KR20220132084A

KR20220132084A - Apparatus and method for treating a substrate

Info

Publication number: KR20220132084A
Application number: KR1020210036640A
Authority: KR
Inventors: 박미소; 이영훈; 정진우; 윤도현
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-03-22
Filing date: 2021-03-22
Publication date: 2022-09-30
Also published as: KR20240116688A

Abstract

The present invention provides an apparatus and method for processing a substrate capable of preventing a processing fluid remaining in an internal space of a chamber from flowing back to a supply line when the internal space is depressurized. The apparatus for processing a substrate using a processing fluid in a supercritical state includes a body having an internal space, a support member for supporting the substrate in the internal space, a fluid supply unit having a supply line for supplying the processing fluid into the internal space, a first depressurization unit for depressurizing the internal space, a second depressurization unit for depressurizing the supply line, and a controller. The controller may control the first depressurization unit and the second depressurization unit so that a first time point at which the first depressurization unit initiates depressurization of the internal space and a second time point at which the second depression unit initiates depressurization of the supply line are different from each other.

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

반도체 소자를 제조하기 위해서, 웨이퍼 등의 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온 주입, 그리고 박막 증착 등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판 상에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리 액, 처리 가스들이 사용된다. 또한, 기판을 처리하는데 사용되는 사용되는 처리 액을 기판으로부터 제거하기 위해 기판에 대하여 건조 공정을 수행한다. In order to manufacture a semiconductor device, a desired pattern is formed on a substrate such as a wafer through various processes such as photography, etching, ashing, ion implantation, and thin film deposition. A variety of processing liquids and processing gases are used in each process. In addition, a drying process is performed on the substrate in order to remove the treatment liquid used for treating the substrate from the substrate.

일반적으로, 기판으로부터 처리 액을 제거하기 위한 건조 공정은 기판을 고속으로 회전시키고, 기판의 회전에 의한 원심력으로 기판 상에 잔류하는 처리 액을 제거하는 회전 건조 공정을 포함한다. 그러나, 이러한 회전 건조 방식은 기판 상에 형성된 패턴에 리닝(Leaning) 현상이 발생될 위험이 크다. 이에, 최근에는 초임계 건조 공정이 이용되고 있다. 초임계 건조 공정은 고압, 그리고 고온의 분위기를 유지할 수 있는 챔버로 기판을 반입하고, 이후 기판 상에 초임계 상태의 이산화탄소를 공급하여 기판 상에 잔류하는 처리 액(예컨대, 유기 용제, 현상액 용매 등)을 제거한다. 초임계 상태의 이산화탄소는 높은 용해력과 침투성을 가진다. 이에, 기판 상에 초임계 상태의 이산화탄소가 공급되면, 이산화탄소는 기판 상의 패턴으로 쉽게 침투한다. 이에, 기판에 형성된 패턴과 패턴 사이에 잔류하는 처리 액을 기판으로부터 용이하게 제거할 수 있게 된다.In general, a drying process for removing a processing liquid from a substrate includes a rotation drying process in which the substrate is rotated at a high speed and the processing liquid remaining on the substrate is removed by centrifugal force caused by the rotation of the substrate. However, this rotation drying method has a high risk of causing a leaning phenomenon in the pattern formed on the substrate. Accordingly, recently, a supercritical drying process has been used. In the supercritical drying process, a substrate is brought into a chamber capable of maintaining a high-pressure and high-temperature atmosphere, and thereafter, carbon dioxide in a supercritical state is supplied on the substrate to provide a treatment solution (eg, organic solvent, developer solvent, etc.) remaining on the substrate. ) is removed. Carbon dioxide in the supercritical state has high solubility and permeability. Accordingly, when carbon dioxide in a supercritical state is supplied on the substrate, the carbon dioxide easily penetrates into the pattern on the substrate. Accordingly, the pattern formed on the substrate and the processing liquid remaining between the patterns can be easily removed from the substrate.

또한, 상술한 바와 같이 이산화탄소가 초임계 상태를 유지하기 위해서는, 챔버 내 분위기를 고압으로 유지해야 하므로, 초임계 건조 공정에서는, 챔버 내 분위기를 가압하는 가압 공정, 가압 공정 이후 기판 상에 잔류하는 처리 액을 제거하는 처리 공정, 그리고 처리 공정 이후 챔버 내 분위기를 감압하는 감압 공정을 순차적으로 수행한다. In addition, as described above, in order for carbon dioxide to maintain the supercritical state, the atmosphere in the chamber must be maintained at a high pressure. A treatment process of removing the liquid, and a decompression process of decompressing the atmosphere in the chamber after the treatment process are sequentially performed.

감압 공정시, 챔버 내로 초임계 유체를 공급하는 공급 라인에 대한 감압도 함께 수행한다. 일반적으로, 공급 라인의 체적은, 챔버 내 공간의 체적보다 작다. 이에 공급 라인에 대한 감압은 챔버 내 공간의 감압보다 더 빠르게 이루어진다. 즉, 공급 라인의 압력이 챔버 내 공간의 압력보다 낮아진다. 따라서, 챔버 내 공간에 잔류하는 처리 액은 상대적으로 압력이 낮은 공급 라인으로 흐를 수 있으며, 이에 공급 라인은 오염될 수 있다.During the depressurization process, the decompression of the supply line for supplying the supercritical fluid into the chamber is also performed. In general, the volume of the supply line is smaller than the volume of the space within the chamber. Accordingly, the depressurization of the supply line is performed faster than the depressurization of the space in the chamber. That is, the pressure in the supply line is lower than the pressure in the space in the chamber. Accordingly, the processing liquid remaining in the space in the chamber may flow into a supply line having a relatively low pressure, and thus the supply line may be contaminated.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 챔버의 내부 공간을 감압시, 내부 공간에 잔류하는 처리 액 또는 처리 유체가 공급 라인으로 역류하는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of preventing a processing liquid or processing fluid remaining in the interior space from flowing backward to a supply line when the internal space of a chamber is depressurized.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 처리하는 장치는, 내부 공간을 가지는 바디와; 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 내부 공간으로 처리 유체를 공급하는 공급 라인을 가지는 유체 공급 유닛과; 상기 내부 공간을 감압하는 제1감압 유닛과; 상기 공급 라인을 감압하는 제2감압 유닛과; 그리고, 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 제1감압 유닛이 상기 내부 공간에 대한 감압을 시작하는 제1시점과 상기 제2감압 유닛이 상기 공급 라인에 대한 감압을 시작하는 제2시점이 서로 상이하도록 상기 제1감압 유닛, 그리고 상기 제2감압 유닛을 제어할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. An apparatus for processing a substrate using a processing fluid in a supercritical state includes: a body having an internal space; a support member for supporting the substrate in the inner space; a fluid supply unit having a supply line supplying a processing fluid to the interior space; a first pressure reducing unit for decompressing the internal space; a second pressure reducing unit for depressurizing the supply line; and a controller, wherein the controller is configured such that a first time point at which the first pressure reducing unit starts depressurizing the internal space and a second time point at which the second pressure reduction unit starts depressurizing the supply line are mutually exclusive The first pressure reduction unit and the second pressure reduction unit may be controlled to be different.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제2시점이 상기 제1시점보다 늦도록 상기 제1감압 유닛, 그리고 상기 제2감압 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the first pressure reduction unit and the second pressure reduction unit so that the second time point is later than the first time point.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 유체 공급 유닛이 상기 내부 공간으로 상기 처리 유체를 공급하여 상기 내부 공간의 압력을 설정 압력까지 높이는 가압 단계와; 상기 가압 단계 이후, 상기 제1감압 유닛이 상기 내부 공간의 상기 처리 유체를 배출하여 상기 내부 공간의 압력을 감압하는 감압 단계를 수행하도록 상기 유체 공급 유닛, 그리고 상기 제1감압 유닛을 제어하고, 상기 제2시점이 상기 감압 단계가 수행되는 시기에 포함되도록 상기 제2감압 유닛을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may include: a pressurizing step of the fluid supply unit supplying the processing fluid to the internal space to increase the pressure of the internal space to a set pressure; after the pressurization step, the fluid supply unit and the first decompression unit are controlled such that the first decompression unit discharges the processing fluid of the inner space to perform a decompression step of reducing the pressure of the inner space, and The second pressure reduction unit may be controlled such that the second time point is included in the time when the pressure reduction step is performed.

일 실시 예에 의하면, 상기 유체 공급 유닛은, 처리 유체를 공급 및/또는 저장하는 유체 공급원을 포함하고, 상기 공급 라인은,상기 유체 공급원과 연결되는 메인 공급 라인과; 상기 메인 공급 라인으로부터 분기되며, 상기 내부 공간의 상부 영역으로 처리 유체를 공급하는 상부 공급 라인과; 상기 메인 공급 라인으로부터 분기되며, 상기 내부 공간의 하부 영역으로 처리 유체를 공급하는 하부 공급 라인과; 상기 상부 공급 라인에 설치되는 상부 밸브와; 상기 하부 공급 라인에 설치되는 하부 밸브를 포함하고, 상기 제1감압 유닛은, 상기 내부 공간과 연통되는 제1감압 라인과; 상기 제1감압 라인에 설치되는 제1감압 밸브를 포함하고, 상기 제2감압 유닛은, 상기 상부 공급 라인 및 상기 하부 공급 라인이 분기되는 지점보다 상류에 연결되는 제2감압 라인과; 상기 제2감압 라인에 설치되는 제2감압 밸브를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the fluid supply unit includes a fluid supply source for supplying and/or storing a processing fluid, the supply line comprising: a main supply line connected to the fluid supply source; an upper supply line branching from the main supply line and supplying a processing fluid to an upper region of the inner space; a lower supply line branching from the main supply line and supplying a processing fluid to a lower region of the inner space; an upper valve installed in the upper supply line; a lower valve installed in the lower supply line, wherein the first pressure reducing unit includes: a first pressure reducing line communicating with the inner space; a first pressure reducing valve installed on the first pressure reducing line, wherein the second pressure reducing unit includes: a second pressure reducing line connected upstream from a branching point of the upper supply line and the lower supply line; It may include a second pressure reducing valve installed on the second pressure reducing line.

일 실시 예에 의하면, 상기 유체 공급 유닛은, 상기 공급 라인에 설치되되 상기 상부 밸브보다 하류에 설치되는 제1압력 센서와; 상기 공급 라인에 설치되되 상기 상부 밸브보다 상류에 설치되는 제2압력 센서를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the fluid supply unit may include: a first pressure sensor installed in the supply line and installed downstream of the upper valve; A second pressure sensor installed in the supply line and installed upstream of the upper valve may be included.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판을 처리하는 방법은, 챔버의 내부 공간으로 상기 기판을 반입한 이후, 상기 내부 공간과 연통하는 공급 라인이 상기 내부 공간으로 상기 처리 유체를 공급하여 상기 내부 공간의 압력을 높이는 가압 단계와; 상기 내부 공간으로 상기 처리 유체를 공급하거나, 상기 내부 공간에서 상기 처리 유체를 배출하여 상기 처리 유체를 유동시키는 유동 단계와; 상기 내부 공간과 연통되는 제1감압 라인이 상기 내부 공간에서 상기 처리 유체를 배출하여 상기 내부 공간의 압력을 낮추는 감압 단계를 포함하고, 상기 공급 라인과 연통하는 제2감압 라인이 상기 공급 라인을 감압하되, 상기 제2감압 라인이 상기 공급 라인을 감압하는 제2시점은, 상기 제1감압 라인이 상기 내부 공간을 감압하는 제1시점과 상이할 수 있다.The invention also provides a method of processing a substrate. In the method of processing a substrate using a processing fluid in a supercritical state, after loading the substrate into an internal space of a chamber, a supply line communicating with the internal space supplies the processing fluid to the internal space to supply the processing fluid to the internal space a pressing step of increasing the pressure of the; a flow step of supplying the processing fluid to the internal space or discharging the processing fluid from the internal space to flow the processing fluid; and a decompression step in which a first pressure reduction line communicating with the inner space discharges the processing fluid from the inner space to lower the pressure of the inner space, and a second pressure reduction line communicating with the supply line depressurizes the supply line. However, a second time point at which the second pressure reduction line depressurizes the supply line may be different from a first time point at which the first pressure reduction line depressurizes the internal space.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2시점은, 상기 제1시점보다 늦을 수 있다.According to an embodiment, the second time point may be later than the first time point.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2시점은, 상기 감압 단계가 수행되는 시기에 포함될 수 있다.According to an embodiment, the second time point may be included in a time when the decompression step is performed.

일 실시 예에 의하면, 상기 처리 유체의 상기 내부 공간으로의 공급 여부는 상기 공급 라인에 설치되는 밸브의 개폐에 의해 결정되고, 상기 제2감압 라인이 상기 공급 라인과 연결되는 지점은 상기 밸브가 설치되는 지점보다 상류일 수 있다.According to an embodiment, whether the processing fluid is supplied to the inner space is determined by opening and closing a valve installed in the supply line, and a point where the second pressure reduction line is connected to the supply line is where the valve is installed. It may be upstream from the point where

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the present invention can efficiently process a substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 챔버의 내부 공간을 감압시, 내부 공간에 잔류하는 처리 액 또는 처리 유체가 공급 라인으로 역류하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, when the internal space of the chamber is depressurized, it is possible to prevent the processing liquid or processing fluid remaining in the internal space from flowing backward into the supply line.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3는 도 1의 건조 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 5은 도 4의 액 처리 단계를 수행하는 액 처리 챔버의 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 건조 단계에 대한 상세 플로우 차트이다.
도 7는 본 발명의 건조 단계를 수행하는 동안 바디의 내부 공간의 압력 변화, 그리고 공급 라인의 압력 변화를 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 7의 t1 ~ t2 에서의 기판 처리 장치의 동작을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 7의 t2 ~ t3 에서의 기판 처리 장치의 동작을 보여주는 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 .
FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the drying chamber of FIG. 1 .
4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a view showing a state of a liquid processing chamber in which the liquid processing step of FIG. 4 is performed.
FIG. 6 is a detailed flowchart of the drying step of FIG. 5 .
7 is a graph showing the pressure change in the internal space of the body and the pressure change in the supply line during the drying step of the present invention.
FIG. 8 is a diagram illustrating an operation of the substrate processing apparatus at times t1 to t2 of FIG. 7 .
FIG. 9 is a diagram illustrating an operation of the substrate processing apparatus at times t2 to t3 of FIG. 7 .

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, the shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, a first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that no other element is present in the middle. Other expressions describing the relationship between elements, such as "between" and "immediately between" or "neighboring to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having meanings consistent with the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they are not to be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. .

이하에서는 도 1 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9 .

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 상부에서 바라볼 때, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(X)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)이라 하고, 제1방향(X) 및 제2방향(Y)에 모두 수직한 방향을 제3방향(Z)이라 한다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller 30 . When viewed from the top, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, a direction in which the index module 10 and the processing module 20 are arranged is referred to as a first direction (X), and a direction perpendicular to the first direction (X) when viewed from the top is referred to as a second direction (Y). and a direction perpendicular to both the first direction (X) and the second direction (Y) is referred to as a third direction (Z).

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(C)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(C)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(Y)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(C)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container C in which the substrate W is accommodated to the processing module 20 , and transfers the substrate W that has been processed in the processing module 20 to the container C to be stored with The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction (Y). The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . With reference to the index frame 14 , the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20 . The container C in which the substrates W are accommodated is placed on the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction (Y).

용기(C)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.As the container (C), an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container C is placed on the load port 12 by an operator or a transfer means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(Y)으로 제공된 가이드 레일(124)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(124) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The index frame 14 is provided with an index robot 120 . A guide rail 124 having a longitudinal direction in the second direction Y is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 124 . The index robot 120 includes a hand 122 on which the substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about the third direction (Z), and moves in the third direction (Z). It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 122 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

제어기(30)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(30)는 기판 처리 장치의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.The controller 30 may control the substrate processing apparatus. The controller 30 visualizes a process controller including a microprocessor (computer) that controls the substrate processing apparatus, a keyboard through which an operator performs a command input operation, etc. to manage the substrate processing apparatus, and the operation status of the substrate processing apparatus A user interface comprising a display or the like to be displayed, a control program for executing a process executed in the substrate processing apparatus under the control of the process controller, a program for executing a process on each component unit according to various data and processing conditions, that is, A storage unit in which the processing recipe is stored may be provided. Further, the user interface and the storage unit may be connected to the process controller. The processing recipe may be stored in a storage medium among the storage units, and the storage medium may be a hard disk, a portable disk such as a CD-ROM or DVD, or a semiconductor memory such as a flash memory.

제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 유체 공급 유닛(530), 제1감압 유닛(550), 그리고 제2감압 유닛(560)을 제어할 수 있다.The controller 30 may control the substrate processing apparatus to perform a substrate processing method described below. For example, the controller 30 may control the fluid supply unit 530 , the first pressure reduction unit 550 , and the second pressure reduction unit 560 to perform the substrate processing method described below.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 액 처리 공정을 수행한다. 건조 챔버(500)는 기판(W) 상에 잔류하는 액을 제거하는 건조 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200), 액 처리 챔버(400), 그리고 건조 챔버(500) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a transfer chamber 300 , a liquid processing chamber 400 , and a drying chamber 500 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W loaded into the processing module 20 and the substrate W unloaded from the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 performs a liquid processing process of liquid-processing the substrate W by supplying a liquid onto the substrate W. The drying chamber 500 performs a drying process of removing the liquid remaining on the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 , the liquid processing chamber 400 , and the drying chamber 500 .

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 건조 챔버(500)는 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. 건조 챔버(500)와 반송 챔버(300)는 제2방향(Y)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may be provided in a longitudinal direction in the first direction (X). The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the drying chamber 500 may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction Y. The drying chamber 500 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction Y. The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되고, 건조 챔버(500)들은 반송 챔버(300)의 양측에 배치되며, 액 처리 챔버(400)들은 건조 챔버(500)들보다 버퍼 유닛(200)에 더 가까운 위치에 배치될 수 있다. 반송 챔버(300)의 일측에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(X) 및 제3방향(Z)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. 또한, 반송 챔버(300)의 일측에서 건조 챔버(500)들은 제1방향(X) 및 제3방향(Z)을 따라 각각 C X D(C, D는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수)개가 제공될 수 있다. 상술한 바와 달리, 반송 챔버(300)의 일측에는 액 처리 챔버(400)들만 제공되고, 그 타측에는 건조 챔버(500)들만 제공될 수 있다.According to an example, the liquid processing chambers 400 are disposed on both sides of the transfer chamber 300 , the drying chambers 500 are disposed on both sides of the transfer chamber 300 , and the liquid processing chambers 400 are the drying chambers ( 500) may be disposed at a position closer to the buffer unit 200 than the ones. On one side of the transfer chamber 300 , the liquid processing chambers 400 may be provided in an arrangement of A X B (A and B are each 1 or a natural number greater than 1), respectively, in the first direction (X) and the third direction (Z). have. In addition, the drying chambers 500 on one side of the transfer chamber 300 may be provided in the first direction (X) and in the third direction (Z), respectively, C X D (C and D are each a natural number greater than 1 or 1). have. Unlike the above, only the liquid processing chambers 400 may be provided on one side of the transfer chamber 300 , and only the drying chambers 500 may be provided on the other side of the transfer chamber 300 .

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된 가이드 레일(324)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(324) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(Z)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(Z)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320 . A guide rail 324 having a longitudinal direction in the first direction X is provided in the transfer chamber 300 , and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 324 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about the third direction Z, and moves in the third direction Z. It may be provided to be movable along with it. A plurality of hands 322 are provided to be spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(Z)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other in the third direction (Z). The buffer unit 200 has an open front face and a rear face. The front surface is a surface facing the index module 10 , and the rear surface is a surface facing the transfer chamber 300 . The index robot 120 may access the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may access the buffer unit 200 through the rear side.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 액 공급 유닛(460), 그리고 승강 유닛(480)을 가진다. FIG. 2 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the liquid processing chamber 400 includes a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a liquid supply unit 460 , and an elevation unit 480 .

하우징(410)은 기판(W)이 처리되는 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(410)은 대체로 육면체의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 하우징(410)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 또한, 하우징(410)에는 기판(W)이 반입되거나, 반출되는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 또한, 하우징(410)에는 개구를 선택적으로 개폐하는 도어(미도시)가 설치될 수 있다. The housing 410 may have an internal space in which the substrate W is processed. The housing 410 may have a substantially hexahedral shape. For example, the housing 410 may have a rectangular parallelepiped shape. Also, an opening (not shown) through which the substrate W is carried in or taken out may be formed in the housing 410 . Also, a door (not shown) for selectively opening and closing an opening may be installed in the housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 컵(420)은 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리 될 수 있다. 지지 유닛(440)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 처리 액을 공급한다. 처리 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 may have a cylindrical shape with an open top. The cup 420 has a processing space, and the substrate W may be liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W in the processing space. The liquid supply unit 460 supplies the processing liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . The treatment liquid may be provided in a plurality of types, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리 액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers (422, 424, 426). The recovery barrels 422 , 424 , and 426 each have a recovery space for recovering a liquid used for substrate processing. Each of the collection bins 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . When the liquid treatment process is in progress, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W is introduced into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of each of the collection tubes 422 , 424 , and 426 . According to an example, the cup 420 includes a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first waste container 422 is disposed to surround the support unit 440 , the second waste container 424 is disposed to surround the first waste container 422 , and the third waste container 426 is the second waste container 426 . It is disposed so as to surround the recovery container (424). The second inlet 424a for introducing the liquid into the second collection tube 424 is located above the first inlet 422a for introducing the liquid into the first collection tube 422, and the third collection tube 426. The third inlet 426a through which the liquid is introduced may be located above the second inlet 424a.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a drive shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. As shown in FIG. A support pin 442a for supporting the rear surface of the substrate W is provided in the central portion of the support plate 442, and the support pin 442a has an upper end of the support plate (W) spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442) is provided to protrude from. A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 . The chuck pin 442b is provided to protrude upward from the support plate 442 , and supports the side of the substrate W so that the substrate W is not separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driver 446 , is connected to the center of the bottom surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 based on the central axis thereof.

일 예에 의하면, 액 공급 유닛(460)은 노즐(462)을 포함할 수 있다. 노즐(462)은 기판(W)으로 처리 액을 공급할 수 있다. 처리 액은 케미칼, 린스 액 또는 유기 용제일 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 케미칼일 수 있다. 또한, 린스 액은 순수 일 수 있다. 또한, 유기 용제는 이소프로필알코올(IPA)일 수 있다. 또한, 액 공급 유닛(460)이 공급하는 처리 액은 용매 일 수 있다. 예컨대, 액 공급 유닛(460)이 공급하는 처리 액은 현상 액일 수 있다. According to an example, the liquid supply unit 460 may include a nozzle 462 . The nozzle 462 may supply a processing liquid to the substrate W. The treatment liquid may be a chemical, a rinse liquid, or an organic solvent. The chemical may be a chemical having a property of a strong acid or a strong base. In addition, the rinse liquid may be pure. In addition, the organic solvent may be isopropyl alcohol (IPA). Also, the processing liquid supplied by the liquid supply unit 460 may be a solvent. For example, the processing liquid supplied by the liquid supply unit 460 may be a developer.

또한, 액 공급 유닛(460)은 복수의 노즐(462)들을 포함할 수 있고, 각각의 노즐(462)들에서는 서로 상이한 종류의 처리 액을 공급할 수 있다. 예컨대, 노즐(462)들 중 어느 하나에서는 케미칼을 공급하고, 노즐(462)들 중 다른 하나에서는 린스 액을 공급하고, 노즐(462)들 중 또 다른 하나에서는 유기 용제를 공급할 수 있다. 또한, 제어기(30)는 노즐(462)들 중 다른 하나에서 기판(W)으로 린스 액을 공급한 이후, 노즐(462)들 중 또 다른 하나에서 유기 용제를 공급하도록 액 공급 유닛(460)을 제어할 수 있다. 이에, 기판(W) 상에 공급된 린스 액은 표면 장력이 작은 유기 용제로 치환될 수 있다. 또한, 노즐(462)들 중 어느 하나에서는 현상 액을 공급할 수 있다. Also, the liquid supply unit 460 may include a plurality of nozzles 462 , and each of the nozzles 462 may supply different types of processing liquids. For example, one of the nozzles 462 may supply a chemical, another one of the nozzles 462 may supply a rinse liquid, and another one of the nozzles 462 may supply an organic solvent. In addition, the controller 30 supplies the rinsing liquid to the substrate W from the other one of the nozzles 462 and then controls the liquid supply unit 460 to supply the organic solvent from the other one of the nozzles 462 . can be controlled Accordingly, the rinse liquid supplied on the substrate W may be replaced with an organic solvent having a small surface tension. In addition, a developer may be supplied from any one of the nozzles 462 .

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 in the vertical direction. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . As a result, the collection cylinders 422 , 424 , and 426 for recovering the processing liquid are changed according to the type of liquid supplied to the substrate W, so that the liquids can be separated and collected. Unlike the above, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

도 3은 도 1의 건조 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 건조 챔버(500)는 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 처리 액을 제거할 수 있다. 제거되는 처리 액은 상술한 케미칼, 린스 액, 유기 용제, 그리고 현상 액 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 처리 유체는 이산화탄소(CO₂)를 포함할 수 있다. 예컨대, 건조 챔버(500)는 초임계 상태의 이산화탄소(CO₂)를 이용하여 기판(W) 상에 잔류하는 현상 액을 기판(W)으로부터 제거할 수 있다.FIG. 3 is a diagram schematically illustrating an embodiment of the drying chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 3 , the drying chamber 500 according to an exemplary embodiment may remove the processing liquid remaining on the substrate W using the processing fluid in a supercritical state. The treatment solution to be removed may be any one of the above-described chemical, rinse solution, organic solvent, and developer solution. In addition, the processing fluid may include carbon dioxide (CO ₂ ). For example, the drying chamber 500 may remove the developing solution remaining on the substrate W from the substrate W using carbon dioxide (CO ₂ ) in a supercritical state.

건조 챔버(500)는 바디(510), 가열 부재(520), 유체 공급 유닛(530), 지지 부재(540), 제1감압 유닛(550), 제2감압 유닛(560), 그리고 승강 부재(570)를 포함할 수 있다.The drying chamber 500 includes a body 510 , a heating member 520 , a fluid supply unit 530 , a support member 540 , a first pressure reduction unit 550 , a second pressure reduction unit 560 , and an elevating member ( ). 570) may be included.

바디(510)는 기판(W)이 처리되는 내부 공간(511)을 가질 수 있다. 바디(510)는 기판(W)이 처리되는 내부 공간(511)을 제공할 수 있다. 바디(510)는 초임계 상태의 처리 유체에 의해 기판(W)이 건조 처리되는 내부 공간(511)을 제공할 수 있다. 바디(510)는 챔버(Chamber)로도 지칭될 수 있다.The body 510 may have an internal space 511 in which the substrate W is processed. The body 510 may provide an internal space 511 in which the substrate W is processed. The body 510 may provide an internal space 511 in which the substrate W is dried by a processing fluid in a supercritical state. The body 510 may also be referred to as a chamber.

바디(510)는 상부 바디(512), 그리고 하부 바디(514)를 포함할 수 있다. 상부 바디(512), 그리고 하부 바디(514)는 서로 조합되어 상기 내부 공간(511)을 형성할 수 있다. 상부 바디(512), 그리고 하부 바디(514) 중 어느 하나는 승강 부재(570)와 결합되어 상하 방향으로 이동될 수 있다. 예컨대, 하부 바디(514)는 승강 부재(570)와 결합되어, 승강 부재(570)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이에, 바디(510)의 내부 공간(511)은 선택적으로 밀폐 될 수 있다. 상술한 예에서는 하부 바디(514)가 승강 부재(570)와 결합되어 상하 방향으로 이동하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 바디(512)가 승강 부재(570)와 결합되어 상하 방향으로 이동할 수도 있다.The body 510 may include an upper body 512 and a lower body 514 . The upper body 512 and the lower body 514 may be combined with each other to form the inner space 511 . Any one of the upper body 512 and the lower body 514 may be coupled to the lifting member 570 to move in the vertical direction. For example, the lower body 514 may be coupled to the elevating member 570 to move vertically by the elevating member 570 . Accordingly, the internal space 511 of the body 510 may be selectively sealed. In the above-described example, the lower body 514 is coupled to the elevating member 570 to move in the vertical direction as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, the upper body 512 may be coupled to the lifting member 570 to move in the vertical direction.

가열 부재(520)는 내부 공간(511)으로 공급되는 처리 유체를 가열할 수 있다. 가열 부재(520)는 바디(510)의 내부 공간(511) 온도를 높일 수 있다. 가열 부재(520)가 내부 공간(511)의 온도를 높이므로써, 내부 공간(511)에 공급된 처리 유체는 초임계 상태로 전환되거나, 초임계 상태를 유지할 수 있다. The heating member 520 may heat the processing fluid supplied to the inner space 511 . The heating member 520 may increase the temperature of the internal space 511 of the body 510 . As the heating member 520 raises the temperature of the inner space 511 , the processing fluid supplied to the inner space 511 may be converted into a supercritical state or may maintain a supercritical state.

또한, 가열 부재(520)는 바디(510) 내에 매설될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(520)는 상부 바디(512), 그리고 하부 바디(514) 중 어느 하나에 매설될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(520)는 하부 바디(514) 내에 제공될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고 가열 부재(520)는 내부 공간(511)의 온도를 승온시킬 수 있는 다양한 위치에 제공될 수 있다. 또한, 가열 부재(520)는 히터 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 가열 부재(520)는 내부 공간(511)의 온도를 승온시킬 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.In addition, the heating member 520 may be embedded in the body 510 . For example, the heating member 520 may be embedded in any one of the upper body 512 and the lower body 514 . For example, the heating element 520 may be provided in the lower body 514 . However, the present invention is not limited thereto, and the heating member 520 may be provided at various positions capable of increasing the temperature of the internal space 511 . Also, the heating member 520 may be a heater. However, the present invention is not limited thereto, and the heating member 520 may be variously modified into a known device capable of increasing the temperature of the internal space 511 .

유체 공급 유닛(530)은 내부 공간(511)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 유체 공급 유닛(530)이 공급하는 처리 유체는 이산화탄소를 포함할 수 있다. 유체 공급 유닛(530)이 공급하는 처리 유체는 초임계 상태로 처리 공간(511)이 공급되거나, 처리 공간(511)에서 초임계 상태로 전환될 수 있다. 유체 공급 유닛(511)은 공급 라인(531), 밸브(533), 유체 공급원(535), 필터(537), 그리고 압력 센서(539)를 포함할 수 있다.The fluid supply unit 530 may supply a processing fluid to the internal space 511 . The processing fluid supplied by the fluid supply unit 530 may include carbon dioxide. The processing fluid supplied by the fluid supply unit 530 may be supplied to the processing space 511 in a supercritical state or may be converted into a supercritical state in the processing space 511 . The fluid supply unit 511 may include a supply line 531 , a valve 533 , a fluid supply source 535 , a filter 537 , and a pressure sensor 539 .

공급 라인(531)은 내부 공간(511)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 공급 라인(531)은 메인 공급 라인(531a), 상부 공급 라인(531b), 그리고 하부 공급 라인(531c)을 포함할 수 있다. 메인 공급 라인(531a)은 유체 공급원과 연결될 수 있다. 상부 공급 라인(531b)은 메인 공급 라인(531a)으로부터 분기되어 상부 바디(512)와 연결될 수 있다. 이에, 상부 공급 라인(531b)은 내부 공간(511)의 상부 영역으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 하부 공급 라인(531c)은 메인 공급 라인(531a)으로부터 분기되어 하부 바디(514)와 연결될 수 있다. 이에, 하부 공급 라인(531c)은 내부 공간(511)의 하부 영역으로 처리 유체를 공급할 수 있다.The supply line 531 may supply a processing fluid to the internal space 511 . The supply line 531 may include a main supply line 531a , an upper supply line 531b , and a lower supply line 531c . The main supply line 531a may be connected to a fluid supply source. The upper supply line 531b may be branched from the main supply line 531a and connected to the upper body 512 . Accordingly, the upper supply line 531b may supply the processing fluid to the upper region of the inner space 511 . The lower supply line 531c may be branched from the main supply line 531a to be connected to the lower body 514 . Accordingly, the lower supply line 531c may supply the processing fluid to the lower region of the internal space 511 .

밸브(533)는 공급 라인(531)에 설치될 수 있다. 밸브(533)는 유량 조절 밸브이거나, 개폐 밸브 일 수 있다. 밸브(533)의 개폐에 의해 내부 공간(511)으로의 처리 유체의 공급 여부는 결정될 수 있다. 밸브(533)는 메인 공급 라인(531a)에 설치되는 메인 밸브(533a), 상부 공급 라인(531b)에 설치되는 상부 밸브(533b), 그리고 하부 공급 라인(531c)에 설치되는 하부 밸브(533c)를 포함할 수 있다. The valve 533 may be installed in the supply line 531 . The valve 533 may be a flow control valve or an on/off valve. Whether to supply the processing fluid to the internal space 511 may be determined by opening and closing the valve 533 . The valve 533 includes a main valve 533a installed in the main supply line 531a, an upper valve 533b installed in the upper supply line 531b, and a lower valve 533c installed in the lower supply line 531c. may include.

유체 공급원(535)은 처리 유체를 저장 및/또는 공급할 수 있다. 유체 공급원(535)은 리저버(Reservoir)일 수 있다. 유체 공급원(535)은 처리 유체를 공급 라인(531)으로 전달할 수 있다. 상술한 메인 밸브(533a)는 후술하는 유체 공급원(535), 그리고 메인 공급 라인(531a)이 분기되는 지점 사이에 설치될 수 있다.A fluid source 535 may store and/or supply processing fluid. The fluid source 535 may be a reservoir. A fluid source 535 may deliver a process fluid to a supply line 531 . The above-described main valve 533a may be installed between a fluid supply source 535 to be described later and a point where the main supply line 531a is branched.

필터(537)는 유체 공급원(535)으로부터 내부 공간(511)으로 전달되는 처리 유체를 여과할 수 있다. 예컨대, 필터(537)는 내부 공간(511)으로 전달되는 처리 유체에 포함될 수 있는 불순물을 여과할 수 있다. 필터(537)는 메인 공급 라인(531a) 상에 설치될 수 있다. 필터(537)는 메인 공급 라인(531a)이 분기되는 지점보다 상류에 설치될 수 있다. 필터(537)는 후술하는 제2감압 라인(561)과 메인 공급 라인(531a)이 연결되는 지점보다 상류에 설치될 수 있다. 필터(537)는 상술한 메인 밸브(533a)보다 하류에 설치될 수 있다. 필터(537)는 후술하는 제3압력 센서(539c)보다 하류에 설치될 수 있다.The filter 537 may filter the processing fluid delivered from the fluid source 535 to the interior space 511 . For example, the filter 537 may filter impurities that may be included in the processing fluid delivered to the internal space 511 . The filter 537 may be installed on the main supply line 531a. The filter 537 may be installed upstream from the branching point of the main supply line 531a. The filter 537 may be installed upstream from a point where the second pressure reduction line 561 and the main supply line 531a, which will be described later, are connected. The filter 537 may be installed downstream of the above-described main valve 533a. The filter 537 may be installed downstream of a third pressure sensor 539c to be described later.

압력 센서(539)는 내부 공간(511) 및/또는 공급 라인(531)의 압력을 측정할 수 있다. 압력 센서(539)가 측정하는 압력 데이터는 제어기(30)로 전달될 수 있다. 압력 센서(539)는 공급 라인(531)에 설치될 수 있다. 압력 센서(539)는 제1압력 센서(539a), 제2압력 센서(539b), 그리고 제3압력 센서(539c)를 포함할 수 있다. 제1압력 센서(539a)는 제2압력 센서(539b)보다 하류에 설치될 수 있다, 그리고 제2압력 센서(539b)는 제3압력 센서(539c)보다 하류에 설치될 수 있다.The pressure sensor 539 may measure the pressure of the interior space 511 and/or the supply line 531 . Pressure data measured by the pressure sensor 539 may be transmitted to the controller 30 . The pressure sensor 539 may be installed in the supply line 531 . The pressure sensor 539 may include a first pressure sensor 539a, a second pressure sensor 539b, and a third pressure sensor 539c. The first pressure sensor 539a may be installed downstream of the second pressure sensor 539b, and the second pressure sensor 539b may be installed downstream of the third pressure sensor 539c.

제1압력 센서(539a)는 상부 공급 라인(531b)에 설치되되, 상부 밸브(533b)보다 하류에 설치될 수 있다. 이에, 제1압력 센서(539a)가 측정하는 압력은, 내부 공간(511)의 압력과 동일할 수 있다. 즉, 제1압력 센서(539a)가 측정하는 압력은 이하에서 설명하는 내부 공간(511)의 압력이라 할 수 있다. The first pressure sensor 539a is installed in the upper supply line 531b, and may be installed downstream of the upper valve 533b. Accordingly, the pressure measured by the first pressure sensor 539a may be the same as the pressure of the internal space 511 . That is, the pressure measured by the first pressure sensor 539a may be referred to as the pressure of the internal space 511 to be described below.

제2압력 센서(539b)는 상부 공급 라인(531b)에 설치되되, 상부 밸브(533b)보다 상류에 설치될 수 있다. 이에, 제2압력 센서(539b)가 측정하는 압력은, 유체 공급원(535)으로부터 공급되는 처리 유체가 공급 라인(531)에 흐르면서 발생하는 압력을 측정할 수 있다. 즉, 제2압력 센서(539b)가 측정하는 압력은 이하에서 설명하는 공급 라인(531)의 압력이라 할 수 있다.The second pressure sensor 539b is installed in the upper supply line 531b, and may be installed upstream of the upper valve 533b. Accordingly, the pressure measured by the second pressure sensor 539b may measure a pressure generated while the processing fluid supplied from the fluid supply source 535 flows through the supply line 531 . That is, the pressure measured by the second pressure sensor 539b may be the pressure of the supply line 531 to be described below.

제3압력 센서(539c)는 메인 공급 라인(531a)에 설치되되, ??터(537)와 메인 밸브(533a) 사이에 설치될 수 있다. 이에, 제3압력 센서(539c)가 측정하는 압력은, 유체 공급원(535)으로부터 공급되는 처리 유체가 공급 라인(531)에 흐르면서 발생하는 압력을 측정할 수 있다. 즉, 제3압력 센서(539c)가 측정하는 압력은, 상술한 제2압력 센서(539b)가 측정하는 압력과 유사하게, 이하에서 설명하는 공급 라인(531)의 압력이라 할 수 있다.The third pressure sensor 539c is installed in the main supply line 531a, and may be installed between the actuator 537 and the main valve 533a. Accordingly, the pressure measured by the third pressure sensor 539c may measure a pressure generated while the processing fluid supplied from the fluid supply source 535 flows through the supply line 531 . That is, the pressure measured by the third pressure sensor 539c is similar to the pressure measured by the above-described second pressure sensor 539b, and may be referred to as the pressure of the supply line 531 to be described below.

지지 부재(540)는 내부 공간(511)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 부재(540)는 내부 공간(511)에서 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있도록 구성될 수 있다. 예컨대, 지지 부재(540)는 내부 공간(511)에서 기판(W)의 가장자리 영역 하면을 지지할 수 있도록 구성될 수 있다.The support member 540 may support the substrate W in the inner space 511 . The support member 540 may be configured to support the edge region of the substrate W in the inner space 511 . For example, the support member 540 may be configured to support the lower surface of the edge region of the substrate W in the inner space 511 .

제1감압 유닛(550)은 내부 공간(511)을 감압할 수 있다. 제1감압 유닛(550)은 내부 공간(511)에 공급되는 처리 유체를 외부로 배출하여 내부 공간(511)을 감압할 수 있다. 제1감압 유닛(550)은 내부 공간(551)과 연통하는 제1감압 라인(551), 그리고 제1감압 라인(551)에 설치되는 제1감압 밸브(553)를 포함할 수 있다.The first decompression unit 550 may depressurize the internal space 511 . The first pressure reducing unit 550 may depressurize the inner space 511 by discharging the processing fluid supplied to the inner space 511 to the outside. The first pressure reducing unit 550 may include a first pressure reducing line 551 communicating with the internal space 551 and a first pressure reducing valve 553 installed in the first pressure reducing line 551 .

제2감압 유닛(560)은 공급 라인(531)을 감압할 수 있다. 제2감압 유닛(560)은 공급 라인(531)에 공급되는 처리 유체를 외부로 배출하여 내부 공간(511)을 감압할 수 있다. 예컨대, 제2감압 유닛(560)은 상부 공급 라인(531b) 및 하부 공급 라인(531c)이 분기되는 지점보다 상류인 메인 공급 라인(531a)에 연결되는 제2감압 라인(561), 그리고 제2감압 라인(561)에 설치되는 제2감압 밸브(563)를 포함할 수 있다.The second pressure reducing unit 560 may reduce the pressure of the supply line 531 . The second pressure reducing unit 560 may depressurize the internal space 511 by discharging the processing fluid supplied to the supply line 531 to the outside. For example, the second pressure reduction unit 560 may include a second pressure reduction line 561 connected to the main supply line 531a upstream from the point where the upper supply line 531b and the lower supply line 531c branch off, and the second A second pressure reducing valve 563 installed in the pressure reducing line 561 may be included.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 기판 처리 장치가 수행할 수 있다. 상술한 바와 같이 제어기(30)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 기판 처리 장치가 수행할 수 있도록, 기판 처리 장치를 제어할 수 있다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate processing method described below may be performed by a substrate processing apparatus. As described above, the controller 30 may control the substrate processing apparatus so that the substrate processing apparatus can perform the substrate processing method described below.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 액 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 건조 단계(S30)를 포함할 수 있다.4 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4 , the substrate processing method according to an embodiment of the present invention may include a liquid processing step ( S10 ), a conveying step ( S20 ), and a drying step ( S30 ).

액 처리 단계(S10)는 기판(W)으로 처리 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리 하는 단계이다. 액 처리 단계(S10)는 액 처리 챔버(400)에서 수행될 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S10)에는 회전하는 기판(W)으로 처리 액(L)을 공급하여 기판(W)을 액 처리 할 수 있다(도 5 참조). 액 처리 단계(S10)에서 공급되는 처리 액(L)은 상술한 케미칼, 린스 액, 유기 용제, 그리고 현상 액 중 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계(S10)에서는 회전하는 기판(W)으로 린스 액을 공급하여 기판(W)을 린스 처리 할 수 있다. 이후, 회전하는 기판(W)으로 유기 용제를 공급하여 기판(W) 상에 잔류하는 린스 액을 유기 용제로 치환할 수 있다. 또한, 예컨대, 액 처리 단계(S10)에서는 회전하는 기판(W)으로 현상 액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리 할 수 있다.The liquid treatment step ( S10 ) is a step of liquid-treating the substrate W by supplying a treatment liquid to the substrate W . The liquid processing step S10 may be performed in the liquid processing chamber 400 . For example, in the liquid processing step S10 , the substrate W may be liquid-treated by supplying the processing liquid L to the rotating substrate W (see FIG. 5 ). The treatment liquid L supplied in the liquid treatment step S10 may be at least any one or more of the aforementioned chemical, rinse liquid, organic solvent, and developer. For example, in the liquid treatment step S10 , the substrate W may be rinsed by supplying a rinse liquid to the rotating substrate W. Thereafter, the organic solvent may be supplied to the rotating substrate W to replace the rinse liquid remaining on the substrate W with the organic solvent. Also, for example, in the liquid processing step S10 , the substrate W may be developed by supplying a developer to the rotating substrate W.

반송 단계(S20)는 기판(W)을 반송하는 단계이다. 반송 단계(S20)는 액 처리가 수행된 기판(W)을 건조 챔버(500)로 반송하는 단계 일 수 있다. 예컨대, 반송 단계(S20)에는 반송 로봇(320)이 기판(W)을 액 처리 챔버(400)에서 건조 챔버(500)의 내부 공간(511)으로 기판(W)을 반송할 수 있다. 반송 단계(S20)의 반송 대상인 기판(W) 상에는 처리 액(L)이 잔류할 수 있다. 예컨대, 기판(W) 상에는 유기 용제가 잔류할 수 있다. 예컨대, 기판(W) 상에는 현상 액이 잔류할 수 있다. 즉, 기판(W)은, 그 상면이 현상 액 또는 유기 용제에 웨팅(Wetting)된 상태로 건조 챔버(500)로 반송될 수 있다. 이와 같이 기판(W)이 웨팅(Wetting)된 상태로 건조 챔버(500)로 반송되어 기판(W) 상에 형성된 패턴(Pattern)에 리닝(Leaning) 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다. The conveying step S20 is a step of conveying the substrate W. The transfer step ( S20 ) may be a step of transferring the substrate W on which the liquid treatment has been performed to the drying chamber 500 . For example, in the transfer step S20 , the transfer robot 320 may transfer the substrate W from the liquid processing chamber 400 to the internal space 511 of the drying chamber 500 . The processing liquid L may remain on the substrate W to be transferred in the transfer step S20 . For example, the organic solvent may remain on the substrate W. For example, the developer may remain on the substrate W. That is, the substrate W may be transferred to the drying chamber 500 with its upper surface wetted with a developer or an organic solvent. As described above, it is possible to minimize the occurrence of a leaning phenomenon in the pattern formed on the substrate W by transferring the substrate W to the drying chamber 500 in a wet state.

건조 단계(S30)는 내부 공간(511)에 기판(W)이 반입된 이후, 초임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판(W)을 건조하는 단계이다. 건조 단계(S30)는 건조 챔버(500)에서 수행될 수 있다. 건조 단계(S30)에서는 바디(510)의 내부 공간(511)에서 기판(W)으로 처리 유체를 공급하여 기판(W)을 건조할 수 있다. 예컨대, 건조 단계(S30)에는 내부 공간(511)으로 초임계 상태의 처리 유체가 기판(W)으로 전달될 수 있다. 기판(W)으로 전달된 초임계 상태의 처리 유체는 기판(W)의 상면에 잔류하는 처리 액(L)과 혼합된다. 그리고 처리 액(L)과 혼합된 처리 유체가 내부 공간(511)으로부터 배출되면서, 처리 액(L)은 기판(W)으로부터 제거될 수 있다.The drying step ( S30 ) is a step of drying the substrate (W) by using a processing fluid in a supercritical state after the substrate (W) is loaded into the internal space ( 511 ). The drying step S30 may be performed in the drying chamber 500 . In the drying step S30 , the substrate W may be dried by supplying a processing fluid to the substrate W from the internal space 511 of the body 510 . For example, in the drying step S30 , the processing fluid in a supercritical state may be transferred to the substrate W through the internal space 511 . The processing fluid in the supercritical state transferred to the substrate W is mixed with the processing liquid L remaining on the upper surface of the substrate W. In addition, as the processing fluid mixed with the processing liquid L is discharged from the internal space 511 , the processing liquid L may be removed from the substrate W.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 건조 단계(S30)에 대하여 보다 상세히 설명한다. 도 6은 도 5의 건조 단계에 대한 상세 플로우 차트이고, 도 7는 본 발명의 건조 단계를 수행하는 동안 바디의 내부 공간의 압력 변화, 그리고 공급 라인의 압력 변화를 보여주는 그래프이다. 도 7에서는 내부 공간(511)의 압력 변화에 대한 제1압력 프로파일(PR1), 그리고 공급 라인(531)의 압력 변화에 대한 제2압력 프로파일(PR2)을 도시한다. 제1압력 프로파일(PR1)은 제1압력 센서(539a)가 측정하는 압력 데이터일 수 있고, 제2압력 프로파일(PR2)은 제2압력 센서(539b)가 측정하는 압력 데이터 일 수 있다. Hereinafter, the drying step (S30) according to an embodiment of the present invention will be described in more detail. 6 is a detailed flowchart of the drying step of FIG. 5 , and FIG. 7 is a graph showing the pressure change in the internal space of the body and the pressure change in the supply line during the drying step of the present invention. 7 shows a first pressure profile PR1 with respect to a pressure change in the inner space 511 and a second pressure profile PR2 with respect to a pressure change in the supply line 531 . The first pressure profile PR1 may be pressure data measured by the first pressure sensor 539a , and the second pressure profile PR2 may be pressure data measured by the second pressure sensor 539b .

도 6, 그리고 도 7를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 건조 단계(S30)는 가압 단계(S31), 유동 단계(S32), 그리고 감압 단계(S33)를 포함할 수 있다. 가압 단계(S31), 유동 단계(S32), 그리고 감압 단계(S33)는 순차적으로 수행될 수 있다. 6 and 7, the drying step (S30) according to an embodiment of the present invention may include a pressurizing step (S31), a flowing step (S32), and a decompression step (S33). The pressurizing step (S31), the flowing step (S32), and the depressurizing step (S33) may be sequentially performed.

가압 단계(S31)는 내부 공간(511)의 압력을 기 설정 압력, 예컨대 제1압력(P1)까지 높이는 단계일 수 있다. 가압 단계(S31)는 내부 공간(511)에 기판(W)이 반입된 이후 수행될 수 있다. 가압 단계(S31)에는 내부 공간(511)으로 처리 유체를 내부 공간(511)으로 공급하여 내부 공간(511)의 제1압력(P1)까지 높일 수 있다.The pressing step ( S31 ) may be a step of increasing the pressure of the internal space 511 to a preset pressure, for example, the first pressure P1 . The pressing step S31 may be performed after the substrate W is loaded into the internal space 511 . In the pressurizing step S31 , the processing fluid may be supplied to the internal space 511 to increase the first pressure P1 of the internal space 511 .

유동 단계(S32)는 가압 단계(S31) 이후에 수행될 수 있다. 유동 단계(S32)에는 내부 공간(511)으로 처리 유체를 공급하거나, 내부 공간(511)에서 처리 유체를 배출할 수 있다. 예컨대, 유동 단계(S32)에서 내부 공간(511)으로 처리 유체를 공급하는 동안에는 내부 공간(511)에서 처리 유체의 배출이 이루어지지 않을 수 있다. 또한, 유동 단계(S32)에서 내부 공간(511)으로부터 처리 유체를 배출하는 동안에는 내부 공간(511)으로 처리 유체의 공급이 이루어지지 않을 수 있다. 즉, 유동 단계(S32)에는 내부 공간(511)의 압력이 분압 차에 의해 변동될 수 있다. 유동 단계(S32)에는 내부 공간(511)의 압력이 제1압력(P1)과 제2압력(P2) 사이에서 반복하여 펄싱(Pulsing)될 수 있다. 제2압력(P2)은 제1압력(P1)보다 낮은 압력일 수 있다. 제1압력(P1)은 약 180 Bar일 수 있다. 제2압력(P2)은 약 80 Bar일 수 있다. The flow step (S32) may be performed after the pressurization step (S31). In the flow step S32 , the processing fluid may be supplied to the internal space 511 or the processing fluid may be discharged from the internal space 511 . For example, while the processing fluid is supplied to the internal space 511 in the flow step S32 , the processing fluid may not be discharged from the internal space 511 . Also, while the processing fluid is discharged from the internal space 511 in the flow step S32 , the processing fluid may not be supplied to the internal space 511 . That is, in the flow step ( S32 ), the pressure of the internal space 511 may be changed by the partial pressure difference. In the flow step S32 , the pressure of the internal space 511 may be repeatedly pulsed between the first pressure P1 and the second pressure P2 . The second pressure P2 may be lower than the first pressure P1 . The first pressure P1 may be about 180 Bar. The second pressure P2 may be about 80 Bar.

유동 단계(S32)에는 내부 공간(511)에 공급된 처리 유체에 유동이 발생하여 기판(W) 상에 잔류하는 처리 액(L)은 기판(W)으로부터 보다 효과적으로 제거될 수 있다. 유동 단계(S32)는 처리 단계로 지칭될 수도 있다. In the flow step S32 , a flow occurs in the processing fluid supplied to the internal space 511 , so that the processing liquid L remaining on the substrate W may be more effectively removed from the substrate W . The flow step S32 may also be referred to as a processing step.

감압 단계(S33)는 유동 단계(S32) 이후에 수행될 수 있다. 감압 단계(S33)에는 바디(510)의 내부 공간(511)의 압력을 낮출 수 있다. 예컨대, 감압 단계(S33)에는 바디(510)의 내부 공간(511)의 압력을 상압으로 낮출 수 있다. 감압 단계(S33)는 t1 ~ t3 동안 수행될 수 있다. 감압 단계(S33)가 수행되는 t1 ~ t2 동안(제1감압 단계로 칭해질 수 있다)에는 도 8에 도시된 바와 같이, 밸브(533) 및 제2감압 밸브(563)가 페쇄되고, 제1감압 밸브(553)가 개방될 수 있다. 그리고, 감압 단계(S33)가 수행되는 t2 ~ t3 동안(제2감압 단계로 칭해질 수 있다)에는 도 9에 도시된 바와 같이, 밸브(533)가 페쇄되고, 제1감압 밸브(553) 및 제2감압 밸브(563)가 개방될 수 있다.The decompression step ( S33 ) may be performed after the flow step ( S32 ). In the decompression step ( S33 ), the pressure in the internal space 511 of the body 510 may be lowered. For example, in the decompression step ( S33 ), the pressure in the internal space 511 of the body 510 may be lowered to normal pressure. The decompression step S33 may be performed during t1 to t3. During t1 to t2 during which the pressure reduction step S33 is performed (which may be referred to as a first pressure reduction step), as shown in FIG. 8 , the valve 533 and the second pressure reduction valve 563 are closed, and the first The pressure reducing valve 553 may be opened. And, during t2 to t3 during which the pressure reduction step S33 is performed (which may be referred to as a second pressure reduction step), as shown in FIG. 9 , the valve 533 is closed, and the first pressure reduction valve 553 and The second pressure reducing valve 563 may be opened.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제1감압 유닛(550)이 내부 공간(511)에 대한 감압을 시작하는 제1시점(t1)과, 제2감압 유닛(560)이 공급 라인(531)에 대한 감압을 시작하는 제2시점(t2)이 서로 상이할 수 있다. 제2시점(t2)은 제1시점(t1)보다 늦은 시점일 수 있다. 제1시점(t1)과 제2시점(t2)의 차이는 약 5초 정도일 수 있다. 그리고, 제2시점(t2)은 감압 단계(S33)가 수행되는 시기(t1~t3)에 포함될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first time point t1 at which the first pressure reduction unit 550 starts decompression of the internal space 511 , and the second pressure reduction unit 560 is connected to the supply line 531 . The second time point t2 at which the decompression starts may be different from each other. The second time point t2 may be later than the first time point t1. The difference between the first time point t1 and the second time point t2 may be about 5 seconds. In addition, the second time point t2 may be included in the times t1 to t3 at which the decompression step S33 is performed.

감압 단계(S33)에서는 내부 공간(511)의 감압, 그리고 공급 라인(531)의 감압이 모두 필요하다. 만약, 내부 공간(511)의 감압이 공급 라인(531)의 감압과 같은 시점에 시작되게 된다면, 내부 공간(511)보다 상대적으로 체적이 작은 공급 라인(531)의 감압이 좀 더 빠르게 이루어질 수 있다. 이 경우, 공급 라인(531)의 압력이 내부 공간(511)의 압력보다 상대적으로 낮아질 수 있다. 이에, 내부 공간(511)에 잔류하는 처리 액(L)이나, 처리 유체들이 역류하여 공급 라인(531)으로 유입될 수 있다. 이때, 상부 밸브(533b), 그리고 하부 밸브(533c)가 설치되는 지점보다 하류에 설치되는 상부 공급 라인(531b) 및 하부 공급 라인(531c)은 오염될 수 있다. 경우에 따라서, 상부 밸브(533b), 그리고 하부 밸브(533c)에 리크(Leak)가 발생되는 경우, 역류하는 처리 액(L)이나, 처리 유체들은 메인 공급 라인(531a)에 까지 이를 수 있다.In the decompression step ( S33 ), both the pressure reduction of the internal space 511 and the pressure reduction of the supply line 531 are required. If the pressure reduction of the internal space 511 is started at the same time as the pressure reduction of the supply line 531 , the pressure reduction of the supply line 531 having a relatively smaller volume than the internal space 511 can be performed more quickly. . In this case, the pressure of the supply line 531 may be relatively lower than the pressure of the internal space 511 . Accordingly, the processing liquid L or processing fluids remaining in the internal space 511 may flow backward and be introduced into the supply line 531 . In this case, the upper supply line 531b and the lower supply line 531c installed downstream from the point where the upper valve 533b and the lower valve 533c are installed may be contaminated. In some cases, when a leak occurs in the upper valve 533b and the lower valve 533c, the processing liquid L or processing fluids flowing backward may reach the main supply line 531a.

그러나, 본 발명에서는 공급 라인(531)에 대한 감압을 시작하는 제2시점(t2)을 내부 공간(511)에 대한 감압을 시작하는 제1시점(t1)보다 늦게 한다. 내부 공간(511)에 대한 감압이 충분이 이루어진 후, 공급 라인(531)에 대한 감압이 이루어지므로, 상술한 체적 차이에서 발생할 수 있는 처리 유체 또는 처리 액(L)의 역류 현상을 방지할 수 있으며, 공정 불량을 최소화 할 수 있는 이점이 있다. However, in the present invention, the second time point t2 for starting the pressure reduction for the supply line 531 is later than the first time point t1 for starting the pressure reduction for the internal space 511 . After sufficient decompression of the internal space 511 is made, the decompression of the supply line 531 is made, so that it is possible to prevent a reverse flow of the treatment fluid or treatment liquid L that may occur due to the above-described volume difference. , there is an advantage in that process defects can be minimized.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed as including other embodiments.

건조 챔버 : 500
바디 : 510
상부 바디 : 512
하부 바디 : 514
가열 부재 : 520
유체 공급 유닛 : 530
지지 부재 : 540
제1감압 유닛 : 550
제2감압 유닛 : 560
승강 부재 : 570Drying Chamber: 500
Body: 510
Upper body: 512
Lower body: 514
Heating element: 520
Fluid supply unit: 530
Support member: 540
1st decompression unit: 550
2nd decompression unit: 560
Lifting member: 570

Claims

An apparatus for processing a substrate using a processing fluid in a supercritical state, the apparatus comprising:
a body having an interior space;
a support member for supporting the substrate in the inner space;
a fluid supply unit having a supply line supplying a processing fluid to the interior space;
a first pressure reducing unit for decompressing the internal space;
a second pressure reducing unit for depressurizing the supply line; and,
comprising a controller;
The controller is
the first pressure-reducing unit, and the second pressure-reducing unit such that a first time point at which the first pressure-reducing unit starts depressurizing the internal space and a second time point at which the second pressure-reducing unit starts depressurizing the supply line are different from each other 2 A substrate processing apparatus for controlling a pressure reducing unit.

According to claim 1,
The controller is
and controlling the first pressure reducing unit and the second pressure reducing unit such that the second time point is later than the first time point.

3. The method of claim 2,
The controller is
a pressurizing step in which the fluid supply unit supplies the processing fluid to the internal space to increase the pressure in the internal space to a set pressure;
after the pressurization step, controlling the fluid supply unit and the first decompression unit to perform a decompression step in which the first decompression unit discharges the processing fluid in the inner space to reduce the pressure in the inner space,
and controlling the second pressure reduction unit such that the second time point is included in a time when the pressure reduction step is performed.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The fluid supply unit,
a fluid source for supplying and/or storing processing fluid;
The supply line is
a main supply line connected to the fluid supply source;
an upper supply line branching from the main supply line and supplying a processing fluid to an upper region of the inner space;
a lower supply line branching from the main supply line and supplying a processing fluid to a lower region of the inner space;
an upper valve installed in the upper supply line;
and a lower valve installed in the lower supply line,
The first pressure reducing unit,
a first pressure reducing line communicating with the inner space;
a first pressure reducing valve installed in the first pressure reducing line;
The second pressure reducing unit,
a second pressure reducing line connected upstream from a branching point of the upper supply line and the lower supply line;
and a second pressure reducing valve installed on the second pressure reducing line.

5. The method of claim 4,
The fluid supply unit,
a first pressure sensor installed in the supply line and installed downstream of the upper valve;
and a second pressure sensor installed in the supply line and installed upstream from the upper valve.

A method for processing a substrate using a processing fluid in a supercritical state, the method comprising:
a pressurizing step of increasing the pressure of the internal space by supplying the processing fluid to the internal space by a supply line communicating with the internal space after loading the substrate into the internal space of the chamber;
a flow step of supplying the processing fluid to the internal space or discharging the processing fluid from the internal space to flow the processing fluid;
and a decompression step in which a first pressure reduction line communicating with the inner space discharges the processing fluid from the inner space to lower the pressure of the inner space,
A second pressure reducing line communicating with the supply line depressurizes the supply line,
The second time point at which the second pressure reduction line depressurizes the supply line is,
A substrate processing method different from a first time point at which the first pressure reduction line depressurizes the internal space.

7. The method of claim 6,
The second time point is
A method of processing a substrate later than the first time point.

8. The method of claim 7,
The second time point is
The substrate processing method included in the time when the decompression step is performed.

9. The method according to any one of claims 6 to 8,
Whether the processing fluid is supplied to the internal space is determined by opening and closing of a valve installed in the supply line,
A point at which the second pressure reduction line is connected to the supply line is upstream from a point at which the valve is installed.