 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention, FIG. 2 is a side view showing a brush of the wafer cleaning device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view showing a cleaning plate of the wafer cleaning device shown in FIG. 1.

본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(100)는 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing : CMP) 공정이 수행된 웨이퍼(wafer)(W), 특히 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다. 예를 들어서, 웨이퍼(W)에 대해서 CMP 공정을 수행하면, 파티클(particle)과 같은 오염 물질들이 웨이퍼(W)에 묻을 수 있다. 특히, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 원하지 않은 홈이 형성된 경우, 웨이퍼 세정 장치(100)는 홈 내에 묻은 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다. 그러나, 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(100)가 CMP 공정 이후의 웨이퍼(W)를 세정하는 용도로 국한되지 않고, 다른 반도체 공정들 이후의 웨이퍼(W)를 세정하는 용도로 사용될 수도 있다.The wafer cleaning device (100) of the present embodiment can remove contaminants adhered to a wafer (W) on which a chemical mechanical polishing (CMP) process has been performed, particularly, to an edge area of the wafer (W). For example, when a CMP process is performed on the wafer (W), contaminants such as particles may adhere to the wafer (W). In particular, when an unwanted groove is formed in the edge area of the wafer (W), the wafer cleaning device (100) can effectively remove contaminants adhered within the groove. However, the wafer cleaning device (100) of the present embodiment is not limited to the purpose of cleaning the wafer (W) after the CMP process, and may also be used to clean the wafer (W) after other semiconductor processes.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(100)는 적어도 하나의 세정 바디(cleaning body)(110), 링크(link)(112), 브러시(brush)(120), 세정제 노즐(cleaning agent nozzle)(130) 및 세정판(cleaning plate)(140)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3, the wafer cleaning device (100) of the present embodiment may include at least one cleaning body (110), a link (112), a brush (120), a cleaning agent nozzle (130), and a cleaning plate (140).

세정 바디(110)는 제 1 수직축을 중심으로 회전되는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 인접하게 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 세정 바디(110)는 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로 동일한 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어질 수 있다. 예를 들어서, 세정 바디(110)는 웨이퍼(W)의 중심을 기준으로 180˚ 간격을 두고 배열된 한 쌍으로 이루어질 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The cleaning body (110) may be positioned adjacent to an edge area of a wafer (W) that rotates around a first vertical axis. In the present embodiment, the cleaning body (110) may be formed in a plurality of pieces arranged at equal intervals based on the center of the wafer (W). For example, the cleaning body (110) may be formed in a pair arranged at 180˚ intervals based on the center of the wafer (W), but may not be limited thereto.

링크(112)는 세정 바디(110)에 연결될 수 있다. 특히, 링크(112)는 세정 바디(110)로부터 수평 방향을 따라 웨이퍼(W)의 중심을 향해서 연장될 수 있다. 세정 바디(110)는 링크(112)를 수직축을 중심으로 회전시킬 수 있다.The link (112) can be connected to the cleaning body (110). In particular, the link (112) can extend from the cleaning body (110) in a horizontal direction toward the center of the wafer (W). The cleaning body (110) can rotate the link (112) about a vertical axis.

브러시(120)는 링크(112)의 단부에 설치될 수 있다. 브러시(120)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역 위에 위치할 수 있다. 따라서, 브러시(120)는 링크(112)와 함께 제 1 수직축과 평행한 제 2 수직축을 중심으로 회전될 수 있다. 브러시(120)는 회전하는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 세정제를 이용해서 제거할 수 있다.The brush (120) can be installed at the end of the link (112). The brush (120) can be positioned above the edge area of the wafer (W). Therefore, the brush (120) can be rotated around a second vertical axis parallel to the first vertical axis together with the link (112). The brush (120) can remove contaminants attached to the edge area of the rotating wafer (W) using a cleaning agent.

본 실시예에서, 브러시(120)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 마찰 접촉할 수 있다. 특히, 브러시(120)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 웨이퍼(W)의 회전 방향(R)과 동일 방향 또는 역 방향으로 회전하면서 접촉할 수 있다. 즉, 본 실시예의 브러시(120)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 직접 접촉하는 접촉식일 수 있다. 브러시(120)는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 손상을 주지 않을 수 있는 물질, 예를 들어서, PVA를 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.In the present embodiment, the brush (120) can come into frictional contact with the edge region of the wafer (W). In particular, the brush (120) can come into contact with the edge region of the wafer (W) while rotating in the same direction or in the opposite direction to the rotational direction (R) of the wafer (W). That is, the brush (120) of the present embodiment can be a contact type that directly comes into contact with the edge region of the wafer (W). The brush (120) can include a material that does not damage the edge region of the wafer (W), for example, PVA, but may not be limited thereto.

세정제 노즐(130)은 브러시(120)로 세정제를 공급할 수 있다. 특히, 세정제 노즐(130)은 웨이퍼(W)의 회전 방향(R)과 반대 방향을 따라 세정제를 브러시(120)로 분사할 수 있다. 세정제는 탈이온수 및/또는 세정 케미컬을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않을 수 있다.The cleaning agent nozzle (130) can supply the cleaning agent to the brush (120). In particular, the cleaning agent nozzle (130) can spray the cleaning agent to the brush (120) in a direction opposite to the rotational direction (R) of the wafer (W). The cleaning agent may include, but is not limited to, deionized water and/or cleaning chemicals.

브러시(120)가 세정제를 이용해서 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 제거하게 되면, 오염 물질이 브러시(120)에 묻을 수 있다. 이러한 브러시(120)로 후속 웨이퍼(W)의 가장자리 영역을 세정하게 되면, 후속 웨이퍼(W)가 오염될 수 있다.When the brush (120) removes contaminants attached to the edge area of the wafer (W) using a cleaning agent, the contaminants may attach to the brush (120). When the edge area of a subsequent wafer (W) is cleaned with the brush (120), the subsequent wafer (W) may become contaminated.

이를 방지하기 위해서, 웨이퍼(W) 세정 공정이 완료되었거나 또는 웨이퍼 세정 장치(100)가 아이들(idle) 상태인 경우, 세정판(140)을 이용해서 브러시(120)를 세정하여, 브러시(120)에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다.To prevent this, when the wafer (W) cleaning process is completed or the wafer cleaning device (100) is in an idle state, the brush (120) can be cleaned using a cleaning plate (140) to remove contaminants attached to the brush (120).

구체적으로, 세정 바디(110)가 브러시(120)를 세정판(140)으로 회전 이동시킬 수 있다. 브러시(120)를 세정판(140)에 강한 압력으로 접촉시켜서, 브러시(120)에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다. 부가적으로, 세정제 노즐(130)로부터 제공된 세정제를 브러시(120)와 세정판(140)으로 제공할 수도 있다.Specifically, the cleaning body (110) can rotate the brush (120) to the cleaning plate (140). By bringing the brush (120) into contact with the cleaning plate (140) with strong pressure, contaminants attached to the brush (120) can be removed. Additionally, a cleaning agent provided from a cleaning agent nozzle (130) can be provided to the brush (120) and the cleaning plate (140).

도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.FIG. 4 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.

본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(100a)는 메인 브러시(main brush)(150)를 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 1에 도시된 웨이퍼 세정 장치(100)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.The wafer cleaning device (100a) of the present embodiment may include substantially the same components as those of the wafer cleaning device (100) illustrated in FIG. 1, except that it further includes a main brush (150). Accordingly, the same components are indicated by the same reference numerals, and further repetitive descriptions of the same components may be omitted.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(100a)는 메인 브러시(150)를 더 포함할 수 있다. 메인 브러시(150)는 웨이퍼(W)의 지름선을 따라 배치될 수 있다. 메인 브러시(150)는 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 긴 길이를 가질 수 있다.Referring to FIG. 4, the wafer cleaning device (100a) of the present embodiment may further include a main brush (150). The main brush (150) may be arranged along the diameter of the wafer (W). The main brush (150) may have a length slightly longer than the diameter of the wafer (W).

메인 브러시(150)는 브러싱 롤러(brushing roller) 및 복수개의 브러싱 돌기(brushing nodule)들을 포함할 수 있다. 브러싱 롤러는 수평축을 중심으로 회전할 수 있다. 브러싱 돌기들은 브러싱 롤러의 외주면에 배열될 수 있다. 특히, 브러싱 돌기들은 브러싱 롤러의 반지름 방향을 따라 연장될 수 있다. 브러싱 돌기들이 웨이퍼(W)의 표면 전체와 회전 접촉하여, 웨이퍼(W)에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다.The main brush (150) may include a brushing roller and a plurality of brushing nodules. The brushing roller may rotate about a horizontal axis. The brushing nodules may be arranged on an outer surface of the brushing roller. In particular, the brushing nodules may extend along a radial direction of the brushing roller. The brushing nodules may be in rotational contact with the entire surface of the wafer (W) to remove contaminants attached to the wafer (W).

이와 같이, 브러싱 돌기들이 웨이퍼(W)의 가장자리 영역뿐만 아니라 웨이퍼(W)의 중앙 영역에도 회전 접촉하게 되므로, 메인 브러시(150)를 이용해서 웨이퍼(W)의 전체 영역에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다.In this way, since the brushing protrusions come into rotational contact not only with the edge area of the wafer (W) but also with the center area of the wafer (W), contaminants on the entire area of the wafer (W) can be removed using the main brush (150).

그러나, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질이 메인 브러시(150)로 제거되지 않으면, 브러시(120)가 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 회전 접촉하여, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다.However, if the contaminants attached to the edge area of the wafer (W) are not removed by the main brush (150), the brush (120) can effectively remove the contaminants attached to the edge area of the wafer (W) by making rotational contact with the edge area of the wafer (W).

도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.FIG. 5 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(200)는 적어도 하나의 세정 바디(210), 링크(212) 및 세정 노즐(cleaning nozzle)(220)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, the wafer cleaning device (200) of the present embodiment may include at least one cleaning body (210), a link (212), and a cleaning nozzle (220).

본 실시예의 세정 바디(210) 및 링크(212)는 도 1에 도시된 세정 바디(110) 및 링크(112) 각각과 실질적으로 동일하므로, 세정 바디(210) 및 링크(212)에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.Since the cleaning body (210) and link (212) of the present embodiment are substantially the same as the cleaning body (110) and link (112) illustrated in FIG. 1, a repeated description of the cleaning body (210) and link (212) may be omitted.

세정 노즐(220)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 세정제를 분사할 수 있다. 따라서, 세정 노즐(220)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 직접적으로 접촉하지 않을 수 있다. 즉, 본 실시예의 세정 노즐(220)은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 직접 접촉하지 않는 비접촉식일 수 있다. 이와 같이, 세정 노즐(220)이 비접촉식이므로, 세정 노즐(220)을 세정하기 위한 세정판(140)과 같은 별도의 세정 기구가 필요하지 않을 수 있다.The cleaning nozzle (220) can spray the cleaning agent to the edge area of the wafer (W). Therefore, the cleaning nozzle (220) may not directly contact the edge area of the wafer (W). That is, the cleaning nozzle (220) of the present embodiment may be a non-contact type that does not directly contact the edge area of the wafer (W). In this way, since the cleaning nozzle (220) is a non-contact type, a separate cleaning mechanism such as a cleaning plate (140) for cleaning the cleaning nozzle (220) may not be required.

도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정 장치를 나타낸 평면도이다.FIG. 6 is a plan view showing a wafer cleaning device according to embodiments of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치(200a)는 메인 브러시(250)를 더 포함한다는 점을 제외하고는 도 5에 도시된 웨이퍼 세정 장치(200)의 구성요소들과 실질적으로 동일한 구성요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 동일한 구성요소들은 동일한 참조부호들로 나타내고, 또한 동일한 구성요소들에 대한 반복 설명은 생략할 수 있다.Referring to FIG. 6, the wafer cleaning device (200a) of the present embodiment may include substantially the same components as those of the wafer cleaning device (200) illustrated in FIG. 5, except that it further includes a main brush (250). Accordingly, the same components are indicated by the same reference numerals, and further repetitive descriptions of the same components may be omitted.

또한, 본 실시예의 메인 브러시(250)는 도 4에 도시된 메인 브러시(150)와 실질적으로 동일한 구조 및 기능을 가질 수 있다. 따라서, 메인 브러시(250)에 대한 반복 설명도 생략할 수 있다.In addition, the main brush (250) of the present embodiment may have substantially the same structure and function as the main brush (150) illustrated in FIG. 4. Therefore, a repeated description of the main brush (250) may also be omitted.

본 실시예들에 따르면, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 인접한 브러시(120) 또는 세정 노즐(220)이 세정제를 이용해서 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질, 특히 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 형성된 홈 내에 위치한 오염 물질을 효과적으로 제거할 수 있다. 따라서, 제거되지 않은 오염 물질이 웨이퍼(W)의 중앙 영역으로 이동하여, 웨이퍼(W)의 중앙 영역에 형성된 회로들을 손상시키는 것이 방지될 수 있다.According to the present embodiments, the brush (120) or cleaning nozzle (220) adjacent to the edge area of the wafer (W) can effectively remove contaminants adhered to the edge area of the wafer (W), particularly contaminants located within a groove formed in the edge area of the wafer (W), using a cleaning agent. Accordingly, contaminants that are not removed can be prevented from moving to the central area of the wafer (W) and damaging circuits formed in the central area of the wafer (W).

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and changes may be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below.

W ; 웨이퍼 R ; 웨이퍼의 회전 방향
110 ; 세정 바디 112 ; 링크
120 ; 브러시 130 ; 세정제 노즐
140 ; 세정판 210 ; 세정 바디
212 ; 링크 220 ; 세정 노즐
150 ; 메인 브러시 250 ; 메인 브러시W; Wafer R; Rotation direction of wafer
110 ; Cleansing Body 112 ; Link
120 ; Brush 130 ; Detergent Nozzle
140 ; Cleaning plate 210 ; Cleaning body
212 ; Link 220 ; Cleaning Nozzle
150 ; Main Brush 250 ; Main Brush

Claims (10)

화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 제 1 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 인접하게 배치된 적어도 하나의 세정 바디(110);
상기 세정 바디(110)에 의해서 상기 제 1 수직축과 평행한 제 2 수직축을 중심으로 회전되어 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 영역과 직접 접촉하여 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 묻은 오염 물질을 세정제를 이용해서 제거하는 브러시(120); 및
상기 브러시(120)로 상기 세정제를 분사하는 세정제 노즐(130)을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.At least one cleaning body (110) positioned adjacent to an edge area of a wafer (W) rotating about a first vertical axis on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed;
A brush (120) that is rotated around a second vertical axis parallel to the first vertical axis by the cleaning body (110) and comes into direct contact with the edge area of the wafer (W) to remove contaminants on the edge area of the wafer (W) using a cleaning agent; and
A wafer cleaning device including a cleaning agent nozzle (130) that sprays the cleaning agent with the brush (120). 제 1 항에 있어서, 상기 세정제 노즐(130)은 상기 세정제를 상기 웨이퍼(W)의 회전 방향(R)과 반대 방향을 따라 상기 브러시(120)로 분사하는 웨이퍼 세정 장치.In the first paragraph, the wafer cleaning device wherein the cleaning agent nozzle (130) sprays the cleaning agent to the brush (120) in a direction opposite to the rotational direction (R) of the wafer (W). 제 1 항에 있어서, 상기 브러시(120)와 마찰 접촉하여 상기 브러시(120)를 세정하는 세정판(140)을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.In the first paragraph, a wafer cleaning device further comprising a cleaning plate (140) that cleans the brush (120) by frictional contact with the brush (120). 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼(W)의 지름선을 따라 배치되어 상기 웨이퍼(W)의 전체 영역에 묻은 오염 물질을 제거하는 메인 브러시(150)를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.A wafer cleaning device according to claim 1, further comprising a main brush (150) arranged along the diameter of the wafer (W) to remove contaminants adhered to the entire area of the wafer (W). 제 4 항에 있어서, 상기 메인 브러시(150)는 브러싱 롤러 및 상기 브러싱 롤러의 외주면에 배치된 복수개의 브러싱 돌기들을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.In the fourth paragraph, the main brush (150) is a wafer cleaning device including a brushing roller and a plurality of brushing protrusions arranged on the outer surface of the brushing roller. 제 1 항에 있어서, 상기 세정 바디(110)는 동일한 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어진 웨이퍼 세정 장치.In the first paragraph, the wafer cleaning device is composed of a plurality of cleaning bodies (110) arranged at equal intervals. 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 수행된 제 1 수직축을 중심으로 회전하는 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 인접하게 배치된 적어도 하나의 세정 바디(210); 및
상기 세정 바디(210)에 의해서 상기 제 1 수직축과 평행한 제 2 수직축을 중심으로 회전되고, 세정제를 상기 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 분사하는 세정 노즐(220)을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.At least one cleaning body (210) positioned adjacent to an edge area of a wafer (W) rotating around a first vertical axis on which a chemical mechanical polishing (CMP) process is performed; and
A wafer cleaning device including a cleaning nozzle (220) that rotates around a second vertical axis parallel to the first vertical axis by the cleaning body (210) and sprays a cleaning agent onto the edge area of the wafer (W). 제 7 항에 있어서, 상기 세정 노즐(220)은 상기 세정제를 상기 웨이퍼(W)의 회전 방향(R)과 반대 방향을 따라 분사하는 웨이퍼 세정 장치.In the 7th paragraph, the cleaning nozzle (220) is a wafer cleaning device that sprays the cleaning agent in a direction opposite to the rotation direction (R) of the wafer (W). 제 7 항에 있어서, 상기 웨이퍼(W)의 지름선을 따라 배치되어 상기 웨이퍼(W)의 전체 영역에 묻은 오염 물질을 제거하는 메인 브러시(250)를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.A wafer cleaning device in accordance with claim 7, further comprising a main brush (250) arranged along the diameter of the wafer (W) to remove contaminants adhered to the entire area of the wafer (W). 제 7 항에 있어서, 상기 세정 바디(210)는 동일한 간격을 두고 배열된 복수개로 이루어진 웨이퍼 세정 장치.In the 7th paragraph, the wafer cleaning device is composed of a plurality of cleaning bodies (210) arranged at equal intervals.
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