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KR20210133582A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20210133582A
KR20210133582A KR1020200052358A KR20200052358A KR20210133582A KR 20210133582 A KR20210133582 A KR 20210133582A KR 1020200052358 A KR1020200052358 A KR 1020200052358A KR 20200052358 A KR20200052358 A KR 20200052358A KR 20210133582 A KR20210133582 A KR 20210133582A
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KR
South Korea
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substrate
purge ring
purge
unit
substrate support
Prior art date
Application number
KR1020200052358A
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Inventor
한천호
이정환
오영택
Original Assignee
주식회사 원익아이피에스
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Filing date
Publication date
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격을 두고 위치되는 퍼지링부(400)와; 상기 기판지지부(300)와 상기 퍼지링부(400) 사이 공간을 통해 상기 기판지지부(300) 상측으로 분사될 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부를 포함하며, 상기 퍼지링부(400)는, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격을 두고 상기 공정챔버(100)에 설치되는 퍼지링(410)과, 상기 퍼지링(410)의 온도제어를 위하여 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 온도조절부(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대한 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판상에 소정 두께의 박막을 증착하기 위하여, 물리 기상 증착 방식(physical vapor deposition, PVD) 또는 화학 기상 증착 방식(chemical vapor deposition, CVD) 등이 이용되고 있다.
일반적인 CVD 장치는 기판지지부를 포함하며, 기판지지부의 가장자리 영역에 에지링(edge ring) 또는 퍼지링(purge ring)을 포함할 수 있다.
퍼지링은 퍼지 가스 분사를 위한 링 구조체로서, 웨이퍼 상면 가장자리 및 후면 가장자리에 막 증착을 방지하기 위한 구조체이다.
그런데, 종래 퍼지링은 기판지지부(서셉터)의 일부로써 설치되고 있으며 결과적으로 퍼지링이 기판지지부와 직간접적으로 접촉된 상태를 유지하게 된다.
그에 따라, 퍼지링의 온도는 기판지지부의 온도에 의해 종속적으로 변화되며 적절한 온도로 가열이 어려운 문제점이 있다.
퍼지링의 저온 상태로 콜드스팟을 형성하게 되면 퍼지링에 공정부산물이나 공정소스가 흡착되어 오염될 수 있고 이러한 오염물질이 비산되어 처리공간에 파티클을 야기하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 퍼지링에 공정부산물이나 공정소스가 흡착되어 퍼지링이 오염되거나 이로 인해 처리공간에 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격을 두고 위치되는 퍼지링부(400)와; 상기 기판지지부(300)와 상기 퍼지링부(400) 사이 공간을 통해 상기 기판지지부(300) 상측으로 분사될 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 퍼지링부(400)는, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격을 두고 상기 공정챔버(100)에 설치되는 퍼지링(410)과, 상기 퍼지링(410)의 온도제어를 위하여 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 온도조절부(420)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 상기 공정챔버(100)에 고정설치될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상하이동 가능하게 설치되며, 기판처리를 위한 공정 시 상기 퍼지링(410)에 대응되는 영역에 위치될 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치될 수 있다.
상기 기판지지부(300) 및 상기 퍼지링(410)은, 기판처리를 위한 공정 시 미리 설정된 공정위치에 위치될 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 상기 처리공간(S) 내에서 상기 기판지지부(300)와 접촉영역을 형성하지 않을 수 있다.
상기 온도조절부(420)는, 상기 기판지지부(300)에 구비되는 기판지지부히터(312)와 독립적으로 제어되는 퍼지링히터를 포함할 수 있다.
상기 퍼지링히터는, 외부전원에 의해 파워가 인가되는 열선을 포함할 수 있다.
상기 퍼지링히터는, 상기 퍼지링(410)의 온도조절을 위한 열매체가 흐르도록 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 열매체유로를 포함할 수 있다.
상기 온도조절부(420)는, 상기 퍼지링(410) 둘레 위치에 따라 상기 퍼지링(410)의 온도가 편차를 가지도록 상기 퍼지링(410)의 온도를 조절할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 처리공간(S) 내의 가스가 측방을 향해 배기되도록 상기 퍼지링부(400)의 가장자리 둘레를 따라 설치되는 배기부를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 퍼지링에 공정부산물이나 공정소스가 흡착되어 퍼지링이 오염되거나 이로 인해 처리공간에 파티클이 발생되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 퍼지링이 기판지지부와 직접적으로 접촉되지 않도록 설치하고, 기판지지부의 히팅을 위한 기판지지부히터와 독립적으로 작동하는 온도조절부를 통해 퍼지링의 온도를 제어함으로써 퍼지링의 오염이나 파티클을 저감시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 퍼지링의 온도를 제어함으로써 퍼지링 자체의 오염이나 파티클 이슈를 저감시킬 뿐만 아니라, 기판지지부 상에 안착된 기판의 가장자리(엣지)와 인접하게 위치됨으로써 간접적으로 기판의 엣지의 온도를 보상하는 기능도 추가적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치의 구성 일부를 보여주는 평면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판(10)에 대한 증착, 식각 등의 기판처리를 수행하기 위한 시스템으로, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지부(300)와; 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격을 두고 위치되는 퍼지링부(400)와; 상기 기판지지부(300)와 상기 퍼지링부(400) 사이 공간을 통해 상기 기판지지부(300) 상측으로 분사될 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부를 포함한다.
여기서 기판(10)은, 반도체용 웨이퍼, LCD패널용 유리기판, OLED용 기판, 태양전지용기판 등 다양한 기판이 가능하다.
그리고 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 어떠한 공정도 가능하며, 예로서 ALD 또는 ALE 공정일 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 공정챔버(100)는, 상측이 개구된 챔버본체(110)와, 챔버본체(110)의 상측 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(110)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함할 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)의 측면에는 기판(10)의 출입을 위한 하나 이상의 게이트(111)가 형성될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(300)는, 처리공간(S)에 인입된 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로, 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비할 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(300)는, 상기 처리공간(S)에 상하이동 가능하게 설치될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상하이동을 통해 기판처리를 위한 공정 시 공정종류에 따라 미리 설정된 공정위치에 위치될 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판지지부(300)는, 상면에 기판안착면이 구비되는 기판안착플레이트(310) 및 기판안착플레이트(310)의 저면에 결합되는 기판지지샤프트(320)를 포함할 수 있다.
상기 기판안착플레이트(310)는, 내부에 기판(10)을 가열하기 위한 기판지지부히터(312)를 구비할 수 있다.
상기 기판지지샤프트(320)는, 공정챔버(100) 하부 개구(114)를 관통하여 기판안착플레이트(310)에 결합되며 공정챔버(100) 외부에 위치되는 구동부를 통해 상하이동될 수 있다.
공정챔버(100) 외부 상기 기판지지샤프트(320) 둘레에는 벨로우즈가 설치될 수 있다.
또한, 상기 기판지지샤프트(320) 내부에는 기판지지부히터(312)를 위한 전력공급라인, 접지라인, 또는 RF전력라인 등이 설치되기 위한 빈 공간(M)이 형성될 수 있다.
상기 기판안착플레이트(310)의 둘레를 따라 처리공간(S) 내의 가스배기를 위한 배기부(700)가 구비될 수 있다.
상기 배기부(700)에 대해서는 퍼지링부(400)를 설명한 후 후술하기로 한다.
상기 퍼지링부(400)는, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 위치되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
보다 구체적으로, 상기 퍼지링부(400)는, 기판안착플레이트(310)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 위치될 수 있다.
예로서, 상기 퍼지링부(400)는, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 상기 공정챔버(100)에 설치되는 퍼지링(410)과, 상기 퍼지링(410)의 온도제어를 위하여 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 온도조절부(420)를 포함할 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 상기 공정챔버(100)에 설치될 수 있다.
예로서, 상기 퍼지링(410)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(100) 하부에 고정설치될 수 있다.
상기 퍼지링(410)이 고정설치되는 경우, 상기 기판지지부(300)는 상하이동을 통해 기판처리를 위한 공정 시 상기 퍼지링(410)에 대응되는 영역에 위치될 수 있다.
상기 퍼지링(410)과 공정챔버(100) 사이에는 절연부재(600)가 설치되어 퍼지링(410)이 공정챔버(100)와 절연상태로 유지될 수 있다.
도 1의 경우, 퍼지링(410)은 고정설치되는 바, 기판지지부(300)의 승하강이동에 따라 퍼지링(410)이 기판안착플레이트(310)의 측면 둘레에 위치될 수 있다.
공정 시 기판지지부(300)의 기판안착플레이트(310)가 있는 위치를 공정위치(P)라 할 때, 공정위치에서 기판안착플레이트(310)와 퍼지링(410) 사이 간격(D)은 미리 설정된 거리만큼 유지될 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 기판지지부(300)의 승하강운동에도 불구하고 상기 처리공간(S) 내에서 상기 기판지지부(300)와 접촉영역을 형성하지 않도록 유지될 수 있다.
다른 예로서, 상기 퍼지링(410)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치될 수 있다.
이때, 상기 퍼지링부(400)는, 상기 퍼지링(410)에 결합되어 상기 퍼지링(410)의 상하이동을 구동하기 위한 퍼지링구동부를 추가로 포함할 수 있다.
여기서, 퍼지링부(400)의 하부에는 처리공간(S)을 밀폐된 상태로 유지하며 퍼지링(410)의 승하강 운동을 가능하게 하기 위한 벨로우즈(미도시)가 설치될 수 있다.여기서, 상기 퍼지링부(400)는 공정챔버(100)와 절연부재를 통해 절연된 상태를 유지하도록 설치될 수 있다.
상기 기판지지부(300) 및 상기 퍼지링(410)은, 기판처리를 위한 공정 시 미리 설정된 공정위치에 위치될 수 있다.
상기 기판지지부(300) 및 상기 퍼지링(410)이 모두 승하강이동 가능하게 설치되는 바, 공정종류나 처리대상에 따라 공정위치가 가변되는 경우에도 기판지지부(300) 및 퍼지링(410)의 상하위치를 이동시킴으로써 다양한 공정위치에 대응할 수 있는 이점이 있다.
즉, 도 2의 경우, 퍼지링(410)은 상하이동 가능하게 설치되는 바, 기판지지부(300) 및 퍼지링(410)의 상대 상하이동에 따라 퍼지링(410)이 기판안착플레이트(310)의 측면 둘레에 위치될 수 있고, 퍼지링(410)의 상하위치 조절을 통해 공정이 수행되는 공정위치(P)가 가변될 수 있다.
상기 퍼지링(410)은, 기판지지부(300) 및 퍼지링(410)의 승하강운동에도 불구하고 상기 처리공간(S) 내에서 상기 기판지지부(300)와 접촉영역을 형성하지 않도록 유지될 수 있다.
상기 온도조절부(420)는, 상기 퍼지링(410)의 온도제어를 위하여 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 온도조절부(420)는, 기판지지부(300)에 구비되는 기판지지부히터(312)와 독립적으로 퍼지링(410)의 온도를 제어할 수 있다.
예로서, 상기 온도조절부(420)는, 기판지지부(300)에 구비되는 기판지지부히터(312)와 독립적으로 제어되는 퍼지링히터와, 퍼지링히터를 제어하기 위한 제어부를 포함할 수 있다.
이때, 상기 온도조절부(420)는, 퍼지링(410)의 온도를 직간접적으로 측정하기 위한 온도측정부를 추가로 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 퍼지링히터는, 전력선(422)을 통해 파워가 인가되는 열선을 포함할 수 있다.
상기 온도조절부(420)는, 열선을 통한 발열량을 조절함으로써 퍼지링(410)의 온도를 조절할 수 있다.
다른 일 실시예에서, 상기 퍼지링히터는, 상기 퍼지링(410)의 온도조절을 위한 열매체가 흐르도록 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 열매체유로를 포함할 수 있다.
상기 온도조절부(420)는, 쿨런트유로를 흐르는 열매체의 온도를 조절함으로써 퍼지링(410)의 온도를 조절할 수 있다.
한편, 상기 퍼지링히터는 퍼지링(410) 둘레 위치에 따라 균일하게 분포될 수 있다. 이를 통해, 퍼지링(410) 전체가 균일한 온도도 조절될 수 있다.
또는, 상기 퍼지링히터는 퍼지링(410)의 둘레 위치에 따라 편차를 가지로 분포될 수 있다. 이를 통해, 퍼지링(410) 둘레 위치에 따라 퍼지링(410)의 온도가 편차를 가지도록 조절될 수 있다.
그리고, 상기 퍼지링히터는, 퍼지링(410) 내부에 1개 구비되거나 또는 복수의 개수로 구비될 수 있다.
또한, 상기 온도조절부(420)는, 퍼지링(410) 둘레 위치에 따라 퍼지링(410)의 온도가 편차를 가지도록 상기 퍼지링(410)의 온도를 조절할 수 있다.
상술한 퍼지링(410)은, 처리공간(S) 내에서 기판지지부(300)와 직간접적으로 접촉되지 않고 별도의 온도조절부(420)를 통해 기판지지부(300)의 온도에 영향을 받지 않고 독립적으로 온도가 제어될 수 있다.
따라서, 퍼지링(410)에 콜드스팟(Cold Spot)이 형성됨으로써 공정부산물이나 공정소스가 흡착되어 퍼지링(410)이 쉽게 오염되는 것을 방지할 수 있고 퍼지링(410)에 의해 처리공간(S)에 파티클이 형성되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이를 통해, 기판처리장치의 PM주기를 극대화하여 장치의 생산성을 향상시킬 수 있는 이점 또한 존재한다.
또한, 본 발명은, 퍼지링(410)의 온도를 제어함으로써 퍼지링(410) 자체의 오염이나 파티클 이슈를 저감시킬 뿐만 아니라, 기판지지부(300) 상에 안착된 기판(10)의 가장자리(엣지)와 인접하게 위치됨으로써 간접적으로 기판(10)의 엣지의 온도를 보상하는 기능도 추가적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.
구체적으로, 공정에 따라 기판(10)에 대한 히팅이 필요한 경우가 있는데 기판(10)의 가장자리는 중앙부 보다 온도가 저하되어 기판온도의 균일도가 떨어지고 결과적으로 공정균일도가 저하되는 문제점이 있다.
퍼지링(410)은 공정 시 기판(10)의 가장자리와 인접하게 위치되므로 퍼지링(410)의 온도를 조절함으로써 간접적으로 기판(10) 가장자리의 온도 저하를 보상해줄 수 있고 결과적으로 기판(10) 전체 영역에 걸쳐 온도가 균일하게 유지될 수 있도록 할 수 있는 이점도 있다.
상기 퍼지가스공급부는, 상기 기판지지부(300)와 상기 퍼지링부(400) 사이 공간을 통해 상기 기판지지부(300) 상측으로 분사될 퍼지가스를 공급하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 퍼지가스공급부는, 공정위치에서 기판안착플레이트(310)와 퍼지링(410) 사이 공간을 통해 기판지지부(300) 상측으로 퍼지가스가 분사될 수 있도록 할 수 있다면 다양한 경로를 통해 퍼지가스를 공급할 수 있다.
예로서, 상기 퍼지가스공급부는, 기판지지샤프트(320) 내부의 빈 공간(M)에 구비되는 가스공급유로(800)를 포함할 수 있다.
가스공급유로(800)를 통해 유입된 퍼지가스는 기판안착플레이트(310)의 측면을 통해 분사될 수 있다.
다른 예로서, 상기 퍼지가스공급부는, 기판지지샤프트(320)가 관통하는 공정챔버(100) 하측 개구(114)를 통해 퍼지가스를 공급하고, 개구(144)를 통해 유입된 퍼지가스는 기판안착플레이트(310) 측면과 퍼지링(410) 사이 공간을 통해 기판안착플레이트(310) 상면을 향해 분사될 수 있다.
상기 퍼지링(410)과 기판안착플레이트(310) 사이 공간을 통해 퍼지가스가 분사됨으로써, 기판안착플레이트(310)에 안착된 기판(10) 저면에 기판처리가 되는 것을 방지하고 기판(10) 상면 전체에 걸쳐 균일한 기판처리가 가능해질 수 있다.
한편, 상술한 배기부(700)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 처리공간(S) 내의 가스가 측방을 향해 배기되도록 상기 퍼지링부(400)의 가장자리 둘레를 따라 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치에서, 기판지지부(300) 및 퍼지링(410)을 기준으로 공정챔버(100)의 상부영역은 기판처리가 이루어지는 공정영역으로 정의될 수 있다.
반면, 기판지지부(300), 퍼지링부(400), 공정챔버(100) 저면, 및 절연부재(600)로 둘러싸인 공정챔버(100)의 하부영역은 공정영역과 분리된 영역으로서 지판지지부(300)와 퍼지링(410) 사이 공간으로 퍼지가스가 공급되기 위한 퍼지가스 공급영역으로 구분될 수 있다.
이때, 상기 배기부(700)는 퍼지링(410)의 둘레를 따라 형성됨으로써 처리공간(S)의 가스가 공정챔버(100)의 측방을 향해 배기될 수 있도록 할 수 있다.
처리공간(S)에서 공정챔버(100)의 측방을 향해 흡인된 가스들을 최종적으로 한 곳에 모여 공정챔버(100)에 결합되는 배기관을 통해 외부로 배기될 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부
400: 퍼지링부

Claims (11)

  1. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와;
    상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 상기 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 가스분사부(200)와;
    상기 처리공간(S)에 설치되며 상면에 기판(10)이 안착되는 기판안착면을 구비하는 기판지지부(300)와;
    상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 위치되는 퍼지링부(400)와;
    상기 기판지지부(300)와 상기 퍼지링부(400) 사이 공간을 통해 상기 기판지지부(300) 상측으로 분사될 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부를 포함하며,
    상기 퍼지링부(400)는, 상기 기판지지부(300)의 측면 둘레를 따라 간격(D)을 두고 상기 공정챔버(100)에 설치되는 퍼지링(410)과, 상기 퍼지링(410)의 온도제어를 위하여 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 온도조절부(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 퍼지링(410)은, 상기 공정챔버(100)에 고정설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는, 상하이동 가능하게 설치되며, 기판처리를 위한 공정 시 상기 퍼지링(410)에 대응되는 영역에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 퍼지링(410)은, 상기 공정챔버(100)에 상하이동 가능하게 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는, 상하이동 가능하게 설치되며,
    상기 기판지지부(300) 및 상기 퍼지링(410)은, 기판처리를 위한 공정 시 미리 설정된 공정위치에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 퍼지링(410)은, 상기 처리공간(S) 내에서 상기 기판지지부(300)와 접촉영역을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 온도조절부(420)는, 상기 기판지지부(300)에 구비되는 기판지지부히터(312)와 독립적으로 제어되는 퍼지링히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 퍼지링히터는, 외부전원에 의해 파워가 인가되는 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 퍼지링히터는, 상기 퍼지링(410)의 온도조절을 위한 열매체가 흐르도록 상기 퍼지링(410) 내부에 구비되는 열매체유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 온도조절부(420)는, 상기 퍼지링(410) 둘레 위치에 따라 상기 퍼지링(410)의 온도가 편차를 가지도록 상기 퍼지링(410)의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 처리공간(S) 내의 가스가 측방을 향해 배기되도록 상기 퍼지링부(400)의 가장자리 둘레를 따라 설치되는 배기부(700)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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