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KR20240097129A - Display apparatus - Google Patents

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KR20240097129A
KR20240097129A KR1020220178910A KR20220178910A KR20240097129A KR 20240097129 A KR20240097129 A KR 20240097129A KR 1020220178910 A KR1020220178910 A KR 1020220178910A KR 20220178910 A KR20220178910 A KR 20220178910A KR 20240097129 A KR20240097129 A KR 20240097129A
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KR
South Korea
Prior art keywords
low
potential power
disposed
sub
cathode
Prior art date
Application number
KR1020220178910A
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Korean (ko)
Inventor
석승원
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 표시 영역에 배치되고 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선 및 기판 상에서 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 애노드 상에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 적어도 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a substrate including a display area on which a plurality of sub-pixels are arranged and a non-display area surrounding the display area, and a plurality of sub-pixels disposed in the display area on the substrate and connected to each of the plurality of sub-pixels. is disposed in each of the plurality of sub-pixels on the first low-potential power wiring and the substrate, and includes a plurality of light-emitting elements including an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer, and the cathode is a plurality of first 1 Can be electrically connected to at least some of the low-potential power wiring.

Figure P1020220178910
Figure P1020220178910

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}DISPLAY APPARATUS}

본 명세서는 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전압 손실을 최소화하여 발열 및 수명 저하를 개선할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device, and more specifically, to a display device that can improve heat generation and reduced lifespan by minimizing voltage loss.

현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.Currently, as we enter the full-fledged information age, the field of display devices that visually display electrical information signals is developing rapidly, and research is continuing to develop performance such as thinner, lighter, and lower power consumption for various display devices.

이러한 다양한 표시 장치 중, 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 차세대 디스플레이로서 연구되고 있다.Among these various display devices, organic light emitting display devices are self-emissive display devices, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, organic light emitting display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage driving, but also have excellent color rendering, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are being studied as next-generation displays.

본 명세서가 해결하고자 하는 과제는 캐소드를 통해 이동하는 전류의 이동 거리를 최소화시켜 전압 손실을 최소화한 표시 장치를 제공하는 것이다.The problem that this specification aims to solve is to provide a display device that minimizes voltage loss by minimizing the distance that current moves through the cathode.

본 명세서가 해결하고자 하는 다른 과제는 저전위 전원 배선의 전원 전압을 감소시켜 발열 및 수명 저하가 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem that the present specification aims to solve is to provide a display device with improved heat generation and reduced lifespan by reducing the power voltage of low-potential power wiring.

본 명세서가 해결하고자 하는 또 다른 과제는 베젤 영역을 최소화함으로써, 네로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.Another problem that this specification aims to solve is to provide a display device that can implement a narrow bezel by minimizing the bezel area.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of this specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 표시 영역에 배치되고 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선 및 기판 상에서 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 애노드 상에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 적어도 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a substrate including a display area on which a plurality of sub-pixels are arranged and a non-display area surrounding the display area, and a plurality of sub-pixels disposed in the display area on the substrate and connected to each of the plurality of sub-pixels. is disposed in each of the plurality of sub-pixels on the first low-potential power wiring and the substrate, and includes a plurality of light-emitting elements including an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer, and the cathode is a plurality of first 1 Can be electrically connected to at least some of the low-potential power wiring.

본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 배치되고 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선 및 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 애노드 상에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선의 적어도 일부 상으로 연장되어 제1 저전위 전원 배선과 직접 접촉하며 전기적으로 연결될 수 있다.A display device according to another embodiment of the present specification includes a substrate including a display area and a non-display area on which a plurality of sub-pixels are arranged, a plurality of first low-potential power lines disposed in the display area and connected to each of the plurality of sub-pixels. and a plurality of light emitting elements disposed in each of the plurality of sub-pixels, including an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer, wherein the cathode is disposed on at least a portion of the plurality of first low-potential power wirings. It may extend to directly contact and be electrically connected to the first low-potential power wiring.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예에 따르면, 캐소드와 복수의 저전위 전원 배선이 표시 영역 내에서 직접 연결되므로, 캐소드를 통해 이동하는 전류의 이동 거리가 최소화될 수 있다.According to an embodiment of the present specification, since the cathode and a plurality of low-potential power wirings are directly connected within the display area, the travel distance of the current moving through the cathode can be minimized.

본 명세서의 실시예에 따르면, 표시 장치 구동 시, 저전위 전원 배선의 전압 손실을 최소화하여 저전위 전원 배선의 전원 전압을 감소시킴으로써 저전력으로 구동할 수 있다.According to an embodiment of the present specification, when driving a display device, the voltage loss of the low-potential power wiring is minimized and the power voltage of the low-potential power wiring is reduced, so that the display device can be driven with low power.

본 명세서의 실시예에 따르면, 비표시 영역의 외곽을 따라 배치되는 저전위 전원 배선을 생략할 수 있으므로, 베젤을 최소화할 수 있다.According to an embodiment of the present specification, the low-potential power wiring disposed along the outside of the non-display area can be omitted, so the bezel can be minimized.

본 명세서에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present specification are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included within the present specification.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 회로도이다.
도 3a는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다.
도 3b는 도 1의 A-A' 및 도 3a의 B-B'에 따른 단면도이다.
도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5a는 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 C-C'에 따른 단면도이다.
도 6은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present specification.
Figure 2 is a circuit diagram of a sub-pixel of a display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 3A is an enlarged plan view of a display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 1 and BB' of FIG. 3A.
4 is a plan view of a display device according to another embodiment of the present specification.
FIG. 5A is a plan view of a display device according to another embodiment of the present specification.
FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line C-C' of FIG. 5A.
Figure 6 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present specification.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.The advantages and features of the present specification and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, but the present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present specification is complete and are within the scope of common knowledge in the technical field to which the present specification pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shape, area, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are illustrative, and the present specification is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present specification, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present specification, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. In cases where a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes instances where the other layer or other element is directly on top of or interposed between the other elements.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Additionally, first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical idea of the present specification.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 명세서가 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The area and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present specification is not necessarily limited to the area and thickness of the components shown.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하에서는 도면을 참조하여 본 명세서에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the present specification will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)의 다양한 구성 요소 중 기판(110), 표시 영역(AA), 비표시 영역(NA), 복수의 서브 화소(SP), 제1 저전위 전원 배선(AL1) 및 제2 저전위 전원 배선(AL2)을 도시하였다.1 is a plan view of a display device according to an embodiment of the present specification. For convenience of explanation, in FIG. 1, among the various components of the display device 100, a substrate 110, a display area (AA), a non-display area (NA), a plurality of sub-pixels (SP), and a first low-potential power supply wiring are shown. (AL1) and the second low-potential power supply wiring (AL2) are shown.

도 1을 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the display device 100 according to an embodiment of the present specification includes a display area (AA) and a non-display area (NA).

기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.The substrate 110 is a support member for supporting other components of the display device 100 and may be made of an insulating material. For example, the substrate 110 may be made of glass or resin. Additionally, the substrate 110 may be made of a polymer or plastic such as polyimide (PI), or may be made of a material with flexibility.

표시 영역(AA)은 기판(110)의 중앙부에 배치되고, 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역일 수 있다. 표시 영역(AA)에는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 적어도 하나의 발광 소자를 포함할 수 있고, 구동 소자는 표시 소자를 구동하기 위한 트랜지스터, 커패시터 및 배선을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The display area AA is disposed in the center of the substrate 110 and may be an area where an image is displayed in the display device 100. A display element and various driving elements for driving the display element may be disposed in the display area AA. For example, the display element may include at least one light-emitting element, and the driving element may include a transistor, a capacitor, and a wiring for driving the display element, but are not limited thereto.

표시 영역(AA)에는 복수의 서브 화소(SP)를 포함하는 복수의 화소가 배치될 수 있다. 화소는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 화소 각각은 발광 소자 및 구동 소자를 포함할 수 있다. 이때, 구동 소자는 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 등을 포함할 수 있다. 구동 소자는 비표시 영역(NA)에 배치된 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 연결되는 게이트 배선, 데이터 배선 등과 같은 신호 배선과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.A plurality of pixels including a plurality of sub-pixels SP may be disposed in the display area AA. A pixel is the minimum unit that constitutes a screen, and each of the plurality of pixels may include a light emitting element and a driving element. At this time, the driving element may include a switching transistor, a driving transistor, etc. The driving element may be electrically connected to signal lines such as gate lines and data lines connected to the gate driver and data driver disposed in the non-display area (NA), but is not limited thereto.

복수의 화소 각각은 서로 다른 파장의 광을 발광하는 복수의 서브 화소(SP)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소 및 백색 서브 화소 중 적어도 세 개를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Each of the plurality of pixels may include a plurality of sub-pixels (SP) that emit light of different wavelengths. For example, the plurality of sub-pixels SP may include at least three of a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and a white sub-pixel, but is not limited thereto.

비표시 영역(NA)은 기판(110)의 둘레 영역에 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 화소를 구동하기 위한 다양한 구성요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 화소의 구동을 위한 신호를 공급하는 구동 IC, 구동 회로, 신호 배선, 플렉서블 필름 등이 배치될 수 있다. 이때, 구동 IC는 게이트 드라이버(또는 게이트 구동회로), 데이터 드라이버(또는 데이터 구동회로) 등을 포함할 수 있다. 게이트 드라이버 및 데이터 드라이버는 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)로 구현될 수 있다. 구동 IC 및 구동 회로는 GIP(Gate In Panel) 방식, COF(Chip On Film) 방식, TAB(Tape Automated Bonding) 방식, TCP(Tape Carrier Package) 방식, COG(Chip On Glass) 방식 또는 기판(110)에 집적화되는 방식 등으로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The non-display area (NA) may be disposed in a peripheral area of the substrate 110 . The non-display area (NA) may be an area where images are not displayed. The non-display area (NA) may be arranged to surround the display area (AA). Various components for driving a plurality of pixels arranged in the display area AA may be disposed in the non-display area NA. For example, a driver IC, a driver circuit, a signal wire, a flexible film, etc. that supply signals for driving a plurality of pixels may be disposed. At this time, the driving IC may include a gate driver (or gate driving circuit), a data driver (or data driving circuit), etc. Gate drivers and data drivers can be implemented with thin film transistors (TFTs). The driving IC and driving circuit are GIP (Gate In Panel) method, COF (Chip On Film) method, TAB (Tape Automated Bonding) method, TCP (Tape Carrier Package) method, COG (Chip On Glass) method, or substrate 110. It may be arranged in an integrated manner, but is not limited to this.

한편, 도 1에 도시되지는 않았으나, 비표시 영역(NA)에는 복수의 패드가 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 패드는 기판(110)의 하단부에 배치될 수 있다. 그리고, 복수의 패드에는 구동 IC, 구동 회로 또는 플렉서블 필름이 연결될 수 있다. 이에, 복수의 패드는 다양한 구동 신호들을 입력받고, 복수의 화소에 구동 신호를 공급함으로써 표시 장치(100)를 구동할 수 있다. Meanwhile, although not shown in FIG. 1, a plurality of pads may be disposed in the non-display area (NA). For example, a plurality of pads may be disposed on the lower end of the substrate 110. Additionally, a driving IC, a driving circuit, or a flexible film may be connected to the plurality of pads. Accordingly, the plurality of pads can drive the display device 100 by receiving various driving signals and supplying the driving signals to the plurality of pixels.

복수의 패드는, 예를 들어, 서브 화소(SP)에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 패드, 발광 소자의 애노드에 고전위 전압을 공급하기 위한 고전위 전원 패드, 발광 소자의 캐소드에 저전위 전압을 공급하기 위한 저전위 전원 패드 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The plurality of pads include, for example, a data pad for supplying a data voltage to the sub-pixel (SP), a high-potential power pad for supplying a high-potential voltage to the anode of the light-emitting device, and a low-potential voltage to the cathode of the light-emitting device. It may include, but is not limited to, a low-potential power pad for supplying power.

기판(110) 상에서 표시 영역(AA)에는 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치된다. 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 서브 화소(SP) 각각과 연결되어 복수의 서브 화소(SP)의 캐소드에 저전위 전압을 공급할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 도 1과 같이, 표시 영역(AA)으로부터 비표시 영역(NA)으로 연장되어 기판(110)의 하단부에 배치된 복수의 패드와 연결될 수 있다. 이에, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 패드로부터 저전위 전압을 공급받을 수 있으며, 복수의 서브 화소(SP)로 저전위 전압을 공급할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A plurality of first low-potential power supply lines AL1 are disposed in the display area AA on the substrate 110 . The plurality of first low-potential power lines AL1 may be connected to each of the plurality of sub-pixels SP to supply a low-potential voltage to the cathodes of the plurality of sub-pixels SP. For example, as shown in FIG. 1, the plurality of first low-potential power wires AL1 extend from the display area AA to the non-display area NA and are connected to a plurality of pads disposed on the lower part of the substrate 110. You can. Accordingly, the plurality of first low-potential power lines AL1 may receive low-potential voltages from a plurality of pads and may supply the low-potential voltages to the plurality of sub-pixels SP, but are not limited thereto.

한편, 도 1에서는 설명의 편의를 위하여 4개의 제1 저전위 전원 배선(AL1)만이 도시되었으나, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 서브 화소(SP)와 각각 대응되도록 복수로 구비될 수 있다.Meanwhile, in FIG. 1, only four first low-potential power wires (AL1) are shown for convenience of explanation, but the first low-potential power wires (AL1) may be provided in plural numbers to correspond to a plurality of sub-pixels (SP). You can.

기판(110) 상에서 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)의 외곽을 따라 제2 저전위 전원 배선(AL2)이 배치된다. 제2 저전위 전원 배선(AL2)은 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 연결될 수 있다. 도 1을 참조하면, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 제2 저전위 전원 배선(AL2)과 기판(110)의 상단부에서 연결될 수 있고, 기판(110)의 하단부에서 복수의 패드와 각각 연결될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A second low-potential power line AL2 is disposed in the non-display area NA on the substrate 110 along the outer edge of the display area AA. The second low-potential power wiring (AL2) may be connected to a plurality of first low-potential power wiring (AL1). Referring to FIG. 1, a plurality of first low-potential power wires (AL1) and a second low-potential power wire (AL2) may be connected to the upper part of the substrate 110, and may be connected to a plurality of pads at the lower end of the substrate 110. Each may be connected, but is not limited to this.

도 1을 참조하면, 제2 저전위 전원 배선(AL2)의 폭은 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 폭보다 넓을 수 있다. 이러한 경우 동일 전압에 대하여 제2 저전위 전원 배선(AL2)은 제1 저전위 전원 배선(AL1)보다 낮은 저항 값을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Referring to FIG. 1 , the width of the second low-potential power wiring (AL2) may be wider than the width of the first low-potential power wiring (AL1). In this case, the second low-potential power wiring (AL2) may have a lower resistance value than the first low-potential power wiring (AL1) for the same voltage, but is not limited thereto.

이하에서는 도 2를 참조하여 복수의 서브 화소(SP) 중 하나의 화소 회로에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a pixel circuit among the plurality of sub-pixels SP will be described in more detail with reference to FIG. 2 .

도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 서브 화소의 회로도이다. 도 2는 도 1의 복수의 서브 화소(SP) 중 하나의 화소 회로를 예시적으로 나타낸다. Figure 2 is a circuit diagram of a sub-pixel of a display device according to an embodiment of the present specification. FIG. 2 exemplarily shows a pixel circuit among the plurality of sub-pixels SP of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 화소 회로는 제1 내지 제6 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 및 커패시터(Cst)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the pixel circuit includes first to sixth transistors (T1, T2, T3, T4, T5, T6) and a capacitor (Cst).

제1 트랜지스터(T1)는 제2 스캔 배선과 연결되어, 제2 스캔 배선을 통해 공급되는 제2 스캔 전압(SCAN2)에 의해 제어될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 데이터 전압(Vdata)을 공급하는 데이터 배선과 커패시터(Cst) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 스캔 배선을 통해 턴-온 레벨의 제2 스캔 전압(SCAN2)이 인가되면 데이터 배선으로부터의 데이터 전압(Vdata)을 커패시터(Cst)로 전달한다. 이러한 제1 트랜지스터(T1)는 커패시터(Cst)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 타이밍을 제어하는 스위칭 트랜지스터로 지칭될 수 있다.The first transistor T1 is connected to the second scan wire and can be controlled by the second scan voltage SCAN2 supplied through the second scan wire. The first transistor T1 may be electrically connected between the data line supplying the data voltage Vdata and the capacitor Cst. When the second scan voltage SCAN2 at the turn-on level is applied through the second scan line, the first transistor T1 transfers the data voltage Vdata from the data line to the capacitor Cst. This first transistor T1 may be referred to as a switching transistor that controls the timing at which the data voltage Vdata is applied to the capacitor Cst.

제2 트랜지스터(T2)는 고전위 전원 전압(EVDD)이 공급되는 고전위 전원 배선과 제5 트랜지스터(T5) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 커패시터(Cst)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 게이트 전극에 인가된 전압에 따라 발광 소자(120)로 흐르는 전류를 제어하여 발광 소자(120)의 휘도를 제어하는 구동 트랜지스터로 지칭될 수 있다.The second transistor T2 may be electrically connected between the high-potential power wiring supplied with the high-potential power supply voltage EVDD and the fifth transistor T5. And the gate electrode of the second transistor (T2) may be electrically connected to the capacitor (Cst). The second transistor T2 may be referred to as a driving transistor that controls the brightness of the light-emitting device 120 by controlling the current flowing to the light-emitting device 120 according to the voltage applied to the gate electrode.

제3 트랜지스터(T3)는 제1 스캔 배선을 통해 공급되는 제1 스캔 전압(SCAN1)에 의해 제어될 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 제3 트랜지스터(T3)의 타입에 따라 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이 또는 게이트 전극과 소스 전극 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The third transistor T3 can be controlled by the first scan voltage SCAN1 supplied through the first scan line. The third transistor T3 may be electrically connected between the gate electrode and the drain electrode or between the gate electrode and the source electrode of the second transistor T2, depending on the type of the third transistor T3.

실시예에서, 구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2)는 서브 화소(SP)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)에 따라 발광 소자(120)로 흐르는 전류를 제어해야 하나, 서브 화소(SP)마다 배치된 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압 편차로 인해 서브 화소(SP) 각각에 배치된 발광 소자(120)의 휘도 편차가 발생할 수 있다. In an embodiment, the second transistor T2, which is a driving transistor, must control the current flowing to the light emitting device 120 according to the data voltage Vdata applied to the sub-pixel SP, but is disposed in each sub-pixel SP. A deviation in the threshold voltage of the second transistor T2 may cause a deviation in luminance of the light emitting devices 120 disposed in each sub-pixel SP.

화소 회로에 제3 트랜지스터(T3)가 배치됨에 따라 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압이 보상될 수 있다. 이 때, 제3 트랜지스터(T3)는 보상 트랜지스터로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3)를 턴-온 시키는 제1 스캔 전압(SCAN1)이 인가된 경우, 고전위 전원 전압(EVDD)에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압이 감해진 전압이 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극으로 인가된다. 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압이 감해진 고전위 전원 전압(EVDD)이 인가된 상태에서 커패시터(Cst)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되도록 하여, 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압을 보상할 수 있다. As the third transistor T3 is disposed in the pixel circuit, the threshold voltage of the second transistor T2 may be compensated. At this time, the third transistor T3 may be referred to as a compensation transistor. For example, when the first scan voltage (SCAN1) that turns on the third transistor (T3) is applied, the voltage obtained by subtracting the threshold voltage of the second transistor (T2) from the high potential power supply voltage (EVDD) is 2 is applied to the gate electrode of the transistor (T2). The data voltage (Vdata) is applied to the capacitor (Cst) while the high-potential power supply voltage (EVDD) with the reduced threshold voltage is applied to the gate electrode of the second transistor (T2), thereby reducing the threshold voltage of the second transistor (T2). Voltage can be compensated.

도 2에서는 제3 트랜지스터(T3)는 제1 트랜지스터(T1)와 서로 다른 스캔 배선으로부터 다른 스캔 전압(SCAN1, SCAN2)을 전달받는 것으로 도시하였으나, 제3 트랜지스터(T3)와 제1 트랜지스터(T1)는 동일한 스캔 배선에 연결되어 동일한 스캔 전압(SCAN1 또는 SCAN2)을 전달받을 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.In FIG. 2, the third transistor T3 is shown as receiving different scan voltages (SCAN1, SCAN2) from different scan lines than the first transistor T1. However, the third transistor T3 and the first transistor T1 may be connected to the same scan wire and receive the same scan voltage (SCAN1 or SCAN2), but is not limited thereto.

제4 트랜지스터(T4)는 커패시터(Cst)와 초기화 전압(Vini)이 공급되는 초기화 신호 배선에 전기적으로 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호 배선을 통해 공급되는 발광 제어 전압(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호 배선을 통해 턴-온 레벨의 발광 제어 전압(EM)이 인가되면 커패시터(Cst)의 전압을 초기화하거나, 커패시터(Cst)에 인가된 데이터 전압(Vdata)을 서서히 방전시키며 데이터 전압(Vdata)에 따른 전류가 발광 소자(120)에 흐르도록 할 수 있다. The fourth transistor T4 may be electrically connected to the capacitor Cst and an initialization signal line to which the initialization voltage Vini is supplied. The fourth transistor T4 can be controlled by the emission control voltage (EM) supplied through the emission control signal line. When the light emission control voltage (EM) at the turn-on level is applied through the light emission control signal wire, the fourth transistor (T4) initializes the voltage of the capacitor (Cst) or sets the data voltage (Vdata) applied to the capacitor (Cst). It can be slowly discharged and a current according to the data voltage (Vdata) can flow through the light emitting device 120.

제5 트랜지스터(T5)는 제2 트랜지스터(T2)와 발광 소자(120) 사이에 전기적으로 연결되고, 발광 제어 신호 배선을 통해 공급되는 발광 제어 전압(EM)에 의해 제어될 수 있다. 제5 트랜지스터(T5)는 커패시터(Cst)에 데이터 전압(Vdata)이 인가되고, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 문턱 전압이 보상된 고전위 전원 전압(EVDD)이 인가된 상태에서, 턴-온 레벨의 발광 제어 전압(EM)이 인가되면 턴-온 되어 발광 소자(120)에 전류가 흐르도록 할 수 있다.The fifth transistor T5 is electrically connected between the second transistor T2 and the light emitting device 120 and can be controlled by the emission control voltage EM supplied through the emission control signal line. The fifth transistor (T5) turns on with the data voltage (Vdata) applied to the capacitor (Cst) and the high-potential power supply voltage (EVDD) with a compensated threshold voltage applied to the gate electrode of the second transistor (T2). When the light emission control voltage (EM) at the -on level is applied, it is turned on to allow current to flow through the light emitting device 120.

제6 트랜지스터(T6)는 초기화 전압(Vini)이 공급되는 초기화 신호 배선과 발광 소자(120)의 애노드 사이에 전기적으로 연결되고, 제1 스캔 배선을 통해 공급되는 제1 스캔 전압(SCAN1)에 의해 제어될 수 있다. 제6 트랜지스터(T6)는 제1 스캔 배선을 통해 턴-온 레벨의 제1 스캔 전압(SCAN1)이 인가되면 초기화 전압(Vini)으로 발광 소자(120)의 애노드나, 제2 트랜지스터(T2)와 제5 트랜지스터(T5) 사이의 노드를 초기화할 수 있다. The sixth transistor (T6) is electrically connected between the initialization signal wire to which the initialization voltage (Vini) is supplied and the anode of the light emitting device 120, and is activated by the first scan voltage (SCAN1) supplied through the first scan wire. It can be controlled. When the first scan voltage (SCAN1) at the turn-on level is applied through the first scan wire, the sixth transistor (T6) is connected to the anode of the light emitting device 120 or the second transistor (T2) with an initialization voltage (Vini). The node between the fifth transistor T5 can be initialized.

커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극에 인가되는 전압을 저장하는 저장 커패시터(Cst)일 수 있다. 여기서, 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극과 발광 소자(120)의 애노드 사이에 전기적으로 연결된다. 따라서, 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극의 전압과 발광 소자(120)의 애노드에 공급되는 전압의 차이를 저장할 수 있다. The capacitor Cst may be a storage capacitor Cst that stores the voltage applied to the gate electrode of the second transistor T2, which is a driving transistor. Here, the capacitor Cst is electrically connected between the gate electrode of the second transistor T2 and the anode of the light emitting device 120. Accordingly, the capacitor Cst can store the difference between the voltage of the gate electrode of the second transistor T2 and the voltage supplied to the anode of the light emitting device 120.

이하에서는 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 서브 화소(SP)를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the sub-pixel SP of the display device 100 according to an embodiment of the present specification will be described in more detail with reference to FIGS. 3A and 3B.

도 3a는 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치의 확대 평면도이다. 도 3b는 도 1의 A-A'에 따른 단면도 및 도 3a의 B-B'에 따른 단면도이다. 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 기판(110), 버퍼층(111), 게이트 절연층(112), 층간 절연층(113), 패시베이션층(114), 평탄화층(115), 뱅크(116), 고전위 전원 배선(PL), 복수의 스캔 배선(SL), 데이터 배선(DL), 제1 저전위 전원 배선(AL1), 제2 저전위 전윈 배선(AL2), 초기화 신호 배선(IL), 발광 제어 신호 배선(EL), 제5 트랜지스터(T5), 발광 소자(120), 연결 전극(CE) 포함한다. 도 3a에서는 설명의 편의를 위해 발광 소자(120)의 구성 중 애노드(121)만을 도시하였고, 애노드(121)의 해칭으로 복수의 서브 화소(SP)를 나타내었다. 그리고 도 3b에서는 설명의 편의를 위해 화소 회로의 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3, T4, T5, T6) 및 커패시터(Cst) 중 제5 트랜지스터(T5)만을 도시하였다.FIG. 3A is an enlarged plan view of a display device according to an embodiment of the present specification. FIG. 3B is a cross-sectional view taken along A-A' in FIG. 1 and a cross-sectional view taken along B-B' in FIG. 3A. 3A and 3B, the display device 100 according to an embodiment of the present specification includes a substrate 110, a buffer layer 111, a gate insulating layer 112, an interlayer insulating layer 113, and a passivation layer ( 114), planarization layer 115, bank 116, high potential power supply wiring (PL), plurality of scan wiring (SL), data wiring (DL), first low potential power supply wiring (AL1), second low potential wiring It includes a power wiring (AL2), an initialization signal wiring (IL), a light emission control signal wiring (EL), a fifth transistor (T5), a light emitting element 120, and a connection electrode (CE). In FIG. 3A , for convenience of explanation, only the anode 121 of the light emitting device 120 is shown, and the anode 121 is hatched to indicate a plurality of sub-pixels (SP). And in FIG. 3B, for convenience of explanation, only the fifth transistor T5 among the plurality of transistors T1, T2, T3, T4, T5, and T6 and the capacitor Cst of the pixel circuit is shown.

도 3a를 참조하면, 복수의 서브 화소(SP)는 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각에는 발광 소자(120)가 배치된다. 복수의 서브 화소(SP)는 서로 다른 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함한다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)는 청색 서브 화소이고, 제2 서브 화소(SP2)는 녹색 서브 화소이며, 제3 서브 화소(SP3)는 적색 서브 화소일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. Referring to FIG. 3A, the plurality of sub-pixels (SP) are individual units that emit light, and a light-emitting element 120 is disposed in each of the plurality of sub-pixels (SP). The plurality of sub-pixels SP include a first sub-pixel (SP1), a second sub-pixel (SP2), and a third sub-pixel (SP3) that emit light of different colors. For example, the first sub-pixel SP1 may be a blue sub-pixel, the second sub-pixel SP2 may be a green sub-pixel, and the third sub-pixel SP3 may be a red sub-pixel, but are not limited thereto.

실시예에서, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 복수의 열을 이루며 배치될 수 있다. 즉, 복수의 제1 서브 화소(SP1)는 동일한 열에 배치될 수 있다. 그리고 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 복수의 제1 서브 화소(SP1)가 배치된 복수의 열 각각의 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 열에 복수의 제1 서브 화소(SP1)가 배치되고, 이웃한 열에 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)가 함께 배치될 수 있다. 그리고 복수의 제2 서브 화소(SP2)와 복수의 제3 서브 화소(SP3)는 동일한 열에서 교대로 배치될 수 있다. 다만, 본 명세서에서는 복수의 서브 화소(SP)가 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함하는 것으로 설명하였으나, 복수의 서브 화소(SP)의 배치, 개수 및 색상 조합은 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In an embodiment, the plurality of first sub-pixels SP1 may be arranged in a plurality of columns. That is, the plurality of first sub-pixels SP1 may be arranged in the same column. Additionally, the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 may be arranged between each of the plurality of columns in which the plurality of first sub-pixels SP1 are arranged. For example, a plurality of first sub-pixels (SP1) may be arranged in one column, and a plurality of second sub-pixels (SP2) and third sub-pixels (SP3) may be arranged in an adjacent column. Additionally, the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 may be alternately arranged in the same column. However, in this specification, the plurality of sub-pixels (SP) are described as including the first sub-pixel (SP1), the second sub-pixel (SP2), and the third sub-pixel (SP3), but the plurality of sub-pixels (SP) The arrangement, number, and color combination may vary depending on the design, but is not limited thereto.

실시예에서, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 서브 화소(SP) 사이에 열 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 저전위 전원 전압(EVSS)을 전달하는 배선이다. 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치된다. 예를 들어, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 각각은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이 및 제1 서브 화소(SP1)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.In an embodiment, the plurality of first low-potential power wires AL1 may be arranged to extend in the column direction between the plurality of sub-pixels SP. The plurality of first low-potential power supply wires (AL1) are wires that transmit the low-potential power supply voltage (EVSS) to each of the plurality of sub-pixels (SP). The plurality of first low-potential power wiring lines AL1 are disposed between the plurality of sub-pixels SP. For example, each of the plurality of first low-potential power lines AL1 is between the first sub-pixel SP1 and the second sub-pixel SP2 and between the first sub-pixel SP1 and the third sub-pixel SP3. It may be placed in, but is not limited to.

실시예에서, 복수의 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 동일하게 열 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 고전위 전원 전압(EVDD)을 전달하는 배선이다. 복수의 고전위 전원 배선(PL)은 복수의 저전위 전원 배선(AL1)과 이웃하게 배치될 수 있다. 복수의 고전위 전원 배선(PL) 중 일부는 제1 서브 화소(SP1)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 복수의 고전위 전원 배선(PL) 중 다른 일부는 동일한 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 중첩하도록 배치될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. In an embodiment, the plurality of high-potential power wiring lines PL may be arranged to extend in the same column direction as the plurality of first low-potential power wiring lines AL1. The plurality of high-potential power supply wires (PL) are wires that transmit the high-potential power supply voltage (EVDD) to each of the plurality of sub-pixels (SP). A plurality of high-potential power wiring lines (PL) may be arranged adjacent to a plurality of low-potential power wiring lines (AL1). Some of the plurality of high-potential power lines PL may be arranged to overlap the first sub-pixel SP1. Another part of the plurality of high-potential power lines PL may be arranged to overlap the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 arranged in the same column, but is not limited thereto.

실시예에서, 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 및 복수의 고전위 전원 배선(PL)과 동일하게 열 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 데이터 전압(Vdata)을 전달하는 배선이다. 복수의 데이터 배선(DL)은 복수의 고전위 전원 배선(PL)과 이웃하게 배치될 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL) 중 일부는 제1 서브 화소(SP1)와 중첩하도록 배치될 수 있다. 복수의 데이터 배선(DL) 중 다른 일부는 동일한 열에 배치된 복수의 제2 서브 화소(SP2) 및 복수의 제3 서브 화소(SP3)에 중첩하도록 배치될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. In an embodiment, the plurality of data wires DL may be arranged to extend in the same column direction as the plurality of first low potential power wires AL1 and the plurality of high potential power wires PL. The plurality of data lines DL are lines that transmit the data voltage Vdata to each of the plurality of sub-pixels SP. The plurality of data wires DL may be arranged adjacent to the plurality of high potential power wires PL. Some of the plurality of data lines DL may be arranged to overlap the first sub-pixel SP1. Another part of the plurality of data lines DL may be arranged to overlap the plurality of second sub-pixels SP2 and the plurality of third sub-pixels SP3 arranged in the same column, but is not limited thereto.

실시예에서, 복수의 스캔 배선(SL)은 행 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 스캔 배선(SL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 스캔 전압(SCAN1, SCAN2)을 전달하는 배선이다. 복수의 스캔 배선(SL)은 제1 스캔 배선(SL1) 및 제2 스캔 배선(SL2)을 포함한다. 제1 스캔 배선(SL1)은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 행 방향으로 연장되어 배치되고, 제2 스캔 배선(SL2)은 제3 서브 화소(SP3)를 가로질러 행 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. In an embodiment, the plurality of scan lines SL may be arranged to extend in the row direction. The plurality of scan wires (SL) are wires that transmit scan voltages (SCAN1, SCAN2) to each of the plurality of sub-pixels (SP). The plurality of scan wires SL include a first scan wire SL1 and a second scan wire SL2. The first scan line SL1 is arranged to extend in the row direction between the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3, and the second scan line SL2 extends horizontally across the third sub-pixel SP3. It can be arranged to extend in the row direction.

실시예에서, 복수의 초기화 신호 배선(IL)은 복수의 서브 화소(SP) 사이에 복수의 스캔 배선(SL)과 동일하게 행 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 초기화 신호 배선(IL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 초기화 전압(Vini)을 전달하는 배선이다. 복수의 초기화 신호 배선(IL) 각각은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 초기화 신호 배선(IL)은 제1 스캔 배선(SL1)과 제2 스캔 배선(SL2) 사이에 배치될 수 있다. In an embodiment, the plurality of initialization signal wires IL may be arranged between the plurality of sub-pixels SP in a form extending in the same row direction as the plurality of scan wires SL. The plurality of initialization signal wires IL are wires that transmit the initialization voltage Vini to each of the plurality of sub-pixels SP. Each of the plurality of initialization signal lines IL may be disposed between the second sub-pixel SP2 and the third sub-pixel SP3. A plurality of initialization signal wires IL may be disposed between the first scan wire SL1 and the second scan wire SL2.

실시예에서, 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 복수의 스캔 배선(SL)과 동일하게 행 방향으로 연장되는 형태로 배치될 수 있다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 복수의 서브 화소(SP) 각각으로 발광 제어 전압(EM)을 전달하는 배선이다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 복수의 제2 스캔 배선(SL2)과 이웃하게 배치될 수 있다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)은 제3 서브 화소(SP3)를 가로질러 행 방향으로 연장되어 배치될 수 있다. 복수의 발광 제어 신호 배선(EL)과 복수의 초기화 신호 배선(IL) 사이에 제2 스캔 배선(SL2)이 배치될 수 있다.In an embodiment, the plurality of emission control signal wires EL may be arranged to extend in the row direction in the same manner as the plurality of scan wires SL. The plurality of emission control signal wires (EL) are wires that transmit the emission control voltage (EM) to each of the plurality of sub-pixels (SP). The plurality of emission control signal wires EL may be arranged adjacent to the plurality of second scan wires SL2. A plurality of emission control signal wires EL may be arranged to extend in the row direction across the third sub-pixel SP3. A second scan wire (SL2) may be disposed between the plurality of emission control signal wires (EL) and the plurality of initialization signal wires (IL).

도 3b를 참조하면, 기판(110)은 표시 장치(100)의 다른 구성 요소를 지지하기 위한 지지 부재로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 유리 또는 수지 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(110)은 고분자 또는 폴리이미드(Polyimide, PI) 등과 같은 플라스틱을 포함하여 이루어질 수도 있고, 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 물질로 이루어질 수도 있다.Referring to FIG. 3B , the substrate 110 is a support member for supporting other components of the display device 100 and may be made of an insulating material. For example, the substrate 110 may be made of glass or resin. Additionally, the substrate 110 may be made of a polymer or plastic such as polyimide (PI), or may be made of a material with flexibility.

기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 기판(110)을 통한 수분 또는 불순물의 침투를 저감할 수 있다. 버퍼층(111)은 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다만, 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류나 트랜지스터의 종류에 따라 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.A buffer layer 111 is disposed on the substrate 110. The buffer layer 111 can reduce penetration of moisture or impurities through the substrate 110. The buffer layer 111 may be composed of, for example, a single layer or a multiple layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto. However, the buffer layer 111 may be omitted depending on the type of substrate 110 or the type of transistor, but is not limited thereto.

버퍼층(111) 상에 제5 트랜지스터(T5)가 배치된다. 제5 트랜지스터(T5)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. The fifth transistor T5 is disposed on the buffer layer 111. The fifth transistor T5 includes an active layer (ACT), a gate electrode (GE), a source electrode (SE), and a drain electrode (DE).

액티브층(ACT)은 산화물 반도체, 비정질 실리콘 또는 폴리 실리콘 등과 같은 반도체 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 액티브층(ACT)이 산화물 반도체로 형성된 경우, 액티브층(ACT)은 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역으로 이루어지고, 소스 영역 및 드레인 영역은 도체화된 영역일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The active layer (ACT) may be made of a semiconductor material such as oxide semiconductor, amorphous silicon, or polysilicon, but is not limited thereto. For example, when the active layer (ACT) is formed of an oxide semiconductor, the active layer (ACT) consists of a channel region, a source region, and a drain region, and the source region and drain region may be conductive regions, but are limited to this. It doesn't work.

액티브층(ACT) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시키기 위한 절연층으로, 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A gate insulating layer 112 is disposed on the active layer (ACT). The gate insulating layer 112 is an insulating layer for insulating the active layer (ACT) and the gate electrode (GE), and may be composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is limited thereto. It doesn't work.

게이트 절연층(112) 상에 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A gate electrode (GE) is disposed on the gate insulating layer 112. The gate electrode (GE) may be made of a conductive material, such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), nickel (Ni), titanium (Ti), chromium (Cr), or an alloy thereof. However, it is not limited to this.

게이트 전극(GE) 상에 층간 절연층(113)이 배치된다. 층간 절연층(113)에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 각각이 액티브층(ACT)에 접속하기 위한 컨택홀이 형성된다. 층간 절연층(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.An interlayer insulating layer 113 is disposed on the gate electrode GE. Contact holes are formed in the interlayer insulating layer 113 to connect the source electrode (SE) and the drain electrode (DE) to the active layer (ACT). The interlayer insulating layer 113 may be composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto.

층간 절연층(113) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 서로 이격되어 배치된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. A source electrode (SE) and a drain electrode (DE) are disposed on the interlayer insulating layer 113. The source electrode (SE) and drain electrode (DE) arranged to be spaced apart from each other may be electrically connected to the active layer (ACT). The source electrode (SE) and drain electrode (DE) are made of a conductive material, such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), nickel (Ni), titanium (Ti), chromium (Cr), or It may be composed of an alloy, but is not limited thereto.

표시 영역(AA)의 층간 절연층(113) 상에 제1 저전위 전원 배선(AL1), 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)이 배치된다. 그리고, 비표시 영역(NA)의 층간 절연층(113) 상에 제2 저전위 전원 배선(AL2)이 배치된다. 제1 저전위 전원 배선(AL1), 제2 저전위 전원 배선(AL2), 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일 층에 배치되어, 동일한 도전성 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 저전위 전원 배선(AL1), 제2 저전위 전원 배선(AL2), 고전위 전원 배선(PL) 및 데이터 배선(DL)은 도전성 물질, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 또는 이에 대한 합금으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A first low-potential power line (AL1), a high-potential power line (PL), and a data line (DL) are disposed on the interlayer insulating layer 113 in the display area (AA). Additionally, a second low-potential power supply line AL2 is disposed on the interlayer insulating layer 113 in the non-display area NA. The first low-potential power supply wiring (AL1), the second low-potential power supply wiring (AL2), the high-potential power supply wiring (PL), and the data wiring (DL) are disposed on the same layer as the source electrode (SE) and the drain electrode (DE). may be made of the same conductive material, but is not limited thereto. For example, the first low-potential power wiring (AL1), the second low-potential power wiring (AL2), the high-potential power wiring (PL), and the data wiring (DL) are made of a conductive material, for example, copper (Cu), It may be made of aluminum (Al), molybdenum (Mo), nickel (Ni), titanium (Ti), chromium (Cr), or an alloy thereof, but is not limited thereto.

제1 저전위 전원 배선(AL1), 제2 저전위 전원 배선(AL2), 고전위 전원 배선(PL), 데이터 배선(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 패시베이션층(114)이 배치된다. 패시베이션층(114)은 패시베이션층(114) 하부의 구성을 보호하기 위한 절연층이다. 예를 들어, 패시베이션층(114)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 패시베이션층(114)은 실시예에 따라 생략될 수도 있다.A passivation layer ( 114) is placed. The passivation layer 114 is an insulating layer to protect the structure below the passivation layer 114. For example, the passivation layer 114 may be composed of a single layer or a multiple layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), but is not limited thereto. Additionally, the passivation layer 114 may be omitted depending on the embodiment.

패시베이션층(114) 상에 평탄화층(115)이 배치된다. 평탄화층(115)은 기판(110)의 상부를 평탄화하는 절연층이다. 평탄화층(115)은 유기 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide) 또는 포토아크릴(Photo Acryl)의 단일층 또는 복층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A planarization layer 115 is disposed on the passivation layer 114. The planarization layer 115 is an insulating layer that planarizes the upper part of the substrate 110. The planarization layer 115 may be made of an organic material, for example, a single layer or a double layer of polyimide or photo acryl, but is not limited thereto.

평탄화층(115) 상에서 복수의 서브 화소(SP) 각각에 복수의 발광 소자(120)가 배치된다. 발광 소자(120)는 애노드(121), 유기층(122) 및 캐소드(123)를 포함한다.A plurality of light emitting devices 120 are disposed in each of the plurality of sub-pixels SP on the planarization layer 115. The light emitting device 120 includes an anode 121, an organic layer 122, and a cathode 123.

표시 영역(AA)의 평탄화층(115) 상에 애노드(121)가 배치된다. 애노드(121)는 화소 회로의 트랜지스터, 예를 들어, 제2 트랜지스터(T2) 및 제5 트랜지스터(T5)와 전기적으로 연결되어, 구동 전류를 공급받을 수 있다. 애노드(121)는 유기층(122)에 정공을 공급하므로, 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. An anode 121 is disposed on the planarization layer 115 in the display area AA. The anode 121 is electrically connected to a transistor of the pixel circuit, for example, the second transistor T2 and the fifth transistor T5, and can receive a driving current. Since the anode 121 supplies holes to the organic layer 122, it may be made of a conductive material with a high work function.

비표시 영역(NA)의 평탄화층(115) 상에 연결 전극(CE)이 배치된다. 연결 전극(CE)은 캐소드(123)와 제2 저전위 전원 배선(AL2)을 전기적으로 연결하기 위한 연결 부재로, 애노드(121)와 동일 물질로 동일 층 상에 배치될 수 있다. 다만, 연결 전극(CE)은 생략될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다. A connection electrode (CE) is disposed on the planarization layer 115 in the non-display area (NA). The connection electrode CE is a connecting member for electrically connecting the cathode 123 and the second low-potential power wiring AL2, and may be made of the same material as the anode 121 and disposed on the same layer. However, the connection electrode (CE) may be omitted, but is not limited thereto.

애노드(121) 및 연결 전극(CE)은 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The anode 121 and the connection electrode (CE) may be formed of a transparent conductive material such as, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), but are not limited thereto. No.

한편, 표시 장치(100)는 탑 에미션(Top Emission) 또는 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 구현될 수 있다. 탑 에미션 방식인 경우, 유기층(122)으로부터 발광된 광이 애노드(121)에 반사되어 상부 방향, 즉, 캐소드(123) 측을 향하도록, 애노드(121)의 하부에 반사 효율이 우수한 금속 물질, 예를 들어, 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)과 같은 물질로 이루어진 반사층이 추가될 수 있다. 반대로, 표시 장치(100)가 바텀 에미션 방식인 경우, 애노드(121)는 투명 도전성 물질로만 이루어질 수 있다. 이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식인 것으로 가정하여 설명하기로 한다.Meanwhile, the display device 100 may be implemented in a top emission or bottom emission method. In the case of the top emission method, a metal material with excellent reflection efficiency is placed at the bottom of the anode 121 so that the light emitted from the organic layer 122 is reflected by the anode 121 and heads upward, that is, toward the cathode 123. For example, a reflective layer made of a material such as aluminum (Al) or silver (Ag) may be added. Conversely, when the display device 100 is a bottom emission type, the anode 121 may be made only of a transparent conductive material. Hereinafter, the description will be made assuming that the display device 100 according to an embodiment of the present invention is a top emission type.

애노드(121) 및 평탄화층(115) 상에 뱅크(116)가 배치된다. 뱅크(116)는 복수의 서브 화소(SP)를 구분하기 위해, 복수의 서브 화소(SP) 사이에 배치된 절연층이다. 뱅크(116)는 애노드(121)의 일부를 노출시키는 개구부를 포함한다. 뱅크(116)는 애노드(121)의 끝단 또는 가장자리 부분을 덮도록 배치된 유기 절연 물질일 수 있다. 뱅크(116)는 예를 들어, 폴리이미드(polyimide), 아크릴(acryl) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A bank 116 is disposed on the anode 121 and the planarization layer 115. The bank 116 is an insulating layer disposed between the plurality of sub-pixels SP to distinguish the plurality of sub-pixels SP. Bank 116 includes an opening exposing a portion of anode 121. The bank 116 may be an organic insulating material disposed to cover the end or edge of the anode 121. The bank 116 may be made of, for example, polyimide, acryl, or benzocyclobutene (BCB)-based resin, but is not limited thereto.

애노드(121) 및 뱅크(116) 상에 유기층(122)이 배치된다. 유기층(122)은 발광층을 포함한다. 발광층은 특정 색상의 광을 발광하기 위한 유기층으로, 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 각각에 서로 다른 발광층이 배치될 수도 있고, 복수의 서브 화소(SP) 전체에 동일한 발광층이 배치될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 각각에 서로 다른 발광층이 배치된 경우, 제1 서브 화소(SP1)에 청색 발광층이 배치되고, 제2 서브 화소(SP2)에 녹색 발광층이 배치되며, 제3 서브 화소(SP3)에는 적색 발광층이 배치될 수 있다. 또한, 복수의 서브 화소(SP)의 발광층은 서로 연결되어 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있고, 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 전체에 발광층이 배치되고, 발광층으로부터의 광은 별도의 광변환층, 컬러 필터 등을 통해 다양한 색상의 광으로 변환될 수도 있다.An organic layer 122 is disposed on the anode 121 and the bank 116. The organic layer 122 includes a light emitting layer. The light emitting layer is an organic layer for emitting light of a specific color. Different light emitting layers may be disposed in each of the first sub-pixel (SP1), the second sub-pixel (SP2), and the third sub-pixel (SP3), and a plurality of sub-pixels may be provided. The same light emitting layer may be disposed throughout the pixel SP. For example, when different light-emitting layers are disposed in each of the plurality of sub-pixels SP1, a blue light-emitting layer is disposed in the first sub-pixel SP1, a green light-emitting layer is disposed in the second sub-pixel SP2, and a green light-emitting layer is disposed in the second sub-pixel SP2. 3 A red light emitting layer may be disposed in the sub-pixel SP3. Additionally, the light emitting layers of the plurality of sub-pixels SP may be connected to each other to form a single layer across the plurality of sub-pixels SP. For example, the light emitting layer may be disposed throughout the plurality of sub-pixels SP. , light from the light emitting layer may be converted into light of various colors through a separate light conversion layer, color filter, etc.

또한, 하나의 서브 화소(SP)에 동일한 색상의 광을 발광하는 발광층이 복수 개 적층될 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 화소(SP1)에 2개의 청색 발광층이 적층되고, 제2 서브 화소(SP2)에 2개의 녹색 발광층이 적층되며, 제3 서브 화소(SP3)에는 2개의 적색 발광층이 배치될 수 있다. 이 경우, 복수의 발광층 각각의 사이에 전하 생성층(Charge Generation Layer, CGL)이 배치되어, 복수의 발광층 각각으로 전자 또는 정공을 원활하게 공급할 수 있다. 즉, 2개의 청색 발광층 사이, 2개의 녹색 발광층 사이, 2개의 적색 발광층 사이에 전하 생성층이 배치될 수 있다.Additionally, a plurality of light emitting layers that emit light of the same color may be stacked in one sub-pixel SP. For example, two blue light-emitting layers are stacked in the first sub-pixel (SP1), two green light-emitting layers are stacked in the second sub-pixel (SP2), and two red light-emitting layers are stacked in the third sub-pixel (SP3). It can be. In this case, a charge generation layer (CGL) is disposed between each of the plurality of light-emitting layers, so that electrons or holes can be smoothly supplied to each of the plurality of light-emitting layers. That is, the charge generation layer may be disposed between two blue light-emitting layers, between two green light-emitting layers, and between two red light-emitting layers.

또한, 하나의 서브 화소(SP)에 서로 다른 색상의 광을 발광하는 발광층이 복수 개 적층될 수도 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP) 모두에 청색 발광층 및 황색-녹색 발광층이 적층되어, 복수의 서브 화소(SP) 모두에서 백색 광을 구현할 수도 있다. 이 경우, 청색 발광층과 황색-녹색 발광층 사이에 전하 생성층이 배치될 수 있다.Additionally, a plurality of light-emitting layers that emit light of different colors may be stacked in one sub-pixel SP. For example, a blue emission layer and a yellow-green emission layer may be stacked on all of the plurality of sub-pixels (SP), thereby implementing white light in all of the plurality of sub-pixels (SP). In this case, a charge generation layer may be disposed between the blue emission layer and the yellow-green emission layer.

한편, 도 3b에 도시되지는 않았으나, 유기층은 발광층의 발광 효율을 개선하기 위해 배치되는 공통층을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 공통층은 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 공통층은 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. 공통층은 상술한 전하 생성층이나 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, although not shown in FIG. 3B, the organic layer may further include a common layer disposed to improve the luminous efficiency of the light-emitting layer. For example, the common layer may be formed as one layer across a plurality of sub-pixels (SP). That is, the common layers of each of the plurality of sub-pixels (SP) may be connected to each other and formed as one body. The common layer may include, but is not limited to, the above-described charge generation layer, hole injection layer, hole transport layer, electron transport layer, and electron injection layer.

유기층(122) 상에 캐소드(123)가 배치된다. 캐소드(123)는 유기층(122)에 전자를 공급하므로, 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 캐소드(123)는 복수의 서브 화소(SP)에 걸쳐 하나의 층으로 형성될 수 있다. 즉, 복수의 서브 화소(SP) 각각의 캐소드(123)는 서로 연결되어 일체로 이루어질 수 있다. A cathode 123 is disposed on the organic layer 122. Since the cathode 123 supplies electrons to the organic layer 122, it may be made of a conductive material with a low work function. The cathode 123 may be formed as one layer over a plurality of sub-pixels (SP). That is, the cathodes 123 of each of the plurality of sub-pixels (SP) may be connected to each other and formed as one body.

캐소드(123)는 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 연결될 수 있다. 일 예로, 캐소드(123)는 뱅크(116) 및 평탄화층(115)의 컨택홀을 통해 노출된 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 상면의 적어도 일부와 직접 접촉할 수 있다. 다른 예로, 캐소드(123)는 뱅크(116) 및 평탄화층(115)의 컨택홀을 통해 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 캐소드(123)는 보조 전극을 사이에 두고 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 캐소드(123)는 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 연결됨에 따라 저전위 전원 전압(EVSS)을 공급받을 수 있다.The cathode 123 may be connected to the first low-potential power line AL1. As an example, the cathode 123 may directly contact at least a portion of the upper surface of the plurality of first low-potential power wires AL1 exposed through the contact hole of the bank 116 and the planarization layer 115. As another example, the cathode 123 may be electrically connected to each of the plurality of first low-potential power lines AL1 through contact holes in the bank 116 and the planarization layer 115. For example, the cathode 123 may be electrically connected to the first low-potential power line AL1 with an auxiliary electrode interposed therebetween. The cathode 123 can receive a low-potential power supply voltage (EVSS) by being connected to the first low-potential power supply line (AL1).

캐소드(123)는 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등과 같은 투명 도전성 물질 또는 MgAg와 같은 금속 합금이나 이테르븀(Yb) 합금 등으로 형성될 수 있고, 금속 도핑층이 더 포함될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.The cathode 123 is formed of, for example, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), a metal alloy such as MgAg, or a ytterbium (Yb) alloy. It may be, and a metal doping layer may be further included, but is not limited thereto.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 표시 영역(AA)에 제2 저전위 전원 배선(AL2)과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치된다. 이에, 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 저전위 전원 전압이 최소화될 수 있다.In the display device 100 according to an embodiment of the present specification, a plurality of first low-potential power wires (AL1) connected to the second low-potential power wire (AL2) are disposed in the display area (AA). Accordingly, the low-potential power supply voltage for driving the plurality of sub-pixels SP can be minimized.

구체적으로, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소(SP) 각각에 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치된다. 그리고, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 각각은 제2 저전위 전원 배선(AL2)과 연결된다. 이에, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치되지 않는 경우와 비교하여 제2 저전위 전원 배선(AL2)의 저항이 감소될 수 있고, 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위해 제2 저전위 전원 배선(AL2)에 요구되는 저전위 전원 전압이 최소화될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 표시 영역(AA)에 제2 저전위 전원 배선(AL2)과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치되므로, 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 저전위 전원 전압이 최소화될 수 있고, 표시 장치(100)의 발열 및 수명 저하가 개선될 수 있다.Specifically, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the first low-potential power line AL1 is disposed in each of the plurality of sub-pixels SP in the display area AA. Additionally, each of the plurality of first low-potential power wires (AL1) is connected to the second low-potential power wire (AL2). Accordingly, compared to the case where the plurality of first low-potential power wires AL1 are not disposed, the resistance of the second low-potential power wire AL2 may be reduced, and the resistance of the second low-potential power wire AL2 may be reduced to drive the plurality of sub-pixels SP. 2 The low-potential power supply voltage required for the low-potential power wiring (AL2) can be minimized. Therefore, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, a plurality of first low-potential power wires AL1 connected to the second low-potential power wire AL2 are disposed in the display area AA, so that a plurality of first low-potential power wires AL1 connected to the second low-potential power wire AL2 are disposed in the display area AA. The low-potential power supply voltage for driving the sub-pixel SP can be minimized, and heat generation and deterioration of the lifespan of the display device 100 can be improved.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 표시 영역(AA) 내에서 직접 연결되므로, 캐소드(123)를 통해 이동하는 전류의 이동 거리가 최소화될 수 있다.In the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the cathode 123 and the first low-potential power line AL1 are directly connected within the display area AA, so the current moving through the cathode 123 is Travel distance can be minimized.

실시예에서, 캐소드가 비표시 영역의 외곽을 따라 배치되는 저전위 전원 배선과만 연결되는 경우, 표시 영역의 복수의 발광 소자로부터 저전위 전원 배선으로 이동하는 전류는 비표시 영역까지 연장된 캐소드를 통해 비표시 영역의 외곽을 따라 배치된 저전위 전원 배선까지 이동한다. 이때, 캐소드는 복수의 발광 소자가 공유할 수 있도록 큰 면적으로 배치되므로, 캐소드로 인해 큰 면 저항이 발생하게 된다. 이에, 캐소드의 큰 면 저항에 의해 저전위 전원 전압의 손실이 발생하는 문제가 있었다.In an embodiment, when the cathode is connected only to the low-potential power wiring disposed along the outside of the non-display area, the current moving from the plurality of light-emitting elements in the display area to the low-potential power wiring is connected to the cathode extending to the non-display area. It moves to the low-potential power wiring arranged along the outside of the non-display area. At this time, the cathode is arranged to have a large area so that it can be shared by a plurality of light-emitting devices, so a large sheet resistance is generated due to the cathode. Accordingly, there was a problem of loss of low-potential power supply voltage due to the large surface resistance of the cathode.

반면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는, 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 표시 영역(AA) 내에서 직접 연결된다. 이에 따라, 캐소드(123)를 통해 이동하는 전류는 표시 영역(AA) 내에서 캐소드(123)와 직접 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)으로 이동할 수 있다. 이에, 캐소드(123)가 표시 장치(100)의 외곽에 배치된 저전위 전윈 배선과만 연결되는 경우와 비교하여, 캐소드(123)를 통해 이동하는 전류의 이동 거리 및 캐소드(123)의 면 저항에 의한 전압 손실이 최소화될 수 있다. On the other hand, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the cathode 123 and the first low-potential power line AL1 are directly connected within the display area AA. Accordingly, the current moving through the cathode 123 may move to a plurality of first low-potential power lines AL1 directly connected to the cathode 123 within the display area AA. Accordingly, compared to the case where the cathode 123 is connected only to a low-potential power wiring disposed on the outside of the display device 100, the movement distance of the current moving through the cathode 123 and the sheet resistance of the cathode 123 Voltage loss can be minimized.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 표시 영역(AA) 내에서 캐소드(123)와 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 다른 구성 요소를 통하지 않고 직접 연결되므로, 캐소드(123)에 의한 전압 손실을 더욱 최소화할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 표시 영역(AA) 내에서 직접 연결되므로, 캐소드(123)를 통해 이동하는 전류의 이동 거리가 최소화될 수 있고, 표시 장치(100)의 전압 손실이 최소화될 수 있다. In the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the cathode 123 and the plurality of first low-potential power wires AL1 are directly connected within the display area AA without passing through other components, so that the cathode ( 123), the voltage loss can be further minimized. Therefore, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the cathode 123 and the first low-potential power line AL1 are directly connected within the display area AA, so that the cathode 123 moving through the cathode 123 The distance the current moves can be minimized, and the voltage loss of the display device 100 can be minimized.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 저전위 전원 배선의 전원 전압을 감소시켜 표시 장치(100)의 발열 및 수명 저하가 개선될 수 있다.In the display device 100 according to an embodiment of the present specification, heat generation and reduction in lifespan of the display device 100 can be improved by reducing the power supply voltage of the low-potential power wiring.

실시예에서, 캐소드가 표시 장치의 외곽에 배치된 저전위 전윈 배선과만 연결되는 경우, 캐소드의 큰 면 저항에 의해 저전위 전원 전압의 손실이 발생할 수 있고, 이에 따라 저전위 전원 배선에도 더 큰 저전위 전원 전압이 요구된다. 이에, 전원 전압의 증가에 따라 표시 장치의 발열량 증가 및 수명 저하가 발생하는 문제가 있었다. In an embodiment, when the cathode is connected only to the low-potential power wiring disposed on the outside of the display device, a loss of the low-potential power supply voltage may occur due to the large surface resistance of the cathode, and accordingly, the low-potential power wiring also has a larger load. A low potential power supply voltage is required. Accordingly, as the power supply voltage increases, there is a problem in that the amount of heat generated and the lifespan of the display device decreases.

반면, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 캐소드(123)를 통해 이동하는 전류의 이동 거리가 최소화될 수 있으므로, 저전위 전원 배선의 전압 손실이 최소화될 수 있다. 이에 따라, 저전위 전원 배선에 요구되는 전원 전압 또한 감소될 수 있으므로, 표시 장치(100)의 발열 및 수명 저하가 개선될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 저전위 전원 배선의 전원 전압을 감소시켜 표시 장치(100)의 발열 및 수명 저하가 개선될 수 있으므로, 저전력 표시 장치를 제공할 수 있다. On the other hand, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, the moving distance of the current moving through the cathode 123 can be minimized, and thus the voltage loss of the low-potential power wiring can be minimized. Accordingly, the power voltage required for low-potential power wiring can also be reduced, so heat generation and reduction in lifespan of the display device 100 can be improved. Therefore, in the display device 100 according to an embodiment of the present specification, heat generation and reduced lifespan of the display device 100 can be improved by reducing the power voltage of the low-potential power wiring, and thus a low-power display device can be provided. .

도 4는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 4의 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3b의 표시 장치(100)와 비교하여 제2 저전위 전원 배선(AL2)이 생략된 것만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.4 is a plan view of a display device according to another embodiment of the present specification. The display device 400 of FIG. 4 is different from the display device 100 of FIGS. 1 to 3B only in that the second low-potential power wiring AL2 is omitted, and other configurations are substantially the same, so duplicate description is required. is omitted.

도 4를 참조하면, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 표시 영역(AA)과 비표시 영역(NA) 중, 표시 영역(AA)에만 배치될 수 있다. 구체적으로, 기판(110)의 하단부로 연장된 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 일 단을 제외하면, 다른 비표시 영역(NA)에는 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치되지 않는다. 즉, 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 표시 영역(AA)에만 배치된다는 의미는, 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 비표시 영역(NA)의 일부 영역을 지나는 경우도 포함한다. 예를 들어, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 대부분은 표시 영역(AA)에만 배치될 수 있으나, 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 일 단은 비표시 영역(NA)인 기판(110)의 하단부로 연장되어 전기 신호를 공급받기 위한 다른 구성과 연결될 수도 있다.Referring to FIG. 4 , the first low-potential power line AL1 may be disposed only in the display area AA among the display area AA and the non-display area NA. Specifically, except for one end of the first low-potential power wiring AL1 extending to the lower part of the substrate 110, the first low-potential power wiring AL1 is not disposed in other non-display areas NA. In other words, the meaning that the first low-potential power wire AL1 is disposed only in the display area AA also includes the case where the first low-potential power wire AL1 passes through a portion of the non-display area NA. For example, most of the plurality of first low-potential power wires (AL1) may be disposed only in the display area (AA), but one end of the plurality of first low-potential power wires (AL1) is located in the non-display area (NA). It may extend to the bottom of the phosphorus substrate 110 and be connected to another component for receiving electrical signals.

본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는 비표시 영역(NA)의 외곽을 따라 배치되는 저전위 전원 배선이 생략됨으로써, 베젤(Bezel)을 최소화할 수 있다.In the display device 400 according to another embodiment of the present specification, the low-potential power wiring disposed along the outer edge of the non-display area (NA) is omitted, thereby minimizing the bezel.

구체적으로, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 표시 영역(AA) 내에서 직접 연결되므로, 비표시 영역(NA)의 외곽을 따라 배치되는 별도의 저전위 전원 배선이 생략되더라도 캐소드(123)에 저전위 전압이 공급될 수 있다. 그리고, 비표시 영역(NA)의 외곽에 별도로 배치되는 저전위 전원 배선이 생략된 공간만큼의 베젤을 제거할 수 있으므로, 베젤을 최소화할 수 있고, 네로우 베젤(Narrow Bezel)을 구현할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 표시 장치(400)에서는 비표시 영역(NA)의 외곽을 따라 배치되는 저전위 전원 배선이 생략됨으로써, 베젤을 최소화할 수 있고, 네로우 베젤을 구현할 수 있는 표시 장치(400)를 제공할 수 있다.Specifically, in the display device 400 according to another embodiment of the present specification, the cathode 123 and the first low-potential power line AL1 are directly connected within the display area AA, so that the non-display area NA A low-potential voltage can be supplied to the cathode 123 even if the separate low-potential power wiring disposed along the perimeter is omitted. In addition, since the bezel can be removed as much as the space where the low-potential power wiring separately arranged outside the non-display area (NA) is omitted, the bezel can be minimized and a narrow bezel can be implemented. Therefore, in the display device 400 according to another embodiment of the present specification, the low-potential power wiring disposed along the outside of the non-display area (NA) is omitted, thereby minimizing the bezel and implementing a narrow bezel. A display device 400 may be provided.

도 5a는 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 5b는 도 5a의 C-C'에 따른 단면도이다. 도 5a 및 도 5b의 표시 장치(500)는 도 1 내지 도 3b의 표시 장치(100)와 비교하여 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 것만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.FIG. 5A is a plan view of a display device according to another embodiment of the present specification. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line C-C' of FIG. 5A. The display device 500 of FIGS. 5A and 5B is different from the display device 100 of FIGS. 1 to 3B only in that the first low-potential power line AL1 is connected to the dummy sub-pixel DSP. Since other configurations are substantially the same, redundant description will be omitted.

도 5a를 참조하면, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP) 중 최외곽에 배치되는 서브 화소(SP)는 더미(Dummy) 발광 소자가 배치된 더미 서브 화소(DSP)이다. 예를 들어, 더미 서브 화소(DSP)는 표시 영역(AA)의 최외곽에서 상하좌우 모두에 배치될 수 있다. 다만, 더미 서브 화소(DSP)는 표시 영역(AA)이 아닌 비표시 영역(NA)에 배치되는 것으로 정의될 수도 있다.Referring to FIG. 5A , the outermost sub-pixel (SP) of the plurality of sub-pixels (SP) arranged in the display area (AA) is a dummy sub-pixel (DSP) in which a dummy light-emitting element is disposed. For example, the dummy sub-pixel (DSP) may be disposed on both the top, bottom, left and right sides at the outermost edge of the display area (AA). However, the dummy sub-pixel (DSP) may be defined as being disposed in the non-display area (NA) rather than the display area (AA).

더미 서브 화소(DSP)는 복수의 서브 화소(SP)의 형성 과정에서 복수의 서브 화소(SP) 중 최외곽 서브 화소(SP)에 로딩 이펙트(Loading Effect)에 의한 불량이 발생하는 것을 최소화하도록 복수의 서브 화소(SP)와 동일한 구조로 배치된 여분의 구성이다. A plurality of dummy sub-pixels (DSP) are provided to minimize defects due to loading effects in the outermost sub-pixel (SP) among the plurality of sub-pixels (SP) during the formation of the plurality of sub-pixels (SP). It is an extra configuration arranged in the same structure as the sub-pixel (SP) of .

한편, 더미 서브 화소(DSP)는 표시 장치(100)의 제조 공정에서 여분으로 배치되는 구성이므로, 표시 장치(100)의 제조 공정 종료된 후에는 특별한 기능이 없으며, 발광하지 않도록 구성될 수도 있다. 이에, 도 5b에서는 더미 서브 화소(DSP)에 발광을 위한 유기층(122)이 배치되지 않은 것으로 도시하였으나, 더미 서브 화소(DSP)에는 복수의 서브 화소(SP)의 발광 소자(120)와 동일한 구성으로 애노드(121), 유기층(122) 및 캐소드(123)가 모두 배치될 수도 있으며, 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, since the dummy sub-pixel (DSP) is an extra element disposed during the manufacturing process of the display device 100, it has no special function after the manufacturing process of the display device 100 is completed and may be configured not to emit light. Accordingly, in FIG. 5B, it is shown that the organic layer 122 for light emission is not disposed in the dummy sub-pixel (DSP), but the dummy sub-pixel (DSP) has the same configuration as the light-emitting device 120 of the plurality of sub-pixels (SP). The anode 121, the organic layer 122, and the cathode 123 may all be disposed, but the present invention is not limited thereto.

도 5b를 참조하면, 캐소드(123)는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 중 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 캐소드(123)는 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 중 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과만 전기적으로 연결되고, 나머지 서브 화소(SP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과는 연결되지 않을 수 있다.Referring to FIG. 5B, the cathode 123 is electrically connected to the first low-potential power line AL1 connected to the dummy sub-pixel DSP among the plurality of first low-potential power lines AL1 disposed in the display area AA. It can be connected to . That is, the cathode 123 is electrically connected only to the first low-potential power wire (AL1) connected to the dummy sub-pixel (DSP) among the plurality of first low-potential power wires (AL1) and connected to the remaining sub-pixels (SP). It may not be connected to the first low-potential power wiring (AL1).

이때, 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 나머지 서브 화소(SP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1) 보다 넓은 폭으로 배치될 수 있다. 더미 서브 화소(DSP)는 표시 장치(100)의 제조 공정 종료된 후에는 특별한 기능이 없는 구성이므로, 더미 서브 화소(DSP)에는 나머지 서브 화소(SP)에 배치되는 데이터 배선(DL) 또는 고전위 전원 배선(PL)이 배치되지 않을 수 있다. 이에, 더미 서브 화소(DSP)에서는 데이터 배선(DL) 또는 고전위 전원 배선(PL)이 생략된 만큼 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 폭을 증가시킬 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.At this time, the first low-potential power line (AL1) connected to the dummy sub-pixel (DSP) may be disposed with a wider width than the first low-potential power line (AL1) connected to the remaining sub-pixels (SP). Since the dummy sub-pixel (DSP) has no special function after the manufacturing process of the display device 100 is completed, the dummy sub-pixel (DSP) has a data line (DL) or high potential placed in the remaining sub-pixels (SP). The power wiring (PL) may not be placed. Accordingly, in the dummy sub-pixel (DSP), the width of the first low-potential power supply line (AL1) may be increased to the extent that the data line (DL) or the high-potential power supply line (PL) is omitted, but is not limited thereto.

한편, 도 5b에서는 더미 서브 화소(DSP)의 캐소드(123)가 뱅크(116) 및 평탄화층(115)의 컨택홀을 통해 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 직접 연결된 것으로 도시하였다. 다만, 더미 서브 화소(DSP)에서는 유기층(122)이 생략될 수 있으므로, 더미 서브 화소(DSP)의 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 애노드(121)를 통해 전기적으로 연결될 수도 있다. 이 경우, 뱅크(116) 및 평탄화층(115)에 컨택홀을 형성하지 않아도 더미 서브 화소(DSP)의 기존 구성만으로 더미 서브 화소(DSP)의 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)을 전기적으로 연결시킬 수 있으므로, 공정 과정의 절감 측면에서 더욱 유리할 수 있다. 또한, 더미 서브 화소(DSP)의 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 전기적으로 연결될 수 있도록 뱅크(116) 및 평탄화층(115)에 컨택홀을 형성하기 위한 공간이 생략될 수 있으므로, 표시 장치(500)의 소형화 측면에서도 유리할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 5B, the cathode 123 of the dummy sub-pixel (DSP) is shown as being directly connected to the first low-potential power supply line (AL1) through a contact hole in the bank 116 and the planarization layer 115. However, since the organic layer 122 can be omitted in the dummy sub-pixel (DSP), the cathode 123 of the dummy sub-pixel (DSP) and the first low-potential power line (AL1) are electrically connected through the anode 121. It may be possible. In this case, even without forming a contact hole in the bank 116 and the planarization layer 115, the cathode 123 of the dummy sub-pixel (DSP) and the first low-potential power supply line (AL1) can be connected using only the existing configuration of the dummy sub-pixel (DSP). ) can be electrically connected, so it can be more advantageous in terms of saving the process. In addition, the space for forming a contact hole in the bank 116 and the planarization layer 115 will be omitted so that the cathode 123 of the dummy sub-pixel (DSP) and the first low-potential power line (AL1) can be electrically connected. Therefore, it can be advantageous in terms of miniaturization of the display device 500.

본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 캐소드(123)는 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 중 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과만 전기적으로 연결된다. 이에, 캐소드(123)와 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 전기적 연결에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.In the display device 500 according to another embodiment of the present specification, the cathode 123 is connected only to the first low-potential power wire (AL1) connected to the dummy sub-pixel (DSP) among the plurality of first low-potential power wires (AL1). are electrically connected. Accordingly, the reliability of the electrical connection between the cathode 123 and the plurality of first low-potential power wiring lines AL1 can be improved.

구체적으로, 복수의 서브 화소와 연결되는 제1 저전위 전원 배선의 주변에는 복수의 서브 화소와 연결되기 위해 다양한 배선 및 전극들이 배치된다. 이에, 복수의 서브 화소와 연결되는 제1 저전위 전원 배선의 최대 크기는 필연적으로 제한될 수 있다. 그리고, 제1 저전위 전원 배선의 크기 제한에 의해 캐소드와 제1 저전위 전원 배선이 전기적으로 연결될 수 있도록 뱅크 및 평탄화층에 컨택홀을 형성하는 과정에서 제1 저전위 전원 배선 상에 컨택홀이 정확히 형성되지 못하는 미스얼라인(Mis-Align)이 발생할 수 있다. 또한, 복수의 서브 화소의 수가 늘어날수록 이와 같은 미스 얼라인의 확률은 증가할 수 있다.Specifically, various wirings and electrodes are disposed around the first low-potential power wiring connected to the plurality of sub-pixels to be connected to the plurality of sub-pixels. Accordingly, the maximum size of the first low-potential power wiring connected to a plurality of sub-pixels may inevitably be limited. In addition, in the process of forming contact holes in the bank and the planarization layer so that the cathode and the first low-potential power wiring can be electrically connected due to size limitations of the first low-potential power wiring, a contact hole is formed on the first low-potential power wiring. Mis-alignment, which cannot be formed accurately, may occur. Additionally, as the number of sub-pixels increases, the probability of such misalignment may increase.

이에, 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 캐소드(123)는 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 중 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과만 전기적으로 연결된다. 즉, 배치 크기에 대한 제한이 적은 더미 서브 화소(DSP)의 제1 저전위 전원 배선(AL1)과만 캐소드(123)를 전기적으로 연결시킨다. 이에 따라, 더 큰 제1 저전위 전원 배선(AL1) 상에 컨택홀을 형성할 수 있으므로, 제1 저전위 전원 배선(AL1) 상에 컨택홀을 형성하는 과정의 미스얼라인 발생을 최소화할 수 있다. 또한, 더미 서브 화소(DSP)는 표시 영역의 최외곽에만 배치되는 구성이므로, 캐소드(123)를 더미 서브 화소(DSP)와만 전기적으로 연결시키는 경우, 표시 영역(AA) 전체에 대한 얼라인을 모두 제어하는 것과 비교하여 얼라인 제어가 용이할 수 있다. 이에, 제1 저전위 전원 배선(AL1) 상에 컨택홀을 형성하는 과정의 미스얼라인 발생을 최소화할 수 있고, 캐소드(123)와 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 전기적 연결에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다. 따라서, 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(500)에서는 캐소드(123)는 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1) 중 더미 서브 화소(DSP)와 연결된 제1 저전위 전원 배선(AL1)과만 전기적으로 연결되므로, 캐소드(123)와 복수의 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 전기적 연결에 대한 신뢰성이 향상될 수 있다.Accordingly, in the display device 500 according to another embodiment of the present specification, the cathode 123 is a first low-potential power line (AL1) connected to the dummy sub-pixel (DSP) among the plurality of first low-potential power lines (AL1). ) is electrically connected only to That is, the cathode 123 is electrically connected only to the first low-potential power supply line AL1 of the dummy sub-pixel (DSP), which has less restrictions on the arrangement size. Accordingly, since a contact hole can be formed on the larger first low-potential power wiring (AL1), the occurrence of misalignment in the process of forming a contact hole on the first low-potential power wiring (AL1) can be minimized. there is. In addition, since the dummy sub-pixel (DSP) is disposed only at the outermost edge of the display area, when the cathode 123 is electrically connected only to the dummy sub-pixel (DSP), the alignment of the entire display area (AA) is completely Alignment control may be easier compared to control. Accordingly, the occurrence of misalignment in the process of forming a contact hole on the first low-potential power wiring (AL1) can be minimized, and the electrical connection between the cathode 123 and the plurality of first low-potential power wiring (AL1) can be improved. Reliability can be improved. Therefore, in the display device 500 according to another embodiment of the present specification, the cathode 123 is a first low-potential power line (AL1) connected to the dummy sub-pixel (DSP) among the plurality of first low-potential power lines (AL1). ), the reliability of the electrical connection between the cathode 123 and the plurality of first low-potential power wires AL1 can be improved.

도 6은 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 6의 표시 장치(600)는 도 1 내지 도 3b의 표시 장치(100)와 비교하여, 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 터치 전극(TE)과 동일 층상에 배치된 것만이 상이할 뿐, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명은 생략한다.Figure 6 is a cross-sectional view of a display device according to another embodiment of the present specification. The display device 600 of FIG. 6 is different from the display device 100 of FIGS. 1 to 3B only in that the first low-potential power wiring AL1 is disposed on the same layer as the touch electrode TE. , Other configurations are substantially the same, so redundant description is omitted.

도 6을 참조하면, 발광 소자(120)의 캐소드(123) 상에 봉지부(130)가 배치된다. 봉지부(130)는 발광 소자(120) 상에 배치되어 발광 소자(120)로 수분이 침투하지 않도록 발광 소자(120)를 보호하기 위한 구성이다.Referring to FIG. 6, an encapsulation portion 130 is disposed on the cathode 123 of the light emitting device 120. The encapsulation portion 130 is disposed on the light-emitting device 120 to protect the light-emitting device 120 from moisture penetrating into the light-emitting device 120 .

봉지부(130)는 제1 무기 봉지층(131), 유기 봉지층(132), 및 제2 무기 봉지층(133)을 포함한다.The encapsulation portion 130 includes a first inorganic encapsulation layer 131, an organic encapsulation layer 132, and a second inorganic encapsulation layer 133.

제1 무기 봉지층(131)은 캐소드(123) 상에 배치된다. 그리고, 유기 봉지층(132)은 제1 무기 봉지층(131)상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 무기 봉지층(133)은 유기 봉지층(132)상에 배치될 수 있다. 봉지부(130)의 제1 무기 봉지층(131) 및 제2 무기 봉지층(133)은 예를 들면 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있다. 봉지부(130)의 유기 봉지층(132)은 예를 들면 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수 있다. 다만 이는 예시일 뿐 이에 본 명세서의 실시예가 제한되지는 않는다. The first inorganic encapsulation layer 131 is disposed on the cathode 123. And, the organic encapsulation layer 132 may be disposed on the first inorganic encapsulation layer 131. Additionally, the second inorganic encapsulation layer 133 may be disposed on the organic encapsulation layer 132. The first inorganic encapsulation layer 131 and the second inorganic encapsulation layer 133 of the encapsulation portion 130 may be formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). The organic encapsulation layer 132 of the encapsulation portion 130 is made of, for example, acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, and polyimide resin ( It can be formed from organic materials such as polyimide resin. However, this is only an example and does not limit the embodiments of the present specification.

봉지부(130) 상에는 터치 감지부가 배치된다. 터치 감지부는 제1 터치 절연층(117), 터치 전극(TE) 및 제2 터치 절연층(118)을 포함한다. 이에, 표시 장치(600)는 봉지부(130) 상에 터치 전극(TE) 등의 터치 센서 메탈이 배치되는 TOE (Touch Sensor on Encapsulation Layer) 구조의 표시 장치일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A touch sensing unit is disposed on the sealing unit 130. The touch sensing unit includes a first touch insulating layer 117, a touch electrode (TE), and a second touch insulating layer 118. Accordingly, the display device 600 may be a display device of a TOE (Touch Sensor on Encapsulation Layer) structure in which a touch sensor metal such as a touch electrode (TE) is disposed on the encapsulation portion 130, but is not limited thereto.

봉지부(130)의 제2 무기 봉지층(133) 상에는 제1 터치 절연층(117)이 배치된다. 제1 터치 절연층(117)은 예를 들면 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The first touch insulating layer 117 is disposed on the second inorganic encapsulation layer 133 of the encapsulation portion 130. The first touch insulating layer 117 may be formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), but is not limited thereto.

제1 터치 절연층(117) 상에는 복수의 터치 전극(TE)이 배치된다. 터치 전극(TE)은 투명 금속으로 이루어진 전극이거나 불투명 금속으로 이루어진 전극일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 도 6에서는 터치 전극(TE)이 발광 소자(120)의 상부도 배치된 것으로 도시하였다. 터치 전극(TE)이 불투명 금속으로 이루어질 경우, 터치 전극(TE)은 발광 소자(120)의 상부에 배치되지 않을 수 있다.A plurality of touch electrodes (TE) are disposed on the first touch insulating layer 117. The touch electrode (TE) may be an electrode made of a transparent metal or an electrode made of an opaque metal, but is not limited thereto. In FIG. 6, the touch electrode TE is shown as being disposed on the top of the light emitting device 120. When the touch electrode TE is made of an opaque metal, the touch electrode TE may not be disposed on the light emitting device 120 .

터치 전극(TE) 상에는 제2 터치 절연층(118)이 배치된다. 제2 터치 절연층(118)은 예를 들면 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.A second touch insulating layer 118 is disposed on the touch electrode TE. The second touch insulating layer 118 may be formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), but is not limited thereto.

한편, 도 6에 도시되지는 않았으나, 예를 들어, 제2 터치 절연층(118) 상에는 복수의 터치 감지 전극이 더 배치될 수 있다. 이 경우, 복수의 터치 전극(TE)은 브릿지 전극이며, 제2 터치 절연층에 형성된 컨택홀에 의해 복수의 터치 감지 전극과 연결될 수 있으나, 터치 전극(TE)의 구체적인 구성은 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, although not shown in FIG. 6, for example, a plurality of touch sensing electrodes may be further disposed on the second touch insulating layer 118. In this case, the plurality of touch electrodes (TE) are bridge electrodes and may be connected to the plurality of touch sensing electrodes through contact holes formed in the second touch insulating layer, but the specific configuration of the touch electrodes (TE) is not limited thereto.

도 6을 참조하면, 제1 터치 절연층(117) 상에 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치된다. 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 제1 터치 절연층(117) 상에서 터치 전극(TE)과 동일 층에 배치된다. 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 물질로 이루어진다. 즉, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6 , a first low-potential power line AL1 is disposed on the first touch insulating layer 117. The first low-potential power line AL1 is disposed on the same layer as the touch electrode TE on the first touch insulating layer 117. The first low-potential power wiring AL1 is made of the same material as the touch electrode TE. That is, the first low-potential power line AL1 may be formed through the same process as the touch electrode TE.

제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 이격되어 배치된다. 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 층에 배치되고, 터치 전극(TE)과 교차하지 않도록 이격되어 배치된다. 이에, 제1 저전위 전원 배선(AL1)과 터치 전극(TE)은 각각 별도의 구성으로 기능할 수 있다.The first low-potential power line AL1 is disposed to be spaced apart from the touch electrode TE. The first low-potential power wiring AL1 is disposed on the same layer as the touch electrode TE and is spaced apart from the touch electrode TE. Accordingly, the first low-potential power line AL1 and the touch electrode TE may function as separate configurations.

도 6을 참조하면, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 제1 터치 절연층(117) 및 봉지부(130)에 형성된 컨택홀을 통해 캐소드(123)와 전기적으로 연결된다. 이에, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 제1 터치 절연층(117)과 동일 층 상에서 캐소드(123)와 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 6 , the first low-potential power wiring AL1 is electrically connected to the cathode 123 through a contact hole formed in the first touch insulating layer 117 and the sealing portion 130. Accordingly, the first low-potential power line AL1 may be electrically connected to the cathode 123 on the same layer as the first touch insulating layer 117.

본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 층에 배치된다. 이에, 표시 영역(AA) 내에서 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)을 직접 연결시키기 위한 배치 공간이 최소화될 수 있다.In the display device 600 according to another embodiment of the present specification, the first low-potential power line AL1 is disposed on the same layer as the touch electrode TE. Accordingly, the arrangement space for directly connecting the cathode 123 and the first low-potential power line AL1 within the display area AA can be minimized.

구체적으로, 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 표시 장치(100)의 전압 손실이 최소화 및 저전위 전원 배선의 전원 전압 감소를 위해, 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)을 표시 영역(AA) 내에서 직접 연결시킨다. 이때, 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 층에 배치되어, 제1 터치 절연층(117) 및 봉지부(130)에 형성된 컨택홀을 통해 캐소드(123)와 전기적으로 연결된다. 이에, 캐소드의 상부에 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 배치되어 컨택홀을 배치할 수 있으므로, 캐소드(123)과 제1 저전위 전원 배선(AL1)이 전기적으로 연결되기 위해 컨택홀이 배치될 수 있는 추가적인 공간이 필요하지 않을 수 있다. 또한, 이와 같은 제1 저전위 전원 배선(AL1)의 배치는 기존에 배치되던 터치 전극(TE)을 활용하는 것이므로, 제조 공정의 절감 측면에서 더욱 유리할 수 있다. 따라서, 본 명세서의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(600)에서는 제1 저전위 전원 배선(AL1)은 터치 전극(TE)과 동일 층에 배치되므로, 표시 영역(AA) 내에서 캐소드(123)와 제1 저전위 전원 배선(AL1)을 직접 연결시키기 위한 배치 공간이 최소화될 수 있다.Specifically, in the display device 600 according to another embodiment of the present specification, in order to minimize voltage loss of the display device 100 and reduce the power supply voltage of the low-potential power wiring, the cathode 123 and the first low-potential power supply are connected to each other. The wire (AL1) is directly connected within the display area (AA). At this time, the first low-potential power wiring (AL1) is disposed on the same layer as the touch electrode (TE) and is electrically connected to the cathode 123 through the contact hole formed in the first touch insulating layer 117 and the sealing portion 130. It is connected to Accordingly, since the first low-potential power wire (AL1) is disposed on the upper part of the cathode, a contact hole can be placed, so that a contact hole is placed to electrically connect the cathode 123 and the first low-potential power wire (AL1). Additional space may not be needed. In addition, the arrangement of the first low-potential power wiring AL1 like this utilizes the previously placed touch electrode TE, so it can be more advantageous in terms of saving the manufacturing process. Accordingly, in the display device 600 according to another embodiment of the present specification, the first low-potential power line AL1 is disposed on the same layer as the touch electrode TE, so that the cathode 123 within the display area AA The arrangement space for directly connecting the first low-potential power wiring AL1 can be minimized.

본 명세서의 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A display device according to embodiments of the present specification may be described as follows.

본 명세서의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상에서 표시 영역에 배치되고 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선 및 기판 상에서 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 애노드 상에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 적어도 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a substrate including a display area on which a plurality of sub-pixels are arranged and a non-display area surrounding the display area, and a plurality of sub-pixels disposed in the display area on the substrate and connected to each of the plurality of sub-pixels. is disposed in each of the plurality of sub-pixels on the first low-potential power wiring and the substrate, and includes a plurality of light-emitting elements including an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer, and the cathode is a plurality of first 1 Can be electrically connected to at least some of the low-potential power wiring.

본 명세서의 다른 특징에 따르면, 제1 저전위 전원 배선과 애노드 사이에 배치된 평탄화층 및 복수의 서브 화소 사이에서 애노드의 끝단을 덮도록 배치된 뱅크를 더 포함하고, 캐소드는 뱅크 및 평탄화층의 컨택홀을 통해 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, it further includes a planarization layer disposed between the first low-potential power wiring and the anode and a bank disposed to cover the end of the anode between the plurality of sub-pixels, and the cathode is of the bank and the planarization layer. It may be electrically connected to the first low-potential power wiring through the contact hole.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 캐소드는 뱅크 및 평탄화층의 컨택홀을 통해 노출된 제1 저전위 전원 배선의 상면의 적어도 일부와 직접 접촉할 수 있다.According to another feature of the present specification, the cathode may directly contact at least a portion of the upper surface of the first low-potential power wiring exposed through the contact hole of the bank and the planarization layer.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 저전위 전원 배선은 복수의 서브 화소 사이에 배치될 수 있다. According to another feature of the present specification, a plurality of first low-potential power wirings may be disposed between a plurality of sub-pixels.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 비표시 영역에서 표시 영역의 외곽을 따라 배치되고, 복수의 제1 저전위 전원 배선과 연결된 제2 저전위 전원 배선을 더 포함할 수 있다.According to another feature of the present specification, the non-display area may further include a second low-potential power wire disposed along the outer edge of the display area and connected to a plurality of first low-potential power wires.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제2 저전위 전원 배선의 폭은 제1 저전위 전원 배선의 폭 보다 넓을 수 있다. According to another feature of the present specification, the width of the second low-potential power wiring may be wider than the width of the first low-potential power wiring.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소 중 표시 영역의 최외곽에 배치된 서브 화소는 더미(Dummy) 발광 소자가 배치된 더미 서브 화소이고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, among the plurality of sub-pixels, the sub-pixel disposed at the outermost part of the display area is a dummy sub-pixel in which a dummy light-emitting element is disposed, and the cathode is one of the plurality of first low-potential power wirings. It may be electrically connected to a first low-potential power line connected to the dummy sub-pixel.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선에만 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, the cathode may be electrically connected only to the first low-potential power wire connected to the dummy sub-pixel among the plurality of first low-potential power wires.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 상부에 배치된 터치 절연층 및 터치 절연층 상에 배치된 터치 전극을 더 포함하고, 제1 저전위 전원 배선은 터치 절연층 상에서 터치 전극과 동일 층에 배치될 수 있다.According to another feature of the present specification, it further includes a touch insulating layer disposed on the plurality of light emitting elements and a touch electrode disposed on the touch insulating layer, and the first low potential power wiring is the same as the touch electrode on the touch insulating layer. Can be placed on a layer.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저전위 전원 배선은 터치 절연층의 컨택홀을 통해 캐소드와 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, the first low-potential power wiring may be electrically connected to the cathode through a contact hole in the touch insulating layer.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자와 터치 절연층 사이에 배치된 봉지층을 더 포함하고, 제1 저전위 전원 배선은 터치 절연층 및 봉지층의 컨택홀을 통해 캐소드와 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, it further includes an encapsulation layer disposed between the plurality of light emitting elements and the touch insulating layer, and the first low-potential power wiring is electrically connected to the cathode through a contact hole in the touch insulating layer and the encapsulation layer. can be connected

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저전위 전원 배선은 터치 전극과 이격되어 배치될 수 있다.According to another feature of the present specification, the first low-potential power wiring may be arranged to be spaced apart from the touch electrode.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저전위 전원 배선은 터치 전극과 동일 물질로 이루어질 수 있다.According to another feature of the present specification, the first low-potential power wiring may be made of the same material as the touch electrode.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 배치되고 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선 및 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 애노드 상에 배치된 유기층 및 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선의 적어도 일부 상으로 연장되어 제1 저전위 전원 배선과 직접 접촉하며 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, a substrate including a display area and a non-display area on which a plurality of sub-pixels are arranged, a plurality of first low-potential power wirings disposed in the display area and connected to each of the plurality of sub-pixels, and a plurality of It is disposed in each sub-pixel, and includes a plurality of light emitting elements including an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer, wherein the cathode extends on at least a portion of the plurality of first low-potential power wirings. It may be electrically connected in direct contact with the first low-potential power wiring.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제1 저전위 전원 배선과 애노드 사이에 배치된 평탄화층 및 애노드와 캐소드 사이에서 애노드의 끝단을 덮도록 배치된 뱅크를 더 포함하고, 캐소드는 뱅크 및 평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해 제1 저전위 전원 배선의 적어도 일부 상으로 연장되어 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, it further includes a planarization layer disposed between the first low-potential power wiring and the anode and a bank disposed between the anode and the cathode to cover the end of the anode, and the cathode is in the bank and the planarization layer. It may extend onto at least a portion of the first low-potential power wiring through the formed contact hole and be electrically connected to the first low-potential power wiring.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 비표시 영역에서 표시 영역의 외곽을 따라 배치된 제2 저전위 전원 배선을 더 포함하고, 제2 저전위 전원 배선은 복수의 제1 저전위 전원 배선과 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, the non-display area further includes a second low-potential power wire disposed along the outer edge of the display area, and the second low-potential power wire may be connected to a plurality of first low-potential power wires. there is.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 제2 저전위 전원 배선의 너비는 제1 저전위 전원 배선의 너비 보다 넓을 수 있다.According to another feature of the present specification, the width of the second low-potential power wiring may be wider than the width of the first low-potential power wiring.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 표시 영역에서 표시 영역의 최외곽을 따라 배치된 더미 서브 화소를 더 포함하고, 캐소드는 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선에만 전기적으로 연결될 수 있다.According to another feature of the present specification, the display area further includes a dummy sub-pixel disposed along the outermost edge of the display area, and the cathode is a first low-potential power supply connected to the dummy sub-pixel among the plurality of first low-potential power wires. It can only be electrically connected to wiring.

본 명세서의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 발광 소자 상부에 배치된 터치 절연층 및 터치 절연층 상에 배치된 터치 전극을 더 포함하고, 제1 저전위 전원 배선은 터치 전극과 동일 층에 배치되고 터치 전극과 이격되어 배치될 수 있다.According to another feature of the present specification, it further includes a touch insulating layer disposed on the plurality of light emitting elements and a touch electrode disposed on the touch insulating layer, wherein the first low-potential power wiring is disposed on the same layer as the touch electrode, It may be arranged to be spaced apart from the touch electrode.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 명세서의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 명세서의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 명세서의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 명세서의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present specification have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present specification. . Accordingly, the embodiments disclosed in this specification are not intended to limit the technical idea of the present specification, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present specification is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of this specification should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of this specification.

100, 400, 500, 600: 표시 장치 110: 기판
111: 버퍼층 112: 게이트 절연층
113: 층간 절연층 114: 패시베이션층
115: 평탄화층 116: 뱅크
117: 제1 터치 절연층 118: 제2 터치 절연층
120: 발광 소자 121: 애노드
122: 유기층 123: 캐소드
130: 봉지부 131: 제1 무기 봉지층
132: 유기 봉지층 133: 제2 무기 봉지층
AA: 표시 영역 NA: 비표시 영역
SP: 서브 화소 SP1: 제1 서브 화소
SP2: 제2 서브 화소 SP3: 제3 서브 화소
DSP: 더미 서브 화소 SL: 스캔 배선
SL1: 제1 스캔 배선 SL2: 제2 스캔 배선
DL: 데이터 배선 PL: 고전위 전원 배선
AL1: 제1 저전위 전원 배선 AL2: 제2 저전위 전원 배선
EL: 발광 제어 신호 배선 IL: 초기화 신호 배선
EVDD: 고전위 전원 전압 EVSS: 저전위 전원 전압
SCAN1: 제1 스캔 전압 SCAN2: 제2 스캔 전압
Vdata: 데이터 전압 EM: 발광 제어 전압
Vini: 초기화 전압 Cst: 커패시터
T1: 제1 트랜지스터 T2: 제2 트랜지스터
T3: 제3 트랜지스터 T4: 제4 트랜지스터
T5: 제5 트랜지스터 T6: 제6 트랜지스터
ACT: 액티브층 GE: 게이트 전극
DE: 드레인 전극 SE: 소스 전극
CE: 연결 전극 TE: 터치 전극
100, 400, 500, 600: display device 110: substrate
111: buffer layer 112: gate insulating layer
113: interlayer insulating layer 114: passivation layer
115: planarization layer 116: bank
117: first touch insulating layer 118: second touch insulating layer
120: light emitting device 121: anode
122: organic layer 123: cathode
130: Encapsulation part 131: First inorganic encapsulation layer
132: Organic encapsulation layer 133: Second inorganic encapsulation layer
AA: Display area NA: Non-display area
SP: Sub-pixel SP1: First sub-pixel
SP2: 2nd sub-pixel SP3: 3rd sub-pixel
DSP: Dummy sub-pixel SL: Scan wiring
SL1: 1st scan wiring SL2: 2nd scan wiring
DL: Data wiring PL: High potential power wiring
AL1: First low-potential power supply wiring AL2: Second low-potential power supply wiring
EL: Light emission control signal wiring IL: Initialization signal wiring
EVDD: High potential supply voltage EVSS: Low potential supply voltage
SCAN1: first scan voltage SCAN2: second scan voltage
Vdata: data voltage EM: emission control voltage
Vini: Initialization voltage Cst: Capacitor
T1: first transistor T2: second transistor
T3: third transistor T4: fourth transistor
T5: fifth transistor T6: sixth transistor
ACT: active layer GE: gate electrode
DE: drain electrode SE: source electrode
CE: Connection electrode TE: Touch electrode

Claims (19)

복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에서 상기 표시 영역에 배치되고 상기 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선; 및
상기 기판 상에서 상기 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 상기 애노드 상에 배치된 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고,
상기 캐소드는 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 적어도 일부와 전기적으로 연결된, 표시 장치.
A substrate including a display area on which a plurality of sub-pixels are arranged and a non-display area surrounding the display area;
a plurality of first low-potential power lines disposed in the display area on the substrate and connected to each of the plurality of sub-pixels; and
A plurality of light emitting elements are disposed in each of the plurality of sub-pixels on the substrate and include an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer,
The cathode is electrically connected to at least a portion of the plurality of first low-potential power wirings.
제1항에 있어서,
상기 제1 저전위 전원 배선 상에 배치된 평탄화층; 및
상기 복수의 서브 화소 사이에서 상기 애노드의 끝단을 덮도록 배치된 뱅크를 더 포함하고,
상기 캐소드는 상기 뱅크 및 상기 평탄화층의 컨택홀을 통해 상기 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
According to paragraph 1,
a planarization layer disposed on the first low-potential power wiring; and
Further comprising a bank disposed between the plurality of sub-pixels to cover an end of the anode,
The display device wherein the cathode is electrically connected to the first low-potential power wiring through a contact hole in the bank and the planarization layer.
제2항에 있어서,
상기 캐소드는 상기 뱅크 및 상기 평탄화층의 컨택홀을 통해 노출된 상기 제1 저전위 전원 배선의 상면의 적어도 일부와 직접 접촉하는, 표시 장치.
According to paragraph 2,
The cathode is in direct contact with at least a portion of a top surface of the first low-potential power wiring exposed through a contact hole in the bank and the planarization layer.
제1항에 있어서,
상기 복수의 제1 저전위 전원 배선은 상기 복수의 서브 화소 사이에 배치된, 표시 장치.
According to paragraph 1,
A display device, wherein the plurality of first low-potential power wirings are disposed between the plurality of sub-pixels.
제1항에 있어서,
상기 비표시 영역에서 상기 표시 영역의 외곽을 따라 배치되고, 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선과 연결된 제2 저전위 전원 배선을 더 포함하는, 표시 장치.
According to paragraph 1,
The display device further includes second low-potential power wires disposed along an outer edge of the display area in the non-display area and connected to the plurality of first low-potential power wires.
제5항에 있어서,
상기 제2 저전위 전원 배선의 폭은 상기 제1 저전위 전원 배선의 폭 보다 넓은, 표시 장치.
According to clause 5,
A display device wherein the width of the second low-potential power supply wiring is wider than the width of the first low-potential power supply wiring.
제1항에 있어서,
상기 복수의 서브 화소 중 상기 표시 영역의 최외곽에 배치된 서브 화소는 더미(Dummy) 발광 소자가 배치된 더미 서브 화소이고,
상기 캐소드는 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 상기 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결된, 표시 장치.
According to paragraph 1,
Among the plurality of sub-pixels, a sub-pixel disposed at the outermost edge of the display area is a dummy sub-pixel in which a dummy light-emitting element is disposed,
The cathode is electrically connected to a first low-potential power wire connected to the dummy sub-pixel among the plurality of first low-potential power wires.
제7항에 있어서,
상기 캐소드는 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 상기 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선에만 전기적으로 연결된, 표시 장치.
In clause 7,
The display device wherein the cathode is electrically connected only to a first low-potential power wire connected to the dummy sub-pixel among the plurality of first low-potential power wires.
제1항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 상부에 배치된 터치 절연층; 및
상기 터치 절연층 상에 배치된 터치 전극을 더 포함하고,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 절연층 상에서 상기 터치 전극과 동일 층에 배치된, 표시 장치.
According to paragraph 1,
a touch insulating layer disposed on top of the plurality of light emitting devices; and
Further comprising a touch electrode disposed on the touch insulating layer,
The display device wherein the first low-potential power wiring is disposed on the same layer as the touch electrode on the touch insulating layer.
제9항에 있어서,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 절연층의 컨택홀을 통해 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
According to clause 9,
The first low-potential power wiring is electrically connected to the cathode through a contact hole in the touch insulating layer.
제9항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자와 상기 터치 절연층 사이에 배치된 봉지층을 더 포함하고,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 절연층 및 상기 봉지층의 컨택홀을 통해 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
According to clause 9,
Further comprising an encapsulation layer disposed between the plurality of light emitting devices and the touch insulating layer,
The first low-potential power wiring is electrically connected to the cathode through a contact hole in the touch insulating layer and the encapsulation layer.
제9항에 있어서,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 전극과 이격되어 배치된, 표시 장치.
According to clause 9,
The first low-potential power wiring is arranged to be spaced apart from the touch electrode.
제9항에 있어서,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 전극과 동일 물질로 이루어진, 표시 장치.
According to clause 9,
The first low-potential power wiring is made of the same material as the touch electrode.
복수의 서브 화소가 배치된 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 표시 영역에 배치되고 상기 복수의 서브 화소 각각과 연결된 복수의 제1 저전위 전원 배선; 및
상기 복수의 서브 화소 각각에 배치되고, 애노드, 상기 애노드 상에 배치된 유기층 및 상기 유기층 상에 배치된 캐소드를 포함하는 복수의 발광 소자를 포함하고,
상기 캐소드는 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선의 적어도 일부 상으로 연장되어 상기 제1 저전위 전원 배선과 직접 접촉하며 전기적으로 연결된, 표시 장치.
A substrate including a display area and a non-display area on which a plurality of sub-pixels are arranged;
a plurality of first low-potential power lines disposed in the display area and connected to each of the plurality of sub-pixels; and
A plurality of light emitting elements are disposed in each of the plurality of sub-pixels and include an anode, an organic layer disposed on the anode, and a cathode disposed on the organic layer,
The cathode extends onto at least a portion of the plurality of first low-potential power wires and is in direct contact with and electrically connected to the first low-potential power wires.
제14항에 있어서,
상기 제1 저전위 전원 배선 상에 배치된 평탄화층; 및
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에서 상기 애노드의 끝단을 덮도록 배치된 뱅크를 더 포함하고,
상기 캐소드는 상기 뱅크 및 상기 평탄화층에 형성된 컨택홀을 통해 상기 제1 저전위 전원 배선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치.
According to clause 14,
a planarization layer disposed on the first low-potential power wiring; and
Further comprising a bank disposed between the anode and the cathode to cover an end of the anode,
The cathode is electrically connected to the first low-potential power wiring through a contact hole formed in the bank and the planarization layer.
제14항에 있어서,
상기 비표시 영역에서 상기 표시 영역의 외곽을 따라 배치된 제2 저전위 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제2 저전위 전원 배선은 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선과 연결되는, 표시 장치.
According to clause 14,
Further comprising a second low-potential power line disposed along the outer edge of the display area in the non-display area,
The display device wherein the second low-potential power wiring is connected to the plurality of first low-potential power wiring.
제16항에 있어서,
상기 제2 저전위 전원 배선의 너비는 상기 제1 저전위 전원 배선의 너비 보다 넓은, 표시 장치.
According to clause 16,
A display device wherein the width of the second low-potential power wiring is wider than the width of the first low-potential power wiring.
제14항에 있어서,
상기 표시 영역에서 상기 표시 영역의 최외곽을 따라 배치된 더미 서브 화소를 더 포함하고,
상기 캐소드는 상기 복수의 제1 저전위 전원 배선 중 상기 더미 서브 화소와 연결된 제1 저전위 전원 배선에만 전기적으로 연결된, 표시 장치.
According to clause 14,
Further comprising a dummy sub-pixel disposed along an outermost edge of the display area in the display area,
The display device wherein the cathode is electrically connected only to a first low-potential power wire connected to the dummy sub-pixel among the plurality of first low-potential power wires.
제14항에 있어서,
상기 복수의 발광 소자 상부에 배치된 터치 절연층; 및
상기 터치 절연층 상에 배치된 터치 전극을 더 포함하고,
상기 제1 저전위 전원 배선은 상기 터치 전극과 동일 층에 배치되고 상기 터치 전극과 이격되어 배치되는, 표시 장치.
According to clause 14,
a touch insulating layer disposed on top of the plurality of light emitting devices; and
Further comprising a touch electrode disposed on the touch insulating layer,
The first low-potential power wiring is disposed on the same layer as the touch electrode and is spaced apart from the touch electrode.
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