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KR20240044502A - Vacuum processing device, particle removal device, and particle removal method - Google Patents

Vacuum processing device, particle removal device, and particle removal method Download PDF

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Publication number
KR20240044502A
KR20240044502A KR1020247008784A KR20247008784A KR20240044502A KR 20240044502 A KR20240044502 A KR 20240044502A KR 1020247008784 A KR1020247008784 A KR 1020247008784A KR 20247008784 A KR20247008784 A KR 20247008784A KR 20240044502 A KR20240044502 A KR 20240044502A
Authority
KR
South Korea
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gas
intermediate tank
charged particle
vacuum container
particles
Prior art date
Application number
KR1020247008784A
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Korean (ko)
Inventor
테페이 타카하시
히로토시 사카우에
켄 마에히라
Original Assignee
가부시키가이샤 아루박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 아루박 filed Critical 가부시키가이샤 아루박
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Abstract

진공 처리 장치 내로의 파티클 침입을 억제한다. 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 1형태에 따른 진공 처리 장치는 진공용기와, 하전 입자 발생원과, 배기기구와, 파티클 제거기구를 구비한다. 상기 하전 입자 발생원에서는 하전 입자가 내부에 생성한다. 상기 배기기구는 상기 진공용기 내의 가스를 배기한다. 상기 파티클 제거기구는 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원 사이에 배치되어 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 포함하고, 상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출한다.Suppresses particle intrusion into the vacuum processing device. In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to one aspect of the present invention is provided with a vacuum vessel, a charged particle generation source, an exhaust mechanism, and a particle removal mechanism. In the above-mentioned charged particle generation source, charged particles are generated inside. The exhaust mechanism exhausts gas in the vacuum container. The particle removal mechanism includes an intermediate tank disposed between the vacuum container and the charged particle generator to connect the vacuum container and the charged particle generator, and removes particles generated from the charged particle generator from the vacuum container by a gas stream. It is discharged to the outside of the intermediate tank.

Description

진공 처리 장치, 파티클 제거기구, 및 파티클 제거방법Vacuum processing device, particle removal device, and particle removal method

본 발명은 진공 처리 장치, 파티클 제거기구, 및 파티클 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum processing device, a particle removal mechanism, and a particle removal method.

막 형성장치 등으로 대표되는 진공 처리 장치에는 진공 처리 대상인 기판, 또는 기판을 지지하는 스테이지의 제전을 위한 제전 장치가 장착되는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 제전 장치로부터는 대전한 기판 또는 스테이지에, 이것들의 대전 전위와는 역극성의 전하가 조사된다. 이것에 의해, 기판 또는 스테이지의 대전이 해소된다. Vacuum processing devices such as film forming devices may be equipped with a static discharge device for static electricity removal of the substrate to be vacuum treated or the stage supporting the substrate (see, for example, Patent Document 1). From the static electricity eliminator, an electric charge with a polarity opposite to that of the charging potential is irradiated to the charged substrate or stage. As a result, charging of the substrate or stage is eliminated.

일본 공개특허공보 2009-019246호Japanese Patent Publication No. 2009-019246

그렇지만, 제전 장치에서는 그 내부에 발생하는 하전 입자에 의해 제전 장치의 내부에 설치된 전극부품이 에칭되는 경우가 있다. 이러한 경우, 전극부품의 에칭된 부분이 파티클(이물질)이 되고, 해당 파티클이 진공 처리 장치 내로 비산하는 경우가 있다. 파티클이 진공 처리 장치 내로 비산하면, 예를 들면, 막 형성 처리 중에 기판에 형성되는 피막으로 파티클이 들어가게 되어 막 형성 공정의 수율을 저감시켜 버린다. 이러한 파티클 발생은 제전 장치에 한정되지 않고, 다른 부속장치, 예를 들면, 전리 진공계 등의 진공계에서도 발생할 수 있다.However, in a static electricity eliminator, electrode parts installed inside the static electricity eliminator may be etched by charged particles generated therein. In this case, the etched portion of the electrode part becomes particles (foreign matter), and the particles may scatter into the vacuum processing device. If particles scatter into the vacuum processing device, for example, the particles enter the film formed on the substrate during the film formation process, reducing the yield of the film formation process. Such particle generation is not limited to static electricity eliminators, and can also occur in other accessory devices, such as vacuum systems such as ionization vacuum meters.

이상과 같은 사정을 감안해서, 본 발명의 목적은 제전 장치, 전리 진공계 등의 하전 입자 발생원으로부터의 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입을 억제하는 진공 처리 장치, 파티클 제거기구, 및 파티클 제거방법을 제공하는 것에 있다.In view of the above circumstances, the object of the present invention is to provide a vacuum processing device, a particle removal mechanism, and a particle removal method that suppress the intrusion of particles into the vacuum processing device from charged particle generators such as static electricity removal devices and ionization vacuum meters. It's in the thing.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 1형태에 따른 진공 처리 장치는 진공용기와, 하전 입자 발생원과, 배기기구와, 파티클 제거기구를 구비한다.In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to one aspect of the present invention is provided with a vacuum container, a charged particle generator, an exhaust mechanism, and a particle removal mechanism.

상기 하전 입자 발생원에서는 하전 입자가 내부에 생성한다.In the above-mentioned charged particle generation source, charged particles are generated inside.

상기 배기기구는 상기 진공용기 내의 가스를 배기한다.The exhaust mechanism exhausts gas in the vacuum container.

상기 파티클 제거기구는 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원 사이에 배치되어 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 포함하고, 상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출한다.The particle removal mechanism includes an intermediate tank disposed between the vacuum container and the charged particle generator to connect the vacuum container and the charged particle generator, and removes particles generated from the charged particle generator from the vacuum container by a gas stream. It is discharged to the outside of the intermediate tank.

이러한 진공 처리 장치라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With such a vacuum processing device, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

상기 진공 처리 장치에서는, 상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,In the vacuum processing apparatus, the charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas that serves as a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator to the charged particle generator,

상기 파티클 제거기구는 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank,

상기 배기기구는 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,The exhaust mechanism exhausts the first gas supplied to the charged particle generator through the intermediate tank and the vacuum container,

상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1)보다도 크게 설정될 수 있다.When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism, and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. It may be set larger than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in .

이러한 진공 처리 장치라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a vacuum processing device, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

상기 진공 처리 장치에서는, 상기 가스 기류는 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐를 수 있다.In the vacuum processing apparatus, the gas stream may flow in the intermediate tank in a second direction crossing a first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container.

이러한 진공 처리 장치라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a vacuum processing device, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

상기 진공 처리 장치에서는, 상기 파티클 제거기구는 상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,In the vacuum processing device, the particle removal mechanism includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,

상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치될 수 있다.The plurality of gas supply lines may be arranged in parallel in a third direction crossing the first direction and the second direction.

이러한 진공 처리 장치라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a vacuum processing device, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

본 발명의 1형태에 따른 파티클 제거기구는 진공용기와 하전 입자 발생원 사이에 배치되고, 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 포함하고, 상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출한다.The particle removal mechanism according to one aspect of the present invention is disposed between a vacuum container and a charged particle generator, includes an intermediate tank connecting the vacuum container and the charged particle generator, and removes particles generated from the charged particle generator into a gas stream. It is discharged from the front of the vacuum container to the outside of the intermediate tank.

이러한 파티클 제거기구라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With such a particle removal mechanism, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

상기 파티클 제거기구에서는, 상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,In the particle removal mechanism, the charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas, which is a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator, to the charged particle generator,

상기 파티클 제거기구는 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank,

상기 진공용기에는 상기 진공용기 내의 가스를 배기하는 배기기구가 설치되고,An exhaust device is installed in the vacuum container to exhaust gas in the vacuum container,

상기 배기기구는 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,The exhaust mechanism exhausts the first gas supplied to the charged particle generator through the intermediate tank and the vacuum container,

상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 크게 설정할 수 있다.When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism, and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. It can be set larger than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in .

이러한 파티클 제거기구라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a particle removal mechanism, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

상기 파티클 제거기구에서는, 상기 가스 기류는 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐를 수 있다.In the particle removal mechanism, the gas stream may flow in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container in the intermediate tank.

이러한 파티클 제거기구라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a particle removal mechanism, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

상기 파티클 제거기구에서는, 상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,The particle removal mechanism includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,

상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치될 수 있다.The plurality of gas supply lines may be arranged in parallel in a third direction crossing the first direction and the second direction.

이러한 파티클 제거기구라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 더욱 확실하게 억제된다.With such a particle removal mechanism, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is more reliably suppressed.

본 발명의 1형태에 따른 파티클 제거방법은, 진공용기와 하전 입자 발생원 사이에 배치되고, 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 사용하고,The particle removal method according to one aspect of the present invention uses an intermediate tank disposed between a vacuum container and a charged particle generator and connecting the vacuum container and the charged particle generator,

상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출한다.Particles generated from the charged particle generation source are discharged from the front of the vacuum container to the outside of the intermediate tank by a gas stream.

이러한 파티클 제거방법이라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With this particle removal method, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

상기 파티클 제거방법에서는, 상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,In the particle removal method, the charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas, which is a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator, to the charged particle generator,

상기 파티클 제거기구는, 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank, ,

상기 진공용기에는 상기 진공용기 내의 가스를 배기하는 배기기구가 설치되고,An exhaust device is installed in the vacuum container to exhaust gas in the vacuum container,

상기 배기기구에 의해서 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,The first gas supplied to the charged particle generation source by the exhaust mechanism is exhausted through the intermediate tank and the vacuum container,

상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 크게 설정할 수 있다.When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism, and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. It can be set larger than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in .

이러한 파티클 제거방법이라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With this particle removal method, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

상기 파티클 제거방법에서는, 상기 가스 기류를 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐르게 할 수 있다.In the particle removal method, the gas stream may be made to flow in the intermediate tank in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container.

이러한 파티클 제거방법이라면, 하전 입자 발생원으로부터의 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With this particle removal method, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

상기 파티클 제거방법에서는, 상기 파티클 제거기구는 상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,In the particle removal method, the particle removal mechanism includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,

상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치할 수도 있다.The plurality of gas supply lines may be arranged in parallel in a third direction crossing the first direction and the second direction.

이러한 파티클 제거방법이라면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입이 억제된다.With this particle removal method, the intrusion of particles from the charged particle generation source into the vacuum processing device is suppressed.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 하전 입자 발생원으로부터 진공 처리 장치 내로의 파티클 침입을 억제하는 진공 처리 장치, 파티클 제거기구, 및 파티클 제거방법이 제공된다.As described above, according to the present invention, a vacuum processing device, a particle removal mechanism, and a particle removal method are provided that suppress the intrusion of particles from a charged particle generation source into the vacuum processing device.

도 1(a)는 본 실시형태의 진공 처리 장치를 나타내는 모식적 단면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 A1-A2 단면부를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2는 본 실시형태의 진공 처리 장치의 동작을 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3은 본 실시형태의 진공 처리 장치의 변형예를 나타내는 모식적 단면도이다.FIG. 1(a) is a schematic cross-sectional view showing the vacuum processing apparatus of the present embodiment, and FIG. 1(b) is a schematic cross-sectional view showing the A1-A2 cross-section of FIG. 1(a).
Figure 2 is a schematic cross-sectional view showing the operation of the vacuum processing device of this embodiment.
Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the vacuum processing apparatus of the present embodiment.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태를 설명한다. 각 도면에는 XYZ축 좌표가 도입되는 경우가 있다. 또, 동일한 부재 또는 동일한 기능을 가지는 부재에는 동일한 부호를 붙이는 경우가 있고, 그 부재를 설명한 후에는 적당하게 설명을 생략하는 경우가 있다. 또, 이하에 나타내는 수치는 예시이며, 이 예에 한정되지 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, XYZ axis coordinates are sometimes introduced. In addition, the same code may be assigned to the same member or member having the same function, and the description may be omitted as appropriate after the member has been explained. In addition, the numerical values shown below are examples and are not limited to these examples.

도 1(a)는 본 실시형태의 진공 처리 장치를 나타내는 모식적 단면도이다. 도 1(b)는 도 1 (a)의 A1-A2 단면부를 나타내는 모식적 단면도이다.Fig. 1(a) is a schematic cross-sectional view showing the vacuum processing device of this embodiment. FIG. 1(b) is a schematic cross-sectional view showing the A1-A2 cross-section of FIG. 1(a).

도 1(a)에 나타내는 바와 같이 진공 처리 장치(1)는 진공용기(10)와, 하전 입자 발생원(20)과, 파티클 제거기구(30)와, 배기기구(40)를 구비한다. 진공용기(10)의 내부에는 기판(102)을 지지하는 스테이지(101)가 설치되어 있다. 진공용기(10)의 내부 가스는 배기기구(40)에 의해서 배기된다. 배기기구(40)는 터보펌프 등의 진공펌프를 포함한다.As shown in FIG. 1(a), the vacuum processing apparatus 1 includes a vacuum container 10, a charged particle generation source 20, a particle removal mechanism 30, and an exhaust mechanism 40. A stage 101 supporting the substrate 102 is installed inside the vacuum container 10. The gas inside the vacuum container (10) is exhausted by the exhaust mechanism (40). The exhaust mechanism 40 includes a vacuum pump such as a turbo pump.

진공용기(10)는 감압상태를 유지하는 것이 가능한 용기이다. 예를 들면, 진공 처리 장치(1)가 스퍼터링 장치인 경우, 진공용기(10)의 내부에는 도시하지 않은 막 형성원(스퍼터링 타깃)이 스테이지(101)에 대향하도록 설치된다. 또한, 진공 처리 장치(1)는 방전가스를 공급하는 가스 공급 기구(미도시), 방전용 전원(미도시) 등을 구비한다. 진공 처리 장치(1)는 스퍼터링 장치에 한정되지 않고, CVD 장치, 에칭 장치, 이온밀링 장치, 이온주입 장치, 혹은 권취(와인딩)식 막 형성장치일 수 있다.The vacuum container 10 is a container capable of maintaining a reduced pressure state. For example, when the vacuum processing device 1 is a sputtering device, a film formation source (sputtering target), not shown, is installed inside the vacuum container 10 so as to face the stage 101. Additionally, the vacuum processing device 1 is provided with a gas supply mechanism (not shown) that supplies discharge gas, a power source for discharge (not shown), and the like. The vacuum processing device 1 is not limited to a sputtering device, and may be a CVD device, an etching device, an ion milling device, an ion implantation device, or a winding type film forming device.

하전 입자 발생원(20)은 예를 들면, 제전 장치이다. 하전 입자 발생원(20)은 본체부(201)와, 가스 공급원(202)(제1 가스 공급원)과, 방전용 전원(203)을 갖는다. 가스 공급원(202)으로부터는 본체부(201)에 하전 입자(양이온, 음이온, 전자)의 원료가 되는 가스(제1 가스)가 공급된다. 그리고 방전용 전원(203)으로부터 방전 전력이 투입되면, 본체부(201)의 내부에서는 하전 입자가 생성한다. 제1 가스는 예를 들면, Ar, Xe 등의 희가스(rare gas), N2 등이다. 방전용 전원(203)으로서는 RF 전원, 마이크로파 전원 등을 들 수 있다.The charged particle generation source 20 is, for example, an electric discharge device. The charged particle generator 20 has a main body 201, a gas supply source 202 (first gas supply source), and a power supply 203 for discharge. A gas (first gas) that serves as a raw material for charged particles (positive ions, negative ions, and electrons) is supplied to the main body 201 from the gas supply source 202. And when discharge power is input from the discharge power source 203, charged particles are generated inside the main body portion 201. The first gas is, for example, a rare gas such as Ar or Xe, or N 2 . Examples of the discharge power source 203 include RF power sources and microwave power sources.

하전 입자 발생원(20)에 공급된 가스는 배기기구(40)에 의해서 파티클 제거기구(30)의 중간조(303) 및 진공용기(10)를 통해서 배기된다. 하전 입자 발생원(20)은 제전 장치에 한정되지 않고, 이온주입, 이온밀링, 표면 처리 등에서 사용되는 이온원, 혹은 전리 진공계로 대표되는 압력계일 수 있다.The gas supplied to the charged particle generation source 20 is exhausted by the exhaust mechanism 40 through the intermediate tank 303 and the vacuum container 10 of the particle removal mechanism 30. The charged particle generator 20 is not limited to a static electricity eliminator, and may be an ion source used in ion implantation, ion milling, surface treatment, etc., or a pressure gauge represented by an ionization vacuum gauge.

하전 입자 발생원(20)에서는 내부에서 발생한 하전 입자가, 그 내부에서 가속화되어 내부에 설치되어 있는 전극부품과 충돌하는 경우가 있다. 이러한 경우, 전극부품이 에칭되고, 전극부품의 에칭된 부분이 파티클(이물질)이 되고, 이 파티클이 진공용기(10) 내로 비산하는 경우가 있다. 파티클이 진공용기(10) 내로 비산하면, 예를 들면, 막 형성 처리 중에 기판(102)에 형성되는 피막으로 파티클이 들어가게 되고, 이 피막을 포함하는 제품의 수율을 저감시켜 버린다. 따라서 이러한 파티클은 진공용기(10)의 앞에서 최대한 배제하는 것이 바람직하다.In the charged particle generation source 20, charged particles generated internally may accelerate within the charged particle generating source 20 and collide with electrode parts installed therein. In this case, the electrode part is etched, the etched portion of the electrode part becomes particles (foreign matter), and these particles may scatter into the vacuum container 10. If particles scatter into the vacuum container 10, for example, the particles enter the film formed on the substrate 102 during the film formation process, reducing the yield of products containing this film. Therefore, it is desirable to exclude these particles from the front of the vacuum container 10 as much as possible.

파티클 제거기구(30)는 가스 공급원(301)(제2 가스 공급원)과, 가스 공급 라인(302)과, 중간조(303)와, 배출 라인(304)과, 필터(305)와, 배출기구(306)를 갖는다. 가스 공급원(301)과, 가스 공급 라인(302), 중간조(303), 배출 라인(304), 필터(305), 및 배출기구(306)는 직렬상으로 배치된다.The particle removal mechanism 30 includes a gas source 301 (second gas source), a gas supply line 302, an intermediate tank 303, an exhaust line 304, a filter 305, and an exhaust mechanism. It has (306). The gas supply source 301, the gas supply line 302, the intermediate tank 303, the discharge line 304, the filter 305, and the discharge mechanism 306 are arranged in series.

가스 공급원(301)은 가스 기류의 원료가 되는 가스(제2 가스)를 가스 공급 라인(302)을 통해서 중간조(303)에 공급한다. 제2 가스는 예를 들면, Ar, N2 등이다. 가스 공급 라인(302)은 가스 공급원(301)과 중간조(303) 사이에 배치된다. 가스 공급 라인(302)은 가스 공급원(301)과 중간조(303)를 연결한다. 중간조(303)는 진공용기(10)와 하전 입자 발생원(20) 사이에 배치된다. 중간조(303)는 진공용기(10)와 하전 입자 발생원(20)을 연결한다. 도 1(b)에 나타내는 중간조(303)를 진공용기(10)에서 본 중간조(303)의 외형은 직사각형으로 되어 있지만, 원형일 수도 있고, 타원일 수 있다.The gas supply source 301 supplies gas (second gas), which is the raw material of the gas stream, to the intermediate tank 303 through the gas supply line 302. The second gas is, for example, Ar, N 2 , etc. The gas supply line 302 is disposed between the gas source 301 and the intermediate tank 303. The gas supply line 302 connects the gas source 301 and the intermediate tank 303. The intermediate tank 303 is disposed between the vacuum container 10 and the charged particle generation source 20. The intermediate tank 303 connects the vacuum container 10 and the charged particle generation source 20. The outer shape of the intermediate tank 303 shown in FIG. 1(b) when viewed from the vacuum container 10 is rectangular, but may be circular or elliptical.

배출 라인(304)은 중간조(303)와 필터(305) 사이에 배치된다. 배출 라인(304)은 중간조(303)와 필터(305)를 연결한다. 필터(305)는 배출 라인(304)과 배출기구(306) 사이에 배치된다. 배출기구(306)는 터보펌프 등의 진공펌프를 포함하고, 제2 가스 및 파티클을 배출 라인(304)을 통해서 중간조(303)의 외부로 배출한다. 또, 배출기구(306)의 배기속도(S2)는 배기기구(40)의 배기속도(S1) 보다도 빠르다.Discharge line 304 is disposed between intermediate tank 303 and filter 305. Discharge line 304 connects intermediate tank 303 and filter 305. The filter 305 is disposed between the discharge line 304 and the discharge mechanism 306. The discharge mechanism 306 includes a vacuum pump such as a turbo pump, and discharges the second gas and particles to the outside of the intermediate tank 303 through the discharge line 304. Additionally, the exhaust speed S 2 of the exhaust mechanism 306 is faster than the exhaust speed S 1 of the exhaust mechanism 40 .

파티클 제거기구(30)는 하전 입자 발생원(20)에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 진공용기(10)의 앞에서 중간조(303)의 외부로 배출한다. 하전 입자 발생원(20)에서 발생한 파티클은 파티클 제거기구(30)에 의해서, 중간조(303)에서 중간조(303)의 밖으로 수송되어, 진공용기(10)로의 파티클의 침입이 억제된다.The particle removal mechanism 30 discharges particles generated from the charged particle generation source 20 to the outside of the intermediate tank 303 in front of the vacuum container 10 by a gas stream. Particles generated from the charged particle generation source 20 are transported from the intermediate tank 303 to the outside of the intermediate tank 303 by the particle removal mechanism 30, and entry of the particles into the vacuum container 10 is suppressed.

또, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이 파티클 제거기구(30)는 제2 가스를 중간조(303)에 공급하는 복수의 가스 공급 라인(302a∼302d)을 포함한다. 도 1(b)에 나타내는 부호 (205)는 하전 입자 발생원(20)과 중간조(303)가 연결하는 연통구멍(205)의 일례이다. 여기에서, 하전 입자 발생원(20)으로부터 진공용기(10)를 향하는 방향을 제1 방향(X축 방향), 제1 방향과 교차하는 방향을 제2 방향(±Z축 방향), 제1 방향 및 제2 방향의 각각에 교차하는 방향을 제3 방향(±Y축 방향)으로 한다. 「교차」란 예를 들면, 직교를 의미한다. 또, 제2 방향은 진공 처리 장치(1)가 설치되는 바닥면에 대해서 수직방향일 수도 있고, 수평방향일 수도 있고, 경사방향일 수도 있다.Additionally, as shown in FIG. 1(b), the particle removal mechanism 30 includes a plurality of gas supply lines 302a to 302d for supplying the second gas to the intermediate tank 303. The symbol 205 shown in FIG. 1(b) is an example of a communication hole 205 through which the charged particle generation source 20 and the intermediate tone 303 are connected. Here, the direction from the charged particle generation source 20 toward the vacuum container 10 is the first direction (X-axis direction), and the direction intersecting the first direction is the second direction (±Z-axis direction), the first direction and The direction intersecting each of the second directions is referred to as the third direction (±Y-axis direction). “Intersect” means, for example, orthogonal. Additionally, the second direction may be vertical, horizontal, or inclined with respect to the floor surface on which the vacuum processing device 1 is installed.

복수의 가스 공급 라인(302a∼302d)은 제3 방향에 병렬로 배치된다. 복수의 가스 공급 라인(302a∼302d)은 가스 공급 라인(302)의 도중에 분기되어 중간조(303)에까지 도달한 것일 수도 있고, 가스 공급원(301)으로부터 분기되어 중간조(303)에까지 도달한 것일 수도 있다. 또, 복수의 가스 공급 라인의 수는 도시된 수에 한정되지 않는다. 이 개수는 중간조(303)의 제2 방향의 폭에 대응해서 적당하게 변경된다.A plurality of gas supply lines 302a to 302d are arranged in parallel in the third direction. The plurality of gas supply lines 302a to 302d may be branched in the middle of the gas supply line 302 and reach the intermediate tank 303, or may be branched from the gas source 301 and reach the intermediate tank 303. It may be possible. Additionally, the number of plural gas supply lines is not limited to the number shown. This number is appropriately changed corresponding to the width of the intermediate tone 303 in the second direction.

파티클 제거기구(30)의 작용에 대해서 설명한다. 도 2(a), (b)는 본 실시형태의 진공 처리 장치의 동작을 나타내는 모식적 단면도이다. 도 2(b)는 도 1(a)의 A1-A2 단면부에 대응한다.The operation of the particle removal mechanism 30 will be explained. 2(a) and 2(b) are schematic cross-sectional views showing the operation of the vacuum processing device of this embodiment. Figure 2(b) corresponds to the cross section A1-A2 in Figure 1(a).

진공용기(10) 내의 기판(102) 또는 스테이지(101)가 양 또는 음으로 대전하고 있었을 경우에는, 하전 입자 발생원(20)으로부터 기판(102)을 향해서 역극성의 하전 입자(220)가 조사된다. 이것에 의해, 기판(102) 또는 스테이지(101)의 대전이 해소될 수 있다. 이때, 하전 입자 발생원(20) 내에서 파티클(210)이 발생하면, 이 파티클(210)이 하전 입자 발생원(20)으로부터 진공용기(10)를 향해서 비산하는 경우가 있다.When the substrate 102 or the stage 101 in the vacuum vessel 10 is positively or negatively charged, charged particles 220 of reverse polarity are irradiated from the charged particle generator 20 toward the substrate 102. . By this, charging of the substrate 102 or the stage 101 can be eliminated. At this time, when particles 210 are generated within the charged particle generator 20, the particles 210 may scatter from the charged particle generator 20 toward the vacuum container 10.

그렇지만, 진공 처리 장치(1)에서는 파티클 제거기구(30)에 의해, 중간조(303)에서 제2 방향(가스 공급 라인(302)의 측에서 배출 라인(304)의 측을 향하는 방향)으로 흐르는 가스 기류(310)가 형성된다. 이것에 의해, 파티클(210)이 하전 입자 발생원(20)으로부터 중간조(303)에까지 비산했다고 하여도, 파티클(210)은 진공용기(10)의 앞에서 가스 기류(310)의 흐름을 타고 가스 기류(310)와 함께 배출 라인(304)으로 배출된다. 이후, 파티클(210)은 필터(305)에 의해 포착되고, 필터(305)를 통과한 가스 기류(310)가 배출기구(306)에 의해서 배기된다.However, in the vacuum processing apparatus 1, the particle removal mechanism 30 flows from the intermediate tank 303 in the second direction (the direction from the gas supply line 302 side to the discharge line 304 side). A gas stream 310 is formed. As a result, even if the particles 210 scatter from the charged particle generator 20 to the intermediate tank 303, the particles 210 travel along the gas stream 310 in front of the vacuum container 10. It is discharged to the discharge line 304 together with 310. Afterwards, the particles 210 are captured by the filter 305, and the gas stream 310 passing through the filter 305 is exhausted by the discharge mechanism 306.

제1 가스가 배기기구(40)에 의해서 배기되고, 제2 가스 및 파티클(210)이 배출기구(306)에 의해서 배출되고 있을 때에는, 중간조(303)에서의 제2 가스의 유량(Q2)은 중간조(303)에서의 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 크게 설정된다. 이것에 의해, 제2 가스의 기류는 제1 가스의 기류보다도 강하게 되고, 파티클(210)이 가스 기류(310)에 의해서 하전 입자 발생원(20)으로부터 진공용기(10)를 향하는 방향보다도, 가스 공급 라인(302)의 측에서 배출 라인(304)의 측을 향하는 방향으로 확실하게 수송된다.When the first gas is exhausted through the exhaust mechanism 40 and the second gas and particles 210 are discharged through the exhaust mechanism 306, the flow rate of the second gas in the intermediate tank 303 (Q 2 ) is set larger than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in the intermediate tank 303. As a result, the airflow of the second gas becomes stronger than the airflow of the first gas, and the gas is supplied in a direction in which the particles 210 are directed from the charged particle generation source 20 to the vacuum container 10 by the gas airflow 310. It is surely transported in the direction from the side of the line 302 toward the side of the discharge line 304.

또, 도 2(a)에 나타내는 바와 같이 가스 공급 라인(302a∼302d)은 제3 방향에 병렬로 배치되어 있다. 이것에 의해, 가스 공급 라인(302a∼302d)의 각각으로부터 중간조(303)에 유입하는 가스 기류(310)가 제3 방향으로 합성되고, 중간조(303)에서는 가스 기류(310)에 의한 에어커튼(320)이 형성된다. 에어커튼(320)은 제1 방향에서 연통구멍(205)과 중첩되고, 그 면적이 연통구멍(205)의 면적보다도 크다. 이러한 에어커튼(320)이 중간조(303)에 형성되면, 파티클(210)에게 있어서는 에어커튼(320)이 장벽이 되어, 파티클(210)은 진공용기(10)에 침입할 수 없다. 이 결과, 파티클(210)의 진공용기(10)로의 침입이 확실하게 억제된다.Additionally, as shown in FIG. 2(a), gas supply lines 302a to 302d are arranged in parallel in the third direction. As a result, the gas airflow 310 flowing into the middle tank 303 from each of the gas supply lines 302a to 302d is synthesized in the third direction, and the air flow by the gas airflow 310 is generated in the middle tank 303. A curtain 320 is formed. The air curtain 320 overlaps the communication hole 205 in the first direction, and its area is larger than the area of the communication hole 205. When such an air curtain 320 is formed in the intermediate tank 303, the air curtain 320 becomes a barrier for the particles 210, and the particles 210 cannot enter the vacuum container 10. As a result, the intrusion of particles 210 into the vacuum container 10 is reliably suppressed.

진공 처리 장치(1)는 이하와 같이 사용된다. 예를 들면, 배출기구(306)를 작동시키고, 가스 공급원(301)에 의해서 제2 가스를 중간조(303)에 도입한다. 이것에 의해, 중간조(303)에서 제2 가스에 의한 가스 기류가 형성된다. 다음에, 하전 입자 발생원(20)의 가스 공급원(202)에 의해서 제1 가스를 본체부(201)에 도입해서 방전용 전원(203)을 작동시킨다. 이것에 의해, 스테이지(101)의 제전이 개시된다.The vacuum processing device 1 is used as follows. For example, the discharge mechanism 306 is operated and the second gas is introduced into the intermediate tank 303 through the gas supply source 301. As a result, a gas airflow by the second gas is formed in the intermediate tank 303. Next, the first gas is introduced into the main body 201 by the gas supply source 202 of the charged particle generation source 20, and the discharge power supply 203 is operated. With this, static electricity removal on the stage 101 starts.

이때, 중간조(303)에서는 에어커튼(320)이 이미 형성되어 있기 때문에, 파티클(210)의 진공용기(10)로의 침입이 억제된다. 계속해서, 기판(102)을 스테이지(101)에 설치한다. 이때, 제1 가스의 본체부(201)로의 도입 및 방전용 전원(203)의 작동은 정지하지 않아도 된다.At this time, since the air curtain 320 is already formed in the intermediate tank 303, the particles 210 are suppressed from entering the vacuum container 10. Subsequently, the substrate 102 is installed on the stage 101. At this time, the operation of the power source 203 for introducing and discharging the first gas into the main body 201 does not need to be stopped.

다음에, 제1 가스의 본체부(201)로의 도입 및 방전용 전원(203)의 작동, 및, 배출기구(306)의 작동 및 제2 가스의 중간조(303)로의 도입을 정지하고, 기판(102)의 프로세스 처리를 실시한다. 프로세스 처리란 예를 들면, 스퍼터링, CVD 등의 막 형성, 에칭, 혹은, 이온밀링이다. 또, 프로세스 처리 중이라도, 스테이지(101)의 제전이 필요한 경우에는 제1 가스의 본체부(201)로의 도입 및 방전용 전원(203)의 작동, 및, 배출기구(306)의 작동 및 제2 가스의 중간조(303)로의 도입을 실시할 수 있다.Next, the introduction of the first gas into the main body 201 and the operation of the discharge power source 203, the operation of the discharge mechanism 306, and the introduction of the second gas into the intermediate tank 303 are stopped, and the substrate Carry out the process of (102). Process processing includes, for example, sputtering, film formation such as CVD, etching, or ion milling. In addition, even during process processing, when static electricity removal of the stage 101 is required, the introduction of the first gas into the main body 201 and the operation of the power supply 203 for discharging, and the operation of the discharge mechanism 306 and the operation of the second gas It can be introduced into the middle group 303.

기판(102)의 프로세스 처리가 종료한 후, 배출기구(306)를 작동시키고, 제2 가스를 중간조(303)에 도입한 후, 제1 가스를 본체부(201)에 도입해서 방전용 전원(203)을 작동시켜서, 기판(102) 또는 스테이지(101)의 제전을 개시한다. 그후, 기판(102)은 진공용기(10)로부터 반출된다. 기판(102)의 반출 후, 스테이지(101)의 제전은 소정의 시간, 계속 유지될 수도 있다. 다음에, 제1가스의 본체부(201)로의 도입, 방전용 전원(203)의 작동, 및 배출기구(306)의 작동, 제2 가스를 중간조(303)로의 도입을 정지한다.After the processing of the substrate 102 is completed, the discharge mechanism 306 is operated, the second gas is introduced into the intermediate tank 303, and the first gas is introduced into the main body 201 to provide a discharge power supply. By operating 203, static electricity removal of the substrate 102 or the stage 101 is started. Afterwards, the substrate 102 is taken out of the vacuum container 10. After the substrate 102 is unloaded, static elimination of the stage 101 may be maintained for a predetermined period of time. Next, the introduction of the first gas into the main body 201, the operation of the discharge power source 203, the operation of the discharge mechanism 306, and the introduction of the second gas into the intermediate tank 303 are stopped.

도 3은 본 실시형태의 진공 처리 장치의 변형예를 나타내는 모식적 단면도이다.Fig. 3 is a schematic cross-sectional view showing a modification of the vacuum processing apparatus of the present embodiment.

배출 라인(304)은 한 개에 한정되지 않고, 복수의 배출 라인(304a∼304d)을 구비할 수 있다. 예를 들면, 복수의 배출 라인(304a∼304d)은 가스 공급 라인(302a∼302d)과 동일한 피치로 제3 방향에 병렬로 배치된다. 복수의 배출 라인(304a∼304d)은 배출 라인(304)의 도중에서 1개로 합쳐져서 필터(305)에까지 도달한 것일 수도 있고, 중간조(303)로부터 필터(305)까지 분기된 상태로 필터(305)에까지 도달한 것일 수도 있다.The discharge line 304 is not limited to one, and may include a plurality of discharge lines 304a to 304d. For example, the plurality of discharge lines 304a to 304d are arranged in parallel in the third direction at the same pitch as the gas supply lines 302a to 302d. The plurality of discharge lines 304a to 304d may be merged into one in the middle of the discharge line 304 and reach the filter 305, or may be branched from the intermediate tank 303 to the filter 305 and connected to the filter 305. ) may have been reached.

이러한 구성이라면, 가스 공급 라인(302a∼302d)의 각각으로부터 중간조(303)에 유입한 가스 기류(310)는 중간조(303)에서 거의 직선상으로 진행하고, 가스 공급 라인(302a∼302d)의 각각이 대향하는 배출 라인에 배출되어 간다. 이것에 의해, 중간조(303)에서는 난류가 더욱 억제된 에어커튼(320)이 형성되게 된다.With this configuration, the gas airflow 310 flowing into the intermediate tank 303 from each of the gas supply lines 302a to 302d proceeds in a substantially straight line in the intermediate tank 303, and the gas airflow 310 flows through the gas supply lines 302a to 302d. Each is discharged to opposing discharge lines. As a result, an air curtain 320 in which turbulence is further suppressed is formed in the intermediate tank 303.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태로만 한정되는 것은 아니며, 다양한 변경이 가능함은 물론이다. 각 실시형태는 독립적인 형태에 한정되지 않고, 기술적으로 가능한 한 복합적으로 구성할 수 있다. 예를 들면, 본 발명에서는 파티클 제거기구(30)를 포함하는 진공 처리 장치(1) 외에, 진공 처리 장치(1)에 편입된 파티클 제거기구(30)가 제공된다. 또, 파티클 제거기구(30)를 이용한 파티클 제거방법이 제공된다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and of course various modifications are possible. Each embodiment is not limited to an independent form and can be configured as complexly as technically possible. For example, in the present invention, in addition to the vacuum processing apparatus 1 including the particle removal mechanism 30, a particle removal mechanism 30 incorporated into the vacuum processing apparatus 1 is provided. Additionally, a particle removal method using the particle removal mechanism 30 is provided.

예를 들면, 상기의 중간조(303)를 사용하고, 하전 입자 발생원(20)에서 발생한 파티클(210)을 가스 기류(310)에 의해서 진공용기(10)의 앞에서 중간조(303)의 외부로 배출하는 파티클 제거방법이 제공된다.For example, using the above intermediate tank 303, particles 210 generated from the charged particle generation source 20 are moved from the front of the vacuum container 10 to the outside of the intermediate tank 303 by the gas stream 310. A method for removing emitted particles is provided.

여기에서, 배기기구(40)에 의해서 하전 입자 발생원(20)에 공급된 제1 가스는 중간조(303) 및 진공용기(10)를 통해서 배기된다. 제1 가스가 배기기구(40)에 의해서 배기되고, 제2 가스 및 파티클(210)이 배출기구(306)에 의해서 배출되고 있을 때, 중간조(303)에서의 제2 가스의 유량(Q2)은 중간조(303)에서의 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 크게 설정된다. 그리고 가스 기류(310)를 중간조(303)에서 하전 입자 발생원(20)으로부터 진공용기(10)를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐르게 하는 것에　의해, 파티클이 확실하게 제거된다.Here, the first gas supplied to the charged particle generation source 20 by the exhaust mechanism 40 is exhausted through the intermediate tank 303 and the vacuum container 10. When the first gas is discharged by the exhaust mechanism 40 and the second gas and particles 210 are discharged by the exhaust mechanism 306, the flow rate of the second gas in the intermediate tank 303 (Q 2 ) is set larger than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in the intermediate tank 303. Then, particles are reliably removed by flowing the gas air stream 310 in the intermediate tank 303 in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source 20 toward the vacuum container 10.

1: 진공 처리 장치
10: 진공용기
20: 하전 입자 발생원
30: 파티클 제거기구
40: 배기기구
101: 스테이지
102: 기판
201: 본체부
202: 가스 공급원
203: 방전용 전원
205: 연통구멍
210: 파티클
220: 하전 입자
301: 가스 공급원
302, 302a∼302d: 가스 공급 라인
303: 중간조
304: 배출 라인
305: 필터
306: 배출기구
310: 가스 기류
320: 에어커튼1: Vacuum processing device
10: Vacuum container
20: Charged particle source
30: Particle removal mechanism
40: exhaust mechanism
101: Stage
102: substrate
201: main body
202: Gas source
203: Power supply for discharging
205: Flue hole
210: Particles
220: charged particle
301: gas source
302, 302a∼302d: Gas supply line
303: Middle tone
304: discharge line
305: filter
306: Discharge mechanism
310: gas air flow
320: Air curtain

Claims (12)

진공용기와,
하전 입자가 내부에 생성하는 하전 입자 발생원과,
상기 진공용기 내의 가스를 배기하는 배기기구와,
상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원 사이에 배치되어 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 포함하고, 상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출하는 파티클 제거기구를 구비하는 진공 처리 장치.A vacuum container,
A source of charged particles generated internally by charged particles,
an exhaust device for exhausting gas in the vacuum container;
It includes an intermediate tank disposed between the vacuum container and the charged particle generator to connect the vacuum container and the charged particle generator, and the particles generated from the charged particle generator are transported to the outside of the intermediate tank in front of the vacuum container by a gas stream. A vacuum processing device equipped with a particle removal mechanism for discharging. 제1 항에 있어서,
상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,
상기 파티클 제거기구는 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,
상기 배기기구는 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,
상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 큰 진공 처리 장치.According to claim 1,
The charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas that serves as a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator to the charged particle generator,
The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank,
The exhaust mechanism exhausts the first gas supplied to the charged particle generator through the intermediate tank and the vacuum container,
When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. A vacuum processing device greater than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in . 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 가스 기류는 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐르는 진공 처리 장치.According to claim 1 or 2,
The vacuum processing device wherein the gas stream flows in the intermediate tank in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container. 제3 항에 있어서,
상기 파티클 제거기구는 상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치되어 있는 진공 처리 장치.According to clause 3,
The particle removal mechanism includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,
The vacuum processing apparatus wherein the plurality of gas supply lines are arranged in parallel in a third direction crossing the first direction and the second direction. 진공용기와 하전 입자 발생원 사이에 배치되고, 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 포함하고, 상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출하는 파티클 제거기구.It is disposed between a vacuum container and a charged particle generator, and includes an intermediate tank that connects the vacuum container and the charged particle generator, and moves particles generated from the charged particle generator from the front of the vacuum container to the outside of the intermediate tank by a gas stream. A device for removing particles that are emitted. 제5 항에 있어서,
상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,
상기 파티클 제거기구는 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,
상기 진공용기에는 상기 진공용기 내의 가스를 배기하는 배기기구가 설치되고,
상기 배기기구는 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,
상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 큰 파티클 제거기구.According to clause 5,
The charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas that serves as a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator to the charged particle generator,
The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank,
An exhaust device is installed in the vacuum container to exhaust gas in the vacuum container,
The exhaust mechanism exhausts the first gas supplied to the charged particle generator through the intermediate tank and the vacuum container,
When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism, and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. A particle removal mechanism greater than the flow rate (Q 1 ) of the first gas in . 제5 항 또는 제6 항에 있어서,
상기 가스 기류는 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐르는 파티클 제거기구.According to claim 5 or 6,
The particle removal mechanism wherein the gas airflow flows in the intermediate tank in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container. 제7 항에 있어서,
상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치되어 있은 파티클 제거기구.According to clause 7,
It includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,
A particle removal mechanism wherein the plurality of gas supply lines are arranged in parallel in a third direction intersecting the first direction and the second direction. 진공용기와 하전 입자 발생원 사이에 배치되고, 상기 진공용기와 상기 하전 입자 발생원을 연결하는 중간조를 사용하고,
상기 하전 입자 발생원에서 발생한 파티클을 가스 기류에 의해서 상기 진공용기의 앞에서 상기 중간조의 외부로 배출하는 파티클 제거방법.Using an intermediate tank disposed between a vacuum container and a charged particle generator and connecting the vacuum container and the charged particle generator,
A particle removal method in which particles generated from the charged particle generation source are discharged from the front of the vacuum container to the outside of the intermediate tank by a gas stream. 제9 항에 있어서,
상기 하전 입자 발생원은 상기 하전 입자 발생원 내에서 생성하는 상기 하전 입자의 원료가 되는 제1 가스를 상기 하전 입자 발생원에 공급하는 제1 가스 공급원을 추가로 포함하고,
상기 파티클 제거기구는 상기 가스 기류의 원료가 되는 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 제2 가스 공급원과, 상기 제2 가스 및 상기 파티클을 상기 중간조의 외부로 배출하는 배출기구를 추가로 포함하고,
상기 진공용기에는 상기 진공용기 내의 가스를 배기하는 배기기구가 설치되고,
상기 배기기구에 의해서 상기 하전 입자 발생원에 공급된 상기 제1 가스를 상기 중간조 및 상기 진공용기를 통해서 배기하고,
상기 제1 가스가 상기 배기기구에 의해서 배기되고, 상기 제2 가스 및 상기 파티클이 상기 배출기구에 의해 배출되고 있을 때, 상기 중간조에서의 상기 제2 가스의 유량(Q2)은 상기 중간조에서의 상기 제1 가스의 유량(Q1) 보다도 크게 설정하는 파티클 제거방법.According to clause 9,
The charged particle generator further includes a first gas supply source that supplies a first gas that serves as a raw material for the charged particles generated in the charged particle generator to the charged particle generator,
The particle removal mechanism further includes a second gas supply source for supplying a second gas, which is a raw material of the gas stream, to the intermediate tank, and a discharge mechanism for discharging the second gas and the particles to the outside of the intermediate tank,
An exhaust device is installed in the vacuum container to exhaust gas in the vacuum container,
The first gas supplied to the charged particle generation source by the exhaust mechanism is exhausted through the intermediate tank and the vacuum container,
When the first gas is exhausted by the exhaust mechanism, and the second gas and the particles are discharged by the exhaust mechanism, the flow rate (Q 2 ) of the second gas in the intermediate tank is the intermediate tank. A particle removal method that sets the flow rate (Q 1 ) of the first gas larger than that in . 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
상기 가스 기류를 상기 중간조에서 상기 하전 입자 발생원으로부터 상기 진공용기를 향하는 제1 방향에 대해서 교차하는 제2 방향으로 흐르게 하는 파티클 제거방법.According to claim 9 or 10,
A particle removal method in which the gas stream flows in the intermediate tank in a second direction crossing the first direction from the charged particle generation source toward the vacuum container. 제11 항에 있어서,
상기 파티클 제거기구는 상기 제2 가스를 상기 중간조에 공급하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 복수의 가스 공급 라인은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대해서 교차하는 제3 방향에 병렬로 배치하는 파티클 제거방법.According to claim 11,
The particle removal mechanism includes a plurality of gas supply lines for supplying the second gas to the intermediate tank,
A particle removal method wherein the plurality of gas supply lines are arranged in parallel in a third direction intersecting the first direction and the second direction.
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