KR20220144793A - 광 파이버 - Google Patents
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Abstract
광 파이버는 코어(10)와, 코어를 둘러싸는 내부 클래드(21)와, 내부 클래드를 둘러싸는 외부 클래드(22)를 구비한다. 순 실리카에 대한 코어의 평균 비굴절률차(Δ1), 순 실리카에 대한 내부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ2), 및 순 실리카에 대한 외부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3≥Δ2가 되는 관계를 만족한다. 코어 반경(r1)에 대한 내부 클래드 반경(r2)의 비 r2/r1은 4.5 이상 5.5 이하이다. 순 실리카에 대한 비굴절률차의 최소값(Δmin)은 -0.030% 이상 -0.010% 이하이다. 비굴절률차가 최소값(Δmin)이 되는 반경(rmin)은 r1＜rmin＜r2이다. 코어 반경(r1)에 있어서의 비굴절률차를 Δ(r1)로 했을 때에, (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)은 -0.002%/㎛ 이하이다.
Description
본 개시는 광 파이버에 관한 것이다. 본 출원은 2020년 3월 17일 출원된 일본 출원 제 2020-46648 호에 근거하는 우선권을 주장하며, 상기 일본 출원에 기재된 모든 기재 내용을 원용하는 것이다.
ITU-T(International Teleco㎜unication Union Teleco㎜unication Standardization Sector) G.657에서는, 내굽힘 특성이 뛰어난 광 파이버의 규격이 정해져 있다. 이 규격에서는, FTTx(Fiber To The x) 등 액세스계에 있어서, 광 파이버가 굽힘에 대해 어려운 상황하에서 사용되는 것이 상정되어 있다. 예를 들면, ITU-T G.657 A1에서는, 굽힘 반경 10㎜ 및 15㎜에 있어서의 굽힘 손실의 상한값이 규정되어 있다. ITU-T G.657 A2에서는, 굽힘 반경 7.5㎜, 10㎜ 및 15㎜에 있어서의 굽힘 손실의 상한값이 규정되어 있다.
내굽힘 특성을 향상시키기 위해, 클래드에 디프레스드 구조를 갖는 굴절률 분포로 하는 방법이 알려져 있다. 디프레스드 구조에 의하면, 컷오프 파장을 소정의 파장 이하로 고정시키면서, 코어 및 클래드의 굴절률차를 크게 할 수 있으므로, 내굽힘 특성이 향상한다. 특허문헌 1에는, 디프레스드 구조를 실현하는 방법 중 하나로서, 외부 클래드부에 염소(Cl)를 첨가하는 방법이 개시되어 있다.
특허문헌 2에는, 코어 및 클래드 사이의 경계에 있어서, 코어로부터 클래드를 향하여 굴절률이 서서히 저하하도록 굴절률 분포로 하는 것에 의해, 내굽힘 특성을 개선하는 방법이 개시되어 있다.
본 개시된 일 실시형태에 따른 광 파이버는 코어와, 코어를 둘러싸는 내부 클래드와, 내부 클래드를 둘러싸는 외부 클래드를 구비한다. 순 실리카에 대한 코어의 평균 비굴절률차(Δ1), 순 실리카에 대한 내부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ2), 및 순 실리카에 대한 외부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3≥Δ2가 되는 관계를 만족한다. 코어 반경(r1)에 대한 내부 클래드 반경(r2)의 비r2/r1은 4.5 이상 5.5 이하이다. 순 실리카에 대한 비굴절률차의 최소값(Δmin)은 -0.030% 이상 -0.010% 이하이다. 비굴절률차가 최소값(Δmin)이 되는 반경(rmin)은 r1＜rmin＜r2이다. 코어 반경(r1)에 있어서의 비굴절률차를 Δ(r1)로 했을 때에, (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)은 -0.002%/㎛ 이하이다.
도 1은 실시형태에 따른 광 파이버의 단면 및 굴절률 분포를 도시하는 도면이다.
도 2는 비굴절률차의 제 1 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 비굴절률차의 제 2 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 코어 반경에 대한 내부 클래드 반경의 비와 전송 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 비굴절률차의 제 1 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 비굴절률차의 제 2 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 코어 반경에 대한 내부 클래드 반경의 비와 전송 손실의 관계를 나타내는 그래프이다.
[본 개시가 해결하려고 하는 과제]
내굽힘 특성을 향상시킨다는 관점에서는, 코어로의 광파의 가둠을 강하게 할 필요가 있다. 즉, 디프레스드 구조에서는, 코어 및 클래드의 굴절률차를 크게 하기 위해서, 굴절률을 변화시키는 다량의 도펀트를 코어 및 내부 클래드에 첨가할 필요가 있다. 특허문헌 1에 명시된 방법에 있어서도, 외부 클래드부에 다량의 Cl을 첨가할 필요가 있다. 이 때문에, 전송 손실이 악화된다.
특허문헌 2에 기재된 방법은, 실질적으로 코어 직경을 크게 하는 것에 의해 등가이며, 광의 파워 분포와 도펀트의 중첩이 커진다. 이 때문에, 전송 손실이 악화된다.
그래서, 낮은 굽힘 손실과 낮은 전송 손실을 양립하는 것이 가능한 광 파이버를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[본 개시의 효과]
본 개시에 의하면, 낮은 굽힘 손실 및 낮은 전송 손실을 양립하는 것이 가능한 광 파이버를 제공할 수 있다.
[본 개시의 실시형태의 설명]
최초에 본 개시된 실시형태를 열기하여 설명한다. 일 실시형태에 따른 광 파이버는 코어와, 코어를 둘러싸는 내부 클래드와, 내부 클래드를 둘러싸는 외부 클래드를 구비한다. 순 실리카에 대한 코어의 평균 비굴절률차(Δ1), 순 실리카에 대한 내부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ2), 및 순 실리카에 대한 외부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3≥Δ2가 되는 관계를 만족한다. 코어 반경(r1)에 대한 내부 클래드 반경(r2)의 비 r2/r1은 4.5 이상 5.5 이하이다. 순 실리카에 대한 비굴절률차의 최소값(Δmin)은 -0.030% 이상 -0.010% 이하이다. 비굴절률차가 최소값(Δmin)이 되는 반경(rmin)은 r1＜rmin＜r2이다. 코어 반경(r1)에 있어서의 비굴절률차를 Δ(r1)로 했을 때에, (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)은 -0.002%/㎛ 이하이다. 또한, 본 개시에서 기술하는 굴절률로서, 각 반경에 있어서의 굴절률의 측정값을 예를 들면 0.5㎛ 구간에서 이동 평균한 값을 이용할 수 있다.
상기 실시형태에 따른 광 파이버에서는 Δ1＞Δ3≥Δ2이므로, 코어 및 내부 클래드의 비굴절률차를 마련할 수 있다. 비 r2/r1이 4.5 이상이기 때문에, 전송 손실을 억제할 수 있다. 비 r2/r1이 5.5 이하이면, 굽힘 손실을 억제할 수 있다. 굴절률 분포의 경사(이하, "제 1 경사"라 함) (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)가 -0.002%/㎛ 이하이기 때문에, 굽힘 손실을 억제할 수 있다. 따라서, 낮은 굽힘 손실 및 낮은 전송 손실을 양립할 수 있다.
순 실리카에 대한 비굴절률차가 제로가 되는 반경을 r0으로 했을 때에 r0≥r1인 경우, 경사(이하, "제 2 경사"라 함) Δmin/(rmin-r0)가 -0.002%/㎛ 이하여도 좋다.
평균 비굴절률차(Δ2)는 -0.025% 이상 -0.010% 이하여도 좋다. 이 경우, 코어 및 내부 클래드의 비굴절률차를 크게 하기 쉽다.
외부 클래드 있어서의 염소의 평균 농도는 500wtppm 이하여도 좋다. 이 경우, Cl에 기인하는 발포를 억제할 수 있다.
평균 비굴절률차(Δ1)는 0.35% 이상 0.45% 이하여도 좋다. 이 경우, 코어 및 내부 클래드의 비굴절률차를 크게 하기 쉽다.
반경(rmin)은 7㎛ 이상 15㎛ 이하여도 좋다. 이 경우, 낮은 굽힘 손실 및 낮은 전송 손실이 양립되기 쉽다.
코어 반경(r1)은 4㎛ 이상 5㎛ 이하여도 좋다. 이 경우, 제 1 경사 (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1), 또는 제 2 경사 Δmin/(rmin-r0)가 -0.002%/㎛ 이하가 되기 쉽다.
[본 개시된 실시형태의 상세]
본 개시된 광 파이버의 구체적인 예를, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 발명은 이들 예시로 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 의해 나타나며, 청구범위와 균등의 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다. 도면의 설명에서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
상술한 바와 같이, 디프레스드 구조에서는, 코어 및 내부 클래드에 첨가되는 다량의 도펀트에 의해 전송 손실이 악화된다는 문제가 있다. 또한, 본 발명자들의 경험 및 검토에 의하면, 특허문헌 1에 개시된 방법에서는, Cl에 기인하여 기포가 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 생산성이 현저하게 손상된다는 문제도 있다.
특허문헌 2에 개시된 방법에 있어서도, 코어에 Ge 등이 첨가되어 있는 경우, 코어로의 광의 가둠이 강해지는 만큼, Ge의 분포와 광파워 분포의 중첩이 커지기 때문에, 전송 손실이 악화된다.
도 1은 실시형태에 따른 광 파이버의 단면 및 굴절률 분포를 도시하는 도면이다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 광 파이버(1)는 코어(10)와, 코어(10)를 둘러싸는 클래드(20)를 구비한다. 도 1의 단면도는 광 파이버(1)의 중심축(C)에 대해 수직인 단면을 나타내고 있다. 도 1의 굴절률 분포도에서는, 횡축이 광 파이버(1)의 직경방향 위치이며, 종축이 순 실리카(SiO2)에 대한 광 파이버(1)의 비굴절률차이다.
코어(10)는 Ge를 포함하는 실리카 유리로 구성되어 있다. 클래드(20)는 코어(10)를 둘러싸는 내부 클래드(21)와, 내부 클래드(21)를 둘러싸는 외부 클래드(22)를 갖고 있다. 내부 클래드(21)는 불소(F)를 포함하는 실리카 유리로 구성되어 있다. 외부 클래드(22)는 실질적으로 도펀트를 포함하지 않는 실리카 유리로 구성되어 있다. 외부 클래드(22)에 있어서의 염소(Cl)의 평균 농도는 질량 분율로 500wtppm 이하이다.
클래드(20)의 외경(직경)은 외부 클래드(22)의 외경(직경)과 동일하며, 예를 들면 124㎛ 이상 126m 이하이다. 코어(10)의 반경, 즉, 코어 반경(r1)은 예를 들면, 4㎛ 이상 5㎛ 이하이다. 내부 클래드(21)의 반경, 즉, 내부 클래드 반경(r2)은 예를 들면 18㎛ 이상 28㎛ 이하이다.
순 실리카에 대한 코어(10)의 평균 비굴절률차(Δ1), 순 실리카에 대한 내부 클래드(21)의 평균 비굴절률차(Δ2) 및, 순 실리카에 대한 외부 클래드(22)의 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3≥Δ2가 되는 관계를 만족하고 있다. Δ1＞Δ3＞Δ2가 되는 관계가 만족되어 있어도 좋다. 평균 비굴절률차(Δ1)는 예를 들면, 0.35% 이상 0.45% 이하이다. 평균 비굴절률차(Δ2)는, 예를 들면 -0.025% 이상 -0.010% 이하이다. 평균 비굴절률차(Δ3)는, 예를 들면 -0.015% 이상 0.035% 이하, 바람직하게는 -0.010% 이상 0.010% 이하, 더 바람직하게는 -0.005 이상 0.005% 이하이다. 이와 같이, 코어(10)와 외부 클래드(22) 사이에 굴절률이 낮은 영역으로서, 내부 클래드(21)를 마련하는 것에 의해, 소망하는 컷오프 파장을 유지하면서, 기본 모드의 광파의 가둠을 강하게 할 수 있다. 코어(10)와 내부 클래드(21)의 경계, 및 내부 클래드(21)와 외부 클래드(22)의 경계는, 굴절률 분포를 측정하여 검출된다. 예를 들면, 직경방향의 굴절률의 측정 결과를 직경방향에 대해 미분하고, 그 미분값이 일정값 이하가 되는 위치를 코어(10)와 내부 클래드(21)의 경계, 일정값 이상이 되는 위치를 내부 클래드(21)와 외부 클래드(22)의 경계로 할 수 있다.
광 파이버(1)의 순 실리카에 대한 비굴절률차는, 내부 클래드(21)에서 최소값(Δmin)이 된다. 최소값(Δmin)은 -0.030% 이상 -0.010% 이하이다. 광 파이버(1)의 순 실리카에 대한 비굴절률차가 최소값(Δmin)이 되는 반경(rmin)은 예를 들면 7㎛ 이상 15㎛ 이하이다. 또한, r1＜rmin＜r2이다.
광파의 가둠을 강하게 하려면, Δ1과 Δ2의 차이를 크게 할 필요가 있다. 즉, Δ1을 높게 하거나, Δ2를 낮게 할 필요가 있다. 일반적으로, Δ1을 높게 하기 위해서는, 업 도펀트로서 GeO2가 이용되며, Δ2를 낮게 하기 위해서는, 다운 도펀트로서 F가 이용된다. 그렇지만, 어느 경우여도, 레일리 산란 손실의 증가에 의해 전송 손실이 증가하는 결과가 된다.
그래서, 광 파이버(1)에서는, 디프레스드(내부 클래드(21))의 내측 부분(코어(10) 근방)에서 F 농도를 낮게 하고 있다. 이에 의해, 레일리 산란이 억제되므로, 전송 손실의 증가가 억제된다. 또한, 내부 클래드(21)의 코어(10) 근방에서는, F 농도를 낮게 하고 있는 것에 의해, 도 1에 도시하는 바와 같이, 굴절률 분포가 경사를 갖는다.
도 2는 비굴절률차의 제 1 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 2에서는, 횡축이 제 1 경사(Slope1)이며, 종축이 굽힘 손실이다. 여기에서, 제 1 경사란, 내부 클래드(21)의 코어(10) 근방에 있어서의 굴절률 분포의 경사이며, 구체적으로는, 반경(직경방향 위치)이 r1 내지 rmin의 사이의 굴절률 분포의 경사로서 정의된다. 즉, 코어 반경(r1)에 있어서의 광 파이버(1)의 순 실리카에 대한 비굴절률차를 Δ(r1)로 했을 때에, 제 1 경사는 (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)로 나타난다. 또한, 여기에서의 굽힘 손실이란, 광 파이버를 직경 15㎜의 맨드릴에 10회 감았을 때의 파장 1550㎚에서의 손실의 증가량을 나타낸다.
도 3은 비굴절률차의 제 2 경사와 굽힘 손실의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 3에서는 횡축이 제 2 경사(Slope2)이며, 종축이 굽힘 손실이다. 여기에서, 제 2 경사도, 내부 클래드(21)의 코어(10) 근방에 있어서의 굴절률 분포의 경사이며, 구체적으로는, 순 실리카에 대한 비굴절률차가 제로가 되는 반경(직경방향 위치) r0 내지 rmin 사이의 굴절률 분포의 경사로서 정의된다. 즉, 제 2 경사는 Δmin/(rmin-r1)로 나타난다.
굴절률 분포의 경사를 적절히 설계하는 것에 의해, 광 파이버를 굽혔을 때의 전자계 분포의 퍼짐을 억제할 수 있기 때문에, 내굽힘 특성을 유지할 수 있다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 경사 및 제 2 경사가 -0.002%/㎛ 이하이면, 굽힘 손실이 0.03㏈/10turn 이하로 유지된다. 그래서, 광 파이버(1)에서는, 경사가 -0.002%/㎛ 이하로 설정되어 있다. 이에 의해, 굽힘 손실이 억제된다.
상술한 바와 같이, 내부 클래드(21)는 F를 포함하는 실리카 유리로 구성되어 있는 것에 대하여, 외부 클래드(22)는, 실질적으로 도펀트를 포함하지 않는 실리카 유리로 구성되어 있다. 따라서, 내부 클래드(21)와 외부 클래드(22)의 경계에서는, 큰 응력 차이가 생긴다. 이에 의해, 전송 손실이 악화되지만, 내부 클래드(21)와 외부 클래드(22)의 경계가 중심축(C)으로부터 멀어지게 되도록 설계하는 것에 의해, 전송 손실의 악화를 억제할 수 있다.
도 4는 코어 반경에 대한 내부 클래드 반경의 비와 전송 손실의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 4에서는 횡축이 코어 반경에 대한 내부 클래드 반경의 비r2/r1이며, 종축이 파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실이다. 즉, 도 4는 파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실의 비 r2/r1 의존성을 나타내는 그래프이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 비 r2/r1을 4.5 이상으로 하는 것에 의해, 전송 손실을 0.184㏈/㎞ 이하로 할 수 있다. 그래서, 광 파이버(1)에서는, 비 r2/r1은 4.5 이상 5.5 이하로 설정되어 있다. 이에 의해, 전송 손실이 억제된다.
이상에서, 광 파이버(1)에 의하면, 낮은 굽힘 손실 및 낮은 전송 손실을 양립할 수 있다. 또한, 외부 클래드(22)에 있어서의 Cl의 평균 농도는, 500wtppm 이하이다. 이 때문에, 광 파이버(1)에서는, Cl에 기인하는 발포를 억제할 수 있다. 따라서, 생산성을 향상시킬 수 있다.
[실시예]
이하, 본 개시에 따른 실시예 및 비교예를 이용한 평가 시험의 결과를 나타내며, 본 개시를 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 본 개시는 이들 실시예로 한정되지 않는다.
표 1은 실시예 및 비교예에 따른 광 파이버의 굴절률 파라미터, 컷오프 파장 λcc, 및 1310㎚에 있어서의 모드 필드 직경(MFD1.31)을 나타낸다.
[표 1]
표 2는 실시예 및 비교예에 따른 광 파이버의 파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실(α1.55) 및, 굽힘 손실을 나타낸다. 여기에서, 굽힘 손실이란, 광 파이버를 직경 7.5㎜의 맨드릴에 1회 감았을 때, 직경 10㎜의 맨드릴에 1회 감았을 때, 및 직경 15㎜의 맨드릴에 10회 감았을 때의 파장 1550㎚ 및 파장 1625㎚에 있어서의 손실의 증가량이다.
[표 2]
실험예 1 내지 실험예 16 및 실험예 24는 실시예이다. 실험예 17 내지 실험예 23은 비교예이다. 실시예에 따른 실험예 1 내지 실험예 8, 및 비교예에 따른 실험예 17 내지 실험예 21에서는, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 8.5㎛ 이상 8.8㎛ 이하의 범위에 포함된다. 실시예에 따른 실험예 9 내지 실험예 16 및 실험예 24와, 비교예에 따른 실험예 22 및 실험예 23에서는, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 9㎛ 이상 9.2㎛ 이하의 범위에 포함된다.
실험예 1 내지 실험예 16 및 실험예 24에 따른 광 파이버에서는, 비 r2/r1이 모두 4.5 이상 5.5 이하의 범위에 포함된다. 이에 대해, 실험예 19에 따른 광 파이버에서는, 비 r2/r1이 4.5 미만이며, 파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실이 0. 185㏈/㎞로 높게 되어 있다. 또한, 실험예 20 내지 실험예 22에 따른 광 파이버에서는, 모두 비 r2/r1이 5.5보다 크고, 굽힘 손실의 각 값이 높게 되어 있다. 일반적으로 MFD가 크면 굽힘 손실이 커지므로, 여기에서는, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 동일한 정도의 광 파이버끼리 굽힘 손실을 비교한다. 즉, 실험예 20 및 실험예 21에 따른 광 파이버에서는, 실험예 1 내지 실험예 8에 따른 광 파이버와 비교하여, 굽힘 손실의 각 값이 대체로 높게 되어 있다. 실험예 22에 따른 광 파이버에서는, 실험예 9 내지 실험예 16 및 실험예 24에 따른 광 파이버와 비교하여, 굽힘 손실의 각 값이 모두 높게 되어 있다.
실험예 1 내지 실험예 16 및 실험예 24에 따른 광 파이버에서는, 제 1 경사 (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1), 및 제 2 경사 Δmin/(rmin-r0)가 모두 -0.002%/㎛ 이하이다. 실험예 17, 실험예 18 및 실험예 23에 따른 광 파이버에서는, 모두 제 1 경사 (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)가 -0.001%/㎛이다. 또한, 실험예 17 내지 실험예 21에 따른 광 파이버에서는, 모두 제 2 경사 Δmin/(rmin-r0)가 -0.001%/㎛이다. 여기에서도, MFD가 동일한 정도의 광 파이버끼리 굽힘 손실을 비교한다. 실험예 17, 실험예 18에 따른 광 파이버에서는, 실험예 1 내지 실험예 8에 따른 광 파이버와 비교하여, 굽힘 손실의 각 값이 대체로 높게 되어 있다. 또한, 실험예 23에 따른 광 파이버에서는, 실험예 9 내지 실험예 16 및 실험예 24에 따른 광 파이버와 비교하여, 굽힘 손실의 각 값이 모두 높게 되어 있다.
실험예 1 내지 실험예 16 및 실험예 24에 따른 광 파이버에서는, ITU-T G. 657 A1 또는 A2로 규정되는 굽힘 손실을 만족하면서, 파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실을 0.184㏈/㎞ 이하(α1.55≤0.184㏈/㎞)로 하여, 낮은 굽힘 손실과 낮은 전송 손실을 양립할 수 있었다.
1: 광 파이버
10: 코어
20: 클래드
21: 내부 클래드
22: 외부 클래드
C: 중심축
10: 코어
20: 클래드
21: 내부 클래드
22: 외부 클래드
C: 중심축
Claims (15)
- 코어와,
상기 코어를 둘러싸는 내부 클래드와,
상기 내부 클래드를 둘러싸는 외부 클래드를 구비하고,
순 실리카에 대한 상기 코어의 평균 비굴절률차(Δ1), 순 실리카에 대한 상기 내부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ2), 및 순 실리카에 대한 상기 외부 클래드의 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3≥Δ2가 되는 관계를 만족하며,
코어 반경(r1)에 대한 내부 클래드 반경(r2)의 비 r2/r1은 4.5 이상 5.5 이하이며,
순 실리카에 대한 비굴절률차의 최소값(Δmin)은 -0.030% 이상 -0.010% 이하이며,
상기 비굴절률차가 최소값(Δmin)이 되는 반경(rmin)은 r1＜rmin＜r2이며,
코어 반경(r1)에 있어서의 상기 비굴절률차를 Δ(r1)로 했을 때에, (Δmin-Δ(r1))/(rmin-r1)은 -0.002%/㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항에 있어서,
순 실리카에 대한 비굴절률차가 제로가 되는 반경을 r0으로 했을 때에, r0≥r1이며, Δmin/(rmin-r0)가 -0.002%/㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 평균 비굴절률차(Δ2)는 -0.025% 이상 -0.010% 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 외부 클래드에 있어서의 염소의 평균 농도는 500wtppm 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평균 비굴절률차(Δ1)는 0.35% 이상 0.45% 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반경(rmin)은 7㎛ 이상 15㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 코어 반경(r1)은 4㎛ 이상 5㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평균 비굴절률차(Δ1), 상기 평균 비굴절률차(Δ2), 및 상기 평균 비굴절률차(Δ3)는 Δ1＞Δ3＞Δ2가 되는 관계를 만족하는
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평균 비굴절률차(Δ3)는 -0.015% 이상 0.035% 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
직경 15㎜의 맨드릴에 10회 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 손실의 증가량은 0.03㏈/10turn 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
파장 1550㎚에 있어서의 전송 손실은 0.184㏈/㎞ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내부 클래드 반경(r2)은 18㎛ 이상 28㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 내부 클래드는 불소를 포함하는 실리카 유리로 구성되어 있는
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
1310㎚에 있어서의 모드 필드 직경은 8.5㎛ 이상 8.8㎛ 이하인
광 파이버. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
1310㎚에 있어서의 모드 필드 직경은 9㎛ 이상 9.2㎛ 이하인
광 파이버.
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