[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20200114402A - LED package and manufacturing method of the same - Google Patents

LED package and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
KR20200114402A
KR20200114402A KR1020190036122A KR20190036122A KR20200114402A KR 20200114402 A KR20200114402 A KR 20200114402A KR 1020190036122 A KR1020190036122 A KR 1020190036122A KR 20190036122 A KR20190036122 A KR 20190036122A KR 20200114402 A KR20200114402 A KR 20200114402A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
substrate
conductive adhesive
conductive
lens
Prior art date
Application number
KR1020190036122A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이호성
Original Assignee
이호성
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이호성 filed Critical 이호성
Priority to KR1020190036122A priority Critical patent/KR20200114402A/en
Publication of KR20200114402A publication Critical patent/KR20200114402A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Disclosed is a light emitting diode (LED) package capable of maintaining a bonding strength between components even at high temperatures, increasing heat dissipation effect, and preventing deterioration. According to one aspect of the present invention, an LED packet comprises: a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof; a conductive layer formed on one surface of the substrate to be connected to the electrode portion, and having a first concavo-convex formed on an upper surface thereof; a conductive adhesive layer bonded to the first concavo-convex of the conductive layer; and an LED element bonded to the conductive adhesive layer.

Description

엘이디 패키지 및 그 제조방법{LED package and manufacturing method of the same}LED package and manufacturing method thereof {LED package and manufacturing method of the same}

본 발명은 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세히, 기판과 엘이디 소자 그리고 수지부과 렌즈의 접착력을 향상시키며 열 방출 효과를 높이고 열화 현상을 방지하는 엘이디 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same. In more detail, the present invention relates to an LED package that improves adhesion between a substrate, an LED device, and a resin portion and a lens, enhances heat dissipation, and prevents deterioration, and a manufacturing method thereof.

엘이디 (LED, Light Emitting Diode)소자는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 등 다양한 파장의 빛을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나, 색을 조합함으로써 여러 가지 빛을 구현할 수 있다.LED (Light Emitting Diode) device is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. By controlling the composition of a compound semiconductor, it can implement light of various wavelengths such as red, green, and blue. Various lights can be implemented by combining them.

엘이디 소자는 기존 광원에 비해 소비 전력이 낮고, 환경 친화적이며, 수명이 긴 장점이 있어 실내외 조명, 디스플레이 장치의 백라이트(Back Light), 전광판, 자동차 등 여러 분야에 응용되어 사용된다.LED devices are used in various fields such as indoor and outdoor lighting, backlights of display devices, electronic boards, automobiles, etc. as they have the advantages of low power consumption, environment-friendly, and long life compared to conventional light sources.

종래기술에 의한 엘이디 패키지에서는 기판 상에 엘이디 소자가 실장되고, 엘이디 소자 상에는 수지층 및 렌즈가 차례로 형성되는 구조를 가진다.In a conventional LED package, an LED device is mounted on a substrate, and a resin layer and a lens are sequentially formed on the LED device.

그런데, 최근에 고출력의 엘이디 소자가 사용되고 이로 인하여 엘이디 소자에 높은 전력이 공급되어 엘이디 소자에서 많은 열이 방출되는 문제가 발생하고 있다. 특히, 열에 의한 엘이디 패키지의 수축 및 팽창으로 인하여 엘이디 소자와 기판의 전극이 단선되는 문제가 발생하고, 열이 패키지 외부로 방출되지 못하여 엘이디 소자가 열화 되는 문제가 있다.However, recently, a high-power LED device has been used, and thus, high power is supplied to the LED device, causing a problem in that a lot of heat is emitted from the LED device. In particular, there is a problem that the LED element and the electrode of the substrate are disconnected due to contraction and expansion of the LED package due to heat, and there is a problem that the LED element is deteriorated because heat is not radiated to the outside of the package.

또한, 수지층이 형광체 등을 포함하는 경우에 수지층과 렌즈 사이에 접착력이 낮아져 분리되는 문제도 있다.In addition, when the resin layer contains a phosphor or the like, there is a problem in that the adhesion between the resin layer and the lens is lowered, resulting in separation.

한국공개특허 제2011-0137277호Korean Patent Publication No. 2011-0137277

본 발명의 실시예는, 고온에서도 구성품 간의 접합력을 유지하고 열 방출 효과를 높이고 열화 현상을 방지할 수 있는 엘이디 패키지 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.An embodiment of the present invention is to provide an LED package and a method of manufacturing the same, which can maintain bonding strength between components even at high temperatures, increase heat dissipation effect, and prevent deterioration.

본 발명의 일 측면에 따르면, 일면에 전극부가 형성된 기판, 전극부에 연결되게 기판의 일면에 형성되고 상면에 제1 요철이 형성된 도전층, 도전층의 제1 요철에 결합된 도전성 접착층 및 도전성 접착층에 결합된 엘이디(LED, Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 엘이디 패키지가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof, a conductive layer formed on one surface of the substrate to be connected to the electrode portion and having first irregularities formed on the upper surface thereof, a conductive adhesive layer and a conductive adhesive layer bonded to the first irregularities of the conductive layer An LED package including an LED (Light Emitting Diode) device coupled to is provided.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 일면에 전극부가 형성된 기판을 준비하는 단계, 상면에 제1 요철이 형성되고 전극부에 연결되는 도전층을 형성하는 단계 및 제1 요철에 도전성 접착층을 결합시키고 도전성 접착층에 엘이디 소자를 결합시키는 단계를 포함하는 엘이디 패키지 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, preparing a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof, forming a conductive layer having a first irregularity formed on the upper surface and connected to the electrode portion, and bonding a conductive adhesive layer to the first irregularity and the conductive adhesive layer There is provided a method of manufacturing an LED package comprising the step of coupling the LED device to the LED.

본 발명의 실시예에 따르면, 고온에서도 엘이디 패키지의 구성품 간 접합력이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, bonding between components of an LED package may be improved even at high temperatures.

또한, 엘이디 소자에서 발생된 열이 효과적으로 방출될 수 있으며, 이로 인하여 광 효율이 저하되는 엘이디 소자의 열화 현상을 방지할 수 있다.In addition, heat generated from the LED device can be effectively discharged, thereby preventing the LED device from deteriorating in light efficiency.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 나타낸 도면.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법을 설명하는 도면.
1 is a view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.
2 to 7 are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "상에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것이 아니다.In the present application, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless specifically stated to the contrary. In addition, throughout the specification, the term "on" means to be positioned above or below the target portion, and does not necessarily mean to be positioned above the direction of gravity.

또한, 결합이라 함은, 각 구성 요소 간의 접촉 관계에 있어, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.In addition, the term “couple” does not mean only a case in which each component is in direct physical contact with each other in the contact relationship between each component, but a different component is interposed between each component, and the component is It should be used as a concept that encompasses each contact.

또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.Since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to what is shown.

이하, 본 발명에 따른 엘이디 조명장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the LED lighting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are assigned the same reference numbers and overlapped Description will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지를 나타낸 도면이다.1 is a view showing an LED package according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는, 기판(110), 도전층(141, 142), 도전성 접착층(151, 152) 및 엘이디 소자(160)를 포함한다.The LED package 100 according to an embodiment of the present invention includes a substrate 110, conductive layers 141 and 142, conductive adhesive layers 151 and 152, and an LED device 160.

기판(110)은 엘이디 소자(160)가 실장되는 부분으로, 엘이디 소자(160)에 전기를 공급되는 전극부(131, 132)가 형성된다. 엘이디 소자(160)에서 발생되는 열을 효과적으로 방출하기 위하여, 기판(110)은 금속재질의 기판(110)일 수 있다. The substrate 110 is a portion on which the LED element 160 is mounted, and electrode portions 131 and 132 for supplying electricity to the LED element 160 are formed. In order to effectively dissipate heat generated from the LED device 160, the substrate 110 may be a substrate 110 made of a metal material.

예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 기판이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄 판에 절연 시트를 접착한 후에, 동박을 부착하고 에칭하여 회로를 형성할 수 있다.For example, a metal substrate made of aluminum or an aluminum alloy may be used. Specifically, after bonding the insulating sheet to the aluminum plate, the copper foil is attached and etched to form a circuit.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 기판(110)에서는 일면에 한 쌍의 전극부(131, 132)가 형성되고, 도전층(141, 142) 및 도전성 접착층(151, 152)을 통하여 엘이디 소자(160)로 연결되어 전기를 공급할 수 있다. 한 쌍의 전극부(131, 132)은 양극 및 음극으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, in the substrate 110 of the present embodiment, a pair of electrode portions 131 and 132 are formed on one surface, and an LED element is formed through the conductive layers 141 and 142 and the conductive adhesive layers 151 and 152. 160) can supply electricity. The pair of electrode portions 131 and 132 may be composed of an anode and a cathode.

엘이디 소자(160)는, 전기 에너지를 이용해 빛을 발산할 수 있는 광원이다. 엘이디 소자(160)는 반도체 소자로서, 화합물 반도체의 조성을 제어하여 적색, 녹색, 청색 등 다양한 파장의 빛을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 여러 가지 빛을 구현할 수 있다. 또한, 엘이디 소자(160)는 전기 에너지를 공급받을 수 있도록, 전극을 구비할 수 있다. The LED element 160 is a light source that can emit light using electric energy. The LED device 160 is a semiconductor device, and can implement light of various wavelengths such as red, green, and blue by controlling the composition of the compound semiconductor, and can implement various lights by using a fluorescent material or by combining colors. In addition, the LED device 160 may include an electrode to receive electric energy.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 엘이디 소자(160)는 아랫면에 한 쌍의 전극이 형성되어 후술한 기판(110)의 전극부(131, 132)와 전기적으로 연결되어 전력을 공급받을 수 있다.Referring to FIG. 1, in the LED device 160 of the present embodiment, a pair of electrodes is formed on the lower surface, and is electrically connected to the electrode portions 131 and 132 of the substrate 110 described below to receive power.

도전층(141, 142)은, 기판(110)의 전극부(131, 132)에 연결되게 기판(110)의 일면에 형성된다. 도전층(141, 142)은 전기를 통하는 재질, 예를 들어 금속층으로 이루어질 수 있다. 또한, 도전층(141, 142)을 통하여 전극부(131, 132)에서 엘이디 소자(160)로 전기를 공급할 수 있도록, 도전층(141, 142)의 일측은 전극부(131, 132)에 결합되며, 타측이 엘이디 소자(160)를 향하여 연장될 수 있다.The conductive layers 141 and 142 are formed on one surface of the substrate 110 to be connected to the electrode portions 131 and 132 of the substrate 110. The conductive layers 141 and 142 may be formed of a material that conducts electricity, for example, a metal layer. In addition, one side of the conductive layers 141 and 142 is coupled to the electrode units 131 and 132 so that electricity can be supplied from the electrode units 131 and 132 to the LED element 160 through the conductive layers 141 and 142 And, the other side may extend toward the LED element 160.

특히, 도전성 접착층(151, 152)이 견고하게 결합될 수 있도록, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 도전층(141, 142)의 상면에는 제1 요철(141a, 142a)이 형성된다.In particular, first irregularities 141a and 142a are formed on upper surfaces of the conductive layers 141 and 142 to which the conductive adhesive layers 151 and 152 are bonded so that the conductive adhesive layers 151 and 152 can be firmly bonded.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 도전층(141, 142)은, 한 쌍의 전극부(131, 132) 각각에 연결될 수 있도록, 한 쌍이 형성될 수 있다. 각 도전층(141, 142)은 대응되는 전극부(131, 132)의 측면으로 결합되어, 엘이디 소자(160)의 아래까지 연장되는 구조를 가질 수 있다. 이 때, 엘이디 소자(160)의 아랫면에 한 쌍의 전극이 형성되고, 각 전극의 위치에 대응하여 전극부(131, 132)가 그 아래에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 1, a pair of conductive layers 141 and 142 according to the present embodiment may be formed to be connected to each of the pair of electrode portions 131 and 132. Each of the conductive layers 141 and 142 may be coupled to the side surfaces of the corresponding electrode portions 131 and 132 to have a structure extending to the bottom of the LED element 160. In this case, a pair of electrodes may be formed on the lower surface of the LED element 160, and electrode portions 131 and 132 may be disposed under the electrode portions 131 and 132 corresponding to positions of the respective electrodes.

또한, 도전층(141, 142)에서 엘이디 소자(160)를 향하는 상면에(즉, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 상면에) 제1 요철(141a, 142a)이 형성될 수 있다. 제1 요철(141a, 142a)은 도전층(141, 142)과 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에 견고하게 결합되게 할 수 있다. 이 때, 제1 요철(141a, 142a)은 두께가 10 내지 30um로 형성될 수 있다.In addition, first unevenness 141a and 142a may be formed on the upper surface of the conductive layers 141 and 142 facing the LED device 160 (ie, on the upper surface to which the conductive adhesive layers 151 and 152 are bonded). The first unevenness (141a, 142a) serves to increase the surface area where the conductive layers (141, 142) and the conductive adhesive layers (151, 152) are bonded, so that the conductive adhesive layers (151, 152) are strong against the conductive layers (141, 142). Can be combined. In this case, the first irregularities 141a and 142a may have a thickness of 10 to 30 μm.

한편, 한 쌍의 전극부(131, 132)를 분리시키는 절연부(120)가 한 쌍의 도전층(141, 142) 사이에 형성될 수 있다. 절연부(120)는 전기가 통하지 않는 재질로서, 기판(110)의 일면에서 돌출되어 한 쌍의 전극부(131, 132) 분리시키는 벽의 형태로 형성될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 도전성 접착층(151, 152)이 서로 마주 닿지 않도록 하기 위해 절연부(120)는 엘이디 소자(160)의 아랫면에 형성된 한 쌍의 전극층 사이 간격과 비슷한 크기인 100 내지 150um의 폭 그리고 20 내지 40um의 두께로 형성되도록 한다.Meanwhile, an insulating portion 120 separating the pair of electrode portions 131 and 132 may be formed between the pair of conductive layers 141 and 142. The insulating part 120 is a material that does not conduct electricity, and may be formed in the form of a wall that protrudes from one surface of the substrate 110 to separate the pair of electrode parts 131 and 132. At this time, in order to prevent the pair of conductive adhesive layers 151 and 152 from contacting each other, the insulating part 120 has a width of 100 to 150 μm, which is similar to the distance between the pair of electrode layers formed on the lower surface of the LED element 160 And it is to be formed to a thickness of 20 to 40um.

도전성 접착층(151, 152)은, 도전층(141, 142)에 엘이디 소자(160)를 부착시키는 부분이다. 도전성 접착층(151, 152)은 전기가 통하는 재질로 이루어지고 도전층(141, 142)의 제1 요철(141a, 142a)에 결합될 수 있다.The conductive adhesive layers 151 and 152 are portions to which the LED element 160 is attached to the conductive layers 141 and 142. The conductive adhesive layers 151 and 152 are made of a material that conducts electricity, and may be coupled to the first irregularities 141a and 142a of the conductive layers 141 and 142.

도 1을 참조하면, 제1 요철(141a, 142a)이 형성된 도전층(141, 142)의 상면에 도전성 접착층(151, 152)의 하면이 결합될 수 있다. 도전성 접착층(151, 152)의 상면에는 엘이디 소자(160)가 부착되어 결합될 수 있다. 특히, 도전성 접착층(151, 152)은 엘이디 소자(160)의 하면에 형성된 전극 및 도전층(141, 142)과 결합되어, 둘을 전기적으로 연결시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the lower surfaces of the conductive adhesive layers 151 and 152 may be coupled to the upper surfaces of the conductive layers 141 and 142 on which the first irregularities 141a and 142a are formed. The LED device 160 may be attached to and coupled to the upper surfaces of the conductive adhesive layers 151 and 152. In particular, the conductive adhesive layers 151 and 152 are combined with the electrodes and the conductive layers 141 and 142 formed on the lower surface of the LED element 160 to electrically connect the two.

이 때, 도전성 접착층(151, 152)은 금속 입자를 포함하고, 엘이디 소자(160)의 아래 및 주변에 배치될 수 있다. 금속 입자는 도전성 접착층(151, 152)이 전기를 통하게 하며, 빛을 반사하는 역할도 할 수 있다. 이에 따라, 도전성 접착층(151, 152)에서 엘이디 소자(160)의 주변에 배치된 부분이 빛을 반사시키는 반사층이 될 수 있다. 즉, 도전성 접착층(151, 152)에서 엘이디 소자(160)와 도전층(141, 142) 사이에 개재된 부분은 전기적 경로 역할을 하며, 엘이디 소자(160)의 외측으로 나와 노출된 부분은 반사층 역할을 할 수 있다.In this case, the conductive adhesive layers 151 and 152 may include metal particles, and may be disposed below and around the LED device 160. The metal particles allow the conductive adhesive layers 151 and 152 to conduct electricity and may also reflect light. Accordingly, a portion of the conductive adhesive layers 151 and 152 disposed around the LED element 160 may be a reflective layer that reflects light. That is, a portion of the conductive adhesive layers 151 and 152 interposed between the LED element 160 and the conductive layers 141 and 142 serves as an electrical path, and the portion exposed to the outside of the LED element 160 serves as a reflective layer. can do.

한편, 한 쌍의 도전층(141, 142)에 각각 형성된 도전성 접착층(151, 152)은 상술한 절연부(120)에 의하여 서로 분리될 수 있다.Meanwhile, the conductive adhesive layers 151 and 152 respectively formed on the pair of conductive layers 141 and 142 may be separated from each other by the insulating part 120 described above.

상술한 바와 같이, 본 실시예에서 제1 요철(141a, 142a)은 도전층(141, 142)과 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에 견고하게 결합시킴으로써, 엘이디 소자(160)에서 방출된 열로 인하여 엘이디 패키지(100)가 수축 및 팽창할 때에도 도전성 접착층(151, 152)이 도전층(141, 142)에서 분리되는 것을 방지할 수 있다. 더불어, 엘이디 소자(160)에서 발생되어 도전성 접착층(151, 152)에 전달된 열이, 넓은 표면적을 통하여, 빠르게 도전층(141, 142)을 통하여 기판(110)으로 전달되어 방열될 수 있다. 이에 따라, 열이 외부로 방출되지 못하여 엘이디 소자(160)가 열화되는 현상을 방지할 수 있다.As described above, in the present embodiment, the first irregularities 141a and 142a serve to increase the surface area to which the conductive layers 141 and 142 and the conductive adhesive layers 151 and 152 are bonded, so that the conductive adhesive layers 151 and 152 By firmly bonding to the conductive layers 141 and 142, even when the LED package 100 contracts and expands due to heat emitted from the LED device 160, the conductive adhesive layers 151 and 152 It can prevent separation. In addition, heat generated from the LED device 160 and transferred to the conductive adhesive layers 151 and 152 can be quickly transferred to the substrate 110 through the conductive layers 141 and 142 through a large surface area and radiate heat. Accordingly, it is possible to prevent a phenomenon in which the LED element 160 is deteriorated because heat cannot be radiated to the outside.

본 실시예에 따른 엘이디 패키지(100)는 수지부(170) 및 렌즈(180)를 더 포함할 수 있다.The LED package 100 according to the present embodiment may further include a resin part 170 and a lens 180.

수지부(170)는, 엘이디 소자(160)를 매립하도록 기판(110)의 일면에 형성된 부분으로, 빛이 투과되는 수지 재질로 이루어진다. 수지부(170)는, 엘이디 소자(160)에서 발생된 빛의 특성을 변화시키기 위하여 형광체를 포함할 수 있다. The resin part 170 is a part formed on one surface of the substrate 110 to bury the LED element 160 and is made of a resin material through which light is transmitted. The resin part 170 may include a phosphor to change characteristics of light generated from the LED device 160.

렌즈(180)는 엘이디 소자(160)에서 발생된 빛을 조절하는 부분으로 빛의 경로 상에 설치된다. 본 실시예의 렌즈(180)는 수지부(170) 상에 배치되어서, 수지부(170)와 렌즈(180)는 면 접촉을 할 수 있다. 이 때, 수지부(170)와 렌즈(180)가 서로 접하는 면에 제2 요철(182a)이 형성되어서, 수지부(170)와 렌즈(180)의 결합력을 높일 수 있다.The lens 180 is a part that adjusts light generated from the LED element 160 and is installed on a path of light. The lens 180 according to the present embodiment is disposed on the resin portion 170, so that the resin portion 170 and the lens 180 may make surface contact. In this case, the second unevenness 182a is formed on the surface where the resin part 170 and the lens 180 contact each other, so that the bonding force between the resin part 170 and the lens 180 may be increased.

제2 요철(182a)은 수지부(170)와 렌즈(180)가 결합되는 표면적을 넓히는 역할을 하여 수지부(170)를 렌즈(180)에 견고하게 결합시킴으로써, 엘이디 소자(160)에서 방출된 열로 인하여 엘이디 패키지(100)가 수축 및 팽창할 때에도 수지부(170)가 렌즈(180)에서 분리되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 수지부(170)가 형광체를 포함하여 수지부(170)에 접착력이 낮아진 경우에 발생하는 계면 분리 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 이 때, 제2 요철(182a)은 두께가 40 내지 80um 로 형성될 수 있다.The second unevenness (182a) serves to increase the surface area to which the resin portion 170 and the lens 180 are coupled, thereby firmly coupling the resin portion 170 to the lens 180, Even when the LED package 100 contracts and expands due to heat, the resin part 170 may be prevented from being separated from the lens 180. In particular, it is possible to effectively prevent an interface separation phenomenon that occurs when the resin portion 170 includes a phosphor and the adhesion to the resin portion 170 is lowered. At this time, the second irregularities 182a may have a thickness of 40 to 80 μm.

도 1을 참조하면, 본 실시예의 렌즈(180)에 엘이디 소자(160)가 수용된 오목한 수용공간(182)이 형성되고, 수용공간(182)의 바닥에는 제2 요철(182a)이 형성될 수 있다. 또한, 수지부(170)는 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질이 채워져 경화된 형태를 가질 수 있다. 이 때, 수지 물질이 제2 요철(182a) 사이에도 채워지므로, 수지부(170)는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 견고하게 결합될 수 있다.Referring to FIG. 1, a concave accommodation space 182 in which the LED element 160 is accommodated is formed in the lens 180 of the present embodiment, and a second unevenness 182a may be formed at the bottom of the accommodation space 182. . In addition, the resin part 170 may have a cured form by filling a resin material between the LED element 160 and the accommodation space 182. In this case, since the resin material is also filled between the second irregularities 182a, the resin portion 170 may be firmly coupled to the second irregularities 182a of the lens 180.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.2 to 7 are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 패키지 제조방법은, 기판(110)을 준비하는 단계, 도전층(141, 142)을 형성하는 단계 및 엘이디 소자(160)를 결합시키는 단계를 포함한다.2 to 7, a method of manufacturing an LED package according to an embodiment of the present invention includes preparing a substrate 110, forming conductive layers 141 and 142, and forming an LED device 160. And combining.

기판(110)을 준비하는 단계에서는, 일면에 전극부(131, 132)가 형성된 기판(110)을 준비한다. 전극부(131, 132)는 엘이디 소자(160)에 전기를 공급되게 형성된다. In the step of preparing the substrate 110, the substrate 110 on which the electrode portions 131 and 132 are formed on one surface is prepared. The electrode portions 131 and 132 are formed to supply electricity to the LED element 160.

도 2를 참조하면, 기판(110)에서는 일면에 한 쌍의 전극부(131, 132)가 형성되고, 한 쌍의 전극부(131, 132)은 양극 및 음극으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 2, in the substrate 110, a pair of electrode portions 131 and 132 are formed on one surface, and the pair of electrode portions 131 and 132 may be formed of an anode and a cathode.

또한, 엘이디 소자(160)에서 방출되는 열을 효과적으로 방출하기 위하여, 기판(110)은 금속재질의 기판(110)일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 금속 기판이 사용될 수 있다. 구체적으로, 알루미늄 판에 절연 시트를 접착한 후에, 동박을 부착하고 에칭하여 회로를 형성할 수 있다.In addition, in order to effectively dissipate heat emitted from the LED device 160, the substrate 110 may be a substrate 110 made of a metal material. For example, a metal substrate made of aluminum or an aluminum alloy may be used. Specifically, after bonding the insulating sheet to the aluminum plate, the copper foil is attached and etched to form a circuit.

도전층(141, 142)을 형성하는 단계에서는, 상면에 제1 요철(141a, 142a)이 형성되고 전극부(131, 132)에 연결되는 도전층(141, 142)을 형성한다. 도전층(141, 142)은 전기를 통하는 재질, 예를 들어 금속층으로 이루어질 수 있다. 특히, 도전성 접착층(151, 152)이 견고하게 결합될 수 있도록, 도전성 접착층(151, 152)이 결합되는 도전층(141, 142)의 상면에는 제1 요철(141a, 142a)이 형성된다.In the step of forming the conductive layers 141 and 142, first irregularities 141a and 142a are formed on the upper surface, and conductive layers 141 and 142 connected to the electrode portions 131 and 132 are formed. The conductive layers 141 and 142 may be formed of a material that conducts electricity, for example, a metal layer. In particular, first irregularities 141a and 142a are formed on upper surfaces of the conductive layers 141 and 142 to which the conductive adhesive layers 151 and 152 are bonded so that the conductive adhesive layers 151 and 152 can be firmly bonded.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 도전층(141, 142)은 한 쌍의 전극부(131, 132) 각각에 연결될 수 있도록, 한 쌍이 형성될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 전극부(131, 132)를 분리시키는 절연부(120)가 한 쌍의 도전층(141, 142) 사이에 형성될 수 있다. 절연부(120)는 전기가 통하지 않는 재질로서, 기판(110)의 일면에서 돌출되어 한 쌍의 전극부(131, 132) 분리시키는 벽의 형태로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, a pair of conductive layers 141 and 142 according to the present exemplary embodiment may be formed to be connected to each of the pair of electrode portions 131 and 132. In this case, an insulating portion 120 separating the pair of electrode portions 131 and 132 may be formed between the pair of conductive layers 141 and 142. The insulating part 120 is a material that does not conduct electricity, and may be formed in the form of a wall that protrudes from one surface of the substrate 110 to separate the pair of electrode parts 131 and 132.

엘이디 소자(160)를 결합시키는 단계에서는, 제1 요철(141a, 142a)에 도전성 접착층(151, 152)을 결합시키고, 도전성 접착층(151, 152)에 엘이디 소자(160)를 결합시킨다. 도전성 접착층(151, 152)은 전기가 통하는 재질로 이루어지고, 도전층(141, 142)의 제1 요철(141a, 142a)에 결합된다.In the step of bonding the LED element 160, the conductive adhesive layers 151 and 152 are coupled to the first irregularities 141a and 142a, and the LED element 160 is coupled to the conductive adhesive layers 151 and 152. The conductive adhesive layers 151 and 152 are made of a material that conducts electricity, and are coupled to the first irregularities 141a and 142a of the conductive layers 141 and 142.

도 3을 참조하면, 제1 요철(141a, 142a)이 형성된 도전층(141, 142)의 상면에 도전성 접착층(151, 152)의 하면이 결합될 수 있다. 이 때, 한 쌍의 도전층(141, 142)에 각각 형성된 도전성 접착층(151, 152)은 상술한 절연부(120)에 의하여 서로 분리될 수 있다.Referring to FIG. 3, the lower surfaces of the conductive adhesive layers 151 and 152 may be coupled to the upper surfaces of the conductive layers 141 and 142 on which the first irregularities 141a and 142a are formed. In this case, the conductive adhesive layers 151 and 152 formed on the pair of conductive layers 141 and 142, respectively, may be separated from each other by the insulating portion 120 described above.

다음으로, 도전성 접착층(151, 152)의 상면에 엘이디 소자(160)가 부착되어 결합될 수 있다. 이 때, 도전성 접착층(151, 152)은 엘이디 소자(160)의 하면에 형성된 전극과 도전층(141, 142)에 결합되어, 둘을 전기적으로 연결시킬 수 있다.Next, the LED element 160 may be attached to and coupled to the upper surfaces of the conductive adhesive layers 151 and 152. In this case, the conductive adhesive layers 151 and 152 are coupled to the electrode formed on the lower surface of the LED element 160 and the conductive layers 141 and 142, so that the two can be electrically connected.

본 실시예의 엘이디 패키지 제조방법은, 렌즈(180)를 기판(110)에 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method of manufacturing an LED package according to the present embodiment may further include disposing the lens 180 on the substrate 110.

도 4를 참조하면, 렌즈(180)에는 엘이디 소자(160)가 수용되는 오목한 수용공간(182)이 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, a concave accommodation space 182 in which the LED element 160 is accommodated may be formed in the lens 180.

도 5를 참조하면, 렌즈(180)의 수용공간(182) 내부에 엘이디 소자(160)가 배치되게, 렌즈(180)로 엘이디 소자(160)를 덮어서 기판(110)의 일면에 렌즈(180)를 배치할 수 있다.Referring to FIG. 5, the LED device 160 is covered with a lens 180 so that the LED device 160 is disposed inside the receiving space 182 of the lens 180 so that the lens 180 is disposed on one surface of the substrate 110. Can be placed.

또한, 본 실시예의 엘이디 패키지 제조방법은, 수지부(170)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 수지부(170)는 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질을 채우고 경화시켜서 형성할 수 있다.In addition, the method for manufacturing an LED package according to the present embodiment may further include forming the resin part 170. The resin part 170 may be formed by filling and curing a resin material between the LED element 160 and the accommodation space 182.

도 4를 참조하면, 렌즈(180)의 상기 수용공간(182)의 바닥에는 제2 요철(182a)이 형성될 수 있어서 엘이디 소자(160)와 수용공간(182) 사이에 수지 물질을 채우면 제2 요철(182a)에도 수질 물질이 채워질 수 있다.Referring to FIG. 4, a second unevenness 182a may be formed on the bottom of the receiving space 182 of the lens 180, so that when a resin material is filled between the LED element 160 and the receiving space 182, the second The unevenness 182a may also be filled with a water material.

도 6을 참조하면, 경화된 수지 물질로 이루어진 수지부(170)가, 제2 요철(182a) 사이에도 채워지므로, 수지부(170)는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 견고하게 결합될 수 있다.Referring to FIG. 6, since the resin portion 170 made of the cured resin material is also filled between the second irregularities 182a, the resin portion 170 is firmly attached to the second irregularities 182a of the lens 180. Can be combined.

도 7을 참조하면, 수지부(170)의 상면에는 렌즈(180)의 제2 요철(182a)에 대응되는 제3 요철(170a)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서 제2 요철(182a) 및 제3 요철(170a)은 한쪽 방향으로 길게 형성된 복수의 산과 골의 구조일 수 있다.Referring to FIG. 7, a third unevenness 170a corresponding to the second unevenness 182a of the lens 180 may be formed on the upper surface of the resin part 170. In this embodiment, the second unevenness 182a and the third unevenness 170a may have a structure of a plurality of mountains and valleys formed long in one direction.

또한, 수지부(170)의 하면에는 엘이디 소자(160)가 매립되는 매립공간(172)이 형성될 수 있다.In addition, a buried space 172 in which the LED element 160 is buried may be formed on the lower surface of the resin part 170.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described, but those of ordinary skill in the art will add, change, delete or add components within the scope not departing from the spirit of the present invention described in the claims. Various modifications and changes can be made to the present invention by means of the like, and this will also be said to be included within the scope of the present invention.

100: 엘이디 패키지
110: 기판
120: 절연부
131, 132: 전극부
141, 142: 도전층
141a, 142a: 제1 요철
151, 152: 도전성 접착층
160: 엘이디 소자
170: 수지부
180: 렌즈
182: 수용공간
182a: 제2 요철
100: LED package
110: substrate
120: insulation
131, 132: electrode part
141, 142: conductive layer
141a, 142a: first irregularities
151, 152: conductive adhesive layer
160: LED element
170: resin part
180: lens
182: accommodation space
182a: second irregularities

Claims (8)

일면에 전극부가 형성된 기판;
상기 전극부에 연결되게 상기 기판의 일면에 형성되고, 상면에 제1 요철이 형성된 도전층;
상기 도전층의 상기 제1 요철에 결합된 도전성 접착층; 및
상기 도전성 접착층에 결합된 엘이디(LED, Light Emitting Diode) 소자를 포함하는 엘이디 패키지.
A substrate having an electrode portion formed on one surface thereof;
A conductive layer formed on one surface of the substrate to be connected to the electrode portion and having first irregularities formed on an upper surface;
A conductive adhesive layer bonded to the first irregularities of the conductive layer; And
An LED package including an LED (Light Emitting Diode) device coupled to the conductive adhesive layer.
제1항에 있어서,
한 쌍의 상기 전극부 및 한 쌍의 상기 도전층이 형성되며,
상기 기판의 일면에서 한 쌍의 상기 도전층 사이에 돌출된 절연부를 더 포함하는 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
A pair of the electrode portions and a pair of the conductive layers are formed,
An LED package further comprising an insulating portion protruding between the pair of conductive layers on one surface of the substrate.
제1항에 있어서,
상기 도전성 접착층은 금속 입자를 포함하고, 상기 엘이디 소자의 아래 및 주변에 배치되며,
상기 도전성 접착층에서 상기 엘이디 소자의 주변에 배치된 부분이 빛을 반사시키는 반사층이 되는 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
The conductive adhesive layer includes metal particles, and is disposed below and around the LED device,
An LED package in which a portion of the conductive adhesive layer disposed around the LED element becomes a reflective layer that reflects light.
제1항에 있어서,
상기 엘이디 소자를 매립하도록, 상기 기판의 일면에 형성된 수지부; 및
상기 수지부 상에 배치되고 상기 엘이디 소자에서 발생된 빛을 조절하는 렌즈를 더 포함하고,
상기 수지부와 상기 렌즈는 면 접촉하며, 상기 수지부와 상기 렌즈가 서로 접하는 면에 제2 요철이 형성된 엘이디 패키지.
The method of claim 1,
A resin portion formed on one surface of the substrate to bury the LED device; And
Further comprising a lens disposed on the resin portion and controlling light generated from the LED element,
The resin part and the lens are in surface contact, and the second unevenness is formed on the surface of the resin part and the lens in contact with each other.
제4항에 있어서,
상기 렌즈에 상기 엘이디 소자가 수용된 오목한 수용공간이 형성되고, 상기 수용공간의 바닥에는 상기 제2 요철이 형성되며,
상기 수지부는, 상기 엘이디 소자와 상기 수용공간 사이에 채워져 경화되어, 상기 제2 요철과 결합된 엘이디 패키지.
The method of claim 4,
A concave accommodation space in which the LED element is accommodated is formed in the lens, and the second unevenness is formed at the bottom of the accommodation space,
The resin part is filled between the LED element and the accommodation space and cured, and the LED package is combined with the second irregularities.
일면에 전극부가 형성된 기판을 준비하는 단계;
상면에 제1 요철이 형성되고 상기 전극부에 연결되는 도전층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 요철에 도전성 접착층을 결합시키고, 도전성 접착층에 엘이디 소자를 결합시키는 단계를 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.
Preparing a substrate having an electrode portion formed on one surface thereof;
Forming a conductive layer having first irregularities formed on an upper surface and connected to the electrode portion; And
And bonding a conductive adhesive layer to the first irregularities and bonding an LED device to the conductive adhesive layer.
제6항에 있어서,
상기 엘이디 소자가 수용된 오목한 수용공간이 형성된 렌즈를 상기 기판의 일면에 배치하는 단계를 더 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.
The method of claim 6,
The method of manufacturing an LED package further comprising the step of disposing a lens having a concave accommodation space in which the LED element is accommodated on one surface of the substrate.
제7항에 있어서,
상기 렌즈의 상기 수용공간의 바닥에는 제2 요철이 형성되고,
상기 엘이디 소자와 상기 수용공간 사이에 수지 물질을 채우고 경화시켜서 수지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 엘이디 패키지 제조방법.
The method of claim 7,
A second unevenness is formed at the bottom of the receiving space of the lens,
An LED package manufacturing method further comprising the step of forming a resin portion by filling and curing a resin material between the LED element and the accommodation space.
KR1020190036122A 2019-03-28 2019-03-28 LED package and manufacturing method of the same KR20200114402A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190036122A KR20200114402A (en) 2019-03-28 2019-03-28 LED package and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190036122A KR20200114402A (en) 2019-03-28 2019-03-28 LED package and manufacturing method of the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200114402A true KR20200114402A (en) 2020-10-07

Family

ID=72884463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190036122A KR20200114402A (en) 2019-03-28 2019-03-28 LED package and manufacturing method of the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20200114402A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022139203A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 주식회사 태그솔루션 Led board using transparent substrate, and manufacturing method therefor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110137277A (en) 2011-12-09 2011-12-22 엘지이노텍 주식회사 Package of light emitting diode

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110137277A (en) 2011-12-09 2011-12-22 엘지이노텍 주식회사 Package of light emitting diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022139203A1 (en) * 2020-12-24 2022-06-30 주식회사 태그솔루션 Led board using transparent substrate, and manufacturing method therefor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7745835B2 (en) Light emitting diode and light emitting diode device including the light emitting diode element and method for manufacturing the light emitting diode
US7192163B2 (en) Light-emitting unit with enhanced thermal dissipation and method for fabricating the same
CN101051665B (en) Light emitting diode package having anodized insulation layer and fabrication method therefor
US8455895B2 (en) LED-based light source utilizing asymmetric conductors
EP1803164B1 (en) Luminescent light source, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus
JP2005158957A (en) Light emitting device
US20100012967A1 (en) Semiconductor light emitting device package
JPH11298048A (en) Led mounting board
KR20140118466A (en) Light emitting device and lighting device including the same
CN201293282Y (en) LED support and LED luminous structure
US20090309106A1 (en) Light-emitting device module with a substrate and methods of forming it
JP2007324547A (en) Light emitting diode light source, illuminator, display unit, and traffic signal
US8770795B2 (en) Light-emitting device and lighting apparatus
CN203521459U (en) Light-emitting assembly and light-emitting device
KR20200114402A (en) LED package and manufacturing method of the same
KR101329194B1 (en) Optical module and manufacturing method thereof
US20150280092A1 (en) Floating heat sink support with copper sheets and led package assembly for led flip chip package
JP2010003946A (en) Package of light emitting element, and manufacturing method of light emitting element
JP2000236111A (en) Light source equipment
JP2012119544A (en) Led light emitting body
JP2009267415A (en) Large power light-emitting diode lamp source, and manufacturing method thereof
KR101346352B1 (en) LED module with improved intensity of illumination and discharge of heat
KR100914859B1 (en) Led module having radiation funetion
KR20130029628A (en) Light emitting diode package
KR101949721B1 (en) Light emitting module

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application