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KR20220118201A - 안테나 및 그것을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

안테나 및 그것을 포함하는 전자 장치 Download PDF

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Publication number
KR20220118201A
KR20220118201A KR1020210022056A KR20210022056A KR20220118201A KR 20220118201 A KR20220118201 A KR 20220118201A KR 1020210022056 A KR1020210022056 A KR 1020210022056A KR 20210022056 A KR20210022056 A KR 20210022056A KR 20220118201 A KR20220118201 A KR 20220118201A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
edge
switch
electronic device
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
KR1020210022056A
Other languages
English (en)
Inventor
김준우
윤힘찬
손철홍
이상하
황순호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210022056A priority Critical patent/KR20220118201A/ko
Priority to EP22756473.9A priority patent/EP4290685A4/en
Priority to PCT/KR2022/002248 priority patent/WO2022177275A1/ko
Publication of KR20220118201A publication Critical patent/KR20220118201A/ko
Priority to US18/451,840 priority patent/US20230395970A1/en
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Abstract

본 개시의 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구, 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치, 및 제1 하우징 또는 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 제2 하우징은, 제1 하우징과 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함하고, 제1 가장자리의 제1 영역 및 제1 영역에서 연장되는 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고, 도전성 물질의 제1 단은 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고, 도전성 물질의 제2 단은 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고, 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고, 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고, 제1 하우징과 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 제1 가장자리의 제1 절연 부재 및 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고, 무선 통신 회로는, 제1 하우징과 제2 하우징이 서로 마주보는 경우, 급전 지점을 통해 도전성 물질에 급전하고, 스위치를 제어하여 제3 가장자리와 그라운드 영역을 전기적으로 단락시킬 수 있다. 이외에 다양한 실시 예들이 가능할 수 있다.

Description

안테나 및 그것을 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE COMPRISING ANTENNA AND ANTENNA THEREOF}
본 문서에서 개시되는 실시 예들은, 전자 장치에 있어서 스위치를 이용하여 안테나 방사 성능을 향상시키는 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 접힐 수 있는 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 힌지 구조를 중심으로 전자 장치가 접히는 경우, 전자 장치는 힌지 구조에 대하여 대칭을 이루며 서로 포개질 수 있다.
한편, 전자 장치는 외부 장치와 신호를 주고받기 위하여 다양한 주파수 대역에서 동작하는 복수의 안테나를 포함할 수 있다. 전자 장치는 전자 장치에 포함된 도전성 부분의 일부를 안테나 방사체로 활용할 수 있다.
전자 장치가 접힘 상태에서 하우징의 일 영역에 형성된 안테나가 마주보는 위치에 형성되는 하우징의 도전성 부재에 의하여 안테나 성능이 열화될 수 있다.
전자 장치는 지지 부재의 일 영역에 형성된 개구(opening) 주변에 위치한 하우징의 도전성 부재 및 지지 부재의 일부분에서 서로 다른 방향을 향하는 전류의 흐름이 형성됨으로써 전자 장치의 안테나 방사 효율이 저하될 수 있다.
본 문서에 개시되는 다양한 실시 예들은, 복수의 안테나를 포함하는 전자 장치에서 안테나의 성능이 열화되는 것을 감소시켜 안테나의 방사 성능을 향상시키는 방법 및 그 장치를 포함한다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구, 상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치, 및 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고, 상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고, 상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시킬 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구, 상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치, 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로, 및 상기 전자 장치의 전면을 형성하며, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징에 걸쳐 배치되는 플렉서블 디스플레이를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고, 상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고, 상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시킬 수 있다.
다양한 실시 예들에 의하면, 전자 장치에 형성되어 있는 개구의 주변에 형성되는 전류의 흐름을 스위치를 이용하여 조절함으로써 전자 장치가 접힌 상태에 있는 경우에도 전자 장치가 펼침 상태에 있는 경우와 비교할 때 안테나 방사 효율이 열화되는 폭을 감소시킬 수 있다.
다양한 실시 예들에 의하면, 개구를 스위치를 통해 연결시켜 개구를 통하여 발생하는 공진과 전자 장치의 일 영역에 형성된 안테나를 통하여 발생하는 공진이 서로 독립적으로 형성되도록 함으로써, 전자 장치의 일 영역에 형성된 안테나의 방사 효율을 향상시킬 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 펼침 상태 및 접힌 상태를 도시한다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치의 제1 하우징 및 제2 하우징을 도시한다.
도 3은 일 실시 예에 따른 도전성 물질을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른 개구를 포함하는 제2 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 5는 일 실시 예에 따라 제1 스위치의 스위칭에 따른 전자 장치의 전류 흐름을 도시한다.
도 6은 일 실시 예에 따라 제1 스위치의 스위칭에 따른 도전성 물질의 안테나 방사를 3D(3 dimension)로 도시한 것이다.
도 7은 일 실시 예에 따라 제1 스위치의 스위칭에 따른 도전성 물질의 안테나 방사를 2D(2 dimension)로 도시한 것이다.
도 8a는 제1 실시 예 또는 제2 실시 예에 따른 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 8b는 도 8a의 실시 예들에서 제1 하우징의 일 영역에 형성되는 전기장을 도시한다.
도 9a는 일 실시 예에 따른 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 9b는 도 9a의 일 실시 예에서 제1 하우징의 일 영역에 형성되는 전기장을 도시한다.
도 9c는 도 8a의 제1 실시 예 및 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율을 비교한 그래프이다.
도 10은 일 실시 예에 따라 지그를 통하여 유전체의 인체 영향을 확인하는 방법을 도시한다.
도 11은 도 8a의 제2 실시 예 및 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율 및 반사 계수를 비교한 그래프이다.
도 12a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분(floated frame)을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 12b는 도 12a의 일 실시 예의 안테나 방사에 따른 반사 계수를 도시한 그래프이다.
도 13은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 개구에 형성되는 방사 전류의 경로 및 제4 가장자리에 형성되는 방사 전류의 경로를 도시한다.
도 14a는 도 13의 (a)에 도시된 전자 장치의 일 실시 예에 따른 일 영역의 구조를 포함하는 전자 장치의 총 안테나 방사 효율 그래프 및 S 파라미터 그래프를 도시한다.
도 14b는 도 13의 (b)에 도시된 전자 장치의 일 실시 예에 따른 도 일 영역의 구조를 포함하는 전자 장치의 총 안테나 방사 효율 그래프 및 S 파라미터 그래프를 도시한다.
도 15는 일 실시 예에 따른 전자 장치가 접힘 상태인 경우 제1 스위치에 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 연결한 경우 형성되는 전기장(E-field)을 도시한다.
도 16은 일 실시 예에 따른 전자 장치의 총 안테나 방사 효율 그래프를 도시한다.
도 17a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 17b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 17c는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 18a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 18b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 18c는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 19a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 19b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징의 일 영역을 도시한다.
도 20a는 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 도시한다.
도 20b는 도 20a와 다른 각도에서 바라본 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 도시한다.
도 21a는 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 도시한다.
도 21b는 도 21a와 다른 각도에서 바라본 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 도시한다.
도 21은 다양한 실시 예들에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블럭도이다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 개시를 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 개시의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)의 펼침 상태(100a) 및 접힌 상태(100b)를 도시한다.
도 1을 참고하면, 전자 장치(100)는 제1 하우징(110), 제2 하우징(120), 및 힌지 구조(130)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 펼침 상태(100a)인 경우에, 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120)은 힌지 구조(130)를 통하여 연결될 수 있다. 제1 하우징(110), 제2 하우징(120), 및/또는 힌지 구조(130)에 위치한 디스플레이(미도시)의 적어도 일부는 전자 장치(100)의 일면의 적어도 일부를 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120)에 의해 형성된 영역에 배치되는 플렉서블 디스플레이(예: 폴더블 디스플레이)를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 하우징(110), 및 제2 하우징(120)은 서로 포개진 형태일 수 있다.
도 2는 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치(100)의 제1 하우징(110) 및 제2 하우징(120)의 구성 요소들을 도시한다.
도 2를 참고하면, 제1 하우징(110)은 제1 측면 부재(110-1) 및 제1 지지 부재(110-2)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 측면 부재(110-1)는 제1 가장자리(111), 및 제2 가장자리(112)를 포함할 수 있다. 제2 하우징(120)은 제2 측면 부재(120-1) 및 제2 지지 부재(120-2)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 측면 부재(120-1)는 제3 가장자리(121), 및 제4 가장자리(122)를 포함할 수 있다. 제1 측면 부재(110-1) 및 제2 측면 부재(120-1)는 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 가장자리(111)는 제1 방향(도 1의 (b)에서 -y 방향)을 따라 형성된 제1 하우징(110)의 일 영역일 수 있고, 제2 가장자리(112)는 제2 방향(+x 방향)을 따라 형성된 제1 하우징(110)의 일 영역일 수 있다. 일 예에서, 제1 방향(도 1의 (b)에서 -y 방향) 및 제2 방향(도 1의 (b)에서 +x 방향)은 실질적으로 수직일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 측면 부재(110-1)는 제1 도전성 부분(140), 제2 도전성 부분(170), 제3 도전성 부분(160), 제4 도전성 부분(150), 제5 도전성 부분(180), 제1 분절부(211), 제2 분절부(212), 제3 분절부(231), 제4 분절부(232), 또는 제5 분절부(233)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 분절부(211)는 제1 도전성 부분(140)과 제2 도전성 부분(170)의 사이에 위치할 수 있다. 또 다른 예로, 제2 분절부(212)는 제1 도전성 부분(140)과 제3 도전성 부분(160) 사이에 위치할 수 있다. 제3 분절부(231)는 제3 도전성 부분(160) 및 제4 도전성 부분(150) 사이에 위치할 수 있다. 제4 분절부(232)는 제4 도전성 부분(150) 및 제5 도전성 부분(180) 사이에 위치할 수 있다. 제5 분절부(233)는 제4 분절부(232)가 위치한 제5 도전성 부분(180)의 일측과 다른 타측에 위치할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 도전성 부분(140), 제2 도전성 부분(170), 제3 도전성 부분(160), 제4 도전성 부분(150), 또는 제5 도전성 부분(180)은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 분절부(211), 제2 분절부(212), 제3 분절부(231), 제4 분절부(232), 또는 제5 분절부(233)는 절연성 물질로 채워질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 가장자리(111)는 제1 도전성 부분(140)의 적어도 일부, 제2 도전성 부분(170), 또는 제1 분절부(211)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 제2 가장자리(112)는 제1 도전성 부분(140)의 다른 적어도 일부, 제3 도전성 부분(160), 또는 제5 도전성 부분(180)의 적어도 일부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140) 또는 제5 도전성 부분(180)의 적어도 일부분은 곡선으로 형성될 수 있다. 다만, 제1 도전성 부분(140) 또는 제5 도전성 부분(180)의 적어도 일 부분은 곡선으로 한정되지 않으며, 실질적으로 직각으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140)의 일 부분에는 P1 지점이 위치할 수 있고, 제1 도전성 부분(140)의 다른 일 부분에는 P2 지점이 위치할 수 있다. 제1 하우징의 일 영역(210a)에서 도시되는 P1 지점 및 P2 지점과 전자 장치(100)의 다른 구성 요소들과의 연결 관계는 도 3에서 후술한다.
일 실시 예에 따르면, 제3 가장자리(121)는 제1 방향(도 1의 (b)에서 +y 방향)을 따라 형성된 제2 하우징(120)의 일 영역일 수 있고, 제4 가장자리(122)는 제2 방향(도 1의 (b)에서 +x 방향)을 따라 형성된 제1 하우징(110)의 일 영역일 수 있다. 일 예에서, 제1 방향(도 1의 (b)에서 +y 방향) 및 제2 방향(도 1의 (b)에서 +x 방향)은 실질적으로 수직일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 측면 부재(120-1)는 제6 도전성 부분(190), 제7 도전성 부분(200), 제8 도전성 부분(210), 제9 도전성 부분(220), 제10 도전성 부분(230), 제6 분절부(222), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제9 분절부(242), 또는 제10 분절부(243)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제6 분절부(222)는 제6 도전성 부분(190)과 제7 도전성 부분(200)의 사이에 위치할 수 있다. 또 다른 예로, 제7 분절부(223)는 제7도전성 부분(200)과 제8 도전성 부분(210) 사이에 위치할 수 있다. 제8 분절부(241)는 제8 도전성 부분(210) 및 제9 도전성 부분(220) 사이에 위치할 수 있다. 제9 분절부(242)는 제9 도전성 부분(220) 및 제10 도전성 부분(230) 사이에 위치할 수 있다. 제10 분절부(243)는 제9 분절부(242)가 위치한 제10 도전성 부분(230)의 일측과 다른 타측에 위치할 수 있다. 일 실시 예에서, 제6 도전성 부분(190), 제7 도전성 부분(200), 제8 도전성 부분(210), 제9 도전성 부분(220), 또는 제10 도전성 부분(230)은 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제6 분절부(222), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제9 분절부(242), 또는 제10 분절부(243)는 절연성 물질로 채워질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 지지 부재(120-2)의 적어도 일 영역에는 제3 가장자리(121)를 따라 형성되는 개구(opening)(221)가 포함될 수 있다. 예를 들어, 개구(221)는 제6 도전성 부분(190) 또는 제7 도전성 부분(200)에 인접한 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구(221)는 개구(221)와 인접하여 위치하는 제3 가장자리(121)에 비하여 일정한 폭만큼 파인 형태를 가질 수 있고, 이 경우 개구(221)는 비도전성 물질(예: 사출)로 채워질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 가장자리(121)를 따라 형성되는 제1 도전성 부분(140)의 일 부분에는 P3 지점이 위치할 수 있고, 제4 가장자리(122)의 일 부분들에는 P4 지점 및/또는 P5 지점이 위치할 수 있다. 제2 하우징(120)의 일 영역(220a)에서 도시되는 P3 지점, P4 지점 및 P5 지점과 전자 장치(100)의 다른 구성 요소들과의 연결 관계는 도 4에서 후술한다.
도 3은 일 실시 예에 따른 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(210)을 도시한다.
도 3을 참고하면, 제1 하우징(110)의 일 영역(210)에는 제1 도전성 부분(140), 제1 분절부(211), 또는 제2 분절부(212), 비도전성 부재(또는, 비도전성 영역)(216), 또는 인쇄 회로 기판(217)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 분절부(211)에는 제1 절연 부재(211-1)가 배치되고, 제2 분절부(212)에는 제2 절연 부재(212-1)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 제1 가장자리(111)에는 제1 도전성 부분(140)의 적어도 일부가 형성될 수 있고, 전자 장치(100)의 제2 가장자리(112)에는 제2 도전성 부분(170)의 적어도 일부가 형성될 수 있다. 이하, 도면에서 제1 도전성 부분(140) 또는 제2 도전성 부분(170) 중 적어도 하나에 대응되는 도전성 부분은 생략될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 비도전성 부재(216)는 개구 영역 또는 비도전성 물질이 사출로 형성된 영역일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140)의 제1 단(141)은 제1 절연 부재(211-1)와 접하고, 제1 도전성 부분(140)의 제2 단(142)은 제2 절연 부재(212-1)와 접함으로써 제1 가장자리(111) 및 제2 가장자리(112)의 일 영역에 제1 도전성 부분(140)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140)의 P1 지점은 급전점으로 급전 경로(214)를 통해 무선 통신 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 급전 경로(214)는 통하여 P1 지점과 연결되고, 무선 통신 회로에 의하여 제1 도전성 부분(140)은 P1 지점으로 급전될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140)의 P2 지점은 접지 경로(215)를 통하여 그라운드 영역과 연결될 수 있다. 일 예에서, 인쇄 회로 기판(217)에 형성되는 그라운드 영역(G)은 접지 경로(215)를 통하여 P2 지점과 연결됨으로써, 제1 도전성 부분(140)의 P2 지점은 접지될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 부분(140)의 급전점(P1) 또는 접지점(P2)은 연결 부재를 통하여 연결될 수 있다. 예를 들어, 연결 부재는 C-clip, 포고핀(pogo pin), 나사, 또는 도전폼을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(140)은 P1 지점으로 급전됨으로써 외부 장치와 신호를 송수신할 수 있는 안테나 방사체로 동작할 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부분(140)은 약 2.4GHz의 주파수 대역 신호를 송수신하는 안테나 방사체로 동작할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 부분(140)은 블루투스(Bluetooth??) 통신을 위한 안테나로서 동작할 수 있다. 제1 도전성 부분(140)이 안테나 방사체로 동작할 수 있는 주파수 대역은 상기 주파수 대역에 한정되지 않으며, 2.4GHz 보다 높은 주파수 대역 또는 2.4GHz 보다 낮은 주파수 대역에서도 안테나 방사체로서 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 절연 부재(211-1), 및 제2 절연 부재(212-1)는 비도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연 부재(211-1), 및 제2 절연 부재(212-1)는 절연 성질을 갖는 고분자 화합물, 세라믹, 또는 레진으로 형성될 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른 개구(221)를 포함하는 제2 하우징(120)의 일 영역(220a)을 도시한다.
도 4를 참고하면, 제2 하우징(120)의 일 영역(220a)은 개구(opening)(221), 제6 도전성 부분(190), 제7 도전성 부분(200), 제8 도전성 부분(210), 제6 분절부(222), 또는 제7 분절부(223)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제6 분절부(222)에는 제3 절연 부재(222-1)가 배치되고, 제7 분절부(223)에는 제4 절연 부재(223-1)가 배치될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제3 가장자리(121)의 일 영역에는 제3 절연 부재(222-1)가 포함될 수 있고, 제4 가장자리(122)의 일 영역에는 제4 절연 부재(223-1)가 포함될 수 있다. 일 예에서, 제3 절연 부재(222-1), 및 제4 절연 부재(223-1)는 비도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 절연 부재(222-1), 및 제4 절연 부재(223-1)는 절연 성질을 갖는 고분자 화합물, 세라믹 또는 레진으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(221)는 제3 가장자리(121)를 따라 형성될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 개구(221)는 제3 가장자리(121), 및 제4 가장자리(122)를 따라 형성될 수 있다. 일 실시 예에서, 개구(221)는 제2 지지 부재(120-2)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구(221)는 제2 지지 부재(120-2)와 제6 도전성 부분(190), 또는 제7 도전성 부분(200) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)는 개구(221)에 배치될 수 있다. 일 예에서, 제6 도전성 부분(190)의 일 부분에 위치하는 P3 지점은 제1 스위치(224)를 통하여 개구(221)를 지나 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, P3 지점과 그라운드 영역(G)이 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우, P3 지점과 그라운드 영역(G)이 전기적으로 OPEN된 상태일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, P3 지점은 제3 가장자리(121)에 배치되는 제6 도전성 부분(190)에 위치할 수 있다. 예를 들어, P3 지점은 제3 절연 부재(222-1)로부터 인접하게 위치할 수 있다. 예를 들어, P3 지점은 제3 절연 부재(222-1)로부터 약 2cm 이내에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(225)는 개구(221)에 제1 스위치(224)와 이격되어 배치될 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(225)는 제8 도전성 부분(210)과 그라운드를 선택적으로 연결할 수 있다. 예를 들어, 제4 가장자리(122)의 일 부분에 위치하는 P4 지점은 제2 스위치(225)를 통하여 개구(221)를 지나 그라운드 영역(G)과 연결됨으로써 접지부로 이용될 수 있다. 다른 예를 들어, 무선 통신 회로(미도시)는 P4 지점을 통하여 제8 도전성 부분(210)의 공진 주파수를 조정하기 위한 임피던스 매칭을 수행할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224) 또는 제2 스위치(225)는 무선 통신 회로(미도시) 또는 프로세서(미도시)로부터 스위치 제어 신호를 받아 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, P4 지점은 제4 가장자리(122)에 배치되는 제8 도전성 부분(210)에 위치할 수 있다. 예를 들어, P4 지점은 P5 지점으로부터 인접하게 위치할 수 있다. 예를 들어, P4 지점은 P5 지점으로부터 약 2cm 이내에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제8 도전성 부분(210)의 일 부분에 위치하는 P5 지점은 무선 통신 회로와 전기적으로 연결되어 RF신호를 송신 및/또는 수신할 수 있다. 일 예에서, P5 지점은 급전점으로써 급전 경로를 통하여 무선 통신 회로와 연결되고, 급전될 수 있다.
일 실시 예에서, 제1 스위치(224) 또는 제2 스위치(225)는 프로세서 또는 무선 통신 회로에 의해 제어될 수 있다.
일 실시 예에서, 제2 스위치(225)는 제8 도전성 부분(210)을 포함하는 안테나의 공진 주파수의 변경 또는 매칭을 위해서 접지부 또는 매칭 역할을 할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 3에서 도시된 제1 도전성 부분(140) 또는 제2 도전성 부분(170)은 도 4에서 생략될 수 있다.
도 5는 일 실시 예에 따라 제1 스위치(224)의 스위칭에 따른 전자 장치(100)의 전류 흐름을 도시한다.
도 5를 참고하면, 제1 스위치(224)의 스위칭 상태에 따라 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 형성되는 전류의 흐름이 변화할 수 있다. 도 5의 (a)는 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 형성되는 전류의 흐름을 도시하고, 도 5의 (b)는 제1 스위치(224))가 ON 상태인 경우 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 형성되는 전류의 흐름을 도시한다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우에는 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 개구(221)에 인접하여 형성되는 제1 전류 흐름(511)과 제2 전류 흐름(512)이 서로 다른 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전류 흐름(511)은 제6 도전성 부분(190)에 형성되고, 제2 전류 흐름(512)은 제2 지지 부재(120-2)에 형성될 수 있다. 예컨대, 제2 전류 흐름(512)은 제2 지지 부재(120-2) 중 개구(221)가 형성된 부분에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우에는 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 제1 전류 흐름(511)은 개구(221)에 인접하여 힌지 구조(130) 방향(예: 도 5에서 +y 방향)으로 형성될 수 있고, 제2 전류 흐름(512)은 개구(221)에 인접하여 힌지 구조(130)에서 멀어지는 방향(예: 도 5에서 -y 방향)으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우에는 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 개구(221)에 인접하여 형성되는 제3 전류 흐름(521)과 제4 전류 흐름(522)이 서로 같은 방향을 향하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우에는 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 제3 전류 흐름(521) 및 제4 전류 흐름(522)은 각각 개구(221)에 인접하여 힌지 구조(130)에서 멀어지는 방향(예: 도 1의 (b)에서 -y 방향)으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(221)를 중심으로 형성되는 전류의 흐름이 서로 다른 방향을 향하는 경우 전자 장치(100)의 총 안테나 방사 효율은 감소할 수 있다. 예를 들어, 제1 전류 흐름(511)과 제2 전류 흐름(512)은 방향이 반대라 서로 상쇄될 수 있다. 또 다른 예로, 제3 전류 흐름(521)과 제4 전류 흐름(522)은 방향이 동일하여 서로 상쇄되지 않을 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 전자 장치(100)의 총 안테나 방사 효율이 변화할 수 있고, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 변화하는 안테나 방사는 도 7, 및 도 8에서 후술한다.
도 6은 일 실시 예에 따라 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 제1 스위치(224)의 스위칭에 따른 제1 도전성 부분(140)의 안테나 방사를 3D(3 dimension)로 도시한 것이다.
도 6을 참고하면, 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)에서 제1 스위치(224)의 스위칭 상태에 따라 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)의 3D 안테나 방사 형태가 변화할 수 있다. 도 6의 (a)는 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)의 3D 안테나 방사 형태(610)를 도시하고, 도 6의 (b)는 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)의 3D 안테나 방사 형태(620)를 도시하고, 도 6의 (c)는 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)에 따른 안테나 방사로 인하여 제2 하우징(120)의 일 영역(630)에 형성되는 안테나 방사 패턴을 도시한다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)의 3D 안테나 방사 형태(620)는, 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우 안테나 방사체로 동작할 수 있는 제1 도전성 부분(140)의 3D 안테나 방사 형태(610)와 비교할 때, 적어도 어느 하나의 방향에서 방사가 잘 이루어질 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우의 3D 안테나 방사 형태(620)는 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우의 3D 안테나 방사 형태(610)에 비하여 적어도 어느 하나의 방향에서 방사가 잘 이루어지지 않을 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, 전자 장치(100)가 외부 장치와 신호를 송수신하는 방향(예: 제1 하우징(110)의 면과 수직을 이루는 방향)에서 방사가 잘 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우 제1 도전성 부분(140)에 의한 안테나 방사로 인하여, 제2 하우징(120)의 가장자리를 따라 안테나 방사 패턴이 형성될 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따라 제1 스위치(224)의 스위칭에 따른 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 방사를 2D(2 dimension)로 도시한 것이다. 도 7에서
Figure pat00001
는 도 1의 (b)에서 -y 방향을 0°로 하고 반시계 방향(예: 도 7에서 -y 방향에서 -x 방향으로의 회전 방향)으로 값이 증가하는 각도로 이해할 수 있고,
Figure pat00002
는 도 1의 -z 방향을 향하는 축과 제2 하우징(120)이 놓인 면(예: 도 7에서 xy 평면)이 이루는 각도로 이해할 수 있다.
도 7을 참고하면, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 제1 도전성 부분(140)의 2D 안테나 방사 형태가 적어도 일부 방향에서 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 방사 패턴(710)은
Figure pat00003
가 90°(예: 전자 장치(100)가 놓인 면과 동일한 평면)이고,
Figure pat00004
가 165°인 경우(예: 도 7의 (c)에 도시된 전자 장치(100)의 접힘 상태(100b)에서 안테나 방사 방향이 731인 경우)를 도시하고, 방사 패턴(720)은
Figure pat00005
가 90°(예: 전자 장치(100)가 놓인 면과 동일한 평면)이고,
Figure pat00006
가 120°인 경우(예: 도 7의 (c)에 도시된 전자 장치(100)의 접힘 상태(100b)에서 안테나 방사 방향이 732인 경우)를 도시한다.
일 실시 예에 따르면, 방사 패턴(710)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)가 OFF 상태에서 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제1 방사 형태(711)고, 방사 패턴(710)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제2 방사 형태(712)고, 방사 패턴(710)에서 전자 장치(100)가 펼침 상태(100a)인 경우 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제3 방사 형태(713)일 수 있다.일 실시 예에 따르면, 방사 패턴(710)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 스위치(224)가 OFF 상태에서 ON 상태로 변경됨으로써 적어도 일부의 방향에서 안테나 방사 성능이 향상될 수 있다. 일 예에서, 방사 패턴(710)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 스위치(224)가 OFF 상태에서 ON 상태로 변경됨으로써 전자 장치(100)의
Figure pat00007
가 90°인 면의 적어도 하나의 방향에서 안테나의 방사 효율이 약 12dB 향상될 수 있다. 다른 예에서, 제2 방사 형태(712)는 제3 방사 형태(713)에 비하여 안테나의 방사 효율이 지정된 값 미만으로 작을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 방사 패턴(720)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)가 OFF 상태에서 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제4 방사 형태(721)고, 방사 패턴(720)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제5 방사 형태(722)고, 방사 패턴(720)에서 전자 장치(100)가 펼침 상태(100a)인 경우 제1 도전성 부분(140)을 포함하는 안테나의 2D 안테나 방사 형태는 제6 방사 형태(723)일 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 방사 패턴(720)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 OFF 상태로 변경됨으로써 적어도 일부의 방향에서 안테나 방사 성능이 향상될 수 있다. 일 예에서, 방사 패턴(720)에서 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 OFF 상태로 변경됨으로써 전자 장치(100)의
Figure pat00008
가 90°인 면의 적어도 하나의 방향에서 안테나의 방사 효율이 약 7dB 향상될 수 있다. 다른 예에서, 제5 방사 형태(722)는 제6 방사 형태(723)에 비하여 안테나 방사 효율이 지정된 값 미만으로 작을 수 있다.
도 8a는 제1 실시 예 또는 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810, 820)을 도시한다. 도 8b는 도 8a의 실시 예들에서 제1 하우징의 일 영역(810, 820)에 형성되는 전기장을 도시한다.
도 8a를 참고하면, (a)는 제1 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810)을 도시하고, (b)는 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(820)을 도시한다. 일 예에서, 제1 실시 예 및 제2 실시 예는 비교 예에 따른 실시 예로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810)에는 도전성 부재(811), 제1 분절부(812), 스위치(813), 또는 급전 지점(814)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 도전성 부재(811), 제1 분절부(812), 스위치(813), 또는 급전 지점(814)에 관한 설명은 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 분절부(223), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 관한 설명과 실질적으로 동일하게 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(820)에는 도전성 부재(821), 제1 분절부(822), 스위치(823), 또는 급전점(814)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 도전성 부재(821), 제1 분절부(822), 스위치(823), 또는 급전점(814)에 관한 설명은 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 분절부(223), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 관한 설명과 실질적으로 동일하게 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810)에는 지지 부재(810-1)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 하우징(110)의 일 영역(810)에 형성되는 지지 부재(810-1)는 도전성 부재(811)를 지지할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(820)에는 개구(825), 및 지지 부재(820-1)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(825)는 제1 하우징(1210)의 일 영역(820) 내에서 도전성 부재(821)와 인접하여 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(820-1)는 도전성 부재(821)를 지지할 수 있다.
도 8b를 참고하면, 제1 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810)에서는 제1 분절부(812) 근처에서 전기장(830)이 형성될 수 있고, 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(820)에서는 제1 분절부(822) 근처에서 전기장(840)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 급전 지점(814)과 가장 먼 분절부 영역에서 가장 많은 전기장이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 8a의 (a)에서 급전 지점(814)과 인접하여 위치하는 제2 분절부(815) 영역보다 급전 지점(814)에서 멀리 떨어져 위치하는 제1 분절부(812) 영역에서 더 강한 전기장이 형성될 수 있다. 다른 예를 들어, 도 8a의 (b)에서 급전 지점(814)과 인접하여 위치하는 제1 분절부(822) 영역보다 급전 지점(814)에서 멀리 떨어져 위치하는 제2 분절부(824) 영역에서 더 강한 전기장이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(810) 또는 제2 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(820)은 플로팅 도전성 부분을 포함하지 않을 수 있다. 플로팅 도전성 부분은 적어도 일부의 비도전성 물질에 의하여 인접하는 도전성 부재와 전기적으로 분리되는 도전성 부분을 의미할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 분절부(824)가 사출 혹은 유전체로 배치됨으로써 도전성 부재(821)가 기구적으로 고정될 수 있다. 일 예에서, 개구(또는, 내부 슬롯)(825)는 제2 분절부(824)에 배치되는 물질과 동일하게 유전체 등으로 배치될 수 있다. 이하 도면의 설명에서 분절부에 배치되는 물질 또는 개구를 형성하는 물질에 관한 설명은 생략될 수 있다. 또한, 이하 도면의 설명에서 분절부로 인하여 도전성 부재가 기구적으로 고정되는 특징에 관한 설명도 생략될 수 있다.
도 9a는 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(900)을 도시한다. 도 9b는 도 9a의 일 실시 예에서 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에 형성되는 전기장을 도시한다.
도 9a를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에는 제1 도전성 부재(910), 제2 도전성 부재(920), 제1 분절부(930), 제2 분절부(940), 제3 분절부(950), 스위치(911), 또는 급전점(912)이 형성될 있다. 일 예에서, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에 형성되는 제1 도전성 부재(910), 제2 도전성 부재(920), 제1 분절부(930), 제2 분절부(940), 제3 분절부(950), 스위치(911), 또는 급전점(912)은 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 각각 대응되는 것으로 이해할 수 있다. 따라서, 각 구성의 특성 및 동작에 관한 설명은 생략한다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에는 지지 부재(900-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 지지 부재(900-2)는 개구(900-1)를 포함하며, 제1 도전성 부재(910), 및 제2 도전성 부재(920)를 지지할 수 있다. 다른 예에서, 개구(900-1)는 지지 부재(900-2) 상에서 제1 도전성 부재(910), 및 제2 도전성 부재(920)를 따라 형성될 수 있다.
도 9b를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에서는 제1 분절부(930) 및 제2 분절부(940) 근처에서 자기장(950, 960)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(920)는 플로팅 도전성 부분으로 이해할 수 있다. 일 예에서, 제2 도전성 부재(920)는 제1 분절부(930) 및 제2 분절부(940)로 인하여 인접하는 도전성 부재와 전기적으로 분리됨으로써 플로팅 도전성 부분으로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(920)는 전기적으로 분리되는 플로팅 도전성 부분으로 동작함으로써 제2 도전성 부재(920)의 주변에는 자기장이 형성되지 않거나 약하게 형성될 수 있다.
도 9c는 도 8a의 제1 실시 예 및 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율을 비교한 그래프이다.
도 9c를 참고하면, 제1 하우징(110)의 일 영역(900)에 플로팅 도전성 부분(예: 도 9a 또는 도 9b의 제2 도전성 부재(920))이 형성되는 경우에는, 제1 하우징(110)의 일 영역(예: 도 8a의 일 영역(810))에 플로팅 도전성 부분이 형성되지 않는 경우에 비하여 약 750MHz 에서 약 1GHz의 주파수 대역에서 안테나 총 방사 효율이 향상될 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)의 제1 하우징(110)의 적어도 일 영역에 플로팅 도전성 부분이 형성됨으로써 안테나 총 방사 효율이 향상되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(110)의 일 영역에 2개의 분절부(예: 도 8a의 (b)의 제1 분절부(822), 및 제2 분절부(824))가 형성되는 경우에는 상기 2개의 분절부 사이의 도전성 부재는 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부재(910)의 일 영역에 3개의 분절부(예: 도 9a의 제1 분절부(930), 제2 분절부(940), 제3 분절부(950))가 형성되는 경우에는 급전 지점(예: 도 9a의 급전 지점(912))이 있는 도전성 부재(예: 도 9a의 제1 도전성 부재(910))는 주 방사체로 동작을 하고, 플로팅 도전성 부분(예: 제2 도전성 부재(920))에서는 추가적인 커플링이 발생할 수 있다. 일 예에서, 급전 지점(예: 도 9a의 급전 지점(912))이 있는 도전성 부재(예: 도 9a의 제1 도전성 부재(910)) 및 플로팅 도전성 부분(예: 제2 도전성 부재(920)) 각각 안테나 방사체로 동작함으로써 전자 장치(100)의 펼침 상태(100a)에서 안테나 방사 성능이 향상될 수 있다.
도 10은 일 실시 예에 따라 지그를 통하여 유전체의 인체 영향을 확인하는 방법을 도시한다.
도 10을 참고하면, 도 10의 (a)와 같이 좌우에 유전체가 모두 채워진 밀착 핸드 지그를 통하여 유전체의 인체 영향을 확인할 수 있고, 도 10의 (b)와 같이 핸드 팬텀 지그를 이용하여 유전체의 인체 영향을 확인할 수 있다.
도 11은 도 8a의 제2 실시 예 및 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율 및 반사 계수를 비교한 그래프이다. 도 11의 (a)는 도 8a의 제2 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율 및 반사 계수 그래프로 이해할 수 있고, 도 11의 (b)는 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 총 방사 효율 및 반사 계수 그래프로 이해할 수 있다.
도 11을 참고하면, 밀착 핸드 지그 또는 핸드 팬텀 지그로 측정한 경우에, 도 8a의 제2 실시 예에 따른 안테나 방사에 비하여 도 9a의 일 실시 예에 따른 안테나 방사의 효율이 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 8a의 제2 실시 예에서는 제1 하우징(110)의 적어도 일 영역에 플로팅 도전성 부분이 형성되지 않을 수 있고, 도 9a의 일 실시 예에서는 제1 하우징(110)의 적어도 일 영역에 플로팅 도전성 부분(예: 도 9의 제2 도전성 부재(920))이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 하우징(110)의 적어도 일 영역에 플로팅 도전성 부분이 형성되는 경우에는 전자 장치(100)가 파지되거나 인체와 인접하여 위치함으로써 인체 영향이 발생하는 경우에도 안테나 성능 열화를 감소시킬 수 있다.
총 방사 효율[dB] 프리 스페이스 핸드 팬텀 정량화 팬텀
도 8a의 제2 실시 예 -6 -16 -20
도 9a의 일 실시 예 -7 -14 -15
차이 -1 +2 +5
[표 1]을 참고하면, 핸드 팬텀에서 도 8a의 제2 실시 예에 비하여 도 9a의 일 실시 예에 의한 경우 안테나 총 방사 효율이 약 2dB 향상될 수 있다. 다른 예에 따르면, 정량화 팬텀에서 도 8a의 제2 실시 예에 비하여 도 9a의 일 실시 예에 의한 경우 안테나 총 방사 효율이 약 5dB 향상될 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)가 파지되거나 인체와 인접하여 위치하는 경우에 도 9a의 일 실시 예와 같이 플로팅 도전성 부분이 형성되는 경우 안테나 성능이 열화되는 것을 감소시킬 수 있다.
도 12a는 일 실시 예에 따라 플로팅(floating) 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1200)을 도시한다. 도 12b는 도 12a의 일 실시 예의 안테나 방사에 따른 반사 계수를 도시한 그래프이다.
도 12a를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1200)에는 제1 도전성 부분(1210), 제2 도전성 부분(또는, 플로팅 도전성 부분)(1220), 제1 분절부(1230), 제2 분절부(1240), 제3 분절부(1280), 스위치(1211), 또는 급전점(1212)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부분(1210), 제2 도전성 부분(1220), 제1 분절부(1230), 제2 분절부(1240), 제3 분절부(1280), 스위치(1211), 또는 급전점(1212)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 구성으로 이해할 수 있다. 따라서, 각 구성의 전기적 연결 관계 및 동작은 설명을 생략한다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(1210)에 인접하여 제1 방사 전류의 경로(S1)가 형성될 수 있고, 제2 도전성 부분(1220)에 인접하여 제2 방사 전류의 경로(S2)가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1200)에는 지지 부재(1200-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 지지 부재(1200-2)는 개구(1200-1)를 포함하며 제1 도전성 부분(1210), 및 제2 도전성 부분(1220)을 지지할 수 있다. 다른 예에서, 개구(1200-1)는 제1 도전성 부분(1210), 및 제2 도전성 부분(1220)을 따라 인접하여 형성될 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참고하면, 제2 도전성 부분(또는, 플로팅 도전성 부분)(1220)이 없는 경우에는 제1 방사 전류의 경로(S1)의 전기적 흐름으로 제3 지점(1270)과 같이 약 930MHz의 공진 주파수를 갖는 안테나 방사체로 동작할 수 있다. 일 예에서, 제2 도전성 부분(또는, 플로팅 도전성 부분)(1220)이 도 12a의 L 길이보다 더 길고 제1 도전성 부분(1210)과 유사한 길이를 갖는 경우, 제1 방사 전류의 경로(S1) 및 제2 방사 전류의 경로(S2)가 갖는 전기적 흐름으로 제1 지점(1250) 및 제2 지점(1260)의 공진 주파수를 갖는 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부분(1210) 및 제2 도전성 부분(1220)에 의하여 형성되는 제1 방사 전류의 경로(S1) 및 제2 방사 전류의 경로(S2)의 전기적 흐름이 유사한 경우, 약 0.8GHz 내지 약 1.15GHz에서 넓게 공진이 형성될 수 있다.
도 13은 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 개구(221)에 형성되는 방사 전류의 경로 및 제4 가장자리(122)에 형성되는 방사 전류의 경로를 도시한다. 도 13의 (a)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)은 제1 스위치(224)를 활용하여 방사 전류의 경로를 변경하는 전자 장치(100)를 도시하고, 도 13의 (b)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)은 제1 스위치(224) 또는 제2 스위치(225)를 활용하여 방사 전류의 경로를 변경하는 전자 장치를 도시한다.
도 13을 참고하면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)은 개구(221), 제2 스위치(225), 접지점에 해당하는 P4 및 급전점에 해당하는 P5 지점을 포함할 수 있고, 전자 장치(100)의 또 다른 실시 예에 따른 일 영역(1300b)은 개구(221), 제1 스위치(224), 제2 스위치(225), 접지점에 해당하는 P3, P4, 및/또는 급전점에 해당하는 P5 지점을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (a)에서 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는 제1 도전성 부재(1350), 또는 제2 도전성 부재(1360)를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1350)는 제3 가장자리(121)를 따라 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 도전성 부재(1360)는 제4 가장자리(122)를 따라 형성될 수 있다. 또 다른 예에서, 제1 도전성 부재(1350), 및 제6 도전성 부재(1360)는 제7 분절부(223)에 의하여 전기적으로 분리될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (b)에서 제8 분절부(241)에 관한 설명은 도 3에 관한 설명과 실질적으로 동일하여 생략한다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (b)에서 제6 분절부(222), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제6 도전성 부분(190), 제7 도전성 부분(200), 또는 제8 도전성 부분(210)에 관한 설명은 도 3, 및 도 4에 관한 설명과 실질적으로 동일하여 생략한다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에 포함된 제1 도전성 부재(1350)에 인접하여 형성되는 개구(221)를 따라 제1 방사 전류의 경로(1310)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에 포함된 개구(221)는 제1 스위치(224)를 포함하지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)의 P5 지점을 통하여 급전될 수 있고, P5 지점을 통한 급전에 의하여 제1 방사 전류의 경로(1310) 또는 제2 방사 전류의 경로(1320)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(225)의 스위칭에 따라 제2 방사 전류의 경로(1320)의 전기적 길이가 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310), 및 제2 전류의 경로(1320)는 독립적으로 형성되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 방사 전류의 경로(1310), 및 제2 방사 전류의 경로(1320)는 각각 다른 주파수 대역에서 공진이 발생할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310) 및 제2 방사 전류의 경로(1320)는 제3 가장자리(121), 및 제4 가장자리(122)가 접하는 모서리 영역에서 서로 겹칠 수 있고, 이로 인하여 제1 방사 전류의 경로(1310) 및 제2 방사 전류의 경로(1320)는 서로에게 영향을 미칠 수 있다. 예를 들어, 제1 방사 전류의 경로(1310), 및 제2 방사 전류의 경로(1320)는 추가적으로 다른 주파수 대역에서 공진을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)에서 제7 도전성 부분(200)에 의하여 전기적인 경로가 겹치는 정도가 감소될 수 있고, 이에 따라 추가적인 공진 주파수 대역의 공진이 발생할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 방사 전류의 경로(1320)의 전기적 길이가 변하는 경우, 공진 주파수가 이동할 수 있으나 제2 도전성 부재(1360)에 따른 안테나 방사 효율에는 영향이 없을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)의 개구(221)와 인접하여 제3 방사 전류의 경로(1330)가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(221)에 포함된 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 제3 방사 전류의 경로(1330)의 길이가 변화할 수 있다. 일 예에서, 제1 스위치(224)가 OFF 상태인 경우, 제3 방사 전류의 경로(1330)는 제3 가장자리(121)를 따라 형성되는 개구(221)의 적어도 일부에 걸쳐 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, 제3 방사 전류의 경로(1330)는 개구(221)의 일단에서 제1 스위치(224)가 위치하는 개구(221)의 일부분까지 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제4 가장자리(122)를 따라 제4 가장자리(122)의 일 영역에 제4 방사 전류의 경로(1340)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 제4 가장자리(122)는 P5지점을 통하여 급전을 받아 제4 가장자리(122)의 일 영역에 제4 방사 전류의 경로(1340)를 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제4 가장자리(122)에 포함된 제2 스위치(225)의 스위칭에 따라 제4 방사 전류의 경로(1340)의 길이가 변화할 수 있다. 일 예에서, 제2 스위치(225)가 OFF 상태인 경우, 제4 방사 전류의 경로(1340)는 제4 가장자리(122)를 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 제4 방사 전류의 경로(1340)는 개구(221) 중 제4 가장자리(122)와 평행하게 형성되는 일 부분을 따라 제3 가장자리(121)와 수직인 방향으로 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 스위치(225)가 ON 상태인 경우, 제4 방사 전류의 경로(1340)는 제4 가장자리(122)의 일단에서 제2 스위치(225)가 위치하는 제4 가장자리(122)의 일부분까지 형성될 수 있다.
다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)에 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330), 및 제4 방사 전류의 경로(1340)는 제1 스위치(224)의 스위칭에 의하여 독립적으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, 제3 방사 전류의 경로(1330)가 실질적으로 사라질 수 있다. 일 예로서, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, 기존 전류는 사라지고 폐루프 형태의 별도의 흐름이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제4 방사 전류의 경로(1340)의 전기적 길이가 변하는 경우, 공진 주파수가 이동할 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)가 ON 상태인 경우, 제4 방사 전류의 경로(1340)의 전기적 길이가 변화될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (b)에서 제7 도전성 부분(200)은 제6 분절부(222) 및 제7 분절부(223)에 의하여 제6 도전성 부분(190) 및 제8 도전성 부분(210)과 전기적으로 분리됨으로써 플로팅 도전성 부분으로 동작할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)에 플로팅 도전성 부분이 형성됨으로써 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에 비하여 안테나 방사 효율이 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (a)에는 제7 분절부(223)만 존재하여 제2 방사 전류의 경로(1320)가 제7 분절부(223)까지 형성될 수 있어 도 13의 (b)에 형성되는 제4 방사 전류의 경로(1340)에 비하여 방사체의 면적이 작을 수 있다. 또한, 제1 방사 전류의 경로(1310) 및 제2 방사 전류의 경로(1320)가 중첩되는 경우 안테나 방사는 제7 분절부(223)에서만 형성되어 안테나 방사 효율이 저하될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 (b)에서는 제7 도전성 부분(200)이 안테나 방사체로 동작하고, 제6 분절부(222)가 안테나 방사체의 단부를 형성함으로써, 제3 가장자리(121)의 일 면까지 안테나 방사체의 면적이 형성될 수 있다. 이로 인하여, 제4 방사 전류의 경로(1340)는 제2 방사 전류의 경로(1320)에 비하여 넓은 안테나 방사 면적을 가짐으로써 안테나 방사 효율이 증가할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 플로팅 도전성 부분(예: 도 13의 제7 도전성 부분(200))은 안테나 방사체로 동작할 수 있다. 일 예에서, 플로팅 도전성 부분의 길이는 제3 방사 전류의 경로(1330) 또는 제4 방사 전류의 경로(1340)가 형성하는 공진의 반파장 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예에서, 플로팅 도전성 부분의 길이가 제3 방사 전류의 경로(1330) 또는 제4 방사 전류의 경로(1340)가 형성하는 공진의 반파장 길이보다 긴 경우, 안테나 방사 성능이 열화될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에는 지지 부재(1300a-1)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에서 개구(221)는 지지 부재(1300a-1) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1300a-1)는 제1 도전성 부재(1350), 및 제2 도전성 부재(1360)를 지지할 수 있다.
도 14a는 도 13의 (a)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)의 구조를 포함하는 전자 장치의 총 안테나 방사 효율 그래프 및 S 파라미터 그래프를 도시한다. 도 14b는 도 13의 (b)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)의 구조를 포함하는 전자 장치(100)의 총 안테나 방사 효율 그래프 및 S 파라미터 그래프를 도시한다.
도 14a는 도 13의 (a)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300a)에서 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310), 및 제2 방사 전류의 경로(1320)에 의한 총 안테나 방사 효율 및 S 파라미터로 이해될 수 있고, 도 14b는 도 13의 (b)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)에서 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330), 및 제4 방사 전류의 경로(1340)에 의한 총 안테나 방사 효율 및 S 파라미터로 이해될 수 있다.
이하, 총 안테나 방사 효율 그래프에서 주변 주파수 대역에 비하여 총 안테나 방사 효율이 높은 지점의 주파수 대역에서 공진이 형성되는 것으로 이해할 수 있고, S 파라미터 그래프에서 주변 주파수 대역에 비하여 S 파라미터가 낮은 지점의 주파수 대역에서 공진이 형성되는 것으로 이해할 수 있다.
도 14a 및 도 14b를 참고하면, 개구(221)의 전기적 길이 변화에 따라 도 13의 1300a의 구조를 포함하는 전자 장치 및 전자 장치(100)에 형성되는 공진 주파수가 이동할 수 있다.
도 14a를 참고하면, 일 실시 예에 따르면, 도 13의 1300a의 구조를 포함하는 전자 장치에서 개구(221)에 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310)의 길이를 조절함으로써 총 안테나 방사 효율 그래프는 1411에서 1413으로 변화할 수 있고, S 파라미터 그래프는 1415에서 1417로 변화할 수 있다. 예를 들어, 도 13의 1300a의 구조를 포함하는 전자 장치에서 개구(221)에 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310)의 길이를 변화시킴으로써 제1 방사 전류의 경로(1310)가 형성되는 주파수 대역은 약 1,200MHz에서 약 1,050MHz 내지 1,100MHz 사이의 주파수 대역으로 이동할 수 있고, 제2 방사 전류의 경로(1320)가 형성되는 주파수 대역은 약 920MHz 내지 950MHz 사이의 주파수 대역에서 약 900MHz의 주파수 대역으로 이동할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 13의 1300a의 구조를 포함하는 전자 장치에서 개구(221)에 형성되는 제1 방사 전류의 경로(1310)의 길이는 개구(221)의 물리적인 길이를 변경시키면 변경될 수 있다. 예를 들어, 제6 도전성 부분(190)을 따라 형성된 개구(221)의 일부분의 길이는 제6 도전성 부분(190)과 실질적으로 평행한 방향으로 증가시키거나 감소될 수 있다.
도 14b를 참고하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)에서 제1 스위치(224)의 스위칭 상태를 변화시켜 개구(221)에 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330)의 전기적 길이를 조절함으로써 총 안테나 방사 효율 그래프는 1421에서 1423으로 변화할 수 있고, S 파라미터 그래프는 1425에서 1427로 변화할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)에서 제1 스위치(224)의 스위칭 상태를 변화시켜 개구(221)에 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330)의 길이가 변화하면, 제3 방사 전류의 경로(1330)에 의해 형성되는 주파수 대역은 약 1,000MHz에서 약 1,050MHz 사이의 주파수 대역에서 약 900MHz의 주파수 대역으로 이동할 수 있고, 제4 방사 전류의 경로(1340)가 형성되는 주파수 대역은 실질적으로 이동하지 않을 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)에서 제1 스위치(224)의 스위칭 상태를 변화시켜 개구(221)에 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330)의 전기적 길이를 조절함으로써 적어도 하나의 주파수 대역에서 총 안테나 방사 효율을 향상할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)에서 제1 스위치(224)의 스위칭 상태를 변화시켜 개구(221)에 형성되는 제3 방사 전류의 경로(1330)의 길이를 조절하여 공진 주파수가 하향이동됨으로써 저주파 대역의 성능이 향상될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(100)에서 제1 스위치(224)가 ON 상태일 경우, 약 900MHz의 주파수 대역에서 제4 방사 전류의 경로(1340)에 의한 총 안테나 방사 효율을 향상할 수 있다.
도 15는 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)에 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 연결한 경우 형성되는 전기장(E-field)을 도시한다.
도 15를 참고하면, 제1 스위치(224)에 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 연결한 경우 전자 장치(100)에 형성되는 전기장이 변화할 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)와 제2 하우징(120)의 일 영역(220a) 사이에 커패시터가 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 제1 스위치(224)에 연결하는 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 공진을 형성할 수 있는 주파수 대역은 낮아질 수 있다. 일 예에서, 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터를 제1 스위치(224)에 연결하는 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태에서 공진 주파수 대역이 변경될 수 있다. 예를 들어, 제1 스위치(224)가 1.5pF의 값을 갖는 커패시터와 연결된 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태일 때 제3 방사 전류의 경로(1330)는 약 0.7GHz의 공진 주파수 대역을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우, 제1 스위치(224)가 ON 상태이면서 지정된 커패시턴스 값을 갖는 커패시터와 연결된 경우에 제3 방사 전류의 경로(1330)에 따른 전기장(1520)은 전자 장치(100)가 접힘 상태(100b)인 경우 제1 스위치(224)가 ON 상태이면서 커패시터가 연결되지 않은 경우에 제3 방사 전류의 경로(1330)에 따른 전기장(1510)에 비하여 강한 장(field)을 형성할 수 있다.
도 16은 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)의 총 안테나 방사 효율 그래프를 도시한다.
도 16을 참고하면, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 전자 장치(100)의 총 안테나 방사 효율은 변화할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(225)를 이용하여 공진 주파수 대역이 약 720MHz 내지 750MHz대역으로 형성되고, 제1 스위치(224)에 지정된 값을 갖는 소자를 연결하고, 제1 스위치(224)를 ON 상태로 변경할 경우, 그래프가 1601에서 1603으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 소자는 커패시터를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제3 방사 전류의 경로(1330) 또는 제4 방사 전류의 경로(1340)가 약 600MHz의 주파수 대역에서 형성되는 경우, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 약 660MHz 내지 약 690MHz 사이의 주파수 대역에서 약 3dB 만큼 안테나 방사 효율이 향상될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 스위치(225)를 이용하여 공진 주파수 대역이 약 750MHz대역으로 형성되고, 제1 스위치(224)에 지정된 값을 갖는 소자를 연결하고, 제1 스위치(224)를 ON 상태로 변경할 경우, 그래프가 1605에서 1607으로 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 소자는 커패시터를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제3 방사 전류의 경로(1330) 또는 제4 방사 전류의 경로(1340)가 약 700MHz의 주파수 대역에서 형성되는 경우, 제1 스위치(224)의 스위칭에 따라 약 750MHz 내지 약 760MHz 사이의 주파수 대역에서 약 1dB 만큼 안테나 방사 효율이 향상될 수 있다.
이하 설명하는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역들(1710, 1720, 1730, 1810, 1820, 1830, 1910, 1920)은 도 13의 (b)에 도시된 전자 장치(100)의 일 실시 예에 따른 일 영역(1300b)의 다양한 예들로 이해할 수 있다. 따라서, 도 13에서 설명한 각 구성의 동작에 관하여는 설명을 생략한다.
도 17a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1710)을 도시한다.
도 17a를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1710)에는 개구(1710-1), 제1 도전성 부재(1711), 제2 도전성 부재(1712), 제1 분절부(1713), 제2 분절부(1714), 제3 분절부(1717), 스위치(1715), 또는 급전점(1716)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1711), 제2 도전성 부재(1712), 제1 분절부(1713), 제2 분절부(1714), 제3 분절부(1717), 스위치(1715), 또는 급전점(1716)은 각각 도 4의 개구(221), 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 하우징(110)의 일 영역(1710)에는 제1 하우징(110)의 외곽을 형성하는 도전성 부분(1718), 제1 하우징(110)의 내부에 형성되는 도전성 지지 부재(1719), 또는 인쇄 회로 기판(1719-1)을 포함할 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1711), 제2 도전성 부재(1712), 제1 분절부(1713), 제2 분절부(1714), 제3 분절부(1717)는 도전성 부분(1718)의 적어도 일부 영역에 배치될 수 있다. 다른 예에서, 인쇄 회로 기판(1719-1)은 도전성 지지 부재(1719)의 일 영역에 배치될 수 있고, 도전성 지지 부재(1719)는 인쇄 회로 기판(1719-1)을 지지할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 인쇄 회로 기판(1719-1)은 스위치(1715)를 제어하는 제어 회로(미도시) 및 급전점(1716)을 전기적으로 연결하는 급전 회로(미도시)를 포함할 수 있다.
이하 도면의 설명에서 전자 장치(100)가 포함하는 도전성 부분(1718), 도전성 지지 부재(1719), 또는 인쇄 회로 기판(1719-1)은 생략될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1713)는 제1 도전성 부재(1711) 및 제2 도전성 부재(1712) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1713) 및 제2 분절부(1714)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1710)의 동일한 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(1712)는 도 2에 도시된 제7 도전성 부분(200)과 동일한 구조로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(1710-1)는 비도전성 물질로 채워짐으로써 형성될 수 있다. 예를 들어, 개구(1710-1)는 비도전성 사출로 채워짐으로써 제1 분절부(1713), 제2 분절부(1714), 제3 분절부(1717)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
도 17b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1720)을 도시한다.
도 17b를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1720)에는 제1 도전성 부재(1721), 제2 도전성 부재(1722), 제1 분절부(1723), 제2 분절부(1726), 제3 분절부(1727), 스위치(1724), 또는 급전점(1725)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1721), 제2 도전성 부재(1722), 제1 분절부(1723), 제2 분절부(1726), 제3 분절부(1727), 스위치(1724), 또는 급전점(1725)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제6 분절부(222), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1723)는 제1 도전성 부재(1721) 및 제2 도전성 부재(1722) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(미도시)는 제2 분절부(1726)의 일단에서 제1 분절부(1723)와 인접함으로써 제3 분절부(1727)의 일단까지 확장될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1720)에는 개구(1710-1) 및 지지 부재(1710-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1710-1)는 지지 부재(1710-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1710-2)는 제1 도전성 부재(1721), 및 제2 도전성 부재(1722)를 지지할 수 있다.
도 17c는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1730)을 도시한다.
도 17c를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1730)에는 제1 도전성 부재(1731), 제2 도전성 부재(1732), 제1 분절부(1733), 제2 분절부(1734), 스위치(1735), 또는 급전점(1736)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1731), 제2 도전성 부재(1732), 제1 분절부(1733), 제2 분절부(1734), 제3 분절부(1737), 스위치(1735), 또는 급전점(1736)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1733)는 제1 도전성 부재(1731) 및 제2 도전성 부재(1732) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(1732)는 제1 가장자리(1738)를 따라 제2 가장자리(1739)까지 연장되는 형태로 제1 가장자리(1738)에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(1730-1)는 제1 도전성 부재(1731)와 지지 부재(1730-2) 사이 및 제2 도전성 부재(1732)와 지지 부재(1730-2) 사이에 형성될 수 있다. 개구(1730-1)의 일단은 제3 분절부(1737)와 연결되고, 개구(1730-1)의 타단은 제2 분절부(1734)와 연결될 수 있다. 제1 분절부(1733)는 개구(1730-1)의 제2 가장 자리(1739)와 실질적으로 나란한 부분과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1730)에는 개구(1730-1) 및 지지 부재(1730-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1730-1)는 지지 부재(1730-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1730-2)는 제1 도전성 부재(1731), 및 제2 도전성 부재(1732)를 지지할 수 있다.
도 18a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)을 도시한다.
도 18a를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)에는 제1 도전성 부재(1811), 제2 도전성 부재(1812), 제3 도전성 부재(1813), 제1 분절부(1814), 제2 분절부(1815), 제3 분절부(1818), 스위치(1816), 또는 급전점(1817)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1811), 제2 도전성 부재(1812), 제3 도전성 부재(1813), 제1 분절부(1814), 제2 분절부(1815), 제3 분절부(1818), 스위치(1816), 또는 급전점(1817)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제6 도전성 부분(190), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1814)는 제1 도전성 부재(1811) 및 제2 도전성 부재(1812) 사이에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 분절부(1815)는 제2 도전성 부재(1812) 및 제2 도전성 부재(1813) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1814) 및 제2 분절부(1815)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)의 동일한 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부재(1811) 및 제2 도전성 부재(1812)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)의 동일한 가장자리에 형성될 수 있고, 제3 도전성 부재(1813)는 제1 도전성 부재(1811) 및 제2 도전성 부재(1812)가 형성되는 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)의 일 가장자리와 수직을 이루는 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1810)에는 개구(1810-1) 및 지지 부재(1810-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1810-1)는 지지 부재(1810-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1810-2)는 제1 도전성 부재(1811), 및 제2 도전성 부재(1812)를 지지할 수 있다.
도 18b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)을 도시한다.
도 18b를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)에는 제1 도전성 부재(1821), 제2 도전성 부재(1822), 제3 도전성 부재(1823), 제1 분절부(1824), 제2 분절부(1825), 제3 분절부(1828), 스위치(1826), 또는 급전점(1827)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1821), 제2 도전성 부재(1822), 제3 도전성 부재(1823), 제1 분절부(1824), 제2 분절부(1825), 제3 분절부(1828), 스위치(1826), 또는 급전점(1827)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제6 도전성 부분(190), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1824)는 제1 도전성 부재(1821) 및 제2 도전성 부재(1822) 사이에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 분절부(1825)는 제2 도전성 부재(1822) 및 제3 도전성 부재(1823) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1824) 및 제2 분절부(1825)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)의 서로 다른 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부재(1821) 및 제2 도전성 부재(1822)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)의 동일한 가장자리에 형성될 수 있고, 제3 도전성 부재(1823)는 제1 도전성 부재(1821) 및 제2 도전성 부재(1822)가 형성되는 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)의 일 가장자리와 실질적으로 수직을 이루는 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1820)에는 개구(1820-1) 및 지지 부재(1820-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1820-1)는 지지 부재(1820-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1820-2)는 제1 도전성 부재(1821), 제2 도전성 부재(1822), 및 제3 도전성 부재(1823)를 지지할 수 있다.
도 18c는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)을 도시한다.
도 18c를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)에는 제1 도전성 부재(1831), 제2 도전성 부재(1832), 제3 도전성 부재(1833), 제1 분절부(1834), 제2 분절부(1835), 제3 분절부(1838), 스위치(1836), 또는 급전점(1837)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1831), 제2 도전성 부재(1832), 제3 도전성 부재(1833), 제1 분절부(1834), 제2 분절부(1835), 제3 분절부(1838), 스위치(1836), 또는 급전점(1837)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제6 도전성 부분(190), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1834)는 제1 도전성 부재(1831) 및 제2 도전성 부재(1832) 사이에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 분절부(1835)는 제2 도전성 부재(1832) 및 제3 도전성 부재(1833) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1834) 및 제2 분절부(1835)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)의 서로 다른 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(1832) 및 제3 도전성 부재(1833)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)에서 동일한 가장자리에 형성될 수 있고, 제1 도전성 부재(1831)는 제2 도전성 부재(1832) 및 제3 도전성 부재(1833)가 형성되는 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)의 일 가장자리와 수직을 이루는 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1830)에는 개구(1830-1) 및 지지 부재(1830-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1830-1)는 지지 부재(1830-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1830-2)는 제1 도전성 부재(1831), 제2 도전성 부재(1832), 및 제3 도전성 부재(1833)를 지지할 수 있다.
도 19a는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1910)을 도시한다.
도 19a를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1910)에는 제1 도전성 부재(1911), 제2 도전성 부재(1912), 제3 도전성 부재(1913), 제1 분절부(1914), 제2 분절부(1915), 제3 분절부(1916), 제4 분절부(1919), 스위치(1917), 또는 급전점(1918)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1911), 제2 도전성 부재(1912), 제3 도전성 부재(1913), 제1 분절부(1914), 제2 분절부(1915), 제4 분절부(1919), 스위치(1917), 또는 급전점(1918)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제6 도전성 부분(190), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다. 다른 예에서, 제3 분절부(1916)는 제3 도전성 부재(1913)의 일 단에 위치함으로써 제3 도전성 부재(1913)와 다른 도전성 부재 사이를 전기적으로 차단할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1914)는 제1 도전성 부재(1911) 및 제2 도전성 부재(1912) 사이에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 분절부(1915)는 제2 도전성 부재(1912) 및 제3 도전성 부재(1913) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부재(1911) 및 제3 도전성 부재(1913)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1910)의 서로 다른 가장자리에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 도전성 부재(1912)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1910)의 서로 다른 가장자리에 걸쳐서 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 부재(1912)는 제1 도전성 부재(1911)가 형성되는 가장자리 및 제3 도전성 부재(1913)가 형성되는 가장자리에 걸쳐서 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제2 분절부(1915) 및 제3 분절부(1916)는 동일한 가장자리에 형성될 수 있고, 제1 분절부(1914)와는 다른 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1910)에는 개구(1910-1) 및 지지 부재(1910-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1910-1)는 지지 부재(1910-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1910-2)는 제1 도전성 부재(1911), 제2 도전성 부재(1912), 및 제3 도전성 부재(1913)를 지지할 수 있다.
도 19b는 일 실시 예에 따라 플로팅 도전성 부분을 포함하는 제1 하우징(110)의 일 영역(1920)을 도시한다.
도 19b를 참고하면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1920)에는 제1 도전성 부재(1921), 제2 도전성 부재(1922), 제3 도전성 부재(1923), 제1 분절부(1924), 제2 분절부(1925), 제3 분절부(1928), 스위치(1926), 또는 급전점(1927)이 형성될 수 있다. 일 예에서, 제1 도전성 부재(1921), 제2 도전성 부재(1922), 제3 도전성 부재(1923), 제1 분절부(1924), 제2 분절부(1925), 제3 분절부(1928), 스위치(1926), 또는 급전점(1927)은 각각 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제6 도전성 부분(190), 제7 분절부(223), 제6 분절부(222), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점에 대응되는 것으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1924)는 제1 도전성 부재(1921) 및 제2 도전성 부재(1922) 사이에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 제2 분절부(1925)는 제2 도전성 부재(1922) 및 제3 도전성 부재(1923) 사이에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 도전성 부재(1921) 및 제2 도전성 부재(1922)는 제1 하우징(110)의 일 영역(1920)의 동일한 가장자리에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 제1 분절부(1924), 제2 분절부(1925) 및 제3 분절부(1926)는 동일한 가장자리에 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 개구(1920-1)는 제1 분절부(1924), 제2 분절부(1925) 및 제3 분절부(1926)와 연결될 수 있다. 개구(1920-1)는 제1 가장 자리(1921-1)와 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 개구(1920-1)는 제2 도전성 부분(1922)과 대응하는 위치에서 제2 가장 자리(1923-1)와 나란한 방향으로 연장되는 부분을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 일 실시 예에 따른 제1 하우징(110)의 일 영역(1920)에는 개구(1920-1) 및 지지 부재(1920-2)가 형성될 수 있다. 일 예에서, 개구(1920-1)는 지지 부재(1920-2) 상에 형성될 수 있다. 다른 예에서, 지지 부재(1920-2)는 제1 도전성 부재(1921), 제2 도전성 부재(1922), 및 제3 도전성 부재(1923)를 지지할 수 있다.
도 20a는 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치(2000)를 도시한다. 도 20b는 도 20a와 다른 각도에서 바라본 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치(2000)를 도시한다.
도 20a 및 도 20b를 참고하면, (a)는 전자 장치(2000)가 제1 상태(2000a)에 있는 경우를 도시하고, (b)는 전자 장치(2000)가 제2 상태(2000b)에 있는 경우를 도시하는 것으로 이해할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(2000)가 제1 상태(2000a)에 있는 경우는 전자 장치(2000)의 제1 하우징(2001) 및 제2 하우징(2001-1)이 마주보고 있는 상태 혹은 전자 장치(2000)가 닫힌 상태로 이해할 수 있고, 전자 장치(2000)가 제2 상태(2000b)에 있는 경우는 전자 장치(2000)의 제1 하우징(2001) 및 제2 하우징(2001-1)이 마주보고 있지 않은 상태 혹은 전자 장치(2000)가 펼쳐진 상태로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2000)의 제1 하우징(2001)에는 제1 도전성 부분(2010), 제2 도전성 부분(2020), 제3 도전성 부분(2030), 제1 분절부(2040), 제2 분절부(2050), 스위치(2011), 또는 급전점(2012)이 형성될 수 있다.
도 20a 및 도 20b에 도시된 전자 장치(2000)의 각 구성은 도 2 또는 도 4에 도시된 전자 장치(100)의 구성과 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 동일한 구성으로 이해할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 부분(2010), 제2 도전성 부분(2020), 제3 도전성 부분(2030), 제1 분절부(2040), 제2 분절부(2050), 스위치(2011), 또는 급전점(2012)은 도 2 또는 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제9 도전성 부분(220), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점과 실질적으로 동일한 구성으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2000)의 제2 하우징(2001-1)에는 제4 도전성 부분(2010-1), 제5 도전성 부분(2020-1), 제6 도전성 부분(2030-1), 제3 분절부(2040-1), 또는 제4 분절부(2050-1)가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2000)가 제1 상태(2000a)에 있는 경우, 제1 도전성 부분(2010), 제2 도전성 부분(2020), 제3 도전성 부분(2030), 제1 분절부(2040), 제2 분절부(2050)는 각각 제4 도전성 부분(2010-1), 제5 도전성 부분(2020-1), 제6 도전성 부분(2030-1), 제3 분절부(2040-1), 제4 분절부(2050-1)와 마주보도록 정렬될 수 있다.
도 21a는 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치(2100)를 도시한다. 도 21b는 도 21a와 다른 각도에서 바라본 플로팅 도전성 부분을 포함하는 일 실시 예에 따른 전자 장치(2100)를 도시한다.
도 21a 및 도 21b를 참고하면, (a)는 전자 장치(2100)가 제1 상태(2100a)에 있는 경우를 도시하고, (b)는 전자 장치(2100)가 제2 상태(2100b)에 있는 경우를 도시하는 것으로 이해할 수 있다. 일 예에서, 전자 장치(2100)가 제1 상태(2100a)에 있는 경우는 전자 장치(2100)의 제1 하우징(2101) 및 제2 하우징(2101-1)이 마주보고 있는 상태 혹은 전자 장치(2100)가 닫힌 상태로 이해할 수 있고, 전자 장치(2100)가 제2 상태(2100b)에 있는 경우는 전자 장치(2100)의 제1 하우징(2101) 및 제2 하우징(2101-1)이 마주보고 있지 않은 상태 혹은 전자 장치(2100)가 펼쳐진 상태로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2100)의 제1 하우징(2101)에는 제1 도전성 부분(2110), 제2 도전성 부분(2120), 제3 도전성 부분(2130), 제1 분절부(2140), 제2 분절부(2150), 스위치(2111), 또는 급전점(2112)이 형성될 수 있다.
도 21a 및 도 21b에 도시된 전자 장치(2100)의 각 구성은 도 2 또는 도 4에 도시된 전자 장치(100)의 구성과 실질적으로 동일한 부분에 대해서는 동일한 구성으로 이해할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 부분(2110), 제2 도전성 부분(2120), 제3 도전성 부분(2130), 제1 분절부(2140), 제2 분절부(2150), 스위치(2111), 또는 급전점(2112)은 도 2 또는 도 4의 제8 도전성 부분(210), 제7 도전성 부분(200), 제9 도전성 부분(220), 제7 분절부(223), 제8 분절부(241), 제2 스위치(225), 또는 P5 지점과 실질적으로 동일한 구성으로 이해할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2100)의 제2 하우징(2101-1)에는 제4 도전성 부분(2110-1), 제5 도전성 부분(2120-1), 제6 도전성 부분(2130-1), 제3 분절부(2140-1), 또는 제4 분절부(2150-1)가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2100)가 제1 상태(2100a)에 있는 경우, 제1 도전성 부분(2110), 제2 도전성 부분(2120), 제3 도전성 부분(2130), 제1 분절부(2140), 제2 분절부(2150)는 각각 제4 도전성 부분(2110-1), 제5 도전성 부분(2120-1), 제6 도전성 부분(2130-1), 제3 분절부(2140-1), 제4 분절부(2150-1)와 정렬될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 도 21b의 (b)에서 제4 도전성 부분(2110-1)에도 급전점(2112-1)이 형성되고, 급전점(2112-1)은 스위치(2111-1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 예에서, 스위치(2111-1), 및 급전점(2112-1)은 제1 도전성 부분(2110)에 형성되는 스위치(2111), 및 급전점(2112-1)과 실질적으로 동일한 구성으로 이해할 수 있다.
도 22는, 다양한 실시 예들에 따른, 네트워크 환경(2200) 내의 전자 장치(2201)의 블록도이다. 도 22를 참조하면, 네트워크 환경(2200)에서 전자 장치(2201)는 제1 네트워크(2298)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(2202)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(2299)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(2204) 또는 서버(2208) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2201)는 서버(2208)를 통하여 전자 장치(2204)와 통신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2201)는 프로세서(2220), 메모리(2230), 입력 모듈(2250), 음향 출력 모듈(2255), 디스플레이 모듈(2260), 오디오 모듈(2270), 센서 모듈(2276), 인터페이스(2277), 연결 단자(2278), 햅틱 모듈(2279), 카메라 모듈(2280), 전력 관리 모듈(2288), 배터리(2289), 통신 모듈(2290), 가입자 식별 모듈(2296), 또는 안테나 모듈(2297)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(2201)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(2278))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(2276), 카메라 모듈(2280), 또는 안테나 모듈(2297))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(2260))로 통합될 수 있다.
프로세서(2220)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(2240))를 실행하여 프로세서(2220)에 연결된 전자 장치(2201)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(2220)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(2276) 또는 통신 모듈(2290))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(2232)에 저장하고, 휘발성 메모리(2232)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(2234)에 저장할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(2220)는 메인 프로세서(2221)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(2223)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(2201)가 메인 프로세서(2221) 및 보조 프로세서(2223)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(2223)는 메인 프로세서(2221)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(2223)는 메인 프로세서(2221)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(2223)는, 예를 들면, 메인 프로세서(2221)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(2221)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(2221)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(2221)와 함께, 전자 장치(2201)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(2260), 센서 모듈(2276), 또는 통신 모듈(2290))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(2223)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(2280) 또는 통신 모듈(2290))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 보조 프로세서(2223)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(2201) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(2208))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(2230)는, 전자 장치(2201)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(2220) 또는 센서 모듈(2276))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(2240)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(2230)는, 휘발성 메모리(2232) 또는 비휘발성 메모리(2234)를 포함할 수 있다.
프로그램(2240)은 메모리(2230)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(2242), 미들 웨어(2244) 또는 어플리케이션(2246)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(2250)은, 전자 장치(2201)의 구성요소(예: 프로세서(2220))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(2201)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(2250)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(2255)은 음향 신호를 전자 장치(2201)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(2255)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(2260)은 전자 장치(2201)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(2260)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디스플레이 모듈(2260)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(2270)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 오디오 모듈(2270)은, 입력 모듈(2250)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(2255), 또는 전자 장치(2201)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2202))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(2276)은 전자 장치(2201)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 모듈(2276)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(2277)는 전자 장치(2201)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2202))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 인터페이스(2277)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(2278)는, 그를 통해서 전자 장치(2201)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2202))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 연결 단자(2278)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(2279)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 햅틱 모듈(2279)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(2280)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 카메라 모듈(2280)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(2288)은 전자 장치(2201)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전력 관리 모듈(2288)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(2289)는 전자 장치(2201)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(2289)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(2290)은 전자 장치(2201)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2202), 전자 장치(2204), 또는 서버(2208)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(2290)은 프로세서(2220)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 모듈(2290)은 무선 통신 모듈(2292)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(2294)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(2298)(예: 블루투스, Wi-Fi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(2299)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(2204)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(2292)은 가입자 식별 모듈(2296)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(2298) 또는 제2 네트워크(2299)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(2201)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(2292)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(2292)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(2292)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(2292)은 전자 장치(2201), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(2204)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(2299))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 무선 통신 모듈(2292)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(2297)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(2297)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(2297)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(2298) 또는 제2 네트워크(2299)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(2290)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(2290)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시 예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(2297)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시 예에 따르면, 안테나 모듈(2297)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(2299)에 연결된 서버(2208)를 통해서 전자 장치(2201)와 외부의 전자 장치(2204)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(2202, 또는 2204) 각각은 전자 장치(2201)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 전자 장치(2201)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(2202, 2204, 또는 2208) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(2201)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(2201)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(2201)로 전달할 수 있다. 전자 장치(2201)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(2201)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 있어서, 외부의 전자 장치(2204)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(2208)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 외부의 전자 장치(2204) 또는 서버(2208)는 제2 네트워크(2299) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(2201)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구, 상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치, 및 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고, 상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고, 상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 동일한 방향을 향하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 도전성 물질은 2.4GHz에서 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 반대 방향을 향하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 절연 부재 및 상기 제4 절연 부재에 의하여 정의되는 상기 제2 하우징의 적어도 일부는 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 스위치는 제1 스위치이고, 상기 안테나 방사체의 제1 지점은 제2 스위치를 통하여 그라운드 영역과 연결되고, 상기 안테나 방사체의 제2 지점은 급전 지점과 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 안테나 방사체는 상기 도전성 물질보다 낮은 주파수 대역의 신호를 송수신할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 스위치가 ON 상태인 경우, 상기 도전성 물질은 상기 안테나 방사체가 형성하는 공진과 독립적인 공진을 형성할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 도전성 물질이 형성되는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 상기 제2 영역은 곡선으로 연결될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 가장자리, 및 상기 제2 가장자리는 상기 제1 하우징의 폭에 해당하고, 상기 제1 가장자리가 상기 제2 가장자리보다 길 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 가장자리, 및 상기 제2 가장자리는 상기 제1 하우징의 폭에 해당하고, 상기 제2 가장자리가 상기 제1 가장자리보다 길 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 개구는 지정된 유전율을 가지는 물질로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 절연 부재 및/또는 상기 제2 절연 부재는 절연 성질을 갖는 고분자 화합물, 세라믹, 레진 등으로 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 개구는 제3 가장자리 및 제4 가장자리를 따라 형성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구, 상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치, 상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로, 및 상기 전자 장치의 전면을 형성하며, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징에 걸쳐 배치되는 플렉서블 디스플레이를 포함하고, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함하고, 상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고, 상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고, 상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고, 상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 동일한 방향을 향하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우, 상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고, 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시킬 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 반대 방향을 향하도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 절연 부재 및 상기 제4 절연 부재에 의하여 정의되는 상기 제2 하우징의 적어도 일부는 안테나 방사체로 동작할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시 예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시 예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시 예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시 예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시 예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(1201))에 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(1236) 또는 외장 메모리(1238))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(1240))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(1201))의 프로세서(예: 프로세서(1220))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일 실시 예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시 예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시 예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    제1 하우징;
    상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함함;
    상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구;
    상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치; 및
    상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로를 포함하고,
    상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고,
    상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고,
    상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고,
    상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고,
    상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고,
    상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고,
    상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우:
    상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고,
    상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는, 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 동일한 방향을 향하도록 형성되는, 전자 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전성 물질은 2.4GHz에서 안테나 방사체로 동작하는, 전자 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우:
    상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고,
    상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는, 전자 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 반대 방향을 향하도록 형성되는, 전자 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 절연 부재 및 상기 제4 절연 부재에 의하여 정의되는 상기 제2 하우징의 적어도 일부는 안테나 방사체로 동작하는, 전자 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 스위치는 제1 스위치이고,
    상기 안테나 방사체의 제1 지점은 제2 스위치를 통하여 그라운드 영역과 연결되고,
    상기 안테나 방사체의 제2 지점은 급전 지점과 연결되는, 전자 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 안테나 방사체는 상기 도전성 물질보다 낮은 주파수 대역의 신호를 송수신하는, 전자 장치.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 스위치가 ON 상태인 경우, 상기 도전성 물질은 상기 안테나 방사체가 형성하는 공진과 독립적인 공진을 형성하는, 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 도전성 물질이 형성되는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 상기 제2 영역은 곡선으로 연결되는, 전자 장치.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 가장자리, 및 상기 제2 가장자리는 상기 제1 하우징의 폭에 해당하고,
    상기 제1 가장자리가 상기 제2 가장자리보다 긴, 전자 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 가장자리, 및 상기 제2 가장자리는 상기 제1 하우징의 폭에 해당하고,
    상기 제2 가장자리가 상기 제1 가장자리보다 긴, 전자 장치.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 개구는 지정된 유전율을 가지는 물질로 형성되는, 전자 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 절연 부재 및/또는 상기 제2 절연 부재는 절연 성질을 갖는 고분자 화합물, 세라믹, 레진 등으로 형성되는, 전자 장치.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 개구는 상기 제3 가장자리 및 상기 제4 가장자리를 따라 형성되는, 전자 장치.
  16. 전자 장치에 있어서,
    제1 하우징;
    상기 제1 하우징에 대해 회전 가능하도록 연결 부재를 통해 상기 제1 하우징과 연결되는 제2 하우징, 상기 제1 하우징은, 제1 방향을 향하는 제1 가장자리 및 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향을 향하는 제2 가장자리를 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제1 가장자리에 대응하는 제3 가장자리 및 상기 제2 가장자리에 대응하는 제4 가장자리를 포함함;
    상기 제3 가장자리를 따라 형성되는 개구;
    상기 개구와 그라운드 영역을 연결하는 경로 상에 배치되는 스위치;
    상기 제1 하우징 또는 상기 제2 하우징 내에 배치되는 무선 통신 회로; 및
    상기 전자 장치의 전면을 형성하며, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징에 걸쳐 배치되는 플렉서블 디스플레이를 포함하고,
    상기 제1 가장자리의 제1 영역 및 상기 제1 영역에서 연장되는 상기 제2 가장자리의 제2 영역은 도전성 물질로 형성되고,
    상기 도전성 물질의 제1 단은 상기 제1 가장자리에 배치되는 제1 절연 부재와 접하고,
    상기 도전성 물질의 제2 단은 상기 제2 가장자리에 배치되는 제2 절연 부재와 접하고,
    상기 도전성 물질의 제1 지점은 급전 지점과 연결되고,
    상기 도전성 물질의 제2 지점은 그라운드 영역과 연결되고,
    상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주볼 때, 상기 제2 하우징의 제3 절연 부재 및 제4 절연 부재는 상기 제1 가장자리의 상기 제1 절연 부재 및 상기 제2 절연 부재에 각각 대응하는 위치에 배치되고,
    상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보는 경우:
    상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고,
    상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는, 전자 장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 단락시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 동일한 방향을 향하도록 형성되는, 전자 장치.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 무선 통신 회로는, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징이 서로 마주보지 않는 경우:
    상기 급전 지점을 통해 상기 도전성 물질에 급전하고,
    상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는, 전자 장치.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 무선 통신 회로가 상기 스위치를 제어하여 상기 제3 가장자리와 상기 그라운드 영역을 전기적으로 개방시키는 경우, 상기 개구에 인접하여 형성되는 서로 다른 전류의 흐름은 반대 방향을 향하도록 형성되는, 전자 장치.
  20. 청구항 16에 있어서,
    상기 제3 절연 부재 및 상기 제4 절연 부재에 의하여 정의되는 상기 제2 하우징의 적어도 일부는 안테나 방사체로 동작하는, 전자 장치.
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