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KR20210151940A - R-t-b계 희토류 영구자석 재료, 제조방법 및 응용 - Google Patents

R-t-b계 희토류 영구자석 재료, 제조방법 및 응용 Download PDF

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KR20210151940A
KR20210151940A KR1020217037091A KR20217037091A KR20210151940A KR 20210151940 A KR20210151940 A KR 20210151940A KR 1020217037091 A KR1020217037091 A KR 1020217037091A KR 20217037091 A KR20217037091 A KR 20217037091A KR 20210151940 A KR20210151940 A KR 20210151940A
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시아멘 텅스텐 코., 엘티디.
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Abstract

본 발명은 R-T-B계 영구자석 재료, 제조방법, 및 응용을 개시한다. 여기서, R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하며, R:29.0~32.5 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고; Cu:0.30~0.50 wt%; Ti:0.05~0.20 wt%; B:0.85~1.05 wt%; C:0.1~0.3 wt%; Fe:66~68 wt%; 상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며; 상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH에 적어도 Tb 또는 Dy가 포함된다. 본 발명중의 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중에 Cu-Ti-C입계상이 형성되고,Hcj가 매우 현저하게 제고되었다.

Description

R-T-B계 희토류 영구자석 재료, 제조방법 및 응용
본 발명은 R-T-B계 희토류 영구자석 재료, 제조방법 및 응용에 관한 것이다.
영구자석 재료는 전자부품을 지지하는 핵심소재로 개발되어 왔으며, 발전방향은 고자기에너지적과 고보자력의 방향으로 향하고 있다. RTB계 영구자석 재료(R은 희토류 원소중의 적어도 일종)는 영구자석중 최고 성능의 자석으로 알려져 있으며, 하드디스크 드라이브용 보이스 코일 모터(VCM) 및 전기자동차(EV, HV, PHV 등)용 모터, 산업기기용 모터 등 각종 모터 및 가전제품등에 사용되어 있다.
현재 RTB계 영구자석 재료를 제조하는 과정에서 원료의 순도가 부족하여 일정량의 탄소가 도입됨과 동시에 네오디뮴철붕소 분말이 활성적이고 유동성이 차하고, 산화방지제, 윤활제, 이형제 등의 유기 첨가제를 추가해야 하며, 일정량의 탄소도 도입한다. 통상의 제조 공정 과정에서 탄소는 활성적인 Nd 리치 상과 매우 쉽게 결합하여 탄화네오디뮴을 형성하여 자성체의 고유 보자력(intrinsic coercivity, Hcj로 약칭)을 감소시킨다.
따라서 현재 직면하는 기술적 문제는 한편으로는 합금중의 탄소 함량을 감소하는 것이 필요하고, 다른 한편으로는 제조 공정이나 원료로 인해 일정량의 탄소원을 도입해야 하는 것이다. 이러한 모순되며 객관적인 기술적 문제는 상기 기술적 문제를 극복하기 위한 R-T-B계 영구자석 재료의 새로운 배합을 시급히 요구한다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 종래기술 중 R-T-B계 영구자석 재료에서 탄소원소에 의한 자성체의 Hcj 감소를 극복하고 R-T-B 영구자석 재료, 제조방법 및 응용을 제공하는 것이다.
본 발명은 다음의 기술적수단에 의해 상기 기술적과제를 해결한다.
본 발명은 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ을 제공하며,
R:29.0~32.5 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고;
Cu:0.30~0.50 wt%;
Ti:0.05~0.20 wt%;
B:0.85~1.05 wt%;
C:0.1~0.3 wt%;
Fe:66~68 wt%,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며,
상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며;
상기 RH는 중희토류 원소이며, 상기 RH에 적어도 Tb 및/또는 Dy가 포함된다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 자성체 입계에 Cu-Ti-C입계상이 존재한다.
본 발명에 있어서, 상기 R은 본 분야에서의 통상의 희토류 원소, 예를 들어 Pr을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 R의 함유량 범위는 바람직하게는 30~32.5 wt%,예를 들면 30.1 wt%, 30.6 wt%, 31.1 wt%, 31.6 wt% 또는 32.1 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 RH의 함유량 범위는 바람직하게는 0.5~1.2 wt%,예를 들면 0.6 wt%, 또는 1.10 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 Cu의 함유량 범위는 바람직하게는 0.3~0.45 wt% 또는 0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt%, 0.35 wt%, 0.4 wt% 또는 0.45 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 Ti의 함유량 범위는 바람직하게는 0.05~0.2 wt%,예를 들면 0.1 wt%, 0.15 wt% 또는 0.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 B의 함유량 범위는 바람직하게는 0.9~1.0 wt%,예를 들면 0.9 wt%, 0.92 wt%, 0.94 wt%, 0.96 wt%, 0.98 wt% 또는 1 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 C의 함유량 범위는 바람직하게는 0.1~0.2 wt%,예를 들면 0.12 wt%, 0.14 wt%, 0.16 wt% 또는 0.18 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 바람직하게는 질량 백분율로 O 0~0.15 wt%(단 0을 제외)를 더욱 포함하며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 O의 함유량 범위는 바람직하게는 0.04~0.12 wt%,예를 들면 0.05 wt%, 0.06 wt%, 0.08 wt%, 0.1 wt% 또는 0.12 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 질량 백분율로 M를 0~3 wt% 더욱 포함할 수 있으며,상기 M는 Co, Al, Ga, Si, Sn, Ge, Ag, Au, Bi, Mn와 Cr중의 적어도 하나의 원소를 포함한다.
여기서, 상기 M의 종류는 바람직하게는 Co 또는 Ga이다.
여기서, 상기 M가 Co를 포함하는 경우,상기 Co의 함유량 범위는 0.5~1.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.6 wt%, 0.7 wt%, 1.0 wt% 또는 1.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 M가 Ga를 포함하는 경우,상기 Ga의 함유량 범위는 0.2~0.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.3 wt% 또는 0.4 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고,
R:30~32.5 wt%,상기 RH의 함유량이 0.5~1.2 wt%이고;
Cu:0.3~0.45 wt%;
Ti:0.05~0.20 wt%;
B:0.9~1 wt%;
C:0.1~0.2 wt%;
O:0.04~0.12 wt%;
Co:0.5~1.5 wt%; 잔부: :Fe 및 불가피한 불순물;
wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고,
R:30~32.5 wt%,상기 RH의 함유량이 0.5~1.2 wt%이고;
Cu:0.3~0.45 wt%;
Ti:0.05~0.2 wt%;
B:0.9~1 wt%;
C:0.1~0.2 wt%;
O:0.04~0.12 wt%;
Co:0.5~1.5 wt%;
Ga:0.2~0.5 wt%; 잔부: Fe 및 불가피한 불순물;
wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 31 wt%, Tb는 0.6 wt%, Cu는 0.5 wt%, Ti는 0.05 wt%, B는 0.86 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.05 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.3 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Tb는 0.6 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.14 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.6 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 31.5 wt%, Tb는 0.6 wt%, Cu는 0.35 wt%, Ti는 0.1 wt%, B는 0.92 wt%, C는 0.16 wt%, O는 0.1 wt%, CO는 0.7 wt% 및 Ga는 0.5 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Tb는 0.6 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.92 wt%, C는 0.12 wt%, O는 0.13 wt%, CO는 1 wt% 및 Ga는 0.5 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, PrNd는 30.5 wt%, Tb는 0.6 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Dy는 0.6 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29.5 wt%, Tb는 1.1 wt%, Cu는 0.3 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.94 wt%, C는 0.12 wt%, O는 0.08 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30 wt%, Tb는 1.1 wt%, Cu는 0.45 wt%, Ti는 0.2 wt%, B는 0.96 wt%, C는 0.18 wt%, O는 0.06 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29 wt%, Tb는 1.1 wt%, Cu는 0.5 wt%, Ti는 0.1 wt%, B는 0.98 wt%, C는 0.14 wt%, O는 0.12 wt% 및 CO는 1.2 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29 wt%, Tb는 1.1 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 1 wt%, C는 0.2 wt%, O는 0.15 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부:Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미한다.
또한, 본 발명은 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ를 제공하며,
R:29.0~32 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고,상기 RH의 함유량이 0~0.5 wt%이고;
Cu:0.30~0.50 wt%;
Ti:0.05~0.20 wt%;
C:0.1~0.3 wt%;
B:0.85~1.05 wt%;
Fe:66~68 wt%;
상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며;
상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH에 적어도 Tb 또는 Dy가 포함된다.
본 발명에 있어서, 상기 R은 본 분야에서의 통상의 희토류 원소, 예를 들어 Pr을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 R의 함유량 범위는 바람직하게는 29.5~31.5 wt%,예를 들면 29.5 wt%, 30 wt%, 30.5 wt%, 31 wt% 또는 31.5 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 Cu의 함유량 범위는 바람직하게는 0.3~0.45 wt% 또는 0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt%, 0.35 wt%, 0.4 wt% 또는 0.45 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 Ti의 함유량 범위는 바람직하게는 0.05~0.2 wt%,예를 들면 0.1 wt%, 0.15 wt% 또는 0.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 B의 함유량 범위는 바람직하게는 0.9~1.0 wt%,예를 들면 0.9 wt%, 0.92 wt%, 0.94 wt%, 0.96 wt%, 0.98 wt% 또는 1 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 C의 함유량 범위는 바람직하게는 0.1~0.2 wt%,예를 들면 0.12 wt%, 0.14 wt%, 0.16 wt% 또는 0.18 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 바람직하게는 질량 백분율로 O를 0~0.15 wt%(단 0을 제외) 더욱 포함하며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 O의 함유량 범위는 바람직하게는 0.04~0.12 wt%,예를 들면 0.05 wt%, 0.06 wt%, 0.08 wt%, 0.1 wt% 또는 0.12 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 질량 백분율로M를 0~3 wt% 더욱 포함하며,상기 M는 Co, Al, Ga, Si, Sn, Ge, Ag, Au, Bi, Mn과 Cr중의 적어도 하나의 원소를 포함한다.
상기 M가 Co를 포함하는 경우,상기 Co의 함유량 범위는 0.5~1.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.6 wt%, 0.7 wt%, 1.0 wt% 또는 1.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
상기 M가 Ga를 포함하는 경우,상기 Ga의 함유량 범위는 0.2~0.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.3 wt% 또는 0.4 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고,
R:29.5~31.5 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고,상기 RH의 함유량이 0~0.5 wt%이고;
Cu:0.3~0.45 wt%;
Ti:0.05~0.2 wt%;
B:0.9~1 wt%;
C:0.1~0.2 wt%;
상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며;
상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH은 Tb 또는 Dy를 포함하며;
잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 31 wt%, Cu는 0.5 wt%, Ti는 0.05 wt%, B는 0.86 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.05 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.3 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.14 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.6 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 31.5 wt%, Cu는 0.35 wt%, Ti는 0.1 wt%, B는 0.92 wt%, C는 0.16 wt%, O는 0.1 wt%, CO는 0.7 wt% 및 Ga는 0.5 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.92 wt%, C는 0.12 wt%, O는 0.13 wt%, CO는 1 wt% 및 Ga는 0.5 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, PrNd는 30.5 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30.5 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.9 wt%, C는 0.1 wt%, O는 0.08 wt%, CO는 0.5 wt% 및 Ga는 0.4 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29.5 wt%, Tb는 0.5 wt%, Cu는 0.3 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 0.94 wt%, C는 0.12 wt%, O는 0.08 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 30 wt%, Tb는 0.5 wt%, Cu는 0.45 wt%, Ti는 0.2 wt%, B는 0.96 wt%, C는 0.18 wt%, O는 0.06 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29 wt%, Tb는 0.5 wt%, Cu는 0.5 wt%, Ti는 0.1 wt%, B는 0.98 wt%, C는 0.14 wt%, O는 0.12 wt% 및 CO는 1.2 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 다음의 성분을 포함하고, Nd는 29 wt%, Tb는 0.5 wt%, Cu는 0.4 wt%, Ti는 0.15 wt%, B는 1 wt%, C는 0.2 wt%, O는 0.15 wt% 및 CO는 1 wt%,잔부는 Fe 및 불가피한 불순물이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미한다.
또한, 본 발명은 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물의 용융액을 주조, 파쇄, 분쇄, 성형, 소결을 거치게 하면 되는 절차를 포함하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 제조방법을 제공한다.
상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물은 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하며, R:29.0~32 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고; 상기 RH의 함유량이 0~0.5 wt%이고; Cu:0.30~0.50 wt%; Ti:0.05~0.20 wt%; B:0.85~1.05 wt%; Fe:66~68 wt%; 상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며; 상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH에 적어도 Tb 또는 Dy가 포함된다.
여기서, 상기 R은 본 분야에서의 통상의 희토류 원소, 예를 들어 Pr을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 R의 함유량 범위는 바람직하게는 29.5~31.5 wt%,예를 들면 29.5 wt%, 30 wt%, 30.5 wt%, 31 wt% 또는 31.5 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 Cu의 함유량 범위는 바람직하게는 0.3~0.45 wt% 또는 0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt%, 0.35 wt%, 0.4 wt% 또는 0.45 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 Ti의 함유량 범위는 바람직하게는 0.05~0.2 wt%,예를 들면 0.1 wt%, 0.15 wt% 또는 0.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 B의 함유량 범위는 바람직하게는 0.9~1 wt%,예를 들면 0.9 wt%, 0.92 wt%, 0.94 wt%, 0.96 wt%, 0.98 wt% 또는 1 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 C의 함유량 범위는 바람직하게는 0.1~0.2 wt%,예를 들면 0.12 wt%, 0.14 wt%, 0.16 wt% 또는 0.18 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
여기서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 질량 백분율로 M를 0~3 wt% 더욱 포함할 수 있고,상기 M는 Co, Al, Ga, Si, Sn, Ge, Ag, Au, Bi, Mn과 Cr중의 적어도 하나의 원소를 포함하며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
상기 M가 Co를 포함하는 경우,상기 Co의 함유량 범위는 0.5~1.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.6 wt%, 0.7 wt%, 1.0 wt% 또는 1.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
상기 M가 Ga를 포함하는 경우,상기 Ga의 함유량 범위는 0.2~0.5 wt%일 수 있고,예를 들면 0.3 wt% 또는 0.4 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물중의 질량 백분율을 의미한다.
본 발명에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물의 용융액은 본 분야에서의 통상의 방법으로 제조할 수 있으며, 예를 들면 고주파 진공 유도 용해로에서 용해 제련하면 된다. 상기 용해로의 진공도는 5×10-2 Pa일 수 있다. 상기 용해 제련의 온도는 1500℃이하일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 주조 공정은 본 분야에서의 통상의 주조 공정이어도 좋으며, 예를 들면 Ar가스 분위기 (예를 들면 5.5×10Pa의 Ar가스 분위기)하에서 102℃/초~10℃/s의 속도로 냉각할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 파쇄 공정은 본 분야에서의 통상의 파쇄 공정이어도 좋으며, 예를 들면 수소흡수, 탈수소, 냉각 처리를 거치면 된다.
여기서, 상기 수소흡수는 수소 가스 압력 0.15MPa의 조건하에서 진행할 수 있다.
여기서, 상기 탈수소는 진공흡입하면서 승온하는 조건하에서 진행할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 분쇄 공정은 본 분야에서의 통상의 분쇄 공정, 예를 들어 제트 밀에 의한 분쇄일수 있다.
여기서, 바람직하게는,상기 분쇄 공정은 산화 가스 함량100ppm이하의 분위기에서 진행된다.
상기 산화 가스는 산소 또는 수분을 가리킨다.
여기서, 상기 제트 밀에 의한 분쇄의 분쇄 챔버 압력은 0.38Mpa일 수 있다.
여기서, 상기 제트 밀에 의한 분쇄시간은 3시간일 수 있다.
여기서, 상기 분쇄후, 본 분야에서의 통상의 수단으로 윤활제, 예를 들어 스테아린산 아연을 첨가할 수 있으며, 상기 윤활제의 첨가량은 혼합후 분말 중량의 0.10~0.15%, 예를 들어 0.12%일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 성형 공정은 본 분야에서의 통상의 성형 공정, 예를 들면 자기장 성형법 또는 열간가압 열간변형 방법이어도 좋다.
본 발명에 있어서, 상기 소결 공정은 본 분야에서의 통상의 소결 공정, 예를 들어 진공 조건 (예를 들면5×10-3Pa의 진공)하에서 예열, 소결, 냉각을 거치면 된다.
여기서, 상기 예열 온도는 300~600℃이어도 좋다. 상기 예열 시간은 1~ 2h이어도 좋다. 상기 예열은 300℃와 600℃의 온도에서 각각 1시간 예열하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 소결 온도는 본 분야에서의 통상의 소결 온도, 예를 들면 900℃~1100℃일 수 있으며, 또 예를 들면 1040℃일 수 있다.
여기서, 상기 소결 시간은 본 분야에서의 통상의 소결 시간, 예를 들면 2h일 수 있다.
여기서, 상기 냉각 전에 가스 압력이 0.1MPa에 도달하도록 Ar 가스를 도입할 수 있다.
또한 ,본 발명은 상기 방법을 사용하여 제득한 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ를 제공한다.
또한 ,본 발명은 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ에 대해 입계 확산 처리를 하면 되는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ의 제조방법을 제공한다.
상기 입계 확산 처리중의 중희토류 원소는 Tb 및/또는 Dy를 함유한다.
본 발명에 있어서, 상기 입계 확산 처리는 본 분야에서의 통상의 공정으로 처리할 수 있으며, 예를 들면 상기 R-T-B계 영구자석 재료의 표면에 Tb를 함유하는 물질 또는 Dy를 함유하는 물질을 증착, 도포 또는 스퍼터 고착시키고 확산 열처리를 하면 된다.
여기서, 상기 Tb 또는 Dy를 함유하는 물질은 Tb 또는 Dy금속, Tb 또는 Dy를 함유하는 화합물 또는 합금일 수 있다.
여기서, 상기 확산 열처리 온도는 800~900℃, 예를 들면 850℃일 수 있다.
여기서, 상기 확산 열처리 시간은 12~48h, 예를 들면 24h일 수 있다.
여기서, 상기 입계 확산 처리후에 진일보 열처리를 할 수 있다. 상기 열처리 온도는 450~550℃, 예를 들면 500℃일 수 있다. 상기 열처리 시간은 3h일 수 있다.
또한 ,본 발명은 상기 방법을 사용하여 제득한 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ을 제공한다.
또한 ,본 발명은 R-T-B계 영구자석 재료의 전자부품으로서의 응용을 제공한다.
여기서, 상기 전자부품은 본 분야에서의 통상의 부품,예를 들면 모터중의 전자부품일 수 있다.
여기서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료는 상기R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ 및/또는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ일 수 있다.
본 발명에 사용되는 시약 및 원료는 모두 시판으로 획득할 수 있다.
본 발명의 적극적 및 진보적인 효과는 다음과 같은 점에 있다.
(1)본 발명중의R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 Cu-Ti-C입계상을 함유하고,높은 함유량의 탄소를 허용하며,탄소함유량을 액외로 공제할 필요가 없으며, 생산관리에 도움이 된다.
(2) 확산 과정에서Cu-Ti-C 입계상이 형성되어 Nd-C 의 생성을 억제함과 동시에 더 많은 확산 채널을 제공하여 확산 과정중 Hcj의 개선에 도움이 된다: 바람직한 실시방안중의Tb 확산에 의해 Hcj가 1162kA/m 증가하고, Dy 확산에 의해 Hcj가 883kA/m 증가하였다.
도1은 실시예2에서 제작된 영구자석 재료를 FE-EPM로 표면 스캐닝하여 형성된 Nd, Cu, Ti, C의 분포도이며, 그 중 점1은 Cu-Ti-C 상이다.
도2는 비교예2에서 제작된 영구자석 재료를 FE-EPMA로 표면 스캐닝하여 형성된 Nd, Cu, Ti, C의 분포도이다.
이하, 실시예의 형태에 의해 본 발명을 진일보 설명하지만, 본 발명을 하기 실시예 범위로 제한하는 것은 아니다. 이하의 실시예에 있어서 구체적인 조건이 명시되지 않은 실험방법은 통상의 방법 및 조건에 따라 또는 제품 설명서에 따라 선택된다. 하기 표 중, wt%는 성분이 상기 네오디뮴철붕소 자성체 재료의 원료조성물의 총질량에서 차지하는 질량 백분율을 가리키며, "/"는 해당 원소가 첨가되지 않았음을 표시한다. "Br"은 잔류자속밀도(remanence)이며, "Hcj"는 고유보자력이다.
실시예 및 비교예중 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료 배합은 표1에 나타나는 바이다.
표1 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물의 성분 및 함유량 (wt%)
Figure pct00001
표2 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 성분 및 함유량(wt%)
Figure pct00002
실시예1~5와 7~10,및 비교예1~9의 R-T-B계 영구자석 재료의 제조방법은 다음과 같다.
(1)용해 제련의 과정: 표 1에 나타낸 배합에 따라 조제한 원료를 알루미나제의 도가니에 넣고, 고주파 진공 유도 용해로에서 5×10-2Pa의 진공중에서 1500℃이하의 온도하에서 진공용해 제련을 실시하였다.
(2)주조의 과정: 진공용해 제련후의 용해로에 Ar 가스를 도입하여 기압이 5.5만Pa에 도달하게 한 후 주조하고, 102℃ / 초~104℃ /초의 냉각속도로 급냉 합금을 얻었다.
(3)수소파쇄(hydrogen Decrepitation)의 과정: 실온하에서 급냉 합금을 방치한 수소파쇄용 도가니를 진공흡입 한 후, 순도 99.9%의 수소 가스를 수소파쇄용 도가니내에 도입하고 수소가스 압력을 0.15MPa로 유지하였다. 수소흡수를 충분히 한 후 진공흡입하면서 승온시키고, 충분히 탈수소를 실행하였다. 그 후에 냉각하고, 수소파쇄된후의 분말을 꺼냈다.
(4)미분쇄의 과정: 산화가스 함유량 100ppm 이하의 질소가스 분위기하에서 및 분쇄 챔버 압력 0.38MPa의 조건하에서, 수소파쇄된 후의 분말을 3시간동안 제트 밀에 의한 분쇄를 실시하여 미분을 얻었다. 산화 가스는 산소 또는 수분을 가리킨다.
(5)제트 밀에 의한 분쇄후의 분말중에 스테아린산 아연을 첨가하고, 스테아린산 아연의 첨가량을 혼합후의 분말중량의 0.12%로 하고, 진일보 V믹서로 충분히 혼합하였다.
(6)자기장 성형 과정: 직각 배향형의 자기장 성형기를 사용하여, 1.6T의 배향 자기장에서 및 0.35ton /cm2의 성형 압력하에서, 상기 스테아린산 아연이 첨가된 분말을 변의 길이가 25mm인 입방체로 일차 성형시켰다. 일차 성형 후 0.2T의 자기장에서 탈자시켰다. 일차 성형 후의 성형체가 공기와 접촉하지 않도록 이를 밀봉하고, 그 다음 재차 이차 성형기 (정수압 성형기)를 이용하여 1.3ton / cm2의 압력하에서 이차 성형을 진행하였다.
(7)소결 과정: 각 성형체를 소결로에 옮기고 소결하고, 5×10-3 Pa의 진공하에서 그리고 300℃와 600℃의 온도하에서 각각 1시간 유지하였다. 그 후, 1040℃의 온도하에서 2시간 소결하고, 그 다음 Ar 가스를 도입하여 기압을 0.1MPa까지 도달시킨 후 실온까지 냉각시키어, R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ를 획득하였다.
(8)입계 확산 처리 과정: 각 조의 소결체를 직경 20mm, 두께 3mm의 자석으로 가공하며, 두께 방향을 자기장 배향 방향으로 하고, 표면을 청정화 한 후, 각각 Tb 불소화물로 조제된 원료를 사용하여 자석 전면에 코팅하고, 코팅후의 자석을 건조시키고, 고순도의 Ar 가스 분위기하에서 자석의 표면에 Tb 원소의 금속을 스퍼터링 부착시키고, 850℃의 온도로 24시간 확산 열처리하였다. 실온까지 냉각하였다.
(9)열처리 과정: 소결체를 고순도Ar가스하에서500℃의 온도로 3시간의 열처리를 실시한 후, 실온까지 냉각한후 꺼내어R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ을 획득하였다.
실시예6과 비교예10의 R-T-B계 영구자석 재료의 제조방법은 다음과 같다.
표1에 나타낸 배합,및 실시예1의 제조공정에 따라 실시예6과 비교예10의 R-T-B계 영구자석 재료를 제조하였는데,부동한 점은 입계 확산 과정에서 자석 표면에 Dy원소의 금속을 스퍼터 고착시키는 것이다.
효과실시예
실시예 1~10과 비교예 1~10에서 얻어진 R-T-B계 영구자석 재료의 자기 특성 및 성분을 각각 측정하였는데, 입계 확산전의 영구자석 재료(즉 R-T-B계 영구자석 재료)와 입계 확산후의 영구자석 재료(즉 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ)가 포함되며, 이들의 자성체의 결정구조를FE-EPMA를 사용하여 관찰하였다
(1)자기 특성의 평가: 중국계량원의 NIM-10000H형 BH 벌크 희토류 영구자석 비파괴 측정 시스템을 이용하여 자기특성을 검출하였다. 이하의 표3에 자기특성 검출결과를 나타낸다
표3 자기 특성의 검출평가
Figure pct00003
표3으로부터 알수 있는 바와 같이:
1)본 출원중의 R-T-B계 영구자석 재료는 성능이 뛰어나며,Br≥1.4T,Hcj가 확산전 ≥820 kA/m부터 확산후≥1775 kA/m로 제고되었으며, Hcj가 한배 증가되었다(실시예1~10);
2)본 출원의 배합에 근거하여, 원료Cu, Ti와 C의 사용량을 변경하면,Cu-Ti-C상 을 형성할 수 없으며 또는 Cu-Ti-C상의 비율이 매우 적으며,R-T-B영구자석 재료의 성능이 현저히 저하되었다(비교예1~10);
3)연구 과정에서 본 발명자는 첨가된 O함유량의 높을 경우, Cu-Ti-C상의 형성에 불리하고, 자기적 특성이 저하되는 경향이 있음을 발견하였다(실시예10).
(2)성분의 측정: R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ의 각 성분에 대해 고주파 유도결합 플라즈마 발광 분석장치(ICP-OES)를 이용하여 측정하였다. 다음의 표4에 나타내는 것이 성분검출의 결과이다.
표4 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ의 성분과 함유량(wt%)
Figure pct00004
(3)FE-EPMA에 의한 검출: 영구자석 재료의 수직 배향면을 연마하고, 전계방사 전자 탐침 현미 분석기(FE-EPMA)(일본전자주식회사(JEOL), 8530F)를 이용하여 검출하였다. 실시예2와 비교예2에서 제득한 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ에 대해 FE-EPMA검출을 진행하였으며, 실시예2의 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ의 입계에 도1에서 대응하는 점1의 입계상이 존재하며, 비교예2의 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ의 입계에 도2에서 대응하는 점2의 입계상이 존재하였다.

Claims (10)

  1. 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ에 있어서,
    R:29.0~32.5 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고;
    Cu:0.30~0.50 wt%;
    Ti:0.05~0.20 wt%;
    B:0.85~1.05 wt%;
    C:0.1~0.3 wt%;
    Fe:66~68 wt%,
    wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며,
    상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며;
    상기 RH는 중희토류 원소이며, 상기 RH에 적어도 Tb 및/또는 Dy가 포함되는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ.
  2. 제1항에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 자성체의 입계에 Cu-Ti-C입계상이 존재하며;
    및/또는,상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 0~0.15 wt% 단 0을 제외하는 O를 포함하고,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며, 바람직하게는 상기 O의 함유량 범위는 0.04~0.12 wt%,예를 들면 0.05 wt%, 0.06 wt%, 0.08 wt%, 0.1 wt% 또는 0.12 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는, 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ는 0~3 wt%의 M를 더 포함하고, 상기 M의 종류는 Co, Al, Ga, Si, Sn, Ge, Ag, Au, Bi, Mn과 Cr중의 적어도 하나의 원소를 포함하며; 상기 M의 종류는 바람직하게는 Co 또는 Ga이며; 상기 M가 Co를 포함하는 경우, 상기 Co의 함유량 범위는 바람직하게는 0.5~1.5 wt%,예를 들면 0.6 wt%, 0.7 wt%, 1.0 wt% 또는 1.2 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며, 상기 M가 Ga를 포함하는 경우, 상기 Ga의 함유량 범위는 바람직하게는 0.2~0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt% 또는 0.4 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ.
  3. 제1항에 있어서, 상기 R중에 Pr원소를 더 포함하고;
    및/또는,상기 R의 함유량 범위는 30~32.5 wt%,예를 들면 30.1 wt%, 30.6 wt%, 31.1 wt%, 31.6 wt% 또는 32.1 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 RH의 함유량 범위는 0.5~1.2 wt%,예를 들면 0.6 wt% 또는 1.10 wt%, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 Cu의 함유량 범위는 0.3~0.45 wt% 또는 0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt%, 0.35 wt%, 0.4 wt% 또는 0.45 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 Ti의 함유량 범위는 0.05~0.2 wt%,예를 들면 0.1 wt%, 0.15 wt% 또는 0.2 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 B의 함유량 범위는 0.9~1.0 wt%,예를 들면 0.9 wt%, 0.92 wt%, 0.94 wt%, 0.96 wt%, 0.98 wt% 또는 1 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 C의 함유량 범위는 0.1~0.2 wt%,예를 들면 0.12 wt%, 0.14 wt%, 0.16 wt% 또는 0.18 wt%이며, wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ중의 질량 백분율을 의미하는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ.
  4. 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ에 있어서,
    R:29.0~32 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고,상기 RH의 함유량이 0~0.5 wt%이며;
    Cu:0.30~0.50 wt%;
    Ti:0.05~0.20 wt%;
    C:0.1~0.3 wt%;
    B:0.85~1.05 wt%;
    Fe:66~68 wt%,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 가리키며;
    상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며;
    상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH에 적어도 Tb 또는 Dy가 포함되며;
    바람직하게는 상기 R중에 Pr원소가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ.
  5. 제4항에 있어서, 상기 R의 함유량 범위는 29.5~31.5 wt%,예를 들면 29.5 wt%, 30 wt%, 30.5 wt%, 31 wt% 또는 31.5 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 Cu의 함유량 범위는 0.3~0.45 wt% 또는 0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt%, 0.35 wt%, 0.4 wt% 또는 0.45 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 Ti의 함유량 범위는 0.05~0.2 wt%,예를 들면 0.1 wt%, 0.15 wt% 또는 0.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 B의 함유량 범위는 0.9~1.0 wt%,예를 들면 0.9 wt%, 0.92 wt%, 0.94 wt%, 0.96 wt%, 0.98 wt% 또는 1 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 C의 함유량 범위는 0.1~0.2 wt%,예를 들면 0.12 wt%, 0.14 wt%, 0.16 wt% 또는 0.18 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는 0~0.15 wt% 단 0을 제외하는O를 더 포함하며; 상기 O의 함유량 범위는 바람직하게는 0.04~0.12 wt%,예를 들면 0.05 wt%, 0.06 wt%, 0.08 wt%, 0.1 wt% 또는 0.12 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며;
    및/또는,상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ는0~3 wt%의 M를 더 포함하며,상기 M는 Co, Al, Ga, Si, Sn, Ge, Ag, Au, Bi, Mn과 Cr중의 적어도 하나의 원소를 포함하며; 상기 M가 Co를 포함하는 경우, 상기 Co의 함유량 범위는 바람직하게는 0.5~1.5 wt%,예를 들면 0.6 wt%, 0.7 wt%, 1.0 wt% 또는 1.2 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하며; 상기 M가 Ga를 포함하는 경우, 상기 Ga의 함유량 범위는 바람직하게는 0.2~0.5 wt%,예를 들면 0.3 wt% 또는 0.4 wt%이며,wt%는 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ중의 질량 백분율을 의미하는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ.
  6. 상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물의 용융액을 주조, 파쇄, 분쇄, 성형, 소결을 거치게 하면 되는 절차를 포함하며,
    상기 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 원료조성물은 질량 백분율로 다음의 성분을 포함하며, R:29.0~32 wt%,또한 R중에 RH가 포함되고,상기 RH의 함유량이 0~0.5 wt%이며; Cu:0.30~0.50 wt%; Ti:0.05~0.20 wt%; B:0.85~1.05 wt%; Fe:66~68 wt%; 상기 R은 희토류 원소이며, 상기 R에 적어도 Nd가 포함되며; 상기 RH은 중희토류 원소이며,상기 RH에 적어도 Tb 또는 Dy가 포함되며;
    바람직하게는 상기 분쇄 공정이 산화 가스 함량100ppm이하의 분위기하에서 진행되는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 제조방법.
  7. 제6항에 기재된 제조방법에 의해 제조하여 얻은 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ.
  8. 제4항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ에 대해 입계 확산 처리를 하면 되며,
    상기 입계 확산 처리중의 중희토류 원소가 Tb 및/또는 Dy를 포함하는 것을 특징으로 하는 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ의 제조방법.
  9. 제8항에 기재된 제조방법에 의해 제조하여 얻은 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ.
  10. R-T-B계 영구자석 재료의 전자부품으로서의 응용에 있어서, 상기 R-T-B계 영구자석 재료가 제1항 내지 제3항 및 제9항 중 어느 한 항에 기재된 R-T-B계 영구자석 재료Ⅰ이며;
    및/또는,상기 R-T-B계 영구자석 재료가 제4항, 제5항 및 제7항 중 어느 한 항에 기재된 R-T-B계 영구자석 재료Ⅱ인 것을 특징으로 하는 응용.
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