KR20240098905A - 무방향성 전기강판 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 229910000565 Non-oriented electrical steel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 115
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 50
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 37
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 94
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 55
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 21
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 19
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 18
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019912 CrN Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001224 Grain-oriented electrical steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910001463 metal phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009628 steelmaking Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/02—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
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- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
- C21D8/12—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties
- C21D8/1216—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties the working step(s) being of interest
- C21D8/1233—Cold rolling
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
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- C21D8/1272—Final recrystallisation annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D9/00—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/001—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing N
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
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- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/12—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, or niobium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
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- C22C38/14—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing titanium or zirconium
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 중량%로 Si: 4.0 내지 7.0%, Al:0.001 내지 3.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고, 무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(U-MSi) 및 Al의 최대 함유량(U-MAl), 및 상기 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(D-MSi) 및 Al의 최대 함유량(D-MAl)이 하기 식 1 및 식 2의 관계를 만족한다.
[식 1]
2×|(U-MSi - D-MSi)| / (U-MSi+D-MSi) ≤ 0.25
[식 2]
2×|(U-MAl - D-MAl)| / (U-MAl+D-MAl) ≤ 0.50
[식 1]
2×|(U-MSi - D-MSi)| / (U-MSi+D-MSi) ≤ 0.25
[식 2]
2×|(U-MAl - D-MAl)| / (U-MAl+D-MAl) ≤ 0.50
Description
본 발명의 일 실시예는 무방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예는 강판 표면에서 강판 내부로 Si 및 Al을 확산하여 자성을 향상시키고 동시에 강판의 형상 특성을 향상시킨 무방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전자기기의 철심 재료로 사용되고 있는 무방향성 전기강판은 기기의 효율화와 소형화에 따라 높은 자속밀도와 낮은 철손이 요구되고 있다. 자속밀도가 높을 수록 같은 성능을 구현하는데 드는 철심의 양이 적게 소요되므로 전기기기의 소형화가 가능하고, 철손이 낮을수록 에너지 손실이 작기 때문에 고효율 모터의 제조를 위해서는 상기 특성의 확보가 필수적이다.
에너지 손실을 일으키는 철손은 히스테리시스 손실과 와전류 손실로 구성되며, 전자기기의 작동 주파수가 높은 고효율 모터의 경우 와전류 손실의 영향이 증가한다. 와전류 손실은 철심에 자장이 유도될 때 생기는 와전류에 의한 발열이며 이를 감소시키기 위해 일반적으로 전기강판 내부에 Si 혹은 Al 등과 같은 비저항 원소의 함유량을 높이는 방법이 효과적이다. 또한 Si 함량이 특정 수준 이상 높이면 소음의 원인이 되는 자왜가 0으로 감소하고 투자율이 최대로 증가함에 따라 고주파 특성이 우수한 전기강판의 제조가 가능하다.
그러나, Si 함량이 높아질수록 전기강판의 연성이 현저히 감소하여 통상적인 압연 공정으로는 박막의 전기강판을 제조하기 어려운 한계가 있다.
이러한 압연 공정의 한계를 극복하기 위하여 냉간압연이 완료된 강판 표면에 SiCl4 가스를 이용하는 기술로 Si를 확산시켜 강판 내 Si 함량을 높인 전기강판을 제조하는 기술이 제안되었다. 그러나, 이 방법은 독성이 강하고 화학적으로 불안정한 SiCl4 가스를 이용하는 기술로 고진공 조건에서 반드시 생산해야 되는 설비의 제약이 있어 상업적으로 극복해야 될 문제점이 많다. 또한 고진공 조건에서 FeCl2 등 부생 가스가 발생되어 환경적으로도 유해하고 절연특성이 열위한 문제점이 있어 근본적인 해결이 필요하다.
본 발명의 일 실시예에서는 무방향성 전기강판 및 그 제조방법을 제공하고자 한다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예에서는 강판 표면에서 강판 내부로 Si 및 Al을 확산하고, 강판의 양 표면에서의 Si 및 Al 함량 차이를 줄여 자성 및 강판을 형상을 동시에 향상시킨 무방향성 전기강판 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 중량%로 Si: 4.0 내지 7.0%, Al:0.001 내지 3.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고, 무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(U-MSi) 및 Al의 최대 함유량(U-MAl), 및 상기 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(D-MSi) 및 Al의 최대 함유량(D-MAl)이 하기 식 1 및 식 2의 관계를 만족한다.
[식 1]
2×|(U-MSi - D-MSi)| / (U-MSi+D-MSi) ≤ 0.25
[식 2]
2×|(U-MAl - D-MAl)| / (U-MAl+D-MAl) ≤ 0.50
무방향성 전기강판의 500 × 500 mm2 면적에서 휨량이 3mm 이하일 수 있다.
무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Si 최대 함유량이 4.0 내지 8.0 중량%이고, 판 두께 중심 위치(t/2)의 Si 함량이 0.03 내지 7.0 중량%일 수 있다.
판 두께 중심 위치(t/2)의 Al 함유량 [C-MAl]와 상기 무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Al 최대 함유량 [S-MAl]의 차이 ([S-MAl]-[C-MAl])로서 정의되는 ΔAl이 0.1 중량% 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 C: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), N: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), S: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Ti: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Nb: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), 및 V: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 P: 0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Cu: 0.005 내지 0.2 중량%, Cr: 0.01 내지 0.5 중량%, Sn:0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Sb: 0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Ni:0.05 중량% 이하(0%를 제외함), 및 Zn:0.01 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 Bi: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함), Pb: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함), Ge: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함) 및 As: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함) 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 Mo: 0.03 중량% 이하(0%를 제외함), B: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함), Ca: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함), 및 Mg: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
중량%로, Si: 0.3 내지 3.5%, Al:0.001 내지 2.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하는 냉연판을 제조하는 단계; 냉연판에 Si 화합물 및 Al 화합물을 포함하는 Si 확산 조성물을 도포하는 단계; 및 냉연판을 확산소둔하는 단계를 포함한다
Si 확산 조성물을 도포하는 단계는 하기 식 3 및 식 4를 만족하도록 도포할 수 있다.
[식 3]
2×|(U-CSi - D-CSi)| / (U-CSi+D-CSi) ≤ 0.50
[식 4]
2×|(U-CAl - D-CAl)| / (U-CAl+D-CAl) ≤ 0.50
(식 3 및 식 4에서 U-CSi는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%), D-CSi는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%)을 나타내고, U-CAl는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%), D-CAl 는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%)을 나타낸다.)
Si 확산 조성물은 고형분으로 Si 화합물 100 중량부 및 Al 화합물 10 내지 50 중량부 포함할 수 있다.
Si 확산 조성물은 Li, B, Ca, Sr, Mg, Al, P, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Sn 및 Ba 중에서 선택되는 적어도 1종을 성분으로 포함하는 산화물, 질화물, 탄화물 또는 산질화물을 포함하는 세라믹 분말을 10 내지 1000 중량부 더 포함할 수 있다.
Si 화합물의 평균 입도는 1 내지 800nm일 수 있다.
Al 화합물의 평균 입도는 1 내지 1000nm일 수 있다.
세라믹 분말의 평균 입도는 8 내지 2500nm일 수 있다.
Si 확산 조성물을 도포하는 단계에서 Si 확산 조성물의 도포량은 0.1 내지 300g/m2 일 수 있다.
확산 소둔하는 단계에서 균열 이전에 20 내지 700℃의 온도 구간을 5 내지 50℃/hr의 속도로 승온할 수 있다.
확산 소둔하는 단계는 700 내지 1300℃의 균열 온도에서 1시간 이상 소둔할 수 있다.
확산소둔하는 단계 이후, 700 내지 400℃의 온도구간을 20℃/min 이하의 냉각 속도로 냉각할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 강판의 형상 및 고주파 철손이 우수하다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판의 제조 방법은 제조 공정 등에서 환경에 유해한 부생 가스가 발생하지 않으며, 친환경적인 제조 방법을 제공한다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함하는"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 특별히 언급하지 않는 한 %는 중량%를 의미하며, 1ppm 은 0.0001중량%이다.
본 발명의 일 실시예에서 추가 원소를 더 포함하는 것의 의미는 추가 원소의 추가량 만큼 잔부인 철(Fe)을 대체하여 포함하는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 중량%로 Si: 4.0 내지 7.0%, Al:0.001 내지 3.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함한다.
먼저 무방향성 전기강판의 성분 한정의 이유부터 설명한다.
Si: 4.0 내지 7.0 중량%
규소(Si)는 재료의 비저항을 높여 철손을 낮추는 역할을 하므로 비교적 다량 첨가되어야 한다. Si 함량이 증가할수록 와전류 손실을 줄여, 고주파수에서의 철손을 낮출 수 있다. 특히 Si가 6.0 중량% 이상 포함되면, 소음의 원인이 되는 자왜가 0으로 감소하고 투자율이 최대로 증가함에 따라 고주파 특성이 우수한 전기강판의 제조가 가능하다. 그러나, Si 함량이 4 중량% 이상이 되면 전기강판의 연성이 현저히 감소하여 통상적인 압연 공정으로는 전기강판을 제조하기 어려운 한계가 있다.
본 발명의 일 실시예에서는 강판 표면에서 강판 내부로 Si를 확산시켜 강판 내에 Si를 4 중량% 이상 첨가한다. 강판 내에 Si가 너무 적으면 전술한 Si로 인한 효과를 기대하기 어렵다. Si가 너무 많이 포함되면 가공성이 열위해질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표면으로부터 내부로의 Si 확산으로 인해, 강판 두께 방향으로 Si의 농도 구배가 존재할 수 있으며, 별도의 설명이 없는 한, 강판 내 Si 함량이란 두께 방향으로의 평균 함량을 의미한다. 평균 함량이란 강판 내의 Si가 강판 두께 방향으로 균일하게 분포한다고 가정할 시, 함량을 의미한다. 더욱 구체적으로 Si를 4.5 내지 6.5 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(U-MSi) 및 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(D-MSi)이 하기 식 1을 만족할 수 있다.
[식 1]
2×|(U-MSi - D-MSi)| / (U-MSi+D-MSi) ≤ 0.25
본 발명의 일 실시예에서 상면이란 강판의 양 면 중 임의의 일 면을 의미하며, 하면이란 상면의 반대면을 의미한다. ||는 || 안의 값의 절대값을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에서 상면에서 깊이 5% 까지의 영역(이하, 상면 표면부라고도 함)에서 Si의 최대 함유량(U-MSi) 및 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역(이하에서 하면 표면부라고도 함)에서 Si의 최대 함유량(D-MSi)의 차이를 작게 조절함으로써, 와류손이 윗면과 아랫면이 달라 발생하는 자구형성의 뒤틀림을 줄여주어 자성을 향상시키고, 또한, Si 함량 차이로 인한 휨을 억제할 수 있다. 한편, 확산물질을 코팅할 때 확산량의 제어와 확산 속도, 중력, 가스발생량 등이 균일하게 제어될수 없기 때문에 식 1 값을 0으로 만드는 것은 어려우며, 식 1의 하한은 0.01 일 수 있다. 더욱 구체적으로 식 1 값은 0.01 내지 0.10일 수 있다.
무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Si 최대 함유량이 4.0 내지 8.0 중량%이고, 판 두께 중심 위치(t/2)의 Si 함량이 0.03 내지 7.0 중량%일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 강판 표면에서 강판 내부로 Si를 확산시켜 고농도의 Si를 포함하는 강판을 제조하므로, 강판 두께 방향으로 농도 구배가 발생할 수 있다. 즉, 무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역(즉, 표면부)에서의 Si 최대 함유량은 4.0 내지 8.0 중량% 일 수 있다. 표면부에서 Si 함량이 낮으면 충분한 Si가 확산되지 못했다는 의미이며, 고농도 Si를 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. Si 함량이 너무 높으면, Si가 표면부에만 다량 존재하고, 강판 내부로 확산되지 못했다는 의미이며, 이 역시 고농도 Si를 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. Si 최대 함유량은 두께 방향으로 표면부의 Si농도를 측정할 시, 가장 높은 Si 함유량을 의미한다. Si 최대 함유량은 비파괴 분석 방법인 EPMA(Electron Probe Micro-Analyzer) 또는 주사전자현미경/에너지분산형 엑스선분광기(Scanning Electron Microscope/Energy-dispersive, X-ray spectroscopy (SEM/EDX)] 방법으로 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로 표면부에서의 Si 최대 함유량은 4.3 내지 7.5중량% 일 수 있다.
판 두께 중심 위치란 판 전체 두께의 절반 위치를 의미한다. 이하에서는 중심부로 지칭한다. 중심부에서 Si 함량이 낮으면 충분한 Si가 확산되지 못했다는 의미이며, 고농도 Si를 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. 중심부에서 Si 함량이 너무 높으면 모터로의 가공성 면에서 문제가 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 중심부에서의 Si 함유량은 2.0 내지 4.0 중량% 일 수 있다.
판 두께 중심 위치(t/2)의 Si 함유량 [C-MSi]와 상기 무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Si 최대 함유량 [S-MSi]의 차이 ([S-MSi]-[C-MSi])로서 정의되는 ΔSi가 0.1 중량% 이상일 수 있다. 중심부와 표면부에서 Si 함량 차이가 적절히 존재할 시, 고주파 철손 및 가공성 측면에서 유리함이 있다. 더욱 구체적으로 ΔSi는 0.5 내지 7.9중량% 일 수 있다. 더욱 구체적으로 ΔSi는 1.0 내지 4.0 중량% 일 수 있다. 이 때, S-MSi는 U-MSi 및 D-MSi 중 높은 값이 될 수 있다.
전술하였듯이, 본 발명의 일 실시예에서 확산소둔에 의해 Si 확산 조성물 내의 Si 화합물 내의 Si 가 확산되어, Si 함량이 증가하며, Si 확산 전의 강판에는 Si를 전술한 것에 비해 적게 포함할 수 있다. 구체적으로 슬라브 및 확산 전 냉연판 내에는 Si를 0.3 내지 3.5 중량% 포함할 수 있다. 슬라브 및 확산 전 냉연판 내에 Si가 너무 적으면, 확산에 필요한 Si양이 증가하고, 확산 소둔에 장시간 소요되어, 효율이 높지 않으며, 판 두께별로 Si 함량 차이가 커져 적절한 고주파 철손을 얻기 어렵다. 슬라브 및 확산 전 냉연판 내에 Si가 너무 많으면, 냉간압연 과정 중에서 강판이 파단되거나, 강판 내 결함이 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 슬라브 내 Si는 2.0 내지 3.3 중량% 일 수 있다.
Al: 0.001 내지 3.0 중량%
알루미늄(Al)는 재료의 비저항을 높여 고주파 철손을 낮추는 역할을 한다. 본 발명의 일 실시예에서는 Si의 확산을 통해, 재료의 비저항을 충분히 높일 수 있으므로, Al의 첨가가 불필요 할 수 있다. 다만 Al을 첨가할수록 고주파 철손을 추가적으로 향상시킬 수 있다. 다만, Al이 너무 많이 첨가되면 규산 알루미늄계 복합물 형성으로 철손이 열위해지고, 표면품질이 나빠질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 표면으로부터 내부로의 Al 확산으로 인해, 강판 두께 방향으로 Al의 농도 구배가 존재할 수 있으며, 별도의 설명이 없는 한, 강판 내 Al 함량이란 두께 방향으로의 평균 함량을 의미한다. 더욱 구체적으로 Al는 0.01 내지 2.5 중량% 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 Al은 0.1 내지 2.0 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 Si와 함께 Al을 확산시켜 고농도의 Si를 포함하는 강판을 제조하므로, 강판 두께 방향으로 Al의 농도 구배가 발생할 수 있다.
무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Al의 최대 함유량(U-MAl) 및 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Al의 최대 함유량(D-MAl)이 하기 식 2를 만족할 수 있다.
[식 2]
2×|(U-MAl - D-MAl)| / (U-MAl+D-MAl) ≤ 0.50
본 발명의 일 실시예에서 방향으로 Al의 농도 구배가 발생할 수 있다.
무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Al의 최대 함유량(U-MAl) 및 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Al의 최대 함유량(D-MAl)의 차이를 작게 조절함으로써, 와류손이 윗면과 아랫면이 달라 발생하는 자구형성의 뒤틀림을 줄여주어 자성을 향상시키고, 또한, Al 함량 차이로 인한 휨을 억제할 수 있다. 한편, 확산물질을 코팅할 때 확산량의 제어와 확산 속도, 중력, 가스발생량 등이 균일하게 제어될수 없기 때문에 식 2 값을 0으로 만드는 것은 어려우며, 식 2의 하한은 0.01 일 수 있다. 더욱 구체적으로 식 2 값은 0.05 내지 0.25일 수 있다.
판 두께 중심 위치(t/2)의 Al 함유량 [C-MAl]와 상기 무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Al 최대 함유량 [S-MAl]의 차이 ([S-MAl]-[C-MAl])로서 정의되는 ΔAl이 0.1 중량% 이상일 수 있다. 중심부와 표면부에서 Al 함량 차이가 적절히 존재할 시, 고주파 철이 더욱 향상될 수 있다. 더욱 구체적으로 ΔAl 는 0.1 내지 2.9 중량% 일 수 있다. 더욱 구체적으로 0.5 내지 2.5 중량% 일 수 있다. 이 때, C-MAl는 U-MAl 및 D-MAl 중 높은 값이 될 수 있다.
무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역(즉, 표면부)에서의 Al 최대 함유량은 1.0 내지 4.0 중량% 일 수 있다. 표면부에서 Al 함량이 낮으면 충분한 Al이 확산되지 못했다는 의미이며, Al 확산을 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. Al 함량이 너무 높으면, Al이 표면부에만 다량 존재하고, 강판 내부로 확산되지 못했다는 의미이며, 이 역시 Al 확산을 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. Al 최대 함유량은 두께 방향으로 표면부의 Al농도를 측정할 시, 가장 높은 Al 함유량을 의미한다. Al 최대 함유량은 비파괴 분석 방법인 EPMA(Electron Probe Micro-Analyzer) 또는 주사전자현미경/에너지분산형 엑스선분광기(Scanning Electron Microscope/Energy-dispersive, X-ray spectroscopy (SEM/EDX)] 방법으로 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로 표면부에서의 Al 최대 함유량은 1.5 내지 3.5 중량% 일 수 있다.
판 두께 중심 위치(t/2)의 Al 함유량은 0.001 내지 2.9 중량% 일 수 있다. 중심부에서 Al 함량이 낮으면 충분한 Al이 확산되지 못했다는 의미이며, Al 확산을 통한 고주파 철손의 향상이 충분히 얻어지지 않을 수 있다. 중심부에서 Al 함량이 너무 높으면 규산 알루미늄계 복합물 형성으로 철손이 열위해지고, 표면 품질이 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 중심부에서의 Al 함유량은 0.005 내지 2.0 중량% 일 수 있다.
전술하였듯이, 본 발명의 일 실시예에서 확산소둔에 의해 Si 확산 조성물 내의 Al 알콕사이드 내의 Al이 확산되어, Al 함량이 증가하며, Al 확산 전의 강판에는 Al을 전술한 것에 비해 적게 포함할 수 있다. 구체적으로 슬라브 및 확산 전의 냉연판 내에는 Al를 0.001 내지 3.0 중량% 포함할 수 있다. 슬라브 및 확산 전의 냉연판 내에 Al이 너무 적으면, 확산에 필요한 Al양이 증가하고, 확산 소둔에 장시간 소요되어, 효율이 높지 않으며, 판 두께별로 Al 함량 차이가 커져 적절한 고주파 철손을 얻기 어렵다. 슬라브 내에 Al이 너무 많으면, 자성과 표면이 열위한 문제가 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 슬라브 및 확산 전의 냉연판 내 Al은 0.005 내지 2.0 중량%일 수 있다.
Mn: 0.03 내지 2.0 중량%
망간(Mn)은 재료의 비저항을 높여 철손을 개선하고 황화물을 형성시키는 역할을 한다. Mn이 너무 적게 첨가되면 MnS가 미세하게 석출되어 자성을 열화시킬 수 있다. Mn이 너무 많이 첨가되면 자성에 불리한 [111]집합조직의 형성을 조장하여 자속밀도가 급격히 감소할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 Mn은 Si와 Al과 다르게 확산되지 않으며, 강판의 표면부 및 중심부에서 농도차이가 존재하지 않을 수 있다. 즉, 강판의 표면부 및 중심부에서 함량 차이가 0.01 중량% 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로 Mn은 0.05 내지 1.0 중량%
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 P: 0.1 중량% 이하, Cu: 0.005 내지 0.2 중량%, Cr: 0.01 내지 0.5 중량%, Sn:0.1 중량% 이하, Sb: 0.1 중량% 이하, Ni:0.05 중량% 이하, 및 Zn:0.01 중량% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
P: 0.1 중량% 이하
인(P)은 입계편석원소로서 너무 많이 첨가되면, 재결정을 지연시켜 압연방향과 압연수직방향의 강도균일성을 열화시킬 수 있다. 더욱 구체적으로 P는 0.005 내지 0.03 중량%일 수 있다.
Cu: 0.005 내지 0.200 중량%
구리(Cu)는 Mn과 함께 황화물을 형성시키는 역할을 한다. Cu가 더 첨가되는 경우, 너무 적게 첨가되면 (Cu·Mn)S가 미세하게 석출되어 자성을 열화시킬 수 있다. Cu가 너무 많이 첨가되면 고온취성이 발생하게 되어 연주나 열연시 크랙을 형성할 수 있다. 더욱 구체적으로 Cu는 0.01 내지 0.100 중량% 포함할 수 있다.
Cr: 0.010 내지 0.50 중량%
크롬(Cr)은 비저항을 높여 철손을 개선하는 역할을 한다. Cr이 너무 적게 첨가되면 비저항 상향 효과가 충분치 않을 수 있다. Cr이 너무 많이 포함되면 자속밀도가 저하할 수 있다. 더욱 구체적으로 Cr의 하한은 0.05 중량%, 0.30 중량% 포함할 수 있다.
Sn: 0.10 중량% 이하
주석(Sn)은 결정립계에 편석원소로써 결정립계를 통한 질소의 확산을 억제하며 자성에 해로운 {111} 집합조직(texture)을 억제하고 유리한 {100} 집합조직을 증가시켜 자기적 특성을 향상시키기 위하여 첨가한다. Sn이 너무 많이 첨가되면 결정립 성장을 방해하여 자성을 떨어트리고 압연성상이 나쁘게 된다. 따라서 전술한 범위에서 Sn를 첨가할 수 있다. 더욱 구체적으로 Sn 은 0.005 내지 0.08 중량% 포함할 수 있다.
Sb: 0.10 중량% 이하
안티몬(Sb)은 결정립계에 편석원소로써 결정립계를 통한 질소의 확산을 억제하며 자성에 해로운 {111} 집합조직(texture)을 억제하고 유리한 {100} 집합조직을 증가시켜 자기적 특성을 향상시키기 위하여 첨가한다. Sb가 너무 많이 첨가되면 결정립 성장을 방해하여 자성을 떨어트리고 압연성상이 나쁘게 된다. 따라서 전술한 범위에서 Sb를 첨가할 수 있다. 더욱 구체적으로 Sb는 0.005 내지 0.08 중량% 포함할 수 있다.
Ni:0.05 중량% 이하
니켈(Ni)은 불순물 원소들과 반응하여 미세한 황화물, 탄화물 및 질화물을 형성하여 자성에 유해한 영향을 미칠 수 있다. 더욱 구체적으로 Ni은 0.005 내지 0.03 중량% 포함할 수 있다.
Zn: 0.01중량% 이하
아연(Zn)은 함유량이 과도할 경우, 불순물로 작용하여 자성을 열위시킬 수 있다. 따라서 전술한 범위에서 Zn을 더 첨가할 수 있다. 더욱 구체적으로 Zn은 0.001 내지 0.005 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 Bi: 0.200 중량% 이하, Pb: 0.200 중량% 이하, Ge: 0.200 중량% 이하 및 As: 0.200 중량% 이하 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
전술한 원소들은 추가 첨가할 시, 결정립계에 편석하여 냉간압연시 결정립계에 응력집중을 완화시켜, 후 공정인 재결정 소둔에서 <111>//ND 방위 결정립의 재결정을 억제함으로써, 자속밀도를 향상시키게 된다. 이들이 적절히 첨가되면 전술한 효과를 추가적으로 얻을 수 있으나, 너무 많이 포함되면, 편석이 다량 발생하여, 결정립 성장을 억제하여 자속밀도와 철손이 오히려 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 Bi: 0.001 내지 0.100 중량%, Pb:0.001 내지 0.100 중량%, Ge: 0.001 내지 0.100 중량% 및 As:0.001 내지 0.100 중량% 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 Mo: 0.03 중량% 이하, B: 0.0050 중량% 이하, Ca: 0.0050 중량% 이하, 및 Mg: 0.0050 중량% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
이들은 불가피하게 포함되는 C, S, N 등과 반응하여 미세한 탄화물, 질화물 또는 황화물을 형성하여 자성에 악영향을 미칠 수 있으므로, 전술한 것과 같이 상한을 한정할 수 있다. 더욱 구체적으로 Mo: 0.001 내지 0.01 중량, B: 0.0010 내지 0.0030 중량%, Ca: 0.0010 내지 0.0030 중량% 및 Mg: 0.0010 내지 0.0050 중량% 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
기타 불순물
전술한 원소 외에도 탄소(C), 황(S), 질소(N), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 바나듐(V) 등의 불가피하게 혼입되는 불순물이 포함될 수 있다.
N는 Ti, Nb, V과 결합하여 질화물을 형성하고, 결정립 성장성을 저하시키는 역할을 한다.
C는 N, Ti, Nb, V등과 반응하여 미세한 탄화물을 만들어 결정립성장성 및 자구이동을 방해하는 역할을 한다.
S는 황화물을 형성하여 결정립 성장성을 열위시킨다.
이처럼 불순물 원소를 더 포함하는 경우, C: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), N: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), S: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Ti: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Nb: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), 및 V: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 C: 0.001 내지 0.003 중량%, N: 0.001 내지 0.005 중량%, S: 0.001 내지 0.005 중량%, Ti: 0.001 내지 0.005 중량%, Nb: 0.001 내지 0.005 중량%, 및 V: 0.001 내지 0.005 중량% 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
이외에도 불가피하게 혼입되는 불순물이 포함될 수 있다. 불가피한 불순물에 대해서는 제강 단계 및 무방향성 전기강판의 제조 공정 과정에서 혼입되는 불순물이며, 이는 해당 분야에서 널리 알려져 있으므로, 구체적인 설명은 생략한다. 본 발명의 일 실시예에서 전술한 합금 성분 외에 원소의 추가를 배제하는 것은 아니며, 본 발명의 기술 사상을 해치지 않는 범위 내에서 다양하게 포함될 수 있다. 추가 원소를 더 포함하는 경우 잔부인 Fe를 대체하여 포함한다.
또한, 무방향성 전기강판의 500×500mm2 면적에서 휨량이 3mm 이하일 수 있다. 휨량이란 500×500mm2 면적의 무방향성 전기강판 시편을 평판 상에 올려 놓을 시, 최대 높이에서 강판의 두께를 제외한 높이를 의미한다. 휨량이 적을 시 강판을 적층하여 모터 등의 제품을 제조할 시, 점적율을 향상시키는 점에서 유리하다. 더욱 구체적으로 휨량은 0 내지 2.5mm 일 수 있다. 이를 달성하기 위한 방법은 후술할 무방향성 전기강판의 제조 방법에서 자세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판은 Si의 확산 및 표면 특성 조절로 인하여 고주파 철손이 매우 우수하다. 구체적으로 철손(W10/1000)이 두께 0.3mm를 기준으로 70.0W/kg 이하일 수 있다. 철손(W10/1000)은 1000HZ의 주파수로 1.0T의 자속밀도를 유기하였을 때의 철손이다. 철손은 엡스타인 측정법이나 SST(single sheet test)법으로 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로 철손(W10/1000)은 두께 0.3mm를 기준으로 40 내지 65W/kg이다. 또한, 철손(W10/1000)이 두께 0.2mm를 기준으로 55.0W/kg 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로 철손(W10/1000)은 두께 0.2mm를 기준으로 20 내지 53W/kg이다. 또한 W10/1000이 두께 0.1mm를 기준으로 35.0W/kg 이하일 수 있다. 더욱 구체적으로 W10/1000이 두께 0.1mm를 기준으로 10.0 내지 33.0W/kg일 수 있다.
또한, 철손(W5/2000)이 두께 0.2mm를 기준으로 16.5W/kg 이하일 수 있다. 철손(W5/2000)은 2000HZ의 주파수로 0.5T의 자속밀도를 유기하였을 때의 철손이다. 더욱 구체적으로 두께 0.2mm를 기준으로 철손(W5/2000)은 5.0W/kg 내지 15.5W/kg일 수 있다. 또한, 철손(W5/2000)이 두께 0.1mm를 기준으로 7.3W/kg 이하일 수 있다. 철손(W5/2000)은 2000HZ의 주파수로 0.5T의 자속밀도를 유기하였을 때의 철손이다. 더욱 구체적으로 두께 0.1mm를 기준으로 철손(W5/2000)은 2.0W/kg 내지 7.0W/kg일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 철손 뿐 아니라 자속밀도 또한 동시에 우수하다. 구체적으로 자속밀도(B25)은 1.46T 이상일 수 있다. 구체적으로 자속밀도(B25)는 1.55 내지 1.70T일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 무방향성 전기강판의 제조 방법은 중량%로, Si: 0.3 내지 3.5%, Al:0.001 내지 2.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하는 냉연판을 제조하는 단계; 냉연판에 Si 화합물 및 Al 화합물을 포함하는 Si 확산 조성물을 도포하는 단계; 및 냉연판을 확산 소둔하는 단계를 포함한다.
이하에서는 각 단계별로 구체적으로 설명한다.
먼저 중량%로, Si: 0.3 내지 3.5%, Al:0.001 내지 2.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하는 냉연판을 제조한다. 냉연판의 합금 성분에 대해서는 전술한 것과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
냉연판을 제조하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 중량%로, Si: 0.3 내지 3.5%, Al:0.001 내지 2.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하는 슬라브를 열간압연하여 열연판을 제조하는 단계; 및 열연판을 냉간압연하여 냉연판을 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
먼저 슬라브를 제조한다. 슬라브 내의 각 조성의 첨가 비율을 한정한 이유는 전술한 무방향성 전기강판의 조성 한정 이유와 동일하므로, 반복되는 설명을 생략한다. 후술할 열간압연, 열연판 소둔, 냉간압연 등의 제조 과정에서 슬라브의 조성은 실질적으로 변동되지 아니하므로, 슬라브의 조성과 냉연판의 조성이 실질적으로 동일하다. 아울러, 확산 소둔 공정에서 Si 및 Al만이 확산하고, Si 및 Al을 제외한 나머지 성분과 무방향성 전기강판의 합금 조성이 동일할 수 있다.
열연판을 제조하는 단계 이전에 슬라브를 1100℃ 이상으로 가열할 수 있다. 구체적으로 슬라브를 가열로에 장입하여 1100 내지 1250℃로 가열 한다. 1250℃를 초과하는 온도에서 가열시 석출물이 재용해되어 열간압연 이후 미세하게 석출될 수 있다. 더욱 구체적으로 슬라브 가열 온도는 1100℃ 내지 1200℃일 수 있다.
가열된 슬라브는 1.5 내지 4.0mm로 열간 압연하여 열연판으로 제조한다. 본 발명의 일 실시예에서 냉간압연 전에 예비 냉간압연하는 단계를 또한 포함하기에 열연판의 두께가 비교적 두껍더라도 적절한 두께의 무방향성 전기강판을 제조할 수 있다. 더욱 구체적으로 열연판의 두께는 1.5mm 내지 3.5mm일 수 있다.
열연판을 제조하는 단계는 850℃ 이상의 온도에서 마무리 압연하는 단계를 포함할 수 있다.
열간압연 마무리 압연 온도가 너무 낮으면 압연 부하가 증가하여 열간압연 작업성이 떨어지게 된다. 그리고, 열간압연된 강판에 변형조직이 많이 잔류하게 되고 후 공정인 예비 냉간압연시 압연부하가 증가하는 원인이 되기도 한다. 또한, 중간소둔시에 변형조직으로부터 <111>//ND 방위 결정립들의 재결정이 촉진되어 자속밀도가 열위하게 된다. 따라서, 열간압연 마무리 압연온도는 높을수록 좋으며, 더욱 구체적으로 마무리 압연 온도는 850 내지 1000℃일 수 있다.
열연판을 제조하는 단계는 600 내지 800℃ 온도에서 권취하는 단계를 포함할 수 있다. 마무리 압연하는 단계 전에 조압연하는 단계를 또한 포함할 수 있다.
권취하는 단계에서의 온도를 너무 낮게 관리하면 열간압연 변형조직의 회복 과 재결정이 잘 일어나지 않게 되고, 낮은 온도로 강판을 빨리 냉각하기 위해서 냉각부하가 증가하며 과냉된 코일의 권취에 어려움이 발생할 수 있다. 반대로 온도가 너무 높으면 회복 및 재결정이 촉진될수 있으나, 권취되어 있는 동안 대기중 산소에 의한 추가 산화가 발생하여 스케일이 더 두껍게 형성되고 입계산화의 문제가 발생할 수 있다. 열연판의 입계산화는 이후 산세과정에서 입계 부식을 촉진하여 표면 줄무늬 결함 발생할 가능성이 높고 압연롤이 심하게 마모될 수 있다. 더욱 구체적으로, 권취 온도는 650 내지 750℃일 수 있다.
열연판을 제조하는 단계 이후, 열연판을 600 내지 1100℃의 온도범위에서 열연판을 소둔하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 열연판 소둔 온도가 너무 낮으면 재결정 조직이 형성되지 않거나 미세하게 성장하여 자속밀도의 상승 효과가 적으며, 소둔온도가 너무 높으면 자기특성이 오히려 저하되고, 판형상의 변형으로 인해 압연작업성이 나빠질 수 있다. 더욱 구체적으로 열연판 소둔 온도는 750 내지 1000℃일 수 있다.
열연판 소둔은 필요에 따라 자성에 유리한 방위를 증가시키기 위하여 수행되는 것이며, 생략도 가능하다. 소둔 형태는 특별히 제한되지 않으며, 배치(batch) 또는 연속으로 소둔 가능하다.
열간압연된 열연판은 필요에 따라 산세를 실시할 수 있다.
다음으로, 열연판을 산세하고 소정의 판두께가 되도록 냉간 압연한다. 열연판 두께에 따라 다르게 적용될 수 있으나, 70 내지 95%의 압하율을 적용하여 최종두께가 0.10 내지 0.65mm가 되도록 냉간 압연 할 수 있다. 압하율을 맞추기 위하여 1회 냉간 압연 또는 중간 소둔을 사이에 둔 2회 이상의 냉간 압연을 수행할 수 있다. 더욱 구체적으로 압하율은 75 내지 90%일 수 있다. 냉연판의 두께는 0.15 내지 0.35mm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 후속하는 Si 확산 조성물 도포 및 확산 소둔에 의해 강판의 두께는 실질적인 변동이 없어, 냉연판과 최종 제조된 무방향성 전기강판의 두께가 동일할 수 있다.
다음으로, 냉연판에 Si 화합물 및 Al 화합물을 포함하는 Si 확산 조성물을 도포한다. Si 확산 조성물은 Si 화합물을 포함한다.
이때, 하기 식 3 및 식 4를 만족하도록 도포한다.
[식 3]
2×|(U-CSi - D-CSi)| / (U-CSi+D-CSi) ≤ 0.50
[식 4]
2×|(U-CAl - D-CAl)| / (U-CAl+D-CAl) ≤ 0.50
(식 3 및 식 4에서 U-CSi는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%), D-CSi는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%)을 나타내고, U-CAl는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%), D-CAl는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%)을 나타낸다.)
식 3 및 식 4는 상면과 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si의 양 및 Al의 양을 차이 없도록 도포함을 의미한다. 구체적으로 Si 확산 조성물 중 Si의 양이란 Si 확산 조성물 전체에 대하여 확산 조성물 내의 Si 원소 함량의 비율을 곱하여 구할 수 있다. Al 원소 함량 비율이란 Si 화합물 내에서 Al의 원자량을 계산하여 그 양을 구할 수 있다. 이 때, Si 또는 Al 확산이 가능한 화합물 내에서의 Si, Al 양만을 계산하며, 예컨데, Al2O3, AlN과 같이 Al의 확산이 어려운 세라믹 분말은 함량 계산에서 제외한다.
상면과 하면의 시간차에 의한 Si 확산 조성물의 농도 변화, Si 화합물 또는 Al 화합물의 응집에 의한 상면 및 하면에 도포하는 Si 확산 조성물의 비율 변화 등 다양한 요소로 인하여 식 3 및 식 4의 편차를 줄이는 것이 매우 어렵다. 본 발명에서는 이에 의해 발생되는 상면 표면부 및 하면 표면부에서의 Si, Al 함량 차이로 인해 자성에 불리한 영향을 미치는 것을 발견하고, 이의 원인 및 해결을 제시한다. 식 3 및 식 4의 하한은 0.01 일 수 있다. 더욱 구체적으로 식 3 및 식 4의 값은 0.02 내지 0.25일 수 있다.
Si 화합물로는 장시간의 소둔을 통해 강판 내부로 Si를 확산시킬 수 있는 물질이면 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로 순수 Si, Si 합금, Si의 산화물, 질화물 또는 탄화물, 실란 화합물 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, FeSi, Fe3Si, Fe3Al, FeAl 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
Si 화합물의 평균 입도는 1 내지 850nm일 수 있다. Si 화합물의 입도가 너무 작으면 슬러리 혼합 시 서로 응집하여 표면결함을 유발하는 문제가 발생할 수 있다. Si 화합물의 입도가 너무 크면 강판 표면에 균일도포가 곤란하여 강판 내부로 Si 확산이 원활하게 이루어 지지 않을 수 있다. Si 화합물의 평균 입도는 화합물 입자 수에 대한 평균 입도이며, 레이저 회절방식을 이용한 입도분석기(PSA, Particle size analyzer)로 측정할 수 있다. 더욱 구체적으로 Si 화합물의 평균 입도는 10nm 내지 500nm일 수 있다. 더욱 구체적으로 20nm 내지 100nm일 수 있다.
Si 확산 조성물은 고형분으로 Si 화합물 100 중량부 및 Al 화합물 10 내지 50 중량부 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서 고형분이란 각각의 화합물을 180℃로 20분 이상 가열하여, 휘발분을 모두 제거한 상태에서의 중량을 의미한다.
Si 화합물이 너무 적게 포함되면, Si 확산이 충분히 일어나지 않아, 목적하는 고주파 철손 향상을 충분히 달성하기 어렵다. Si 화합물이 너무 많이 포함되면, 강판 내에 Si가 너무 많이 확산되어, 강판의 가공성에 문제가 발생할 수 있다.
Al 화합물은 절연성을 향상시키며 Si화합물과의 결합을 증가시키는 또한 금속간화합물이 더 잘생기게 하는 역할을 한다. Al 화합물을 너무 적게 포함할 시, 전술한 효과를 적절히 얻기 어려울 수 있다. Al 화합물을 너무 많이 포함할 시, Al 개재물이 다수 형성되어 자성이 열위해지는 문제가 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 Al 화합물은 15 내지 30 중량부 포함할 수 있다.
Al 화합물로는 Al을 강판 내부로 확산시킬 수 있는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있다. 예컨데, 순수 Al 및, 알루미늄 알콕사이드 등이 있을 수 있다.
Al 화합물의 평균 입도는 1 내지 1000nm일 수 있다. Al 화합물의 입도가 너무 작으면 Al 화합물끼리 응집하는 문제가 발생할 수 있다. Al 화합물의 입도가 너무 크면 강판 내부로 Al 확산이 원활하게 이루어 지지 않을 수 있다. 더욱 구체적으로 Al 화합물의 평균 입도의 하한은 5 nm 일 수 있다. Al 화합물의 평균 입도의 상한은 750 nm일 수 있다.
Si 확산 조성물은 Li, B, Ca, Sr, Mg, Al, P, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Sn 및 Ba 중에서 선택되는 적어도 1종을 성분으로 포함하는 산화물, 질화물, 탄화물 또는 산질화물을 포함하는 세라믹 분말을 더 포함할 수 있다. 세라믹 분말은 슬러리 도포량을 제어하고 최종 강판의 Si 함량을 결정하는 역할을 한다.
세라믹 분말은 고형분으로 10 내지 1000 중량부 포함할 수 있다. 세라믹 분말을 너무 적게 포함할 시, 도포량 확보 측면에서 문제가 발생할 수 있다. 세라믹 분말을 너무 많이 포함할 시, 슬러리 점도가 증가하여 표면결함 측면에서 문제가 발생할 수 있다. 더욱 구체적으로 세라믹 분말은 20 내지 500 중량부로 포함할 수 있다.
세라믹 분말은 Al2O3, TiO2, MgO·Al2O3, MgO·TiO2, 3Al2O3·2SiO2, ZrO2·SiO2, TiN, CrN, SrTiO3, MgAl2O4, Y2O3, FeTiO3 및 Li2O·Al2O3·SiO2 중 1종 이상일 수 있다.
세라믹 분말의 평균 입도는 8 내지 2500nm일 수 있다. 세라믹 분말의 입도가 너무 작으면 충분한 도포량을 확보하는데 문제가 발생할 수 있다. 세라믹 분말의 입도가 너무 크면 점도가 증가하여 표면품질이 열위해져 강판 내부로 Si 확산이 원활하게 이루어 지지 않을 수 있다. 더욱 구체적으로 세라믹 분말의 평균 입도는 10nm 내지 1500nm 일 수 있다.
Si 확산 조성물은 전술한 성분 외에 용매를 더 포함할 수 있다. 용매는 Si 확산 조성물을 균일하게 도포할 수 있게 한다. 용매가 너무 적으면 Si 확산 조성물의 도포가 용이치 않을 수 있다. 용매가 너무 많으면, Si 확산 조성물의 점도가 너무 낮아 충분한 양의 조성물을 강판 상에 도포하기 어려울 수 있다. 용매는 Si 화합물 100 중량부에 대하여 10 내지 1500 중량부 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 용매를 50 내지 1000 중량부 포함할 수 있다. 용매로는 물 및 알코올 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
전술한 성분 외에도 Si 확산 조성물은 추가 성분을 더 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서 이를 제외하는 것은 아니다. 추가 성분의 예로는 인산, 규산 나트륨, 플루오라이드 이온 용액 등이 있을 수 있다.
다시 무방향성 전기강판의 제조 방법에 대한 설명으로 돌아오면, 냉연판에 Si 화합물 및 Al 화합물을 포함하는 Si 확산 조성물을 도포한다. Si 확산 조성물에 대해서는 전술한 것과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.
Si 확산 조성물의 도포량은 0.1 내지 300g/m2일 수 있다. 이 때 도포량은 고형분 기준이다. 도포량이 너무 적으면 충분한 Si의 확산이 이루어지지 않아, Si확산에 의한 효과를 충분히 달성하기 어렵다. 도포량이 너무 많으면, 가공성이 열위해지는 문제가 발생할 수 있다.
Si 확산 조성물을 도포하고, 건조하는 단계를 더 포함할 수 있다. 건조 온도는 Si 확산 조성물 내의 용매를 제거할 수 있는 온도면 충분하고, 구체적으로 300 내지 850℃일 수 있다. 시간은 10초 내지 60초일 수 있다. 더욱 구체적으로 온도는 500 내지 800℃ 일 수 있다. 시간은 15초 내지 45초일 수 있다.
다음으로, 냉연판을 확산소둔한다. 이 과정에서 냉연판 표면에 도포된 Si 확산 조성물로부터 강판 내부로 Si 및 Al이 확산된다.
확산소둔 단계 이전에 20 내지 700℃의 온도 구간을 5 내지 50℃/hr의 속도로 승온할 수 있다. 이처럼, 비교적 느린 승온 속도로 승온하여 균일한 품질을 얻을 수 있다. 승온 속도가 너무 느리면 불필요하게 공정 시간이 길어지며, 생산성이 떨어진다. 승온 속도가 너무 빠르면, 전술한 효과를 적절히 얻을 수 없다. 더욱 구체적으로 10 내지 30℃/hr의 속도로 승온할 수 있다.
확산 소둔 온도는 850℃ 내지 1250℃일 수 있다. 확산 소둔 온도가 너무 낮으면 Si 및 Al의 확산이 충분히 이루어지지 못하여 목적하는 효과를 얻지 못할 수 있다. 확산 소둔 온도가 너무 높으면 기공이 발생되어 자성이 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 900 내지 1150℃일 수 있다.
시간은 30분 내지 600분 일 수 있다. 시간이 너무 짧으면 Si 및 Al의 확산이 충분히 이루어지지 못하여 목적하는 효과를 얻지 못할 수 있다. 시간이 너무 길면, 확산량 제어가 어려우며, 가공성이 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 60 내지 300분일 수 있다.
확산 소둔 시 분위기는 수소, 질소 또는 아르곤 중 1종 이상을 포함하는 분위기일 수 있다. 분위기의 산화능(PH2O/PH2)은 6.4 이하일 수 있다. 산화능이 너무 높으면 SiO2 및 Al2O3 내부 산화물이 형성되어 자성이 열위해 질 수 있다. 구체적으로 산화능은 0.001 내지 5.0 일 수 있다. 더욱 구체적으로 산화능은 0.01 내지 3.0 일 수 있다.
확산소둔하는 단계 이후, 700 내지 400℃의 온도구간을 20℃/min 이하의 냉각 속도로 냉각할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 강판 두께에 따라 Si 및 Al 농도에 차이가 있으며, 이에 의해 강판 두께에 따라 열팽창 계수에 차이가 발생한다. 이 상태에서 냉각 시 열팽창 계수 차이에 의해 장력이 가해지고, 한 쪽으로 휘어지는 현상이 발생한다. 한편, 냉각 속도가 빠를 경우, 장력이 더 강하게 걸리며, 휨이 심해진다. 더욱 구체적으로 1 내지 15℃/min 의 냉각 속도로 냉각할 수 있다.
이후, 절연 피막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 절연 피막에 대해서는 널리 알려져 있으므로, 구체적인 설명은 생략한다. 구체적으로 금속 인산염 및 실리카를 주 성분으로 포함하는 절연 코팅층 형성 조성물을 도포하고, 열처리하는 방식으로 절연 코팅층을 형성할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실험예
실리콘(Si)을 2.5 중량%, 망간(Mn): 0.10 중량%, 주석(Sn): 0.04 중량%, 안티몬(Sb): 0.04 중량%, 인(P): 0.013 중량% 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 이루어진 슬라브를 준비하였다.
슬라브를 1100℃ 에서 가열한 뒤 1.8mm 두께로 열간 압연하여, 열연판을 제조하였다.
열연판을 700℃에서 권취 후 공기중에서 냉각하고 1030℃에서 2분 동안 열연판 소둔을 실시한 후 물에 급냉하여 산세한 다음, 0.10mm 두께로 냉간 압연하여, 냉연판을 제조하였다.
냉연판의 표면 상에, 평균 입도가 15nm인 실리콘 나노입자(Si: 99.99wt% 이상), 알루미늄 나노 입자(Al: 99중량% 이상),평균 입도가 1000nm인 SrTiO3세라믹 분말을 첨가하여 물과 함께 교반하여 Si 확산 조성물을 제조하였다.
제조한 Si 확산 조성물을 냉연판에 도포하여 800℃ 조건에서 6초간 건조하였다. 이 때, 상면 및 하면에 도포되는 Si양 및 Al양을 하기 표 1에 정리하였다.
Si 확산 조성물이 도포된 냉연판을 900℃에서 2시간 동안 아르곤 50 부피%, 수소 50부피%인 분위기에서 확산소둔을 수행하고, 하기 표 1에 정리된 냉각 속도로 700℃에서 400℃까지 냉각하였다.
확산소둔이 완료된 강판 표면을 물로 세척하고 상온에서 건조한 후 상압 플라즈마 조건에서 에칭하여 미반응 물질을 제거하여, 0.1mm 두께의 무방향성 전기강판을 제조하였다.
주사전자현미경/에너지분산형 엑스선분광기로 분석하여 상부 및 하부의 Si, Al을 측정하여 각각 표 1에 정리하였다.
| 종류 | U-CSi | D-CSi | U-CAl | D-CAl | U-MSi | D-MSi | U-MAl | D-MAl | 냉각 속도 | 휨량 |
| (중량%) | (중량%) | (중량%) | (중량%) | (중량%) | (중량%) | (중량%) | (중량%) | (℃/min) | (mm) | |
| 실시예1 | 2.01 | 2.13 | 1.40 | 1.42 | 4.51 | 4.63 | 1.40 | 1.42 | 15 | 0 |
| 실시예2 | 3.5 | 3.43 | 2.41 | 2.21 | 6.00 | 5.93 | 2.41 | 2.21 | 10 | 0 |
| 비교예1 | 2.31 | 2.21 | 1.03 | 1.15 | 4.81 | 4.71 | 1.03 | 1.15 | 30 | 5 |
| 비교예2 | 2.13 | 2.01 | 1.31 | 1.21 | 4.63 | 4.51 | 1.31 | 1.21 | 100 | 10 |
| 실시예3 | 2.29 | 2.5 | 1.31 | 1.03 | 4.79 | 5.00 | 1.31 | 1.03 | 15 | 2 |
| 비교예3 | 2.34 | 4.02 | 1.16 | 1.09 | 4.84 | 6.52 | 1.16 | 1.09 | 15 | 13 |
| 실시예4 | 2.11 | 2.2 | 1.21 | 1.59 | 4.61 | 4.70 | 1.21 | 1.59 | 15 | 2 |
| 비교예4 | 2.13 | 2.14 | 1.23 | 4.60 | 4.63 | 4.64 | 1.23 | 4.60 | 15 | 17 |
| 비교예5 | 2.1 | 2 | 1.20 | 6.21 | 4.60 | 4.50 | 1.20 | 6.21 | 15 | 24 |
표 1에서 나타나듯이, 상면 및 하면에 Si 및 Al을 균등하게 도포한 실시예는 표면부의 Si, Al 함량 차이가 적고, 강판 형상이 동시에 우수함을 확인할 수 있다.
반면, 상면 및 하면에 Si, Al이 불균등하게 도포되거나, 냉각 속도가 지나치게 높을 경우, 표면부의 Si, Al 함량 차이가 발생하고, 이로 인해, 강판 형상이 열위함을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (18)
- 중량%로 Si: 4.0 내지 7.0%, Al:0.001 내지 3.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고,
무방향성 전기강판의 상면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(U-MSi) 및 Al의 최대 함유량(U-MAl), 및
상기 무방향성 전기강판의 하면에서 깊이 5% 까지의 영역에서 Si의 최대 함유량(D-MSi) 및 Al의 최대 함유량(D-MAl)이 하기 식 1 및 식 2의 관계를 만족하는 무방향성 전기강판.
[식 1]
2×|(U-MSi - D-MSi)| / (U-MSi+D-MSi) ≤ 0.25
[식 2]
2×|(U-MAl - D-MAl)| / (U-MAl+D-MAl) ≤ 0.50 - 제1항에 있어서,
상기 무방향성 전기강판의 500 × 500 mm2 면적에서 휨량이 3mm 이하인 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
상기 무방향성 전기강판의 표면에서부터 내부 방향으로 전체 두께의 5% 까지의 영역에서 Si 최대 함유량이 4.0 내지 8.0 중량%이고, 판 두께 중심 위치(t/2)의 Si 함량이 0.03 내지 7.0 중량%인 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
판 두께 중심 위치(t/2)의 Al 함유량 [C-MAl]와 상기 무방향성 전기강판의 표면에서 깊이 5% 영역에서 Al 최대 함유량 [S-MAl]의 차이 ([S-MAl]-[C-MAl])로서 정의되는 ΔAl이 0.1 중량% 이상인 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
C: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), N: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), S: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Ti: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), Nb: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함), 및 V: 0.005 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함하는 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
P: 0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Cu: 0.005 내지 0.2 중량%, Cr: 0.01 내지 0.5 중량%, Sn:0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Sb: 0.1 중량% 이하(0%를 제외함), Ni:0.05 중량% 이하(0%를 제외함), 및 Zn:0.01 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함하는 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
Bi: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함), Pb: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함), Ge: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함) 및 As: 0.200 중량% 이하(0%를 제외함) 1종 이상을 더 포함하는 무방향성 전기강판. - 제1항에 있어서,
Mo: 0.03 중량% 이하(0%를 제외함), B: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함), Ca: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함), 및 Mg: 0.0050 중량% 이하(0%를 제외함) 중 1종 이상을 더 포함하는 무방향성 전기강판. - 중량%로, Si: 3.0 내지 3.5%, Al:0.001 내지 2.0%, 및 Mn: 0.03 내지 2.0% 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하는 냉연판을 제조하는 단계;
상기 냉연판에 Si 화합물 및 Al 화합물을 포함하는 Si 확산 조성물을 도포하는 단계; 및
상기 냉연판을 확산소둔하는 단계를 포함하고,
상기 확산소둔하는 단계는
상기 Si 확산 조성물을 도포하는 단계는 하기 식 3 및 식 4를 만족하도록 도포하는 무방향성 전기강판의 제조 방법.
[식 3]
2×|(U-CSi - D-CSi)| / (U-CSi+D-CSi) ≤ 0.50
[식 4]
2×|(U-CAl - D-CAl)| / (U-CAl+D-CAl) ≤ 0.50
(식 3 및 식 4에서 U-CSi는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%), D-CSi는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Si 함량(중량%)을 나타내고,
U-CAl는 상면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%), D-CAl는 하면에 도포되는 Si 확산 조성물 중 Al 함량(중량%)을 나타낸다.) - 제9항에 있어서,
상기 Si 확산 조성물은 고형분으로 상기 Si 화합물 100 중량부 및 상기 Al 화합물 10 내지 50 중량부 포함하는 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 Si 확산 조성물은 Li, B, Ca, Sr, Mg, Al P, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Sn 및 Ba 중에서 선택되는 적어도 1종을 성분으로 포함하는 산화물, 질화물, 탄화물 또는 산질화물을 포함하는 세라믹 분말을 10 내지 1000 중량부 더 포함하는 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 Si 화합물의 평균 입도는 1 내지 800nm인 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 Al 화합물의 평균 입도는 1 내지 1000 nm인 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 세라믹 분말의 평균 입도는 8 내지 2500 nm인 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 Si 확산 조성물을 도포하는 단계에서 상기 Si 확산 조성물의 도포량은 0.1 내지 300g/m2 인 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 확산 소둔하는 단계에서 균열 이전에 20 내지 700℃의 온도 구간을 5 내지 50℃/hr의 속도로 승온하는 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 확산 소둔하는 단계는 700 내지 1300℃의 균열 온도에서 1시간 이상 소둔하는 무방향성 전기강판의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 확산소둔하는 단계 이후, 700 내지 400℃의 온도 구간을 20℃/min 이하의 냉각 속도로 냉각하는 무방향성 전기강판의 제조 방법.
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