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KR20240146581A - Compound and organic light emitting device comprising same - Google Patents

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Publication number
KR20240146581A
KR20240146581A KR1020240041198A KR20240041198A KR20240146581A KR 20240146581 A KR20240146581 A KR 20240146581A KR 1020240041198 A KR1020240041198 A KR 1020240041198A KR 20240041198 A KR20240041198 A KR 20240041198A KR 20240146581 A KR20240146581 A KR 20240146581A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
chemical formula
compound
Prior art date
Application number
KR1020240041198A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
하재승
금수정
이다정
전지예
조우진
최지영
이우철
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것으로서, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자에 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있으며, 광효율을 향상시킬 수 있고, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.The present specification relates to a compound of chemical formula 1 and an organic light-emitting device comprising the same. The compound of chemical formula 1 is used in an organic light-emitting device, and can lower the driving voltage of the organic light-emitting device, improve the luminous efficiency, and improve the life characteristics of the device due to the thermal stability of the compound.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME}COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING SAME

본 출원은 2023년 3월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2023-0040584호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of Korean Patent Application No. 10-2023-0040584 filed with the Korean Intellectual Property Office on March 28, 2023, the entire contents of which are incorporated herein by reference.

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light-emitting device comprising the same.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. In general, the organic luminescence phenomenon refers to the phenomenon of converting electrical energy into light energy using organic materials. Organic light-emitting devices utilizing the organic luminescence phenomenon usually have a structure including an anode, a cathode, and an organic layer therebetween. Here, the organic layer is often composed of a multilayer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device, and can be composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In the structure of such an organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons are injected from the cathode into the organic layer, and when the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and when these excitons fall back to the ground state, light is emitted.

상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.There is a continued need for the development of new materials for organic light-emitting devices such as the above.

대한민국 특허공개공보 제2000-0051826호Republic of Korea Patent Publication No. 2000-0051826

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides a compound and an organic light-emitting device comprising the same.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다.One embodiment of the present specification provides a compound of the following chemical formula 1.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에 있어서,In the above chemical formula 1,

R1 내지 R10 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,One of R 1 to R 10 is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different from each other, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bonds with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring,

L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이며,L 1 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group,

Ar1은 치환 또는 비치환된 벤조잔틴기; 치환 또는 비치환된 벤조티오잔틴기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고,Ar 1 is a substituted or unsubstituted benzoxanthine group; a substituted or unsubstituted benzothioxanthine group; a substituted or unsubstituted carbazole group; a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group,

x는 1 또는 2 이며,x is 1 or 2,

m은 0 내지 3 이고, m이 2 이상인 경우에 2 이상의 L1는 서로 같거나 상이하며,m is 0 to 3, and when m is 2 or more, two or more L 1 are equal to or different from each other,

y는 1 또는 2 이고, y가 2인 경우에 2개의 Ar1는 서로 같거나 상이하다.y is 1 or 2, and when y is 2, the two Ar 1 are equal or different.

또한, 본 명세서의 다른 실시상태는,In addition, other embodiments of the present specification are:

애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 구비되는 제1 발광층; 및 상기 제1 발광층과 캐소드 사이에 구비되고 상기 제1 발광층과 접하는 제2 발광층을 포함하고,An anode; a cathode; a first light-emitting layer provided between the anode and the cathode; and a second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and in contact with the first light-emitting layer,

상기 제1 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하며,The above first light-emitting layer comprises a compound of the above chemical formula 1,

상기 제2 발광층은 하기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물 중 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.The second light-emitting layer provides an organic light-emitting device including at least one compound of the following chemical formula 2 and chemical formula 3.

[화학식 2][Chemical formula 2]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 2에 있어서,In the above chemical formula 2,

R11 내지 R20 중 1 이상은 하기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,At least one of R11 to R20 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 2-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,

[화학식 2-1][Chemical Formula 2-1]

Figure pat00003
Figure pat00003

L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group,

p는 1 내지 3의 정수이고,p is an integer from 1 to 3,

[화학식 3][Chemical Formula 3]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 3에 있어서,In the above chemical formula 3,

Y1 내지 Y10 중 1 이상은 하기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,At least one of Y1 to Y10 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 3-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,

[화학식 3-1][Chemical Formula 3-1]

Figure pat00005
Figure pat00005

A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리이며,A and B are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle,

L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

q는 1 내지 3의 정수이다.q is an integer from 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에 사용되어, 유기 발광 소자의 구동전압을 낮출 수 있으며, 광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.A compound according to one embodiment of the present specification can be used in an organic light-emitting device, thereby lowering the driving voltage of the organic light-emitting device and improving the luminous efficiency. In addition, the life characteristics of the device can be improved due to the thermal stability of the compound.

도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 4는 화합물 A의 MS 그래프이다.
도 5는 제조예 3의 혼합물을 이용하여 증착된 막을 HPLC로 분석한 결과를 나타낸 도이다.
도 6은 제조예 4의 혼합물을 이용하여 증착된 막을 HPLC로 분석한 결과를 나타낸 도이다.
Figure 1 illustrates an example of an organic light-emitting device according to one embodiment of the present specification.
FIG. 2 illustrates an example of an organic light-emitting device according to one embodiment of the present specification.
FIG. 3 illustrates an example of an organic light-emitting device according to one embodiment of the present specification.
Figure 4 is an MS graph of compound A.
Figure 5 is a diagram showing the results of HPLC analysis of a film deposited using the mixture of Manufacturing Example 3.
Figure 6 is a diagram showing the results of HPLC analysis of a film deposited using the mixture of Manufacturing Example 4.

이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present specification will be described in more detail.

본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1의 화합물을 제공한다.One embodiment of the present specification provides a compound of chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1은 벤조[ghi]플루오란텐(benzo[ghi]fluoranthene) 구조에 중간연결기인 L1을 통하여 특정 작용기인 Ar1이 결합되는 구조로서, 전자 전달 및 정공 전달 능력이 우수하며, 높은 양자 효율을 가진다. 따라서, 상기 화학식 1의 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 적용하여 구동전압 감소, 효율의 향상 및 장수명의 효과를 볼 수 있다.Chemical formula 1 according to one embodiment of the present specification is a structure in which a specific functional group, Ar 1 , is bonded to a benzo [ghi] fluoranthene structure through an intermediate linking group, L 1 , and has excellent electron transfer and hole transfer capabilities and high quantum efficiency. Therefore, by applying the compound of Chemical Formula 1 to an organic layer of an organic light-emitting device, the effects of reduced operating voltage, improved efficiency, and longer lifespan can be observed.

본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification, the term "combination of these" included in the expressions in the Makushi format means a mixture or combination of one or more selected from the group consisting of the components described in the Makushi format, and means including one or more selected from the group consisting of said components.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in this specification are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서,

Figure pat00006
는 연결되는 부위를 의미한다.In this specification,
Figure pat00006
means the connecting part.

상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 같거나 상이할 수 있다.The term "substitution" above means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is replaced with another substituent, and the position of the substitution is not limited to the position at which the hydrogen atom is replaced, i.e., a position at which the substituent can be substituted, and when two or more are substituted, the two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알케닐기; 할로알킬기; 할로알콕시기; 아릴알킬기; 실릴기; 붕소기; 아민기; 아릴기; 방향족 탄화수소고리와 지방족 탄화수소고리의 축합고리기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.The term "substituted or unsubstituted" as used herein means substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium; a halogen group; a cyano group; an alkyl group; a cycloalkyl group; an alkoxy group; an aryloxy group; an alkylthioxy group; an arylthioxy group; an alkenyl group; a haloalkyl group; a haloalkoxy group; an arylalkyl group; a silyl group; a boron group; an amine group; an aryl group; a condensed ring group of an aromatic hydrocarbon ring and an aliphatic hydrocarbon ring; and a heterocyclic group, or substituted with a substituent in which two or more of the above-mentioned substituents are linked, or having no substituents.

본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예컨대, 2개의 치환기가 연결되는 것은 페닐기와 나프틸기가 연결되어

Figure pat00007
또는
Figure pat00008
의 치환기가 될 수 있다. 또한, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예컨대, 페닐기, 나프틸기 및 이소프로필기가 연결되어
Figure pat00009
,
Figure pat00010
, 또는
Figure pat00011
의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 정의가 동일하게 적용된다.In this specification, the connection of two or more substituents means that the hydrogen of one substituent is connected to another substituent. For example, the connection of two substituents means that a phenyl group and a naphthyl group are connected.
Figure pat00007
or
Figure pat00008
can be a substituent of. In addition, the connection of three substituents includes not only the connection of (substituent 1)-(substituent 2)-(substituent 3) in sequence, but also the connection of (substituent 2) and (substituent 3) to (substituent 1). For example, a phenyl group, a naphthyl group, and an isopropyl group are connected.
Figure pat00009
,
Figure pat00010
, or
Figure pat00011
can be a substituent of. The above definition also applies equally to cases where four or more substituents are connected.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In this specification, examples of halogen groups include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, These include, but are not limited to, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, and 5-methylhexyl.

본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 아다만틸기, 바이시클로[2.2.1]헵틸기, 바이시클로[2.2.1]옥틸기, 노보닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but is preferably one having 3 to 30 carbon atoms, and specifically includes, but is not limited to, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3,4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, an adamantyl group, a bicyclo[2.2.1]heptyl group, a bicyclo[2.2.1]octyl group, a norbornyl group, and the like.

본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. The carbon number of the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 carbon atoms. Specifically, it may be methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy, and the like, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 30. Specific examples include, but are not limited to, vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1-butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-(naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl, and styrenyl.

본 명세서에 있어서, 상기 할로알킬기는 상기 알킬기의 정의 중 알킬기의 수소 대신 적어도 하나의 할로겐기가 치환되는 것을 의미한다.In this specification, the haloalkyl group means that at least one halogen group is substituted for hydrogen in the alkyl group among the definitions of the alkyl group.

본 명세서에 있어서, 상기 할로알콕시기는 상기 알콕시기의 정의 중 알콕시기의 수소 대신 적어도 하나의 할로겐기가 치환되는 것을 의미한다.In this specification, the haloalkoxy group means a group in which at least one halogen group is substituted for hydrogen in the alkoxy group as defined above.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but is preferably one having 6 to 30 carbon atoms, and the aryl group may be monocyclic or polycyclic.

상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the above aryl group is a monocyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 6 to 30 carbon atoms. Specifically, the monocyclic aryl group may include, but is not limited to, a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc.

상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기, 페날렌기, 페릴렌기, 크라이센기, 플루오렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. When the above aryl group is a polycyclic aryl group, the number of carbon atoms is not particularly limited. However, it is preferable that the number of carbon atoms is 10 to 30. Specifically, the polycyclic aryl group may include, but is not limited to, a naphthyl group, an anthracene group, a phenanthrene group, a triphenylene group, a pyrene group, a phenalene group, a perylene group, a chrysene group, a fluorene group, etc.

본 명세서에 있어서, 상기 플루오렌기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. In the present specification, the fluorene group may be substituted, and adjacent groups may be combined with each other to form a ring.

상기 플루오렌기가 치환되거나, 고리를 형성하는 경우,

Figure pat00012
등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.When the above fluorene group is substituted or forms a ring,
Figure pat00012
However, it is not limited to these.

본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.In this specification, the term "adjacent" may refer to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom substituted by the substituent, a substituent stereostructurally closest to the substituent, or another substituent substituted on the atom substituted by the substituent. For example, two substituents substituted at the ortho position in a benzene ring and two substituents substituted on the same carbon in an aliphatic ring may be interpreted as "adjacent" groups.

본 명세서에 있어서, 아릴알킬기는 상기 알킬기가 아릴기로 치환된 것을 의미하며, 상기 아릴알킬기의 아릴기 및 알킬기는 전술한 아릴기 및 알킬기의 예시가 적용될 수 있다.In this specification, an arylalkyl group means that the alkyl group is substituted with an aryl group, and the aryl group and alkyl group of the arylalkyl group may be applied with the examples of the aryl group and alkyl group described above.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기는 상기 알콕시기의 정의 중 알콕시기의 알킬기 대신 아릴기로 치환되는 것을 의미하며, 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the aryloxy group means an alkoxy group in which an alkyl group is substituted with an aryl group in the definition of the alkoxy group, and examples of the aryloxy group include, but are not limited to, a phenoxy group, a p-tolyloxy group, a m-tolyloxy group, a 3,5-dimethyl-phenoxy group, a 2,4,6-trimethylphenoxy group, a p-tert-butylphenoxy group, a 3-biphenyloxy group, a 4-biphenyloxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group, a 4-methyl-1-naphthyloxy group, a 5-methyl-2-naphthyloxy group, a 1-anthryloxy group, a 2-anthryloxy group, a 9-anthryloxy group, a 1-phenanthryloxy group, a 3-phenanthryloxy group, and a 9-phenanthryloxy group.

본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert-부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the alkyl group of the alkylthioxy group is the same as the examples of the alkyl group described above. Specifically, the alkylthioxy group includes, but is not limited to, a methylthioxy group, an ethylthioxy group, a tert-butylthioxy group, a hexylthioxy group, an octylthioxy group, etc.

본 명세서에 있어서, 아릴티옥시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the aryl group in the arylthioxy group is the same as the examples of the aryl group described above. Specifically, the arylthioxy group includes, but is not limited to, a phenylthioxy group, a 2-methylphenylthioxy group, a 4-tert-butylphenylthioxy group, etc.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있으며, 방향족 헤테로고리기, 또는 지방족 헤테로고리기를 포함한다. 상기 방향족 헤테로고리기는 헤테로아릴기로 표시될 수 있다. 상기 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로고리기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 피리딘기, 바이피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트리딘기(phenanthridine), 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸기, 티아디아졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조실롤기, 페노크산틴기(phenoxathiine), 페녹사진기(phenoxazine), 페노티아진기(phenothiazine), 데카하이드로벤조카바졸기, 헥사하이드로카바졸기, 디하이드로벤조아자실린기, 디하이드로인데노카바졸기, 스피로플루오렌잔텐기, 스피로플루오렌티옥산텐기, 테트라하이드로나프토티오펜기, 테트라하이드로나프토퓨란기, 테트라하이드로벤조티오펜기, 및 테트라하이드로벤조퓨란기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, a heterocyclic group includes one or more non-carbon atoms or heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S, and includes an aromatic heterocyclic group or an aliphatic heterocyclic group. The aromatic heterocyclic group may be represented by a heteroaryl group. The number of carbon atoms in the heterocyclic group is not particularly limited, but is preferably 2 to 30 carbon atoms, and the heterocyclic group may be monocyclic or polycyclic. Examples of heterocyclic groups include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, oxadiazole group, pyridine group, bipyridine group, pyrimidine group, triazine group, triazole group, acridine group, pyridazine group, pyrazine group, quinoline group, quinazoline group, quinoxaline group, phthalazine group, pyrido pyrimidine group, pyrido pyrazine group, pyrazino pyrazine group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuran group, phenanthridine, phenanthroline, isoxazole group, thiadiazole group, Examples thereof include, but are not limited to, a dibenzofuran group, a dibenzosilole group, a phenoxathiine group, a phenoxazine group, a phenothiazine group, a decahydrobenzocarbazole group, a hexahydrocarbazole group, a dihydrobenzoazacilline group, a dihydroindenocarbazole group, a spirofluorenxanthene group, a spirofluorentioxanthene group, a tetrahydronaphthothiophene group, a tetrahydronaphthofuran group, a tetrahydrobenzothiophene group, and a tetrahydrobenzofuran group.

본 명세서 있어서, 상기 실릴기는 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬아릴실릴기; 헤테로아릴실릴기 등일 수 있다. 상기 알킬실릴기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시가 적용될 수 있고, 상기 아릴실릴기 중 아릴기는 전술한 아릴기의 예시가 적용될 수 있으며, 상기 알킬아릴실릴기 중의 알킬기 및 아릴기는 상기 알킬기 및 아릴기의 예시가 적용될 수 있고, 상기 헤테로아릴실릴기 중 헤테로아릴기는 상기 헤테로고리기의 예시가 적용될 수 있다.In the present specification, the silyl group may be an alkylsilyl group, an arylsilyl group, an alkylarylsilyl group, a heteroarylsilyl group, etc. The alkyl group among the alkylsilyl groups may be applied with the examples of the above-described alkyl group, the aryl group among the arylsilyl groups may be applied with the examples of the above-described aryl group, the alkyl group and aryl group among the alkylarylsilyl groups may be applied with the examples of the above-described alkyl group and aryl group, and the heteroaryl group among the heteroarylsilyl groups may be applied with the examples of the above-described heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BY100Y101일 수 있으며, 상기 Y100 및 Y101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group may be -BY 100 Y 101 , wherein Y 100 and Y 101 are the same or different, and each independently selected from the group consisting of hydrogen; deuterium; halogen; a nitrile group; a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic cycloalkyl group having 3 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; and a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms. The boron group specifically includes, but is not limited to, a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butylmethyl boron group, a diphenyl boron group, and the like.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2, 알킬아민기, N-알킬아릴아민기, 아릴아민기, N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the amine group can be selected from the group consisting of -NH 2 , an alkylamine group, an N-alkylarylamine group, an arylamine group, an N-arylheteroarylamine group, an N-alkylheteroarylamine group, and a heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of the amine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, anthracenylamine group, a 9-methyl-anthracenylamine group, a diphenylamine group, a ditolylamine group, an N-phenyltolylamine group, an N-phenylbiphenylamine group, an N-phenylnaphthylamine group, an N-biphenylnaphthylamine group; Examples thereof include, but are not limited to, N-naphthylfluorenylamine group, N-phenylphenanthrenylamine group, N-biphenylphenanthrenylamine group, N-phenylfluorenylamine group, N-phenylterphenylamine group, N-phenanthrenylfluorenylamine group, N-biphenylfluorenylamine group, etc.

본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬아릴아민기 중의 알킬기와 아릴기는 전술한 알킬기 및 아릴기의 예시와 같다.In this specification, an N-alkylarylamine group means an amine group in which an alkyl group and an aryl group are substituted for N of the amine group. The alkyl group and aryl group in the N-alkylarylamine group are the same as the examples of the alkyl group and aryl group described above.

본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기와 헤테로아릴기는 전술한 아릴기 및 헤테로고리기의 예시와 같다.In this specification, the N-arylheteroarylamine group means an amine group in which an aryl group and a heteroaryl group are substituted on N of the amine group. The aryl group and heteroaryl group in the N-arylheteroarylamine group are the same as the examples of the aryl group and heterocyclic group described above.

본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기와 헤테로아릴기는 전술한 알킬기 및 헤테로고리기의 예시와 같다.In this specification, an N-alkylheteroarylamine group means an amine group in which an alkyl group and a heteroaryl group are substituted for N of the amine group. The alkyl group and heteroaryl group in the N-alkylheteroarylamine group are the same as the examples of the alkyl group and heterocyclic group described above.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노알킬아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디알킬아민기가 있다. 상기 알킬아민기 중의 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기일 수 있다. 상기 알킬기를 2 이상 포함하는 알킬아민기는 직쇄의 알킬기, 분지쇄의 알킬기, 또는 직쇄의 알킬기와 분지쇄의 알킬기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 알킬아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, examples of the alkylamine group include a substituted or unsubstituted monoalkylamine group, or a substituted or unsubstituted dialkylamine group. The alkyl group in the alkylamine group may be a linear or branched alkyl group. The alkylamine group including two or more alkyl groups may include a linear alkyl group, a branched alkyl group, or a linear alkyl group and a branched alkyl group at the same time. For example, the alkyl group in the alkylamine group may be selected from the examples of the above-mentioned alkyl groups.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, or a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group. The heteroarylamine group including two or more heteroaryl groups may include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group at the same time. For example, the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be selected from the examples of the above-mentioned heterocyclic group.

본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기, 알킬티옥시기, 및 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert-부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkyl group among the N-alkylarylamine group, the alkylthioxy group, and the N-alkylheteroarylamine group is the same as the examples of the alkyl group described above. Specifically, the alkylthioxy group includes, but is not limited to, a methylthioxy group, an ethylthioxy group, a tert-butylthioxy group, a hexylthioxy group, and an octylthioxy group.

본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, N-아릴알킬아민기, 및 N-아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시기, p-토릴옥시기, m-토릴옥시기, 3,5-디메틸-페녹시기, 2,4,6-트리메틸페녹시기, p-tert-부틸페녹시기, 3-바이페닐옥시기, 4-바이페닐옥시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 4-메틸-1-나프틸옥시기, 5-메틸-2-나프틸옥시기, 1-안트릴옥시기, 2-안트릴옥시기, 9-안트릴옥시기, 1-페난트릴옥시기, 3-페난트릴옥시기, 9-페난트릴옥시기 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2-메틸페닐티옥시기, 4-tert-부틸페닐티옥시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the aryl group among the aryloxy group, the arylthioxy group, the N-arylalkylamine group, and the N-arylheteroarylamine group is the same as the examples of the aryl group described above. Specifically, examples of the aryloxy group include, but are not limited to, a phenoxy group, a p-toryloxy group, a m-toryloxy group, a 3,5-dimethyl-phenoxy group, a 2,4,6-trimethylphenoxy group, a p-tert-butylphenoxy group, a 3-biphenyloxy group, a 4-biphenyloxy group, a 1-naphthyloxy group, a 2-naphthyloxy group, a 4-methyl-1-naphthyloxy group, a 5-methyl-2-naphthyloxy group, a 1-anthryloxy group, a 2-anthryloxy group, a 9-anthryloxy group, a 1-phenanthryloxy group, a 3-phenanthryloxy group, and a 9-phenanthryloxy group, and examples of the arylthioxy group include, but are not limited to, a phenylthioxy group, a 2-methylphenylthioxy group, and a 4-tert-butylphenylthioxy group.

본 명세서에 있어서, 탄화수소고리기는 방향족 탄화수소고리기, 지방족 탄화수소고리기, 또는 방향족 탄화수소고리와 지방족 탄화수소고리의 축합고리기일 수 있으며, 상기 시클로알킬기, 아릴기, 및 이들의 조합의 예시 중에서 선택될 수 있으며, 상기 탄화수소고리기는 페닐기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 바이시클로[2.2.1]헵틸기, 바이시클로[2.2.1]옥틸기, 테트라하이드로나프탈렌기, 테트라하이드로안트라센기, 1,2,3,4-테트라하이드로-1,4-메타노나프탈렌기, 1,2,3,4-테트라하이드로-1,4-에타노나프탈렌기, 스피로시클로펜탄플루오렌기, 스피로아다만탄플루오렌기, 및 스피로시클로헥산플루오렌기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the hydrocarbon ring group may be an aromatic hydrocarbon ring group, an aliphatic hydrocarbon ring group, or a condensed ring group of an aromatic hydrocarbon ring and an aliphatic hydrocarbon ring, and may be selected from examples of a cycloalkyl group, an aryl group, and a combination thereof, and the hydrocarbon ring group may be, but is not limited to, a phenyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a bicyclo[2.2.1]heptyl group, a bicyclo[2.2.1]octyl group, a tetrahydronaphthalene group, a tetrahydroanthracene group, a 1,2,3,4-tetrahydro-1,4-methanonaphthalene group, a 1,2,3,4-tetrahydro-1,4-ethanonaphthalene group, a spirocyclopentanefluorene group, a spiroadamantanefluorene group, and a spirocyclohexanefluorene group. no.

본 명세서에 있어서, "인접한 기와 서로 결합하여 고리를 형성"에서 "인접한"의 의미는 전술한 바와 동일하며, 상기 "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.In the present specification, the meaning of “adjacent” in “forming a ring by bonding with adjacent groups” is the same as described above, and the “ring” means a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring; or a substituted or unsubstituted heterocycle.

본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족 탄화수소고리, 지방족 탄화수소고리, 또는 방향족 탄화수소고리와 지방족 탄화수소고리의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기, 아릴기, 및 이들의 조합의 예시 중에서 선택될 수 있으며, 상기 탄화수소고리는 벤젠, 시클로헥산, 아다만탄, 바이시클로[2.2.1]헵탄, 바이시클로[2.2.1]옥탄, 테트라하이드로나프탈렌, 테트라하이드로안트라센, 1,2,3,4-테트라하이드로-1,4-메타노나프탈렌, 1,2,3,4-테트라하이드로-1,4-에타노나프탈렌, 스피로시클로펜탄플루오렌, 스피로아다만탄플루오렌, 및 스피로시클로헥산플루오렌 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the hydrocarbon ring may be an aromatic hydrocarbon ring, an aliphatic hydrocarbon ring, or a condensed ring of an aromatic hydrocarbon ring and an aliphatic hydrocarbon ring, and may be selected from examples of a cycloalkyl group, an aryl group, and a combination thereof, except for the non-monovalent ones, and the hydrocarbon ring may be selected from benzene, cyclohexane, adamantane, bicyclo[2.2.1]heptane, bicyclo[2.2.1]octane, tetrahydronaphthalene, tetrahydroanthracene, 1,2,3,4-tetrahydro-1,4-methanonaphthalene, 1,2,3,4-tetrahydro-1,4-ethanonaphthalene, spirocyclopentanefluorene, spiroadamantanefluorene, and spirocyclohexanefluorene, but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 방향족 헤테로고리는 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로고리기 중 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present specification, a heterocycle includes one or more non-carbon atoms, heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se, and S. The heterocycle may be monocyclic or polycyclic, and may be an aromatic, aliphatic, or a condensed ring of aromatic and aliphatic groups, and the aromatic heterocycle may be selected from examples of heteroaryl groups among the heterocyclic groups, except that it is not monovalent.

본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인, 테트라하이드로나프토티오펜, 테트라하이드로나프토퓨란, 테트라하이드로벤조티오펜, 및 테트라하이드로벤조퓨란 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, an aliphatic heterocycle means an aliphatic ring containing at least one heteroatom. Examples of aliphatic heterocycles include, but are not limited to, oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxepane, azocaine, thiocane, tetrahydronaphthothiophene, tetrahydronaphthofuran, tetrahydrobenzothiophene, and tetrahydrobenzofuran.

본 명세서에 있어서, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합 헤테로고리의 예로는 테트라하이드로벤조나프토티오펜 및 테트라하이드로벤조나프토퓨란 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, examples of condensed heterocycles of aliphatic or aromatic and aliphatic include, but are not limited to, tetrahydrobenzonaphthothiophene and tetrahydrobenzonaphthofuran.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.In this specification, an arylene group means a group having two bonding positions to an aryl group, i.e., a divalent group. The description of the aryl group described above can be applied to each of these groups, except that they are each divalent.

본 명세서에 있어서, 2가의 헤테로고리기는 헤테로고리기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기의 설명이 적용될 수 있다.In this specification, a divalent heterocyclic group means a heterocyclic group having two bonding positions, i.e., a divalent group. The description of the heterocyclic group described above can be applied to each of these, except that they are each divalent.

본 명세서에서 달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 등가인 방법 및 재료가 본 발명의 실시 형태의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 후술된다. 본 명세서에서 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 다른 참고 문헌은 전체적으로 본 명세서에 참고로 포함되며, 상충되는 경우 특정 어구(passage)가 언급되지 않으면, 정의를 비롯한 본 명세서가 우선할 것이다. 게다가, 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 제한하고자 하는 것은 아니다.Unless otherwise defined herein, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of embodiments of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned in this specification are incorporated herein by reference in their entirety, and in case of conflict, this specification, including definitions, will control unless a specific passage is cited. Furthermore, the materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.

이하, 상기 화학식 1의 화합물에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the compound of chemical formula 1 will be described in detail.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is the following chemical formula 1-A.

[화학식 1-A][Chemical Formula 1-A]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 1-A에 있어서,In the above chemical formula 1-A,

R1 내지 R10, L1, x, m, 및 y의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,The definitions of R 1 to R 10 , L 1 , x, m, and y are the same as those defined in the chemical formula 1 above,

X1은 O 또는 S 이며,X 1 is O or S,

R101 내지 R110 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.Any one of R 101 to R 110 is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bind to adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-B 이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is the following chemical formula 1-B.

[화학식 1-B][Chemical Formula 1-B]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 1-B에 있어서,In the above chemical formula 1-B,

R1 내지 R10, L1, x, m, 및 y의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,The definitions of R 1 to R 10 , L 1 , x, m, and y are the same as those defined in the chemical formula 1 above,

X2는 O, S 또는 NR 이며,X 2 is O, S or NR,

R201 내지 R210, 및 R 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.One of R 201 to R 210 , and R is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bonds with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 적어도 하나의 중수소를 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 contains at least one deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 "적어도 하나는 중수소를 포함"의 의미는 치환 가능한 위치의 수소 중 어느 하나 이상이 중수소로 치환되거나, 중수소로 치환된 치환기로 치환되는 것을 의미한다. 상기 치환기는 상기 "치환 또는 비치환된"에서 정의된 치환기를 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the meaning of "at least one comprises deuterium" means that at least one of the hydrogens at the substitutable positions is substituted with deuterium or is substituted with a substituent substituted with deuterium. The substituent includes a substituent defined in the "substituted or unsubstituted" above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 중수소 치환율은 0.01% 내지 100%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate of the chemical formula 1 is 0.01% to 100%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 중수소 치환율은 0.1% 내지 100%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate of the chemical formula 1 is 0.1% to 100%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 중수소 치환율은 1% 내지 100%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate of the chemical formula 1 is 1% to 100%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 중수소 치환율은 40% 내지 99%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate of the chemical formula 1 is 40% to 99%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1이 중수소를 포함하는 경우, 하기의 효과가 있다. 구체적으로, 중수소와 관련된 화학적 결합 길이 등 물리화학적 특성은 수소와 상이하며, C-H결합 보다 C-D결합의 신장 진폭이 더 작아 중수소의 반데르발스 반경은 수소보다 작으며, 일반적으로 C-D 결합이 C-H 결합보다 더 짧고 더 강함을 나타낼 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1의 치환가능한 위치의 수소가 중수소로 치환된 경우에는 바닥상태의 에너지가 낮아지며, 중수소, 탄소의 결합길이가 짧아짐에 따라, 분자 중심 부피(Molecular hardcore volume)가 줄어들고, 이에 따라 전기적 극성화도(Electrical polarizability)를 줄일 수 있으며, 분자간 상호작용(Intermolecular interaction)을 약하게 함으로써, 박막 부피를 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 특성은 박막의 결정화도를 낮추는 효과 즉, 비결정질(Amorphous) 상태를 만들 수 있으며, 일반적으로 유기 발광 소자의 수명 및 구동특성을 높이는 것에 효과적일 수 있으며, 내열성이 종래의 유기 발광 소자 보다 향상될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, when the chemical formula 1 contains deuterium, the following effects are provided. Specifically, the physicochemical properties, such as the chemical bond length related to deuterium, are different from those of hydrogen, and the elongation amplitude of the C-D bond is smaller than that of the C-H bond, so that the van der Waals radius of deuterium is smaller than that of hydrogen, and in general, the C-D bond can be shown to be shorter and stronger than the C-H bond. Therefore, when hydrogen at a substitutable position in the chemical formula 1 is substituted with deuterium, the energy of the ground state is lowered, and as the bond length of deuterium and carbon becomes shorter, the molecular hardcore volume decreases, and accordingly, the electrical polarizability can be reduced, and the intermolecular interaction can be weakened, thereby increasing the thin film volume. In addition, these characteristics can have the effect of lowering the crystallinity of the thin film, that is, creating an amorphous state, and can be generally effective in increasing the lifespan and operating characteristics of organic light-emitting devices, and heat resistance can be improved compared to conventional organic light-emitting devices.

본 명세서에 있어서, "중수소를 포함", "중수소화" 또는 "중수소화된"은 화합물의 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 치환되는 것을 의미한다.As used herein, “containing deuterium,” “deuterated,” or “deuterated” means that a hydrogen at a substitutable position of a compound is replaced with deuterium.

본 명세서에 있어서, "과중수소화된"은 분자 내 모든 수소가 중수소로 치환된 화합물 또는 기를 의미하고, "100% 중수소화된"과 동일한 의미를 가진다.As used herein, “perdeuterated” means a compound or group in which all hydrogens in the molecule are replaced with deuterium, and has the same meaning as “100% deuterated.”

본 명세서에 있어서, "X% 중수소화된", "중수소화도 X%", 또는 "중수소 치환율 X%"는 해당 구조에서 치환 가능한 위치의 수소 중 X%가 중수소로 치횐된 것을 의미한다. 예컨대, 해당 구조가 디벤조퓨란인 경우, 상기 디벤조퓨란이 "25% 중수소화된", 상기 디벤조퓨란의 "중수소화도 25%", 또는 상기 디벤조퓨간의 "중수소 치환율 25%"는 상기 디벤조퓨란의 치환 가능한 위치의 8개의 수소 중 2개가 중수소로 치환된 것을 의미한다.In the present specification, "X% deuterated", "degree of deuteration X%", or "deuterium substitution rate X%" means that X% of hydrogens at substitutable positions in the structure are replaced with deuterium. For example, when the structure is dibenzofuran, "25% deuterated" of the dibenzofuran, "degree of deuteration 25%" of the dibenzofuran, or "deuterium substitution rate 25%" of the dibenzofuran means that 2 of 8 hydrogens at substitutable positions of the dibenzofuran are replaced with deuterium.

본 명세서에 있어서, "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"은 핵자기 공명 분광법(1H NMR), TLC/MS(Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), 또는 GC/MS(Gas Chromatography/Mass Spectrometry) 등의 공지의 방법으로 확인할 수 있다.In this specification, the “degree of deuteration” or “deuterium substitution rate” can be determined by a known method such as nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H NMR), thin-layer chromatography/mass spectrometry (TLC/MS), or gas chromatography/mass spectrometry (GC/MS).

구체적으로, 핵자기 공명 분광법(1H NMR)으로 "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"을 분석하는 경우, Internal standard로 DMF(디메틸포름아마이드)를 첨가하여, 1H NMR 상의 적분(integration) 비율을 통하여, 총 peak의 적분량으로부터 중수소화도 또는 중수소 치환율을 계산할 수 있다.Specifically, when analyzing the "degree of deuteration" or "deuterium substitution rate" by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1H NMR), by adding DMF (dimethylformamide) as an internal standard, the degree of deuteration or deuterium substitution rate can be calculated from the total peak integration amount through the integration ratio on 1H NMR.

또한, TLC/MS(Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry)를 통하여, "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"을 분석하는 경우, 반응 종결 시점에서 분자량들이 이루는 분포의 최대값(중앙값)을 기준으로 치환율을 계산할 수 있다. 예컨대, 하기 화합물 A의 중수소화도를 분석하는 경우, 하기 출발 물질의 분자량이 506이고, 도 4의 MS 그래프에서 하기 화합물 A의 분자량 최대값(중앙값)을 527이라 할 때, 하기 출발 물질의 치환 가능한 위치의 수소(26개) 중 21개가 중수소로 치환되었으므로, 약 81%의 수소가 중수소화되었다고 계산할 수 있다.In addition, when analyzing the "deuteration degree" or "deuterium substitution rate" through TLC/MS (Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), the substitution rate can be calculated based on the maximum value (median value) of the distribution of molecular weights at the end of the reaction. For example, when analyzing the deuteration degree of Compound A below, when the molecular weight of the starting material below is 506 and the maximum molecular weight value (median value) of Compound A below is 527 in the MS graph of FIG. 4, since 21 of the hydrogens (26) at substitutable positions of the starting material below were substituted with deuterium, it can be calculated that approximately 81% of the hydrogens were deuterated.

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본 명세서에 있어서, D는 중수소를 의미한다.In this specification, D means deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula 1 is any one selected from the following compounds.

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본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물의 밴드갭은 2.9eV 이상이다.According to one embodiment of the present specification, the band gap of the compound of chemical formula 1 is 2.9 eV or more.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물의 밴드갭은 2.9eV 내지 4.0 eV이다.According to one embodiment of the present specification, the band gap of the compound of chemical formula 1 is 2.9 eV to 4.0 eV.

구체적으로, 유기 발광 소자에 사용되는 유기 화합물은 0.5eV 내지 4.0eV 의 밴드갭을 가지고 있어야 유기 반도체로서의 역할을 하고 청색을 나타내기 위해서는 최소한 2.9eV 이상의 밴드갭 에너지가 필요하다. 호스트-도펀트 체계의 형광 청색 발광 원리를 따르면 청색 형광 호스트의 밴드갭은 청색 형광 도펀트의 밴드갭보다 커야 에너지 전이가 원할하게 일어나게 된다. 따라서 청색 형광 호스트는 2.9eV 내지 4.0eV 의 에너지 밴드갭을 가지는 것이 바람직하다.Specifically, the organic compound used in the organic light-emitting device must have a band gap of 0.5 eV to 4.0 eV to function as an organic semiconductor, and a band gap energy of at least 2.9 eV or more is required to exhibit blue light. According to the principle of fluorescence blue emission of the host-dopant system, the band gap of the blue fluorescent host must be larger than the band gap of the blue fluorescent dopant so that energy transfer occurs smoothly. Therefore, it is preferable that the blue fluorescent host have an energy band gap of 2.9 eV to 4.0 eV.

본 명세서에 있어서, "에너지 준위"는 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 낮거나 깊다는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다.In this specification, "energy level" means energy size. Therefore, the energy level is interpreted as meaning the absolute value of the corresponding energy value. For example, a low or deep energy level means that the absolute value increases in the minus direction from the vacuum level.

본 명세서에 있어서, HOMO(highest occupied molecular orbital)란, 전자가 결합에 참여할 수 있는 영역에서 가장 에너지가 높은 영역에 있는 분자궤도함수(최고 점유 분자 오비탈)를 의미하고, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)란, 전자가 반결합영역 중 가장 에너지가 낮은 영역에 있는 분자궤도함수(최저 비점유 분자 오비탈)를 의미하고, HOMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 HOMO까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공 준위로부터 LUMO까지의 거리를 의미한다.In this specification, HOMO (highest occupied molecular orbital) means a molecular orbital (highest occupied molecular orbital) in which electrons are in the highest energy region in which they can participate in bonding, LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) means a molecular orbital (lowest unoccupied molecular orbital) in which electrons are in the lowest energy region among antibonding regions, and HOMO energy level means the distance from a vacuum level to HOMO. In addition, LUMO energy level means the distance from a vacuum level to LUMO.

본 명세서에 있어서, HOMO 에너지 준위는 대기하 광전자 분광장치(RIKEN KEIKI Co., Ltd. 제조: AC3)를 이용하여 측정할 수 있고, LUMO 에너지 준위는 photoluminescence(PL)을 통하여 측정된 파장값으로 계산할 수 있다.In this specification, the HOMO energy level can be measured using an atmospheric photoelectron spectrometer (manufactured by RIKEN KEIKI Co., Ltd.: AC3), and the LUMO energy level can be calculated using a wavelength value measured through photoluminescence (PL).

본 명세서에 있어서, 밴드갭(band gap)은 HOMO 에너지 준위와 LUMO 에너지 준위의 차이를 의미한다.In this specification, band gap means the difference between the HOMO energy level and the LUMO energy level.

본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.The present specification provides an organic light-emitting device comprising the compound described above.

본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.When it is said in this specification that an element is located "on" another element, this includes not only cases where an element is in contact with another element, but also cases where another element exists between the two elements.

본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. When it is said in this specification that a part "includes" a certain component, this does not exclude other components, but rather may include other components, unless otherwise specifically stated.

본 명세서에 있어서, 상기 '층'은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 '층'의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 '층'은 그 크기가 같거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 따르면, '층'의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다.In this specification, the 'layer' is a term interchangeable with 'film', which is mainly used in the present technical field, and means a coating covering a target area. The size of the 'layer' is not limited, and each 'layer' may have the same or different sizes. According to one embodiment, the size of the 'layer' may be the same as the entire element, may correspond to the size of a specific functional area, and may be as small as a single sub-pixel.

본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.In this specification, the meaning that a specific A material is included in a B layer includes both i) one or more A materials being included in one B layer, and ii) the B layer being composed of one or more layers, and the A material being included in one or more of the multiple B layers.

본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, iii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다.In this specification, the meaning that a specific A material is included in a C layer or a D layer means that i) it is included in at least one layer among at least one C layer, ii) it is included in at least one layer among at least one D layer, or iii) it is included in at least one C layer and at least one D layer, respectively.

본 명세서에서, 물질의 "증발 온도"는, 증발되는 물질의 증발원으로부터 설정된 거리로 이격된 표면 상에 2 Å/초(sec)의 증착속도로, 1 × 10-6 Torr 내지 1 × 10-9 Torr의 일정 압력 하에 진공 증착 도구, 예를 들어 VTE 챔버(Vacuum thermal evaporation chamber)의 승화 도가니 내로 측정된다. 본 명세서에 기재된 다양한 측정값(예컨대, 온도, 압력, 증착 속도 등)은, 당업자에게 이해되는 바와 같이, 정량적 값을 산출하는 측정에서 예상되는 허용 오차로 인한 공칭 편차(nominal variation)를 가질 것으로 예상된다.As used herein, the "evaporation temperature" of a material is measured within a sublimation crucible of a vacuum deposition tool, e.g., a VTE chamber, at a deposition rate of 2 Å/sec, on a surface spaced a set distance from an evaporation source of the material being evaporated, under a constant pressure of 1 x 10 -6 Torr to 1 x 10 -9 Torr. It is expected that the various measurements described herein (e.g., temperature, pressure, deposition rate, etc.) will have nominal variations due to expected tolerances in measurements that yield quantitative values, as will be appreciated by those skilled in the art.

본 명세서의 일 실시상태는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.One embodiment of the present specification provides an organic light-emitting device including a first electrode; a second electrode provided opposite the first electrode; and one or more organic layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic layers includes a compound of the chemical formula 1.

본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic layer of the organic light-emitting device of the present specification may be formed as a single-layer structure, but may be formed as a multilayer structure in which two or more organic layers are laminated. For example, it may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, etc. However, the structure of the organic light-emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the organic layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 발광층의 호스트로 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the organic layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the compound as a host of the light-emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 형광성 도펀트를 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a dopant, and the dopant includes a fluorescent dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 형광성 도펀트는 파이렌계 화합물 또는 비파이렌계 화합물이다.According to one embodiment of the present specification, the fluorescent dopant is a pyrene-based compound or a non-pyrene-based compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 비파이렌계 화합물은 보론계 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the non-pyrene compound includes a boron compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 상기 화학식 1의 화합물과 상이한 호스트를 1종 이상 더 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer further includes at least one host different from the compound of chemical formula 1.

상기 화학식 1의 화합물과 상이한 호스트는 상기 화학식 1과 상이하다면 당 기술분야에서 사용하는 안트라센계 호스트라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 이에만 한정되는 것은 아니다.Any host different from the compound of the above chemical formula 1 may be used without limitation as long as it is an anthracene host used in the art, as long as it is different from the above chemical formula 1, and is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant, and the host includes a compound represented by the chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트는 청색 도펀트이다.According to one embodiment of the present specification, the dopant is a blue dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자이다.According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting device is a blue organic light-emitting device.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2 종 이상의 혼합 호스트를 포함하고, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트 중 1종 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes two or more mixed hosts, and at least one of the two or more mixed hosts includes a compound represented by the chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2 종 이상의 혼합 호스트를 포함하고, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트는 중 적어도 1종은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 나머지는 상기 화학식 1와 상이한 안트라센계 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer comprises two or more mixed hosts, at least one of the two or more mixed hosts comprises a compound represented by the chemical formula 1, and the remainder comprises anthracene compounds different from the chemical formula 1.

상기 2 종 이상의 혼합 호스트는 중 적어도 1종은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 나머지는 상기 화학식 1과 상이하다면 당 기술분야에서 사용하는 안트라센계 호스트라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 이에만 한정되는 것은 아니다.Among the above two or more mixed hosts, at least one of which includes a compound represented by the above chemical formula 1, and the rest are different from the above chemical formula 1, and any anthracene host used in the art may be used without limitation, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 2종 이상의 혼합 호스트를 사용하는 유기 발광 소자는 각각 호스트의 장점을 혼합하여, 소자의 성능을 향상시키고자 함이며, 예컨대, 2종의 호스트를 혼합하는 경우, 고효율 및 저전압의 효과를 갖는 호스트 1 종과 장수명의 효과를 갖는 호스트 1종을 혼합하여, 고효율, 저전압 및 장수명의 효과를 갖는 유기 발광 소자를 제작할 수 있다.An organic light-emitting device using two or more mixed hosts according to one embodiment of the present specification is intended to improve the performance of the device by mixing the advantages of each host. For example, when two hosts are mixed, an organic light-emitting device having the effects of high efficiency, low voltage, and long life can be manufactured by mixing one host having the effects of high efficiency and low voltage and one host having the effects of long life.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2층 이상이고, 상기 2층 이상의 발광층 중 1층 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer has two or more layers, and at least one layer among the two or more light-emitting layers includes the compound of the chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2층 이상이고, 상기 2층 이상의 발광층 중 1층 이상은 2 종 이상의 혼합 호스트를 포함하고, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트 중 1종 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer has two or more layers, at least one layer of the two or more light-emitting layers includes two or more kinds of mixed hosts, and at least one of the two or more kinds of mixed hosts includes the compound of the chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2층이고, 상기 2층의 발광층 중 1층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer is two-layered, and one of the two light-emitting layers includes the compound of chemical formula 1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 2층이고, 상기 2층의 발광층 중 1층은 2 종 이상의 혼합 호스트를 포함하고, 상기 2 종 이상의 혼합 호스트 중 1종 이상은 상기 화학식 1의 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer is two-layered, and one of the two light-emitting layers includes two or more kinds of mixed hosts, and at least one of the two or more kinds of mixed hosts includes a compound of the chemical formula 1.

상기 2 종 이상의 혼합 호스트는 전술한 바와 동일하다.The above two or more mixed hosts are the same as described above.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 발광 스펙트럼의 최대 발광 파장(λmax)이 400 nm 내지 470 nm이다.According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting device has a maximum emission wavelength (λ max ) of an emission spectrum of 400 nm to 470 nm.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 형광성 도펀트이다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant, and the dopant is a fluorescent dopant.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트는 파이렌계 화합물 및 비파이렌계 화합물 중에서 선택되는 1 이상을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant, and the dopant includes at least one selected from a pyrene-based compound and a non-pyrene-based compound.

상기 파이렌계 화합물 및 비파이렌계 화합물은 당 업계에서 사용되는 화합물이라면 제한 없이 사용할 수 있으며, 이에만 한정되는 것은 아니다.The above pyrene-based compounds and non-pyrene-based compounds can be used without limitation as long as they are compounds used in the art, and are not limited thereto.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 비파이렌계 화합물은 보론계 화합물을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the non-pyrene compound includes a boron compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 도펀트는 도펀트는 파이렌계 화합물 및 비파이렌계 화합물 중에서 선택되는 1 이상을 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant, the host includes a compound represented by the chemical formula 1, and the dopant includes at least one selected from a pyrene-based compound and a non-pyrene-based compound.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 발광층은 호스트: 도펀트를 0.1:99.9 내지 20:80의 중량비로 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the light-emitting layer includes a host and a dopant, and the light-emitting layer includes the host:dopant in a weight ratio of 0.1:99.9 to 20:80.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나의, 상기 유기물층과 대향하는 면의 반대면에 구비된 캡핑층을 더 포함한다.According to another embodiment of the present specification, the invention further includes a capping layer provided on an opposite surface of at least one of the first electrode and the second electrode, the surface facing the organic layer.

상기 캡핑층은 유기 발광 소자에서 빛의 전반사를 통해 상당량의 빛이 손실되는 것을 방지하기 위하여 형성되며, 캡핑층은 외부의 수분침투나 오염으로부터 하부의 음극 및 발광층을 충분히 보호할 수 있는 성능을 가지며, 굴절률이 높아서 전반사에 의한 빛손실을 방지할 수 있다.The above capping layer is formed to prevent a significant amount of light from being lost through total reflection in the organic light-emitting element, and the capping layer has the performance to sufficiently protect the lower cathode and light-emitting layer from external moisture penetration or contamination, and has a high refractive index to prevent light loss due to total reflection.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 캡핑층이 상기 제1 전극의 상기 유기층과 대향하는 면의 반대면 및 상기 제2 전극의 상기 유기층과 대향하는 면의 반대면의 각각에 구비될 수 있다.According to another embodiment of the present specification, the capping layer may be provided on each of a surface opposite to a surface of the first electrode facing the organic layer and a surface opposite to a surface of the second electrode facing the organic layer.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 캡핑층이 상기 제1 전극의 상기 유기층과 대향하는 면의 반대면에 구비될 수 있다.According to another embodiment of the present specification, the capping layer may be provided on an opposite surface of the surface of the first electrode facing the organic layer.

본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 캡핑층이 상기 제2 전극의 상기 유기층과 대향하는 면의 반대면의 각각에 구비될 수 있다.According to another embodiment of the present specification, the capping layer may be provided on each of the opposite surfaces of the surface of the second electrode facing the organic layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting device further includes one or two or more layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and an electron blocking layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함한다. According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting element includes a first electrode; a second electrode provided opposite the first electrode; a light-emitting layer provided between the first electrode and the second electrode; and two or more organic layers provided between the light-emitting layer and the first electrode, or between the light-emitting layer and the second electrode.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이의 2층 이상의 유기물층은 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 주입 및 수송층, 전자 차단층, 정공 차단층, 전자 주입층, 전자 수송층, 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, two or more organic layers between the light-emitting layer and the first electrode, or between the light-emitting layer and the second electrode, may include at least two selected from the group consisting of a light-emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, a hole injection and transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and an electron injection and transport layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 2층 이상의 정공수송층을 포함한다. 상기 2층 이상의 정공수송층은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present specification, two or more hole transport layers are included between the light-emitting layer and the first electrode. The two or more hole transport layers may include materials that are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드 또는 캐소드다.According to one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode or a cathode.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 전극은 캐소드 또는 애노드다. According to one embodiment of the present specification, the second electrode is a cathode or an anode.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드가 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting device may be an organic light-emitting device having a structure (normal type) in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially laminated on a substrate.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.According to one embodiment of the present specification, the organic light-emitting device may be an inverted type organic light-emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially laminated on a substrate.

예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 및 2에 예시되어 있다. 상기 도 1 및 도 2는 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the structure of an organic light-emitting device according to one embodiment of the present specification is illustrated in FIGS. 1 and 2. The above FIGS. 1 and 2 illustrate an organic light-emitting device and are not limited thereto.

도 1에는 기판(1) 위에 제1 전극(2), 발광층(4) 및 제2 전극(3)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화합물은 발광층에 포함된다.Figure 1 illustrates the structure of an organic light-emitting device in which a first electrode (2), a light-emitting layer (4), and a second electrode (3) are sequentially laminated on a substrate (1). The compound is included in the light-emitting layer.

도 2에는 기판(1) 위에 제1 전극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 정공조절층(7), 발광층(4), 전자조절층(8), 전자수송층(9), 전자주입층(10), 제2 전극(3) 및 캡핑층(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화합물은 발광층에 포함된다.FIG. 2 illustrates the structure of an organic light-emitting device in which a first electrode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), a hole control layer (7), an emission layer (4), an electron control layer (8), an electron transport layer (9), an electron injection layer (10), a second electrode (3), and a capping layer (11) are sequentially laminated on a substrate (1). The compound is included in the emission layer.

본 명세서의 유기 발광 소자는 발광층이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification can be manufactured using materials and methods known in the art, except that the light-emitting layer includes the compound, i.e., the compound of the chemical formula 1.

상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.When the organic light-emitting device includes a plurality of organic layers, the organic layers may be formed of the same material or different materials.

예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 제2 전극 물질, 유기물층 및 제1 전극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.For example, the organic light-emitting device of the present specification can be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic layer, and a second electrode on a substrate. At this time, a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation is used to deposit a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on the substrate to form an anode, and an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer is formed thereon, and then a material that can be used as a cathode is deposited thereon. In addition to this method, the organic light-emitting device can be manufactured by sequentially depositing a second electrode material, an organic layer, and a first electrode material on the substrate.

또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by the above chemical formula 1 can be formed into an organic layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light-emitting device. Here, the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, etc., but is not limited thereto.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 제2 전극 물질로부터 유기물층, 제1 전극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.In addition to this method, an organic light-emitting element can also be manufactured by sequentially depositing an organic layer, a first electrode material, and a second electrode material on a substrate. However, the manufacturing method is not limited thereto.

상기 제1 전극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As the first electrode material, a material having a high work function is usually preferable so that hole injection into the organic layer can be smooth. For example, the present invention includes, but is not limited to, metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 : Sb; and conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline.

상기 제2 전극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the second electrode material, it is preferable to have a low work function so as to facilitate electron injection into the organic layer. Examples thereof include, but are not limited to, metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; multilayer structures such as LiF/Al or LiO 2 /Al.

상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 발광층 이외에 추가의 발광층을 포함하는 경우, 호스트 재료는 축합 및/또는 비축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The above-described light-emitting layer may include a host material and a dopant material. In addition to the light-emitting layer including the compound of the chemical formula 1 according to one embodiment of the present specification, when an additional light-emitting layer is included, the host material may be a condensed and/or non-condensed aromatic ring derivative or a heterocycle-containing compound. Specifically, the condensed aromatic ring derivatives may include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, and the like, and the heterocycle-containing compounds may include, but are not limited to, dibenzofuran derivatives, ladder-type furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like.

상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The above dopant materials include aromatic amine derivatives, styrylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, metal complexes, and the like. Specifically, the aromatic amine derivatives are condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamine group, such as pyrene, anthracene, chrysene, and periflanthene having an arylamine group. In addition, the styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted in a substituted or unsubstituted arylamine, and one or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamine group are substituted or unsubstituted. Specifically, the present invention includes, but is not limited to, styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, and styryltetraamine. In addition, the metal complexes include, but are not limited to, iridium complexes, platinum complexes, and the like.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트 재료는 하기 화학식 D-1 또는 D-2의 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the dopant material includes, but is not limited to, a compound of the following chemical formula D-1 or D-2.

[화학식 D-1][Chemical Formula D-1]

Figure pat00051
Figure pat00051

상기 화학식 D-1에 있어서,In the above chemical formula D-1,

L101 및 L102는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L101 and L102 are the same or different from each other, and each independently represents a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar101 내지 Ar104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar101 to Ar104 are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

[화학식 D-2][Chemical Formula D-2]

Figure pat00052
Figure pat00052

상기 화학식 D-2에 있어서,In the above chemical formula D-2,

T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,T1 to T5 are the same or different from each other, and each independently represents hydrogen; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted amine group; or a substituted or unsubstituted aryl group,

t3 및 t4는 각각 1 내지 4의 정수이며,t3 and t4 are integers from 1 to 4, respectively.

t5는 1 내지 3의 정수이고, t5 is an integer from 1 to 3,

상기 t3가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T3는 서로 같거나 상이하며,If the above t3 is 2 or more, the above 2 or more T3 are the same or different from each other,

상기 t4가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T4는 서로 같거나 상이하고, If the above t4 is 2 or more, the above 2 or more T4 are equal to or different from each other,

상기 t5가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T5는 서로 같거나 상이하다.When the above t5 is 2 or more, the two or more T5 are equal to or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L101 및 L102는 직접결합이다.According to one embodiment of the present specification, L101 and L102 are direct bonds.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar101 내지 Ar104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar101 to Ar104 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar101 내지 Ar104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar101 to Ar104 are the same as or different from each other, and are each independently a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted with a straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; or a monocyclic or polycyclic heteroaryl group having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar101 내지 Ar104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기로 치환된 페닐기; 또는 디벤조퓨란기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar101 to Ar104 are the same as or different from each other, and are each independently a phenyl group substituted with a methyl group; or a dibenzofuran group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D-1은 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula D-1 is represented by the following compound.

Figure pat00053
Figure pat00053

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen; a substituted or unsubstituted straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylamine group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴아민기; 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same as or different from each other, and each independently represents hydrogen; a straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; a monocyclic or polycyclic arylamine group having 6 to 30 carbon atoms; or a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms which is unsubstituted or substituted with a straight-chain or branched-chain alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; tert-부틸기; 디페닐아민기; 또는 메틸기, 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to one embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen; a methyl group; a tert-butyl group; a diphenylamine group; or a phenyl group substituted or unsubstituted with a methyl group or a tert-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D-2는 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula D-2 is represented by the following compound.

Figure pat00054
Figure pat00054

상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 수취하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다.The above hole injection layer is a layer that receives holes from the electrode. It is preferable that the hole injection material has the ability to transport holes, so that it has a hole receiving effect from the anode and an excellent hole injection effect into the light-emitting layer or the light-emitting material. In addition, it is preferable that it is a material that has an excellent ability to prevent the movement of excitons generated in the light-emitting layer to the electron injection layer or the electron injection material. In addition, it is preferable that it is a material that has an excellent thin film forming ability. In addition, it is preferable that the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include organic compounds of the metal porphyrin, oligothiophene, and arylamine series; organic compounds of the hexanitrilehexaazatriphenylene series; organic compounds of the quinacridone series; organic compounds of the perylene series; Examples include, but are not limited to, conductive polymers of the polythiophene series, such as anthraquinone and polyaniline.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공주입층은 하기 화학식 HI-1의 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the hole injection layer includes, but is not limited to, a compound of the following chemical formula HI-1.

[화학식 HI-1][chemical formula HI-1]

Figure pat00055
Figure pat00055

상기 화학식 HI-1에 있어서,In the above chemical formula HI-1,

X'1 내지 X'6 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이며,At least one of X'1 to X'6 is N, and the rest are CH,

R309 내지 R314은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.R309 to R314 are the same or different, and are each independently hydrogen; deuterium; a cyano group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted amine group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or combine with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X'1 내지 X'6는 N이다.According to one embodiment of the present specification, X'1 to X'6 are N.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R309 내지 R314는 시아노기이다.According to one embodiment of the present specification, R309 to R314 are cyano groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HI-1은 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula HI-1 is represented by the following compound.

Figure pat00056
Figure pat00056

상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The above hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports them to the light-emitting layer. As the hole transport material, a material that can receive holes from the anode or the hole injection layer and transfer them to the light-emitting layer and has high hole mobility is preferable. Specific examples include, but are not limited to, arylamine-based organic compounds, conductive polymers, and block copolymers having both conjugated and non-conjugated portions.

상기 정공조절층은 정공수송층으로부터 수송된 정공이 발광층으로 원활히 주입되도록 조절하고, 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 발광층과 정공 수송층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다.The above-mentioned hole control layer is a layer that can improve the lifespan and efficiency of the device by controlling the holes transported from the hole transport layer to be smoothly injected into the light-emitting layer and preventing the electrons injected from the electron injection layer from entering the hole injection layer through the light-emitting layer. Known materials can be used without limitation, and can be formed between the light-emitting layer and the hole injection layer, between the light-emitting layer and the hole transport layer, or between the light-emitting layer and a layer that simultaneously injects and transports holes.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층 또는 정공조절층은 하기 화학식 HT-1의 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the hole transport layer or hole control layer includes, but is not limited to, a compound of the following chemical formula HT-1.

[화학식 HT-1][chemical formula HT-1]

Figure pat00057
Figure pat00057

상기 화학식 HT-1에 있어서,In the above chemical formula HT-1,

R315 내지 R317는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,R315 to R317 are the same as or different from each other, and each independently represents one selected from the group consisting of hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; and a combination thereof, or combine with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted ring,

r315은 1 내지 5의 정수이며, 상기 r315이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 R315은 서로 같거나 상이하며,r315 is an integer from 1 to 5, and when r315 is 2 or more, two or more R315 are equal to or different from each other,

r316는 1 내지 5의 정수이고, 상기 r316가 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 R316는 서로 같거나 상이하다.r316 is an integer from 1 to 5, and when r316 is 2 or more, two or more R316 are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R317는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, R317 is any one selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; and a combination thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R317는 카바졸기; 페닐기; 바이페닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to one embodiment of the present specification, R317 is any one selected from the group consisting of a carbazole group; a phenyl group; a biphenyl group; and combinations thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R315 및 R316는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 알킬기로 치환된 방향족 탄화수소 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, R315 and R316 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group, or combine with an adjacent group to form an aromatic hydrocarbon ring substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R315 및 R316는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기, 또는 페난트렌기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환된 인덴을 형성한다.According to one embodiment of the present specification, R315 and R316 are the same as or different from each other, and are each independently a phenyl group or a phenanthrene group, or combine with an adjacent group to form an indene substituted with a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HT-1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula HT-1 is represented by any one of the following compounds.

Figure pat00058
Figure pat00058

상기 전자조절층은 전자수송층으로부터 전달된 전자를 발광층으로 원활히 주입되도록 조절하는 층으로, 공지된 재료를 제한 없이 사용 가능하다.The above electron control layer is a layer that controls the smooth injection of electrons transferred from the electron transport layer into the light-emitting layer, and any known material can be used without limitation.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자조절층은 하기 화학식 EG-1의 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the electronic control layer includes, but is not limited to, a compound of the following chemical formula EG-1.

[화학식 EG-1][Chemical formula EG-1]

Figure pat00059
Figure pat00059

상기 화학식 EG-1에 있어서,In the above chemical formula EG-1,

G'1 내지 G'18 중 적어도 하나는 -L5-Ar5이고, 나머지는 수소이거나, G'1 및 G'18은 -L51-로 연결되어 치환 또는 비치환된 고리를 형성하며,At least one of G'1 to G'18 is -L5-Ar5 and the others are hydrogen, or G'1 and G'18 are connected by -L51- to form a substituted or unsubstituted ring,

L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,L5 is a direct bond; or a substituted or unsubstituted arylene group,

Ar5는 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,Ar5 is a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

L51은 O; 또는 S이다.L51 is O; or S.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L51은 O이다.According to one embodiment of the present specification, the L51 is O.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L51은 S이다.According to one embodiment of the present specification, the L51 is S.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -L51-로 연결되어 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked by -L51- to form a substituted or unsubstituted heterocycle.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -L51-로 연결되어 치환 또는 비치환된 잔텐 고리; 또는 치환 또는 비치환된 티오잔텐 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked by -L51- to form a substituted or unsubstituted xanthene ring; or a substituted or unsubstituted thioxanthene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -O-로 연결되어 치환 또는 비치환된 잔텐 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked by -O- to form a substituted or unsubstituted xanthene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -S-로 연결되어 치환 또는 비치환된 티오잔텐 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked by -S- to form a substituted or unsubstituted thioxanthene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -O-로 연결되어 잔텐 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked with -O- to form a xanthene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G'1 및 G'18은 -S-로 연결되어 티오잔텐 고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, G'1 and G'18 are linked with -S- to form a thioxanthene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L5는 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; or a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L5는 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; or a monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L5는 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; or a monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L5는 직접결합; 또는 페닐렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L5 is a direct bond; or a phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5는 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar5 is a substituted or unsubstituted triazine group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar5 is a triazine group substituted or unsubstituted with a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar5는 페닐기로 치환된 트리아진기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar5 is a triazine group substituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 EG-1은 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the EG-1 is represented by the following compound.

Figure pat00060
Figure pat00060

상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.The above electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports the electrons to the light-emitting layer. The electron transport material is a material that can well receive electrons from the cathode and transfer them to the light-emitting layer, and a material having high electron mobility is preferable. Specific examples include, but are not limited to, Al complexes of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like. The electron transport layer can be used with any desired cathode material, as used in the prior art. In particular, suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by an aluminum layer or a silver layer. Specifically, there are cesium, barium, calcium, ytterbium, and samarium, and in each case followed by an aluminum layer or a silver layer.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자수송층은 하기 화학식 ET-1의 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the electron transport layer includes, but is not limited to, a compound represented by the following chemical formula ET-1.

[화학식 ET-1][chemical formula ET-1]

Figure pat00061
Figure pat00061

상기 화학식 ET-1에 있어서,In the above chemical formula ET-1,

Z11 내지 Z13 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이고,At least one of Z11 to Z13 is N, and the others are CH,

L601는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L601 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar601 및 Ar602는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,Ar601 and Ar602 are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

l601은 1 내지 5의 정수이며, 상기 l601이 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 L601은 서로 같거나 상이하다.l601 is an integer from 1 to 5, and when l601 is 2 or more, 2 or more L601 are equal to or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L601은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, the L601 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L601은 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 또는 나프틸렌기이다.According to one embodiment of the present specification, the L601 is a phenylene group; a biphenylylene group; or a naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar601 및 Ar602는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar601 and Ar602 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar601 및 Ar602는 페닐기이다.According to one embodiment of the present specification, Ar601 and Ar602 are phenyl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 ET-1은 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula ET-1 is represented by the following compound.

Figure pat00062
Figure pat00062

상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 수취하는 층이다. 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The above electron injection layer is a layer that receives electrons from the electrode. It is preferable that the electron injecting material has excellent electron transport ability, an electron receiving effect from the second electrode, and an excellent electron injection effect for the light-emitting layer or light-emitting material. In addition, a material that prevents excitons generated in the light-emitting layer from moving to the hole injection layer and has excellent thin film forming ability is preferable. Specifically, the material includes, but is not limited to, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone, and their derivatives, metal complex compounds, and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives.

상기 금속 착체 화합물로는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The above metal complex compounds include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(o-cresolato)gallium, Examples include, but are not limited to, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc.

상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 발광층과 정공 수송층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다. The above electron blocking layer is a layer that can improve the life and efficiency of the device by preventing electrons injected from the electron injection layer from passing through the emitting layer and entering the hole injection layer. Known materials can be used without limitation, and can be formed between the emitting layer and the hole injection layer, between the emitting layer and the hole transport layer, or between the emitting layer and a layer that simultaneously injects and transports holes.

상기 정공 차단층은 정공이 캐소드로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The above hole blocking layer is a layer that blocks holes from reaching the cathode, and can generally be formed under the same conditions as the electron injection layer. Specifically, examples thereof include, but are not limited to, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, and aluminum complexes.

상기 캡핑층은 유기 발광 소자에서 빛의 전반사를 통해 상당량의 빛이 손실되는 것을 방지하기 위하여 형성되며, 캡핑층은 외부의 수분침투나 오염으로부터 하부의 음극 및 발광층을 충분히 보호할 수 있는 성능을 가지며, 굴절률이 높아서 전반사에 의한 빛손실을 방지할 수 있으며, 종래의 재료를 제한 없이 사용할 수 있다.The above capping layer is formed to prevent a significant amount of light from being lost through total reflection in the organic light-emitting element, and the capping layer has the performance to sufficiently protect the lower cathode and light-emitting layer from external moisture penetration or contamination, has a high refractive index, can prevent light loss due to total reflection, and can use conventional materials without limitation.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 캡핑층은 하기 화학식 CP-1로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present specification, the capping layer includes, but is not limited to, a compound represented by the following chemical formula CP-1.

[화학식 CP-1][Chemical formula CP-1]

Figure pat00063
Figure pat00063

상기 화학식 CP-1에 있어서,In the above chemical formula CP-1,

L501 및 L502는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L501 and L502 are the same or different from each other, and each independently represents a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

R501 및 Ar501 내지 Ar504는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.R501 and Ar501 to Ar504 are the same or different, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or adjacent groups combine with each other to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L501 및 L502는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L501 and L502 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L501 및 L502는 페닐렌기이다.According to one embodiment of the present specification, L501 and L502 are phenylene groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R501 및 Ar501 내지 Ar504는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성한다.According to one embodiment of the present specification, R501 and Ar501 to Ar504 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or combines with an adjacent group to form a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic heterocycle having 2 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R501 및 Ar501 내지 Ar504는 페닐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸을 형성한다.According to one embodiment of the present specification, R501 and Ar501 to Ar504 are phenyl groups, or are bonded to adjacent groups to form carbazole substituted or unsubstituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar501은 L501과 결합하여 페닐기로 치환된 카바졸을 형성한다.According to one embodiment of the present specification, Ar501 combines with L501 to form a carbazole substituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar503은 L503과 결합하여 페닐기로 치환된 카바졸을 형성한다.According to one embodiment of the present specification, Ar503 combines with L503 to form a carbazole substituted with a phenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 CP-1은 하기 화합물로 표시된다.According to one embodiment of the present specification, the chemical formula CP-1 is represented by the following compound.

Figure pat00064
Figure pat00064

본 발명의 일 실시상태는, 애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 구비되는 제1 발광층; 및 상기 제1 발광층과 캐소드 사이에 구비되고 상기 제1 발광층과 접하는 제2 발광층을 포함하고, 상기 제1 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함하며, 상기 제2 발광층은 하기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물 중 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.One embodiment of the present invention provides an organic light-emitting device comprising: an anode; a cathode; a first light-emitting layer provided between the anode and the cathode; and a second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and in contact with the first light-emitting layer, wherein the first light-emitting layer includes a compound of the chemical formula 1, and the second light-emitting layer includes at least one compound among the compounds of the chemical formula 2 and the compounds of the chemical formula 3.

[화학식 2][Chemical formula 2]

Figure pat00065
Figure pat00065

상기 화학식 2에 있어서,In the above chemical formula 2,

R11 내지 R20 중 1 이상은 하기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,At least one of R11 to R20 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 2-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,

[화학식 2-1][Chemical Formula 2-1]

Figure pat00066
Figure pat00066

L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group,

p는 1 내지 3의 정수이고,p is an integer from 1 to 3,

[화학식 3][Chemical Formula 3]

Figure pat00067
Figure pat00067

상기 화학식 3에 있어서,In the above chemical formula 3,

Y1 내지 Y10 중 1 이상은 하기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,At least one of Y1 to Y10 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 3-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,

[화학식 3-1][Chemical Formula 3-1]

Figure pat00068
Figure pat00068

A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리이며,A and B are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle,

L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

q는 1 내지 3의 정수이다.q is an integer from 1 to 3.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 발광층 및 제2 발광층은 서로 접하여 구비될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the first light-emitting layer and the second light-emitting layer may be provided in contact with each other.

도 3에는 기판(1) 위에 제1 전극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 정공조절층(7), 제1 발광층(4-1), 제2 발광층(4-2), 전자조절층(8), 전자수송층(9), 전자주입층(10), 제2 전극(3) 및 캡핑층(11)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다.FIG. 3 illustrates the structure of an organic light-emitting device in which a first electrode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), a hole control layer (7), a first light-emitting layer (4-1), a second light-emitting layer (4-2), an electron control layer (8), an electron transport layer (9), an electron injection layer (10), a second electrode (3), and a capping layer (11) are sequentially laminated on a substrate (1).

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 화합물을 제1 발광층의 호스트로 포함하고, 상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물 중 적어도 1종의 화합물을 제2 발광층의 호스트로 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제1 발광층 및 제2 발광층은 각각 도펀트를 추가로 포함하고, 상기 도펀트는 형광성 도펀트를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층 및 제2 발광층에 포함되는 도펀트는 전술한 도펀트의 설명이 동일하게 적용될 수 있다.In one embodiment of the present specification, the first light-emitting layer may include the compound as a host for the first light-emitting layer, and the second light-emitting layer may include at least one compound among the compound of Chemical Formula 2 and the compound of Chemical Formula 3 as a host for the second light-emitting layer. At this time, the first light-emitting layer and the second light-emitting layer may each additionally include a dopant, and the dopant may include a fluorescent dopant. The description of the dopant described above may be applied equally to the dopant included in the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 또는 화학식 3의 화합물을 포함할 수 있고, 상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present specification, the second light-emitting layer may include a compound of chemical formula 2 or a compound of chemical formula 3, and the second light-emitting layer may include a compound of chemical formula 2 and a compound of chemical formula 3.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2 및 3의 중수소 치환율은 각각 0.1% 내지 100%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rates of the chemical formulae 2 and 3 are each 0.1% to 100%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2 및 3의 중수소 치환율은 각각 1% 내지 100%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rates of the chemical formulae 2 and 3 are each 1% to 100%.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2 및 3의 중수소 치환율은 각각 40% 내지 99%이다.According to one embodiment of the present specification, the deuterium substitution rates of the chemical formulae 2 and 3 are 40% to 99%, respectively.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2 또는 3이 중수소를 포함하는 경우, 하기의 효과가 있다. 구체적으로, 중수소와 관련된 화학적 결합 길이 등 물리화학적 특성은 수소와 상이하며, C-H결합 보다 C-D결합의 신장 진폭이 더 작아 중수소의 반데르발스 반경은 수소보다 작으며, 일반적으로 C-D 결합이 C-H 결합보다 더 짧고 더 강함을 나타낼 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1의 치환가능한 위치의 수소가 중수소로 치환된 경우에는 바닥상태의 에너지가 낮아지며, 중수소, 탄소의 결합길이가 짧아짐에 따라, 분자 중심 부피(Molecular hardcore volume)가 줄어들고, 이에 따라 전기적 극성화도(Electrical polarizability)를 줄일 수 있으며, 분자간 상호작용(Intermolecular interaction)을 약하게 함으로써, 박막 부피를 증가시킬 수 있다. 또한, 이러한 특성은 박막의 결정화도를 낮추는 효과 즉, 비결정질(Amorphous) 상태를 만들 수 있으며, 일반적으로 유기 발광 소자의 수명 및 구동특성을 높이는 것에 효과적일 수 있으며, 내열성이 종래의 유기 발광 소자 보다 향상될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, when the chemical formula 2 or 3 contains deuterium, the following effects are provided. Specifically, the physicochemical properties such as the chemical bond length related to deuterium are different from those of hydrogen, and the elongation amplitude of the C-D bond is smaller than that of the C-H bond, so that the van der Waals radius of deuterium is smaller than that of hydrogen, and in general, the C-D bond can be shown to be shorter and stronger than the C-H bond. Therefore, when hydrogen at a substitutable position in the chemical formula 1 is substituted with deuterium, the energy of the ground state is lowered, and as the bond length of deuterium and carbon becomes shorter, the molecular hardcore volume decreases, and accordingly, the electrical polarizability can be reduced, and the intermolecular interaction can be weakened, thereby increasing the thin film volume. In addition, these characteristics can have the effect of lowering the crystallinity of the thin film, that is, creating an amorphous state, and can be generally effective in increasing the lifespan and operating characteristics of organic light-emitting devices, and heat resistance can be improved compared to conventional organic light-emitting devices.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light-emitting device according to the present specification may be a front-emitting, back-emitting or double-sided emitting type depending on the material used.

본 발명자들은, 청색 형광 호스트 물질로서 유용하면서도, 동시에 예비혼합 후, 안정한 동시증발 혼합물을 제공할 수 있는 벤조[ghi]플루오란텐 타입 호스트(이하, 화학식 1의 화합물) 및 안트라센 타입 호스트(이하, 화학식 2 또는 3의 화합물)에 적용되는 적합한 조건을 발견하였다.The present inventors have found suitable conditions applicable to a benzo[ghi]fluoranthene type host (hereinafter, a compound of chemical formula 1) and an anthracene type host (hereinafter, a compound of chemical formula 2 or 3) which are useful as blue fluorescent host materials and at the same time can provide a stable co-evaporation mixture after premixing.

우수한 수명 및 효율을 보이는 유기 발광 소자의 발광층은 2 초과의 성분(예를 들어 3 또는 4가지 성분)을 필요로 한다. 이 목적을 위하여, 3 또는 4가지 원료 물질이 이러한 발광층을 제조하는데 요구되며, 이는 단 2가지 원료만을 필요로 하는 단일 호스트 및 도펀트를 갖는 표준 2성분 발광층에 비해 매우 복잡하고 비용이 많이 든다. 2 이상의 물질을 예비혼합하고 하나의 원료로부터 이들을 증발시키는 것은 제조공정의 복잡성을 감소시킬 수 있다. 선택된 정공 수송 호스트 및 또 다른 종류의 호스트, 예컨대 전자 수송 호스트는 혼합되고 하나의 도가니로부터 동시 증발되어 안정한 증발을 달성할 수 있다.The emitting layer of an organic light emitting device showing excellent lifetime and efficiency requires more than two components (e.g., three or four components). For this purpose, three or four raw materials are required to manufacture such an emitting layer, which is very complex and expensive compared to a standard two-component emitting layer having a single host and dopant that requires only two raw materials. Premixing two or more materials and evaporating them from a single raw material can reduce the complexity of the manufacturing process. A selected hole transporting host and another type of host, e.g., an electron transporting host, can be mixed and co-evaporated from a single crucible to achieve stable evaporation.

그러나, 동시 증발은 안정해야 하며, 즉 제조공정 동안 증발된 막의 조성은 일정하게 유지되어야 한다. 임의 조성 변화는 디바이스 성능에 불리하게 영향을 미칠 수 있다. 진공 하에 화합물들의 혼합물로부터 안정한 동시 증발을 얻기 위하여, 물질들이 동일한 조건 하에 동일한 증발 온도를 가져야 하는 것으로 가정할 수 있다. 그러나, 이것은 고려해야 할 하나뿐인 매개변수가 아닐 것이다. 두 화합물을 함께 혼합하는 경우, 이들은 서로와 상호작용할 수 있고 이들의 증발 특성은 이들의 개별 특성과 상이할 수 있다. 다른 한편으로는, 약간 상이한 증발 온도를 갖는 물질은 안정한 동시 증발 혼합물을 생성할 수 있다. 따라서, 안정한 동시 증발 혼합물을 달성하는 것은 극히 어렵다. 지금까지, 문헌에서는 수만가지의 사용 가능한 호스트 물질이 존재해왔으나, 안정한 동시 증발 혼합물 예시는 매우 적었다. 물질의 "증발 온도"는, 증발되는 물질의 증발원으로부터 설정된 거리로 떨어져 위치한 표면 상에 2 Å/초의 증착 속도로, 1 × 10-6 Torr 내지 1 × 10-9 Torr의 일정 압력 하에 진공 증착 도구, 예를 들어 VTE 도구의 승화 도가니 내로 측정된다. 본 명세서에 개시된 다양한 측정값, 예컨대 온도, 압력, 증착 속도 등은 당업자에게 이해되는 바와 같이 이 정량적 값을 산출하는 측정에서 예상되는 허용오차로 인한 공칭 편차(nominal variation)를 가질 것으로 예상된다.However, the co-evaporation must be stable, i.e. the composition of the evaporated film must remain constant during the fabrication process. Any compositional changes can adversely affect the device performance. In order to obtain a stable co-evaporation from a mixture of compounds under vacuum, it can be assumed that the substances must have the same vaporization temperature under the same conditions. However, this may not be the only parameter to consider. When two compounds are mixed together, they can interact with each other and their vaporization properties can differ from their individual properties. On the other hand, substances with slightly different vaporization temperatures can form a stable co-evaporation mixture. Therefore, it is extremely difficult to achieve a stable co-evaporation mixture. To date, there are tens of thousands of possible host materials in the literature, but examples of stable co-evaporation mixtures are very few. The "evaporation temperature" of a material is measured in a vacuum deposition tool, e.g., a sublimation crucible of a VTE tool, under a constant pressure of 1 x 10 -6 Torr to 1 x 10 -9 Torr, at a deposition rate of 2 Å/sec, on a surface located a set distance from the evaporation source of the material being evaporated. It is expected that the various measurements disclosed herein, such as temperature, pressure, deposition rate, and the like, will have nominal variations due to expected tolerances in the measurements that yield such quantitative values, as will be understood by those skilled in the art.

본 명세서의 개시내용에서는 예비혼합되어 청색 형광 호스트 물질로서 유용한 안정한 동시 증발 혼합물을 제공할 수 있는 서로 다른 타입의 안트라센 호스트 2종(화학식 2 및 3)의 새로운 종류가 기술되어 있다. 온도 외의 다수의 요인들이 증발, 예컨대 상이한 물질들의 혼화성, 상이한 상 전이에 기여할 수 있다. 본 발명자들은, 두 물질이 유사한 증발 온도, 및 유사한 질량 감소율 또는 유사한 증기압을 갖는 경우, 두 물질이 지속적으로 동시 증발될 수 있음을 발견하였다. 질량 감소율은 시간(분) 경과에 따른 질량 감소의 백분율로 정의되며 조성물이 정상 증발 상태에 도달한 후 각 화합물에 대한 동일한 주어진 일정한 온도에서 동일한 실험 조건 하에 열중량분석(TGA)에 의해 측정된 바와 같이 최초 10%의 질량 감소에 걸리는 시간을 측정함으로써 결정된다. 주어진 일정한 온도는 질량 감소율 값이 약 0.05%/분 내지 0.50%/분이 되도록 선택되는 한 온도점이다. 당업자는 두 매개변수를 비교하기 위해 실험 조건이 일정해야 하는 것을 이해할 것이다. 질량 감소율과 증기압을 측정하는 방법은 당해 기술분야에 주지되어 있으며 예를 들어 문헌(Bull. et al. Mater. Sci. 2011, 34, 7)에서 찾을 수 있다.The present disclosure describes a novel class of two different types of anthracene hosts (formulas 2 and 3) that can be premixed to provide a stable co-evaporating mixture useful as a blue fluorescent host material. A number of factors other than temperature can contribute to evaporation, such as miscibility of the different materials, different phase transitions. The inventors have discovered that when two materials have similar evaporation temperatures, and similar mass loss rates or similar vapor pressures, the two materials can co-evaporate continuously. The mass loss rate is defined as the percentage of mass loss over time (minutes) and is determined by measuring the time it takes for the composition to reach a steady state evaporation state, as measured by thermogravimetric analysis (TGA) under the same experimental conditions at the same given constant temperature for each compound, after which the composition reaches a steady state evaporation state. The given constant temperature is a temperature point selected such that the mass loss rate value is between about 0.05%/minute and 0.50%/minute. Those skilled in the art will appreciate that the experimental conditions must be constant in order to compare the two parameters. Methods for measuring mass loss rate and vapor pressure are well known in the art and can be found, for example, in the literature (Bull. et al. Mater. Sci. 2011, 34, 7).

현재 기술 상태에서 청색 형광 호스트의 2가지 성분 혼합 중 본 발명의 선행문헌은 제시한 JP 6328890 B2에 개시되어 있다. 이러한 혼합 호스트 물질을 갖는 청색 형광의 발광층을 제조하기 위하여, 3가지 증발원이 필요하다: 2종의 호스트 및 청색 형광 도펀트이다. 코호스트 및 도펀트의 농도가 디바이스 성능에 중요하고, 통상적으로, 각 성분의 증착 속도는 증착 중에 개별 측정된다. 이것은 제조 공정을 복잡하고 많은 비용이 들게 한다. 따라서, 2 이상의 성분들을 혼합하여 원료의 수를 감소시키는 것이 바람직하다.In the current state of the art, a prior art document of the present invention, a two-component mixture of a blue fluorescent host, is disclosed in the presented JP 6328890 B2. In order to produce a blue fluorescent emitting layer with such a mixed host material, three evaporation sources are required: two hosts and a blue fluorescent dopant. The concentrations of the cohost and the dopant are important for the device performance, and typically, the deposition rate of each component is measured individually during the deposition. This complicates the manufacturing process and is costly. Therefore, it is desirable to reduce the number of raw materials by mixing two or more components.

2종의 청색 형광 호스트는 예비 혼합되고 열적 승화를 통한 혼합물의 제작시 조성의 차이가 일정범위 이하일 경우, 하나의 원료로부터 동시증착(codeposited)될 수 있음을 의미한다. 두 호스트의 균일한 동시 증발은 이 혼합물로부터 제조된 디바이스 성능의 지속성에 중요하다.This means that two blue fluorescent hosts can be codeposited from a single source when their compositional differences are within a certain range during the premixing and fabrication of the mixture through thermal sublimation. Uniform co-evaporation of the two hosts is important for the sustainability of the performance of devices fabricated from this mixture.

이하, 화학식 2로 표시되는 화합물에 대하여 상세히 설명한다.Below, the compound represented by chemical formula 2 is described in detail.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R20 중 1개 내지 3개는 상기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to one embodiment of the present specification, 1 to 3 of R11 to R20 are bonded to the * moiety of the chemical formula 2-1, and the remainder are hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R20 중 1개 내지 3개는 상기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to another embodiment, 1 to 3 of R11 to R20 are bonded to the * moiety of the chemical formula 2-1, and the remainder are hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted aryl group having 2 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R19 및 R20은 상기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.In another embodiment, R19 and R20 are bonded to the * moiety of the chemical formula 2-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R19, R20 및 R18은 상기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to another embodiment, R19, R20 and R18 are bonded to the * moiety of the chemical formula 2-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R19, R20 및 R17은 상기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.In another embodiment, R19, R20 and R17 are bonded to the * moiety of the chemical formula 2-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R11 내지 R20 중 상기 화학식 2-1과 결합하지 않는 치환기는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소, 중수소 또는 디벤조퓨라닐기이다.According to one embodiment of the present specification, the substituents among R11 to R20 that are not bonded to the chemical formula 2-1 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen, deuterium or dibenzofuranyl groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 p는 3의 정수이고, 3개의 L2는 서로 같거나 상이하다.According to one embodiment of the present specification, p is an integer of 3, and three L2s are equal to or different from each other.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 p는 2의 정수이고, 2개의 L2는 서로 같거나 상이하다.In another embodiment, p is an integer of 2, and two L2 are equal to or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이다. 상기 L2는 중수소로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 60 carbon atoms. L2 may be substituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.In another embodiment, L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 페난트렌일렌기; 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일렌기이다.According to another embodiment, the L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; a substituted or unsubstituted biphenylylene group; a substituted or unsubstituted naphthylene group; a substituted or unsubstituted phenanthreneylene group; or a substituted or unsubstituted triphenylenylene group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L2는 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트렌일렌기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일렌기이다.In another embodiment, L2 is a direct bond; a phenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a biphenylylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a naphthylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a phenanthrenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; or a triphenylenylene group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다. 상기 Ar2는 중수소로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms. Ar2 may be substituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.In another embodiment, Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트렌일기; 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일기이다.According to another embodiment, Ar2 is a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted terphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; or a substituted or unsubstituted triphenylenyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar2는 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트렌일기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일기이다.In another embodiment, Ar2 is a phenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a terphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; or a triphenylenyl group substituted or unsubstituted with deuterium.

상기 화학식 2의 화합물은 JP 4070676 B2, KR 1477844 B1, US 6465115 B2, JP 3148176 B2, JP 4025136 B2, JP 4188082 B2, JP 5015459 B2, KR 1979037 B1, KR 1550351 B1, KR 1503766 B1, KR 0826364 B1, KR 0749631 B1, KR 1115255 B1, KR 1538534 B1 등에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.The compound of the above chemical formula 2 can utilize compounds described in JP 4070676 B2, KR 1477844 B1, US 6465115 B2, JP 3148176 B2, JP 4025136 B2, JP 4188082 B2, JP 5015459 B2, KR 1979037 B1, KR 1550351 B1, KR 1503766 B1, KR 0826364 B1, KR 0749631 B1, KR 1115255 B1, KR 1538534 B1, etc.

이하, 화학식 3으로 표시되는 화합물에 대하여 상세히 설명한다.Below, the compound represented by chemical formula 3 is described in detail.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y10 중 1 이상은 상기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기이다.According to one embodiment of the present specification, at least one of Y1 to Y10 is bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y10 중 1개 내지 3개는 상기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to one embodiment of the present specification, one to three of Y1 to Y10 are bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder are hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y1 내지 Y10 중 1개 내지 3개는 상기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.In one embodiment of the present specification, 1 to 3 of Y1 to Y10 are bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder are hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 60 carbon atoms; a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 2 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y7, Y8 또는 Y9는 상기 화학식 3-1의* 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.In another embodiment, Y7, Y8 or Y9 is bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y7 및 Y9는 상기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to another embodiment, the Y7 and Y9 are bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y9 및 Y10은 상기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이다.According to another embodiment, the Y9 and Y10 are bonded to the * moiety of the chemical formula 3-1, and the remainder is hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y10 중 상기 화학식 3-1과결합되지 않는 치환기는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. 상기 Y1 내지 Y10 중 상기 화학식 2-1과 결합되지 않은 치환기는 중수소로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, among Y1 to Y10, the substituents not bonded to the chemical formula 3-1 are the same as or different from each other and are each independently hydrogen; deuterium; or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms. Among Y1 to Y10, the substituents not bonded to the chemical formula 2-1 may be substituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y10 중 상기 화학식 3-1과 결합되지 않는 치환기는 서로 같거나 상이하고 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 비페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트렌일기; 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일기이며, 상기 치환기들은 중수소; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트렌일기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일기로 추가로 치환될 수 있다.According to another embodiment, among Y1 to Y10, the substituents which are not bonded to the chemical formula 3-1 are the same as or different from each other and are each independently hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted phenyl group; a substituted or unsubstituted biphenyl group; a substituted or unsubstituted terphenyl group; a substituted or unsubstituted naphthyl group; a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; or a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, and the substituents may be further substituted with deuterium; a phenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a biphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a terphenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a naphthyl group substituted or unsubstituted with deuterium; a phenanthrenyl group substituted or unsubstituted with deuterium; or a triphenylenyl group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 q는 1 내지 3의 정수이고, 상기 q가 2 이상인 경우 2 이상의 L3는 서로 같거나 상이하다.In one embodiment of the present specification, q is an integer from 1 to 3, and when q is 2 or more, 2 or more L3s are the same as or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이다. 상기 L2는 중수소로 치환될 수 있다.According to one embodiment of the present specification, L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 60 carbon atoms. L2 may be substituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.In another embodiment, L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 30 carbon atoms.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 치환 또는 비치환된 페난트렌일렌기; 또는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일렌기이다.According to another embodiment, the L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted phenylene group; a substituted or unsubstituted biphenylylene group; a substituted or unsubstituted naphthylene group; a substituted or unsubstituted phenanthrenylene group; or a substituted or unsubstituted triphenylenylene group.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L3은 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 페난트렌일렌기; 또는 중수소로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌일렌기이다.In another embodiment, L3 is a direct bond; a phenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a biphenylylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a naphthylene group substituted or unsubstituted with deuterium; a phenanthrenylene group substituted or unsubstituted with deuterium; or a triphenylenylene group substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 방향족 헤테로고리이다.According to one embodiment of the present specification, A and B are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 60 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle having 2 to 60 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 방향족 헤테로고리이다.In one embodiment of the present specification, A and B are the same as or different from each other, and are each independently an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 60 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and aryl groups substituted or unsubstituted with deuterium; or an aromatic heterocycle having 2 to 60 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and aryl groups substituted or unsubstituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 방향족 헤테로고리이다.According to another embodiment, A and B are the same as or different from each other, and each independently represent an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 60 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and aryl groups having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted with deuterium; or an aromatic heterocycle having 2 to 60 carbon atoms, unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium and aryl groups having 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted with deuterium.

또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 치환 또는 비치환된 페난트렌; 치환 또는 비치환된 트리페닐렌; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란이다.In another embodiment, A and B are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted benzene; a substituted or unsubstituted naphthalene; a substituted or unsubstituted phenanthrene; a substituted or unsubstituted triphenylene; or a substituted or unsubstituted dibenzofuran.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 벤젠; 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페난트렌; 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리페닐렌; 또는 중수소 및 중수소로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란이다.According to another embodiment, A and B are the same as or different from each other, and are each independently benzene substituted or unsubstituted with at least one substituent selected from the group consisting of deuterium and an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium; naphthalene substituted or unsubstituted with at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium and deuterium; phenanthrene substituted or unsubstituted with at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium and deuterium; triphenylene substituted or unsubstituted with at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium and deuterium; or dibenzofuran substituted or unsubstituted with at least one substituent selected from the group consisting of an aryl group having 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium and deuterium.

상기 화학식 3의 화합물은 KR 1964435 B1, KR 1899728 B1, KR 1975945 B1, KR 2018-0098122 A, KR 2018-0102937 A, KR 2018-0103352 A, KR 1538534 B1 등에 기재된 화합물을 이용할 수 있다.The compound of the above chemical formula 3 can utilize compounds described in KR 1964435 B1, KR 1899728 B1, KR 1975945 B1, KR 2018-0098122 A, KR 2018-0102937 A, KR 2018-0103352 A, KR 1538534 B1, etc.

본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 다양한 전자 장치에 포함되어 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 전자 장치는 디스플레이 패널, 터치 패널, 태양광 모듈, 조명 장치 등일 수 있고, 이에 한정되지 않는다.The organic light-emitting device according to the present specification can be included and used in various electronic devices. For example, the electronic device can be a display panel, a touch panel, a solar module, a lighting device, etc., but is not limited thereto.

이하, 본 출원을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 출원에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 출원의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 출원의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 출원을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, in order to specifically explain the present application, examples will be given and described in detail. However, the examples according to the present application may be modified in various different forms, and the scope of the present application is not construed as being limited to the examples described below. The examples of the present application are provided to more completely explain the present application to a person having average knowledge in the art.

<제조예 1> 화학식 1의 합성<Manufacturing Example 1> Synthesis of Chemical Formula 1

화학식 A1 및 B1의 합성Synthesis of chemical formulas A1 and B1

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Figure pat00069

SM1(1eq)와 SM2((1.1eq)을 테트라하이드로퓨란(excess)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 85℃에서 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하고 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼하여 상기 화학식 A1 및 B1을 제조하였다.After adding SM1 (1 eq) and SM2 ((1.1 eq) to tetrahydrofuran (excess), 2 M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio with respect to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added, and the mixture was heated and stirred at 85°C for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and terminating the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed, the layers were separated, and column chromatography was performed with hexane and ethyl acetate to prepare the chemical formulas A1 and B1.

상기 화학식 A1 및 B1의 합성법에서 하기 표 1과 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 1의 A1-1 내지 A1-3, 및 B1-1 내지 B1-3를 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 1 below in the synthesis method of the chemical formulas A1 and B1 above, A1-1 to A1-3 and B1-1 to B1-3 in Table 1 below were synthesized in the same manner.

[표 1] [Table 1]

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Figure pat00070

화학식 A2 및 B2의 합성Synthesis of chemical formulas A2 and B2

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Figure pat00071

SM1(A1 또는 B1 중 하나, 1eq)를 디클로로메탄(DCM)에 용해한 후 트리에틸아민(1.2eq)를 적가하고 1시간 교반한 다음 트리플로로아세트산(1.1eq)을 천천히 투입하고 3시간 교반하였다. 반응 종결 확인 후 물을 반응 종결하고 추출한 뒤 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼크로마토그래피하여 상기 화학식 A2 및 B2를 제조하였다.After dissolving SM1 (either A1 or B1, 1 eq) in dichloromethane (DCM), triethylamine (1.2 eq) was added dropwise and stirred for 1 hour. Then, trifluoroacetic acid (1.1 eq) was slowly added and stirred for 3 hours. After confirming the completion of the reaction, water was extracted and the mixture was subjected to column chromatography with hexane and ethyl acetate to produce the chemical formulas A2 and B2.

상기 화학식 A2 및 B2의 합성법에서 하기 표 2와 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 2의 A2-1 내지 A2-3, 및 B2-1 내지 B2-3를 합성하였다. Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 2 below in the synthesis method of the chemical formulas A2 and B2 above, A2-1 to A2-3 and B2-1 to B2-3 in Table 2 below were synthesized in the same manner.

[표 2][Table 2]

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Figure pat00072

화학식 A3 및 B3의 합성Synthesis of chemical formulas A3 and B3

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Figure pat00073

SM 1(A2 및 B2 중 하나, 1eq), 트리메틸실릴아세틸렌(5eq), 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(0.1eq), 요오드화구리(CuI, 1eq) 및 트리에틸아민(excess)를 넣고 95℃에서 5시간 동안 가열 교반하였다. 반응 종결 후 상온으로 냉각시키고 셀라이트/실리카겔로 채워진 필터를 통과시키고, 클로로포름으로 세척한 후 용매를 제거하고 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼 크로마토그래피하여 상기 화학식 A3 및 B3을 제조하였다.SM 1 (one of A2 and B2, 1 eq), trimethylsilylacetylene (5 eq), tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (0.1 eq), copper iodide (CuI, 1 eq) and triethylamine (excess) were added and heated and stirred at 95°C for 5 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, passed through a filter filled with Celite/silica gel, washed with chloroform, removed the solvent, and subjected to column chromatography with hexane and ethyl acetate to produce the above chemical formulas A3 and B3.

상기 화학식 A3 및 B3의 합성법에서 하기 표 3과 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 3의 A3-1 내지 A3-3, 및 B3-1 내지 B3-3를 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 3 below in the synthesis method of the chemical formulas A3 and B3 above, A3-1 to A3-3 and B3-1 to B3-3 in Table 3 below were synthesized in the same manner.

[표 3][Table 3]

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Figure pat00074

Figure pat00075
Figure pat00075

화학식 A4 및 B4의 합성Synthesis of chemical formulas A4 and B4

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Figure pat00076

SM1(A3 및 B3 중 하나, 1eq), 염화 백금(0.05eq) 및 톨루엔(excess)을 투입하고, 95℃에서 3시간 동안 교반하고 반응 종결 확인 후 상온으로 냉각시켰다. 셀라이트/실리카겔 패드에 여과하고, 용매를 감압증류로 제거한뒤 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼 크로마토그래피하여 상기 화학식 A4 및 B4를 제조하였다.SM1 (one of A3 and B3, 1 eq), platinum chloride (0.05 eq) and toluene (excess) were added, stirred at 95°C for 3 hours, and cooled to room temperature after confirming the completion of the reaction. After filtration through a Celite/silica gel pad, the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and then column chromatography was performed with hexane and ethyl acetate to prepare the above chemical formulas A4 and B4.

상기 화학식 A4 및 B4의 합성법에서 하기 표 4와 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 4의 A4-1 내지 A4-3, 및 B4-1 내지 B4-3를 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 4 below in the synthesis method of the chemical formulas A4 and B4 above, A4-1 to A4-3 and B4-1 to B4-3 in Table 4 below were synthesized in the same manner.

[표 4][Table 4]

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Figure pat00077

화학식 A5의 합성Synthesis of chemical formula A5

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Figure pat00078

SM1(A4 및 B4 중 하나, 1eq)을 디클로로메탄(DCM, excess)에 용해한 후 트리브로모보론(3eq)을 천천히 투입하고 5시간동안 교반하였다. 반응 종결 확인 후 소듐바이카보네이트를 포화시킨 물을 이용하여 중성화 후 추출하고 용매를 감압증류로 제거한뒤 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼 크로마토그래피하여 상기 화학식 A5를 제조하였다.After dissolving SM1 (either A4 or B4, 1 eq) in dichloromethane (DCM, excess), tribromoboron (3 eq) was slowly added and stirred for 5 hours. After confirming the completion of the reaction, water saturated with sodium bicarbonate was used to neutralize and extract, and the solvent was removed by distillation under reduced pressure, and then column chromatography was performed with hexane and ethyl acetate to produce the chemical formula A5.

상기 화학식 A5의 합성법에서 하기 표 5와 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 5의 A5-1 내지 A5-6을 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 5 below in the synthesis method of the chemical formula A5 above, A5-1 to A5-6 in Table 5 below were synthesized in the same manner.

[표 5][Table 5]

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Figure pat00079

화학식 A6의 합성Synthesis of chemical formula A6

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Figure pat00080

화합물 A5(1eq)를 클로로포름(excess)에 용해한 뒤 퍼플루오로부탄설포닉 플루오라이드(1.5eq)와 탄산칼륨(3eq)을 투입하고 실온에서 6시간 동안 교반하였다. 반응 종결 확인 후 물로 추출 3회한 뒤 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼 크로마토그래피하여 상기 화학식 A6을 제조하였다.Compound A5 (1 eq) was dissolved in chloroform (excess), perfluorobutanesulfonic fluoride (1.5 eq) and potassium carbonate (3 eq) were added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After confirming the completion of the reaction, the mixture was extracted three times with water, and then column chromatography was performed with hexane and ethyl acetate to produce the chemical formula A6.

상기 화학식 A6의 합성법에서 하기 표 6과 같이 SM1 및 SM2 를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 6의 A6-1 내지 A6-6을 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 6 below in the synthesis method of the chemical formula A6 above, A6-1 to A6-6 in Table 6 below were synthesized in the same manner.

[표 6][Table 6]

Figure pat00081
Figure pat00081

화학식 A7의 합성Synthesis of chemical formula A7

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Figure pat00082

화합물 A6(1eq)과 1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]언덱-7-엔(1.5eq), 리튬클로라이드(1eq)를 DMF(excess)에 투입하고 교반 가열하였고 120℃에서 비스(트리페닐포스핀)팔라듐 디클로라이드(0.1eq)를 적가하고 12시간 동안 교반 및 환류시켰다. 반응 종결 확인 후 상온으로 식히고 에탄올과 물을 투입 후 필터하고 에틸아세테이트와 헥산으로 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 상기 화학식 A7을 제조하였다.Compound A6 (1 eq) and 1,8-diazabicyclo[5,4,0]undec-7-ene (1.5 eq) and lithium chloride (1 eq) were added to DMF (excess), stirred and heated, and bis(triphenylphosphine)palladium dichloride (0.1 eq) was added dropwise at 120°C, stirred and refluxed for 12 hours. After confirming the completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, ethanol and water were added, filtered, and purified by column chromatography with ethyl acetate and hexane to produce the above chemical formula A7.

상기 화학식 A7의 합성법에서 하기 표 7과 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 7의 A7-1 내지 A7-6을 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 7 below in the synthesis method of the chemical formula A7 above, A7-1 to A7-6 in Table 7 below were synthesized in the same manner.

[표 7][Table 7]

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Figure pat00083

화학식 A8의 합성Synthesis of chemical formula A8

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Figure pat00084

화합물 A7(1eq)과 SM2(1.3eq)를 1,4-디옥산(SM1 대비 12배 질량비)에 투입하고 포타슘아세테이트(3eq)를 추가하여 교반 및 환류시켰다. 비스(디페닐피스피노)페로센 디클로로팔라듐(0.05eq)를 1,4-디옥산에서 5분간 교반 후 투입하고 2시간 후 반응 종결 확인 후 상온으로 식혔다. 에탄올과 물을 투입 후 필터하고 에틸아세테이트와 에탄올으로 재결정으로 정제하여 상기 화학식 A8을 제조하였다.Compound A7 (1 eq) and SM2 (1.3 eq) were added to 1,4-dioxane (12 times the mass ratio compared to SM1), potassium acetate (3 eq) was added, stirred, and refluxed. Bis(diphenylpispino)ferrocene dichloropalladium (0.05 eq) was added after stirring in 1,4-dioxane for 5 minutes, and after 2 hours, the reaction was confirmed to be complete and cooled to room temperature. After adding ethanol and water, filtering was performed, and recrystallization with ethyl acetate and ethanol was purified to produce the above chemical formula A8.

상기 화학식 A8의 합성법에서 하기 표 8과 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 8의 A8-1 내지 A8-6을 합성하였다.Except for changing SM1 and SM2 as shown in Table 8 below in the synthesis method of the chemical formula A8 above, A8-1 to A8-6 in Table 8 below were synthesized in the same manner.

[표 8][Table 8]

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Figure pat00085

Int의 합성Composition of Int

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Figure pat00086

SM1(1eq)와 SM2(1.1eq or 2.1eq)을 테트라하이드로퓨란(excess)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 85℃에서 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하고 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼하여 상기 화학식 int.을 제조하였다.After adding SM1 (1 eq) and SM2 (1.1 eq or 2.1 eq) to tetrahydrofuran (excess), 2 M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio with respect to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added, and the mixture was heated and stirred at 85 ° C. for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and terminating the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed, the layers were separated, and the mixture was purified by column chromatography with hexane and ethyl acetate to produce the chemical formula int.

상기 화학식 int.의 합성법에서 하기 표 9와 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 9의 int 1. 내지 int 12.를 합성하였다.In the synthesis method of the chemical formula int. above, int 1. to int 12. of Table 9 below were synthesized in the same manner, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 9 below.

[표 9][Table 9]

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Figure pat00088

화학식 1의 합성Synthesis of chemical formula 1

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Figure pat00089

SM1(1eq)와 SM2(1.1eq or 할로겐 숫자당 1.1eq)을 테트라하이드로퓨란(excess)에 첨가한 후 2M 포타슘카보네이트 수용액(THF 대비 30 부피비)을 첨가하고, 테트라키스트리페닐-포스피노팔라듐(2 mol%)를 넣은 후, 10시간 동안 85℃에서 가열교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 반응을 종결한 후 포타슘카보네이트 수용액을 제거하여 층분리하고 헥산과 에틸아세테이트로 컬럼하여 상기 화학식 1을 제조하였다.After adding SM1 (1 eq) and SM2 (1.1 eq or 1.1 eq per halogen number) to tetrahydrofuran (excess), 2 M potassium carbonate aqueous solution (30 volume ratio with respect to THF) was added, and tetrakistriphenyl-phosphinopalladium (2 mol%) was added, and the mixture was heated and stirred at 85 ° C. for 10 hours. After lowering the temperature to room temperature and terminating the reaction, the potassium carbonate aqueous solution was removed, the layers were separated, and the mixture was purified by column chromatography with hexane and ethyl acetate to produce the above chemical formula 1.

상기 화학식 1의 합성법에서 하기 표 10과 같이 SM1 및 SM2를 변경한 것을 제외하고는 같은 방법으로 하기 표 10의 화합물 1 내지 화합물 13을 합성하였다.Compounds 1 to 13 of Table 10 below were synthesized using the same method as in the synthetic method of Chemical Formula 1 above, except that SM1 and SM2 were changed as shown in Table 10 below.

[표 10][Table 10]

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Figure pat00090

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Figure pat00091

화학식 1D의 합성Synthesis of chemical formula 1D

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Figure pat00092

반응물(1eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.)을 C6D6(반응물 대비 질량비 10~50배)에 넣고 70℃에서 10분 내지 100분 사이에서 교반하였다. 반응 종료 후 D2O(excess)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (excess)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 클로로포름으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 톨루엔으로 가열하여 재결정하여 하기 표11의 화합물 1-14 내지 화합물 1-17을 수득하였다.The reactant (1 eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.) was added to C 6 D 6 (mass ratio 10 to 50 times that of the reactant) and stirred at 70°C for 10 to 100 minutes. After completion of the reaction, D 2 O (excess) was added and stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (excess) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel and extracted with water and chloroform. The extract was dried over MgSO 4 and recrystallized by heating with toluene to obtain compounds 1-14 to 1-17 in Table 11 below.

[표 11][Table 11]

Figure pat00093
Figure pat00093

각 생성물은 반응시간에 따라 중수소 치환의 정도가 다르며, 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정할수 있다.Each product has a different degree of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate can be determined based on the maximum m/z (M+) value.

<제조예 2-1> 화학식 2의 합성<Manufacturing Example 2-1> Synthesis of Chemical Formula 2

Figure pat00094
Figure pat00094

반응물(1eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.)을 C6D6 (반응물 대비 질량비 10~50배)에 넣고 70℃에서 10분 내지 100분 사이에서 교반하였다. 반응 종료 후 D2O(excess)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (excess)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 클로로포름으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 톨루엔으로 가열하여 재결정하여 하기 표 12의 생성물을 수득하였다.The reactant (1 eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.) was added to C 6 D 6 (mass ratio 10 to 50 times that of the reactant) and stirred at 70°C for 10 to 100 minutes. After the reaction was completed, D 2 O (excess) was added and stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (excess) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel and extracted with water and chloroform. The extract was dried over MgSO 4 and recrystallized by heating with toluene to obtain the product in Table 12 below.

[표 12][Table 12]

Figure pat00095
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Figure pat00096
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Figure pat00097

Figure pat00098
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각 생성물은 반응시간에 따라 중수소치환의 정도가 다르며, 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정할 수 있다.Each product has a different degree of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate can be determined based on the maximum m/z (M+) value.

상기 반응물인 화합물 A 내지 화합물 W는 JP 4070676 B2, KR 1477844 B1, US 6465115 B2, JP 3148176 B2, JP 4025136 B2, JP 4188082 B2, JP 5015459 B2, KR 1979037 B1, KR 1550351 B1, KR 1503766 B1, KR 0826364 B1, KR 0749631 B1, KR 1115255 B1와 같은 선행문헌을 참고하여 합성하였다. 또한, 중수소가 치환된 생성물인 화합물 1-A 내지 1-W는 KR 1538534 B1의 선행문헌을 참고하였다.The above reactants, Compound A to Compound W, were synthesized with reference to prior literature such as JP 4070676 B2, KR 1477844 B1, US 6465115 B2, JP 3148176 B2, JP 4025136 B2, JP 4188082 B2, JP 5015459 B2, KR 1979037 B1, KR 1550351 B1, KR 1503766 B1, KR 0826364 B1, KR 0749631 B1, and KR 1115255 B1. In addition, the compounds 1-A to 1-W, which are deuterium-substituted products, were synthesized with reference to the prior literature of KR 1538534 B1.

<제조예 2-2> 화학식 3의 합성<Manufacturing Example 2-2> Synthesis of Chemical Formula 3

Figure pat00099
Figure pat00099

반응물(1eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.)을 C6D6(반응물 대비 질량비 10~50배)에 넣고 70℃에서 10분 내지 100분 사이에서 교반하였다. 반응 종료 후 D2O(excess)를 넣고 30분 교반한 뒤 트리메틸아민(trimethylamine) (excess)를 적가하였다. 반응액을 분액 깔대기에 옮기고, 물과 클로로포름으로 추출하였다. 추출액을 MgSO4로 건조 후, 톨루엔으로 가열하여 재결정하여 하기 표 13 및 표 14의 생성물을 수득하였다.The reactant (1 eq), Trifluoromethanesulfonic acid (cat.) was added to C 6 D 6 (mass ratio 10 to 50 times that of the reactant) and stirred at 70°C for 10 to 100 minutes. After the reaction was completed, D 2 O (excess) was added and stirred for 30 minutes, and then trimethylamine (excess) was added dropwise. The reaction solution was transferred to a separatory funnel and extracted with water and chloroform. The extract was dried over MgSO 4 and recrystallized by heating with toluene to obtain the products in Tables 13 and 14 below.

[표 13][Table 13]

Figure pat00100
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Figure pat00101
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Figure pat00102
Figure pat00102

Figure pat00103
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Figure pat00104

각 생성물은 반응시간에 따라 중수소치환의 정도가 다르며, 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정할 수 있다.Each product has a different degree of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate can be determined based on the maximum m/z (M+) value.

상기 반응물인 화합물 1# 내지 화합물 27# 은 KR 1964435 B1, KR 1899728 B1, KR 1975945 B1, KR 2018-0098122 A, KR 2018-0102937 A, KR 2018-0103352 A와 같은 자사 선행문헌을 참고하여 합성하였다. 또한, 중수소가 치환된 생성물인 화합물 2-1 내지 2-27은 KR 1538534 B1의 선행문헌을 참고하였다. The above reactants, Compound 1# to Compound 27#, were synthesized by referring to our prior literatures such as KR 1964435 B1, KR 1899728 B1, KR 1975945 B1, KR 2018-0098122 A, KR 2018-0102937 A, and KR 2018-0103352 A. In addition, the deuterium-substituted products, Compound 2-1 to 2-27, were synthesized by referring to the prior literature of KR 1538534 B1.

[표 14][Table 14]

Figure pat00105
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Figure pat00106
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각 생성물은 반응시간에 따라 중수소치환의 정도가 다르며, 최대 m/z (M+) 값에 따라 치환율을 결정할 수 있다.Each product has a different degree of deuterium substitution depending on the reaction time, and the substitution rate can be determined based on the maximum m/z (M+) value.

상기 반응물인 화합물 28# 내지 화합물 47# 은 KR 1994238 B1, KR 1670193 B1, KR 1754445 B1, KR 1368164 B1와 같은 자사 선행문헌을 참고하여 합성하였다. 또한, 중수소가 치환된 생성물인 화합물 2-28 내지 2-47은 KR 1538534 B1의 선행문헌을 참고하였다.The above reactants, Compound 28# to Compound 47#, were synthesized by referring to our prior literatures such as KR 1994238 B1, KR 1670193 B1, KR 1754445 B1, and KR 1368164 B1. In addition, the products substituted with deuterium, Compound 2-28 to 2-47, were synthesized by referring to the prior literature of KR 1538534 B1.

제조예 2의 쌍극자모멘트(DM) 및 승화온도Dipole moment (DM) and sublimation temperature of manufacturing example 2

[표 15][Table 15]

Figure pat00109
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Figure pat00110
Figure pat00110

상기 제조예에서 합성된 화합물의 물성을 상기 표 15에 나타내었다. 화합물 A 내지 W와 화합물 1-A 내지 1-W는 탄소-수소 골격 및 탄소-중수소 골격의 화학적 구조차이를 가지나 기본적인 화학적 골격이 동일하고 쌍극자모멘트의 차이가 거의 동일하므로 이에 대한 수치를 화합물 A 내지 W로 통칭한다. 또한, 화합물 1# 내지 47# 또한 화합물 2-1 내지 화합물 2-47과 동일하며, 이에 대한 수치를 화합물 2-1 내지 화합물 2-47로 통칭하였다.The properties of the compounds synthesized in the above manufacturing examples are shown in Table 15. Compounds A to W and compounds 1-A to 1-W have chemical structural differences in the carbon-hydrogen skeleton and carbon-deuterium skeleton, but have the same basic chemical skeleton and almost the same differences in dipole moments, so the numerical values thereof are collectively referred to as compounds A to W. In addition, compounds 1# to 47# are also the same as compounds 2-1 to 2-47, and the numerical values thereof are collectively referred to as compounds 2-1 to 2-47.

상기 제조예에서 합성된 화합물 중 화학식 1에 해당하는 화합물과 화학식 2에 해당하는 화합물의 화학적 구조적으로 쌍극자 모멘트의 차이를 가지게 한다. 화합물 A 내지 W는 아릴 계열의 치환기를 가짐으로써 탄소와 수소만을 바탕으로 한 골격을 가지고 있고 화학적 구조 내에서 전자의 적고 많음의 구획화가 한정적으로 이루어지고 이에 따라 쌍극자모멘트(DM)가 최대 0.3debye를 초과하지 않는 결과를 보여주고 있다. 반면에, 화합물 1# 내지 47#은 안트라센 골격에 상대적으로 전자가 풍부한 산소를 포함하는 아릴 혹은 헤테로아릴이 포함된 퓨란이 치환됨으로써 탄소-수소 골격을 가지는 화학적 구조에서 전자의 구획화를 심화시킬수 있는 포텐셜을 가지게 됨으로 상대적으로 화합물 A 내지 W보다 높은 쌍극자모멘트(DM)을 가지게 됨을 확인할 수 있다. 따라서, 본 출원에서 제시한 두 구조의 조합은 두 호스트의 DM 차이가 최소 0.2를 초과하는 범위를 가지게 된다. Among the compounds synthesized in the above manufacturing examples, the compounds corresponding to Chemical Formula 1 and the compounds corresponding to Chemical Formula 2 have chemical structural differences in dipole moments. Compounds A to W have a skeleton based only on carbon and hydrogen by having an aryl series substituent, and the compartmentalization of electrons within the chemical structure is limited, and accordingly, the dipole moment (DM) shows a result that does not exceed a maximum of 0.3 debye. On the other hand, compounds 1# to 47# have the potential to deepen the compartmentalization of electrons in a chemical structure having a carbon-hydrogen skeleton by substituting a furan containing an aryl or heteroaryl containing relatively electron-rich oxygen on the anthracene skeleton, and thus it can be confirmed that they have a relatively higher dipole moment (DM) than compounds A to W. Therefore, the combination of the two structures presented in the present application has a range in which the DM difference between the two hosts exceeds a minimum of 0.2.

l DMhost1 - DMhost2 l > 0.2l DM host1 - DM host2 l > 0.2

또한, 상기 제조예에서 합성된 화합물의 승화온도는 400℃ 미만임을 확인할 수 있으며 그 이상의 승화온도를 가질 경우 유기 전계 발광 소자의 소재로 사용하기에 많은 제약점을 가지게 된다.In addition, it can be confirmed that the sublimation temperature of the compound synthesized in the above manufacturing example is less than 400°C, and if it has a sublimation temperature higher than that, it has many limitations in using it as a material for an organic electroluminescent device.

그리고, 화학식 2에 해당하는 화합물 중 1종과 화학식 3에 해당하는 호스트 중 1종의 혼합물을 사전 승화 제작하기 위해서는 하기 식을 만족해야 바람직하다.And, in order to pre-sublimate a mixture of one of the compounds corresponding to chemical formula 2 and one of the hosts corresponding to chemical formula 3, it is desirable to satisfy the following formula.

[식 1][Formula 1]

|Tsub1 - Tsub2| ≤ 20℃|T sub1 - T sub2 | ≤ 20℃

상기 식 1에서, Tsub1은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 승화온도이고, Tsub2는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 승화온도이다.In the above formula 1, T sub1 is the sublimation temperature of the compound represented by the above formula 2, and T sub2 is the sublimation temperature of the compound represented by the above formula 3.

상술한 구성을 만족하는 경우, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물로부터 제공되는 저전압 및 고효율을 재현하면서, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물로부터 제공되는 도펀트의 삼중항 에너지 준위로의 전자주입이 용이하게 되어 엑시톤의 형성 비율이 높아지게 되므로, 발광 효율이 상승하는 이점이 있다.When the above-described configuration is satisfied, the low voltage and high efficiency provided by the compound represented by the chemical formula 2 are reproduced, and electron injection into the triplet energy level of the dopant provided by the compound represented by the chemical formula 3 becomes easy, thereby increasing the formation ratio of excitons, so that there is an advantage of increased luminescence efficiency.

<제조예 3> 혼합물의 제조예<Manufacturing Example 3> Manufacturing Example of a Mixture

혼합할 호스트 2종에 해당하는 두 화합물(화학식 2 및 3의 각 화합물 1종씩) 예비 혼합성을 증발된 막의 고압 액체 크로마토그래피(HPLC) 분석으로 시험하였다. 본 혼합물의 제조예에서는 화합물 J(화학식 2)와 화합물 6#(화학식 3)를 사용하였다.The preliminary miscibility of two compounds (one each of formulae 2 and 3) corresponding to two hosts to be mixed was tested by high pressure liquid chromatography (HPLC) analysis of the evaporated membrane. In the preparation example of this mixture, compound J (formula 2) and compound 6# (formula 3) were used.

이 목적을 위해, 0.15g의 화합물 J(또는 화합물 1-J)와 0.15g의 화합물 6#(또는 화합물 2-6)을 1 : 1 혼합하고 분쇄하였다. 0.3g의 혼합물을 VTE 진공 챔버의 증발원 내로 로딩하였다. 챔버를 펌핑하여 10-7 Torr의 압력으로 감압하였다. 예비 혼합된 성분들을 유리 기판 상에 2 Å/초의 속도로 증착시켰다. 원료를 냉각하는 것을 피하고 원료가 적합한 온도에서 유지되도록 증착 공정을 중단하지 않으면서 600Å의 막을 증착시킨 후 기판을 연속적으로 2회 더 대체시켰다. 증착된 막을 HPLC로 분석하고 결과를 하기 도 5에 나타내었다. 3개의 이러한 기판 샘플을 취하고 하기 Film 1 내지 Film 3으로 표지하였다. 화합물 J(화학식 2)와 화합물 6#(화학식 3)의 조성은 Film 1 내지 Film 3으로부터 유의적으로 변하지 않았다. 공정 전체에 걸쳐 10%, 바람직하게는 5% 이내의 증착 전 및 후의 농도의 변화는 시판 OLED 용도에 우수하고 유용한 것으로 고려되고, 혼합된 두 화합물의 승화 온도의 차이가 20℃ 이하의 온도 차이에서 상기의 농도변화를 유지할 수 있다고 보여진다. 상기 화합물 J와 화합물 6#의 승화 온도 차이는 10℃ 이었다.For this purpose, 0.15 g of compound J (or compound 1-J) and 0.15 g of compound 6# (or compound 2-6) were mixed 1:1 and ground. 0.3 g of the mixture was loaded into the evaporation source of a VTE vacuum chamber. The chamber was pumped and depressurized to a pressure of 10 -7 Torr. The premixed components were deposited on a glass substrate at a rate of 2 Å/sec. After depositing a 600 Å film, the substrate was replaced twice more consecutively without stopping the deposition process to avoid cooling the raw materials and to maintain the raw materials at a suitable temperature. The deposited films were analyzed by HPLC and the results are shown in Fig. 5 below. Three such substrate samples were taken and labeled as Film 1 to Film 3 below. The compositions of compound J (formula 2) and compound 6# (formula 3) did not change significantly from Film 1 to Film 3. A change in concentration before and after deposition of less than 10%, preferably less than 5% throughout the process is considered to be excellent and useful for commercial OLED applications, and it is believed that the difference in sublimation temperatures of the two mixed compounds can maintain the above concentration change at a temperature difference of less than 20°C. The difference in sublimation temperatures of the compound J and the compound 6# was 10°C.

하기처럼 농도에서의 약간의 변동은 소자적으로 아무 경향도 드러내지 않았고 샘플 수집 및 HPLC 분석은 하기 식 2에 의해 설명될 수 있었다. 보다 구체적으로, 제1 화합물(화합물 J) 또는 제2 화합물(화합물 6#)은 상기 혼합물에서 농도 C1을 갖고, 상기 혼합물을 1 × 10-4 Torr 내지 1 × 10-9 Torr의 챔버 기저 압력을 갖는 고진공 증착 기구 중에서, 상기 혼합물이 증발되는 곳으로부터 정해진 거리로 떨어져 위치한 표면 상에 1 Å/s 내지 10 Å/s의 증착속도로 증발시킴으로써 형성된 필름에서 농도 C2를 가지며, 하기 식 2를 만족한다.As shown below, a slight variation in concentration did not reveal any trend in the element, and the sample collection and HPLC analysis could be explained by the following Equation 2. More specifically, the first compound (Compound J) or the second compound (Compound 6#) has a concentration C1 in the mixture, and a film formed by evaporating the mixture at a deposition rate of 1 Å / s to 10 Å/s on a surface located a set distance away from a place where the mixture is evaporated in a high vacuum deposition apparatus having a chamber base pressure of 1 × 10 -4 Torr to 1 × 10 -9 Torr has a concentration C2, and satisfies the following Equation 2.

[식 2][Formula 2]

l (C1-C2)/C1 l < 10 %l (C1-C2)/C1 l < 10 %

화합물 6#로 표시되는 화합물은 상기 조성물에서 농도 C1 : 48.85%일 경우, Film 1의 농도가 47.69% 이므로 농도 변화는 2.3% 이고, Film 2의 농도가 47.69% 이므로 농도 변화는 3.9% 이며, Film 3의 농도가 47.69% 이므로 농도 변화는 2.3% 이다. The compound represented by compound 6# has a concentration of C1: 48.85% in the above composition, and therefore the concentration of Film 1 is 47.69%, so the concentration change is 2.3%, the concentration of Film 2 is 47.69%, so the concentration change is 3.9%, and the concentration of Film 3 is 47.69%, so the concentration change is 2.3%.

제작된 Film 1 내지 Film 3에서 농도 변화가 유의적으로 변하지 않았고 Film 간의 편차가 작음을 관찰할 수 있었다. 따라서 상기와 같은 조건이 바람직하다.It was observed that the concentration change did not significantly change in the produced Films 1 to 3 and that the deviation between the films was small. Therefore, the above conditions are desirable.

<제조예 4> 혼합물의 비교제조예<Manufacturing Example 4> Comparative Manufacturing Example of a Mixture

하기는 본 명세서에서 제시한 조건을 벗어나는 혼합물 결과를 예시적으로 나타내었다. 하기 혼합물의 비교제조예에서는 화합물 B(화학식 2)와 화합물24#(화학식 3)를 사용하였다.The following is an example of a mixture result that deviates from the conditions presented in this specification. In the comparative preparation example of the mixture below, compound B (chemical formula 2) and compound 24# (chemical formula 3) were used.

혼합을 위해, 0.21g의 화합물 B(또는 화합물 1-B)와 0.09g의 화합물 24#(또는 화합물 2-24)를 7 : 3으로 혼합하고 분쇄하였다. 제작의 조건은 상기 제조예 3의 혼합물의 제조예와 같으며 결과는 하기 도 6에 나타내었다. For mixing, 0.21 g of compound B (or compound 1-B) and 0.09 g of compound 24# (or compound 2-24) were mixed in a ratio of 7:3 and ground. The conditions for production were the same as those for the mixture of Manufacturing Example 3 above, and the results are shown in Figure 6 below.

상기 식 2에 의거하여; 화합물 B로 표시되는 화합물은 상기 조성물에서 농도 C1 : 69.30% 일 경우, Film 1의 농도가 65.42% 이므로 농도 변화는 5.5% 이고, Film 2의 농도가 61.22% 이므로 농도 변화는 11.6% 이며, Film 3의 농도가 62.82% 이므로 농도 변화는 9.3% 이다.According to the above formula 2; when the concentration of the compound represented by compound B in the above composition is C1: 69.30%, the concentration of Film 1 is 65.42%, so the concentration change is 5.5%, the concentration of Film 2 is 61.22%, so the concentration change is 11.6%, and the concentration of Film 3 is 62.82%, so the concentration change is 9.3%.

제작된 Film 1 내지 Film 3에서 농도 변화가 유의적으로 변하였고, 특히 10% 이상의 변화가 관찰되며 Film 간의 편차가 큼을 관찰할 수 있었다. 따라서 상기와 같은 조건이 바람직하지 않다.It was observed that the concentration change significantly changed in the produced Film 1 to Film 3, and in particular, a change of more than 10% was observed, and a large deviation between the films was observed. Therefore, the above conditions are not desirable.

<실시예 1> OLED의 제조<Example 1> Manufacturing of OLED

양극으로서 ITO/Ag/ITO가 70Å/1,000Å/70Å 증착된 기판을 50mm × 50mm × 0.5mm크기로 잘라서 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.The substrate on which ITO/Ag/ITO was deposited as an anode at 70Å/1,000Å/70Å was cut into 50 mm × 50 mm × 0.5 mm sizes, placed in distilled water containing a dispersant, and ultrasonically cleaned. The detergent used was a product of Fischer Co., and the distilled water used was distilled water that had been filtered twice through a filter of Millipore Co. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol solvents, and then dried.

이렇게 준비된 양극 위에 HI-1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 HT1을 두께 1,150Å로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 다음에 EB1(150Å)를 이용하여 정공조절층을 형성하였다. 그 다음에 제1 발광층으로 제조예 1에서 합성한 호스트 화합물 1-11 및 도판트 BD1(2 중량%)을 60Å의 두께로 진공 증착하여 형성하고, 그 후 제2 발광층으로 제조예 2에서 합성한 호스트 화합물 A 및 도판트 BD1(2 중량%)을 300Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 그 후 HB1을 50Å 증착하여 전자조절층을 형성하고, 화합물 ET1와 Liq를 5 : 5(질량비)로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로 50Å 두께의 마그네슘과 리튬 플루오라이드(LiF)을 전자주입층으로 성막한 후 음극으로 마그네슘과 은(1 : 4)로 200Å 형성시킨 후 CP1을 600Å 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였다.On the anode thus prepared, HI-1 was vacuum-deposited with a thickness of 50Å to form a hole injection layer, and HT1, a material that transports holes, was vacuum-deposited with a thickness of 1,150Å thereon to form a hole transport layer. Next, a hole control layer was formed using EB1 (150Å). Next, the host compound 1-11 synthesized in Manufacturing Example 1 and the dopant BD1 (2 wt%) were vacuum-deposited with a thickness of 60Å to form a first emitting layer, and then the host compound A synthesized in Manufacturing Example 2 and the dopant BD1 (2 wt%) were vacuum-deposited with a thickness of 300Å to form a second emitting layer. Thereafter, HB1 was deposited with a thickness of 50Å to form an electron control layer, and the compound ET1 and Liq were mixed at a mass ratio of 5:5 to form an electron transport layer with a thickness of 250Å. After sequentially depositing 50Å thick magnesium and lithium fluoride (LiF) as electron injection layers, 200Å thick magnesium and silver (1:4) were formed as a cathode, and then 600Å thick CP1 was deposited to complete the device. During the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å/sec.

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<비교예 1 내지 8, 및 실시예 1 내지 86><Comparative Examples 1 to 8 and Examples 1 to 86>

상기 비교예 1 내지 8, 및 실시예 1 내지 86에서 발광층의 재료를 하기 표 16에 기재된 물질을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제조하였다.Devices were manufactured in the same manner as in Example 1, except that in Comparative Examples 1 to 8 and Examples 1 to 86, the materials of the light-emitting layer were used as those described in Table 16 below.

상기 비교예 1 내지 8, 및 실시예 1 내지 86에서 제조된 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압, 발광 효율, 및 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 16에 나타내었다.The driving voltage, luminous efficiency, and time to reach 95% of the initial luminance (LT95) of the devices manufactured in Comparative Examples 1 to 8 and Examples 1 to 86 were measured at a current density of 20 mA/cm 2 . The results are shown in Table 16 below.

[표 16][Table 16]

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상기 표 16의 결과는 발광층이 두층으로 형성된 소자 구조를 가지며, 제1 발광층의 호스트와 제2 발광층의 호스트가 단독 호스트이면서, 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이 제1 발광층의 호스트로 구성되어 있는 경우이다.The results in Table 16 above are for a device structure in which the light-emitting layer is formed in two layers, and the host of the first light-emitting layer and the host of the second light-emitting layer are single hosts, and a compound according to one embodiment of the present application is configured as the host of the first light-emitting layer.

상기 비교예 1 내지 4는 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이 적용되지 않고, 일반적인 아릴 계열 안트라센 호스트가 제2 발광층의 호스트로 사용된 것으로, 실시예 1 내지 86 대비 낮은 효율 및 수명, 특히 현저히 높은 전압을 보여주고 있다. 이 중 비교예 2 및 3 은 제2 발광층의 호스트가 중수소가 포함된 구조로 일정 부분의 수명 개선 효과가 있더라도 실시예 대비 현저히 낮은 전반적인 소자 성능의 효과가 크지 않음을 알 수 있었다. 그리고 보론 계열의 청색 도판트인 BD2를 적용한 경우의 비교예 4에서도 비교예 2와 살펴볼 때 경향성이 유지된다.The above Comparative Examples 1 to 4 were not applied with a compound according to one embodiment of the present application, and a general aryl series anthracene host was used as the host for the second light-emitting layer, and showed lower efficiency and lifespan, and particularly, significantly higher voltage, compared to Examples 1 to 86. Among these, Comparative Examples 2 and 3 showed that even though the host for the second light-emitting layer had a structure containing deuterium and thus had a lifespan improvement effect to some extent, the effect of the overall device performance being significantly lower than that of the Examples was not significant. In Comparative Example 4, where BD2, a blue dopant of the boron series, was applied, the tendency was maintained compared to Comparative Example 2.

상기 비교예 5 내지 8은 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이 적용되지 않고, 일반적인 헤테로아릴 계열 안트라센 호스트가 제2 발광층의 호스트로 사용된 것으로, 이 역시 비교예 1 내지 4 대비 저전압을 특히 보여주고 있기는 하지만 실시예 1 내지 86 대비해서는 역시 낮은 효율 및 수명, 높은 전압을 보여주고 있다. 이 중 비교예 7 은 상기 비교예 2 및 3과 같이 제2 발광층의 호스트가 중수소가 포함된 구조로 일정 부분의 수명 개선 효과가 있더라도 실시예 대비 현저히 낮은 전반적인 소자 성능의 효과가 크지 않음을 알 수 있었다. 그리고, 보론 계열의 청색 도판트인 BD2를 적용한 경우의 비교예 8에서도 비교예 7과 살펴볼 때 이 역시 경향성이 유지된다.The above Comparative Examples 5 to 8 were not applied with a compound according to one embodiment of the present application, and a general heteroaryl series anthracene host was used as the host for the second light-emitting layer. Although these also showed a low voltage compared to Comparative Examples 1 to 4, they also showed low efficiency and lifespan and high voltage compared to Examples 1 to 86. Among these, Comparative Example 7 showed that, although there was a certain degree of lifespan improvement effect due to the structure in which the host for the second light-emitting layer contained deuterium like Comparative Examples 2 and 3, the effect of the overall device performance, which was significantly lower than that of the Examples, was not significant. In addition, in Comparative Example 8 where BD2, a blue dopant of the boron series, was applied, this tendency was also maintained compared to Comparative Example 7.

본 출원의 실시예 1 내지 86에서는 화학식 1에 해당하는 화합물을 제1 발광층의 호스트로 적용하여 정공의 주입 및 전자의 장벽 역할을 키워주고 발광층 내의 발광 영역을 변화시키고, 제2 발광층의 호스트로 기존의 아릴 및 헤테로아릴 계열이 치환된 안트라센 호스트로 청색 발광 소자에서 현재 중요하게 여겨지는 저전압 특성 및 효율을 유지하면서 소자의 성능을 확보하였음을 알 수 있다.In Examples 1 to 86 of the present application, by applying a compound corresponding to Chemical Formula 1 as a host for the first light-emitting layer, the role of hole injection and electron barrier is enhanced and the light-emitting region within the light-emitting layer is changed, and by using an anthracene host substituted with the existing aryl and heteroaryl series as a host for the second light-emitting layer, it can be seen that the performance of the device is secured while maintaining the low-voltage characteristics and efficiency that are currently considered important in blue light-emitting devices.

실시예 1 내지 23은 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이 제1 발광층의 호스트로, 아릴 계열 안트라센 호스트가 제2 발광층의 호스트로 사용된 것으로, 제2 발광층의 호스트로 중수소가 미적용된 H 화합물이 도입된 경우(실시예 1, 5, 8, 12, 16, 19, 21)와 중수소가 적용된 D 화합물이 도입된 경우(그 외 나머지)로 평가해보았으며 두층 발광층의 효과를 각 경우 확인하고자 하였다. 제2 발광층 호스트의 중수소 치환을 통한 수명 개선이 추가적으로 가능한 데이터를 보았으며, 또한 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이 제1 발광층의 호스트로 사용한 경우의 소자 성능 개선을 확실히 확인할 수 있었다.Examples 1 to 23 were conducted in which a compound according to one embodiment of the present application was used as a host for a first light-emitting layer, and an aryl anthracene host was used as a host for a second light-emitting layer. The evaluations were conducted in cases where an H compound without deuterium was introduced as a host for the second light-emitting layer (Examples 1, 5, 8, 12, 16, 19, and 21) and a D compound with deuterium was introduced (the remaining cases), and the effect of the two-layer light-emitting layer was confirmed in each case. Data showing that additional improvement in lifespan through deuterium substitution of the second light-emitting layer host was possible were observed, and in addition, improvement in device performance was clearly confirmed when a compound according to one embodiment of the present application was used as a host for the first light-emitting layer.

이에 실시예 24 내지 27에서는 실시예 23, 18, 17, 14와 대비하여 청구 범위의 화합물을 중수소 치환하여 이를 제1 발광층의 호스트로 적용하여 소자 결과를 비교하였다. 정공 조절층에 인접하게 형성되는 제1 발광층의 경우 중수소 치환을 통하여 추가적인 수명이 개선됨을 관찰할 수 있었다.In Examples 24 to 27, the compounds of the claimed invention were substituted with deuterium in comparison with Examples 23, 18, 17, and 14, and applied as hosts for the first light-emitting layer to compare the device results. In the case of the first light-emitting layer formed adjacent to the hole control layer, it was observed that the lifespan was additionally improved through deuterium substitution.

실시예 28 내지 31에서는 상기 실시예 24 내지 27의 소자에서 청색 도판트만 BD1 -> BD2를 각 발광층의 경우에 적용하여 소자의 경향성 및 성능을 확인하였고 보론 계열의 도판트인 BD2가 되었을 때 추가적인 효율 향상을 시키면서도 수명 개선이 유지되는 경향성을 확인하였다.In Examples 28 to 31, only the blue dopant BD1 -> BD2 was applied to each light-emitting layer in the devices of Examples 24 to 27 to confirm the tendency and performance of the devices, and it was confirmed that when BD2, a boron series dopant, was used, additional efficiency was improved while maintaining the tendency for lifespan improvement.

실시예 32 내지 58은 실시예 1 내지 23과 다르게 디벤조푸란, 나프토벤조푸란, 트리페닐디푸란 등의 다양한 헤테로아릴이 결합된 안트라센 유도체가 제2 발광층의 호스트로 도입되었으며 실시예 1 내지 23 대비 상대적으로 낮은 전압, 낮은 수명을 가지는 특성을 보였으나 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물을 제1 발광층의 호스트로 적용하여 제작된 소자 구조에서는 상기 실시예 1 내지 23 과 같이 특성을 유지하면서 소자의 개선을 확인할 수 있었다.Examples 32 to 58, unlike Examples 1 to 23, introduced anthracene derivatives bonded with various heteroaryls such as dibenzofuran, naphthobenzofuran, and triphenyldifuran as the host of the second light-emitting layer, and exhibited characteristics of relatively low voltage and low lifespan compared to Examples 1 to 23. However, in a device structure manufactured by applying a compound according to one embodiment of the present application as a host of the first light-emitting layer, it was confirmed that the device was improved while maintaining the characteristics as in Examples 1 to 23.

실시예 79 내지 86에서는 상기 실시예 24 내지 31에서의 결과와 같이 변경사항을 도입시켜보았고 이에 대한 결과도 우수한 소자 성능으로 검증되었다.In Examples 79 to 86, changes were introduced similar to the results in Examples 24 to 31, and the results were verified as excellent device performance.

<실시예 87> OLED의 제조<Example 87> Manufacturing of OLED

양극으로서 ITO/Ag/ITO가 70Å/1,000Å/70Å 증착된 기판을 50mm × 50mm × 0.5mm크기로 잘라서 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터(Filter)로 2차 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올 용제 순서로 초음파 세척을 하고 건조시켰다.The substrate on which ITO/Ag/ITO was deposited as an anode at 70Å/1,000Å/70Å was cut into 50 mm × 50 mm × 0.5 mm sizes, placed in distilled water containing a dispersant, and ultrasonically cleaned. The detergent used was a product of Fischer Co., and the distilled water used was distilled water that had been filtered a second time through a filter of Millipore Co. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed in the order of isopropyl alcohol, acetone, and methanol solvents, and then dried.

이렇게 준비된 양극 위에 HI-1을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 HT1을 두께 1,150Å로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 다음에 EB1(150Å)를 이용하여 정공조절층을 형성하였다. 그 다음에 제1 발광층으로 제조예 1에서 합성한 호스트 화합물 1-2 및 도판트 BD1(2 중량%)을 60Å의 두께로 진공 증착하여 형성하고, 그 후 제2 발광층으로 제조예 2에서 합성한 호스트 화합물 B 및 제조예 2에서 합성한 화합물 2-3, 도판트 BD1(2 중량%)을 300Å의 두께로 진공 공증착하여 발광층을 형성하였다. 그 후 HB1을 50Å 증착하여 전자조절층을 형성하고, 화합물 ET1와 Liq를 5 : 5(질량비)로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로 50Å 두께의 마그네슘과 리튬 플루오라이드(LiF)을 전자주입층으로 성막한 후 음극으로 마그네슘과 은(1 : 4)로 200Å 형성시킨 후 CP1을 600Å 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1 Å/sec를 유지하였다.On the anode thus prepared, HI-1 was vacuum-deposited with a thickness of 50Å to form a hole injection layer, and HT1, a material that transports holes, was vacuum-deposited with a thickness of 1,150Å to form a hole transport layer. Next, a hole control layer was formed using EB1 (150Å). Next, the host compound 1-2 synthesized in Manufacturing Example 1 and the dopant BD1 (2 wt%) were vacuum-deposited with a thickness of 60Å to form a first emitting layer, and then the host compound B synthesized in Manufacturing Example 2, the compound 2-3 synthesized in Manufacturing Example 2, and the dopant BD1 (2 wt%) were vacuum-co-deposited with a thickness of 300Å to form a emitting layer. Thereafter, HB1 was deposited with a thickness of 50Å to form an electron control layer, and the compound ET1 and Liq were mixed in a mass ratio of 5:5 to form an electron transport layer with a thickness of 250Å. After sequentially depositing 50Å thick magnesium and lithium fluoride (LiF) as electron injection layers, 200Å thick magnesium and silver (1:4) were formed as a cathode, and then 600Å thick CP1 was deposited to complete the device. During the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 1 Å/sec.

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<비교예 9 내지 18, 및 실시예 87 내지 122><Comparative Examples 9 to 18 and Examples 87 to 122>

상기 비교예 9 내지 18, 및 실시예 87 내지 122에서 발광층의 재료를 하기 표 17에 기재된 물질을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 87 과 동일한 방법으로 소자를 제조하였다.Devices were manufactured in the same manner as in Example 87, except that in Comparative Examples 9 to 18 and Examples 87 to 122, the materials of the light-emitting layer were the materials described in Table 17 below.

단, 제2 발광층의 호스트는 하기 표 17에 나타낸 바와 같이 두 가지 호스트를 소자 제작시 다른 증발 소스를 통하여 공증착하여 발광층을 형성한 실시예와 두 가지 호스트 화합물을 미리 제작한 사전 혼합물을 사용한 실시예를 모두 나타내었다.However, the host of the second light-emitting layer showed both an example in which the light-emitting layer was formed by co-depositing two hosts through different evaporation sources during device fabrication, as shown in Table 17 below, and an example in which a pre-mixture of two host compounds was used.

특히 제2 발광층의 호스트를 사전 혼합물을 제작하기 조건은 상기에 언급한 바 있으며 표 17의 비교예 9 내지 18, 및 실시예 87 내지 122에 적용된 제2 발광층의 호스트 2종은 모두 사전 혼합물을 제작할 수 있음을 표 18에 나타내었다.In particular, the conditions for producing a pre-mixture of the host of the second light-emitting layer are as mentioned above, and both types of hosts of the second light-emitting layer applied to Comparative Examples 9 to 18 and Examples 87 to 122 of Table 17 can produce a pre-mixture, as shown in Table 18.

상기 비교예 9 내지 18, 및 실시예 87 내지 122에서 제조된 소자를 20 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압, 발광 효율, 및 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT95)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 17에 나타내었다.The driving voltage, luminous efficiency, and time to reach 95% of the initial luminance (LT95) of the devices manufactured in Comparative Examples 9 to 18 and Examples 87 to 122 were measured at a current density of 20 mA/cm 2 . The results are shown in Table 17 below.

[표 17][Table 17]

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상기 표 17의 결과는 발광층이 두층으로 형성되어 있고 제1 발광층의 호스트는 단독 호스트로서 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물이고, 제2 발광층의 호스트는 혼합 호스트-공증착 또는 사전 혼합물인 안트라센 2종 혼합 호스트로 구성되어 있는 경우이다.The results in Table 17 above are when the light-emitting layer is formed of two layers, and the host of the first light-emitting layer is a compound according to one embodiment of the present application as a single host, and the host of the second light-emitting layer is composed of a mixed host-co-deposition or pre-mixture of two types of anthracene.

비교예 9 및 10은 널리 사용되고 있는 아릴 계열 안트라센 화합물 중 H 화합물(수소만 치환된 골격)과 D 화합물(중수소가 일부 혹은 전체 치환된 화합물)을 사용하여 공증착 혹은 사전 혼합물을 제조하여 증착시켜 제2 발광층의 호스트를 형성시킨 예시이다. 추가적으로 비교예 11, 12 및 13은 아릴계열 안트라센 화합물과 헤테로아릴 계열 안트라센 화합물 2종(2종 중 하나 이상은 D 화합물)을 공증착 또는 사전 혼합물을 제조하여 증착시켜 제2 발광층의 호스트를 형성시킨 예시이다. 비교예 14, 15 및 16은 헤테로아릴 계열 안트라센 화합물 2종(2종 중 하나 이상은 D 화합물)을 공증착 또는 사전 혼합물을 제조하여 증착시켜 제2 발광층의 호스트를 형성시킨 예시이다.Comparative Examples 9 and 10 are examples in which a host for a second light-emitting layer was formed by co-deposition or preparing a pre-mixture using an H compound (skeleton with only hydrogen substituted) and a D compound (compound with some or all deuterium substituted), which are widely used, and depositing the mixture. Additionally, Comparative Examples 11, 12, and 13 are examples in which a host for a second light-emitting layer was formed by co-deposition or preparing a pre-mixture using an aryl anthracene compound and two kinds of heteroaryl anthracene compounds (at least one of the two kinds is a D compound). Comparative Examples 14, 15, and 16 are examples in which a host for a second light-emitting layer was formed by co-deposition or preparing a pre-mixture using two kinds of heteroaryl anthracene compounds (at least one of the two kinds is a D compound).

앞서 표 16의 비교예 1 내지 비교예 8의 단독 호스트인 경우와 비교하였을 때 혼합 호스트를 사용하여 발광층을 형성시키는 것이 소자 성능을 개선시키게 됨을 알 수 있다. 이는 선행문헌 KR 2021-0148951 A, KR 2021-0092513 A 에서도 확인할 수 있다. 또한 비교예 17 및 18은 표 16의 비교예 4와 같이 보론 계열 청색 도판트를 적용하였으며 혼합 호스트(공증착 또는 사전 혼합물 제조)의 경우에도 특성 유지 및 소자 성능 개선 유지가 이루어짐을 확인할 수 있다.Compared to the case of a single host in Comparative Examples 1 to 8 of Table 16, it can be seen that forming a light-emitting layer using a mixed host improves the device performance. This can also be confirmed in prior literatures KR 2021-0148951 A and KR 2021-0092513 A. In addition, Comparative Examples 17 and 18 applied a boron-based blue dopant like Comparative Example 4 of Table 16, and it can be confirmed that even in the case of a mixed host (co-deposition or pre-mixture preparation), the characteristics were maintained and the device performance was improved.

실시예 87 내지 102는 앞서 기술한 본 출원의 특징이 포함된 실시예로써 제1 발광층의 호스트로 본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물을 사용하고, 제2 발광층의 호스트가 다양한 안트라센(아릴 또는 헤테로아릴 계열, 둘 중 하나는 중수소 치환된 D화합물) 화합물의 조합으로 공증착(1 : 1 질량비) 하여 형성됨으로써 비교예 9 내지 18 대비 매우 우수한 전압과 효율 특성을 보이고 수명 또한 상승시킬 수 있음을 관찰할 수 있다.Examples 87 to 102 are examples including the features of the present application described above, in which a compound according to one embodiment of the present application is used as a host for the first light-emitting layer, and a host for the second light-emitting layer is formed by co-deposition (1:1 mass ratio) of a combination of various anthracene compounds (aryl or heteroaryl series, one of which is a deuterium-substituted D compound), thereby showing excellent voltage and efficiency characteristics compared to Comparative Examples 9 to 18, and it can be observed that the lifespan can also be increased.

실시예 103 내지 106은 상기 실시예 87 내지 102의 제2 발광층의 호스트와 다르게 호스트 2종 모두 중수소 치환된 D 화합물로 공증착하여 소자를 제작한 것으로 실시예 92, 87, 95 및 93과 대비하여 평균 15%의 추가 수명 상승을 보였으며 실시예 107 내지 110은 실시예 103 내지 106과 다르게 제1 발광층의 화합물 중 화합물 1-1, 1-2, 1-5 및 1-12의 중수소화 버전인 화합물 1-14 내지 1-17을 적용시켜 소자를 구성하였다. 이 또한 표 16의 결과에서 언급한 바와 같이 정공 조절층에 인접하게 형성되는 제1 발광층의 경우 중수소 치환을 통하여 추가적인 수명이 개선됨을 관찰할 수 있었다.Examples 103 to 106, unlike the host of the second light-emitting layer of Examples 87 to 102, were co-deposited with a D compound in which both hosts were substituted with deuterium to fabricate the devices, and showed an average of 15% additional lifetime increase compared to Examples 92, 87, 95, and 93. In addition, Examples 107 to 110, unlike Examples 103 to 106, were formed by applying Compounds 1-14 to 1-17, which are deuterated versions of Compounds 1-1, 1-2, 1-5, and 1-12 among the compounds of the first light-emitting layer, to fabricate the devices. As mentioned in the results of Table 16, it was observed that the lifespan was additionally improved through deuterium substitution in the first light-emitting layer formed adjacent to the hole control layer.

실시예 111 내지 114는 실시예 107 내지 110의 제2 발광층의 호스트 공증착 방식을 2종의 호스트를 사전 혼합물을 형성한 뒤 하나의 증착 소스에서 증발시키는 방식으로 변경시켜 제작한 소자이다. 사전 혼합물의 형성 조건에 대하여서는 본문을 참조하여 실행하였으며 분자 단위의 고른 혼합효과로 인하여 공증착 소자의 소자 성능을 유지 또는 안정적 개선을 보이고 있다.Examples 111 to 114 are devices manufactured by changing the host co-deposition method of the second light-emitting layer of Examples 107 to 110 to a method in which two types of hosts are formed as a pre-mixture and then evaporated from a single deposition source. The conditions for forming the pre-mixture were implemented with reference to the text, and the device performance of the co-deposition device is maintained or stably improved due to the even mixing effect at the molecular level.

실시예 115 내지 118은 이중 발광층의 하나 또는 모두를 BD2(보론 계열 청색 도판트)를 적용하고 사전 혼합물 호스트를 적용시킨 경우로 파이렌 도판트 대비 높은 효율을 유지하면서도 사전 혼합 호스트의 장점을 유지함을 알 수 있다.Examples 115 to 118 show that one or both of the dual light-emitting layers are applied with BD2 (a boron-based blue dopant) and a pre-mixed host, and that the advantages of the pre-mixed host are maintained while maintaining high efficiency compared to the pyrene dopant.

실시예 119 내지 122은 실시예 115 내지 118에서 제2 발광층의 사전 혼합물의 두 가지 화합물의 비율을 변경시켜 제작하여 증착하여 호스트를 형성시킨 경우로 두 가지 화합물의 장단점을 비율을 통해 적용시켜 소자에 반영시킬 수 있음을 나타낸다.Examples 119 to 122 are cases where the host was formed by depositing the two compounds of the pre-mixture of the second light-emitting layer in Examples 115 to 118 by changing the ratio, thereby showing that the advantages and disadvantages of the two compounds can be reflected in the device by applying them through the ratio.

1: 기판
2: 제1 전극
3: 제2 전극
4: 발광층
4-1: 제1 발광층
4-2: 제2 발광층
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 정공조절층
8: 전자조절층
9: 전자수송층
10: 전자주입층
11: 캡핑층
1: Substrate
2: First electrode
3: Second electrode
4: Emitting layer
4-1: First light-emitting layer
4-2: Second light-emitting layer
5: Hole injection layer
6: Hole transport layer
7: Hole control layer
8: Electronic control layer
9: Electron transport layer
10: Electron injection layer
11: Capping layer

Claims (19)

하기 화학식 1의 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00122

상기 화학식 1에 있어서,
R1 내지 R10 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이며,
Ar1은 치환 또는 비치환된 벤조잔틴기; 치환 또는 비치환된 벤조티오잔틴기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기이고,
x는 1 또는 2 이며,
m은 0 내지 3 이고, m이 2 이상인 경우에 2 이상의 L1는 서로 같거나 상이하며,
y는 1 또는 2 이고, y가 2인 경우에 2개의 Ar1는 서로 같거나 상이하다.
A compound of the following chemical formula 1:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00122

In the above chemical formula 1,
One of R 1 to R 10 is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different from each other, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bonds with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring,
L 1 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted divalent heterocyclic group,
Ar 1 is a substituted or unsubstituted benzoxanthine group; a substituted or unsubstituted benzothioxanthine group; a substituted or unsubstituted carbazole group; a substituted or unsubstituted dibenzofuran group; or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene group,
x is 1 or 2,
m is 0 to 3, and when m is 2 or more, two or more L 1 are equal to or different from each other,
y is 1 or 2, and when y is 2, the two Ar 1 are equal or different.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A인 것인 화합물:
[화학식 1-A]
Figure pat00123

상기 화학식 1-A에 있어서,
R1 내지 R10, L1, x, m, 및 y의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X1은 O 또는 S 이며,
R101 내지 R110 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
In claim 1, the chemical formula 1 is a compound having the following chemical formula 1-A:
[Chemical Formula 1-A]
Figure pat00123

In the above chemical formula 1-A,
The definitions of R 1 to R 10 , L 1 , x, m, and y are the same as those defined in the chemical formula 1 above,
X 1 is O or S,
Any one of R 101 to R 110 is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bonds with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-B인 것인 화합물:
[화학식 1-B]
Figure pat00124

상기 화학식 1-B에 있어서,
R1 내지 R10, L1, x, m, 및 y의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
X2는 O, S 또는 NR 이며,
R201 내지 R210, 및 R 중 어느 하나는 L1과 결합되는 부분이고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
In claim 1, the chemical formula 1 is a compound having the following chemical formula 1-B:
[Chemical Formula 1-B]
Figure pat00124

In the above chemical formula 1-B,
The definitions of R 1 to R 10 , L 1 , x, m, and y are the same as those defined in the chemical formula 1 above,
X 2 is O, S or NR,
One of R 201 to R 210 , and R is a moiety bonded to L 1 , and the rest are the same or different, and each independently represents hydrogen; deuterium; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or bonds with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 적어도 하나의 중수소를 포함하는 것인 화합물.A compound according to claim 1, wherein the chemical formula 1 contains at least one deuterium. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 중수소 치환율은 40% 내지 99%인 것인 화합물.A compound according to claim 1, wherein the deuterium substitution rate of the chemical formula 1 is 40% to 99%. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:






In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:






청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:





In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:





청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:




In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:




청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:






In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:






청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:




In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:




청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:




In claim 1, the chemical formula 1 is a compound selected from the following compounds:




애노드; 캐소드; 상기 애노드 및 상기 캐소드 사이에 구비되는 제1 발광층; 및 상기 제1 발광층과 캐소드 사이에 구비되고 상기 제1 발광층과 접하는 제2 발광층을 포함하고,
상기 제1 발광층은 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하며,
상기 제2 발광층은 하기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물 중 적어도 1종의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자:
[화학식 2]
Figure pat00160

상기 화학식 2에 있어서,
R11 내지 R20 중 1 이상은 하기 화학식 2-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,
[화학식 2-1]
Figure pat00161

L2는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 아릴기이며,
p는 1 내지 3의 정수이고,
[화학식 3]
Figure pat00162

상기 화학식 3에 있어서,
Y1 내지 Y10 중 1 이상은 하기 화학식 3-1의 * 부위와 결합되고, 나머지는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 실릴기이며,
[화학식 3-1]
Figure pat00163

A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리이며,
L3은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
q는 1 내지 3의 정수이다.
An anode; a cathode; a first light-emitting layer provided between the anode and the cathode; and a second light-emitting layer provided between the first light-emitting layer and the cathode and in contact with the first light-emitting layer,
The first light-emitting layer comprises a compound according to any one of claims 1 to 11,
An organic light-emitting device wherein the second light-emitting layer comprises at least one compound of the following chemical formula 2 and chemical formula 3:
[Chemical formula 2]
Figure pat00160

In the above chemical formula 2,
At least one of R11 to R20 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 2-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,
[Chemical Formula 2-1]
Figure pat00161

L2 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar2 is a substituted or unsubstituted aryl group,
p is an integer from 1 to 3,
[Chemical Formula 3]
Figure pat00162

In the above chemical formula 3,
At least one of Y1 to Y10 is bonded to the * moiety of the following chemical formula 3-1, and the rest are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; deuterium; a halogen group; a cyano group; a nitro group; a hydroxy group; a substituted or unsubstituted alkyl group; a substituted or unsubstituted aryl group; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group; a substituted or unsubstituted heteroaryl group; or a substituted or unsubstituted silyl group,
[Chemical Formula 3-1]
Figure pat00163

A and B are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle,
L3 is a direct bond; a substituted or unsubstituted arylene group; or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
q is an integer from 1 to 3.
청구항 12에 있어서, 상기 제1 발광층은 상기 화합물을 제1 발광층의 호스트로 포함하고,
상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물 중 적어도 1종의 화합물을 제2 발광층의 호스트로 포함하는 것인 유기 발광 소자.
In claim 12, the first light-emitting layer comprises the compound as a host of the first light-emitting layer,
An organic light-emitting device wherein the second light-emitting layer comprises at least one compound of the chemical formula 2 and the chemical formula 3 as a host for the second light-emitting layer.
청구항 13에 있어서, 상기 제1 발광층 및 제2 발광층은 각각 도펀트를 추가로 포함하고, 상기 도펀트는 형광성 도펀트를 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 13, wherein each of the first light-emitting layer and the second light-emitting layer additionally includes a dopant, and the dopant includes a fluorescent dopant. 청구항 14에 있어서, 상기 형광성 도펀트는 파이렌계 화합물 및 비파이렌계 화합물 중에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 14, wherein the fluorescent dopant comprises at least one selected from a pyrene-based compound and a non-pyrene-based compound. 청구항 15에 있어서, 상기 비파이렌계 화합물은 보론계 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 15, wherein the non-pyrene-based compound includes a boron-based compound. 청구항 12에 있어서, 상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 또는 화학식 3의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 12, wherein the second light-emitting layer comprises a compound of chemical formula 2 or a compound of chemical formula 3. 청구항 12에 있어서, 상기 제2 발광층은 상기 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 12, wherein the second light-emitting layer comprises a compound of chemical formula 2 and a compound of chemical formula 3. 청구항 12에 있어서, 상기 화학식 2 및 화학식 3의 중수소 치환율은 각각 40% 내지 99%인 것인 유기 발광 소자.An organic light-emitting device according to claim 12, wherein the deuterium substitution rates of chemical formulas 2 and 3 are each 40% to 99%.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN119039259B (en) * 2024-10-30 2025-02-07 石家庄诚志永华显示材料有限公司 A blue luminescent compound, a blue luminescent composition, and an organic electroluminescent device, a display device, and a lighting device containing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (en) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5159164B2 (en) * 2007-05-14 2013-03-06 キヤノン株式会社 Benzo [ghi] fluoranthene derivative and organic light-emitting device using the same
JP2009212201A (en) * 2008-03-03 2009-09-17 Canon Inc Organic light-emitting element
JP6967433B2 (en) * 2017-11-27 2021-11-17 エスケーマテリアルズジェイエヌシー株式会社 Organic electroluminescent device
JP7242283B2 (en) * 2018-03-08 2023-03-20 エスケーマテリアルズジェイエヌシー株式会社 organic electroluminescent device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000051826A (en) 1999-01-27 2000-08-16 성재갑 New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes

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