KR20210065154A

KR20210065154A - Method and apparatus for controlling the temperature of a semiconductor wafer

Info

Publication number: KR20210065154A
Application number: KR1020217012233A
Authority: KR
Inventors: 그레고르 엘리어트; 에릭 토니스; 폴 해리슨; 마크 베리
Original assignee: 메트릭스 리미티드
Priority date: 2018-09-28
Filing date: 2019-09-18
Publication date: 2021-06-03
Also published as: EP3857188A1; JP2022501823A; GB201815815D0; KR20240148937A; TW202027196A; SG11202102550VA; JP7512260B2; WO2020064470A1; US20220034708A1; CN112771354A; EP3857188B1; CN112771354B

Abstract

반도체 웨이퍼 질량 계측 방법은: 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하고, 그리고 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 검출된 정보에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어함으로써 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계로서, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것을 포함하는, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계; 및 후속하여 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역 상으로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함한다.A semiconductor wafer mass measurement method comprising: controlling a temperature of a semiconductor wafer by detecting information about the temperature of the semiconductor wafer, and controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the detected information about the temperature of the semiconductor wafer; controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer includes controlling a duration of cooling or heating of the semiconductor wafer; and subsequently loading the semiconductor wafer onto the measurement area of the semiconductor wafer mass measurement device.

Description

Method and apparatus for controlling the temperature of a semiconductor wafer

본 발명은 일반적으로 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 방법 및 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates generally to a method for controlling the temperature of a semiconductor wafer and an apparatus for controlling the temperature of a semiconductor wafer.

본 발명은 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치 및 반도체 웨이퍼 질량 계측 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor wafer mass measurement apparatus and a semiconductor wafer mass measurement method.

마이크로전자 디바이스들은, 증착 기법들 (CVD, PECVD, PVD, 등) 및 제거 기법들 (예를 들어, 화학적 에칭, CMP, 등) 을 포함하는 다양한 기법들을 사용하여 반도체 웨이퍼들 상에서 제조된다. 반도체 웨이퍼들은 또한, 예를 들어, 세정, 이온 주입, 리소그래피 등에 의해, 이들의 질량을 변경하는 방식들로 처리될 수도 있다.Microelectronic devices are fabricated on semiconductor wafers using a variety of techniques including deposition techniques (CVD, PECVD, PVD, etc.) and removal techniques (eg, chemical etching, CMP, etc.). Semiconductor wafers may also be processed in ways that change their mass, for example, by cleaning, ion implantation, lithography, and the like.

프로세싱 단계의 양쪽에서 웨이퍼의 질량의 변화를 측정하는 것은 생산 웨이퍼 계측을 구현하기 위한 매력적인 방법이다. 이는 상대적으로 저비용, 고속이고 상이한 웨이퍼 회로 패턴들을 자동으로 수용할 수 있다. 이에 더하여, 이는 대안적인 기법들보다 높은 정확도의 결과들을 종종 제공할 수 있다. 예를 들어, 많은 통상적인 재료들에 따라, 재료 층들의 두께는 원자 스케일까지 분해될 수 있다. 문제의 웨이퍼는 관심 있는 프로세싱 단계 전 후에 무게가 측정된다. 질량의 변화는 웨이퍼의 생산 장비 및/또는 목표된 속성들의 성능에 상관된다.Measuring the change in the mass of the wafer at either side of the processing step is an attractive method for implementing production wafer metrology. It is relatively low cost, high speed and can automatically accommodate different wafer circuit patterns. In addition, it can often provide results with higher accuracy than alternative techniques. For example, according to many conventional materials, the thickness of the material layers can be resolved down to the atomic scale. The wafer in question is weighed before and after the processing step of interest. The change in mass correlates to the performance of the wafer's production equipment and/or targeted properties.

반도체 웨이퍼들 상에서 수행된 프로세싱 단계들은 반도체 웨이퍼의 질량의 매우 작은 변화들을 유발할 수 있고, 이는 고정확도로 측정하는데 바람직할 수도 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 소량의 재료를 제거하는 단계는 수 ㎎만큼 반도체 웨이퍼의 질량을 감소시킬 수도 있고, 대략 ±100 ㎍ 이상의 분해능의 이 변화를 측정하는데 바람직할 수도 있다. Processing steps performed on semiconductor wafers can cause very small changes in the mass of the semiconductor wafer, which may be desirable to measure with high accuracy. For example, removing a small amount of material from the surface of a semiconductor wafer may reduce the mass of the semiconductor wafer by several milligrams, and may be desirable to measure this change in resolution of approximately ±100 μg or greater.

이 고레벨들의 측정 정확도로, 측정된 반도체 웨이퍼들의 온도 변동에 의해 유발된 측정값 출력 또는 측정 저울의 온도의 에러들은 상당해질 수도 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼와 측정 저울 또는 인클로저 사이의 대략 0.005 ℃의 온도 차는 반도체 웨이퍼의 결정된 질량의 대략 5 ㎍의 에러를 유발할 수도 있다. 예를 들어, 측정 장치를 사용하여 측정될 반도체 웨이퍼들로부터 열 부하에 의해 유발된, 측정 장치 (즉, 온도 불균일) 의 상이한 부품 사이의 온도의 변동들은 측정값 출력의 에러들을 유발할 것이다. 이에 더하여, 반도체 웨이퍼들이 측정 장치의 측정 인클로저보다 고온을 가지면, 기류 (예를 들어, 대류 전류) 가 측정 인클로저의 공기에 생성될 수도 있고, 이는 측정값 출력에 영향을 줄 수도 있다. 이에 더하여, 측정 인클로저 내 공기는 가열될 수도 있어서, 밀도 및 압력을 변화시키고, 따라서 공기에 의해 반도체 웨이퍼에 부력 (buoyancy force) 을 가한다. 이는 또한 측정값 출력에 영향을 줄 수도 있다. 이들 효과들의 크기들은 일반적으로 중요하지 않게 여겨지고, 보다 낮은 정확도 질량 측정값들, 예를 들어 대략 ㎜ 분해능으로 수행된 측정값들에서 무시된다 (또는 검출되지 않는다). With these high levels of measurement accuracy, errors in the measured value output or the temperature of the measuring scale caused by temperature fluctuations of the measured semiconductor wafers may be significant. For example, a temperature difference of approximately 0.005° C. between the semiconductor wafer and the measuring scale or enclosure may cause an error of approximately 5 μg in the determined mass of the semiconductor wafer. For example, variations in temperature between different parts of the measuring device (ie, temperature non-uniformity), caused by a thermal load from semiconductor wafers to be measured using the measuring device, will cause errors in the measured value output. In addition, if the semiconductor wafers have a higher temperature than the measurement enclosure of the measurement device, an airflow (eg, convective current) may be generated in the air of the measurement enclosure, which may affect the measurement value output. In addition, the air in the measurement enclosure may be heated, changing its density and pressure, thus exerting a buoyancy force on the semiconductor wafer by the air. This may also affect the measured value output. The magnitudes of these effects are generally considered insignificant and are neglected (or not detected) in lower accuracy mass measurements, for example measurements performed with approximately millimeter resolution.

반도체 웨이퍼의 온도는 생산 라인에서 프로세싱된 직후 400 내지 500 ℃ 이상일 수도 있다. 프로세싱 후 반도체 웨이퍼는 생산 라인의 상이한 프로세싱 위치들 사이의 이송을 위해 다른 최근 프로세싱된 반도체 웨이퍼들 (예를 들어, 총 25) 과 함께 FOUP (Front Opening Unified Pod) 내로 로딩될 수도 있다. FOUP가 반도체 웨이퍼들의 무게를 측정하기 위한 계량 디바이스 (weighing device) 에 도착할 때, 반도체 웨이퍼들의 온도는 여전히 높을, 예를 들어 70 ℃ 이상일 수도 있다. 반대로, 계량 디바이스의 온도는 대략 20 ℃일 수도 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼들과 계량 디바이스 사이에 상당한 온도 차가 있을 수도 있다. 논의된 바와 같이, 반도체 웨이퍼와 계량 디바이스 사이의 상당한 온도 차가 중량 측정값들의 에러들을 유발할 수도 있다. 고 정확도 중량 측정값들에 대해, 매우 작은 온도 차들 (예를 들어, 1 ℃ 미만, 예를 들어 0.001 ℃) 에 의해 유발된 에러들마저 상당할 수도 있다. The temperature of the semiconductor wafer may be 400 to 500° C. or higher immediately after being processed on the production line. After processing the semiconductor wafer may be loaded into a Front Opening Unified Pod (FOUP) along with other recently processed semiconductor wafers (eg, a total of 25) for transfer between different processing locations on the production line. When the FOUP arrives at a weighing device for weighing the semiconductor wafers, the temperature of the semiconductor wafers may still be high, eg 70° C. or higher. Conversely, the temperature of the metering device may be approximately 20°C. Accordingly, there may be a significant temperature difference between the semiconductor wafers and the metering device. As discussed, a significant temperature difference between the semiconductor wafer and the weighing device may cause errors in the weight measurements. For high accuracy gravimetric measurements, even errors caused by very small temperature differences (eg, less than 1 °C, eg 0.001 °C) may be significant.

WO02/03449는 측정 저울 또는 측정될 반도체 웨이퍼들의 온도 변동들에 의해 유발된 측정값 출력들의 에러들을 감소시킬 것을 목표로 하는 반도체 웨이퍼 질량 계측 방법을 기술한다. WO02/03449에 기술된 방법에서 반도체 웨이퍼가 FOUP (Front Opening Unified Pod) 로부터 제거되고 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역에 배치되기 전 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 챔버에 열적으로 커플링되는 수동 (passive) 열 전달 플레이트 상에 배치된다. 수동 열 전달 플레이트는 ±0.1 ℃ 이내로 챔버의 온도로 반도체 웨이퍼의 온도를 등가화한다. 이 온도 등가화는 반도체 웨이퍼가 측정 챔버 내로 로딩될 때 논의된 잠재적 에러들을 감소시킬 수도 있다. 따라서 이 방법은 측정값을 취하기 전 반도체 웨이퍼의 온도 등가화가 없는 방법에 상대적으로 측정값 출력을 보다 정확하게 할 수도 있다. WO02/03449 describes a semiconductor wafer mass measurement method which aims to reduce errors in measurement values output caused by temperature fluctuations of a measurement scale or semiconductor wafers to be measured. In the method described in WO02/03449, a semiconductor wafer is removed from a Front Opening Unified Pod (FOUP) and thermally coupled to the chamber of the semiconductor wafer mass measurement device before being placed in the measurement area of the semiconductor wafer mass measurement device (passive) placed on a heat transfer plate. The passive heat transfer plate equalizes the temperature of the semiconductor wafer to that of the chamber to within ±0.1 °C. This temperature equalization may reduce the potential errors discussed when the semiconductor wafer is loaded into the measurement chamber. Therefore, this method can more accurately output the measured value relative to the method in which there is no temperature equalization of the semiconductor wafer before taking the measured value.

WO2015/082874는 WO02/03449에 기술된 반도체 웨이퍼 질량 계측 방법의 개발을 기술하고, 여기서 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치 상의 (그렇지 않으면 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 온도의 변화들을 유발할 수도 있는) 열 부하를 감소시키기 위해, 벌크 열 부하는 반도체 웨이퍼의 온도를 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 온도로 등가화하기 위해 열 전달 플레이트를 사용하기 전에 반도체 웨이퍼로부터 제거된다. WO2015/082874에 개시된 일 실시예에서, 벌크 열 부하는 능동 (active) 열 전달 플레이트를 사용하여 반도체 웨이퍼들로부터 제거되고 이어서 반도체 웨이퍼들의 온도는 측정 챔버의 상부 표면 상에 장착되고 측정 챔버와 열 평형인, 수동 열 전달 플레이트를 사용하여 측정 챔버의 온도와 등가화된다.WO2015/082874 describes the development of the semiconductor wafer mass measurement method described in WO02/03449, wherein reducing the thermal load on the semiconductor wafer mass measurement device (which might otherwise cause changes in the temperature of the semiconductor wafer mass measurement device) For this purpose, the bulk heat load is removed from the semiconductor wafer prior to using the heat transfer plate to equalize the temperature of the semiconductor wafer to that of the semiconductor wafer mass measurement device. In one embodiment disclosed in WO2015/082874, the bulk heat load is removed from the semiconductor wafers using an active heat transfer plate and then the temperature of the semiconductor wafers is mounted on the upper surface of the measurement chamber and thermally equilibrated with the measurement chamber. Phosphorus is equivalent to the temperature of the measurement chamber using a passive heat transfer plate.

열 전달 플레이트, 예를 들어, 능동 열 전달 플레이트를 사용하여 반도체 웨이퍼를 냉각할 때, 반도체 웨이퍼는 통상적으로 열 전달 플레이트의 상단부에 배치됨으로써 열 전달 플레이트와 콘택트하여 배치된다.When cooling a semiconductor wafer using a heat transfer plate, eg, an active heat transfer plate, the semiconductor wafer is typically placed in contact with the heat transfer plate by placing it on top of the heat transfer plate.

통상적으로, 반도체 웨이퍼는 미리 결정된 온도 분포 내에서 초기 인입 온도를 갖는 모든 반도체 웨이퍼들이 실질적으로 동일한 미리 결정된 온도로 냉각된다는 것을 보장하기에 충분한 것으로 간주되는 고정된 시간 기간 동안 열 전달 플레이트와 콘택트하여 배치된다. 예를 들어, 모든 반도체 웨이퍼들은 40 초의 고정된 기간 동안 능동 열 전달 플레이트 상에 배치될 수도 있다.Typically, a semiconductor wafer is placed in contact with a heat transfer plate for a fixed period of time deemed sufficient to ensure that all semiconductor wafers having an initial draw-in temperature within a predetermined temperature distribution are cooled to substantially the same predetermined temperature. do. For example, all semiconductor wafers may be placed on an active heat transfer plate for a fixed period of 40 seconds.

그러나, 이는 보다 저온의 반도체 웨이퍼들이 반도체 웨이퍼를 미리 결정된 온도로 냉각시키기 위해 실제로 필요한 시간보다 긴 시간 동안 열 전달 플레이트와 콘택트하여 배치된다는 것을 의미한다. 따라서 이는 반도체 웨이퍼 프로세싱의 쓰루풋을 감소시키고, 반도체 웨이퍼 프로세싱의 생산성을 감소시킨다. 특히, 반도체 웨이퍼들을 냉각하는 단계는 반도체 웨이퍼들의 냉각 시간의 임의의 증가가 반도체 웨이퍼 프로세싱의 총 시간, 및 따라서 감소된 처리량 및 감소된 생산성의 결과적인 증가를 유발하도록, 반도체 웨이퍼 프로세싱에서 레이트 제한 단계일 수도 있다.However, this means that the cooler semiconductor wafers are placed in contact with the heat transfer plate for a longer time than is actually needed to cool the semiconductor wafer to a predetermined temperature. Accordingly, this reduces the throughput of the semiconductor wafer processing and reduces the productivity of the semiconductor wafer processing. In particular, cooling the semiconductor wafers is a rate limiting step in semiconductor wafer processing such that any increase in the cooling time of the semiconductor wafers results in a consequent increase in the total time of the semiconductor wafer processing, and thus reduced throughput and reduced productivity. may be

본 발명자들은 예를 들어 보다 저온의 반도체 웨이퍼들이 보다 고온의 반도체 웨이퍼들만큼 오래 냉각되지 않도록, 또는 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 온도가 이미 미리 결정된 온도와 같거나 미리 결정된 온도의 미리 결정된 범위 내이면, 반도체 웨이퍼가 전혀 냉각되지 않도록, 반도체 웨이퍼를 냉각할 때 반도체 웨이퍼의 초기 인입 온도를 고려함으로써, 반도체 웨이퍼 프로세싱의 쓰루풋 및 생산성이 개선될 수도 있다는 것을 깨달았다. The inventors have found that, for example, colder semiconductor wafers do not cool as long as hotter semiconductor wafers, or, for example, if the temperature of the semiconductor wafer is equal to or within a predetermined range of a predetermined temperature. , realized that the throughput and productivity of semiconductor wafer processing may be improved by considering the initial inlet temperature of the semiconductor wafer when cooling the semiconductor wafer so that the semiconductor wafer is not cooled at all.

보다 일반적으로, 반도체 웨이퍼의 프로세싱을 수행하기 전에 인입 반도체 웨이퍼들의 온도를 미리 결정된 온도로 제어할 필요가 있는 반도체 웨이퍼 프로세싱의 다른 상황들에 동일한 고려 사항들이 적용된다.More generally, the same considerations apply to other situations in semiconductor wafer processing where it is necessary to control the temperature of incoming semiconductor wafers to a predetermined temperature prior to performing the processing of the semiconductor wafer.

따라서 가장 일반적으로, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 반도체 웨이퍼의 인입 온도에 기초하여 적어도 부분적으로 제어되는 방법을 제공한다. 이러한 방법은 반도체 웨이퍼 계측 방법과 같은 반도체 프로세싱 방법의 일부로서 구현될 수 있다.Accordingly, most generally, the present invention provides a method in which cooling or heating of a semiconductor wafer is controlled, at least in part, based on an incoming temperature of the semiconductor wafer. Such a method may be implemented as part of a semiconductor processing method, such as a semiconductor wafer metrology method.

본 발명의 제 1 양태에 따라, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 방법이 제공되고, 방법은:According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of controlling a temperature of a semiconductor wafer, the method comprising:

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하는 단계; 및detecting information about the temperature of the semiconductor wafer; and

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 검출된 정보에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 단계를 포함한다.and controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer.

본 발명의 제 1 양태에서, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열은 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보에 기초하여 제어된다. 이는 보다 저온의 반도체 웨이퍼들이 보다 고온의 반도체 웨이퍼들로 상이하게 냉각되거나 가열될 수 있도록, 반도체 웨이퍼의 온도가 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 수행할 때 고려된다는 것을 의미한다. 따라서, 쓰루풋 및 생산성이 개선될 수 있도록 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열은 반도체 웨이퍼의 온도에 대해 최적화될 수 있다. 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 예를 들어 반도체 웨이퍼의 온도가 이미 목표된 온도와 같거나 목표된 온도의 미리 결정된 범위 내에 있는 반도체 웨이퍼를 냉각하거나 가열하지 않도록 결정하는 것을 포함할 수도 있다. 즉, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 수행되지 않도록 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 0으로 설정하는 것을 포함할 수도 있다.In a first aspect of the present invention, cooling or heating of the semiconductor wafer is controlled based on information about the temperature of the semiconductor wafer. This means that the temperature of the semiconductor wafer is taken into account when performing cooling or heating of the semiconductor wafer, so that colder semiconductor wafers can be cooled or heated differently to higher temperature semiconductor wafers. Accordingly, cooling or heating of the semiconductor wafer can be optimized with respect to the temperature of the semiconductor wafer so that throughput and productivity can be improved. Controlling cooling or heating of the semiconductor wafer may include, for example, determining not to cool or heat the semiconductor wafer whose temperature is already equal to or within a predetermined range of the desired temperature. That is, controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer may include setting the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer to zero so that cooling or heating of the semiconductor wafer is not performed.

본 발명의 제 1 양태는 선택가능하게, 이하의 선택가능한 피처들 중 임의의 하나 또는 호환가능한, 임의의 조합을 가질 수도 있다.A first aspect of the present invention may optionally have any one or compatible, any combination of the following selectable features.

통상적으로, 반도체 웨이퍼의 온도는 반도체 웨이퍼의 인입 온도, 예를 들어, 반도체의 냉각 또는 가열 웨이퍼가 수행된다면 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 시작되기 직전 (즉시), 또는 순간 반도체 웨이퍼의 온도이다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 온도는 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 수행된다면 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 시작되기 전 1 분 미만, 또는 30 초 미만, 또는 10 초 미만에 측정될 수도 있다. Typically, the temperature of the semiconductor wafer is the incoming temperature of the semiconductor wafer, for example the temperature of the semiconductor wafer immediately before (immediately) or immediately before the cooling or heating of the semiconductor wafer starts if the cooling or heating of the semiconductor wafer is performed. For example, the temperature of the semiconductor wafer may be measured less than 1 minute, or less than 30 seconds, or less than 10 seconds before the cooling or heating of the semiconductor wafer starts if cooling or heating of the semiconductor wafer is performed.

통상적으로, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 수행된다면, 반도체 웨이퍼의 온도는 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 시작되기 전 3 초 미만, 예를 들어 웨이퍼가 열 전달 플레이트 상에 배치되기 전 3 초 미만에 측정된다. 이어서, 측정된 온도는 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 수행된다면, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열이 시작될 때 반도체 웨이퍼의 온도에 정확하게 대응한다.Typically, if cooling or heating of a semiconductor wafer is performed, the temperature of the semiconductor wafer is measured less than 3 seconds before the cooling or heating of the semiconductor wafer is started, for example less than 3 seconds before the wafer is placed on a heat transfer plate. do. Then, the measured temperature accurately corresponds to the temperature of the semiconductor wafer when cooling or heating of the semiconductor wafer is started, if cooling or heating of the semiconductor wafer is performed.

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보는 반도체 웨이퍼의 실제 온도일 수도 있다. 대안적으로, 정보는 반도체 웨이퍼의 실제 온도, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 적외선 (IR) 복사선의 양을 보여주거나 나타내는, 또는 이에 비례하는 정보일 수도 있다.The information about the temperature of the semiconductor wafer may be the actual temperature of the semiconductor wafer. Alternatively, the information may be information showing, representing, or proportional to the actual temperature of the semiconductor wafer, eg, the amount of infrared (IR) radiation emitted by the semiconductor wafer.

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하는 것은 통상적으로 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 측정하는 것, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 IR 복사선의 양을 측정하는 것을 의미한다.Detecting information about the temperature of a semiconductor wafer typically means measuring information about the temperature of the semiconductor wafer, for example measuring the amount of IR radiation emitted by the semiconductor wafer.

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보는 비-콘택트 측정 방법을 사용하여 검출될 수도 있다.Information regarding the temperature of the semiconductor wafer may be detected using a non-contact measurement method.

예를 들어, 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하는 것은 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 복사선, 예를 들어 IR 복사선을 검출하는 것을 포함할 수도 있다. 통상적으로, 방법은 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 복사선의 양을 측정하는 것을 수반할 것이다. 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 IR 복사선의 양이 반도체 웨이퍼의 온도에 종속되기 때문에, 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 IR 복사선의 양은 반도체 웨이퍼의 온도를 나타낸다.For example, detecting information regarding the temperature of the semiconductor wafer may include detecting radiation emitted by the semiconductor wafer, eg, IR radiation. Typically, the method will involve measuring the amount of radiation emitted by the semiconductor wafer. Since the amount of IR radiation emitted by a semiconductor wafer is dependent on the temperature of the semiconductor wafer, the amount of IR radiation emitted by a semiconductor wafer is indicative of the temperature of the semiconductor wafer.

물론, 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보는 상이한 방식으로 측정될 수도 있다. Of course, the information regarding the temperature of the semiconductor wafer may be measured in different ways.

예를 들어, 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보는 대신 예를 들어 온도 센서를 반도체 웨이퍼와 콘택트시킴으로써, 콘택트 방법을 사용하여 측정될 수도 있다.For example, information regarding the temperature of a semiconductor wafer may instead be measured using a contact method, for example, by contacting a temperature sensor with the semiconductor wafer.

일부 예들에서, 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 측정하는 것은 반도체 웨이퍼와 열적으로 콘택트하는 것, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 이송하는데 사용되는 로봇 암의 엔드 이펙터의 온도에 관한 정보를 측정하는 것을 포함할 수도 있다. 이 정보는 비-콘택트 방법을 사용하여, 예컨대 적외선 복사의 양을 측정함으로써 획득될 수도 있다.In some examples, measuring information about the temperature of the semiconductor wafer may include measuring information about the temperature of an end effector of a robotic arm used to transfer the semiconductor wafer in thermal contact with the semiconductor wafer, for example. may be This information may be obtained using a non-contact method, such as by measuring the amount of infrared radiation.

일부 예들에서, 비-콘택트 온도 측정 디바이스는 반도체 웨이퍼를 이송하도록 사용되는 로봇 암 또는 로봇 암의 엔드 이펙터에 임베딩될 수도 있다.In some examples, the non-contact temperature measurement device may be embedded in a robot arm used to transfer a semiconductor wafer or an end effector of a robot arm.

일부 예들에서, 비-콘택트 측정들은 열 화상 카메라를 사용하여 수행될 수도 있다.In some examples, non-contact measurements may be performed using a thermal imaging camera.

물론, 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 획득하는 2 이상의 방법의 조합, 예를 들어 콘택트 방법과 비-콘택트 방법의 조합이 본 발명에서 사용될 수도 있다.Of course, a combination of two or more methods for obtaining information about the temperature of a semiconductor wafer, for example, a combination of a contact method and a non-contact method, may be used in the present invention.

반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열은 반도체 웨이퍼의 온도에 고유하게 종속되는 방식으로 제어될 수도 있어서, 냉각 또는 가열의 상이한 제어가 반도체 웨이퍼의 상이한 온도 각각에 대해 수행된다.The cooling or heating of the semiconductor wafer may be controlled in a manner that is inherently dependent on the temperature of the semiconductor wafer, so that different control of the cooling or heating is performed for each different temperature of the semiconductor wafer.

대안적으로, 방법은 반도체 웨이퍼의 온도에 관해 검출된 정보를 하나 이상의 문턱 값들과 비교하는 단계, 및 비교 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 단계를 포함할 수도 있다.Alternatively, the method may include comparing the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to one or more threshold values, and controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the comparison result.

예를 들어, 문턱 값보다 높은 (또는 보다 크거나 같은) 온도를 갖는 반도체 웨이퍼들은 제 1 방식으로 제어된 냉각 또는 가열을 가질 수도 있는 반면, 문턱 값보다 낮은 (또는 보다 작거나 같은) 온도를 갖는 반도체 웨이퍼들은 제 2 방식으로 제어된 냉각 또는 가열을 가질 수도 있다.For example, semiconductor wafers having a temperature above (or greater than or equal to) a threshold may have cooling or heating controlled in a first manner, while having a temperature below (or less than or equal to) the threshold. The semiconductor wafers may have controlled cooling or heating in a second manner.

따라서, 본질적으로, 반도체 웨이퍼들은 "저온 (cold)" 또는 "고온 (hot)" 카테고리로 분류될 (categorise) 수도 있고, 이어서 반도체 웨이퍼들의 가열 또는 냉각은 이 분류에 기초하여 제어될 수도 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼들의 냉각을 제어할 때, "저온" 카테고리의 웨이퍼들은 "고온" 카테고리의 웨이퍼들보다 짧은 시간 동안 냉각될 수도 있고, 또는 "저온" 카테고리의 웨이퍼들은 전혀 냉각되지 않을 수도 있고, 즉, "저온" 카테고리 웨이퍼들의 냉각은 스킵될 (skip) 수도 있지만, 냉각은 "고온" 카테고리의 웨이퍼들에 대해 수행된다.Thus, in essence, semiconductor wafers may be categorized into a “cold” or “hot” category, and then heating or cooling of the semiconductor wafers may be controlled based on this classification. For example, when controlling the cooling of semiconductor wafers, wafers in the “cold” category may be cooled for a shorter time than wafers in the “hot” category, or wafers in the “cold” category may not be cooled at all. , that is, cooling of “cold” category wafers may be skipped, but cooling is performed on “hot” category wafers.

보다 일반적으로, 반도체 웨이퍼들은 "분위기 (ambient)" 또는 "비분위기 (non-ambient)"로 분류될 수도 있다.More generally, semiconductor wafers may be classified as “ambient” or “non-ambient”.

예를 들어, 방법은: 반도체 웨이퍼의 온도에 관해 검출된 정보를 문턱 값들과 비교하는 단계; 비교 결과에 기초하여 복수의 카테고리들 중 하나로 반도체 웨이퍼를 분류하는 단계; 및 분류 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 단계를 포함할 수도 있다.For example, the method may include: comparing the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to threshold values; classifying the semiconductor wafer into one of a plurality of categories based on the comparison result; and controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the classification result.

반도체 웨이퍼로부터 방출된 적외선 복사의 양은 반도체 웨이퍼 상의 임의의 코팅에 의해 상당히 영향을 받을 수도 있다. 특히, 실리콘은 적외선 파장들에 대해 본질적으로 투과성인 반면, 반도체 웨이퍼들에 통상적으로 도포된 코팅들은 통상적으로 적외선 파장들에 대해 투과성이지 않고, 대신 통상적으로 상이한 정도들의 적외선 방사율을 갖는다. 그러므로 문턱 값은 측정될 반도체 웨이퍼의 특정한 구성, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 임의의 표면 코팅들을 고려하여 결정될 수도 있다.The amount of infrared radiation emitted from a semiconductor wafer may be significantly affected by any coating on the semiconductor wafer. In particular, silicon is inherently transmissive to infrared wavelengths, whereas coatings typically applied to semiconductor wafers are typically not transmissive to infrared wavelengths, but instead typically have different degrees of infrared emissivity. The threshold may therefore be determined taking into account the particular configuration of the semiconductor wafer to be measured, for example any surface coatings of the semiconductor wafer.

이러한 문턱 값은 반도체 웨이퍼의 상이한 온도들에 대해 특정한 구성 (예를 들어, 특정한 표면 코팅(들)) 을 갖는 반도체 웨이퍼로부터 IR 신호들을 측정함으로써 실험적으로 결정될 수 있다. 대안적으로, 이러한 문턱 값은 이론에 기초하여 계산될 수도 있다.This threshold can be determined empirically by measuring IR signals from a semiconductor wafer having a specific configuration (eg, specific surface coating(s)) for different temperatures of the semiconductor wafer. Alternatively, this threshold may be calculated based on theory.

보다 일반적으로, 문턱 값은 반도체 웨이퍼들 상에 통상적으로 사용되는 복수의 코팅들의 적외선 방사율들에 기초하여, 예를 들어 평균 값에 기초하여, 또는 최소값 또는 최대 값에 기초하여 미리 결정될 수도 있다.More generally, the threshold value may be predetermined based on infrared emissivities of a plurality of coatings commonly used on semiconductor wafers, eg, based on an average value, or based on a minimum or maximum value.

카테고리들의 수는 논의된 "저온" 또는 "고온" 카테고리 예에서와 같이 2 개일 수 있거나, 2 개 이상일 수 있다. 실제로, 가능한 카테고리들의 수는 임의의 수일 수 있다. The number of categories may be two, as in the "low temperature" or "hot" category example discussed, or it may be two or more. In practice, the number of possible categories can be any number.

통상적으로, 카테고리들 각각은 상이한 카테고리들의 반도체 웨이퍼들이 서로 상이하게 냉각되거나 가열되도록 반도체 웨이퍼들의 가열 또는 냉각을 제어하는 특정한 방식에 고유하게 대응할 것이다.Typically, each of the categories will uniquely correspond to a particular way of controlling heating or cooling of semiconductor wafers such that different categories of semiconductor wafers are cooled or heated differently from one another.

반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것을 포함할 수도 있다. 반도체 웨이퍼가 목표된 온도와 동일한 온도, 예를 들어 주변 온도 또는 측정 챔버의 온도를 갖는 경우, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 양이 0이 되게 제어될 수도 있어서, 반도체 웨이퍼의 가열 또는 냉각이 수행되지 않는다. 따라서, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간은 0이 되게 제어될 수도 있다.Controlling cooling or heating of the semiconductor wafer may include controlling the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer. When the semiconductor wafer has the same temperature as the target temperature, for example, the ambient temperature or the temperature of the measurement chamber, the cooling or heating amount of the semiconductor wafer may be controlled to be zero, so that heating or cooling of the semiconductor wafer is not performed . Accordingly, the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer may be controlled to be zero.

반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 측정된 온도와 미리 결정된 온도, 예를 들어 측정 영역의 온도, 예를 들어, 측정 챔버의 온도 사이의 온도 차가 ±2K, 또는 ±1K, 또는 ±0.5K, 또는 ±0.1K 미만이면 가용한 냉각 또는 가열 단계를 스킵하는 것을 포함할 수도 있다.Controlling cooling or heating of the semiconductor wafer is defined as a temperature difference between the measured temperature of the semiconductor wafer and a predetermined temperature, eg, a temperature of a measurement area, eg, a temperature of a measurement chamber, ±2K, or ±1K, or ± It may include skipping any cooling or heating steps available if it is less than 0.5K, or ±0.1K.

예를 들어, 이는 반도체 웨이퍼가 열 전달 플레이트와 같은 가열 또는 냉각 부와 콘택트하는 지속 기간을 제어하는 것을 포함할 수도 있다.For example, this may include controlling the duration for which the semiconductor wafer is in contact with a heating or cooling portion, such as a heat transfer plate.

대안적으로, 또는 부가적으로, 이는 반도체 웨이퍼를 가열하거나 냉각하도록 사용된 전력 공급된 가열 또는 냉각부, 예를 들어, 저항성 히터 또는 Peltier 디바이스에 전력이 공급되는 지속 기간을 제어하는 것을 포함할 수도 있다. Alternatively, or additionally, this may include controlling the duration that a powered heating or cooling unit used to heat or cool the semiconductor wafer, eg, a resistive heater or Peltier device, is powered. have.

예를 들어, 반도체 웨이퍼를 냉각할 때, 보다 저온의 웨이퍼들은 보다 고온의 웨이퍼들보다 짧은 지속 기간 동안 냉각될 수 있다. 반대로, 반도체 웨이퍼를 가열할 때, 보다 고온의 웨이퍼들은 보다 저온의 웨이퍼들보다 짧은 지속 기간 동안 가열될 수 있다. 따라서, 쓰루풋 및 생산성이 개선될 수 있다. 대안적으로, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열은 냉각 또는 가열이 수행되지 않도록 스킵될 수도 있고, 반도체 웨이퍼의 온도는 목표된 온도와 같거나 미리 결정된 범위 내이다.For example, when cooling a semiconductor wafer, colder wafers may be cooled for a shorter duration than hotter wafers. Conversely, when heating a semiconductor wafer, hotter wafers may be heated for a shorter duration than cooler wafers. Accordingly, throughput and productivity can be improved. Alternatively, cooling or heating of the semiconductor wafer may be skipped so that no cooling or heating is performed, and the temperature of the semiconductor wafer is equal to or within a predetermined range of the desired temperature.

대안적으로, 또는 부가적으로, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 레이트를 제어하는 것을 포함할 수도 있다. 반도체 웨이퍼의 온도가 목표된 온도와 같거나 미리 결정된 범위 내에 있는 경우, 냉각 또는 가열 레이트는 냉각 또는 가열이 수행되지 않도록 0으로 제어될 수도 있다.Alternatively, or additionally, controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer may include controlling the cooling or heating rate of the semiconductor wafer. When the temperature of the semiconductor wafer is equal to the target temperature or within a predetermined range, the cooling or heating rate may be controlled to zero so that no cooling or heating is performed.

냉각 또는 가열 레이트는 온도 변화가 발생하는 시간으로 나눈 온도 변화를 지칭한다. 따라서 보다 높은 레이트의 냉각 또는 가열은 보다 신속한 온도 변화에 대응한다.Cooling or heating rate refers to the change in temperature divided by the time that the change in temperature occurs. Thus, a higher rate of cooling or heating corresponds to a more rapid temperature change.

예를 들어, 반도체 웨이퍼들을 냉각할 때, 보다 고온의 웨이퍼들을 냉각하는데 걸린 시간을 감소시키기 위해, 보다 고온의 웨이퍼들이 보다 저온의 웨이퍼들보다 고속으로 냉각될 수 있다. 반대로, 반도체 웨이퍼들을 가열할 때, 보다 저온의 웨이퍼들을 가열하는데 걸린 시간을 감소시키기 위해, 보다 저온의 웨이퍼들이 보다 고온의 웨이퍼들보다 빠른 레이트로 가열될 수 있다. 따라서, 쓰루풋 및 생산성이 개선될 수 있다. For example, when cooling semiconductor wafers, hotter wafers may be cooled faster than colder wafers to reduce the time taken to cool the hotter wafers. Conversely, when heating semiconductor wafers, colder wafers can be heated at a faster rate than hotter wafers to reduce the time taken to heat the colder wafers. Accordingly, throughput and productivity can be improved.

반도체 웨이퍼는 수동 냉각 또는 가열 디바이스, 예를 들어 수동 열 전달 플레이트, 또는 능동 냉각 또는 가열 디바이스, 예를 들어 능동 열 전달 플레이트를 사용하여 냉각될 수도 있다.The semiconductor wafer may be cooled using a passive cooling or heating device, such as a passive heat transfer plate, or an active cooling or heating device, such as an active heat transfer plate.

이 맥락에서, "수동"은 냉각 또는 가열 디바이스가 냉각/가열 엘리먼트들에 의해 냉각되거나 가열되지 않고, 둘러싸고 있는 주변 분위기에 의해서만 온도를 수신한다는 것을 의미한다.In this context, “passive” means that the cooling or heating device is not cooled or heated by the cooling/heating elements, but receives temperature only by the surrounding ambient atmosphere.

수동 열 전달 플레이트는 통상적으로 고 열 용량 및/또는 고 열 전도도를 갖는 재료의 플레이트 또는 블록이다.Passive heat transfer plates are typically plates or blocks of material with high thermal capacity and/or high thermal conductivity.

예를 들어, 수동 열 전달 플레이트는 알루미늄과 같은 금속의 플레이트 또는 블록일 수도 있다.For example, the passive heat transfer plate may be a plate or block of metal such as aluminum.

가열 또는 냉각이 수동 열 전달 플레이트를 사용하여 수행되는 경우, 수동 열 전달 플레이트는 반도체 웨이퍼가 후속하여 프로세싱될 프로세싱 챔버, 예를 들어 계측 장치의 측정 챔버와 실질적으로 열적 평형 상태일 수도 있다 (열적 평형은 온도 차가 0.1 ℃ 이하임을 의미할 수도 있다). 예를 들어, 수동 전달 플레이트는 예를 들어 고 열 전도도를 갖는 볼트들을 사용하여 프로세싱/측정 챔버의 외측 표면에 부착될 수도 있다.When heating or cooling is performed using a passive heat transfer plate, the passive heat transfer plate may be in substantially thermal equilibrium with a processing chamber in which the semiconductor wafer is subsequently processed, eg, a measurement chamber of a metrology device (thermal equilibrium). may mean that the temperature difference is less than or equal to 0.1 °C). For example, the passive transfer plate may be attached to the outer surface of the processing/measurement chamber using, for example, bolts with high thermal conductivity.

반대로, "능동"은 냉각 또는 가열 디바이스가 전력 공급된 가열 또는 냉각 디바이스에 의해 가열되거나 냉각된다는 것을 의미한다.Conversely, "active" means that the cooling or heating device is heated or cooled by a powered heating or cooling device.

예를 들어, 반도체 웨이퍼들은 Peltier 디바이스를 사용하여 냉각될 수도 있고, 또는 저항 가열 디바이스를 사용하여 가열될 수도 있다.For example, semiconductor wafers may be cooled using a Peltier device, or heated using a resistance heating device.

반도체 웨이퍼의 가열은 대안적으로 예를 들어 전기 히터를 사용하여 달성될 수도 있다.Heating of the semiconductor wafer may alternatively be achieved using, for example, an electric heater.

반도체 웨이퍼의 냉각은 대안적으로 예를 들어, 냉장 시스템, 또는 수냉 시스템을 사용하여 달성될 수도 있다.Cooling of the semiconductor wafer may alternatively be accomplished using, for example, a refrigeration system, or a water cooling system.

그러나, 통상적으로 열 전달 플레이트를 사용하는 것은 반도체 웨이퍼의 보다 정확한 냉각 또는 가열을 허용한다.However, typically using a heat transfer plate allows for more precise cooling or heating of the semiconductor wafer.

능동 열 전달 플레이트는 하나 이상의 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스들에 의해 가열되거나 냉각되는 고 열 용량 및/또는 고 열 전도도를 갖는 재료 플레이트 또는 블록을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 재료 플레이트 또는 블록은 알루미늄과 같은 금속 플레이트 또는 블록일 수도 있다.The active heat transfer plate may include a material plate or block having a high heat capacity and/or high thermal conductivity that is heated or cooled by one or more powered cooling or heating devices. For example, the material plate or block may be a metal plate or block, such as aluminum.

반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 것은 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력을 제어하는 것을 포함할 수도 있다. 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력을 상승시키는 것은 통상적으로 냉각 또는 가열 디바이스에 의해 제공된 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 레이트를 상승시키는 것에 대응하는 반면, 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력을 감소시키는 것은 통상적으로 냉각 또는 가열 디바이스에 의해 제공된 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 레이트를 감소시키는 것에 대응한다. 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력을 제어하는 것은 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스에 공급되거나 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스에 의해 사용되는 전력을 제어하는 것을 포함할 수도 있다. 반도체 웨이퍼의 온도가 목표된 온도와 같거나 미리 결정된 범위 내에 있는 경우, 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력은 0이도록 제어될 수도 있다.Controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer may include controlling the power of the powered cooling or heating device. Increasing the power of the powered cooling or heating device typically corresponds to increasing the cooling or heating rate of the semiconductor wafer provided by the cooling or heating device, whereas decreasing the power of the powered cooling or heating device is This typically corresponds to reducing the cooling or heating rate of the semiconductor wafer provided by the cooling or heating device. Controlling the power of the powered cooling or heating device may include controlling the power supplied to or used by the powered cooling or heating device. The power of the powered cooling or heating device may be controlled to be zero when the temperature of the semiconductor wafer is equal to the desired temperature or within a predetermined range.

본 발명의 제 1 양태에 따른 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 방법은 반도체 웨이퍼가 프로세싱되는 반도체 웨이퍼 프로세싱 방법의 일부일 수도 있다.The method for controlling the temperature of a semiconductor wafer according to the first aspect of the present invention may be part of a semiconductor wafer processing method in which the semiconductor wafer is processed.

따라서, 본 발명에 따라, 본 발명의 제 1 양태의 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계; 및 후속하여 반도체 웨이퍼 프로세싱 장치의 프로세싱 영역 상으로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함하는, 반도체 기판을 프로세싱하는 방법이 제공될 수도 있다.Thus, according to the present invention, controlling the temperature of the semiconductor wafer using the method of the first aspect of the present invention; and subsequently loading the semiconductor wafer onto a processing region of the semiconductor wafer processing apparatus.

이러한 프로세싱 방법에서, 반도체 웨이퍼의 온도는 반도체 웨이퍼의 프로세싱을 수행하기 위한 반도체 웨이퍼의 목표된 온도인 미리 결정된 프로세싱 온도와 실질적으로 동일하게 제어될 수도 있다. 이는 논의된 바와 같이 수동 또는 능동 열 전달 플레이트를 사용함으로써, 논의된 바와 같이 수동 또는 능동 냉각을 사용하여 달성될 수도 있다.In this processing method, the temperature of the semiconductor wafer may be controlled to be substantially equal to a predetermined processing temperature, which is a target temperature of the semiconductor wafer for performing processing of the semiconductor wafer. This may be accomplished using passive or active heat transfer plates as discussed, and passive or active cooling as discussed.

대안적으로, 반도체 웨이퍼의 온도는 미리 결정된 프로세싱 온도의 ±2K, 또는 ±1K, 또는 ±0.5K, 또는 ±0.1K 이내의 온도가 되도록 먼저 제어될 수도 있고, 이어서 방법은 반도체 웨이퍼를 미리 결정된 프로세싱 온도와 실질적으로 동일하게 냉각 또는 가열하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼를 미리 결정된 프로세싱 온도로 냉각 또는 가열하는 것은 2-단계 냉각 또는 가열 프로세스일 수도 있다.Alternatively, the temperature of the semiconductor wafer may first be controlled to be within ±2K, or ±1K, or ±0.5K, or ±0.1K of the predetermined processing temperature, and the method then applies the semiconductor wafer to the predetermined processing temperature. The method may further include cooling or heating at substantially the same temperature. Accordingly, cooling or heating the semiconductor wafer to a predetermined processing temperature may be a two-step cooling or heating process.

예를 들어, 본 발명의 제 1 양태에 따른 방법은 능동 냉각부를 사용하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하는 단계, 및 이어서 반도체 웨이퍼가 프로세싱될 프로세싱 챔버와 실질적으로 열적 평형인 수동 냉각부 (예를 들어, 논의된 바와 같은 수동 열 전달 플레이트) 와 같은 수동 냉각부를 사용하여 후속하여 반도체 웨이퍼를 냉각 또는 가열하는 단계를 포함할 수도 있다.For example, a method according to the first aspect of the present invention includes controlling cooling or heating of a semiconductor wafer using an active cooling unit, followed by a passive cooling unit (e.g., in substantially thermal equilibrium with a processing chamber in which the semiconductor wafer is to be processed). Subsequent cooling or heating of the semiconductor wafer using passive cooling, such as, for example, a passive heat transfer plate as discussed).

반도체 웨이퍼의 인입 온도가 미리 결정된 프로세싱 온도와 같거나 미리 결정된 범위 내에 있는 경우, 능동 냉각부를 사용한 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열은 스킵될 수도 있고, 반도체 웨이퍼는 대신 수동 냉각부만을 사용하여 냉각되거나 가열될 수도 있다. 이는 반도체 웨이퍼들의 쓰루풋을 상당히 상승시킬 수도 있다.When the incoming temperature of the semiconductor wafer is equal to or within a predetermined range of the predetermined processing temperature, cooling or heating of the semiconductor wafer using the active cooling unit may be skipped, and the semiconductor wafer may be cooled or heated using only the passive cooling unit instead. may be This may significantly increase the throughput of semiconductor wafers.

프로세싱 방법은 계측 방법, 예를 들어 질량 계측 방법일 수도 있다.The processing method may be a metrology method, for example a mass metrology method.

구체적인 예에서, 프로세싱 방법은 본 발명의 제 1 양태의 방법을 사용하여 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하는 단계; 및 후속하여 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역 상으로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼 질량 계측 방법일 수도 있다.In a specific example, the processing method includes controlling a temperature of a semiconductor wafer using the method of the first aspect of the present invention; and subsequently loading the semiconductor wafer onto the measurement area of the semiconductor wafer mass measurement apparatus.

이러한 질량 계측 방법에서 반도체 웨이퍼의 온도는 통상적으로 1-단계 가열 또는 냉각 프로세스 또는 논의된 바와 같이 2-단계 냉각 또는 가열 프로세스를 사용하여 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역의 온도와 동일하도록 제어된다. 본 발명의 제 1 양태의 방법은 2-단계 냉각 프로세스의 2-단계들 중 하나 또는 모두에 적용될 수도 있다.In this mass measurement method, the temperature of the semiconductor wafer is controlled to be equal to the temperature of the measurement area of the semiconductor wafer mass measurement apparatus, typically using a one-step heating or cooling process or a two-step cooling or heating process as discussed. The method of the first aspect of the present invention may be applied to one or both of the two-stages of a two-stage cooling process.

측정 영역은 측정 챔버 내부에 있을 수도 있고; 반도체 웨이퍼의 온도는 측정 챔버의 온도와 실질적으로 동일하게, 또는 측정 챔버의 온도의 ±2K, 또는 ±1K, 또는 ±0.5K, 또는 ±0.1K 이내로 제어될 수도 있다.The measurement area may be inside the measurement chamber; The temperature of the semiconductor wafer may be controlled substantially equal to the temperature of the measurement chamber, or within ±2K, or ±1K, or ±0.5K, or ±0.1K of the temperature of the measurement chamber.

본 발명의 제 2 양태에 따라, 반도체 웨이퍼의 온도를 제어하기 위한 장치가 제공되고, 장치는:According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for controlling a temperature of a semiconductor wafer, the apparatus comprising:

반도체 웨이퍼를 냉각 또는 가열하기 위한 냉각 또는 가열부; 및a cooling or heating unit for cooling or heating the semiconductor wafer; and

반도체 웨이퍼의 온도에 관한 검출된 정보에 기초하여 냉각 또는 가열부에 의해 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하도록 구성된 제어기를 포함한다.and a controller configured to control cooling or heating of the semiconductor wafer by the cooling or heating unit based on the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer.

호환가능하다면, 본 발명의 제 2 양태는 상기 논의된 본 발명의 제 1 양태의 임의의 특징들을 포함할 수도 있다. Wherever compatible, the second aspect of the invention may include any of the features of the first aspect of the invention discussed above.

이들 특징들이 방법 단계들과 관련되는 경우, 제어기는 방법 단계들을 수행하도록 장치를 제어하도록 구성될 수도 있다.Where these features relate to method steps, the controller may be configured to control the apparatus to perform the method steps.

이에 더하여, 또는 대안적으로, 본 발명의 제 2 양태는 다음의 선택 가능한 특징들의 임의의 하나, 또는 호환 가능한 경우, 임의의 조합을 포함할 수도 있다.Additionally, or alternatively, the second aspect of the present invention may include any one, or, where compatible, any combination of, the following selectable features.

제어기는 반도체 웨이퍼의 온도에 관해 검출된 정보를 문턱 값과 비교하고, 그리고 비교 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하도록 구성될 수도 있다.The controller may be configured to compare the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to a threshold, and control cooling or heating of the semiconductor wafer based on the comparison result.

제어기는 반도체 웨이퍼의 온도에 관해 검출된 정보를 문턱 값들과 비교하고; 비교 결과에 기초하여 복수의 카테고리들 중 하나로 반도체 웨이퍼를 분류하고; 그리고 분류 결과에 기초하여 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 제어하도록 구성될 수도 있다.The controller compares the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to threshold values; classifying the semiconductor wafer into one of a plurality of categories based on the comparison result; And it may be configured to control cooling or heating of the semiconductor wafer based on the classification result.

제어기는 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하도록 구성될 수도 있다. 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간이 0이도록 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 수행하지 않기로 결정하는 것을 포함할 수도 있다. The controller may be configured to control the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer. Controlling the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer may include determining not to perform cooling or heating of the semiconductor wafer such that the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer is zero.

예를 들어, 냉각 또는 가열부가 전력 공급된 냉각 또는 가열부인 경우, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것은 전력이 냉각 또는 가열부에 공급되는 지속 기간을 제어하는 것을 포함할 수도 있다. For example, when the cooling or heating unit is a powered cooling or heating unit, controlling the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer may include controlling the duration over which power is supplied to the cooling or heating unit.

예를 들어, 제어기는 냉각 또는 가열부의 냉각 또는 가열 레이트를 제어하도록 구성될 수도 있다. 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 레이트를 제어하는 것은 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열 레이트가 0이도록 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 수행하지 않기로 결정하는 것을 포함할 수도 있다.For example, the controller may be configured to control the cooling or heating rate of the cooling or heating portion. Controlling the cooling or heating rate of the semiconductor wafer may include determining not to perform cooling or heating of the semiconductor wafer such that the cooling or heating rate of the semiconductor wafer is zero.

대안적으로, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열의 지속 기간을 제어하는 것은 반도체 웨이퍼가 냉각 또는 가열부와 콘택트하는 시간의 지속 기간을 제어하는 것을 포함할 수도 있다.Alternatively, controlling the duration of cooling or heating of the semiconductor wafer may include controlling the duration of time during which the semiconductor wafer is in contact with the cooling or heating portion.

예를 들어, 장치는 반도체 웨이퍼를 냉각 또는 가열부 상으로/상으로부터 반도체 웨이퍼의 로딩/언로딩을 위한 하나 이상의 이송 부품 (예를 들어, 하나 이상의 엔드 이펙터들을 갖는 하나 이상의 로봇 암들) 을 포함할 수도 있고, 제어기는 반도체 웨이퍼가 요구된 지속 기간 동안 냉각 또는 가열부 상으로 로딩되도록 반도체 웨이퍼의 로딩/언로딩 시간을 제어할 수도 있다.For example, the apparatus may include one or more transport components (eg, one or more robotic arms with one or more end effectors) for loading/unloading a semiconductor wafer onto/from a cooling or heating element. Alternatively, the controller may control the loading/unloading time of the semiconductor wafer such that the semiconductor wafer is loaded onto the cooling or heating element for a desired duration.

냉각 또는 가열부는 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스를 포함할 수도 있다.The cooling or heating section may comprise a powered cooling or heating device.

제어기는 전력 공급된 냉각 또는 가열 디바이스의 전력을 제어하도록 구성될 수도 있다.The controller may be configured to control the power of the powered cooling or heating device.

상기 논의된 바와 같이, 냉각 또는 가열부는 수동 열 전달 플레이트 또는 능동 열 전달 플레이트일 수도 있다.As discussed above, the cooling or heating element may be a passive heat transfer plate or an active heat transfer plate.

장치는 예를 들어 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 복사선의 양을 측정함으로써 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하도록 구성된 검출기를 포함할 수도 있다.The apparatus may include a detector configured to detect information about the temperature of the semiconductor wafer, for example by measuring the amount of radiation emitted by the semiconductor wafer.

검출기는 반도체 웨이퍼가 냉각 또는 가열부 상에 로딩되기 전에 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하도록 구성될 수도 있다. 이는 반도체 웨이퍼의 온도가 이미 미리 결정된 온도의 미리 결정된 범위 내에 있다면, 반도체 웨이퍼의 냉각 또는 가열을 수행하지 않기로 결정될 수도 있고, 이 경우 반도체 웨이퍼는 냉각 또는 가열부 상으로 로딩되지 않기 때문에 유리하다.The detector may be configured to detect information regarding the temperature of the semiconductor wafer before the semiconductor wafer is loaded onto the cooling or heating unit. This is advantageous because if the temperature of the semiconductor wafer is already within a predetermined range of the predetermined temperature, it may be decided not to perform cooling or heating of the semiconductor wafer, in which case the semiconductor wafer is not loaded onto the cooling or heating unit.

대안적으로, 검출기는 반도체 웨이퍼가 냉각 또는 가열부 상에 로딩될 때, 또는 로딩된 동안 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하도록 구성될 수도 있다.Alternatively, the detector may be configured to detect information regarding the temperature of the semiconductor wafer when or while the semiconductor wafer is loaded onto the cooling or heating unit.

그러나, 검출기는 장치에 별도로 제공될 수도 있고, 이 경우 본 발명은 대신 본 발명의 제 2 양태에 따른 장치를 포함하는 시스템, 및 반도체 웨이퍼의 온도에 관한 정보를 검출하도록 구성된 검출기를 제공할 수도 있다.However, the detector may be provided separately in the apparatus, in which case the invention may instead provide a system comprising the apparatus according to the second aspect of the invention, and a detector configured to detect information regarding the temperature of the semiconductor wafer. .

검출기는 반도체 웨이퍼로부터 적외선 복사선을 검출하기 위한 적외선 검출기를 포함할 수도 있다. 통상적으로 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 적외선 복사선의 양은 반도체 웨이퍼의 온도의 정성적 (다른 측정된 값들과 비교하여) 또는 정량적 (계산에 의해) 지표를 제공하도록 측정되고 사용될 것이다.The detector may include an infrared detector for detecting infrared radiation from the semiconductor wafer. Typically the amount of infrared radiation emitted by a semiconductor wafer will be measured and used to provide a qualitative (compared to other measured values) or quantitative (by calculation) indication of the temperature of the semiconductor wafer.

장치는 반도체 웨이퍼의 하나 이상의 특성을 측정하거나 변화시키도록 반도체 웨이퍼가 프로세싱될 수 있는 프로세싱 영역을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 프로세싱 장치일 수도 있다. The apparatus may be a semiconductor wafer processing apparatus further comprising a processing region in which the semiconductor wafer may be processed to measure or change one or more characteristics of the semiconductor wafer.

장치는 반도체 웨이퍼의 중량 및/또는 질량, 또는 반도체 웨이퍼의 중량 및/또는 질량의 변화가 결정될 수 있는 측정 영역을 더 포함하는 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치일 수도 있다.The apparatus may be a semiconductor wafer mass measurement apparatus further comprising a measurement area in which the weight and/or mass of the semiconductor wafer, or a change in the weight and/or mass of the semiconductor wafer can be determined.

본 발명의 실시예들은 이제 첨부된 도면들을 참조하여, 예로서만, 논의될 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다.Embodiments of the present invention will now be discussed, by way of example only, with reference to the accompanying drawings.
1 shows a semiconductor wafer mass measurement apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 shows a semiconductor wafer mass measurement apparatus according to a second embodiment of the present invention.
3 shows a semiconductor wafer mass measurement apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른, 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다. 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치는 반도체 웨이퍼를 수용하기 위한 계량 팬 (weighing pan)(3) 을 갖는 계량 저울 (1) 을 포함한다. 계량 저울 (1) 은 계량 팬 (3) 상에 로딩된 반도체 웨이퍼의 중량을 나타내는 측정값 출력을 제공하도록 구성된다.1 shows a semiconductor wafer mass measurement apparatus according to a first embodiment of the present invention. The semiconductor wafer mass measurement apparatus comprises a weighing scale 1 having a weighing pan 3 for receiving a semiconductor wafer. The weighing scale 1 is configured to provide a measured value output indicative of the weight of the semiconductor wafer loaded on the weighing pan 3 .

계량 저울 (1) 은 예를 들어, 계량 저울 (1) 둘레의 공기의 실질적으로 균일한 공기 밀도, 공기압 및 공기 온도를 유지하고 외풍 (draught) 을 방지하고 전자기 쉴딩을 제공하도록, 계량 저울 둘레에 인클로징된 분위기를 형성하는, 계량 챔버 (5) 내에 위치된다. 계량 챔버 (5) 는 반도체 웨이퍼로 하여금 예를 들어, 로봇 암에 의해 계량 챔버 (5) 내로 이송되게 하고 계량 저울판 (3) 상에 위치되게 하도록 개구부 (미도시), 예를 들어, 계량 챔버 (5) 의 측벽의 적합하게 사이징된 (sized) 슬롯을 갖는다. 사용하지 않을 때, 개구부는 계량 챔버 (5) 로 하여금 계량 저울 (1) 을 사용하여 측정을 수행할 때 실질적으로 폐쇄되거나 시일링되게 하도록 개방가능한 도어 또는 커버 (미도시) 에 의해 커버될 수도 있다.The weighing scale 1 is mounted around the weighing scale, for example, to maintain a substantially uniform air density, air pressure and air temperature of the air around the weighing scale 1 , to prevent drafts and to provide electromagnetic shielding. It is located in the metering chamber 5 , forming an enclosed atmosphere. The metering chamber 5 has an opening (not shown), for example a metering chamber (not shown), to allow a semiconductor wafer to be transferred into the metering chamber 5 by, for example, a robot arm and placed on the metering scale plate 3 . 5) have a suitably sized slot in the sidewall of When not in use, the opening may be covered by an openable door or cover (not shown) to allow the weighing chamber 5 to be substantially closed or sealed when performing measurements using the weighing scale 1 . .

수동 열 전달 플레이트 (7) 가 계량 챔버 (5) 의 상단부에 위치된다. 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 우수한 열 전도도를 갖는 재료 (예를 들어 Al) 의 블록을 포함한다. 수동 열 전달 플레이트는 또한 바람직하게 열이 공급될 때 온도 변화들이 느리고 거의 없도록 고 열용량 (thermal mass) 을 갖고, 상부 표면에 걸쳐 실질적으로 균일한 온도를 유지하도록 우수한 측방향 열 전도도를 갖는다. 이 실시예에서, 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 알루미늄으로 이루어지지만, 다른 실시예들에서, 우수한 열 전도도를 갖는 임의의 다른 재료가 사용될 수도 있다. A passive heat transfer plate 7 is located at the upper end of the metering chamber 5 . The passive heat transfer plate 7 comprises a block of material with good thermal conductivity (eg Al). The passive heat transfer plate also preferably has a high thermal mass so that temperature changes are slow and few when heat is applied, and has good lateral thermal conductivity to maintain a substantially uniform temperature over the top surface. In this embodiment, the passive heat transfer plate 7 is made of aluminum, but in other embodiments, any other material with good thermal conductivity may be used.

수동 열 전달 플레이트 (7) 는 수동 열 전달 플레이트 (7) 와 계량 챔버 (5) 사이에 우수한 열 콘택트가 있도록, 계량 챔버 (5) 의 상단부에 바로 위치된다. 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 계량 챔버 (5) 와 직접 물리적 콘택트한다. 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 예를 들어 하나 이상의 볼트들 (미도시) 및/또는 열 전도성 본딩 층 (미도시) 을 사용하여 계량 챔버 (5) 에 부착되거나 고정될 수도 있다.The passive heat transfer plate 7 is located directly at the upper end of the metering chamber 5 so that there is good thermal contact between the passive heat transfer plate 7 and the metering chamber 5 . The passive heat transfer plate 7 is in direct physical contact with the metering chamber 5 . The passive heat transfer plate 7 may be attached or fixed to the metering chamber 5 using, for example, one or more bolts (not shown) and/or a thermally conductive bonding layer (not shown).

수동 열 전달 플레이트 (7) 와 계량 챔버 (5) 사이의 우수한 열적 콘택트의 결과, 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 계량 챔버 (5) 와 실질적으로 열 평형일 수도 있고 따라서 계량 챔버 (5) 와 실질적으로 동일한 온도를 가질 수도 있다. 계량 저울 (1) 은 또한 계량 챔버 (5) 와 열 평형일 수도 있고 따라서 또한 계량 챔버 (5) 와 실질적으로 동일한 온도를 가질 수도 있다. 이와 같이, 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 계량 저울 (1) 과 실질적으로 열 평형일 수도 있고 따라서 계량 저울 (1) 과 실질적으로 동일한 온도를 가질 수도 있다. As a result of the good thermal contact between the passive heat transfer plate 7 and the metering chamber 5 , the passive heat transfer plate 7 may be substantially in thermal equilibrium with the metering chamber 5 and thus substantially with the metering chamber 5 . may have the same temperature. The weighing scale 1 may also be in thermal equilibrium with the metering chamber 5 and thus may also have substantially the same temperature as the metering chamber 5 . As such, the passive heat transfer plate 7 may be substantially in thermal equilibrium with the weighing scale 1 and thus may have substantially the same temperature as the weighing scale 1 .

계량 저울 (1) 및 계량 팬 (3) 은 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역을 포함하는 것으로 간주될 수도 있다. 대안적으로, 계량 챔버 (5) 는 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 측정 영역을 포함하는 것으로 간주될 수도 있다.The weighing scale 1 and the weighing pan 3 may be regarded as comprising a measuring area of the semiconductor wafer mass measuring device. Alternatively, the metering chamber 5 may be considered to contain the measurement area of the semiconductor wafer mass measurement apparatus.

도 1의 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치는 능동 열 전달 플레이트 (9), IR 센서 (10), 및 제어기 (12) 를 더 포함하고, 이는 이하에 보다 상세히 논의된다.The semiconductor wafer mass measurement apparatus of FIG. 1 further includes an active heat transfer plate 9 , an IR sensor 10 , and a controller 12 , which are discussed in more detail below.

복수의 Peltier 디바이스들 (11) 이 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 하단측에 부착된다. Peltier 디바이스 (11) 각각은 이들의 하단측에 부착된 열 싱크 (13) 를 갖는다. 기류 (air flow) (15) 가 Peltier 디바이스들 (11) 로부터 그리고 열 싱크들 (13) 로부터 열을 제거하기 위해, 열 전달 플레이트 (9) 의 하단측 밑의 영역 (17) 에 제공될 수 있다. 물론, 기류의 구성은 도 1에 도시된 구성과 상이할 수도 있고, 예를 들어, 공기는 팬 (fan) 에 의해 하단 영역 (17) 으로부터 불 (blow) 수도 있다. A plurality of Peltier devices 11 are attached to the lower side of the active heat transfer plate 9 . Each of the Peltier devices 11 has a heat sink 13 attached to its bottom side. An air flow 15 can be provided in the area 17 under the bottom side of the heat transfer plate 9 to remove heat from the Peltier devices 11 and from the heat sinks 13 . . Of course, the configuration of the airflow may be different from the configuration shown in FIG. 1 , for example, air may be blown from the bottom region 17 by a fan.

도 1에서 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 계량 챔버 (5) 의 우측에 위치되는 것으로 도시된다. 그러나, 다른 실시예들에서 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 상이하게, 예를 들어 도 1에 예시된 것과 상이한 측면에, 계량 챔버 (5) 위 또는 아래에, 또는 계량 챔버 (5) 로부터 보다 가깝거나 보다 멀게 위치될 수 있다. 다른 실시예들에서, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 수동 열 전달 플레이트 (7) 에 직접 또는 간접적으로 부착 또는 연결될 수도 있다.In FIG. 1 the active heat transfer plate 9 is shown located on the right side of the metering chamber 5 . However, in other embodiments the active heat transfer plate 9 is different, for example on a different side than illustrated in FIG. 1 , above or below the metering chamber 5 , or closer from the metering chamber 5 . or may be located further away. In other embodiments, the active heat transfer plate 9 may be attached or connected directly or indirectly to the passive heat transfer plate 7 .

사용시, 웨이퍼 이송기, 예를 들어 EFEM의 로봇 암의 엔드 이펙터는, FOUP (미도시) 로부터, 또는 대안적으로 또 따른 프로세싱 장치 (미도시) 로부터 반도체 웨이퍼를 제거하도록, 그리고 반도체 웨이퍼를 능동 열 전달 플레이트 (9) 로 이송하고 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 반도체 웨이퍼를 위치시키도록 사용된다. 반도체 웨이퍼가 FOUP (또는 다른 프로세싱 장치) 로부터 제거될 때 이는 대략 70 ℃의 온도를 가질 수도 있다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼가 FOUP 내로 로딩되기 전, 400 내지 500 ℃의 온도로 반도체 웨이퍼를 가열할 수도 있는, 반도체 디바이스 생산 라인의 프로세싱 스테이션에서 프로세싱될 수도 있다.In use, an end effector of a robot arm of a wafer transporter, for example an EFEM, is configured to remove a semiconductor wafer from a FOUP (not shown), or alternatively from another processing device (not shown), and actively heat the semiconductor wafer. It is used to transfer to the transfer plate 9 and place the semiconductor wafer on the active heat transfer plate 9 . When a semiconductor wafer is removed from a FOUP (or other processing apparatus) it may have a temperature of approximately 70°C. For example, a semiconductor wafer may be processed in a processing station of a semiconductor device production line, which may heat the semiconductor wafer to a temperature of 400-500° C. before the semiconductor wafer is loaded into the FOUP.

반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치될 때, 반도체 웨이퍼의 온도가 하강하도록, 열이 반도체 웨이퍼로부터 능동 열 전달 플레이트 (9) 로 전도된다. 통상적으로, 반도체 웨이퍼와 능동 열 전달 플레이트 (9) 가 열 평형을 달성하기 위해 (예를 들어, 실질적으로 동일한 온도를 갖도록) 충분히 긴 시간 기간 동안 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치된다. 이하에 논의된 바와 같이, 이 실시 예에서 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각은 IR 센서 (10) 에 의해 측정된 반도체 웨이퍼의 인입 온도에 기초하여 제어기 (12) 에 의해 제어된다. 이하에 논의된 바와 같이, 일부 경우들에서 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각이 수행되지 않을 수도 있고, 이 경우 반도체 웨이퍼는 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치되지 않을 수도 있다.When the semiconductor wafer is placed on the active heat transfer plate 9 , heat is conducted from the semiconductor wafer to the active heat transfer plate 9 so that the temperature of the semiconductor wafer drops. Typically, the semiconductor wafer is placed on the active heat transfer plate 9 for a period of time that is sufficiently long for the semiconductor wafer and the active heat transfer plate 9 to achieve thermal equilibrium (eg, have substantially the same temperature). do. As discussed below, the cooling of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 in this embodiment is controlled by the controller 12 based on the incoming temperature of the semiconductor wafer measured by the IR sensor 10 . . As discussed below, in some cases cooling of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 may not be performed, in which case the semiconductor wafer may not be located on the active heat transfer plate 9 . .

반도체 웨이퍼로부터 능동 열 전달 플레이트 (9) 로의 열 전달은 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 온도를 상승시키도록 작용할 것이다. 그 경우, 반도체 웨이퍼 및 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 열 평형의 온도는 목표된 반도체 웨이퍼의 온도와 상이할 수도 있다. 반도체 웨이퍼로부터 열 부하로 인해 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 온도가 상승하는 것을 방지하기 위해, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 반도체 웨이퍼로부터 제거된 열 부하를 능동적으로 소산시키도록 동작가능하다. 특히, Peltier 디바이스들 (11) 은 능동 열 전달 플레이트 (9) 로부터 열을 능동적으로 제거하도록 동작된다. 달리 말하면, 전력이 Peltier 디바이스들 (11) 에 공급되어 능동 열 전달 플레이트 (9) 와 콘택트하는 상부 표면들로부터 열 싱크들 (13) 가 부착되는 하부 표면들로 열을 전달하는 능동 열 펌프들로서 작용하게 한다.Heat transfer from the semiconductor wafer to the active heat transfer plate 9 will act to raise the temperature of the active heat transfer plate 9 . In that case, the temperature of the thermal equilibrium of the semiconductor wafer and the active heat transfer plate 9 may be different from the desired temperature of the semiconductor wafer. To prevent the temperature of the active heat transfer plate 9 from rising due to the heat load from the semiconductor wafer, the active heat transfer plate 9 is operable to actively dissipate the heat load removed from the semiconductor wafer. In particular, the Peltier devices 11 are operated to actively remove heat from the active heat transfer plate 9 . In other words, power is supplied to the Peltier devices 11 to act as active heat pumps transferring heat from the upper surfaces in contact with the active heat transfer plate 9 to the lower surfaces to which the heat sinks 13 are attached. make it

기류 (15) 가 Peltier 디바이스들 (11) 및 열 싱크들 (13) 로부터 열을 제거하기 위해, Peltier 디바이스들 (11) 및 열 싱크들 (13) 이 위치되는 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 밑의 영역 (17) 에 제공된다. 능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용하여 반도체 웨이퍼로부터 제거된 열은 따라서 이 열이 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 온도에 영향이 없도록 기류 (15) 에 의해 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치의 계량 챔버 (5) 로부터 이송되고 소산된다. 기류 (15) 는 예를 들어 영역 (17) 내에 설치되거나 에지들의 하나 이상의 팬들에 의해 생성될 수도 있다. 달리 말하면, 열은 능동 열 전달 플레이트 (9) 로부터 능동적으로 소산된다.Under the active heat transfer plate 9 on which the Peltier devices 11 and heat sinks 13 are located so that the airflow 15 removes heat from the Peltier devices 11 and heat sinks 13 . is provided in the area 17 of The heat removed from the semiconductor wafer using the active heat transfer plate 9 is thus transferred from the weighing chamber 5 of the semiconductor wafer mass measurement device by the airflow 15 so that this heat does not affect the temperature of the semiconductor wafer mass measurement device. transported and dissipated. Airflow 15 may be installed within region 17 or created by one or more fans at the edges, for example. In other words, heat is actively dissipated from the active heat transfer plate 9 .

상기 언급된 바와 같이, 능동 열 전달 플레이트 (9) 로부터 능동적으로 소산하는 열은 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 축적물로부터 열을 방지할 것이고, 이는 열 전달 플레이트 (9) 의 온도의 상승을 유발할 것이다. 이 실시예에서, 반도체 웨이퍼로부터 제거된 열은 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 소산됨으로써 효과적으로/유효하게 처리된다. 이는 반도체 웨이퍼의 온도로 하여금 능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용하여 보다 정밀하게/정확하게 제어되게 할 수도 있다.As mentioned above, the heat actively dissipating from the active heat transfer plate 9 will prevent the heat from accumulating in the active heat transfer plate 9 , which will cause an increase in the temperature of the heat transfer plate 9 . will be. In this embodiment, the heat removed from the semiconductor wafer is effectively/effectively treated by being dissipated by the active heat transfer plate 9 . This may allow the temperature of the semiconductor wafer to be more precisely/precisely controlled using the active heat transfer plate 9 .

능동 열 전달 플레이트 (9) 는 반도체 웨이퍼의 온도가 계량 팬 (3) 상에 위치될 때 반도체 웨이퍼의 목표된 온도에 가깝게 하강되도록 반도체 웨이퍼로부터 벌크 열 부하를 제거하도록 동작된다. 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 반도체 웨이퍼의 온도를 목표된 온도로 감소시키도록 제거되어야 하는 열의 90 ％ 이상, 또는 95 ％ 이상을 제거할 수도 있다. 달리 말하면, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 계량 팬 (3) 상에 위치될 때 최초 온도로부터 목표된 온도로 반도체 웨이퍼의 온도를 감소시키 위해 필요한 온도 변화의 90 ％ 이상, 또는 95 ％ 이상을 유발할 수도 있다.The active heat transfer plate 9 is operated to remove the bulk heat load from the semiconductor wafer such that the temperature of the semiconductor wafer drops close to the desired temperature of the semiconductor wafer when placed on the metering pan 3 . The active heat transfer plate 9 may remove at least 90%, or at least 95% of the heat that must be removed to reduce the temperature of the semiconductor wafer to a desired temperature. In other words, the active heat transfer plate 9, when placed on the metering pan 3, will cause at least 90%, or at least 95% of the temperature change required to reduce the temperature of the semiconductor wafer from the initial temperature to the desired temperature. may be

이 실시 예에서, 반도체 웨이퍼가 계량 팬 (3) 상에 로딩될 때 반도체 웨이퍼와 계량 챔버 (5) 사이에 실질적으로 온도차가 없도록 (따라서 반도체 웨이퍼와 계량 저울 (1) 사이에 실질적으로 온도차가 없도록) 반도체 웨이퍼의 온도를 계량 챔버 (5) 의 온도에 실질적으로 매칭하는 것이 목표된다. 이 실시예에서, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 계량 챔버 (5) 의 온도의 ±1 ℃ 이내이도록 반도체 웨이퍼를 냉각할 수도 있다. 예를 들어, 계량 챔버가 20 ℃의 온도를 가지면, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 (20±1) ℃의 온도로 반도체 웨이퍼를 냉각할 수도 있다. 그러나, 다른 실시예들에서 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 제공된 냉각량이 이와 상이할 수도 있고, 능동 열 전달 플레이트 (9) 가 반도체 웨이퍼의 요구된 온도 변화의 50 ％ 이상, 바람직하게 80 ％ 이상을 제공하는, 최소값으로서 제공된다.In this embodiment, when the semiconductor wafer is loaded onto the weighing pan 3 , there is substantially no temperature difference between the semiconductor wafer and the weighing chamber 5 (and thus substantially no temperature difference between the semiconductor wafer and the weighing scale 1 ). ) to substantially match the temperature of the semiconductor wafer to the temperature of the metering chamber 5 . In this embodiment, the active heat transfer plate 9 may cool the semiconductor wafer to be within ±1° C. of the temperature of the metering chamber 5 . For example, if the metering chamber has a temperature of 20°C, the active heat transfer plate 9 may cool the semiconductor wafer to a temperature of (20±1)°C. However, in other embodiments, the amount of cooling provided by the active heat transfer plate 9 may be different therefrom, and the active heat transfer plate 9 has at least 50%, preferably at least 80% of the required temperature change of the semiconductor wafer. is given as the minimum value, giving

일단 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용하여 목표된 온도에 가까운 온도로 냉각되면, 웨이퍼 이송기를 사용하여 수동 열 전달 플레이트 (7) 로 이송된다. Once the semiconductor wafer is cooled to a temperature close to the desired temperature using the active heat transfer plate 9, it is transferred to the passive heat transfer plate 7 using a wafer transfer machine.

그러나, 상기 언급된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 온도는 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용하여 냉각되기 전에 목표된 온도의 미리 결정된 범위, 예를 들어, 계량 챔버 (5) 의 온도 내에 있을 수도 있고, 이는 능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용하여 반도체 웨이퍼의 냉각을 스킵하기로 결정될 수도 있고, 대신 반도체 웨이퍼는 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 먼저 냉각되지 않고 수동 열 전달 플레이트 (7) 로 이송될 수도 있다.However, as mentioned above, the temperature of the semiconductor wafer may be within a predetermined range of a desired temperature, for example the temperature of the metering chamber 5 , before the semiconductor wafer is cooled using the active heat transfer plate 9 . Alternatively, it may be decided to skip cooling the semiconductor wafer using the active heat transfer plate 9 , instead the semiconductor wafer is not cooled first by the active heat transfer plate 9 and the passive heat transfer plate 7 may be transferred to

상기 논의된 바와 같이, 반도체 웨이퍼가 열 전달 플레이트 (7) 상에 위치될 때 반도체 웨이퍼와 열 전달 플레이트 (7) 사이에 우수한 열적 콘택트가 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼로부터 수동 열 전달 플레이트 (7) 로 전도될 열에 의해 냉각된다. 통상적으로 반도체 웨이퍼는 수동 열 전달 플레이트 (7) 와 반도체 웨이퍼가 실질적으로 동일한 온도를 갖도록 (즉, 반도체 웨이퍼의 온도는 수동 열 전달 플레이트 (7) 의 온도 및 따라서 계량 챔버 (5) 의 온도와 매칭되거나 등가화되도록), 이들이 실질적으로 열 평형되는 충분한 시간 기간 동안 수동 열 전달 플레이트 (7) 상에 위치된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼는 최대 60 초의 기간 동안 열 전달 플레이트 (7) 상에 위치될 수도 있다. As discussed above, there is good thermal contact between the semiconductor wafer and the heat transfer plate 7 when the semiconductor wafer is placed on the heat transfer plate 7 . Accordingly, the semiconductor wafer is cooled by the heat to be conducted from the semiconductor wafer to the passive heat transfer plate 7 . Typically the semiconductor wafer is such that the passive heat transfer plate 7 and the semiconductor wafer have substantially the same temperature (ie, the temperature of the semiconductor wafer matches the temperature of the passive heat transfer plate 7 and thus the temperature of the metering chamber 5 ) or equivalent), they are placed on the passive heat transfer plate 7 for a sufficient period of time to substantially thermally equilibrate. For example, a semiconductor wafer may be placed on the heat transfer plate 7 for a period of up to 60 seconds.

반도체 웨이퍼는 (능동 열 전달 플레이트 (9) 를 사용한 냉각이 스킵되지 않는 한 반도체 웨이퍼의 온도는 목표된 온도의 미리 결정된 범위 내에 있기 때문에) 수동 열 전달 플레이트 (7) 상에 위치되기 전에 이미 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 제거된 벌크 열 부하를 갖는다. 따라서, 온도 등가화 동안 열 전달 플레이트 (7) 상의 열 부하는 매우 낮고, 열 전달 플레이트 (7) 및 (고 열 용량을 갖는) 계량 챔버 (5) 의 온도는 따라서 온도 등가화 동안 실질적으로 일정하게 유지된다. 이에 더하여, 반도체 웨이퍼를 수동 열 전달 플레이트 (7) 와 열 평형이 되게 하도록 상대적으로 적은 열이 교환되어야 한다.The semiconductor wafer is already in active heat before being placed on the passive heat transfer plate 7 (because the temperature of the semiconductor wafer is within a predetermined range of the desired temperature unless cooling with the active heat transfer plate 9 is skipped). It has the bulk heat load removed by the transfer plate 9 . Therefore, the heat load on the heat transfer plate 7 during temperature equalization is very low, and the temperature of the heat transfer plate 7 and the metering chamber 5 (with high heat capacity) is thus substantially constant during temperature equalization. maintain. In addition, relatively little heat must be exchanged to bring the semiconductor wafer into thermal equilibrium with the passive heat transfer plate 7 .

반도체 웨이퍼의 온도가 계량 챔버 (5) 의 온도와 실질적으로 등가화될 때 (예를 들어, 반도체 웨이퍼가 미리 결정된 시간 기간 동안 열 전달 플레이트 (7) 상에 있을 때) 반도체 웨이퍼는 열 전달 플레이트 (7) 로부터 계량 팬 (3) 으로 웨이퍼 이송기에 의해 이송된다. 이어서 계량 저울 (1) 이 반도체 웨이퍼의 무게를 나타내는 측정 출력 값을 제공하도록 사용된다. 반도체 웨이퍼의 온도가 계량 챔버의 온도에 실질적으로 매칭되기 때문에, 그리고 계량 챔버의 온도를 상당히 변화시키지 않고 (계량 챔버에 대한 열 부하가 매우 작기 때문에), 측정 출력의 모든 온도 에러들이 실질적으로 0일 수도 있다. 예를 들어, 계량 챔버 (5) 에서 생성된 상당한 대류 전류가 없을 수도 있고, 반도체 웨이퍼 상의 부력에 상당한 변화가 없을 수도 있고 (이는 계량 챔버 (5) 내의 공기의 가열에 의해 유발될 것이다), 그리고 계량 팬 (3) 상의 반도체 웨이퍼의 존재로 인한 계량 저울 (1) 내 상당한 온도 변화 (예를 들어, 온도 상승 또는 온도 불균일성) 가 없을 수도 있다.When the temperature of the semiconductor wafer is substantially equivalent to the temperature of the metering chamber 5 (eg, when the semiconductor wafer is on the heat transfer plate 7 for a predetermined period of time), the semiconductor wafer is transferred to the heat transfer plate ( 7) to the weighing pan 3, transferred by the wafer transfer machine. A weighing scale 1 is then used to provide a measurement output indicative of the weight of the semiconductor wafer. Because the temperature of the semiconductor wafer substantially matches the temperature of the metering chamber, and without significantly changing the temperature of the metering chamber (since the thermal load on the metering chamber is very small), all temperature errors in the measurement output are substantially zero. may be For example, there may be no significant convective current generated in the metering chamber 5 and there may be no significant change in the buoyancy force on the semiconductor wafer (which will be caused by heating of the air in the metering chamber 5 ), and There may be no significant temperature change (eg temperature rise or temperature non-uniformity) in the weighing scale 1 due to the presence of the semiconductor wafer on the weighing pan 3 .

상기 언급된 바와 같이, 본 실시 예의 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치는 IR 센서 (10) 및 제어기 (12) 를 포함한다. IR 센서 (10) 및 제어기 (12) 는 도면들에 개략적으로 예시되고, 물론 이들의 실제 구성 및 위치는 도면들에 예시된 것과 상이할 것이다.As mentioned above, the semiconductor wafer mass measurement apparatus of this embodiment includes an IR sensor 10 and a controller 12 . The IR sensor 10 and controller 12 are schematically illustrated in the drawings, and of course their actual configuration and location will be different from those illustrated in the drawings.

IR 센서 (10) 는 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치되기 전에 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 적외선 (IR) 복사선을 측정하도록 구성된다. 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 측정된 IR 복사선은 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치되기 전에 반도체 웨이퍼의 인입 온도를 나타낸다.The IR sensor 10 is configured to measure infrared (IR) radiation emitted by the semiconductor wafer before the semiconductor wafer is placed on the active heat transfer plate 9 . The measured IR radiation emitted by the semiconductor wafer represents the incoming temperature of the semiconductor wafer before being placed on the active heat transfer plate 9 .

상기 언급된 바와 같이, 반도체 웨이퍼와 능동 열 전달 플레이트 (9) 가 열 평형을 달성하기 위해 (예를 들어, 실질적으로 동일한 온도를 갖도록) 충분히 긴 시간 기간 동안 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치된다. 과거에 이는 동일한 시간 기간, 예를 들어 40 초 동안 모든 반도체 웨이퍼들을 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치시킴으로써 달성되었다. 그러나, 본 발명자들은 반도체 웨이퍼를 능동 열 전달 플레이트와 열 평형 상태로 만드는데 실제로 필요한 시간보다 길게 일부 보다 저온의 반도체 웨이퍼들이 능동 열 전달 플레이트 (9) 상에 위치된다는 것을 의미한다는 것을 깨달았다.As mentioned above, for a period of time sufficiently long for the semiconductor wafer and the active heat transfer plate 9 to achieve thermal equilibrium (eg, have substantially the same temperature), the semiconductor wafer is transferred to the active heat transfer plate 9 . is located on In the past this has been achieved by placing all semiconductor wafers on the active heat transfer plate 9 for the same period of time, eg 40 seconds. However, the inventors have realized that this means that some cooler semiconductor wafers are placed on the active heat transfer plate 9 for a longer time than is actually needed to bring the semiconductor wafer into thermal equilibrium with the active heat transfer plate.

대조적으로, 본 발명에서 제어기 (12) 는 IR 센서에 의해 수행된 측정에 기초하여 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각을 제어한다.In contrast, in the present invention, the controller 12 controls the cooling of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 based on the measurement performed by the IR sensor.

특히, 제어기 (12) 는 IR 센서로부터 측정 결과를 수신하고, 수신된 측정 결과에 기초하여 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각을 제어하도록 구성된다.In particular, the controller 12 is configured to receive a measurement result from the IR sensor, and control cooling of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 based on the received measurement result.

이 실시 예에서, 제어기 (12) 는 IR 센서 (10) 의 측정 결과에 기초하여 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각 지속 기간을 제어하도록 구성된다. 특히, 제어기 (12) 는 (보다 큰 측정된 IR 크기를 가질) 보다 고온의 반도체 웨이퍼들의 냉각 지속 기간보다 짧게 (보다 작은 측정된 IR 크기를 가질) 보다 저온의 반도체 웨이퍼들의 냉각 지속 기간을 제어하도록 구성된다. 반도체 웨이퍼의 온도가 목표된 온도, 예를 들어, 계량 챔버 (5) 의 온도와 같거나 미리 결정된 범위 내이면, 능동 열 전달 플레이트를 사용하여 반도체 웨이퍼를 냉각하지 않는 것으로 결정될 수도 있다. 즉, 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각 지속 기간은 0이 되게 제어될 수도 있다.In this embodiment, the controller 12 is configured to control the cooling duration of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 based on the measurement result of the IR sensor 10 . In particular, the controller 12 is configured to control the cooling duration of the cooler semiconductor wafers (which will have a smaller measured IR magnitude) shorter than the cooling duration of the higher temperature semiconductor wafers (which will have a larger measured IR magnitude). is composed If the temperature of the semiconductor wafer is equal to or within a predetermined range of a desired temperature, for example, the temperature of the metering chamber 5, it may be determined not to cool the semiconductor wafer using the active heat transfer plate. That is, the cooling duration of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 may be controlled to be zero.

이 실시 예에서, 제어기 (12) 는 IR 센서 (10) 의 측정 결과에 기초하여 인입 반도체 웨이퍼 각각을 "저온" 또는 "고온"으로 분류하고, 이 분류에 기초하여 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각 지속 기간을 제어하도록 구성된다. In this embodiment, the controller 12 classifies each of the incoming semiconductor wafers as "low temperature" or "high temperature" based on the measurement result of the IR sensor 10, and assigns the active heat transfer plate 9 to the active heat transfer plate 9 based on this classification. and control the duration of cooling of the semiconductor wafer by the

물론, 다른 실시 예들에서, 제어기 (12) 는 IR 센서 (10) 의 측정 결과에 기초하여 인입 반도체 웨이퍼 각각을 "대기" 또는 "비대기"로 분류하도록 보다 일반적으로 구성될 수도 있다.Of course, in other embodiments, the controller 12 may be more generally configured to classify each of the incoming semiconductor wafers as “standby” or “non-standby” based on the measurement result of the IR sensor 10 .

예를 들어, 반도체 웨이퍼에 대해 IR 센서 (10) 에 의해 측정된 IR 복사선의 크기는 크기가 미리 결정된 문턱 값보다 큰지 (또는 보다 크거나 같은지) 알기 위해 미리 결정된 문턱 값과 비교될 수도 있다. 크기가 미리 결정된 문턱 값보다 클 때 (또는 보다 크거나 같을 때), 반도체 웨이퍼는 "고온"으로 분류될 수도 있고, 그렇지 않은 경우 반도체 웨이퍼는 "저온"으로 분류될 수도 있다. For example, a magnitude of IR radiation measured by IR sensor 10 for a semiconductor wafer may be compared to a predetermined threshold to see if the magnitude is greater than (or greater than or equal to) a predetermined threshold. When the size is greater than (or greater than or equal to) a predetermined threshold, the semiconductor wafer may be classified as "hot", otherwise the semiconductor wafer may be classified as "cold".

"고온"으로 분류된 반도체 웨이퍼들은 제 1 지속 기간 동안 냉각될 수도 있는 반면, "저온"으로 분류된 반도체 웨이퍼들은 예를 들어 0일 수도 있는 보다 짧은 제 2 지속 기간 동안 냉각될 수도 있다 (즉, "저온" 웨이퍼들은 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 냉각되지 않을 수도 있다). 예를 들어, 모든 반도체 웨이퍼들이 40 초의 기간 동안 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 냉각되는 대신, "고온" 웨이퍼들은 40 초 동안 냉각될 수도 있고 "저온" 웨이퍼들은 예를 들어 30 초 동안 냉각될 수도 있다. 따라서, "고온" 웨이퍼와 "저온" 웨이퍼의 혼합을 냉각하기 위한 총 냉각 시간이 감소되고, 쓰루풋 및 생산성이 상승된다.Semiconductor wafers classified as “hot” may be cooled for a first duration, while semiconductor wafers classified as “cold” may be cooled for a second, shorter duration, which may, for example, be zero. "Cold" wafers may not be cooled by the active heat transfer plate 9). For example, instead of all semiconductor wafers being cooled by the active heat transfer plate 9 for a period of 40 seconds, “hot” wafers may be cooled for 40 seconds and “cold” wafers are cooled for, for example, 30 seconds. may be Thus, the total cooling time for cooling the mixture of "hot" and "cold" wafers is reduced, and throughput and productivity are increased.

물론, 3 개 이상의 분류들이 있을 수도 있고, 가장 고온의 반도체 웨이퍼들은 "고온" 웨이퍼들보다 긴 냉각 시간, 예를 들어 50 초를 갖는 제 3 카테고리로 분류될 수도 있다.Of course, there may be three or more classifications, and the hottest semiconductor wafers may be classified into a third category having a longer cooling time than “hot” wafers, for example 50 seconds.

이 실시 예에서, 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각 지속 기간은 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 상으로 로딩되는 시간 량을 제어함으로써 제어된다. 따라서, 제어기 (12) 는 능동 열 전달 플레이트 (9) 에 의해 반도체 웨이퍼 냉각 지속 기간을 적절히 제어하기 위해, 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상으로 로딩되는 시간 및 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 로부터 언로딩되는 시간을 제어할 수도 있다. 상기 언급된 바와 같이, 반도체 웨이퍼가 능동 열 전달 플레이트 (9) 상으로 로딩되는 시간 량은 0이도록 제어될 수도 있다.In this embodiment, the duration of cooling of the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 is controlled by controlling the amount of time the semiconductor wafer is loaded onto the active heat transfer plate. Accordingly, the controller 12 controls the time the semiconductor wafer is loaded onto the active heat transfer plate 9 and the time the semiconductor wafer is loaded onto the active heat transfer plate 9 to properly control the duration of cooling the semiconductor wafer by the active heat transfer plate 9 . It is also possible to control the unloading time from (9). As mentioned above, the amount of time the semiconductor wafer is loaded onto the active heat transfer plate 9 may be controlled to be zero.

다른 실시 예들에서, 제어기 (12) 는 대안적으로 또는 부가적으로, 능동 열 전달 플레이트 (9) 의 능동 냉각 량을 제어할 수도 있다. 예를 들어, 제어기 (12) 는 Peltier 디바이스들에 의해 제공된 냉각 레이트를 변화시키도록, Peltier 디바이스들 (11) 로 공급되는 전력을 제어할 수도 있다.In other embodiments, the controller 12 may alternatively or additionally control the amount of active cooling of the active heat transfer plate 9 . For example, controller 12 may control the power supplied to Peltier devices 11 to vary the cooling rate provided by the Peltier devices.

대안적인 실시 예들에서, 반도체 웨이퍼의 냉각은, 예를 들어 IR 센서 (10) 에 의한 IR 측정 결과를 반도체 웨이퍼의 적절한 냉각 지속 기간과 관련시키는 관계를 사용하여, IR 센서 (10) 의 측정 결과에 기초하여 고유하게 제어될 수도 있다. 이러한 관계는 적절한 실험에 의해 미리 결정될 수도 있다.In alternative embodiments, the cooling of the semiconductor wafer is dependent on the measurement result of the IR sensor 10, for example using a relationship that relates the IR measurement result by the IR sensor 10 to an appropriate cooling duration of the semiconductor wafer. It may be uniquely controlled based on This relationship may be predetermined by appropriate experimentation.

대안적으로, 반도체 웨이퍼들은 예를 들어 IR 센서 (10) 의 측정 출력을 복수의 미리 결정된 문턱 값들과 비교함으로써 3 개 이상의 카테고리들로 분류될 수도 있다.Alternatively, semiconductor wafers may be classified into three or more categories, for example, by comparing the measured output of the IR sensor 10 to a plurality of predetermined threshold values.

대안적인 실시 예에서, IR 센서 (10) 및 제어기 (12) 는 대신에 또는 부가적으로, 수동 열 전달 플레이트 (7) 를 위해 제공될 수도 있다. 따라서, 수동 열 전달 플레이트 (7) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각은 IR 센서 (10) 에 의한 측정에 기초하여 제어기 (12) 에 의해 제어될 수도 있다. In an alternative embodiment, the IR sensor 10 and the controller 12 may instead or additionally be provided for the passive heat transfer plate 7 . Accordingly, cooling of the semiconductor wafer by the passive heat transfer plate 7 may be controlled by the controller 12 based on the measurement by the IR sensor 10 .

도 2는 제 2 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다. 제 2 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치는 제 1 실시 예의 수동 열 전달 플레이트 (7) 가 생략된다는 점에서 제 1 실시 예와 상이하다. 이 실시 예의 다른 특징들은 그렇지 않으면 상기 논의된 제 1 실시 예의 특징들과 동일할 수도 있고, 따라서 이들 특징들은 다시 상세히 기술되지 않는다.Fig. 2 shows a semiconductor wafer mass measuring apparatus according to a second embodiment. The semiconductor wafer mass measuring apparatus according to the second embodiment is different from the first embodiment in that the passive heat transfer plate 7 of the first embodiment is omitted. Other features of this embodiment may otherwise be identical to those of the first embodiment discussed above, and therefore these features are not described in detail again.

제 2 실시 예에서, 반도체 웨이퍼는 능동 열 전달 플레이트 (9) 로부터 계량 챔버 (5) 로 직접 이송될 수도 있다. In a second embodiment, the semiconductor wafer may be transferred directly from the active heat transfer plate 9 to the metering chamber 5 .

이 실시 예에서, 능동 열 전달 플레이트 (9) 는 바람직하게 반도체 웨이퍼의 온도를 계량 챔버 (5) 의 온도에 실질적으로 매칭시키도록 제어된다.In this embodiment, the active heat transfer plate 9 is preferably controlled to substantially match the temperature of the semiconductor wafer to the temperature of the metering chamber 5 .

도 3은 제 3 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치를 도시한다. 제 3 실시 예에 따른 반도체 웨이퍼 질량 계측 장치는 능동 열 전달 플레이트 (9) 가 생략되고, 대신 IR 센서 (10) 및 제어기 (12) 가 수동 열 전달 플레이트 (7) 에 제공된다는 점에서 제 1 실시 예와 상이하다. Fig. 3 shows a semiconductor wafer mass measuring apparatus according to a third embodiment. The semiconductor wafer mass measurement apparatus according to the third embodiment is the first embodiment in that the active heat transfer plate 9 is omitted, and the IR sensor 10 and the controller 12 are instead provided on the passive heat transfer plate 7 . different from yes

따라서, 제 3 실시 예에서 IR 센서는 반도체 웨이퍼가 수동 열 전달 플레이트 (7) 상으로 로딩되기 전에 반도체 웨이퍼로부터 IR 복사선을 측정하고, 이는 수동 열 전달 플레이트 (7) 에서 반도체 웨이퍼의 인입 온도를 나타낸다.Thus, in the third embodiment the IR sensor measures the IR radiation from the semiconductor wafer before the semiconductor wafer is loaded onto the passive heat transfer plate 7 , which represents the incoming temperature of the semiconductor wafer in the passive heat transfer plate 7 . .

이어서 제어기 (12) 는 제 1 실시 예와 관련하여 상기 논의된 것과 유사한 방식으로, 예를 들어 반도체 웨이퍼가 수동 열 전달 플레이트 (7) 상으로 로딩되는 시간 량을 제어함으로써 수동 열 전달 플레이트 (7) 에 의한 반도체 웨이퍼의 냉각 지속 기간을 제어한다.The controller 12 then controls the passive heat transfer plate 7 in a manner similar to that discussed above with respect to the first embodiment, for example by controlling the amount of time the semiconductor wafer is loaded onto the passive heat transfer plate 7 . Controls the cooling duration of the semiconductor wafer by

대안적인 실시 예에서, 수동 열 전달 플레이트 (7) 는 계량 챔버 (5) 상에 위치되지 않을 수도 있고, 대신에 계량 챔버 (5) 에 별도로 제공될 수도 있다.In an alternative embodiment, the passive heat transfer plate 7 may not be located on the metering chamber 5 , but instead may be provided separately in the metering chamber 5 .

상기 논의된 실시 예들에서, 반도체 웨이퍼의 냉각은 IR 센서 (10) 에 의해 검출된 반도체 웨이퍼로부터의 IR 크기에 기초하여 제어된다.In the embodiments discussed above, cooling of the semiconductor wafer is controlled based on the IR magnitude from the semiconductor wafer detected by the IR sensor 10 .

일부 경우들에서, 반도체 웨이퍼들은 반도체 웨이퍼의 미리 결정된 온도에 대해 반도체 웨이퍼에 의해 방출된 IR 크기에 영향을 줄 수 있는 하나 이상의 코팅들을 가질 수도 있다.In some cases, semiconductor wafers may have one or more coatings that can affect the amount of IR emitted by the semiconductor wafer for a predetermined temperature of the semiconductor wafer.

따라서 본 발명은 예를 들어 반도체 웨이퍼의 임의의 표면 코팅들의 IR 방사율을 고려함으로써 반도체 웨이퍼의 특정한 구성에 대해 IR 센서 (10) 및/또는 제어기 (12) 를 캘리브레이팅하는 것을 더 포함할 수도 있다.Thus, the present invention may further comprise calibrating the IR sensor 10 and/or controller 12 for a particular configuration of the semiconductor wafer, for example by taking into account the IR emissivity of any surface coatings of the semiconductor wafer. .

예를 들어, IR 센서 (10) 의 측정 결과가 반도체 웨이퍼를 특정한 카테고리로 분류하도록 미리 결정된 문턱 값과 비교되는 경우, 미리 결정된 문턱 값은 측정될 반도체 웨이퍼의 특정한 구성, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 임의의 표면 코팅을 고려하여 결정될 수도 있다. For example, when the measurement result of the IR sensor 10 is compared with a predetermined threshold value to classify the semiconductor wafer into a specific category, the predetermined threshold value is a specific configuration of the semiconductor wafer to be measured, for example, any It may be determined by considering the surface coating of

이러한 미리 결정된 값은 반도체 웨이퍼의 상이한 온도들에 대해 특정한 구성 (예를 들어, 특정한 표면 코팅들) 을 갖는 반도체 웨이퍼로부터 IR 신호들을 측정함으로써 실험적으로 결정될 수 있다. 대안적으로, 이러한 미리 결정된 값은 이론에 기초하여 계산될 수도 있다.This predetermined value can be determined experimentally by measuring IR signals from a semiconductor wafer having a specific configuration (eg, specific surface coatings) for different temperatures of the semiconductor wafer. Alternatively, this predetermined value may be calculated based on theory.

상기 기술된 실시 예들은 반도체 웨이퍼를 냉각하는 것에 관한 것이다. 그러나, 다른 실시 예들에서, 능동 및/또는 수동 열 전달 플레이트는 반도체 웨이퍼를 가열하기 위해 대신 사용될 수도 있다.The embodiments described above relate to cooling a semiconductor wafer. However, in other embodiments, an active and/or passive heat transfer plate may be used instead to heat the semiconductor wafer.

상기 기술된 실시 예들의 능동 및/또는 수동 열 전달 플레이트는 다른 타입들의 냉각 또는 가열 디바이스들로 대체될 수도 있다.The active and/or passive heat transfer plate of the embodiments described above may be replaced with other types of cooling or heating devices.

상기 실시 예들은 반도체 웨이퍼가 계량 저울 상으로 로딩되는 반도체 웨이퍼 질량 계측에 관한 것이다. 그러나, 다른 실시 예들은 반도체 웨이퍼가 상이한 타입의 측정 영역 상으로 로딩되는 다른 타입들의 계측, 또는 보다 일반적으로 반도체 웨이퍼가 프로세싱 영역 상으로 로딩되는 다른 타입들의 반도체 웨이퍼 프로세싱과 관련될 수도 있다.The above embodiments relate to semiconductor wafer mass measurement in which the semiconductor wafer is loaded onto a weighing scale. However, other embodiments may relate to other types of metrology in which a semiconductor wafer is loaded onto a different type of measurement region, or more generally other types of semiconductor wafer processing in which a semiconductor wafer is loaded onto a processing region.

Claims

A semiconductor wafer mass measurement method comprising:
A step of controlling the temperature of the semiconductor wafer, comprising:
detecting information about the temperature of the semiconductor wafer; and
controlling cooling or heating of the semiconductor wafer based on the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer;
controlling the temperature, by the controlling step, wherein controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer comprises controlling a duration of the cooling or heating of the semiconductor wafer; and
and subsequently loading the semiconductor wafer onto a measurement area of a semiconductor wafer mass measurement device.

The method of claim 1,
wherein the information regarding the temperature of the semiconductor wafer is detected using a non-contact measurement method.

3. The method according to claim 1 or 2,
wherein detecting the information regarding the temperature of the semiconductor wafer comprises detecting radiation emitted by the semiconductor wafer.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
comparing the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to a threshold value; and
and controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer based on the comparison result.

5. The method according to any one of claims 1 to 4,
comparing the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to a threshold value;
classifying the semiconductor wafer into one of a plurality of categories based on the comparison result; and
and controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer based on a result of the classification.

6. The method according to any one of claims 1 to 5,
and controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer comprises controlling the rate of cooling or heating of the semiconductor wafer.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
wherein the semiconductor wafer is cooled or heated using a powered cooling or heating device.

8. The method of claim 7,
and controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer comprises controlling power of the cooling or heating device.

9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The step of controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer is a duration of the cooling or heating of the semiconductor wafer when the temperature of the semiconductor wafer is equal to, or within a predetermined range of, a predetermined temperature. Controlling to be zero, the semiconductor wafer mass measurement method.

10. The method according to any one of claims 1 to 9,
If the controlling the cooling or heating of the semiconductor wafer is a temperature difference between the measured temperature of the semiconductor wafer and the predetermined temperature is less than ±2K, or less than ±1K, or less than ±0.5K, or less than ±0.1K and skipping an available cooling or heating step.

11. The method according to any one of claims 1 to 10,
the measuring area is inside the measuring chamber; And
wherein the temperature of the semiconductor wafer is substantially equal to the temperature of the measurement chamber or is controlled to within ±2K, or ±1K, or ±0.5K, or ±0.1K of the temperature of the measurement chamber. Way.

A semiconductor wafer mass measurement device comprising:
a cooling or heating unit for cooling or heating the semiconductor wafer;
a controller configured to control cooling or heating of the semiconductor wafer by the cooling or heating unit based on detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer; and
comprising a measurement area;
and the controller is configured to control a duration of cooling or heating of the semiconductor wafer by the cooling or heating unit.

13. The method of claim 12,
The controller is
compare the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to a threshold value; And
and control the cooling or heating of the semiconductor wafer based on the comparison result.

14. The method according to claim 12 or 13,
The controller is
compare the detected information regarding the temperature of the semiconductor wafer to a threshold value;
classifying the semiconductor wafer into one of a plurality of categories based on the comparison result; And
and control the cooling or heating of the semiconductor wafer based on a result of the classification.

15. The method according to any one of claims 12 to 14,
and the controller is configured to control a duration of time that the semiconductor wafer is in contact with the cooling or heating portion.

16. The method according to any one of claims 12 to 15,
and the controller is configured to control a cooling or heating rate of the cooling or heating portion.

17. The method according to any one of claims 12 to 16,
and the cooling or heating section comprises a powered cooling or heating device.

18. The method of claim 17,
and the controller is configured to control power of the powered cooling or heating device.

19. The method according to any one of claims 12 to 18,
wherein the controller is configured to control the duration of the cooling or heating of the semiconductor wafer to be zero when the temperature of the semiconductor wafer is equal to a predetermined temperature, or is within a predetermined range of a predetermined temperature. Wafer mass measurement device.

20. The method according to any one of claims 12 to 19,
wherein the controller is configured to skip an available cooling or heating step if the temperature difference between the measured temperature and the predetermined temperature of the semiconductor wafer is less than ±2K, or ±1K, or ±0.5K, or ±0.1K. Wafer mass measurement device.

21. The method according to any one of claims 12 to 20,
wherein the apparatus comprises a detector configured to detect the information regarding the temperature of the semiconductor wafer.

21. A device according to any one of claims 12 to 20; and
and a detector configured to detect the information regarding the temperature of the semiconductor wafer.

23. A device according to claim 21 or a system according to claim 22, comprising:
wherein the detector comprises an infrared detector for detecting infrared radiation from the semiconductor wafer.

22. The method according to any one of claims 12 to 21,
wherein the device is a semiconductor wafer mass measurement device further comprising a measurement area.