KR20200114402A - LED package and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세히, 기판과 엘이디 소자 그리고 수지부과 렌즈의 접착력을 향상시키며 열 방출 효과를 높이고 열화 현상을 방지하는 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same. In more detail, the present invention relates to an LED package that improves adhesion between a substrate, an LED device, and a resin portion and a lens, enhances heat dissipation, and prevents deterioration, and a manufacturing method thereof.
엘이디 (LED, Light Emitting Diode)소자는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 등 다양한 파장의 빛을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나, 색을 조합함으로써 여러 가지 빛을 구현할 수 있다.LED (Light Emitting Diode) device is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. By controlling the composition of a compound semiconductor, it can implement light of various wavelengths such as red, green, and blue. Various lights can be implemented by combining them.
엘이디 소자는 기존 광원에 비해 소비 전력이 낮고, 환경 친화적이며, 수명이 긴 장점이 있어 실내외 조명, 디스플레이 장치의 백라이트(Back Light), 전광판, 자동차 등 여러 분야에 응용되어 사용된다.LED devices are used in various fields such as indoor and outdoor lighting, backlights of display devices, electronic boards, automobiles, etc. as they have the advantages of low power consumption, environment-friendly, and long life compared to conventional light sources.
종래기술에 의한 엘이디 패키지에서는 기판 상에 엘이디 소자가 실장되고, 엘이디 소자 상에는 수지층 및 렌즈가 차례로 형성되는 구조를 가진다.In a conventional LED package, an LED device is mounted on a substrate, and a resin layer and a lens are sequentially formed on the LED device.
그런데, 최근에 고출력의 엘이디 소자가 사용되고 이로 인하여 엘이디 소자에 높은 전력이 공급되어 엘이디 소자에서 많은 열이 방출되는 문제가 발생하고 있다. 특히, 열에 의한 엘이디 패키지의 수축 및 팽창으로 인하여 엘이디 소자와 기판의 전극이 단선되는 문제가 발생하고, 열이 패키지 외부로 방출되지 못하여 엘이디 소자가 열화 되는 문제가 있다.However, recently, a high-power LED device has been used, and thus, high power is supplied to the LED device, causing a problem in that a lot of heat is emitted from the LED device. In particular, there is a problem that the LED element and the electrode of the substrate are disconnected due to contraction and expansion of the LED package due to heat, and there is a problem that the LED element is deteriorated because heat is not radiated to the outside of the package.
또한, 수지층이 형광체 등을 포함하는 경우에 수지층과 렌즈 사이에 접착력이 낮아져 분리되는 문제도 있다.In addition, when the resin layer contains a phosphor or the like, there is a problem in that the adhesion between the resin layer and the lens is lowered, resulting in separation.
본 발명의 실시예는, 고온에서도 구성품 간의 접합력을 유지하고 열 방출 효과를 높이고 열화 현상을 방지할 수 있는 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.An embodiment of the present invention is to provide an LED package and a method of manufacturing the same, which can maintain bonding strength between components even at high temperatures, increase heat dissipation effect, and prevent deterioration.
본 발명의 일 측면에 따르면, 일면에 전극부가 형성된 기판, 전극부에 연결되게 기판의 일면에 형성되고 상면에 제1 요철이 형성된 도전층, 도전층의 제1 요철에 결합된 도전성 접착층 및 도전성 접착층에 결합된 엘이디(LED, Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 엘이디 패키지가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof, a conductive layer formed on one surface of the substrate to be connected to the electrode portion and having first irregularities formed on the upper surface thereof, a conductive adhesive layer and a conductive adhesive layer bonded to the first irregularities of the conductive layer An LED package including an LED (Light Emitting Diode) device coupled to is provided.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 일면에 전극부가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상면에 제1 요철이 형성되고 전극부에 연결되는 도전층을 형성하는 단계 및 제1 요철에 도전성 접착층을 결합시키고 도전성 접착층에 엘이디 소자를 결합시키는 단계를 포함하는 엘이디 패키지 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, preparing a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof, forming a conductive layer having a first irregularity formed on the upper surface and connected to the electrode portion, and bonding a conductive adhesive layer to the first irregularity and the conductive adhesive layer There is provided a method of manufacturing an LED package comprising the step of coupling the LED device to the LED.
본 발명의 실시예에 따르면, 고온에서도 엘이디 패키지의 구성품 간 접합력이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, bonding between components of an LED package may be improved even at high temperatures.
또한, 엘이디 소자에서 발생된 열이 효과적으로 방출될 수 있으며, 이로 인하여 광 효율이 저하되는 엘이디 소자의 열화 현상을 방지할 수 있다.In addition, heat generated from the LED device can be effectively discharged, thereby preventing the LED device from deteriorating in light efficiency.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 나타낸 도면.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법을 설명하는 도면.1 is a view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
2 to 7 are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.
본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.In the present application, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. In addition, throughout the specification, the term "on" means to be positioned above or below the target portion, and does not necessarily mean to be positioned above the direction of gravity.
또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term “couple” does not mean only a case in which each component is in direct physical contact with each other in the contact relationship between each component, but a different component is interposed between each component, and the component is It should be used as a concept that encompasses each contact.
또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.Since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is shown.
이하, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the LED lighting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numbers and overlapped Description will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는, 기판(110), 도전층(141, 142), 도전성 접착층(151, 152) 및 엘이디 소자(160)를 포함한다.The
기판(110)은 엘이디 소자(160)가 실장되는 부분으로, 엘이디 소자(160)에 전기를 공급되는 전극부(131, 132)가 형성된다. 엘이디 소자(160)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출하기 위하여, 기판(110)은 금속재질의 기판(110)일 수 있다. The
예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 기판이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄 판에 절연 시트를 접착한 후에, 동박을 부착하고 에칭하여 회로를 형성할 수 있다.For example, a metal substrate made of aluminum or an aluminum alloy may be used. Specifically, after bonding the insulating sheet to the aluminum plate, the copper foil is attached and etched to form a circuit.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 기판(110)에서는 일면에 한 쌍의 전극부(131, 132)가 형성되고, 도전층(141, 142) 및 도전성 접착층(151, 152)을 통하여 엘이디 소자(160)로 연결되어 전기를 공급할 수 있다. 한 쌍의 전극부(131, 132)은 양극 및 음극으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, in the
엘이디 소자(160)는, 전기 에너지를 이용해 빛을 발산할 수 있는 광원이다. 엘이디 소자(160)는 반도체 소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 등 다양한 파장의 빛을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 여러 가지 빛을 구현할 수 있다. 또한, 엘이디 소자(160)는 전기 에너지를 공급받을 수 있도록, 전극을 구비할 수 있다. The
도 1을 참조하면, 본 실시예의 엘이디 소자(160)는 아랫면에 한 쌍의 전극이 형성되어 후술한 기판(110)의 전극부(131, 132)와 전기적으로 연결되어 전력을 공급받을 수 있다.Referring to FIG. 1, in the
도전층(141, 142)은, 기판(110)의 전극부(131, 132)에 연결되게 기판(110)의 일면에 형성된다. 도전층(141, 142)은 전기를 통하는 재질, 예를 들어 금속층으로 이루어질 수 있다. 또한, 도전층(141, 142)을 통하여 전극부(131, 132)에서 엘이디 소자(160)로 전기를 공급할 수 있도록, 도전층(141, 142)의 일측은 전극부(131, 132)에 결합되며, 타측이 엘이디 소자(160)를 향하여 연장될 수 있다.The
특히, 도전성 접착층(151, 152)이 견고하게 결합될 수 있도록, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 도전층(141, 142)의 상면에는 제1 요철(141a, 142a)이 형성된다.In particular,
도 1을 참조하면, 본 실시예의 도전층(141, 142)은, 한 쌍의 전극부(131, 132) 각각에 연결될 수 있도록, 한 쌍이 형성될 수 있다. 각 도전층(141, 142)은 대응되는 전극부(131, 132)의 측면으로 결합되어, 엘이디 소자(160)의 아래까지 연장되는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 엘이디 소자(160)의 아랫면에 한 쌍의 전극이 형성되고, 각 전극의 위치에 대응하여 전극부(131, 132)가 그 아래에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, a pair of
또한, 도전층(141, 142)에서 엘이디 소자(160)를 향하는 상면에(즉, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 상면에) 제1 요철(141a, 142a)이 형성될 수 있다. 제1 요철(141a, 142a)은 도전층(141, 142)과 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에 견고하게 결합되게 할 수 있다. 이 때, 제1 요철(141a, 142a)은 두께가 10 내지 30um로 형성될 수 있다.In addition,
한편, 한 쌍의 전극부(131, 132)를 분리시키는 절연부(120)가 한 쌍의 도전층(141, 142) 사이에 형성될 수 있다. 절연부(120)는 전기가 통하지 않는 재질로서, 기판(110)의 일면에서 돌출되어 한 쌍의 전극부(131, 132) 분리시키는 벽의 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 도전성 접착층(151, 152)이 서로 마주 닿지 않도록 하기 위해 절연부(120)는 엘이디 소자(160)의 아랫면에 형성된 한 쌍의 전극층 사이 간격과 비슷한 크기인 100 내지 150um의 폭 그리고 20 내지 40um의 두께로 형성되도록 한다.Meanwhile, an
도전성 접착층(151, 152)은, 도전층(141, 142)에 엘이디 소자(160)를 부착시키는 부분이다. 도전성 접착층(151, 152)은 전기가 통하는 재질로 이루어지고 도전층(141, 142)의 제1 요철(141a, 142a)에 결합될 수 있다.The conductive
도 1을 참조하면, 제1 요철(141a, 142a)이 형성된 도전층(141, 142)의 상면에 도전성 접착층(151, 152)의 하면이 결합될 수 있다. 도전성 접착층(151, 152)의 상면에는 엘이디 소자(160)가 부착되어 결합될 수 있다. 특히, 도전성 접착층(151, 152)은 엘이디 소자(160)의 하면에 형성된 전극 및 도전층(141, 142)과 결합되어, 둘을 전기적으로 연결시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the lower surfaces of the conductive
이 때, 도전성 접착층(151, 152)은 금속 입자를 포함하고, 엘이디 소자(160)의 아래 및 주변에 배치될 수 있다. 금속 입자는 도전성 접착층(151, 152)이 전기를 통하게 하며, 빛을 반사하는 역할도 할 수 있다. 이에 따라, 도전성 접착층(151, 152)에서 엘이디 소자(160)의 주변에 배치된 부분이 빛을 반사시키는 반사층이 될 수 있다. 즉, 도전성 접착층(151, 152)에서 엘이디 소자(160)와 도전층(141, 142) 사이에 개재된 부분은 전기적 경로 역할을 하며, 엘이디 소자(160)의 외측으로 나와 노출된 부분은 반사층 역할을 할 수 있다.In this case, the conductive
한편, 한 쌍의 도전층(141, 142)에 각각 형성된 도전성 접착층(151, 152)은 상술한 절연부(120)에 의하여 서로 분리될 수 있다.Meanwhile, the conductive
상술한 바와 같이, 본 실시예에서 제1 요철(141a, 142a)은 도전층(141, 142)과 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에 견고하게 결합시킴으로써, 엘이디 소자(160)에서 방출된 열로 인하여 엘이디 패키지(100)가 수축 및 팽창할 때에도 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에서 분리되는 것을 방지할 수 있다. 더불어, 엘이디 소자(160)에서 발생되어 도전성 접착층(151, 152)에 전달된 열이, 넓은 표면적을 통하여, 빠르게 도전층(141, 142)을 통하여 기판(110)으로 전달되어 방열될 수 있다. 이에 따라, 열이 외부로 방출되지 못하여 엘이디 소자(160)가 열화되는 현상을 방지할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the
본 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는 수지부(170) 및 렌즈(180)를 더 포함할 수 있다.The
수지부(170)는, 엘이디 소자(160)를 매립하도록 기판(110)의 일면에 형성된 부분으로, 빛이 투과되는 수지 재질로 이루어진다. 수지부(170)는, 엘이디 소자(160)에서 발생된 빛의 특성을 변화시키기 위하여 형광체를 포함할 수 있다. The
렌즈(180)는 엘이디 소자(160)에서 발생된 빛을 조절하는 부분으로 빛의 경로 상에 설치된다. 본 실시예의 렌즈(180)는 수지부(170) 상에 배치되어서, 수지부(170)와 렌즈(180)는 면 접촉을 할 수 있다. 이 때, 수지부(170)와 렌즈(180)가 서로 접하는 면에 제2 요철(182a)이 형성되어서, 수지부(170)와 렌즈(180)의 결합력을 높일 수 있다.The
제2 요철(182a)은 수지부(170)와 렌즈(180)가 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 수지부(170)를 렌즈(180)에 견고하게 결합시킴으로써, 엘이디 소자(160)에서 방출된 열로 인하여 엘이디 패키지(100)가 수축 및 팽창할 때에도 수지부(170)가 렌즈(180)에서 분리되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 수지부(170)가 형광체를 포함하여 수지부(170)에 접착력이 낮아진 경우에 발생하는 계면 분리 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 때, 제2 요철(182a)은 두께가 40 내지 80um 로 형성될 수 있다.The second unevenness (182a) serves to increase the surface area to which the
도 1을 참조하면, 본 실시예의 렌즈(180)에 엘이디 소자(160)가 수용된 오목한 수용공간(182)이 형성되고, 수용공간(182)의 바닥에는 제2 요철(182a)이 형성될 수 있다. 또한, 수지부(170)는 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질이 채워져 경화된 형태를 가질 수 있다. 이 때, 수지 물질이 제2 요철(182a) 사이에도 채워지므로, 수지부(170)는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 견고하게 결합될 수 있다.Referring to FIG. 1, a
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.2 to 7 are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법은, 기판(110)을 준비하는 단계, 도전층(141, 142)을 형성하는 단계 및 엘이디 소자(160)를 결합시키는 단계를 포함한다.2 to 7, a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention includes preparing a
기판(110)을 준비하는 단계에서는, 일면에 전극부(131, 132)가 형성된 기판(110)을 준비한다. 전극부(131, 132)는 엘이디 소자(160)에 전기를 공급되게 형성된다. In the step of preparing the
도 2를 참조하면, 기판(110)에서는 일면에 한 쌍의 전극부(131, 132)가 형성되고, 한 쌍의 전극부(131, 132)은 양극 및 음극으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the
또한, 엘이디 소자(160)에서 방출되는 열을 효과적으로 방출하기 위하여, 기판(110)은 금속재질의 기판(110)일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 기판이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄 판에 절연 시트를 접착한 후에, 동박을 부착하고 에칭하여 회로를 형성할 수 있다.In addition, in order to effectively dissipate heat emitted from the
도전층(141, 142)을 형성하는 단계에서는, 상면에 제1 요철(141a, 142a)이 형성되고 전극부(131, 132)에 연결되는 도전층(141, 142)을 형성한다. 도전층(141, 142)은 전기를 통하는 재질, 예를 들어 금속층으로 이루어질 수 있다. 특히, 도전성 접착층(151, 152)이 견고하게 결합될 수 있도록, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 도전층(141, 142)의 상면에는 제1 요철(141a, 142a)이 형성된다.In the step of forming the
도 2를 참조하면, 본 실시예의 도전층(141, 142)은 한 쌍의 전극부(131, 132) 각각에 연결될 수 있도록, 한 쌍이 형성될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 전극부(131, 132)를 분리시키는 절연부(120)가 한 쌍의 도전층(141, 142) 사이에 형성될 수 있다. 절연부(120)는 전기가 통하지 않는 재질로서, 기판(110)의 일면에서 돌출되어 한 쌍의 전극부(131, 132) 분리시키는 벽의 형태로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, a pair of
엘이디 소자(160)를 결합시키는 단계에서는, 제1 요철(141a, 142a)에 도전성 접착층(151, 152)을 결합시키고, 도전성 접착층(151, 152)에 엘이디 소자(160)를 결합시킨다. 도전성 접착층(151, 152)은 전기가 통하는 재질로 이루어지고, 도전층(141, 142)의 제1 요철(141a, 142a)에 결합된다.In the step of bonding the
도 3을 참조하면, 제1 요철(141a, 142a)이 형성된 도전층(141, 142)의 상면에 도전성 접착층(151, 152)의 하면이 결합될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 도전층(141, 142)에 각각 형성된 도전성 접착층(151, 152)은 상술한 절연부(120)에 의하여 서로 분리될 수 있다.Referring to FIG. 3, the lower surfaces of the conductive
다음으로, 도전성 접착층(151, 152)의 상면에 엘이디 소자(160)가 부착되어 결합될 수 있다. 이 때, 도전성 접착층(151, 152)은 엘이디 소자(160)의 하면에 형성된 전극과 도전층(141, 142)에 결합되어, 둘을 전기적으로 연결시킬 수 있다.Next, the
본 실시예의 엘이디 패키지 제조방법은, 렌즈(180)를 기판(110)에 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing an LED package according to the present embodiment may further include disposing the
도 4를 참조하면, 렌즈(180)에는 엘이디 소자(160)가 수용되는 오목한 수용공간(182)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, a
도 5를 참조하면, 렌즈(180)의 수용공간(182) 내부에 엘이디 소자(160)가 배치되게, 렌즈(180)로 엘이디 소자(160)를 덮어서 기판(110)의 일면에 렌즈(180)를 배치할 수 있다.Referring to FIG. 5, the
또한, 본 실시예의 엘이디 패키지 제조방법은, 수지부(170)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 수지부(170)는 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질을 채우고 경화시켜서 형성할 수 있다.In addition, the method for manufacturing an LED package according to the present embodiment may further include forming the
도 4를 참조하면, 렌즈(180)의 상기 수용공간(182)의 바닥에는 제2 요철(182a)이 형성될 수 있어서 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질을 채우면 제2 요철(182a)에도 수질 물질이 채워질 수 있다.Referring to FIG. 4, a
도 6을 참조하면, 경화된 수지 물질로 이루어진 수지부(170)가, 제2 요철(182a) 사이에도 채워지므로, 수지부(170)는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 견고하게 결합될 수 있다.Referring to FIG. 6, since the
도 7을 참조하면, 수지부(170)의 상면에는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 대응되는 제3 요철(170a)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제2 요철(182a) 및 제3 요철(170a)은 한쪽 방향으로 길게 형성된 복수의 산과 골의 구조일 수 있다.Referring to FIG. 7, a
또한, 수지부(170)의 하면에는 엘이디 소자(160)가 매립되는 매립공간(172)이 형성될 수 있다.In addition, a buried
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described, but those of ordinary skill in the art will add, change, delete or add components within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the claims. Various modifications and changes can be made to the present invention by means of the like, and this will also be said to be included within the scope of the present invention.
100: 엘이디 패키지
110: 기판
120: 절연부
131, 132: 전극부
141, 142: 도전층
141a, 142a: 제1 요철
151, 152: 도전성 접착층
160: 엘이디 소자
170: 수지부
180: 렌즈
182: 수용공간
182a: 제2 요철100: LED package
110: substrate
120: insulation
131, 132: electrode part
141, 142: conductive layer
141a, 142a: first irregularities
151, 152: conductive adhesive layer
160: LED element
170: resin part
180: lens
182: accommodation space
182a: second irregularities
Claims (8)
상기 전극부에 연결되게 상기 기판의 일면에 형성되고, 상면에 제1 요철이 형성된 도전층;
상기 도전층의 상기 제1 요철에 결합된 도전성 접착층; 및
상기 도전성 접착층에 결합된 엘이디(LED, Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 엘이디 패키지.
A substrate having an electrode portion formed on one surface thereof;
A conductive layer formed on one surface of the substrate to be connected to the electrode portion and having first irregularities formed on an upper surface;
A conductive adhesive layer bonded to the first irregularities of the conductive layer; And
An LED package including an LED (Light Emitting Diode) device coupled to the conductive adhesive layer.
한 쌍의 상기 전극부 및 한 쌍의 상기 도전층이 형성되며,
상기 기판의 일면에서 한 쌍의 상기 도전층 사이에 돌출된 절연부를 더 포함하는 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
A pair of the electrode portions and a pair of the conductive layers are formed,
An LED package further comprising an insulating portion protruding between the pair of conductive layers on one surface of the substrate.
상기 도전성 접착층은 금속 입자를 포함하고, 상기 엘이디 소자의 아래 및 주변에 배치되며,
상기 도전성 접착층에서 상기 엘이디 소자의 주변에 배치된 부분이 빛을 반사시키는 반사층이 되는 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
The conductive adhesive layer includes metal particles, and is disposed below and around the LED device,
An LED package in which a portion of the conductive adhesive layer disposed around the LED element becomes a reflective layer that reflects light.
상기 엘이디 소자를 매립하도록, 상기 기판의 일면에 형성된 수지부; 및
상기 수지부 상에 배치되고 상기 엘이디 소자에서 발생된 빛을 조절하는 렌즈를 더 포함하고,
상기 수지부와 상기 렌즈는 면 접촉하며, 상기 수지부와 상기 렌즈가 서로 접하는 면에 제2 요철이 형성된 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
A resin portion formed on one surface of the substrate to bury the LED device; And
Further comprising a lens disposed on the resin portion and controlling light generated from the LED element,
The resin part and the lens are in surface contact, and the second unevenness is formed on the surface of the resin part and the lens in contact with each other.
상기 렌즈에 상기 엘이디 소자가 수용된 오목한 수용공간이 형성되고, 상기 수용공간의 바닥에는 상기 제2 요철이 형성되며,
상기 수지부는, 상기 엘이디 소자와 상기 수용공간 사이에 채워져 경화되어, 상기 제2 요철과 결합된 엘이디 패키지.
The method of claim 4,
A concave accommodation space in which the LED element is accommodated is formed in the lens, and the second unevenness is formed at the bottom of the accommodation space,
The resin part is filled between the LED element and the accommodation space and cured, and the LED package is combined with the second irregularities.
상면에 제1 요철이 형성되고 상기 전극부에 연결되는 도전층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 요철에 도전성 접착층을 결합시키고, 도전성 접착층에 엘이디 소자를 결합시키는 단계를 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.
Preparing a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof;
Forming a conductive layer having first irregularities formed on an upper surface and connected to the electrode portion; And
And bonding a conductive adhesive layer to the first irregularities and bonding an LED device to the conductive adhesive layer.
상기 엘이디 소자가 수용된 오목한 수용공간이 형성된 렌즈를 상기 기판의 일면에 배치하는 단계를 더 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.
The method of claim 6,
The method of manufacturing an LED package further comprising the step of disposing a lens having a concave accommodation space in which the LED element is accommodated on one surface of the substrate.
상기 렌즈의 상기 수용공간의 바닥에는 제2 요철이 형성되고,
상기 엘이디 소자와 상기 수용공간 사이에 수지 물질을 채우고 경화시켜서 수지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.The method of claim 7,
A second unevenness is formed at the bottom of the receiving space of the lens,
An LED package manufacturing method further comprising the step of forming a resin portion by filling and curing a resin material between the LED element and the accommodation space.
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---|---|---|---|
KR1020190036122A KR20200114402A (en) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | LED package and manufacturing method of the same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022139203A1 (en) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 주식회사 태그솔루션 | Led board using transparent substrate, and manufacturing method therefor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110137277A (en) | 2011-12-09 | 2011-12-22 | 엘지이노텍 주식회사 | Package of light emitting diode |
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2019
- 2019-03-28 KR KR1020190036122A patent/KR20200114402A/en not_active Application Discontinuation
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022139203A1 (en) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | 주식회사 태그솔루션 | Led board using transparent substrate, and manufacturing method therefor |
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