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KR20220034304A - 베이크 장치 및 기판 처리 장치 - Google Patents

베이크 장치 및 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20220034304A
KR20220034304A KR1020200116381A KR20200116381A KR20220034304A KR 20220034304 A KR20220034304 A KR 20220034304A KR 1020200116381 A KR1020200116381 A KR 1020200116381A KR 20200116381 A KR20200116381 A KR 20200116381A KR 20220034304 A KR20220034304 A KR 20220034304A
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KR
South Korea
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purge gas
heater
cup
substrate
unit
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KR1020200116381A
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Inventor
김준호
이상훈
서종석
장호진
송경원
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세메스 주식회사
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Publication date
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Abstract

본 발명은 베이크 유닛을 제공한다. 베이크 유닛은 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임을 가지는 하우징; 상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터; 및 상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵을 포함하되; 상기 하부 프레임과 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부를 포함할 수 있다. 하는 베이크 유닛.

Description

베이크 장치 및 기판 처리 장치{Bake unit and Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열 처리하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위해 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
사진공정은 크게 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 가열플레이트에 기판이 놓이면, 가열 플레이트의 내부에 제공된 히터를 통해 그 기판을 열 처리한다.
이러한 베이크 공정에서는 처리하고자 하는 기판 상부(표면)의 기류에 대한 온도 균일성이 매우 중요하다. 기판 상부의 기류 온도는 공정 수율을 결정짓는 중요한 요인중에 하나이다.
기존 베이크 유닛에서 사용되는 챔버는 챔버 상부 기류가 불균일하게 공급될 수 있는 요소를 포함하고 있다.
식각비(Etch Rate) 상승을 위해 공정 가스의 공급 유량을 증가시키면, 챔버 상부 기류가 불균일하게 공급되어 두께 균일도(THK Uniformity)의 불균일성이 심해진다. 반대로, 두께 균일도(THK Uniformity)의 불균일성을 완화하기 위해 공정 가스의 공급 유량을 줄이면 챔버 하부의 틈새를 통해 외부 공기의 유입량이 증가하면서 식각비가 떨어지게 된다.
본 발명의 일 과제는 기판 상부 영역의 온도 및 기류 균등성을 향상시킬 수 있는 베이크 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 과제는 히터 하부에서 퍼지 가스를 공급하는 구조를 갖는 베이크 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 과제는 기판 상부에 외부 기체 유입을 차단할 수 있는 베이크 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 과제는 기판 상부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있는 베이크 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임을 가지는 하우징; 상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터; 및 상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵을 포함하되; 상기 하부 프레임과 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부를 포함하는 베이크 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1퍼지가스 공급부는 상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및 상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함할 수 있다.
또한, 상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵을 더 포함하되; 상기 단열 컵의 바닥면과 상기 히터 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 단열 컵은 내부 공간을 갖고, 상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 더 포함하되; 상기 배플 유닛은 복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포될 수 있다.
또한, 상기 배플 유닛은 상기 처리 공간의 중앙 영역에 배기류를 형성하는 중앙 배기부; 및 상기 처리 공간의 가장자리 영역에 배기류를 형성하는 가장자리 배기부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1퍼지가스와 상기 제2퍼지가스는 일정한 온도를 갖는 불활성 가스일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 내부 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 제공되고, 기판 베이크 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 베이크 유닛; 및 상기 베이크 유닛의 일측에 제공되고, 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되; 상기 베이크 유닛은 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임를 가지는 하우징; 상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터; 상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵; 및 상기 하부 프레임와 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1퍼지가스 공급부는 상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및 상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함하되; 상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵; 및 상기 히터 컵의 바닥면과 상기 단열 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재들을 더 포함하되; 상기 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 단열 컵은 내부 공간을 갖고, 상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 포함하되; 상기 배플 유닛은 복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임를 가지는 하우징; 상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터; 상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵; 상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵; 상기 히터 컵의 바닥면과 상기 단열 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재들; 상기 하부 프레임와 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부; 및 상기 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부; 상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 포함하는 베이크 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1퍼지가스 공급부는 상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및 상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함하고, 상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 단열컵의 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급할 수 있다.
또한, 상기 배플 유닛은 복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함하되; 상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포될 수 있다.
본 실시예에 의하면, 제1,2퍼지가스 공급부를 통해 공급되는 퍼지가스가 기판 상부 영역의 온도 및 기류 균등성을 향상시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 실시예에 의하면, 하부 프레임 내의 틈새를 통한 외부 기체 유입을 차단할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 기판 상부의 온도를 일정하게 유지시킬 수 있다.
본 실시예에 의하면, 제1,2퍼지가스 공급부를 통해 공급되는 퍼지가스의 유량 조절을 통해 식각율에 대한 향상을 도모할 수 있다.
발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 열처리 챔버의 평면도이다.
도 5는 열처리 챔버의 측단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 베이크 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 제1퍼지가스 공급부를 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 8은 제2퍼지가스 공급부를 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 9는 배플 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1은 기판 처리 장치(1)를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치(1)를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다. 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리 퍼지 모듈(800)은 인터페이스 모듈(700) 후단의 노광 장치가 연결되는 위치 또는 인터페이스 모듈(700)의 측부 등 다양한 위치에 제공될 수 있다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 일 예로 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 인터페이스 모듈(700), 그리고 퍼지 모듈(800)에 대해 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(120)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공된다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 포함한다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공된다. 프레임(210)은 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조이다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 포함한다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 포함한다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 제공된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220)과 제 1 버퍼 로봇(360)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향과 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 포함한다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 포함한다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇이 제공된 방향에 개구를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들이 제공될 수 있다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 액처리 챔버(410), 열처리 챔버(500), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 액처리 챔버(410), 열처리 챔버(500), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(410)는 기판(W)DP 레지스트 도포 공정을 수행하는 레지스트 도포 챔버(410)로 제공될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 열처리 챔버(500)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 열처리 챔버(500)들, 레지스트 도포 챔버들(410), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 액처리 챔버(460), 열처리 챔버(500), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 액처리 챔버(460), 열처리 챔버(500), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 액처리 챔버(460)는 현상 챔버로 제공될 수 있다. 현상 챔버(460)와 열처리 챔버(500)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(500), 현상 챔버들(460), 그리고 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)를 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)를 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상 모듈(402)에 제공되는 열처리 챔버는 전술한 베이크 유닛(500)과 대체로 동일하게 제공된다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 포함한다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)를 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
도 4는 열처리 챔버를 보여주는 평면도이며, 도 5는 도 4에 도시된 열처리 챔버를 보여주는 측단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 열처리 챔버(500)는 하우징(510), 냉각 유닛(530), 베이크 유닛(1000)을 포함할 수 있다.
하우징(510)은 내부 공간을 제공한다. 하우징(510)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 제1측벽(511), 제2측벽(513) 그리고 출입구(512)를 포함한다. 하우징 내에는 냉각 유닛(530)과 베이크 유닛(1000)이 나라히 배치된다.
제1측벽(511)은 하우징(510)의 일측면에 제공된다. 제2측벽(512)은 제1측벽(511)과 맞은편에 제공된다. 하우징(510)의 제1측벽(511)에는 기판(W)이 출입되는 출입구(512)가 형성된다. 출입구(512)는 기판(W)이 이동하는 통로를 제공한다.
냉각 유닛(530)은 베이크 유닛에서 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시킨다. 냉각 유닛(530)은 쿨링 플레이트(531)와 쿨링 플레이트(531)를 이동시키는 반송부(540)를 포함할 수 있다. 일 예로 쿨링 플레이트(531)는 내부에 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W) 및 쿨링 플레이트(531)를 냉각할 수 있다. 반송부(540)는 하우징(510) 내에서 쿨링 플레이트(531)를 반송한다. 쿨링 플레이트(531)는 반송부(540)에 의해 대기 위치와 쿨링 위치로 이동될 수 있다. 대기 위치는 출입구와 인접한 위치(도 4에 도시된 위치)일 수 있고, 쿨링 위치는 가열 플레이트 상부에 해당되는 위치일 수 있다.
쿨링 플레이트(531)에는 기판(W)이 놓인다. 쿨링 플레이트(531)는 원형의 형상으로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 쿨링 플레이트(531)에는 가이드 홀(535)이 형성되어 있다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 외측면으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(535)은 쿨링 플레이트(531)의 이동 시 리프트 핀(553)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다. 쿨링 플레이트(531) 내에는 쿨링 냉매가 흐르는 유로가 제공될 수 있다.
아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 고정결합된다. 아암(532)은 쿨링 플레이트(531)와 반송부(540) 사이에 제공된다.
반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 구동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 수평 운동 또는 상하 이동시킨다. 반송부(540)는 쿨링 플레이트(531)를 제1위치와 제2위치로 이동시킬 수 있다. 제1위치는 쿨링 플레이트(531)가 제1측벽(511)에 인접한 위치이다. 제2위치는 제2측벽(513)에 근접하며 가열 플레이트의 상부 위치이다.
도 6은 베이크 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
베이크 유닛(1000)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(1000)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(1000)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 베이크 유닛(1000)은 기판(W)을 설정 온도로 가열한다. 베이크 유닛(1000)은 하우징(1100), 히터(1200), 히터컵(1300), 단열컵(1400), 제1퍼지가스 공급부(1500), 제2퍼지가스 공급부(1600), 배플 유닛(1700), 리프트 핀(1800) 그리고 구동기(1900)를 포함할 수 있다.
하우징(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 하우징(1100)은 상부 커버(1120), 하부 프레임(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함할 수 있다.
상부 커버(1120)는 하부가 개방된 커버 형상으로 제공된다. 예컨대, 상부 커버(1120)는 원통 형상일 수 있다. 상부 커버(1120)는 히터(1200)의 상부에 위치한다. 상부 커버(1120)는 기판(W)이 가열 플레이트(1220)로 이동시 구동기(1900)에 의해 하부 프레임(1140)으로부터 상부로 이동한다. 상부 커버(1120)는 기판(W)이 가열 플레이트(1220)에 의해 가열 시 구동기(1900)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 처리 공간을 형성한다.
구동기(1900)는 지지부(1920)에 의해 상부 커버(1120)와 고정 결합된다. 구동기(1900)는 기판(W)이 가열 플레이트(1220)로 이송 또는 반송되는 경우 상부 커버(1120)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(1900)는 실린더로 제공될 수 있다.
하부 프레임(1140)은 상부가 개방된 프레임 형상으로 제공된다. 예컨대, 하부 프레임(1140)은 원통 형상일 수 있다. 하부 프레임(1140)은 상부 커버(1120)의 아래에 위치된다. 상부 커버(1120) 및 하부 프레임(1140)은 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 커버(1120) 및 하부 프레임(1140)은 서로 조합되어 히터 상부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 하부 프레임은 저면 일부가 개방 형태로 제공될 수 있다.
실링 부재(1160)는 상부 커버(1120)와 하부 프레임(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 상부 커버(1120)의 하단과 하부 프레임(1140)의 상단의 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 상부 커버(1120)의 하단에 고정 결합될 수 있다.
히터(1200)는 하부 프레임(1140) 안쪽에 제공된다. 히터(1200)는 가열 플레이트(1220)와 가열 플레이트(1220)는 지지하는 서포트 플레이트(1240)를 포함할 수 있다. 가열 플레이트(1220)는 내부에 기판(W)을 가열하는 가열 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 수단은 히팅 코일로 제공될 수 있다. 이와는 달리 가열 플레이트에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 히터(1200)는 원통형의 형상으로 제공된다. 히터(1200) 내에는 리프트 핀(1800)을 수용하는 핀 홀(H1)이 형성된다.
핀 홀(H1)은 리프트 핀(1800)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(1800)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(H1)은 가열 플레이트(1220) 및 서포터 플레이트(1240)를 상하방향으로 관통하도록 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다.
리프트 핀(1800)은 핀구동부(1820)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(1800)은 기판(W)을 가열 플레이트(1220) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(1800)은 기판(W)을 가열 플레이트(1220)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다.
히터컵(1300)은 히터(1200)를 둘러싸도록 제공될 수 있다. 히터컵(1300)은 히터(1200)로부터 소정간격 이격되어 설치될 수 있다. 단열 컵(1400)은 히터 컵(1300)의 저면으로부터 이격되어 설치된다. 히터컵(1300) 및 단열컵(1400)에는 다수의 관통공들 및 개구들이 형성되어 있으며, 관통공들과 개구들을 통해 외부 기체가 유입될 수 있다.
일 예로, 지지부재(1020)들은 히터 컵(1300)의 바닥면과 단열 컵(1400)의 바닥면에 형성된 관통공(H2)들을 통해 히터(1200)를 지지하도록 설치될 수 있다. 도시하지 않았지만, 전원 케이블 및 신호 케이블들은 지지부재(1020) 또는 개구를 통해 히터(1200)와 연결될 수 있다.
도 7은 제1퍼지가스 공급부를 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 7을 참조하면, 제1퍼지가스 공급부(1500)는 하부 프레임(1140)과 히터 컵(1300) 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름(L1;도 7에 화살표로 표시됨)을 제공한다.
제1퍼지가스 공급부(1500)는 하부 프레임(1140)의 측벽 상단(플랜지부;1142)에 제공되는 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간(1520)과, 가스 도입공간(1520)으로 유입된 제1퍼지가스가 히터 컵(1300)과 하부 프레임(1140) 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구(1540)들 그리고 가스 도입공간으로 퍼지가스를 공급하는 공급라인(1560)을 포함할 수 있다. 가스 도입공간(1520)은 하부 프레임(1140)의 플랜지부를 따라 환형의 링 형상으로 제공되며, 토출구(1540)들은 플랜지부를 따라 일정간격으로 형성될 수 있다. 토출구(1540)는 히터 컵(1300)의 측면과 마주하도록 제공될 수 있다.
도 8은 제2퍼지가스 공급부를 설명하기 위한 요부 확대도이다.
도 8을 참조하면, 제2퍼지가스 공급부(1600)는 하부 프레임(1140)과 단열컵(1400) 그리고 히터컵(1300)에 형성된 관통공(H2)들 및 개구를 통해 외부 공기가 내부로 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름(L2; 도 8에 화살표로 표시됨)을 제공한다. 제2퍼지가스 공급부(1600)는 단열컵(1400)의 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급하는 공급포트(1620) 및 공급포트(1620)에 연결된 공급라인(1640)을 포함할 수 있다. 이처럼, 단열 컵(1400)에 퍼지가스를 공급하여 기판에 직접적인 영향을 미칠 수 있는 외부 기류를 Non-Oxidation Gas로 대처함으로써 식각율(Etch Rate)을 향상을 기대할 수 있다.
본 발명의 베이크 유닛(1000)은 제1퍼지가스 공급부(1500)와 제2퍼지가스 공급부(1600)를 통해 퍼지가스가 공급되어 외부 기체 유입을 차단하고, 처리 공간의 환경을 균일하게 유지시킬 수 있다. 퍼지가스는 일정한 온도를 갖는 불활성 가스일 수 있다.
본 발명의 베이크 유닛은 배플 유닛에서의 처리 가스 유량(상부 유량)에 따른 THK Uniformity와 Etch Rate의 상관 관계에 따라 배플 유닛에서의 공급 유량을 무한정 늘릴 수 없는 대신에 제1퍼지가스 공급부(1500)와 제2퍼지가스 공급부(1600)에서 퍼지가스를 공급함으로써, 기판 상으로 퍼지가스 공급 유량을 충분히 공급할 수 있다.
제1,2퍼지가스 공급부를 통해 공급되는 퍼지가스의 유량은 조절될 수 있으며, 퍼지 가스의 공급 유량 조절을 통해 기판 식각율을 제어할 수 있다.
도 9는 배플 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 참조하면, 배플 유닛(1700)은 히터(1200)에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사한다. 배플 유닛(1700)은 상부 배플 플레이트(1720)와 하부 배플 플레이트(1740)를 포함할 수 있다. 상부 배플 플레이트(1720)는 복수개의 제1 분사홀(1722)들을 가지며, 하부 배플 플레이트(1740)는 복수개의 제2분사홀(1742)들을 갖는다. 제1분사홀(1722)은 제2분사홀(1742)보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포되는 것이 바람직하다. 처리 가스는 제1,2퍼지가스 공급부를 통해 공급되는 퍼지가스와 동일한 가스일 수 있다.
따라서, 배플 유닛(1000)은 처리가스가 상부 배플 플레이트(1720)를 통과하는 시간을 증가시켜 히터에서 제공되는 열을 충분히 흡수하는 기능을 수행할 수 있다.
처리 가스는 상부 커버(1120)의 상면에 형성된 공급포트(1702)를 통해 유입되어 상부 배플 플레이트(1720)의 제1분사홀(1722)들과 하부 배플 플레이트(1740)의 제2분사홀(1742)들을 순차적으로 통과한 후 기판 상으로 제공될 수 있다. 이렇게 공급된 처리 가스는 기판 상에서 발생되는 퓸과 함께 배기부를 통해 배기될 수 있다.
배플 유닛(1700)의 배기부는 처리 공간의 중앙 영역에 배기류를 형성하는 중앙 배기부(1760)와 처리 공간의 가장자리 영역에 배기류를 형성하는 가장자리 배기부(1780)를 포함할 수 있다.
중앙 배기부(1760)는 처리 공간의 중앙 영역과 대향되도록 배플 유닛(1700)의 중앙부에 제공될 수 있다. 중앙 배기부(1760)는 상부 커버(1120)의 배기 덕트(1790)와 연결된다. 가장자리 배기부(1780)는 처리 공간의 가장자리 영역에 대향되도록 배플 유닛(1700)의 가장자리에 제공될 수 있다. 가장자리 배기부(1780)는 상부 커버의 배기 덕트(1790)와 연결된다.
상술한 바와 같이, 베이크 유닛(1000)은 상부에서 공급되는 다공의 플레이트를 다층으로 배치하여 하나의 플레이트를 사용할 때 보다 기판 표면에 기류에 대한 균일성을 향상시켜 공정 수율을 높일 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1000 : 베이크 유닛 1100 : 하우징
1200 : 히터 1300 : 히터컵
1400 : 단열컵 1500 : 제1퍼지가스 공급부
1600 : 제2퍼지가스 공급부 1700 : 배플 유닛

Claims (20)

  1. 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임을 가지는 하우징;
    상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터; 및
    상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵을 포함하되;
    상기 하부 프레임과 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부를 포함하는 베이크 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1퍼지가스 공급부는
    상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및
    상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함하는 베이크 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공되는 베이크 유닛.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵을 더 포함하되;
    상기 단열 컵의 바닥면과 상기 히터 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부를 포함하는 베이크 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재를 더 포함하는 베이크 유닛.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 단열 컵은
    내부 공간을 갖고,
    상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급하는 베이크 유닛.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 더 포함하되;
    상기 배플 유닛은
    복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및
    상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함하는 베이크 유닛.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포되는 베이크 유닛.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 배플 유닛은
    상기 처리 공간의 중앙 영역에 배기류를 형성하는 중앙 배기부; 및
    상기 처리 공간의 가장자리 영역에 배기류를 형성하는 가장자리 배기부를 더 포함하는 베이크 유닛.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 제1퍼지가스와 상기 제2퍼지가스는
    일정한 온도를 갖는 불활성 가스인 베이크 유닛.
  11. 내부 공간을 갖는 챔버;
    상기 챔버 내에 제공되고, 기판 베이크 처리 공정이 진행되는 열처리 공간을 제공하는 베이크 유닛; 및
    상기 베이크 유닛의 일측에 제공되고, 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되;
    상기 베이크 유닛은
    서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임를 가지는 하우징;
    상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터;
    상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵; 및
    상기 하부 프레임와 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1퍼지가스 공급부는
    상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및
    상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함하되;
    상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵; 및
    상기 히터 컵의 바닥면과 상기 단열 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재들을 더 포함하되;
    상기 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제14항에 있어서,
    상기 단열 컵은
    내부 공간을 갖고,
    상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급하는 기판 처리 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 포함하되;
    상기 배플 유닛은
    복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및
    상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포되는 기판 처리 장치.
  17. 서로 조합되어 기판을 열처리하는 처리 공간을 제공하는 상부 커버 및 하부 프레임를 가지는 하우징;
    상기 처리 공간 내에 위치되고 기판이 위치되는 히터;
    상기 히터를 둘러싸도록 제공되는 히터 컵;
    상기 히터 컵의 저면으로부터 이격되어 설치되는 단열 컵;
    상기 히터 컵의 바닥면과 상기 단열 컵의 바닥면에 형성된 관통공들을 통해 상기 히터를 지지하는 지지부재들;
    상기 하부 프레임와 상기 히터 컵 사이의 틈새를 통한 외부 공기의 유입을 차단하는 제1퍼지가스 흐름을 제공하는 제1퍼지가스 공급부; 및
    상기 관통공들을 통해 외부 공기가 유입되는 것을 차단하는 제2퍼지가스 흐름을 제공하는 제2퍼지가스 공급부;
    상기 히터에 놓여지는 기판으로 처리 가스를 분사하는 배플 유닛을 포함하는 베이크 유닛.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1퍼지가스 공급부는
    상기 하부 프레임의 측벽에 제1퍼지가스가 유입되는 가스 도입공간; 및
    상기 가스 도입공간으로 유입된 제1퍼지가스가 상기 히터 컵과 상기 하부 프레임 사이의 틈새로 토출되도록 형성되는 토출구들을 포함하고
    상기 토출구는 상기 히터 컵의 측면과 마주하도록 제공되는 베이크 유닛.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제2퍼지 가스 공급부는 상기 단열컵의 내부 공간으로 제2퍼지가스를 공급하는 베이크 유닛.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 배플 유닛은
    복수개의 제1 분사홀을 가지는 상부 플레이트; 및
    상기 상부 플레이트 하부에 위치하고, 복수개의 제2 분사홀을 포함하는 하부 플레이트를 포함하되;
    상기 제1분사홀은 상기 제2분사홀보다 상대적으로 크기가 작거나 그 개수가 적게 분포되는 베이크 유닛.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230172189A (ko) * 2022-06-15 2023-12-22 세메스 주식회사 기판 베이킹 장치용 냉각 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220158515A (ko) * 2021-05-24 2022-12-01 에이디알씨 주식회사 스프레이 코터 및 이를 이용하여 제조된 박막 트랜지스터
CN115437219A (zh) * 2022-08-09 2022-12-06 中国科学院上海光学精密机械研究所 大口径基板表面光刻胶膜均匀烘烤设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100571841B1 (ko) * 2004-06-21 2006-04-17 삼성전자주식회사 베이크 시스템
KR101176238B1 (ko) * 2006-01-25 2012-08-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP2016115919A (ja) * 2014-12-10 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
KR20180118523A (ko) * 2017-04-21 2018-10-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 가열 장치

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100488547B1 (ko) 2003-09-04 2005-05-11 삼성전자주식회사 베이크 설비의 웨이퍼 히팅장치
JP4421501B2 (ja) * 2005-03-25 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
KR101909481B1 (ko) 2016-08-31 2018-10-19 세메스 주식회사 베이크 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR101935945B1 (ko) 2017-07-04 2019-01-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100571841B1 (ko) * 2004-06-21 2006-04-17 삼성전자주식회사 베이크 시스템
KR101176238B1 (ko) * 2006-01-25 2012-08-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 가열 처리 장치, 가열 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP2016115919A (ja) * 2014-12-10 2016-06-23 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法及び記憶媒体
KR20180118523A (ko) * 2017-04-21 2018-10-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 가열 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230172189A (ko) * 2022-06-15 2023-12-22 세메스 주식회사 기판 베이킹 장치용 냉각 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

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