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KR20220034298A - 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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KR20220034298A
KR20220034298A KR1020200116274A KR20200116274A KR20220034298A KR 20220034298 A KR20220034298 A KR 20220034298A KR 1020200116274 A KR1020200116274 A KR 1020200116274A KR 20200116274 A KR20200116274 A KR 20200116274A KR 20220034298 A KR20220034298 A KR 20220034298A
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KR
South Korea
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pixels
signal
display device
transistor
deterioration information
Prior art date
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KR1020200116274A
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English (en)
Inventor
편기현
박희숙
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to US17/403,856 priority patent/US11694623B2/en
Priority to CN202111036839.7A priority patent/CN114170968A/zh
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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시부, 영상 신호를 표시하지 않는 수직 블랭크 기간 동안 복수의 화소의 열화 정보를 센싱하는 센싱부, 그리고 입력되는 영상 신호에 기초하여 산출된 복수의 화소의 수명에 따라, 센싱부가 열화 정보를 센싱할 화소들을 결정하는 신호 제어부를 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 구동 방법{DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING THE SAME}
본 개시는 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시할 수 있다. 유기 발광 다이오드와 유기 발광 다이오드로 전류를 공급하는 구동 트랜지스터는 사용에 의해 그 특성이 열화될 수 있다. 유기 발광 표시 장치의 화소는 유기 발광 다이오드 및 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 유기 발광 다이오드 및 구동 트랜지스터에 의한 화소 열화는 표시 품질을 저하시킨다.
이러한 화소 열화를 보상하기 위해 화소의 열화를 센싱한 센싱값에 기초하여 화소의 영상 데이터를 보정한다. 그러나, 표시 장치가 대형화되거나, 또는 화소가 고밀도화될수록 모든 화소의 열화를 센싱하는 기간이 길다. 이 경우 화소의 열화가 과도하게 진행되었음에도 불구하고 이를 센싱하지 못해 실시간으로 증가하는 화소 열화에 대한 센싱 오차가 발생한다. 이러한 센싱 오차는 영상 데이터의 보정 오차를 발생시켜 영상의 표시 품질을 저하시킨다.
실시예들은 화면 왜곡이 발생하기 전에 보상이 필요한 화소를 센싱하기 위한 것이다.
실시예들은 유기 발광 다이오드의 열화 및 구동 트랜지스터의 문턱전압/전자 이동도와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 화소를 포함하는 표시부, 영상 신호를 표시하지 않는 수직 블랭크 기간 동안 복수의 화소의 열화 정보를 센싱하는 센싱부, 그리고 입력되는 영상 신호에 기초하여 산출된 복수의 화소의 수명에 따라, 센싱부가 열화 정보를 센싱할 화소들을 결정하는 신호 제어부를 포함한다.
복수의 화소가 복수의 블록 단위로 구분되고, 신호 제어부는 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하도록 결정할 수 있다.
평균 수명 및 소정 기준치는 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가할 수 있다.
평균 수명은 영상 신호에 따라 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하고, 소정 기준치는 영상 프레임 개수가 증가하는 동안 일정할 수 있다.
센싱부가 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하면, 신호 제어부는 열화 정보가 센싱된 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명을 리셋할 수 있다.
신호 제어부는 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치 이하이면, 복수의 화소의 열화 정보를 순차적으로 센싱하도록 결정할 수 있다.
복수의 화소 각각은, 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 트랜지스터, 및 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고, 열화 정보는, 제1 트랜지스터의 문턱 전압일 수 있다.
복수의 화소 각각은, 애노드에 연결되어, 제1 트랜지스터로부터 흐르는 전류를 센싱부로 싱크(sink)하는 제2 트랜지스터를 더 포함하고, 센싱부는 제2 트랜지스터로부터 싱크된 전류를 제2 트랜지스터가 포함된 화소의 열화 정보로 센싱할 수 있다.
센싱부는 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 열화 정보를 센싱할 수 있다.
신호 제어부로부터 영상 데이터 신호를 입력 받아 복수의 화소에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부를 더 포함하고, 신호 제어부는 열화 정보 및 영상 신호에 따른 계조 보상 값을 결정하고, 계조 보상 값을 영상 신호에 적용하여 영상 데이터 신호를 생성할 수 있다.
신호 제어부는 복수의 화소 중 제1 화소의 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 제1 화소의 열화 정보를 센싱하도록 결정할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법은 영상 신호를 수신하는 단계, 영상 신호에 기초하여 표시부에 포함된 복수의 화소의 수명을 산출하는 단계, 복수의 화소의 수명에 따라, 복수의 화소 중 열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계, 그리고 결정된 화소들의 열화 정보를 센싱하는 단계를 포함할 수 있다.
복수의 화소가 복수의 블록 단위로 구분되는 경우, 열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계는, 복수의 블록 각각에 포함된 화소들의 평균 수명을 소정 기준치와 비교하는 단계, 및 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하도록 결정하는 단계를 포함할 수 있다.
평균 수명 및 소정 기준치는 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가할 수 있다.
평균 수명은 영상 신호에 따라 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하고, 소정 기준치는 영상 프레임 개수가 증가하는 동안 일정할 수 있다.
제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하면, 열화 정보가 센싱된 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명을 리셋하는 단계를 더 포함할 수 있다.
열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계는, 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치 이하이면, 복수의 화소의 열화 정보를 순차적으로 센싱하도록 결정하는 단계를 더 포함할 수 있다.
복수의 화소 각각은, 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 트랜지스터, 및 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고, 열화 정보는, 제1 트랜지스터의 문턱 전압일 수 있다.
결정된 화소들의 열화 정보를 센싱하는 단계는, 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 수행될 수 있다.
다른 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 스캔선에 복수의 스캔 신호를 전달하는 스캔 구동부, 복수의 게이트선에 복수의 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부, 복수의 데이터선에 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부, 복수의 리드아웃선으로부터 전류를 싱크하는 센싱부, 복수의 스캔선 중 대응하는 스캔선, 복수의 게이트선 중 대응하는 게이트선, 복수의 데이터선 중 대응하는 데이터선, 및 복수의 리드아웃선 중 대응하는 리드아웃선에 각각 연결된 화소를 복수 개 포함하고, 복수의 화소 각각이 대응하는 데이터 신호에 따라 발광하여 영상을 표시하는 표시부, 그리고 입력되는 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 열화 정보를 센싱하도록, 스캔 구동부, 게이트 구동부, 데이터 구동부, 및 센싱부를 제어하는 신호 제어부를 포함하고, 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가되는 스캔선과 제1 영상 프레임에 연속하는 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가되는 스캔선은 적어도 하나의 스캔선을 사이에 두고 이격되어 있다.
제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 게이트 신호가 인가되는 게이트선과 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 게이트 신호가 인가되는 게이트 선은 적어도 하나의 게이트선을 사이에 두고 이격되어 있을 수 있다.
복수의 화소 각각은, 유기 발광 다이오드, 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결되어 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터, 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터, 게이트선 및 스캔선에 연결되어 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압을 스토리지 커패시터에 전달하는 제2 트랜지스터, 및 리드아웃선과 애노드 사이에 연결되고, 게이트선에 연결된 게이트를 포함하는 제3 트랜지스터를 포함할 수 있다.
열화 정보는, 제1 트랜지스터의 문턱 전압 및 전자 이동도일 수 있다.
제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간 동안, 제2 트랜지스터는 스캔 신호에 의해 턴 온되고, 데이터선으로 전달된 센싱 기준 전압을 스토리지 커패시터에 전달할 수 있다.
제3 트랜지스터는 게이트 신호에 의해 턴 온 되어, 센싱 기준 전압에 따라 제1 트랜지스터에 의해 생성된 전류를 센싱부로 싱크할 수 있다.
실시예들에 따르면, 화면 왜곡의 발생이 방지되는 효과가 있다.
실시예들에 따르면, 화소를 센싱하는 데 소비되는 전력이 감소되는 효과가 있다.
실시예들에 따르면, 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있는 장점이 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 화소의 일례를 나타낸 회로도이다.
도 3은 한 프레임 기간 내에서 화소를 센싱하는 기간을 나타낸 그래프이다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 신호 제어부를 나타낸 블록도이다.
도 5는 도 4의 화소 수명 산출부를 설명하기 위한 개념도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시부를 나타낸 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 화소 센싱 방식을 나타낸 그래프이다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 화소 센싱 방식을 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 블록도(block diagram)다.
표시 장치(10)는 표시부(100), 스캔 구동부(SCAN DRIVER)(110), 데이터 구동부(DATA DRIVER)(120), 게이트 구동부(GATE DRIVER)(130), 및 신호 제어부(SIGNAL CONTROLLER)(140)를 포함한다. 도 1에 도시된 구성요소들은 표시 장치를 구현하는데 있어서 필수적인 것은 아니어서, 본 명세서 상에서 설명되는 표시 장치는 위에서 열거된 구성요소들 보다 많거나, 또는 적은 구성요소들을 포함할 수 있다.
표시부(100)는 복수의 스캔선(SL1~SLn) 중 대응하는 스캔선들, 복수의 데이터선(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터선, 및 복수의 게이트선(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트선에 연결된 화소(PX)를 복수 개 포함한다. 복수의 화소(PX) 각각이 해당 화소(PX)에 전달되는 데이터 신호에 따라 발광함으로써, 표시부(100)는 영상을 표시할 수 있다.
복수의 스캔선(SL1~SLn)은 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다. 복수의 게이트선(GL1~GLn)도 대략 행 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다. 복수의 데이터선(DL1~DLm)은 대략 열 방향으로 연장되어 서로가 거의 평행하다.
여기서, 스캔선들(SL1~SLn) 및 게이트선(GL1~GLn)은 동일한 층의 배선일 수 있다. 스캔선들(SL1~SLn), 게이트선(GL1~GLn), 데이터선(DLj)은 서로 동일하거나 또는 서로 다른 재료를 포함할 수 있으며, 기판 상에서 서로 동일하거나 또는 서로 다른 층에 위치할 수 있다.
스캔 구동부(110)는 복수의 스캔선(SL1~SLn)을 통해 표시부(100)에 연결된다. 스캔 구동부(110)는 제어 신호(CONT2)에 따라 복수의 스캔 신호를 생성하여 복수의 스캔선(SL1~SLn) 중 대응하는 스캔선에 전달한다. 제어 신호(CONT2)는 신호 제어부(140)에서 생성하여 전달되는 스캔 구동부(110)의 동작 제어 신호이다.
데이터 구동부(120)는 복수의 데이터선(DL1~DLm)을 통해 표시부(100)의 각 화소(PX)와 연결된다. 데이터 구동부(120)는 영상 데이터 신호(DATA)를 전달받아 제어 신호(CONT1)에 따라서 복수의 데이터선(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터선에 대응하는 데이터 신호를 전달한다. 제어 신호(CONT1)는 신호 제어부(140)에서 생성하여 전달되는 데이터 구동부(120)의 동작 제어 신호이다.
데이터 구동부(120)는 영상 데이터 신호(DATA)에 따라, 계조 전압을 선택하여 데이터 신호로서 복수의 데이터선에 전달한다. 예를 들어, 데이터 구동부(120)는 제어 신호(CONT1)에 따라 입력된 영상 데이터 신호(DATA)를 샘플링 및 홀딩하고, 복수의 데이터선(DL1~DLm)에 복수의 데이터 신호를 전달한다. 데이터 구동부(120)는 로우 레벨의 스캔 신호가 인가되는 동안, 소정의 전압 범위를 갖는 데이터 신호를 복수의 데이터선(DL1~DLm)에 인가할 수 있다.
데이터 구동부(120)는 복수의 화소(PX)의 열화정보를 센싱하기 위한 센싱부(SENSING UNIT)(122)를 포함할 수 있다.
센싱부(122)는 복수의 화소(PX) 각각에 포함되는 유기 발광 다이오드의 열화정보를 센싱할 수 있다. 또한, 센싱부(122)는 복수의 화소(PX) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 문턱전압/전자 이동도 정보를 센싱할 수 있다. 그리고 센싱부(122)는 열화정보와 문턱전압/전자 이동도 정보를 센싱 데이터(DATASEN)로서 신호 제어부(140)에 전달한다.
이러한 센싱부(122)가 데이터 구동부(120)의 내부 구성인 것으로 설명하였으나, 데이터 구동부(120)와 별도의 유닛으로 구성될 수도 있으며 이에 제한되지 않는다.
스캔 구동부(110)는 복수의 스캔선(SL1~SLn)을 통해 표시부(100)에 연결된다. 스캔 구동부(110)는 제어 신호(CONT2)에 따라 복수의 스캔 신호를 생성하여 복수의 스캔선(SL1~SLn) 중 대응하는 스캔선에 전달한다. 제어 신호(CONT2)는 신호 제어부(140)에서 생성하여 전달되는 스캔 구동부(110)의 동작 제어 신호이다.
게이트 구동부(130)는 복수의 게이트선(GL1~GLn)을 통해 표시부(100)에 연결된다. 게이트 구동부(130)는 제어 신호(CONT3)에 따라 복수의 게이트 신호를 생성하여 복수의 게이트선(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트선에 전달한다. 제어 신호(CONT3)는 신호 제어부(140)에서 생성하여 전달되는 게이트 구동부(130)의 동작 제어 신호이다.
신호 제어부(140)는 외부로부터 입력되는 영상 신호(IS) 및 이의 표시를 제어하는 입력 제어 신호를 수신한다. 영상 신호(IS)는 표시부(100)의 화소(PX) 각각의 계조(gray)로 구분되는 휘도(luminance) 정보를 포함할 수 있다.
한편, 신호 제어부(140)에 전달되는 입력 제어 신호는 데이터 수직 동기 신호(Vsync)와 수평 동기 신호(Hsync), 메인 클록 신호(MCLK), 데이터 이네이블 신호(DE) 등을 포함한다.
신호 제어부(140)는 영상 신호(IS), 수평 동기 신호(Hsync), 수직 동기 신호(Vsync), 메인 클록 신호(MCLK), 데이터 이네이블 신호(DE) 등에 따라, 제어 신호들(CONT1, CONT2, CONT3, CONT4) 및 영상 데이터 신호(DATA)를 생성한다.
신호 제어부(140)는 데이터 구동부(120)의 동작을 제어하는 제어 신호(CONT1)를 생성하고, 상기 영상 처리 과정을 거친 영상 데이터 신호(DATA)와 함께 데이터 구동부(120)에 전달한다. 그리고, 신호 제어부(140)는 스캔 구동부(110)의 동작을 제어하는 제어 신호(CONT2)를 스캔 구동부(110)에 전달한다. 또한, 신호 제어부(140)는 화소(PX)의 열화를 센싱하기 위해 게이트 신호(CONT3)를 게이트 구동부(130)에 전달하여 게이트 구동부(130)를 구동시킬 수 있다.
신호 제어부(140)는 입력되는 영상 신호(IS)와 상기의 입력 제어 신호를 기초로 영상 신호(IS)를 표시부(100) 및 데이터 구동부(120)의 동작 조건에 맞게 적절히 영상 처리한다. 신호 제어부(140)는 영상 신호(IS)에 대하여 감마 보정, 휘도 보상 등의 영상 처리 과정을 거쳐 영상 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다. 일례로, 신호 제어부(140)는 센싱 데이터(DATASEN)에 기초하여 영상 신호(IS)를 보정하여 생성된 영상 데이터 신호(DATA)를 출력한다. 신호 제어부(140)는 유기 발광 다이오드의 열화정보, 구동 트랜지스터의 문턱전압/전자 이동도 편차에 따라 영상 신호(IS)를 보정할 수 있다. 표시 장치(10)는 유기 발광 다이오드(OLED)가 열화될수록 낮은 휘도의 빛이 생성되는 것을 방지하고, 구동 트랜지스터의 문턱전압/전자 이동도 편차와 무관하게 균일한 휘도의 영상을 표시할 수 있다.
이하에서 도 2를 참조하여, 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 화소에 대해 설명한다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 화소의 일례를 나타낸 회로도이다.
화소(PX)는 유기 발광 다이오드(OLED), 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 스토리지 커패시터(Cst), 및 제3 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 제2 노드(N2)와 제2 전원전압(ELVSS) 사이에 연결될 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(T1)를 통해 전달되는 구동 전류에 기초하여 발광할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 전원전압(ELVDD)과 제2 노드(N2) 사이에 연결되어 있고, 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다. 제2 노드(N2)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에 대응할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 제1 노드(N1)의 전압에 응답하여 구동 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터선(DLj)과 제1 노드(N1) 사이에 연결되어 있고, 대응하는 스캔선(SLi)에 연결되어 있는 게이트를 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 스캔선(SLi)으로 전달된 스캔 신호에 응답하여 데이터선(DLj)에 인가된 데이터 전압 또는 센싱 기준 전압을 제1 노드(N1)에 제공할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제2 노드(N2)와 제1 노드(N1) 사이에 연결되어 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 제공되는 전압을 일시적으로 저장할 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 리드아웃선(RLj)과 제2 노드(N2) 사이에 연결되어 있고, 대응하는 게이트선(GLi)에 연결되어 있는 게이트를 포함할 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 게이트선(GLi)으로 전달된 게이트 신호에 응답하여 초기화 전압을 제2 노드(N2)에 인가하거나 또는 제2 노드(N2)의 전압을 리드아웃선(RLj)에 제공할 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압은 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 정보를 포함할 수 있다.
리드 아웃선(RLj)은 센싱부(122)에 연결되고, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압에 대응하는 센싱 신호는 센싱부(122)에 제공된다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보를 센싱하는 동작에 대해 설명한다. 제3 트랜지스터(T3)가 게이트선(GLi)으로 전달된 게이트 신호에 의해 턴 온됨에 따라 센싱부(122)로부터 공급되는 일정 전류가 제3 트랜지스터(T3) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 전원전압(ELVSS) 배선으로 공급된다. 이때, 유기 발광 다이오드(OLED)에는 일정 전류가 대응하여 소정 전압이 인가되고, 센싱부(122)는 소정 전압 값을 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보로서 검출한다.
상술한 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화정보는 센싱하는 과정은 표시 장치(10)로 전원이 공급될 때 이루어질 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 센싱하는 동작에 대해 설명한다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)가 스캔선(SLi)으로 전달된 스캔 신호에 의해 턴 온됨에 따라 데이터선(DLj)을 통해 인가되는 센싱 기준 전압을 공급받는다. 또한, 제3 트랜지스터(T3)가 게이트선(GLi)으로 전달된 게이트 신호에 의해 턴 온됨에 따라 제1 트랜지스터(T1)를 통해 흐르는 전류가 리드아웃선(RLj) 따라 센싱부(122)로 싱크(sink)된다. 신호 제어부(140)는 싱크된 전류 값에 기초하여 열화에 따른 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)의 변동을 판단할 수 있다.
상기의 설명에서 화소(PX)에 포함된 트랜지스터들(T1, T2, T3)이 모두 N형인 것으로 설명하였으나, 화소(PX)에 포함된 트랜지스터들(T1, T2, T3)은 모두 P형 트랜지스터일 수도 있다. 또한 하나의 화소(PX)의 포함된 트랜지스터들(T1, T2, T3) 중 일부는 P형 트랜지스터이고, 다른 일부는 N형 트랜지스터일 수 있다. 하나의 화소(PX)의 포함된 트랜지스터들(T1, T2, T3) 중 일부는 산화물 반도체 트랜지스터(Oxide TFT)이고, 다른 일부는 저온 다결정 실리콘(low-temperature polycrystalline silicon; LTPS) 반도체층을 갖는 트랜지스터일 수 있다. 예를 들어, 트랜지스터(T1, T2)는 산화물 반도체 트랜지스터이고, 트랜지스터(T3)는 LTPS 트랜지스터일 수 있다. 또는 트랜지스터(T1, T2)는 LTPS 트랜지스터이고, 트랜지스터(T3)는 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있다. 산화물 반도체층은 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 센싱하는 기간과 관련하여 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 한 프레임 기간 내에서 화소를 센싱하는 기간을 나타낸 그래프이다.
도시된 바와 같이, 한 프레임 기간 내에서 영상을 표시하는 기간 외의 수직 블랭크 기간(BP1~BP5) 동안 화소의 센싱 동작이 수행된다. 즉, 복수의 화소(PX)가 발광하지 않는 기간 동안 복수의 화소(PX) 각각의 열화 정보가 센싱될 수 있다.
8K 해상도의 60Hz의 프레임 주파수 기준으로 표시부(100) 내의 모든 화소(PX)를 센싱하는 데 소요 시간은 216초, 즉 3.6분이다. 데이터 구동부(120)가 네 개로 그룹핑된 화소(PX)(예를 들어, RGBG) 중 두 개의 화소(PX) 별(예를 들어, RB/GG)로 데이터 전압을 인가하는 방식으로 구동하는 경우, 표시부(100) 내의 모든 화소(PX)를 센싱하는 데 소요 시간은 432초, 즉 7.2분이다. 이 경우 7.2분 동안 화소의 열화가 진행되었음에도 불구하고 이를 센싱하지 못해 실시간으로 증가하는 화소 열화에 대한 센싱 오차가 발생한다. 이러한 센싱 오차는 영상 데이터의 보정 오차를 발생시켜 영상의 표시 품질을 저하시킨다.
본 개시의 일 실시예에 따르면, 화소의 수명에 기초하여, 열화가 쉽게 발생될 수 있는 화소부터 센싱함으로써 화소 열화에 대한 센싱 오차를 감소시키고 영상의 표시 품질을 향상시키는 장점이 있다.
이러한 표시 장치 및 그 구동 방법에 대해 이하에서 자세하게 설명한다.
도 4는 도 1의 표시 장치의 신호 제어부를 나타낸 블록도이고, 도 5는 도 4의 화소 수명 산출부를 설명하기 위한 개념도이며, 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시부를 나타낸 도면이고, 도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 신호 제어부(140)는 화소 수명 산출부(1400), 블록 별 수명 계산부(1410), 블록 별 수명 비교부(1420), 블록 별 센싱 제어부(1430), 및 보상 제어부(1440)를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 구성요소들은 신호 제어부(140)를 구현하는데 있어서 필수적인 것은 아니어서, 본 명세서 상에서 설명되는 신호 제어부(140)는 위에서 열거된 구성요소들 보다 많거나, 또는 적은 구성요소들을 포함할 수 있다. 또한 이러한 구성요소들(1400, 1410, 1420, 1430, 1440)은 신호 제어부(140)와 별도의 유닛으로 구성될 수도 있으며 이에 제한되지 않는다.
도 4 및 도 7을 함께 참조하면, 신호 제어부(140)는 영상 신호(IS)를 수신(S100)한다.
화소 수명 산출부(1400)는 영상 신호(IS)에 기초하여, 화소 수명을 산출(S110)한다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 화소 수명 산출부(1400)는 영상 신호(IS)및 표시부(100)의 온도 정보를 수신하고, 영상 신호(IS) 및 온도 정보에 기초하여 누적 수명 산출 알고리즘을 통해 화소(PX), 즉 화소(PX)에 포함된 제1 트랜지스터(T1) 등과 같은 전자 소자의 누적 수명에 대응하는 화소 수명을 산출할 수 있다. 누적 수명 산출 알고리즘은 영상 신호(IS) 및 온도 정보에 기초하여 온도 가속 계수, 계조 가속 계수, 프레임 레이트 및 발광 듀티 디밍 중 적어도 하나를 사용하여 화소(PX)별 화소 수명 데이터를 산출할 수 있다. 산출된 화소(PX)별 화소 수명 데이터는 메모리 등에 저장되고 주기적으로 갱신될 수 있다.
도 6에서 도시된 바와 같이, 표시부(100)가 복수의 블록(예를 들어, 1-1 내지 18-16)으로 구분될 수 있다. 여기서 각각의 블록은 적어도 두 개의 화소(PX)를 포함할 수 있다.
블록 별 수명 계산부(1410)는 각 블록에 포함된 화소들의 수명을 사용하여 블록 별 수명 대푯값을 계산(S120)한다. 예를 들어, 블록 별 수명 계산부(1410)는 각 블록에 포함된 화소(PX)들의 수명의 평균 값을 각 블록의 수명 대푯값으로 계산할 수 있다. 블록 별 수명 계산부(1410)는 각 블록의 수명 대푯값 중 최댓값(AGEMAX)을 판단하고, 최댓값(AGEMAX)을 블록 별 수명 비교부(1420)에 전달하며, 해당 블록에 대한 정보(BLMAX)를 블록 별 센싱 제어부(1430)에 제공할 수 있다.
블록 별 수명 비교부(1420)는 최댓값(AGEMAX)을 기준치와 비교(S130)한다. 블록 별 수명 비교부(1420)는 시간 또는 프레임 개수에 따라 증가하는 기준치와 최댓값(AGEMAX)을 비교할 수 있다. 또는 블록 별 수명 비교부(1420)는 일정한 기준치와 최댓값(AGEMAX)을 비교할 수 있다.
블록 별 수명 비교부(1420)는 기준치보다 최댓값(AGEMAX)이 더 큰 경우, 블록 별 센싱 제어부(1430)에 센싱 이네이블 신호(ENSEN)를 출력(S140)한다.
블록 별 수명 비교부(1420)는 기준치보다 최댓값(AGEMAX) 이하인 경우, 센싱부(122)가 수직 블랭크 기간에서 모든 화소를 순차적으로 센싱하는 노멀 센싱 모드를 유지(S150)한다.
노멀 센싱 모드에서는 연속하는 프레임 기간 내의 수직 블랭크 기간들 각각에서, 화소들이 미리 정해진 순서에 따라 센싱될 수 있다. 예를 들어, 미리 정해진 순서에 따라, 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간 내에서 제1 스캔선 내지 제8 스캔선 각각에 연결된 화소들이 순차적으로 센싱된 후, 제1 프레임 기간에 연속한 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간 내에 제9 스캔선 내지 제16 스캔선 각각에 연결된 화소들이 순차적으로 센싱되는 것으로 가정한다. 즉, 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가된 스캔선들(제1 내지 제8 스캔선)과 제1 영상 프레임에 연속하는 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가된 스캔선들(제9 내지 제16 스캔선)은 인접하여 배열되어 있다.
블록 별 센싱 제어부(1430)는 센싱 이네이블 신호(ENSEN)에 따라, 데이터 구동부(120)를 구동하는 제어 신호(CONT1SEN), 스캔 구동부(110)를 구동하는 제어 신호(CONT2SEN), 및 게이트 구동부(130)를 구동하는 제어 신호(CONT3SEN)를 생성하여 출력한다.
데이터 구동부(120)는 전달된 제어 신호(CONT1SEN)에 따라 해당 블록이 위치한 데이터 선에 센싱 기준 전압을 인가할 수 있다. 스캔 구동부(110)는 전달된 제어 신호(CONT2SEN)에 따라 해당 블록이 위치한 스캔 선들에 스캔 신호를 순차적으로 인가할 수 있다. 게이트 구동부(130)는 전달된 제어 신호(CONT3SEN)에 따라 해당 블록이 위치한 게이트선들에 게이트 신호를 순차적으로 인가할 수 있다.
이 경우, 연속하는 프레임 기간 내의 수직 블랭크 기간들 각각에서, 미리 정해진 순서에 따름이 없이, 결정된 블록의 화소들이 센싱될 수 있다. 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 제1 내지 제8 스캔선 각각에 연결된 화소들에 순차적으로 스캔 신호가 인가되면, 제1 영상 프레임에 연속하는 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에는 제9 내지 제16 스캔선이 아닌 결정된 블록의 화소들, 예를 들어 제33 내지 제40 스캔선에 순차적으로 스캔 신호가 인가된다. 즉, 연속하는 영상 프레임 각각의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가되는 스캔선들(제1 내지 제8 스캔선과 제33 내지 제40 스캔선)은 서로 적어도 하나의 스캔선(제9 내지 제32 스캔선)을 사이에 두고 이격되어 있을 수 있다.
즉, 화소 수명이 기준치 미만인 경우, 표시 장치(10)는 화소(PX)들의 열화 정보를 순서에 따라 센싱하는 노멀 센싱 모드에 있고, 화소 수명이 기준치 이상인 경우, 표시 장치(10)는 기준치 이상의 화소 수명을 갖는 화소(PX)들의 열화 정보를 센싱할 수 있다.
여기서 화소(PX)들의 열화 정보는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 열화 정보 중 적어도 하나를 포함한다.
예를 들어, 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 센싱하는 경우에 대해 설명한다. 노멀 센싱 모드에서 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 제1 내지 제8 스캔선 각각에 연결된 화소들에 순차적으로 스캔 신호와 게이트 신호가 인가되어 표시 장치(10)는 제1 내지 제8 스캔선에 연결된 각 화소들의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 측정할 수 있고, 제1 영상 프레임에 연속하는 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에는 제9 내지 제16 스캔선 각각에 연결된 화소들에 순차적으로 스캔 신호와 게이트 신호가 인가되어, 표시 장치(10)는 제9 내지 제16 스캔선에 연결된 각 화소들의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 측정할 수 있다. 여기서 제2 영상 프레임 기간에 대응하여 산출된 화소 수명이 기준치 이상인 경우, 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 제9 내지 제16 스캔선이 아닌 기준치 이상의 화소 수명을 갖는 화소들, 예를 들어 제33 내지 제40 스캔선 각각에 연결된 화소들에 순차적으로 스캔 신호와 게이트 신호가 인가되어, 표시 장치(10)는 제33 내지 제40 스캔선에 연결된 각 화소들의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도(μ)를 측정할 수 있다.
이로써 센싱부(122)는 해당 블록에 위치한 화소(PX)들 각각에 포함된 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 센싱할 수 있다.
보상 제어부(1440)는 센싱부(122)에서 센싱된 화소들의 센싱 데이터(DATASEN)를 수신(S160)한다.
보상 제어부(1440)는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 반영하여 데이터 신호(DATA)를 보상(S170)하고 이를 출력(S180)한다. 보상 제어부(1440)는 해당 블록에 위치한 화소(PX) 각각에 포함된 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 사용하여 영상 신호(IS)에 따라 생성된 데이터 신호(DATA)를 보정하여 출력할 수 있다.
보상 제어부(1440)는 센싱 데이터(DATASEN) 및 입력 영상 신호(IS)에 상응하는 계조 보상 값을 결정할 수 있다. 보상 제어부(1440)는 상기 계조 보상 값을 입력 영상 신호(IS)에 적용하여 보상 데이터 신호(DATA)를 생성할 수 있다. 보상 제어부(1440)는 각각의 화소(PX)가 표시하는 계조들에 상응하여 계조마다 개별적으로 상기 계조 보상 값을 산출할 수 있다. 보상 제어부(1440)는 룩업 테이블 방식 또는 함수 연산 방식으로 상기 계조 보상 값을 산출할 수 있다. 이때, 표시 계조 별로 발광 효율이 다르고, 열화량이 다르기 때문에 표시 계조에 따라 서로 다른 보상 값을 적용할 수 있다. 보상 제어부(1440)는 누적된 열화량 및 현재 프레임에서 표시하려는 계조를 모두 고려하여 최적의 보상값을 결정할 수 있다.
그리고 보상 제어부(1440)는 보상이 완료된 블록에 포함된 화소 수명을 리셋하는 신호(RESET)를 블록 별 수명 계산부(1410)에 출력한다.
상기에서 블록 별로 화소 수명을 산출하여 보상하는 방법을 설명하였으나, 신호 제어부(140)는 각각의 화소 별로 산출된 화소 수명이 기준치보다 더 큰 경우, 해당 화소를 센싱할 수도 있다.
다음으로 도 8 내지 도 10을 참조하여 여러 실시예에 따른 화소 센싱 방식에 대해 설명한다.
도 8은 일 실시예에 따른 화소 센싱 방식을 나타낸 그래프이고, 도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 화소 센싱 방식을 나타낸 그래프이다.
블록 별 수명 비교부(1420)는 시간 또는 프레임 개수에 따라 증가하는 기준치와 최댓값(AGEMAX)을 비교할 수 있다. 또는 블록 별 수명 비교부(1420)는 일정한 기준치와 최댓값(AGEMAX)을 비교할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 수명 기준치(700)는 표시부(100)에 표시되는 프레임 개수가 누적되더라도 일정하다. 그리고 화소 수명 산출부(1400) 및 블록 별 수명 계산부(1410)에 의해 산출되는 블록 별 수명들(710, 720)은 프레임 개수가 누적됨에 따라 증가한다.
a1 프레임 이전까지 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 모든 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
a1 프레임에서, 도 6의 1-1 블록의 수명(710)가 수명 기준치(700)에 도달하면, 블록 별 수명 비교부(1420)는 블록 별 센싱 제어부(1430)에 센싱 이네이블 신호(ENSEN)를 출력하여, 센싱부(122)가 1-1 블록에 포함된 화소(PX)들의 열화 정보, 즉 화소(PX)들 각각의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 센싱할 수 있다.
a2 프레임에서, 센싱된 열화 정보에 따라 보상 제어부(1440)가 데이터 신호(DATA)를 보상하면, 보상 제어부(1440)는 보상이 완료된 1-1 블록에 포함된 화소 수명을 리셋하는 신호(RESET)를 블록 별 수명 계산부(1410)에 출력하고, 블록 별 수명 계산부(1410)는 1-1 블록의 수명(712)를 리셋할 수 있다.
a2 프레임 이후로부터 a3 프레임 이전까지, 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 1-1 블록을 제외한 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
마찬가지로 a3 프레임에서 도 6의 16-1 블록의 수명(720)가 수명 기준치(700)에 도달하면, 블록 별 수명 비교부(1420)는 블록 별 센싱 제어부(1430)에 센싱 이네이블 신호(ENSEN)를 출력하여, 센싱부(122)가 16-1 블록에 포함된 화소(PX)들의 열화 정보, 즉 화소(PX)들 각각의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 센싱할 수 있다.
a4 프레임에서, 센싱된 열화 정보에 따라 보상 제어부(1440)가 데이터 신호(DATA)를 보상하면, 보상 제어부(1440)는 보상이 완료된 16-1 블록에 포함된 화소 수명을 리셋하는 신호(RESET)를 블록 별 수명 계산부(1410)에 출력하고, 블록 별 수명 계산부(1410)는 16-1 블록의 수명(722)를 리셋할 수 있다.
a4 프레임 이후에 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 16-1 블록을 제외한 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 수명 기준치(700)는 표시부(100)에 표시되는 프레임 개수가 누적에 따라 증가한다. 그리고 화소 수명 산출부(1400) 및 블록 별 수명 계산부(1410)에 의해 산출되는 블록 별 수명(810)는 프레임 개수가 누적됨에 따라 증가한다.
b1 프레임 이전까지 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 모든 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
b1 프레임에서, 증가하고 있는 수명 기준치(800)에 도 6의 1-1 블록의 수명(810)가 도달하면, 블록 별 수명 비교부(1420)는 블록 별 센싱 제어부(1430)에 센싱 이네이블 신호(ENSEN)를 출력하여, 센싱부(122)가 1-1 블록에 포함된 화소(PX)들의 열화 정보, 즉 화소(PX)들 각각의 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 및 전자 이동도를 센싱할 수 있다.
b2 프레임에서, 센싱된 열화 정보에 따라 보상 제어부(1440)가 데이터 신호(DATA)를 보상하면, 보상 제어부(1440)는 보상이 완료된 1-1 블록에 포함된 화소 수명을 리셋하는 신호(RESET)를 블록 별 수명 계산부(1410)에 출력하고, 블록 별 수명 계산부(1410)는 1-1 블록의 수명(812)와 수명 기준치(802)를 리셋할 수 있다.
b2 프레임 이후에 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 1-1 블록을 제외한 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 수명 기준치(700)는 표시부(100)에 표시되는 프레임 개수가 누적에 따라 증가한다. 그리고 화소 수명 산출부(1400) 및 블록 별 수명 계산부(1410)에 의해 산출되는 블록 별 수명(910)는 프레임 개수가 누적됨에 따라 증가한다.
프레임 개수가 소정 개수(c1)에 도달하는 때까지, 프레임 개수에 따라 증가하고 있는 수명 기준치(900)에 모든 블록의 수명(910)가 도달하지 않으면, c1 번째 프레임에서 블록 별 수명 계산부(1410)는 모든 블록의 수명(912)와 수명 기준치(902)를 리셋할 수 있다.
이 경우 센싱부(122)는 수직 블랭크 기간에서 모든 화소를 순차적으로 센싱할 수 있다.
본 개시에 따른 표시 장치 및 그 구동 방법에 따르면, 영상 신호(IS), 온도 정보 등으로부터 산출되는 화소의 수명에 따라 수직 블랭크 기간에서 열화 정보를 센싱할 화소를 결정하고, 화소의 수명이 많은 화소부터 열화 정보를 센싱함으로써, 화면 왜곡이 발생하기 전에 보상이 필요한 화소를 센싱할 수 있으므로, 화소를 센싱하는 데 소비되는 전력이 감소하고, 영상 품질이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (25)

  1. 복수의 화소를 포함하는 표시부,
    상기 영상 신호를 표시하지 않는 수직 블랭크 기간 동안 상기 복수의 화소의 열화 정보를 센싱하는 센싱부, 그리고
    입력되는 영상 신호에 기초하여 산출된 상기 복수의 화소의 수명에 따라, 상기 센싱부가 열화 정보를 센싱할 화소들을 결정하는 신호 제어부
    를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소가 복수의 블록 단위로 구분되고,
    상기 신호 제어부는 상기 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 상기 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하도록 결정하는,
    표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평균 수명 및 상기 소정 기준치는 상기 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하는,
    표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 평균 수명은 상기 영상 신호에 따라 상기 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하고,
    상기 소정 기준치는 상기 영상 프레임 개수가 증가하는 동안 일정한,
    표시 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 센싱부가 상기 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하면, 상기 신호 제어부는 상기 열화 정보가 센싱된 상기 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명을 리셋하는,
    표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 신호 제어부는 상기 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치 이하이면, 상기 복수의 화소의 열화 정보를 순차적으로 센싱하도록 결정하는,
    표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    유기 발광 다이오드,
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 트랜지스터, 및
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 열화 정보는, 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압인,
    표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은, 상기 애노드에 연결되어, 상기 제1 트랜지스터로부터 흐르는 전류를 상기 센싱부로 싱크(sink)하는 제2 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 센싱부는 상기 제2 트랜지스터로부터 싱크된 전류를 상기 제2 트랜지스터가 포함된 화소의 열화 정보로 센싱하는,
    표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 센싱부는 상기 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 상기 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 상기 열화 정보를 센싱하는,
    표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 신호 제어부로부터 영상 데이터 신호를 입력 받아 상기 복수의 화소에 데이터 전압을 인가하는 데이터 구동부를 더 포함하고,
    상기 신호 제어부는 상기 열화 정보 및 상기 영상 신호에 따른 계조 보상 값을 결정하고, 상기 계조 보상 값을 상기 영상 신호에 적용하여 상기 영상 데이터 신호를 생성하는,
    표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 신호 제어부는 상기 복수의 화소 중 제1 화소의 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 상기 제1 화소의 열화 정보를 센싱하도록 결정하는,
    표시 장치.
  12. 영상 신호를 수신하는 단계,
    상기 영상 신호에 기초하여 표시부에 포함된 복수의 화소의 수명을 산출하는 단계,
    상기 복수의 화소의 수명에 따라, 상기 복수의 화소 중 열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계, 그리고
    상기 결정된 화소들의 열화 정보를 센싱하는 단계
    를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 화소가 복수의 블록 단위로 구분되는 경우,
    상기 열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계는,
    상기 복수의 블록 각각에 포함된 화소들의 평균 수명을 소정 기준치와 비교하는 단계, 및
    상기 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치보다 더 크면, 상기 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하도록 결정하는 단계를 포함하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 평균 수명 및 상기 소정 기준치는 상기 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하는,
    표시 장치의 구동 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 평균 수명은 상기 영상 신호에 따라 상기 표시부에 표시되는 영상 프레임 개수에 따라 증가하고,
    상기 소정 기준치는 상기 영상 프레임 개수가 증가하는 동안 일정한,
    표시 장치의 구동 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제1 블록에 포함된 화소들의 열화 정보를 센싱하면,
    상기 열화 정보가 센싱된 상기 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명을 리셋하는 단계
    를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 열화 정보를 센싱하는 화소들을 결정하는 단계는,
    상기 복수의 블록 중 제1 블록에 포함된 화소들의 평균 수명이 소정 기준치 이하이면, 상기 복수의 화소의 열화 정보를 순차적으로 센싱하도록 결정하는 단계
    를 더 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    유기 발광 다이오드,
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 트랜지스터, 및
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터를 포함하고,
    상기 열화 정보는, 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압인,
    표시 장치의 구동 방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 결정된 화소들의 열화 정보를 센싱하는 단계는, 상기 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 상기 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 수행되는,
    표시 장치의 구동 방법.
  20. 복수의 스캔선에 복수의 스캔 신호를 전달하는 스캔 구동부,
    복수의 게이트선에 복수의 게이트 신호를 전달하는 게이트 구동부,
    복수의 데이터선에 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부,
    복수의 리드아웃선으로부터 전류를 싱크하는 센싱부,
    상기 복수의 스캔선 중 대응하는 스캔선, 상기 복수의 게이트선 중 대응하는 게이트선, 상기 복수의 데이터선 중 대응하는 데이터선, 및 상기 복수의 리드아웃선 중 대응하는 리드아웃선에 각각 연결된 화소를 복수 개 포함하고, 상기 복수의 화소 각각이 대응하는 데이터 신호에 따라 발광하여 영상을 표시하는 표시부, 그리고
    입력되는 영상 신호에 따른 하나의 영상 프레임 기간 중 상기 복수의 화소가 발광하지 않는 수직 블랭크 기간 내에 상기 열화 정보를 센싱하도록, 상기 스캔 구동부, 상기 게이트 구동부, 상기 데이터 구동부, 및 상기 센싱부를 제어하는 신호 제어부를 포함하고,
    제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가되는 스캔선과 상기 제1 영상 프레임에 연속하는 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 스캔 신호가 인가되는 스캔선은 적어도 하나의 스캔선을 사이에 두고 이격되어 있는,
    표시 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 게이트 신호가 인가되는 게이트선과 상기 제2 영상 프레임의 수직 블랭크 기간에 게이트 신호가 인가되는 게이트 선은 적어도 하나의 게이트선을 사이에 두고 이격되어 있는,
    표시 장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    유기 발광 다이오드,
    상기 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결되어 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 스토리지 커패시터,
    상기 게이트선 및 상기 스캔선에 연결되어 상기 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압을 상기 스토리지 커패시터에 전달하는 제2 트랜지스터, 및
    상기 리드아웃선과 상기 애노드 사이에 연결되고, 상기 게이트선에 연결된 게이트를 포함하는 제3 트랜지스터를 포함하는,
    표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 열화 정보는, 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압 및 전자 이동도인,
    표시 장치.
  24. 제22항에 있어서,
    상기 제1 영상 프레임의 수직 블랭크 기간 동안, 상기 제2 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 의해 턴 온되고, 상기 데이터선으로 전달된 센싱 기준 전압을 상기 스토리지 커패시터에 전달하는,
    표시 장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제3 트랜지스터는 상기 게이트 신호에 의해 턴 온 되어, 상기 센싱 기준 전압에 따라 상기 제1 트랜지스터에 의해 생성된 전류를 상기 센싱부로 싱크하는,
    표시 장치.
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