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KR20220158890A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20220158890A
KR20220158890A KR1020210066095A KR20210066095A KR20220158890A KR 20220158890 A KR20220158890 A KR 20220158890A KR 1020210066095 A KR1020210066095 A KR 1020210066095A KR 20210066095 A KR20210066095 A KR 20210066095A KR 20220158890 A KR20220158890 A KR 20220158890A
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KR
South Korea
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filling
filling layer
folding area
display device
base member
Prior art date
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KR1020210066095A
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김영도
오현석
이강우
김성훈
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to US17/668,505 priority patent/US20220376192A1/en
Priority to CN202210136435.3A priority patent/CN115394184A/zh
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Abstract

표시 장치는 제1 비폴딩 영역, 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 제1 비폴딩 영역과 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널, 표시 패널 상에 배치되고, 폴딩 영역과 대응되는 영역에서 제1 방향으로 이격되고, 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 포함하는 베이스 부재 및 패턴 영역을 채우며 배치되고, 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함하는 제1 충진층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 형태가 변형 가능한 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
최근, 표시 장치는 플렉서블한 특성을 갖도록 제작되고 있다. 이에 따라, 표시 장치는 벤딩되거나, 폴딩될 수 있다. 이러한 플렉서블 표시 장치는 휴대가 용이하고, 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있다.
다만, 플렉서블 표시 장치가 반복적으로 벤딩되는 경우, 벤딩 영역의 내구성이 취약해질 수 있다. 또한, 플렉서블 표시 장치가 반복적으로 폴딩되는 경우, 폴딩 영역의 내구성이 취약해질 수 있다.
본 발명의 일 목적은 폴딩 가능한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 폴딩 가능한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 제1 비폴딩 영역, 상기 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 상기 제1 비폴딩 영역과 상기 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널 상에 배치되고, 상기 폴딩 영역과 대응되는 영역에서 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 포함하는 베이스 부재, 및 상기 패턴 영역을 채우며 배치되고, 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함하는 제1 충진층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층은 상기 패턴 영역을 채우고, 상기 패턴 영역과 중첩하면서 상기 베이스 부재 상에도 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층은 상기 제1 비폴딩 영역, 상기 폴딩 영역 및 상기 제2 비폴딩 영역과 중첩하도록 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층 상에 배치되는 제2 충진층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 충진층은 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재는 글래스 또는 고분자를 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 베이스 부재 상에서 제1 흡입 부재를 통해 상기 베이스 부재 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계, 상기 제1 흡입 부재가 상기 기체를 흡입한 후에, 슬롯 다이를 이용하여 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포하는 단계 및 상기 베이스 부재를 제1 비폴딩 영역, 상기 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 상기 제1 비폴딩 영역과 상기 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널 상에 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재의 상기 패턴 영역은 상기 표시 패널의 상기 폴딩 영역과 중첩하도록 부착될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 흡입 부재가 상기 기체를 흡입하기 전에, 상기 베이스 부재 상에 플라즈마 처리를 하여 상기 베이스 부재의 표면 에너지를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포한 후에, 상기 충진 물질을 경화하여 제1 충진층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층을 형성한 후에, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하는 단계 및 상기 제1 충진층 상에 도포된 상기 충진 물질을 경화하여 제2 충진층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하기 전에, 제2 흡입 부재가 상기 제1 충진층 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포하면서, 상기 충진 물질을 경화하여 제1 충진층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층을 형성한 후에, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하는 단계 및 상기 제1 충진층 상에 도포된 상기 충진 물질을 경화하여 제2 충진층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하기 전에, 제2 흡입 부재가 상기 제1 충진층 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포한 후에, 상기 충진 물질 상에 이형 필름을 부착하는 단계 및 상기 이형 필름에 압력을 가하여 상기 충진 물질을 평탄화 시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질을 경화하여 충진층을 형성하는 단계 및 상기 이형 필름을 상기 충진층에서 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질을 가경화하는 단계, 상기 이형 필름을 상기 충진 물질로부터 분리하는 단계 및 상기 충진 물질을 경화하여 충진층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 충진 물질은 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 베이스 부재는 글래스 또는 고분자를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 포함하는 베이스 부재 상에서 제1 흡입 부재를 통해 상기 베이스 부재 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계, 상기 제1 흡입 부재가 상기 기체를 흡입한 후에, 슬롯 다이를 이용하여 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포하는 단계 및 상기 베이스 부재를 제1 비폴딩 영역, 상기 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 상기 제1 비폴딩 영역과 상기 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널 상에 부착하는 단계를 포함할 수 있다.
이에 따라, 상기 표시 장치의 제조 방법에 따른 표시 장치는 상기 충진 물질에 의해 형성되는 충진층과 상기 복수의 오목부들 사이에 빈 공간(void)이 발생하지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴더블 표시 장치가 펼쳐진 상태를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치가 접힌 상태의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재와 표시 패널의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재의 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 7 내지 도 11은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재를 제조 하는 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 12는 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 13은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 14는 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 15 및 16 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 17은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 19는 도 18의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 20은 도 19의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 2는 도 1의 표시 장치가 접힌 상태의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치는 표시 패널(DP) 및 커버 부재(CE)를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 구동 소자층, 발광층, 박막 봉지층, 감지층, 점착층 등을 포함할 수 있다. 발광층은 광을 방출하기 위한 발광 소자를 포함하고, 구동 소자층은 발광 소자를 구동하기 위한 구동 소자들을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자 및 상기 구동 소자는 외부의 충격이나 이물에 의해 쉽게 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 커버 부재(CE)는 표시 패널(DP)의 상부에 배치되어, 표시 패널(DP)을 외부의 충격이나 이물로부터 보호할 수 있다. 표시 패널(DP)에서 방출되는 광은 커버 부재(CE)를 통과하여 외부에서 시인될 수 있다.
이를 위해, 커버 부재(CE)는 글래스와 같은 투명한 재질의 물질로 이루어질 수 있다. 커버 부재(CE)는 베이스 부재와 베이스 부재 상에 배치되는 충진층을 포함할 수 있다. 상기 베이스 부재는 초박막 강화 유리(ultra-thin glass)를 포함할 수 있다. 또는, 상기 베이스 부재는 투과성을 갖는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 베이스 부재로 사용될 수 있는 고분자 물질의 예로는, 투명 폴리이미드(colorless polyimide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리에테르술폰(PS), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
표시 장치는 제1 비폴딩 영역(NFA1), 폴딩 영역(FA) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)을 포함할 수 있다. 폴딩 영역(FA)은 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 연결될 수 있고, 제2 비폴딩 영역(NFA2)은 폴딩 영역(FA)에 의해 제1 비폴딩 영역(NFA1)과 이격될 수 있다.
표시 장치는 폴딩 영역(FA)을 기준으로 폴딩 또는 언폴딩 될 수 있다. 예를 들어, 폴딩 영역(FA)을 기준으로 표시 장치가 폴딩되어, 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)이 서로 마주볼 수 있다. 또한, 표시 장치는 폴딩 영역(FA)을 기준으로 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치는 제1 비폴딩 영역(NFA1) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)이 서로 소정의 각도를 갖도록 벤딩될 수 있다.
도 3은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재와 표시 패널의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 광(L)을 방출할 수 있다. 광(L)은 커버 부재(CE)를 통과하여 외부로 방출될 수 있다. 커버 부재(CE)는 표시 패널(DP)을 보호하기 위해, 표시 패널(DP) 상에 부착될 수 있다.
표시 패널(DP)은 제1 비폴딩 영역(NFA1), 폴딩 영역(FA) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2)을 포함할 수 있다. 커버 부재(CE)는 베이스 부재(BE) 및 충진층(FM)을 포함할 수 있다. 베이스 부재(BE)는 복수의 오목부들(CP)을 포함하는 패턴 영역(PA)을 포함할 수 있다. 패턴 영역(PA)은 폴딩 영역(FA)과 중첩할 수 있다.
즉, 패턴 영역(PA)은 표시 패널(DP)이 폴딩되거나 언폴딩 될 때, 함께 폴딩되거나 언폴딩될 수 있다. 베이스 부재(BE)는 패턴 영역(PA)에서 복수의 오목부들(CP)을 포함함으로써, 내충격 특성과 폴딩 특성을 향상시킬 수 있다.
복수의 오목부들(CP)에는 충진 물질이 채워질 수 있다. 상기 충진 물질은 복수의 오목부들(CP)을 채운 후 경화되어 충진층(FM)을 형성할 수 있다. 상기 충진 물질은 연신률이 높으면서, 베이스 부재(BE)와 비슷한 굴절률을 갖는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진 물질의 굴절률과 베이스 부재(BE)의 굴절률의 차이는 약 0.01 이하일 수 있다.
베이스 부재(BE)의 구성으로는 유리가 사용될 수 있다. 이 때, 상기 충진 물질로는 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘레진 등이 사용될 수 있다. 또는, 상기 충진 물질은 굴절률을 높여주는 물질과 함께 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진 물질의 굴절률이 유리보다 낮을 수 있다. 이 때, 충진층(FM)의 굴절률을 높이기 위해 굴절률이 높은 유기물 또는 굴절률이 높은 금속이 사용될 수 있다. 상기 유기물의 예로는 방향족 모노머 등을 들 수 있다. 상기 금속의 예로는 지르코늄 옥사니드, 티타늄 옥사니드 등을 들 수 있다. 이를 통해, 충진층(FM)의 굴절률과 베이스 부재(BE)의 굴절률 차이를 줄일 수 있다.
도 4 내지 도 6은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 커버 부재(CE)는 베이스 부재(BE) 및 충진층(FM)을 포함할 수 있다. 충진층(FM)은 복수의 오목부들(CP)만을 채우며 배치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 충진층(FM)은 복수의 오목부들(CP)을 채우고, 복수의 오목부들(CP) 상에도 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 충진층(FM)은 복수의 오목부들(CP)을 채우고, 베이스 부재(BE) 상에서 제1 비폴딩 영역(NFA1), 폴딩 영역(FA) 및 제2 비폴딩 영역(NFA)과 중첩하도록 배치될 수도 있다.
도 7 내지 도 11은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재를 제조 하는 일 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 캐리어 필름(CF)과 패턴화된 베이스 부재(BE)가 결합될 수 있다. 캐리어 필름(CF)은 베이스 부재(BE)가 가공되는 과정에서 베이스 부재(BE)의 운반을 용이하게 하고, 베이스 부재(BE)를 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다. 캐리어 필름(CF)은 추후에 베이스 부재(BE)로부터 분리될 수 있다.
도 9를 참조하면, 플라즈마 발생 장치(PM)를 이용하여, 베이스 부재(BE)에 플라즈마 처리가 진행될 수 있다. 플라즈마 처리가 진행될 경우, 베이스 부재(BE)가 세정될 수 있다. 또한, 플라즈마 처리가 진행될 경우, 베이스 부재(BE)의 표면 에너지가 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 충진 물질이 복수의 오목부들(CP)을 충분히 채우기 위해서는, 베이스 부재(BE)의 표면 에너지를 향상시켜 습윤성을 높일 필요가 있다. 베이스 부재(BE)의 표면 에너지가 향상되면, 상기 충진 물질과 베이스 부재(BE)의 표면 사이의 접촉각이 낮아질 수 있다. 이에 따라, 상기 충진 물질이 복수의 오목부들(CP)을 빈 공간(void) 없이 채울 수 있다.
도 10을 참조하면, 플라즈마 처리가 진행된 베이스 부재(BE)에 충진층(FM)이 형성될 수 있다. 이를 위해, 슬롯 다이(SD)는 제1 방향(DR1)으로 이동하면서 상기 충진 물질을 도포할 수 있다. 슬롯 다이(SD)는 복수의 오목부(CP)에만 상기 충진 물질을 도포할 수 있다. 이 때, 상기 충진 물질이 제1 방향(DR1)에 수직한 제2 방향(DR2)으로 도포될 수 있다. 또는, 슬롯 다이(SD)는 복수의 오목부(CP)를 채우면서 베이스 부재(BE) 상에 전반적으로 상기 충진 물질을 도포할 수 있다. 즉, 상기 충진 물질은 폴딩 영역(FA)과만 중첩하게 도포될 수도 있고, 제1 비폴딩 영역(NFA1), 폴딩 영역(FA) 및 제2 비폴딩 영역(NFA2) 모두와 중첩하도록 도포될 수도 있다.
이 때, 복수의 오목부들(CP)에 기체가 잔류하고 있을 경우, 상기 충진 부재가 도포될 때, 빈 공간(void)이 형성될 수 있다. 이 경우, 빈 공간(void)에 의해 굴절률 차이가 발생하여 표시 패널에서 방출되는 광이 굴절될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 흡입 부재(SM)가 상기 충진 물질이 도포되기 이전에 복수의 오목부들(CP)에 잔류하는 기체를 흡입할 수 있다. 복수의 오목부들(CP)에 잔류하는 기체가 흡입 부재(SM)에 의해 제2 방향(DR2)에 반대되는 제3 방향(DR3)으로 이동할 수 있다. 이를 통해, 상기 충진 물질이 상기 오목부들(CP)을 채우는 과정에서 빈 공간(void)이 생기는 것을 방지할 수 있다.
흡입 부재(SM)가 베이스 부재(BE) 상에 잔류하는 기체를 흡입한 이 후, 바로 슬롯 다이(SD)가 상기 충진 물질을 도포하는 것이 바람직하다. 이를 통해, 빈 공간(void)이 생기지 않고 상기 충진 물질을 도포할 수 있다.
도 11을 참조하면, 경화 부재(CM)는 경화를 진행할 수 있다. 상기 충진 물질을 경화하여 충진층(FM)을 형성할 수 있다. 경화는 가경화와 주경화로 나누어 진행될 수도 있고, 주경화만 이루어질 수도 있다. 경화의 종류는 다양할 수 있다. 경화는 열경화, 광경화, 자연경화 등을 포함할 수 있다. 상기 광경화의 예로는 자외선(UV)을 이용한 UV 경화를 들 수 있다.
상기 충진 물질로는 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘 레진 등이 사용될 수 있다.
경화까지 완료된 커버 부재(CE)는 표시 패널과 결합될 수 있다. 커버 부재(CE)는 충진층(FM)이 표시 패널과 마주보면서 표시 패널과 결합될 수 있다. 이 때, 캐리어 필름(CF)이 제거된 상태로 커버 부재(CE)와 표시 패널이 결합될 수 있다.
복수의 오목부들(CP)은 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 복수의 오목부들(CP)은 제1 방향(DR1)으로 약 200 마이크로미터 이하의 거리를 두고 이격될 수 있다. 또한, 복수의 오목부들(CP)의 제1 방향(DR1)으로의 폭은 약 200 마이크로미터 이하일 수 있다. 복수의 오목부들(CP)은 제1 방향(DR1)에 수직한 제2 방향(DR2)으로 깊이를 가질 수 있다. 복수의 오목부들(CP)은 제2 방향(DR2)으로 약 110 내지 약 130 마이크로미터의 깊이를 가질 수 있다. 베이스 부재(BE)의 제2 방향(DR2)으로의 두께는 약 150 마이크로미터일 수 있다. 이에 따라, 복수의 오목부들(CP)이 형성된 곳에서 베이스 부재(BE)는 약 20 내지 약 40 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다.
도 12는 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 12를 참조하면, 흡입 부재(SM)가 베이스 부재(BE) 상에 잔류하는 기체를 흡입하고, 슬롯 다이(SD)가 상기 충진 물질을 도포하며, 경화 부재(CM)가 상기 충진 물질을 경화하는 과정은 거의 동시에 진행될 수 있다. 이 경우, 충진 물질이 도포된 후 바로 경화됨으로써, 상기 충진 물질의 유동을 억제할 수 있다. 이에 따라, 충진층(FM)이 평탄도를 확보하여 형성될 수 있다.
도 13은 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 13을 참조하면, 커버 부재(CE)는 두 개의 충진층들(FM1, FM2)을 포함할 수 있다. 제1 충진층(FM1)은 전술한 바와 같은 다양한 방법들에 의해 형성될 수 있다. 이 때, 제1 충진층(FM1)의 평탄도가 충분히 확보되지 못할 수 있다. 이에 따라, 슬롯 다이(SD)가 제1 충진층(FM1) 상에 상기 충진 물질을 새로 도포할 수 있다. 슬롯 다이(SD)는 제1 충진층(FM1)의 평탄도가 낮은 부분에서 평탄도를 보완할 수 있다. 제2 충진층(FM2)은 제1 충진층(FM1) 상에 전체적으로 도포될 수 있다.
실시예들에 있어서, 제1 충진층(FM1)은 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘레진 등에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 제2 충진층(FM2)도 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 실리콘레진 등에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 제1 충진층(FM1) 및 제2 충진층(FM2)은 서로 동일한 물질로 형성될 수도 있고, 필요에 따라, 서로 다른 물질로 형성될 수도 있다.
이와 같이, 두 개의 충진층들(FM1, FM2)을 형성함으로써, 커버 부재(CE)의 평탄도를 확보할 수 있다.
전술한 바와 같이, 제1 충진층(FM1) 및 제2 충진층(FM2) 각각의 굴절률은 베이스 부재(BE)의 굴절률과 유사한 범위의 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 베이스 부재(BE)의 굴절률과 제1 충진층(FM1) 및 제2 충진층(FM2) 각각의 굴절률의 차는 약 0.01 이하인 것이 바람직하다. 이를 위해, 제1 충진층(FM1) 및 제2 충진층(FM2)은 굴절률이 낮은 물질에 더하여 굴절률을 높일 수 있는 유기물 또는 금속이 함께 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 유기물로는 방향족 모노머와 같은 굴절률이 높은 물질이 함께 사용될 수 있다. 또는, 상기 금속으로는 지르코늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드 등이 함께 사용될 수 있다.
도 14는 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 14를 참조하면, 충진층(FM)의 평탄도를 확보하기 위해 이형 필름(RF)이 부착될 수 있다.
실시예들에 있어서, 상기 충진 물질이 베이스 부재(BE) 상에 도포된 후, 상기 충진 물질 상에 이형 필름(RF)이 부착될 수 있다. 이 후, 가압 부재(WM)가 이형 필름(RF)에 압력을 가해서 상기 충진 물질의 평탄도를 확보할 수 있다. 가압 부재(WM)는 이형 필름(RF)에 압력을 가할 수 있는 범위 내에서 다양한 부재들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 롤러를 이용하여 이형 필름(RF)을 가압할 수 있다. 이 후, 경화 부재(CM)가 상기 충진 물질을 경화하여 충진층(FM)을 형성할 수 있다. 이 후, 이형 필름(RF)은 제거될 수 있다. 또는, 필요에 따라, 이형 필름(RF)이 제거된 후 경화가 진행될 수도 있다.
실시예들에 있어서, 이형 필름(RF)은 충진층(FM)이 가경화 된 후 충진층(FM) 상에 부착될 수 있다. 이 후 가압 부재(WM)를 이용하여 이형 필름(RF)에 압력을 가하여 충진층(FM)의 평탄도를 확보할 수 있다. 이 후, 주경화를 진행하여 충진층(FM)을 형성할 수 있다. 그 후, 이형 필름(RF)은 충진층(FM)으로부터 분리될 수 있다. 또는, 필요에 따라, 가경화가 진행된 후 이형 필름(RF)이 분리되고, 충진층(FM)에 주경화가 진행될 수 있다.
도 15 및 16 도 1의 표시 장치에 포함된 커버 부재가 제조되는 또 다른 실시예를 나타내는 단면도들이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제1 흡입 부재(SM1)가 제1 방향(DR1)으로 이동하며 베이스 부재(BE) 상에 잔류하는 기체를 흡입할 수 있다. 슬롯 다이(SD)가 제1 방향(DR1)으로 이동하며 상기 충진 물질을 도포하여 제1 충진층(FM1)을 형성할 수 있다. 이 후, 경화 부재(CM)가 상기 충진 물질을 경화하여 제1 충진층(FM1)을 형성할 수 있다.
이 후, 제2 흡입 부재(SM2)가 제1 방향(DR1)에 반대되는 제4 방향(DR4)으로 이동하며 제1 충진층(FM1) 상에 잔류하는 기체를 흡입할 수 있다. 슬롯 다이(SD)가 제1 충진층(FM1) 상에 상기 충진 물질을 도포할 수 있다. 이 후, 경화 부재(CM)가 상기 충진 물질을 경화하여 제2 충진층(FM2)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 제2 충진층(FM2)을 형성하기 전에도 제2 흡입 부재(SM2)가 제1 충진층(FM1) 상에 잔류하는 기체를 흡입함으로써, 제1 충진층(FM1)과 제2 충진층(FM2) 사이에 빈 공간(void)이 발생하지 않을 수 있다.
도 17은 도 1의 표시 장치에 포함된 표시 패널의 일 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 17을 참조하면, 도 1의 표시 패널(DP)은 기판(SUB), 버퍼층(BUF), 트랜지스터(TFT), 게이트 절연층(GI), 층간 절연층(ILD), 비아 절연층(VIA), 화소 정의막(PDL), 발광 소자 및 봉지층을 포함할 수 있다. 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 상기 발광 소자는 제1 전극(ANO), 발광층(EL) 및 제2 전극(CAT)을 포함할 수 있다. 상기 봉지층은 제1 무기 봉지층(OL1), 유기 봉지층(OL) 및 제2 무기 봉지층(OL2)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 투명한 또는 불투명한 물질로 형성될 수 있다. 기판(SUB)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 유리, 석영, 플라스틱 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 기판(SUB)은 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(SUB)은 하나 이상의 폴리이미드층 및 하나 이상의 배리어층이 번갈아가며 적층된 구조를 가질 수 있다.
버퍼층(BUF)은 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BUF)은 기판(SUB)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 트랜지스터(TFT)로 확산되지 않도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 버퍼층(BUF)은 액티브층(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절할 수 있다.
액티브층(ACT)은 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 액티브층(ACT)은 실리콘 반도체 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있다.
상기 실리콘 반도체에 사용될 수 있는 물질의 예로는, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
상기 산화물 반도체로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 아연　산화물(ZnOx), 갈륨　산화물(GaOx), 티타늄　산화물(TiOx), 주석　산화물(SnOx), 인듐　산화물(InOx), 인듐-갈륨　산화물(IGO), 인듐-아연　산화물(IZO), 인듐-주석　산화물(ITO), 갈륨-아연　산화물(GZO), 아연-마그네슘　산화물(ZMO), 아연-주석　산화물(ZTO), 아연-지르코늄　산화물(ZnZrxOy), 인듐-갈륨-아연　산화물(IGZO), 인듐-아연-주석　산화물(IZTO), 인듐-갈륨-하프늄　산화물(IGHO), 주석-알루미늄-아연　산화물(TAZO), 인듐-갈륨-주석　산화물(IGTO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 절연층(GI)은 액티브층(ACT)을 커버하며, 버퍼층(BUF) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연층(GI)은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(GI)으로 사용될 수 있는 상기 절연 물질의 예로는, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiON) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 전극(GE)은 상기 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(GE)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 은(Ag), 은을 함유하는 합금, 몰리브데늄(Mo), 몰리브데늄을 함유하는 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WN), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 크롬 질화물(CrN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 백금(Pt), 스칸듐(Sc), 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
층간 절연층(ILD)은 게이트 전극(GE)을 커버하며, 게이트 절연층(GI) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연층(ILD)은 절연 물질로 형성될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 액티브층(ACT)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다.
비아 절연층(VIA)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 커버하며, 층간 절연층(ILD) 상에 배치될 수 있다. 비아 절연층(VIA)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 비아 절연층(VIA)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지(polyimide resin), 아크릴계 수지(acrylic resin) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제1 전극(ANO)은 비아 절연층(VIA) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 비아 절연층(VIA)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀에 의해 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 제1 전극(ANO)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 제1 전극(ANO)은 애노드 전극일 수 있다.
화소 정의막(PDL)이 비아 절연층(VIA) 상에서 제1 전극(ANO)을 노출시키며 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(ANO) 전극을 노출시키는 개구(OP)를 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 유기 물질으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)으로 사용될 수 있는 물질의 예로는, 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacrylic resin), 폴리이미드계 수지(polyimide resin)(특히, 감광성 폴리이미드계 수지(PSPI)), 아크릴계 수지(acrylic resin) 등이 있을 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 영역 별로 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 제1 영역(FA)에서 제1 높이(H1)을 갖고, 제2 영역(SA)에서 제2 높이(H2)를 가질 수 있다. 제2 영역(SA)을 제1 영역(FA)과 연결되며 이어질 수 있다. 이 때, 제2 높이(H2)가 제1 높이(H1)보다 높을 수 있다. 이에 따라, 제2 영역(SA)과 제1 영역(FA) 사이에서 단차가 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 화소 정의막(PDL)을 형성할 때 하프톤 마스크를 사용하여 화소 정의막(PDL)에 단차가 생기도록 할 수 있다.
또는, 실시예들에 있어서, 화소 정의막(PDL)을 형성할 때, 제1 높이(H1)를 갖는 하부 화소 정의막을 먼저 형성하고, 후에 제2 높이(H2)와 제1 높이(H1)의 차인 제3 높이를 갖는 상부 화소 정의막을 추가로 형성할 수도 있다. 이때, 상기 하부 화소 정의막 및 상기 상부 화소 정의막은 서로 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 서로 다른 물질로 이루어질 수도 있다.
발광층(EL)이 제1 전극(ANO) 상에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구(OP)에서 제1 전극(ANO)과 접촉할 수 있다. 실시예들에 있어서, 발광층(EL)은 적색 광을 방출하는 유기 발광층, 녹색 광을 방출하는 유기 발광층 또는 청색 광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 또한, 발광층(EL)은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(CAT)은 발광층(EL) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 발광층(EL) 및 화소 정의막(PDL)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2 전극(CAT)은 금속, 합금, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 형성될 수 있다. 실시예들에 있어서, 제2 전극(CAT)은 캐소도 전극일 수 있다.
상기 봉지층은 제2 전극(CAT) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로는, 제1 무기 봉지층(OL1), 유기 봉지층(MN) 및 제2 무기 봉지층(OL2)이 순서대로 적층된 구조로 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 상기 봉지층은 복수의 무기 봉지층들 및 복수의 유기 봉지층들이 서로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 봉지층은 상기 발광 소자로 산소 및/또는 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있다. 제1 무기 봉지층(IL1) 및 제1 무기 봉지층(IL2)은 무기 물질로 형성될 수 있다. 유기 봉지층(MN)은 유기 물질로 형성될 수 있다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다. 도 19는 도 18의 전자 기기가 텔레비전으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 20은 도 18의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18 내지 도 20을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(DD)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550), 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 장치(560)는 도 1 내지 도 17을 참조하여 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치에 상응할 수 있다. 전자 기기(DD)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도 19에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 전자 기기(DD)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 그러나 전자 기기(DD)는 이에 한정되지 아니하고, 예를 들면, 전자 기기(DD)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 내비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(520)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(520)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating gate memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(550)는 전자 기기(DD)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 장치(560)는 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 장치(560)는 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다.
본 발명은 다양한 표시 장치들 및 상기 표시 장치들의 제조 방법에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 다양한 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
FA: 폴딩 영역 NFA1, NFA2: 제1 및 제2 비폴딩 영역
CE: 커버 부재 DP: 표시 패널
PA: 패턴화 영역 CP: 복수의 오목부들
BE: 베이스 부재 FM: 충진층
CF: 캐리어 필름 PM: 플라즈마 발생 장치
SM: 흡입 부재 SD: 슬롯 다이
CM: 경화 부재 FM1, FM2: 제1 및 제2 충진층
WM: 가압 부재

Claims (20)

  1. 제1 비폴딩 영역, 상기 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 상기 제1 비폴딩 영역과 상기 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 상기 폴딩 영역과 대응되는 영역에서 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 포함하는 베이스 부재; 및
    상기 패턴 영역을 채우며 배치되고, 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함하는 제1 충진층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 충진층은 상기 패턴 영역을 채우고, 상기 패턴 영역과 중첩하면서 상기 베이스 부재 상에도 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 충진층은 상기 제1 비폴딩 영역, 상기 폴딩 영역 및 상기 제2 비폴딩 영역과 중첩하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 충진층 상에 배치되는 제2 충진층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 충진층은 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 베이스 부재는 글래스 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1 방향으로 이격되고, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 깊이를 갖는 복수의 오목부들을 포함하는 패턴 영역을 포함하는 포함하는 베이스 부재 상에서 제1 흡입 부재를 통해 상기 베이스 부재 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계;
    상기 제1 흡입 부재가 상기 기체를 흡입한 후에, 슬롯 다이를 이용하여 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포하는 단계; 및
    상기 베이스 부재를 제1 비폴딩 영역, 상기 제1 비폴딩 영역과 연결되는 폴딩 영역, 및 상기 제1 비폴딩 영역과 상기 폴딩 영역에 의해 이격되는 제2 비폴딩 영역을 포함하는 표시 패널 상에 부착하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 베이스 부재의 상기 패턴 영역은 상기 표시 패널의 상기 폴딩 영역과 중첩하도록 부착되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제7 항에 있어서, 상기 제1 흡입 부재가 상기 기체를 흡입하기 전에,
    상기 베이스 부재 상에 플라즈마 처리를 하여 상기 베이스 부재의 표면 에너지를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제7 항에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포한 후에,
    상기 충진 물질을 경화하여 제1 충진층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제1 충진층을 형성한 후에,
    상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하는 단계; 및
    상기 제1 충진층 상에 도포된 상기 충진 물질을 경화하여 제2 충진층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하기 전에,
    제2 흡입 부재가 상기 제1 충진층 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제7 항에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포하면서,
    상기 충진 물질을 경화하여 제1 충진층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 제1 충진층을 형성한 후에,
    상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하는 단계; 및
    상기 제1 충진층 상에 도포된 상기 충진 물질을 경화하여 제2 충진층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 제1 충진층 상에 상기 충진 물질을 도포하기 전에,
    제2 흡입 부재가 상기 제1 충진층 상에 잔류하는 기체를 흡입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제7 항에 있어서, 상기 충진 물질을 상기 베이스 부재 상에 도포한 후에,
    상기 충진 물질 상에 이형 필름을 부착하는 단계; 및
    상기 이형 필름에 압력을 가하여 상기 충진 물질을 평탄화 시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 충진 물질을 경화하여 충진층을 형성하는 단계; 및
    상기 이형 필름을 상기 충진층에서 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제16 항에 있어서,
    상기 충진 물질을 가경화하는 단계;
    상기 이형 필름을 상기 충진 물질로부터 분리하는 단계; 및
    상기 충진 물질을 경화하여 충진층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제7 항에 있어서, 상기 충진 물질은 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트 또는 실리콘 레진을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제7 항에 있어서, 상기 베이스 부재는 글래스 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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