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KR20220071511A - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

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Publication number
KR20220071511A
KR20220071511A KR1020200158729A KR20200158729A KR20220071511A KR 20220071511 A KR20220071511 A KR 20220071511A KR 1020200158729 A KR1020200158729 A KR 1020200158729A KR 20200158729 A KR20200158729 A KR 20200158729A KR 20220071511 A KR20220071511 A KR 20220071511A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
organic light
layer
display area
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020200158729A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이태훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200158729A priority Critical patent/KR20220071511A/en
Publication of KR20220071511A publication Critical patent/KR20220071511A/en

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    • H10K50/80Constructional details
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Abstract

The present specification discloses an organic light emitting display device. The organic light emitting display device includes: a substrate having a display area and a non-display area surrounding the display area; an organic light emitting element in the display area; an encapsulation layer covering the organic light emitting element. A metal layer inside the encapsulation layer may be included.

Description

유기발광 표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}Organic light emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}

본 명세서는 유기발광 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to an organic light emitting display device.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상표시장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 유기 발광 소자의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기발광 표시장치 등이 각광받고 있다.A video display device that implements various information on a screen is a key technology in the information and communication era, and is developing in the direction of thinner, lighter, more portable and high-performance. Accordingly, an organic light emitting display device that displays an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting device is in the spotlight.

유기발광 소자는 전극 사이의 얇은 발광 층을 이용한 자발광 소자로 박막화가 가능하다는 장점이 있다. 일반적인 유기발광 표시장치는 기판에 화소 구동 회로와 유기발광 소자가 형성된 구조를 갖고, 유기발광 소자에서 방출된 빛이 기판 또는 배리어 층을 통과하면서 화상을 표시하게 된다.The organic light emitting device has the advantage that it can be thinned as a self light emitting device using a thin light emitting layer between electrodes. A typical organic light emitting display device has a structure in which a pixel driving circuit and an organic light emitting device are formed on a substrate, and an image is displayed while light emitted from the organic light emitting device passes through a substrate or a barrier layer.

유기발광 표시장치는 별도의 광원장치 없이 구현되기 때문에, 플렉서블(flexible) 표시장치로 구현되기에 용이하다. 이때, 플라스틱, 박막 금속(metal foil) 등의 플렉서블 재료가 유기발광 표시장치의 기판으로 사용될 수 있다.Since the organic light emitting display device is implemented without a separate light source device, it is easy to be implemented as a flexible display device. In this case, a flexible material such as plastic or a metal foil may be used as a substrate of the organic light emitting display device.

유기발광 소자는 수분에 노출되면 성능이 열화되기 때문에 방습 설계가 매우 중요하다. 이에 다양한 투습 방지 설계가 표시장치에 적용되고 있다. 또한 수분 및/또는 소자에 악영향을 주는 물질의 확산을 억제하는 설계도 중요하다. 이에 본 명세서는 유기발광 표시장치 및 상기의 유기발광 표시장치에 적용되는 유기발광 소자의 보호 구조를 제안하는 것을 목적으로 한다. 본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Moisture-proof design is very important because organic light-emitting devices deteriorate when exposed to moisture. Accordingly, various moisture permeation prevention designs are being applied to display devices. Also important is a design that suppresses the diffusion of moisture and/or substances that adversely affect the device. Accordingly, an object of the present specification is to propose an organic light emitting display device and a protective structure of an organic light emitting device applied to the organic light emitting display device. The tasks of the present specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 일 실시예에 따라 유기발광 표시장치가 제공된다. 상기 유기발광 표시장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싼 비표시 영역을 구비한 기판; 상기 표시 영역에 있는 유기발광 소자; 상기 유기발광 소자를 덮은 봉지 층; 상기 봉지 층 내부의 금속 층을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present specification, an organic light emitting display device is provided. The organic light emitting display device may include: a substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area; an organic light emitting diode in the display area; an encapsulation layer covering the organic light emitting diode; It may include a metal layer inside the encapsulation layer.

상기 금속 층은, 상기 봉지 층 내부의 이온이 상기 유기발광 소자로 이동하는 것을 억제하도록 구비될 수 있다.The metal layer may be provided to suppress movement of ions in the encapsulation layer to the organic light emitting device.

상기 봉지 층은 상기 유기발광 소자 상의 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상의 유기막 및 상기 유기막 상의 제2 무기막을 포함하고, 상기 금속 층은 상기 제1 무기막 상에 위치할 수 있다.The encapsulation layer may include a first inorganic layer on the organic light emitting device, an organic layer on the first inorganic layer, and a second inorganic layer on the organic layer, and the metal layer may be disposed on the first inorganic layer.

상기 금속 층은 상기 유기발광 소자의 발광 영역과 상하로 중첩하지 않을 수 있다.The metal layer may not vertically overlap the light emitting area of the organic light emitting diode.

상기 금속 층은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.The metal layer may be formed of a transparent metal material.

상기 금속 층은 뱅크 및 스페이서 상부에 위치할 수 있다.The metal layer may be positioned over the banks and spacers.

상기 유기발광 표시장치는 상기 금속 층에 연결된 전원을 더 포함할 수 있다.The organic light emitting diode display may further include a power source connected to the metal layer.

상기 금속 층은 상기 전원으로부터 상기 유기발광 소자의 애노드보다 높은 전위의 전압을 공급받도록 구비될 수 있다.The metal layer may be provided to receive a voltage having a higher potential than that of the anode of the organic light emitting device from the power source.

상기 봉지 층은 상기 유기발광 소자 상의 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상의 유기막 및 상기 유기막 상의 제2 무기막을 포함하고, 상기 금속 층은 상기 유기막 내부의 이온이 확산되는 것을 억제할 수 있다. 이때 상기 이온은 불소 이온일 수 있다.The encapsulation layer includes a first inorganic film on the organic light emitting device, an organic film on the first inorganic film, and a second inorganic film on the organic film, and the metal layer suppresses diffusion of ions inside the organic film. can In this case, the ion may be a fluorine ion.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 명세서의 실시예들은, 유기발광 소자의 손상 문제가 개선된 유기발광 표시장치를 제공할 수 있다. 더 구체적으로, 본 명세서의 실시예들은, 유기발광 소자의 발광부의 손상을 예방할 수 있다 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 고온 환경에서의 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Embodiments of the present specification may provide an organic light emitting display device in which the problem of damage to the organic light emitting diode is improved. More specifically, according to the embodiments of the present specification, damage to the light emitting part of the organic light emitting diode may be prevented. Accordingly, the organic light emitting display device according to the embodiments of the present specification may have improved reliability in a high-temperature environment. Effects according to the embodiments of the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 중 일부를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 비표시 영역 중 일부를 나타낸 도면이다.
도 4는 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 발생하는 문제점을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 구조를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.
1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present specification.
2 is a cross-sectional view illustrating a portion of a display area of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 is a diagram illustrating a part of a non-display area of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present specification.
4 is a diagram illustrating problems occurring in a manufacturing process of an organic light emitting display device.
5 is a diagram illustrating a structure of a display area of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present specification.
6 is a plan view illustrating a part of a display area of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present specification, and a method for achieving them, will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are exemplary, and thus the present specification is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, cases including the plural are included unless otherwise explicitly stated. In interpreting the components, it is construed as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. 소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between two parts unless 'directly' is used. Reference to a device or layer “on” another device or layer includes any intervening layer or other device directly on or in the middle of the other device or layer. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but other components may be interposed between each component. It should be understood that each component may be “interposed” or “connected”, “coupled” or “connected” through another component.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, these elements are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.The size and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the illustrated component. Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present specification.

도 1을 참조하면, 상기 유기발광 표시장치(100)는 적어도 하나의 표시 영역(active area, A/A)을 포함하고, 상기 표시 영역에는 화소(pixel)들의 어레이(array)가 배치된다. 한 개의 화소는 복수 개의 서브 화소를 포함할 수 있다. 이때, 서브 화소는 한가지 색을 표현하기 위한 최소 단위이다. 한 개의 서브 화소 회로는 복수의 트랜지스터와 커패시터 및 복수의 배선을 포함할 수 있다. 서브 화소 회로는 두 개의 트랜지스터와 한 개의 커패시터(2T1C)로 이루어질 수 있지만, 이에 한정되지 않고 4T1C, 7T1C, 6T2C 등을 적용한 서브 화소 회로로 구현될 수도 있다. 또한, 서브 화소는 상부발광(top-emission) 방식의 유기발광 표시장치(100)에 적합하도록 구현될 수 있다. Referring to FIG. 1 , the organic light emitting display device 100 includes at least one active area (A/A), in which an array of pixels is disposed. One pixel may include a plurality of sub-pixels. In this case, a sub-pixel is a minimum unit for expressing one color. One sub-pixel circuit may include a plurality of transistors and capacitors, and a plurality of wirings. The sub-pixel circuit may include two transistors and one capacitor 2T1C, but is not limited thereto and may be implemented as a sub-pixel circuit to which 4T1C, 7T1C, 6T2C, etc. are applied. In addition, the sub-pixel may be implemented to be suitable for the top-emission type organic light emitting display device 100 .

하나 이상의 비표시 영역(inactive area, I/A)이 상기 표시 영역의 주위에 배치될 수 있다. 즉, 상기 비표시 영역은, 표시 영역의 하나 이상의 측면에 인접할 수 있다. 도 1에서, 상기 비표시 영역은 사각형 형태의 표시 영역을 둘러싸고 있다. 그러나, 표시 영역의 형태 및 표시 영역에 인접한 비표시 영역의 형태/배치는 도 1에 도시된 예에 한정되지 않는다. 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역은, 상기 표시장치(100)를 탑재한 전자장치의 디자인에 적합한 형태일 수 있다. 상기 표시 영역의 예시적 형태는 오각형, 육각형, 원형, 타원형 등이다.One or more inactive areas (I/A) may be disposed around the display area. That is, the non-display area may be adjacent to one or more side surfaces of the display area. In FIG. 1 , the non-display area surrounds a rectangular display area. However, the shape of the display area and the shape/arrangement of the non-display area adjacent to the display area are not limited to the example illustrated in FIG. 1 . The display area and the non-display area may have a shape suitable for designing an electronic device on which the display device 100 is mounted. Exemplary shapes of the display area are pentagonal, hexagonal, circular, oval, and the like.

상기 표시 영역(A/A) 내의 각 화소는 화소 회로와 연관될 수 있다. 상기 화소 회로는, 하나 이상의 스위칭 트랜지스터 및 하나 이상의 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 각 화소 회로는, 상기 비표시 영역에 위치한 게이트 드라이버, 데이터 드라이버 등과 통신하기 위해 신호 라인(게이트 라인, 데이터 라인 등)과 전기적으로 연결될 수 있다.Each pixel in the display area A/A may be associated with a pixel circuit. The pixel circuit may include one or more switching transistors and one or more driving transistors. Each pixel circuit may be electrically connected to a signal line (gate line, data line, etc.) to communicate with a gate driver and a data driver located in the non-display area.

상기 게이트 드라이버, 데이터 드라이버는 상기 비표시 영역(I/A)에 TFT(thin film transistor)로 구현될 수 있다. 이러한 드라이버는 GIP(gate-in-panel)로 지칭될 수 있다. 또한, 데이터 드라이버 IC와 같은 몇몇 부품들은, 분리된 인쇄 회로 기판에 탑재되고, FPCB(flexible printed circuit board), COF(chip-on-film), TCP(tape-carrier-package) 등과 같은 회로 필름을 통하여 상기 비표시 영역에 배치된 연결 인터페이스(패드, 범프, 핀 등)와 결합될 수 있다. 상기 인쇄 회로(COF, PCB 등)는 상기 표시장치(100)의 뒤편에 위치될 수 있다.The gate driver and the data driver may be implemented as thin film transistors (TFTs) in the non-display area I/A. Such a driver may be referred to as a gate-in-panel (GIP). In addition, some components such as data driver IC are mounted on a separate printed circuit board, and circuit films such as FPCB (flexible printed circuit board), COF (chip-on-film), TCP (tape-carrier-package), etc. Through the connection interface (pad, bump, pin, etc.) disposed in the non-display area may be coupled. The printed circuit (COF, PCB, etc.) may be located behind the display device 100 .

상기 유기발광 표시장치(100)는, 다양한 신호를 생성하거나 표시 영역내의 화소를 구동하기 위한, 다양한 부가 요소들 포함할 수 있다. 상기 화소를 구동하기 위한 부가 요소는 인버터 회로, 멀티플렉서, 정전기 방전(electro static discharge: ESD) 회로 등을 포함할 수 있다. 상기 유기발광 표시장치(100)는 화소 구동 이외의 기능과 연관된 부가 요소도 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기발광 표시장치(100)는 터치 감지 기능, 사용자 인증 기능(예: 지문 인식), 멀티 레벨 압력 감지 기능, 촉각 피드백(tactile feedback) 기능 등을 제공하는 부가 요소들을 포함할 수 있다. 상기 언급된 부가 요소들은 상기 비표시 영역 및/또는 상기 연결 인터페이스와 연결된 외부 회로에 위치할 수 있다.The organic light emitting diode display 100 may include various additional elements for generating various signals or driving pixels in the display area. Additional elements for driving the pixel may include an inverter circuit, a multiplexer, an electrostatic discharge (ESD) circuit, and the like. The organic light emitting diode display 100 may also include additional elements related to functions other than pixel driving. For example, the organic light emitting display device 100 may include additional elements that provide a touch sensing function, a user authentication function (eg, fingerprint recognition), a multi-level pressure sensing function, a tactile feedback function, etc. have. The above-mentioned additional elements may be located in the non-display area and/or in an external circuit connected to the connection interface.

도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 중 일부를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a portion of a display area of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present specification.

상기 유기발광 표시장치(100)는 기판(101), 박막 트랜지스터, 유기발광 소자 및 각종 기능 층들을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode display 100 may include a substrate 101 , a thin film transistor, an organic light emitting diode, and various functional layers.

상기 기판(101)은, 그 상부에 배치되는 유기발광 표시장치(100)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 한다. 상기 기판(101)은 플렉서블(Flexible) 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어진 플렉서블 기판일 수 있다. 상기 기판(101)은 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 플라스틱 기판인 경우, 폴리이미드 계열 또는 폴리 카보네이트 계열 물질이 사용되어 가요성(flexibility)를 가질 수 있다. 특히, 폴리이미드는 고온의 공정에 적용될 수 있고, 코팅이 가능한 재료이기에 플라스틱 기판으로 많이 사용된다.The substrate 101 serves to support and protect the components of the organic light emitting diode display 100 disposed thereon. The substrate 101 may be a flexible substrate made of a flexible material having a flexible characteristic. The substrate 101 may be a glass or plastic substrate. In the case of a plastic substrate, a polyimide-based or polycarbonate-based material may be used to have flexibility. In particular, polyimide is widely used as a plastic substrate because it can be applied to high-temperature processes and can be coated.

버퍼 층(103)은 기판(101) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 전극/전선을 보호하기 위한 기능 층이다. 상기 버퍼 층(buffer layer)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 다층으로 이루어질 수 있다. 상기 버퍼 층(103)은 멀티 버퍼(multi buffer) 및/또는 액티브 버퍼(active buffer)를 포함할 수 있다. 상기 멀티 버퍼는 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx)이 교대로 적층되어 이루어질 수 있으며, 기판(101)에 침투한 수분 및/또는 산소가 확산되는 것을 지연시킬 수 있다. 상기 액티브 버퍼는 트랜지스터의 반도체 층(102)을 보호하며, 기판(101)으로부터 유입되는 다양한 종류의 결함을 차단하는 기능을 수행한다. 상기 액티브 버퍼는 비정질 실리콘(a-Si) 등으로 형성될 수 있다.The buffer layer 103 is a functional layer for protecting the electrode/wire from impurities such as alkali ions leaking from the substrate 101 or the underlying layers. The buffer layer may be formed of silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), or a multilayer thereof. The buffer layer 103 may include a multi buffer and/or an active buffer. The multi-buffer may be formed by alternately stacking silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiOx), and may delay diffusion of moisture and/or oxygen penetrating into the substrate 101 . The active buffer protects the semiconductor layer 102 of the transistor and blocks various types of defects introduced from the substrate 101 . The active buffer may be formed of, for example, amorphous silicon (a-Si).

박막 트랜지스터는 게이트 전극(104), 소스 및 드레인 전극(108) 및 반도체 층(102)을 포함한다. 반도체 층(102)은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon)로 구성될 수 있다. 다결정 실리콘은, 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하다. 최근에는 산화물(Oxide) 반도체가 이동도와 균일도가 우수하여 각광받고 있다. 반도체 층(102)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스 영역(Source Region), 드레인 영역(Drain Region) 및 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스 영역 및 드레인 영역 사이에는 저농도 도핑 영역을 포함할 수 있다.The thin film transistor includes a gate electrode 104 , source and drain electrodes 108 , and a semiconductor layer 102 . The semiconductor layer 102 may be made of amorphous silicon or polycrystalline silicon. Polycrystalline silicon has better mobility than amorphous silicon, so it has low energy consumption and excellent reliability. Recently, oxide semiconductors have been in the spotlight because of their excellent mobility and uniformity. The semiconductor layer 102 may include a source region including p-type or n-type impurities, a drain region, and a channel between the source region and the drain region, and adjacent to the channel. A lightly doped region may be included between the source region and the drain region.

게이트 절연 층(105)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층 또는 다중 층으로 구성된 절연막이며, 반도체 층(102)에 흐르는 전류가 게이트 전극(104)으로 흘러가지 않도록 마련된다. The gate insulating layer 105 is an insulating film composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), and is provided so that a current flowing through the semiconductor layer 102 does not flow to the gate electrode 104 .

게이트 전극(104)은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나 이들의 합금으로 단일 층 또는 다중 층으로 구성될 수 있다. 소스 및 드레인 전극(108)은 데이터 라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기 신호가 박막 트랜지스터에서 유기발광 소자로 전달되도록 한다. 소스 및 드레인 전극(108)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이들의 합금으로 단일 층 또는 다중 층으로 구성될 수 있다. The gate electrode 104 serves as a switch that turns on or off the thin film transistor based on an electrical signal transmitted from the outside through the gate line, and a conductive metal copper ( Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), etc. or alloys thereof as a single layer or multiple layers can be configured. The source and drain electrodes 108 are connected to the data line and allow an electric signal transmitted from the outside to be transmitted from the thin film transistor to the organic light emitting diode. The source and drain electrodes 108 are conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ) may be composed of a single layer or multiple layers of metal materials such as or alloys thereof.

게이트 전극(104)과 소스 및 드레인 전극(108)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)의 단일 층이나 다중 층으로 구성된 층간 절연 층(106)이 게이트 전극(104)과 소스 및 드레인 전극(108) 사이에 배치될 수 있다.In order to insulate the gate electrode 104 and the source and drain electrodes 108 from each other, an interlayer insulating layer 106 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed with the gate electrode 104 and It may be disposed between the source and drain electrodes 108 .

박막 트랜지스터 상에는 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기 절연막으로 구성된 보호 층이 위치할 수 있다. 상기 보호 층은 박막 트랜지스터의 구성 요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막을 수 있다. 상기 보호 층은 박막 트랜지스터 및 유기발광 소자의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A protective layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be positioned on the thin film transistor. The protective layer may prevent unnecessary electrical connections between components of the thin film transistor and prevent external contamination or damage. The protective layer may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor and the organic light emitting device.

설명의 편의를 위해, 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으나, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 표시 영역에 포함될 수 있다. 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터 라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드로 전달하며, 애노드로 전달되는 전류에 의해 발광이 제어된다.For convenience of explanation, only the driving thin film transistor is illustrated among various thin film transistors, but a switching thin film transistor, a capacitor, etc. may also be included in the display area. When a signal is applied from the gate line to the switching thin film transistor, the signal from the data line is transferred to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current transmitted through the power wiring to the anode according to a signal received from the switching thin film transistor, and light emission is controlled by the current transmitted to the anode.

평탄화 층(109)이 박막 트랜지스터 상에 배치된다. 평탄화 층(109)은 박막 트랜지스터를 보호하고 박막 트랜지스터로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터와 게이트 라인 및 데이터 라인, 유기발광 소자 사이에 발생되는 기생 정전 용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시킨다. 평탄화 층(109)은 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.A planarization layer 109 is disposed on the thin film transistor. The planarization layer 109 protects the thin film transistor and relieves a step difference caused by the thin film transistor, and reduces parasitic-capacitance generated between the thin film transistor, the gate line, the data line, and the organic light emitting diode. The planarization layer 109 is an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamides resin, a polyimides resin, an unsaturated polyester resin (Unsaturated Polyesters Resin), polyphenylene-based resin (Polyphenylene Resin), polyphenylenesulfide-based resin (Polyphenylenesulfides Resin), and benzocyclobutene (Benzocyclobutene) may be formed of at least one material.

유기발광 소자는 평탄화 층(109) 상에 배치된다. 유기발광 소자는 애노드(112), 발광부(114) 및 캐소드(116)를 포함한다. 상기 유기발광 소자는 하나의 빛을 발광하는 단일 발광부 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광부가 적층되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다. 유기발광 소자가 백색 광을 발광하는 경우, 컬러 필터가 더 구비될 수도 있다. 상기 애노드(112)는 평탄화 층(109) 바로 위에 배치될 수 있다. 상기 애노드(112)는 상기 발광부(114)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 평탄화 층(109)에 있는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 애노드(112)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등으로 구성될 수 있다. 유기발광 표시장치(100)가 상부로 광을 발광하는 방식(Top Emission)일 경우, 발광된 광이 더 원활하게 캐소드(116)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 상기 애노드는 반사 층을 더 포함할 수 있다. 상기 애노드(112)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전 층과 반사 층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전 층, 반사 층 및 투명 도전 층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사 층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. The organic light emitting device is disposed on the planarization layer 109 . The organic light emitting diode includes an anode 112 , a light emitting unit 114 , and a cathode 116 . The organic light emitting device may have a structure of a single light emitting unit emitting one light, or a structure of emitting white light by stacking a plurality of light emitting units. When the organic light emitting diode emits white light, a color filter may be further provided. The anode 112 may be disposed directly on the planarization layer 109 . The anode 112 is an electrode serving to supply holes to the light emitting part 114 , and may be electrically connected to the thin film transistor through a contact hole in the planarization layer 109 . The anode 112 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, which are transparent conductive materials. In the case where the organic light emitting diode display 100 emits light upward (Top Emission), the anode includes a reflective layer so that the emitted light can be more smoothly emitted in the upward direction in which the cathode 116 is disposed. may include more. The anode 112 may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer and a reflective layer made of a transparent conductive material are sequentially stacked, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, and the reflective layer is It may be silver (Ag) or an alloy containing silver.

뱅크(110)는 애노드(112) 및 평탄화 층(109) 상에 배치되고, 실제로 광을 발광하는 영역을 정의할 수 있다. 상기 뱅크(110)는 애노드(112) 상에 포토 레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진 식각 공정(Photolithography)에 의해 형성된다. 포토 레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토 레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. The bank 110 is disposed on the anode 112 and the planarization layer 109 and may define a region that actually emits light. The bank 110 is formed by photolithography after forming a photoresist on the anode 112 . The photoresist refers to a photosensitive resin whose solubility in a developer is changed by the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist.

유기발광 소자의 발광부(114)를 형성하기 위해서 증착 마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용될 수 있다. 이때, 뱅크(110) 상에 배치되는 증착 마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 상기 뱅크(110)와 증착 마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 상기 뱅크(110) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(spacer; 111)가 배치될 수도 있다.A fine metal mask (FMM), which is a deposition mask, may be used to form the light emitting part 114 of the organic light emitting device. At this time, in order to prevent damage that may be caused by contact with the deposition mask disposed on the bank 110 and to maintain a constant distance between the bank 110 and the deposition mask, a transparent organic material is placed on the bank 110 . A spacer 111 made of one of phosphorus polyimide, photoacryl, and benzocyclobutene (BCB) may be disposed.

애노드(112)와 캐소드(116) 사이에는 발광부(114)가 배치된다. 상기 발광부(114)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입 층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송 층(Hole Transport Layer; HTL), 발광 층(emission layer; EML), 전자수송 층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자주입 층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 유기발광 표시장치(100)의 구조나 특성에 따라 상기 발광부(114)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. A light emitting part 114 is disposed between the anode 112 and the cathode 116 . The light emitting unit 114 serves to emit light, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer ( It may include at least one of an Electron Transport Layer (ETL) and an Electron Injection Layer (EIL), and a part of the light emitting unit 114 is configured according to the structure or characteristics of the organic light emitting display device 100 . Elements may be omitted.

캐소드(116)는 발광부(114) 상에 배치되어, 상기 발광부(114)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 상기 캐소드(116)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성될 수 있다. 유기발광 표시장치(100)가 상부 발광 방식의 경우, 상기 캐소드(116)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.The cathode 116 is disposed on the light emitting unit 114 and serves to supply electrons to the light emitting unit 114 . Since the cathode 116 needs to supply electrons, it may be made of a metal material such as magnesium (Mg) or silver-magnesium (Ag:Mg), which is a conductive material having a low work function. When the organic light emitting diode display 100 is a top emission type, the cathode 116 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide ( It may be a transparent conductive oxide based on zinc oxide (ZnO) and tin oxide (TiO).

유기발광 소자 상에는 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인한 산화 또는 손상을 방지하기 위한 봉지 층(120)이 배치될 수 있다. 상기 봉지 층(120)은 복수의 무기물 층, 이물보상 층 및 복수의 베리어 필름(Barrier Film)이 적층되어 형성될 수 있다. 상기 무기물 층은 유기발광 소자의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있다. 상기 이물보상 층 상에는 무기물 층이 추가로 더 적층되어 배치될 수 있다. 상기 이물보상 층은 무기물 층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)이 사용될 수 있다. 상기 이물보상 층은 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때, 이러한 굴곡 및 이물을 덮으면서 보상한다. An encapsulation layer 120 for preventing oxidation or damage caused by moisture, oxygen, or impurities introduced from the outside may be disposed on the organic light emitting diode. The encapsulation layer 120 may be formed by laminating a plurality of inorganic layers, a foreign material compensation layer, and a plurality of barrier films. The inorganic layer is disposed on the entire upper surface of the organic light emitting diode, and may be formed of one of inorganic materials such as silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlyOz). An inorganic layer may be further stacked on the foreign material compensation layer. The foreign material compensation layer is disposed on the inorganic material layer, and an organic material such as silicon oxycarbon (SiOCz), acryl or epoxy-based resin may be used. The foreign material compensation layer compensates while covering the bending and foreign material when a defect occurs due to a crack generated by a foreign material or particle that may be generated during the process.

봉지 층(120) 상에는 터치 전극(패널), 편광 필름, 커버 글래스 등이 더 위치할 수도 있다.A touch electrode (panel), a polarizing film, a cover glass, and the like may be further positioned on the encapsulation layer 120 .

도 3은 본 명세서의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 비표시 영역 중 일부를 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating a part of a non-display area of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present specification.

비표시 영역(I/A)은, 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(A/A)의 외곽에 위치할 수 있으며, 그 위에 구동 회로(예: GIP), 전원 배선 등이 배치될 수 있다. 비표시 영역(I/A)에는 화소 회로 및 발광 소자가 배치되지 않지만 기판(101)과 유기/무기 기능 층들(103, 105, 109, 등)은 존재할 수 있다. 또한 상기 비표시 영역(I/A)에는 표시 영역(A/A)의 구성에 사용된 물질들이 다른 용도로 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 영역 TFT의 게이트 전극과 동일한 금속(104'), 또는 소스/드레인 전극과 동일한 금속(108')이 배선 또는 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수 있다. 더 나아가, 유기발광 다이오드의 일 전극(예: 애노드)과 동일한 금속(112')이 배선, 전극용으로 비표시 영역(I/A)에 배치될 수도 있다.The non-display area I/A may be located outside the display area A/A as shown in FIG. 1 , and a driving circuit (eg, GIP), power wiring, etc. may be disposed thereon. . Although the pixel circuit and the light emitting device are not disposed in the non-display area I/A, the substrate 101 and the organic/inorganic functional layers 103 , 105 , 109 , etc. may be present. In addition, materials used to form the display area A/A may be disposed in the non-display area I/A for different purposes. For example, the same metal 104' as the gate electrode of the display area TFT, or the same metal 108' as the source/drain electrode may be disposed in the non-display area I/A for wiring or electrodes. Furthermore, the same metal 112 ′ as one electrode (eg, an anode) of the organic light emitting diode may be disposed in the non-display area I/A for wiring and electrodes.

유기발광 소자의 상부를 봉지 층(120)이 덮는다. 봉지 층은 유리, 금속, 산화 알루미늄(AlOx) 또는 실리콘(Si) 계열 물질로 이루어진 무기막으로 구성되거나, 또는 유기막과 무기막이 교대로 적층된 구조일 수도 있다. 무기막(121, 123)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기막(122)은 무기막(121)의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. An encapsulation layer 120 covers an upper portion of the organic light emitting diode. The encapsulation layer may be formed of an inorganic film made of a glass, metal, aluminum oxide (AlOx) or silicon (Si)-based material, or may have a structure in which an organic film and an inorganic film are alternately stacked. The inorganic layers 121 and 123 block penetration of moisture or oxygen, and the organic layer 122 serves to planarize the surface of the inorganic layer 121 .

유기막(122)은 일정 정도의 흐름성이 있어, 도포 중에 비표시 영역의 외곽으로 흐를 수 있다. 이에 차단 구조물(190)이 유기막(122)이 비표시 영역(I/A)에 퍼지는 것을 제어하도록 배치된다. 도 3에는 차단 구조물(댐)이 2개 배치된 것으로 도시되었으나, 댐은 다른 개수로도 배치될 수 있다. 또한, 댐(190)은 표시 영역(A/A)을 둘러싸도록 배치되거나 표시 영역(A/A)내에 배치될 수도 있다. 댐(190)은 적어도 하나 이상의 물질을 사용하여 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 댐(190)은 평탄화 층(109), 뱅크(110), 스페이서(111)를 형성하는데 사용되는 물질을 사용하여 만들어질 수 있다. The organic layer 122 has flowability to a certain degree, and may flow to the outside of the non-display area during application. Accordingly, the blocking structure 190 is disposed to control the spreading of the organic layer 122 in the non-display area I/A. Although it is illustrated that two blocking structures (dams) are disposed in FIG. 3 , the dams may be disposed in other numbers. Also, the dam 190 may be disposed to surround the display area A/A or may be disposed within the display area A/A. The dam 190 may be formed in multiple layers using at least one material. For example, the dam 190 may be made using the material used to form the planarization layer 109 , the bank 110 , and the spacers 111 .

비표시 영역(I/A)에 배치된 각종 회로와 전극/전선은 게이트 금속(104') 및/또는 소스/드레인 금속(108')으로 만들어질 수 있다. 이때, 게이트 금속(104')은 TFT의 게이트 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성되며, 소스/드레인 금속(108')은 TFT의 소스/드레인 전극과 동일한 물질로 동일 공정에서 형성된다. Various circuits and electrodes/wires disposed in the non-display area I/A may be made of the gate metal 104 ′ and/or the source/drain metal 108 ′. In this case, the gate metal 104' is formed of the same material as the gate electrode of the TFT in the same process, and the source/drain metal 108' is formed of the same material as the source/drain electrode of the TFT in the same process.

예를 들어, 소스/드레인 금속은 전원(예: 저준위 전원(VSS), 고준위 전원(VDD) 등) 배선(108')으로 사용될 수 있다. 이때, 전원 배선(108')은 애노드 금속 층(112')과 연결되고, 유기발광 다이오드의 캐소드(116)는 상기 소스/드레인 금속(108') 및 애노드 금속 층(112')과의 연결을 통해 전원을 공급받을 수 있다. 상기 애노드 금속 층(112')은 전원 배선(108')과 접촉하고, 평탄화 층(109)의 최외곽 측벽을 타고 연장되어 평탄화 층(109) 상부에서 캐소드(116)와 접촉할 수 있다. 상기 애노드 금속 층(112')은 유기발광 다이오드의 애노드(112)와 동일한 물질로 동일한 공정에서 형성된 금속 층일 수 있다.For example, the source/drain metal may be used as a power supply (eg, a low-level power supply (VSS), a high-level power supply (VDD), etc.) wiring 108 ′. At this time, the power wiring 108' is connected to the anode metal layer 112', and the cathode 116 of the organic light emitting diode is connected to the source/drain metal 108' and the anode metal layer 112'. Power can be supplied through The anode metal layer 112 ′ may be in contact with the power wiring 108 ′ and may extend along the outermost sidewall of the planarization layer 109 to contact the cathode 116 on the planarization layer 109 . The anode metal layer 112 ′ may be a metal layer formed of the same material as the anode 112 of the organic light emitting diode in the same process.

도 4는 유기발광 표시장치의 제조 공정에서 발생하는 문제점을 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a problem occurring in a manufacturing process of an organic light emitting display device.

발명자들은 도 3에 도시된 것과 같은 유기발광 표시장치의 표시 영역 구조에서 나타나는 취약점을 발견하였다. 그 중 하나는, 뱅크(110) 부근에서 나타나는 이온 확산이다. The inventors have discovered a weakness that appears in the structure of the display area of the organic light emitting diode display as shown in FIG. 3 . One of them is ion diffusion appearing in the vicinity of the bank 110 .

유기발광 소자의 애노드(112)와 뱅크(110)까지 형성된 후에, 발광부(114)와 캐소드(116)가 차례로 형성된다. 이때 증착 마스크 또는 다른 오염원으로부터 표시 영역 내부로 이물(particle, P)이 유입되는 경우가 있다. 이물이 유입된 상태로 증착 공정이 진행되면, 상기 이물이 일부 영역에 손상을 유발하기도 한다. 예를 들어, 도 4와 같이 뱅크(110) 위에 이물(P)이 유입된 상태로 캐소드(116)가 증착되면, 이물(P) 주위에 크랙(crack)이 발생하기도 한다.After the anode 112 and the bank 110 of the organic light emitting device are formed, the light emitting part 114 and the cathode 116 are sequentially formed. In this case, a foreign material (particle, P) may be introduced into the display area from the deposition mask or other contamination source. When the deposition process proceeds with the foreign material introduced, the foreign material may cause damage to some areas. For example, when the cathode 116 is deposited with the foreign material P introduced onto the bank 110 as shown in FIG. 4 , cracks may occur around the foreign material P.

한편, 고온 환경에서는 봉지 층의 유기막(122) 내부에 이온(e) 불순물이 다량 생성된다. 상기 이온(e)들은 확산되기도 하며, 특히 상기 이온(e)들은 표시장치의 구동 시에 애노드(112)-캐소드(116) 사이의 전계(F1)에 의해 이동하기도 한다. 이때 크랙(crack)을 통해 상기 이온(e)들이 발광부(114) 부근으로 이동할 수도 있다. 발광부(114)까지 이동한 이온(e)은 발광 물질(예: 인광 도펀트)의 구조를 변화시켜 성능 저하를 유발할 수 있다. 위와 같은 이유로 유기발광 소자가 손상되어 서브 픽셀에 흑점이 발생한 것이 관찰되기도 하였다.On the other hand, in a high-temperature environment, a large amount of ion (e) impurities are generated inside the organic layer 122 of the encapsulation layer. The ions (e) may diffuse, and in particular, the ions (e) may move by the electric field F1 between the anode 112 and the cathode 116 when the display device is driven. In this case, the ions (e) may move to the vicinity of the light emitting part 114 through cracks. The ions e that have moved to the light emitting part 114 may change the structure of the light emitting material (eg, a phosphorescent dopant) to cause performance degradation. For the above reasons, it was also observed that the organic light emitting diode was damaged and black spots were generated in the sub-pixels.

본 발명의 발명자들은 상기의 취약점과 위험성을 인지하고, 이온 등의 불순물들이 유기발광 소자로 이동하는 것을 억제하는 구조를 고안하였다.The inventors of the present invention have devised a structure to suppress the movement of impurities such as ions to the organic light emitting device, recognizing the above weaknesses and risks.

도 5는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역 구조를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a structure of a display area of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present specification.

도 5의 각 구성요소 중에서, 도 1 내지 도 3과 동일한 구성요소에 대한 중복 설명은 생략한다. 본 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 봉지 층(120)에서 발생한 불순물(예: 이온)의 이동을 억제하는 구조를 포함할 수 있다. 상기 억제 구조는, 봉지 층(120) 내부에 금속 층(130)을 부가함으로써 마련될 수 있다. 일 예로 상기 금속 층(130)은, 봉지층(120)의 내부에 마련되어서, 전하를 띈 이온(e)들을 붙잡아 두거나, 상기 이온(e)을 잡아당기는 전기장(F1)을 상쇄시킬 수 있다.Among the components of FIG. 5 , redundant descriptions of the same components as those of FIGS. 1 to 3 will be omitted. The organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment may include a structure that suppresses movement of impurities (eg, ions) generated in the encapsulation layer 120 . The suppression structure may be prepared by adding the metal layer 130 to the inside of the encapsulation layer 120 . For example, the metal layer 130 may be provided inside the encapsulation layer 120 to hold charged ions (e) or cancel an electric field (F1) pulling the ions (e).

본 실시예에 따른 유기발광 표시장치는, 표시 영역(A/A) 및 상기 표시 영역을 둘러싼 비표시 영역(I/A)을 구비한 기판(101); 상기 표시 영역(A/A)에 있는 유기발광 소자(112, 114, 116); 상기 유기발광 소자를 덮은 봉지 층(120); 상기 봉지 층(120) 내부의 금속 층(130)을 포함한다. The organic light emitting diode display according to the present embodiment includes: a substrate 101 having a display area A/A and a non-display area I/A surrounding the display area; organic light emitting devices 112, 114, and 116 in the display area A/A; an encapsulation layer 120 covering the organic light emitting diode; and a metal layer 130 inside the encapsulation layer 120 .

상기 금속 층(130)은, 앞서 말한 바와 같이, 상기 봉지 층(120) 내부의 이온(e)이 유기발광 소자로 이동하는 것을 억제하도록 구비된다. 일 실시예로서, 상기 봉지 층(120)이 유기발광 소자 상의 제1 무기막(121); 상기 제1 무기막 상의 유기막(122); 상기 유기막 상의 제2 무기막(123)을 포함하는 구조일 때, 상기 금속 층(130)은 도 5와 같이 상기 제1 무기막(121) 상에 위치할 수 있다. 다른 실시예로서, 상기 금속 층(130)은 상기 유기막(122) 또는 상기 제2 무기막 상에 위치할 수도 있다.As described above, the metal layer 130 is provided to suppress the movement of ions (e) inside the encapsulation layer 120 to the organic light emitting device. In an embodiment, the encapsulation layer 120 may include a first inorganic layer 121 on the organic light emitting diode; an organic layer 122 on the first inorganic layer; When the structure includes the second inorganic layer 123 on the organic layer, the metal layer 130 may be positioned on the first inorganic layer 121 as shown in FIG. 5 . In another embodiment, the metal layer 130 may be located on the organic layer 122 or the second inorganic layer.

상기 금속 층(130)은 상기 유기발광 소자의 발광 영역과 상하로 중첩하지 않을 수 있다. 즉, 상기 금속 층(130)은 각 서브 픽셀의 발광 효율을 저해하지 않도록 배치될 수 있다. 상기 금속 층(130)은 불투명한 금속으로 형성될 수도 있지만, 시야 각에 영향이 적도록 투명한 금속 물질(ITO, IZO 등)로 이루어질 수도 있다.The metal layer 130 may not vertically overlap the emission region of the organic light emitting diode. That is, the metal layer 130 may be disposed so as not to impair the luminous efficiency of each sub-pixel. The metal layer 130 may be formed of an opaque metal, but may also be formed of a transparent metal material (ITO, IZO, etc.) so as to have little effect on the viewing angle.

상기 금속 층(130)은 뱅크(110) 및/또는 스페이서(111) 상부에 위치할 수 있다. 이는 유기발광 소자의 발광 영역과 겹치지 않을 뿐만 아니라, 증착 마스크와 맞닿는 등의 이유로 이물이 유입되기 쉬운 부분에 억제 구조를 배치하려는 이유도 있다. 이때 상기 금속 층(130)은 한 줄 또는 두 줄 이상으로 구성될 있다. 도 5에서는 두 줄로 구현된 금속 층(130)을 도시했고, 도 6에서는 한 줄로 구현된 금속 층(130)을 도시하였다. The metal layer 130 may be positioned on the bank 110 and/or the spacer 111 . This is not only not overlapped with the light emitting region of the organic light emitting device, but also has a reason for disposing the suppression structure in a portion where foreign substances are easily introduced, such as in contact with the deposition mask. In this case, the metal layer 130 may be configured in one or two or more lines. In FIG. 5 , the metal layer 130 implemented in two lines is illustrated, and in FIG. 6 , the metal layer 130 implemented in one line is illustrated.

본 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 상기 금속 층(120)에 연결된 전원을 더 포함할 수 있다. 즉 상기 금속 층(130)은 전원으로부터 소정의 전압을 공급받을 수 있다. 이로써 상기 금속 층(130)과 캐소드(116) 사이에는 제2 전계(F2)가 생성된다. 상기 제2 전계(F2)는 직접 이온(e)들을 붙잡아 두거나, 애노드(112)-캐소드(116) 간의 제1 전계(F1)을 상쇄하여 이온의 이동을 지연시킬 수도 있다. 상기 전원은 별도로 구비될 수도 있고, 기존 전원을 변형하여 구비될 수도 있다. 한편, 전원에 걸리는 부하나, 소비 전력을 감안하여 상기 금속 층의 면적, 길이, 두께 등이 결정될 수 있다. The organic light emitting diode display according to the present embodiment may further include a power source connected to the metal layer 120 . That is, the metal layer 130 may receive a predetermined voltage from a power source. Accordingly, a second electric field F2 is generated between the metal layer 130 and the cathode 116 . The second electric field F2 may directly trap the ions e or cancel the first electric field F1 between the anode 112 and the cathode 116 to delay the movement of ions. The power source may be provided separately or may be provided by modifying an existing power source. Meanwhile, the area, length, thickness, etc. of the metal layer may be determined in consideration of a load applied to the power source or power consumption.

상기 전원이 상기 금속 층에 공급하는 전압은 상기 제1 전계(F1)의 강도, 상기 제2 전계(F2)에 의한 기생 커패시턴스의 발생 등을 고려하여 정해질 수 있다. 일 실시예로서 상기 금속 층(130)은 상기 유기발광 소자의 애노드(112)보다 높은 전위의 전압을 공급받도록 구비될 수 있다. 이는 애노드(112)-캐소드(116) 간의 거리보다 캐소드(116)-금속 층(130) 간의 거리가 더 먼 것을 감안한 것이다.The voltage supplied by the power source to the metal layer may be determined in consideration of the strength of the first electric field F1 and the generation of parasitic capacitance due to the second electric field F2. As an embodiment, the metal layer 130 may be provided to receive a voltage having a higher potential than that of the anode 112 of the organic light emitting diode. This takes into account that the distance between the cathode 116 and the metal layer 130 is greater than the distance between the anode 112 and the cathode 116 .

상술한 구조를 통해 상기 금속 층(130)은 상기 유기막(122) 내부의 이온(예: 불소 이온)이 확산되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라 유기발광 소자의 발광부(114)의 손상이 예방되고, 표시장치의 고온에서의 신뢰성도 향상될 수 있다. 이와 같은 장점은 고온 환경에 자주 노출되는 차량용 표시장치 등에 매우 유용하다.Through the above-described structure, the metal layer 130 may suppress diffusion of ions (eg, fluorine ions) in the organic layer 122 . Accordingly, damage to the light emitting part 114 of the organic light emitting device may be prevented, and reliability of the display device at a high temperature may be improved. Such an advantage is very useful for a vehicle display device that is frequently exposed to a high temperature environment.

도 6은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 표시 영역의 일부를 나타낸 평면도이다.6 is a plan view illustrating a portion of a display area of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present specification.

도 5에서 설명된 금속 층(130)은 평면상으로 도 6과 같이 배치될 수 있다. 즉, 상기 금속 층(130)은 서브 픽셀의 발광 영역들(R, G, B)의 사이에 배치될 수 있다. 뱅크(110)가 오픈된 영역이 발광 영역으로서 하나의 발광 단위가 된므로, 상기 금속 층(130)은 뱅크(110) 상부에 마련될 수 있다. 특히, 상기 금속 층(130)은 증착 마스크로 인해 이물이 유입되기 쉬운 스페이서의 상부(@111)를 지나가도록 배치될 수 있다.The metal layer 130 described in FIG. 5 may be disposed as shown in FIG. 6 in a plan view. That is, the metal layer 130 may be disposed between the light emitting regions R, G, and B of the sub-pixel. Since the area in which the bank 110 is opened becomes a light emitting unit as a light emitting area, the metal layer 130 may be provided on the bank 110 . In particular, the metal layer 130 may be disposed to pass over the upper portion (@111) of the spacer through which foreign substances are easily introduced due to the deposition mask.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 실시예들을 상세하게 설명하였으나, 본 명세서는 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 그 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 당업자에 의해 기술적으로 다양하게 연동 및 구동될 수 있으며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시되거나 연관 관계로 함께 실시될 수도 있다.Although the embodiments of the present specification have been described in detail with reference to the accompanying drawings, the present specification is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit thereof. Accordingly, the embodiments disclosed in the present specification are for explanation rather than limiting the technical spirit of the present invention, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Each of the features of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, and may be technically variously linked and operated by those skilled in the art, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or together in a related relationship. may be carried out.

본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

101: 기판 102: 반도체 층
103: 버퍼 층 104: 게이트 전극
105: 게이트 절연 층 106: 층간 절연층
108: 소스 및 드레인 전극 109: 평탄화 층
110: 뱅크 112: 애노드
114: 발광부 116: 캐소드
120: 봉지 층 121: 제1 무기막
122: 유기막 123: 제2 무기막
101: substrate 102: semiconductor layer
103: buffer layer 104: gate electrode
105: gate insulating layer 106: interlayer insulating layer
108: source and drain electrodes 109: planarization layer
110: bank 112: anode
114: light emitting unit 116: cathode
120: encapsulation layer 121: first inorganic film
122: organic layer 123: second inorganic layer

Claims (10)

표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싼 비표시 영역을 구비한 기판;
상기 표시 영역에 있는 유기발광 소자;
상기 유기발광 소자를 덮은 봉지 층; 및
상기 봉지 층 내부의 금속 층을 포함하는 유기발광 표시장치.
a substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area;
an organic light emitting diode in the display area;
an encapsulation layer covering the organic light emitting diode; and
and a metal layer inside the encapsulation layer.
제1 항에 있어서,
상기 금속 층은, 상기 봉지 층 내부의 이온이 상기 유기발광 소자로 이동하는 것을 억제하도록 구비된 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The metal layer is provided to suppress movement of ions inside the encapsulation layer to the organic light emitting diode.
제1 항에 있어서,
상기 봉지 층은 상기 유기발광 소자 상의 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상의 유기막 및 상기 유기막 상의 제2 무기막을 포함하고,
상기 금속 층은 상기 제1 무기막 상에 위치한 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The encapsulation layer includes a first inorganic film on the organic light emitting device, an organic film on the first inorganic film, and a second inorganic film on the organic film,
and the metal layer is disposed on the first inorganic layer.
제1 항에 있어서,
상기 금속 층은 상기 유기발광 소자의 발광 영역과 상하로 중첩하지 않는 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The metal layer does not vertically overlap the emission region of the organic light emitting diode.
제1 항에 있어서,
상기 금속 층은 투명한 금속 물질로 이루어진 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The metal layer is made of a transparent metal material.
제1 항에 있어서,
상기 금속 층은 뱅크 및 스페이서 상부에 위치한 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The metal layer is located on the bank and the spacer in the organic light emitting diode display.
제1 항에 있어서,
상기 금속 층에 연결된 전원을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
According to claim 1,
The organic light emitting diode display further comprising a power source connected to the metal layer.
제7 항에 있어서,
상기 금속 층은 상기 유기발광 소자의 애노드보다 높은 전위의 전압을 공급받도록 구비된 유기발광 표시장치.
8. The method of claim 7,
The metal layer is provided to receive a voltage having a potential higher than that of the anode of the organic light emitting diode.
제8 항에 있어서,
상기 봉지 층은 상기 유기발광 소자 상의 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상의 유기막 및 상기 유기막 상의 제2 무기막을 포함하고,
상기 금속 층은 상기 유기막 내부의 이온이 확산되는 것을 억제하는 유기발광 표시장치.
9. The method of claim 8,
The encapsulation layer includes a first inorganic film on the organic light emitting device, an organic film on the first inorganic film, and a second inorganic film on the organic film,
The metal layer suppresses diffusion of ions in the organic layer.
제9 항에 있어서,
상기 이온은 불소 이온인 유기발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
wherein the ion is a fluorine ion.
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