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KR20240080912A - Display apparatus - Google Patents

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KR20240080912A
KR20240080912A KR1020220164690A KR20220164690A KR20240080912A KR 20240080912 A KR20240080912 A KR 20240080912A KR 1020220164690 A KR1020220164690 A KR 1020220164690A KR 20220164690 A KR20220164690 A KR 20220164690A KR 20240080912 A KR20240080912 A KR 20240080912A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
touch
layer
disposed
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020220164690A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김민규
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서는 표시장치에 관한 것으로서, 발광 표시패널의 제1 전극, 제2 전극 또는 연결 전극을 터치 전극으로 사용하여, 표시장치의 두께를 감소시키고, 표시 품질을 향상시킨 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device that reduces the thickness of the display device and improves display quality by using the first electrode, second electrode, or connection electrode of the light emitting display panel as a touch electrode.

Figure P1020220164690
Figure P1020220164690

Description

표시장치 {DISPLAY APPARATUS}Display device {DISPLAY APPARATUS}

본 명세서는 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시패널 내부에 터치 센서를 형성한 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device, and more specifically, to a display device with a touch sensor formed inside a display panel.

TV, 모니터, 스마트폰, 태블릿 PC, 및 노트북 등에서 영상을 표시하는 표시장치는, 다양한 방식과 형태가 사용되고 있다.Display devices that display images in TVs, monitors, smartphones, tablet PCs, and laptops are used in various ways and forms.

다양한 방식의 표시장치 중 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Apparatus; LCD)는 현재까지 이용되고 있으며, 발광 표시장치(Light Emitting Display Apparatus; LED)도 이용 및 적용 범위가 급속하게 확대되고 있다.Among various types of display devices, Liquid Crystal Display Apparatus (LCD) is still in use to this day, and the use and scope of application of Light Emitting Display Apparatus (LED) are also rapidly expanding.

표시장치들은 영상을 구현하기 위한 복수의 발광 소자 또는 액정, 및 각각의 발광 소자 또는 액정의 동작을 개별적으로 제어하기 위한 박막 트랜지스터를 갖는 표시패널을 포함한다.Display devices include a display panel having a plurality of light-emitting elements or liquid crystals for displaying an image, and thin film transistors for individually controlling the operation of each light-emitting element or liquid crystal.

이 중 액정 표시장치는 자체 발광 방식이 아니므로, 후면에서 빛을 공급하는 백라이트와 같은 광원이 필요하다. 백라이트는 액정 표시장치의 두께를 증가시키고, 구부리거나 다양한 형태의 디자인을 갖는 표시장치를 구현하는데 제한이 있다.Among these, liquid crystal displays do not emit their own light, so they require a light source such as a backlight that supplies light from the back. The backlight increases the thickness of the liquid crystal display device and has limitations in implementing a display device that is curved or has various designs.

발광 소자가 있는 발광 표시패널은 광원을 내장하는 표시패널보다 얇게 구현될 수 있고, 별도의 광원이 필요 없으므로, 구부리거나 다양한 디자인의 표시장치를 구현할 수 있다.A light-emitting display panel with a light-emitting element can be implemented thinner than a display panel with a built-in light source, and since it does not require a separate light source, it can be bent or display devices of various designs can be implemented.

또한, 발광 표시장치는 사용자가 디스플레이 화면을 보면서 손가락이나 펜 등으로 화면을 터치하여 정보를 입력할 수 있는 입력 장치를 구비하여, 사용자의 편리성을 향상시키고 있다.In addition, the light emitting display device is equipped with an input device that allows the user to input information by touching the screen with a finger or a pen while looking at the display screen, thereby improving user convenience.

표시장치는 터치 입력을 감지하기 위해, 표시패널 상부에 터치 스크린 패널을 부착하거나, 표시패널의 봉지부 상에 터치 센서를 직접 형성할 수 있다. To detect a touch input, the display device may attach a touch screen panel to the top of the display panel, or may form a touch sensor directly on the encapsulation portion of the display panel.

표시패널과 별도로 터치 스크린 패널 또는 터치 센서를 형성하는 경우, 표시 장치의 전체 두께는 증가하게 되고, 증가된 두께로 인해 휴대성 및 외관 디자인이 저하될 수 있다.When a touch screen panel or a touch sensor is formed separately from the display panel, the overall thickness of the display device increases, and the increased thickness may deteriorate portability and exterior design.

또한, 표시패널에서 구현된 화상이 터치 스크린 패널 또는 터치 센서를 통과하게 되므로, 화상의 시인성이 저하될 수 있다.Additionally, because the image implemented on the display panel passes through the touch screen panel or touch sensor, the visibility of the image may be reduced.

또한, 터치 스크린 패널 또는 터치 센서를 표시패널과 별도로 형성하게 되므로, 제조 공정이 복잡해지고, 제조 비용이 증가하게 된다. Additionally, since the touch screen panel or touch sensor is formed separately from the display panel, the manufacturing process becomes complicated and manufacturing costs increase.

본 명세서에서는 터치 센서를 표시패널 내부에 형성시켜, 표시장치의 두께를 감소시킬 수 있다. 그리고, 표시장치의 제조 공정을 단순화하고, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.In this specification, the thickness of the display device can be reduced by forming a touch sensor inside the display panel. Additionally, the manufacturing process of the display device can be simplified and manufacturing costs can be reduced.

본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to the embodiments of the present specification are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 배치되는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자를 포함할 수 있다.A display device according to an embodiment of the present specification includes a substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area, a thin film transistor disposed in the display area, disposed on the thin film transistor, a first electrode, a light emitting layer, and a first electrode. It may include a light emitting device including two electrodes.

그리고, 제2 전극으로 구성되는 제1 터치 전극을 포함하는 터치 센서, 및 터치 센서 상에 배치되며, 터치 센서 및 발광 소자를 보호하는 봉지부를 더 포함할 수 있다.In addition, it may further include a touch sensor including a first touch electrode composed of a second electrode, and an encapsulation portion disposed on the touch sensor and protecting the touch sensor and the light emitting device.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예에 의하면, 발광 소자의 제2 전극을 터치 센서로 사용하므로, 표시장치의 두께를 감소시킬 수 있다.According to an embodiment of the present specification, since the second electrode of the light emitting device is used as a touch sensor, the thickness of the display device can be reduced.

또한, 표시패널의 상부에 별도의 터치 스크린 패널이나 터치 센서가 형성되지 않으므로, 제조 공정을 단순화시킬 수 있으며, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.Additionally, since no separate touch screen panel or touch sensor is formed on the top of the display panel, the manufacturing process can be simplified and manufacturing costs can be reduced.

또한, 표시패널의 상부에 터치 스크린 패널이나 터치 센서가 배치되지 않으므로, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.Additionally, since no touch screen panel or touch sensor is placed on the top of the display panel, display quality can be improved.

본 명세서의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present specification are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1a은 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 전면을 도시한 평면도이다.
도 1b는 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치의 배면을 도시한 평면도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서를 도시한 평면도이다.
도 5a는 도 4의 A영역을 확대한 평면도이다.
도 5b는 도 4의 B영역을 확대한 평면도이다.
FIG. 1A is a plan view showing the front of a display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 1B is a plan view showing the rear of a display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1A according to an embodiment of the present specification.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1A according to another embodiment of the present specification.
Figure 4 is a plan view showing a touch sensor according to an embodiment of the present specification.
Figure 5a is an enlarged plan view of area A of Figure 4.
Figure 5b is an enlarged plan view of area B in Figure 4.

본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용은, 도면과 함께 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 실시예들로 청구범위가 한정되는 것은 아니다.Specific details for carrying out the present invention will become clear by referring to the embodiments described below along with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, and only the embodiments serve to ensure that the disclosure of the present specification is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is provided. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the scope of the claims is not limited to the embodiments of the invention.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present specification, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes instances where the other layer or other element is directly on top of or interposed between the other elements.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the technical idea of the present specification.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The size and thickness of each component shown in the drawings are shown for convenience of explanation, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present specification can be combined or combined with each other, partially or entirely, and as can be fully understood by those skilled in the art, various technical interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other. It may be possible to conduct them together due to a related relationship.

본 명세서의 표시장치는 액정 표시장치 및 유기발광 표시장치에 적용될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, LED 표시장치나 양자점 표시장치와 같은 다양한 표시장치에 적용될 수 있다.The display device of this specification may be applied to a liquid crystal display device and an organic light emitting display device, but is not limited thereto, and may be applied to various display devices such as an LED display device or a quantum dot display device.

이하에서는, 도면을 참조하여, 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a display device according to an embodiment of the present specification will be described with reference to the drawings.

도 1a는 본 명세서의 실시예에 따른, 표시장치의 전면을 도시한 평면도이다.1A is a plan view showing the front of a display device according to an embodiment of the present specification.

도 1b는 본 명세서의 실시예에 따른, 표시장치의 배면을 도시한 평면도이다.FIG. 1B is a plan view showing the rear of a display device according to an embodiment of the present specification.

도 1a와 도 1b를 참조하면, 표시장치(1)는 표시패널(10)과 표시패널(10)에 연결되어 구동 신호 및 구동 전압 등을 인가하는 게이트 구동부, 데이터 구동부(20), 및 회로기판(30) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1A and 1B, the display device 1 includes a display panel 10, a gate driver that is connected to the display panel 10 and applies a driving signal and a driving voltage, a data driver 20, and a circuit board. (30), etc. may be included.

표시패널(10)은 발광 소자가 포함되어 영상이 표시되는 표시 영역(AA)과 게이트 구동부 및 데이터 구동부(20) 등이 배치되는 비표시 영역(NA)으로 구분될 수 있다.The display panel 10 can be divided into a display area (AA) in which a light-emitting element is included and an image is displayed, and a non-display area (NA) in which a gate driver and a data driver 20 are disposed.

표시 영역(AA)은 표시기판 상에 복수의 서브 화소(PX)가 배치되어 영상이 표시되는 영역일 수 있다. 복수의 서브 화소(PX) 각각은 빛을 발광하는 개별 단위로, 복수의 서브 화소(PX) 각각에는 발광 소자 및 박막 트랜지스터가 배치될 수 있다.The display area AA may be an area where a plurality of sub-pixels PX are arranged on the display substrate and an image is displayed. Each of the plurality of sub-pixels (PX) is an individual unit that emits light, and a light-emitting element and a thin film transistor may be disposed in each of the plurality of sub-pixels (PX).

복수의 서브 화소(PX)는 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 청색 서브 화소, 및/또는 백색 서브 화소 등을 포함할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.The plurality of sub-pixels PX may include, but is not limited to, a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, and/or a white sub-pixel.

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역일 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(PX)를 구동하기 위한 다양한 배선 및 구동 IC 등이 배치될 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)에는 게이트 구동부, 데이터 구동부(20), 회로기판(30) 등이 배치될 수 있다.The non-display area (NA) may be an area where images are not displayed. Various wiring and driving ICs for driving the plurality of sub-pixels (PX) arranged in the display area (AA) may be disposed in the non-display area (NA). For example, a gate driver, a data driver 20, a circuit board 30, etc. may be disposed in the non-display area NA.

비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에서 연장되는 영역일 수 있고, 복수의 서브 화소(PX)가 배치되지 않는 영역일 수 있다. 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NA)은 베젤 영역일 수 있다.The non-display area (NA) may be an area surrounding the display area (AA). For example, the non-display area NA may be an area extending from the display area AA and may be an area where a plurality of sub-pixels PX are not arranged. The non-display area (NA) where no image is displayed may be a bezel area.

표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소(PX)는 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. 표시 영역(AA) 내의 박막 트랜지스터는 다결정 반도체 물질 및/또는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다.The plurality of sub-pixels PX in the display area AA may include thin film transistors. The thin film transistor in the display area AA may include a polycrystalline semiconductor material and/or an oxide semiconductor material.

비표시 영역(NA)에 배치되는 게이트 구동부는, 게이트 구동 칩을 표시기판에 직접 실장하거나, 표시기판에 직접 게이트 구동 회로를 형성하는 GIP(Gate In Panel) 방식을 적용할 수 있다. 표시기판에 직접 게이트 구동 회로를 형성하는 GIP(Gate In Panel)는 다결정 반도체 물질을 반도체층으로 사용하는 박막 트랜지스터와 산화물 반도체 물질을 반도체층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 C-MOS로 구성하여 표시기판에 직접 형성할 수 있다. 이에 의해, 박막 트랜지스터 내의 채널에서 전자 이동도를 높일 수 있으므로, 고해상도 및 저소비 전력의 표시장치 구현이 가능하다.The gate driving unit disposed in the non-display area (NA) may apply a GIP (Gate In Panel) method in which the gate driving chip is directly mounted on the display board or the gate driving circuit is formed directly on the display board. GIP (Gate In Panel), which forms a gate driving circuit directly on the display substrate, consists of a thin film transistor using a polycrystalline semiconductor material as a semiconductor layer and a thin film transistor using an oxide semiconductor material as a semiconductor layer using C-MOS to be installed on the display substrate. It can be formed directly. As a result, electron mobility can be increased in the channel within the thin film transistor, making it possible to implement a display device with high resolution and low power consumption.

표시 영역(AA)에는 복수의 데이터 라인 및 복수의 게이트 라인이 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 데이터 라인은 행(Row) 또는 열(Column)로 배치될 수 있고, 복수의 게이트 라인은 열(Column) 또는 행(Row)으로 배치될 수 있다. 표시패널(10)에서 복수의 데이터 라인과 복수의 게이트 라인이 배치된 영역 상에는 서브 화소(PX)가 배치될 수 있다.A plurality of data lines and a plurality of gate lines may be disposed in the display area AA. For example, a plurality of data lines may be arranged in rows or columns, and a plurality of gate lines may be arranged in columns or rows. In the display panel 10, a sub-pixel PX may be disposed on an area where a plurality of data lines and a plurality of gate lines are disposed.

표시패널(10)은 다수의 스캔 라인 및 다수의 발광제어 라인 등을 포함할 수 있다. 다수의 스캔 라인 및 다수의 발광제어 라인은 서로 다른 종류의 박막 트랜지스터들(스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터)의 게이트 노드에 서로 다른 종류의 게이트 신호(스캔 신호, 발광 제어 신호)를 전달하는 배선일 수 있다.The display panel 10 may include a plurality of scan lines and a plurality of emission control lines. Multiple scan lines and multiple light emission control lines may be wiring that transmits different types of gate signals (scan signals, light emission control signals) to gate nodes of different types of thin film transistors (switching transistors, driving transistors).

게이트 구동부는 게이트 라인의 한 종류인 복수의 스캔 라인으로 스캔 신호들을 출력하는 스캔 구동 회로와 게이트 라인의 다른 종류인 복수의 발광제어 라인으로 발광제어 신호들을 출력하는 발광 구동 회로를 포함할 수 있다.The gate driver may include a scan driving circuit that outputs scan signals through a plurality of scan lines, which are a type of gate line, and a light emission driving circuit that outputs light emission control signals through a plurality of light emission control lines, which is another type of gate line.

표시패널(10)은 전면부(FP), 전면부(FP)에서 연장되어, 구부러질 수 있는 밴딩부, 및 밴딩부에서 연장되고 전면부(FP)의 하부에 배치되는 패드부(PAD)를 포함할 수 있다.The display panel 10 includes a front portion (FP), a bending portion that extends from the front portion (FP) and can be bent, and a pad portion (PAD) that extends from the bending portion and is disposed below the front portion (FP). It can be included.

표시패널(10)의 하부에 배치되는 패드부(PAD)에는 데이터 구동부(20)가 배치될 수 있다. 데이터 구동부(20)는 타이밍 제어부로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어 신호를 입력 받는다. 데이터 구동부(20)는 소스 제어 신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터 전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 데이터 구동부(20)는 데이터 구동칩으로 형성될 수 있으며, 표시패널(10)의 패드부(PAD)에 직접 실장되는 COP(chip on panel)방식 또는 회로기판(30)에 실장되는 COF(chip on film)방식으로 표시패널(10)에 연결될 수 있다.The data driver 20 may be disposed on the pad portion (PAD) disposed below the display panel 10. The data driver 20 receives digital video data and source control signals from the timing control unit. The data driver 20 converts digital video data into analog data voltages according to a source control signal and supplies them to the data lines. The data driver 20 may be formed of a data driver chip, either a COP (chip on panel) type mounted directly on the pad portion (PAD) of the display panel 10 or a COF (chip on panel) type mounted on the circuit board 30. It can be connected to the display panel 10 in a film manner.

비표시 영역(NA)에 배치되는 게이트 구동부는 복수의 게이트 라인에 스캔 신호를 순차적으로 공급함으로써, 표시 영역(AA)의 각 서브 화소(PX) 행들을 순차적으로 구동시킨다.The gate driver disposed in the non-display area (NA) sequentially supplies scan signals to a plurality of gate lines, thereby sequentially driving each row of sub-pixels (PX) in the display area (AA).

데이터 구동부(20)는 게이트 구동부에 의해 특정 게이트 라인이 열리면, 영상 데이터를 아날로그 형태의 데이터 전압으로 변환하여 복수의 데이터 라인으로 공급한다.When a specific gate line is opened by the gate driver, the data driver 20 converts the image data into an analog data voltage and supplies it to a plurality of data lines.

데이터 라인은 데이터 구동부(20)의 공통 전압 및 구동 전압을 표시 영역(AA)의 복수의 서브 화소(PX)에 공급할 수 있으며, 데이터 라인은 벤딩부를 거쳐 표시 영역(AA)에 연장되도록 배치될 수 있다.The data line may supply the common voltage and driving voltage of the data driver 20 to the plurality of sub-pixels PX in the display area AA, and the data line may be arranged to extend to the display area AA through the bending unit. there is.

패드부(PAD)의 끝단은 데이터 구동부(20) 및 타이밍 제어부 등을 갖는 회로기판(30)과 연결될 수 있다. 회로기판(30)은 FOP(film on panel)방식으로 표시패널(10)의 패드부(PAD)에 연결될 수 있다. 회로기판(30)은 패드부(PAD)에 이방성 도전 필름(anisotropic conducting film)을 이용하여 부착할 수 있으며, 전기적으로 연결될 수 있다.The end of the pad portion (PAD) may be connected to the circuit board 30 having the data driver 20 and the timing controller. The circuit board 30 may be connected to the pad portion (PAD) of the display panel 10 using a film on panel (FOP) method. The circuit board 30 can be attached to the pad portion (PAD) using an anisotropic conducting film and can be electrically connected.

타이밍 제어부는 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력 받는다. 타이밍 제어부는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 데이터 구동부를 제어하기 위한 데이터 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 데이터 제어신호를 데이터 구동부(20)에 공급할 수 있다.The timing control unit receives digital video data and timing signals from an external system board. The timing control unit generates a gate control signal for controlling the operation timing of the gate driver and a data control signal for controlling the data driver based on the timing signal. The timing control unit may supply a gate control signal to the gate driver and a data control signal to the data driver 20.

도 2는 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다. 도 2는 표시패널(10)의 표시 영역(AA) 단면을 나타내고 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II' of FIG. 1A. FIG. 2 shows a cross section of the display area AA of the display panel 10.

도 2를 참조하면, 표시패널(10)의 하부에 배치되는 표시기판(110)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 표시기판(110)이 플라스틱 재질로 이루어지는 경우 표시패널(10)은 가요성(flexibility)을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2, the display substrate 110 disposed below the display panel 10 may be made of glass or plastic. When the display substrate 110 is made of a plastic material, the display panel 10 may have flexibility.

표시기판(110)도 표시패널(10)과 동일하게 영상이 표시되는 표시 영역(AA) 및 표시 영역(AA)을 둘러싸는 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다.Like the display panel 10, the display substrate 110 may include a display area AA where an image is displayed and a non-display area NA surrounding the display area AA.

플라스틱 재질 표시기판(110)의 경우, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 멀티 레이어(multi-layer)로 구성될 수 있다. 예를 들면, 표시기판(110)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 유기막과 산화 실리콘과 같은 무기막이 교번적으로 적층하여 구성될 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.In the case of the plastic display substrate 110, it may be composed of multi-layers in which organic films and inorganic films are alternately stacked. For example, the display substrate 110 may be formed by alternately stacking organic layers such as polyimide and inorganic layers such as silicon oxide, but embodiments of the present specification are not limited thereto.

표시기판(110) 상에는 버퍼층(120)이 배치될 수 있다. 버퍼층(120)은 하부 버퍼층(130)과 상부 버퍼층(140)을 포함할 수 있다.A buffer layer 120 may be disposed on the display substrate 110. The buffer layer 120 may include a lower buffer layer 130 and an upper buffer layer 140.

하부 버퍼층(130)은 외부로부터 표시기판(110)을 통해 침투할 수 있는 수분 등을 차단하기 위한 것으로, 산화 실리콘(SiO2)막 또는 질화 실리콘(SiN)막 등으로 단층을 구성하거나, 다층으로 적층하여 구성할 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.The lower buffer layer 130 is intended to block moisture that may penetrate through the display substrate 110 from the outside, and is made of a silicon oxide (SiO2) film or a silicon nitride (SiN) film, etc. in a single layer or stacked in multiple layers. It can be configured as follows, and the embodiments of the present specification are not limited thereto.

상부 버퍼층(140)은 상부에 형성되는 반도체층(310)을 보호하고, 반도체층(310)이 형성되는 기반을 제공하기 위해 형성될 수 있다. 상부 버퍼층(140)은 표시기판(110)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단할 수 있다. 상부 버퍼층(140)은 비정질 실리콘(a-Si) 등을 포함하여 형성될 수 있다. The upper buffer layer 140 may be formed to protect the semiconductor layer 310 formed thereon and to provide a base on which the semiconductor layer 310 is formed. The upper buffer layer 140 can block various types of defects flowing from the display substrate 110. The upper buffer layer 140 may be formed of amorphous silicon (a-Si) or the like.

버퍼층(120) 상에는 박막 트랜지스터(300)가 배치될 수 있으며, 박막 트랜지스터(300)의 반도체층(310)이 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(300)는 반도체층(310), 게이트 전극(320), 소스 전극(330), 및 드레인 전극(340)을 포함하며, 데이터 라인으로부터 인가되는 데이터 전압에 따라 발광 소자(400)에 구동 전류를 제공할 수 있다. 박막 트랜지스터(300)는 반도체층(310)으로 산화물 반도체 또는 다결정 반도체를 포함할 수 있다.A thin film transistor 300 may be disposed on the buffer layer 120, and a semiconductor layer 310 of the thin film transistor 300 may be disposed. The thin film transistor 300 includes a semiconductor layer 310, a gate electrode 320, a source electrode 330, and a drain electrode 340, and is driven in the light emitting device 400 according to the data voltage applied from the data line. Current can be provided. The thin film transistor 300 may include an oxide semiconductor or a polycrystalline semiconductor as the semiconductor layer 310.

반도체층(310) 상에는 게이트 절연층(210)과 게이트 전극(320)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(210)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드층(SiON), 실리콘 옥사이드층(SiOx), 티타늄 옥사이드층(TiOx), 또는 알루미늄 옥사이드층(AlOx) 등으로 형성될 수 있으며, 반도체층(310)을 보호하면서, 반도체층(310)과 게이트 전극(320)을 이격시켜 배치할 수 있다.A gate insulating layer 210 and a gate electrode 320 may be disposed on the semiconductor layer 310. The gate insulating layer 210 is an inorganic layer, for example, a silicon nitride layer (SiNx), a silicon oxy nitride layer (SiON), a silicon oxide layer (SiOx), a titanium oxide layer (TiOx), or an aluminum oxide layer (AlOx). ), etc., and the semiconductor layer 310 and the gate electrode 320 can be arranged to be spaced apart while protecting the semiconductor layer 310.

게이트 절연층(210) 상에는 게이트 전극(320)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(320)은 게이트 라인과 연결되어 있어, 게이트 구동부에서 공급된 스캔 신호가 인가될 수 있다. 게이트 전극(320)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.A gate electrode 320 may be disposed on the gate insulating layer 210. The gate electrode 320 is connected to the gate line, so that a scan signal supplied from the gate driver can be applied. The gate electrode 320 is made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It can be formed as a single layer or multiple layers made of an alloy.

게이트 전극(320) 상에는 층간 절연층(220)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(220)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층(SiNx), 실리콘 옥시 나이트라이드층(SiON), 실리콘 옥사이드층(SiOx), 티타늄 옥사이드층(TiOx), 또는 알루미늄 옥사이드층(AlOx) 등으로 형성될 수 있다. 층간 절연층(220)은 복수의 무기막으로 형성할 수 있다.An interlayer insulating layer 220 may be disposed on the gate electrode 320. The interlayer insulating layer 220 is an inorganic layer, for example, a silicon nitride layer (SiNx), a silicon oxy nitride layer (SiON), a silicon oxide layer (SiOx), a titanium oxide layer (TiOx), or an aluminum oxide layer (AlOx). ), etc. The interlayer insulating layer 220 may be formed of a plurality of inorganic films.

층간 절연층(220) 상에는 소스 전극(330)과 드레인 전극(340)이 형성될 수 있다. 소스 전극(330)과 드레인 전극(340)은 층간 절연층(220) 및/또는 게이트 절연층(210)에 컨택홀을 형성하여 반도체층(310)에 연결할 수 있다.A source electrode 330 and a drain electrode 340 may be formed on the interlayer insulating layer 220. The source electrode 330 and the drain electrode 340 may be connected to the semiconductor layer 310 by forming a contact hole in the interlayer insulating layer 220 and/or the gate insulating layer 210.

소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(330) 및 드레인 전극(340)은 티타늄 층(Ti)-알루미늄 층(Al)-티타늄 층(Ti)을 적층하거나, 몰리브덴 층(Mo)-알루미늄 층(Al)-몰리브덴 층(Mo)을 적층하여 구성할 수 있다.The source electrode 330 and the drain electrode 340 are titanium (Ti), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). ) may be formed as a single layer or multiple layers made of any one or an alloy thereof. For example, the source electrode 330 and the drain electrode 340 may be formed by stacking a titanium layer (Ti) - an aluminum layer (Al) - a titanium layer (Ti), or a molybdenum layer (Mo) - an aluminum layer (Al) - molybdenum. It can be constructed by stacking layers (Mo).

소스 전극(330)과 드레인 전극(340)은 반도체층(310)을 구성하는 물질에 따라 기능이 뒤바뀔 수 있으며, 이에 따라 명칭도 뒤바뀔 수 있다. 소스 전극(330) 또는 드레인 전극(340)은 데이터 라인에 연결되어 있어, 데이터 전압 또는 신호가 입력될 수 있으며, 발광 소자(400)의 제1 전극(410)에 소정의 전류 또는 전압을 공급할 수 있다.The functions of the source electrode 330 and the drain electrode 340 may be reversed depending on the material constituting the semiconductor layer 310, and their names may be reversed accordingly. The source electrode 330 or the drain electrode 340 is connected to a data line, so that a data voltage or signal can be input, and a predetermined current or voltage can be supplied to the first electrode 410 of the light emitting device 400. there is.

박막 트랜지스터(300) 상에는 여러 구성요소들의 두께 차이로 인해 발생하는 단차들을 평탄화하기 위해 제1 평탄화층(230) 및/또는 제2 평탄화층(250)이 형성될 수 있다. 제1 평탄화층(230) 및/또는 제2 평탄화층(250)에 의해 발광 소자(400)와 박막 트랜지스터(또는 신호 배선 등) 사이의 이격 거리는 커지게 되며, 박막 트랜지스터(또는 신호 배선 등)에서 발생한 노이즈가 발광 소자(400)에 미치는 영향이 감소될 수 있다.A first planarization layer 230 and/or a second planarization layer 250 may be formed on the thin film transistor 300 to flatten steps that occur due to differences in thickness of various components. The separation distance between the light emitting device 400 and the thin film transistor (or signal wire, etc.) increases due to the first planarization layer 230 and/or the second planarization layer 250, and the distance between the light emitting device 400 and the thin film transistor (or signal wire, etc.) increases. The influence of generated noise on the light emitting device 400 may be reduced.

제1 평탄화층(230) 또는 제2 평탄화층(250)은 폴리이미드나 아크릴 수지와 같은 유기막으로 구성될 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.The first planarization layer 230 or the second planarization layer 250 may be composed of an organic layer such as polyimide or acrylic resin, but the embodiments of the present specification are not limited thereto.

제1 평탄화층(230) 상에는 발광 소자(400)가 형성된다. 발광 소자(400)는 제1 전극(410)(또는 애노드 전극), 제1 전극(410)과 대응하는 제2 전극(420)(또는 캐소드 전극), 및 제1 전극(410)과 제2 전극(420) 사이에 위치하는 발광층(430)을 포함할 수 있다. 제1 전극(410)과 발광층(430)은 각 서브 화소(PX)마다 형성될 수 있고, 제2 전극(420)은 표시 영역(AA)의 전체 영역에 형성될 수 있다.A light emitting device 400 is formed on the first planarization layer 230. The light emitting device 400 includes a first electrode 410 (or anode electrode), a second electrode 420 (or cathode electrode) corresponding to the first electrode 410, and a first electrode 410 and a second electrode. It may include a light emitting layer 430 located between 420. The first electrode 410 and the light emitting layer 430 may be formed for each sub-pixel PX, and the second electrode 420 may be formed over the entire display area AA.

박막 트랜지스터(300)와 발광 소자(400)는 연결 전극(240)을 통해 연결될 수 있다. 발광 소자(400)는 제2 평탄화층(250) 상에 형성되는 연결 전극(240)을 통해 박막 트랜지스터(300)의 소스 전극(330) 또는 드레인 전극(340)과 연결될 수 있다. The thin film transistor 300 and the light emitting device 400 may be connected through the connection electrode 240. The light emitting device 400 may be connected to the source electrode 330 or the drain electrode 340 of the thin film transistor 300 through the connection electrode 240 formed on the second planarization layer 250.

연결 전극(240)과 발광 소자(400)의 제1 전극(410) 사이에는 제1 평탄화층(230)이 배치되고, 제1 평탄화층(230)에 형성된 컨택홀을 통해 제1 전극(410)과 연결 전극(240)은 연결될 수 있다. 그리고, 연결 전극(240)과 박막 트랜지스터(300)의 소스 전극(330) 또는 드레인 전극(340) 사이에는 제2 평탄화층(250)이 배치되고, 제2 평탄화층(250)에 형성된 컨택홀을 통해 소스 전극(330) 또는 드레인 전극(340)과 연결 전극(240)은 연결될 수 있다.A first planarization layer 230 is disposed between the connection electrode 240 and the first electrode 410 of the light emitting device 400, and the first electrode 410 is connected through a contact hole formed in the first planarization layer 230. The connection electrode 240 may be connected. In addition, a second planarization layer 250 is disposed between the connection electrode 240 and the source electrode 330 or the drain electrode 340 of the thin film transistor 300, and a contact hole formed in the second planarization layer 250 is formed. The source electrode 330 or the drain electrode 340 and the connection electrode 240 may be connected through.

연결 전극(240)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.The connection electrode 240 is made of any one of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). It can be formed as a single layer or multiple layers made of an alloy.

제1 전극(410)은 제1 평탄화층(230)을 관통하는 컨택홀을 통해 연결 전극(240)과 연결되고, 연결 전극(240)은 제2 평탄화층(250)을 관통하는 컨택홀을 통해 소스 전극(330) 또는 드레인 전극(340)과 연결될 수 있다.The first electrode 410 is connected to the connection electrode 240 through a contact hole penetrating the first planarization layer 230, and the connection electrode 240 is connected to the connection electrode 240 through a contact hole penetrating the second planarization layer 250. It may be connected to the source electrode 330 or the drain electrode 340.

제1 전극(410)이 전면 발광형(Top-Emission) 유기발광 표시장치에 적용되는 경우, 제1 전극(410)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti)의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄(Al)과 인듐-틴-옥사이드(ITO)의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 인듐-틴-옥사이드(ITO)의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.When the first electrode 410 is applied to a top-emission organic light emitting display device, the first electrode 410 has a stacked structure of aluminum (Al) and titanium (Ti) (Ti/Al/Ti). , a laminated structure of aluminum (Al) and indium-tin-oxide (ITO) (ITO/Al/ITO), APC alloy, and a laminated structure of APC alloy and indium-tin-oxide (ITO) (ITO/APC/ITO) It can be formed of a metal material with high reflectance, such as APC alloy is an alloy of silver (Ag), palladium (Pd), and copper (Cu).

제1 전극(410)은 박막 트랜지스터(300)를 통해 데이터 전압(전류) 또는 신호가 입력될 수 있으며, 제2 전극(420)은 저전위 전압인 공통 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.A data voltage (current) or signal may be input to the first electrode 410 through the thin film transistor 300, and a common voltage (EVSS), which is a low potential voltage, may be applied to the second electrode 420.

제1 전극(410)과 제2 전극(420)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 발광층(430)에서 서로 결합하여 발광하게 된다.When voltage is applied to the first electrode 410 and the second electrode 420, holes and electrons combine with each other in the light emitting layer 430 to emit light.

발광층(430)은 제1 전극(410) 상에 정공 관련층, 유기발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 적층되어 형성될 수 있다.The light-emitting layer 430 may be formed by stacking a hole-related layer, an organic light-emitting layer, and an electron-related layer on the first electrode 410 in that order or in the reverse order.

평면상 발광층(430) 사이에는 뱅크층(450)이 형성될 수 있다. 뱅크층(450)은 발광층(430)과 동일한 층에 배치되고, 제1 전극(410)의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 뱅크층(450)은 각 서브 화소(PX)의 제1 전극(410) 상에 형성되며, 제1 전극(410)을 노출시키는 화소 정의막일 수 있다. A bank layer 450 may be formed between the planar light emitting layers 430. The bank layer 450 may be disposed on the same layer as the light emitting layer 430 and may be disposed to cover a portion of the first electrode 410 . The bank layer 450 is formed on the first electrode 410 of each sub-pixel (PX) and may be a pixel defining layer that exposes the first electrode 410.

뱅크층(450)은 투명 재질로 형성되거나, 인접한 서브 화소(PX) 간 광 간섭을 방지하도록 불투명 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(450)은 칼라 안료, 유기 블랙 및 카본 중 어느 하나로 이루어지는 차광 재질을 포함할 수 있다.The bank layer 450 may be formed of a transparent material or an opaque material to prevent light interference between adjacent sub-pixels (PX). For example, the bank layer 450 may include a light-blocking material made of any one of color pigment, organic black, and carbon.

뱅크층(450)과 발광층(430) 상에는 제2 전극(420)이 배치될 수 있다. 제2 전극(420)은 발광층(430)을 사이에 두고 제1 전극(410)과 대향하며, 발광층(430)의 상부면 및 측면 상에 형성될 수 있다.A second electrode 420 may be disposed on the bank layer 450 and the light emitting layer 430. The second electrode 420 faces the first electrode 410 with the light emitting layer 430 interposed therebetween, and may be formed on the top and side surfaces of the light emitting layer 430.

제2 전극(420)은 표시 영역(AA) 전체 면에 일체로 형성될 수 있다. 제2 전극(420)은 전면 발광형(Top-Emission) 유기발광 표시장치에 적용되는 경우, 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 투명 도전막으로 구성될 수 있다.The second electrode 420 may be formed integrally with the entire surface of the display area AA. When applied to a top-emission organic light emitting display device, the second electrode 420 may be made of a transparent conductive film such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO). there is.

그리고, 제2 전극(420)은 터치 센서(TS)의 제1 터치 전극(TE1)으로 사용될 수 있다.Additionally, the second electrode 420 may be used as the first touch electrode TE1 of the touch sensor TS.

표시장치는 터치 입력을 감지하는 기능이 필요하며, 터치를 감지하기 위해, 별도의 터치 스크린 패널 또는 터치 센서를 형성할 수 있으나, 본 명세서의 실시예에서는 발광 소자(400)의 제2 전극(420)과 제1 전극(410)을 사용하여 터치 센서(TS)를 구성하거나, 제2 전극(420) 또는 연결 전극(240)을 사용하여 터치 센서(TS)를 구성하여, 표시장치의 두께를 감소시키고, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.The display device requires the function of detecting touch input, and may form a separate touch screen panel or touch sensor to detect touch. However, in the embodiment of the present specification, the second electrode 420 of the light emitting device 400 ) and the first electrode 410 to configure the touch sensor (TS), or the second electrode 420 or the connection electrode 240 to configure the touch sensor (TS) to reduce the thickness of the display device. and the display quality can be improved.

표시장치는 터치를 감지하기 위한 터치 센서(TS)와, 터치 센서(TS)를 구동 하고 위치를 검출하기 위한 터치 회로, 및 터치 센서(TS)와 터치 회로를 연결하는 터치 배선 등을 포함할 수 있다.The display device may include a touch sensor (TS) for detecting a touch, a touch circuit for driving the touch sensor (TS) and detecting the position, and a touch wire connecting the touch sensor (TS) and the touch circuit. there is.

터치 회로는 터치 센서(TS)로 구동 신호를 공급하고, 터치 센서(TS)로부터 센싱 신호를 검출하고, 센싱 신호를 통해 터치 유무 및/또는 터치 위치(터치좌표)를 검출할 수 있다. 터치 회로는 구동 신호를 공급하고 센싱 신호를 수신하는 터치 구동 회로와, 터치 유무 및/또는 터치 위치(터치좌표)를 산출하는 터치 제어부 등을 포함할 수 있다.The touch circuit may supply a driving signal to the touch sensor TS, detect a sensing signal from the touch sensor TS, and detect the presence or absence of a touch and/or a touch position (touch coordinates) through the sensing signal. The touch circuit may include a touch driving circuit that supplies a driving signal and receives a sensing signal, and a touch control unit that calculates the presence or absence of touch and/or the touch position (touch coordinates).

터치 회로는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적회로)으로 구현될 수 있으며, 데이터 구동 회로(30)와 통합하여 형성하거나, 데이터 구동 회로(30)와 별도로 구현될 수 있다.The touch circuit may be implemented with one or two or more components (eg, integrated circuits), and may be integrated with the data driving circuit 30 or implemented separately from the data driving circuit 30.

표시장치는 터치 센서(TS)에 형성되는 캐패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치를 센싱할 수 있다. 터치 센서(TS)는 뮤추얼-캐패시턴스(Mutual-capacitance) 방식으로 터치를 센싱하거나, 셀프-캐패시턴스(Selfcapacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수 있다.The display device can sense a touch based on capacitance formed in the touch sensor TS. The touch sensor (TS) can sense touch using a mutual-capacitance method or a self-capacitance method.

터치 센서(TS)는 제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE2)을 포함할 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 제1 터치 전극(TE1)의 아래에 배치될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 제1 터치 전극(TE1)을 연결하는 브릿지 전극의 역할을 할 수 있다. 예를 들면, 제1 터치 전극(TE1)은 상부 터치 전극일 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제2 터치 전극(TE2)은 하부 터치 전극일 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.The touch sensor TS may include a first touch electrode TE1 and a second touch electrode TE2. The second touch electrode TE2 may be disposed below the first touch electrode TE1. The second touch electrode TE2 may function as a bridge electrode connecting the first touch electrode TE1. For example, the first touch electrode TE1 may be an upper touch electrode, but embodiments of the present specification are not limited thereto. For example, the second touch electrode TE2 may be a lower touch electrode, but embodiments of the present specification are not limited thereto.

제1 터치 전극(TE1)은 터치 전극일 수 있으며, 구동 신호가 인가되는 구동 전극(DE)(또는 송신 전극)과, 센싱 신호가 센싱되고 구동 전극과 캐패시턴스를 형성하는 센싱 전극(SE)(또는 수신 전극)을 포함할 수 있다. The first touch electrode TE1 may be a touch electrode, and includes a driving electrode DE (or transmission electrode) to which a driving signal is applied, and a sensing electrode SE (or SE) to which a sensing signal is sensed and forms a capacitance with the driving electrode. may include a receiving electrode).

제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE2) 사이에는 절연막 역할을 하는 뱅크층(450)이 배치될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)의 센싱 전극(SE)(또는 구동 전극(DE))은 뱅크층(450)에 컨택홀을 형성하여, 제2 터치 전극(TE2)과 연결될 수 있다.A bank layer 450 serving as an insulating film may be disposed between the first touch electrode TE1 and the second touch electrode TE2. The sensing electrode SE (or driving electrode DE) of the first touch electrode TE1 may be connected to the second touch electrode TE2 by forming a contact hole in the bank layer 450.

본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 터치 전극(TE1)은 제2 전극(420)으로 구성될 수 있으며, 제2 터치 전극(TE2)은 제1 전극(410)과 동일한 층에 배치되고, 제1 전극(410)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present specification, the first touch electrode TE1 may be composed of a second electrode 420, and the second touch electrode TE2 may be disposed on the same layer as the first electrode 410, and the second touch electrode TE2 may be formed of a second electrode 420. 1 It may be formed of the same material as the electrode 410.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치는, 발광 소자(400) 상에 별도의 터치 스크린 패널 또는 별도의 터치 센서를 형성하지 않고, 발광 소자(400)의 제1 전극(410)과 제2 전극(420)을 사용하여 터치 센서(TS)를 형성할 수 있다.The display device according to the embodiment of the present specification does not form a separate touch screen panel or a separate touch sensor on the light-emitting device 400, but uses the first electrode 410 and the second electrode ( 420) can be used to form a touch sensor (TS).

따라서, 표시장치의 제조 공정을 단순화할 수 있고, 제조 비용도 저감할 수 있다. 또한, 표시장치의 두께를 감소할 수 있고, 표시 품질을 향상시킬 수 있다. Accordingly, the manufacturing process of the display device can be simplified and manufacturing costs can also be reduced. Additionally, the thickness of the display device can be reduced and display quality can be improved.

제2 전극(420)은 표시 영역(AA)의 전체 면적에 형성되는 것으로, 제2 전극(420)을 복수개의 사각형 형상 또는 마름모 형상으로 패터닝 또는 분리시켜, 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)으로 구성된 제1 터치 전극(TE1)을 형성할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 터치 센싱 기간을 제외하고는 제2 전극(420)의 역할을 하므로, 제1 전극(410)과 중첩되는 형태를 가질 수 있다.The second electrode 420 is formed on the entire area of the display area AA, and the second electrode 420 is patterned or separated into a plurality of square or diamond shapes to form the driving electrode DE and the sensing electrode SE. ) may be formed. Since the first touch electrode TE1 functions as the second electrode 420 except during the touch sensing period, it may have a shape that overlaps with the first electrode 410.

제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)을 형성하기 위해서는 제2 전극(420)을 패터닝하는 공정이 필요하며, 제2 전극(420)을 표시 영역(AA)에 형성하는 패터닝 공정과 함께 진행될 수 있다.In order to form the driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) of the first touch electrode (TE1), a process of patterning the second electrode 420 is required, and the second electrode 420 is placed in the display area (AA). It can be carried out along with the forming patterning process.

제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)은 일정 간격을 두고 서로 분리되어 표시 영역(AA) 전체에 배치되어 있으며, 동일한 행 또는 열에 배치된 복수의 구동 전극(DE) 또는 복수의 센싱 전극(SE)은 전기적으로 서로 연결되어 구동 전극 라인 또는 센싱 전극 라인을 형성할 수 있다.The driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) of the first touch electrode (TE1) are separated from each other at a certain interval and arranged throughout the display area (AA), and a plurality of driving electrodes (DE) are arranged in the same row or column. ) Alternatively, the plurality of sensing electrodes SE may be electrically connected to each other to form a driving electrode line or a sensing electrode line.

구동 전극 라인 또는 센싱 전극 라인을 형성하기 위해, 예를 들어 복수의 센싱 전극(SE) 사이에 배치되는 복수의 구동 전극(DE)은 일체로 형성되어 구동 전극 라인을 형성할 수 있고, 복수의 센싱 전극(SE)은 구동 전극(DE)과의 접촉을 피하기 위해, 구동 전극 라인과 중첩되는 부분에서는 제2 터치 전극(TE2)과 연결시켜 센싱 전극 라인을 형성할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극 라인은 구동 전극 라인과 중첩되는 부분에서 분리되고, 아래에 위치하는 제2 터치 전극(TE2)에 의해 연결될 수 있다.To form a driving electrode line or a sensing electrode line, for example, a plurality of driving electrodes DE disposed between a plurality of sensing electrodes SE may be formed integrally to form a driving electrode line, and a plurality of sensing electrodes SE may be formed integrally to form a driving electrode line. In order to avoid contact with the driving electrode DE, the electrode SE may be connected to the second touch electrode TE2 at a portion overlapping with the driving electrode line to form a sensing electrode line. For example, the sensing electrode line may be separated at a portion overlapping with the driving electrode line and connected by the second touch electrode TE2 located below.

구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)은 인가되는 신호에 따라 역할은 뒤바뀔 수 있으므로, 구동 전극 라인과 센싱 전극 라인의 구조는 뒤바뀔 수 있다.Since the roles of the driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) can be reversed depending on the applied signal, the structures of the driving electrode line and the sensing electrode line can be reversed.

제2 터치 전극(TE2)은 분리된 제1 터치 전극(TE1)의 센싱 전극(SE)(또는 구동 전극(DE))을 연결하기 위해, 제1 전극(410)과 동일한 층에 제1 전극(410)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The second touch electrode TE2 is a first electrode (TE2) on the same layer as the first electrode 410 in order to connect the sensing electrode SE (or driving electrode DE) of the separated first touch electrode TE1. 410) and may be formed of the same material.

제2 터치 전극(TE2)은 제1 전극(410) 사이에 배치될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 발광층(430)에서 발생된 광과의 간섭을 방지하고, 발광 소자(400)와의 신호 간섭을 방지하기 위해, 발광층(430)과 일정거리 이격하여 배치할 수 있다.The second touch electrode TE2 may be disposed between the first electrodes 410 . The second touch electrode TE2 may be placed at a certain distance from the light emitting layer 430 to prevent interference with light generated from the light emitting layer 430 and signal interference with the light emitting device 400.

제2 터치 전극(TE2)은 제1 전극(410)과 동일한 물질인 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있으므로, 발광층(430)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 터치 전극(TE2)은 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬(mesh) 형태를 갖도록 형성될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2)은 저항이 낮은 불투명 금속 물질로 형성될 수 있으므로, 메쉬 형태를 갖더라도 빠른 신호 전달이 가능하다.The second touch electrode TE2 may be formed of a highly reflective metal material, which is the same material as the first electrode 410, and may be disposed so as not to overlap the light emitting layer 430. For example, the second touch electrode TE2 may be formed to have a mesh shape surrounding the light emitting layer 430. Since the second touch electrode TE2 may be formed of an opaque metal material with low resistance, fast signal transmission is possible even if it has a mesh shape.

제2 터치 전극(TE2)은 발광 소자(400)를 형성하기 위한 제1 전극(410)의 패터닝 공정과 함께 진행될 수 있다.The second touch electrode TE2 may be formed along with the patterning process of the first electrode 410 to form the light emitting device 400.

제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE2)에 연결하기 위해, 제2 터치 전극(TE2)과 중첩되는 뱅크층(450) 영역에 컨택홀을 형성할 수 있으며, 컨택홀이 형성된 뱅크층(450) 상에 제1 터치 전극(TE1)을 형성하여 제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE2)과 연결할 수 있다.In order to connect the first touch electrode (TE1) to the second touch electrode (TE2), a contact hole may be formed in the area of the bank layer 450 that overlaps the second touch electrode (TE2), and the bank in which the contact hole is formed The first touch electrode TE1 may be formed on the layer 450 to connect the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE2.

제2 전극(420)은 표시 영역(AA)의 전체 면적에 형성되는 것으로, 제2 전극(420)을 복수개의 사각형 형상 또는 마름모 형상으로 패터닝 또는 분리시켜, 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)으로 구성된 제1 터치 전극(TE1)을 형성할 수 있다. 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)을 형성하기 위한 패터닝 공정은, 제2 전극(420)을 표시 영역(AA) 내에 형성하는 패터닝 공정과 함께 진행할 수 있다.The second electrode 420 is formed on the entire area of the display area AA, and the second electrode 420 is patterned or separated into a plurality of square or diamond shapes to form the driving electrode DE and the sensing electrode SE. ) may be formed. The patterning process for forming the driving electrode DE and the sensing electrode SE may be performed together with the patterning process for forming the second electrode 420 in the display area AA.

제1 터치 전극(TE1)은 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)와 같은 투명 도전막으로 구성될 수 있어, 저항이 높게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮추기 위해, 제1 터치 전극(TE1)과 접촉하는 보조 전극(500)을 포함할 수 있다.The first touch electrode TE1 may be made of a transparent conductive film such as indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO), and may have high resistance. Therefore, in order to lower the resistance of the first touch electrode TE1, an auxiliary electrode 500 in contact with the first touch electrode TE1 may be included.

보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)의 상부 또는 하부에서 제1 터치 전극(TE1)과 접촉하여 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮추기 위해 보조 전극(500)은 낮은 저항을 갖는 불투명 금속을 사용할 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be formed in contact with the first touch electrode TE1 at the top or bottom of the first touch electrode TE1. To lower the resistance of the first touch electrode TE1, the auxiliary electrode 500 may use an opaque metal with low resistance.

보조 전극(500)은 발광층(430)에서 발생된 광과의 간섭을 방지하기 위해, 평면상 발광층(430)과 중첩되지 않고, 뱅크층(450)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 보조 전극(500)은 많이 배치될수록 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮출 수 있으므로, 보조 전극(500)은 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖도록 배치될 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be arranged not to overlap the light emitting layer 430 but to overlap the bank layer 450 in a plan view, in order to prevent interference with light generated from the light emitting layer 430. Since the resistance of the first touch electrode TE1 can be lowered as more auxiliary electrodes 500 are arranged, the auxiliary electrodes 500 may be arranged to have a mesh shape surrounding the light emitting layer 430.

보조 전극(500)은 낮은 저항을 갖는 몰리브덴(Mo), 은(Ag), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 티타늄/알루미늄/티타늄(Ti/Al/Ti), 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴(Mo/Al/Mo) 등의 금속 물질로 이루어진 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 보조 전극(500) 물질은 이에 제한되는 것은 아니다.The auxiliary electrode 500 is made of molybdenum (Mo), silver (Ag), titanium (Ti), copper (Cu), aluminum (Al), titanium/aluminum/titanium (Ti/Al/Ti), molybdenum/ It may have a single-layer or multi-layer structure made of a metal material such as aluminum/molybdenum (Mo/Al/Mo). The material of the auxiliary electrode 500 is not limited thereto.

제1 터치 전극(TE1)과 보조 전극(500) 상에는 봉지부(600)가 배치될 수 있다. 봉지부(600)는 발광 소자로 수분 및 외부 이물질이 침투되는 것을 억제할 수 있다. 봉지부(600)는 차례로 적층되는 제1 봉지층(610), 제2 봉지층(620), 및 제3 봉지층(630)을 포함할 수 있으며, 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.An encapsulation portion 600 may be disposed on the first touch electrode TE1 and the auxiliary electrode 500. The encapsulation portion 600 can prevent moisture and external substances from penetrating into the light emitting device. The encapsulation portion 600 may include a first encapsulation layer 610, a second encapsulation layer 620, and a third encapsulation layer 630 that are sequentially stacked, but embodiments of the present specification are not limited thereto.

봉지부(600)의 제1 봉지층(610) 및 제3 봉지층(630)은 산화 실리콘(SiOx) 등의 무기 물질로 형성될 수 있다. 봉지부(600)의 제2 봉지층(620)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 및 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기물질로 형성될 수 있으며. 본 명세서의 실시예들은 이에 한정되지 않는다.The first encapsulation layer 610 and the third encapsulation layer 630 of the encapsulation portion 600 may be formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiOx). The second encapsulation layer 620 of the encapsulation portion 600 is made of acryl resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, and polyimide resin. ) and other organic substances. The embodiments of this specification are not limited thereto.

제2 봉지층(620)은 비표시 영역까지 연장되어 형성될 수 있으며, 제2 봉지층(620)의 테두리 지점에는, 뱅크층(450)과 동일한 물질층을 포함하는 댐이 배치될 수 있다. 댐은 제1 봉지층(510) 및 제3 봉지층(530)이 추가로 적층되어 형성될 수 있다.The second encapsulation layer 620 may be formed to extend to the non-display area, and a dam including the same material layer as the bank layer 450 may be disposed at an edge of the second encapsulation layer 620. The dam may be formed by additionally stacking the first encapsulation layer 510 and the third encapsulation layer 530.

댐은 봉지부(600)의 형성 과정에서 제2 봉지층(620)이 표시패널(10) 외곽으로 흐르는 것을 막을 수 있다. The dam can prevent the second encapsulation layer 620 from flowing to the outside of the display panel 10 during the formation of the encapsulation portion 600.

도 3은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 도 1a의 I-I'선에 따른 단면도이다. 도 3의 표시장치는 도 2의 표시장치와 비교하여 제2 터치 전극(543)이 다른 구조를 가질 수 있으며, 도 2와의 중복된 설명은 생략하도록 한다. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1A according to another embodiment of the present specification. The display device of FIG. 3 may have a different structure of the second touch electrode 543 compared to the display device of FIG. 2, and duplicate descriptions with FIG. 2 will be omitted.

도 3을 참조하면, 터치 센서(TS)는 제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE3)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 제2 전극(420)으로 구성될 수 있다. 제2 터치 전극(TE3)은 연결 전극(240)과 동일한 층에 배치되고, 연결 전극(240)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the touch sensor TS may include a first touch electrode TE1 and a second touch electrode TE3. The first touch electrode TE1 may be composed of the second electrode 420. The second touch electrode TE3 may be disposed on the same layer as the connection electrode 240 and may be formed of the same material as the connection electrode 240.

제2 전극(420)을 복수개의 사각형 형상 또는 마름모 형상 등으로 패터닝 또는 분리시켜, 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)으로 구성된 제1 터치 전극(TE1)을 형성할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 제2 전극(420)일 수 있다.The second electrode 420 may be patterned or separated into a plurality of square or diamond shapes to form a first touch electrode (TE1) consisting of a driving electrode (DE) and a sensing electrode (SE). The first touch electrode TE1 may be the second electrode 420 .

제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE3) 사이에는 제1 평탄화층(230)과 뱅크층(450)이 배치될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE3)에 연결하기 위해, 제2 터치 전극(TE3)과 중첩되는 제1 평탄화층(230)과 뱅크층(450) 영역에 컨택홀을 형성할 수 있다. 컨택홀이 형성된 제1 평탄화층(230)과 뱅크층(450) 상에 제1 터치 전극(TE1)을 형성하여 제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE3)과 연결할 수 있다.A first planarization layer 230 and a bank layer 450 may be disposed between the first touch electrode TE1 and the second touch electrode TE3. In order to connect the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE3, a contact hole is formed in the area of the first planarization layer 230 and the bank layer 450 that overlaps the second touch electrode TE3. You can. The first touch electrode TE1 may be formed on the first planarization layer 230 and the bank layer 450 in which the contact hole is formed, thereby connecting the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE3.

제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE3)과 연결하기 위한 연결부(CP)는 제1 평탄화층(230)과 뱅크층(450)을 거쳐 형성되므로, 연결부(CP)는 제1 전극(410)과 발광층(430)에 중첩되지 않도록 배치될 수 있다. 연결부(CP)는 제1 터치 전극(TE1)에서 연장된 일부분이거나, 별도의 금속으로 형성할 수 있다.Since the connection portion CP for connecting the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE3 is formed through the first planarization layer 230 and the bank layer 450, the connection portion CP is connected to the first electrode It may be arranged so as not to overlap the light emitting layer 410 and 430. The connection portion CP may be a part extending from the first touch electrode TE1 or may be formed of a separate metal.

연결부(CP)와 연결되는 제2 터치 전극(TE3)은 제1 전극(410) 및 발광층(430)과 중첩하지 않도록 배치될 수 있으며, 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖도록 배치될 수 있다.The second touch electrode TE3 connected to the connection portion CP may be arranged not to overlap the first electrode 410 and the light emitting layer 430, and may be arranged to have a mesh shape surrounding the light emitting layer 430. .

제2 터치 전극(TE3)은 분리된 제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)(또는 센싱 전극(SE))을 연결하기 위해, 연결 전극(240)과 동일한 층에 연결 전극(240)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The second touch electrode TE3 is a connection electrode 240 on the same layer as the connection electrode 240 in order to connect the driving electrode DE (or the sensing electrode SE) of the separated first touch electrode TE1. It can be formed of the same material as.

제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE3)에 연결하기 위해, 제2 터치 전극(TE2)과 중첩되는 뱅크층(450)의 영역에 컨택홀을 형성할 수 있으며, 컨택홀이 형성된 뱅크층(450) 상에 제1 터치 전극(TE1)을 형성하여 제1 터치 전극(TE1)을 제2 터치 전극(TE3)과 연결할 수 있다.In order to connect the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE3, a contact hole may be formed in the area of the bank layer 450 that overlaps the second touch electrode TE2, and the contact hole is formed. The first touch electrode TE1 may be formed on the bank layer 450 to connect the first touch electrode TE1 to the second touch electrode TE3.

제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)은 일정 간격을 두고 서로 분리되어 있으며, 동일한 행 또는 열에 배치된 복수의 구동 전극(DE) 또는 복수의 센싱 전극(SE)은 전기적으로 서로 연결되어 구동 전극 라인 또는 센싱 전극 라인을 형성할 수 있다.The driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) of the first touch electrode (TE1) are separated from each other at a certain interval, and a plurality of driving electrodes (DE) or a plurality of sensing electrodes (SE) are arranged in the same row or column. may be electrically connected to each other to form a driving electrode line or a sensing electrode line.

구동 전극 라인 또는 센싱 전극 라인을 형성하기 위해, 예를 들어 복수의 센싱 전극(SE) 사이에 배치되는 복수의 구동 전극(DE)은 일체로 형성되어 구동 전극 라인을 형성할 수 있고, 복수의 센싱 전극(SE)은 구동 전극(DE)과의 접촉을 피하기 위해 제2 터치 전극(TE2)과 연결시켜 센싱 전극 라인을 형성할 수 있다. 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)은 인가되는 신호에 따라 역할은 뒤바뀔 수 있는 것으로, 구동 전극 라인과 센싱 전극 라인의 구조는 뒤바뀔 수 있다.To form a driving electrode line or a sensing electrode line, for example, a plurality of driving electrodes DE disposed between a plurality of sensing electrodes SE may be formed integrally to form a driving electrode line, and a plurality of sensing electrodes SE may be formed integrally to form a driving electrode line. The electrode SE may be connected to the second touch electrode TE2 to form a sensing electrode line to avoid contact with the driving electrode DE. The roles of the driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) can be reversed depending on the applied signal, and the structures of the driving electrode line and the sensing electrode line can be reversed.

본 명세서의 실시예에 따르면, 제1 터치 전극(TE1)과 제2 터치 전극(TE3) 사이에는 제1 평탄화층(230)과 뱅크층(450)이 배치되므로, 구동 전극 라인과 센싱 전극 라인의 중첩되는 부분에서의 이격 거리가 커지므로, 구동 전극 라인과 센싱 전극 라인의 신호 간섭은 감소될 수 있다. 그리고, 제1 전극(410)의 물질이 아닌 연결 전극(240)의 물질로 제2 터치 전극(TE3)을 구성하므로, 낮은 저항 등의 다른 특성을 갖는 제2 터치 전극(TE3)을 형성할 수 있다.According to the embodiment of the present specification, the first planarization layer 230 and the bank layer 450 are disposed between the first touch electrode (TE1) and the second touch electrode (TE3), so that the driving electrode line and the sensing electrode line Since the separation distance at the overlapping portion increases, signal interference between the driving electrode line and the sensing electrode line can be reduced. In addition, since the second touch electrode TE3 is made of the material of the connection electrode 240 rather than the material of the first electrode 410, it is possible to form the second touch electrode TE3 with other characteristics such as low resistance. there is.

제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮추기 위해, 제1 터치 전극(TE1)과 접촉하는 보조 전극(500)을 포함할 수 있다.In order to lower the resistance of the first touch electrode TE1, an auxiliary electrode 500 in contact with the first touch electrode TE1 may be included.

보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)의 상부 또는 하부에서 제1 터치 전극(TE1)과 접촉하여 형성될 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮추기 위해 보조 전극(500)은 낮은 저항을 갖는 불투명 금속을 사용할 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be formed in contact with the first touch electrode TE1 at the top or bottom of the first touch electrode TE1. To lower the resistance of the first touch electrode TE1, the auxiliary electrode 500 may use an opaque metal with low resistance.

보조 전극(500)은 발광층(430)에서 발생된 광과의 간섭을 방지하기 위해, 평면상 발광층(430)과 중첩되지 않고, 뱅크층(450)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 보조 전극(500)은 많이 배치될수록 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮출 수 있으므로, 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖도록 배치될 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be arranged not to overlap the light emitting layer 430 but to overlap the bank layer 450 in a plan view, in order to prevent interference with light generated from the light emitting layer 430. As more auxiliary electrodes 500 are arranged, the resistance of the first touch electrode TE1 can be lowered, so they can be arranged to have a mesh shape surrounding the light emitting layer 430.

도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 터치 센서를 도시한 평면도이다.Figure 4 is a plan view showing a touch sensor according to an embodiment of the present specification.

도 4를 참조하면, 터치 센서(TS)는 표시패널(10)의 표시 영역(AA)에 전체적으로 배치될 수 있다. 터치 센서(TS)는 브릿지 전극인 제2 터치 전극(TE2, TE3)과, 제2 터치 전극(TE2, TE3) 상에 배치되는 제1 터치 전극(TE1)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 터치 전극일 수 있으며, 구동 신호가 인가되는 구동 전극(DE)(또는 송신 전극)과, 센싱 신호가 센싱되고 구동 전극(DE)과 캐패시턴스를 형성하는 센싱 전극(SE)(또는 수신 전극)을 포함할 수 있다. 제1 터치 전극(TE1)은 사각형으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 마름모, 삼각형, 원형 등으로 형성될 수 있다. 제2 터치 전극(TE2, TE3)과 제1 터치 전극(TE1) 사이에는 절연막이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4 , the touch sensor TS may be entirely disposed in the display area AA of the display panel 10 . The touch sensor TS may include second touch electrodes TE2 and TE3, which are bridge electrodes, and a first touch electrode TE1 disposed on the second touch electrodes TE2 and TE3. The first touch electrode TE1 may be a touch electrode and includes a driving electrode DE (or transmission electrode) to which a driving signal is applied, and a sensing electrode SE to which a sensing signal is sensed and forms a capacitance with the driving electrode DE. ) (or a receiving electrode) may be included. The first touch electrode TE1 is shown as a square, but is not limited thereto and may be formed as a diamond, triangle, or circle. An insulating film may be formed between the second touch electrodes TE2 and TE3 and the first touch electrode TE1.

터치 센서(TS)의 구동 전극(DE) 중에서, 동일한 행(또는 동일한 열)에 배치된 구동 전극(DE)들은 일체화 방식에 의해(또는 브릿지 전극에 의한 연결 방식에 의해) 전기적으로 서로 연결되어 하나의 구동 전극 라인(TE1V)을 형성할 수 있다.Among the driving electrodes (DE) of the touch sensor (TS), the driving electrodes (DE) arranged in the same row (or the same column) are electrically connected to each other by an integration method (or by a connection method using a bridge electrode). A driving electrode line (TE1V) can be formed.

센싱 전극(SE) 중에서, 동일한 열(또는 동일한 행)에 배치된 센싱 전극(SE)들은 브릿지 전극인 제2 터치 전극(TE2, TE3)에 의해(또는 일체화 방식에 의해) 전기적으로 서로 연결되어 하나의 센싱 전극 라인(TE1H)을 형성할 수 있다.Among the sensing electrodes (SE), the sensing electrodes (SE) arranged in the same column (or same row) are electrically connected to each other (or by an integration method) by the second touch electrodes (TE2, TE3), which are bridge electrodes. A sensing electrode line (TE1H) can be formed.

뮤추얼-캐패시턴스 방식의 경우, 터치 회로(60)는, 하나 이상의 구동 전극 라인(TE1V)으로 구동 신호를 인가하고, 하나 이상의 센싱 전극 라인(TE1H)으로부터 센싱 신호를 수신할 수 있다. 그리고, 수신된 센싱 신호를 토대로, 손가락, 펜 등의 접촉 유무에 따른 구동 전극 라인(TE1V)과 센싱 전극 라인(TE1H) 간의 캐패시턴스 변화를 검출하여 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.In the case of the mutual-capacitance method, the touch circuit 60 may apply a driving signal to one or more driving electrode lines (TE1V) and receive a sensing signal from one or more sensing electrode lines (TE1H). And, based on the received sensing signal, the change in capacitance between the driving electrode line (TE1V) and the sensing electrode line (TE1H) depending on the presence or absence of contact with a finger, pen, etc. can be detected to detect the presence or absence of touch and/or touch coordinates. .

구동 신호 및 센싱 신호 전달을 위해, 복수의 구동 전극 라인(TE1V) 및 복수의 센싱 전극 라인(TE1H) 각각은 하나 이상의 터치 배선(TL)을 통해 터치 구동 회로와 전기적으로 연결될 수 있다.To transmit the driving signal and the sensing signal, each of the plurality of driving electrode lines (TE1V) and the plurality of sensing electrode lines (TE1H) may be electrically connected to the touch driving circuit through one or more touch wires (TL).

터치 배선(TL)은 복수의 구동 전극 라인(TE1V) 및 복수의 센싱 전극 라인(TE1H) 각각에 개별로 연결될 수 있다. 복수의 구동 전극 라인(TE1V) 및 복수의 센싱 전극 라인(TE1H)의 크기가 터치 입력을 센싱하기 위한 최소 영역 보다 작은 경우, 터치 배선(TL)은 복수의 구동 전극 라인(TE1V)(또는 복수의 센싱 전극 라인(TE1H))을 묶어서 하나로 연결할 수 있다.The touch wire TL may be individually connected to each of the driving electrode lines TE1V and the sensing electrode lines TE1H. When the sizes of the plurality of driving electrode lines (TE1V) and the plurality of sensing electrode lines (TE1H) are smaller than the minimum area for sensing a touch input, the touch wire (TL) is connected to the plurality of driving electrode lines (TE1V) (or a plurality of The sensing electrode line (TE1H) can be bundled and connected as one.

도 4에서는 터치 배선(TL)이 좌측 영역에만 배치된 것으로 도시하였으나, 한쪽 영역에만 터치 배선(TL)이 배치되는 경우 한쪽 영역의 비표시 영역만 커지게 되므로, 표시패널의 디자인을 고려하여, 터치 배선(TL)을 양쪽으로 번갈아서 (또는 교대로) 배치할 수 있다.In Figure 4, the touch wire (TL) is shown as being placed only in the left area. However, if the touch wire (TL) is placed in only one area, only the non-display area of one area becomes larger, so taking the design of the display panel into consideration, the touch wire (TL) is placed only in the left area. Wiring (TL) can be arranged alternately (or alternately) on both sides.

본 명세서의 실시예에 따른, 터치 센서(TS)의 제1 터치 전극(TE1)은 제2 전극(420)으로도 사용되는 것으로, 제1 터치 전극(TE1)인 제2 전극(420)은 영상 표시를 위한 '디스플레이 구동'과, 손가락 및/또는 펜에 의한 터치(손가락 터치 및/또는 펜 터치)를 센싱하기 위한 '터치 구동(손가락 터치 구동 및/또는 펜 터치 구동)'을 시분할하여 수행할 수 있다.According to an embodiment of the present specification, the first touch electrode (TE1) of the touch sensor (TS) is also used as the second electrode 420, and the second electrode 420, which is the first touch electrode (TE1), is used as an image ‘Display drive’ for display and ‘touch drive (finger touch drive and/or pen touch drive)’ for sensing touch by finger and/or pen (finger touch drive and/or pen touch drive) can be performed by time division. You can.

예를 들어, 제1 터치 전극(TE1)인 제2 전극(420)에는 디스플레이 구동 기간과 터치 구동 기간이 교번되면서 할당될 수 있다. 디스플레이 구동 기간 동안에는 제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)과 센싱 전극(SE)에는 동일한 저전위 전압인 공통 전압(EVSS)을 인가시켜 영상 표시를 위한 전압을 공급할 수 있으며, 터치 구동 기간 동안에는 제1 터치 전극(TE1)의 구동 전극(DE)에 구동 신호를 공급하고, 센싱 전극(SE)에서 센싱 신호를 수신하여, 터치를 센싱할 수 있다.For example, the second electrode 420, which is the first touch electrode TE1, may be assigned alternating display driving periods and touch driving periods. During the display driving period, the common voltage (EVSS), which is the same low potential voltage, can be applied to the driving electrode (DE) and the sensing electrode (SE) of the first touch electrode (TE1) to supply voltage for image display. During this time, a driving signal may be supplied to the driving electrode DE of the first touch electrode TE1 and a sensing signal may be received from the sensing electrode SE to sense a touch.

이러한 시분할 구동 방식의 경우, 터치 구동 기간은 디스플레이 구동이 수행되지 않는 블랭크(Blank) 기간일 수 있다.In the case of this time division driving method, the touch driving period may be a blank period in which no display driving is performed.

도 5a는 도 4의 A영역을 확대한 평면도이다. 도 5a는 보조 전극(500)과 제1 터치 전극(TE1)과의 배치 관계를 설명하기 위한 도면이다.Figure 5a is an enlarged plan view of area A of Figure 4. FIG. 5A is a diagram for explaining the arrangement relationship between the auxiliary electrode 500 and the first touch electrode TE1.

도 5a를 참조하면, 보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)의 하부에 배치되는 것으로 나타내었으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)의 상부에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 5A, the auxiliary electrode 500 is shown as being disposed below the first touch electrode TE1, but the auxiliary electrode 500 is not limited thereto, and the auxiliary electrode 500 is disposed above the first touch electrode TE1. can be placed.

보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮추기 위해, 저항이 낮은 불투명 금속으로 형성할 수 있다. 보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)에 접촉하여 배치할 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be formed of an opaque metal with low resistance in order to lower the resistance of the first touch electrode TE1. The auxiliary electrode 500 may be placed in contact with the first touch electrode TE1.

보조 전극(500)은 발광층(430)에서 발생된 광과의 간섭을 방지하기 위해, 평면상 발광층(430)과 중첩되지 않고, 뱅크층(450)과 중첩되도록 배치될 수 있다. 뱅크층(450)은 발광층(430)과 동일층에 배치될 수 있으며, 발광층(430)을 제외한 영역에 뱅크층(450)이 배치될 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be arranged not to overlap the light emitting layer 430 but to overlap the bank layer 450 in a plan view, in order to prevent interference with light generated from the light emitting layer 430. The bank layer 450 may be disposed on the same layer as the light emitting layer 430, and the bank layer 450 may be disposed in an area excluding the light emitting layer 430.

하나의 제1 터치 전극(TE1)의 크기는 손가락, 터치펜 등의 터치 입력 수단의 크기에 맞춰 형성될 수 있으며, 하나의 제1 터치 전극(TE1)이 배치되는 영역에는 복수개의 발광층(430)이 배치될 수 있다.The size of one first touch electrode (TE1) can be formed to match the size of a touch input means such as a finger or a touch pen, and a plurality of light emitting layers 430 are formed in the area where one first touch electrode (TE1) is disposed. This can be placed.

보조 전극(500)은 크기가 크거나 수량이 증가할수록 제1 터치 전극(TE1)의 저항을 낮출 수 있으므로, 하나의 제1 터치 전극(TE1)이 배치되는 전체 영역에서 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖도록 배치하여 저항을 최대한 낮출 수 있다.As the size or quantity of the auxiliary electrode 500 increases, the resistance of the first touch electrode (TE1) can be lowered, so the auxiliary electrode 500 surrounds the light emitting layer 430 in the entire area where one first touch electrode (TE1) is disposed. Resistance can be lowered as much as possible by arranging it to have a mesh shape.

도 5b는 도 4의 B영역을 확대한 평면도이다. 도 5b는 복수의 제1 터치 전극(TE1)이 분리되어 있는 구조와, 제1 터치 전극(TE1)의 분리부에서의 보조 전극(500)의 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.Figure 5b is an enlarged plan view of area B in Figure 4. FIG. 5B is a diagram for explaining a structure in which a plurality of first touch electrodes TE1 are separated and an arrangement structure of the auxiliary electrode 500 at the separated portion of the first touch electrode TE1.

도 5b를 참조하면, 복수의 제1 터치 전극(500)은 분리되고, 분리된 복수의 제1 터치 전극(TE1)의 동일한 행(또는 동일한 열)에 배치된 제1 터치 전극(TE1)들은 일체화 방식에 의해(또는 브릿지 전극에 의한 연결 방식에 의해) 전기적으로 서로 연결되어 하나의 구동 전극 라인(TE1V) 또는 하나의 센싱 전극 라인(TE1H)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5B, the plurality of first touch electrodes 500 are separated, and the first touch electrodes TE1 disposed in the same row (or same column) of the plurality of separated first touch electrodes TE1 are integrated. They may be electrically connected to each other using a method (or a connection method using a bridge electrode) to form one driving electrode line (TE1V) or one sensing electrode line (TE1H).

예를 들면, 제1 터치 전극(TE1)은 분리되어, 복수의 구동 전극 라인(TE1V)과 복수의 센싱 전극 라인(TE1H)으로 구성될 수 있고, 복수의 구동 전극 라인(TE1V) 또는 복수의 센싱 전극 라인(TE1H) 사이에는 제1 터치 전극(TE1)이 배치되지 않는 분리부(SP)를 포함할 수 있다.For example, the first touch electrode TE1 may be separated and composed of a plurality of driving electrode lines TE1V and a plurality of sensing electrode lines TE1H, and a plurality of driving electrode lines TE1V or a plurality of sensing electrode lines TE1H. A separation portion SP in which the first touch electrode TE1 is not disposed may be included between the electrode lines TE1H.

분리부(SP)는 제1 터치 전극(TE1)이 배치되지 않으므로, 제1 터치 전극(TE1)의 아래에 배치된 뱅크층(450)이 노출되어, 제1 터치 전극(TE1)이 배치된 영역과 구별되게 인식될 수 있으므로, 표시 품질이 저하될 수 있다.Since the first touch electrode TE1 is not disposed in the separator SP, the bank layer 450 disposed below the first touch electrode TE1 is exposed, and the area where the first touch electrode TE1 is disposed is exposed. Since it may be recognized differently from , display quality may deteriorate.

표시장치의 표시 품질이 저하되는 것을 방지하기 위해, 제1 터치 전극(TE1)의 상부 또는 하부에 배치되는 보조 전극(500)을 분리부(SP)에 연장 배치 하여, 뱅크층(450)이 노출되지 않도록 할 수 있다.In order to prevent the display quality of the display device from deteriorating, the auxiliary electrode 500 disposed above or below the first touch electrode TE1 is extended to the separation portion SP, so that the bank layer 450 is exposed. You can prevent it from happening.

본 명세서의 다른 실시예에 따르면, 분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)을 투명 금속으로 형성할 수 있다. 분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)을 불투명 금속으로 하는 경우, 투명 금속인 제1 터치 전극(TE1)과 구별되어 시인될 수 있으므로, 표시 품질의 향상을 위해 분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)은 제1 터치 전극(TE1)과 동일한 투명 금속으로 배치할 수 있다. According to another embodiment of the present specification, the auxiliary electrode 500 disposed in the separator SP may be formed of transparent metal. When the auxiliary electrode 500 disposed in the separator SP is made of an opaque metal, it can be recognized as being distinguished from the first touch electrode TE1, which is a transparent metal, and is therefore attached to the separator SP to improve display quality. The auxiliary electrode 500 may be made of the same transparent metal as the first touch electrode TE1.

분리부(SP)에 투명 금속의 보조 전극(500)을 배치하기 위해, 제1 터치 전극(TE1)에 배치되는 보조 전극(500)은 불투명 금속으로 형성하고, 분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)은 투명 금속으로 형성하고, 보조 전극(500) 상에 제1 터치 전극(TE1)을 배치할 수 있다.In order to place the auxiliary electrode 500 of transparent metal in the separation part SP, the auxiliary electrode 500 disposed in the first touch electrode TE1 is formed of an opaque metal, and the auxiliary electrode 500 disposed in the separation part SP is formed of an opaque metal. The electrode 500 may be formed of transparent metal, and the first touch electrode TE1 may be disposed on the auxiliary electrode 500.

또는, 보조 전극(500)을 불투명 금속으로 형성하고, 분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)을 제1 터치 전극(TE1)과 함께 형성하고 패터닝할 수 있다. 예를 들면, 불투명 금속의 보조 전극(500) 상에 보조 전극(500)이 패터닝된 제1 터치 전극(TE1)을 형성하여, 불투명 금속의 보조 전극(500)과 투명 금속의 보조 전극(500)으로 구성된 보조 전극(500)을 형성할 수 있다.Alternatively, the auxiliary electrode 500 may be formed of an opaque metal, and the auxiliary electrode 500 disposed in the separation portion SP may be formed and patterned together with the first touch electrode TE1. For example, the first touch electrode (TE1) in which the auxiliary electrode 500 is patterned is formed on the auxiliary electrode 500 of an opaque metal, and the auxiliary electrode 500 of an opaque metal and the auxiliary electrode 500 of a transparent metal are formed. The auxiliary electrode 500 composed of can be formed.

보조 전극(500)이 제1 터치 전극(TE1) 상에 배치되는 구조도 동일한 방법을 적용하여, 분리부(SP)에는 투명 금속이 배치된 보조 전극(500)을 형성할 수 있다.The same method can be applied to the structure in which the auxiliary electrode 500 is disposed on the first touch electrode TE1 to form the auxiliary electrode 500 in which a transparent metal is disposed in the separator SP.

보조 전극(500)은 하나의 제1 터치 전극(TE1)이 배치되는 전체 영역에서 발광층(430)을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖도록 배치할 수 있다.The auxiliary electrode 500 may be arranged to have a mesh shape surrounding the light emitting layer 430 in the entire area where one first touch electrode TE1 is disposed.

분리부(SP)에 배치되는 보조 전극(500)은 단선부(DP)를 포함하여, 구동 전극 라인(TE1V) 또는 센싱 전극 라인(TE1H)을 분리할 수 있다. 단선부(DP)는 구동 전극 라인(TE1V) 또는 센싱 전극 라인(TE1H)을 분리하도록 보조 전극(500)을 끊어 주는 구조는 모두 적용 가능하며, 특정 구조에 한정되는 것은 아니다.The auxiliary electrode 500 disposed in the separation portion SP may include a disconnection portion DP to separate the driving electrode line TE1V or the sensing electrode line TE1H. The disconnection portion (DP) can be any structure that cuts off the auxiliary electrode 500 to separate the driving electrode line (TE1V) or the sensing electrode line (TE1H), and is not limited to a specific structure.

본 명세서에 따른 표시장치는 아래와 같이 설명될 수 있다.The display device according to the present specification can be described as follows.

본 명세서에 따른 표시장치는, 표시 영역 및 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 표시 영역에 배치되며, 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자를 포함할 수 있다.A display device according to the present specification includes a substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area, a thin film transistor disposed in the display area and including a semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, and a thin film transistor. It is disposed on the surface and may include a light-emitting device including a first electrode, a light-emitting layer, and a second electrode.

그리고, 제2 전극으로 구성되는 제1 터치 전극을 포함하는 터치 센서, 및 터치 센서 상에 배치되며, 터치 센서 및 발광 소자를 보호하는 봉지부를 포함할 수 있다.In addition, it may include a touch sensor including a first touch electrode composed of a second electrode, and an encapsulation portion disposed on the touch sensor and protecting the touch sensor and the light emitting device.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 터치 센서는, 제1 전극과 동일한 층에 배치되고, 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있다. According to some embodiments of the present specification, the touch sensor may further include a second touch electrode disposed on the same layer as the first electrode and connected to the first touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 발광층과 동일한 층에 배치되고, 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 더 포함하고, 뱅크층은 제1 터치 전극과 제2 터치 전극 사이에 배치될 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the display device further includes a bank layer disposed on the same layer as the light emitting layer and covering a portion of the first electrode, and the bank layer may be disposed between the first touch electrode and the second touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제2 터치 전극은 발광층을 둘러싸는 메쉬 형태를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the second touch electrode may have a mesh shape surrounding the light emitting layer.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 박막 트랜지스터와 발광 소자를 연결하는 연결 전극, 및 연결 전극과 동일한 층에 배치되고, 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 전극을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present specification, it may further include a connection electrode connecting the thin film transistor and the light emitting device, and a second touch electrode disposed on the same layer as the connection electrode and connected to the first touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 연결 전극과 제1 전극 사이에 배치되는 제1 평탄화층, 및 발광층과 동일한 층에 배치되고, 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 더 포함하고, 제1 터치 전극과 제2 터치 전극 사이에는 제1 평탄화층과 뱅크층이 배치될 수 있다.According to some embodiments of the present specification, it further includes a first planarization layer disposed between the connection electrode and the first electrode, and a bank layer disposed on the same layer as the light-emitting layer and covering a portion of the first electrode, and the first touch A first planarization layer and a bank layer may be disposed between the electrode and the second touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 터치 전극과 접촉하는 보조 전극을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present specification, it may further include an auxiliary electrode in contact with the first touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 보조 전극은, 평면상 뱅크층과 중첩되며, 발광층을 둘러싸는 메쉬 형태를 가질 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the auxiliary electrode may have a mesh shape that overlaps the bank layer in plan and surrounds the light emitting layer.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 제1 터치 전극은 복수의 구동 전극 라인과 복수의 센싱 전극 라인으로 구성되고, 복수의 구동 전극 라인 또는 복수의 센싱 전극 라인 사이에는 제1 터치 전극이 배치되지 않는 분리부를 포함하고, 분리부에는 보조 전극이 배치될 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the first touch electrode is composed of a plurality of driving electrode lines and a plurality of sensing electrode lines, and the first touch electrode is not disposed between the plurality of driving electrode lines or the plurality of sensing electrode lines. It may include a separator, and an auxiliary electrode may be disposed in the separator.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 분리부에 배치되는 보조 전극은 제1 터치 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the auxiliary electrode disposed in the separator may include the same material as the first touch electrode.

본 명세서의 몇몇 실시예에 따르면, 분리부에 배치되는 보조 전극은 단선부를 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present specification, the auxiliary electrode disposed in the separator may include a disconnection portion.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the attached drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments and may be implemented in various modifications without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

10 : 표시패널 20 : 회로기판
30 : 데이터 구동부 110 : 표시기판
120 : 버퍼층 130 : 하부 버퍼층
140 : 상부 버퍼층 210 : 게이트 절연층
220 : 층간 절연층 230 : 하부 평탄화층
240 : 연결 전극 250 : 상부 평탄화층
300 : 박막 트랜지스터 310 : 반도체층
320 : 게이트 전극 330 : 소스 전극
340 : 드레인 전극 400 : 발광 소자
410 : 제1 전극 420 : 제2 전극
430 : 발광층 450 : 뱅크층
TS : 터치 센서 TE1 : 제1 터치 전극
TE2 : 제2 터치 전극 TE1H : 센싱 전극 라인
TE1V : 구동 전극 라인 SP : 분리부
DP : 단선부 500 : 보조 전극
FP: 전면부 PAD: 패드부
600 : 봉지부 610 : 제1 봉지층
620 : 제2 봉지층 630 : 제3 봉지층
10: display panel 20: circuit board
30: data driver 110: display board
120: buffer layer 130: lower buffer layer
140: upper buffer layer 210: gate insulating layer
220: interlayer insulating layer 230: lower planarization layer
240: connection electrode 250: upper planarization layer
300: thin film transistor 310: semiconductor layer
320: gate electrode 330: source electrode
340: drain electrode 400: light emitting device
410: first electrode 420: second electrode
430: light emitting layer 450: bank layer
TS: Touch sensor TE1: First touch electrode
TE2: Second touch electrode TE1H: Sensing electrode line
TE1V: Drive electrode line SP: Separation part
DP: Disconnection part 500: Auxiliary electrode
FP: Front PAD: Pad section
600: Encapsulation part 610: First encapsulation layer
620: second encapsulation layer 630: third encapsulation layer

Claims (12)

표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 표시 영역에 배치되며, 반도체층, 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자;
상기 제2 전극으로 구성되는 제1 터치 전극을 포함하는 터치 센서; 및
상기 터치 센서 상에 배치되며, 상기 터치 센서 및 상기 발광 소자를 보호하는 봉지부를 포함하는, 표시장치.
A substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area;
a thin film transistor disposed in the display area and including a semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode;
a light emitting element disposed on the thin film transistor and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode;
a touch sensor including a first touch electrode comprised of the second electrode; and
A display device disposed on the touch sensor and including an encapsulation portion that protects the touch sensor and the light emitting device.
제1 항에 있어서,
상기 터치 센서는, 상기 제1 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 전극을 더 포함하는, 표시장치.
According to claim 1,
The touch sensor further includes a second touch electrode disposed on the same layer as the first electrode and connected to the first touch electrode.
제2 항에 있어서,
상기 발광층과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 더 포함하고,
상기 뱅크층은 상기 제1 터치 전극과 상기 제2 터치 전극 사이에 배치되는, 표시장치.
According to clause 2,
It further includes a bank layer disposed on the same layer as the light emitting layer and covering a portion of the first electrode,
The bank layer is disposed between the first touch electrode and the second touch electrode.
제2 항에 있어서,
상기 제2 터치 전극은 상기 발광층을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖는, 표시장치.
According to clause 2,
The second touch electrode has a mesh shape surrounding the light emitting layer.
제1 항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터와 상기 발광 소자를 연결하는 연결 전극; 및
상기 연결 전극과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 터치 전극과 연결되는 제2 터치 전극을 더 포함하는, 표시장치.
According to claim 1,
a connection electrode connecting the thin film transistor and the light emitting device; and
The display device further includes a second touch electrode disposed on the same layer as the connection electrode and connected to the first touch electrode.
제5 항에 있어서,
상기 연결 전극과 상기 제1 전극 사이에 배치되는 제1 평탄화층; 및
상기 발광층과 동일한 층에 배치되고, 상기 제1 전극의 일부를 덮는 뱅크층을 더 포함하고,
상기 제1 터치 전극과 상기 제2 터치 전극 사이에는 상기 제1 평탄화층과 상기 뱅크층이 배치되는, 표시장치.
According to clause 5,
a first planarization layer disposed between the connection electrode and the first electrode; and
It further includes a bank layer disposed on the same layer as the light emitting layer and covering a portion of the first electrode,
The display device wherein the first planarization layer and the bank layer are disposed between the first touch electrode and the second touch electrode.
제5 항에 있어서,
상기 제2 터치 전극은 상기 발광층을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖는, 표시장치.
According to clause 5,
The second touch electrode has a mesh shape surrounding the light emitting layer.
제1 항에 있어서,
상기 제1 터치 전극과 접촉하는 보조 전극을 더 포함하는, 표시장치.
According to claim 1,
A display device further comprising an auxiliary electrode in contact with the first touch electrode.
제8 항에 있어서,
상기 보조 전극은 평면상 상기 뱅크층과 중첩되며, 상기 발광층을 둘러싸는 메쉬 형태를 갖는, 표시장치.
According to clause 8,
The display device wherein the auxiliary electrode overlaps the bank layer in a plane view and has a mesh shape surrounding the light emitting layer.
제8 항에 있어서,
상기 제1 터치 전극은 복수의 구동 전극 라인과 복수의 센싱 전극 라인으로 구성되고,
상기 복수의 구동 전극 라인 또는 상기 복수의 센싱 전극 라인 사이에는 상기 제1 터치 전극이 배치되지 않는 분리부를 포함하고,
상기 분리부에는 상기 보조 전극이 배치되는, 표시장치.
According to clause 8,
The first touch electrode is composed of a plurality of driving electrode lines and a plurality of sensing electrode lines,
and a separation portion in which the first touch electrode is not disposed between the plurality of driving electrode lines or the plurality of sensing electrode lines,
A display device wherein the auxiliary electrode is disposed in the separation portion.
제10 항에 있어서,
상기 분리부에 배치되는 상기 보조 전극은 상기 제1 터치 전극과 동일한 물질을 포함하는, 표시장치.
According to claim 10,
The display device wherein the auxiliary electrode disposed in the separation portion includes the same material as the first touch electrode.
제10 항에 있어서,
상기 분리부에 배치되는 상기 보조 전극은 단선부를 포함하는, 표시장치.
According to claim 10,
The display device wherein the auxiliary electrode disposed in the separation portion includes a disconnection portion.
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