[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20200114055A - 투명 발광소자 디스플레이 - Google Patents

투명 발광소자 디스플레이 Download PDF

Info

Publication number
KR20200114055A
KR20200114055A KR1020190035155A KR20190035155A KR20200114055A KR 20200114055 A KR20200114055 A KR 20200114055A KR 1020190035155 A KR1020190035155 A KR 1020190035155A KR 20190035155 A KR20190035155 A KR 20190035155A KR 20200114055 A KR20200114055 A KR 20200114055A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent
light emitting
emitting device
adhesive layer
device display
Prior art date
Application number
KR1020190035155A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102721329B1 (ko
Inventor
이기석
이건석
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020190035155A priority Critical patent/KR102721329B1/ko
Priority to US17/437,372 priority patent/US12074268B2/en
Priority to JP2021553871A priority patent/JP7233802B2/ja
Priority to PCT/KR2020/002980 priority patent/WO2020197112A1/ko
Priority to CN202080019167.6A priority patent/CN113574685A/zh
Priority to TW109108675A priority patent/TWI761789B/zh
Publication of KR20200114055A publication Critical patent/KR20200114055A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102721329B1 publication Critical patent/KR102721329B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 구비된 전도성 금속 패턴; 적어도 일부의 상기 전도성 금속 패턴 상에 구비된 발광소자; 상기 투명 기판, 전도성 금속 패턴 및 발광소자 상에 구비된 제1 투명 점착층; 상기 제1 투명 점착층 상에 구비된 자외선 차단 필름; 및 상기 자외선 차단 필름 상에 구비된 제2 투명 점착층을 포함한다.

Description

투명 발광소자 디스플레이{TRANSPARENT LIGHT EMITTING DEVICE DISPLAY}
본 출원은 투명 발광소자 디스플레이에 관한 것이다.
최근 우리나라는 첨단 ICT 기술과 LED 기술의 융합을 통해 화려한 간판뿐만 아니라 공원 및 도심지 내에 다양한 경관 조명을 연출하여 도시민에게 정보 및 볼거리를 제공하고 있다. 특히, ITO 투명 전극 소재를 사용한 투명 LED 디스플레이는 Glass와 Glass 사이에 LED를 적용하거나 LED가 적용된 투명 필름을 Glass의 일면에 부착한 것으로써, 전선이 보이지 않아 고급스러운 연출이 가능한 장점이 있다. 이로 인해 호텔, 백화점 등의 실내 인테리어에 활용되고 있으며, 건물 외벽의 미디어 파사드 구현에 있어 그 중요성이 커지고 있다.
투명하면서도 전기가 흘러 터치스크린 등에 사용되는 투명 전극은 스마트기기가 보급되면서 그 수요가 폭발적으로 늘어났으며, 그 중 가장 많이 사용하는 투명 전극은 인듐과 주석의 산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 이다. 그러나, ITO 투명 전극 소재의 주원료인 인듐은 전 세계적으로 매장량이 많지 않고, 중국 등 일부 국가에서만 생산되고 있으며 생산비용이 고가이다. 또한, 저항값이 일정하게 적용되지 않아 표출되는 LED 불빛이 일정하지 않다는 단점을 갖고 있다. 이로 인해 ITO를 활용한 투명 LED는 고성능 저비용의 투명 전극 소재로 활용하기에는 한계가 있다.
투명 전극 소재로서 ITO가 가장 많은 비중을 차지하며 사용되어 온 것은 사실이나, 경제성, 제한적 성능 등 한계로 인하여 새로운 소재를 활용한 연구와 기술개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 차세대 신소재로 주목받고 있는 투명 전극 소재로는 메탈메쉬(Metal Mesh), 나노 와이어(Ag Nanowire), 탄소나노튜브(CNT), 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등이 있다. 그 중 메탈메쉬는 ITO를 대체한 물질의 85%를 차지하는 신소재로서 저비용 고전도도를 갖고 있어 그 활용도 측면에서 시장이 확대되고 있다.
메탈메쉬를 활용한 투명 LED 디스플레이는 기존 ITO 투명 디스플레이보다 유지보수가 용이하고, 자원절약, 환경오염방지를 대폭 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조원가 절감으로 경제적이다. 또한, 다양한 용도로 확대 적용이 가능하여 새로운 투명전극 소재로서 다양한 제품에 적용 및 활용에 가능성을 갖고 있다.
대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호
본 출원은 투명 발광소자 디스플레이를 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는,
투명 기판;
상기 투명 기판 상에 구비된 전도성 금속 패턴;
적어도 일부의 상기 전도성 금속 패턴 상에 구비된 발광소자;
상기 투명 기판, 전도성 금속 패턴 및 발광소자 상에 구비된 제1 투명 점착층;
상기 제1 투명 점착층 상에 구비된 자외선 차단 필름; 및
상기 자외선 차단 필름 상에 구비된 제2 투명 점착층
을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 발광소자 디스플레이는 자외선 차단 필름을 포함함으로써, 상기 투명 발광소자 디스플레이를 구성하는 성분들의 자외선에 의한 변성을 방지할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 제1 투명 점착층 상에 자외선 차단 필름을 포함함으로써, 상기 제1 투명 점착층을 포함하는 구조체를 평탄화시킬 수 있고, 이에 따라 투명 발광소자 디스플레이의 외관특성을 확보할 수 있다.
도 1 및 도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 본 출원의 일 실시상태에 따른 실시예 및 비교예에서 적용한 자외선 차단 필름 및 일반 광학용 필름의 광학특성을 나타낸 도이다.
도 4는 본 출원의 일 실시상태로서, 실시예 1 내지 3, 및 비교예 1의 투명 발광소자 디스플레이의 내광성 평가결과를 나타낸 도이다.
도 5는 본 출원의 일 실시상태로서, 실시예 4 내지 6 및, 비교예 2의 투명 발광소자 디스플레이의 내광성 평가결과를 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.
투명 LED 디스플레이는 투명한 전극 기판에 LED 소자를 실장하여 제작하며, 상부에 점착층을 덧입혀 유리창에 손쉽게 탈부착할 수 있도록 고안된 제품이다. LED 소자가 실장된 전극 필름 상부에 점착층을 덧입히는 과정에서 LED 소자와 전극 필름의 단차에 의해 점착층 표면의 평탄도가 떨어지게 되며, 이후 입사되는 빛의 왜곡이 발생하여 창호의 기능이 저하될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 상부에 투명하고 평탄한 점착층이 구비된 기재를 덧대는 방법이 제안된 바 있다.
건물 외벽을 이루는 유리창에 투명 LED 디스플레이를 부착함으로써 화려한 디스플레이와 투명한 창의 기능을 동시에 수행하여, 기존 창호에 새로운 가치를 부여할 수 있다. 이와 같이, 건물 외벽에 투명 LED 디스플레이를 설치하는 경우, 제품이 자연광에 장기간 노출되므로 자외선에 대한 내구성이 요구된다.
종래의 투명 LED용 필름 기재인 PEN(Polyethylene naphthalate)은 장시간 자외선에 노출되면 색이 누렇게 변하는 황변현상이 발생하며, 합지 방식의 투명 LED 필름도 에폭시 기반의 접착층이 자외선에 의해 황변되는 문제가 발생할 수 있다. 황변이 진행될수록 제품의 투과도가 떨어지며, 미관상 좋지 않기 때문에 이를 개선할 필요가 있다.
본 출원에서는 투명 LED 필름을 구성하는 재료들이 장시간 자외선에 노출됨에 따라 발생하는 황변현상을 방지하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이는, 투명 기판; 상기 투명 기판 상에 구비된 전도성 금속 패턴; 적어도 일부의 상기 전도성 금속 패턴 상에 구비된 발광소자; 상기 투명 기판, 전도성 금속 패턴 및 발광소자 상에 구비된 제1 투명 점착층; 상기 제1 투명 점착층 상에 구비된 자외선 차단 필름; 및 상기 자외선 차단 필름 상에 구비된 제2 투명 점착층을 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 가시광선 영역(380nm ≤ λ ≤ 780nm)에서 투과율이 85% 이상이고, 자외선(λ < 380nm) 영역에서 투과율이 1% 미만일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 자외선 흡수제를 포함하는 투명 필름일 수 있다. 또한, 본 출원의 다른 실시상태에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 투명 필름; 상기 투명 필름 상에 구비된 자외선 차단 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 투명 필름은 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르 수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다. 또한, 상기 투명기재는 PET(Polyethylene terephthalate), COP(cyclic olefin polymer), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PC(polycarbonate), PMMA(Polymethyl methacrylate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광 투과율 80% 이상의 필름일 수 있다.
보다 구체적으로, 전술한 투명 필름 재료에 자외선 흡수제를 첨가한 물질을 이용하고, 이를 압출공정 등을 수행하여 상기 자외선 흡수제를 포함하는 투명 필름을 제조할 수 있다.
또한, 자외선 차단 코팅 조성물을 상기 투명 필름 상에 코팅함으로 자외선 차단 필름을 제조할 수 있다.
상기 자외선 차단 코팅 조성물은 자외선 흡수제, 광경화성 수지, 광개시제 및 유기 용매를 포함할 수 있다.
상기 자외선 흡수제는 380nm 파장에서의 흡광계수 값이 0.01 내지 0.10인 것이 바람직하다. 상기 자외선 흡수제는 트리아진계 자외선 흡수제로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 상기 자외선 차단 필름의 코팅층을 이루는 코팅액 조성물의 고형분 100 중량부를 기준으로, 상기 자외선 흡수제의 함량은 0.1 중량부 내지 5.0 중량부일 수 있다.
상기 자외선 차단 필름의 코팅층을 이루는 코팅액 조성물의 고형분 100 중량부를 기준으로, 상기 자외선 흡수제의 함량이 0.1 중량부 미만인 경우에는 자외선 차단이 충분하지 않은 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 자외선 흡수제의 함량이 5.0 중량부를 초과하는 경우에는 바인더 내에 단분자인 자외선 흡수제가 많이 첨가되어, 결과적으로 평균 분자량이 떨어지기 때문에 내구성이 저하될 수 있고, 수지와 자외선 흡수제의 상용성과 관련하여 자외선 흡수제가 많이 포함되어 있으면 코팅 후 고온 건조하는 과정에서 자외선 흡수제가 빠져나오는 마이그레이션(migration) 문제가 더욱 심해져 공정성에 불리한 경향이 있다.
상기 광경화성 수지는 구체적으로 아크릴계 수지를 사용할 수 있으며, 예컨대 반응성 아크릴레이트 올리고머, 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 반응성 아크릴레이트는 올리고머로는, 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 폴리에스터 아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 다관능성 아크릴레이트 단량체로는, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 하이드록시 펜타아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 트리메틸렌프로필 트리아크릴레이트, 프로폭시레이티드 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리메틸프로판 에톡시 트리아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 프로폭시레이티드 글리세로 트리아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 자외선 차단 코팅 조성물의 도포 단계에서의 용이한 작업성을 위한 적절한 점도 부여 및 최종 형성되는 필름의 막강도 등을 고려하여, 상기 유기 용매는 상기 광경화성 수지 100 중량부에 대해, 바람직하게는 50 중량부 내지 500 중량부, 더욱 바람직하게는 100 중량부 내지 400 중량부, 가장 바람직하게는 150 중량부 내지 350 중량부를 사용할 수 있다. 이 때, 사용 가능한 유기 용매의 종류는, 예를 들어 알코올류, 아세테이트류, 케톤류, 셀로솔브류, 디메틸포름아미드, 테트라하리드로퓨란, 프로필렌글리콜 모노메틸에케르, 톨루엔 및 자이렌으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 1종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 이 때, 상기 알코올류는 메탄올, 에탄올, 이소프로필알코올, 부틸알코올, 이소부틸알코올, 디아세톤 알코올 등을 예로 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 아세테이트류는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 또는 셀로솔브아세테이트가 이용될 수 있으며, 상기 케톤류는 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 아세틸아세톤, 또는 아세톤이 이용될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 광개시제는 당 기술분야에 알려진 것을 이용할 수 있다.
상기 자외선 차단 코팅 조성물은 레벨링제, 웨팅제 및 소포제 중 1종 이상을 첨가제로서 포함할 수 있다. 상기 첨가제는 각각 상기 광경화성 수지 100 중량부에 대해 0.01 중량부 내지 10 중량부의 범위 내에서 첨가될 수 있다. 상기 레벨링제는 코팅 조성물을 사용하여 코팅한 코팅막의 표면을 균일하게 해주는 역할을 한다. 또한, 상기 웨팅제는 코팅 조성물의 표면 에너지를 낮추는 역할을 함에 따라 코팅 조성물을 투명 기재층에 코팅할 때 균일한 도포가 이루어지도록 도와준다. 상기 소포제는 코팅 조성물 내의 기포를 제거해주기 위해 첨가될 수 있다. 코팅층을 이루는 코팅액 조성물의 고형분은 용매를 제외한 성분을 의미하는 것이다.
상기 자외선 차단 코팅층의 두께는 3㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다.
또한, 상기 자외선 차단 필름의 두께는 50㎛ 내지 250㎛인 것이 바람직하다. 상기 자외선 차단 필름의 두께가 50㎛ 미만인 경우에는 작업성이 좋지 않고, 필름 합지를 통한 점착층의 평탄도 제어가 어려울 수 있다. 또한, 상기 자외선 차단 필름의 두께가 250㎛를 초과하는 경우에는 투과율과 헤이즈(Haze) 등 광학 소재로서의 물성이 저하될 수 있으며, 제조 단가가 높아지고 제품의 경량화에 불리하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판 및 전도성 금속 패턴 사이에 접착층을 추가로 포함할 수 있다. 즉, 상기 투명 기판 상에 접착층이 구비되고, 상기 접착층 상에 전도성 금속 패턴이 구비될 수 있다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판 상에 접착층을 추가로 포함하고, 상기 전도성 금속 패턴은 상기 접착층 내부에 매립된 형태로 구비될 수 있다. 이 때, 상기 접착층 내부에 매립된 형태로 구비된 전도성 금속 패턴의 적어도 일부는, 상기 발광소자와 접하도록 구비될 수 있다.
상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하거나, 이의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하거나, 이의 경화물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 접착층은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 개시제 및 실란 커플링제를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 접착층의 두께는 8㎛ 내지 50㎛ 일 수 있다. 상기 접착층의 두께범위를 만족하는 경우에, 상기 접착층 상에 구비된 금속 패턴의 매립 공정에서 배선전극부에 대응하는 금속 패턴의 완전 매립이 가능하며, 상기 접착층의 두께범위를 벗어나는 경우에는 배선전극부의 완전 매립이 불가능하거나 접착층의 유동성이 심화되어 패턴 단선이 유발될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 접착층의 두께가 금속 패턴의 두께 대비 2.5배 미만인 경우에는 상기 금속 패턴의 완전 매립이 불가능하여 배선전극부 상부면이 노출되어 부식에 의한 내구성 저하가 유발될 수 있고, 배선전극부 사이의 접착층 상부에 기포가 포집되어 외관에 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 접착층의 두께가 금속 패턴의 두께 대비 2배를 초과하는 경우에는 열 라미네이션 공정에 의한 매립 공정 중에 접착층의 유동성이 심화되어 배선전극부 패턴의 단선이 유발될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 전도성 금속 패턴은 배선전극부 패턴 및 발광소자 실장부 패턴을 포함하고, 상기 발광소자 실장부 패턴 상에 상기 발광소자가 구비될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 배선전극부 패턴은 제1 공통전극 배선부 패턴, 제2 공통전극 배선부 패턴 및 신호전극 배선부 패턴을 포함할 수 있다. 상기 신호전극 배선부는 제1 공통전극 배선부와 제2 공통전극 배선부 사이에 구비될 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 공통전극 배선부는 (+) 공통전극 배선부이고, 상기 제2 공통전극 배선부는 (-) 공통전극 배선부일 수 있다. 또한, 상기 제1 공통전극 배선부는 (-) 공통전극 배선부이고, 상기 제2 공통전극 배선부는 (+) 공통전극 배선부일 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 따르면, (+) 공통전극 배선부와 (-) 공통전극 배선부 사이로 신호전극 배선부가 지나가는 구조로 채널이 형성되어, 각각의 발광소자마다 따로 전극 배선이 나오지 않고, 상기 (+) 공통전극 배선부와 (-) 공통전극 배선부에 공통전극으로서 연결될 수 있다.
본 출원에 있어서, 상기 발광소자 실장부 패턴은 솔더(solder)를 이용하여 발광소자가 실장되는 위치에 구비되는 구성이다.
본 출원에 있어서, 상기 발광소자의 개수는 투명 발광소자 디스플레이의 용도 등을 고려하여, 당업자가 적절하게 선택할 수 있으며, 특별히 제한되는 것은 아니다. 보다 구체적으로, 상기 발광소자의 개수는 전극의 저항과 관련이 있으며, 전극이 충분히 저저항이고 디스플레이의 면적이 클수록 발광소자의 개수는 늘어날 수 있다. 동일 면적에 발광소자의 개수가 늘어나면 해상도가 높아지고, 동일 간격으로 발광소자의 개수가 늘어나면 디스플레이의 면적이 커져서 전력 공급부의 전선 라인이 감소할 수 있으므로, 상기 발광소자의 개수는 투명 발광소자 디스플레이의 용도 등을 고려하여, 당업자가 적절하게 선택할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에서, 상기 발광소자는 신호전극 배선부 패턴과 직렬 연결될 수 있고, 제1 공통전극 배선부 패턴 및 제2 공통전극 배선부 패턴과 직렬 연결될 수 있다. 상기 제1 공통전극 배선부 패턴 및 제2 공통전극 배선부 패턴은 발광소자가 구동할 수 있는 충분한 전류량을 제공해주며, 발광소자의 색 신호를 보내는 것은 낮은 전류만으로도 신호를 보낼 수 있기 때문에 신호전극 배선부 패턴과 직렬 연결될 수 있다.
만약 모든 발광소자의 구동 및 신호를 위해 본 출원과 같은 구조가 아니라 전원 공급부에 각각의 전극으로 병렬로 연결되어 있다면 발광소자의 배치 거리에 따라 저항값을 맞추기 위해 각각 전극 폭을 모두 다르게 해야 하며(가장 먼 발광소자에 연결되는 전극 폭이 가장 큼), 다수의 발광소자가 구비되는 특성상 전극 배치 영역의 공간적 제약으로 저저항의 전극을 구성하기 어렵다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 공통전극 배선부 패턴, 제2 공통전극 배선부 패턴 및 신호전극 배선부 패턴은 각각 단선부에 의하여 서로 분리될 수 있다. 상기 단선부는 상기 패턴 중 그 일부가 단선되어 전기적 연결을 서로 단절시키는 영역을 의미한다. 상기 단선부의 폭은 이격된 제1 공통전극 배선부 패턴, 제2 공통전극 배선부 패턴 및 신호전극 배선부 패턴 간의 최인접 말단간의 거리를 의미할수 있다. 상기 단선부의 폭은 80㎛ 이하일 수 있고, 60㎛ 이하일 수 있으며, 40㎛ 이하일 수 있고, 30㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 단선부의 폭은 5㎛ 이상일 수 있다. 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 제1 공통전극 배선부 패턴, 제2 공통전극 배선부 패턴 및 신호전극 배선부 패턴을 각각 분리하는 단선부의 폭을 최소화함으로써, 배선의 인지성을 낮출 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광소자 실장부 패턴의 선폭은 100㎛ 이상일 수 있고, 100㎛ 내지 1,000㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 배선전극부 패턴의 선폭은 50㎛ 이하일 수 있고, 30㎛ 이하일 수 있으며, 25㎛ 이하일 수 있고, 20㎛ 이하일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 배선전극부 패턴의 선폭이 작을수록 투과율과 배선 인지성 측면에서 유리할 수 있으나 저항 감소를 야기할 수 있고, 이 때 배선전극부 패턴의 두께를 높이면 상기 저항 감소를 개선할 수 있다. 상기 배선전극부 패턴의 선폭은 5㎛ 이상일 수 있다.
상기 전도성 금속 패턴의 재료는 특별히 한정되지 않지만, 금속 및 금속 합금 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 전도성 금속 패턴은 금, 은, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전도성 금속 패턴의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 전도성 금속 패턴의 전도도 및 형성 공정의 경제성 측면에서 3㎛ 이상일 수 있고, 3㎛ 내지 20㎛ 일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 투명 점착층 및 제2 투명 점착층은 각각 독립적으로 실리콘계, 아크릴계, 우레탄계 및 이들의 유도체 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 투명 점착층은 (메트)아크릴계 수지, 우레탄 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 점착성 수지; 경화제; 광개시제; 및 실란 커플링제를 포함하는 점착층용 조성물로 형성될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 (메트)아크릴계 수지는 폴리알킬(메트)아크릴레이트를 포함할 수 있고, 상기 폴리알킬(메트)아크릴레이트는 폴리메틸아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리프로필아크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리이소프로필아크릴레이트, 폴리헥실아크릴레이트, 폴리헥실메타크릴레이트, 폴리에틸헥실아크릴레이트 및 폴리에틸헥실메타크릴레이트, 폴리실록산 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 우레탄 수지는 폴리우레탄 수지를 이용할 수 있고, 상기 폴리우레탄 수지는 (메트)아크릴레이트기가 없는 비-(메트)아크릴레이트계 수지로서 우레탄기를 포함할 수 있다. 상기 폴리우레탄 수지는 상업적으로 시판되는 제품을 사용하거나 통상의 방법으로 합성할 수 있다.
상기 제2 투명 점착층은 실리콘계 수지 및 경화제를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘계 수지는 비닐기 함유 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 수지일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 비닐기 함유 폴리디메틸실록산 수지는 비닐기 함유 실리콘 단량체인 비닐메틸디메톡시실란과 비닐기를 갖지 않는 디메틸디메톡시실란을 포함하는 실리콘계 러버 제조용 조성물로부터 제조될 수 있다. 상기 실리콘계 러버 제조용 조성물은 비닐기를 갖지 않는 실리콘 단량체로 디메틸디메톡시실란 이외의 기타 통상의 실리콘 단량체를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 실리콘계 러버의 경화성 작용기와 히드로실릴반응(hydrosilylation) 할 수 있도록 2개 이상의 Si-H기를 갖는 실리콘계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 경화제는 열 및/또는 UV에 의해 히드로실릴반응할 수 있다. 상기 경화제는 실리콘계 러버 100 중량부에 대해 0.1 중량부 내지 20 중량부, 구체적으로 0.5 중량부 내지 18 중량부, 구체적으로 0.7 중량부 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 내충격성 효과를 나타낼 수 있는 경화 정도의 효과가 있을 수 있다.
상기 제1 투명 점착층의 두께는 발광소자의 높이 단차보다 1.0mm 내지 10.0mm 두껍게 형성하지만, 이 두께에 한정되지 않는다. 상기 제1 투명 점착층의 두께를 발광소자의 높이 단차보다 1.0mm 미만으로 두껍게 형성하는 경우에는, 전극 필름 상부에 실장되는 발광소자 표면을 충분히 덮을 수 없기 때문에 외부 충격시 발광소자에 손상이 발생할 수 있으며, 제1 투명 점착층 상부에 적층되는 자외선 차단 필름의 부착 특성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 제1 투명 점착층의 두께를 발광소자의 높이 단차보다 10.0mm를 초과하도록 두껍게 형성하는 경우에는 불필요한 재료의 소모가 발생하고 제품의 경량화에 불리할 수 있다.
상기 제2 투명 점착층의 두께는 0.01mm 내지 10.0mm일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 투명 점착층의 두께가 0.01mm 미만인 경우에는, 제2 투명 점착층을 형성하기 위해서는 액상 실리콘 레진의 레벨링(leveling)성이 저하되고, 제2 투명 점착층 두께의 균일도가 손상될 수 있으며, 제품을 반복적으로 탈부착하는 작업 중에 발생할 수 있는 물리적 손상에 대한 내구성 우려가 있어 바람직하지 않다. 또한, 상기 제2 투명 점착층의 두께가 10.0mm를 초과하는 경우에는 불필요한 재료의 소모가 발생하고 제품의 경량화에 불리할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기판으로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다. 또한, 상기 투명 기판은 PET(Polyethylene terephthalate), COP(cyclic olefin polymer), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PC(polycarbonate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광 투과율 80% 이상의 필름일 수 있다. 상기 투명 기판의 두께는 25㎛ 내지 250㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 발광소자 디스플레이를 하기 도 1 및 도 2에 개략적으로 나타내었다. 보다 구체적으로, 하기 도 1은 투명 기판 및 전도성 금속 패턴 사이에 접착층을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이를 나타낸 것이고, 하기 도 2는 투명 기판 상에 접착층을 포함하고, 상기 전도성 금속 패턴은 상기 접착층 내부에 매립된 형태로 구비되는 투명 발광소자 디스플레이를 나타낸 것이다.
이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 실시예 1>
본 출원에 사용한 원자재는 PET(polyethylene terephthalate, Toray社 XG7PH2)에 전해도금으로 Cu(Copper)을 성막하여 제조하며, 금속면에 DFR(Dry Film Resist, Asahi Chemical Industry SPG-152)을 100℃의 온도를 갖는 롤 라미네이터를 이용하여 열합지하였다.
DFR이 합지된 Cu 도금 원단 상면에 배선전극부 패턴 및 발광소자 실장부 패턴을 포함된 포토마스크를 대고 평행광 노광기를 이용하여 365nm 파장의 UV를 250 mJ/cm2의 광량으로 노광하였다. 이후, 현상-식각-박리로 이어지는 습식 공정을 통해 접착층 상부에 요철 구조의 금속 패턴을 형성하였다. 각 공정에 사용된 용액은 모두 상온으로 유지하였다. 현상액으로 Na2CO3 1.0 wt% 수용액을 사용하였으며, 식각액은 염화철과 염산을 포함하는 혼합 용액이고, 박리액은 NaOH 2.0 wt%의 수용액을 사용하였다.
Cu 배선전극부 패턴은 반복적인 정사각형의 메쉬 패턴으로 선폭은 24㎛, 피치는 300㎛, 선고는 8㎛, 단선부의 폭은 60㎛으로 동일하였다.
전극패드부에 솔더 페이스트(Solder Paste)를 스크린 프린팅한 후 발광소자를 실장하여 약 170℃의 온도에 투입하고 솔더 페이스트 리플로우(Solder Paste Reflow) 공정을 거쳐 솔더 페이스트가 발광소자 실장부와 발광소자를 접합시켰다. 발광소자와 전극 필름 상부에 제1 점착층을 형성하기 위하여 전극 필름의 단위 면적 1cm2 당 1g 이내의 제1 점착층 조성물을 도포하였다. 레벨링(Leveling)을 통해 점착층의 평탄화가 이루어지도록 10분 이상 상온 방치 후 유리에 대한 점착력이 100 gf/inch 이상일 때 라미네이터를 이용하여 자외선 차단 필름을 합지하였다. 상기 자외선 차단 필름은 중량부 1.0의 자외선 흡수제가 포함된 조성물을 두께 188㎛의 광학용 PET 필름(SKC社 V5400)에 코팅하고 100℃에서 10분 간 건조하여 제작하였다. 자외선 차단 필름 상부에 제2 점착층을 형성하기 위한 조성물을 도포하고 48시간 상온 방치를 진행하였다.
자외선 차단 필름은 실리콘 점착제와의 부착력 향상을 위해 필름 양면에 DY-39-067(Dow chemical)을 붓칠하여 상온에서 90분 간 방치하였으며, 제1 점착층과 제2 점착층 조성물은 비닐기 함유 폴리디메틸실록산 수지를 포함하는 Sylgard 184A (Dow chemical, 고형분: 100 중량%) 100 중량부에 경화제를 포함하는 Sylgard 184B (Dow chemical, 고형분: 100 중량%) 10 중량부에 메틸에틸케톤 50 중량부를 넣고 교반하여 제조하였다.
< 실시예 2>
상기 실시예 1에서, 제1 점착층 상부에 합지하는 자외선 차단 필름을 중량부 2.0의 자외선 흡수제가 포함된 조성물을 코팅한 PMMA 필름으로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 3>
상기 실시예 1에서, 제1 점착층 상부에 합지하는 자외선 차단 필름을 중량부 2.0의 자외선 흡수제가 포함된 조성물을 코팅한 PET 필름으로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
< 비교예 1>
상기 실시예 1에서, 제1 점착층 상부에 두께 188㎛의 광학용 PET 필름(SKC社 V5400)을 합지한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
< 실시예 4>
상기 실시예 1에서, 전극 필름의 원자재를 Cu 도금 필름이 아닌 동박 합지 필름을 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
동박 합지 필름은 일반적으로 CCL(Cu Clad laminated)로 널리 알려진 구조와 동일한 동 필름이며, 접착층을 투명 기재에 형성한 후 동박과 열합지하여 제조하였다. 접착층용 코팅 용액은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀A 에폭시 수지 및 페녹시 수지를 각각 35:33:30의 중량 비율로 투입하고, MEK(methyl ethyl ketone)로 희석하여 제조하였다. 준비된 용액을 100㎛ 두께의 PET 필름 상에 콤마 코팅과 130℃에서 3분 간 고온 건조 공정을 통해 접착층을 25㎛ 두께로 형성하였다. 두께 8㎛의 동박(일진머티리얼社 LPF)을 접착층과 100℃의 온도로 롤 라미네이션하여 동박 합지 필름을 제조하였다. 제작한 동박 합지 필름의 동박의 상부에 DFR(Dry Film Resist)를 100℃의 온도로 열합지하고 제1 금속박 패턴과 제2 금속박 패턴에 대응되는 네거티브 타입(Nagative-type) 포토마스크와 평행광 노광기를 이용하여 365nm 파장의 UV를 250 mJ/cm2의 광량으로 노광하였다. 현상-식각-박리로 이어지는 습식 공정을 통해 접착층 상부에 요철 구조의 금속 패턴을 형성하였다. 각 공정에 사용된 용액은 모두 상온으로 유지하였다. 현상액으로 Na2CO3 1.0 wt% 수용액을 사용하며, 식각액은 염화철과 염산을 포함하는 혼합 용액이고, 박리액은 NaOH 2.0 wt%의 수용액이다. 접착층 표면의 평탄화 및 금속 패턴의 접착층에 매립하기 위하여 금속 패턴 필름과 50㎛ 두께의 이형 PET 필름(옵티버코리아社 SLF050-060)을 100℃의 롤라미네이터를 이용하여 열합지하였다. 이형 필름이 합지된 상태로 UV 경화를 진행하며, 365nm 파장의 UV를 5,000 mJ/cm2의 광량으로 PET 필름면에 조사하였다.
< 실시예 5>
상기 실시예 4에서, 제1 점착층 상부에 합지하는 자외선 차단 필름을 중량부 2.0의 자외선 흡수제가 포함된 조성물을 코팅한 PMMA 필름으로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 4와 동일하게 수행하였다.
< 실시예 6>
상기 실시예 4에서, 제1 점착층 상부에 합지하는 자외선 차단 필름을 중량부 2.0의 자외선 흡수제가 포함된 조성물을 코팅한 PET 필름으로 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 4와 동일하게 수행하였다.
< 비교예 2>
상기 실시예 4에서, 제 1점착층 상부에 두께 188㎛의 광학용 PET 필름(SKC社 V5400)을 합지한 것을 제외하고는, 상기 실시예 4와 동일하게 수행하였다.
< 실험예 1>
실시예 1 내지 6에서 적용한 자외선 차단 필름과 비교예 1 및 2에서 적용한 일반 광학용 PET의 광학특성을 평가하여 하기 표 1 및 도 3에 나타내었다. 상기 광학특성은 Solid spec-3700 장비로 측정하였다.
[표 1]
Figure pat00001
상기 광학 물성 측정 결과, 코팅 기재와 무관하게 자외선 차단 코팅액 조성물에서 자외선 흡수제의 중량부가 높을수록 UVA 영역의 광투과율이 낮아지며, b* 및 YI 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
< 실험예 2>
실시예 1~6 및 비교예 1~2에서 제조한 투명 발광소자 디스플레이의 내광성 평가시간에 따른 Yellow Index 변화를 평가하여 하기 표 2 및 도 4~5에 나타내었다.
내광성 평가장비: Q-LAB社 QUV (광량: 750 mW/m2)
광특성 측정장비: COH-400 (Nippon denshoku社)
[표 2]
Figure pat00002
상기 결과와 같이, 자외선 차단 필름의 UVA 영역의 광투과율이 낮을수록 UV 노출에 의한 제품의 황변이 적은 것을 확인할 수 있다. 특히, 매립형 전극 필름에 사용하는 접착층의 황변이 UV에 의한 황변이 심하게 발생하기 때문에 돌출형 전극 필름보다 황변 방지 효과가 크게 나타난다.
상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 투명 발광소자 디스플레이는 자외선 차단 필름을 포함함으로써, 상기 투명 발광소자 디스플레이를 구성하는 성분들의 자외선에 의한 변성을 방지할 수 있다. 또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 제1 투명 점착층 상에 자외선 차단 필름을 포함함으로써, 상기 제1 투명 점착층을 포함하는 구조체를 평탄화시킬 수 있고, 이에 따라 투명 발광소자 디스플레이의 외관특성을 확보할 수 있다.
10: 투명 기판
20: 전도성 금속 패턴
30: 발광소자
40: 제1 투명 점착층
50: 자외선 차단 필름
60: 제2 투명 점착층
70: 접착층
80: 유리
90: 점착층
100: 보호필름
110: FPCB(Flexible Printed Circuits Board)

Claims (13)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 구비된 전도성 금속 패턴;
    적어도 일부의 상기 전도성 금속 패턴 상에 구비된 발광소자;
    상기 투명 기판, 전도성 금속 패턴 및 발광소자 상에 구비된 제1 투명 점착층;
    상기 제1 투명 점착층 상에 구비된 자외선 차단 필름; 및
    상기 자외선 차단 필름 상에 구비된 제2 투명 점착층
    을 포함하는 투명 발광소자 디스플레이.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 가시광선 영역(380nm ≤ λ ≤ 780nm)에서 투과율이 85% 이상이고,
    자외선(λ < 380nm) 영역에서 투과율이 1% 미만인 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 자외선 흡수제를 포함하는 투명 필름인 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 자외선 차단 필름은 투명 필름; 및 상기 투명 필름 상에 구비된 자외선 차단 코팅층을 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기판 및 전도성 금속 패턴 사이에 접착층을 추가로 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기판 상에 접착층을 추가로 포함하고,
    상기 전도성 금속 패턴은 상기 접착층 내부에 매립된 형태로 구비되는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 접착층 내부에 매립된 형태로 구비된 전도성 금속 패턴의 적어도 일부는, 상기 발광소자와 접하도록 구비되는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  8. 청구항 5 또는 6에 있어서, 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하거나, 이의 경화물을 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 금속 패턴은 배선전극부 패턴 및 발광소자 실장부 패턴을 포함하고,
    상기 발광소자 실장부 패턴 상에 상기 발광소자가 구비되는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 배선전극부 패턴의 선폭은 50㎛ 이하이고,
    상기 발광소자 실장부 패턴의 선폭은 100㎛ 이상인 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 금속 패턴은 금, 은, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금을 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 전도성 금속 패턴의 두께는 3㎛ 내지 20㎛인 것인 투명 발광소자 디스플레이.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 투명 점착층 및 제2 투명 점착층은 각각 독립적으로 실리콘계, 아크릴계, 우레탄계 및 이들의 유도체 중 1종 이상을 포함하는 것인 투명 발광소자 디스플레이.
KR1020190035155A 2019-03-27 2019-03-27 투명 발광소자 디스플레이 KR102721329B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190035155A KR102721329B1 (ko) 2019-03-27 2019-03-27 투명 발광소자 디스플레이
US17/437,372 US12074268B2 (en) 2019-03-27 2020-03-03 Transparent light-emitting device display
JP2021553871A JP7233802B2 (ja) 2019-03-27 2020-03-03 透明発光素子ディスプレイ
PCT/KR2020/002980 WO2020197112A1 (ko) 2019-03-27 2020-03-03 투명 발광소자 디스플레이
CN202080019167.6A CN113574685A (zh) 2019-03-27 2020-03-03 透明发光器件显示器
TW109108675A TWI761789B (zh) 2019-03-27 2020-03-17 透明發光裝置顯示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190035155A KR102721329B1 (ko) 2019-03-27 2019-03-27 투명 발광소자 디스플레이

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200114055A true KR20200114055A (ko) 2020-10-07
KR102721329B1 KR102721329B1 (ko) 2024-10-23

Family

ID=72608616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190035155A KR102721329B1 (ko) 2019-03-27 2019-03-27 투명 발광소자 디스플레이

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12074268B2 (ko)
JP (1) JP7233802B2 (ko)
KR (1) KR102721329B1 (ko)
CN (1) CN113574685A (ko)
TW (1) TWI761789B (ko)
WO (1) WO2020197112A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024075856A1 (ko) * 2022-10-04 2024-04-11 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 투명 디스플레이 장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11947236B2 (en) * 2021-04-27 2024-04-02 GM Global Technology Operations LLC High contrast transparent display with automatic shading
WO2024049582A1 (en) * 2022-08-31 2024-03-07 Lumileds Llc Devices and methods preventing degradation of light emitting structures

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027043A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
JP3203462U (ja) * 2016-01-19 2016-03-31 株式会社スリーエス 表示装置
JP2017120363A (ja) * 2015-12-25 2017-07-06 日東電工株式会社 粘着剤層付き偏光フィルム、及び画像表示装置
KR20180012680A (ko) * 2016-07-27 2018-02-06 현상우 투명 디스플레이장치 및 이의 제조방법
KR20180098239A (ko) * 2015-12-25 2018-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 el 표시 장치

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3203462B2 (ja) * 1993-12-29 2001-08-27 キヤノン株式会社 トナー
US5804102A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Mitsui Chemicals, Inc. Plasma display filter
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
CN1388904A (zh) * 2000-08-09 2003-01-01 三井化学株式会社 聚酰亚胺树脂光学元件
JP2003133058A (ja) 2001-10-25 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd 面発光体
KR100506127B1 (ko) 2002-10-28 2005-08-17 이경인 필름을 이용한 단열창호
JP4429917B2 (ja) 2002-12-26 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
KR100609777B1 (ko) 2003-08-19 2006-08-09 엘지전자 주식회사 판넬 보호 필름을 갖는 유기 전계 발광 소자
EP1511095A3 (en) 2003-08-19 2011-02-23 LG Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same
JP4815768B2 (ja) 2003-08-22 2011-11-16 旭硝子株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI326059B (en) 2003-08-22 2010-06-11 Asahi Glass Co Ltd Display device and method for fabricating the same
WO2006011525A1 (ja) 2004-07-28 2006-02-02 Sharp Kabushiki Kaisha 発光モジュールおよび発光システム
TWI403761B (zh) * 2005-02-15 2013-08-01 Fujifilm Corp 透光性導電性膜之製法
KR100872615B1 (ko) 2006-03-27 2008-12-09 도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤 자외선컷 재료, 자외선컷 필터, 관구 및 조명기구
JP5266643B2 (ja) * 2007-01-10 2013-08-21 凸版印刷株式会社 印刷用凸版および印刷用凸版の製造方法
JP2007142473A (ja) 2007-02-26 2007-06-07 Sharp Corp 発光モジュールおよび発光システム
JP2009158691A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Sharp Corp 有機デバイスおよびその製造方法
JP2011071272A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2011070090A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 凸版印刷用凸版及び印刷方法
JP5762357B2 (ja) * 2011-06-10 2015-08-12 富士フイルム株式会社 エレクトロウェッティング表示用着色組成物、画像表示構造、及び、エレクトロウェッティング表示装置
JP5823373B2 (ja) * 2011-12-26 2015-11-25 富士フイルム株式会社 着色組成物、及び画像表示構造
CN102646696B (zh) 2012-01-16 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示装置、制作方法及显示系统
KR20140002224A (ko) 2012-06-28 2014-01-08 코오롱인더스트리 주식회사 투명 디스플레이 모듈
KR101469485B1 (ko) * 2012-08-13 2014-12-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN203276880U (zh) 2013-02-05 2013-11-06 南昌欧菲光科技有限公司 导电膜
TW201503442A (zh) * 2013-07-03 2015-01-16 Formosen Material Technology Corp 可撓式透明有機發光二極體發光裝置以及使用其作為背光之透明液晶顯示器
CN105518885B (zh) * 2013-12-02 2018-02-16 东芝北斗电子株式会社 发光装置
WO2015142149A1 (ko) * 2014-03-21 2015-09-24 주식회사 엘지화학 봉지용 적층체, 유기발광장치 및 이들의 제조방법
CN105446508B (zh) * 2014-06-19 2018-12-25 宸鸿科技(厦门)有限公司 触控显示装置
WO2016076616A1 (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성에스디아이 주식회사 디스플레이용 윈도우 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
TWI691588B (zh) 2014-12-09 2020-04-21 日商三井化學股份有限公司 有機el元件用面密封材及其硬化物
KR101708555B1 (ko) 2015-05-14 2017-02-21 송인실 플렉시블 조명 패널
US20180038578A1 (en) 2015-02-24 2018-02-08 Teddykorea Co., Ltd. Flexible lighting panel
KR101913855B1 (ko) 2015-03-04 2018-11-23 제이디엠 주식회사 투명 인쇄회로기판과 이의 제조방법 및 이를 이용한 ｌｅｄ 모듈
CN107548523B (zh) 2015-05-01 2019-08-13 东芝北斗电子株式会社 发光模块
JP6620464B2 (ja) 2015-08-26 2019-12-18 大日本印刷株式会社 フレキシブル透明基板及びそれを用いたシースルー型のｌｅｄ表示装置
KR102027567B1 (ko) 2016-02-19 2019-10-01 삼성에스디아이 주식회사 기능성 광학필름 및 이를 포함하는 투명 디스플레이 장치
KR20170139924A (ko) 2016-06-10 2017-12-20 엘지전자 주식회사 투명 발광다이오드 필름
KR102605585B1 (ko) * 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US11437533B2 (en) * 2016-09-14 2022-09-06 The Boeing Company Solar cells for a solar cell array
KR102008766B1 (ko) * 2017-01-31 2019-08-09 주식회사 엘지화학 가요성 기판 제조용 적층체 및 이를 이용한 가요성 기판의 제조방법
KR101789145B1 (ko) 2017-03-24 2017-10-23 주식회사 에스오엘 투명한 디스플레이용 ｌｅｄ 전광 판넬 및 그 제작 방법
JP2018185396A (ja) 2017-04-25 2018-11-22 株式会社Ｋ工房 Ｌｅｄディスプレイ
CN110603301B (zh) 2017-05-05 2022-09-30 3M创新有限公司 聚合物膜和含有此类膜的显示设备
JP2018197830A (ja) * 2017-05-25 2018-12-13 スタンレー電気株式会社 発光機能を備えた透明パネル
US10665576B2 (en) * 2017-06-21 2020-05-26 Stanley Electric Co., Ltd. Optically transparent plate with light emitting function and method of producing the same
EP3690945B1 (en) * 2017-09-26 2024-06-12 LG Chem, Ltd. Electrode substrate for transparent light-emitting diode display and method for manufacturing same
CN109360674A (zh) * 2018-10-18 2019-02-19 吴江友鑫新材料科技有限公司 一种透明导电金属网格薄膜及其制备方法
MX2021011973A (es) * 2019-04-03 2021-11-03 Tokuyama Corp Articulo optico fotocromatico y metodo para la fabricacion del mismo.
US20230088640A1 (en) * 2020-03-19 2023-03-23 Panasonic Factory Solutions Asia Pacific Pte. Ltd. A method and an apparatus for manufacturing a porous graphene layer across a precursor material layer on a substrate through thermally localized laser graphitisation
US20230194775A1 (en) * 2020-05-13 2023-06-22 National Research Council Of Canada Fiber bragg grating sensor in polymer-coated ultra-thin optical fibers and method for producing same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007027043A (ja) * 2005-07-21 2007-02-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR20150033169A (ko) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Led 패키지와 이를 이용한 액정 표시 장치
JP2017120363A (ja) * 2015-12-25 2017-07-06 日東電工株式会社 粘着剤層付き偏光フィルム、及び画像表示装置
KR20180098239A (ko) * 2015-12-25 2018-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 유기 el 표시 장치
JP3203462U (ja) * 2016-01-19 2016-03-31 株式会社スリーエス 表示装置
KR20180012680A (ko) * 2016-07-27 2018-02-06 현상우 투명 디스플레이장치 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024075856A1 (ko) * 2022-10-04 2024-04-11 엘지전자 주식회사 발광 소자를 이용한 투명 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20220190221A1 (en) 2022-06-16
TWI761789B (zh) 2022-04-21
JP7233802B2 (ja) 2023-03-07
JP2022524401A (ja) 2022-05-02
TW202040809A (zh) 2020-11-01
WO2020197112A1 (ko) 2020-10-01
KR102721329B1 (ko) 2024-10-23
US12074268B2 (en) 2024-08-27
CN113574685A (zh) 2021-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7233802B2 (ja) 透明発光素子ディスプレイ
KR102202997B1 (ko) 적층 구조체 제조 방법, 적층 구조체, 및 전자 장치
US8167675B2 (en) Dispersion-type electroluminescent element and method for manufacturing the same
JP2009059666A (ja) 透明導電層付フィルムとフレキシブル機能性素子、およびそれらの製造方法
KR102542685B1 (ko) 투명 도전층 적층용 필름, 그 제조 방법, 및 투명 도전성 필름
KR20160062128A (ko) Ｕｖ 보호를 갖는 은 나노구조체-기반 광 스택들 및 터치 센서들
US11716818B2 (en) Embedded-type transparent electrode substrate and method for manufacturing same
CN111083936B (zh) 用于透明发光器件显示器的嵌入式电极基板及其制造方法
JP2015181097A (ja) 透明導電膜付き基材、透明導電パターン付き基材とその製造方法、タッチパネル、及び太陽電池
TWI675244B (zh) 用於透明發光裝置顯示器的電極基板及其製造方法
CN104345929B (zh) 触摸屏
JP5195146B2 (ja) ディスプレイ用光学フィルター及びその製造方法
JP2017157837A (ja) Ｌｅｄ素子用基板
CN104020886B (zh) 触摸屏
KR102361783B1 (ko) 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법
JP2010020909A (ja) 自発光性折り紙
JP2013089334A (ja) 透明導電体、及び透明導電体の製造方法
KR102686719B1 (ko) 투명 기판, 매립형 전극 기판 및 이의 제조방법
JP6715756B2 (ja) 透明導電体、金属繊維インク及びオーバーコート剤
JP6132699B2 (ja) 透明導電性シート、および透明導電性シートを用いたタッチパネル
JP6619666B2 (ja) 光透過性導電フィルム
WO2016031948A1 (ja) タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置
JP2014188730A (ja) 透明導電性積層体、及び透明導電性積層体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant