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KR20200038181A - 전력 증폭 회로 - Google Patents

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KR20200038181A
KR20200038181A KR1020190117168A KR20190117168A KR20200038181A KR 20200038181 A KR20200038181 A KR 20200038181A KR 1020190117168 A KR1020190117168 A KR 1020190117168A KR 20190117168 A KR20190117168 A KR 20190117168A KR 20200038181 A KR20200038181 A KR 20200038181A
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사토시 타나카
사토시 아라야시키
사토시 고토
유스케 타나카
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

(과제) 엔벨로프 트래킹을 적합하게 행하는 것을 가능하게 한다.
(해결 수단) 전력 증폭 회로는 이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 제 1 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 제 3 고주파 신호를 출력하는 제 1 트랜지스터와, 이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 제 2 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 제 4 고주파 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터와, 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 제 1 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 1 용량 회로와, 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 제 2 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 2 용량 회로를 포함한다.

Description

전력 증폭 회로{POWER AMPLIFIER CIRCUIT}
본 발명은 전력 증폭 회로에 관한 것이다.
무선 통신 단말 장치에 탑재되는 전력 증폭 회로에서는 전력 효율의 향상이 요구된다. 전력 효율의 향상을 도모하는 하나의 방식으로서 입력 신호의 진폭 레벨 에 따라 전력 증폭 회로의 전원 전압을 제어하는 엔벨로프 트래킹 방식이 있다.
하기 특허문헌 1에는 엔벨로프 트래킹 방식의 전력 증폭 모듈이 기재되어 있다.
국제공개 제2015/001851호
현재, 제 2 세대 이동 통신 시스템(예를 들면, GSM(등록상표)), 제 3 세대 이동 통신 시스템(예를 들면, W-CDMA, UMTS, CDMA2000 1x) 및 제 4 세대 이동 통신 시스템(예를 들면, LTE(Long Term Evolution), LTE-Advanced)이 운용되고 있다. 또한, 제 5 세대 이동 통신 시스템(5G)이 실용화되려고 하고 있다. 제 5 세대 이동 통신 시스템에서는 고주파 신호의 주파수는 3.3GHz로부터 4.2GHz/3.3GHz로부터 3.8GHz의 3.5GHz대 및 4.5GHz로부터 4.99GHz의 4.5GHz대가 예시된다. 변조 신호의 대역에 주목하면, W-CDMA에서는 1.25MHz, LTE에서는 20MHz, LTE-Advance에서는 60MHz, 5G에서는 200MHz로 증가하고 있다. 따라서, 변조 대역폭이 넓어짐으로써 엔벨로프 트래커측의 속도가 변조 대역폭에 달하지 않으므로 엔벨로프 트래커측을 이산적인 제어를 행함으로써 변조 대역폭이 넓어져도 그 신호 속도까지 대응할 수 있다.
디지털 제어로 엔벨로프 트래킹을 행하는 전원 회로는 고주파 신호의 변조 신호 대역이 상기와 같이 높아지면, 전력 증폭 회로의 전원 전압을 변조 신호의 엔벨로프 신호에 추종시키는 것이 곤란해진다. 이 때문에 예를 들면, 엔벨로프 신호보다 느린 주기에서 계단 형상(스텝 형상)의 신호를 발생시키는 방식이 검토되고 있다.
전력 증폭 회로 내의 트랜지스터의 이득은 전원 전압 의존성이 있다. 따라서, 전원 전압의 파형이 스텝 형상으로 변화되면, 전력 증폭 회로의 이득이 스텝 형상으로 변화되어버린다. 따라서, 엔벨로프 트래킹의 전원이 스텝 형상으로 변화되면, 전력 증폭 회로는 이산적인 이득에 의해 증폭되어버리기 때문에 아날로그적인 매끄러운 증폭을 행할 수 없다.
본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것이며, 이산적인 전압을 출력하는 엔벨로프 트래킹 방식에서의 전력 증폭기의 연속적인 증폭을 할 수 있는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일측면의 전력 증폭 회로는 정극성의 제 1 고주파 신호 및 부극성의 제 2 고주파 신호를 포함하는 제 1 고주파 차동 신호를 증폭해서 부극성의 제 3 고주파 신호 및 정극성의 제 4 고주파 신호를 포함하는 제 2 고주파 차동 신호를 출력하는 전력 증폭 회로로서, 이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 제 1 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 제 3 고주파 신호를 출력하는 제 1 트랜지스터와, 이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 제 2 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 제 4 고주파 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터와, 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 제 1 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 1 용량 회로와, 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 제 2 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 2 용량 회로를 포함한다.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면, 이득의 전원 전압 의존성을 억제하고, 디지털 방식의 엔벨로프 트래킹을 사용한 전력 증폭을 적합하게 행하는 것이 가능해진다.
도 1은 제 1 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 전압과, 콜렉터-베이스 간 용량의 관계를 나타내는 도면이다.
도 3은 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다.
도 5는 전원 전압의 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 제 1 실시형태의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다.
도 8은 제 2 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 제 3 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다.
이하에 본 발명의 전력 증폭 회로의 실시형태를 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 또한, 이 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 각 실시형태는 예시이며, 상이한 실시형태에서 나타낸 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것은 물론이다. 제 2 실시형태 이후에서는 제 1 실시형태와 공통의 사항에 대한 기술을 생략하고, 상이한 점에 대해서만 설명한다. 특히, 동일한 구성에 의한 동일한 작용 효과에 대해서는 실시형태마다 하나하나 언급하지 않는다.
(제 1 실시형태)
도 1은 제 1 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다. 전력 증폭기(1)는 무선 주파수의 고주파 차동 신호(RF1)를 증폭해서 무선 주파수의 고주파 차동 신호(RF3)를 출력한다. 고주파 차동 신호(RF1)는 정극성의 고주파 신호(RF1P)와, 부극성의 고주파 신호(RF1N)를 포함한다. 고주파 차동 신호(RF3)는 정극성의 고주파 신호(RF3P)와, 부극성의 고주파 신호(RF3N)를 포함한다.
고주파 차동 신호(RF1)가 본 개시의 「제 1 고주파 차동 신호」에 대응한다. 고주파 신호(RF1P)가 본 개시의 「제 1 고주파 신호」에 대응한다. 고주파 신호(RF1N)가 본 개시의 「제 2 고주파 신호」에 대응한다.
전력 증폭기(1)는 휴대 전화 장치에서 예시되는 이동체 통신 장치에 있어서, 음성, 데이터 등의 각종 신호를 기지국으로 송신하기 위해서 이용가능하다. 전력 증폭기(1)는 1개의 반도체 칩(다이) 상에 형성되어도 좋다.
전력 증폭기(1)는 제 1 단의 전력 증폭 회로(2)와, 제 2 단의 전력 증폭 회로(3)를 포함한다. 제 1 실시형태에서는 전력 증폭 회로의 단수를 2단으로 했지만,본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 전력 증폭 회로의 단수는 1단이어도 좋고, 3단 이상이어도 좋다.
전력 증폭 회로(2)는 고주파 차동 신호(RF1)를 증폭한다. 그리고, 전력 증폭 회로(2)는 증폭 후의 고주파 차동 신호(RF2)를 전력 증폭 회로(3)에 출력한다. 고주파 차동 신호(RF2)는 정극성의 고주파 신호(RF2P)와 부극성의 고주파 신호(RF2N)를 포함한다. 전력 증폭 회로(3)는 고주파 차동 신호(RF2)를 증폭한다. 그리고, 전력 증폭 회로(3)는 증폭 후의 고주파 차동 신호(RF3)를 출력한다.
고주파 차동 신호(RF2)가 본 개시의 「제 2 고주파 차동 신호」에 대응한다. 고주파 신호(RF2N)가 본 개시의 「제 3 고주파 신호」에 대응한다. 고주파 신호(RF2P)가 본 개시의 「제 4 고주파 신호」에 대응한다.
고주파 차동 신호(RF1), 고주파 차동 신호(RF2) 및 고주파 차동 신호(RF3)의 주파수는 수백 MHz(메가헤르츠)로부터 수십 GHz(기가헤르츠) 정도가 예시되지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
이하, 전력 증폭 회로(2)의 구성을 설명한다. 또한, 전력 증폭 회로(3)의 구성은 전력 증폭 회로(2)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
전력 증폭 회로(2)는 차동 증폭 회로이다. 전력 증폭 회로(2)는 트랜지스터(Q1 및 Q2)를 포함한다.
트랜지스터(Q1)가 본 개시의 「제 1 트랜지스터」에 대응한다. 트랜지스터(Q2)가 본 개시의 「제 2 트랜지스터」에 대응한다.
제 1 실시형태에서는 트랜지스터(Q1 및 Q2)는 헤테로 접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor: HBT)가 예시되지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 트랜지스터(Q1 및 Q2)는 예를 들면, 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transistor: FET)이어도 좋다. 트랜지스터(Q1 및 Q2)는 복수의 단위 트랜지스터(핑거라고도 함)를 전기적으로 병렬 접속한 멀티 핑거 트랜지스터이어도 좋다. 단위 트랜지스터란 트랜지스터가 구성되는 최소한의 구성을 말한다.
트랜지스터(Q1)의 이미터 및 트랜지스터(Q2)의 이미터는 기준 전위에 전기적으로 접속되어 있다. 기준 전위는 접지 전위가 예시되지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
트랜지스터(Q1)는 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)을 갖는다. 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)은 콜렉터(N형 반도체)와 베이스(P형 반도체) 사이의 접합 용량이다. 마찬가지로, 트랜지스터(Q2)는 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)을 갖는다.
전력 증폭 회로(2)는 바이어스 회로(11 및 12)를 포함한다. 바이어스 회로(11)는 전원 전위(Vccb)의 공급을 받아 일정 바이어스 전위(바이어스 전류)를 트랜지스터(Q1)의 베이스에 출력한다. 바이어스 회로(12)는 전원 전위(Vccb)의 공급을 받아 일정 바이어스 전위(바이어스 전류)를 트랜지스터(Q2)의 베이스에 출력한다.
전력 증폭 회로(2)는 초크 인덕터(13 및 14)를 포함한다. 트랜지스터(Q1)의 콜렉터는 초크 인덕터(13)를 개재하여 전원 회로(31)에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(Q2)의 콜렉터는 초크 인덕터(14)를 개재하여 전원 회로(31)에 전기적으로 접속되어 있다.
초크 인덕터(13 및 14)는 교류 전력을 통과시키지 않는 기능을 담당하고 있다. 초크 인덕터(13 및 14)는 고주파 차동 신호(RF1) 및 고주파 차동 신호(RF2)의 주파수 대역에 대해서 충분히 높은 임피던스를 갖는 것으로 한다. 즉, 초크 인덕터(13 및 14)의 임피던스는 고주파 차동 신호(RF1) 및 고주파 차동 신호(RF2)의 주파수 대역을 고려할 때, 무시할 수 있는 것으로 한다. 또한, 초크 인덕터(13 및 14)는 고주파 차동 신호(RF1) 및 고주파 차동 신호(RF2)의 전원 회로(31)에의 누설을 억제한다.
전원 회로(31)는 고주파 차동 신호(RF1)의 진폭 레벨에 따른 전원 전위(VCC1)를 초크 인덕터(13)를 개재하여 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 출력함과 아울러 초크 인덕터(14)를 개재하여 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 출력한다.
즉, 전원 회로(31)는 고주파 차동 신호(RF1)의 진폭 레벨에 따라 전력 증폭 회로(2)의 전원 전위(VCC1)를 제어함으로써 전력 효율의 향상을 도모하는 엔벨로프 트래킹 제어를 행하는 엔벨로프 트래커이다.
전력 증폭 회로(2)는 커플링 콘덴서(15 및 16)를 포함한다. 커플링 콘덴서(15)의 일단은 트랜지스터(Q1)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(Q1)의 베이스에는 커플링 콘덴서(15)를 개재하여 정극성의 고주파 신호(RF1P)가 입력된다. 커플링 콘덴서(16)의 일단은 트랜지스터(Q2)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(Q2)의 베이스에는 커플링 콘덴서(16)를 개재하여 부극성의 고주파 신호(RF1N)가 입력된다.
트랜지스터(Q1 및 Q2)의 각각은 콜렉터 출력의 이미터 접지 회로로서 동작한다. 따라서, 트랜지스터(Q1)는 정극성의 고주파 신호(RF1P)를 반전 증폭한 부극성의 고주파 신호(RF2N)를 콜렉터로부터 출력한다. 또한, 트랜지스터(Q2)는 부극성의 고주파 신호(RF1N)를 반전 증폭한 정극성의 고주파 신호(RF2P)를 콜렉터로부터 출력한다.
전력 증폭 회로(2)가 차동 증폭 회로이므로 트랜지스터(Q1)의 사이즈(핑거수)와 트랜지스터(Q2)의 사이즈(핑거수)는 같은 것이 바람직하지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
전력 증폭 회로(2)는 트랜지스터(CP1 및 CP2)를 포함한다.
트랜지스터(CP1)의 콜렉터는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(CP1)의 베이스는 트랜지스터(Q1)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다.
제 1 실시형태에서는 트랜지스터(CP1)의 이미터는 트랜지스터(CP1)의 베이스(트랜지스터(Q1)의 베이스)에 전기적으로 접속되어 있는 것으로 하지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 트랜지스터(CP1)의 이미터는 어디에도 접속되지 않고 오픈(플로팅)이어도 좋다. 단, 트랜지스터(CP1)의 이미터가 트랜지스터(CP1)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있으면, 트랜지스터(CP1)의 이미터의 전위가 안정되고, 노이즈 내성이 높아져 노이즈를 억제할 수 있다.
트랜지스터(CP2)의 콜렉터는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 전기적으로 접속되어 있다. 트랜지스터(CP2)의 베이스는 트랜지스터(Q2)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다.
제 1 실시형태에서는 트랜지스터(CP2)의 이미터는 트랜지스터(CP2)의 베이스(트랜지스터(Q2)의 베이스)에 전기적으로 접속되어 있는 것으로 하지만, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다. 트랜지스터(CP2)의 이미터는 어디에도 접속되지 않고 오픈(플로팅)이어도 좋다. 단, 트랜지스터(CP2)의 이미터가 트랜지스터(CP2)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있으면, 트랜지스터(CP2)의 이미터의 전위가 안정되고, 노이즈 내성이 높아져 노이즈를 억제할 수 있다.
즉, 트랜지스터(CP1 및 CP2)는 트랜지스터(Q1)의 베이스와 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 사이 및 트랜지스터(Q2)의 베이스와 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 사이를 크로스 커플링한다.
트랜지스터(CP1)가 본 개시의 「제 3 트랜지스터」 및 「제 1 용량 회로」에 대응한다. 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량값은 트랜지스터(Q1)와 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위가 같은 경우, 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)과 대략 같은 값으로 하는 것이 많다. 트랜지스터(CP2)가 본 개시의 「제 4 트랜지스터」 및 「제 2 용량 회로」에 대응한다. 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량값은 트랜지스터(Q1)와 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위가 같은 경우, 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)과 대략 같은 값으로 하는 것이 많다.
트랜지스터(CP1 및 CP2)의 작용에 대해서 설명하기에 앞서 비교예에 대해서 설명한다. 비교예의 일례로서 전력 증폭 회로(2 및 3)가 트랜지스터(CP1 및 CP2)를 포함하지 않는 경우를 상정한다.
도 2는 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 전압과, 콜렉터-베이스 간 용량의 관계를 나타내는 도면이다. 도 2의 파형(41)에 나타내는 바와 같이 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 용량은 콜렉터-베이스 간 전압이 높아질수록 작아지고, 콜렉터-베이스 간 전압이 낮아질수록 커지도록 비선형으로 변화된다.
콜렉터로부터 출력되는 출력 신호는 콜렉터-베이스 간 용량을 통해 베이스로 귀환된다. 여기서, 이미터 접지 회로는 반전 증폭 회로이다. 즉, 콜렉터로부터 출력되는 출력 신호의 전압의 극성은 베이스에 입력되는 입력 신호의 전압의 극성에 대해서 반전된다. 따라서, 콜렉터-베이스 간 용량은 부귀환 작용을 갖고, 이득을 저하시키는 작용을 갖는다. 부귀환의 강도(이득의 저하 정도)는 콜렉터-베이스 간 용량이 클수록(콜렉터-베이스 간 전압이 낮을수록) 강하고, 콜렉터-베이스 간 용량이 작을수록(콜렉터-베이스 간 전압이 높을수록) 약하다. 즉, 전력 증폭 회로의 이득은 전원 전압 의존성이 강하다.
도 3은 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다. 파형(51)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 1 전압(V1)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(52)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 2 전압(V2)(V1<V2)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(53)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 3 전압(V3)(V2<V3)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(54)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 4 전압(V4)(V3<V4)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(55)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 5 전압(V5)(V4<V5)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(56)은 콜렉터-베이스 간 전압이 제 6 전압(V6)(V5<V6)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다.
앞서 설명한 바와 같이, 부귀환의 강도(이득의 저하 정도)는 콜렉터-베이스 간 용량이 클수록(콜렉터-베이스 간 전압이 낮을수록) 강하고, 콜렉터-베이스 간 용량이 작을수록(콜렉터-베이스 간 전압이 높을수록) 약하다. 따라서, 도 3에 나타내는 바와 같이 콜렉터-베이스 간 전압이 낮을수록 이득이 낮아지고, 콜렉터-베이스 간 전압이 높을수록 이득이 높아진다.
도 4는 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다. 만약 엔벨로프 트래커인 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 V2로부터 V6까지 매끄럽게(연속적, 아날로그적) 변화시킬 수 있으면 파형(61)에 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로의 이득을 일정하게 할 수 있다.
그러나, 전원 회로(31)는 고주파 신호의 변조 신호 대역이 높아지면, 전력 증폭 회로의 전원 전압을 매끄럽게 제어할 수 없어진다. 즉, 전원 전압의 파형이 계단 형상(스텝 형상, 이산적)으로 변화되어버린다.
도 5는 전원 전압의 예를 나타내는 도면이다. 파형(71)은 고주파 신호를 나타낸다. 파형(72)은 전원 전압의 일례를 나타낸다. 파형(73)은 전원 전압의 다른 일례를 나타낸다.
디지털 제어로 엔벨로프 트래킹을 행하는 전원 회로(31)는 고주파 신호의 변조 신호 대역이 높아지면, 전력 증폭 회로의 전원 전압을 매끄럽게 제어할 수 없어진다. 즉, 파형(72 또는 73)에 나타내는 바와 같이 전원 전압의 파형이 계단 형상(스텝 형상, 이산적)으로 변화되어버린다.
이득의 전원 전압 의존성이 강하면, 파형(72 또는 73)에 포함되는 고조파 성분(고주파 성분)이 고주파 신호의 대역으로 변조되어 고주파 출력 신호에 중첩되어버린다.
도 6은 비교예의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다. 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 V2→V3→V4→V5→V6으로 계단 형상(스텝 형상, 이산적)으로 변화시키면, 파형(81)에 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로의 이득이 크게 변동된다. 예를 들면, 고주파 신호의 전력이 P1일 때에 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 V2로부터 V3으로 변화시키면, 화살표(82)로 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로의 이득의 변화량은 크다. 즉, 전력 증폭 회로는 선형 증폭을 행할 수 없다.
여기서, 다시 도 1을 참조하면, 제 1 실시형태의 전력 증폭 회로(2)는 트랜지스터(CP1 및 CP2)를 갖는다.
트랜지스터(CP1)의 콜렉터는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(CP1)의 베이스는 트랜지스터(Q1)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 고주파 신호(RF2P)는 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량을 통해 트랜지스터(Q1)의 베이스로 귀환된다. 여기서, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터로부터 출력되는 고주파 신호(RF2P)의 전압의 극성은 트랜지스터(Q1)의 베이스에 입력되는 고주파 신호(RF1P)의 전압의 극성과 동극성이다. 따라서, 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량은 정귀환 작용을 갖고, 트랜지스터(Q1)의 이득을 상승시키는 작용을 갖는다.
트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)과 실질적으로 같은 것이 바람직하다. 즉, 트랜지스터(CP1)의 사이즈(핑거수)는 트랜지스터(Q1)의 사이즈(핑거수)와 같은 것이 바람직하다. 이것에 의해 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량과 실질적으로 같아진다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
마찬가지로, 트랜지스터(CP2)의 콜렉터는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(CP2)의 베이스는 트랜지스터(Q2)의 베이스에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 고주파 신호(RF2N)는 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량을 통해 트랜지스터(Q2)의 베이스로 귀환된다. 여기서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터로부터 출력되는 고주파 신호(RF2N)의 전압의 극성은 트랜지스터(Q2)의 베이스에 입력되는 고주파 신호(RF1N)의 전압의 극성과 동극성이다. 따라서, 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량은 정귀환 작용을 갖고, 트랜지스터(Q2)의 이득을 상승시키는 작용을 갖는다.
트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)과 실질적으로 같은 것이 바람직하다. 즉, 트랜지스터(CP2)의 사이즈(핑거수)는 트랜지스터(Q2)의 사이즈(핑거수)와 같은 것이 바람직하다. 이것에 의해 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량과 실질적으로 같아진다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
예를 들면, 고주파 차동 신호(RF1 및 RF2)의 전압 진폭이 작은 경우는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)과, 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량은 실질적으로 같아진다. 또한, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전위와, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 전위는 실질적으로 같아진다. 또한, 트랜지스터(Q1)의 베이스 전위와, 트랜지스터(Q2)의 베이스 전위는 실질적으로 같아진다. 따라서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량과, 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량은 실질적으로 같아진다. 이것에 의해 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 상쇄된다.
도 7은 제 1 실시형태의 전력 증폭 회로의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타내는 도면이다. 파형(91)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 1 전압(V1)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(92)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 2 전압(V2)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(93)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 3 전압(V3)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(94)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 4 전압(V4)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(95)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 5 전압(V5)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다. 파형(96)은 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 제 6 전압(V6)인 경우의 고주파 신호의 전력과 이득의 관계를 나타낸다.
전력 증폭 회로(2)에서는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 상쇄된다. 마찬가지로 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 상쇄된다. 따라서, 전력 증폭 회로(2)에서는 트랜지스터(Q1 및 Q2)의 콜렉터-베이스 간 전압이 변화되어도 이득의 저하가 억제된다. 즉, 전력 증폭 회로의 이득은 전원 전압 의존성이 약하다.
전력 증폭 회로(2)에서는 이득의 전원 전압 의존성이 약하다. 따라서, 전력 증폭 회로(2)는 파형(72 또는 73)(도 5 참조)에 포함되는 고조파 성분(고주파 성분)이 고주파 신호의 대역으로 변조되는 것을 억제할 수 있어 고주파 출력 신호에 중첩되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 V2→V3→V4→V5→V6으로 계단 형상(스텝 형상, 이산적)으로 변화시켜도 전력 증폭 회로(2)는 파형(101)에 나타내는 바와 같이 이득의 변동을 억제할 수 있다. 예를 들면, 고주파 신호의 전력이 P1일 때에 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 V2로부터 V4로 변화시켜도 화살표(102)로 나타내는 바와 같이 전력 증폭 회로의 이득의 변화량은 화살표 (82)(도 6 참조)보다 억제된다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(2)는 비선형성을 억제할 수 있고, 선형성을 높일 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 전력 증폭 회로(2)는 트랜지스터(CP1 및 CP2)를 구비함으로써 이득의 전원 전압 의존성을 약화시킬 수 있다.
이것에 의해 전력 증폭 회로(2)는 전원 전압(도 5의 파형(72 및 73) 참조)의 고조파가 고주파 신호의 대역으로 변조되는 것을 억제할 수 있어 고주파 신호에 중첩되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 전력 증폭 회로(2)는 전원 회로(31)가 콜렉터-베이스 간 전압을 계단 형상(스텝 형상, 이산적)으로 변화시켜도 이득의 변동을 억제할 수 있다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(2)는 비선형성을 억제할 수 있고, 선형성을 높일 수 있다.
이것에 의해 전력 증폭 회로(2)는 엔벨로프 트래킹을 적합하게 행할 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 8은 제 2 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다. 전력 증폭기(1A)는 전력 증폭 회로(2A 및 3A)를 포함한다. 전력 증폭 회로(2A)는 전력 증폭 회로(2)와 비교해서 콘덴서(C1, C2, C3 및 C4)를 더 포함한다. 전력 증폭 회로(3A)의 회로 구성은 전력 증폭 회로(2A)의 회로 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
콘덴서(C1)가 본 개시의 「제 1 콘덴서」에 대응한다. 콘덴서(C2)가 본 개시의 「제 2 콘덴서」에 대응한다.
콘덴서(C3)가 본 개시의 「제 3 콘덴서」에 대응한다. 트랜지스터(CP1)와 콘덴서(C3)의 병렬 접속 회로가 본 개시의 「제 1 용량 회로」에 대응한다.
콘덴서(C4)가 본 개시의 「제 4 콘덴서」에 대응한다. 트랜지스터(CP2)와 콘덴서(C4)의 병렬 접속 회로가 본 개시의 「제 2 용량 회로」에 대응한다.
콘덴서(C1)는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 콘덴서(C1)는 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)과 병렬 접속되어 있다. 따라서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량은 콘덴서(C1)와, 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 합이다.
트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)이 비선형의 용량인 것에 대해서 콘덴서(C1)는 선형의 용량이다. 따라서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량은 비선형성이 억제되고, 선형성이 높아진다.
트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 비선형성을 억제하는 관점으로부터는 콘덴서(C1)의 용량을 크게 하는 것이 바람직하다. 단, 콘덴서(C1)의 용량을 지나치게 크게 하면, 전력 증폭 회로(2A)의 주파수 특성의 저하 등을 초래할 가능성이 있다. 따라서, 콘덴서(C1)의 용량은 전력 증폭 회로(2A)의 주파수 특성의 저하 등을 허용할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 크게 하는 것이 바람직하다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
콘덴서(C1)가 설치된 것에 대응하여 콘덴서(C3)가 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와, 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 콘덴서(C3)는 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량과 병렬 접속되어 있다. 따라서, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와, 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이의 총 용량은 콘덴서(C3)와, 트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량의 합이다.
트랜지스터(CP1)의 콜렉터-베이스 간 용량이 비선형의 용량인 것에 대해서 콘덴서(C3)는 선형의 용량이다. 따라서, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이의 총 용량은 비선형성이 억제되고, 선형성이 높아진다.
콘덴서(C3)의 용량은 콘덴서(C1)의 용량과 실질적으로 같은 것이 바람직하다. 이것에 의해 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이의 총 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 상쇄된다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
마찬가지로, 콘덴서(C2)는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와, 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 콘덴서(C2)는 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)과 병렬 접속되어 있다. 따라서, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량은 콘덴서(C2)와, 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)의 합이다.
트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)이 비선형의 용량인 것에 대해서 콘덴서(C2)는 선형의 용량이다. 따라서, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량은 비선형성이 억제되고, 선형성이 높아진다.
트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 비선형성을 억제하는 관점으로부터는 콘덴서(C2)의 용량을 크게 하는 것이 바람직하다. 단, 콘덴서(C2)의 용량을 지나치게 크게 하면, 전력 증폭 회로(2A)의 주파수 특성의 저하 등을 초래할 가능성이 있다. 따라서, 콘덴서(C2)의 용량은 전력 증폭 회로(2A)의 주파수 특성의 저하 등을 허용할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 크게 하는 것이 바람직하다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
콘덴서(C2)가 설치된 것에 대응하여 콘덴서(C4)가 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와, 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 콘덴서(C4)는 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량과 병렬 접속되어 있다. 따라서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와, 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이의 총 용량은 콘덴서(C4)와, 트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량의 합이다.
트랜지스터(CP2)의 콜렉터-베이스 간 용량이 비선형의 용량인 것에 대해서 콘덴서(C4)는 선형의 용량이다. 따라서, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이의 총 용량은 비선형성이 억제되고, 선형성이 높아진다.
콘덴서(C4)의 용량은 콘덴서(C2)의 용량과 실질적으로 같은 것이 바람직하다. 이것에 의해 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이의 총 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 상쇄된다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 전력 증폭 회로(2A)는 각 부의 용량의 비선형성이 억제되고, 선형성이 높아져 있으므로 보다 적합하게 증폭을 행할 수 있다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(2A)는 엔벨로프 트래킹을 보다 적합하게 행할 수 있다.
(제 3 실시형태)
도 9는 제 3 실시형태의 전력 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다. 전력 증폭기(1B)는 전력 증폭 회로(2B 및 3B)를 포함한다. 전력 증폭 회로(2B)는 전력 증폭 회로(2A)와 비교해서 트랜지스터(CP1 및 CP2)를 포함하고 있지 않다. 전력 증폭 회로(3B)의 회로 구성은 전력 증폭 회로(2B)의 회로 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
콘덴서(C1)가 본 개시의 「제 1 콘덴서」에 대응한다. 콘덴서(C2)가 본 개시의 「제 2 콘덴서」에 대응한다. 콘덴서(C3)가 본 개시의 「제 3 콘덴서」 및 「제 1 용량 회로」에 대응한다. 콘덴서(C4)가 본 개시의 「제 4 콘덴서」 및 「제 2 용량 회로」에 대응한다.
트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 트랜지스터(Q1)의 베이스 사이의 총 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 대체로 부정되면, 완전히 상쇄되지 않아도 좋다고 생각할 수도 있다. 이 관점으로부터 전력 증폭 회로(2B)는 트랜지스터(CP1)를 포함하고 있지 않다.
콘덴서(C3)의 용량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 같은 것이 바람직하다. 단, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량이 비선형인 것에 대해서 콘덴서(C3)의 용량은 선형이다. 따라서, 콘덴서(C3)의 용량을 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 완전히 같게 할 수는 없다. 그래서, 콘덴서(C3)의 용량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 전압 변동 범위 내에 있어서 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 대략 같은 것이 바람직하다. 즉, 콘덴서(C3)의 용량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간의 전압 변동 범위 내에 있어서 콘덴서(C1)의 용량과, 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB1)의 합인 것이 바람직하다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
마찬가지로, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량의 부귀환 작용에 의한 전압 저하량은 트랜지스터(Q1)의 콜렉터와 트랜지스터(Q2)의 베이스 사이의 총 용량의 정귀환 작용에 의한 전압 상승량에 의해 대체로 부정되면, 완전히 상쇄되지 않아도 좋다고 생각할 수도 있다. 이 관점으로부터 전력 증폭 회로(2B)는 트랜지스터(CP2)를 포함하고 있지 않다.
콘덴서(C4)의 용량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 같은 것이 바람직하다. 단, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량이 비선형인 것에 대해서 콘덴서(C4)의 용량은 선형이다. 따라서, 콘덴서(C4)의 용량을 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 완전히 같게 할 수는 없다. 그래서, 콘덴서(C4)의 용량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 전압 변동 범위 내에 있어서 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 총 용량과 대략 같은 것이 바람직하다. 즉, 콘덴서(C4)의 용량은 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간의 전압 변동 범위 내에 있어서 콘덴서(C2)의 용량과, 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-베이스 간 용량(CCB2)의 합인 것이 바람직하다. 단, 본 개시는 이것에 한정되지 않는다.
이상 설명한 바와 같이, 전력 증폭 회로(2B)는 전력 증폭 회로(2A)와 비교해서 소자수를 삭감할 수 있다. 이것에 의해 전력 증폭 회로(2B)는 전력 증폭 회로(2A)와 비교해서 회로 규모를 억제할 수 있다.
또한, 상기한 실시형태는 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하여 해석하기 위한 것은 아니다. 본 발명은 그 취지를 일탈하는 일 없이 변경/개량될 수 있음과 아울러 본 발명에는 그 등가물도 포함된다.
1, 1A, 1B 전력 증폭기
2, 2A, 2B, 3, 3A, 3B 전력 증폭 회로
11, 12 바이어스 회로
13, 14 초크 인덕터
15, 16 커플링 콘덴서
31 전원 회로
C1, C2, C3, C4 콘덴서
CP1, CP2, Q1, Q2 트랜지스터

Claims (7)

  1. 정극성의 제 1 고주파 신호 및 부극성의 제 2 고주파 신호를 포함하는 제 1 고주파 차동 신호를 증폭해서 부극성의 제 3 고주파 신호 및 정극성의 제 4 고주파 신호를 포함하는 제 2 고주파 차동 신호를 출력하는 전력 증폭 회로로서,
    이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 상기 제 1 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 상기 제 3 고주파 신호를 출력하는 제 1 트랜지스터와,
    이미터가 공통 전위에 전기적으로 접속되고, 베이스에 상기 제 2 고주파 신호가 입력되고, 콜렉터로부터 상기 제 4 고주파 신호를 출력하는 제 2 트랜지스터와,
    상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 1 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 1 용량 회로와,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 2 용량 회로를 포함하는 전력 증폭 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 용량 회로는 콜렉터가 상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터에 전기적으로 접속되고, 베이스가 상기 제 1 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 제 3 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제 2 용량 회로는 콜렉터가 상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터에 전기적으로 접속되고, 베이스가 상기 제 2 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 제 4 트랜지스터를 포함하는 전력 증폭 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 1 콘덴서와,
    상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 2 콘덴서를 더 포함하고,
    상기 제 1 용량 회로는 상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 1 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 3 콘덴서를 더 포함하고,
    상기 제 2 용량 회로는 상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 4 콘덴서를 더 포함하는 전력 증폭 회로.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 용량은 상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 용량과 실질적으로 같고,
    상기 제 4 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 용량은 상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간 용량과 실질적으로 같은 전력 증폭 회로.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 트랜지스터의 이미터는 상기 제 3 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속되고,
    상기 제 4 트랜지스터의 이미터는 상기 제 4 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속되어 있는 전력 증폭 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 1 콘덴서와,
    상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 2 콘덴서를 더 포함하고,
    상기 제 1 용량 회로는 상기 제 2 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 1 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 3 콘덴서를 포함하고,
    상기 제 2 용량 회로는 상기 제 1 트랜지스터의 콜렉터와 상기 제 2 트랜지스터의 베이스 사이에 전기적으로 접속된 제 4 콘덴서를 포함하는 전력 증폭 회로.
  7. 제 3 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 콘덴서의 용량은 상기 제 1 콘덴서의 용량과 실질적으로 같고,
    상기 제 4 콘덴서의 용량은 상기 제 2 콘덴서의 용량과 실질적으로 같은 전력 증폭 회로.
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