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KR20200039068A - Unit for supplying liquid, Apparatus and Method for treating substrate with the unit - Google Patents

Unit for supplying liquid, Apparatus and Method for treating substrate with the unit Download PDF

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Publication number
KR20200039068A
KR20200039068A KR1020180118159A KR20180118159A KR20200039068A KR 20200039068 A KR20200039068 A KR 20200039068A KR 1020180118159 A KR1020180118159 A KR 1020180118159A KR 20180118159 A KR20180118159 A KR 20180118159A KR 20200039068 A KR20200039068 A KR 20200039068A
Authority
KR
South Korea
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liquid
temperature
filter
liquid supply
substrate
Prior art date
Application number
KR1020180118159A
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Korean (ko)
Inventor
노상은
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an apparatus for supplying a liquid and a method thereof. According to the method for supplying a liquid, a treatment liquid supplied from a liquid supply line is passed through a filter to be supplied to the nozzle, after the temperature of the treatment liquid is adjusted to a first temperature, so that the formation and curing of gel formed from the treatment liquid is accelerated and the gel is inhibited from passing through the filter. The formation of impurities is accelerated by the first temperature to increase size thereof, thereby increasing the efficiency of filtering impurities.

Description

액 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법{Unit for supplying liquid, Apparatus and Method for treating substrate with the unit}Unit for supplying liquid, Apparatus and Method for treating substrate with the unit

본 발명은 액을 공급하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for supplying a liquid.

반도체소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진, 식각, 애싱, 그리고 세정 공정에는 기판 상에 액을 공급하는 액 처리 공정을 실시한다.In order to manufacture a semiconductor device or a liquid crystal display, various processes such as photo, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on a substrate. Among these, a liquid treatment process for supplying a liquid onto a substrate is performed in the photo, etching, ashing, and cleaning processes.

일반적으로 액 처리 공정은 노즐로부터 처리액을 토출하여 기판을 액 처리하는 공정이다. 처리액은 토출되기 전에 필터(2)에 의해 불순물이 여과된다. 이러한 불순물은 필터(2)의 성능에 따라 여과량이 달라진다. 그러나 필터는 일정 크기 이하의 불순물을 여과하지 못하며, 처리액은 불순물을 포함한 상태로 기판에 공급된다. In general, a liquid treatment process is a process of discharging a treatment liquid from a nozzle to liquid treatment a substrate. The impurities are filtered by the filter 2 before the treatment liquid is discharged. The amount of these impurities varies depending on the performance of the filter 2. However, the filter does not filter impurities below a certain size, and the treatment liquid is supplied to the substrate in a state containing impurities.

특히 처리액이 점성을 가지는 감광액일 경우에는, 불순물이 처리액으로부터 형성된 젤(Gel)을 포함한다. 이러한 젤(Gel)은 다양한 크기를 가지며, 유동적 형태를 가진다. 이로 인해 도 1과 같이, 젤(Gel)의 일부는 필터에 의해 여과되지 않고, 필터를 통과하여 기판에 공급된다.In particular, when the treatment liquid is a viscous photosensitive liquid, impurities include a gel formed from the treatment liquid. These gels have various sizes and have a fluid form. Due to this, as shown in Figure 1, a portion of the gel (Gel) is not filtered by the filter, it is supplied to the substrate through the filter.

한국 공개 특허 공보 2006-0076819Korea Patent Publication 2006-0076819

본 발명은 처리액에 포함된 불순물을 여과할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus and method capable of filtering impurities contained in a treatment liquid.

또한 본 발명은 젤(Gel) 형태로 제공된 불순물을 여과할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method for filtering impurities provided in the form of a gel.

본 발명의 실시예는 액을 공급하는 장치 및 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for supplying a liquid.

액을 공급하는 방법으로는 액 공급 라인으로부터 공급되는 처리액을 필터로 여과시켜 노즐로 공급하되, 상기 필터로 여과하기 전에 상기 처리액을 제1온도를 조절하여 상기 처리액으로부터 불순물의 형성 및 경화를 가속시키고, 상기 불순물이 상기 필터를 통과하는 것을 억제한다.As a method of supplying the liquid, the treatment liquid supplied from the liquid supply line is filtered and supplied to a nozzle, but before the filter is filtered, the treatment liquid is adjusted to a first temperature to form and harden impurities from the treatment liquid. Accelerates and inhibits the impurities from passing through the filter.

상기 처리액은 감광액을 포함하되, 상기 불순물은 젤(Gel) 형태로 제공될 수 있다. 상기 처리액은 상기 필터를 통과한 후에 항온 부재에 의해 제2온도로 유지될 수 있다. 상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높은 온도로 제공되며, 상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함할 수 있다. The treatment solution includes a photosensitive solution, the impurities may be provided in the form of a gel (Gel). The treatment liquid may be maintained at a second temperature by a constant temperature member after passing through the filter. The first temperature is provided at a temperature higher than the second temperature, and the first temperature may include 40 to 50 degrees.

상기 처리액은 상기 필터의 상류에 위치된 트랩 탱크에 의해 기포가 제거되고, 상기 처리액은 상기 필터와 상기 트랩 탱크의 사이 영역에서 상기 제1온도로 가열될 수 있다. Air bubbles may be removed from the treatment liquid by a trap tank located upstream of the filter, and the treatment liquid may be heated to the first temperature in an area between the filter and the trap tank.

액을 공급하는 장치는 처리액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 라인, 상기 액 공급 라인에 설치되어 상기 처리액으로부터 상기 불순물을 여과하는 필터, 그리고 상기 필터의 상류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제1온도로 조절하는 가열 부재를 가지는 온도 조절 부재를 포함한다. The apparatus for supplying a liquid includes a nozzle for discharging a treatment liquid, a liquid supply line for supplying the treatment liquid to the nozzle, a filter installed in the liquid supply line to filter the impurities from the treatment liquid, and upstream of the filter And a temperature adjusting member having a heating member that adjusts the processing liquid flowing in the liquid supply line to a first temperature.

상기 처리액은 감광액을 포함할 수 있다. 상기 온도 조절 부재는 상기 필터의 하류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제2온도로 유지시키는 항온 부재를 더 포함할 수 있다. 상기 제1온도는 상기 제2온도보다 더 높은 온도로 제공되며, 상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함할 수 있다. The treatment liquid may include a photosensitive liquid. The temperature regulating member may further include a constant temperature member that maintains the processing liquid flowing in the liquid supply line downstream of the filter at a second temperature. The first temperature is provided at a higher temperature than the second temperature, and the first temperature may include 40 to 50 degrees.

상기 유닛은 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액의 기포를 제거하며, 상기 필터의 상류에 위치되는 트랩 탱크를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 트랩 탱크와 상기 필터의 사이에 위치될 수 있다. 상기 유닛은 상기 처리액이 상기 노즐에 공급되도록 상기 액 공급 라인에서 상기 처리액을 가압하는 펌프를 더 포함하되, 상기 펌프는 상기 필터의 하류에 위치될 수 있다. The unit removes air bubbles in the processing liquid flowing in the liquid supply line, and further includes a trap tank located upstream of the filter, wherein the heating member can be located between the trap tank and the filter. The unit further includes a pump that pressurizes the treatment liquid in the liquid supply line so that the treatment liquid is supplied to the nozzle, wherein the pump may be located downstream of the filter.

상기 불순물은 상기 처리액에서 형성된 젤(Gel)을 포함하고, 상기 젤의 형성 및 경화는 상기 온도 조절 부재에 의해 가속될 수 있다. 상기 필터는 복수의 타공을 가지며, 상기 제1온도는 상기 처리액이 상기 특정 구간을 흐르는 중에 상기 불순물이 상기 타공보다 큰 크기를 가지도록 상기 불순물을 활성화시키는 온도로 제공될 수 있다. The impurities include a gel formed in the treatment liquid, and the formation and curing of the gel can be accelerated by the temperature control member. The filter may have a plurality of perforations, and the first temperature may be provided at a temperature that activates the impurities such that the impurities have a larger size than the perforations while the treatment liquid flows through the specific section.

또한 기판을 처리하는 장치는 기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛 및 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 토출하는 노즐, 상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 라인, 상기 액 공급 라인에 설치되어 상기 처리액으로부터 상기 불순물을 여과하는 필터, 그리고 상기 필터의 상류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제1온도로 조절하는 가열 부재를 가지는 온도 조절 부재를 포함한다. In addition, the apparatus for processing a substrate includes a substrate support unit for supporting and rotating the substrate, and a liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported by the substrate support unit, wherein the liquid supply unit is a nozzle for discharging the processing liquid , A liquid supply line for supplying the processing liquid to the nozzle, a filter installed on the liquid supply line to filter the impurities from the processing liquid, and the processing liquid flowing in the liquid supply line upstream of the filter It includes a temperature control member having a heating member to adjust the temperature.

상기 온도 조절 부재는 상기 필터의 하류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제2온도로 유지시키는 항온 부재를 더 포함하되, 상기 제1온도는 상기 제2온도보다 더 높은 온도로 제공되며, 상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함할 수 있다, The temperature control member further includes a constant temperature member that maintains the processing liquid flowing in the liquid supply line at a second temperature downstream of the filter, wherein the first temperature is provided at a higher temperature than the second temperature, The first temperature may include 40 to 50 degrees,

상기 액 공급 유닛은 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액의 기포를 제거하며, 상기 필터의 상류에 위치되는 트랩 탱크를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 트랩 탱크와 상기 필터의 사이에 위치될 수 있다. The liquid supply unit removes air bubbles in the processing liquid flowing in the liquid supply line, and further includes a trap tank located upstream of the filter, wherein the heating member can be located between the trap tank and the filter. have.

본 발명의 실시예는 불순물의 형성을 가속화하여 크기를 증대시킨다. 이로 인해 불순물의 여과 효율을 높일 수 있다.Embodiments of the present invention increase the size by accelerating the formation of impurities. Due to this, it is possible to increase the efficiency of filtering impurities.

또한 본 발명의 실시예는 필터의 하류를 상류보다 낮은 온도로 조절한다. 이로 인해 여과된 처리액으로부터 불순물이 형성되는 것을 최소화할 수 있다.Also, an embodiment of the present invention controls the downstream of the filter to a temperature lower than the upstream. This can minimize the formation of impurities from the filtered treatment liquid.

도 1은 일반적으로 불순물의 일부가 필터를 통과하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 9는 도 8의 액 공급 유닛을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 9의 트랩 탱크를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 9의 필터를 보여주는 단면도이다.
도 12는 도 9의 액 공급 유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다.1 is a view generally showing a process in which a part of impurities passes through a filter.
2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the application block or development block of FIG. 2.
4 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 2.
5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4.
6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4.
7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6.
8 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 4.
FIG. 9 is a view showing the liquid supply unit of FIG. 8.
10 is a cross-sectional view showing the trap tank of FIG. 9.
11 is a cross-sectional view showing the filter of FIG. 9.
12 is a view showing another embodiment of the liquid supply unit of FIG. 9.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings is exaggerated to emphasize a clearer explanation.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing the coating block or the developing block of Figure 2, Figure 4 is the substrate processing apparatus of Figure 2 It is a top view.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 2 to 4, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 20, a treating module 30, and an interface module 40. According to one embodiment, the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are sequentially arranged in series. Hereinafter, the direction in which the index module 20, the processing module 30, and the interface module 40 are arranged is referred to as a first direction 12, and a direction perpendicular to the first direction 12 when viewed from the top The second direction 14 is referred to as a direction perpendicular to both the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as the third direction 16.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The index module 20 transfers the substrate W from the container 10 in which the substrate W is stored to the processing module 30, and receives the substrate W, which has been processed, into the container 10. The length direction of the index module 20 is provided in the second direction 14. The index module 20 has a load port 22 and an index frame 24. The load port 22 with respect to the index frame 24 is located on the opposite side of the processing module 30. The container 10 on which the substrates W are stored is placed on the load port 22. A plurality of load ports 22 may be provided, and the plurality of load ports 22 may be arranged along the second direction 14.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the container 10, a sealing container 10 such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The container 10 may be placed in the load port 22 by an operator (not shown) or an operator such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. You can.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. An index robot 2200 is provided inside the index frame 24. In the index frame 24, a guide rail 2300 provided with a longitudinal direction in the second direction 14 is provided, and the index robot 2200 may be provided to be movable on the guide rail 2300. The index robot 2200 includes a hand 2220 on which the substrate W is placed, the hand 2220 moves forward and backward, rotates about the third direction 16, and rotates the third direction 16 Accordingly, it may be provided to be movable.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 2의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The processing module 30 performs an application process and a development process for the substrate W. The processing module 30 has an application block 30a and a development block 30b. The coating block 30a performs a coating process on the substrate W, and the developing block 30b performs a developing process on the substrate W. A plurality of application blocks 30a are provided, which are provided to be stacked on each other. A plurality of developing blocks 30b are provided, and the developing blocks 30b are provided to be stacked on each other. According to the embodiment of Fig. 2, two coating blocks 30a are provided, and two developing blocks 30b are provided. The application blocks 30a may be disposed under the development blocks 30b. According to an example, the two application blocks 30a perform the same process with each other and may be provided with the same structure. In addition, the two developing blocks 30b perform the same process with each other and may be provided with the same structure.

도 4를 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 4, the application block 30a has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, a liquid processing chamber 3600, and a buffer chamber 3800. The heat treatment chamber 3200 performs a heat treatment process on the substrate W. The heat treatment process may include a cooling process and a heating process. The liquid processing chamber 3600 supplies a liquid on the substrate W to form a liquid film. The liquid film may be a photoresist film or an antireflection film. The transfer chamber 3400 transfers the substrate W between the heat treatment chamber 3200 and the liquid processing chamber 3600 within the application block 30a.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The conveying chamber 3400 is provided with its longitudinal direction parallel to the first direction 12. A transport robot 3342 is provided in the transport chamber 3400. The transfer robot 3342 transfers the substrate between the heat treatment chamber 3200, the liquid processing chamber 3600, and the buffer chamber 3800. According to one example, the transfer robot 3342 has a hand 3420 on which the substrate W is placed, the hand 3420 moves forward and backward, rotation about the third direction 16 as an axis, and the third direction It can be provided to be movable along the (16). In the transport chamber 3400, a guide rail 3300 whose length direction is provided parallel to the first direction 12 is provided, and the transport robot 3342 can be provided to be movable on the guide rail 3300. .

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다. 5 is a view showing an example of a hand of the transport robot of FIG. 4. Referring to FIG. 7, hand 3420 has a base 3428 and support projections 3428. The base 3428 may have an annular ring shape in which a part of the circumference is bent. The base 3428 has an inner diameter larger than the diameter of the substrate W. The support protrusion 3431 extends from the base 3428 inward. A plurality of support protrusions 3431 are provided, and support the edge region of the substrate W. According to an example, four supporting protrusions 3431 may be provided at equal intervals.

열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.A plurality of heat treatment chambers 3202 are provided. The heat treatment chambers 3202 are arranged to be arranged along the first direction 12. The heat treatment chambers 3202 are located on one side of the transfer chamber 3400.

도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다. 6 is a plan view schematically showing an example of the heat treatment chamber of FIG. 4, and FIG. 7 is a front view of the heat treatment chamber of FIG. 6. 6 and 7, the heat treatment chamber 3202 has a housing 3210, a cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a transfer plate 3240.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.The housing 3210 is generally provided in the shape of a cuboid. On the sidewall of the housing 3210, an entrance (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. The entry opening can remain open. Optionally, a door (not shown) may be provided to open and close the entrance. A cooling unit 3220, a heating unit 3230, and a conveying plate 3240 are provided in the housing 3210. The cooling unit 3220 and the heating unit 3230 are provided side by side along the second direction 14. According to an example, the cooling unit 3220 may be located closer to the transport chamber 3400 than the heating unit 3230.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. The cooling unit 3220 has a cooling plate 3222. The cooling plate 3222 may have a generally circular shape when viewed from the top. The cooling plate 3222 is provided with a cooling member 3224. According to an example, the cooling member 3224 is formed inside the cooling plate 3222 and may be provided as a flow path through which cooling fluid flows.

가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다. The heating unit 3230 has a heating plate 3232, a cover 3234, and a heater 3333. The heating plate 3232 has a generally circular shape when viewed from the top. The heating plate 3232 has a larger diameter than the substrate W. A heater 3233 is installed on the heating plate 332. The heater 3233 may be provided as a heating resistor to which current is applied. The heating plate 3232 is provided with lift pins 3238 that can be driven in the vertical direction along the third direction 16. The lift pin 3238 receives the substrate W from the conveying means outside the heating unit 3230 and puts it down on the heating plate 3232 or lifts the substrate W from the heating plate 3232 to remove the substrate W from the outside of the heating unit 3230. Take over by conveying means. According to an example, three lift pins 3238 may be provided. The cover 3234 has a space in which a lower portion is opened inside. The cover 3234 is located on the top of the heating plate 3232 and is moved up and down by the driver 3236. When the cover 3234 is in contact with the heating plate 3232, a space surrounded by the cover 3234 and the heating plate 3232 is provided as a heating space for heating the substrate W.

반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다. The conveying plate 3240 is generally provided with a disc shape, and has a diameter corresponding to the substrate W. A notch 3244 is formed at the edge of the transfer plate 3240. The notch 3244 may have a shape corresponding to the projection 3431 formed in the hand 3420 of the transfer robot 3342 described above. Further, the notch 3244 is provided in a number corresponding to the projection 3431 formed in the hand 3420, and is formed at a position corresponding to the projection 3431. When the vertical position of the hand 3420 and the conveying plate 3240 is changed at a position where the hand 3420 and the conveying plate 3240 are aligned in the vertical direction, the substrate W between the hand 3420 and the conveying plate 3240 is changed. Delivery is made. The transfer plate 3240 is mounted on the guide rail 3248 and can be moved between the first area 3212 and the second area 3214 by the driver 3246 along the guide rail 3248. The conveying plate 3240 is provided with a plurality of slit-shaped guide grooves 3242. The guide groove 3242 extends from the end of the conveying plate 3240 to the inside of the conveying plate 3240. The guide groove 3242 is provided in the longitudinal direction along the second direction 14, and the guide grooves 3324 are positioned spaced apart from each other along the first direction 12. The guide groove 3242 prevents the transfer plate 3240 and the lift pin 1340 from interfering with each other when the transfer of the substrate W is performed between the transfer plate 3240 and the heating unit 3230.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다. Heating of the substrate W is performed in a state where the substrate W is directly placed on the support plate 1320, and cooling of the substrate W is performed by the transfer plate 3240 on which the substrate W is placed, and the cooling plate 3222. It is made in the contact state. The transfer plate 3240 is made of a material having a high heat transfer rate so that heat transfer is well performed between the cooling plate 3222 and the substrate W. According to an example, the transport plate 3240 may be provided with a metal material.

열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. The heating unit 3230 provided in a part of the heat treatment chambers of the heat treatment chambers 3200 may supply gas during heating of the substrate W to improve the adhesion rate of the substrate W of the photoresist. According to an example, the gas may be a hexamethyldisilane gas.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of liquid processing chambers 3600 are provided. Some of the liquid processing chambers 3600 may be provided to be stacked with each other. The liquid processing chambers 3600 are disposed on one side of the transfer chamber 3402. The liquid processing chambers 3600 are arranged side by side along the first direction 12. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided in a position adjacent to the index module 20. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as front liquid treating chambers 3602. Some of the liquid processing chambers 3600 are provided in a position adjacent to the interface module 40. Hereinafter, these liquid treatment chambers are referred to as rear heat treatment chambers 3604 (rear heat treating chambers).

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.The front end liquid processing chamber 3602 applies the first liquid on the substrate W, and the rear end liquid processing chamber 3604 applies the second liquid on the substrate W. The first liquid and the second liquid may be different kinds of liquid. According to one embodiment, the first liquid is an antireflection film, and the second liquid is a photoresist. The photoresist may be applied on a substrate W coated with an anti-reflection film. Optionally, the first liquid may be a photoresist, and the second liquid may be an anti-reflection film. In this case, the anti-reflection film may be applied on the substrate W coated with the photoresist. Optionally, the first liquid and the second liquid are liquids of the same kind, and all of them may be photoresists.

도 8은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(1000)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다. 8 is a view schematically showing an example of the liquid processing chamber of FIG. 4. Referring to FIG. 8, the liquid processing chamber 3600 has a housing 3610, a cup 3620, a substrate support unit 3640, and a liquid supply unit 1000. The housing 3610 is provided in a substantially rectangular parallelepiped shape. On the sidewall of the housing 3610, an entrance (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed. The entrance can be opened and closed by a door (not shown). A cup 3620, a support unit 3640, and a liquid supply unit 1000 are provided in the housing 3610. A fan filter unit 3670 may be provided on the upper wall of the housing 3610 to form a downdraft in the housing 3260. The cup 3620 has a treatment space with an open top. The substrate support unit 3640 is disposed in the processing space, and supports the substrate W. The substrate support unit 3640 is provided so that the substrate W is rotatable during liquid processing. The liquid supply unit 1000 supplies liquid to the substrate W supported by the substrate support unit 3640.

도 9는 도 8의 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 9를 참조하면, 액 공급 유닛(1000)은 노즐(1100), 액 수용 부재(1150), 액 공급 라인(1200), 트랩 탱크(1300), 펌프(1400), 필터(1500), 그리고 온도 조절 부재(1600)를 포함한다. 9 is a cross-sectional view showing the liquid supply unit of FIG. 8. 9, the liquid supply unit 1000 includes a nozzle 1100, a liquid receiving member 1150, a liquid supply line 1200, a trap tank 1300, a pump 1400, a filter 1500, and temperature It includes an adjustment member 1600.

액 공급 라인(1200)은 노즐(1100)과 액 수용 부재(1150)를 연결한다. 액 공급 라인(1200)에는 노즐(1100)과 액 수용 부재(1150)의 사이에 트랩 탱크(1300), 펌프(1400), 필터(1500), 그리고 온도 조절 부재(1600)가 설치된다. 액 수용 부재(1150)에는 처리액이 수용되는 수용 공간을 가진다. 액 수용 부재(1150)는 처리액이 수용된 보틀(bottle)일 수 있다. 처리액은 플루오르(F)를 포함하는 감광액일 수 있다. The liquid supply line 1200 connects the nozzle 1100 and the liquid receiving member 1150. The liquid supply line 1200 is provided with a trap tank 1300, a pump 1400, a filter 1500, and a temperature control member 1600 between the nozzle 1100 and the liquid receiving member 1150. The liquid accommodating member 1150 has an accommodating space in which the processing liquid is accommodated. The liquid receiving member 1150 may be a bottle in which the treatment liquid is accommodated. The treatment liquid may be a photosensitive liquid containing fluorine (F).

트랩 탱크(1300)는 액 공급 라인(1200)에 흐르는 처리액의 기포를 제거한다. 트랩 탱크(1300)는 액 공급 라인(1200)에서 노즐(1100)과 액 수용 부재(1150) 사이에 위치된다. 도 10은 도 9의 트랩 탱크를 보여주는 단면도이다, 도 10을 참조하면, 트랩 탱크(1300)는 내부에 기포 제거 공간(1302)을 가진다. 트랩 탱크(1300)의 상단부에는 유입구(1310) 및 유출구(1320)가 각각 형성되고, 공급구(1330) 및 배기구(1340)가 각각 형성된다. 유입구(1310) 및 유출구(1320)는 처리액이 유입 및 유출되는 통로로 기능한다. 액 공급 라인(1200)은 유입구(1310) 및 유출구(1320) 각각에 연결되어 기포가 제거된 처리액을 노즐(1100)로 공급한다. 공급구(1330)는 트랩 탱크(1300)의 내부를 가압하는 가스가 공급되는 통로로 기능한다. 배기구(1340)는 처리액으로부터 분리 제거된 기포가 배기되는 통로로 기능한다. 공급구(1330)로부터 가압 가스가 공급되면, 기포는 처리액으로부터 분리되어 배기구(1340)로 배기된다. 예컨대, 가압 가스는 비활성 가스일 수 있다. 가압 가스는 질소 가스일 수 있다.The trap tank 1300 removes air bubbles from the processing liquid flowing in the liquid supply line 1200. The trap tank 1300 is located between the nozzle 1100 and the liquid receiving member 1150 in the liquid supply line 1200. 10 is a cross-sectional view showing the trap tank of FIG. 9, referring to FIG. 10, the trap tank 1300 has a bubble removal space 1302 therein. The inlet 1310 and the outlet 1320 are respectively formed at the upper end of the trap tank 1300, and the supply 1330 and the exhaust 1340 are respectively formed. The inlet 1310 and the outlet 1320 function as passages through which the treatment liquid flows in and out. The liquid supply line 1200 is connected to each of the inlet 1310 and the outlet 1320 to supply the treatment liquid with air bubbles removed to the nozzle 1100. The supply port 1330 functions as a passage through which gas that pressurizes the inside of the trap tank 1300 is supplied. The exhaust port 1340 functions as a passage through which air bubbles separated and removed from the processing liquid are exhausted. When the pressurized gas is supplied from the supply port 1330, air bubbles are separated from the processing liquid and exhausted to the exhaust port 1340. For example, the pressurized gas may be an inert gas. The pressurized gas may be nitrogen gas.

다시 도 9를 참조하면, 펌프(1400)는 액 공급 라인(1200)에 흐르는 처리액이 노즐(1100)을 향하는 방향으로 공급되도록 액 공급 라인(1200)을 가압한다. 펌프(1400)는 액 공급 라인(1200)에서 트랩 탱크(1300)의 하류에 위치된다. 일 예에 의하면, 펌프(1400)는 유압에 의해 구동될 수 있다. 펌프(1400)는 실린더을 포함할 수 있다. Referring back to FIG. 9, the pump 1400 presses the liquid supply line 1200 so that the processing liquid flowing in the liquid supply line 1200 is supplied in a direction toward the nozzle 1100. The pump 1400 is located downstream of the trap tank 1300 in the liquid supply line 1200. According to an example, the pump 1400 may be driven by hydraulic pressure. The pump 1400 may include a cylinder.

도 11은 도 9의 필터를 보여주는 단면도이다. 도 11을 참조하면, 필터(1500)는 액 공급 라인(1200)에 흐르는 처리액의 불순물을 여과한다. 필터(1500)는 액 공급 라인(1200)에서 트랩 탱크(1300)와 펌프(1400)의 사이에 위치된다. 필터(1500)는 액 공급 라인(1200)에서 트랩 탱크(1300)보다 펌프(1400)에 더 가깝게 위치된다. 처리액은 필터(1500)를 통과하는 과정에서 불순물이 여과된다. 예컨대, 처리액은 필터(1500)의 일단으로 유입되어 타단으로 유출될 수 있다. 필터(1500)의 일단과 타단 사이에는 복수의 타공들(1520)이 형성된다. 이러한 타공(1520)은 포집 크기를 가진다. 즉, 포집 크기 이상의 불순물은 필터(1500)에 의해 여과된다. 11 is a cross-sectional view showing the filter of FIG. 9. Referring to FIG. 11, the filter 1500 filters impurities in the processing liquid flowing in the liquid supply line 1200. The filter 1500 is located between the trap tank 1300 and the pump 1400 in the liquid supply line 1200. The filter 1500 is located closer to the pump 1400 than the trap tank 1300 in the liquid supply line 1200. As the treatment liquid passes through the filter 1500, impurities are filtered. For example, the treatment liquid may be introduced into one end of the filter 1500 and then discharged to the other end. A plurality of perforations 1520 are formed between one end and the other end of the filter 1500. The perforation 1520 has a collection size. That is, impurities having a capture size or more are filtered by the filter 1500.

온도 조절 부재(1600)는 액 공급 라인(1200)에 흐르는 처리액의 온도를 조절한다. 온도 조절 부재(1600)는 필터(1500)를 기준으로 이의 하류와 상류를 서로 다른 온도로 조절한다. 온도 조절 부재(1600)는 처리액으로부터 불순물의 형성 및 경화를 가속 또는 감속시킨다. 일 예에 의하면, 불순물은 처리액에서 형성된 젤(Gel)을 포함할 수 있다. 불순물의 형성 및 경화는 처리액의 온도가 높아질수록 가속 또는 활성화될 수 있다.The temperature adjusting member 1600 adjusts the temperature of the processing liquid flowing in the liquid supply line 1200. The temperature adjusting member 1600 adjusts its downstream and upstream to different temperatures based on the filter 1500. The temperature regulating member 1600 accelerates or decelerates the formation and curing of impurities from the treatment liquid. According to an example, the impurity may include a gel formed in the treatment liquid. The formation and curing of impurities can be accelerated or activated as the temperature of the treatment liquid increases.

온도 조절 부재(1600)는 가열 부재(1620) 및 항온 부재(1640)를 포함한다. 가열 부재(1620)는 처리액을 제1온도로 가열하고, 항온 부재(1640)는 처리액을 제2온도로 유지시킨다. 가열 부재(1620)는 필터(1500)의 상류에 설치되고, 항온 부재(1640)는 필터(1500)의 하류에 설치된다. 가열 부재(1620)는 액 공급 라인(1200)을 감싸는 히터 자켓일 수 있다. 가열 부재(1620)는 액 공급 라인(1200)에서 트랩 탱크(1300)와 필터(1500)의 사이 영역을 제1온도로 가열한다. 항온 부재(1640)는 액 공급 라인(1200)에서 필터(1500)와 펌프(1400)의 사이 영역을 제2온도로 유지한다. 항온 부재(1640)는 액 공급 라인(1200)을 감싸며, 내부에 제2온도의 항온수가 흐르는 유로가 형성될 수 있다. 제1온도는 제2온도보다 높은 온도일 수 있다. 제1온도는 상온보다 높은 온도일 수 있다. 일 예에 의하면, 제1온도는 섭씨 40 내지 50 도를 포함할 수 있다. 제1온도는 젤(Gel)의 형성 및 경화를 가속 및 활성화시키는 온도로 제공된다. 제1온도는 불순물이 포집 크기보다 큰 크기를 가지도록 불순물을 가속 및 활성화시킬 수 있다.The temperature regulating member 1600 includes a heating member 1620 and a constant temperature member 1640. The heating member 1620 heats the processing liquid to a first temperature, and the constant temperature member 1640 maintains the processing liquid at a second temperature. The heating member 1620 is installed upstream of the filter 1500, and the constant temperature member 1640 is installed downstream of the filter 1500. The heating member 1620 may be a heater jacket surrounding the liquid supply line 1200. The heating member 1620 heats the region between the trap tank 1300 and the filter 1500 in the liquid supply line 1200 to a first temperature. The constant temperature member 1640 maintains the region between the filter 1500 and the pump 1400 at the second temperature in the liquid supply line 1200. The constant temperature member 1640 surrounds the liquid supply line 1200 and a flow path in which constant temperature water at a second temperature flows may be formed therein. The first temperature may be higher than the second temperature. The first temperature may be higher than room temperature. According to an example, the first temperature may include 40 to 50 degrees Celsius. The first temperature is provided as a temperature that accelerates and activates gel formation and curing. The first temperature may accelerate and activate the impurities such that the impurities have a size larger than the capture size.

제2온도는 젤(Gel)의 형성 및 경화를 감속 및 억제시키는 온도로 제공된다. 제2온도는 상온보다 낮은 온도일 수 있다. 제2온도는 섭씨 20 내지 25 도를 포함할 수 있다.  The second temperature is provided as a temperature that slows and suppresses the formation and curing of the gel. The second temperature may be lower than room temperature. The second temperature may include 20 to 25 degrees Celsius.

즉, 필터(1500)의 상류에는 처리액으로부터 불순물의 형성이 가속되고, 필터(1500)의 하류에는 처리액으로부터 불순물의 형성이 감속된다. 이로 인해 필터(1500)의 상류에서 형성된 불순물은 필터(1500)에 의해 여과되는 반면, 필터(1500)의 하류에는 불순물의 형성이 억제되어 기판 상에 불순물이 제거된 처리액을 공급할 수 있다. That is, formation of impurities from the processing liquid is accelerated upstream of the filter 1500, and formation of impurities from the processing liquid is slowed downstream of the filter 1500. Due to this, impurities formed upstream of the filter 1500 are filtered by the filter 1500, while formation of impurities is suppressed to the downstream of the filter 1500 to supply a treatment liquid from which impurities have been removed on the substrate.

상술한 실시예에는 액 공급 라인(1200)에서 처리액이 제1온도로 가열되는 구간은 필터(1500)의 상류에 제공되며, 펌프(1400)는 처리액의 하류에 위치된다. 펌프(1400)는 유압에 의해 구동되는 장치로서, 제1온도는 유압에 영향을 끼칠 수 있다. 이로 인해 펌프(1400)는 가열 부재(1620)를 벗어난 위치에 설치되는 것이 바람직하다. In the above-described embodiment, the section in which the processing liquid is heated to the first temperature in the liquid supply line 1200 is provided upstream of the filter 1500, and the pump 1400 is located downstream of the processing liquid. The pump 1400 is a device driven by hydraulic pressure, and the first temperature may affect hydraulic pressure. For this reason, it is preferable that the pump 1400 is installed at a position outside the heating member 1620.

또한 가열 부재(1620)는 트랩 탱크(1300)의 하류에 위치된다. 즉 처리액은 기포가 제거된 후에, 젤(Gel)의 형성 및 경화를 가속화된다. 젤(Gel)의 형성 및 경화를 가속화한 후에 기포를 제거할 경우에는, 젤(Gel)이 기포 제거을 방해할 수 있다. 따라서 가열 부재(1620)는 트랩 탱크(1300)의 하류에서 처리액을 제1온도로 가열하는 것이 바람직하다.Also, the heating member 1620 is located downstream of the trap tank 1300. That is, after the bubbles are removed, the treatment liquid accelerates the formation and curing of the gel. When the bubbles are removed after accelerating the formation and curing of the gel, the gel may interfere with the removal of the bubbles. Therefore, the heating member 1620 preferably heats the processing liquid to a first temperature downstream of the trap tank 1300.

또한 처리액은 플루오르(F)를 포함하는 액으로 제공되며, 이러한 처리액은 온도가 증가함에 따라 서로 간에 반응하여 젤(Gel)의 형성이 가속되는 액으로 제공된다. 따라서 상술한 실시예의 액 공급 유닛은 플루오르(F)를 포함하는 처리액을 공급하는 과정에서 적용 가능하다. In addition, the treatment liquid is provided as a liquid containing fluorine (F), and the treatment liquid is provided as a liquid that reacts with each other as the temperature increases to accelerate the formation of a gel. Therefore, the liquid supply unit of the above-described embodiment is applicable in the process of supplying the treatment liquid containing fluorine (F).

또한 필터(1500)는 트랩 탱크(1300)보다 펌프(1400)에 더 가깝게 위치된다. 이는 필터(1500)에 의해 처리액이 여과되는 과정에서 처리액의 유속이 느려지는 구간을 최소화하기 위함이다. 예컨대, 필터(1500)와 펌프(1400)는 서로 인접하게 위치되거나, 접촉되게 위치될 수 있다. 이에 따라 제1온도는 펌프(1400)에 악영향을 끼칠 수 있다. In addition, the filter 1500 is located closer to the pump 1400 than the trap tank 1300. This is to minimize a section in which the flow rate of the processing liquid is slowed in the process of filtering the processing liquid by the filter 1500. For example, the filter 1500 and the pump 1400 may be positioned adjacent to each other or may be positioned in contact with each other. Accordingly, the first temperature may adversely affect the pump 1400.

도 12는 도 9의 액 공급 유닛의 다른 실시예를 보여주는 도면이다. 필터(1500)와 트랩 탱크(1300) 사이에는 버퍼 탱크(1450)가 더 설치될 수 있다. 버퍼 탱크(1450)에는 기포가 제거된 처리액이 일시적으로 저장될 수 있다. 버퍼 탱크(1450)에 일정량의 처리액이 채워지면, 일정량의 처리액은 필터(1500)로 공급된다. 이러한 버퍼 탱크(1450)는 처리액을 필터(1500)로 공급하는 펌프(1400) 역할을 함께 수행할 수 있다. 가열 부재(1620)는 버퍼 탱크(1450)와 트랩 탱크(1300)의 사이에 위치된다. 가열 부재(1620)는 버퍼 탱크(1450)와 트랩 탱크(1300)의 사이에 흐르는 처리액을 제1온도로 가열한다. 이에 따라 필터(1500)와 펌프(1400)가 인접하게 위치될지라도, 제1온도가 펌프(1400)에 온도 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다. 12 is a view showing another embodiment of the liquid supply unit of FIG. 9. A buffer tank 1450 may be further installed between the filter 1500 and the trap tank 1300. The buffer tank 1450 may temporarily store the treatment liquid from which air bubbles have been removed. When the buffer tank 1450 is filled with a predetermined amount of processing liquid, the predetermined amount of processing liquid is supplied to the filter 1500. The buffer tank 1450 may serve as a pump 1400 that supplies the treatment liquid to the filter 1500. The heating member 1620 is positioned between the buffer tank 1450 and the trap tank 1300. The heating member 1620 heats the processing liquid flowing between the buffer tank 1450 and the trap tank 1300 to a first temperature. Accordingly, even if the filter 1500 and the pump 1400 are positioned adjacently, it is possible to prevent the first temperature from affecting the pump 1400.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring to FIGS. 3 and 4 again, a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the index module 20 and the transfer chamber 3400. Hereinafter, these buffer chambers are referred to as a front buffer 3802 (front buffer). A plurality of shear buffers 3802 are provided, and are stacked with each other along the vertical direction. The other part of the buffer chambers 3802 and 3804 is disposed between the transfer chamber 3400 and the interface module 40 below. These buffer chambers are referred to as rear buffers 3804 (rear buffer). A plurality of rear end buffers 3804 are provided, and are stacked with each other along the vertical direction. Each of the front end buffers 3802 and the back end buffers 3804 temporarily stores the plurality of substrates W. The substrate W stored in the shear buffer 3802 is carried in or out by the index robot 2200 and the transport robot 3342. The substrate W stored in the rear end buffer 3804 is carried in or out by the transport robot 3342 and the first robot 4602.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. The developing block 30b has a heat treatment chamber 3200, a transfer chamber 3400, and a liquid processing chamber 3600. Since the heat treatment chamber 3200 of the developing block 30b and the transfer chamber 3400 are provided in a structure and arrangement substantially similar to the heat treatment chamber 3200 of the application block 30a, and the transfer chamber 3400, descriptions thereof Is omitted.

현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다. In the developing block 30b, the liquid processing chambers 3600 are all provided to the developing chamber 3600 for supplying the developer in the same way to develop the substrate.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. Referring again to FIGS. 3 and 4, the interface module 40 connects the processing module 30 with the external exposure apparatus 50. The interface module 40 has an interface frame 4100, an additional process chamber 4200, an interface buffer 4400, and a transport member 4600.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit forming a descending air stream therein may be provided at an upper end of the interface frame 4100. The additional process chamber 4200, the interface buffer 4400, and the conveying member 4600 are disposed inside the interface frame 4100. The additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W on which the process is completed in the application block 30a is carried into the exposure apparatus 50. Optionally, the additional process chamber 4200 may perform a predetermined additional process before the substrate W on which the process is completed in the exposure apparatus 50 is carried into the developing block 30b. According to an example, the additional process may be an edge exposure process for exposing the edge region of the substrate W, a top surface cleaning process for cleaning the top surface of the substrate W, or a bottom surface cleaning process for cleaning the bottom surface of the substrate W You can. A plurality of additional process chambers 4200 are provided, and they may be provided to be stacked with each other. All additional process chambers 4200 may be provided to perform the same process. Optionally, some of the additional process chambers 4200 may be provided to perform different processes.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The interface buffer 4400 provides a space where the substrate W transferred between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b temporarily stays during transportation. A plurality of interface buffers 4400 may be provided, and a plurality of interface buffers 4400 may be provided to be stacked on each other.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, an additional process chamber 4200 may be disposed on one side and an interface buffer 4400 on the other side based on an extension line in the longitudinal direction of the transfer chamber 3400.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The transfer member 4600 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, the exposure apparatus 50, and the developing block 30b. The conveying member 4600 may be provided as one or a plurality of robots. According to one example, the transfer member 4600 has a first robot 4602 and a second robot 4606. The first robot 4602 transfers the substrate W between the application block 30a, the additional process chamber 4200, and the interface buffer 4400, and the interface robot 4606 provides an interface buffer 4400 and an exposure device ( The substrate W may be transported between 50), and the second robot 4604 may be provided to transport the substrate W between the interface buffer 4400 and the developing block 30b.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The first robot 4602 and the second robot 4606 each include a hand on which the substrate W is placed, the hand moving forward and backward, rotating about an axis parallel to the third direction 16, and It may be provided to be movable along the three directions (16).

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.The hands of the index robot 2200, the first robot 4602, and the second robot 4606 may all be provided in the same shape as the hand 3420 of the transport robot 3342. Optionally, the hand of the robot that exchanges the substrate W directly with the transfer plate 3240 of the heat treatment chamber is provided in the same shape as the hand 3420 of the transfer robot 3342, and the other robot's hand is provided in a different shape. Can be.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. According to one embodiment, the index robot 2200 is provided to directly exchange the substrate W with the heating unit 3230 of the shear heat treatment chamber 3200 provided in the application block 30a.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. In addition, the transfer robot 3342 provided in the application block 30a and the development block 30b may be provided to directly exchange the substrate W with the transfer plate 3240 positioned in the heat treatment chamber 3200.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다. Next, an embodiment of a method of processing a substrate using the substrate processing apparatus 1 described above will be described.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다. For the substrate W, a coating treatment process (S20), an edge exposure process (S40), an exposure process (S60), and a developing process (S80) are sequentially performed.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The coating treatment process (S20) includes a heat treatment process (S21) in the heat treatment chamber 3200, an antireflection coating process in the shear liquid treatment chamber 3602 (S22), a heat treatment process (S23) in the heat treatment chamber 3200, and a rear stage liquid treatment The photoresist film coating process (S24) in the chamber 3604 and the heat treatment process (S25) in the heat treatment chamber 3200 are sequentially performed.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다. Hereinafter, an example of a transport path of the substrate W from the container 10 to the exposure apparatus 50 will be described.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다. The index robot 2200 takes the substrate W out of the container 10 and transfers it to the shear buffer 3802. The transfer robot 3342 transfers the substrate W stored in the shear buffer 3802 to the shear heat treatment chamber 3200. The substrate W transports the substrate W to the heating unit 3230 by the transport plate 3240. When the heating process of the substrate in the heating unit 3230 is completed, the transfer plate 3240 transfers the substrate to the cooling unit 3220. The transport plate 3240 is in contact with the cooling unit 3220 in a state where the substrate W is supported, and performs a cooling process of the substrate W. When the cooling process is completed, the transfer plate 3240 is moved to the upper portion of the cooling unit 3220, and the transfer robot 3342 removes the substrate W from the heat treatment chamber 3200 to the shear liquid treatment chamber 3602. Returns.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다. The anti-reflection film is applied on the substrate W in the shear liquid treatment chamber 3602.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다. The transfer robot 3342 carries the substrate W out of the shear liquid treatment chamber 3602 and carries the substrate W into the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, the above-described heating and cooling processes are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3342 unloads the substrate W and transfers it to the rear stage liquid processing chamber 3604.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다. Thereafter, a photoresist film is applied on the substrate W in the rear end liquid processing chamber 3604.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다. The transfer robot 3342 carries out the substrate W from the rear stage liquid processing chamber 3604 to bring the substrate W into the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, the above-described heating and cooling processes are sequentially performed, and when each heat treatment process is completed, the transfer robot 3342 transfers the substrate W to the rear end buffer 3804. The first robot 4602 of the interface module 40 takes the substrate W out of the rear end buffer 3804 and transfers it to the auxiliary process chamber 4200.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.The edge exposure process is performed on the substrate W in the auxiliary process chamber 4200.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the auxiliary process chamber 4200 and conveys the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.Thereafter, the second robot 4606 takes the substrate W out of the interface buffer 4400 and transfers it to the exposure apparatus 50.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. The development treatment process (S80) is performed by sequentially performing a heat treatment process (S81) in a heat treatment chamber 3200, a development process (S82) in a liquid treatment chamber 3600, and a heat treatment process (S83) in a heat treatment chamber 3200 in sequence. do.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다, Hereinafter, an example of the transport path of the substrate W from the exposure apparatus 50 to the container 10 will be described.

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.The second robot 4606 takes the substrate W out of the exposure apparatus 50 and transfers the substrate W to the interface buffer 4400.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다. Thereafter, the first robot 4602 removes the substrate W from the interface buffer 4400 and conveys the substrate W to the rear end buffer 3804. The transfer robot 3342 transfers the substrate W from the rear end buffer 3804 to transfer the substrate W to the heat treatment chamber 3200. In the heat treatment chamber 3200, a heating process and a cooling process of the substrate W are sequentially performed. When the cooling process is completed, the substrate W is transferred to the developing chamber 3600 by the transfer robot 3342.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다. The developing chamber 3600 is supplied with a developer on the substrate W to perform a developing process.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다. The substrate W is taken out of the developing chamber 3600 by the transfer robot 3342 and is carried into the heat treatment chamber 3200. The substrate W is sequentially heated and cooled in the heat treatment chamber 3200. When the cooling process is completed, the substrate W is taken out of the heat treatment chamber 3200 by the transfer robot 3422 and transferred to the shear buffer 3802.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다. Thereafter, the index robot 2200 removes the substrate W from the shear buffer 3802 and transfers it to the container 10.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.It has been described that the processing block of the substrate processing apparatus 1 described above performs a coating treatment process and a development treatment process. However, unlike this, the substrate processing apparatus 1 may include only the index module 20 and the processing block 37 without an interface module. In this case, the processing block 37 performs only the coating process, and the film applied on the substrate W may be a spin-on hard mask film (SOH).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the above-described content is to describe and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the scope of the art or knowledge in the art. The embodiments described describe the best conditions for implementing the technical spirit of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

1100: 노즐 1150: 액 수용 부재
1200: 액 공급 라인 1300: 트랩 탱크
1400: 펌프 1500: 필터
1600: 온도 조절 부재1100: nozzle 1150: liquid receiving member
1200: liquid supply line 1300: trap tank
1400: pump 1500: filter
1600: no temperature control

Claims (16)

액을 공급하는 방법에 있어서,
액 공급 라인으로부터 공급되는 처리액을 필터로 여과시켜 노즐로 공급하되,
상기 필터로 여과하기 전에 상기 처리액을 제1온도를 조절하여 상기 처리액으로부터 불순물의 형성 및 경화를 가속시키고, 상기 불순물이 상기 필터를 통과하는 것을 억제하는 액 공급 방법.In the method of supplying the liquid,
Filter the treatment liquid supplied from the liquid supply line with a filter and supply it to the nozzle.
A liquid supply method for controlling the first temperature of the treatment liquid before filtration with the filter to accelerate the formation and curing of impurities from the treatment liquid, and to inhibit the impurities from passing through the filter. 제1항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하되,
상기 불순물은 젤(Gel) 형태로 제공되는 액 공급 방법.According to claim 1,
The treatment solution includes a photosensitive solution,
The impurity is a liquid supply method provided in the form of a gel. 제2항에 있어서,
상기 처리액은 상기 필터를 통과한 후에 항온 부재에 의해 제2온도로 유지되는 액 공급 방법.According to claim 2,
The method of supplying the liquid is maintained at a second temperature by the constant temperature member after passing through the filter. 제3항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 높은 온도로 제공되며,
상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함하는 액 공급 방법.According to claim 3,
The first temperature is provided at a temperature higher than the second temperature,
The first temperature is a liquid supply method comprising 40 to 50 degrees. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 처리액은 상기 필터의 상류에 위치된 트랩 탱크에 의해 기포가 제거되고,
상기 처리액은 상기 필터와 상기 트랩 탱크의 사이 영역에서 상기 제1온도로 가열되는 액 공급 방법. The method according to any one of claims 1 to 4,
Air bubbles are removed from the treatment liquid by a trap tank located upstream of the filter,
The processing liquid is a liquid supply method that is heated to the first temperature in the region between the filter and the trap tank. 액을 공급하는 장치에 있어서,
처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 라인과;
상기 액 공급 라인에 설치되어 상기 처리액으로부터 불순물을 여과하는 필터와;
상기 필터의 상류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제1온도로 조절하는 가열 부재를 가지는 온도 조절 부재를 포함하는 액 공급 유닛.In the device for supplying a liquid,
A nozzle for discharging the treatment liquid;
A liquid supply line supplying the processing liquid to the nozzle;
A filter installed on the liquid supply line to filter impurities from the treatment liquid;
A liquid supply unit including a temperature control member having a heating member that adjusts the processing liquid flowing in the liquid supply line upstream of the filter to a first temperature. 제6항에 있어서,
상기 처리액은 감광액을 포함하는 액 공급 유닛.The method of claim 6,
The processing liquid is a liquid supply unit containing a photosensitive liquid. 제7항에 있어서,
상기 온도 조절 부재는,
상기 필터의 하류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제2온도로 유지시키는 항온 부재를 더 포함하는 액 공급 유닛.The method of claim 7,
The temperature control member,
A liquid supply unit further comprising a constant temperature member for maintaining the processing liquid flowing in the liquid supply line downstream of the filter at a second temperature. 제8항에 있어서,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 더 높은 온도로 제공되며,
상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함하는 액 공급 유닛.The method of claim 8,
The first temperature is provided at a higher temperature than the second temperature,
The first temperature is a liquid supply unit comprising 40 to 50 degrees. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유닛은,
상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액의 기포를 제거하며, 상기 필터의 상류에 위치되는 트랩 탱크를 더 포함하되,
상기 가열 부재는 상기 트랩 탱크와 상기 필터의 사이에 위치되는 액 공급 유닛.The method according to any one of claims 6 to 9,
The unit,
To remove the bubbles of the processing liquid flowing in the liquid supply line, further comprising a trap tank located upstream of the filter,
The heating member is a liquid supply unit positioned between the trap tank and the filter. 제10항에 있어서,
상기 유닛은.
상기 처리액이 상기 노즐에 공급되도록 상기 액 공급 라인에서 상기 처리액을 가압하는 펌프를 더 포함하되,
상기 펌프는 상기 필터의 하류에 위치되는 액 공급 유닛.The method of claim 10,
The unit.
Further comprising a pump for pressurizing the processing liquid in the liquid supply line so that the processing liquid is supplied to the nozzle,
The pump is a liquid supply unit located downstream of the filter. 제10항에 있어서,
상기 불순물은 상기 처리액에서 형성된 젤(Gel)을 포함하고,
상기 젤의 형성 및 경화는 상기 온도 조절 부재에 의해 가속되는 액 공급 유닛.The method of claim 10,
The impurities include a gel formed from the treatment liquid,
The formation and curing of the gel is accelerated by the temperature control member, a liquid supply unit. 제12항에 있어서,
상기 필터는 복수의 타공을 가지며,
상기 제1온도는 상기 처리액이 상기 특정 구간을 흐르는 중에 상기 불순물이 상기 타공보다 큰 크기를 가지도록 상기 불순물을 활성화시키는 온도로 제공되는 액 공급 유닛,The method of claim 12,
The filter has a plurality of perforations,
The first temperature is a liquid supply unit provided at a temperature that activates the impurities such that the impurities have a larger size than the perforations while the processing liquid flows through the specific section, 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판을 지지 및 회전시키는 기판 지지 유닛과;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛을 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 토출하는 노즐과;
상기 노즐에 상기 처리액을 공급하는 액 공급 라인과;
상기 액 공급 라인에 설치되어 상기 처리액으로부터 상기 불순물을 여과하는 필터와;
상기 필터의 상류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제1온도로 조절하는 가열 부재를 가지는 온도 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing a substrate,
A substrate support unit for supporting and rotating the substrate;
A liquid supply unit for supplying a processing liquid on the substrate supported on the substrate support unit,
The liquid supply unit,
A nozzle for discharging the treatment liquid;
A liquid supply line supplying the processing liquid to the nozzle;
A filter installed on the liquid supply line to filter the impurities from the treatment liquid;
And a temperature control member having a heating member that adjusts the processing liquid flowing in the liquid supply line upstream of the filter to a first temperature. 제14항에 있어서,
상기 온도 조절 부재는,
상기 필터의 하류에서 상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액을 제2온도로 유지시키는 항온 부재를 더 포함하되,
상기 제1온도는 상기 제2온도보다 더 높은 온도로 제공되며,
상기 제1온도는 40 내지 50 도를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 14,
The temperature control member,
Further comprising a constant temperature member for maintaining the processing liquid flowing in the liquid supply line downstream of the filter at a second temperature,
The first temperature is provided at a higher temperature than the second temperature,
The first temperature is a substrate processing apparatus comprising 40 to 50 degrees. 제14항 또는 제15항에 있어서,
상기 액 공급 유닛은,
상기 액 공급 라인에 흐르는 상기 처리액의 기포를 제거하며, 상기 필터의 상류에 위치되는 트랩 탱크를 더 포함하되,
상기 가열 부재는 상기 트랩 탱크와 상기 필터의 사이에 위치되는 기판 처리 장치.




The method of claim 14 or 15,
The liquid supply unit,
To remove the bubbles of the processing liquid flowing in the liquid supply line, further comprising a trap tank located upstream of the filter,
The heating member is a substrate processing apparatus positioned between the trap tank and the filter.




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