KR20200135260A - Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 다이 본딩 장치에 관한 것이며, 예를 들어 기판을 인식하는 카메라를 구비하는 다이 본더에 적용 가능하다.The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable to, for example, a die bonder having a camera that recognizes a substrate.
반도체 장치의 제조 공정의 일부에 반도체 칩(이하, 간단히 다이라 함)을 배선 기판이나 리드 프레임 등(이하, 간단히 기판이라 함)에 탑재하여 패키지를 조립하는 공정이 있고, 패키지를 조립하는 공정의 일부에, 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 함)로부터 다이를 분할하는 공정(다이싱 공정)과, 분할한 다이를 기판 상에 탑재하는 다이 본딩 공정이 있다. 다이 본딩 공정에 사용되는 반도체 제조 장치가 다이 본더 등의 다이 본딩 장치이다.Part of the manufacturing process of a semiconductor device includes a process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter, simply referred to as a die) on a wiring board or lead frame (hereinafter, simply referred to as a substrate). Some include a process of dividing a die from a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) (a dicing process), and a die bonding process of mounting the divided die on a substrate. A semiconductor manufacturing apparatus used in the die bonding process is a die bonding apparatus such as a die bonder.
다이 본더는, 땜납, 금 도금, 수지를 접합 재료로 하여, 다이를 기판 또는 이미 본딩된 다이 상에 본딩(탑재하여 접착)하는 장치이다. 다이를, 예를 들어 기판의 표면에 본딩하는 다이 본더에 있어서는, 콜릿이라 불리는 흡착 노즐을 사용하여 다이를 웨이퍼로부터 흡착하여 픽업하고(픽업 공정), 기판 상으로 반송하여, 압박력을 부여함과 함께, 접합재를 가열함으로써 본딩을 행한다(본딩 공정)는 동작(작업)이 반복하여 행해진다.The die bonder is an apparatus for bonding (mounting and bonding) a die onto a substrate or an already bonded die using solder, gold plating, or resin as a bonding material. In a die bonder that bonds a die to the surface of a substrate, for example, the die is picked up by adsorbing it from the wafer using a suction nozzle called a collet (pick-up process), conveying it onto the substrate, and applying a pressing force. , The bonding is performed by heating the bonding material (bonding process), and the operation (operation) is repeatedly performed.
상술한 픽업 공정 시 및 본딩 공정 시에는, 각각의 공정에 맞추어, 다이나 기판을 촬상 장치에 의해 촬상하고, 촬상한 화상에 기초하여 화상 처리에 의해 위치 결정 및 검사를 행한다.In the above-described pick-up process and bonding process, the dyna substrate is imaged by an imaging device according to each process, and positioning and inspection are performed by image processing based on the captured image.
그러나, 최근의 패키지 소형·박형화, 다이의 박형화에 의한 chip on chip의 적층 기술의 발달에 의해, 다이의 본딩은 보다 엄격한 1자릿수 오더의 ㎛의 위치 결정이 필요로 되고 있다. 위치 결정 정밀도를 높이기 위해서는, 본딩 처리에 관여하는 본딩 헤드, 촬상계 등의 실장 유닛의 위치와 회전각으로 규정되는 자세를 정확하게 파악하는 것이 중요하다.However, with the recent development of chip-on-chip stacking technology due to package miniaturization and thickness reduction and die thickness reduction, die bonding requires more stringent single-digit order µm positioning. In order to increase the positioning accuracy, it is important to accurately grasp the positions of mounting units such as bonding heads and imaging systems involved in the bonding process and the posture defined by the rotation angle.
본 개시의 과제는, 위치 결정 정밀도를 보다 향상시키는 다이 본딩 장치를 제공하는 것이다.An object of the present disclosure is to provide a die bonding device that further improves positioning accuracy.
그 밖의 과제와 신규 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백하게 될 것이다.Other problems and novel features will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
본 개시 중 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면 하기와 같다.A brief overview of representative ones of the present disclosure is as follows.
즉, 다이 본딩 장치는, 픽업한 다이를 기판에 적재하는 본딩 헤드와, 상기 본딩 헤드의 상부에 설치되는 광을 발하는 타깃 마커와, 상기 기판의 위치 인식 마크 및 상기 타깃 마커를 촬상하는 촬상 장치를 구비한다. 상기 촬상 장치는, 초점이 어긋난 상태에서, 상기 타깃 마커를 촬상한다.That is, the die bonding device includes a bonding head for loading a picked up die on a substrate, a target marker that emits light provided on the bonding head, and an imaging device for imaging the position recognition mark and the target marker of the substrate. Equipped. The imaging device captures an image of the target marker while the focus is out of focus.
상기 다이 본딩 장치에 의하면, 위치 결정 정밀도를 보다 향상시킬 수 있다.According to the die bonding device, positioning accuracy can be further improved.
도 1은 본딩 헤드 및 카메라의 좌표계를 설명하는 도면.
도 2는 본딩 헤드 및 카메라의 좌표계를 맞추는 방법을 설명하는 도면.
도 3은 본딩 헤드의 X축 또는 Y축의 동작에 의해 발생하는 피칭이 Z축에 미치는 영향을 설명하는 도면.
도 4는 본딩 헤드의 변위를 설명하는 도면.
도 5는 실시 형태의 카메라와 본딩 헤드와 기판의 관계를 도시하는 도면.
도 6은 발광 타깃 마커와 위치 정렬 마크의 관계를 설명하는 도면.
도 7은 도 6의 발광 타깃 마커의 촬상 화상을 도시하는 도면.
도 8은 발광 타깃 마커의 구성예를 도시하는 도면.
도 9는 실시 형태의 발광 타깃 마커와 다른 타깃 마커의 비교를 설명하는 도면.
도 10은 본딩 헤드의 위치 어긋남을 설명하는 도면.
도 11은 제1 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면.
도 12는 제2 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면.
도 13은 본딩 헤드의 기울기의 측정을 설명하는 도면.
도 14는 본딩 헤드의 기울기의 측정을 설명하는 도면.
도 15는 제3 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면.
도 16은 제4 변형예의 발광 타깃 마커의 구성예를 도시하는 도면.
도 17은 근접 원형상의 겹침을 설명하는 도면.
도 18은 실시예의 다이 본더의 구성예를 도시하는 개략 상면도.
도 19는 도 18에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때의 개략 구성을 설명하는 도면.
도 20은 도 18의 다이 공급부의 구성을 도시하는 외관 사시도.
도 21은 도 18의 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 22는 도 18의 다이 본더의 제어계의 개략 구성을 도시하는 블록도.
도 23은 도 18의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 플로우차트.1 is a diagram for explaining a coordinate system of a bonding head and a camera.
2 is a diagram illustrating a method of aligning a bonding head and a coordinate system of a camera.
Fig. 3 is a diagram for explaining the effect of pitching on the Z-axis caused by the motion of the bonding head in the X-axis or Y-axis.
4 is a diagram explaining displacement of a bonding head.
5 is a diagram showing a relationship between a camera, a bonding head, and a substrate according to the embodiment.
Fig. 6 is a diagram for explaining a relationship between a light emission target marker and a position alignment mark.
Fig. 7 is a diagram showing a captured image of the light emission target marker in Fig. 6;
Fig. 8 is a diagram showing a configuration example of a light emission target marker.
Fig. 9 is a diagram for explaining a comparison between a light emission target marker according to an embodiment and another target marker.
Fig. 10 is a diagram explaining a positional displacement of a bonding head.
Fig. 11 is a diagram for explaining a light emission target marker of a first modification.
Fig. 12 is a diagram for explaining a light emission target marker of a second modification.
Fig. 13 is a diagram explaining measurement of inclination of a bonding head.
Fig. 14 is a diagram explaining measurement of inclination of a bonding head.
Fig. 15 is a diagram for explaining a light emission target marker of a third modification.
Fig. 16 is a diagram showing a configuration example of a light emission target marker according to a fourth modification.
Fig. 17 is a diagram for explaining overlapping of adjacent circular shapes.
Fig. 18 is a schematic top view showing a configuration example of a die bonder of the embodiment.
FIG. 19 is a diagram explaining a schematic configuration when viewed from the direction of arrow A in FIG. 18;
Fig. 20 is an external perspective view showing the configuration of the die supply unit of Fig. 18;
Fig. 21 is a schematic cross-sectional view showing an essential part of the die supply section of Fig. 18;
Fig. 22 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system of the die bonder of Fig. 18;
Fig. 23 is a flowchart for explaining a die bonding process in the die bonder of Fig. 18;
이하, 실시 형태, 변형예 및 실시예에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 단, 이하의 설명에 있어서, 동일 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 반복 설명을 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확하게 하기 위해, 실제의 양태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대하여 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments, modifications, and examples will be described with reference to the drawings. However, in the following description, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and repeated explanations may be omitted. In addition, in order to make the explanation more clear, the drawings may be schematically expressed with respect to the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual mode, but are only examples and do not limit the interpretation of the present invention. .
먼저, 위치 결정의 과제에 대하여 도 1 내지 도 4를 사용하여 설명한다. 도 1은 본딩 헤드 및 카메라의 좌표계를 설명하는 도면이다. 도 2는 본딩 헤드 및 카메라의 좌표계를 맞추는 방법을 설명하는 도면이다. 도 3은 본딩 헤드의 X축 또는 Y축의 동작에 의해 발생하는 피칭이 Z축에 미치는 영향을 설명하는 도면이다. 도 4는 본딩 헤드의 변위를 설명하는 도면이다.First, the problem of positioning will be described using FIGS. 1 to 4. 1 is a diagram illustrating a coordinate system of a bonding head and a camera. 2 is a diagram for explaining a method of aligning the bonding head and the camera coordinate system. FIG. 3 is a diagram for explaining the effect of pitching on the Z-axis caused by an X-axis or Y-axis motion of the bonding head. 4 is a diagram for explaining the displacement of the bonding head.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판 등의 워크를 촬상하는 카메라 CA는 XY 테이블 DU1에 탑재되고, 본딩 헤드 HD는 다른 XY 테이블 DU2에 탑재된다. 본딩 장치에 있어서의 본딩 헤드의 위치를 정확하게 파악함으로써 본딩 정밀도를 안정화시키고자 한다. 그러나, 상이한 XY 테이블에 탑재되어 있는 본딩 헤드 HD와 카메라 CA(광학계)의 좌표계를 기계적으로 완전히 일치시키는 것은 곤란하다.As shown in Fig. 1, a camera CA for imaging a work such as a substrate is mounted on an XY table DU1, and a bonding head HD is mounted on another XY table DU2. The bonding accuracy is stabilized by accurately grasping the position of the bonding head in the bonding apparatus. However, it is difficult to mechanically completely match the coordinate system of the bonding head HD mounted on different XY tables and the camera CA (optical system).
본딩 헤드 HD의 위치를 정확하게 파악하기 위해, 감압지 PSP에 본딩 헤드 HD로 복수의 타흔을 형성하여, 본딩 헤드와 광학계의 2개의 평면 좌표계의 변환 행렬을 작성하는 방법이 있다. 이 방법에서는, 타흔을 상당한 다수로 형성하지 않으면, 본딩 헤드 HD의 XY 테이블 DU2의 피칭, 요잉의 영향을 제거할 수 없다. 따라서, 실질적으로, 이 방법에 의해 피칭, 요잉의 보정은 불가능하다. 또한, 가대 등이 열변형되어 본딩 헤드 HD의 XY 테이블 DU2와 카메라 CA의 XY 테이블 DU1의 위치 관계가 변동된 경우, 그 영향을 제거할 수 없다. 또한, 실시간으로 본딩 헤드 HD의 위치를 감시할 수 없다.In order to accurately grasp the position of the bonding head HD, there is a method of forming a plurality of marks on the pressure-sensitive paper PSP with the bonding head HD to create a transformation matrix of two plane coordinate systems of the bonding head and the optical system. In this method, the influence of pitching and yawing of the XY table DU2 of the bonding head HD cannot be eliminated unless a considerable number of strokes are formed. Therefore, it is practically impossible to correct pitching and yawing by this method. In addition, when the mount or the like is thermally deformed and the positional relationship between the XY table DU2 of the bonding head HD and the XY table DU1 of the camera CA is changed, the influence cannot be removed. Also, it is not possible to monitor the position of the bonding head HD in real time.
도 3에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD의 X축 또는 Y축의 동작에 의해 발생하는 피칭이 Z축에 영향을 준다. 즉, 본딩 헤드 HD를 탑재하고 있는 XY 테이블 DU2에 발생하는 피칭, 요잉 등으로부터, 본딩 헤드 HD의 앙각의 변위, 앙각 방향의 변위, 자신의 θ 방향의 변위도 발생한다. 앙각이 변화됨으로써 본딩 헤드 HD의 착지 위치에 영향을 준다(착지 위치가 변동된다). 따라서, 정확한 본딩을 실현하기 위해서는, XY 테이블에 탑재한 본딩 헤드 HD의 Z축의 기울기(앙각)도 파악할 필요가 있어, 도 4에 도시한 바와 같이 본딩 헤드 HD의 XY의 변위(XY의 오프셋 좌표)와 또한, Z의 변위(헤드의 높이), 앙각(헤드의 앙각(α)) 및 앙각 방향(헤드의 앙각의 방향(β)), 헤드 자신의 방향의 변위(헤드의 회전(θ))를 검출할 필요가 있다.As shown in Fig. 3, pitching generated by the motion of the X-axis or Y-axis of the bonding head HD affects the Z-axis. That is, the displacement of the elevation angle of the bonding head HD, the displacement in the elevation direction, and the displacement in the θ direction of the bonding head HD are also generated from pitching and yawing generated in the XY table DU2 on which the bonding head HD is mounted. A change in elevation angle affects the landing position of the bonding head HD (the landing position changes). Therefore, in order to realize accurate bonding, it is necessary to grasp the inclination (elevation angle) of the Z-axis of the bonding head HD mounted on the XY table, and as shown in FIG. 4, the displacement of the XY of the bonding head HD (the offset coordinate of XY). And also, the displacement of the Z (height of the head), the elevation angle (the elevation angle of the head (α)) and the elevation direction (the direction of the elevation angle of the head (β)), the displacement in the direction of the head itself (rotation of the head (θ)). Need to be detected.
<실시 형태><Embodiment>
다음으로, 상술한 과제를 해결하는 일례인 실시 형태에 대하여 도 5 내지 도 8을 사용하여 설명한다. 도 5는 실시 형태의 카메라와 본딩 헤드와 기판의 관계를 도시하는 도면이다. 도 6은 발광 타깃 마커와 위치 정렬 마크의 관계를 설명하는 도면이다. 도 7은 도 6의 발광 타깃 마커의 촬상 화상을 도시하는 도면이다. 도 8은 발광 타깃 마커의 구성예를 도시하는 도면이다.Next, an embodiment that is an example of solving the above-described problem will be described with reference to FIGS. 5 to 8. 5 is a diagram showing a relationship between a camera, a bonding head, and a substrate according to an embodiment. 6 is a diagram for explaining a relationship between a light emission target marker and a position alignment mark. FIG. 7 is a diagram showing a captured image of the light emission target marker in FIG. 6. 8 is a diagram showing an example of the configuration of a light emission target marker.
도 5에 도시한 바와 같이, 촬상 장치인 카메라 CA에 의해 일괄적으로 기판 S 상의 타깃 위치(위치 인식 마크) TP와 본딩 헤드의 좌표를 감시한다. 이에 의해, 카메라 CA의 화상 내의 좌표계로 일원 관리할 수 있어, 정확한 오프셋양을 산출할 수 있다. 또한, 실시간으로 본딩 헤드 HD의 위치를 감시할 수 있어, 열변형 등에도 대응할 수 있다.As shown in Fig. 5, the target position (position recognition mark) TP on the substrate S and the coordinates of the bonding head are collectively monitored by the camera CA, which is an imaging device. Thereby, the coordinate system in the image of the camera CA can be uniformly managed, and an accurate offset amount can be calculated. In addition, since the position of the bonding head HD can be monitored in real time, it can respond to thermal deformation and the like.
본딩 헤드 HD의 좌표를 감시하기 위해, 도 6에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD에 LED 광원을 포함하는 발광 타깃 마커 LTM을 설치하고, 카메라 CA에 의해 그 위치를 검출한다. 이때, 기판 S 상의 타깃에 초점이 맞추어져 때문에, 발광 타깃 마커 LTM은 카메라 CA의 초점 거리(Lf)보다도 짧은 거리(Lh)에 위치하고, 촬상 화상은 초점 어긋남에 의해, 도 7에 도시한 바와 같이 광원(발광 타깃 마커 LTM)이 둥글게 찍혀 원형상 CI를 형성한다. 원형상 CI는 본딩 헤드 HD의 움직임에 선형적으로 추종한다. 따라서, 이 초점 어긋남의 원형상 CI라도, 카메라 CA와 본딩 헤드 HD의 상대 위치를 구할 수 있다. 또한, 원형상 CI는 초점이 맞추어져 있을 때의 광원상보다 크게 찍힌다. 크게 찍히는 원에서의 위치 결정 정밀도는, 작게 찍힌 원보다 화상 연산 상에서의 위치 결정 정밀도가 우수하다. 통상, 원의 경우에는 화상 경계면인 원주 길이가 긴 쪽이 위치 결정 정밀도가 좋다.In order to monitor the coordinates of the bonding head HD, as shown in Fig. 6, a light emission target marker LTM including an LED light source is installed on the bonding head HD, and the position thereof is detected by the camera CA. At this time, since the target on the substrate S is focused, the light emission target marker LTM is located at a distance Lh shorter than the focal length Lf of the camera CA, and the captured image is defocused as shown in FIG. A light source (light emission target marker LTM) is rounded to form a circular CI. The circular CI linearly follows the movement of the bonding head HD. Therefore, even with the circular CI of this out-of-focus, the relative position of the camera CA and the bonding head HD can be obtained. In addition, the circular CI is taken larger than the light source image when the focus is focused. The positioning accuracy in a circle that is taken as large is superior to that in a circle that is taken as small in image calculation. In general, in the case of a circle, the longer the circumferential length, which is the image boundary, has better positioning accuracy.
또한, LED를 본딩 헤드 HD에 직접 탑재하면, LED의 발광 시의 자발열의 영향에 의해 발광 타깃 마커 LTM의 위치가 움직여 버리므로, 도 8에 도시한 바와 같이, 열원이기도 한 광원 LS를 본딩 헤드 HD로부터 이격하고, 광 파이버 OF에 의해 본딩 헤드 HD의 상부의 발광 타깃 마커 LTM의 위치로 도광하는 것이 바람직하다. 광 파이버를 사용하여 발광 광원의 타깃 마커부와 열원을 분리함으로써 발광 타깃 마커 LTM의 위치를 안정시킬 수 있다.In addition, if the LED is mounted directly on the bonding head HD, the position of the light-emitting target marker LTM is moved due to the effect of self-heating during the light emission of the LED. As shown in Fig. 8, the light source LS, which is also a heat source, is used as the bonding head. It is preferable that the light is separated from the HD and guided by an optical fiber OF to the position of the light emission target marker LTM on the upper part of the bonding head HD. The position of the light-emitting target marker LTM can be stabilized by separating the target marker portion of the light-emitting light source from the heat source using an optical fiber.
여기서, 다른 예와 비교한다. 도 9는 실시 형태의 발광 타깃 마커와 다른 타깃 마커의 비교를 설명하는 도면이며, 도 9의 (A)는 카메라가 기판 상의 타깃에 초점이 맞추어져 있는 경우를 도시하는 도면이고, 도 9의 (B)는 본딩 헤드에 제1 비교예의 타깃 마커를 탑재한 경우를 도시하는 도면이며, 도 9의 (C)는 본딩 헤드에 제2 비교예의 타깃 마커를 탑재한 경우를 도시하는 도면이고, 도 9의 (D)는 도 9의 (C)의 본딩 헤드가 기울어진 경우를 도시하는 도면이며, 도 9의 (E)는 본딩 헤드에 실시 형태의 발광 타깃 마커를 탑재한 경우를 도시하는 도면이다.Here, compare with other examples. FIG. 9 is a diagram for explaining a comparison between a light emission target marker and another target marker according to the embodiment, FIG. 9A is a diagram illustrating a case where the camera is focused on a target on the substrate, and FIG. B) is a diagram showing a case where the target marker of the first comparative example is mounted on the bonding head, and FIG. 9C is a diagram showing a case where the target marker of the second comparative example is mounted on the bonding head, and FIG. 9 FIG. 9(D) is a diagram showing a case where the bonding head of FIG. 9C is inclined, and FIG. 9(E) is a diagram showing a case where the light emission target marker of the embodiment is mounted on the bonding head.
하기의 이유로부터, 본딩 헤드 HD에 탑재하는 타깃 마커로서 발광 광원을 사용하는 실시 형태의 방법이 우수하다고 할 수 있다.From the following reasons, it can be said that the method of the embodiment using a light emitting light source as a target marker mounted on the bonding head HD is excellent.
도 9의 (A)에 도시한 카메라 CA의 위치에서 기판 S 상의 타깃에 초점이 맞추어져 있다.The target on the substrate S is focused at the position of the camera CA shown in Fig. 9A.
도 9의 (B)에 도시한 바와 같이, 유리 증착 타입으로 발광하지 않는 통상의 타깃 마커 TM을 본딩 헤드 HD의 상부에 탑재하면, 타깃 마커 TM과는 초점이 맞지 않아 초점 어긋남으로 촬상되게 되어, 주위와 화상이 중첩되어 타깃 마커 TM을 식별하기 어려워진다. 또한, 조명을 별도로 설치할 필요가 있어, 주위도 비추어 버린다. 따라서, 타깃 마커 TM이 부상하도록 주변 설계가 필요하다. 도 9의 (E)에 도시한 바와 같이, 광점이 작은 LED를 탑재하여 그것을 인식하는(발광 타깃 마커 LTM을 사용하는) 실시 형태에서는 주위와의 콘트라스트차를 높게 할 수 있다.As shown in Fig. 9B, when a conventional target marker TM that does not emit light in a glass vapor deposition type is mounted on the upper portion of the bonding head HD, the target marker TM is out of focus and thus an image is taken out of focus. The surroundings and images overlap, making it difficult to identify the target marker TM. In addition, it is necessary to separately install a lighting, so it illuminates the surroundings. Therefore, a peripheral design is required so that the target marker TM can float. As shown in Fig. 9E, in the embodiment in which an LED having a small light point is mounted and recognized (using a light emission target marker LTM), the contrast difference with the surroundings can be increased.
도 9의 (C)에 도시한 바와 같이, 미러 MR이나 프리즘 등을 설치하고, 타깃 마크 TM을 본딩 헤드 HD의 측부에 탑재하여, 초점을 맞추는 것이 생각되지만, 미러 MR이나 프리즘 등을 사용하면, 도 9의 (D)에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD의 앙각이 변화되었을 때에 위치를 파악하기 어려워진다.As shown in Fig. 9C, it is considered that a mirror MR, a prism, etc. are installed, and a target mark TM is mounted on the side of the bonding head HD to focus, but when a mirror MR or a prism is used, As shown in Fig. 9D, when the elevation angle of the bonding head HD is changed, it becomes difficult to grasp the position.
다음으로, 본딩 헤드의 위치 어긋남의 보정에 대하여 도 10을 사용하여 설명한다. 도 10은 본딩 헤드의 위치 어긋남을 설명하는 도면이며, 도 10의 (A), (D)는 위치 어긋나 있지 않은 경우를 도시하는 도면이고, 도 10의 (B)는 본딩 헤드가 Y축 정방향으로 위치 어긋나 있는 경우를 도시하는 도면이며, 도 10의 (C)는 본딩 헤드가 Y축 부방향으로 위치 어긋나 있는 경우를 도시하는 도면이다.Next, correction of the positional displacement of the bonding head will be described with reference to FIG. 10. Fig. 10 is a diagram explaining the positional displacement of the bonding head, Figs. 10A and 10D are diagrams illustrating a case where the position is not displaced, and Fig. 10B is the bonding head in the positive Y-axis direction. It is a figure which shows the case where there is a position shift, FIG. 10C is a figure which shows the case where a bonding head is shifted in a negative Y-axis direction.
도 10의 (B), (C)에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD의 이동량에 증감이 있었던 경우, 본딩 헤드 HD의 상부에 형성한 발광 타깃 마커 LTM을 카메라 CA에 의해 인식함으로써 이동량의 증감(위치 어긋남양)을 검출할 수 있다. 그 만큼을 보정함으로써 본딩 위치를 정확하게 컨트롤할 수 있다.As shown in (B) and (C) of Fig. 10, when there is an increase or decrease in the movement amount of the bonding head HD, the light emission target marker LTM formed on the upper part of the bonding head HD is recognized by the camera CA to increase or decrease the movement amount ( Position shift amount) can be detected. By correcting that much, the bonding position can be accurately controlled.
실시 형태에 따르면, 이하에 나타내는 1개 또는 복수의 효과가 얻어진다.According to the embodiment, one or more effects shown below are obtained.
(1) 하나의 카메라로 워크인 기판과 본딩 헤드의 위치를 측정함으로써, 하나의 카메라 화상의 좌표계로 상대 위치 검출이 가능해진다. 카메라간이나 유닛간의 좌표 맞춤에 의한 불필요한 보정 처리를 행하지 않아도 된다.(1) By measuring the positions of the work-in substrate and the bonding head with one camera, it becomes possible to detect the relative position in the coordinate system of one camera image. It is not necessary to perform unnecessary correction processing by aligning coordinates between cameras or units.
(2) 본딩 헤드의 좌표를 그때마다 측정이 가능해진다. 따라서, 착공 전에 생성한 보정 데이터에의 의존도를 저감시키는 것이 가능해진다.(2) The coordinates of the bonding head can be measured each time. Therefore, it becomes possible to reduce the dependence on the correction data generated before the start of construction.
(3) 발광 타깃 마커를 사용함으로써, 초점이 맞추어져 있지 않은 상태에서의 촬상 화상을 안정적으로 얻는 것이 가능해진다.(3) By using the light emission target marker, it becomes possible to stably obtain a captured image in a state that is not in focus.
(4) 본딩 헤드의 공간적인 위치를 정확하게 파악함으로써 본딩의 정밀도 향상이 가능해진다.(4) By accurately grasping the spatial position of the bonding head, it is possible to improve the bonding accuracy.
<변형예><modification example>
이하, 실시 형태의 대표적인 변형예에 대하여, 몇 가지를 예시한다. 이하의 변형예의 설명에 있어서, 상술한 실시 형태에서 설명한 것과 마찬가지의 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는, 상술한 실시 형태와 마찬가지의 부호가 사용될 수 있는 것으로 한다. 그리고 이러한 부분의 설명에 대해서는, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 실시 형태에 있어서의 설명이 적절히 원용될 수 있는 것으로 한다. 또한, 상술한 실시 형태의 일부, 및, 복수의 변형예의 전부 또는 일부가, 기술적으로 모순되지 않는 범위 내에 있어서, 적절히, 복합적으로 적용될 수 있다.Hereinafter, some of the typical modified examples of the embodiment are illustrated. In the description of the following modification, it is assumed that the same reference numerals as those in the above-described embodiment can be used for portions having the same configuration and function as those described in the above-described embodiment. And for the description of such a part, it is assumed that the description in the above-described embodiment can be appropriately used within a range not technically contradictory. In addition, a part of the above-described embodiment, and all or part of a plurality of modified examples may be appropriately and complexly applied within a range not technically contradictory.
실시 형태에서는 본딩 헤드에 탑재하는 발광 타깃 마크는 하나이지만, 발광 타깃 마크를 복수 탑재함으로써, 본딩 헤드의 회전이나 높이, 앙각 관련의 측정이 가능해진다.In the embodiment, there is only one light emission target mark to be mounted on the bonding head, but by mounting a plurality of light emission target marks, it becomes possible to measure the rotation, height, and elevation of the bonding head.
(제1 변형예)(1st modification)
제1 변형예는 본딩 헤드의 회전 및 높이를 측정하는 예이며, 도 11을 사용하여 설명한다.The first modification is an example of measuring the rotation and height of the bonding head, and will be described with reference to FIG. 11.
도 11은 제1 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면이며, 도 11의 (A)는 실시 형태의 발광 타깃 마커의 정면도이고, 도 11의 (B)는 제1 변형예의 발광 타깃 마커의 정면도이며, 도 11의 (C)는 본딩 헤드가 회전하고 있는 경우의 발광 타깃 마커의 정면도이고, 도 11의 (D)는 본딩 헤드가 높게 되어 있는 경우의 발광 타깃 마크의 정면도이며, 도 11의 (E)는 제1 변형예의 발광 타깃 마커의 측면도이고, 도 11의 (F)는 도 11의 (A)의 촬상 화상이며, 도 11의 (G)는 도 11의 (B)의 촬상 화상이고, 도 11의 (H)는 도 11의 (C)의 촬상 화상이며, 도 11의 (I)는 도 11의 (D)의 촬상 화상이다.Fig. 11 is a diagram explaining the light emission target marker of the first modification, Fig. 11A is a front view of the light emission target marker of the embodiment, and Fig. 11B is a front view of the light emission target marker of the first modification. , FIG. 11(C) is a front view of the emission target marker when the bonding head is rotating, FIG. 11D is a front view of the emission target mark when the bonding head is raised, and FIG. 11(E) ) Is a side view of the light emission target marker of the first modification, FIG. 11F is a captured image of FIG. 11A, and FIG. 11G is a captured image of FIG. 11B, and FIG. 11(H) is the captured image of FIG. 11(C), and FIG. 11(I) is the captured image of FIG. 11(D).
도 11의 (A) 및 도 11의 (B)에 도시한 바와 같이, 제1 변형예에서는, 실시 형태의 발광 타깃 마커 LTM보다도 작은 발광 타깃 마커를 5개 본딩 헤드 HD에 탑재한다. 하나의 발광 타깃 마커 LTM1을 중앙에 배치하고, 그 주변에 4개의 발광 타깃 마커 LTM2, LTM3, LTM4, LTM5를 사방에 등거리로 배치하고, 제1 방향으로 3개의 발광 타깃 마커 LTM1, LTM2, LTM3이 일직선 상에 위치하도록 배치한다. 제2 방향으로 3개의 발광 타깃 마커 LTM1, LTM4, LTM5가 일직선 상에 위치하도록 배치한다. 제1 방향은 제2 방향과는 직교하는 방향이다. 도 11의 (A) (B)에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD의 높이가 동일한 경우이며, 도 11의 (E) (F)에 도시한 바와 같이, 발광 타깃 마커는 원형상이며, 제1 변형예의 발광 타깃 마커 LTM1 내지 LTM5의 원형상은 실시 형태의 발광 타깃 마커 LTM의 원형상보다도 작다.As shown in Figs. 11A and 11B, in the first modification, five light-emitting target markers smaller than the light-emitting target marker LTM of the embodiment are mounted on the bonding head HD. One luminescence target marker LTM1 is placed in the center, and four luminescence target markers LTM2, LTM3, LTM4, LTM5 are placed at equidistant all directions around it, and three luminescence target markers LTM1, LTM2, LTM3 are arranged in the first direction. Arrange it so that it is in a straight line. The three light-emitting target markers LTM1, LTM4, and LTM5 are arranged in a straight line in the second direction. The first direction is a direction orthogonal to the second direction. As shown in (A) (B) of Fig. 11, the height of the bonding head HD is the same, and as shown in (E) (F) of Fig. 11, the light emission target marker has a circular shape, and the first The circular shape of the light emission target markers LTM1 to LTM5 of the modified example is smaller than that of the light emission target marker LTM of the embodiment.
본딩 헤드 HD가 회전되면, 도 11의 (H)에 도시한 바와 같이, 일직선 상에 위치하는 복수의 발광 타깃 마커의 상의 위치도 회전되므로, θ를 측정할 수 있다. 또한, 본딩 헤드 HD의 높이가 바뀌면, 도 11의 (I)에 도시한 바와 같이, 발광 타깃 마커의 상의 크기 및 발광 타깃 마커의 상간의 거리도 변한다. 발광 타깃 마커의 상간의 거리의 변화를 측정함으로써 본딩 헤드 HD의 Z(높이)의 변위를 측정할 수 있다.When the bonding head HD is rotated, as shown in FIG. 11(H), the positions of the plurality of light-emitting target markers positioned on a straight line are also rotated, so that θ can be measured. In addition, when the height of the bonding head HD is changed, the size of the image of the light emission target marker and the distance between the images of the light emission target marker also change, as shown in Fig. 11(I). The displacement of the Z (height) of the bonding head HD can be measured by measuring the change in the distance between the images of the emission target marker.
또한, 발광 타깃 마커의 상의 크기를 측정함으로써도 본딩 헤드 HD의 Z(높이)의 변위를 측정할 수 있다.Further, the displacement of the Z (height) of the bonding head HD can be measured by measuring the size of the image of the light-emitting target marker.
발광 타깃 마커를 복수화함으로써 본딩 헤드의 높이와 θ 회전의 변위를 검출할 수 있다.By pluralizing the light emission target markers, the height of the bonding head and the displacement of the θ rotation can be detected.
(제2 변형예)(2nd modification)
제2 변형예는 본딩 헤드의 기울기 성분을 검출하는 예이며, 도 12 내지 도 14를 사용하여 설명한다.The second modified example is an example of detecting the inclination component of the bonding head, and will be described with reference to FIGS. 12 to 14.
도 12는 제2 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면이다. 도 13은 본딩 헤드의 기울기의 측정을 설명하는 도면이며, 도 13의 (A)는 본딩 헤드에 기울기가 없는 경우의 발광 타깃 마커의 화상이고, 도 13의 (B)는 본딩 헤드에 기울기가 없지만 XY 방향으로 변위되는 경우의 발광 타깃 마커의 화상이며, 도 13의 (C)는 본딩 헤드에 기울기가 있는 경우의 발광 타깃 마커의 화상이다. 도 14는 본딩 헤드의 기울기의 측정을 설명하는 도면이며, 도 14의 (A) 및 (D)는 본딩 헤드에 기울기가 없는 상태를 도시하는 도면이고, 도 14의 (B) (C)는 본딩 헤드에 기울기가 있는 상태를 도시하는 도면이다.12 is a diagram for explaining a light emission target marker of a second modification. FIG. 13 is a diagram explaining measurement of the inclination of the bonding head, FIG. 13A is an image of a light emission target marker when there is no inclination in the bonding head, and FIG. 13B shows no inclination in the bonding head. It is an image of a light emission target marker when it is displaced in the XY direction, and FIG. 13(C) is an image of a light emission target marker when there is an inclination in the bonding head. 14 is a diagram for explaining measurement of the inclination of the bonding head, FIGS. 14A and 14D are diagrams showing a state in which the bonding head has no inclination, and FIG. 14B (C) is It is a diagram showing a state in which the head is inclined.
도 12에 도시한 바와 같이, 복수의 발광 타깃 마커 LTM은, 각각 설치 높이가 상이하다(ΔH>0). 바꾸어 말하면, 본딩 헤드 HD의 상부의 높이가 상이한 위치에 발광 타깃 마커 LTM을 탑재한다. 이때, 발광 타깃 마커 LTM의 사이즈가 동일해도, 초점 거리가 상이하므로, 도 13의 (A)에 도시한 바와 같이 그 초점 어긋남의 원형상은 사이즈가 상이하다. 이 원형상의 중심간 거리를 측정함으로써 본딩 헤드 HD가 기울어져 있는지, 그렇지 않으면 본딩 헤드 HD의 이동 거리가 상이한지를 구별할 수 있다. 도 13의 (B)에 도시한 바와 같이, 피사체간 거리가 상이한 2개의 발광 타깃 마커 LTM의 상이 등거리(Lb=La)로 움직이면 본딩 헤드 HD는 XY 방향이 움직이고 있고, 도 13의 (C)에 도시한 바와 같이, 2개의 발광 타깃 마커 LTM의 상의 거리가 변화되면(Lc≠La) 본딩 헤드 HD는 기울어져 있다고 판단할 수 있다.As shown in Fig. 12, the plurality of light-emitting target markers LTM have different installation heights (ΔH>0). In other words, the light emission target marker LTM is mounted at a position where the height of the upper portion of the bonding head HD is different. At this time, even if the size of the light emission target marker LTM is the same, the focal length is different, and thus the circular shape of the out of focus has different sizes as shown in Fig. 13A. By measuring the distance between the centers of this circular shape, it is possible to discriminate whether the bonding head HD is inclined or whether the moving distance of the bonding head HD is different. As shown in (B) of FIG. 13, when the image of the two light-emitting target markers LTM having different distances between subjects moves at an equidistant distance (Lb = La), the bonding head HD moves in the XY direction, and in FIG. 13(C) As shown in the figure, when the image distance of the two emission target markers LTM is changed (Lc≠La), it can be determined that the bonding head HD is inclined.
따라서, 도 14의 (B) (C)에 도시한 바와 같이, 본딩 헤드 HD가 기울어져 있는 경우, 복수화한 발광 타깃 마커의 설치 높이를 변화시킴으로써, 본딩 헤드의 앙각 변위와 앙각 방향을 검출할 수 있다.Therefore, as shown in (B) (C) of Fig. 14, when the bonding head HD is inclined, the elevation angle displacement and the elevation angle direction of the bonding head can be detected by changing the installation height of the plurality of light emission target markers. have.
(제3 변형예)(3rd modification)
제3 변형예는 본딩 헤드의 회전, 높이 및 기울기를 측정하는 예이며, 도 15를 사용하여 설명한다. 도 15는 제3 변형예의 발광 타깃 마커를 설명하는 도면이다.The third modified example is an example of measuring the rotation, height, and inclination of the bonding head, and will be described with reference to FIG. 15. 15 is a diagram for explaining a light emission target marker of a third modification.
도 15에 도시한 바와 같이, 제3 변형예는 제1 변형예와 제2 변형예를 조합한 예이며, 제3 변형예에서는, 제1 변형예와 마찬가지의 배치로 5개의 발광 타깃 마커를 본딩 헤드 HD의 상부에 탑재한다. 하나의 발광 타깃 마커 LTM1을 중앙에 배치하고, 그 주변에 4개의 발광 타깃 마커 LTM2, LTM3, LTM4, LTM5를 사방에 등거리로 배치하고, 제1 방향으로 3개의 발광 타깃 마커 LTM1, LTM2, LTM3이 일직선 상에 위치하도록 배치한다. 제2 방향으로 3개의 발광 타깃 마커 LTM1, LTM4, LTM5가 일직선 상에 위치하도록 배치한다. 제1 방향은 제2 방향과는 직교하는 방향이다. 또한, 제1 방향으로 일직선으로 배치되는 3개의 발광 타깃 마크의 높이를 변화시키고, 제2 방향으로 일직선으로 배치되는 3개의 발광 타깃 마크의 높이를 변화시킨다. 이에 의해, 본딩 헤드의 회전, 높이 및 기울기를 측정할 수 있다.As shown in Fig. 15, the third modified example is an example combining the first modified example and the second modified example, and in the third modified example, five light emission target markers are bonded in the same arrangement as that of the first modified example. Mount on the top of the head HD. One luminescence target marker LTM1 is placed in the center, and four luminescence target markers LTM2, LTM3, LTM4, LTM5 are placed at equidistant all directions around it, and three luminescence target markers LTM1, LTM2, LTM3 are arranged in the first direction. Arrange it so that it is in a straight line. The three light-emitting target markers LTM1, LTM4, and LTM5 are arranged in a straight line in the second direction. The first direction is a direction orthogonal to the second direction. In addition, the heights of the three light-emitting target marks disposed in a straight line in the first direction are changed, and the heights of the three light-emitting target marks disposed in a straight line in the second direction are changed. Thereby, the rotation, height, and inclination of the bonding head can be measured.
발광 타깃 마커의 수나 거리의 종류를 늘리고, 통계 계산 처리를 사용하면 보다 정확한 측정이 가능해진다.Increasing the number of luminescence target markers or the type of distance, and using statistical calculation processing enables more accurate measurements.
(제4 변형예)(4th modified example)
도 16은 제4 변형예의 발광 타깃 마커의 구성예를 도시하는 도면이다. 도 17은 근접 원형상의 겹침을 설명하는 도면이다.16 is a diagram showing a configuration example of a light emission target marker according to a fourth modification. Fig. 17 is a diagram for explaining overlapping of adjacent circular shapes.
제3 변형예의 발광 타깃 마커 LTM1 내지 LTM5는 장소에 따라 두께가 상이한 석영 유리 QG의 일체형으로 제작하고, 예를 들어 발광 타깃 마커 LTM1, LTM2, LTM3의 위치에 구멍(광 도통로) OC1, OC2, OC3을 형성하고, 광원 LS1, LS2, LS3으로부터 구멍 OC1, OC2, OC3에 광 파이버 OF1, OF2, OF3을 통해 도광시킨다. 이에 의해, 상대 위치를 안정화시킬 수 있다. 또한, 각 광원 LS1, LS2, LS3의 발광을 전원·제어부 PC1, PC2, PC3에서 별도로 제어함으로써, 한쪽씩 점등하여, 도 17에 도시한 바와 같은 근접 원형상의 겹침의 영향을 방지할 수 있다. 발광 타깃 마커 LTM4, LTM5도 마찬가지로 구성한다.The luminescence target markers LTM1 to LTM5 of the third modified example are manufactured as an integral type of quartz glass QG having different thickness depending on the location, for example, holes (optical conduction paths) OC1, OC2, at positions of the luminescence target markers LTM1, LTM2, LTM3, OC3 is formed, and light is guided from light sources LS1, LS2, LS3 to holes OC1, OC2, OC3 through optical fibers OF1, OF2, OF3. Thereby, the relative position can be stabilized. In addition, by separately controlling the light emission of each light source LS1, LS2, LS3 by the power source/control unit PC1, PC2, PC3, it is turned on one by one, and the influence of the overlapping of the adjacent circular shape as shown in Fig. 17 can be prevented. The luminescence target markers LTM4 and LTM5 are similarly configured.
상술한 실시 형태를 다이 본더에 적용한 예에 대하여 이하 설명한다.An example in which the above-described embodiment is applied to a die bonder will be described below.
[실시예][Example]
도 18은 실시예에 관한 다이 본더의 개략을 도시하는 상면도이다. 도 19는 도 18에 있어서 화살표 A 방향으로부터 보았을 때에, 픽업 헤드 및 본딩 헤드의 동작을 설명하는 도면이다.18 is a top view schematically showing a die bonder according to an embodiment. 19 is a view for explaining the operation of the pickup head and the bonding head when viewed from the direction of arrow A in FIG. 18.
다이 본더(10)는, 크게 나누어, 하나 또는 복수의 최종 1패키지가 되는 제품에어리어(이하, 패키지 에어리어 P라 함)를 프린트한 기판 S에 실장하는 다이 D를 공급하는 공급부(1)와, 픽업부(2), 중간 스테이지부(3)와, 본딩부(4)와, 반송부(5), 기판 공급부(6)와, 기판 반출부(7)와, 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 제어부(8)를 갖는다. Y축 방향이 다이 본더(10)의 전후 방향이며, X축 방향이 좌우 방향이다. 다이 공급부(1)가 다이 본더(10)의 전방측에 배치되고, 본딩부(4)가 후방측에 배치된다.The
먼저, 다이 공급부(1)는 기판 S의 패키지 에어리어 P에 실장하는 다이 D를 공급한다. 다이 공급부(1)는 웨이퍼(11)를 보유 지지하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 웨이퍼(11)로부터 다이 D를 밀어올리는 점선으로 나타내는 밀어올림 유닛(13)을 갖는다. 다이 공급부(1)는 도시하지 않은 구동 수단에 의해 XY 방향으로 이동하여, 픽업하는 다이 D를 밀어올림 유닛(13)의 위치로 이동시킨다.First, the
픽업부(2)는, 다이 D를 픽업하는 픽업 헤드(21)와, 픽업 헤드(21)를 Y 방향으로 이동시키는 픽업 헤드의 Y 구동부(23)와, 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다. 픽업 헤드(21)는, 밀어올려진 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(22)(도 19도 참조)을 갖고, 다이 공급부(1)로부터 다이 D를 픽업하여, 중간 스테이지(31)에 적재한다. 픽업 헤드(21)는 콜릿(22)을 승강, 회전 및 X 방향 이동시키는 도시하지 않은 각 구동부를 갖는다.The pickup unit 2 lifts, rotates, and moves the
중간 스테이지부(3)는, 다이 D를 일시적으로 적재하는 중간 스테이지(31)와, 중간 스테이지(31) 상의 다이 D를 인식하기 위한 스테이지 인식 카메라(32)를 갖는다.The
본딩부(4)는, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 반송되어 오는 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩하거나, 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩된 다이 상에 적층하는 형태로 본딩한다. 본딩부(4)는, 픽업 헤드(21)와 마찬가지로 다이 D를 선단에 흡착 보유 지지하는 콜릿(42)(도 19도 참조)을 구비하는 본딩 헤드(41)와, 본딩 헤드(41)를 Y 방향으로 이동시키는 Y 구동부(43)와, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. 여기서, 본딩 헤드(41)는 실시 형태의 본딩 헤드 HD에 대응하고, 그 상부에 실시 형태 및 제1 변형예 내지 제3 변형예 중 어느 하나의 발광 타깃 마커 LTM을 구비한다.The
이와 같은 구성에 의해, 본딩 헤드(41)는 스테이지 인식 카메라(32)의 촬상 데이터에 기초하여 픽업 위치·자세를 보정하고, 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 기판 인식 카메라(44)의 촬상 데이터에 기초하여 기판에 다이 D를 본딩한다.With this configuration, the
반송부(5)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)와, 기판 S가 이동하는 반송 레인(52)을 갖는다. 기판 S는, 반송 레인(52)에 설치된 기판 반송 갈고리(51)의 도시하지 않은 너트를 반송 레인(52)을 따라서 설치된 도시하지 않은 볼 나사로 구동함으로써 이동한다.The
이와 같은 구성에 의해, 기판 S는, 기판 공급부(6)로부터 반송 레인(52)을 따라서 본딩 위치까지 이동하고, 본딩 후, 기판 반출부(7)까지 이동하여, 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다.With such a configuration, the substrate S moves from the
제어부(8)는, 다이 본더(10)의 각 부의 동작을 감시하고 제어하는 프로그램(소프트웨어)을 저장하는 메모리와, 메모리에 저장된 프로그램을 실행하는 중앙 처리 장치(CPU)를 구비한다.The
다음으로, 다이 공급부(1)의 구성에 대하여 도 20 및 도 21을 사용하여 설명한다. 도 20은 다이 공급부의 외관 사시도를 도시하는 도면이다. 도 21은 다이 공급부의 주요부를 도시하는 개략 단면도이다.Next, the configuration of the
다이 공급부(1)는, 수평 방향(XY 방향)으로 이동하는 웨이퍼 보유 지지대(12)와, 상하 방향으로 이동하는 밀어올림 유닛(13)을 구비한다. 웨이퍼 보유 지지대(12)는, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하는 익스팬드 링(15)과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되며 복수의 다이 D가 접착된 다이싱 테이프(16)를 수평으로 위치 결정하는 지지 링(17)을 갖는다. 밀어올림 유닛(13)은 지지 링(17)의 내측에 배치된다.The
다이 공급부(1)는, 다이 D의 밀어올림 시에, 웨이퍼 링(14)을 보유 지지하고 있는 익스팬드 링(15)을 하강시킨다. 그 결과, 웨이퍼 링(14)에 보유 지지되어 있는 다이싱 테이프(16)가 잡아늘여져 다이 D의 간격이 확대되고, 밀어올림 유닛(13)에 의해 다이 D 하방으로부터 다이 D를 밀어올려, 다이 D의 픽업성을 향상시키고 있다. 또한, 박형화에 수반하여 다이를 기판에 접착하는 접착제는, 액상으로부터 필름상이 되고, 웨이퍼(11)와 다이싱 테이프(16) 사이에 다이 어태치 필름(DAF)(18)이라 불리는 필름상의 접착 재료를 접착하고 있다. 다이 어태치 필름(18)을 갖는 웨이퍼(11)에서는, 다이싱은, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)에 대하여 행해진다. 따라서, 박리 공정에서는, 웨이퍼(11)와 다이 어태치 필름(18)을 다이싱 테이프(16)로부터 박리한다.The
다이 본더(10)는, 웨이퍼(11) 상의 다이 D의 자세를 인식하는 웨이퍼 인식 카메라(24)와, 중간 스테이지(31)에 적재된 다이 D의 자세를 인식하는 스테이지 인식 카메라(32)와, 본딩 스테이지 BS 상의 실장 위치를 인식하는 기판 인식 카메라(44)를 갖는다. 인식 카메라간의 자세 어긋남 보정해야만 하는 것은, 본딩 헤드(41)에 의한 픽업에 관여하는 스테이지 인식 카메라(32)와, 본딩 헤드(41)에 의한 실장 위치에의 본딩에 관여하는 기판 인식 카메라(44)이다.The
제어부(8)에 대하여 도 22를 사용하여 설명한다. 도 22는 제어계의 개략 구성을 도시하는 블록도이다. 제어계(80)는 제어부(8)와 구동부(86)와 신호부(87)와 광학계(88)를 구비한다. 제어부(8)는 크게 나누어, 주로 CPU(Central Processor Unit)를 포함하는 제어·연산 장치(81)와, 기억 장치(82)와, 입출력 장치(83)와, 버스 라인(84)과, 전원부(85)를 갖는다. 기억 장치(82)는, 처리 프로그램 등을 기억하고 있는 RAM을 포함하고 있는 주기억 장치(82a)와, 제어에 필요한 제어 데이터나 화상 데이터 등을 기억하고 있는 HDD나 SSD 등을 포함하고 있는 보조 기억 장치(82b)를 갖는다. 입출력 장치(83)는, 장치 상태나 정보 등을 표시하는 모니터(83a)와, 오퍼레이터의 지시를 입력하는 터치 패널(83b)과, 모니터를 조작하는 마우스(83c)와, 광학계(88)로부터의 화상 데이터를 도입하는 화상 도입 장치(83d)를 갖는다. 또한, 입출력 장치(83)는, 다이 공급부(1)의 XY 테이블(도시하지 않음)이나 본딩 헤드 테이블의 ZY 구동축 등의 구동부(86)를 제어하는 모터 제어 장치(83e)와, 다양한 센서 신호나 조명 장치 등의 스위치 등의 신호부(87)로부터 신호를 도입하거나 또는 제어하는 I/O 신호 제어 장치(83f)를 갖는다. 광학계(88)에는, 웨이퍼 인식 카메라(24), 스테이지 인식 카메라(32), 기판 인식 카메라(44)가 포함된다. 제어·연산 장치(81)는 버스 라인(84)을 통해 필요한 데이터를 도입하여, 연산하고, 픽업 헤드(21) 등의 제어나, 모니터(83a) 등에 정보를 보낸다.The
제어부(8)는 화상 도입 장치(83d)를 통해 웨이퍼 인식 카메라(24), 스테이지 인식 카메라(32) 및 기판 인식 카메라(44)로 촬상한 화상 데이터를 기억 장치(82)에 보존한다. 보존한 화상 데이터에 기초하여 프로그램한 소프트웨어에 의해, 제어·연산 장치(81)를 사용하여 다이 D 및 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 결정, 및 다이 D 및 기판 S의 표면 검사를 행한다. 제어·연산 장치(81)가 산출한 다이 D 및 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치에 기초하여 소프트웨어에 의해 모터 제어 장치(83e)를 통해 구동부(86)를 움직이게 한다. 이 프로세스에 의해 웨이퍼 상의 다이의 위치 결정을 행하고, 픽업부(2) 및 본딩부(4)의 구동부에 의해 동작시켜 다이 D를 기판 S의 패키지 에어리어 P 상에 본딩한다. 사용하는 웨이퍼 인식 카메라(24), 스테이지 인식 카메라(32) 및 기판 인식 카메라(44)는 그레이 스케일, 컬러 등이며, 광 강도를 수치화한다.The
도 23은 도 18의 다이 본더에 있어서의 다이 본딩 공정을 설명하는 플로우차트이다.23 is a flowchart illustrating a die bonding process in the die bonder of FIG. 18.
실시예의 다이 본딩 공정에서는, 먼저, 제어부(8)는, 웨이퍼(11)를 보유 지지하고 있는 웨이퍼 링(14)을 웨이퍼 카세트로부터 취출하여 웨이퍼 보유 지지대(12)에 적재하고, 웨이퍼 보유 지지대(12)를 다이 D의 픽업이 행해지는 기준 위치까지 반송한다(웨이퍼 로딩(공정 P1)). 계속해서, 제어부(8)는 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 취득한 화상으로부터, 웨이퍼(11)의 배치 위치가 그 기준 위치와 정확하게 일치하도록 미세 조정을 행한다.In the die bonding process of the embodiment, first, the
다음으로, 제어부(8)는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 수평으로 보유 지지함으로써, 최초로 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치한다(다이 반송(공정 P2)). 웨이퍼(11)는, 미리 프로버 등의 검사 장치에 의해, 다이마다 검사되어, 다이마다 양호, 불량을 나타내는 맵 데이터가 생성되고, 제어부(8)의 기억 장치(82)에 기억된다. 픽업 대상이 되는 다이 D가 양품인지, 불량품인지의 판정은 맵 데이터에 의해 행해진다. 제어부(8)는, 다이 D가 불량품인 경우에는, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 다음에 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치하고, 불량품의 다이 D를 스킵한다.Next, the
제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 픽업 대상인 다이 D의 주면(상면)을 촬상하고, 취득한 화상으로부터 픽업 대상인 다이 D의 상기 픽업 위치로부터의 위치 어긋남양을 산출한다. 제어부(8)는, 이 위치 어긋남양을 기초로 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 이동시켜, 픽업 대상인 다이 D를 픽업 위치에 정확하게 배치한다(다이 위치 결정(공정 P3)).The
다음으로, 제어부(8)는, 웨이퍼 인식 카메라(24)에 의해 취득한 화상으로부터, 다이 D의 표면 검사를 행한다(공정 P4). 여기서, 제어부(8)는 표면 검사에서 문제가 있는지 여부를 판정하고, 다이 D의 표면에 문제 없음으로 판정한 경우에는 다음 공정(후술하는 공정 P9)으로 진행하지만, 문제 있음으로 판정한 경우에는, 표면 화상을 눈으로 보아 확인하거나, 더욱 고감도의 검사나 조명 조건 등을 변화시킨 검사를 행하여, 문제가 있는 경우에는 스킵 처리하고, 문제가 없는 경우에는 다음 공정의 처리를 행한다. 스킵 처리는, 다이 D의 공정 P9 이후를 스킵하고, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 다음에 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치한다.Next, the
제어부(8)는, 기판 공급부(6)에서 기판 S를 반송 레인(52)에 적재한다(기판 로딩(공정 P5)). 제어부(8)는, 기판 S를 파지하여 반송하는 기판 반송 갈고리(51)를 본딩 위치까지 이동시킨다(기판 반송(공정 P6)).The
기판 인식 카메라(44)에 의해 기판 S의 패키지 에어리어 P의 위치 인식 마크(도시하지 않음)를 촬상하여, 본딩 위치를 인식하고 위치 결정을 행한다(기판 위치 결정(공정 P7)).The
다음으로, 제어부(8)는 기판 인식 카메라(44)에 의해 취득한 화상으로부터, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 표면 검사를 행한다(공정 P8). 여기서, 제어부(8)는, 표면 검사에서 문제가 있는지 여부를 판정하고, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 표면에 문제 없음으로 판정한 경우에는 다음 공정(후술하는 공정 P9)으로 진행하지만, 문제 있음으로 판정한 경우에는, 표면 화상을 눈으로 보아 확인하거나, 더욱 고감도의 검사나 조명 조건 등을 변화시킨 검사를 행하여, 문제가 있는 경우에는 스킵 처리하고, 문제가 없는 경우에는 다음 공정의 처리를 행한다. 스킵 처리는, 기판 S의 패키지 에어리어 P의 해당 탭으로의 공정 P10 이후를 스킵하고, 기판 착공 정보에 불량 등록을 행한다.Next, the
제어부(8)는, 다이 공급부(1)에 의해 픽업 대상인 다이 D를 정확하게 픽업 위치에 배치한 후, 콜릿(22)을 포함하는 픽업 헤드(21)에 의해 다이 D를 다이싱 테이프(16)로부터 픽업하여(다이 핸들링(공정 P9)), 중간 스테이지(31)에 적재한다((공정 P10). 제어부(8)는, 중간 스테이지(31)에 적재한 다이의 자세 어긋남(회전 어긋남)의 검출을 스테이지 인식 카메라(32)에 의해 다이 D를 촬상하여 행한다(공정 P11). 제어부(8)는, 자세 어긋남이 있는 경우에는 중간 스테이지(31)에 설치된 선회 구동 장치(도시하지 않음)에 의해 실장 위치를 갖는 실장면에 평행한 면에서 스테이지(31)를 선회시켜 자세 어긋남을 보정한다.The
제어부(8)는, 스테이지 인식 카메라(32)에 의해 취득한 화상으로부터, 다이 D의 표면 검사를 행한다(공정 P12). 여기서, 제어부(8)는, 표면 검사에서 문제가 있는지 여부를 판정하고, 다이 D의 표면에 문제 없음으로 판정한 경우에는 다음 공정(후술하는 공정 P13)으로 진행하지만, 문제 있음으로 판정한 경우에는, 표면 화상을 눈으로 보아 확인하거나, 더욱 고감도의 검사나 조명 조건 등을 변화시킨 검사를 행하여, 문제가 있는 경우에는, 그 다이를 도시하지 않은 불량품 트레이 등에 적재하여 스킵 처리하고, 문제가 없는 경우에는 다음 공정의 처리를 행한다. 스킵 처리는, 다이 D의 공정 P13 이후를 스킵하고, 웨이퍼(11)가 적재된 웨이퍼 보유 지지대(12)를 소정 피치로 피치 이동시켜, 다음에 픽업되는 다이 D를 픽업 위치에 배치한다.The
제어부(8)는, 콜릿(42)을 포함하는 본딩 헤드(41)에 의해 중간 스테이지(31)로부터 다이 D를 픽업하여, 기판 S의 패키지 에어리어 P 또는 이미 기판 S의 패키지 에어리어 P에 본딩되어 있는 다이에 다이 본딩한다(다이 어태치(공정 P13)). 제어부(8)는, 본딩 헤드(41)의 상부에 탑재된 발광 타깃 마커를 기판 인식 카메라(44)로 촬상하여, 본딩 헤드(41)의 위치 및 자세를 인식하고, 위치 또는 자세에 어긋남이 있는 경우에는 보정 행한다.The
제어부(8)는, 다이 D를 본딩한 후, 그 본딩 위치가 정확하게 이루어져 있는지를 다이 D, 기판 S를 기판 인식 카메라(44)로 촬상하여 검사한다(다이와 기판의 상대 위치 검사(공정 P14)). 이때, 다이의 위치 정렬과 마찬가지로 다이의 중심과, 탭의 중심을 구하고, 상대 위치가 올바른지를 검사한다.After bonding the die D, the
다음으로, 제어부(8)는, 기판 인식 카메라(44)에 의해 취득한 화상으로부터, 다이 D 및 기판 S의 표면 검사를 행한다(공정 P15). 여기서, 제어부(8)는, 표면 검사에서 문제가 있는지 여부를 판정하고, 본딩된 다이 D의 표면에 문제 없음으로 판정한 경우에는 다음 공정(후술하는 공정 P9)으로 진행하지만, 문제 있음으로 판정한 경우에는, 표면 화상을 눈으로 보아 확인하거나, 더욱 고감도의 검사나 조명 조건 등을 변화시킨 검사를 행하여, 문제가 있는 경우에는 스킵 처리하고, 문제가 없는 경우에는 다음 공정의 처리를 행한다. 스킵 처리에서는, 기판 착공 정보에 불량 등록을 행한다.Next, the
이후, 마찬가지의 수순에 따라서 다이 D를 1개씩 기판 S의 패키지 에어리어 P에 본딩한다. 1개의 기판의 본딩이 완료되면, 기판 반송 갈고리(51)로 기판 S를 기판 반출부(7)까지 이동시켜(기판 반송(공정 P16)), 기판 반출부(7)에 기판 S를 건네준다(기판 언로딩(공정 P17)).Thereafter, according to the same procedure, die D is bonded to the package area P of the substrate S one by one. When bonding of one substrate is completed, the substrate S is moved to the substrate unloading section 7 with the substrate transfer hook 51 (substrate transfer (step P16)), and the substrate S is handed over to the substrate unloading section 7 ( Unloading the substrate (step P17).
이후, 마찬가지의 수순에 따라서 다이 D가 1개씩 다이싱 테이프(16)로부터 박리된다(공정 P9). 불량품을 제외한 모든 다이 D의 픽업이 완료되면, 그것들 다이 D를 웨이퍼(11)의 외형으로 보유 지지하고 있던 다이싱 테이프(16) 및 웨이퍼 링(14) 등을 웨이퍼 카세트에 언로딩한다(공정 P18).Thereafter, according to the same procedure, the die D is peeled from the dicing
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태, 변형예 및 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태, 변형예 및 실시예에 한정되는 것은 아니고, 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.As described above, the invention made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments, modifications and examples, but the present invention is not limited to the above embodiments, modifications and examples, and it goes without saying that various modifications are possible. .
예를 들어, 실시예에서는 다이 위치 인식 후에 다이 외관 검사 인식을 행하였지만, 다이 외관 검사 인식 후에 다이 위치 인식을 행해도 된다.For example, in the embodiment, the die appearance inspection recognition is performed after the die position recognition, but the die position recognition may be performed after the die appearance inspection recognition.
또한, 실시예에서는 웨이퍼의 이면에 DAF가 접착되어 있지만, DAF는 없어도 된다.Further, in the embodiment, the DAF is adhered to the back surface of the wafer, but the DAF may not be present.
또한, 실시예에서는 픽업 헤드 및 본딩 헤드를 각각 1개 구비하고 있지만, 각각 2개 이상이어도 된다. 또한, 실시예에서는 중간 스테이지를 구비하고 있지만, 중간 스테이지가 없어도 된다. 이 경우, 픽업 헤드와 본딩 헤드는 겸용해도 된다.Further, in the embodiment, one pickup head and one bonding head are each provided, but two or more may be used respectively. In addition, although the intermediate stage is provided in the embodiment, the intermediate stage may not be present. In this case, the pickup head and the bonding head may be used both.
또한, 실시예에서는 다이의 표면을 위로 하여 본딩되지만, 다이를 픽업한 후 다이의 표리를 반전시켜, 다이의 이면을 위로 하여 본딩해도 된다. 이 경우, 중간 스테이지는 설치하지 않아도 된다. 이 장치는 플립 칩 본더라 한다.Further, in the embodiment, the die is bonded with the surface up, but after picking up the die, the front and back of the die may be inverted and the back of the die may be bonded upward. In this case, the intermediate stage need not be provided. This device is called a flip chip bonder.
10 : 다이 본더
1 : 다이 공급부
13 : 밀어올림 유닛
2 : 픽업부
24 : 웨이퍼 인식 카메라
3 : 중간 스테이지부
31 : 중간 스테이지
32 : 스테이지 인식 카메라
4 : 본딩부
41 : 본딩 헤드
42 : 콜릿
44 : 기판 인식 카메라
5 : 반송부
51 : 기판 반송 갈고리
8 : 제어부
S : 기판
BS : 본딩 스테이지
D : 다이
P : 패키지 에어리어
CA : 카메라
HD : 본딩 헤드
LTM : 발광 타깃 마커10: die bonder
1: die supply
13: push-up unit
2: pickup unit
24: wafer recognition camera
3: middle stage part
31: middle stage
32: stage recognition camera
4: bonding part
41: bonding head
42: collet
44: board recognition camera
5: transfer unit
51: substrate transfer hook
8: control unit
S: substrate
BS: Bonding stage
D: Die
P: Package area
CA: Camera
HD: Bonding head
LTM: Luminous target marker
Claims (15)
상기 본딩 헤드 상에 형성되는 광을 발하는 타깃 마커와,
상기 본딩 헤드의 상방에 형성되며, 상기 기판에 형성되는 위치 인식 마크 및 상기 타깃 마커를 촬상하는 촬상 장치와,
상기 본딩 헤드 및 상기 촬상 장치를 제어하는 제어 장치
를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 촬상 장치가, 상기 위치 인식 마크에 초점을 맞추어, 상기 촬상 장치의 초점 위치보다 짧은 위치에 있어서 초점이 어긋난 상태에서 상기 타깃 마커의 초점이 맞추어져 있을 때의 광원상보다 크게 찍히는 원형상을 촬상함으로써 얻어지는 상에 기초하여 상기 본딩 헤드의 상태를 검출하도록 구성되는 다이 본딩 장치.A bonding head formed above the substrate and for loading the picked up die onto the substrate,
A target marker that emits light formed on the bonding head,
An imaging device formed above the bonding head and configured to image a position recognition mark and the target marker formed on the substrate;
Control device for controlling the bonding head and the imaging device
And,
In the control device, the image pickup device focuses on the position recognition mark and is larger than the light source image when the target marker is in focus at a position shorter than the focal position of the image pickup device. A die bonding apparatus configured to detect a state of the bonding head based on an image obtained by photographing a circular image to be taken.
상기 타깃 마커는 광점이 작은 LED인 다이 본딩 장치.The method of claim 1,
The target marker is a die bonding device in which a light point is small.
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 위치를 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 1,
The control device is a die bonding device that measures the position of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
상기 본딩 헤드는 상기 타깃 마커를 직선 상에 복수 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 회전 또는 높이를 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 1,
The bonding head includes a plurality of the target markers on a straight line,
The control device is a die bonding device that measures the rotation or height of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
상기 본딩 헤드는 상기 타깃 마커를 직선 상에 복수 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 회전 또는 높이를 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 3,
The bonding head includes a plurality of the target markers on a straight line,
The control device is a die bonding device that measures the rotation or height of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
복수의 상기 타깃 마커의 높이가 상이하고,
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 기울기 또는 기울기의 방향을 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 1,
The heights of the plurality of target markers are different,
The control device is a die bonding device that measures a tilt or a direction of the tilt of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
복수의 상기 타깃 마커의 높이가 상이하고,
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 기울기 또는 기울기의 방향을 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 3,
The heights of the plurality of target markers are different,
The control device is a die bonding device that measures a tilt or a direction of the tilt of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
복수의 상기 타깃 마커의 높이가 상이하고,
상기 제어 장치는, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 기울기 또는 기울기의 방향을 측정하는 다이 본딩 장치.The method of claim 4,
The heights of the plurality of target markers are different,
The control device is a die bonding device that measures a tilt or a direction of the tilt of the bonding head based on the circular shape of the target marker.
상기 타깃 마커의 광원은 상기 본딩 헤드로부터 이격되어 위치하고, 상기 타깃 마커와 상기 광원은 광 파이버에 의해 접속되는 다이 본딩 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
The light source of the target marker is positioned apart from the bonding head, and the target marker and the light source are connected by an optical fiber.
상기 다이를 픽업하는 픽업 헤드와,
픽업된 상기 다이가 적재되는 중간 스테이지를 더 구비하고,
상기 본딩 헤드는 상기 중간 스테이지 상에 적재된 상기 다이를 픽업하는 다이 본딩 장치.The method according to any one of claims 1 to 8,
A pickup head for picking up the die,
Further comprising an intermediate stage on which the picked up die is loaded,
The bonding head is a die bonding apparatus for picking up the die mounted on the intermediate stage.
(b) 다이가 접착된 다이싱 테이프를 보유 지지하는 웨이퍼 링 홀더를 반입하는 공정과,
(c) 기판을 반입하는 공정과,
(d) 상기 다이를 픽업하는 공정과,
(e) 픽업한 상기 다이를 상기 기판 또는 이미 상기 기판에 본딩되어 있는 다이 상에 본딩하는 공정
을 구비하고,
상기 (e) 공정에 있어서, 상기 촬상 장치가, 상기 촬상 장치의 초점 위치보다 짧은 위치에서 초점이 어긋난 상태에서 상기 타깃 마커의 초점이 맞추어져 있을 때의 광원상보다 크게 찍히는 원형상을 촬상함으로써 얻어지는 상에 기초하여 상기 본딩 헤드의 상태를 검출하는 반도체 장치의 제조 방법.(a) A bonding head formed above the substrate with a target marker emitting light thereon, and a position recognition mark formed on the substrate and the target marker formed above the bonding head. A step of preparing a die bonding device having the device, and
(b) carrying in the wafer ring holder holding the dicing tape to which the die is attached, and
(c) the step of carrying in the substrate, and
(d) a step of picking up the die,
(e) bonding the picked-up die onto the substrate or a die already bonded to the substrate
And,
In the step (e), the imaging device is obtained by imaging a circular image that is larger than the light source image when the target marker is in focus in a state that is out of focus at a position shorter than the focal position of the imaging device. A method of manufacturing a semiconductor device for detecting a state of the bonding head based on an image.
상기 타깃 마커는 광점이 작은 LED인 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 11,
The method of manufacturing a semiconductor device in which the target marker is an LED having a small light point.
상기 (e) 공정은, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 위치를 측정하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 11,
In the step (e), the position of the bonding head is measured based on the circular image of the target marker.
상기 본딩 헤드는 상기 타깃 마커를 직선 상에 복수 구비하고,
상기 (e) 공정은, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 회전 또는 높이를 측정하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 13,
The bonding head includes a plurality of the target markers on a straight line,
In the step (e), the rotation or height of the bonding head is measured based on the circular shape of the target marker.
복수의 상기 타깃 마커의 높이가 상이하고,
상기 (e) 공정은, 상기 타깃 마커의 원형상에 기초하여, 상기 본딩 헤드의 기울기를 측정하는 반도체 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
The heights of the plurality of target markers are different,
In the step (e), the inclination of the bonding head is measured based on the circular image of the target marker.
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---|---|---|---|---|
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JP7373436B2 (en) * | 2020-03-09 | 2023-11-02 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Die bonding equipment and semiconductor device manufacturing method |
JP7436251B2 (en) * | 2020-03-16 | 2024-02-21 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Die bonding equipment and semiconductor device manufacturing method |
JP7437987B2 (en) * | 2020-03-23 | 2024-02-26 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Die bonding equipment and semiconductor device manufacturing method |
CN113936057A (en) * | 2020-06-29 | 2022-01-14 | 中兴通讯股份有限公司 | Device positioning device and method, mounting equipment and mounting method |
KR102652796B1 (en) * | 2020-07-20 | 2024-03-28 | 세메스 주식회사 | Semiconductor device bonding apparatus and semiconductor device bonding method |
CN112070834B (en) * | 2020-08-11 | 2024-05-10 | 深圳市大族半导体装备科技有限公司 | Compatible multi-chip positioning method, device, equipment and medium |
JP7577300B2 (en) | 2020-08-24 | 2024-11-05 | アキム株式会社 | Item holding head and placement device |
DE102021111953A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Mühlbauer Gmbh & Co. Kg | Optical component inspection |
CN114566445B (en) * | 2022-01-22 | 2023-09-08 | 苏州艾科瑞思智能装备股份有限公司 | Wafer three-dimensional integration-oriented high-precision micro-assembly equipment |
CN115586191B (en) * | 2022-11-11 | 2023-03-14 | 苏州恒视智能科技有限公司 | Automatic tab lamination adjusting and detecting mechanism of new energy battery |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06283592A (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Rohm Co Ltd | Suction operation confirming equipment for semiconductor chip |
JPH11214428A (en) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Kaijo Corp | Bonding device |
KR20050063680A (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 | Method for calibrating a bondhead |
KR20090091341A (en) * | 2006-12-22 | 2009-08-27 | 쿨리케 앤드 소파 다이 본딩 게엠베하 | Method for calibrating the x-y positioning of a positioning tool, and apparatus with such a positioning tool |
JP2012248728A (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | Die bonder and bonding method |
KR20130078894A (en) * | 2012-01-02 | 2013-07-10 | 세메스 주식회사 | Method of bonding a die on a substrate and apparatus for bonding a die on a substrate |
JP2014179561A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | Bonding head and die bonder equipped with the same |
KR20160110058A (en) * | 2015-03-11 | 2016-09-21 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Bonding apparatus and bonding method |
JP2016171107A (en) | 2015-03-11 | 2016-09-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Bonding device and bonding method |
JP2016197630A (en) | 2015-04-02 | 2016-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Bonding device and bonding method |
JP2016197629A (en) | 2015-04-02 | 2016-11-24 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Pointing device and pointing method |
KR20170108786A (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-27 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Die bonder and bonding method |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185474A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nikon Corp | Alignment method, alignment device, substrate, mask, and exposure device |
JP4167790B2 (en) | 2000-03-10 | 2008-10-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | Chip mounting device |
CH698334B1 (en) | 2007-10-09 | 2011-07-29 | Esec Ag | A process for the removal and installation of a wafer table provided on the semiconductor chip on a substrate. |
US7810698B2 (en) * | 2008-11-20 | 2010-10-12 | Asm Assembly Automation Ltd. | Vision system for positioning a bonding tool |
CN102386118B (en) * | 2010-09-02 | 2016-03-23 | 丽佳达普株式会社 | Substrate bonding apparatus and base plate bonding method |
JP2014036068A (en) | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Shinkawa Ltd | Die bonder, and method of detecting position of bonding tool |
JP6276545B2 (en) * | 2013-09-18 | 2018-02-07 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Die bonder |
-
2018
- 2018-03-26 JP JP2018059008A patent/JP7018341B2/en active Active
-
2019
- 2019-02-19 TW TW108105393A patent/TWI702660B/en active
- 2019-03-04 KR KR1020190024614A patent/KR102215915B1/en active IP Right Grant
- 2019-03-13 CN CN201910188130.5A patent/CN110364455B/en active Active
-
2020
- 2020-11-23 KR KR1020200157894A patent/KR102399836B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06283592A (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Rohm Co Ltd | Suction operation confirming equipment for semiconductor chip |
JPH11214428A (en) * | 1998-01-22 | 1999-08-06 | Kaijo Corp | Bonding device |
KR20050063680A (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 | Method for calibrating a bondhead |
KR20090091341A (en) * | 2006-12-22 | 2009-08-27 | 쿨리케 앤드 소파 다이 본딩 게엠베하 | Method for calibrating the x-y positioning of a positioning tool, and apparatus with such a positioning tool |
JP2012248728A (en) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | Die bonder and bonding method |
KR20130078894A (en) * | 2012-01-02 | 2013-07-10 | 세메스 주식회사 | Method of bonding a die on a substrate and apparatus for bonding a die on a substrate |
JP2014179561A (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | Bonding head and die bonder equipped with the same |
KR20160110058A (en) * | 2015-03-11 | 2016-09-21 | 파스포드 테크놀로지 주식회사 | Bonding apparatus and bonding method |
JP2016171107A (en) | 2015-03-11 | 2016-09-23 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | Bonding device and bonding method |
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