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KR20220107595A - 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름 Download PDF

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Publication number
KR20220107595A
KR20220107595A KR1020210010387A KR20210010387A KR20220107595A KR 20220107595 A KR20220107595 A KR 20220107595A KR 1020210010387 A KR1020210010387 A KR 1020210010387A KR 20210010387 A KR20210010387 A KR 20210010387A KR 20220107595 A KR20220107595 A KR 20220107595A
Authority
KR
South Korea
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acrylate
meth
diacrylate
semiconductor wafer
adhesive film
Prior art date
Application number
KR1020210010387A
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English (en)
Inventor
한상헌
허진영
김상환
서기승
최홍준
조원섭
박효순
최정우
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020210010387A priority Critical patent/KR20220107595A/ko
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Abstract

본 발명은 범프 매립성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제공한다.

Description

반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름 {SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER}
본 발명은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 관한 것이다. 구체적으로, 범프 매립성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 관한 것이다.
다이싱 공정이나 이면 연삭 공정과 같은 반도체 웨이퍼 가공 공정에서의 보호 필름은 반도체 공정용 기재 및 점착층을 포함하는 다층 구조의 라미네이트 제품으로서, 반도체 공정 중에 웨이퍼를 균열 등으로부터 일시적으로 보호하기 위해 사용된다.
상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 부착되어 표면을 보호할 수 있으며, 웨이퍼의 회로 형성면에는 회로 외에도 범프(bump) 등의 비교적 큰 단차를 갖는 요철이 형성되어 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 단차를 충분히 매립하지 못하는 경우 반도체 웨이퍼의 회로 비형성면 등을 연삭하는 과정에서 반도체 웨이퍼가 파손될 우려가 높아지므로, 단차를 매립하기에 용이한 요철 흡수층이 필요하다.
즉, 요철 흡수층은 웨이퍼 표면에 부착시 요철에 의한 변형이 용이해야 하고, 그러한 변형이 유지되어야 이면 연삭 공정시 웨이퍼를 보호할 수 있다. 이러한 조건을 만족하는 요철 흡수층을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 필름이 필요한 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 범프를 잘 매립시키는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상기 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 하기의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기재층, 요철흡수층 및 점착층을 포함하고, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 알킬 시트레이트 및 아크릴계 가교제를 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 범프에 의한 변형이 용이하며 변형이 쉽게 회복되지 않아 범프 매립성이 우수할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본원 명세서 및 첨부된 도면으로부터 당업자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 단위 "중량부"는 각 성분간의 중량의 비율을 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트 및 메타크릴레이트를 통칭하는 의미로 사용된다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"는 "A 및 B, 또는 A 또는 B"를 의미한다.
본원 명세서 전체에서, 용어 "단량체 단위(monomer unit)"는 중합체 내에서 단량체가 반응된 형태를 의미할 수 있고, 구체적으로 그 단량체가 중합 반응을 거쳐서 그 중합체의 골격, 예를 들면, 주쇄 또는 측쇄를 형성하고 있는 형태를 의미할 수 있다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 화합물의 “중량평균분자량” 및 “수평균분자량”은 그 화합물의 분자량과 분자량 분포를 이용하여 계산될 수 있다. 구체적으로, 1 ml의 유리병에 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF)와 화합물을 넣어 화합물의 농도가 1 wt%인 샘플 시료를 준비하고, 표준 시료(폴리스티렌, polystryere)와 샘플 시료를 필터(포어 크기가 0.45㎛)를 통해 여과시킨 후, GPC 인젝터(injector)에 주입하여, 샘플 시료의 용리(elution) 시간을 표준 시료의 캘리브레이션(calibration) 곡선과 비교하여 화합물의 분자량 및 분자량 분포를 얻을 수 있다. 이 때, 측정 기기로 Infinity II 1260(Agilient 社)를 이용할 수 있고, 유속은 1.00 mL/min, 컬럼 온도는 40.0 ℃로 설정할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층, 요철흡수층 및 점착층을 포함하고, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 알킬 시트레이트 및 아크릴계 가교제를 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 제공된다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 범프에 의한 변형이 용이하며 변형이 쉽게 회복되지 않아 범프 매립성이 우수할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층의 상부에 요철흡수층 및 점착층이 순차적으로 구비된다. 도 1을 참고하면, 상기 기재층 상에 요철흡수층이 구비되고, 상기 요철흡수층과 상기 기재층이 접하는 면의 반대면인 상기 요철흡수층의 일면에 상기 점착층이 구비될 수 있다. 구체적으로 상기 기재층, 요철흡수층 및 상기 점착층이 순차적으로 구비될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 기재층, 요철흡수층 및 상기 점착층이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 상술한 것과 같이 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 도 1과 같이 구비함으로써, 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 범프에 의한 변형이 용이하며 변형이 쉽게 회복되지 않아 범프 매립성이 우수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 상기 점착층의 상기 요철흡수층과 접하는 면의 반대면에 이형층을 더 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로 상기 이형층은 상기 요철흡수층이 구비된 점착층 일면의 반대면에 구비될 수 있다. 도 1을 참고하면, 상기 기재층(10), 요철흡수층(20), 점착층(30) 및 이형층(40)이 순차적으로 구비될 수 있다. 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 이형층을 구비함으로써 상기 점착층이 외부 물질에 의하여 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼 표면에 부착되어 보호용으로 사용될 때까지 점착층 표면을 보호할 수 있다.
이하, 각 층에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 또는 폴리에틸렌 필름일 수 있으나, 상기 기재필름의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층은 표면 처리되어 다른 층과의 접합력이 우수할 수 있으며, 예를 들어 상기 기재층은 요철흡수층과 접하는 면에 프라이머 처리된 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 기재층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 160 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 140 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 130 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 110 ㎛ 이하, 또는 95 ㎛ 이상 105 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 기재층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수한 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 알킬 시트레이트 및 아크릴계 가교제를 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 요철흡수층이 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 알킬 시트레이트 및 아크릴계 가교제를 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함함에 따라 범프에 의한 변형이 용이하고, 이러한 변형이 쉽게 회복되지 않아 범프 매립성이 우수하고 웨이퍼 표면을 보호하는 성능이 우수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층은 상기 요철흡수층 조성물의 광경화물을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 아크릴계 가교제, 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 및 광개시형 (메트)아크릴레이트의 아크릴레이트기가 광 조사시 반응하여 가교함으로써 경화되는 것일 수 있다. 특히 아크릴계 가교제는 2개 이상의 아크릴레이트기를 포함할 수 있고, 이에 따라 수지 간에 연결하는 역할을 하여 요철흡수층을 필름 형태로 성막할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알킬 시트레이트는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 30 중량부의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 알킬 시트레이트를 사용하는 경우, 요철흡수층의 변형이 용이하면서도 그러한 변형이 쉽게 회복되지 않고, 알킬 시트레이트 성분이 점착제층으로 마이그레이션되는 현상인 블리드 아웃(bleet out)이 발생하지 않아 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 경화 전 박리력이 높을 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 알킬 시트레이트는 트리에틸 시트레이트, 아세틸 트리에틸 시트레이트, 트리부틸 시트레이트, 아세틸 트리부틸 시트레이트, 트리옥틸 시트레이트, 아세틸 트리옥틸 시트레이트, 트리헥실 시트레이트, 아세틸 트리헥실 시트레이트, 부티릴 트리헥실 시트레이트, 및 트리메틸 시트레이트 중 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으나, 이것으로 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 아크릴계 가교제는 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(HDDA), 1,6-헥산디올 폴리에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(HD(EO)nDA), 네오펜틸글리콜 디프로필렌옥사이드 디아크릴레이트(NPG(PO)2DA), 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트(DPGDA), 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(TPGDA), 히드록실피발산 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트(HPNDA), 우레탄 디아크릴레이트, 비스페놀 A 테트라에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)4DA), 비스페놀 A 트리에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)3DA), 비스페놀 A 데카에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)10DA), 비스페놀 A 아이코사에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)20DA), 비스페놀 A 트리아콘타에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)30DA), 비스페놀 F 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트(BPF(EO)4DA), 트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(TCDDA), 테트라에틸렌그리콜 디아크릴레이트(TTEGDA), 폴리에틸렌글리콜 200 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 300 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 400 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 600 디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 400 디아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 디아크릴레이트 중 1종 이상을 포함하는 것일 수 있으나, 이것으로 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 아크릴계 가교제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상 3 중량부 이하 또는 0.05 중량부 이상 1 중량부 이하의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 아크릴계 가교제를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 범프 매립성과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머; 탄소수 8 내지 15인 시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머; 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머;를 포함하는 혼합물의 공중합체를 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 상기 공중합체를 10 중량% 내지 30 중량% 의 함량으로 포함할 수 있고, 잔부는 제1모노머, 제2모노머 및 제3모노머 중 1종 이상을 포함하는 모노머 혼합물일 수 있다.
상기 탄소수 범위를 만족하는 제1모노머와 제2모노머 및 극성기를 포함하는 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체를 포함하는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
상기 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머로는, 예를 들어 펜틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 탄소수 8 내지 15인 시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머로는, 예를 들어 시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 이소보닐 (메트)아크릴레이트, 이소보닐메틸 (메트)아크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머로는, 예를 들어 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1모노머는 상기 혼합물에 대하여 40 중량% 내지 70 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제1모노머가 포함되는 경우, 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2모노머는 상기 혼합물에 대하여 20 중량% 내지 40 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제2모노머가 포함되는 경우, 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제3모노머는 상기 혼합물에 대하여 10 중량% 내지 30 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제3모노머가 포함되는 경우, 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 50 만 내지 150 만일 수 있다. 상기 범위 내의 중량평균분자량을 갖는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 유리전이온도가 -30 ℃ 내지 30 ℃, -20 ℃ 내지 20 ℃ 또는 -10 ℃ 내지 10 ℃일 수 있다. 상기 범위 내의 유리전이온도를 갖는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층 조성물은 광개시제를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 광개시제는 반도체 표면 보호용 점착필름을 박리하기 전에 광이 조사되는 경우, 광 가교 반응을 개시하기 위해 첨가될 수 있으며, 광 가교 반응을 통해 점착층과 요철흡수층 간의 계면 부착력을 향상시킬 수 있다.
상기 광개시제로서 당업계에서 사용되는 광개시제를 제한 없이 채택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 광개시제로는 상업적으로 수득 가능한 시바가이기(Ciba Geigy)사의 이가큐어(Irgacure)#184(하이드록시사이클로헥실페닐케톤 (hydroxycyclohexyl phenylketone)), 이가큐어(Irgacure)#907(2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모폴리노-프로판-1-온(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on)), 이가큐어(Irgacure)#500 (하이드록시케톤과 벤조페논(hydroxy-ketones and benzo phoenone)), 이가큐어(Irgacure)#651(벤질디메틸케톤(benzildimethyl-ketone)), 이가큐어(Irgacure) TPO (디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드(Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide), 다로큐어(Darocure)#1173(2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one)), 다로큐어(Darocure)#116, CGI#1800 (비스아실포스핀옥사이드(bisacylphosphineoxide)) 또는 CGI#1700 (비스아실포스핀 옥사이드와 벤조페논(bisacylphosphine oxide and hydroxy ketone))중 적어도 하나를 사용할 수 있으나, 상기 광개시제의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 광개시제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트 수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 3 중량부, 0.5 중량부 내지 2 중량부 또는 0.7 중량부 내지 1.5 중량부로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 광개시제를 포함하는 경우, 요철흡수층의 광가교 반응이 효율적으로 진행될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 요철흡수층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 요철흡수층의 두께는 50 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 180 ㎛ 이하, 70 ㎛ 이상 160 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 150 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 140 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 130 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 80 ㎛ 이상 120 ㎛ 이하, 90 ㎛ 이상 110 ㎛ 이하, 또는 95 ㎛ 이상 105 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 요철흡수층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수하면서도 범프 매립성이 우수한 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층은 점착 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착 조성물은 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머; 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머; 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머;를 포함하는 혼합물의 공중합체; 및 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제5모노머;의 반응생성물을 포함하는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함할 수 있다.
상기 탄소수 범위를 만족하는 제1모노머와 제4모노머 및 극성기를 포함하는 제3모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체를 사용하는 경우, 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면 제1모노머, 제3모노머 및 제4모노머를 포함하는 혼합물의 공중합체와 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제5모노머의 반응생성물을 제2 (메트)아크릴레이트계 수지로 사용할 수 있다. 상기 제5모노머의 이소시아네이트기는 상기 제3모노머로부터 유래한 극성기, 특히 히드록시기와 반응하여 우레탄 결합과 같은 결합을 형성할 수 있고, 광 조사시 반응할 수 있도록 공중합체에 (메트)아크릴레이트기를 부여할 수 있다.
상기 제1모노머 및 상기 제3모노머는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지에 대하여 앞서 예시한 모노머를 사용할 수 있다.
상기 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머로는, 예를 들어 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, sec-부틸 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제5모노머로는, 예를 들어 1-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, 비스아크릴로일옥시메틸 에틸 이소시아네이트 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제1모노머는 상기 혼합물에 대하여 20 중량% 내지 40 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제1모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제4모노머는 상기 혼합물에 대하여 30 중량% 내지 60 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제2모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제3모노머는 상기 혼합물에 대하여 10 중량% 내지 30 중량%의 함량으로 포함되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 함량으로 제3모노머가 포함되는 경우, 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 유리전이온도 및 중량평균분자량을 적정 범위로 조절하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 공중합체는 상기 제1모노머, 제3모노머 및 제4모노머를 포함하는 혼합물을 공중합한 다음, 시럽 형태로 제5모노머와 혼합되어 반응하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제5모노머는 상기 공중합체를 포함하는 시럽 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 30 중량부의 양으로 반응되는 것일 수 있다. 상기 범위 내의 양으로 반응되는 경우, 제조되는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 광반응성을 우수한 수준으로 확보할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 수지의 중량평균분자량은 50 만 내지 150 만일 수 있다. 상기 범위 내의 중량평균분자량을 갖는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 제2 (메트)아크릴레이트계 수지는 유리전이온도가 -30 ℃ 내지 30 ℃, -20 ℃ 내지 20 ℃ 또는 -10 ℃ 내지 10 ℃일 수 있다. 상기 범위 내의 유리전이온도를 갖는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 사용하는 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착 조성물은 또한, 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서, 상기 성분에 추가로 점착성 부여 수지, 저분자량체, 에폭시 수지, 경화제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 조색제, 보강제, 소포제, 계면 활성제, 발포제, 유기염, 증점제 및 난연제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 점착층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하, 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하 또는 10 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 점착층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 점착층 상에 형성된 이형층을 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름이 이형층을 구비함으로써 상기 점착층이 외부 물질에 의하여 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 웨이퍼 표면에 부착되어 보호용으로 사용될 때까지 점착층 표면을 보호할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리올레핀 필름, 에틸렌-비닐 아세테이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리프로필렌 필름 또는 폴리에틸렌 필름일 수 있으나, 상기 이형층의 종류를 한정하는 것은 아니다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층의 점착층과 접하는 면은 이형 처리 되어있는 것일 수 있다. 점착층과 접하는 면에 이형 처리 되어있는 경우, 점착 필름을 웨이퍼 표면에 부착하기 위해 이형층을 박리할 때 점착층 및 요철흡수층의 손상 없이 박리할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 이형층의 두께는 10 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 이형층의 두께는 20 ㎛ 이상 80 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 60 ㎛ 이하, 10 ㎛ 이상 70 ㎛ 이하, 15 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이상 62.5 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이상 57 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이상 55 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하, 42.5 ㎛ 이상 75 ㎛ 이하, 45 ㎛ 이상 72.5 ㎛ 이하, 또는 50 ㎛ 이상 65 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 이형층의 두께가 전술한 범위 내인 경우, 기계적 물성이 우수한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 하기 식 1에 따른 회복율이 85 % 이하인 것일 수 있다.
[식 1]
회복율(%)=(1-(잔류변형량/최대변형량))*100
상기 식 1에서, 상기 최대변형량이란 지름 8 mm, 두께 1 mm 규격의 디스크 형상인 상기 요철흡수층 조성물의 경화물에 TA Instruments 사의 디스커버리 하이브리드 레오미터를 사용하여 10,000 Pa의 전단응력을 5분 동안 가하였을 때의 변형율(%)을 의미하고, 상기 잔류변형량이란 상기 전단응력을 제거하고 10분 후의 변형율(%)을 의미한다.
상기 전단응력은 상기 요철흡수층 조성물의 경화물의 양 면에 대하여 비트는 힘을 의미할 수 있고, 상기 변형율이란 상기 요철흡수층 조성물의 경화물의 두께에 대한 전단 방향으로의 변화량을 백분율로 나타낸 것일 수 있다.
일반적으로 사용되는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 웨이퍼 표면에 합지되어 웨이퍼 표면에 위치하는 범프와 같은 요철을 잘 매립하여야 한다. 또한, 이렇게 매립한 상태를 후속 공정 전까지 유지하여야 하며, 회복율이 너무 우수하지 않아야 요철을 매립한 변형 상태를 최대한 일정한 형상으로 유지할 수 있다.
따라서 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 식 1에 따른 회복율이 상기 범위 내임으로써 범프 매립성 및 이를 유지하는 성능이 우수할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 상기 최대변형량이 100 % 이하, 80 % 이하, 70 % 이하, 50 % 이하이며 20 % 이상일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 상기 최대변형량이 상기 범위 내인 경우, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 범프 매립성이 우수하면서도 범프에 의한 요철흡수층 침투 현상이 발생하지 않을 수 있어 웨이퍼 표면의 보호 역할을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 기재층 상에 요철흡수층을 형성하는 단계; 이형층 상에 점착층을 형성하는 단계; 및 상기 요철흡수층과 점착층이 맞닿도록 합지하는 단계;를 통해 제조될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 기재층 상에 요철흡수층을 형성할 수 있다. 구체적으로, 기재층 상에 요철흡수층 조성물을 도포하고 경화하여 요철흡수층을 형성할 수 있다. 상기 도포하는 방법은 제한되지 않으며, 바 코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 상기 요철흡수층 조성물을 도포할 수 있다.
상기 도포된 요철흡수층 조성물을 약 315 nm 내지 380 nm의 파장을 갖는 UV 광원 black light를 1 분 내지 3 분 동안 조사하여 경화시킴으로써 요철흡수층을 제조할 수 있다. 상기 범위 내의 조건으로 요철흡수층 조성물을 경화하는 경우 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 이형층 상에 점착층을 형성할 수 있다. 구체적으로, 이형층 상에 점착층 조성물을 도포하고 경화하여 점착층을 형성할 수 있다. 상기 도포하는 방법은 제한되지 않으며, 바 코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 상기 요철흡수층 조성물을 도포할 수 있다.
상기 도포된 점착층 조성물을 약 100 ℃ 내지 150 ℃의 온도에서 1 분 내지 30 분 동안 건조경화하여 점착층을 제조할 수 있다. 상기 범위 내의 조건으로 점착층 조성물을 경화하는 경우 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에서 요구되는 점착력과 같은 물성을 구현할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 기재층 상에 형성된 요철흡수층과, 상기 이형층 상에 형성된 점착층이 맞닿도록 합지하여 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조할 수 있다. 합지한 후, 필요에 따라 에이징하는 과정을 거칠 수 있으며, 약 30 ℃ 내지 70 ℃의 온도에서 1일 내지 5일 동안 에이징하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 이면 연삭과 같은 공정에 있어 반도체 웨이퍼 표면의 보호용 점착필름으로 이용될 수 있다.
구체적으로, 상기 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 반도체 웨이퍼 표면에 부착하는 단계; 점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 단계; 및 이면이 연삭된 반도체 웨이퍼 표면으로부터 점착 필름을 박리하는 단계;를 포함하는 백그라인딩(backgrinding) 공정으로 이용될 수 있다.
상기 백그라인딩 방법은 전술한 본 발명의 필름을 웨이퍼 가공용 보호 필름으로 사용한 것을 특징으로 하며, 그 외의 구체적인 공정 조건은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 전술한 점착 필름을 프레스법 또는 핫 롤 라미네이트법 등의 수단으로 웨이퍼에 합판하고, 이를 연마기와 같은 연삭 공구에 고정시킨 후 백그라인딩 공정을 수행할 수 있다. 상기한 바와 같이 본 발명의 점착 필름은 웨이퍼에 대한 젖음성, 박리성 및 내수성 등이 우수하여 상기 백그라인딩 공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 본 발명의 방법에서는 또한 상기 백그라인딩 공정을 수행한 후, 웨이퍼의 다이싱, 다이본딩, 와이어 본딩 및 몰딩 등과 같은 일반적인 반도체 패키징 공정을 연속하여 수행할 수 있고, 그 구체적인 조건은 특별히 한정되지 않는다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
제조예 1-1: 요철흡수층의 제조
에틸헥실아크릴레이트 51.5 중량부, 이소보닐아크릴레이트 28.5 중량부 및 히드록시에틸아크릴레이트 20 중량부를 포함하는 단량체 혼합물을 무용제 타입으로서 열중합 개시제인 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.01 중량부를 첨가하고 교반하여 중량평균분자량이 100만인 공중합체를 12 중량%로 포함하는 제1 (메트)아크릴레이트계 수지를 제조하였다.
상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여, 아크릴계 가교제로서 헥산디올 디아크릴레이트 0.03 중량부 및 우레탄 디아크릴레이트(신아티엔시 社, SUO 1020) 0.3 중량부, 광개시제로서 Irgacure 184 0.3 중량부 및 아세틸트리부틸시트레이트 10 중량부를 혼합하여 요철흡수층 조성물을 제조하였다.
기재로서 프라이머 처리된 100 μm 두께의 PET 필름 상에 상기 요철흡수층 조성물을 두께가 100 μm가 되도록 도포한 후, 이형 처리된 PET 필름을 합지하고 black light UV를 조사하고 오븐에서 4분간 경화하여 PET 필름 사이에 개재된 요철흡수층을 제조하였다.
또한, 상기 요철흡수층 조성물을 두께가 500 μm가 되도록 도포하여 평가용 요철흡수층을 제조하였다.
제조예 1-2
상기 제조예 1-1에 있어, 아세틸트리부틸시트레이트 30 중량부를 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층 및 평가용 요철흡수층을 제조하였다.
제조예 1-3
상기 제조예 1-1에 있어, 아세틸트리부틸시트레이트를 혼합하지 않은 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층 및 평가용 요철흡수층을 제조하였다.
제조예 1-4
상기 제조예 1-1에 있어, 아세틸트리부틸시트레이트 5 중량부를 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층 및 평가용 요철흡수층을 제조하였다.
제조예 1-5
상기 제조예 1-1에 있어, 아세틸트리부틸시트레이트 50 중량부를 혼합한 것을 제외하고는 제조예 1-1과 동일한 방법으로 요철흡수층 및 평가용 요철흡수층을 제조하였다.
실험예 1: 최대변형량 및 회복율 평가
제조예 1-1 내지 1-5의 평가용 요철흡수층을 지름 8 mm, 두께 1 mm 의 디스크 형태로 재단하였다. 재단한 평가용 요철흡수층을 TA Instruments 사의 디스커버리 하이브리드 레오미터를 이용하여 10,000 Pa의 전단응력을 5분간 가하였을 때의 변형율(strain)을 최대변형량으로 하고, 이후 전단응력을 제거하고 10 분 후의 변형율을 잔류변형량이라고 할 때, 하기 식 1에 따라 회복율을 계산하였다.
[식 1]
회복율(%)=(1-(잔류변형량/최대변형량))*100
제조예 1-1 내지 1-5의 평가용 요철흡수층의 최대변형량 및 회복율을 하기 표 1에 나타내었다.
최대변형량(%) 회복율(%)
제조예 1-1 23 81
제조예 1-2 35 70
제조예 1-3 8 99
제조예 1-4 10 99
제조예 1-5 73 65
제조예 2: 점착층의 제조
에틸헥실아크릴레이트 35 중량부, 메틸아크릴레이트 40 중량부 및 히드록시에틸 아크릴레이트 25 중량부를 혼합하는 단량체 혼합물을 에틸아세테이트 100 중량부와 혼합한 다음, 열중합 개시제인 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.01 중량부를 첨가하고 교반하여 중량평균분자량이 100만인 공중합체를 포함하는 시럽을 제조하였다. 제조한 공중합체를 포함하는 시럽 100 중량부에 1-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 19 중량부를 투입하고 24시간 이상 교반하여 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 제조하였다.
제2 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 이소시아네이트계 경화제로서 MGH-80B 1.85 중량부, 광개시제로서 Irgarcure 184 5 중량부를 첨가하고 메틸에틸케톤과 혼합하여 고형분이 20%가 되도록 점착 조성물을 제조하였다.
이형처리된 50 μm 두께의 PET 필름 상에 상기 점착 조성물을 도포 후 120 ℃ 오븐에서 2분간 건조하여 두께가 15 μm가 되도록 코팅하여 점착층을 제조하였다.
실시예 1
제조예 1-1에서 제조한 요철흡수층의 일면 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 박리하고, 제조예 2에서 제조된 점착층이 상기 요철흡수층과 맞닿도록 합지하고 50 ℃의 오븐에서 2일 이상 에이징하여 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
실시예 2
제조예 1-2에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
비교예 1
제조예 1-3에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
비교예 2
제조예 1-4에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
비교예 3
제조예 1-5에서 제조한 요철흡수층을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 제조하였다.
실험예 2: 블리드아웃 평가
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름을 5 cm * 5 cm의 크기로 재단하고, 점착필름의 점착층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고, 3T 유리에 기포가 없도록 부착하였다. 70 ℃의 온도에서 1 MPa의 압력으로 1분간 누른 후 점착필름 측면으로 새어나온 것이 있는지 관찰한다. 새어나온 성분이 있는 경우 'X'로, 없는 경우 'O'로 평가하여 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 3: 박리력 평가
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 점착층 상에 위치하는 이형처리된 PET 필름을 제거하고, 스테인리스 (SUS) 기판 상에 2 kg 고무 롤러로 1회 왕복하여 합지하고, 23℃에서 30 분 이상 방치한 후 상기 스테인리스 기판으로부터 점착필름을 180 °의 박리각도 및 1.8 m/min의 박리속도로 박리할 때의 박리력을 텍스쳐 애널라이저(Texture analyzer, stable micro system 社)를 이용하여 측정하였다. 또한, 박리하기 전 UV를 조사한 경우의 박리력도 동일한 조건으로 측정하였다.
하기 표 2에 상기 방법으로 측정한 실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3의 점착층의 UV 조사 전후의 박리력을 나타내었다.
블리드아웃 UV 조사전 박리력(g/in) UV 조사후 박리력(g/in)
실시예 1 O 1683 34
실시예 2 O 1598 45
비교예 1 O 1875 24
비교예 2 O 1865 28
비교예 3 X 843 652
상기 표 1 및 표 2를 참조하면, 실시예 1 내지 2의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름은 최대변형량이 높고 회복율은 낮은 요철흡수층을 포함하여 범프 매립성이 우수할 것임을 알 수 있고, 블리드아웃 현상이 관찰되지 않으며 광 조사 전후의 점착력에 큰 차이가 있어 공정 중 웨이퍼와 견고하게 부착되어 있을 수 있고, 광 조사시 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름의 박리가 용이한 것을 확인할 수 있다.
반면, 알킬 시트레이트를 포함하지 않거나 알킬 시트레이트를 소량으로 포함하는 요철흡수층인 제조예 1-3 및 1-4는 최대변형량이 작아 범프를 잘 매립하지 못하고, 회복율은 99 %로 매우 높아 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름에 적용시 범프를 잘 잡아주지 못하고 이면 연삭 공정에서 웨이퍼가 손상될 우려가 있음을 알 수 있다.
반면, 알킬 시트레이트를 과량으로 포함하는 요철흡수층인 제조예 1-5는 최대변형량은 크고 회복율은 낮으나, 이러한 요철흡수층을 포함하는 비교예 5의 경우 블리드아웃 현상이 관찰되어 점착층의 광 조사 전 점착력이 매우 낮고, 광 조사 후 점착력은 과도하게 높아 웨이퍼 표면으로부터 박리가 어려울 것임을 알 수 있다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
10: 기재층
20: 요철흡수층
30: 점착층
40: 이형층
100: 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름

Claims (10)

  1. 기재층, 요철흡수층 및 점착층을 포함하고,
    상기 요철흡수층은 제1 (메트)아크릴레이트계 수지, 알킬 시트레이트 및 아크릴계 가교제;를 포함하는 요철흡수층 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 알킬 시트레이트는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 10 중량부 내지 30 중량부의 함량으로 포함되는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알킬 시트레이트는 트리에틸 시트레이트, 아세틸 트리에틸 시트레이트, 트리부틸 시트레이트, 아세틸 트리부틸 시트레이트, 트리옥틸 시트레이트, 아세틸 트리옥틸 시트레이트, 트리헥실 시트레이트, 아세틸 트리헥실 시트레이트, 부티릴 트리헥실 시트레이트, 및 트리메틸 시트레이트 중 1종 이상을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 가교제는 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(HDDA), 1,6-헥산디올 폴리에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(HD(EO)nDA), 네오펜틸글리콜 디프로필렌옥사이드 디아크릴레이트(NPG(PO)2DA), 디프로필렌글리콜 디아크릴레이트(DPGDA), 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트(TPGDA), 히드록실피발산 네오펜틸글리콜 디아크릴레이트(HPNDA), 우레탄 디아크릴레이트, 비스페놀 A 테트라에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)4DA), 비스페놀 A 트리에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)3DA), 비스페놀 A 데카에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)10DA), 비스페놀 A 아이코사에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)20DA), 비스페놀 A 트리아콘타에틸렌옥사이드 디아크릴레이트(BPA(EO)30DA), 비스페놀 F 테트라에틸렌글리콜 디아크릴레이트(BPF(EO)4DA), 트리시클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트(TCDDA), 테트라에틸렌그리콜 디아크릴레이트(TTEGDA), 폴리에틸렌글리콜 200 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 300 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 400 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 600 디아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 400 디아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 디아크릴레이트 중 1종 이상을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴계 가교제는 상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 이상 3 중량부 이하의 함량으로 포함되는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 (메트)아크릴레이트계 수지는 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머; 탄소수 8 내지 15인 시클로알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제2모노머; 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머;를 포함하는 혼합물의 공중합체를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 요철흡수층 조성물은 광개시제를 더 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 점착층은 탄소수 5 내지 10인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제1모노머; 탄소수 1 내지 4인 알킬기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제4모노머; 및 극성기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제3모노머;를 포함하는 혼합물의 공중합체; 및 이소시아네이트기를 포함하는 (메트)아크릴레이트인 제5모노머;의 반응생성물을 포함하는 제2 (메트)아크릴레이트계 수지를 포함하는 점착 조성물의 경화물을 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 점착층 상에 형성된 이형층을 더 포함하는 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
  10. 제1항에 있어서,
    하기 식 1에 따른 회복율이 85 % 이하인 것인 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착필름.
    [식 1]
    회복율(%)=(1-(잔류변형량/최대변형량))*100
    상기 식 1에서, 상기 최대변형량이란 지름 8 mm, 두께 1 mm 규격의 디스크 형상인 상기 요철흡수층 조성물의 경화물에 TA Instruments 사의 디스커버리 하이브리드 레오미터를 사용하여 10,000 Pa의 전단응력을 5분 동안 가하였을 때의 변형율(%)을 의미하고, 상기 잔류변형량이란 상기 전단응력을 제거하고 10분 후의 변형율(%)을 의미한다.
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