KR20230157582A - Apparatus and method for analyzing charge behavior inside oled device based on machine learning - Google Patents
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Abstract
본 발명은 임피던스와 같은 주파수 기반의 측정값들을 기반으로 머신러닝 모델을 통해 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 예측하여 소자 내부 전하 거동을 분석하는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치 및 방법에 의하면, 검사 대상 OLED 소자로부터 임피던스를 비롯한 주파수 기반 측정값들이 획득될 수 있고, 해당 측정값들에 대해 전처리 과정들을 수행하여 주파수 기반 특성 데이터가 생성될 수 있으며, 머신러닝 모델을 활용하여 주파수 기반 특성 데이터로부터 소자 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터가 도출될 수 있다. 따라서, OLED 소자를 구성하는 유기물 층들 각각에 대해 별도의 테스트용 소자를 생성하여 전하 이동도를 일일이 분석하지 않더라도, OLED 소자 내부의 어떤 위치에 전하가 축적되어 있는지가 분석될 수 있다.The present invention relates to an apparatus and method for analyzing charge behavior inside an OLED device by predicting the charge density for each internal location of an OLED device through a machine learning model based on frequency-based measurement values such as impedance, and machine learning according to the present invention. According to the OLED device internal charge behavior analysis device and method, frequency-based measured values, including impedance, can be obtained from the OLED device to be inspected, and frequency-based characteristic data can be generated by performing preprocessing on the measured values. Charge distribution data representing the charge density for each location inside the device can be derived from frequency-based characteristic data using a machine learning model. Therefore, even if charge mobility is not individually analyzed by creating a separate test device for each of the organic layers constituting the OLED device, it is possible to analyze where the charge is accumulated inside the OLED device.
Description
본 발명은 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 임피던스와 같은 주파수 기반의 측정값들을 기반으로 머신러닝 모델을 통해 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 예측하여 소자 내부 전하 거동을 분석하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a machine learning-based device and method for analyzing the internal charge behavior of an organic light-emitting diode (OLED) device. More specifically, the internal charge behavior of an OLED device is analyzed through a machine learning model based on frequency-based measurements such as impedance. This relates to an apparatus and method for analyzing charge behavior inside a device by predicting charge density for each location.
유기 발광 다이오드(OLED) 소자가 원활하게 동작하여 발광하기 위해서는 OLED 소자 내부에서 정공과 전자의 이동도(mobility)가 높게 유지되어야 한다. 그러나 OLED 소자의 일부 유기물 층에 정공이나 전자가 트랩되어 전하가 축적되는 경우, 축적 전하에 의해 국소 전기장이 형성되어 정공과 전자의 이동도가 저하되고, OLED 소자의 발광 효율이 감소할 수 있다.In order for an organic light emitting diode (OLED) device to operate smoothly and emit light, the mobility of holes and electrons must be maintained high within the OLED device. However, when holes or electrons are trapped in some organic layers of an OLED device and charges are accumulated, a local electric field is formed due to the accumulated charges, which may reduce the mobility of holes and electrons and reduce the luminous efficiency of the OLED device.
이와 같은 OLED 소자의 발광 효율 저하를 방지하기 위해서는 소자 내부의 전하 거동을 분석하여 OLED 소자의 어떤 유기물 층에 전하가 축적되는지를 밝힐 것이 요구될 수 있다. 전하 거동 분석을 위해 종래에는 OLED 소자를 구성하는 유기물 층들 각각에 대해 정공만 흐르는 소자(hole-only device; HOD) 및 전자만 흐르는 소자(electron-only device; EOD)를 별도로 제작하여 전하 이동도를 측정하는 방식이 활용되었으나, 이러한 종래 방식은 다량의 별도 소자들을 제작해야 하고 각 소자를 일일이 분석해야 한다는 점에서, 많은 비용과 시간을 소요한다는 점이 문제될 수 있다.In order to prevent such a decrease in the luminous efficiency of the OLED device, it may be required to analyze the charge behavior inside the device to reveal in which organic layer of the OLED device the charge is accumulated. To analyze charge behavior, conventionally, a hole-only device (HOD) and an electron-only device (EOD) were manufactured separately for each of the organic layers constituting the OLED device to measure charge mobility. Although a measuring method has been used, this conventional method may be problematic in that it requires a large amount of separate devices to be manufactured and each device must be analyzed one by one, which requires a lot of cost and time.
본 발명에 의해 해결하고자 하는 기술적 과제는, OLED 소자 내부의 전하 거동을 분석하는 종래의 비효율적인 방식을 개선하여 별도의 분석용 소자들을 제작하지 않고서도 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 예측할 수 있는 전하 거동 분석 장치 및 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to predict the charge density for each internal location of the OLED device without manufacturing separate analysis devices by improving the conventional inefficient method of analyzing the charge behavior inside the OLED device. To provide a device and method for analyzing charge behavior.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 일부 실시예에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치는, 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득하도록 구성되는 측정부; 상기 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출하고, 상기 검사 전압 세기들 및 상기 검사 주파수들의 변동에 따른 상기 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성하고, 그리고 상기 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 상기 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하도록 구성되는 처리부; 및 상기 전하 분포 데이터를 출력하도록 구성되는 출력부; 를 포함한다.As a means to solve the above-described technical problem, a machine learning-based organic light emitting diode (OLED) device internal charge behavior analysis device according to some embodiments of the present invention performs alternating current testing for each of the test voltage strengths and test frequencies. A measuring unit configured to obtain frequency-based measurement values by applying a voltage to the OLED device to be inspected; Frequency-based derived variable values are calculated by performing conversion processing on the frequency-based measured values, and frequency-based characteristic data representing changes in the frequency-based derived variable values according to changes in the test voltage intensities and the test frequencies are generated. Generate, and utilize a machine learning model that is learned to predict the charge density for each location inside the OLED device from the frequency-based characteristic data, and derive charge distribution data representing the charge density for each location inside the OLED device to be inspected. processing department; and an output unit configured to output the charge distribution data; Includes.
본 발명의 다른 실시예에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 방법은, 측정부를 통해, 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득하는 단계; 처리부를 통해, 상기 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출하는 단계; 상기 처리부를 통해, 상기 검사 전압 세기들 및 상기 검사 주파수들의 변동에 따른 상기 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성하는 단계; 상기 처리부를 통해, 상기 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 상기 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하는 단계; 및 출력부를 통해, 상기 전하 분포 데이터를 출력하는 단계; 를 포함한다.The machine learning-based method of analyzing the internal charge behavior of an organic light-emitting diode (OLED) device according to another embodiment of the present invention applies an alternating current test voltage to the OLED device to be tested for each of the test voltage strengths and test frequencies through the measuring unit. applying and obtaining frequency-based measurements; Calculating frequency-based derived variable values by performing conversion processing on the frequency-based measured values through a processing unit; generating, through the processing unit, frequency-based characteristic data representing changes in the frequency-based derived variable values according to changes in the test voltage intensities and the test frequencies; Deriving charge distribution data representing the charge density at each internal location of the OLED device to be inspected using a machine learning model that is learned to predict the charge density at each location inside the OLED device from the frequency-based characteristic data through the processing unit. ; and outputting the charge distribution data through an output unit. Includes.
본 발명에 따른 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치 및 방법에 의하면, 검사 대상 OLED 소자로부터 임피던스를 비롯한 주파수 기반 측정값들이 획득될 수 있고, 해당 측정값들에 대해 전처리 과정들을 수행하여 주파수 기반 특성 데이터가 생성될 수 있으며, 머신러닝 모델을 활용하여 주파수 기반 특성 데이터로부터 소자 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터가 도출될 수 있다. 따라서, OLED 소자를 구성하는 유기물 층들 각각에 대해 별도의 테스트용 소자를 생성하여 전하 이동도를 일일이 분석하지 않더라도, OLED 소자 내부의 어떤 위치에 전하가 축적되어 있는지가 분석될 수 있다.According to the machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device and method according to the present invention, frequency-based measurement values, including impedance, can be obtained from the OLED device to be inspected, and preprocessing processes are performed on the measurement values to determine the frequency. Based characteristic data can be generated, and charge distribution data representing the charge density for each location inside the device can be derived from frequency-based characteristic data using a machine learning model. Therefore, even if charge mobility is not individually analyzed by creating a separate test device for each of the organic layers constituting the OLED device, it is possible to analyze where the charge is accumulated inside the OLED device.
도 1은 OLED 소자의 일부 유기물 층에 축적되는 전하에 의해 전하 이동도가 저하되는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 기존에 OLED 소자를 평가하기 위한 예시적인 데이터를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치가 동작하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치를 구성하는 요소들을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자로부터 측정되는 주파수 기반 측정값들의 종류를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명에 따른 주파수 기반 측정값들에 전처리 과정들을 수행하여 머신러닝 모델에 입력되는 데이터를 생성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명에 따른 주파수 기반 측정값들 및 그에 대응하여 생성되는 주파수 기반 특성 데이터의 예시들을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 합성곱 신경망(CNN)의 형태로 구현되는 머신러닝 모델을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명에 따른 합성곱 신경망(CNN)의 형태로 구현되는 머신러닝 모델의 성능과 종래 모델의 성능을 비교하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자의 구현 예시들 및 이들에 대한 평가 데이터를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 방법을 구성하는 단계들을 설명하기 위한 도면이다.Figure 1 is a diagram to explain how charge mobility is reduced by charges accumulated in some organic layers of an OLED device.
Figure 2 is a diagram showing exemplary data for evaluating existing OLED devices.
Figure 3 is a diagram for explaining how the machine learning-based charge behavior analysis device inside an organic light-emitting diode (OLED) device operates according to the present invention.
Figure 4 is a diagram for explaining the elements that constitute the machine learning-based internal charge behavior analysis device of an organic light-emitting diode (OLED) device according to the present invention.
Figure 5 is a diagram for explaining the types of frequency-based measurement values measured from the OLED device to be inspected according to the present invention.
Figure 6 is a diagram illustrating the process of generating data input to a machine learning model by performing preprocessing processes on frequency-based measurement values according to the present invention.
Figure 7 is a diagram for explaining examples of frequency-based measurement values and frequency-based characteristic data generated correspondingly according to the present invention.
Figure 8 is a diagram for explaining a machine learning model implemented in the form of a convolutional neural network (CNN) according to the present invention.
Figure 9 is a diagram for comparing the performance of a machine learning model implemented in the form of a convolutional neural network (CNN) according to the present invention and the performance of a conventional model.
Figure 10 is a diagram showing implementation examples of OLED devices to be inspected according to the present invention and evaluation data for them.
Figure 11 is a diagram for explaining charge distribution data showing the charge density at each internal location of the OLED device to be inspected according to the present invention.
Figure 12 is a diagram for explaining the steps of configuring the method of analyzing charge behavior inside a machine learning-based organic light-emitting diode (OLED) device according to the present invention.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 상세하게 설명될 것이다. 이하에서의 설명은 실시예들을 구체화하기 위한 것일 뿐, 본 발명에 따른 권리범위를 제한하거나 한정하기 위한 것은 아니다. 본 발명에 관한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 상세한 설명 및 실시예들로부터 용이하게 유추할 수 있는 것은 본 발명에 따른 권리범위에 속하는 것으로 해석되어야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description below is only intended to specify embodiments and is not intended to limit or limit the scope of rights according to the present invention. What a person skilled in the art related to the present invention can easily infer from the detailed description and examples of the invention should be construed as falling within the scope of rights according to the present invention.
본 발명에서 사용되는 용어는 본 발명에 관한 기술 분야에서 널리 사용되는 일반적인 용어로 기재되었으나, 본 발명에서 사용되는 용어의 의미는 해당 분야에 종사하는 기술자의 의도, 새로운 기술의 출현, 심사기준 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 일부 용어는 출원인에 의해 임의로 선정될 수 있고, 이 경우 임의로 선정되는 용어의 의미가 상세하게 설명될 것이다. 본 발명에서 사용되는 용어는 단지 사전적 의미만이 아닌, 명세서의 전반적인 맥락을 반영하는 의미로 해석되어야 한다.The terms used in the present invention are described as general terms widely used in the technical field related to the present invention, but the meaning of the terms used in the present invention is the intention of the technician working in the field, the emergence of new technology, examination standards, or precedents. It may vary depending on etc. Some terms may be arbitrarily selected by the applicant, in which case the meaning of the arbitrarily selected terms will be explained in detail. Terms used in the present invention should be construed not only in their dictionary meaning, but in a meaning that reflects the overall context of the specification.
본 발명에서 사용되는 '구성된다' 또는 '포함한다'와 같은 용어는 명세서에 기재되는 구성 요소들 또는 단계들을 반드시 모두 포함하는 것으로 해석되지 않아야 하며, 일부 구성 요소들 또는 단계들은 포함되지 않는 경우, 및 추가적인 구성 요소들 또는 단계들이 더 포함되는 경우 또한 해당 용어로부터 의도되는 것으로 해석되어야 한다.Terms such as 'consists of' or 'includes' used in the present invention should not necessarily be interpreted as including all of the components or steps described in the specification, and if some components or steps are not included, And if additional components or steps are further included, they should also be interpreted as intended from the corresponding terms.
본 발명에서 사용되는 '제 1' 또는 '제 2'와 같은 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성 요소들 또는 단계들을 설명하기 위해 사용될 수 있으나, 해당 구성 요소들 또는 단계들은 서수에 의해 한정되지 않아야 한다. 서수를 포함하는 용어는 하나의 구성 요소 또는 단계를 다른 구성 요소들 또는 단계들로부터 구별하기 위한 용도로만 해석되어야 한다.Terms containing ordinal numbers such as 'first' or 'second' used in the present invention may be used to describe various components or steps, but the components or steps should not be limited by the ordinal numbers. . Terms containing ordinal numbers should be interpreted only to distinguish one component or step from other components or steps.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들이 상세하게 설명될 것이다. 본 발명에 관한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 널리 알려져 있는 사항들에 대해서는 자세한 설명이 생략된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Detailed descriptions of matters widely known to those skilled in the art related to the present invention will be omitted.
도 1은 OLED 소자의 일부 유기물 층에 축적되는 전하에 의해 전하 이동도가 저하되는 방식을 설명하기 위한 도면이다.Figure 1 is a diagram to explain how charge mobility is reduced by charges accumulated in some organic layers of an OLED device.
도 1을 참조하면, 일부 유기물 층에 축적되는 전하에 의해 전하 이동도가 저하되는 방식을 설명하기 위한 OLED 소자(10)가 도시될 수 있다.Referring to FIG. 1, an OLED device 10 may be shown to illustrate how charge mobility is reduced by charges accumulated in some organic layers.
OLED 소자(10)에서는, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO)로 형성되는 애노드(anode) 및 LiF/Al 캐소드 사이에서 정공(hole)과 전자가 이동하며 발광할 수 있다. 예를 들면, OLED 소자(10)는 적어도 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML) 및 전자수송층(ETL)을 포함할 수 있다.In the OLED device 10, holes and electrons may move between an anode formed of indium tin oxide (ITO) and a LiF/Al cathode to emit light. For example, the OLED device 10 may include at least a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), and an electron transport layer (ETL).
도시된 바와 같이, OLED 소자(10)의 발광층(EML), 또는 기타 다른 유기물 층에 정공이나 전자의 전하 누적이 발생할 수 있다. 이와 같은 전하 누적에 따른 전기장 형성은 정공이나 전자의 이동도(mobility)에 악영향을 줄 수 있어 OLED 발광 성능을 저하시킬 수 있다. 따라서, OLED 성능 개선을 위해서는 OLED 소자(10)의 어떤 유기물 층에 전하가 누적되어 있는지, 즉 소자 내부에서의 전하 거동을 규명하는 것이 요구될 수 있다.As shown, charge accumulation of holes or electrons may occur in the light emitting layer (EML) of the OLED device 10 or other organic material layers. The formation of an electric field due to such charge accumulation can adversely affect the mobility of holes or electrons, thereby reducing OLED light emission performance. Therefore, in order to improve OLED performance, it may be required to determine in which organic layer of the OLED device 10 the charge is accumulated, that is, the charge behavior inside the device.
도 2는 기존에 OLED 소자를 평가하기 위한 예시적인 데이터를 나타내는 도면이다.Figure 2 is a diagram showing exemplary data for evaluating existing OLED devices.
도 2를 참조하면, 4종의 OLED 소자들에 대한 전압(V)-전류밀도(J) 그래프(21), 전압-휘도 그래프(22), 휘도-양자효율 그래프(23) 및 휘도-전력효율 그래프(24)가 도시될 수 있다.Referring to Figure 2, voltage (V) - current density (J) graph (21), voltage - luminance graph (22), luminance - quantum efficiency graph (23), and luminance - power efficiency for four types of OLED devices. Graph 24 may be shown.
전압(V)-전류밀도(J) 그래프(21)에서와 같이, OLED 소자들에 인가되는 전압이 증가하더라도, 전하 이동도 저하에 의해 전류밀도의 증가에는 한계가 있을 수 있다. 전압-휘도 그래프(22)에서와 같이 인가 전압의 증가에 따라 OLED 휘도는 증가할 수 있으나, 휘도-양자효율 그래프(23) 및 휘도-전력효율 그래프(24)에서와 같이 휘도가 증가할수록 OLED 소자의 발광 효율은 낮아질 수 있다. 따라서, OLED 소자의 발광 효율을 개선하기 위해서는 OLED 소자 내부의 전하 거동을 분석하는 것이 요구될 수 있다.As shown in the voltage (V)-current density (J) graph (21), even if the voltage applied to OLED devices increases, there may be a limit to the increase in current density due to lower charge mobility. As shown in the voltage-luminance graph (22), the OLED luminance may increase as the applied voltage increases, but as shown in the luminance-quantum efficiency graph (23) and the luminance-power efficiency graph (24), as luminance increases, the OLED device decreases. The luminous efficiency may be lowered. Therefore, in order to improve the luminous efficiency of the OLED device, it may be required to analyze the charge behavior inside the OLED device.
도 3은 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치가 동작하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.Figure 3 is a diagram for explaining how the machine learning-based charge behavior analysis device inside an organic light-emitting diode (OLED) device operates according to the present invention.
도 3을 참조하면, 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치(200)는 검사 대상 OLED 소자(100)로부터 획득되는 측정값들을 입력받아 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 전하 거동을 나타내는 전하 분포 데이터(300)를 출력할 수 있다.Referring to FIG. 3, the machine learning-based organic light emitting diode (OLED) device internal charge behavior analysis device 200 receives measurement values obtained from the OLED device 100 to be inspected and analyzes the interior of the OLED device 100 to be inspected. Charge distribution data 300 indicating charge behavior can be output.
종래의 전하 거동 분석 방식과는 달리, 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치(200)는 OLED 유기물 층들 각각에 대해 HOD나 EOD를 제작하여 일일이 각 소자를 분석하는 과정을 거치지 않더라도, 검사 대상 OLED 소자(100)의 임피던스 특성 및 머신러닝 모델을 활용하여 소자 내부의 전하 거동을 분석할 수 있다.Unlike conventional charge behavior analysis methods, the machine learning-based organic light-emitting diode (OLED) device internal charge behavior analysis device 200 produces a HOD or EOD for each OLED organic material layer and performs the process of analyzing each device one by one. Even without going through the process, the charge behavior inside the device can be analyzed using the impedance characteristics and machine learning model of the OLED device 100 to be inspected.
도 4는 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치를 구성하는 요소들을 설명하기 위한 도면이다.Figure 4 is a diagram for explaining the elements that constitute the machine learning-based internal charge behavior analysis device of an organic light-emitting diode (OLED) device according to the present invention.
도 4를 참조하면, 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 장치(200)는 측정부(210), 처리부(220) 및 출력부(230)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the machine learning-based organic light emitting diode (OLED) device internal charge behavior analysis device 200 may include a measurement unit 210, a processing unit 220, and an output unit 230.
측정부(210)는 검사 대상 OLED 소자(100)로부터 임피던스를 비롯한 주파수 기반 측정값들을 측정하기 위한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 측정부(210)는 임피던스 측정기를 포함할 수 있다. 처리부(220)는 주파수 기반 측정값들 등과 같은 데이터를 처리하기 위한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 처리부(220)는 범용적인 메모리 및 프로세서를 포함할 수 있다. 출력부(230)는 전하 분포 데이터(300)를 출력하기 위한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 출력부(230)는 디스플레이, 모니터 등을 포함할 수 있다.The measurement unit 210 may have a structure for measuring frequency-based measurement values, including impedance, from the OLED device 100 to be inspected. For example, the measuring unit 210 may include an impedance measuring device. The processing unit 220 may have a structure for processing data such as frequency-based measurement values. For example, the processing unit 220 may include a general-purpose memory and processor. The output unit 230 may have a structure for outputting charge distribution data 300. For example, the output unit 230 may include a display, a monitor, etc.
측정부(210)는 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자(100)에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득하도록 구성될 수 있다.The measurement unit 210 may be configured to obtain frequency-based measurement values by applying an alternating current test voltage to the OLED device 100 to be tested for each of the test voltage intensities and test frequencies.
예를 들면, 10개의 검사 전압 세기들, 즉 10개의 직류 전압들 및 20개의 검사 주파수들에 각각 대해 200개의 교류 검사 전압이 검사 대상 OLED 소자(100)에 인가되어 200개의 주파수 기반 측정값들이 획득될 수 있다. 예를 들면, 주파수 기반 측정값들은 임피던스, 또는 커패시턴스 등과 같은 주파수 기반 측정값을 의미할 수 있다.For example, 200 alternating current test voltages are applied to the OLED device 100 under test for each of 10 test voltage intensities, i.e., 10 direct current voltages and 20 test frequencies, and 200 frequency-based measurement values are obtained. It can be. For example, frequency-based measurements may refer to frequency-based measurements such as impedance or capacitance.
처리부(220)는 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출하도록 구성될 수 있다.The processing unit 220 may be configured to calculate frequency-based derived variable values by performing conversion processing on frequency-based measurement values.
예를 들면, 주파수 기반 측정값들이 임피던스(Z) 측정값들인 경우, 임피던스 측정값들에 대한 변환 처리를 통해 어드미턴스(1/Z), 또는 모듈러스(-iωZ)와 같은 주파수 기반 유도 변수값들이 산출될 수 있다.For example, if the frequency-based measurements are impedance (Z) measurements, conversion processing on the impedance measurements yields frequency-based derived variable values such as admittance (1/Z) or modulus (-iωZ). It can be.
처리부(220)는 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들의 변동에 따른 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성하도록 구성될 수 있다.The processing unit 220 may be configured to generate frequency-based characteristic data indicating changes in frequency-based induced variable values according to changes in test voltage strengths and test frequencies.
예를 들면, 주파수 기반 유도 변수값들이 모듈러스 변수값들이고, 교류 검사 전압이 10개의 검사 전압 세기들 및 20개의 검사 주파수들을 갖는 경우, 200개의 전압 세기-주파수의 경우들 각각에 대해 모듈러스 변수값들이 어떤 값들을 갖는지를 나타내는 주파수 기반 특성 데이터가 생성될 수 있다. 예를 들면, 주파수 기반 특성 데이터는 200개의 모듈러스 변수값들을 2차원 상에 플로팅한 이미지일 수 있다.For example, if the frequency-based derived variable values are modulus variable values and the alternating test voltage has 10 test voltage strengths and 20 test frequencies, the modulus variable values for each of the 200 voltage strength-frequency cases are Frequency-based characteristic data indicating what values it has can be generated. For example, the frequency-based characteristic data may be an image of 200 modulus variable values plotted in two dimensions.
처리부(220)는 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하도록 구성될 수 있다.The processing unit 220 utilizes a machine learning model that is learned to predict the charge density for each position inside the OLED device from frequency-based characteristic data to derive charge distribution data representing the charge density for each position inside the OLED device 100 to be inspected. It can be configured.
머신러닝 모델은 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 미리 학습되는 신경망(neural network) 모델일 수 있다. 미리 학습되어 제공된 머신러닝 모델에 주파수 기반 특성 데이터를 입력하면 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터가 추론될 수 있다. 예를 들면, 주파수 기반 특성 데이터는 2D 이미지 데이터일 수 있고, 머신러닝 모델은 합성곱 신경망(CNN) 모델일 수 있다.The machine learning model may be a neural network model that is learned in advance to predict the charge density for each location inside the OLED device from frequency-based characteristic data. By inputting frequency-based characteristic data into a pre-trained machine learning model, charge distribution data representing the charge density at each internal location of the OLED device 100 to be inspected can be inferred. For example, the frequency-based feature data may be 2D image data, and the machine learning model may be a convolutional neural network (CNN) model.
출력부(230)는 전하 분포 데이터를 출력하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 전하 분포 데이터는 OLED 소자에서 애노드로부터의 거리에 따른 정공 또는 전하의 밀도를 나타내는 그래프일 수 있고, 전하 분포 데이터에 해당하는 거리-전하밀도의 그래프가 출력부(230)를 통해 출력될 수 있다.The output unit 230 may be configured to output charge distribution data. For example, the charge distribution data may be a graph showing the density of holes or charges according to the distance from the anode in the OLED device, and a distance-charge density graph corresponding to the charge distribution data is output through the output unit 230. It can be.
도 5는 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자로부터 측정되는 주파수 기반 측정값들의 종류를 설명하기 위한 도면이다.Figure 5 is a diagram for explaining the types of frequency-based measurement values measured from the OLED device to be inspected according to the present invention.
도 5를 참조하면, 주파수 기반 유도 변수값들의 종류(510) 및 등가 회로를 통해 파악되는 모듈러스 측정값의 정성적 의미를 설명하기 위한 그래프(520)가 도시될 수 있다.Referring to FIG. 5 , a graph 520 may be shown to explain the types of frequency-based induced variable values 510 and the qualitative meaning of the modulus measurement value determined through the equivalent circuit.
주파수 기반 유도 변수값들의 종류(510)에서와 같이, 주파수 기반 측정값은 임피던스(Z) 측정값일 수 있고, 임피던스(Z) 측정값으로부터 유도되는 주파수 기반 유도 변수값은 임피던스(Z) 자체, 어드미턴스(Y; 1/Z), 커패시턴스(C), 모듈러스(M; -iωZ) 및 위상차(φ) 중 어느 하나일 수 있다. 한편, 도시된 바와 같이 임피던스(Z)는 실수부 Re(Z)에 해당하는 Z' 및 허수부 Im(Z)에 해당하는 Z''의 값을 가질 수 있다.As in type 510 of frequency-based derived variable values, the frequency-based measured value may be an impedance (Z) measurement, and the frequency-based derived variable value derived from the impedance (Z) measurement may be the impedance (Z) itself, the admittance It may be any one of (Y; 1/Z), capacitance (C), modulus (M; -iωZ), and phase difference (ϕ). Meanwhile, as shown, the impedance (Z) may have the values of Z' corresponding to the real part Re(Z) and Z'' corresponding to the imaginary part Im(Z).
유도 변수값들의 종류(510) 중 모듈러스(M)와 관련하여, 그래프(520)는 5종의 OLED 소자들의 등가 회로들에 대해 측정된 모듈러스(M)의 허수부(Im(Z))를 주파수 변화에 따라 도시할 수 있다. 측정 결과에 따르면, 전하 이동도를 증가시키기 위해 등가 회로에서 등가 저항(R2)의 값을 낮출수록 그래프(520)에서 x축 우측 고주파수 영역의 모듈러스(M)의 허수부(Im(Z)) 값이 낮아질 수 있으며, 전하 축적을 감소시키기 위해 등가 회로에서 등가 커패시턴스(C2)의 값을 낮출수록 그래프(520)에서 x축 우측 고주파수 영역의 모듈러스(M)의 허수부(Im(Z)) 값이 높아진다는 점이 확인될 수 있다. 이와 같은 모듈러스(M) 값이 갖는 정성적 특성을 활용하면 머신러닝 모델을 활용하여 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 분석하는 것이 가능해질 수 있다.Regarding the modulus (M) among the types of induced variable values 510, the graph 520 shows the imaginary part (Im(Z)) of the measured modulus (M) for the equivalent circuits of five types of OLED devices at the frequency. It can be depicted according to changes. According to the measurement results, in order to increase the charge mobility, the lower the value of the equivalent resistance (R2) in the equivalent circuit, the higher the value of the imaginary part (Im(Z)) of the modulus (M) in the high frequency region on the right side of the x-axis in the graph 520. can be lowered, and as the value of the equivalent capacitance (C2) is lowered in the equivalent circuit to reduce charge accumulation, the value of the imaginary part (Im(Z)) of the modulus (M) in the high frequency region on the right side of the x-axis in the graph 520 increases. It can be confirmed that it is increasing. By utilizing the qualitative characteristics of the modulus (M) value, it may be possible to analyze the charge density at each location inside the OLED device using a machine learning model.
한편, OLED 소자 내부 전하 거동을 분석하기 위해 활용되는 머신러닝 모델은 합성곱 신경망(CNN)의 형태로 구현될 수 있다. 즉, 주파수 기반 특성 데이터는 주파수 기반 유도 변수값들에 기반하는 이미지 데이터일 수 있고, 머신러닝 모델은 이미지 데이터로부터 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 합성곱 신경망(CNN)일 수 있다.Meanwhile, the machine learning model used to analyze the internal charge behavior of OLED devices can be implemented in the form of a convolutional neural network (CNN). That is, the frequency-based characteristic data may be image data based on frequency-based derived variable values, and the machine learning model is a convolutional neural network that is learned to predict the charge density for each internal location of the OLED device 100 to be inspected from the image data. It could be (CNN).
도 6은 본 발명에 따른 주파수 기반 측정값들에 전처리 과정들을 수행하여 머신러닝 모델에 입력되는 데이터를 생성하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.Figure 6 is a diagram illustrating the process of generating data input to a machine learning model by performing preprocessing processes on frequency-based measurement values according to the present invention.
도 6을 참조하면, 주파수 기반 측정값들에 전처리 과정들을 수행하여 머신러닝 모델에 입력되는 데이터를 생성하는 과정들(610, 620, 630, 640)이 도시될 수 있다.Referring to FIG. 6, processes 610, 620, 630, and 640 of generating data input to a machine learning model by performing preprocessing processes on frequency-based measurement values can be shown.
제1 과정(610)에서는, 예를 들면 10개의 검사 전압 세기들(V1, ..., V10) 각각에 대해 20개의 주파수 기반 측정값들이 생성되어, 예를 들면 총 200개의 임피던스(Z) 값들이 측정될 수 있다. 제2 과정(620)에서는, 주파수 및 전압 세기(직류 전압)를 X축 및 Y축으로 하고 임피던스(Z) 값을 Z축 값으로 하는 플로팅이 수행될 수 있다. X축 및 Y축의 변수들은 상호 변경될 수 있으며, Z축의 값은 임피던스(Z)의 실수부(Z') 또는 허수부(Z'')에 관한 값일 수 있다.In the first process 610, 20 frequency-based measurements are generated for each of the 10 test voltage strengths (V1, ..., V10), for example, a total of 200 impedance (Z) values. can be measured. In the second process 620, plotting may be performed with the frequency and voltage intensity (direct current voltage) as the X-axis and Y-axis and the impedance (Z) value as the Z-axis value. Variables on the
제2 과정(620)의 플로팅과 관련하여, 주파수 기반 유도 변수값들의 종류는 임피던스(Z), 어드미턴스(Y; 1/Z), 커패시턴스(C), 모듈러스(M; -iωZ) 및 위상차(φ) 중 어느 하나일 수 있고, 이미지 데이터는 주파수 기반 유도 변수값들의 크기를 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들에 대해 플로팅한 2D 플로팅 이미지일 수 있다.In relation to the plotting of the second process 620, the types of frequency-based induced variable values include impedance (Z), admittance (Y; 1/Z), capacitance (C), modulus (M; -iωZ), and phase difference (ϕ ), and the image data may be a 2D floating image in which the magnitudes of frequency-based induced variable values are plotted against inspection voltage strengths and inspection frequencies.
또한, 제2 과정(620)의 플로팅과 관련하여, 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기는 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 절대값(Abs), 실수부(Re) 및 허수부(Im) 중 어느 하나일 수 있고, 2D 플로팅 이미지의 X축은 검사 전압 세기 및 검사 주파수 중 어느 하나일 수 있고, Y축은 검사 전압 세기 및 검사 주파수 중 다른 하나일 수 있고, 플로팅 값 Z축은 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기일 수 있다.In addition, in relation to the plotting of the second process 620, the magnitude of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M) is the absolute value of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M) (Abs), real part (Re), and imaginary part (Im), the It may be another one, and the floating value Z-axis may be the magnitude of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M).
제3 과정(630)에서는 주파수 기반 측정값이 주파수 기반 유도 변수값으로, 예를 들면 임피던스(Z) 값이 모듈러스(M) 값으로 변환될 수 있다. 한편, 제2 과정(620) 및 제3 과정(630)이 수행되는 순서는 서로 변경될 수 있다. 제4 과정(640)에서는 주파수 기반 유도 변수값들을 수치에 따른 흑백 음영으로 전환하여 그레이스케일 이미지가 생성될 수 있다.In the third process 630, a frequency-based measurement value may be converted into a frequency-based derived variable value, for example, an impedance (Z) value may be converted into a modulus (M) value. Meanwhile, the order in which the second process 620 and the third process 630 are performed may be changed. In the fourth process 640, a grayscale image can be generated by converting frequency-based derived variable values into black and white shades according to numerical values.
제4 과정(640)의 그레이스케일 이미지와 관련하여, 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기는 모듈러스(M)의 허수부(Im(M))일 수 있고, 2D 플로팅 이미지는 모듈러스(M)의 허수부(Im(M))의 크기를 백색으로부터 흑색까지 점진적으로 표현하는 2D 그레이스케일 모듈러스 플로팅 이미지일 수 있다.Regarding the grayscale image of the fourth process 640, the size of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M) may be the imaginary part (Im(M)) of the modulus (M), and the 2D The floating image may be a 2D grayscale modulus plotting image that gradually expresses the size of the imaginary part (Im(M)) of the modulus (M) from white to black.
도 7은 본 발명에 따른 주파수 기반 측정값들 및 그에 대응하여 생성되는 주파수 기반 특성 데이터의 예시들을 설명하기 위한 도면이다.Figure 7 is a diagram for explaining examples of frequency-based measurement values and frequency-based characteristic data generated correspondingly according to the present invention.
도 7을 참조하면, 예시로서 주파수 기반 측정값들(711, 712) 및 그에 대응하여 생성되는 주파수 기반 특성 데이터(712, 722)의 도시될 수 있다.Referring to FIG. 7 , frequency-based measurement values 711 and 712 and frequency-based characteristic data 712 and 722 generated corresponding thereto may be shown as an example.
주파수 기반 측정값들(711)은 10개의 검사 전압 세기들 및 20개의 검사 주파수들에 대해 제1 OLED 소자로부터 측정된 200개의 측정값들일 수 있고, 주파수 기반 측정값들(721)은 10개의 검사 전압 세기들 및 20개의 검사 주파수들에 대해 제2 OLED 소자로부터 측정된 200개의 측정값들일 수 있다.Frequency-based measurements 711 may be 200 measurements measured from the first OLED device for 10 test voltage strengths and 20 test frequencies, and frequency-based measurements 721 may be 200 measurements taken from the first OLED device for 10 test voltage strengths and 20 test frequencies. There may be 200 measurements taken from the second OLED device for voltage strengths and 20 test frequencies.
주파수 기반 측정값들(711)의 200개의 측정값들은 주파수 기반 특성 데이터(712)와 같이 플로팅되어 그레이스케일 이미지로 변환될 수 있고, 주파수 기반 측정값들(721)의 200개의 측정값들은 주파수 기반 특성 데이터(722)와 같이 플로팅되어 그레이스케일 이미지로 변환될 수 있다. 이와 같이 생성된 주파수 기반 특성 데이터(712, 722)는 머신러닝 모델에 의해 처리되어, 그로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터가 도출될 수 있다.The 200 measurements of frequency-based measurements 711 can be plotted together with the frequency-based characteristic data 712 and converted to a grayscale image, and the 200 measurements of frequency-based measurements 721 can be converted to a grayscale image. It can be plotted like the characteristic data 722 and converted to a grayscale image. The frequency-based characteristic data 712 and 722 generated in this way can be processed by a machine learning model, and charge distribution data representing the charge density for each location inside the OLED device can be derived therefrom.
도 8은 본 발명에 따른 합성곱 신경망(CNN)의 형태로 구현되는 머신러닝 모델을 설명하기 위한 도면이다.Figure 8 is a diagram for explaining a machine learning model implemented in the form of a convolutional neural network (CNN) according to the present invention.
도 8을 참조하면, 머신러닝 모델의 종류로서 합성곱 신경망(CNN) 및 전연결 신경망(FC-DNN)의 모델 구조(a) 및 예측 성능(b, c)이 도시될 수 있다.Referring to FIG. 8, the model structure (a) and prediction performance (b, c) of convolutional neural network (CNN) and fully connected neural network (FC-DNN) as types of machine learning models can be shown.
도 8의 (a)에서와 같이, 전연결 신경망(FC-DNN)의 구조와는 달리, 합성곱 신경망(CNN)은 복수의 컨볼루셔널 레이어들 및 풀링 레이어들을 포함할 수 있다. 따라서, 합성곱 신경망(CNN)은 주파수 기반 특성 데이터(2D 플로팅 이미지 또는 2D 그레이스케일 모듈러스 플로팅 이미지)로부터 피쳐들을 추출할 수 있고, 이를 기반으로 학습 목적에 따른 추론, 이 경우 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하는 동작을 수행할 수 있다.As shown in (a) of FIG. 8, unlike the structure of a fully connected neural network (FC-DNN), a convolutional neural network (CNN) may include a plurality of convolutional layers and pooling layers. Therefore, the convolutional neural network (CNN) can extract features from frequency-based characteristic data (2D floating image or 2D grayscale modulus floating image), and based on this, make inferences for learning purposes, in this case the OLED device to be inspected (100 ) can be performed to derive charge distribution data representing the charge density for each internal location.
도 8의 (b), (c)에서와 같이, 합성곱 신경망(CNN)은 기존의 전연결 신경망(FC-DNN) 대비 높은 성능을 보일 수 있다. (b)에서와 같이 모델이 예측한 결과값과 실제값의 연관성을 나타내는 연관 계수(Pearson correlation coefficient)가 합성곱 신경망(CNN)에서 더 높다는 점이 확인될 수 있고, (c)에서와 같이 모델의 오차를 나타내는 RMS 오차가 합성곱 신경망(CNN)에서 더 낮다는 점이 확인될 수 있다.As shown in Figures 8 (b) and (c), a convolutional neural network (CNN) can show higher performance than a conventional fully connected neural network (FC-DNN). As in (b), it can be confirmed that the correlation coefficient (Pearson correlation coefficient), which indicates the correlation between the result value predicted by the model and the actual value, is higher in the convolutional neural network (CNN), and as in (c), the correlation coefficient of the model is higher. It can be seen that the RMS error, which represents the error, is lower in convolutional neural networks (CNNs).
도 9는 본 발명에 따른 합성곱 신경망(CNN)의 형태로 구현되는 머신러닝 모델의 성능과 종래 모델의 성능을 비교하기 위한 도면이다.Figure 9 is a diagram for comparing the performance of a machine learning model implemented in the form of a convolutional neural network (CNN) according to the present invention and the performance of a conventional model.
도 9를 참조하면, 합성곱 신경망(CNN) 및 전연결 신경망(FC-DNN)의 머신러닝 모델 성능을 비교하기 위한 그래프들(910, 920)이 도시될 수 있다.Referring to FIG. 9, graphs 910 and 920 may be shown for comparing machine learning model performance of a convolutional neural network (CNN) and a fully connected neural network (FC-DNN).
그래프들(910, 920)은 모두 가로축에서 실제 측정값을 나타낼 수 있고, 세로축에서 머신러닝 모델의 예측값을 나타낼 수 있다. 따라서, 측정값과 예측값이 동일할수록, 즉 y=x의 그래프에 보다 잘 피팅될수록 고성능의 모델이라는 점이 확인될 수 있다. 그래프들(910, 920)의 박스 부분들을 보면, 그래프들(910)의 CNN 모델의 경우에서 그래프들(920)의 DNN 모델보다 더 y=x의 그래프에 잘 피팅되어 있음이 확인될 수 있으므로, CNN 모델이 DNN 모델보다 더 높은 예측 성능을 갖는다는 점이 확인될 수 있다.The graphs 910 and 920 may represent actual measured values on the horizontal axis and the predicted values of the machine learning model on the vertical axis. Therefore, it can be confirmed that the more the measured value and the predicted value are the same, that is, the better the fit to the y=x graph, the more high-performance the model is. Looking at the box portions of the graphs 910 and 920, it can be seen that the CNN model of the graphs 910 fits the graph of y=x better than the DNN model of the graphs 920, It can be confirmed that the CNN model has higher prediction performance than the DNN model.
도 10은 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자의 구현 예시들 및 이들에 대한 평가 데이터를 나타내는 도면이다.Figure 10 is a diagram showing implementation examples of OLED devices to be inspected according to the present invention and evaluation data for them.
도 10을 참조하면, 예시적인 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a) 및 이들에 대한 평가 데이터(b, c, d)가 도시될 수 있다.Referring to FIG. 10, three exemplary types of OLED devices to be inspected (a) and evaluation data (b, c, d) for them can be shown.
도시된 바와 같이, 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a)은 ITO 애노드 및 LiF/Al 캐소드 사이에 배치되는 복수의 유기물 층들로 구성될 수 있다. 예를 들면, 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a)은 BCFA 층, NPB 층, NPB:POT2T:Ir dopant 층, POT2T 층 및 TPBi/ZADN 층을 포함할 수 있고, 3종의 소자들(Device 1, 2, 3)마다 조성비율이나 TPBi/ZADN의 종류에 일부 차이를 가질 수 있다.As shown, the three types of OLED devices to be inspected (a) may be composed of a plurality of organic layers disposed between an ITO anode and a LiF/Al cathode. For example, the three types of OLED devices to be inspected (a) may include a BCFA layer, an NPB layer, an NPB:POT2T:Ir dopant layer, a POT2T layer, and a TPBi/ZADN layer, and the three types of devices (Device 1, 2, and 3), there may be some differences in composition ratio or type of TPBi/ZADN.
평가 데이터(b, c, d)는 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a)에 대한 전압(V)-전류밀도(J) 그래프 및 전압-휘도 그래프(b), 휘도-양자효율 그래프 및 및 휘도-전력효율 그래프(c), 및 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a)의 전력 효율과 동작 전압(d)을 나타낼 수 있다. 특히, 평가 데이터(b, c)는 도 2에서 동일하게 언급한 일반적인 OLED 소자의 평가 데이터를 의미할 수 있다. 3종의 검사 대상 OLED 소자들(a)에 대해서는 후술할 바와 같이 머신러닝 모델을 활용하여 내부 위치별 전하 밀도가 분석될 수 있다.The evaluation data (b, c, d) is a voltage (V)-current density (J) graph, voltage-luminance graph (b), luminance-quantum efficiency graph, and A luminance-power efficiency graph (c) and the power efficiency and operating voltage (d) of three types of OLED devices to be inspected (a) can be shown. In particular, the evaluation data (b, c) may refer to the evaluation data of the general OLED device equally mentioned in FIG. 2. For the three types of OLED devices (a) subject to inspection, the charge density at each internal location can be analyzed using a machine learning model, as will be described later.
도 11은 본 발명에 따른 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 설명하기 위한 도면이다.Figure 11 is a diagram for explaining charge distribution data showing the charge density at each internal location of the OLED device to be inspected according to the present invention.
도 11을 참조하면, 도 10에서 전술한 3종의 검사 대상 OLED 소자들(Device 1, 2, 3)에 대한 핑거프린트 이미지(전하 분포 데이터; 2D 플로팅 이미지; 2D 그레이스케일 모듈러스 플로팅 이미지; 1111, 1121, 1131)가 도시될 수 있고, 핑거프린트 이미지(1111, 1121, 1131)에 대해 머신러닝 모델을 통해 예측된 전하 분포 데이터(1112, 1122, 1132)가 도시될 수 있다.Referring to FIG. 11, fingerprint images (charge distribution data; 2D floating image; 2D grayscale modulus plotting image; 1111, 1121 and 1131) may be shown, and charge distribution data 1112, 1122 and 1132 predicted through a machine learning model for the fingerprint images 1111, 1121 and 1131 may be shown.
핑거프린트 이미지(1111, 1121, 1131)에서 도시된 바와 같이, 3종의 검사 대상 OLED 소자들(Device 1, 2, 3)이 일부 차이나는 구조로 형성됨에 따라, 핑거프린트 이미지(1111, 1121, 1131)도 서로 다른 형태를 갖게 될 수 있다.As shown in the fingerprint images (1111, 1121, and 1131), the three types of OLED devices (Devices 1, 2, and 3) to be inspected are formed with some different structures, and the fingerprint images (1111, 1121, and 1131) are formed in different structures. 1131) can also take different forms.
전하 분포 데이터(1112, 1122, 1132)는 3종의 검사 대상 OLED 소자들(Device 1, 2, 3)의 내부 전하 거동, 즉 소자 내부 위치별 전하 밀도를 나타낼 수 있다. 도시된 바와 같이, 전하 분포 데이터(1112, 1122, 1132)는 좌측부터 적색으로 표시된 정공(hole) 및 우측부터 청색으로 표시된 전자에 대해 소자 내부 위치별, 즉 애노드로부터의 거리별 전하 밀도를 나타낼 수 있다. 전하 분포 데이터(1112, 1122, 1132)에 따르면 EML 층에서 정공 및 전자의 밀도가 높게 나타나므로 EML 층에서 전하 축적이 있음을 암시할 수 있는데, 이는 도 1에서 살폈던 전하 축적 구조를 반영하는 것으로 해석될 수 있다.The charge distribution data 1112, 1122, and 1132 can represent the internal charge behavior of the three types of OLED devices to be inspected (Device 1, 2, and 3), that is, the charge density at each location inside the device. As shown, the charge distribution data 1112, 1122, and 1132 can represent the charge density by location inside the device, that is, by distance from the anode, for holes shown in red from the left and electrons shown in blue from the right. there is. According to the charge distribution data (1112, 1122, 1132), the density of holes and electrons is high in the EML layer, which suggests that there is charge accumulation in the EML layer, which is interpreted to reflect the charge accumulation structure observed in Figure 1. It can be.
즉, 별도의 유기물 층별 HOD/EOD와 같은 별도의 소자들을 일일이 제작하고 이에 대한 분석을 하지 않더라도, 머신러닝 모델을 활용하여 핑거프린트 이미지(1111, 1121, 1131)로부터 전하 분포 데이터(1112, 1122, 1132)가 예측될 수 있으므로, 검사 대상 OLED 소자(100)의 어떤 위치에 전하가 축적되어 높은 전하 밀도를 갖는지가 비용 및 시간 측면에서 효율적으로 분석될 수 있다.In other words, even if separate devices such as HOD/EOD for each organic material layer are not manufactured and analyzed one by one, charge distribution data (1112, 1122, 1132) can be predicted, so it can be efficiently analyzed in terms of cost and time to determine where charges are accumulated in the OLED device 100 to be inspected and have a high charge density.
도 12는 본 발명에 따른 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 방법을 구성하는 단계들을 설명하기 위한 도면이다.Figure 12 is a diagram for explaining the steps of configuring the method of analyzing charge behavior inside a machine learning-based organic light-emitting diode (OLED) device according to the present invention.
도 12를 참조하면, 머신러닝 기반의 유기 발광 다이오드(OLED) 소자 내부 전하 거동 분석 방법(1200)은 단계(1210) 내지 단계(1250)을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니고, 다른 범용적인 단계들이 방법(1200)에 더 포함될 수 있다.Referring to FIG. 12, a machine learning-based method 1200 for analyzing internal charge behavior of an organic light emitting diode (OLED) device may include steps 1210 to 1250. However, it is not limited to this, and other general-purpose steps may be further included in the method 1200.
방법(1200)은 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치(200)에서 시계열적으로 처리되는 단계들로 구성될 수 있다. 따라서, 이하에서 생략되는 내용이라 할지라도 장치(200)에 대해 이상에서 설명되는 내용은 방법(1200)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.The method 1200 may consist of steps processed in time series in the machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device 200. Therefore, even if the content is omitted below, the content described above for the device 200 can be equally applied to the method 1200.
단계(1210)에서, 장치(200)는, 측정부(210)를 통해, 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자(100)에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득할 수 있다.In step 1210, the device 200 applies an alternating current test voltage to the OLED device 100 to be tested for each of the test voltage strengths and test frequencies through the measurement unit 210 to produce frequency-based measurement values. It can be obtained.
단계(1220)에서, 장치(200)는, 처리부(220)를 통해, 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출할 수 있다.In step 1220, the device 200, through the processing unit 220, may perform conversion processing on the frequency-based measurement values to calculate frequency-based derived variable values.
단계(1230)에서, 장치(200)는, 처리부(220)를 통해, 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들의 변동에 따른 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성할 수 있다.In step 1230, the device 200, through the processor 220, may generate frequency-based characteristic data indicating changes in frequency-based induced variable values according to changes in test voltage strengths and test frequencies.
단계(1240)에서, 장치(200)는, 처리부(220)를 통해, 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 검사 대상 OLED 소자(100)의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출할 수 있다.In step 1240, the device 200, through the processing unit 220, uses a machine learning model that is learned to predict the charge density for each location inside the OLED device from frequency-based characteristic data to inspect the OLED device 100. Charge distribution data representing the charge density for each internal location can be derived.
단계(1250)에서, 장치(200)는, 출력부(230)를 통해, 전하 분포 데이터를 출력할 수 있다.In step 1250, the device 200 may output charge distribution data through the output unit 230.
한편, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 방법(1200)은, 그 방법을 실행하는 명령어들을 포함하는 적어도 하나의 프로그램 또는 소프트웨어가 기록되는 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록될 수 있다.Meanwhile, the machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis method 1200 may be recorded on a computer-readable recording medium in which at least one program or software including instructions for executing the method is recorded.
컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함될 수 있다. 프로그램 명령어의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드가 포함될 수 있다.Examples of computer-readable recording media include magnetic media such as hard disks, floppy disks, and magnetic tapes, optical media such as CD-ROMs and DVDs, and floptical disks. Magneto-optical media and hardware devices specifically configured to store and perform program instructions, such as ROM, RAM, flash memory, etc. may be included. Examples of program instructions may include machine language code, such as that created by a compiler, as well as high-level language code that can be executed by a computer using an interpreter, etc.
이상에서 본 발명의 실시예들이 상세하게 설명되었으나 본 발명에 따른 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니고, 다음의 청구범위에 기재되어 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명에 따른 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of rights according to the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention described in the following claims can also be made according to the present invention. It should be construed as being included in the scope of rights pursuant to.
100: 검사 대상 OLED 소자
200: OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치
210: 측정부
220: 처리부
230: 출력부
300: 전하 분포 데이터100: OLED device to be inspected
200: OLED device internal charge behavior analysis device
210: measuring unit
220: processing unit
230: output unit
300: Charge distribution data
Claims (6)
검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득하도록 구성되는 측정부;
상기 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출하고,
상기 검사 전압 세기들 및 상기 검사 주파수들의 변동에 따른 상기 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성하고, 그리고
상기 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 상기 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하도록 구성되는 처리부; 및
상기 전하 분포 데이터를 출력하도록 구성되는 출력부; 를 포함하는, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치.In a machine learning-based device for analyzing the internal charge behavior of an organic light-emitting diode (OLED) device,
A measuring unit configured to obtain frequency-based measurement values by applying an alternating current test voltage to the OLED device to be tested for each of the test voltage strengths and test frequencies;
Perform conversion processing on the frequency-based measured values to calculate frequency-based derived variable values,
Generating frequency-based characteristic data representing changes in the frequency-based derived variable values according to changes in the test voltage strengths and test frequencies, and
A processing unit configured to derive charge distribution data representing the charge density at each internal location of the OLED device to be inspected by utilizing a machine learning model that is learned to predict the charge density at each location inside the OLED device from the frequency-based characteristic data; and
an output unit configured to output the charge distribution data; A machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device including.
상기 주파수 기반 특성 데이터는 상기 주파수 기반 유도 변수값들에 기반하는 이미지 데이터이고,
상기 머신러닝 모델은 상기 이미지 데이터로부터 상기 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 합성곱 신경망(CNN)인, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치.According to paragraph 1,
The frequency-based characteristic data is image data based on the frequency-based derived variable values,
The machine learning model is a convolutional neural network (CNN) that is learned to predict the charge density for each internal location of the OLED device to be inspected from the image data. A machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device.
상기 주파수 기반 유도 변수값들의 종류는 임피던스(Z), 어드미턴스(Y; 1/Z), 커패시턴스(C), 모듈러스(M; -iωZ) 및 위상차(φ) 중 어느 하나이고,
상기 이미지 데이터는 상기 주파수 기반 유도 변수값들의 크기를 상기 검사 전압 세기들 및 상기 검사 주파수들에 대해 플로팅한 2D 플로팅 이미지인, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치.According to paragraph 2,
The types of frequency-based induced variable values are one of impedance (Z), admittance (Y; 1/Z), capacitance (C), modulus (M; -iωZ), and phase difference (ϕ),
The image data is a 2D floating image in which the magnitude of the frequency-based induced variable values is plotted against the inspection voltage intensities and the inspection frequencies. A machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device.
상기 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기는 상기 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 절대값(Abs), 실수부(Re) 및 허수부(Im) 중 어느 하나이고,
상기 2D 플로팅 이미지의 X축은 검사 전압 세기 및 검사 주파수 중 어느 하나이고, Y축은 검사 전압 세기 및 검사 주파수 중 다른 하나이고, 플로팅 값 Z축은 상기 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기인, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치.According to paragraph 3,
The magnitude of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M) is the absolute value (Abs), real part (Re), and imaginary part of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M). (Im) is any one of
The X-axis of the 2D floating image is one of the inspection voltage intensity and the inspection frequency, the Y-axis is the other one of the inspection voltage intensity and the inspection frequency, and the floating value Z-axis is the frequency-based induced variable values (Z, Y, C, M ), a machine learning-based device for analyzing the internal charge behavior of OLED devices.
상기 주파수 기반 유도 변수값들(Z, Y, C, M)의 크기는 모듈러스(M)의 허수부(Im(M))이고,
상기 2D 플로팅 이미지는 모듈러스(M)의 허수부(Im(M))의 크기를 백색으로부터 흑색까지 점진적으로 표현하는 2D 그레이스케일 모듈러스 플로팅 이미지인, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 장치.According to paragraph 4,
The magnitude of the frequency-based derived variable values (Z, Y, C, M) is the imaginary part (Im(M)) of the modulus (M),
The 2D floating image is a 2D grayscale modulus plotting image that gradually expresses the size of the imaginary part (Im(M)) of the modulus (M) from white to black. A machine learning-based OLED device internal charge behavior analysis device.
측정부를 통해, 검사 전압 세기들 및 검사 주파수들 각각에 대해 교류 검사 전압을 검사 대상 OLED 소자에 인가하여 주파수 기반 측정값들을 획득하는 단계;
처리부를 통해, 상기 주파수 기반 측정값들에 대한 변환 처리를 수행하여 주파수 기반 유도 변수값들을 산출하는 단계;
상기 처리부를 통해, 상기 검사 전압 세기들 및 상기 검사 주파수들의 변동에 따른 상기 주파수 기반 유도 변수값들의 변동을 나타내는 주파수 기반 특성 데이터를 생성하는 단계;
상기 처리부를 통해, 상기 주파수 기반 특성 데이터로부터 OLED 소자 내부의 위치별 전하 밀도를 예측하도록 학습되는 머신러닝 모델을 활용하여 상기 검사 대상 OLED 소자의 내부 위치별 전하 밀도를 나타내는 전하 분포 데이터를 도출하는 단계; 및
출력부를 통해, 상기 전하 분포 데이터를 출력하는 단계; 를 포함하는, 머신러닝 기반의 OLED 소자 내부 전하 거동 분석 방법.In a machine learning-based method for analyzing the internal charge behavior of an organic light-emitting diode (OLED) device,
Obtaining frequency-based measurement values by applying an alternating current test voltage to the OLED device to be tested for each of the test voltage intensities and test frequencies through a measurement unit;
Calculating frequency-based derived variable values by performing conversion processing on the frequency-based measured values through a processing unit;
generating, through the processing unit, frequency-based characteristic data representing changes in the frequency-based derived variable values according to changes in the test voltage intensities and the test frequencies;
Deriving charge distribution data representing the charge density at each internal location of the OLED device to be inspected using a machine learning model that is learned to predict the charge density at each location inside the OLED device from the frequency-based characteristic data through the processing unit. ; and
outputting the charge distribution data through an output unit; A method of analyzing charge behavior inside an OLED device based on machine learning, including.
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