KR20200120327A - 유기전기 소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 86
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 63
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 46
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 46
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 42
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 claims description 22
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 21
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 19
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000005567 fluorenylene group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 13
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000003860 C1-C20 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005018 aryl alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 5
- 125000006649 (C2-C20) alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003358 C2-C20 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000006761 (C6-C60) arylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 75
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 239000000047 product Substances 0.000 description 30
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 10
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 8
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 7
- -1 dibenzothio Offene Chemical compound 0.000 description 7
- 238000000434 field desorption mass spectrometry Methods 0.000 description 7
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethylfluorene Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZHQNDEHZACHHTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 6
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QFUYDAGNUJWBSM-UHFFFAOYSA-N 1-iodo-2-phenylbenzene Chemical group IC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 QFUYDAGNUJWBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 9,9-diphenylfluorene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 BKQXUNGELBDWLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-d]pyrimidine Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 ITOKSWHFPQBNSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YUFRAQHYKKPYLH-UHFFFAOYSA-N benzo[f]quinoxaline Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=N1 YUFRAQHYKKPYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 4
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- SFUIGUOONHIVLG-UHFFFAOYSA-N (2-nitrophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O SFUIGUOONHIVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000006574 non-aromatic ring group Chemical group 0.000 description 3
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-9h-carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=CC=CC=C12 FBTOLQFRGURPJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 2-chloroaniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1Cl AKCRQHGQIJBRMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HAPOJKSPCGLOOD-UHFFFAOYSA-N Benzo[b]fluorene Chemical compound C1=CC=C2C=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC2=C1 HAPOJKSPCGLOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[2,3-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=N1 HYWNGEYOXQESBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=N1 BJHVGSLMZTVDRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-d]pyrimidine Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 OICJTSLHQGDCTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SQMMLRRTYISLQM-UHFFFAOYSA-N ac1l3vg7 Chemical compound C1=CC2=CC=CC(C=3C4=NC=NC=3)=C2C4=C1 SQMMLRRTYISLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinazoline Chemical compound N1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 PQIUGRLKNKSKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazine Chemical compound C1=CN=NC=N1 FYADHXFMURLYQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFMJAFCTEHLDQG-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-11H-benzo[a]carbazole Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=2C1=C1NC3=CC=CC=C3C1=CC2 FFMJAFCTEHLDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIXBHJUDXSXBMK-UHFFFAOYSA-N 11,11-diphenylbenzo[b]fluorene Chemical compound C1=CC=CC(=C1)C1(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=C1 DIXBHJUDXSXBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQAIWWRJGVSXKV-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-11,11-dimethylbenzo[b]fluorene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C)(C)C4=CC(Br)=CC=C4C3=CC2=C1 MQAIWWRJGVSXKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKFOCUQIOWXICG-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-3-nitrobenzenethiol Chemical compound BrC1=C(C=CC=C1[N+](=O)[O-])S VKFOCUQIOWXICG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZULMWHUSAVHVFX-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-nitrobenzenethiol Chemical compound [O-][N+](=O)c1cccc(Br)c1S ZULMWHUSAVHVFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEJSIOPQKQXJAT-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-6-nitrophenol Chemical compound OC1=C(Br)C=CC=C1[N+]([O-])=O VEJSIOPQKQXJAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBLXKCGFKPLRQK-UHFFFAOYSA-N 3-bromonaphtho[2,3-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC=C(Br)C=C4OC3=CC2=C1 BBLXKCGFKPLRQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 71012-25-4 Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 BGEVROQFKHXUQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000156724 Antirhea Species 0.000 description 1
- GKPVPZKPIQGINT-UHFFFAOYSA-N C1=CC2=C(C=C1)C1(C3=CC=CC=C3C3=C1C=C1C=CC=CC1=C3)C1=C2C=CC=C1 Chemical compound C1=CC2=C(C=C1)C1(C3=CC=CC=C3C3=C1C=C1C=CC=CC1=C3)C1=C2C=CC=C1 GKPVPZKPIQGINT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000006930 Pseudomyxoma Peritonei Diseases 0.000 description 1
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDJHJMOTVCXUGP-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[2,3-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CC=C3OC2=N1 HDJHJMOTVCXUGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOSCNYCOYXTLTN-GFCCVEGCSA-N [3-[4-(aminomethyl)-6-(trifluoromethyl)pyridin-2-yl]oxyphenyl]-[(3R)-3-(hydroxymethyl)pyrrolidin-1-yl]methanone Chemical compound NCC1=CC(=NC(=C1)C(F)(F)F)OC=1C=C(C=CC=1)C(=O)N1C[C@@H](CC1)CO JOSCNYCOYXTLTN-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- XEMRLVBSKVCUDL-UHFFFAOYSA-N benzo[g]quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 XEMRLVBSKVCUDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=CC=C1 DMVOXQPQNTYEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical compound C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTMRMQALUDDFQO-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-b][1]benzofuran Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC=CC=C4OC3=CC2=C1 FTMRMQALUDDFQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWMISBRPSJFHIR-UHFFFAOYSA-N naphtho[2,3-b][1]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C=C3C4=CC=CC=C4SC3=CC2=C1 UWMISBRPSJFHIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 MCBJUXFCNBVPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005562 phenanthrylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004585 polycyclic heterocycle group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- BWESROVQGZSBRX-UHFFFAOYSA-N pyrido[3,2-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=NC2=CC=CN=C21 BWESROVQGZSBRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLZDHJUUEGCXJH-UHFFFAOYSA-N pyrido[4,3-d]pyrimidine Chemical compound C1=NC=C2C=NC=CC2=N1 PLZDHJUUEGCXJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005576 pyrimidinylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H01L51/0071—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H01L51/0059—
-
- H01L51/006—
-
- H01L51/0072—
-
- H01L51/5024—
-
- H01L51/5048—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
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- H—ELECTRICITY
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
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Abstract
본 발명은 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공하며, 상기 유기물층의 발광층에 본 발명의 화학식 1과 화학식 2로 각각 표시되는 화합물의 혼합물이 포함됨으로써, 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기전기소자용 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물 층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다. 그리고 상기 발광 재료는 분자량에 따라 고분자형과 저분자형으로 분류될 수 있고, 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있다. 또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 그 원리는 발광층을 형성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작은 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 발광층에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 내는 것이다. 이때 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구되던 소비전력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 매우 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 상황이다.
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동 시 발생하는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만, 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면, 각 유기물층 간의 에너지 준위(energy level) 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
따라서 높은 열적 안정성을 가지며 발광층 내에서 효율적으로 전하 균형(charge balance)을 이룰 수 있는 발광 재료의 개발이 필요한 실정이다. 즉, 유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 아직까지 안정하고 효율적인 유기전기소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 그 중에서도 특히 발광층의 호스트 물질에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율, 색순도, 안정성 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물을 포함하는 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 측면에서, 본 발명은 발광층에 하기 화학식 1과 화학식 2로 각각 표시되는 화합물을 포함하는 유기전기소자를 제공한다.
<화학식 1> <화학식 2>
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물을 발광층의 재료로 사용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있고, 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
본 발명에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한 아릴기에는 플루오렌일기가 포함될 수 있고 아릴렌기에는 플루오렌일렌기가 포함될 수 있다.
본 발명에서 사용된 용어 "플루오렌일기", "플루오렌일렌기", "플루오렌트리일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가, 2가 또는 3가의 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기", "치환된 플루오렌일렌기" 또는 "치환된 플루오렌트리일기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다. 본 명세서에서는 가수와 상관없이 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 플루오렌트리일기를 모두 플루오렌기라고 명명할 수도 있다.
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른 설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 N, O, S, P 또는 Si 등과 같은 헤테로원자가 포함된 고리를 의미하며, "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함될 수 있다.
본 발명에 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.
또한, 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와 같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전기소자의 예시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(미도시) 상에 형성된 제1 전극(110)과, 제2 전극(170), 그리고 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 형성된 유기물층을 포함한다.
상기 제1 전극(110)은 애노드(양극)이고, 제2 전극(170)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제1 전극이 캐소드이고 제2 전극이 애노드일 수 있다.
상기 유기물층은 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 전극(110) 상에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)이 순차적으로 형성될 수 있다.
바람직하게는, 상기 제1 전극(110) 또는 제2 전극(170)의 양면 중에서 유기물층과 접하지 않는 일면에 광효율 개선층(180)이 형성될 수 있으며, 광효율 개선층(180)이 형성될 경우 유기전기소자의 광효율이 향상될 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(170) 상에 광효율 개선층(180)이 형성될 수 있는데, 전면발광(top emission) 유기발광소자의 경우, 광효율 개선층(180)이 형성됨으로써 제2 전극(170)에서의 SPPs (surface plasmon polaritons)에 의한 광학 에너지 손실을 줄일 수 있고, 배면발광(bottom emission) 유기발광소자의 경우, 광효율 개선층(180)이 제2 전극(170)에 대한 완충 역할을 수행할 수 있다.
정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 버퍼층(210)이나 발광보조층(220)이 더 형성될 수 있는데 이에 대해 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기전기소자(200)는 제1 전극(110) 상에 순차적으로 형성된 정공주입층(120), 정공수송층(130), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 발광층(140), 전자수송층(150), 전자주입층(160), 제2 전극(170)을 포함할 수 있고, 제2 전극 상에 광효율 개선층(180)이 형성될 수 있다.
도 2에 도시되지는 않았으나, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층이 더 형성될 수도 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 유기물층은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택이 복수개 형성된 형태일 수도 있다. 이에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전기소자(300)는 제1 전극(110)과 제2 전극(170) 사이에 다층으로 이루어진 유기물층의 스택(ST1, ST2)이 두 세트 이상 형성될 수 있고 유기물층의 스택 사이에 전하 생성층(CGL)이 형성될 수도 있다.
구체적으로, 본 발명에 일 실시예에 따른 유기전기소자는 제1 전극(110), 제1 스택(ST1), 전하 생성층(CGL: Charge Generation Layer), 제2 스택(ST2), 제2 전극(170) 및 광효율 개선층(180)을 포함할 수 있다.
제1 스택(ST1)은 제1 전극(110) 상에 형성된 유기물층으로, 이는 제1 정공주입층(320), 제1 정공수송층(330), 제1 발광층(340) 및 제1 전자수송층(350)을 포함할 수 있고, 제2 스택(ST2)은 제2 정공주입층(420), 2 정공수송층(430), 제2 발광층(440) 및 제2 전자수송층(450)을 포함할 수 있다. 이와 같이 제1 스택과 제2 스택은 동일한 적층 구조를 갖는 유기물층일 수도 있지만 서로 다른 적층 구조의 유기물층일 수도 있다.
제1 스택(ST1)과 제2 스택(ST2) 사이에는 전하 생성층(CGL)이 형성될 수 있다. 전하 생성층(CGL)은 제1 전하 생성층(360)과 제2 전하 생성층(361)을 포함할 수 있다. 이러한 전하 생성층(CGL)은 제1 발광층(340)과 제2 발광층(440) 사이에 형성되어 각각의 발광층에서 발생하는 전류 효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배하는 역할을 한다.
제1 발광층(340)에는 청색 호스트에 청색 형광 도펀트를 포함하는 발광 재료가 포함될 수 있고, 제2 발광층(440)에는 녹색 호스트에 그리니쉬 옐로우(greenish yellow) 도펀트와 적색 도펀트가 함께 도핑된 재료가 포함될 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따른 제1 발광층(340) 및 제2 발광층(440)의 재료가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에서, n은 1~5의 정수일 수 있는데, n이 2인 경우, 제2 스택(ST2) 상에 전하 생성층(CGL)과 제3 스택이 추가적으로 더 적층될 수 있다.
도 3과 같이 다층의 스택 구조 방식에 의해 발광층이 복수개 형성될 경우, 각각의 발광층에서 발광된 광의 혼합 효과에 의해 백색 광이 발광되는 유기전기발광소자를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 색상의 광을 발광하는 유기전기발광소자를 제조할 수도 있다.
본 발명의 화학식 1에 의해 표시되는 화합물은 정공주입층(120, 320, 420), 정공수송층(130, 330, 430), 버퍼층(210), 발광보조층(220), 전자수송층(150, 350, 450), 전자주입층(160), 발광층(140, 340, 440) 또는 광효율 개선층(180)의 재료로 사용될 수 있으나, 바람직하게는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물이 발광층(140, 340, 440)의 호스트로 사용되거나/사용되고, 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광보조층(220)의 재료로 사용될 수 있다.
동일유사한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물을 발광층(140, 340, 440)의 호스트로 사용하거나/사용하고, 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광보조층(220)의 재료로 사용함으로써, 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(110)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(120), 정공수송층(130), 발광층(140), 전자수송층(150) 및 전자주입층(160)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(170)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(130)과 발광층(140) 사이에 발광보조층(220)을, 발광층(140)과 전자수송층(150) 사이에 전자수송보조층(미도시)을 더 형성할 수도 있고 상술한 바와 같이 스택 구조로 형성할 수도 있다.
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다.
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 유기전기소자에 대하여 설명한다.
본 발명의 일측면에 따른 유기전기소자는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함하고, 상기 인광성 발광층의 호스트는 하기 화학식 1로 표시되는 제 1화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 제 2화합물을 포함한다.
<화학식 1>
<화학식 2>
먼저, 화학식 1에 대하여 설명한다.
상기 화학식 1에서 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
Ar1 내지 Ar3은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar1 내지 Ar3이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐, 페난트렌 등일 수 있다.
Ar1 내지 Ar3이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C26의 헤테로고리기, 예컨대, 피리딘, 퀴놀린, 퀴나졸린, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란, 벤조나프토싸이오펜, 벤조나프토퓨란, 카바졸, 페닐카바졸, 벤조카바졸, 페닐-벤조카바졸, 다이벤조카바졸, 벤조퓨로피리딘, 벤조싸이에노피리딘, 인돌로카바졸 등일 수 있다.
Ar1 내지 Ar3이 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로플루오렌, 스파이로[벤조[b]플루오렌-11,9'-플루오렌], 벤조[b]플루오렌, 11,11-다이페닐-11H-벤조[b]플루오렌, 9-(나프탈렌-2-일)9-페닐-9H-플루오렌 등일 수 있다.
L1 내지 L3은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L1 내지 L3이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대, 페닐렌, 바이페닐, 나프탈렌, 터페닐 등일 수 있다.
L1 내지 L3이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란, 카바졸, 페닐카바졸 등일 수 있다.
L1 내지 L3이 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로플루오렌 등일 수 있다.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 1-I 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 1-A> <화학식 1-B> <화학식 1-C>
<화학식 1-D> <화학식 1-E> <화학식 1-F>
<화학식 1-G> <화학식 1-H> <화학식 1-I>
상기 화학식 1-A 내지 화학식 1-I에서, 각 기호의 정의는 아래와 같다.
L1~L3, Ar2, Ar3은 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
Z는 C(R')(R"), N(Rc), O 또는 S이다.
상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되고, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. R'과 R"이 고리를 형성할 경우 이들이 결합된 C와 함께 스파이로 화합물이 형성될 수 있다.
바람직하게는 상기 R' 및 R"은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Rc는 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
바람직하게는 상기 Rc는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C20의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L5는 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
a'은 0~4의 정수이고, b'은 0~3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R4 각각, R5 각각은 서로 같거나 상이하다.
또한, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-J 내지 1-ZA 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 1-J> <화학식 1-K> <화학식 1-L>
<화학식 1-M> <화학식 1-N> <화학식 1-O>
<화학식 1-P> <화학식 1-Q> <화학식 1-R>
<화학식 1-S> <화학식 1-T> <화학식 1-U>
<화학식 1-V> <화학식 1-W> <화학식 1-X>
<화학식 1-Y> <화학식 1-Z> <화학식 1-ZA>
상기 화학식 1-J 내지 1-ZA에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
L1~L3, Ar2, Ar3은 화학식 1에서 정의된 것과 같고, Y'는 C(R')(R"), N(Rc), O 또는 S이고, 상기 R', R", Rc는 화학식 1-A 내지 화학식 1-I에서 정의된 것과 같다.
L5는 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
R4 내지 R7은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
a'은 0~4의 정수, b'은 0~3의 정수, c'은 0~6의 정수, d'은 0~8의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R4 각각, R5 각각, R6 각각, R7 각각은 서로 같거나 상이하다.
상기 Ar1 내지 Ar3, L1 내지 L3, L', Ra, Rb, Rc, R', R", 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리, 및 R'과 R"이 서로 결합하여 형성한 고리는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다음으로, 하기 화학식 2에 대하여 설명한다.
<화학식 2>
상기 화학식 2에서 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
X는 N(Rc), O 또는 S이다.
상기 Rc는 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Rc가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
Rc가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C20의 헤테로고리기, 예컨대, 트리아진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조싸이에노피라진, 벤조퓨라노피리미딘, 벤조퓨라노피라진 등일 수 있다. 또한, 바람직하게는 Rc가 헤테로고리기인 경우 N을 포함하는 단환 또는 다환 헤테로고리일 수 있다.
Ar4는 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
Ar4가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
Ar4가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C20의 헤테로고리기, 예컨대, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 벤조퀴나졸린, 다이벤조퀴나졸린, 벤조퀴녹살린, 다이벤조퀴녹살린, 다이벤조퀴녹살린, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란, 페난트롤린, 아세나프토피리미딘, 벤조싸이에노피라진, 벤조퓨로피라진 등일 수 있다.
Ar4가 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로플루오렌 등일 수 있다.
바람직하게는, 상기 Ar4는 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시될 수 있다.
<화학식 A> <화학식 B>
상기 화학식 A 및 화학식 B에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
Q1 내지 Q4는 서로 독립적으로 N, C 또는 C(Rd)이며, Q5 내지 Q9는 서로 독립적으로 N 또는 C(Rd)이며, Z환은 하기 구조에서 선택된다.
<Z-1> <Z-2> <Z-3> <Z-4> <Z-5>
<Z-6> <Z-7> <Z-8> <Z-9> <Z-10>
<Z-11> <Z-12> <Z-13> <Z-14> <Z-15>
상기 Z환의 구조에서, *는 Q1 내지 Q4를 포함하는 고리와의 축합 위치를 나타내며, W1 및 W2는 서로 독립적으로 단일결합, N-(L1-Ar1), S, O, C 또는 C(Re)(Rf)이며, V는 서로 독립적으로 N, C 또는 C(Rg)이다.
상기 Rd, Re, Rf, Rg 및 Ar1은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Re와 Rf는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 L1은 단일결합; C6-C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; 및 C3-C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L4는 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
L4가 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대, 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 터페닐 등일 수 있다.
L4가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 벤조싸이에노피리미딘, 벤조퓨로피리미딘, 벤조퀴나졸린, 벤조퀴녹살린, 아세나프토피리미딘, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란 등일 수 있다.
L4가 플루오렌일렌기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로플루오렌 등일 수 있다.
A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C60의 방향족고리이며, A환은 하나 이상의 동일하거나 상이한 R11로 치환될 수 있고, B환은 하나 이상의 동일하거나 상이한 R12로 치환될 수 있다.
바람직하게는, A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C14의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C6~C12의 방향족고리, 예컨대 벤젠, 나프탈렌 등일 수 있다.
R1, R2, 상기 R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R1과 R2끼리, 또는 이웃한 R2와 R11끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
또한, 이웃한 R1과 Rc끼리 또는 이웃한 R11과 Rc끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
a 및 b 각각 0~4의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R1 각각, R2 각각은 서로 같거나 상이하다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란 등일 수 있다. 또한, 바람직하게는, R1, R2, 상기 R11 및 R12는 N 또는 S를 포함하는 단환 또는 다환고리일 수 있고, 바람직하게는 N 또는 O를 포함하는 단환, 2-축합환, 3-축합환일 수 있다. '숫자-축합환'에서 숫자는 축합된 링의 갯수를 나타낸다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 플루오렌일기인 경우, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌, 9,9'-스파이로플루오렌 등일 수 있다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알킬기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알킬기, 예컨대 메틸, t-부틸 등일 수 있다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 알켄일기인 경우, 바람직하게는 C2~C20의 알켄일기, 더욱 바람직하게는 C2~C10의 알켄일기, 예컨대 에텐, 프로펜 등일 수 있다.
R1, R2, R11 및 R12가 각각 알콕시기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알콕실기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알콕실기, 예컨대 메톡시, 부톡시 등일 수 있다.
이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R1과 R2끼리, 이웃한 R2와 R11끼리, 이웃한 R1과 Rc끼리 또는 이웃한 R11과 Rc끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R1과 R2끼리, 이웃한 R2와 R11끼리, 이웃한 R1과 Rc끼리 또는 이웃한 R11과 Rc끼리 서로 결합하여 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C6~C20의 방향족고리기, 더욱 바람직하게는 C6~C14의 방향족고리기, 예컨대 벤젠링, 나프탈렌 등을 형성할 수 있고, 헤테로고리를 형성할 경우, N, S 또는 O를 포함하는 단환 또는 축합환을 형성할 수 있다. 특히, R1과 R2끼리 서로 결합하여 S 또는 O를 포함하는 고리가 형성될 수 있다.
상기 Ra 및 Rb는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 Ar4, L4, R1 내지 R3, R11, R12, L', Ra, Rb, Rc, 및 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성된 고리는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
구체적으로, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 및 화학식 2에서, L1 내지 L4는 서로 독립적으로 하기 화학식 b-1 내지 b-13 중에서 하나로 표시될 수 있다.
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3> <화학식 b-4>
<화학식 b-5> <화학식 b-6> <화학식 b-7> <화학식 b-8>
<화학식 b-9> <화학식 b-10>
<화학식 b-11> <화학식 b-12> <화학식 b-13>
상기 화학식 b-1 내지 화학식 b-13에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
Y1은 N-(La-Ara), O, S 또는 C(Rd)(Re)이고 Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 C, C(Rf) 또는 N이고, Z1 내지 Z3 중에서 적어도 하나는 N이다.
R5 내지 R7, Rd, Re 및 Rf는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, Rd와 Re끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, C(Rf)에서 이웃한 Rf끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. Rd와 Re끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 경우, 이들이 결합된 C와 함께 스파이로 화합물이 형성될 수 있다.
f는 0 내지 6의 정수이고, e, g, h, i는 각각 0 내지 4의 정수이고, j, k는 각각 0 내지 3의 정수이고, l은 각각 0 내지 2의 정수이고, m은 0 내지 3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각, 복수의 R6 각각, 복수의 R7 각각은 서로 동일하거나 상이하다.
상기 Ara는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일실시예로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물은 2:8 내지 8:2의 중량비로 혼합하여 호스트 재료로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시예로, 상기 유기물층은 상기 발광층과 양극 사이에 형성된 발광보조층을 더 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
이하에서, 본 발명에 따른 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[
합성예
1] 화학식 1
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물(Final product 1)은 하기 반응식 1의 반응경로에 의해 합성될 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물은 본 출원인의 한국등록특허 10-1786749호(2017.10.11 일자 등록공고), 한국출원특허 2014-0152779호(2014.11.05 일자 출원), 한국출원특허 2014-0161275호(2014.11.19 일자 출원) 등에 개시된 합성방법으로 제조되었다.
<반응식 1>
I. Sub 1-1의 합성예
상기 반응식 1의 Sub 1-1은 하기 반응식 2로 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 2> (Hal은 Br, I 또는 Cl임)
1. Sub 1-1-76 합성예
둥근바닥플라스크에 Aniline (50 g, 536.9 mmol), 3-bromonaphtho[2,3-b]benzofuran (158.9 g, 536.9 mmol), Pd2(dba)3 (14.75 g, 16.1 mmol), P(t-Bu)3 (6.52 g, 32.2 mmol), NaOt-Bu (103.2 g, 1073.8 mmol), toluene (2684 mL)을 넣은 후 100℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조한 뒤 농축시킨다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 129.5 g 을 얻었다. (수율: 78%)
2. Sub 1-1-110 합성예
둥근바닥플라스크에 [1,1'-biphenyl]-4-amine (50 g, 295.5 mmol), 2-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[b]fluorene (95.5 g, 295.5 mmol), Pd2(dba)3 (8.12 g, 8.9 mmol), P(t-Bu)3 (3.59 g, 17.7 mmol), NaOt-Bu (56.8 g, 590.9 mmol), toluene (1477 mL)을 넣고 상기 Sub 1-1-76의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 87.5 g 을 얻었다. (수율 : 72%)
II. Sub 1-2의 합성예
상기 반응식 1의 Sub 1-2는 하기 반응식 3과 같은 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 3> (Hal1는 I, Br 또는 Cl이고, Hal2는 Br 또는 Cl임)
III. 최종 화합물의 합성예
1. 1-76의 합성
둥근바닥플라스크에 Sub 1-2-76 (142.0 g, 418.6 mmol), Sub 1-1-76 (129.5 g, 418.6 mmol), Pd2(dba)3 (11.5 g, 12.6 mmol), P(t-Bu)3 (5.1 g, 25.1 mmol), NaOt-Bu (80.5 g, 837.2 mmol), toluene (2093 mL)을 넣은 후에 100 ℃에서 반응을 진행시킨다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조한 뒤 농축시킨다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 173.5 g 을 얻었다. (수율: 73%)
2. 1-110의 합성
Sub 1-2-110 (52.5 g, 212.6 mmol), Sub 1-1-110 (87.5 g, 212.6 mmol), Pd2(dba)3 (5.8 g, 6.4 mmol), P(t-Bu)3 (2.6 g, 12.8 mmol), NaOt-Bu (40.9 g, 425.2 mmol), toluene (1063 mL)을 상기 1-76의 합성법과 같은 방법으로 진행시켜서 생성물 92.1 g 얻었다. (수율 : 75%)
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 1-1 내지 1-130의 FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry)값은 하기 표 1과 같다.
[표 1]
[합성예 2] 화학식 2
본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물(Final product 2)은 하기 반응식 4와 같이 Sub2-1과 Sub2-2를 반응시켜 제조될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 4> (Hal은 Br, I 또는 Cl임)
I. Sub2-1의 합성
상기 반응식 4의 Sub 2-1은 하기 반응식 5와 같은 반응경로에 의해 합성될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
<반응식 5> (Hal1, Hal2는 각각 Cl, Br 또는 I 이고, Xa는 -OH 또는 -SH임)
1. Sub 2-1-1
합성예
(1)
Sub2
-1-1b 합성
Sub2-1-1a(2-bromo-6-nitrophenol) (50.0 g, 229.3 mmol)을 DMSO (229 ml)로 녹인 후, 2-iodo-1,1'-biphenyl (128.5 g, 458.7 mmol)을 넣고 5분간 충분히 녹인다. 이후 t-BuOK (64.3 g, 573.4 mmol)을 적가한 뒤 45℃에서 8시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 ethyl acetate와 물로 추출한 후 유기층을 Na2SO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 68.8 g 을 얻었다. (수율 : 81%)
(2) Sub2-1-1c 합성
Sub2-1-1b (68.8 g, 185.8 mmol)을 DMSO (186 mL)에 녹인 후에 t-BuOK (41.7 g, 371.7 mmol)을 적가한 뒤 400W 램프 (350 nm)를 켜고 1시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 ammonium nitrate로 Quenching 하고 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 29.0 g 을 얻었다. (수율 : 54%)
(3) Sub2-1-1d 합성
Sub2-1-1c (29.0 g, 100.4 mmol)을 methanol (401 ml)에 녹인 후 Pd on Carbon (10%, 130 mg)을 넣은 뒤 H2 분위기에서 4시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 반응물을 필터로 여과한 후 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후 얻어진 잔류물에 증류수 (200 ml)를 첨가하고 10% HCl 수용액 (50 m)을 첨가한 후 0℃로 냉각한 다음 NaNO2 (13.8 g, 200.5 mmol)을 넣은 뒤 1시간 동안 교반하였다. 이후 CuBr (36.0 g, 250.6 mmol)을 넣고 2시간 동안 0℃에서 교반한 후 100℃로 올려 3시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 ethyl acetate와 물로 추출한 후 유기층을 Na2SO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 24.6 g 을 얻었다. (수율 : 76%)
(4) Sub2-1-1e 합성
Sub2-1-1d (24.6 g, 76.2 mmol)을 toluene (381 ml)에 녹인 후, 2-chloroaniline (9.7 g, 76.1 mmol), Pd2(dba)3 (2.1 g, 2.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.9 g, 4.6 mmol), NaOt-Bu (14.6 g, 152.2 mmol)을 넣고 100℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 20.6 g 을 얻었다. (수율 : 73%)
(5) Sub2-1-1 합성
Sub 2-1-1e (20.6 g, 55.7 mmol)을 DMA (278 mL)에 녹인 후, Pd(OAc)2 (0.4 g, 1.7 mmol), K2CO3 (23.1 g, 167.1 mmol), P(t-Bu)3HBF4 (4.2 g, 3.3 mmol)을 넣고 90℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 13.6 g 을 얻었다. (수율 : 70%)
2. Sub 2-1-10 합성예
(1) Sub2-1-10b 합성
Sub2-1-1a(1-bromo-3-nitronaphthalen-2-ol) (50.0 g, 186.5 mmol)을 DMSO (677 ml)으로 녹인 후에, 2-iodo-1,1'-biphenyl (104.5 g, 373.0 mmol), t-BuOK (52.3 g, 466.30 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1b의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 61.1 g 얻었다. (수율 : 78%)
(2) Sub2-1-10c 합성
Sub2-1-1b (68.8 g, 370.2 mmol)을 DMSO (186 mL)에 녹인 후에 t-BuOK (41.71 g, 371.69 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1c의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 32.2 g 얻었다. (수율 : 51%)
(3) Sub2-1-10d 합성
Sub2-1-1c (32.2 g, 94.9 mmol)을 methanol (380 ml)에 녹인 후 Pd on Carbon (10%, 130 mg)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 얻어진 잔류물에 증류수 (190 ml)를 첨가하고 10% HCl 수용액 (47 m)을 첨가한 후 0℃로 냉각한 다음 sodium nitrite (13.1 g, 189.8 mmol), CuBr (34.0 g, 237.2 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 25.5 g 얻었다. (수율 : 72%)
(4) Sub2-1-10e' 합성
Sub2-1-1d (25.5 g, 68.3 mmol)를 THF (342 mL)에 녹인 후, (2-nitrophenyl)boronic acid (11.4 g, 68.3 mmol), K2CO3 (28.3 g, 205.0 mmol), Pd(PPh3)4 (4.7 g, 4.1 mmol), 물 (171 mL) 을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 23.6 g (수율: 83%)을 얻었다.
(5) Sub2-1-10 합성
Sub 2-1-10e' (23.6 g, 56.8 mmol)을 o-dichlorobenzene (284 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (37.2 g, 142.0 mmol)을 첨가하고 200℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 증류를 통해 o-dichlorobenzene을 제거하고 CH2Cl2와 물로 추출하였다. 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 후 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 17.9 g 을 얻었다. (수율: 82%)
3. Sub 2-1-25 합성예
(1) Sub2-1-25b 합성
Sub2-1-25a(2-bromo-6-nitrobenzenethiol) (50.0 g, 213.6 mmol)을 DMSO (214 ml)으로 녹인 후에, 2-iodo-1,1'-biphenyl (119.7 g, 427.2 mmol), t-BuOK (59.9 g, 534.03 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1b의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 60.2 g 얻었다. (수율 : 73%)
(2) Sub2-1-25c 합성
Sub2-1-25b (60.2 g, 155.9 mmol)을 DMSO (156 mL)에 녹인 후에 t-BuOK (35.0 g, 311.7 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1c의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 23.8 g 얻었다. (수율 : 50%)
(3) Sub2-1-25d 합성
Sub2-1-25c (23.8 g, 77.9 mmol)을 methanol (312 ml)에 녹인 후 Pd on Carbon (10%, 130 mg)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 얻어진 잔류물에 증류수 (156 ml)를 첨가하였다. 이후, 10% HCl 수용액 (39 m)을 첨가한 후 0℃로 냉각하였다. 이후, sodium nitrite (10.8 g, 155.9 mmol), CuBr (28.0 g, 194.9 mmol)을 첨가하고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 18.0 g 얻었다. (수율 : 68%)
(4) Sub2-1-25e 합성
Sub2-1-1d (18.0 g, 53.1 mmol)을 toluene (265 ml)에 녹인 후, 2-chloroaniline (9.4 g, 53.1 mmol), Pd2(dba)3 (1.5 g, 1.6 mmol), P(t-Bu)3 (0.6 g, 3.2 mmol), NaOt-Bu (10.2 g, 106.1 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1e의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 17.1 g 얻었다. (수율 : 74%)
(5) Sub2-1-25 합성
Sub 2-1-1e (17.1 g, 39.2 mmol)을 DMA (196 mL)에 녹인 후에 Pd(OAc)2 (0.3 g, 1.2 mmol), K2CO3 (16.3 g, 117.7mmol), P(t-Bu)3HBF4 (2.9 g, 2.4 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 11.9 g 얻었다. (수율 : 76%)
4. Sub 2-1-40 합성예
(1) Sub2-1-40b 합성
Sub2-1-40a(2-bromo-3-nitrobenzenethiol) (50.0 g, 213.6 mmol)을 DMSO (214 ml)로 녹인 후, 2-iodo-1,1'-biphenyl (119.7 g, 427.2 mmol), t-BuOK (59.9 g, 534.03 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1b의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 61.9 g 얻었다. (수율 : 75%)
(2) Sub2-1-40c 합성
Sub2-1-40b (61.9 g, 160.3 mmol)을 DMSO (160 mL)에 녹인 후에 t-BuOK (36.0 g, 320.5 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1c의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 27.4 g 얻었다. (수율 : 56%)
(3) Sub2-1-40d 합성
Sub2-1-40c (27.1 g, 89.7 mmol)을 methanol (359 ml)에 녹인 후 Pd on Carbon (10%, 130 mg)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 얻어진 잔류물에 증류수 (179 ml)를 첨가한다. 이후, 10% HCl 수용액 (45 m)을 첨가한 후 0℃로 냉각하였다. 이후, sodium nitrite (12.4 g, 179.5 mmol), CuBr (32.2 g, 224.3 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 23.1 g 얻었다. (수율 : 76%)
(4) Sub2-1-40e' 합성
Sub2-1-40d (23.1 g, 68.1 mmol)를 THF (340 mL)에 녹인 후, (2-nitrophenyl)boronic acid (11.4 g, 68.1 mmol), K2CO3 (28.2 g, 204.3 mmol), Pd(PPh3)4 (4.7 g, 4.1 mmol), 물 (170 mL)을 넣고 상기 Sub 2-1-10e'의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 22.1 g 얻었다. (수율 : 85%)
(5) Sub2-1-40 합성
Sub 2-1-40e' (22.1 g, 57.9 mmol)을 o-dichlorobenzene (290 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (38.0 g, 144.8 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-10의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 17.0 g 얻었다. (수율 : 84%)
5. Sub 2-1-46 합성예
(1) Sub2-1-46b 합성
Sub2-1-46a'(2-bromo-3-nitro-N-phenylaniline) (50.0 g, 170.6 mmol)을 toluene (853 ml)로 녹인 후에, 2-iodo-1,1'-biphenyl (47.8 g, 170.6 mmol), Pd2(dba)3 (4.7 g, 5.1 mmol), P(t-Bu)3 (2.1 g, 10.2 mmol), NaOt-Bu (32.8 g, 341.2 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1e의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 58.5 g 얻었다. (수율 : 77%)
(2) Sub2-1-46c 합성
Sub2-1-46b (58.5 g, 131.3 mmol)을 DMSO (131 mL)에 녹인 후에 t-BuOK (29.5 g, 262.73 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1c의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 29.7 g 얻었다. (수율 : 62%)
(3) Sub2-1-46d 합성
Sub2-1-46c (29.7 g, 81.5 mmol)을 methanol (326 ml)에 녹인 후 Pd on Carbon (10%, 130 mg)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 얻어진 잔류물에 증류수 (163 ml)를 첨가한다. 이후, 10% HCl 수용액 (41 m)을 첨가한 후 0℃로 냉각하였다. 이후, sodium nitrite (11.2 g, 163.0 mmol), CuBr (29.2 g, 203.8 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-1d의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 24.0 g 얻었다. (수율 : 74%)
(4) Sub2-1-46e' 합성
Sub2-1-46d (24.0 g, 60.3 mmol)를 THF (301 mL)에 녹인 후, (2-nitrophenyl)boronic acid (10.1 g, 60.3 mmol), K2CO3 (25.0 g, 180.8 mmol), Pd(PPh3)4 (4.2 g, 3.6 mmol), 물 (151 mL)을 첨가하고 상기 Sub 2-1-10e'의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 23.4 g 얻었다. (수율 : 88%)
(5) Sub2-1-40 합성
Sub 2-1-46e' (23.4 g, 53.1 mmol)을 o-dichlorobenzene (266 mL)으로 녹인 후, triphenylphosphine (34.8 g, 132.8 mmol)을 넣고 상기 Sub 2-1-10의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 18.4 g 얻었다. (수율 : 85%)
Sub 2-1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 2는 Sub2-1에 속하는 화합물의 FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry) 값을 나타낸 것이다.
[표 2]
II. Sub2-2
상기 반응식 4의 Sub 2-2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 하기 화합물의 FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry) 값은 하기 표 3과 같다.
[표 3]
III. 최종 화합물 2의 합성
1. 2-1의 합성
Sub 2-1-1 (13.6 g, 40.8 mmol)을 toluene (204mL)으로 녹인 후, Sub 2-2-1 (15.8 g, 40.8 mmol), Pd2(dba)3 (1.1 g, 1.2 mmol), P(t-Bu)3 (0.5 g, 2.4 mmol), NaOt-Bu (7.8 g, 81.6 mmol)을 넣고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물을 19.9 g 얻었다. (수율 : 76%)
2. 2-19의 합성
Sub 2-1-10 (17.9 g, 46.7 mmol)을 toluene (233mL)으로 녹인 후에, Sub 2-2-2 (11.2 g, 46.7 mmol), Pd2(dba)3 (1.3 g, 1.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.6 g, 2.8 mmol), NaOt-Bu (9.0 g, 93.4 mmol)을 넣고 상기 2-1의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 20.6 g 얻었다. (수율 : 75%)
3. 2-47의 합성
Sub 2-1-25 (11.9 g, 29.8 mmol)을 toluene (149mL)으로 녹인 후에, Sub 2-2-10 (7.2 g, 29.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.8 g, 0.9 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 g, 1.8 mmol), NaOt-Bu (5.7 g, 59.6 mmol)을 넣고 상기 2-1의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 12.6 g 얻었다. (수율 : 70%)
4. 2-65의 합성
Sub 2-1-40 (18.4 g, 48.6 mmol)을 toluene (243mL)으로 녹인 후에, Sub 2-2-11 (13.0 g, 48.6 mmol), Pd2(dba)3 (1.3 g, 1.5 mmol), P(t-Bu)3 (0.6 g, 2.9 mmol), NaOt-Bu (9.4 g, 97.3 mmol)을 넣고 상기 2-1의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 20.3 g 얻었다. (수율 : 72%)
5. 2-73의 합성
Sub 2-1-46 (18.4 g, 45.0 mmol)을 toluene (255 mL)으로 녹인 후에, Sub 2-2-11 (12.1 g, 45.0 mmol), Pd2(dba)3 (1.2 g, 1.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.6 g, 2.7 mmol), NaOt-Bu (8.7 g, 90.1 mmol)을 넣고 상기 2-1의 합성예와 같은 방법으로 진행하여 생성물을 21.3 g 얻었다. (수율 : 74%)
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 2-1 내지 2-96의 FD-MS 값은 하기 표 4와 같다.
[표 4]
유기전기소자의 제조평가
[
실시예
1] 내지 [
실시예
9]
적색유기발광소자
(
발광층
혼합 인광호스트)
유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 4,4',4"-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine (이하 "2-TNATA"로 약기함)막을 진공증착하여 60 nm 두께의 정공주입층을 형성한 후, 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (이하 "NPB"로 약기함) 막을 55 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다.
다음으로, 상기 정공수송층 상에 30nm 두께의 발광층을 형성하였는데, 이때 하기 표 5에서와 같이 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물(제1호스트)과 본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물(제2호스트)를 5:5의 중량비로 혼합한 혼합물을 호스트로, bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate(이하 "(piq)2Ir(acac)"로 약기함)를 도펀트로 사용하되, 호스트와 도펀트를 95:5 중량비가 되도록 도펀트를 도핑하였다.
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum (이하 "BAlq"로 약기함)을 10 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공저지층 상에 tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum (이하 "Alq3"로 약기함)와 bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (이하 BeBq2로 약칭함)를 1:1로 혼합하여 45 nm 두께로 성막하여 전자수송층을 형성하였다. 이후, 전자수송층 상에 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기전기발광소자를 제조하였다.
[비교예 1] 내지 [비교예 3]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 5에 기재된 것과 같이 본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물을 단독으로 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[
비교예
4] 내지 [
비교예
6]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 5에 기재된 것과 같이 하기 비교화합물 1과 본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[
비교예
8] 및 [
비교예
9]
발광층의 호스트 물질로 하기 표 5에 기재된 것과 같이 화합물 1-26과 비교화합물 2 또는 비교화합물 3의 혼합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
<비교화합물 1> <비교화합물 2> <비교화합물 3>
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 9, 비교예 1 내지 비교예 8에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 2500cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였으며, 그 측정 결과는 하기 표 5와 같다.
[표 5]
[
실시예
10] 내지 [
실시예
21]
녹색유기발광소자
(
발광층
혼합 인광호스트)
도판트로 (piq)2Ir(acac) 대신 tris(2-phenylpyridine)-iridium (이하,"Ir(ppy)3라 함)을 사용하고, 호스트 혼합물로 하기 표 6과 같이 화학식 1과 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 전기발광소자를 제조하였다.
[
비교예
10] 내지 [
비교예
13]
비교화합물 1과 하기 표 6과 같이 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 혼합물을 호스트로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기 발광소자를 제작하였다.
[
비교예
14] 및 [
비교예
15]
화학식 1로 표시되는 화합물과 비교화합물 2 또는 비교화합물 3을 혼합한 혼합물을 호스트로 사용하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
본 발명의 실시예 10 내지 실시예 21, 비교예 10 내지 비교예 15에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 5000cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 측정 결과는 하기 표 6과 같다.
[표 6]
상기 표 5 및 표 6으로부터, 화학식 1과 화학식 2로 표시되는 본 발명의 유기전기발광소자용 재료를 혼합하여 인광호스트로 사용할 경우, 화학식 2로 표시되는 화합물을 단독으로 사용한 경우(비교예 1~3), 비교화합물 1과 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 호스트로 사용한 경우(비교예 4~15)에 비해 구동전압이 낮아지고, 효율 및 수명이 현저히 개선되는 것을 알 수 있다.
비교예 1 내지 8을 비교해보면, 화학식 2로 표시되는 화합물을 단독 사용한 경우(비교예 1~3)에 비해 비교화합물 1과 본 발명의 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합하여 호스트로 사용한 경우(비교예 4~6) 또는 화학식 1로 표시되는 화합물과 비교화합물 2 또는 3의 혼합물을 사용한 경우(비교예 7~8)와 같이 2가지 화합물을 혼합 사용시 소자 특성이 개선되었다.
이러한 결과로부터 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 단독으로 사용하는 것보다는 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물과 비교화합물의 혼합물을 사용할 경우 소자의 특성이 더 향상되는 것을 알 수 있으며, 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합한 본 발명의 경우 소자의 특성이 가장 우수하다는 것을 알 수 있다.
이는 비스카바졸(비교화합물 1에 포함된 모이어티)보다 본 발명의 화합물이 hole에 대한 안정성 및 빠른 hole 주입특성 우수한 특징이 있는 화학식 1로 표시되는 3차 아민 화합물에 electron 특성이 강한 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합할 경우, 화학식 1의 높은 LUMO 에너지 값으로 인해 전자 블로킹 능력이 향상되고, 발광층에 더 많은 hole이 빠르고 쉽게 이동할 수 있고, 이에 따라 정공과 전자의 발광층 내 charge balance가 증가되어 정공수송층 계면이 아닌 발광층 내부에서 발광이 잘 이루지고, 그로 인해 HTL 계면에 열화 또한 감소하여 소자 전체의 구동 전압, 효율이 극대화되기 때문이다.
또한 화학식 2로 표시되는 화합물이 비교화합물 2나 비교화합물 3과 유사한 모이어티를 일부 포함하고 있으나, 7각 고리를 포함하는 본 발명의 화합물 특성상 분자 내에서 컨쥬게이션이 끊기게 되어 비교화합물 2보다 HOMO가 상대적으로 낮아지게 되고, ET특성을 가지는 치환기(화학식 2의 -L4-Ar4, 예: 트리아진)이 N에 결합이 되어 있기 때문에 비교화합물 3보다 HOMO/LUMO 오비탈이 보다 명확하게 분리된다.
이러한 특성을 가지는 화학식 2로 표시되는 화합물과 화학식 1로 표시되는 아민계 화합물을 혼합했을 경우, 전하 균형이 극대화되어 수명이 현저하게 증가한 것으로 보인다. 즉. 화학식 1과 화학식 2로 표시되는 화합물을 조합하여 사용함으로써 전기화학적으로 시너지 작용이 발생하여 소자 전체의 성능이 향상된 것으로 보인다.
[
실시예
22] 내지 [
실시예
27] 혼합비율별
적색유기발광소자
하기 표 7에 기재된 것과 같이 제1호스트와 제2호스트를 일정 비율별로 혼합하여 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
본 발명의 실시예 22 내지 실시예 27에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 2500cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 7과 같다.
[표 7]
[
실시예
28] 내지 [
실시예
33] 혼합비율별
녹색유기발광소자
하기 표 8에 기재된 것과 같이 제1호스트와 제2호스트를 일정 비율별로 혼합하여 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
본 발명의 실시예 25 내지 실시예 30에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치 (photoresearch) 사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 5000cd/m2 기준휘도에서 맥사이언스사의 수명측정장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 그 결과는 하기 표 8과 같다.
[표 8]
상기 표 7 및 표 8로부터 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 혼합비율을 달리하여(3:7, 5:5, 7:3)로 혼합 호스트로 사용시 소자 특성이 약간씩 달라질 수 있다는 것을 알 수 있다.
표 7로부터, 적색 유기발광소자의 경우, 제2호스트의 비율이 증가할수록 구동전압이 낮아지고 효율과 수명이 동시에 향상되는 것을 알 수 있다.
반면, 표 8로부터, 녹색 유기발광소자의 경우에는, 제2호스트의 비율이 감소할수록 구동전압은 약간 저하되지만 효율 및 수명은 소폭 향상되는 것을 알 수 있다.
따라서, 혼합물의 경우 혼합 비율의 양이 특성에 영향을 미치기 때문에 발광층 내 charge balance가 극대화되는 혼합비율을 도출하는 것이 중요할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명 하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 유기전기소자
110: 제1 전극
120: 정공주입층 130: 정공수송층
140: 발광층 150: 전자수송층
160: 전자주입층 170: 제2 전극
180: 광효율 개선층 210: 버퍼층
220: 발광보조층 320: 제1 정공주입층
330: 제1 정공수송층 340: 제1 발광층
350: 제1 전자수송 층 360: 제1 전하생성층
361: 제2 전하생성층 420: 제2 정공주입층
430: 제2 정공수송층 440: 제2 발광층
450: 제2 전자수송층 CGL: 전하생성층
ST1: 제1 스택 ST2: 제2 스택
120: 정공주입층 130: 정공수송층
140: 발광층 150: 전자수송층
160: 전자주입층 170: 제2 전극
180: 광효율 개선층 210: 버퍼층
220: 발광보조층 320: 제1 정공주입층
330: 제1 정공수송층 340: 제1 발광층
350: 제1 전자수송 층 360: 제1 전하생성층
361: 제2 전하생성층 420: 제2 정공주입층
430: 제2 정공수송층 440: 제2 발광층
450: 제2 전자수송층 CGL: 전하생성층
ST1: 제1 스택 ST2: 제2 스택
Claims (14)
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서,
상기 유기물층은 인광성 발광층을 포함하고, 상기 인광성 발광층의 호스트는 하기 화학식 1로 표시되는 제 1화합물과 하기 화학식 2로 표시되는 제 2화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1> <화학식 2>
상기 화학식 1 및 2에서,
Ar1 내지 Ar4는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
L1 내지 L4는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
A환 및 B환은 서로 독립적으로 C6~C60의 방향족고리이며, A환은 하나 이상의 동일하거나 상이한 R11로 치환될 수 있고, B환은 하나 이상의 동일하거나 상이한 R12로 치환될 수 있으며,
X는 N(Rc), O 또는 S이고,
R1, R2, 상기 R11 및 R12는 서로 독립적으로 수소; 중수소, 삼중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(Ra)(Rb)로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 R1끼리, 이웃한 R2끼리, 이웃한 R1과 R2끼리, 또는 이웃한 R2와 R11끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
a 및 b 각각 0~4의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R1 각각, R2 각각은 서로 같거나 상이하며,
상기 Ra, Rb, 및 Rc는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
이웃한 R1과 Rc끼리 또는 이웃한 R11과 Rc끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
상기 L'은 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C3~C60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 Ar1 내지 Ar4, L1 내지 L4, R1, R2, R11, R12, Ra, Rb, Rc, L', 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 각각 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴알콕시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 지방족고리기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기;로 이루로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-A 내지 1-I 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1-A> <화학식 1-B> <화학식 1-C>
<화학식 1-D> <화학식 1-E> <화학식 1-F>
<화학식 1-G> <화학식 1-H> <화학식 1-I>
상기 화학식 1-A 내지 화학식 1-I에서, L1~L3, Ar2, Ar3은 제1항에서 정의된 것과 같고,
Z는 C(R')(R"), N(Rc), O 또는 S이고, 상기 Rc는 제1항에서 정의된 것과 같으며,
L5는 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
R', R", R4 및 R5는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, R'과 R"은 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
a'은 0~4의 정수이고, b'은 0~3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R4 각각, R5 각각은 서로 같거나 상이하다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-J 내지 1-ZA 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 1-J> <화학식 1-K> <화학식 1-L>
<화학식 1-M> <화학식 1-N> <화학식 1-O>
<화학식 1-P> <화학식 1-Q> <화학식 1-R>
<화학식 1-S> <화학식 1-T> <화학식 1-U>
<화학식 1-V> <화학식 1-W> <화학식 1-X>
<화학식 1-Y> <화학식 1-Z> <화학식 1-ZA>
상기 화학식 1-J 내지 1-ZA에서, L1~L3, Ar2, Ar3은 제1항에서 정의된 것과 같고,
Y'는 C(R')(R"), N(Rc), O 또는 S이고, 상기 Rc는 제1항에서 정의된 것과 같으며,
L5는 C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
R', R", 및 R4 내지 R7은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알콕시기; C6-C20의 아릴옥시기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; 및 C3-C20의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되고, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, R'과 R"끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
a'은 0~4의 정수, b'은 0~3의 정수, c'은 0~6의 정수, d'은 0~8의 정수이고, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R4 각각, R5 각각, R6 각각, R7 각각은 서로 같거나 상이하다. - 제 1항에 있어서,
상기 L1 내지 L4는 서로 독립적으로 하기 화학식 b-1 내지 b-13 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 b-1> <화학식 b-2> <화학식 b-3> <화학식 b-4>
<화학식 b-5> <화학식 b-6> <화학식 b-7> <화학식 b-8>
<화학식 b-9> <화학식 b-10>
<화학식 b-11> <화학식 b-12> <화학식 b-13>
상기 화학식 b-1 내지 화학식 b-13에서,
Y1은 N-(La-Ara), O, S 또는 C(Rd)(Re)이고,
Z1 내지 Z3은 서로 독립적으로 C, C(Rf) 또는 N이고, Z1 내지 Z3 중에서 적어도 하나는 N이며,
R5 내지 R7, Rd, Re 및 Rf는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 시아노기; 니트로기; C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; C3~C20의 지방족고리와 C6~C20의 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, Rd와 Re 끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, C(Rf)에서 이웃한 Rf끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
f는 0 내지 6의 정수이고, e, g, h, i는 각각 0 내지 4의 정수이고, j, k는 각각 0 내지 3의 정수이고, l은 각각 0 내지 2의 정수이고, m은 0 내지 3의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 R5 각각, 복수의 R6 각각, 복수의 R7 각각은 서로 동일하거나 상이하며,
상기 Ara는 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
상기 La는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C20의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 지방족고리기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-A 내지 화학식 2-F 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 2-A> <화학식 2-B> <화학식 2-C>
<화학식 2-D> <화학식 2-E> <화학식 2-F>
상기 화학식 2-A 내지 화학식 2-F에서, X, Ar4, L4, R1, R2, R11, R12, a, b는 제1항에서의 정의된 것과 같고,
n은 0~2의 정수이고, m은 0~4의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 R11 각각, R12 각각은 서로 같거나 상이하며, 이웃한 R11끼리 또는 이웃한 R12끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다. - 제 1항에 있어서,
상기 Ar4는 하기 화학식 A 또는 화학식 B로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
<화학식 A> <화학식 B>
상기 화학식 A 및 화학식 B에서,
Q1 내지 Q4는 서로 독립적으로 N, C 또는 C(Rd)이며, Q5 내지 Q9는 서로 독립적으로 N 또는 C(Rd)이며,
Z환은 하기 구조에서 선택되며,
<Z-1> <Z-2> <Z-3> <Z-4> <Z-5>
<Z-6> <Z-7> <Z-8> <Z-9> <Z-10>
<Z-11> <Z-12> <Z-13> <Z-14> <Z-15>
상기 구조에서, *는 Q1 내지 Q4를 포함하는 고리와의 축합위치를 나타내며,
W1 및 W2는 서로 독립적으로 단일결합, N-(L1-Ar1), S, O, C 또는 C(Re)(Rf)이며,
V는 서로 독립적으로 N, C 또는 C(Rg)이며,
상기 Rd, Re, Rf, Rg 및 Ar1은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C1-C20의 알킬기 또는 C6-C20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1-C20의 알킬싸이오기; C1-C20의 알콕실기; C1-C20의 알킬기; C2-C20의 알켄일기; C2-C20의 알킨일기; C6-C20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2-C20의 헤테로고리기; C3-C20의 시클로알킬기; C7-C20의 아릴알킬기; 및 C8-C20의 아릴알켄일기로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, Re와 Rf는 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
상기 L1은 단일결합; C6-C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C2-C60의 헤테로고리기; 및 C3-C60의 지방족고리기로 이루어진 군에서 선택된다. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 유기전기소자:
. - 제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물은 2:8 내지 8:2의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 1항에 있어서,
상기 유기물층은 상기 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 10항에 있어서,
상기 유기물층은 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제 1항에 있어서,
상기 유기물층은 상기 발광층과 양극 사이에 형성된 발광보조층을 더 포함하며,
상기 발광보조층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자. - 제1항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및
상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치. - 제 13항에 있어서,
상기 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| CN114835663A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-02 | 阜阳欣奕华材料科技有限公司 | 一种萘并杂芳基类化合物、有机电致发光器件和显示装置 |
| CN116178261A (zh) * | 2021-11-26 | 2023-05-30 | 奥来德(上海)光电材料科技有限公司 | 一种有机电致发光化合物及有机电致发光器件和应用 |
| CN116606305A (zh) * | 2023-04-14 | 2023-08-18 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | 一种咔唑衍生物及其应用 |
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