KR20220143232A

KR20220143232A - level gauge

Info

Publication number: KR20220143232A
Application number: KR1020210049450A
Authority: KR
Inventors: 이종구; 정찬인; 강만규; 금종우
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-04-15
Filing date: 2021-04-15
Publication date: 2022-10-25

Abstract

The present invention relates to a level measuring device. The level measuring device includes: a body having a concave spherical surface from the edge to the center; and a spherical target placed on the spherical surface of the body. An objective of the present invention is to provide the level measuring device capable of checking the horizontal state of a stage even in a high-temperature environment.

Description

level gauge

본 실시예는 레벨 계측기에 관한 것이다.This embodiment relates to a level meter.

일반적으로 반도체 소자는 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 기판의 표면 또는 상기 막의 성분 및 농도 등을 검사하기 위한 검사 공정 등을 반복하여 포함한다.In general, a semiconductor device includes a deposition process for forming a film on a substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern using the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the substrate, a cleaning process for removing impurities on the substrate, and a substrate on which the film or pattern is formed Repeatedly includes an inspection process for inspecting the surface of the or the component and concentration of the film.

이러한 다양한 기판 처리 설비에서 기판이 놓여지는 스테이지(척)의 수평도는 매우 중요하다. 스테이지의 수평 불량은 공정 불량의 주요 원인이 된다. 따라서 기판 처리 설비에서 정기적으로 스테이지의 수평도를 확인하게 된다.In these various substrate processing facilities, the level of a stage (chuck) on which a substrate is placed is very important. The horizontal defect of the stage is a major cause of process defects. Accordingly, the level of the stage is regularly checked in the substrate processing facility.

그러나, 기판을 고온으로 열처리하는 베이크 장치에서는 가열 플레이트를 일정 온도 이상(예를 들어 50도 이상)으로 승온된 상태에서 수평도를 측정해는 것이 바람직하다. 그러나, 일반적인 레벨 측정 지그를 사용할 경우 가열 플레이트의 열에 의해 레벨 측정 지그가 틀어지는 현상이 발생하기 때문에 수평도 측정에 어려움이 있다. However, in a baking apparatus for heat-treating a substrate at a high temperature, it is preferable to measure the horizontality in a state in which the heating plate is heated to a predetermined temperature or more (eg, 50 degrees or more). However, when a general level measuring jig is used, it is difficult to measure the horizontality because the level measuring jig is distorted due to the heat of the heating plate.

본 발명은 고온의 환경에서도 스테이지의 수평 상태를 확인할 수 있는 레벨 계측기를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a level measuring instrument capable of confirming the horizontal state of a stage even in a high temperature environment.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명의 일 측면에 따르면, 가장자리에서 중앙으로 오목한 구면을 갖는 몸체; 및 상기 몸체의 구면에 놓여지는 구형의 표적체를 포함하는 레벨 계측기가 제공될 수 있다. According to one aspect of the present invention, the body having a concave spherical surface from the edge to the center; and a spherical target placed on the spherical surface of the body.

또한, 상기 구면을 감싸도록 상기 몸체의 상면에 설치되는 투명한 커버를 더 포함할 수 있다.In addition, it may further include a transparent cover installed on the upper surface of the body to surround the spherical surface.

또한, 상기 투명한 커버는 상면에 내부 압력 상승을 방지하는 통기공을 포함할 수 있다.In addition, the transparent cover may include a vent hole to prevent an increase in internal pressure on the upper surface.

또한, 상기 몸체는 상기 구면에 제공되고, 중심점으로부터 복수의 원과 방사상의 측정 눈금을 포함할 수 있다. In addition, the body is provided on the spherical surface, and may include a plurality of circles and radial measurement scales from the center point.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판이 놓여지는 스테이지의 승온시 레벨 변화를 실시간으로 측정할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to measure the level change in real time when the temperature of the stage on which the substrate is placed is raised.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 베이크 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이다.
도 7은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 계측기를 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 8에 도시된 레벨 계측기의 단면도이다.
도 10은 도 8에 도시된 레벨 계측기의 평면도이다.
도 11은 본 발명에 따른 레벨 계측기를 이용하여 베이크 장치에서 가열 플레이트의 수평도를 측정하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view of a substrate processing facility viewed from above.
FIG. 2 is a view viewed from the AA direction of the facility of FIG. 1 .
3 is a view of the equipment of FIG. 1 viewed from the BB direction.
4 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the CC direction.
5 is a plan view showing a baking unit.
FIG. 6 is a side view showing the bake unit shown in FIG. 5 .
7 is a cross-sectional view illustrating a heat treatment unit performing the heat treatment process of FIG. 6 .
8 is a perspective view showing a level meter according to an embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of the level meter shown in FIG.
FIG. 10 is a plan view of the level meter shown in FIG. 8 .
11 is a view for explaining a process of measuring the horizontality of the heating plate in the baking apparatus using the level meter according to the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술하는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 공지된 구성에 대한 일반적인 설명은 본 발명의 요지를 흐리지 않기 위해 생략될 수 있다. 본 발명의 도면에서 동일하거나 상응하는 구성에 대하여는 가급적 동일한 도면부호가 사용된다. 본 발명의 이해를 돕기 위하여, 도면에서 일부 구성은 다소 과장되거나 축소되어 도시될 수 있다.Other advantages and features of the present invention, and a method of achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Unless defined, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by common skill in the prior art to which this invention belongs. A general description of known configurations may be omitted so as not to obscure the gist of the present invention. In the drawings of the present invention, the same reference numerals are used as much as possible for the same or corresponding components. In order to help the understanding of the present invention, some components in the drawings may be shown exaggerated or reduced to some extent.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다", "가지다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise”, “have” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, but one It should be understood that it does not preclude the possibility of the presence or addition of or more other features or numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1 내지 도 4는 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면들이다. 도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. 1 to 4 are diagrams schematically illustrating a substrate processing facility. 1 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the A-A direction, FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the B-B direction, and FIG. 4 is the facility of FIG. is a view viewed from the C-C direction.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 1 to 4 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a first buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and a second buffer module 500 . ), a pre-exposure processing module 600 , and an interface module 700 . Load port 100, index module 200, first buffer module 300, coating and developing module 400, second buffer module 500, pre-exposure processing module 600, and interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( A direction in which 700 is arranged is referred to as a first direction 12 , a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top is referred to as a second direction 14 , and the first direction 12 and the second direction A direction each perpendicular to the direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100, the index module 200, the first buffer module 300, the application and development module 400, the second buffer module 500, the pre-exposure processing module 600, and the interface module ( 700) will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 1, four mounting tables 120 are provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the first buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the load port 100 and the first buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the first buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 directly handling the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . This has a possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 is further provided in the frame 210 .

제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The first buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a first buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is positioned at a height corresponding to the developing module 402 of the 400 . The first buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the first buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later apply the substrate W to the support 332 in the housing 331 . An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the first buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so as to be carried in or taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the first buffer robot 360 is provided and the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The first buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The first buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure, such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer in an upward or downward direction than this. The first buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. Also, the cooling chamber 350 may be provided with doors (not shown) for opening and closing the aforementioned opening.

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The coating and developing module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 유닛(420)은 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake unit 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake unit 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the baking unit 420 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six resist application chambers 410 are provided is shown. A plurality of bake units 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . In the drawing, an example in which six bake units 420 are provided is shown. However, alternatively, a larger number of bake units 420 may be provided.

반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the first buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 includes the bake units 420 , the resist application chambers 400 , the first buffer 320 of the first buffer module 300 , and the first of the second buffer module 500 to be described later. The substrate W is transferred between the cooling chambers 520 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be linearly movable in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. The resist coating chamber 410 applies photoresist on the substrate W. The resist application chamber 410 has a housing 411 , a support plate 412 , and a nozzle 413 . The housing 411 has a cup shape with an open top. The support plate 412 is positioned in the housing 411 and supports the substrate W. The support plate 412 is provided rotatably. The nozzle 413 supplies the photoresist onto the substrate W placed on the support plate 412 . The nozzle 413 has a circular tubular shape, and may supply a photoresist to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 413 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 413 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 414 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W on which the photoresist is applied may be further provided in the resist coating chamber 410 .

베이크 유닛(420)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. The bake unit 420 heat-treats the substrate W. For example, the bake units 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture on the surface of the substrate W or apply the photoresist to the substrate ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W is performed after each heating process.

도 5는 베이크 유닛을 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5에 도시된 베이크 유닛을 보여주는 측면도이며, 도 7은 도 6의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다. FIG. 5 is a plan view showing the baking unit, FIG. 6 is a side view showing the bake unit shown in FIG. 5 , and FIG. 7 is a cross-sectional view showing the heat treatment unit performing the heat treatment process of FIG. 6 .

도 5 내지 도 7을 참조하면, 베이크 유닛(420)은 공정 챔버(423), 냉각 플레이트(422), 그리고 가열 처리 유닛(800)을 포함할 수 있다. 5 to 7 , the bake unit 420 may include a process chamber 423 , a cooling plate 422 , and a heat treatment unit 800 .

공정 챔버(423)는 내부에 열처리 공간(421)을 제공한다. 공정 챔버(423)는 직육면체 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 공정 챔버(423)의 일측에는 기판 반입 및 반출을 위한 슬롯(424)이 제공되며, 슬롯(424)은 셔터(425)에 의해 개폐되고, 셔터(425)는 셔터 구동부(미도시됨)에 의해 구동된다. The process chamber 423 provides a heat treatment space 421 therein. The process chamber 423 may be provided to have a rectangular parallelepiped shape. A slot 424 for loading and unloading a substrate is provided on one side of the process chamber 423 , the slot 424 is opened and closed by a shutter 425 , and the shutter 425 is operated by a shutter driver (not shown). is driven

냉각 플레이트(422)는 가열 처리 유닛(800)에 의해 가열 처리된 기판을 냉각 처리할 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 열 처리 공간(421)에 위치될 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판을 상온으로 냉각시킬 수 있다.The cooling plate 422 may cool the substrate heat-treated by the heat processing unit 800 . The cooling plate 422 may be located in the heat treatment space 421 . The cooling plate 422 may be provided in a circular plate shape. A cooling means such as cooling water or a thermoelectric element is provided inside the cooling plate 422 . For example, the cooling plate 422 may cool the heated substrate to room temperature.

가열 처리 유닛(800)은 기판을 가열 처리한다. 가열 처리 유닛(800)은 하우징(860), 가열 플레이트(810), 가열부재(830), 외부 기체 공급부(850), 배기유닛(870)을 포함할 수 있다. The heat treatment unit 800 heats the substrate. The heat processing unit 800 may include a housing 860 , a heating plate 810 , a heating member 830 , an external gas supply unit 850 , and an exhaust unit 870 .

하우징(860)은 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되는 처리 공간(802)을 제공한다. 하우징(860)은 하부 바디(862), 상부 바디(864), 구동기(868)를 포함할 수 있다. The housing 860 provides a processing space 802 in which the heat treatment process of the substrate W is performed. The housing 860 may include a lower body 862 , an upper body 864 , and a driver 868 .

하부 바디(862)는 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(862)에는 가열 플레이트(810)와 가열부재(830)가 위치될 수 있다. 하부 바디(862)는 가열 플레이트(810)의 주변에 위치한 장치들이 열 변형되는 것을 방지하기 위해 단열 커버들을 포함할 수 있다. The lower body 862 may be provided in a cylindrical shape with an open upper side. A heating plate 810 and a heating member 830 may be positioned on the lower body 862 . The lower body 862 may include thermal insulation covers to prevent thermal deformation of devices located in the periphery of the heating plate 810 .

상부 바디(864)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 조합되어 내부에 처리 공간(802)을 형성한다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)보다 큰 직경을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)의 상부에 위치된다. The upper body 864 has a cylindrical shape with an open lower portion. The upper body 864 is combined with the lower body 862 to form a processing space 802 therein. The upper body 864 has a larger diameter than the lower body 862 . The upper body 864 is located on top of the lower body 862 .

상부 바디(864)는 구동기(868)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 상부 바디(864)는 상하 방향으로 이동되어 승강(UP) 위치 및 하강(Down) 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치되는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)와 이격되는 위치이고, 하강 위치는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)에 접촉되게 제공되는 위치이다. 구동기(868)는 제어부에 의해 제어된다. The upper body 864 is movable in the vertical direction by the actuator 868 . The upper body 864 is movable in the up-down direction to move to an ascending (UP) position and a descending (Down) position. Here, the upper body 864 in the lifting position is a position spaced apart from the lower body 862 , and the lowering position is a position in which the upper body 864 is in contact with the lower body 862 . Driver 868 is controlled by a control unit.

가열 플레이트(810)는 처리 공간(802) 내에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치될 수 있다. 가열 플레이트(810)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 가열 플레이트(810)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다. A heating plate 810 is positioned within the processing space 802 . The heating plate 810 may be located on one side of the cooling plate 422 . The heating plate 810 may be provided in a circular plate shape. The upper surface of the heating plate 810 serves as a support area on which the substrate W is placed.

가열 플레이트(810)의 상면에는 복수 개의 핀 홀들(812)이 형성된다. 예컨대, 핀 홀(812)들은 3개로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)은 가열 플레이트(810)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(812)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)에는 리프트핀(842)이 제공된다. 리프트핀(842)은 핀구동부재(844)에 의해 상하방향으로 이동 가능한다. A plurality of pin holes 812 are formed on the upper surface of the heating plate 810 . For example, three pin holes 812 may be provided. Each pin hole 812 is spaced apart along the circumferential direction of the heating plate 810 . The pin holes 812 may be spaced apart from each other at the same distance. Each pin hole 812 is provided with a lift pin 842 . The lift pin 842 is movable in the vertical direction by the pin driving member 844 .

가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 가열 부재(830)는 복수 개의 발열체를 포함할 수 있. 가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)의 내부에 위치될 수 있다. 각각의 발열체는 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역은 각 발열체에 의해 가열되는 히팅존으로 제공된다. 각 히텅존은 발열체들과 일대일 대응되도록 제공된다. 예컨대, 가열 부재(830)는 열전 소자 또는 열선 또는 면상 발열체일 수 있다. The heating member 830 heats the substrate W placed on the heating plate 810 to a preset temperature. The heating member 830 may include a plurality of heating elements. The heating member 830 may be located inside the heating plate 810 . Each heating element may heat different regions of the heating plate 810 . Different regions of the heating plate 810 are provided as heating zones heated by respective heating elements. Each heat zone is provided to correspond one-to-one with the heating elements. For example, the heating member 830 may be a thermoelectric element, a hot wire, or a planar heating element.

외부 기체 공급부(850)는 처리 공간으로 외부 기체를 공급한다. 외부 기체 공급부(850)는 상부 바디(864)의 저면에 형성된 복수의 분사공(852)들을 포함할 수 있다. 외부 기체는 상부 바디(864)의 상면에 형성된 공급 포트(854)를 통해 유입되어 상부 바디(864) 내에 제공되는 공급 유로를 통해 분사공(852)들로 공급될 수 있다. 외부 기체 공급부를 통해 처리 공간으로 유입된 외부 기체는 기판 상에서 발생되는 퓸과 함께 배기 유닛(870)을 통해 배기될 수 있다. 참고로, 외부 기체는 공기 또는 불활성 기체일 수 있다. The external gas supply unit 850 supplies an external gas to the processing space. The external gas supply unit 850 may include a plurality of injection holes 852 formed on the bottom surface of the upper body 864 . The external gas may be introduced through a supply port 854 formed on the upper surface of the upper body 864 and may be supplied to the injection holes 852 through a supply passage provided in the upper body 864 . The external gas introduced into the processing space through the external gas supply unit may be exhausted through the exhaust unit 870 together with the fume generated on the substrate. For reference, the external gas may be air or an inert gas.

상술한 구성을 갖는 베이크 유닛에서 가열 플레이트(810)의 수평도는 공정 품질에 매우 중요한 요소로 작용하게 된다. 본 발명의 실시예에 따른 레벨 계측기는 가열 플레이트가 고온으로 가열된 상태에서도 정확한 수평도 측정이 가능하다.In the baking unit having the above-described configuration, the horizontality of the heating plate 810 acts as a very important factor for process quality. The level measuring device according to an embodiment of the present invention can accurately measure the level even in a state in which the heating plate is heated to a high temperature.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레벨 계측기를 보여주는 사시도이고, 도 9는 도 8에 도시된 레벨 계측기의 단면도이며, 도 10은 도 8에 도시된 레벨 계측기의 평면도이다.8 is a perspective view showing a level measuring instrument according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is a cross-sectional view of the level measuring instrument shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a plan view of the level measuring instrument shown in FIG.

도 8 내지 도 10을 참조하면, 레벨 계측기(1000)는 몸체(1100), 커버(1200) 그리고 표적체(1300)를 포함할 수 있다.8 to 10 , the level measuring device 1000 may include a body 1100 , a cover 1200 , and a target 1300 .

몸체(1100)는 바닥면(1110)이 오목한 구면 형상을 갖는다. 바닥면(1110)은 가장자리에서 중앙으로 갈수록 높이가 낮아지는 구면을 갖는 것이 바람직하다. 몸체(1100)의 상면은 개방된 형태로 제공된다. 몸체는 바닥면(1110)에는 중심점으로부터 복수의 원과 방사상의 측정 눈금이 제공될 수 있다.The body 1100 has a spherical shape in which the bottom surface 1110 is concave. The bottom surface 1110 preferably has a spherical surface whose height decreases from the edge to the center. The upper surface of the body 1100 is provided in an open form. The body may be provided with a plurality of circles and radial measurement scales from the center point on the bottom surface 1110 .

몸체(1100)의 개방된 상면은 커버(1200)에 의해 감싸질 수 있다. 커버(1200)에 의해 감싸진 몸체(1110)의 내부 공간(1102)에는 표적체(1300)가 위치될 수 있다. 커버(1200)는 내부를 확인할 수 있도록 투명한 소재로 이루어질 수 있다. The open upper surface of the body 1100 may be covered by the cover 1200 . The target 1300 may be located in the inner space 1102 of the body 1110 surrounded by the cover 1200 . The cover 1200 may be made of a transparent material so that the inside can be checked.

표적체(1300)는 몸체(1100)의 바닥면(1110) 상에서 가장 낮은 곳으로 굴러갈 수 있도록 구형상으로 제공될 수 있다. 표적체(1300)는 베어링 같은 금속 소재로 이루어질 수 있다. The target 1300 may be provided in a spherical shape so that it can roll to the lowest place on the bottom surface 1110 of the body 1100 . The target 1300 may be made of a metal material such as a bearing.

커버(1200)는 통기공(1210)을 갖는다. 통기공(1210)은 몸체(1100) 내부공간(1102)의 압력이 상승되는 것을 방지할 수 있다. The cover 1200 has a vent 1210 . The vent 1210 may prevent the pressure of the internal space 1102 of the body 1100 from rising.

도 11은 본 발명에 따른 레벨 계측기를 이용하여 베이크 장치에서 가열 플레이트의 수평도를 측정하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 11 is a view for explaining a process of measuring the horizontality of the heating plate in the baking apparatus using the level meter according to the present invention.

도 11에서와 같이, 레벨 계측기(1000)는 가열 플레이트(810)의 수평도를 측정하기 위해 가열 플레이트(810)의 상면에 놓여진다. 가열 플레이트(810)의 수평도 측정은 가열 플레이트(810)가 소정 온도로 승온된 상태에서 레벨 변화를 실시간으로 측정하게 된다. As shown in FIG. 11 , a level meter 1000 is placed on the upper surface of the heating plate 810 to measure the horizontality of the heating plate 810 . To measure the horizontality of the heating plate 810, the level change is measured in real time while the heating plate 810 is heated to a predetermined temperature.

본 발명의 레벨 계측기(1000)는 표적체(1300)가 금속 소재의 구슬형상으로 열기에 의한 변형이 작기 때문에 저온, 고온 등의 모든 대역에서 수평도 측정이 가능하다. In the level measuring instrument 1000 of the present invention, since the target 1300 is in the shape of a bead of a metal material and has little deformation due to heat, it is possible to measure the horizontality in all bands such as low temperature and high temperature.

또한, 가열 플레이트(810)에 의해 레벨 계측기(1000)의 온도가 상승하더라도 통기공(1210)을 통해 내부 공기가 배출될 수 있어서 몸체(1100) 내부의 압력 상승에 의한 내부 손상을 방지할 수 있다. In addition, even if the temperature of the level meter 1000 rises by the heating plate 810, the internal air can be discharged through the vent 1210, so internal damage caused by the pressure increase inside the body 1100 can be prevented. .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

10 : 레벨 계측기
100 : 몸체
200 : 커버
300 : 표적체10: level instrument
100: body
200: cover
300: target

Claims

For the level meter:
a body having a concave spherical surface from edge to center; and
A level meter comprising a spherical target placed on a spherical surface of the body.

According to claim 1,
Level measuring instrument further comprising a transparent cover installed on the upper surface of the body to surround the spherical surface.

3. The method of claim 2,
the transparent cover
A level meter with vents on the top surface to prevent internal pressure build-up.

According to claim 1,
the body is
A level meter provided on the sphere and comprising a plurality of circles and radial measurement scales from a center point.