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KR20240048945A - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents

Compound and organic light emitting device comprising the same Download PDF

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Publication number
KR20240048945A
KR20240048945A KR1020220128843A KR20220128843A KR20240048945A KR 20240048945 A KR20240048945 A KR 20240048945A KR 1020220128843 A KR1020220128843 A KR 1020220128843A KR 20220128843 A KR20220128843 A KR 20220128843A KR 20240048945 A KR20240048945 A KR 20240048945A
Authority
KR
South Korea
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group
compound
formula
substituted
unsubstituted
Prior art date
Application number
KR1020220128843A
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Korean (ko)
Inventor
최지영
금수정
조우진
차용범
하재승
황성현
이우철
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
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Abstract

본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.This specification relates to the compound of Formula 1 and an organic light-emitting device containing the same.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}Compound and organic light-emitting device containing the same {COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}

본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. This specification relates to compounds and organic light-emitting devices containing the same.

본 명세서에서, 유기 발광 소자란 유기 반도체 물질을 이용한 발광 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 발광 소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 발광 소자이다. 둘째는 2개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 작동하는 형태의 발광 소자이다.In this specification, an organic light-emitting device is a light-emitting device using an organic semiconductor material and requires exchange of holes and/or electrons between an electrode and an organic semiconductor material. Organic light-emitting devices can be broadly divided into two types according to their operating principles as follows. First, excitons are formed in the organic layer by photons flowing into the device from an external light source, these excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes and used as current sources (voltage sources). It is a type of light emitting device. The second type is a light-emitting device that applies voltage or current to two or more electrodes to inject holes and/or electrons into the organic semiconductor material layer forming the interface with the electrodes, and operates by the injected electrons and holes.

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자억제층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기 발광 소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.In general, organic luminescence refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using organic materials. Organic light-emitting devices that utilize the organic light-emitting phenomenon usually have a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer between them. Here, the organic material layer is often composed of a multi-layer structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device, and for example, it consists of a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. You can lose. In the structure of this organic light-emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, an exciton is formed, and this exciton When it falls back to the ground state, it glows. These organic light-emitting devices are known to have characteristics such as self-luminescence, high brightness, high efficiency, low driving voltage, wide viewing angle, and high contrast.

유기 발광 소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 억제 물질, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료가 있다.Materials used as organic layers in organic light-emitting devices can be classified into light-emitting materials and charge transport materials, such as hole injection materials, hole transport materials, electron suppression materials, electron transport materials, and electron injection materials, depending on their function. Depending on the color of light emitting, there are blue, green, and red light emitting materials, and yellow and orange light emitting materials needed to realize better natural colors.

또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광 재료로서 호스트/도펀트 계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도펀트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도펀트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이 때 호스트의 파장이 도펀트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도펀트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.Additionally, in order to increase color purity and increase luminous efficiency through energy transfer, a host/dopant system can be used as a luminescent material. The principle is that when a small amount of dopant, which has a smaller energy band gap and higher luminous efficiency than the host that mainly constitutes the light-emitting layer, is mixed into the light-emitting layer, excitons generated in the host are transported to the dopant, producing highly efficient light. At this time, since the wavelength of the host moves to the wavelength of the dopant, light of the desired wavelength can be obtained depending on the type of dopant used.

전술한 유기 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 억제 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되므로 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.In order to fully demonstrate the excellent characteristics of the above-described organic light-emitting device, the materials that make up the organic layer within the device, such as hole injection material, hole transport material, light-emitting material, electron suppressor material, electron transport material, and electron injection material, must be stable and efficient materials. As it is supported by , the development of new materials continues to be required.

국제 특허 공개 공보 제2017-126443호International Patent Publication No. 2017-126443

본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다. Compounds and organic light-emitting devices containing the same are described herein.

본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1의 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound of Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

상기 화학식 1에 있어서,In Formula 1,

R1, 및 R3 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소 또는 중수소이고,R1, and R3 to R8 are the same or different from each other and are each independently hydrogen or deuterium,

R2는 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기이고,R2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group,

L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 A-1 또는 A-2이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기, 또는 N, O 또는 S를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 또는 4환의 헤테로아릴기이고,At least one of A1 and A2 is of the following formula A-1 or A-2, and the remainder is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted 3- or 4-ring heteroaryl containing N, O, or S. It's awesome,

[화학식 A-1][Formula A-1]

[화학식 A-2][Formula A-2]

상기 화학식 A-1 및 A-2에 있어서, In the above formulas A-1 and A-2,

R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,R9 and R10 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted group. It is a heteroaryl group,

R11 또는 R12는 상기 L1 또는 L2와 결합하는 부위이고, R11 or R12 is a site that binds to L1 or L2,

R15 또는 R16은 상기 L1 또는 L2와 결합하는 부위이고, R15 or R16 is a site that binds to L1 or L2,

R11, R12, R15 및 R16 중 상기 L1 또는 L2와 결합하지 않는 치환기; R13, R14, R17, 및 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,A substituent among R11, R12, R15 and R16 that does not bind to L1 or L2; R13, R14, R17, and R8 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or It is a substituted or unsubstituted heteroaryl group,

X1는 O 또는 S이고,X1 is O or S,

a 및 b는 각각 1 내지 6의 정수이고, a and b are each integers from 1 to 6,

a가 2 이상일 때, 상기 R9은 서로 같거나 상이하고,When a is 2 or more, R9 is the same or different from each other,

b가 2 이상일 때, 상기 R10은 서로 같거나 상이하다.When b is 2 or more, R10 is the same or different from each other.

또한, 본 발명의 일 실시상태에 따르면, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 전술한 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.Additionally, according to an exemplary embodiment of the present invention, a first electrode; a second electrode provided opposite the first electrode; and an organic light-emitting device including one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein one or more layers of the organic material layers include the above-mentioned compounds.

본 발명의 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 본 발명의 화합물을 포함하여 유기 발광 소자를 제조하는 경우, 고효율, 저전압 및 장수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있으며, 본 발명의 화합물을 유기 발광 소자의 전자 수송층에 포함하는 경우, 분자 내 분극성이 높아 전자전달의 효과가 높아서 장수명 특성을 가지는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.The compound of the present invention can be used as a material for the organic layer of an organic light-emitting device. When manufacturing an organic light-emitting device including the compound of the present invention, an organic light-emitting device with high efficiency, low voltage, and long lifespan characteristics can be obtained, and when the compound of the present invention is included in the electron transport layer of the organic light-emitting device, intramolecular Due to its high polarity, the effect of electron transfer is high, making it possible to manufacture organic light-emitting devices with long-life characteristics.

구체적으로 본 명세서에 기재된 화합물은 안트라센의 2번 탄소 위치에 전자 주개 특성(Electron Donating Ability)의 알킬기 또는 시클로 알킬기(R2)가 결합되어 있으므로, 높은 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위를 가져 소자 내의 정공 주입 특성을 개선할 수 있으며, 안트라센의 9번 또는 10번 탄소 위치에 전자의 이동이 우수한 치환기가 결합되어 있으므로, 소자 내의 전자 주입 및 수송을 개선할 수 있다.Specifically, the compounds described in this specification have an alkyl group or cycloalkyl group (R2) with electron donating ability bonded to the 2nd carbon position of anthracene, and therefore have a high HOMO (highest occupied molecular orbital) level, thereby forming a hole in the device. Injection characteristics can be improved, and since a substituent with excellent electron transfer is attached to the 9th or 10th carbon position of anthracene, electron injection and transport within the device can be improved.

도 1 및 2는 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 and 2 show examples of organic light-emitting devices according to the present invention.

이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, this specification will be described in more detail.

본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In this specification, when a part “includes” a certain component, this means that it may further include other components rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only the case where a member is in contact with another member, but also the case where another member exists between the two members.

본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of substituents in this specification are described below, but are not limited thereto.

상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substitution" means that a hydrogen atom bonded to a carbon atom of a compound is changed to another substituent. The position to be substituted is not limited as long as it is the position where the hydrogen atom is substituted, that is, a position where the substituent can be substituted, and if two or more substituents are substituted. , two or more substituents may be the same or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 실릴기; 붕소기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 도 있다.As used herein, the term “substituted or unsubstituted” refers to deuterium; halogen group; Cyano group (-CN); silyl group; boron group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; and substituted or unsubstituted heterocyclic groups, or is substituted with a substituent in which two or more of the above-exemplified substituents are linked, or does not have any substituent. For example, “a substituent group in which two or more substituents are connected” may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group, or it may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.

상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the above substituents are described below, but are not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)가 있다.In this specification, examples of halogen groups include fluorine (F), chlorine (Cl), bromine (Br), or iodine (I).

본 명세서에 있어서, 실릴기는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기 등으로 치환 또는 비치환될 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Alternatively, it may be substituted or unsubstituted with a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group specifically includes, but is not limited to, trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, and phenylsilyl group. No.

본 명세서에 있어서, 붕소기는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기로 치환 또는 비치환될 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In this specification, the boron group is deuterium; Substituted or unsubstituted alkyl group; Alternatively, it may be substituted or unsubstituted with a substituted or unsubstituted aryl group. The boron group specifically includes, but is not limited to, trimethyl boron group, triethyl boron group, t-butyldimethyl boron group, triphenyl boron group, and phenyl boron group.

본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be straight chain or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 60. According to one embodiment, the carbon number of the alkyl group is 1 to 30. According to another embodiment, the carbon number of the alkyl group is 1 to 20. According to another embodiment, the carbon number of the alkyl group is 1 to 10. Specific examples of alkyl groups include, but are not limited to, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, hexyl, heptyl, and octyl groups.

본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2; 알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기; 디메틸아민기; 에틸아민기; 디에틸아민기; 페닐아민기; 나프틸아민기; 바이페닐아민기; 안트라세닐아민기; 9-메틸안트라세닐아민기; 디페닐아민기; 디톨릴아민기; N-페닐톨릴아민기; 트리페닐아민기; N-페닐바이페닐아민기; N-페닐나프틸아민기; N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기; N-페닐페난트레닐아민기; N-바이페닐페난트레닐아민기; N-페닐플루오레닐아민기; N-페닐터페닐아민기; N-페난트레닐플루오레닐아민기; N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the amine group is -NH 2 ; Alkylamine group; N-alkylarylamine group; Arylamine group; N-arylheteroarylamine group; It may be selected from the group consisting of N-alkylheteroarylamine group and heteroarylamine group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 30. Specific examples of amine groups include methylamine groups; dimethylamine group; ethylamine group; diethylamine group; phenylamine group; Naphthylamine group; Biphenylamine group; Anthracenylamine group; 9-methylanthracenylamine group; Diphenylamine group; Ditolylamine group; N-phenyltolylamine group; Triphenylamine group; N-phenylbiphenylamine group; N-phenylnaphthylamine group; N-biphenylnaphthylamine group; N-naphthylfluorenylamine group; N-phenylphenanthrenylamine group; N-biphenylphenanthrenylamine group; N-phenylfluorenylamine group; N-phenylterphenylamine group; N-phenanthrenylfluorenylamine group; N-biphenylfluorenylamine group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, N-alkylarylamine group refers to an amine group in which the N of the amine group is substituted with an alkyl group and an aryl group.

본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, N-arylheteroarylamine group refers to an amine group in which the N of the amine group is substituted with an aryl group and a heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다.In the present specification, N-alkylheteroarylamine group refers to an amine group in which the N of the amine group is substituted with an alkyl group and a heteroaryl group.

본 명세서에 있어서, 알킬아민기, N-아릴알킬아민기, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기; 에틸티옥시기; tert-부틸티옥시기; 헥실티옥시기; 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메실; 에틸술폭시기; 프로필술폭시기; 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In this specification, the alkyl groups in the alkylamine group, N-arylalkylamine group, alkylthioxy group, alkylsulfoxy group, and N-alkylheteroarylamine group are the same as examples of the alkyl groups described above. Specifically, the alkylthioxy group includes methylthioxy group; ethylthioxy group; tert-butylthioxy group; hexylthioxy group; Octylthioxy groups, etc., and examples of alkylsulfoxy groups include mesyl; ethyl sulfoxy group; Propyl alcohol oxygen group; butyl sulfoxy group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 6. Specifically, it includes cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐렌기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to one embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, biphenyl group, or terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, triphenylene group, chrysenyl group, fluorenyl group, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 2 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 피리딘기, 피롤기, 피리미딘기, 피리다지닐기, 퓨란기, 티오펜기, 이미다졸기, 피라졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 카바졸기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heteroaryl group is a cyclic group containing one or more of N, O, P, S, Si, and Se as heteroatoms, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but it is preferably 2 to 60 carbon atoms. According to one embodiment, the carbon number of the heterocyclic group is 2 to 30. Examples of heterocyclic groups include pyridine group, pyrrole group, pyrimidine group, pyridazinyl group, furan group, thiophene group, imidazole group, pyrazole group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, carbazole group, etc. However, it is not limited to these.

본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 지방족 고리기, 방향족고리기, 지방족과 방향족의 고리가 서로 축합한 형태의 고리기 등을 모두 포함하는 의미이다. In the present specification, hydrocarbon ring refers to an aliphatic ring group, an aromatic ring group, and a ring group in which aliphatic and aromatic rings are condensed with each other.

본 명세서에 있어서, 지방족 고리기는 시클로알킬기의 정의가 적용될 수 있다. In the present specification, the definition of a cycloalkyl group may be applied to the aliphatic ring group.

본 명세서에 있어서, 방향족 고리기는 아릴기의 정의가 적용될 수 있다. In the present specification, the definition of an aryl group may be applied to the aromatic ring group.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고, 상기 아릴기에서 정의한 바와 같다.In this specification, the arylene group is the same as defined for the aryl group above, except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고, 상기 헤테로아릴기에서 정의한 바와 같다.In the present specification, the heteroarylene group is the same as defined for the heteroaryl group above, except that it is a divalent group.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 A1은 아래의 구조 중 어느 하나이다. In the present specification, Formula A1 is one of the structures below.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 A2는 아래의 구조 중 어느 하나이다. In the present specification, Formula A2 is one of the structures below.

상기 구조에 있어서, 어느 하나의 탄소는 화학식 1의 L1 또는 L2와 결합한다.In the above structure, either carbon is bonded to L1 or L2 of Formula 1.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 X1은 O이다.In the present specification, the formula X1 is O.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 X1은 S이다.In this specification, the formula X1 is S.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2이다.In this specification, Formula 1 is the following Formula 1-1 or 1-2.

[화학식 1-1] [화학식 1-2][Formula 1-1] [Formula 1-2]

상기 화학식 1-1 및 1-2에 있어서, 상기 R1 내지 R9, R11 내지 R14, L1, L2, X1, A2 및 a는 상기 화학식 1 및 A-1에서 정의한 것과 같다.In Formulas 1-1 and 1-2, R1 to R9, R11 to R14, L1, L2, X1, A2, and a are as defined in Formulas 1 and A-1.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1는 하기 화학식 1-3 또는 1-4이다.In this specification, Formula 1 is the following Formula 1-3 or 1-4.

[화학식 1-3] [화학식 1-4][Formula 1-3] [Formula 1-4]

상기 화학식 1-3 및 1-4에 있어서, 상기 R1 내지 R8, R10, R15 내지 R18, L1, L2, X1, A2 및 b는 상기 화학식 1 및 A-2에서 정의한 것과 같다.In Formulas 1-3 and 1-4, R1 to R8, R10, R15 to R18, L1, L2, X1, A2, and b are as defined in Formulas 1 and A-2.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1은 아래 화학식 2-1 또는 2-2이다.In this specification, Formula 1 is Formula 2-1 or 2-2 below.

[화학식 2-1] [화학식 2-2][Formula 2-1] [Formula 2-2]

상기 화학식 2-1 또는 2-2에 있어서, 상기 R1 내지 R9, R11 내지 R14, L1, L2, X1, A1 및 a는 상기 화학식 1 및 A-1에서 정의한 것과 같다.In Formula 2-1 or 2-2, R1 to R9, R11 to R14, L1, L2, X1, A1 and a are as defined in Formula 1 and A-1.

본 명세서에 있어서, 상기 화학식 1는 하기 화학식 2-3 또는 2-4이다.In the present specification, Formula 1 is the following Formula 2-3 or 2-4.

[화학식 2-3] [화학식 2-4][Formula 2-3] [Formula 2-4]

상기 화학식 2-3 및 2-4에 있어서, 상기 R1 내지 R8, R10, R15 내지 R18, L1, L2, X1, A2 및 b는 상기 화학식 1 및 A-2에서 정의한 것과 같다.In Formulas 2-3 and 2-4, R1 to R8, R10, R15 to R18, L1, L2, X1, A2 and b are as defined in Formulas 1 and A-2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted arylene having 3 to 30 carbon atoms. It is a heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted arylene having 3 to 20 carbon atoms. It is a heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 15의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene having 6 to 15 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted arylene having 3 to 15 carbon atoms. It is a heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 터페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 2가의 비치환된 안트라센기, 2가의 비치환된 페난트렌기, 2가의 비치환된 파이렌기, 2가의 카바졸기, 2가의 피리딘기, 2가의 피리미딘기, 2가의 트리아진기, 2가의 디벤조퓨란기, 2가의 디벤조티오펜기, 2가의 퓨란기, 2가의 티오펜기, 2가의 벤조퓨란기, 2가의 벤즈이미다졸기, 또는 2가의 벤즈옥사졸기이고,According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, a phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted terphenyl group, and a divalent unsubstituted group. naphthyl group, divalent unsubstituted anthracene group, divalent unsubstituted phenanthrene group, divalent unsubstituted pyrene group, divalent carbazole group, divalent pyridine group, divalent pyrimidine group, divalent triazine group, It is a divalent dibenzofuran group, a divalent dibenzothiophene group, a divalent furan group, a divalent thiophene group, a divalent benzofuran group, a divalent benzimidazole group, or a divalent benzoxazole group,

상기 치환기들은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된다.The substituents are substituted or unsubstituted with deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 터페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 2가의 비치환된 안트라센기, 2가의 비치환된 페난트렌기, 2가의 비치환된 파이렌기, 2가의 카바졸기, 2가의 피리딘기, 2가의 피리미딘기, 2가의 트리아진기, 2가의 디벤조퓨란기, 2가의 디벤조티오펜기, 2가의 퓨란기, 2가의 티오펜기, 2가의 벤조퓨란기, 2가의 벤즈이미다졸기, 또는 2가의 벤즈옥사졸기이고,According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, a phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted terphenyl group, and a divalent unsubstituted group. naphthyl group, divalent unsubstituted anthracene group, divalent unsubstituted phenanthrene group, divalent unsubstituted pyrene group, divalent carbazole group, divalent pyridine group, divalent pyrimidine group, divalent triazine group, It is a divalent dibenzofuran group, a divalent dibenzothiophene group, a divalent furan group, a divalent thiophene group, a divalent benzofuran group, a divalent benzimidazole group, or a divalent benzoxazole group,

상기 치환기들은 중수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된다.The substituents are substituted or unsubstituted with deuterium, an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 터페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 2가의 비치환된 안트라센기, 2가의 비치환된 페난트렌기, 2가의 비치환된 파이렌기, 2가의 카바졸기, 2가의 피리딘기, 2가의 피리미딘기, 2가의 트리아진기, 2가의 디벤조퓨란기, 2가의 디벤조티오펜기, 2가의 퓨란기, 2가의 티오펜기, 2가의 벤조퓨란기, 2가의 벤즈이미다졸기, 또는 2가의 벤즈옥사졸기이고,According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, a phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted terphenyl group, and a divalent unsubstituted group. naphthyl group, divalent unsubstituted anthracene group, divalent unsubstituted phenanthrene group, divalent unsubstituted pyrene group, divalent carbazole group, divalent pyridine group, divalent pyrimidine group, divalent triazine group, It is a divalent dibenzofuran group, a divalent dibenzothiophene group, a divalent furan group, a divalent thiophene group, a divalent benzofuran group, a divalent benzimidazole group, or a divalent benzoxazole group,

상기 치환기들은 중수소, 메틸기, 터부틸기, 페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된다. The substituents are substituted or unsubstituted with deuterium, methyl group, terbutyl group, phenyl group, or naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌, 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond, an unsubstituted arylene group with 6 to 30 carbon atoms, or a heteroarylene group with 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond or an unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond, an unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a heteroarylene group having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and are each independently a direct bond or an unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 비치환된 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 터페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 2가의 비치환된 안트라센기, 2가의 비치환된 페난트렌기, 2가의 비치환된 파이렌기, 2가의 카바졸기, 2가의 피리딘기, 2가의 피리미딘기, 2가의 트리아진기, 2가의 디벤조퓨란기, 2가의 디벤조티오펜기, 2가의 퓨란기, 2가의 티오펜기, 2가의 벤즈이미다졸, 또는 2가의 벤즈옥사졸이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, an unsubstituted phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted terphenyl group, 2 A divalent unsubstituted naphthyl group, a divalent unsubstituted anthracene group, a divalent unsubstituted phenanthrene group, a divalent unsubstituted pyrene group, a divalent carbazole group, a divalent pyridine group, a divalent pyrimidine group, a divalent It is a triazine group, a divalent dibenzofuran group, a dibenzothiophene group, a divalent furan group, a divalent thiophene group, a divalent benzimidazole, or a divalent benzoxazole.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 비치환된 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 2가의 비치환된 터페닐기, 2가의 비치환된 파이렌기, 또는 2가의 비치환된 트리페닐렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, an unsubstituted phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted naphthyl group, 2 It is a divalent unsubstituted terphenyl group, a divalent unsubstituted pyrene group, or a divalent unsubstituted triphenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 비치환된 페닐렌기, 2가의 비치환된 비페닐기, 2가의 비치환된 나프틸기, 또는 2가의 비치환된 터페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and are each independently a direct bond, an unsubstituted phenylene group, a divalent unsubstituted biphenyl group, a divalent unsubstituted naphthyl group, or It is a divalent unsubstituted terphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 비치환된 페닐렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same or different from each other, and each independently represents an unsubstituted phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 2가의 비치환된 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently represents a divalent unsubstituted naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 2가의 비치환된 비페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently represents a divalent unsubstituted biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 2가의 비치환된 터페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently represents a divalent unsubstituted terphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 비치환된 페닐렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 is an unsubstituted phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 2가의 비치환된 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 is a divalent unsubstituted naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 2가의 비치환된 비페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 is a divalent unsubstituted biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 2가의 비치환된 터페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L1 is a divalent unsubstituted terphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 직접결합이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L2 is a direct bond.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 비치환된 페닐렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L2 is an unsubstituted phenylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 2가의 비치환된 나프틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L2 is a divalent unsubstituted naphthyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 2가의 비치환된 비페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L2 is a divalent unsubstituted biphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L2는 2가의 비치환된 터페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L2 is a divalent unsubstituted terphenyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituent other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms; Or it is a substituted or unsubstituted 3- or 4-ring heteroaryl group containing N, O or S and having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 20의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituent other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted 3- or 4-ring heteroaryl group containing N, O or S and having 3 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 탄화수소고리기; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 18의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituent other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring group having 6 to 18 carbon atoms; or a substituted or unsubstituted 3- or 4-ring heteroaryl group containing N, O or S and having 3 to 18 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치한된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기; 또는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituents other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 are substituted or provided with one or more of deuterium, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. A limited hydrocarbon ring group having 6 to 30 carbon atoms; or a tricyclic or tetracyclic heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms containing N, O or S substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치한된 탄소수 6 내지 20의 탄화수소고리기; 또는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 30의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituents other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 are substituted or provided with one or more of deuterium, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. A limited hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms; or a tricyclic or tetracyclic heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms containing N, O or S substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 화학식 2-1 또는 2-2가 아닌 치환기는 테트라하이드로나프탈렌기, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 페난트렌기, 벤조페난트렌기, 트리페닐렌기, 플루오란텐기, 파이렌기, 플루오렌기, 디벤조퓨란기, 디벤조티오펜기, 벤조나프토퓨란기, 벤조나프토티오펜기, 또는 카바졸기이고,According to an exemplary embodiment of the present specification, the substituents other than Formula 2-1 or 2-2 among A1 and A2 are tetrahydronaphthalene group, phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, terphenyl group, phenanthrene group, and benzophenanthrene group. , triphenylene group, fluoranthene group, pyrene group, fluorene group, dibenzofuran group, dibenzothiophene group, benzonaphthofuran group, benzonaphthothiophene group, or carbazole group,

상기 치환기는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된다.The substituent is substituted or unsubstituted with deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group with 6 to 20 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 is Formula A-1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-1이고, A2는 화학식 A-2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 is Formula A-1, and A2 is Formula A-2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-2이고, A2는 화학식 A-1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 is Formula A-2, and A2 is Formula A-1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 화학식 A-1이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 and A2 are of formula A-1.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2는 화학식 A-2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 and A2 are of formula A-2.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-1이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-1, and A2 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is an aryl group of

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-2이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-2, and A2 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is an aryl group of

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-1이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-1, and A1 is a group of 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is an aryl group of

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-2이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-2, and A1 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is an aryl group of

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-1이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-1, and A2 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is a hydrocarbon ring group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-2이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 has the formula A-2, and A2 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is a hydrocarbon ring group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-1이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-1, and A1 is a group of 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is a hydrocarbon ring group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-2이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 탄화수소고리기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-2, and A1 has 6 to 30 carbon atoms substituted or unsubstituted with one or more of deuterium, an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, and an aryl group with 6 to 20 carbon atoms. It is a hydrocarbon ring group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-1이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 is Formula A-1, and A2 is N, O or It is a 3- or 4-ring heteroaryl group containing S and having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 화학식 A-2이고, A2는 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A1 is of the formula A-2, and A2 is N, O or It is a 3- or 4-ring heteroaryl group containing S and having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-1이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 is Formula A-1, and A1 is N, O or It is a 3- or 4-ring heteroaryl group containing S and having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A2는 화학식 A-2이고, A1은 중수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 및 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중 하나 이상으로 치환 또는 비치환된 N, O 또는 S를 포함하는 3환 또는 4환의 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A2 has the formula A-2, and A1 is N, O or It is a 3- or 4-ring heteroaryl group containing S and having 3 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 중수소로 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 알킬기; 또는 중수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms unsubstituted or substituted with deuterium or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; or a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms that is substituted or unsubstituted with deuterium or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 중수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 중수소 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 6의 시클로알킬기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is an alkyl group with 1 to 6 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium or an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group with 3 carbon atoms substituted or unsubstituted with deuterium or an alkyl group with 1 to 10 carbon atoms. It is a cycloalkyl group of 6 to 6.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기, 중수소로 치환 또는 비치환된 터부틸기, 중수소로 치환 또는 비치환된 이소프로필기, 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기, 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기, 중수소로 치환 또는 비치환된 아다만틸기, 알킬기로 치환된 시클로펜틸기, 알킬기로 치환된 시클로헥실기, 또는 알킬기로 치환된 아다만틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a methyl group substituted or unsubstituted with deuterium, a terbutyl group substituted or unsubstituted with deuterium, an isopropyl group substituted or unsubstituted with deuterium, or a methyl group substituted or unsubstituted with deuterium. Cyclopentyl group, cyclohexyl group substituted or unsubstituted with deuterium, adamantyl group substituted or unsubstituted with deuterium, cyclopentyl group substituted with an alkyl group, cyclohexyl group substituted with an alkyl group, or adamantyl group substituted with an alkyl group. am.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터부틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 중수소로 치환 또는 비치환된 아다만틸기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 시클로펜틸기; 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 시클로헥실기; 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기로 치환된 아다만틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Terbutyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Isopropyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclopentyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclohexyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Adamantyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclopentyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Cyclohexyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms; Or it is an adamantyl group substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2는 중수소로 치환 또는 비치환된 메틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 터부틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 이소프로필기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로펜틸기; 중수소로 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 중수소로 치환 또는 비치환된 아다만틸기; 메틸기로 치환된 시클로펜틸기; 메틸기로 치환된 시클로헥실기; 또는 메틸기로 치환된 아다만틸기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R2 is a methyl group unsubstituted or substituted with deuterium; Terbutyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Isopropyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclopentyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclohexyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Adamantyl group substituted or unsubstituted with deuterium; Cyclopentyl group substituted with methyl group; Cyclohexyl group substituted with methyl group; Or it is an adamantyl group substituted with a methyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8은 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1, and R3 to R8 are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8은 중수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R1, and R3 to R8 are deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 하나는 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, one of R1, and R3 to R8 is deuterium, and the remainder is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 둘은 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any two of R1 and R3 to R8 are deuterium, and the remainder is hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 셋은 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any three of R1 and R3 to R8 are deuterium, and the remainder are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 넷은 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any four of R1 and R3 to R8 are deuterium, and the remainder are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 다섯은 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any five of R1, and R3 to R8 are deuterium, and the remainder are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1, 및 R3 내지 R8 중 어느 여섯은 중수소이고, 나머지는 수소이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, any six of R1, and R3 to R8 are deuterium, and the remainder are hydrogen.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 10% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 10% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 15% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 15% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 20% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 20% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 25% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 25% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 30% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 30% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 35% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 35% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 40% 이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 40% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1의 치환가능 위치의 45%이상은 중수소로 치환된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, more than 45% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 아래 구조식 중 어느 하나이다. According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula 1 is one of the structural formulas below.

상기 화학식 1의 화합물의 치환기는 당 기술분야에 알려져 있는 방법에 의하여 결합될 수 있으며, 치환기의 종류, 위치 또는 개수는 당 기술분야에 알려져 있는 기술에 따라 변경될 수 있다.Substituents of the compound of Formula 1 may be combined by methods known in the art, and the type, position, or number of substituents may be changed according to techniques known in the art.

또한, 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질 및 전자 수송층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.In addition, by introducing various substituents into the core structure of the above structure, it is possible to synthesize compounds having the unique properties of the introduced substituents. For example, by introducing substituents mainly used in hole injection layer materials, hole transport materials, light emitting layer materials, and electron transport layer materials used in the manufacture of organic light-emitting devices into the core structure, a material that satisfies the conditions required for each organic material layer can be synthesized. You can.

본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대한 중수소 치환율이 각각 독립적으로 1% 이상 100% 이하이다. In the organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate for the compound represented by Formula 1 is independently 1% or more and 100% or less.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대한 중수소 치환율은 각각 독립적으로 1% 이상, 10% 이상, 20% 이상, 30% 이상, 40% 이상, 또는 50% 이상일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate for the compound represented by Formula 1 may each independently be 1% or more, 10% or more, 20% or more, 30% or more, 40% or more, or 50% or more. .

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대한 중수소 치환율은 각각 독립적으로 100% 이하, 99% 이하, 98% 이하, 97% 이하, 96% 이하, 또는 95% 이하일 수 있다. In an exemplary embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate for the compound represented by Formula 1 may each independently be 100% or less, 99% or less, 98% or less, 97% or less, 96% or less, or 95% or less. .

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 대한 중수소 치환율은 모두 100%이다.In an exemplary embodiment of the present specification, the deuterium substitution rate for the compound represented by Formula 1 is all 100%.

상기 중수소 치환율을 전술한 방법으로 계산될 수 있다. 추가의 일 예에 따르면, 상기 화학식 1의 안트라센에 직접 적어도 하나의 중수소가 치환된다. 유기 발광 소자의 발광층은 발광을 하는 영역으로서 에너지에 의한 분자의 손실이 큰 구간이다. 탄소-중수소의 결합은 탄소-수소의 결합보다 강하고, 중수소는 수소보다 높은 질량값을 가짐으로서 탄소와의 영점에너지(Zero point energy)를 낮추어 결합의 에너지가 높으므로, 상기 화학식 2의 화합물의 분자 내에 포함된 탄소-수소 결합을 탄소-중수소 결합으로 대체하여 분자의 결합에너지를 높여 우수한 수명을 갖는 소자를 얻을 수 있다.The deuterium substitution rate can be calculated by the method described above. According to a further example, at least one deuterium is substituted directly on the anthracene of Formula 1 above. The light-emitting layer of an organic light-emitting device is a region that emits light and is a section in which molecular loss due to energy is large. The carbon-deuterium bond is stronger than the carbon-hydrogen bond, and since deuterium has a higher mass value than hydrogen, the zero point energy with carbon is lowered and the bond energy is high, so the molecule of the compound of formula 2 By replacing the carbon-hydrogen bonds contained within with carbon-deuterium bonds, the bond energy of the molecule can be increased to obtain a device with excellent lifespan.

영점에너지 = Zero point energy =

본 명세서의 일 실시상태에 따른 중수소 치환율을 가지는 화학식 1 및/또는 화학식 2의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 소자는 향상된 내열성을 갖고, 수명이 개선되는 효과가 있다.An organic light emitting device containing a compound of Formula 1 and/or Formula 2 having a deuterium substitution rate according to an exemplary embodiment of the present specification has improved heat resistance and improved lifespan.

본 명세서에 있어서, "중수소화" 또는 "중수소화된"은 화합물의 치환 가능한 위치의 수소가 중수소로 치환되는 것을 의미한다.As used herein, “deuterated” or “deuterated” means that hydrogen at a replaceable position in a compound is replaced with deuterium.

본 명세서에 있어서, "과중수소화된"은 분자 내 모든 수소가 중수소로 치환 또는 비치환된 화합물 또는 기를 의미하고, "100% 중수소화된"과 동일한 의미를 가진다.As used herein, “perdeuterated” means a compound or group in which all hydrogens in the molecule are substituted or unsubstituted with deuterium, and has the same meaning as “100% deuterated.”

본 명세서에 있어서, "X% 중수소화된", "중수소화도 X%", 또는 "중수소 치환율 X%"는 해당 구조에서 치환 가능한 위치의 수소 중 X%가 중수소로 치횐된 것을 의미한다. 예컨대, 해당 구조가 디벤조퓨란인 경우, 상기 디벤조퓨란이 "25% 중수소화된", 상기 디벤조퓨란의 "중수소화도 25%", 또는 상기 디벤조퓨간의 "중수소 치환율 25%"는 상기 디벤조퓨란의 치환 가능한 위치의 8개의 수소 중 2개가 중수소로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.As used herein, “X% deuterated”, “Deuteration degree X%”, or “Deuterium substitution rate X%” means that For example, when the structure in question is dibenzofuran, the dibenzofuran is “25% deuterated,” the “deuteration degree of 25%” of the dibenzofuran, or the “deuterium substitution rate of 25%” of the dibenzofugan is as described above. This means that two of the eight hydrogens at the replaceable positions of dibenzofuran are substituted or unsubstituted with deuterium.

본 명세서에 있어서, "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"은 핵자기 공명 분광법(1H NMR), TLC/MS(Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), 또는 GC/MS(Gas Chromatography/Mass Spectrometry) 등의 공지의 방법으로 확인할 수 있다.In this specification, “deuteration degree” or “deuterium substitution rate” refers to nuclear magnetic resonance spectroscopy (1H NMR), TLC/MS (Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), or GC/MS (Gas Chromatography/Mass Spectrometry). This can be confirmed using publicly known methods.

구체적으로, 핵자기 공명 분광법(1H NMR)으로 "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"을 분석하는 경우, Internal standard로 DMF(디메틸포름아마이드)를 첨가하여, 1H NMR 상의 적분(integration) 비율을 통하여, 총 peak의 적분량으로부터 중수소화도 또는 중수소 치환율을 계산할 수 있다.Specifically, when analyzing the "degree of deuteration" or "deuterium substitution rate" by nuclear magnetic resonance spectroscopy (1H NMR), DMF (dimethylformamide) is added as an internal standard, and through the integration rate on 1H NMR, The degree of deuteration or deuterium substitution rate can be calculated from the integrated amount of the total peak.

또한, TLC/MS(Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry)를 통하여, "중수소화도" 또는 "중수소 치환율"을 분석하는 경우, 반응 종결 시점에서 분자량들이 이루는 분포의 최대값(중앙값)을 기준으로 치환율을 계산할 수 있다. 예컨대, 하기 화합물 A의 중수소화도를 분석하는 경우, 하기 출발 물질의 분자량이 506이고, MS 그래프에서 하기 화합물 A의 분자량 최대값(중앙값)을 527이라 할 때, 하기 출발 물질의 치환 가능한 위치의 수소(26개) 중 21개가 중수소로 치환되었으므로, 약 81%의 수소가 중수소화되었다고 계산할 수 있다.In addition, when analyzing the “degree of deuteration” or “deuterium substitution rate” through TLC/MS (Thin-Layer Chromatography/Mass Spectrometry), the substitution rate is determined based on the maximum value (median value) of the distribution of molecular weights at the end of the reaction. It can be calculated. For example, when analyzing the degree of deuteration of Compound A below, the molecular weight of the starting material below is 506, and the maximum molecular weight (median value) of Compound A below in the MS graph is 527, hydrogen at a position that can be substituted for the starting material below Since 21 of (26) were substituted with deuterium, it can be calculated that about 81% of hydrogen was deuterated.

본 명세서에서, D는 중수소를 의미한다.In this specification, D means deuterium.

본 명세서에서, "또는"은 포괄적인 "또는"을 말하며, 배타적인 "또는"을 말하는 것은 아니다. 예컨대, 조건 A 또는 B는 하기 중 어느 하나에 의해 만족된다: A는 참(또는 존재함)이고 B는 거짓(또는 존재하지 않음), A는 거짓(또는 존재하지 않음)이고 B는 참(또는 존재함), A 및 B 모두가 참(또는 존재함).In this specification, “or” refers to an inclusive “or” and does not refer to an exclusive “or.” For example, condition A or B is satisfied by either: A is true (or exists) and B is false (or does not exist), A is false (or does not exist) and B is true (or exists), both A and B are true (or exist).

본 명세서에서, "이들의 혼합물" 또는 "혼합"은 2종 이상의 물질이 포함되는 것을 의미한다. 상기 "혼합물" 또는 "혼합"은 균일 및/또는 비균일하게 섞인 상태, 용해된 상태, 균일 및/또는 비균일하게 분산된 상태 등을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.As used herein, “mixture thereof” or “mixture” means that two or more substances are included. The “mixture” or “mixture” may include a uniformly and/or non-uniformly mixed state, a dissolved state, a uniformly and/or non-uniformly dispersed state, etc., but is not limited thereto.

본 명세서에서, "에너지 준위" 또는 "에너지 레벨"은 에너지 크기를 의미하는 것이다. 따라서 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, 에너지 준위가 낮거나 깊다는 것은 진공 준위로부터 마이너스 방향으로 절대값이 커지는 것을 의미한다.In this specification, “energy level” or “energy level” means energy magnitude. Therefore, the energy level is interpreted to mean the absolute value of the corresponding energy value. For example, a low or deep energy level means that the absolute value increases in the minus direction from the vacuum level.

또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 전술한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.Additionally, the organic light emitting device according to the present invention includes a first electrode; a second electrode provided opposite the first electrode; And an organic light-emitting device comprising at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer contains the above-described compound.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention can be manufactured using conventional organic light emitting device manufacturing methods and materials, except that one or more organic material layers are formed using the above-described compounds.

상기 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The compound may be formed into an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution application method means spin coating, dip coating, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, etc., but is not limited to these.

본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 및 정공수송을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light-emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously performs hole injection and hole transport, a light-emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. as an organic material layer. However, the structure of the organic light emitting device is not limited to this and may include fewer or more organic material layers.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 및 전자주입 및 수송 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include one or more of an electron transport layer, an electron injection layer, and an electron injection and transport layer, and one or more of the layers includes the compound represented by Formula 1 can do.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층 또는 전자주입층을 포함할 수 있고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include an electron transport layer or an electron injection layer, and the electron transport layer or the electron injection layer may include the compound represented by Formula 1.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 전자주입 및 수송층은 상기 화학식 1의 화합물과 금속 착체를 포함한다.In the organic light emitting device of the present invention, the electron injection and transport layer includes the compound of Formula 1 and a metal complex.

본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층 및 정공주입과 정공수송을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In the organic light emitting device of the present invention, the organic material layer may include one or more layers among a hole injection layer, a hole transport layer, and a layer that performs both hole injection and hole transport, and one or more of the layers is represented by the formula (1) It may contain compounds.

또 하나의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함할 수 있고, 상기 정공수송층 또는 정공주입층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.In another organic light emitting device, the organic material layer may include a hole injection layer or a hole transport layer, and the hole transport layer or the hole injection layer may include the compound represented by Formula 1 above.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the organic material layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the compound represented by Formula 1.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 포함한다. In one embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 1종 이상의 호스트를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the light emitting layer may include one or more types of hosts.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 1종 이상의 도펀트를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the light emitting layer may include one or more types of dopants.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes the compound represented by Formula 1 as a host.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 도펀트로 유기화합물을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes the compound represented by Formula 1 as a host and an organic compound as a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 도펀트로 보론계 유기화합물을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes the compound represented by Formula 1 as a host and a boron-based organic compound as a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하고, 도펀트로 유기화합물을 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes the compound represented by Formula 1 as a host and an organic compound as a dopant.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 1:99의 중량비로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light emitting layer includes a host and a dopant at a weight ratio of 99:1 to 1:99.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 50:50의 중량비로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes a host and a dopant at a weight ratio of 99:1 to 50:50.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 70:30의 중량비로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes a host and a dopant at a weight ratio of 99:1 to 70:30.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 80:20의 중량비로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes a host and a dopant at a weight ratio of 99:1 to 80:20.

본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 호스트와 도펀트를 99:1 내지 85:15의 중량비로 포함한다.In one embodiment of the present invention, the light-emitting layer includes a host and a dopant at a weight ratio of 99:1 to 85:15.

본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극이다.In one embodiment of the present specification, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.

또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 음극이고, 제2 전극은 양극이다.According to another exemplary embodiment, the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.

(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극(3) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(4) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(5) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(8) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극(9) Anode/hole injection layer/hole buffer layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(10) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(10) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(11) 양극/ 정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(11) Anode/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극(12) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode

(13)양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(13) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(14) Anode/hole transport layer/light emitting layer/hole suppression layer/electron transport layer/cathode

(15) 양극/정공수송층/발광층/ 정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극(15) Anode/hole transport layer/light emitting layer/hole suppression layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극(16) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/hole suppression layer/electron transport layer/cathode

(17)양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극(17) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole suppression layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(18)양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/정공저지층/전자주입및 수송층/음극(18) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron suppression layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron injection and transport layer/cathode

본 발명의 유기 발광 소자의 구조는 도 1에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present invention may have the same structure as shown in FIG. 1, but is not limited thereto.

도 1에는 기판(1) 위에 애노드(2), 유기물층(3) 및 캐소드(4)가 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 유기물층(3)에 포함될 수 있다.Figure 1 illustrates the structure of an organic light-emitting device in which an anode 2, an organic material layer 3, and a cathode 4 are sequentially stacked on a substrate 1. In this structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the organic layer 3.

도 2에는 기판(1) 위에 애노드(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 정공조절층(7), 발광층(8), 전자조절층(9), 전자수송층(10), 전자주입층(11), 캐소드(4), 캡핑층(12)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층(8)에 포함될 수 있다. 2 shows an anode (2), a hole injection layer (5), a hole transport layer (6), a hole control layer (7), a light emitting layer (8), an electron control layer (9), and an electron transport layer (10) on the substrate (1). , the structure of an organic light emitting device in which the electron injection layer 11, the cathode 4, and the capping layer 12 are sequentially stacked is illustrated. In this structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the light-emitting layer 8.

예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 및 전자수송 및 전자주입을 동시에하는 층으로 이루어진 군으로부터 선택된 1층 이상을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present invention deposits a metal, a conductive metal oxide, or an alloy thereof on a substrate using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation. An anode is formed by depositing a layer on top of a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that performs both hole transport and hole injection, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a group consisting of a layer that performs both electron transport and electron injection. It can be manufactured by forming an organic material layer containing one or more selected layers and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light-emitting device can also be made by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.

상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer may have a multi-layer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer, but is not limited to this and may have a single-layer structure. In addition, the organic material layer uses a variety of polymer materials to form a smaller number of layers by using a solvent process rather than a deposition method, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be manufactured in layers.

상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode that injects holes, and the anode material is generally preferably a material with a large work function to facilitate hole injection into the organic layer. Specific examples of anode materials that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); Combination of metal and oxide such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline are included, but are not limited to these.

상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode that injects electrons, and the cathode material is preferably a material with a low work function to facilitate electron injection into the organic layer. Specific examples of cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; There are, but are not limited to, multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al.

상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공 주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 정공주입층의 두께는 1 내지 150nm일 수 있다. 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The hole injection layer is a layer that serves to facilitate the injection of holes from the anode to the light emitting layer, and the hole injection material is a material that can well inject holes from the anode at a low voltage. HOMO (highest occupied) of the hole injection material It is preferable that the molecular orbital is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrilehexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene series conductive polymers, etc., but are not limited to these. The thickness of the hole injection layer may be 1 to 150 nm. If the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage in preventing the hole injection characteristics from deteriorating, and if it is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is so thick that the driving voltage is increased to improve the movement of holes. There is an advantage to preventing this.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공주입층은 하기 화학식 HI-1 로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the hole injection layer includes, but is not limited to, a compound represented by the following formula HI-1.

[화학식 HI-1][Formula HI-1]

상기 화학식 HI-1에 있어서,In the formula HI-1,

X'1 내지 X'6 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이며,At least one of X'1 to X'6 is N, and the remainder is CH,

R309 내지 R314은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.R309 to R314 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or it is a substituted or unsubstituted heteroaryl group, or it combines with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X'1 내지 X'6는 N이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X'1 to X'6 are N.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R309 내지 R314는 니트릴기다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R309 to R314 are nitrile groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HI-1은 하기 화합물로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the formula HI-1 is represented by the following compound.

상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may play a role in facilitating the transport of holes. The hole transport material is a material that can transport holes from the anode or hole injection layer and transfer them to the light emitting layer, and a material with high mobility for holes is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers with both conjugated and non-conjugated portions, but are not limited to these.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층은 하기 화학식 HT-2로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the hole transport layer includes a compound represented by the following chemical formula HT-2, but is not limited thereto.

[화학식 HT-1][Formula HT-1]

상기 화학식 HT-1에 있어서,In the formula HT-1,

R400 내지 R403는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,R400 to R403 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted heteroaryl group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof, or by combining with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring,

L402는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.L402 is a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R400 내지 R403는 서로 같거나 상이하고, 각가 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R400 to R403 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted heteroaryl group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R402는 카바졸기 또는 아릴아민기로 치환된 페닐기; 카바졸기 또는 아릴아민기로 치환된 바이페닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R402 is a phenyl group substituted with a carbazole group or an arylamine group; Biphenyl group substituted with carbazole group or arylamine group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R400 및 R401는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 알킬기로 치환된 방향족 탄화수소고리를 형성한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R400 and R401 are the same or different from each other and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group, or are combined with adjacent groups to form an aromatic hydrocarbon ring substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R400 및 R401는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 벤젠고리를 형성한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R400 and R401 are the same or different from each other, and are each independently a phenyl group, or are combined with adjacent groups to form a benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HT-1은 하기 화합물들 선택된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the formula HT-1 is selected from the following compounds.

정공수송층과 발광층 사이에는 정공조절층이 구비될 수 있다. 상기 정공조절층은 아민화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. A hole control layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. The hole control layer may be an amine compound or a material known in the art.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공조절층은 하기 화학식 HT-2로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the hole control layer includes a compound represented by the following formula HT-2, but is not limited thereto.

[화학식 HT-2][Formula HT-2]

상기 화학식 HT-2에 있어서,In the formula HT-2,

R403 내지 R405는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,R403 to R405 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted heteroaryl group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof, or by combining with adjacent groups to form a substituted or unsubstituted ring,

L403는 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이다.L403 is a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R403 내지 R405는 서로 같거나 상이하고, 각가 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R403 to R405 are the same as or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted aryl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted heteroaryl group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R405는 카바졸기 또는 아릴아민기로 치환된 페닐기; 카바졸기 또는 아릴아민기로 치환된 바이페닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R405 is a phenyl group substituted with a carbazole group or an arylamine group; Biphenyl group substituted with carbazole group or arylamine group; and any one selected from the group consisting of combinations thereof.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R403 및 R404는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 알킬기로 치환된 방향족 탄화수소고리를 형성한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R403 and R404 are the same or different from each other and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group, or are combined with adjacent groups to form an aromatic hydrocarbon ring substituted with an alkyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R403 및 R404는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 벤젠고리를 형성한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, R403 and R404 are the same or different from each other, and are each independently a phenyl group, or are combined with adjacent groups to form a benzene ring.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HT-2는 하기 화합물들 선택된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the formula HT-2 is selected from the following compounds.

정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있다. 상기 전자억제층은 전술한 스피로 화합물 또는 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer. The electron suppressing layer may be made of the spiro compound described above or a material known in the art.

상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌기, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light-emitting layer may emit red, green, or blue light and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. The light-emitting material is a material capable of emitting light in the visible range by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and is preferably a material with good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV) series polymer; Spiro compounds; Polyfluorene group, rubrene, etc., but are not limited to these.

발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Host materials for the light emitting layer include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic ring-containing compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, and ladder-type compounds. These include, but are not limited to, furan compounds and pyrimidine derivatives.

발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the light-emitting layer emits red light, the light-emitting dopants include PIQIr(acac)(bis(1-phenylsoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), and PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium). ), phosphorescent materials such as PtOEP (octaethylporphyrin platinum), or fluorescent materials such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used, but are not limited to these. If the light-emitting layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) can be used as the light-emitting dopant. However, it is not limited to this. If the light-emitting layer emits blue light, the light-emitting dopant may be a phosphorescent material such as (4,6-F2ppy) 2 Irpic, spiro-DPVBi, spiro-6P, distylbenzene (DSB), distrylarylene (DSA), Fluorescent materials such as PFO-based polymers and PPV-based polymers may be used, but are not limited to these.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트는 하기 화학식 D-2의 화합물로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the dopant is represented by a compound of the following formula D-2.

[화학식 D-2][Formula D-2]

상기 화학식 D-2에 있어서,In Formula D-2,

T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이고,T1 to T5 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Or a substituted or unsubstituted aryl group,

t3 및 t4는 각각 1 내지 4의 정수이며,t3 and t4 are each integers from 1 to 4,

t5는 1 내지 3의 정수이고, t5 is an integer from 1 to 3,

상기 t3가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T3는 서로 같거나 상이하며,When t3 is 2 or more, the 2 or more T3 are the same or different from each other,

상기 t4가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T4는 서로 같거나 상이하고, When t4 is 2 or more, the 2 or more T4 are the same or different from each other,

상기 t5가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T5는 서로 같거나 상이하다.When t5 is 2 or more, the 2 or more T5s are the same or different from each other.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴아민기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; A substituted or unsubstituted straight-chain or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylamine group having 6 to 30 carbon atoms; Or it is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴아민기; 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; A straight or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms; A monocyclic or polycyclic arylamine group having 6 to 30 carbon atoms; Or, it is a monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms that is substituted or unsubstituted with a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 메틸기; tert-부틸기; 디페닐아민기; 또는 메틸기, 또는 tert-부틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, T1 to T5 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen; methyl group; tert-butyl group; Diphenylamine group; Or it is a phenyl group substituted or unsubstituted with a methyl group, or a tert-butyl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D-2는 아래 화합물로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula D-2 is represented by the following compound.

전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.

전자수송층과 발광층 사이에 전자조절층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. An electron control layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자조절층은 하기 화학식 E-1의 화합물을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the electron control layer includes a compound of the following formula E-1.

[화학식 E-1][Formula E-1]

상기 화학식 E-1에 있어서,In Formula E-1,

Z1 내지 Z3 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이고,At least one of Z1 to Z3 is N, the others are CH,

L601는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L601 is directly bonded; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar601 내지 Ar603은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.Ar601 to Ar603 are the same or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L601은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L601 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L601은 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 또는 나프틸렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L601 is a phenylene group; Biphenylylene group; Or it is a naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar601 내지 Ar603은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar601 to Ar603 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms. .

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar601 내지 Ar603은 페닐기, 또는 스피로플루오렌잔텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar601 to Ar603 are phenyl groups or spirofluorene xanthene groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 E-1은 하기 화합물로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula E-1 is represented by the following compound.

상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층의 두께는 1 내지 50nm일 수 있다. 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.The electron transport layer may play a role in facilitating the transport of electrons. The electron transport material is a material that can easily inject electrons from the cathode and transfer them to the light-emitting layer, and a material with high mobility for electrons is suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complex containing Alq 3 ; organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes, etc., but are not limited to these. The thickness of the electron transport layer may be 1 to 50 nm. If the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage in preventing the electron transport characteristics from deteriorating, and if it is 50 nm or less, the thickness of the electron transport layer is too thick to prevent the driving voltage from increasing to improve the movement of electrons. There are benefits to this.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자조절층은 하기 화학식 E-2의 화합물을 포함한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the electron control layer includes a compound of the following formula E-2.

[화학식 E-2][Formula E-2]

상기 화학식 E-2에 있어서,In the above formula E-2,

Z11 내지 Z13 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이고,At least one of Z11 to Z13 is N, the others are CH,

L611는 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,L611 is directly bonded; Substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,

Ar611 내지 Ar613은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.Ar611 to Ar613 are the same or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L611은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L611 is a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic arylene group having 6 to 30 carbon atoms.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L611은 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 또는 나프틸렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L611 is a phenylene group; Biphenylylene group; Or it is a naphthylene group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar611 내지 Ar613은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar611 to Ar613 are the same or different from each other, and each independently represents a substituted or unsubstituted monocyclic or polycyclic aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 3 to 30 carbon atoms. It is a heteroaryl group.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar611 내지 Ar613은 페닐기 또는 스피로플루오렌잔텐기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar611 to Ar613 are phenyl groups or spirofluorenexanthene groups.

본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 E-2는 하기 화합물로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Formula E-2 is represented by the following compound.

상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 전자 주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer may serve to facilitate injection of electrons. The electron injection material has the ability to transport electrons, has an excellent electron injection effect from the cathode, a light emitting layer or a light emitting material, prevents movement of excitons generated in the light emitting layer to the hole injection layer, and also has an excellent electron injection effect from the cathode to the light emitting layer or light emitting material. , Compounds with excellent thin film forming ability are preferred. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metals. These include, but are not limited to, complex compounds and nitrogen-containing five-membered ring derivatives.

상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compounds include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, Tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, Tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato) gallium, etc. It is not limited to this.

상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, BCP, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.The hole blocking layer is a layer that prevents holes from reaching the cathode, and can generally be formed under the same conditions as the hole injection layer. Specifically, it includes oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, BCP, aluminum complex, etc., but is not limited thereto.

본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emitting type, a back emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.

본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device of the present invention can be manufactured using conventional organic light emitting device manufacturing methods and materials, except that one or more organic material layers are formed using the above-described compounds.

상기 화학식 1의 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The method for producing the compound of Formula 1 and the production of an organic light-emitting device using the same will be described in detail in the examples below. However, the following examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

하기 반응식에 있어서, 치환기의 종류 및 개수는 당업자가 공지된 출발물질을 적절히 선택함에 따라 다양한 종류의 중간체를 합성할 수 있다. 반응 종류 및 반응 조건은 당기술분야에 알려져 있는 것들이 이용될 수 있다. In the following reaction formula, various types of intermediates can be synthesized by appropriately selecting starting materials known to those skilled in the art regarding the type and number of substituents. Reaction types and reaction conditions known in the art can be used.

합성예 1. 화합물 BH-1의 합성Synthesis Example 1. Synthesis of compound BH-1

<1-a> 화합물 BH-1-a의 합성<1-a> Synthesis of compound BH-1-a

2-(tert-부틸)안트라센 (50g, 213mmol), n-브로모숙신이미드 (12.7g, 71mmol), FeCl3 (1.73g, 10.6mol)을 클로로포름 850ml에 녹인 후 환류 교반하였다. 반응 30분 간격으로 n-브로모숙신이미드 (12.7g, 71mmol)를 2회 추가하였다. 2시간동안 반응 후 식힌다. Na2S2O3 20% 수용액을 250ml를 적가하였다. 분별 깔대기를 이용하여 유기층을 분리한 후, 증류수로 3회 씻어주었다. 무수황산마그네슘으로 잔류 수분을 제거하였다. 클로로포름을 감압증류하여 제거하였다. 컬럼 크로마토그래피(전개액 EA:Hexane=1:100)를 이용하여 정제하였다. 얻어진 고체를 EA에서 재결정하여 화합물 BH-1-a를 23g (수율 34%)를 얻었다.2-(tert-butyl)anthracene (50g, 213mmol), n-bromosuccinimide (12.7g, 71mmol), and FeCl 3 (1.73g, 10.6mol) were dissolved in 850ml of chloroform and stirred under reflux. n-Bromosuccinimide (12.7g, 71mmol) was added twice at 30-minute intervals. React for 2 hours and then cool. 250 ml of 20% Na 2 S 2 O 3 aqueous solution was added dropwise. The organic layer was separated using a separatory funnel and washed three times with distilled water. Residual moisture was removed with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed by distillation under reduced pressure. It was purified using column chromatography (eluent EA:Hexane=1:100). The obtained solid was recrystallized in EA to obtain 23 g of compound BH-1-a (yield 34%).

<1-b> 화합물 BH-1-b의 합성<1-b> Synthesis of compound BH-1-b

화합물 BH-1-a (23 g, 73.4mmol)와 페닐보론산 (8.84g, 80.8mmol)을 1,4-디옥산 (250ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (4.2g, 3.7 mmol)와 2M K2CO3 수용액 80ml를 넣고 24시간동안 환류시켰다. 반응 용액을 식히고, 물층 제거 후 1,4-디옥산을 감압증류하여 제거하였다. 클로로포름에 녹인 후 분별 깔대기에 넣어서 증류수로 3회 씻어주었다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 클로로포름을 제거하고 EA(에틸아세테이트)로 재결정하여 화합물 BH-1-b (14g, 수율 61%)를 얻었다.Compound BH-1-a (23 g, 73.4 mmol) and phenylboronic acid (8.84 g, 80.8 mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (250 ml), and then Pd(PPh 3 ) 4 (4.2 g, 3.7 mmol) ) and 80 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and refluxed for 24 hours. The reaction solution was cooled, the water layer was removed, and 1,4-dioxane was removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform, it was placed in a separatory funnel and washed three times with distilled water. The organic layer was dried with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed under reduced pressure and recrystallized with EA (ethyl acetate) to obtain compound BH-1-b (14 g, yield 61%).

<1-c> 화합물 BH-1-c의 합성<1-c> Synthesis of compound BH-1-c

상기 화합물 BH-1-b (14g, 45.1mmol)을 클로로포름 180ml에 분산시킨 후 디메틸포름아미드 20ml에 녹인 n-브로모숙신이미드 (8.0g, 45.1mmol)용액을 천천히 적가하였다. 2시간동안 상온에서 반응 후 Na2S2O3 20% 수용액을 90ml를 적가하였다. 분별 깔대기를 이용하여 유기층을 분리한 후, 증류수로 3회 씻어주었다. 무수황산마그네슘으로 잔류 수분을 제거하였다. 클로로포름을 감압증류하여 제거하였다. EA(에틸아세테이트)에서 재결정하여 화합물 BH-1-c (12g, 수율 68%)를 얻었다.The compound BH-1-b (14 g, 45.1 mmol) was dispersed in 180 ml of chloroform, and n-bromosuccinimide (8.0 g, 45.1 mmol) solution dissolved in 20 ml of dimethylformamide was slowly added dropwise. After reaction at room temperature for 2 hours, 90 ml of 20% Na 2 S 2 O 3 aqueous solution was added dropwise. The organic layer was separated using a separatory funnel and washed three times with distilled water. Residual moisture was removed with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed by distillation under reduced pressure. Compound BH-1-c (12 g, yield 68%) was obtained by recrystallization from EA (ethyl acetate).

<1-d> 화합물 BH-1의 합성<1-d> Synthesis of compound BH-1

화합물 BH-1-c (12 g, 30.8mmol)와 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 (8.9g, 33.9mmol)을 1,4-디옥산 (120ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (0.35g, 0.31 mmol)와 2M K2CO3 수용액 30ml를 넣고 24시간동안 환류시켰다. 반응 용액을 식히고, 생성된 고체를 여과하였다. 클로로포름에 녹인 후 분별 깔대기에 넣어서 증류수로 3회 씻어주었다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 클로로포름을 제거하고 EA(에틸아세테이트)로 재결정하여 화합물 BH-1 (9g, 수율 55%)를 얻었다. [M+H+]=527.3Compound BH-1-c (12 g, 30.8mmol) and naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid (8.9g, 33.9mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (120ml). , Pd(PPh 3 ) 4 (0.35 g, 0.31 mmol) and 30 ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and refluxed for 24 hours. The reaction solution was cooled, and the resulting solid was filtered. After dissolving in chloroform, it was placed in a separatory funnel and washed three times with distilled water. The organic layer was dried with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed under reduced pressure and recrystallized with EA (ethyl acetate) to obtain compound BH-1 (9 g, yield 55%). [M+H + ]=527.3

합성예 2. 화합물 BH-2의 합성Synthesis Example 2. Synthesis of compound BH-2

<2-a> 화합물 BH-2-a의 합성<2-a> Synthesis of compound BH-2-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-2-a를 얻었다.Compound BH-2-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<2-b> 화합물 BH-2-b의 합성<2-b> Synthesis of compound BH-2-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-2-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-2-b를 얻었다. Compound BH-2-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-2-a was used instead of compound BH-1-b.

<2-c> 화합물 BH-2의 합성<2-c> Synthesis of compound BH-2

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-2-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-2를 얻었다. [M+H+]=577.3In Synthesis Example 1-d, except that compound BH-2-b was used instead of compound BH-1-c, and naphthalene-1-ylboronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-2 was obtained by the same synthesis. [M+H + ]=577.3

합성예 3. 화합물 BH-3의 합성Synthesis Example 3. Synthesis of compound BH-3

<3-a> 화합물 BH-3-a의 합성<3-a> Synthesis of compound BH-3-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-3-a를 얻었다.Compound BH-3-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<3-b> 화합물 BH-3-b의 합성<3-b> Synthesis of compound BH-3-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-3-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-3-b를 얻었다. Compound BH-3-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-3-a was used instead of compound BH-1-b.

<3-c> 화합물 BH-3의 합성<3-c> Synthesis of compound BH-3

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-3-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 [1,1'-비페닐]-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-3를 얻었다. [M+H+]=603.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-3-b was used instead of compound BH-1-c, and [1,1'-biphenyl]-2- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-3 was obtained by the same synthesis except that monoboronic acid was used. [M+H + ]=603.3

합성예 4. 화합물 BH-4의 합성Synthesis Example 4. Synthesis of compound BH-4

<4-a> 화합물 BH-4-a의 합성<4-a> Synthesis of compound BH-4-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 [1,1'-비페닐]-3-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-4-a를 얻었다.Compound BH-4-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that [1,1'-biphenyl]-3-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<4-b> 화합물 BH-4-b의 합성<4-b> Synthesis of compound BH-4-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-4-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-4-b를 얻었다. Compound BH-4-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-4-a was used instead of compound BH-1-b.

<4-c> 화합물 BH-4의 합성<4-c> Synthesis of compound BH-4

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-4-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-4를 얻었다. [M+H+]=603.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-4-b was used instead of compound BH-1-c, and naphtho[1,2-b]benzofuran- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-4 was obtained by the same synthesis except that 7-monoboronic acid was used. [M+H + ]=603.3

합성예 5. 화합물 BH-5의 합성Synthesis Example 5. Synthesis of compound BH-5

<5-a> 화합물 BH-5-a의 합성<5-a> Synthesis of compound BH-5-a

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 2-시클로헥실안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-5-a를 얻었다.Compound BH-5-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that 2-cyclohexylanthracene was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<5-b> 화합물 BH-5-b의 합성<5-b> Synthesis of compound BH-5-b

합성예 1-b에서 화합물 BH-1-a 대신 BH-5-a를, 페닐보론산 대신 나프탈렌-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-5-b를 얻었다.Compound BH-5-b was obtained by synthesizing in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-5-a was used instead of compound BH-1-a and naphthalen-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<5-c> 화합물 BH-5-c의 합성<5-c> Synthesis of compound BH-5-c

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-5-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-5-c를 얻었다. Compound BH-5-c was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-5-b was used instead of compound BH-1-b.

<5-d> 화합물 BH-5의 합성<5-d> Synthesis of compound BH-5

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-5-c를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-5를 얻었다. [M+H+]=603.4In Synthesis Example 1-d, compound BH-5-c was used instead of compound BH-1-c, and naphtho[2,3-b]benzofuran- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-5 was obtained by the same synthesis except that 2-monoboronic acid was used. [M+H + ]=603.4

합성예 6. 화합물 BH-6의 합성Synthesis Example 6. Synthesis of compound BH-6

<6-a> 화합물 BH-6-a의 합성<6-a> Synthesis of compound BH-6-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 (4-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-6-a를 얻었다.Compound BH-6-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that (4-(naphthalen-2-yl)phenyl)boronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<6-b> 화합물 BH-6-b의 합성<6-b> Synthesis of compound BH-6-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-6-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-6-b를 얻었다. Compound BH-6-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-6-a was used instead of compound BH-1-b.

<6-c> 화합물 BH-6의 합성<6-c> Synthesis of compound BH-6

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-6-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-6을 얻었다. [M+H+]=653.3Compound BH-6 was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-d, except that compound BH-6-b was used instead of compound BH-1-c. [M+H + ]=653.3

합성예 7. 화합물 BH-7의 합성Synthesis Example 7. Synthesis of compound BH-7

<7-a> 화합물 BH-7-a의 합성<7-a> Synthesis of compound BH-7-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 (2-(나프탈렌-2-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-7-a를 얻었다.Compound BH-7-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that (2-(naphthalen-2-yl)phenyl)boronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<7-b> 화합물 BH-7-b의 합성<7-b> Synthesis of compound BH-7-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-7-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-7-b를 얻었다. Compound BH-7-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-7-a was used instead of compound BH-1-b.

<7-c> 화합물 BH-7의 합성<7-c> Synthesis of compound BH-7

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-7-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-7을 얻었다. [M+H+]=603.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-7-b was used instead of compound BH-1-c, and naphtho[1,2-b]benzofuran- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-7 was obtained by the same synthesis except that 7-monoboronic acid was used. [M+H + ]=603.3

합성예 8. 화합물 BH-8의 합성Synthesis Example 8. Synthesis of compound BH-8

<8-a> 화합물 BH-8-a의 합성<8-a> Synthesis of compound BH-8-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-8-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-8-a를 얻었다.Compound BH-8-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that naphtho[1,2-b]benzofuran-8-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<8-b> 화합물 BH-8-b의 합성<8-b> Synthesis of compound BH-8-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-8-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-8-b를 얻었다. Compound BH-8-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-8-a was used instead of compound BH-1-b.

<8-c> 화합물 BH-8의 합성<8-c> Synthesis of compound BH-8

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-8-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 (5-페닐나프탈렌-2-일)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-8를 얻었다. [M+H+]=653.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-8-b was used instead of compound BH-1-c, and (5-phenylnaphthalen-2-yl)boronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-8 was obtained by the same synthesis except that . [M+H + ]=653.3

합성예 9. 화합물 BH-9의 합성Synthesis Example 9. Synthesis of compound BH-9

<9-a> 화합물 BH-9-a의 합성<9-a> Synthesis of compound BH-9-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-9-a를 얻었다.Compound BH-9-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<9-b> 화합물 BH-9-b의 합성<9-b> Synthesis of compound BH-9-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-9-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-9-b를 얻었다. Compound BH-9-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-9-a was used instead of compound BH-1-b.

<9-c> 화합물 BH-9의 합성<9-c> Synthesis of compound BH-9

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-9-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 디벤조[b,d]퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-9를 얻었다. [M+H+]=617.2In Synthesis Example 1-d, compound BH-9-b was used instead of compound BH-1-c, and dibenzo[b,d]furan-2-ylbo was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-9 was obtained by the same synthesis except that ronic acid was used. [M+H + ]=617.2

합성예 10. 화합물 BH-10의 합성Synthesis Example 10. Synthesis of compound BH-10

<10-a> 화합물 BH-10-a의 합성<10-a> Synthesis of compound BH-10-a

합성예 1-b에서 페닐보론산 대신 벤조[b]나프토[2,3-d]티오펜-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-10-a를 얻었다.Compound BH-10-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that benzo[b]naphtho[2,3-d]thiophen-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid.

<10-b> 화합물 BH-10-b의 합성<10-b> Synthesis of compound BH-10-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-10-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-10-b를 얻었다. Compound BH-10-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-10-a was used instead of compound BH-1-b.

<10-c> 화합물 BH-10의 합성<10-c> Synthesis of compound BH-10

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-10-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-10를 얻었다. [M+H+]=593.2In Synthesis Example 1-d, except that compound BH-10-b was used instead of compound BH-1-c, and naphthalene-1-ylboronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-10 was obtained by the same synthesis. [M+H + ]=593.2

합성예 11. 화합물 BH-11의 합성Synthesis Example 11. Synthesis of compound BH-11

<11-a> 화합물 BH-11-a의 합성<11-a> Synthesis of compound BH-11-a

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 1-(안트라센-2-일)아다만탄을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-11-a를 얻었다.Compound BH-11-a was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that 1-(anthracen-2-yl)adamantane was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<11-b> 화합물 BH-11-b의 합성<11-b> Synthesis of compound BH-11-b

합성예 1-b에서 화합물 BH-1-a 대신 BH-11-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-11-b를 얻었다.Compound BH-11-b was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-11-a was used instead of compound BH-1-a.

<11-c> 화합물 BH-11-c의 합성<11-c> Synthesis of compound BH-11-c

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-11-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-11-c를 얻었다. Compound BH-11-c was obtained through the same synthesis except that compound BH-11-b was used instead of compound BH-1-b in Synthesis Example 1-c.

<11-d> 화합물 BH-11의 합성<11-d> Synthesis of compound BH-11

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-11-c를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 4,4,5,5-테트라메틸-2-(10-페닐나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-일)-1,3,2-디옥사보로레인을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-11를 얻었다. [M+H+]=681.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-11-c was used instead of compound BH-1-c, and 4,4,5,5-tetramethyl-2 was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-11 was obtained by the same synthesis except that -(10-phenylnaphtho[1,2-b]benzofuran-7-yl)-1,3,2-dioxaborolane was used. [M+H + ]=681.3

합성예 12. 화합물 BH-12의 합성Synthesis Example 12. Synthesis of compound BH-12

<12-a> BH-12-a 의 합성<12-a> Synthesis of BH-12-a

2-(tert-부틸)안트라센 100g, 5% Pt/C 20g, 톨루엔 600ml, D2O 1400ml를 고압반응기에 넣은 후 수소를 충전시켰다. 180℃로 승온한 후 24시간동안 반응을 보냈다. 반응 종료 후 촉매를 셀라이트 패드에서 필터한 후 추출하였다. 에틸아세테이트:헥산=1:100 컬럼으로 정제 후 EA(에틸아세테이트) 재결정을 통하여 BH-12-a를 73g 수득하였다. (수율 70%). 100 g of 2-(tert-butyl)anthracene, 20 g of 5% Pt/C, 600 ml of toluene, and 1400 ml of D 2 O were placed in a high pressure reactor and then charged with hydrogen. After raising the temperature to 180°C, the reaction was carried out for 24 hours. After completion of the reaction, the catalyst was filtered through a Celite pad and then extracted. After purification using an ethyl acetate:hexane = 1:100 column, 73 g of BH-12-a was obtained through EA (ethyl acetate) recrystallization. (yield 70%).

<12-b> 화합물 BH-12-b의 합성<12-b> Synthesis of compound BH-12-b

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 BH-12-a을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-12-b를 얻었다.Compound BH-12-b was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that BH-12-a was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<12-c> 화합물 BH-12-c의 합성<12-c> Synthesis of compound BH-12-c

합성예 1-b에서 BH-1-a대신 BH-12-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-12-c를 얻었다.Compound BH-12-c was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-b, except that BH-12-b was used instead of BH-1-a.

<12-d> 화합물 BH-12-d의 합성<12-d> Synthesis of compound BH-12-d

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-12-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-12-d를 얻었다. Compound BH-12-d was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-12-c was used instead of compound BH-1-b.

<12-e> 화합물 BH-12의 합성<12-e> Synthesis of compound BH-12

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-12-d를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-12를 얻었다. [M+H+]=534.3Compound BH-12 was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-d, except that compound BH-12-d was used instead of compound BH-1-c. [M+H + ]=534.3

합성예 13. 화합물 BH-13의 합성Synthesis Example 13. Synthesis of compound BH-13

<13-a> 화합물 BH-13-a의 합성<13-a> Synthesis of compound BH-13-a

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-9-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 [1,1'-비페닐]-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-13-a를 얻었다. In Synthesis Example 1-d, compound BH-9-b was used instead of compound BH-1-c, and [1,1'-biphenyl]-2- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-13-a was obtained by the same synthesis except that monoboronic acid was used.

<13-b> 화합물 BH-13의 합성<13-b> Synthesis of compound BH-13

합성예 12-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 화합물 BH-13-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 BH-13을 얻었다. [M+H+]=628.4BH-13 was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 12-a, except that compound BH-13-a was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene. [M+H + ]=628.4

합성예 14. 화합물 BH-14의 합성Synthesis Example 14. Synthesis of compound BH-14

<14-a> BH-14-a 의 합성<14-a> Synthesis of BH-14-a

합성예 12-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 2-시클로헥실안트라센을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 BH-14-a을 얻었다. BH-14-a was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 12-a, except that 2-cyclohexylanthracene was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<14-b> 화합물 BH-14-b의 합성<14-b> Synthesis of compound BH-14-b

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 BH-14-a을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-14-b를 얻었다.Compound BH-14-b was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that BH-14-a was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<14-c> 화합물 BH-14-c의 합성<14-c> Synthesis of compound BH-14-c

합성예 1-b에서 BH-1-a대신 BH-14-b를, 페닐보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-8-일보론산 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-14-c를 얻었다.Compound BH was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-14-b was used instead of BH-1-a and naphtho[1,2-b]benzofuran-8-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid. -14-c was obtained.

<14-d> 화합물 BH-14-d의 합성<14-d> Synthesis of compound BH-14-d

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-14-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-14-d를 얻었다. Compound BH-14-d was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-14-c was used instead of compound BH-1-b.

<14-e> 화합물 BH-14의 합성<14-e> Synthesis of compound BH-14

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-14-d를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 [1,1':3',1''-터페닐]-5'-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-14를 얻었다. [M+H+]=712.4In Synthesis Example 1-d, compound BH-14-d was used instead of compound BH-1-c, and [1,1':3',1'' was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-14 was obtained by the same synthesis except that -terphenyl]-5'-ylboronic acid was used. [M+H + ]=712.4

합성예 15. 화합물 BH-15의 합성Synthesis Example 15. Synthesis of compound BH-15

<15-a> BH-15-a 의 합성<15-a> Synthesis of BH-15-a

2-(tert-부틸)안트라센 100g, 10% Pd/C 10g, 5% Pt/C 20g, 톨루엔 600ml, D2O 1400ml를 고압반응기에 넣은 후 수소를 충전시켰다. 180℃로 승온한 후 24시간동안 반응을 보냈다. 반응 종료 후 촉매를 셀라이트 패드에서 필터한 후 추출하였다. 에틸아세테이트:헥산=1:100 컬럼으로 정제 후 EA(에틸아세테이트) 재결정을 통하여 BH-15-a를 61g 수득하였다. (수율 57%). 100 g of 2-(tert-butyl)anthracene, 10 g of 10% Pd/C, 20 g of 5% Pt/C, 600 ml of toluene, and 1400 ml of D 2 O were placed in a high pressure reactor and then charged with hydrogen. After raising the temperature to 180°C, the reaction was carried out for 24 hours. After completion of the reaction, the catalyst was filtered through a Celite pad and then extracted. After purification using an ethyl acetate:hexane = 1:100 column, 61 g of BH-15-a was obtained through EA (ethyl acetate) recrystallization. (yield 57%).

<15-b> 화합물 BH-15-b의 합성<15-b> Synthesis of compound BH-15-b

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 BH-15-a을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-15-b를 얻었다.Compound BH-15-b was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that BH-15-a was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<15-c> 화합물 BH-15-c의 합성<15-c> Synthesis of compound BH-15-c

합성예 1-b에서 BH-1-a대신 BH-15-b를, 페닐보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-2-일보론산 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-15-c를 얻었다.Compound BH was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-15-b was used instead of BH-1-a and naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid. -15-c was obtained.

<15-d> 화합물 BH-15-d의 합성<15-d> Synthesis of compound BH-15-d

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-15-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-15-d를 얻었다. Compound BH-15-d was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-15-c was used instead of compound BH-1-b.

<15-e> 화합물 BH-15의 합성<15-e> Synthesis of compound BH-15

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-15-d를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프탈렌-1-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-15를 얻었다. [M+H+]=593.4In Synthesis Example 1-d, except that compound BH-15-d was used instead of compound BH-1-c, and naphthalene-1-ylboronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-15 was obtained by the same synthesis. [M+H + ]=593.4

합성예 16. 화합물 BH-16의 합성Synthesis Example 16. Synthesis of compound BH-16

<16-a> 화합물 BH-16-a의 합성<16-a> Synthesis of compound BH-16-a

화합물 BH-12-a (35 g, 109mmol)와 대신 2-(3-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일)4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤레인(43.3g, 114mmol)을 테트라히드로퓨란 (350ml)에 녹인 후, Pd(PPh3)4 (2.52g, 2.18 mmol)와 2M K2CO3 수용액 90ml를 넣고 24시간동안 환류시켰다. 반응 용액을 식히고, 물층 제거 후 테트라히드로퓨란을 감압증류하여 제거하였다. 클로로포름에 녹인 후 분별 깔대기에 넣어서 증류수로 3회 씻어주었다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 클로로포름을 제거하고 EA(에틸아세테이트)로 재결정하여 화합물 BH-16-a (30g, 수율 56%)를 얻었다.Compound BH-12-a (35 g, 109 mmol) and 2-(3-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran-1-yl)4,4,5,5-tetramethyl-1,3 , 2-dioxaborolein (43.3g, 114mmol) was dissolved in tetrahydrofuran (350ml), then Pd(PPh 3 ) 4 (2.52g, 2.18 mmol) and 90ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and incubated for 24 hours. It was refluxed. The reaction solution was cooled, the water layer was removed, and tetrahydrofuran was removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform, it was placed in a separatory funnel and washed three times with distilled water. The organic layer was dried with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed under reduced pressure and recrystallized with EA (ethyl acetate) to obtain compound BH-16-a (30 g, yield 56%).

<16-b> 화합물 BH-16-b의 합성<16-b> Synthesis of compound BH-16-b

화합물 BH-16-a (30 g, 60.8mmol)와 (페닐-d5)보론산 (8.50g, 66.9mmol)을 1,4-디옥산 (300ml)에 녹인 후, 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐(0) (0.31g, 0.6 mmol)와 2M K2CO3 수용액 75ml를 넣고 24시간동안 환류시켰다. 반응 용액을 식히고, 물층 제거 후 1,4-디옥산을 감압증류하여 제거하였다. 클로로포름에 녹인 후 분별 깔대기에 넣어서 증류수로 3회 씻어주었다. 유기층을 무수황산마그네슘으로 건조하였다. 감압하여 클로로포름을 제거하고 EA(에틸아세테이트)로 재결정하여 화합물 BH-16-b (24g, 수율 73%)를 얻었다.Compound BH-16-a (30 g, 60.8mmol) and (phenyl-d5)boronic acid (8.50g, 66.9mmol) were dissolved in 1,4-dioxane (300ml), then bis(tri-tert-butylphos) Fin) Palladium(0) (0.31g, 0.6 mmol) and 75ml of 2M K 2 CO 3 aqueous solution were added and refluxed for 24 hours. The reaction solution was cooled, the water layer was removed, and 1,4-dioxane was removed by distillation under reduced pressure. After dissolving in chloroform, it was placed in a separatory funnel and washed three times with distilled water. The organic layer was dried with anhydrous magnesium sulfate. Chloroform was removed under reduced pressure and recrystallized with EA (ethyl acetate) to obtain compound BH-16-b (24 g, yield 73%).

<16-c>화합물 BH-16-c의 합성<16-c>Synthesis of compound BH-16-c

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-16-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-16-c를 얻었다. Compound BH-16-c was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-16-b was used instead of compound BH-1-b.

<16-d> 화합물 BH-16의 합성<16-d> Synthesis of compound BH-16

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-16-c를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 페닐보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-16를 얻었다. [M+H+]=615.3Synthesis was the same as in Synthesis Example 1-d, except that compound BH-16-c was used instead of compound BH-1-c, and phenylboronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Thus, compound BH-16 was obtained. [M+H + ]=615.3

합성예 17. 화합물 BH-17의 합성Synthesis Example 17. Synthesis of compound BH-17

<17-a> BH-17-a 의 합성<17-a> Synthesis of BH-17-a

합성예 12-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 1-(안트라센-2-일)아다만탄을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 BH-17-a을 얻었다. BH-17-a was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 12-a, except that 1-(anthracen-2-yl)adamantane was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<17-b> 화합물 BH-17-b의 합성<17-b> Synthesis of compound BH-17-b

합성예 1-a에서 2-(tert-부틸)안트라센 대신 BH-17-a을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-17-b를 얻었다.Compound BH-17-b was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1-a, except that BH-17-a was used instead of 2-(tert-butyl)anthracene.

<17-c> 화합물 BH-17-c의 합성<17-c> Synthesis of compound BH-17-c

합성예 1-b에서 BH-1-a대신 BH-17-b를, 페닐보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-8-일보론산 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-17-c를 얻었다.Compound BH was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-17-b was used instead of BH-1-a and naphtho[1,2-b]benzofuran-8-ylboronic acid was used instead of phenylboronic acid. -17-c was obtained.

<17-d> 화합물 BH-17-d의 합성<17-d> Synthesis of compound BH-17-d

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-17-c를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-17-d를 얻었다. Compound BH-17-d was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-17-c was used instead of compound BH-1-b.

<17-e> 화합물 BH-17의 합성<17-e> Synthesis of compound BH-17

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-17-d를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 [1,1'-비페닐]-4-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-17를 얻었다. [M+H+]=688.9In Synthesis Example 1-d, compound BH-17-d was used instead of compound BH-1-c, and [1,1'-biphenyl]-4- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-17 was obtained by the same synthesis except that monoboronic acid was used. [M+H + ]=688.9

합성예 18. 화합물 BH-18의 합성Synthesis Example 18. Synthesis of compound BH-18

<18-a> 화합물 BH-18-a의 합성<18-a> Synthesis of compound BH-18-a

합성예 1-b에서 BH-1-a대신 BH-12-b를, 페닐보론산 대신 (나프탈렌-1-일-d7)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-18-a를 얻었다.Compound BH-18-a was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-12-b was used instead of BH-1-a and (naphthalen-1-yl-d7)boronic acid was used instead of phenylboronic acid. got it

<18-b> 화합물 BH-18-b의 합성<18-b> Synthesis of compound BH-18-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-18-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-18-b를 얻었다. Compound BH-18-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-18-a was used instead of compound BH-1-b.

<18-c> 화합물 BH-18의 합성<18-c> Synthesis of compound BH-18

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-18-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-18을 얻었다. [M+H+]=591.3In Synthesis Example 1-d, compound BH-18-b was used instead of compound BH-1-c, and naphtho[1,2-b]benzofuran- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-18 was obtained by the same synthesis except that 7-monoboronic acid was used. [M+H + ]=591.3

합성예 19. 화합물 BH-19의 합성Synthesis Example 19. Synthesis of compound BH-19

<19-a> 화합물 BH-19-a의 합성<19-a> Synthesis of compound BH-19-a

합성예 16-a에서 화합물 BH-12-a 대신 화합물 BH-1-a를,2-(3-클로로나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일)4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤레인 대신 (4-클로로페닐-2,3,5,6-d4)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-19-a를 얻었다. In Synthesis Example 16-a, compound BH-1-a was replaced with compound BH-12-a, 2-(3-chloronaphtho[2,3-b]benzofuran-1-yl)4,4,5,5 -Compound BH-19-a was synthesized in the same manner except that (4-chlorophenyl-2,3,5,6-d4)boronic acid was used instead of tetramethyl-1,3,2-dioxaborolein. got it

<19-b> 화합물 BH-19-b의 합성<19-b> Synthesis of compound BH-19-b

합성예 16-b에서 화합물 BH-16-a 대신 화합물 BH-19-a를, (페닐-d5)보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-19-b를 얻었다. In Synthesis Example 16-b, except that compound BH-19-a was used instead of compound BH-16-a, and naphtho[2,3-b]benzofuran-2-ylboronic acid was used instead of (phenyl-d5)boronic acid. was synthesized in the same manner to obtain compound BH-19-b.

<19-c>화합물 BH-19-c의 합성<19-c>Synthesis of compound BH-19-c

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-19-b를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-19-c를 얻었다. Compound BH-19-c was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-19-b was used instead of compound BH-1-b.

<19-d> 화합물 BH-19의 합성<19-d> Synthesis of compound BH-19

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-19-c를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 (페닐-d5)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-19를 얻었다. [M+H+]=612.3In Synthesis Example 1-d, except that compound BH-19-c was used instead of compound BH-1-c, and (phenyl-d5)boronic acid was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. was synthesized in the same manner to obtain compound BH-19. [M+H + ]=612.3

합성예 20. 화합물 BH-20의 합성Synthesis Example 20. Synthesis of compound BH-20

<20-a> 화합물 BH-20-a의 합성<20-a> Synthesis of compound BH-20-a

합성예 1-b에서 BH-1-a 대신 BH-15-b을, 페닐보론산 대신 (4-(나프탈렌-1-일)페닐)보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-20-a를 얻었다.Compound BH- was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1-b, except that BH-15-b was used instead of BH-1-a and (4-(naphthalen-1-yl)phenyl)boronic acid was used instead of phenylboronic acid. Got 20-a.

<20-b> 화합물 BH-20-b의 합성<20-b> Synthesis of compound BH-20-b

합성예 1-c에서 화합물 BH-1-b 대신 화합물 BH-20-a를 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-20-b를 얻었다. Compound BH-20-b was obtained by the same synthesis in Synthesis Example 1-c, except that compound BH-20-a was used instead of compound BH-1-b.

<20-c> 화합물 BH-20의 합성<20-c> Synthesis of compound BH-20

합성예 1-d에서 화합물 BH-1-c 대신 화합물 BH-20-b를, 나프토[2,3-b]벤조퓨란-1-일보론산 대신 나프토[2,3-b]벤조퓨란-2-일보론산을 사용한 것을 제외하고는 동일하게 합성하여 화합물 BH-20를 얻었다. [M+H+]=669.4In Synthesis Example 1-d, compound BH-20-b was used instead of compound BH-1-c, and naphtho[2,3-b]benzofuran- was used instead of naphtho[2,3-b]benzofuran-1-ylboronic acid. Compound BH-20 was obtained by the same synthesis except that 2-monoboronic acid was used. [M+H + ]=669.4

본 명세서의 실시예에 기재된 제조식과 상기 중간체들을 통상의 기술상식을 바탕으로 적절히 조합하면, 본 명세서에 기재되어 있는 상기 화학식 1의 화합물들을 모두 제조할 수 있다. By appropriately combining the production formulas described in the Examples of this specification and the intermediates based on common technical knowledge, all of the compounds of Formula 1 described in this specification can be prepared.

실시예 1Example 1

애노드로 ITO(Indium tin oxide)/Ag/ITO가 70Å/1000Å/70Å로 증착된 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm 크기로 잘라서 분산제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 세제는 Fischer Co.의 제품을 사용하였으며, 증류수는 Millipore Co. 제품의 필터로 2차 여과된 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 10분간 초음파 세척하였다. 증류수 세척 후, 이소프로필알코올, 아세톤 및 메탄올의 용제 순서로 초음파 세척 후, 건조하였다.A substrate on which ITO (indium tin oxide)/Ag/ITO was deposited at 70Å/1000Å/70Å as an anode was cut into 50mm x 50mm x 0.5mm, placed in distilled water with a dispersant dissolved in it, and washed ultrasonically. Detergent was used from Fischer Co., and distilled water was from Millipore Co. Secondary filtered distilled water was used as a product filter. After washing the ITO for 30 minutes, it was ultrasonic washed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, it was ultrasonic washed in the following solvent order: isopropyl alcohol, acetone, and methanol, and then dried.

상기 애노드 위에 HAT-CN을 50Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하고, 그 위에 정공을 수송하는 물질인 HTL1을 두께 1150Å로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그런 다음, HTL2(150Å)를 이용하여 정공조절층을 형성하였다. 이어서, 호스트로서 상기 BH-1 및 도펀트로서 BD-1 (중량비 95:5)를 동시에 진공 증착하여 20 nm 두께의 발광층을 형성하였다. 그런 다음, ETL2을 50Å증착하여 전자조절층을 형성하였고, 화합물 ETL1 및 리튬퀴놀레이트(Liq)를 7:3으로 혼합하여 두께 250Å의 전자수송층을 형성하였다. 순차적으로, 50Å두께의 마그네슘 및 리튬 플루오라이드(LiF)를 전자주입층으로 성막하였다.HAT-CN was thermally vacuum deposited to a thickness of 50 Å on the anode to form a hole injection layer, and HTL1, a hole transport material, was vacuum deposited to a thickness of 1,150 Å on the anode to form a hole transport layer. Then, a hole control layer was formed using HTL2 (150Å). Subsequently, BH-1 as a host and BD-1 (weight ratio 95:5) as a dopant were simultaneously vacuum deposited to form a 20 nm thick light emitting layer. Then, 50Å of ETL2 was deposited to form an electron control layer, and the compound ETL1 and lithium quinolate (Liq) were mixed in a ratio of 7:3 to form an electron transport layer with a thickness of 250Å. Sequentially, magnesium and lithium fluoride (LiF) with a thickness of 50 Å were formed as an electron injection layer.

캐소드로 마그네슘과 은(1:4)으로 200Å 형성한 후, CP1을 600Å 증착하여 소자를 완성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 1Å/sec를 유지하였다.After forming the cathode with 200Å of magnesium and silver (1:4), 600Å of CP1 was deposited to complete the device. In the above process, the deposition rate of organic matter was maintained at 1Å/sec.

실시예 2 내지 20 및 비교예 1 내지 6Examples 2 to 20 and Comparative Examples 1 to 6

상기 실시예 1에서 발광층의 호스트로 BH-1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 각각 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다. 이때, 하기 구조들 중 본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물은 각각 전술한 합성예 1 내지 20와 같은 과정을 통하여 제조하였다.An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compounds listed in Table 1 below were used instead of BH-1 as the host of the light-emitting layer. At this time, the compound represented by Formula 1 of the present invention among the structures below was prepared through the same process as Synthesis Examples 1 to 20 described above.

상기 실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 유기발광소자에 있어서, 10 mA/cm2 의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20 mA/cm2 의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 95%가 되는 시간(LT)을 측정하여, 그 결과를 하기 표에 나타내었다.In the organic light emitting devices manufactured in Examples 1 to 20 and Comparative Examples 1 to 6, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 , and the initial luminance was measured at a current density of 20 mA/cm 2 The time to reach 95% of the comparison (LT) was measured, and the results are shown in the table below.

No.No. HostHost 10 mA/cm2 측정값10 mA/cm 2 measured value LT
(T95%)
L.T.
(T95%)
V opV op Cd/ACd/A 실시예 1Example 1 BH-1BH-1 3.593.59 7.557.55 133133 실시예 2Example 2 BH-2BH-2 3.653.65 7.707.70 113113 실시예 3Example 3 BH-3BH-3 3.673.67 7.587.58 121121 실시예 4Example 4 BH-4BH-4 3.703.70 7.697.69 118118 실시예 5Example 5 BH-5BH-5 3.633.63 7.527.52 125125 실시예 6Example 6 BH-6BH-6 3.733.73 7.697.69 114114 실시예 7Example 7 BH-7BH-7 3.783.78 7.627.62 128128 실시예 8Example 8 BH-8BH-8 3.683.68 7.517.51 120120 실시예 9Example 9 BH-9BH-9 3.523.52 7.457.45 115115 실시예 10Example 10 BH-10BH-10 3.693.69 7.657.65 111111 실시예 11Example 11 BH-11BH-11 3.733.73 7.587.58 122122 실시예 12Example 12 BH-12BH-12 3.583.58 7.587.58 156156 실시예 13Example 13 BH-13BH-13 3.603.60 7.667.66 183183 실시예 14Example 14 BH-14BH-14 3.773.77 7.597.59 165165 실시예 15Example 15 BH-15BH-15 3.683.68 7.567.56 168168 실시예 16Example 16 BH-16BH-16 3.743.74 7.617.61 171171 실시예 17Example 17 BH-17BH-17 3.753.75 7.687.68 162162 실시예 18Example 18 BH-18BH-18 3.723.72 7.597.59 175175 실시예 19Example 19 BH-19BH-19 3.663.66 7.537.53 153153 실시예 20Example 20 BH-20BH-20 3.753.75 7.637.63 156156 비교예 1Comparative Example 1 BH-ABH-A 4.164.16 7.157.15 9494 비교예 2Comparative Example 2 BH-BBH-B 3.803.80 7.017.01 8989 비교예 3Comparative Example 3 BH-CBH-C 4.024.02 7.067.06 7777 비교예 4Comparative Example 4 BH-DBH-D 3.923.92 6.946.94 8383 비교예 5Comparative Example 5 BH-EBH-E 3.973.97 6.886.88 7373 비교예 6Comparative Example 6 BH-FBH-F 3.903.90 6.556.55 8080

본 발명 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용한 실시예 1 내지 20은 모두 비교예 1 내지 6에 비해 저전압 및 고효율의 특성을 띠었고, 수명도 비교예 1 내지 6에 비해서 우수함을 보여주었다. 특히 실시예 12 내지 20은 중수소 치환으로 수명이 추가적으로 개선되는 것을 보여주었다. 이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예(호스트)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.Examples 1 to 20 using the compound represented by Formula 1 of the present invention all exhibited characteristics of low voltage and high efficiency compared to Comparative Examples 1 to 6, and also showed superior lifespan compared to Comparative Examples 1 to 6. In particular, Examples 12 to 20 showed that lifespan was further improved by deuterium substitution. Although the preferred embodiment (host) of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and can be implemented with various modifications within the scope of the claims and the detailed description of the invention, which are also part of the invention. belongs to the category

1: 기판
2: 애노드
3: 유기물층
4: 캐소드
5: 정공주입층
6: 정공수송층
7: 정공조절층
8: 발광층
9: 전자조절층
10: 전자수송층
11: 전자주입층
1: substrate
2: anode
3: Organic layer
4: cathode
5: Hole injection layer
6: Hole transport layer
7: Hole control layer
8: Light-emitting layer
9: Electronic control layer
10: Electron transport layer
11: Electron injection layer

Claims (14)

하기 화학식 1의 화합물:
[화학식 1]

상기 화학식 1에 있어서,
R1, 및 R3 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소 또는 중수소이고,
R2는 치환 또는 비치환된 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기이고,
L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 직접결합, 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 A-1 또는 A-2이고, 나머지는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리기, 또는 N, O 또는 S를 포함하는 치환 또는 비치환된 3환 또는 4환의 헤테로아릴기이고,
[화학식 A-1]

[화학식 A-2]

상기 화학식 A-1 및 A-2에 있어서,
R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
R11 또는 R12는 상기 L1 또는 L2와 결합하는 부위이고,
R15 또는 R16은 상기 L1 또는 L2와 결합하는 부위이고,
R11, R12, R15 및 R16 중 상기 L1 또는 L2와 결합하지 않는 치환기; R13, R14, R17, 및 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
X1는 O 또는 S이고,
a 및 b는 각각 1 내지 6의 정수이고,
a가 2 이상일 때, 상기 R9은 서로 같거나 상이하고,
b가 2 이상일 때, 상기 R10은 서로 같거나 상이하다.
Compound of formula 1:
[Formula 1]

In Formula 1,
R1, and R3 to R8 are the same or different from each other and are each independently hydrogen or deuterium,
R2 is a substituted or unsubstituted alkyl group, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group,
L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted arylene group, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
At least one of A1 and A2 is of the following formula A-1 or A-2, and the remainder is a substituted or unsubstituted hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted 3- or 4-ring heteroaryl containing N, O, or S. It's awesome,
[Formula A-1]

[Formula A-2]

In the above formulas A-1 and A-2,
R9 and R10 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted group. It is a heteroaryl group,
R11 or R12 is a site that binds to L1 or L2,
R15 or R16 is a site that binds to L1 or L2,
A substituent among R11, R12, R15 and R16 that does not bind to L1 or L2; R13, R14, R17, and R18 are the same or different from each other, and are each independently hydrogen, deuterium, a halogen group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, or It is a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
X1 is O or S,
a and b are each integers from 1 to 6,
When a is 2 or more, R9 is the same or different from each other,
When b is 2 or more, R10 is the same or different from each other.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 또는 1-2인 것인 화합물:
[화학식 1-1] [화학식 1-2]

상기 화학식 1-1 또는 1-2에 있어서, 상기 R1 내지 R9, R11 내지 R14, L1, L2, X1, A2 및 a는 상기 화학식 1 및 A-1에서 정의한 것과 같다.
The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is the following Formula 1-1 or 1-2:
[Formula 1-1] [Formula 1-2]

In Formula 1-1 or 1-2, R1 to R9, R11 to R14, L1, L2, X1, A2 and a are as defined in Formula 1 and A-1.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1는 하기 화학식 1-3 또는 1-4인 것인 화합물:
[화학식 1-3] [화학식 1-4]

상기 화학식 1-3 및 1-4에 있어서, 상기 R1 내지 R8, R10, R15 내지 R18, L1, L2, X1, A2 및 b는 상기 화학식 1 및 A-2에서 정의한 것과 같다.
The compound according to claim 1, wherein the formula 1 is the following formula 1-3 or 1-4:
[Formula 1-3] [Formula 1-4]

In Formulas 1-3 and 1-4, R1 to R8, R10, R15 to R18, L1, L2, X1, A2, and b are as defined in Formulas 1 and A-2.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 아래 화학식 2-1 또는 2-2인 것인 화합물:
[화학식 2-1] [화학식 2-2]

상기 화학식 2-1 또는 2-2에 있어서, 상기 R1 내지 R9, R11 내지 R14, L1, L2, X1, A1 및 a는 상기 화학식 1 및 A-1에서 정의한 것과 같다.
The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is Formula 2-1 or 2-2 below:
[Formula 2-1] [Formula 2-2]

In Formula 2-1 or 2-2, R1 to R9, R11 to R14, L1, L2, X1, A1 and a are as defined in Formula 1 and A-1.
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1는 하기 화학식 2-3 또는 2-4인 것인 화합물:
[화학식 2-3] [화학식 2-4]

상기 화학식 2-3 및 2-4에 있어서, 상기 R1 내지 R8, R10, R15 내지 R18, L1, L2, X1, A1 및 b는 상기 화학식 1 및 A-2에서 정의한 것과 같다.
The compound according to claim 1, wherein Formula 1 is the following Formula 2-3 or 2-4:
[Formula 2-3] [Formula 2-4]

In Formulas 2-3 and 2-4, R1 to R8, R10, R15 to R18, L1, L2, X1, A1, and b are as defined in Formulas 1 and A-2.
청구항 1에 있어서, 상기 R1, 및 R3 내지 R8은 중수소인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein R1, and R3 to R8 are deuterium. 청구항 1에 있어서, 상기 A2는 탄소수 6 내지 30의 아릴기인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein A2 is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms. 청구항 1에 있어서, 상기 R2는 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 또는 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein R2 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms. 청구항 1에 있어서, 상기 L1 및 L2은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합, 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 또는 탄소수 3 내지 30의 헤테로아릴렌기인 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein L1 and L2 are the same or different from each other and are each independently a direct bond, an arylene group having 6 to 30 carbon atoms, or a heteroarylene group having 3 to 30 carbon atoms. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 치환 가능 위치 중 15%이상이 중수소로 치환된 것인 화합물.The compound according to claim 1, wherein more than 15% of the substitutable positions in Formula 1 are substituted with deuterium. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 아래 화합물 중 어느 하나인 것인 화합물:


The method according to claim 1, wherein Formula 1 is any one of the following compounds:


제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상이 청구항 1 내지 11 중 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.first electrode; a second electrode provided opposite the first electrode; And an organic light-emitting device comprising at least one organic material layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic material layer includes the compound according to any one of claims 1 to 11. . 청구항 12에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.The organic light-emitting device of claim 12, wherein the organic material layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the compound. 청구항 12에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층이 상기 화합물을 호스트로 포함하는 유기 발광 소자.
The organic light-emitting device of claim 12, wherein the organic material layer includes a light-emitting layer, and the light-emitting layer includes the compound as a host.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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