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KR20210098798A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

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KR20210098798A
KR20210098798A KR1020200012793A KR20200012793A KR20210098798A KR 20210098798 A KR20210098798 A KR 20210098798A KR 1020200012793 A KR1020200012793 A KR 1020200012793A KR 20200012793 A KR20200012793 A KR 20200012793A KR 20210098798 A KR20210098798 A KR 20210098798A
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KR
South Korea
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gas
space
substrate
susceptor
electrode
Prior art date
Application number
KR1020200012793A
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English (en)
Inventor
이지훈
김종식
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
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Publication date
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Priority to JP2022547154A priority patent/JP2023512317A/ja
Priority to CN202180012314.1A priority patent/CN115135802A/zh
Priority to PCT/KR2021/001361 priority patent/WO2021157995A1/ko
Priority to TW110104012A priority patent/TW202132619A/zh
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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면, 챔버 내부가 제1 공간과 제2 공간으로 분리된 기판처리장치에서 제1 공간과 제2 공간에 각각 위치하는 기판에 공정가스를 순차적으로 분사함으로써 제1 공간과 제2 공간에 각각 위치하는 기판에 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{APPARATUS AND METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING}
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 챔버 내부가 제1 공간과 제2 공간으로 분리된 기판처리장치에서 제1 공간과 제2 공간에 각각 위치하는 기판에 공정가스를 순차적으로 분사함으로써 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자를 제조하기 위해서는 실리콘 웨이퍼에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝(patterning)하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 챔버의 내부에서 진행된다.
실리콘 웨이퍼에 소정의 박막을 형성하기 위한 박막증착장치로는 CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition) 등 여러 방식이 있으며, 반도체를 제조하기 위한 다양한 분야에서 응용되고 있다. 최근 들어 반도체 소자의 디자인 룰이 급격하게 미세해짐으로써 미세 패턴의 박막이 요구되었고, 이에 따라 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있는 원자층 증착(ALD : Atomic Layer Deposition) 방법의 사용이 증대되고 있다.
화학 기상 증착(CVD) 방법은 다수의 기체 분자들을 동시에 프로세스 챔버 내로 주입하여 기판의 상부에서 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것이지만, 이와 달리 원자층 증착(ALD) 방법은 하나의 기체 물질을 프로세스 챔버 내로 주입한 후 이를 퍼지하여 가열된 기판의 상부에 물리적으로 흡착된 기체만을 잔류시키고, 이후 다른 기체 물질을 주입함으로써 상기 기판의 상면에서만 발생되는 화학 반응 생성물을 증착한다.
이중에서 ALD 박막증착방법은 뛰어난 균일도를 갖는 나노 두께의 박막 증착이 가능하기 때문에 나노급 반도체 소자 제조의 필수적인 증착 기술로 주목받고 있다. 특히 ALD 박막증착장치는 박막의 두께를 수 옹스트롬 단위로 정밀하게 제어할 수 있다. 따라서 ALD 박막증착장치는 단차 피복성(step coverage)이 우수하여 복잡한 3차원 구조도 균일하게 증착 가능하고, 박막의 두께와 조성을 정밀하게 조절 가능하며, 대면적을 균일한 속도록 증착할 수 있는 장점이 있다.
종래의 원자층 증착(ALD) 방법이 적용된 기판처리장치는 기판을 지지하는 기판지지부, 및 상기 기판지지부의 상측에 배치되며 공정가스를 분사하는 가스분사부를 포함한다.
이때 가스분사부를 통해 기판지지부에 탑재된 기판의 상부에 소스가스를 분사한 후 퍼지가스를 분사하여 기판 상부를 퍼지시킨다. 이어서 기판의 상부에 반응가스를 분사한 후 퍼지가스를 분사하여 기판 상부를 다시 퍼지시키는 과정을 반복적으로 수행하여 기판의 상부에 균일한 박막을 형성한다.
그러나 종래의 원자층 증착 방법의 경우 챔버 내에서 하나의 기판에 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하여 박막을 증착함으로써 생산성이 떨어지는 문제가 있다.
한편, 복수 개의 기판을 처리하는 경우에도 제1 공간과 제2 공간에 위치하는 기판이 고정된 자리에서 박막 증착이 진행되는데, 챔버 내부의 구조적인 문제나 기판지지부 상에 형성된 히터 단자부 등의 영향으로 인해 제1 공간과 제2 공간에 위치하는 복수 개의 기판에 증착되는 박막의 균일도가 달라지게 되는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내부가 제1 공간과 제2 공간으로 분리된 기판처리장치에서, 서로 중첩되지 않는 제1 공간과 제2 공간에 각각 위치하는 제1 기판과 제2 기판에 공정가스를 분사하여 제1 공간과 제2 공간에서 독립적으로 박막을 형성할 수 있고, 소정의 두께의 박막을 형성한 후 복수 개의 기판이 지지된 서셉터를 소정의 각도로 회전시켜 제1 기판과 제2 기판의 위치를 변경시키고 다시 공정가스를 분사하여 소정의 두께의 박막을 형성하는 과정을 반복적으로 수행함으로써, 제1 공간과 제2 공간에서의 위치에 따른 영향을 최소화하여 균일한 두께의 박막을 형성할 수 있도록 한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되고, 상기 제1 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하고, 상기 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터; 상기 제1 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부; 및 상기 제2 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부; 를 포함하고, 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부는, 제1 가스를 분사하는 제1 가스분사유로; 및 상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 분사하는 제2 가스분사유로;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판처리방법은, 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되고, 상기 제1 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하고, 상기 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터; 상기 제1 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부; 및 상기 제2 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부;를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서, 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치하는 단계; 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 제1 박막형성단계; 상기 서셉터를 소정의 각도로 회전하여 상기 제1 기판을 상기 제2 분사부 하부로 이동시키고, 상기 제2 기판을 상기 제1 분사부 하부로 이동시키는 제1 서셉터회전단계; 및 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제2 기판과 상기 제1 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 교대로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 제2 박막형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버; 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되고, 상기 제1 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하고, 상기 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터; 상기 제1 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부; 및 상기 제2 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부;를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서, 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치하는 단계; 및 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 박막형성단계;를 포함하되, 상기 박막형성단계는 제1 가스분사유로를 통해 상기 소스가스를 분사하는 단계; 및 상기 제1 가스분사유로와 상이한 경로의 제2 가스분사유로를 통해 상기 반응가스를 분사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 의하면, 기판처리 공정을 세분화하여 제1 공간과 제2 공간에 배치된 기판의 상부에 각각 제1 가스와 제2 가스를 순차적으로 분사하여 소정의 두께의 박막을 형성한 후 서셉터를 회전시키고 다시 제1 공간과 제2 공간에 배치된 기판의 상부에 각각 제1 가스와 제2 가스를 순차적으로 분사하여 소정의 두께의 박막을 형성함으로써 제1 공간과 제2 공간에 위치하는 복수 개의 기판에 증착되는 박막의 균일도를 개선시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 챔버 내의 평면 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 도 1의 B-B 부분의 챔버 단면을 간략히 나타낸 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 C 부분의 부분 확대 단면도이다.
도 2c는 도 2a의 D 부분의 부분 확대 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 기판처리장치의 서셉터의 하부 평면구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법의 공정 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판처리방법의 공정 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 각 도면에 제시된 참조부호들 중 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 챔버 내의 평면 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 2a는 도 1의 B-B 부분의 챔버 단면을 간략히 나타낸 단면도이다. 도 2b는 도 2a의 C 부분의 부분 확대 단면도이고, 도 2c는 도 2a의 D 부분의 부분 확대 단면도이다.
이하에서 도 1 및 도 2a 내지 도 2c를 참조하여, 본 발명에 따른 기판처리장치에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 기판처리장치(1000)는 챔버(1100), 챔버 리드(1200), 서셉터(1300) 및 가스분사부(1400)를 구비한다.
챔버(1100)는 기판에 대하여 박막 증착 및 식각 등의 실제 공정이 진행되는 영역으로서, 챔버 리드(1200)와 결합하여 의해 폐쇄된 반응 공간을 형성할 수 있다. 이때 반응 공간은 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2) 및 상기 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)을 분리시키는 퍼지공간인 제3 공간(A3)을 포함할 수 있다.
서셉터(1300)는 상기 챔버(1100) 내부에서 상기 제1 공간(A1)과 상기 제2 공간(A2)에 걸쳐서 배치되고, 상기 제1 공간(A1)에서 적어도 하나 이상의 기판(W1)을 지지하고, 상기 제2 공간(A2)에서도 적어도 하나 이상의 기판(W2)을 지지한다. 또한 공정을 위하여 하부의 회전축(1310)을 중심으로 소정의 주기와 방향 및 각도로 수평의 시계 방향 또는 반시계 방향으로 회전할 수 있다.
서셉터(1300)는 복수의 기판(W1, W2)을 소정의 각도로 이격된 위치들에 로딩할 수 있다. 이때, 기판(W1, W2)이 로딩되는 위치들의 이격 간격은 후술되는 제1 분사부(1410), 제2 분사부(1420) 및 제3 분사부(1430)의 배치 간격을 고려하여 결정될 수 있다. 예시적으로, 기판(W1, W2)이 로딩되는 위치들의 이격 간격은 제1 분사부(1410), 제2 분사부(1420) 및 제3 분사부(1430)의 배치 간격과 동일하게 결정될 수 있다.
그리고, 제3 분사부(1430)는 서셉터(1300)의 회전 중심을 기준으로 서로 마주하도록 서셉터(1300)의 상부에 구성된다. 제3 분사부(1430)는 퍼지가스를 분사하여 챔버(110) 내부를 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)으로 분할하는 제3 공간(A3)을 형성한다.
한편, 챔버(1100) 내부의 제1 공간(A1)의 상부에는 상기 서셉터(1300)와 마주하며 상기 제1 공간(A1)에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부(1410)가 형성된다. 또한, 챔버(1100) 내부의 제2 공간(A2)의 상부에는 상기 서셉터(1300)와 마주하며 상기 제2 공간(A2)에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부(1420)가 형성된다.
제1 분사부(1410)는 상기 제1 공간(A1)으로 제1 가스를 분사하는 제1 가스분사유로(1410a) 및 상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 분사하는 제2 가스분사유로(1410b)를 포함한다. 제1 분사부(1410)는 제1 가스분사유로(1410a) 및 제2 가스분사유로(1410b)를 통해 상기 제1 공간(A1)으로 상기 제1 가스와 상기 제2 가스를 교대로 분사하여 상기 제1 공간(A1)에 위치하는 기판에 박막을 형성한다. 이때 상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
제1 가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 비활성의 제1 가스를 활성화하여 다량의 라디칼과 이온을 생성할 수 있으므로 저온에서도 제1 가스의 분해가 가능하며, 제1 가스 자체에 포함되어 있는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다. 한편, 제2 가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 박막의 밀도를 개선하여 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 플라즈마는 전극 구조에 따라 다이렉트 플라즈마로 구현하거나 제1 가스가 머무르는 공간에 RF를 인가하여 발생된 리모트 플라즈마(Remote Plasma)로 구현할 수도 있다.
상기 제1 분사부(1410)는 제1 가스 분사 후에 또는 제2 가스 분사 후에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제1 분사부(1410)는 상기 제1 가스와 제2 가스가 분사되는 사이에 제1 퍼지가스를 분사하고, 상기 제2 가스와 제1 가스가 분사되는 사이에 제2 퍼지가스를 분사한다. 이때, 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상의 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다. 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 박막에 형성된 패턴의 상부, 하부 및 측벽의 증착을 선택적으로 할 수 있는 장점이 있다. 또한 퍼지가스를 플라즈마 처리하여 박막에 분사하는 경우 박막 표면에 포함된 수소를 제거하여 박막 표면을 개질시킴으로써 높은 선택성을 갖는 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
상기 제1 분사부(1410)는 상기 제1 가스, 제2 가스, 제1 퍼지가스 또는 상기 제2 퍼지가스를 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극(1411)을 포함할 수 있다.
상기 전극(1411)은 복수개의 돌출전극(1411a1)이 형성된 제1 전극(1411a)과, 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성되고 상기 개구에 상기 돌출전극이 삽입되는 제2 전극(1411b)을 포함할 수 있다.
상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극(1411b)의 개구의 내면 사이에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제1 전극(1411a) 또는 상기 제2 전극(1411b) 중 적어도 어느 하나에는 RF전원공급부(1413a, 1413b)에 의해 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 제1 가스는 상기 돌출전극으로 연장된 상기 제1 가스분사유로(1410a)를 통해서 분사되고, 상기 제2 가스는 상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극의 개구 내면 사이의 제2 가스분사유로(1410b)를 통해서 분사된다.
제2 분사부(1420)는 상기 제2 공간(A2)으로 제1 가스를 분사하는 제1 가스분사유로 및 상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 분사하는 제2 가스분사유로를 포함한다. 제2 분사부(1420)는 제1 가스분사유로 및 제2 가스분사유로를 통해 상기 제2 공간(A2)으로 상기 제1 가스와 상기 제2 가스를 교대로 분사하여 상기 제2 공간(A2)에 위치하는 기판에 박막을 형성한다. 이때 상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다. 상기 제2 분사부(1420)의 세부 구성은 상기 제1 분사부(1410)의 세부 구성과 동일하다.
상기 제2 분사부(1420)는 제1 가스 분사 후에 또는 제2 가스 분사 후에 퍼지가스를 분사할 수 있다. 상기 제2 분사부(1420)는 상기 제1 가스와 제2 가스가 분사되는 사이에 제1 퍼지가스를 분사하고, 상기 제2 가스와 제1 가스가 분사되는 사이에 제2 퍼지가스를 분사한다. 이때, 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상의 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
상기 제2 분사부(1420)는 상기 제1 가스, 제2 가스, 제1 퍼지가스 또는 상기 제2 퍼지가스를 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극을 포함할 수 있다.
상기 전극은 복수개의 돌출전극이 형성된 제1 전극과, 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성되고 상기 개구에 상기 돌출전극이 삽입되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극의 개구의 내면 사이에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 중 적어도 어느 하나에 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 제1 가스는 상기 돌출전극으로 연장된 상기 제1 가스분사유로를 통해서 분사되고, 상기 제2 가스는 상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극의 개구 내면 사이의 제2 가스분사유로를 통해서 분사된다.
본 발명에서 상기 제1 가스는 소스가스이고, 상기 제2 가스는 반응가스인 것으로 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 제1 가스는 반응가스이고, 상기 제2 가스가 소스가스일 수도 있다.
상기 제1 분사부(1410) 및 제2 분사부(1420)에서 상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스를 분사할 때, 상기 서셉터(130)는 정지될 수 있다.
한편, 챔버(1100)는 상기 제1 공간(A1)과 상기 제2 공간(A2)의 사이에 제3 공간(A3)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 공간(A3)에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부(1430)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제3 퍼지가스는 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
제3 분사부(1430)는 상기 제3 퍼지가스를 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극(1431)을 포함할 수 있다.
상기 전극(1431)은 복수개의 돌출전극(1431a1)이 형성된 제3 전극(1431a)과, 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성되고 상기 개구에 상기 돌출전극이 삽입되는 제4 전극(1431b)을 포함할 수 있다.
상기 돌출전극의 측면과 상기 제4 전극(1431b)의 개구의 내면 사이에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제3 전극(1431a) 또는 상기 제4 전극(1431b) 중 적어도 어느 하나에는 RF전원공급부(1433a, 1433b)에 의해 RF전원이 인가될 수 있다.
한편, 상기 제1 분사부(1410) 및 상기 2 분사부(1420)를 통해 상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 할 수 있다. 이와 같이 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 경우 증착된 박막의 전기적 및 광학적 특성을 개선하고 소수성 또는 친수성의 표면 개질 특성을 개선시킬 수 있으며 이를 통해 전체적으로 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 기판처리장치의 서셉터 내부의 히터 배치 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3a는 본 발명에 따른 기판처리장치의 서셉터 내부의 히터 배치 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 3b는 본 발명에 따른 기판처리장치의 서셉터를 180도 회전시킨 후의 도면이다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 기판처리장치(1000)는 서셉터(1300)의 하부에 기판을 가열시키기 위한 히터(1500)를 더 포함할 수 있다. 히터(1500)는 가늘고 긴 관상의 와이어로 이루어지는 다수의 히터 부재(1510 내지 1550)를 포함할 수 있다. 다수의 히터 부재(1510 내지 1550)는 동심원 형태의 패턴을 형성하며, 외부 전원(미도시)에 연결되는 복수 개의 전원단자부(1510a 내지 1550a)를 구비할 수 있다.
일반적으로 히터는 히터 부재 및 전원단자부가 제1 공간과 제2 공간에서 동심원의 형태로 좌우 대칭으로 배열될 수 있다. 그러나, 이와 같이 히터 부재 및 전원단자부가 제1 공간과 제2 공간에서 좌우 대칭으로 형성되면, 제1 공간에 위치하였던 기판들이 서셉터의 회전에 의해 제2 공간에 위치하게 된 경우에도 동일한 영역에 전원단자부가 배치될 수 있고, 이로 인해 제1 공간과 제2 공간에 위치하는 복수 개의 기판에 증착되는 박막의 균일도가 달라질 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 경우 다수의 히터 부재(151 내지 155) 및 전원단자부(1510a 내지 1550a)가 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)에서 좌우 비대칭적으로 배열될 수 있다. 또는, 제1 공간 상에 배치된 히터 부재의 패턴과 상기 제2 공간 상에 배치된 히터 부재의 패턴이 상이할 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 공간에 위치하는 기판의 온도 분포와 서셉터의 회전에 의해 제1 공간에 위치하는 기판이 상기 제2 공간에 위치할 때의 기판의 온도 분포는 다를 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하면, 기판이 제1 공간에 위치할 때와 제2 공간에 위치할 때의 히터 부재와 전원단자부의 배치가 비대칭적이거나 히터 부재의 패턴이 상이하므로, 기판의 증착되는 박막의 균일도가 불균일해지는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법의 공정 흐름도이다.
도 4를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 제1 공간과 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제1 분사부 및 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제2 분사부를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서, , 기판 배치 단계(S410), 제1 박막형성단계(S420), 제1 서셉터 회전 단계(S430) 및 제2 박막형성단계(S440)를 포함한다.
상기 기판 배치 단계(S410)에서는 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되는 상기 서셉터와 마주하며, 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부의 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치한다.
상기 제1 박막형성단계(S420)에서는 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하여 미리 설정된 두께의 박막을 형성한다.
제1 서셉터 회전 단계(S430)에서는 상기 서셉터를 소정의 각도로 회전하여 상기 제1 기판을 상기 제2 분사부 하부로 이동시키고, 상기 제2 기판을 상기 제1 분사부 하부로 이동시킨다.
이어서 제2 박막형성단계(S440)에서는 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제2 기판과 상기 제1 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 교대로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하여 미리 설정된 두께의 박막을 형성한다.
상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서 상기 소스가스와 상기 반응가스를 교대로 분사하여 박막을 형성할 때, 상기 소스가스 또는 상기 반응가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
소스가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 비활성의 소스가스를 활성화하여 다량의 라디칼과 이온을 생성할 수 있으므로 저온에서도 소스가스의 분해가 가능하며, 소스가스 자체에 포함되어 있는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 장점이 있다. 한편, 반응가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 박막의 밀도를 개선하여 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 플라즈마는 전극 구조에 따라 다이렉트 플라즈마로 구현하거나 소스가스가 머무르는 공간에 RF를 인가하여 발생된 리모트 플라즈마(Remote Plasma)로 구현할 수도 있다.
상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서 상기 소스가스 또는 상기 반응가스를 분사할 때 상기 서셉터는 정지될 수 있다.
한편, 상기 제2 박막형성단계(S440) 이후, 상기 서셉터를 소정의 각도로 회전하여 상기 제1 기판을 상기 제1 분사부 하부로 이동시키고, 상기 제2 기판을 상기 제2 분사부 하부로 이동시키는 제2 서셉터 회전 단계(S450)를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은, 제1 박막형성단계(S420), 제1 서셉터 회전 단계(S430), 제2 박막형성단계(S440) 및 제2 서셉터 회전 단계(S450)를 교대로 반복하여 미리 설정된 두께의 박막을 형성한다. 이후 원하는 두께의 박막이 형성되었는지 확인(S460)한 후 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 상기 제1 박막형성단계(S420), 제1 서셉터 회전 단계(S430), 제2 박막형성단계(S440) 및 제2 서셉터 회전 단계(S450)를 반복한다.
상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서 상기 소스가스 또는 상기 반응가스를 분사할 때 상기 서셉터는 정지될 수 있다.
상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서는 상기 소스가스와 상기 반응가스가 분사되는 사이 또는 상기 반응가스와 상기 소스가스가 분사되는 사이에 퍼지가스를 분사할 수 있다.
상기 퍼지가스는 상기 소스가스와 상기 반응가스가 분사되는 사이에 분사되는 제1 퍼지가스와 상기 반응가스와 상기 소스가스가 분사되는 사이에 분사되는 제2 퍼지가스를 포함할 수 있다. 이때, 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상의 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다. 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스를 플라즈마 처리하여 분사하는 경우 박막에 형성된 패턴의 상부, 하부 및 측벽의 증착을 선택적으로 할 수 있는 장점이 있다. 또한 퍼지가스를 플라즈마 처리하여 박막에 분사하는 경우 박막 표면에 포함된 수소를 제거하여 박막 표면을 개질시킴으로써 높은 선택성을 갖는 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상의 퍼지가스 외에 상기 소스가스 또는 상기 반응가스도 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
한편, 기판처리장치의 챔버(1100)는 상기 제1 공간(A1)과 상기 제2 공간(A2)의 사이에 제3 공간(A3)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 공간(A3)에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부(1430)를 포함할 수 있다. 제3 분사부(1430)는 상기 제1 서셉터 회전 단계(S430)와 제2 서셉터 회전 단계(S450)에서 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하며, 이때, 상기 제3 퍼지가스는 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다. 이후, 상기 기판에 형성된 박막에 대해여 플라즈마 처리를 수행할 수 있다.
한편, 제3 분사부(1430)는 상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서 상기 소스가스 또는 상기 반응가스가 분사될 때, 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사할 수 있으며, 이후 상기 기판에 형성된 박막에 대해여 플라즈마 처리를 수행할 수 있다.
제3 분사부(1430)는 상기 제1 박막형성단계(S420)와 상기 제2 박막형성단계(S440)에서 상기 소스가스 또는 상기 반응가스가 분사될 때, 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사할 수 있으며, 이때, 상기 제3 퍼지가스는 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법에 의하면 기판에 형성된 박막에 대해여 플라즈마 처리를 수행할 수 있다. 이와 같이 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 경우 증착된 박막의 전기적 및 광학적 특성을 개선하고 소수성 또는 친수성의 표면 개질 특성을 개선시킬 수 있으며 이를 통해 전체적으로 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 기판처리방법의 공정 흐름도이다.
도 5를 참고하면, 본 발명에 따른 기판처리방법은, 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 제1 공간과 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제1 분사부 및 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제2 분사부를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서, , 기판 배치 단계(S510) 및 박막형성단계(S520)를 포함한다.
상기 기판 배치 단계(S510)에서는 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되는 상기 서셉터와 마주하며, 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부의 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치한다.
상기 박막형성단계(S520)에서는 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하여 미리 설정된 두께의 박막을 형성한다.
이때 상기 박막형성단계(S520)는, 제1 가스분사유로를 통해 상기 소스가스를 분사하는 단계 및 상기 제1 가스분사유로와 상이한 경로의 제2 가스분사유로를 통해 상기 반응가스를 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 소스가스를 분사하는 단계에서는, 제1 전극의 돌출전극에 형성된 상기 제1 가스분사유로를 통해 상기 소스가스를 분사할 수 있다. 상기 반응가스를 분사하는 단계에서는, 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성된 제2 전극의 개구 내면과 상기 돌출전극의 측면 사이에서 제2 가스분사유로를 통해 상기 반응가스를 분사할 수 있다.
상기 챔버(1100) 내부의 공간이 제3 공간(A3)을 경계로 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)의 두 개의 공간으로 분리된 경우, 상기 제1 서셉터 회전 단계(S430)에서는 상기 서셉터(1300)를 180도 회전시키는 것이 바람직하다. 그러나 상기 서셉터의 회전 각도는 분리된 공간의 개수 및 공정 조건에 따라 90도, 180도 및 270도 등으로 다양하게 구현될 수 있다.
이와 같이 제1 기판(W1)에는 제1 박막과 제2 박막이 순차적으로 형성되며, 제2 기판(W2)에는 제2 박막과 제1 박막이 순차적으로 형성된다. 이를 통해 복수의 기판에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.
상기 제1 서셉터 회전 단계(S430)와 제2 서셉터 회전 단계(S450)에서 상기 서셉터를 동일한 방향으로만 회전시키는 경우에는 퍼지가스 분사부에 인접한 기판과 그렇지 아니한 기판 사이에서 서셉터 회전시 퍼지가스 분사부에 노출되는 시간에 차이가 발생하게 된다.
즉, 서셉터의 회전 방향이 일방향으로 고정되어 있으면 서셉터의 회전 방향을 기준으로 하여 퍼지가스 분사부에 인접한 기판은 그렇지 아니한 기판에 비해 항상 퍼지가스 분사부를 일찍 통과하게 된다. 따라서, 서셉터의 회전 방향을 기준으로 하여 퍼지가스 분사부에 인접하지 아니한 기판은 퍼지가스 분사부에 인접한 기판에 비해 퍼지가스가 분사되는 퍼지영역을 통과하기 전에 박막이 형성되는 제1 공간 또는 제2 공간에 노출되어 있는 시간이 길어지게 되고, 이러한 이유로 인해 복수의 기판에 증착되는 박막의 균일도가 저하될 수 있다.
따라서, 상기 제1 서셉터 회전 단계(S430)에서 서셉터를 일 방향으로 회전시킨 경우, 상기 제2 서셉터 회전 단계(S450)에서는 상기 서셉터를 다른 일 방향으로 교번적으로 회전시키는 것이 바람직하다. 한편, 상기 복수의 기판에 소정의 횟수(N회) 만큼 박막을 형성한다고 할 때, 상기 서셉터를 일 방향으로 N/2회 회전시키고, 다른 일 방향으로 N/2회 회전시킴으로써 복수의 기판에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.
일반적으로, 챔버 내부의 반응공간은 비대칭적으로 형성되어 있으며, 앞서 살펴본 바와 같이 서셉터의 하부에는 기판을 가열하기 위한 히터가 동심원의 형태로 배열되어 있고, 군데 군데 전원단자가 형성되어 있다.
이와 같이 챔버 내부의 구조적인 문제나 서셉터의 하부에 형성된 히터의 전원단자 등의 영향으로 인해 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)에 위치하는 기판에 증착되는 박막의 균일도가 달라지게 된다.
이에 본 발명에서는 챔버 내부의 구조적인 문제나 전원단자로 인한 영향이 최소화되도록 하여 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)에 위치하는 기판에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있도록 하고 있다.
살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 기판처리방법에 의하면, 제1 공간(A1)과 제2 공간(A2)에 위치하는 기판(W1, W2)에 소정의 두께의 제1 박막과 제2 박막을 각각 형성함으로써 제1 기판(W1)과 제2 기판(W2)에 증착되는 박막의 균일도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
본 발명은 도면들에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이들로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (39)

  1. 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버;
    상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되고, 상기 제1 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하고, 상기 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터;
    상기 제1 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부; 및
    상기 제2 공간에서 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부; 를 포함하고,
    상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부는,
    제1 가스를 분사하는 제1 가스분사유로; 및
    상기 제1 가스와 상이한 제2 가스를 분사하는 제2 가스분사유로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 분사부 또는 상기 제2 분사부 중 적어도 하나 이상의 분사부는 상기 제1 공간 또는 상기 제2 공간으로 상기 제1 가스와 상기 제2 가스를 교대로 분사하여 상기 기판에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스를 분사할 때, 상기 서셉터는 정지되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 가스분사유로 또는 상기 제2 가스분사유로 중 어느 하나를 통해서, 상기 제1 가스 분사 후 또는 상기 제2 가스 분사 후에 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 가스는 반응가스인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제4 항에 있어서, 상기 퍼지가스는
    상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 분사되는 사이에 분사되는 제1 퍼지가스; 및
    상기 제2 가스와 상기 제1 가스가 분사되는 사이에 분사되는 제2 퍼지가스;를 포함하고,
    상기 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상은 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 분사부 또는 상기 제2 분사부는
    상기 제1 가스 또는 상기 제2 가스를 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 분사부 또는 상기 제2 분사부는
    상기 제1 퍼지가스 또는 상기 제2 퍼지가스를 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 분사부 또는 상기 제2 분사부는
    상기 제1 퍼지가스 또는 상기 제2 퍼지가스를 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제9 항 내지 제11 항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 전극은
    복수개의 돌출전극이 형성된 제1 전극과 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성되고 상기 개구에 상기 돌출전극이 삽입되는 제2 전극을 포함하고,
    상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극의 개구 내면 사이에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 하나에 RF 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 가스는 상기 돌출전극으로 연장된 상기 제1 가스분사유로를 통해서 분사되고,
    상기 제2 가스는 상기 돌출전극의 측면과 상기 제2 전극의 개구 내면 사이를 통과하여 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제2 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이에 제3 공간을 더 포함하고,
    상기 제3 공간에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제3 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 제3 분사부는
    상기 제3 퍼지가스를 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 전극은 돌출전극이 형성된 제3 전극과 상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성되고 상기 개구에 상기 돌출전극이 삽입되는 제4 전극을 포함하며,
    상기 돌출전극의 측면과 상기 제4 전극의 개구 내면 사이에서 플라즈마를 발생시키도록 상기 제3 전극 또는 제4 전극 중 적어도 하나에 RF 전원이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제2 항, 제5 항, 제7 항, 제8 항, 제14 항 및 제15 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제1 항에 있어서,
    상기 서셉터의 하부에, 소정의 패턴으로 형성된 히터 부재 및 전원단자부를 구비한 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 공간에 형성된 상기 전원단자부와 상기 제2 공간에 형성된 상기 전원단자부는 비대칭적으로 배치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  21. 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 제1 공간과 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제1 분사부 및 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제2 분사부를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되는 상기 서셉터와 마주하며, 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부의 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치하는 기판 배치 단계;
    상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 제1 박막형성단계;
    상기 서셉터를 소정의 각도로 회전하여 상기 제1 기판을 상기 제2 분사부 하부로 이동시키고, 상기 제2 기판을 상기 제1 분사부 하부로 이동시키는 제1 서셉터회전단계; 및
    상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제2 기판과 상기 제1 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 교대로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 제2 박막형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 분사부의 반응가스 또는 상기 제2 분사부의 반응가스 중 적어도 하나의 반응가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 소스가스 또는 상기 반응가스를 분사할 때, 상기 서셉터는 정지되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  24. 제21 항에 있어서, 상기 제2 박막형성단계 후에
    상기 서셉터를 소정의 각도로 회전하여 상기 제1 기판을 상기 제1 분사부 하부로 이동시키고, 상기 제2 기판을 상기 제2 분사부 하부로 이동시키는 제2 서셉터회전단계를 더 포함하고,
    상기 제1 박막형성단계, 상기 제1 서셉터회전단계, 상기 제2 박막형성단계 및 상기 제2 서셉터회전단계를 설정된 두께의 박막이 형성될 때까지 교대로 반복하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  25. 제21 항에 있어서,
    상기 소스가스와 반응가스가 분사되는 사이 또는 상기 반응가스와 소스가스가 분사되는 사이에 퍼지가스를 더 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  26. 제25 항에 있어서,
    상기 퍼지가스는 상기 소스가스와 상기 반응가스가 분사되는 사이에 분사되는 제1 퍼지가스; 및
    상기 반응가스와 상기 소스가스가 분사되는 사이에 분사되는 제2 퍼지가스;를 포함하고,
    상기 제1 퍼지가스와 제2 퍼지가스 중 적어도 하나 이상은 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  27. 제26 항에 있어서,
    상기 소스가스 또는 상기 반응가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  28. 제21 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이에 제3 공간을 더 포함하고, 상기 제3 공간에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부를 포함하고,
    상기 제1 서셉터회전단계에서 상기 제3 분사부에서 상기 서셉터를 향해 상기 제3 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  29. 제24 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이에 제3 공간을 더 포함하고, 상기 제3 공간에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부를 포함하고,
    상기 제1 서셉터회전단계 또는 상기 제2 서셉터회전단계에서 상기 제3 분사부에서 상기 서셉터를 향해 상기 제3 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  30. 제28 항 또는 제29 항에 있어서,
    상기 제3 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  31. 제21 항, 제22 항, 제26 항, 제27 항, 제28 항 및 제29 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  32. 제30 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  33. 제25 항 또는 제26 항에 있어서,
    상기 챔버는 상기 제1 공간과 상기 제2 공간 사이에 제3 공간을 더 포함하고,
    상기 제3 공간에는 상기 서셉터를 향하여 제3 퍼지가스를 분사하는 제3 분사부를 포함하고,
    상기 소스가스 또는 상기 반응가스가 분사될 때,
    상기 제3 분사부에서 상기 서셉터를 향해 제3 퍼지가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  34. 제33 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  35. 제33 항에 있어서,
    상기 제3 퍼지가스는 상기 기판을 향해서 플라즈마 상태로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  36. 제35 항에 있어서,
    상기 기판에 형성된 박막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  37. 제1 공간과 상기 제1 공간과 중첩되지 않는 제2 공간을 내부에 포함하는 챔버와, 상기 제1 공간과 제2 공간에서 적어도 하나 이상의 기판을 지지하는 회전 가능한 서셉터와, 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제1 분사부 및 상기 서셉터와 마주하며 상기 제1 공간에 가스를 분사하는 제2 분사부를 포함하는 기판처리장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되는 상기 서셉터와 마주하며, 상기 제1 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제1 분사부와, 상기 챔버 내부에서 상기 제1 공간과 상기 제2 공간에 걸쳐서 배치되는 상기 서셉터와 마주하며 상기 제2 공간에 적어도 둘 이상의 서로 다른 가스를 분사하는 제2 분사부의 하부에 각각 적어도 하나 이상의 제1 기판과 제2 기판을 배치하는 기판 배치 단계; 및
    상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부에서 각각 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 향해 소스가스와 반응가스를 순차적으로 분사하고, 적어도 1회 이상 이를 반복하는 박막형성단계;를 포함하되,
    상기 박막형성단계는
    제1 가스분사유로를 통해 상기 소스가스를 분사하는 단계; 및
    상기 제1 가스분사유로와 상이한 경로의 제2 가스분사유로를 통해 상기 반응가스를 분사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  38. 제37 항에 있어서, 상기 소스가스를 분사하는 단계는,
    제1 전극의 돌출전극에 형성된 상기 제1 가스분사유로를 통해 상기 소스가스를 분사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  39. 제38 항에 있어서, 상기 반응가스를 분사하는 단계는,
    상기 돌출전극에 대응되는 위치에 개구가 형성된 제2 전극의 개구 내면과 상기 돌출전극의 측면 사이에서 제2 가스분사유로를 통해 상기 반응가스를 분사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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