KR20200031517A - Drawing device and drawing method - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 묘화 장치, 및 묘화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a drawing device and a drawing method.
특허문헌 1 에 기재된 묘화 장치는, 노광해야 하는 영역을 복수의 필드로 분리함과 함께, 필드를 복수의 서브 필드로 분리한다. 그리고, 특허문헌 1 에 기재된 묘화 장치는, 분리한 필드마다 가변 성형의 전자 빔을 사용하여 축차 노광 처리를 실시하고, 또한 인접하는 필드의 경계부에서 다중 노광 처리를 실시하여 기판 상에 원하는 패턴을 노광한다.The drawing apparatus described in
그러나, 패턴 현상 후에, 경계부 (연결 영역) 에 노광 줄무늬가 발생할 우려가 있었다. 경계부의 노광 줄무늬는, 경계부에 있어서의 패턴의 불연속성 (예를 들어, 패턴이 중단, 굵어짐 또는 가늘어짐) 의 원인으로도 될 수 있다. 노광 줄무늬는, 원하는 패턴은 아니기 때문에, 외관 검사시에 NG 가 될 우려가 있었다. 또한, 감광성 절연막이 사용되는 경우, 노광 줄무늬가 발생하면, 노광 줄무늬가 제품 중에 남는다. 이 경우, 노광 줄무늬가 제품의 전기적 특성에 직접적으로 영향을 주지 않아도 허용되지 않는다.However, after pattern development, there was a fear that exposure streaks would occur in the border (connection region). The exposure streaks of the border portion may also cause the discontinuity of the pattern at the border portion (for example, the pattern is interrupted, thickened, or thinned). Since the exposure stripe was not a desired pattern, there was a fear that it would become NG during visual inspection. Moreover, when a photosensitive insulating film is used, when an exposure streak occurs, the exposure streak remains in the product. In this case, exposure streaks are not allowed without directly affecting the electrical properties of the product.
본 발명은, 연결 영역에 발생하는 노광 줄무늬를 완화시킬 수 있는 묘화 장치, 및 묘화 방법을 제공한다.The present invention provides a drawing device and a drawing method capable of alleviating exposure streaks occurring in the connecting region.
본 발명의 제 1 국면에 의하면, 묘화 장치는, 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화한다. 묘화 장치는, 조사부와, 제어부를 구비한다. 조사부는, 상기 묘화 광을 조사한다. 제어부는, 상기 조사부를 제어한다. 상기 조사부가 다중 노광 처리를 실시하도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다. 상기 다중 노광 처리는, 복수의 노광 처리를 포함한다. 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함한다. 상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부 끼리가 겹치는 영역을 나타낸다.According to the first aspect of the present invention, the drawing device draws a pattern on the substrate by irradiating drawing light to the substrate. The drawing device includes an irradiation unit and a control unit. The irradiation unit irradiates the above-mentioned drawing light. The control unit controls the irradiation unit. The control unit controls the irradiation unit so that the irradiation unit performs multiple exposure processing. The multiple exposure process includes a plurality of exposure processes. The exposure process refers to a process of irradiating the drawing light with the irradiation part on a predetermined area of the substrate. Each of the plurality of exposure processes includes a process of irradiating the drawing light in parallel by the irradiation unit so that a connection region is formed. The connection region represents a region where a part of the irradiation regions of the drawing light irradiated in parallel overlap.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 다중 노광 처리에 의해 형성된 복수의 상기 연결 영역이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치한다.In the drawing apparatus of the present invention, a plurality of the connection regions formed by the multiple exposure processing are located at locations not overlapping each other.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 복수의 노광 처리 중 적어도 2 개의 노광 처리에서는 상기 기판에 동일한 패턴이 묘화되도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다.In the drawing apparatus of the present invention, in at least two exposure processes among the plurality of exposure processes, the control unit controls the irradiation unit so that the same pattern is drawn on the substrate.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 연결 영역은 패턴이 묘화되는 영역이다.In the drawing apparatus of the present invention, the connection area is an area where a pattern is drawn.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 다중 노광 처리에 의해 상기 기판에 소정 패턴이 묘화되는 경우, 상기 노광 처리마다 상기 기판에 조사된 복수의 상기 묘화 광의 노광량의 합계가, 상기 소정 패턴을 묘화하기 위해서 필요한 필요 노광량과 대략 동일해지도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어한다.In the drawing apparatus of the present invention, when a predetermined pattern is drawn on the substrate by the multiple exposure process, the sum of the exposure doses of the plurality of drawing lights irradiated to the substrate for each exposure process is performed to draw the predetermined pattern The control unit controls the irradiation unit so as to be approximately equal to the required exposure amount required.
본 발명의 묘화 장치는, 스테이지와, 구동 기구를 추가로 구비한다. 스테이지는, 상기 기판을 유지한다. 구동 기구는, 상기 조사부에 대하여 상기 스테이지를 이동시킨다. 상기 조사부에 대한 상기 스테이지의 이동 속도가 빨라질수록, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 노광량이 감소하도록, 상기 제어부가 상기 구동 기구를 제어함으로써, 상기 묘화 광의 노광량을 조정한다.The drawing device of the present invention further includes a stage and a driving mechanism. The stage holds the substrate. The drive mechanism moves the stage with respect to the irradiation portion. As the moving speed of the stage with respect to the irradiating part increases, the exposure amount of the drawn light is adjusted by the control unit controlling the driving mechanism such that the exposure amount of the drawn light to the substrate decreases.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 조사 위치와, 상기 묘화 광의 노광량의 관계를 나타내는 그래프는, 사다리꼴상으로 형성되는 부분을 갖는다. 상기 사다리꼴상의 부분은, 중앙부와, 1 쌍의 단부를 갖는다. 중앙부에서는, 상기 노광량이 일정하다. 1 쌍의 단부는, 상기 중앙부에 연이어 있다. 1 쌍의 단부에서는, 상기 중앙부로부터 이간됨에 수반하여 상기 노광량이 체감 (遞減) 한다. 상기 1 쌍의 단부의 사이에는 상기 중앙부가 위치한다.In the drawing apparatus of the present invention, a graph showing the relationship between the irradiation position of the drawing light with respect to the substrate and the exposure amount of the drawing light has a portion formed in a trapezoidal shape. The trapezoidal portion has a central portion and a pair of ends. In the central portion, the exposure amount is constant. The pair of end portions are connected to the central portion. At one end of the pair, the exposure amount is sensed as it is separated from the central portion. The center portion is located between the pair of ends.
본 발명의 묘화 장치에 있어서, 상기 복수의 노광 처리는, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리를 포함한다. 상기 제 1 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 1 노광량이, 상기 제 2 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 2 노광량과 동일하거나, 또는, 상기 제 1 노광량이 상기 제 2 노광량과 상이하다.In the drawing apparatus of the present invention, the plurality of exposure processes include a first exposure process and a second exposure process. The first exposure amount of the drawing light irradiated to the substrate during the first exposure processing is the same as the second exposure amount of the drawing light irradiated to the substrate during the second exposure processing, or the first exposure amount is the It is different from the second exposure amount.
본 발명의 제 2 국면에 의하면, 묘화 방법은, 기판에 묘화 광을 조사함으로써 상기 기판에 패턴을 묘화한다. 묘화 방법은, 다중 노광 처리를 실시하는 다중 노광 공정을 포함한다. 상기 다중 노광 처리는, 복수의 노광 처리를 포함한다. 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함한다. 상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리가 겹치는 영역을 나타낸다.According to the second aspect of the present invention, the drawing method draws a pattern on the substrate by irradiating the drawing light with the substrate. The drawing method includes a multiple exposure process in which multiple exposure treatments are performed. The multiple exposure process includes a plurality of exposure processes. The exposure process refers to a process of irradiating the drawn light onto a predetermined area of the substrate. Each of the plurality of exposure processes includes a process of irradiating the drawing light in parallel so that a connection region is formed. The connection region represents a region where a part of the irradiation regions of the drawing light irradiated in parallel overlap.
본 발명의 묘화 장치, 및 묘화 방법에 의하면, 연결 영역에 발생하는 노광 줄무늬를 완화시킬 수 있다.According to the drawing apparatus and drawing method of the present invention, it is possible to alleviate the exposure streaks occurring in the connecting region.
도 1 은 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 2 는 묘화 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3 은 묘화 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4 는 묘화 장치가 기판에 패턴을 묘화하는 순서를 나타내는 블록도이다.
도 5 는 제 1 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 6 은 제 1 그래프의 일부 확대도이다.
도 7 은 제 2 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.
도 8 은 기판에 묘화된 소정 패턴을 나타내는 모식도이다.
도 9 는 (a) 는 기판에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 종래의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 10 은 (a) 는 기판에 대하여 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. (b) 는 본원의 패턴 현상 후의 기판을 나타내는 평면도이다.
도 11 은 합성 그래프의 제 1 변형예를 나타내는 도면이다.
도 12 는 합성 그래프의 제 2 변형예를 나타내는 도면이다.
도 13 은 합성 그래프의 제 3 변형예를 나타내는 도면이다.
도 14 는 합성 그래프의 제 4 변형예를 나타내는 도면이다.1 is a side view schematically showing a configuration of a drawing device according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view schematically showing the configuration of a drawing device.
3 is a block diagram showing the configuration of a drawing device.
4 is a block diagram showing a procedure in which a drawing device draws a pattern on a substrate.
5 is a schematic view showing a state in which the first exposure process is being performed.
6 is an enlarged view of a part of the first graph.
7 is a schematic view showing a state in which the second exposure process is being performed.
8 is a schematic view showing a predetermined pattern drawn on a substrate.
Fig. 9 (a) is a side view schematically showing a state in which a writing light having an exposure amount of 100% was irradiated onto a substrate. (b) is a plan view showing a substrate after a conventional pattern development.
10 (a) is a side view schematically showing a state in which the first exposure process and the second exposure process are performed on the substrate. (b) is a plan view showing the substrate after pattern development of the present application.
11 is a view showing a first modification of the composite graph.
12 is a view showing a second modification of the composite graph.
13 is a view showing a third modification of the composite graph.
14 is a view showing a fourth modified example of the composite graph.
본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다.Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are assigned to the same or equivalent parts in the drawings, and the description is not repeated.
도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치 (1) 에 대하여 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 실시 형태에 관련된 묘화 장치 (1) 의 구성을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 2 는, 묘화 장치 (1) 의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.1 and 2, the
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 묘화 장치 (1) 는, 레지스트와 같은 감광 재료의 층이 형성된 기판 (W) 에, 소정 데이터에 따라 변조된 묘화 광을 조사함으로써, 회로 패턴과 같은 패턴을 노광 (묘화) 한다. 소정 데이터는, CAD 데이터와 같은 패턴을 나타내는 데이터이다. 본 실시 형태에서는, 마스크를 이용하지 않고, 묘화 광에 의해 기판 (W) 상의 감광 재료를 주사함으로써, 감광 재료에 직접적으로 패턴을 묘화하는 마스크리스 노광이 실시된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the
기판 (W) 은, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 수지 기판, 또는, 유리·석영 기판이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 기판, 프린트 기판, 컬러 필터용 기판, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 또는, 태양 전지용 패널이다. 컬러 필터용 기판은, 예를 들어, 액정 표시 장치 등에 구비된다. 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판은, 예를 들어, 액정 표시 장치, 또는 플라즈마 표시 장치에 구비된다. 도 1 및 도 2 에는, 기판 (W) 으로서, 원형의 반도체 기판이 예시되어 있다. 또한, 기판 (W) 의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 사각 형상으로 형성되어 있어도 된다.The substrate W is, for example, a silicon wafer, a resin substrate, or a glass / quartz substrate. The substrate W is, for example, a semiconductor substrate, a printed substrate, a color filter substrate, a glass substrate for flat panel displays, a substrate for magnetic disks, a substrate for optical disks, or a panel for solar cells. The substrate for color filters is provided in, for example, a liquid crystal display device. The glass substrate for flat panel displays is provided in a liquid crystal display device or a plasma display device, for example. 1 and 2, a circular semiconductor substrate is illustrated as the substrate W. In addition, the shape of the board | substrate W is not specifically limited. The substrate W may be formed, for example, in a quadrangular shape.
묘화 장치 (1) 는, 본체 프레임 (2) 을 구비한다. 본체 프레임 (2) 은, 묘화 장치 (1) 의 케이싱을 구성한다. 본체 프레임 (2) 의 내부에는, 처리 영역 (3) 과, 전달 영역 (4) 이 형성된다. 처리 영역 (3) 과 전달 영역 (4) 은, 서로 구분되어 있다.The
묘화 장치 (1) 는, 기대 (5) 와, 지지 프레임 (6) 과, 카세트 재치부 (7) 와, 스테이지 (10) 와, 구동 기구 (20) 와, 스테이지 위치 계측부 (30) 와, 광학 유닛 (40) 과, 반송 장치 (50) 와, 제어부 (60) 를 추가로 구비한다.The
기대 (5), 지지 프레임 (6), 스테이지 (10), 구동 기구 (20), 스테이지 위치 계측부 (30), 및 광학 유닛 (40) 은, 처리 영역 (3) 에 설치된다. 반송 장치 (50) 는, 전달 영역 (4) 에 설치된다. 카세트 재치부 (7) 는, 본체 프레임 (2) 의 외부에 설치된다.The
이하에서는, 묘화 장치 (1) 가 구비하는 각 부의 구성에 대하여 설명한다.Hereinafter, the configuration of each part of the
기대 (5) 는, 스테이지 (10) 를 지지한다. 지지 프레임 (6) 은, 기대 (5) 에 설치된다. 지지 프레임 (6) 은, 광학 유닛 (40) 을 지지한다.The
스테이지 (10) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 스테이지 (10) 는, 평판상의 형상을 갖는다. 스테이지 (10) 의 상면에는, 기판 (W) 을 재치 (載置) 가능한 재치면 (11) 이 형성된다. 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 에는, 복수의 흡인공 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 스테이지 (10) 의 흡인공에 부압 (흡인압) 이 형성됨으로써, 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 에 재치된 기판 (W) 이 스테이지 (10) 에 고정된다. 그 결과, 스테이지 (10) 는, 기판 (W) 을 유지한다.The
구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 이동시킨다. 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 주주사 방향 (Y), 부주사 방향 (X), 및 회전 방향 (θ) 을 따라 이동시킨다. 주주사 방향 (Y) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 Y 축의 + 측 방향이다. 부주사 방향 (X) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 X 축의 + 측 방향이다. 회전 방향 (θ) 은, 도 1 및 도 2 에 나타내는 Z 축 주위의 회전 방향이다. X 축, Y 축, 및 Z 축은, 서로 수직인 축이다. 본 실시 형태에서는, Z 축의 + 측 방향은, 연직 방향의 상방을 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에서는, 스테이지 (10) 의 재치면 (11) 은, X 축 및 Y 축의 각각에 대하여 평행이다.The
구동 기구 (20) 는, 회전 기구 (21) 와, 지지 플레이트 (22) 와, 부주사 기구 (23) 와, 베이스 플레이트 (24) 와, 주주사 기구 (25) 를 갖는다. 회전 기구 (21) 는, 스테이지 (10) 를 회전시킨다. 지지 플레이트 (22) 는, 회전 기구 (21) 를 개재하여 스테이지 (10) 를 지지한다. 부주사 기구 (23) 는, 지지 플레이트 (22) 를 부주사 방향 (X) 을 따라 이동시킨다. 베이스 플레이트 (24) 는, 부주사 기구 (23) 를 개재하여 지지 플레이트 (22) 를 지지한다. 주주사 기구 (25) 는, 베이스 플레이트 (24) 를 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동시킨다.The
회전 기구 (21) 는, 회전 축 (A) 을 중심으로 하여 스테이지 (10) 를 회전시킨다. 회전 축 (A) 은, 스테이지 (10) 의 중심을 통과함과 함께, Z 축에 대하여 평행한 축이다.The
회전 기구 (21) 는, 예를 들어, 회전 축부 (211) 와, 회전 구동부 (212) 를 포함한다. 회전 축부 (211) 는, 재치면 (11) 의 뒤편에 고정되고, Z 축을 따라 연장된다. 회전 구동부 (212) 는, 예를 들어, 모터를 포함한다. 회전 구동부 (212) 는, 회전 축부 (211) 의 하단에 형성되고, 회전 축부 (211) 를 회전시킨다. 회전 구동부 (212) 가 회전 축부 (211) 를 회전시킴으로써, 스테이지 (10) 가 회전 축 (A) 을 중심으로 하여 회전한다.The
부주사 기구 (23) 는, 리니어 모터 (231) 를 갖는다. 리니어 모터 (231) 는, 이동자와, 고정자로 구성된다. 이동자는, 지지 플레이트 (22) 의 하면에 장착된다. 고정자는, 베이스 플레이트 (24) 의 상면에 부설 (敷設) 된다.The
베이스 플레이트 (24) 에는, 부주사 방향 (X) 으로 연장되는 1 쌍의 가이드 부재 (232) 가 부설된다. 각 가이드 부재 (232) 와 지지 플레이트 (22) 사이에는, 볼 베어링이 설치되어 있다. 볼 베어링은, 가이드 부재 (232) 를 따라 슬라이딩한다.The
지지 플레이트 (22) 는, 볼 베어링을 개재하여 1 쌍의 가이드 부재 (232) 에 지지된다. 리니어 모터 (231) 가 동작하면, 지지 플레이트 (22) 는 가이드 부재 (232) 에 안내되면서, 부주사 방향 (X) 을 따라 이동한다.The
주주사 기구 (25) 는, 리니어 모터 (251) 를 갖는다. 리니어 모터 (251) 는, 이동자와 고정자에 의해 구성된다. 이동자는, 베이스 플레이트 (24) 의 하면에 장착된다. 고정자는, 묘화 장치 (1) 의 기대 (5) 상에 부설된다.The
기대 (5) 에는, 주주사 방향 (Y) 으로 연장되는 1 쌍의 가이드 부재 (252) 가 부설되어 있다. 각 가이드 부재 (252) 와 베이스 플레이트 (24) 사이에는, 예를 들어, 에어 베어링이 설치되어 있다. 에어 베어링에는, 유틸리티 설비로부터 에어가 공급된다. 베이스 플레이트 (24) 는, 에어 베어링에 의해 가이드 부재 (252) 상으로 부상한다. 그 결과, 베이스 플레이트 (24) 는, 가이드 부재 (252) 에 대하여 비접촉의 상태로 지지된다.On the
리니어 모터 (251) 가 동작하면, 베이스 플레이트 (24) 는 가이드 부재 (252) 에 안내되면서, 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동한다. 이 때, 베이스 플레이트 (24) 와 가이드 부재 (252) 사이에 마찰이 발생하는 것이 회피된다.When the
스테이지 위치 계측부 (30) 는, 스테이지 (10) 의 위치를 계측한다. 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 예를 들어, 간섭식의 레이저 측장기에 의해 구성된다. 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 예를 들어, 스테이지 (10) 밖으로부터 스테이지 (10) 를 향하여 레이저 광을 출사함과 함께, 스테이지 (10) 에서 반사한 레이저 광을 수광한다. 그리고, 스테이지 위치 계측부 (30) 는, 스테이지 (10) 를 향하여 출사한 레이저 광과, 스테이지 (10) 에서 반사한 레이저 광의 간섭으로부터 스테이지 (10) 의 위치를 계측한다. 스테이지 (10) 의 위치는, 주주사 방향 (Y) 의 위치와, 회전 방향 (θ) 의 위치를 나타낸다.The stage
광학 유닛 (40) 은, 스테이지 (10) 상에 유지된 기판 (W) 에 묘화 광을 조사함으로써, 기판 (W) 에 패턴을 묘화한다. 패턴은, 예를 들어, Hole, Trench, 및 Gate 등 일반적인 패턴이다.The
광학 유닛 (40) 은, 본 발명의 조사부의 일례이다.The
광학 유닛 (40) 은, 광원부 (401) 와, 헤드부 (402) 를 갖는다. 광원부 (401) 는, 지지 프레임 (6) 에 설치된다. 헤드부 (402) 는, 지지 프레임 (6) 에 장착된 부설 (付設) 박스의 내부에 수용된다.The
광원부 (401) 는, I 선을 출사하는 레이저 광원으로서 기능한다. 광원부 (401) 는, 레이저 구동부 (41) 와, 레이저 발진기 (42) 와, 조명 광학계 (43) 를 갖는다.The
레이저 발진기 (42) 는, 레이저 구동부 (41) 로부터의 구동을 받아, 출력 미러 (도시 생략) 로부터 레이저 광인 스폿 빔을 출사한다. 스폿 빔은, 조명 광학계 (43) 에 입사한다. 조명 광학계 (43) 는, 스폿 빔으로부터 선상의 광을 생성한다. 선상의 광은, 강도 분포가 대략 균일하고, 광속 단면이 띠상인 라인 빔이다. 라인 빔은, 헤드부 (402) 에 입사한다. 이하에서는, 헤드부 (402) 에 입사한 라인 빔을, 입사 광이라고 기재하는 경우가 있다.The
또한, 입사 광이 헤드부 (402) 에 입사하기 전의 단계에서 입사 광에 조리개를 조르는 것에 의해, 입사 광의 광량을 조정하는 구성으로 해도 된다.Moreover, you may make it the structure which adjusts the amount of light of the incident light by adjusting the aperture to the incident light in the stage before the incident light enters the head part 402.
입사 광은, 헤드부 (402) 에 있어서, 패턴 데이터 (PD) 에 따른 공간 변조가 실시된다.In the head portion 402, the incident light is spatially modulated according to the pattern data PD.
패턴 데이터 (PD) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 위치를 나타내는 정보가 화소 단위로 기록된 정보이다.The pattern data PD is information in which information indicating the irradiation position of the writing light with respect to the substrate W is recorded in units of pixels.
묘화 장치 (1) 는, 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를, 미리 취득하고 있다. 묘화 장치 (1) 는, 예를 들어, 외부 단말 장치로부터 네트워크를 통하여 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를 수신함으로써 취득한다. 또한, 묘화 장치 (1) 는, 예를 들어, 묘화 장치 (1) 에 접속된 기록 매체로부터 패턴 데이터 (PD) 를 나타내는 정보를 판독하는 것에 의해 취득한다.The
입사 광을 공간 변조시키는 것은, 입사 광의 공간 분포를 변화시키는 것을 나타낸다. 입사 광의 공간 분포는, 예를 들어, 광의 진폭, 광의 위상, 및/또는, 편광을 나타낸다. 입사 광의 공간 분포는, 예를 들어, CAD (Computer Aided Desing) 를 사용하여 생성된 패턴의 설계 데이터를 래스터라이즈함으로써 생성된다.Spatially modulating the incident light indicates that the spatial distribution of the incident light is changed. The spatial distribution of incident light indicates, for example, the amplitude of light, the phase of light, and / or polarization. The spatial distribution of the incident light is generated, for example, by rasterizing the design data of the pattern generated using CAD (Computer Aided Desing).
헤드부 (402) 는, 공간 광 변조 유닛 (44) 과, 투영 광학계 (45) 와, 미러 (46) 를 갖는다.The head portion 402 has a spatial
헤드부 (402) 에 입사한 입사 광은, 미러 (46) 를 통하여, 미리 정해진 각도로 공간 광 변조 유닛 (44) 에 입사한다.The incident light incident on the head portion 402 enters the spatial
공간 광 변조 유닛 (44) 은, 공간 광 변조기 (441) 를 갖는다. 공간 광 변조기 (441) 는, 입사 광을 공간 변조시킴으로써, 입사 광을 묘화 광과 불필요 광으로 분별한다. 그리고, 공간 광 변조기 (441) 는, 부주사 방향 (X) 을 따른 복수 화소분의 묘화 광을 출사한다. 묘화 광은, 패턴의 묘화에 기여하는 광을 나타낸다. 불필요 광은, 패턴의 묘화에 기여하지 않는 광을 나타낸다.The spatial
공간 광 변조기 (441) 는, 예를 들어, 광 변조 소자인 고정 리본과 가요 리본이 배치 형성된 회절 격자형의 공간 변조기로 구성된다. 회절 격자형의 공간 변조기는, 예를 들어, GLV (Grating Light Valve : 그레이팅·라이트·밸브) (「GLV」 는 등록상표) 이다. 본 실시 형태에서는, GLV 의 최대 노광 폭은, 렌즈 교환에 의해 변경 가능하다.The spatial
회절 격자형의 공간 변조기는, 격자의 깊이를 변경할 수 있는 회절 격자로, 예를 들어, 반도체 장치 제조 기술을 사용하여 제조된다.The diffraction grating type spatial modulator is a diffraction grating that can change the depth of the grating, and is manufactured using, for example, semiconductor device manufacturing technology.
공간 광 변조기 (441) 는, 복수의 변조 단위 (442) (도 5 참조) 와, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 갖는다. 복수의 변조 단위 (442) 는, 부주사 방향 (X) 을 따라 나열된다. 드라이버 회로 유닛 (443) 은, 복수의 변조 단위 (442) 의 각각에 대하여 전압을 인가한다. 드라이버 회로 유닛 (443) 은, 복수의 변조 단위 (442) 의 각각에 인가하는 전압을, 독립적으로 제어할 수 있다.The spatial
드라이버 회로 유닛 (443) 은, 변조 단위 (442) 의 상태를, 오프 상태, 및 온 상태 중 어느 상태로 전환할 수 있다. 오프 상태는, 변조 단위 (442) 에 전압이 인가되어 있지 않은 상태를 나타낸다. 온 상태는, 변조 단위 (442) 에 전압이 인가되어 있는 상태를 나타낸다.The
변조 단위 (442) 가 오프 상태가 되면, 가요 리본이 휘지 않기 때문에, 변조 단위 (442) 의 표면은, 평면이 된다. 변조 단위 (442) 의 평면에 입사 광이 입사하면, 입사 광은 회절하지 않고 정반사한다. 입사 광은, 정반사함으로써, 0 차 회석 광인 묘화 광이 된다. 묘화 광은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하면, 기판 (W) 에 도달한다.When the
변조 단위 (442) 가 온 상태가 되면, 가요 리본이 휨으로써, 변조 단위 (442) 의 표면에는 홈이 형성된다. 변조 단위 (442) 의 홈에 입사 광이 입사하면, 입사 광은 회석한다. 입사 광은, 회석함으로써, 비 0 차 회절 광인 불필요 광이 된다. 불필요 광은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하면, 기판 (W) 에 도달하지 않는다.When the
이하에서는, 변조 단위 (442) 의 표면에 형성되는 홈을, 표면 홈이라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, a groove formed on the surface of the
드라이버 회로 유닛 (443) 은, 변조 단위 (442) 에 인가하는 전압을 변경함으로써, 표면 홈의 깊이를 변경할 수 있다. 표면 홈의 깊이가 변경됨으로써 묘화 광의 광량이 조정된다.The
제어부 (60) 는, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 제어함으로써, 변조 단위 (442) 마다 묘화 광의 출사율을 조정한다. 묘화 광의 출사율은, 입사 광량에 대한 출사 광량의 비 (출사 광량/입사 광량) 를 나타낸다. 입사 광량은, 변조 단위 (442) 에 입사하는 입사 광의 광량을 나타낸다. 출사 광량은, 변조 단위 (442) 로부터 출사하는 묘화 광의 광량을 나타낸다.The
변조 단위 (442) 가 오프 상태일 때, 요컨대, 변조 단위 (442) 의 표면이 평면일 때, 묘화 광의 출사율은 출사율 100 % 가 된다. 변조 단위 (442) 의 표면에 표면 홈이 형성되면, 출사율이 저하한다. 표면 홈이 깊어질수록, 출사율이 작아진다. 제어부 (60) 는, 드라이버 회로 유닛 (443) 을 제어하여, 표면 홈의 깊이를 변경함으로써, 묘화 광의 출사율을, 출사율 0 % 부터 출사율 100 % 까지의 사이의 임의의 값으로 조정할 수 있다.When the
변조 단위 (442) 로부터 출사한 묘화 광은, 투영 광학계 (45) 에 입사한다.The drawing light emitted from the
투영 광학계 (45) 는, 공간 광 변조기 (441) 로부터 입사하는 광 중, 묘화 광을 기판 (W) 에 유도한다. 투영 광학계 (45) 는, 예를 들어, 차단판을 갖는다. 차단판은, 관통공이 형성된 판상의 부재이다.The projection
묘화 광은, 관통공을 통과한다. 그 결과, 묘화 광은, 기판 (W) 에 도달한다. 이에 반하여, 불필요 광은, 관통공을 통과하지 않고, 차단판에 도달한다. 그 결과, 불필요 광은, 차단판에 의해, 기판 (W) 에 도달하는 것이 차단된다.The drawing light passes through the through hole. As a result, the drawing light reaches the substrate W. In contrast, unnecessary light does not pass through the through hole and reaches the blocking plate. As a result, unnecessary light is blocked from reaching the substrate W by the blocking plate.
묘화 광이 기판 (W) 에 도달함으로써, 기판 (W) 에 패턴이 묘화된다. 1 개의 변조 단위 (442) 로부터 출사된 묘화 광은, 기판 (W) 에 묘화되는 패턴의 1 화소를 형성한다.When the drawing light reaches the substrate W, a pattern is drawn on the substrate W. The drawing light emitted from one
투영 광학계 (45) 는, 줌 렌즈, 및/또는, 대물 렌즈를 추가로 가지고 있어도 된다. 줌 렌즈는, 묘화 광의 폭을 조정하는 줌부를 구성한다. 묘화 광의 폭을 조정하는 것은, 묘화 광의 폭을 넓히는 것, 및/또는, 묘화 광의 폭을 좁히는 것을 나타낸다. 대물 렌즈는, 묘화 광을 소정 배율로 기판 (W) 상에 결상시킨다.The projection
반송 장치 (50) 는, 처리 영역 (3) 으로의 기판 (W) 의 반입, 및 처리 영역 (3) 으로부터의 기판 (W) 의 반출을 실시한다. 반송 장치 (50) 는, 복수의 핸드 (51) 와, 핸드 구동 기구 (52) 를 갖는다. 핸드 (51) 는, 기판 (W) 을 반송한다. 핸드 구동 기구 (52) 는, 핸드 (51) 를 구동시킨다.The conveying
카세트 재치부 (7) 에는, 미처리의 기판 (W) 이 수용된다. 반송 장치 (50) 는, 카세트 재치부 (7) 로부터 기판 (W) 을 취출하여 처리 영역 (3) 에 반입함과 함께, 처리 영역 (3) 으로부터 처리가 완료된 기판 (W) 을 반출하여 카세트 (C) 에 수용한다.An unprocessed substrate W is accommodated in the
다음으로, 도 3 을 참조하여, 묘화 장치 (1) 에 대하여 추가로 설명한다. 도 3 은, 묘화 장치 (1) 의 구성을 나타내는 블록도이다.Next, with reference to FIG. 3, the
도 3 에 나타내는 바와 같이, 묘화 장치 (1) 는, 입력부 (70) 와, 기억부 (80) 를 추가로 구비한다.As shown in FIG. 3, the
입력부 (70) 는, 묘화 장치 (1) 에 대한 지시를 접수한다. 유저는, 예를 들어, 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 지시를 입력부 (70) 로부터 입력한다. 입력부 (70) 는, 예를 들어, 묘화 장치 (1) 의 케이싱에 형성된 조작 키, 또는, 묘화 장치 (1) 와 통신 가능하게 접속된 PC (Personal Computer) 와 같은 단말이다.The
기억부 (80) 는, ROM (Read Only Memory), 및 RAM (Random Access Memory) 과 같은 주기억 장치 (예를 들어, 반도체 메모리) 를 포함하고, 보조 기억 장치 (예를 들어, 하드 디스크 드라이브) 를 추가로 포함해도 된다. 주기억 장치, 및/또는, 보조 기억 장치는, 제어부 (60) 에 의해 실행되는 여러 가지 컴퓨터 프로그램을 기억한다.The
제어부 (60) 는, CPU (Central Processing Unit) 및 MPU (Micro Processing Unit) 와 같은 프로세서를 포함한다. 제어부 (60) 는, 묘화 장치 (1) 의 각 요소를 제어한다. 구체적으로는, 제어부 (60) 의 프로세서는, 기억부 (80) 에 기억된 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 구동 기구 (20) 와, 스테이지 위치 계측부 (30) 와, 광학 유닛 (40) 과, 반송 장치 (50) 와, 입력부 (70) 와, 기억부 (80) 를 제어한다.The
본 실시 형태에서는, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 조정하는 경우, 묘화 광의 에너지를 변경하지 않고, 스테이지 (10) 의 이동 속도를 변경한다. 구체적으로는, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 감소시키는 경우, 구동 기구 (20) 를 제어하여, 광학 유닛 (40) 에 대한 스테이지 (10) 의 이동 속도를 빠르게 한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 시간이 짧아지기 때문에, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량이 감소한다. 이에 반하여, 제어부 (60) 는, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량을 증가시키는 경우, 구동 기구 (20) 를 제어하여, 광학 유닛 (40) 에 대한 스테이지 (10) 의 이동 속도를 느리게 한다. 그 결과, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 조사 시간이 길어지기 때문에, 기판 (W) 에 대한 묘화 광의 노광량이 증가한다. 노광량은, 묘화 광의 단위 면적 당의 에너지와, 묘화 광의 조사 시간의 곱이다.In the present embodiment, when the exposure amount of the drawn light to the substrate W is adjusted, the
다음으로, 도 4 내지 도 8 을 참조하여, 묘화 장치 (1) 가 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 순서에 대하여 설명한다. 도 4 는, 묘화 장치 (1) 가 기판 (W) 에 패턴을 묘화하는 순서를 나타내는 블록도이다.Next, with reference to Figs. 4 to 8, the procedure in which the
도 4 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 입력부 (70) 는, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 소정 패턴 (Q) (도 8 참조) 을 묘화하는 지시를 접수한다. 소정 패턴 (Q) 은, 원하는 패턴을 나타낸다.As shown in FIG. 4, in step S10, the
본 실시 형태에서는, 소정 영역 (W1) 은, 기판 (W) 의 표면의 전역을 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에서는, 소정 패턴 (Q) 은, 노광량 100 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.In this embodiment, the predetermined area W1 represents the entire surface of the surface of the substrate W. In addition, in the present embodiment, the predetermined pattern Q represents a pattern drawn with drawing light having an exposure amount of 100%.
본 실시 형태에서는, 노광량은, 기준인 노광량 100 % 에 대한 비율로 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 노광량 100 % 는, 예를 들어, 묘화 광이 T 초간 조사되었을 때의 노광량을 나타낸다. T 는, 0 보다 큰 실수이다.In this embodiment, the exposure amount is represented by a ratio with respect to the reference exposure amount of 100%. In the present embodiment, the exposure amount of 100% represents, for example, the exposure amount when the drawing light is irradiated for T seconds. T is a real number greater than zero.
노광량은, 묘화 광의 조사 시간에 비례한다. 따라서, 묘화 광이 (T/2) 초간 조사된 경우, 노광량은, 노광량 50 % 가 된다.The exposure amount is proportional to the irradiation time of the drawing light. Therefore, when drawing light is irradiated for (T / 2) seconds, the exposure amount becomes 50% of the exposure amount.
본 실시 형태에서는, 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광이 한 번에 조사되지 않고, 다중 노광 처리가 실시된다. 다중 노광 처리는, 묘화 광을 다중으로 조사하는 처리를 나타낸다.In the present embodiment, the writing light having an exposure amount of 100% is not irradiated at a time to the predetermined area W1, and multiple exposure processing is performed. The multiple exposure process refers to a process of irradiating multiple drawing lights multiple times.
다중 노광 처리에서는, 노광 처리가 중복되어 실시된다. 노광 처리는, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 묘화 광을 조사하는 처리를 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 다중 노광 처리에 있어서, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된다.In the multiple exposure process, the exposure process is performed in duplicate. The exposure process refers to a process of irradiating drawing light on a predetermined area W1 of the substrate W. In the present embodiment, in the multiple exposure process, the first exposure process and the second exposure process are performed.
스텝 S20 에 있어서, 제어부 (60) 는, 제 1 노광 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 제 1 노광 처리가 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다. 제 1 패턴 (Q1) 은, 노광량 50 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.In step S20, the
제 1 노광 처리는, 다중 노광 처리 중 1 회째에 실시되는 노광 처리를 나타낸다.The 1st exposure process shows the exposure process performed 1st among multiple exposure processes.
도 5 는, 제 1 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.5 is a schematic view showing a state in which the first exposure process is being performed.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리는, 스테이지 (10) 에 의해 기판 (W) 이 유지된 상태에서, 구동 기구 (20) 에 의해 스테이지 (10) 가 이동되면서, 광학 유닛 (40) 에 의해 기판 (W) 에 대하여 묘화 광이 출사됨으로써 실시된다.As shown in FIG. 5, the first exposure process is performed on the
이하에서는, 제 1 노광 처리에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the first exposure treatment will be specifically described.
먼저, 스테이지 (10) 에 의해 기판 (W) 이 유지된 상태에서, 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 주주사 방향 (Y) 을 따라 이동시킨다. 그 결과, 기판 (W) 이, 광학 유닛 (40) 에 대하여 주주사 방향 (Y) 으로 이동한다. 기판 (W) 으로부터 보면, 화살표 (AR11) 에 나타내는 바와 같이, 광학 유닛 (40) 은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단한다.First, in the state where the substrate W is held by the
광학 유닛 (40) 이 기판 (W) 을 횡단하는 동안, 광학 유닛 (40) 은, 패턴 데이터 (PD) 에 따른 공간 변조가 형성된 묘화 광을, 기판 (W) 을 향하여 조사한다. 이 경우, 광학 유닛 (40) 은, 부주사 방향 (X) 을 따른 복수 화소분의 묘화 광을 조사하면서, 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단한다.While the
이하에서는, 광학 유닛 (40) 이 주주사 방향 (Y) 을 따라 기판 (W) 을 횡단하면서, 기판 (W) 에 대하여 패턴 데이터 (PD) 에 따른 묘화 광을 조사하는 처리를, 주주사 처리라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, the process of irradiating the writing light according to the pattern data PD to the substrate W while the
광학 유닛 (40) 이 주주사 처리를 실시하면, 화살표 (AR11) 를 따른 조사 영역 (G1) 이 기판 (W) 상에 형성된다. 조사 영역 (G1) 은, 광학 유닛 (40) 이 묘화 광을 조사하는 영역을 나타낸다.When the
광학 유닛 (40) 이 주주사 처리를 1 회 실시하면, 기판 (W) 상에 1 개의 조사 영역 (G1) 이 형성된다.When the
1 회의 주주사 처리가 종료되면, 구동 기구 (20) 는, 스테이지 (10) 를 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동시킨다. 그 결과, 기판 (W) 이, 광학 유닛 (40) 에 대하여 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동한다. 기판 (W) 으로부터 보면, 화살표 (AR12) 에 나타내는 바와 같이, 광학 유닛 (40) 은 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동한다. 소정 거리는, 조사 영역 (G1) 의 부주사 방향 (X) 의 치수보다 작다.When one main scanning process ends, the
이하에서는, 광학 유닛 (40) 이 부주사 방향 (X) 을 따라 소정 거리만큼 이동하는 것을, 부주사 처리라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, the case where the
부주사 처리가 종료되면, 화살표 (AR13) 에 나타내는 바와 같이, 주주사 처리가 실시된다. 그 결과, 화살표 (AR13) 를 따른 조사 영역 (G1) 이 기판 (W) 상에 형성된다. 주주사 처리가 종료되면, 화살표 (AR14) 에 나타내는 바와 같이, 부주사 처리가 실시된다.When the sub-scan processing is finished, as shown by arrow AR13, the main scan processing is performed. As a result, an irradiation area G1 along the arrow AR13 is formed on the substrate W. When the main scan processing is finished, as shown by arrow AR14, the sub-scan processing is performed.
제 1 노광 처리에 있어서, 주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시된다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 대하여 묘화 광이 병렬로 조사된다.In the first exposure process, the main scan process and the sub scan process are performed alternately. As a result, drawing light is irradiated in parallel to the predetermined region W1.
주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다. 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화되면, 제 1 노광 처리가 종료된다.By performing the main scanning process and the sub scanning process alternately, the first pattern Q1 is drawn in the predetermined area W1. When the first pattern Q1 is drawn on a predetermined area W1 of the substrate W, the first exposure process is ended.
조사 영역 (G1) 에 대하여 설명한다.The irradiation area G1 will be described.
주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 복수의 조사 영역 (G1) 이 형성된다. 복수의 조사 영역 (G1) 의 각각은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 연장된다. 복수의 조사 영역 (G1) 은, 병렬로 배치되고, 부주사 방향 (X) 을 따라 나열된다.A plurality of irradiation areas G1 are formed in a predetermined area W1 of the substrate W by alternately performing the main scanning process and the sub-scanning process. Each of the plurality of irradiation areas G1 extends along the main scanning direction Y. The plurality of irradiation areas G1 are arranged in parallel and are arranged along the sub-scanning direction X.
조사 영역 (G1) 은, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 연결 영역 (G3) 을 포함한다. 1 중 조사 영역 (G2) 은, 이웃하는 조사 영역 (G1) 끼리 겹치지 않는 영역을 나타낸다. 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 1 중 조사 영역 (G2) 에 대해서는, 묘화 광이 1 중으로 조사된다.The irradiation area G1 includes a single irradiation area G2 and a connection area G3. The single irradiation area G2 represents an area where the adjacent irradiation areas G1 do not overlap. When the first exposure process is performed, the drawn light is irradiated to the single irradiation region G2.
연결 영역 (G3) 은, 이웃하는 조사 영역 (G1) 의 일부끼리 겹치는 영역을 나타낸다. 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 연결 영역 (G3) 에 대해서는, 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 연결 영역 (G3) 은, 예를 들어, 20 ㎛ 의 폭을 갖는다.The connection region G3 represents a region where some of the neighboring irradiation regions G1 overlap. When the first exposure process is performed, the drawn light is irradiated to the connection region G3 in double. The connecting region G3 has a width of 20 μm, for example.
이하에서는, 제 1 노광 처리가 실시될 때에, 기판 (W) 상에 형성되는 연결 영역 (G3) 을, 제 1 연결 영역 (G31) 이라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, when the first exposure process is performed, the connection region G3 formed on the substrate W may be described as the first connection region G31.
도 5 는, 제 1 그래프 (J1) 를 추가로 나타낸다. 도 5 를 참조하여 제 1 그래프 (J1) 에 대하여 설명한다.5 further shows the first graph J1. The first graph J1 will be described with reference to FIG. 5.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 그래프 (J1) 는, 제 1 노광 처리가 실시되었을 때의, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 제 1 그래프 (J1) 의 세로 축은, 제 1 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 제 1 그래프 (J1) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다. 위치 (Y1) 는, 주주사 방향 (Y) 에 있어서, 기판 (W) 의 중심 (W2) 이 위치하는 장소를 나타낸다.As shown in FIG. 5, the first graph J1 is a graph showing the relationship between the exposure amount of the drawn light and the position of the sub-scanning direction X when the first exposure process is performed. The vertical axis of the first graph J1 represents the exposure amount of the writing light during the first exposure process. The horizontal axis of the first graph J1 represents the position of the sub-scanning direction X when the position of the main scanning direction Y is the position Y1. The position Y1 represents a place where the center W2 of the substrate W is located in the main scanning direction Y.
제 1 노광 처리가 실시되면, 위치 (Y1) 에 있어서, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 제 1 연결 영역 (G31) 이, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다.When the first exposure process is performed, in the position Y1, the single irradiation region G2 and the first connection region G31 are alternately arranged along the sub-scanning direction X.
1 중 조사 영역 (G2) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 그 결과, 1 중 조사 영역 (G2) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다.The drawing light of 50% of exposure amount is irradiated to the single irradiation region G2. As a result, the first pattern Q1 is drawn in the single irradiation region G2.
제 1 그래프 (J1) 는, 사다리꼴상으로 변화하는 부분을 갖는다. 사다리꼴상의 부분은, 제 1 중앙부 (J11) 와, 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 를 갖는다. 제 1 중앙부 (J11) 는, 노광량이 노광량 50 % 로 일정한 부분이다. 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 각각은, 제 1 중앙부 (J11) 에 연이어 있고, 제 1 중앙부 (J11) 로부터 이간됨에 수반하여 노광량이 체감한다. 본 실시 형태에서는, 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 각각에 있어서, 제 1 중앙부 (J11) 로부터 이간됨에 수반하여 묘화 광의 출사율이 체감됨으로써, 노광량이 체감한다. 1 쌍의 제 1 단부 (J12) 의 사이에는 제 1 중앙부 (J11) 가 위치한다.The first graph J1 has a portion that changes in a trapezoidal shape. The trapezoidal portion has a first center portion J11 and a pair of first end portions J12. The first central portion J11 is a portion where the exposure amount is constant at an exposure amount of 50%. Each of the pair of first end portions J12 is connected to the first central portion J11, and as the distance from the first central portion J11 is separated, the exposure amount is sensed. In this embodiment, in each of a pair of 1st end part J12, as the distance from the 1st center part J11 senses the emission rate of the drawing light sensibly, the exposure amount is sensed bodily. The first central portion J11 is positioned between the pair of first ends J12.
다음으로, 도 5 및 도 6 을 참조하여, 제 1 연결 영역 (G31) 에 조사되는 묘화 광의 노광량에 대하여 설명한다. 도 6 은, 제 1 그래프 (J1) 의 일부 확대도이다.Next, with reference to FIG. 5 and FIG. 6, the exposure amount of the imaging light irradiated to the 1st connection area G31 is demonstrated. 6 is a partially enlarged view of the first graph J1.
도 5 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 1 연결 영역 (G31) 에 있어서, 묘화 광 (H1) 의 노광량과, 묘화 광 (H2) 의 노광량은, 부주사 방향 (X) 의 위치에 따라, 노광량 0 % 내지 노광량 50 % 의 사이에서 변화한다. 묘화 광 (H1) 은, 제 1 연결 영역 (G31) 에 겹쳐서 조사되는 2 개의 묘화 광 중 일방의 묘화 광을 나타낸다. 묘화 광 (H2) 은, 제 1 연결 영역 (G31) 에 겹쳐서 조사되는 2 개의 묘화 광 중 타방의 묘화 광을 나타낸다.5 and 6, in the first connection region G31, the exposure amount of the drawing light H1 and the exposure amount of the drawing light H2 depend on the position of the sub-scanning direction X, It varies between 0% and the
도 6 은, 임의 위치 (Xα) 와, 노광량 (α1%) 과, 노광량 (α2%) 을 나타낸다. 임의 위치 (Xα) 는, 제 1 연결 영역 (G31) 내의 부주사 방향 (X) 의 임의의 위치를 나타낸다. 노광량 (α1%) 은, 임의 위치 (Xα) 에 조사되는 묘화 광 (H1) 의 노광량을 나타낸다. 노광량 (α2%) 은, 임의 위치 (Xα) 에 조사되는 묘화 광 (H2) 의 노광량을 나타낸다.6 shows an arbitrary position (Xα), an exposure amount (α1%), and an exposure amount (α2%). The arbitrary position Xα represents an arbitrary position in the sub-scanning direction X in the first connection region G31. The exposure amount (α1%) represents the exposure amount of the drawing light H1 irradiated to the arbitrary position Xα. The exposure amount (α2%) represents the exposure amount of the drawing light H2 irradiated to the arbitrary position Xα.
노광량 (α1%) 과, 노광량 (α2%) 의 합은, 노광량 50 % 이다. 그 결과, 제 1 연결 영역 (G31) 에 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된 것에 상당하기 때문에, 제 1 연결 영역 (G31) 에 제 1 패턴 (Q1) 을 묘화하는 것이 가능해진다.The sum of the exposure amount (α1%) and the exposure amount (α2%) is 50% of the exposure amount. As a result, since the drawing light of 50% of exposure amount was irradiated to the 1st connection area G31, it becomes possible to draw the 1st pattern Q1 in the 1st connection area G31.
모든 1 중 조사 영역 (G2) 과, 모든 제 1 연결 영역 (G31) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화됨으로써, 소정 영역 (W1) 의 전역에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화된다.The first pattern Q1 is drawn in the entire area of the predetermined area W1 by drawing the first pattern Q1 in all the single irradiated areas G2 and all the first connection areas G31.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 소정 영역 (W1) 에 제 1 패턴 (Q1) 이 묘화되면, 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리가 종료된다. 그 결과, 처리가 스텝 S30 으로 이행한다.As shown in FIG. 3, when the 1st pattern Q1 is drawn in the predetermined | prescribed area | region W1, the 1st exposure process shown in step S20 ends. As a result, the process proceeds to step S30.
스텝 S30 에 있어서, 제어부 (60) 는, 제 2 노광 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 소정 영역 (W1) 의 제 1 패턴 (Q1) 상에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다. 제 2 패턴 (Q2) 은, 노광량 50 % 의 묘화 광으로 묘화되는 패턴을 나타낸다.In step S30, the
제 2 노광 처리에서는, 소정 영역 (W1) 에 대하여 다중 노광 중 2 회째의 노광 처리가 실시된다.In the 2nd exposure process, the 2nd exposure process is performed among multiple exposures to the predetermined area | region W1.
도 7 은, 제 2 노광 처리가 실시되고 있는 상태를 나타내는 모식도이다.7 is a schematic view showing a state in which the second exposure process is being performed.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 노광 처리에 있어서, 주주사 처리와 부주사 처리가 교대로 실시된다. 그 결과, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.As shown in Fig. 7, in the second exposure process, the main scan process and the sub scan process are alternately performed. As a result, the second pattern Q2 is drawn in a predetermined area W1 of the substrate W.
기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화되면, 처리가 종료된다.When the second pattern Q2 is drawn on the predetermined area W1 of the substrate W, the process ends.
도 7 은, 제 2 그래프 (J2) 를 추가로 나타낸다. 도 7 을 참조하여 제 2 그래프 (J2) 에 대하여 설명한다.7 further shows the second graph J2. The second graph J2 will be described with reference to FIG. 7.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 2 그래프 (J2) 는, 제 2 노광 처리가 실시되었을 때의, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 제 2 그래프 (J2) 의 세로 축은, 제 2 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 제 2 그래프 (J2) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다.As shown in FIG. 7, the second graph J2 is a graph showing the relationship between the exposure amount of the drawn light and the position of the sub-scanning direction X when the second exposure process is performed. The vertical axis of the second graph J2 represents the exposure amount of the drawn light during the second exposure process. The horizontal axis of the second graph J2 represents the position of the sub-scanning direction X when the position of the main scanning direction Y is the position Y1.
제 2 노광 처리가 실시되면, 위치 (Y1) 에 있어서, 1 중 조사 영역 (G2) 과, 연결 영역 (G3) 이, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다.When the second exposure process is performed, in the position Y1, the single irradiation region G2 and the connection region G3 are alternately arranged along the sub-scanning direction X.
제 2 그래프 (J2) 는, 사다리꼴상으로 변화하는 부분을 갖는다. 사다리꼴상의 부분은, 제 2 중앙부 (J21) 와, 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 를 갖는다. 제 2 중앙부 (J21) 는, 노광량이 노광량 50 % 로 일정한 부분이다. 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 각각은, 제 2 중앙부 (J21) 에 연이어 있고, 제 2 중앙부 (J21) 로부터 이간됨에 수반하여 노광량이 체감한다. 본 실시 형태에서는, 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 각각에 있어서, 제 2 중앙부 (J21) 로부터 이간됨에 수반하여 묘화 광의 출사율이 체감됨으로써, 노광량이 체감한다. 1 쌍의 제 2 단부 (J22) 의 사이에는 제 2 중앙부 (J21) 가 위치한다.The second graph J2 has a portion that changes in a trapezoidal shape. The trapezoidal portion has a second center portion J21 and a pair of second end portions J22. The second central portion J21 is a portion where the exposure amount is constant at an exposure amount of 50%. Each of the pair of second end portions J22 is connected to the second central portion J21, and as the distance from the second central portion J21 is separated, the exposure amount is sensed. In this embodiment, in each of the pair of 2nd end parts J22, as the distance from the 2nd center part J21 senses the emission rate of the drawn light sensibly, the exposure amount is sensed bodily. The second central portion J21 is positioned between the pair of second end portions J22.
이하에서는, 제 2 노광 처리가 실시될 때에, 기판 (W) 상에 형성되는 연결 영역 (G3) 을, 제 2 연결 영역 (G32) 이라고 기재하는 경우가 있다.Hereinafter, when the 2nd exposure process is performed, the connection region G3 formed on the board | substrate W may be described as the 2nd connection region G32.
1 중 조사 영역 (G2) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 그 결과, 1 중 조사 영역 (G2) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.The drawing light of 50% of exposure amount is irradiated to the single irradiation region G2. As a result, the second pattern Q2 is drawn in the single irradiation region G2.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 연결 영역 (G32) 에 대해서도, 제 1 연결 영역 (G31) 과 동일하게, 노광량의 합이 노광량 50 % 가 되도록 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 그 결과, 제 2 연결 영역 (G32) 에 제 2 패턴 (Q2) 이 묘화된다.As shown in FIG. 6, in the same manner as in the first connection region G31, the second connection region G32 is irradiated with the drawn light so that the sum of the exposure amounts is 50% of the exposure amount. As a result, the second pattern Q2 is drawn in the second connection region G32.
다음으로, 도 8 을 참조하여, 기판 (W) 에 묘화된 소정 패턴 (Q) 에 대하여 설명한다. 도 8 은, 기판 (W) 에 묘화된 소정 패턴 (Q) 을 나타내는 모식도이다.Next, with reference to FIG. 8, the predetermined pattern Q drawn on the board | substrate W is demonstrated. 8 is a schematic view showing a predetermined pattern Q drawn on the substrate W. As shown in FIG.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 이 형성된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 주주사 방향 (Y) 을 따라 연장된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 부주사 방향 (X) 을 따라 교대로 배치된다. 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 서로 겹치지 않는 장소에 배치된다. 또한, 겹치는 것은, Z 축이 연장되는 방향으로 겹치는 것을 나타낸다. 또한, 겹치지 않는 것은, Z 축이 연장되는 방향으로 겹치지 않는 것을 나타낸다.As shown in FIG. 8, the first exposure process and the second exposure process are performed, whereby the first connection region G31 and the second connection region G32 are formed in the predetermined region W1 of the substrate W do. The first connection region G31 and the second connection region G32 extend along the main scanning direction Y. The first connection region G31 and the second connection region G32 are alternately arranged along the sub-scanning direction X. The 1st connection area G31 and the 2nd connection area G32 are arrange | positioned in the place which does not overlap with each other. In addition, overlapping means that the Z-axis overlaps in the extending direction. Further, non-overlapping indicates that the Z-axis does not overlap in the extending direction.
도 8 은, 합성 그래프 (J) 를 추가로 나타낸다. 도 8 을 참조하여, 합성 그래프 (J) 에 대하여 추가로 설명한다.8 further shows a composite graph (J). Referring to Fig. 8, the composite graph J will be further described.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 합성 그래프 (J) 는, 노광 처리마다, 묘화 광의 노광량과, 부주사 방향 (X) 의 위치의 관계를 나타낸 그래프이다. 본 실시 형태의 합성 그래프 (J) 는, 도 5 에 나타내는 제 1 그래프 (J1) 와, 도 7 에 나타내는 제 2 그래프 (J2) 를 조합한 그래프이다. 합성 그래프 (J) 의 세로 축은, 제 1 노광 처리시의 묘화 광의 노광량과, 제 2 노광 처리시의 묘화 광의 노광량을 나타낸다. 합성 그래프 (J) 의 가로 축은, 주주사 방향 (Y) 의 위치가 위치 (Y1) 일 때의, 부주사 방향 (X) 의 위치를 나타낸다.As shown in FIG. 8, the composite graph J is a graph showing the relationship between the exposure amount of the drawn light and the position of the sub-scanning direction X for each exposure process. The composite graph J of this embodiment is a graph combining the first graph J1 shown in FIG. 5 and the second graph J2 shown in FIG. 7. The vertical axis of the composite graph J represents the exposure amount of the drawn light during the first exposure treatment and the exposure amount of the drawn light during the second exposure treatment. The horizontal axis of the composite graph J represents the position of the sub-scanning direction X when the position of the main scanning direction Y is the position Y1.
제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리가 실시됨으로써, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에는, 노광량 50 % 의 묘화 광이 2 중으로 조사된다. 따라서, 소정 영역 (W1) 에 대하여 2 중으로 조사된 묘화 광의 노광량의 합이, 노광량 100 % 가 된다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 것에 상당하기 때문에, 소정 영역 (W1) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.By performing the 1st exposure process and the 2nd exposure process, the drawn light of 50% of exposure amount is irradiated to the predetermined area | region W1 of the board | substrate W. Therefore, the sum of the exposure doses of the drawn light irradiated in double with respect to the predetermined region W1 is 100% of the exposure dose. As a result, since it corresponds to that the drawing light of 100% of exposure amount was irradiated to the predetermined area | region W1, it becomes possible to draw the predetermined pattern Q to the predetermined area | region W1.
다음으로, 도 9(a) 및 도 9(b) 를 참조하여, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사되었을 때의 기판 (W) 의 상태에 대하여 설명한다. 도 9(a) 는, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 9(b) 는, 종래의 패턴 현상 후의 기판 (W) 을 나타내는 평면도이다.Next, with reference to FIGS. 9 (a) and 9 (b), the state of the substrate W when the substrate W is irradiated with drawing light having an exposure amount of 100% will be described. Fig. 9 (a) is a side view schematically showing a state where the substrate W is irradiated with a writing light having an exposure amount of 100%. Fig. 9 (b) is a plan view showing a substrate W after conventional pattern development.
도 9(a) 및 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 종래에는, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 경우, 기판 (W) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사되고 있었다. 요컨대, 노광 처리가 한 번으로 완료되어 있었다. 그 결과, 기판 (W) 의 레지스트의 표층에는, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 노광 줄무늬 (R) 가 발생해 있었다. 노광 줄무늬 (R) 는, 연결 영역 (G3) 에 발생해 있었다.9 (a) and 9 (b), conventionally, when drawing a predetermined pattern Q on the substrate W, drawing light having an exposure amount of 100% was irradiated onto the substrate W. . In short, the exposure process was completed once. As a result, exposure streaks R were generated in the surface layer of the resist of the substrate W after development of the predetermined pattern Q. The exposure stripes R were generated in the connection region G3.
다음으로, 도 10(a) 및 도 10(b) 를 참조하여, 도 4 의 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리와, 스텝 S30 에 나타내는 제 2 노광 처리가 실시되었을 때의 기판 (W) 의 상태에 대하여 설명한다. 도 10(a) 는, 기판 (W) 에 대하여 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리가 실시된 상태를 모식적으로 나타내는 측면도이다. 도 10(b) 는, 본원의 패턴 현상 후의 기판 (W) 을 나타내는 평면도이다.Next, referring to Figs. 10 (a) and 10 (b), the state of the substrate W when the first exposure processing shown in step S20 in Fig. 4 and the second exposure processing shown in step S30 are performed Will be described. 10 (a) is a side view schematically showing a state in which the first exposure process and the second exposure process are performed on the substrate W. As shown in FIG. 10 (b) is a plan view showing the substrate W after pattern development of the present application.
도 10(a) 및 도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 본원 발명자는, 묘화 장치 (1) 에 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리를 실시하게 함으로써, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하였다. 요컨대, 본원 발명자는, 노광 처리를 복수 실시하였다. 그 결과, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 가 완화되었다.10 (a) and 10 (b), the inventor of the present application performs a predetermined pattern (Q) on the substrate W by causing the
이하에서는, 노광 줄무늬 (R) 가 완화되는 원리에 대하여 설명한다. 본원 발명자는, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 많아질수록, 노광 줄무늬 (R) 가 진해지는 것을 발견하였다. 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 연결 영역 (G3) 에 겹쳐서 조사되는 묘화 광의 노광량의 합계를 나타낸다. 도 9(a) 및 도 9(b) 에 나타내는 종래의 노광 처리에서는, 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 노광량 100 % 이다. 이에 반하여, 도 10(a) 및 도 10(b) 에 나타내는 본원의 노광 처리에서는, 연결 영역 (G3) 의 노광량은, 노광량 50 % 이다. 따라서, 본원과 같이, 소정 영역 (W1) 에 대한 노광 처리를 복수 실시함으로써, 연결 영역 (G3) 의 노광량을 적게 할 수 있다. 그 결과, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 가 옅어지기 때문에, 노광 줄무늬 (R) 가 완화된다.Hereinafter, the principle in which the exposure streak R is relaxed will be described. The inventor of the present application has discovered that as the exposure amount of the connection region G3 increases, the exposure streak R increases. The exposure amount of the connection region G3 represents the sum of the exposure doses of the drawn light irradiated overlapping the connection region G3. In the conventional exposure processing shown in Figs. 9A and 9B, the exposure amount of the connection region G3 is 100% of the exposure amount. On the other hand, in the exposure process of the present application shown in Figs. 10A and 10B, the exposure amount of the connection region G3 is 50% of the exposure amount. Therefore, as described herein, the exposure amount of the connection region G3 can be reduced by performing a plurality of exposure treatments on the predetermined region W1. As a result, since the exposure streak R generated in the connection region G3 becomes thin, the exposure streak R is relaxed.
이상, 도 4 내지 도 10(b) 를 참조하여 설명한 바와 같이, 다중 노광 처리가 실시된다. 본 실시 형태의 다중 노광 처리는, 스텝 S20 에 나타내는 제 1 노광 처리와, 스텝 S30 에 나타내는 제 2 노광 처리를 포함한다. 제어부 (60) 는, 구동 기구 (20) 와 광학 유닛 (40) 을 제어함으로써, 다중 노광 처리를 실시한다. 제 1 노광 처리에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 이 형성되도록, 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광이 병렬로 조사된다. 제 2 노광 처리에서는, 제 2 연결 영역 (G32) 이 형성되도록, 광학 유닛 (40) 에 의해 묘화 광이 병렬로 조사된다. 따라서, 노광 처리를 복수 실시함으로써, 노광 처리를 한 번에 완료하는 경우에 비하여, 제 1 연결 영역 (G31) 의 노광량과, 제 2 연결 영역 (G32) 의 노광량을 적게 할 수 있다. 그 결과, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.As described above, as described with reference to FIGS. 4 to 10 (b), multiple exposure processing is performed. The multiple exposure process of this embodiment includes the first exposure process shown in step S20 and the second exposure process shown in step S30. The
또한, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 노광 처리마다 형성된 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G31) 이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치한다. 따라서, 노광 줄무늬 (R) 를 효과적으로 완화시킬 수 있다.Moreover, as shown in FIG. 8, the 1st connection area G31 and the 2nd connection area G31 formed for every exposure process are located in the place which does not overlap with each other. Therefore, the exposure streak R can be effectively relaxed.
이상, 도면 (도 1 ∼ 도 10) 을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다 (예를 들어, (1) ∼ (10)). 또한, 상기의 실시 형태에 개시되어 있는 복수의 구성 요소를 적절히 조합하는 것에 의해, 여러 가지 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇 개의 구성 요소를 삭제해도 된다. 도면은, 이해하기 쉽게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성 요소의 개수 등은, 도면 작성의 형편으로부터 실제와는 상이한 경우도 있다. 또한, 상기의 실시 형태에서 나타내는 각 구성 요소는 일례로서, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다.In the above, embodiment of this invention was described, referring drawings (FIGS. 1-10). However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be carried out in various aspects without departing from the gist thereof (for example, (1) to (10)). Moreover, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiments. For example, several components may be deleted from all the components shown in the embodiment. In order to make the drawing easy to understand, each component is schematically represented as a subject, and the number of components shown in the drawings may be different from the actual situation in view of drawing. In addition, each component shown in the above-mentioned embodiment is an example and is not specifically limited, Various changes are possible within the range which does not deviate substantially from the effect of this invention.
(1) 도 8 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 제 1 노광 처리에서는 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사되고, 제 2 노광 처리에서도 노광량 50 % 의 묘화 광이 조사된다. 요컨대, 제 1 노광 처리와 제 2 노광 처리에서는, 동일한 패턴이 묘화된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량과, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량의 합이 필요 노광량과 대략 동일하면 된다. 필요 노광량은, 소정 패턴 (Q) 을 묘화하기 위해서 필요한 노광량을 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 노광량 100 % 이다.(1) As shown in Fig. 8, in the present embodiment, in the first exposure process, the drawn light having an exposure amount of 50% is irradiated, and in the second exposure process, the drawn light with an exposure amount of 50% is also irradiated. That is, in the first exposure process and the second exposure process, the same pattern is drawn. However, the present invention is not limited to this. The sum of the exposure amount of the drawn light irradiated by the first exposure process and the exposure amount of the drawn light irradiated by the second exposure process may be approximately equal to the required exposure amount. The required exposure amount represents the exposure amount required for drawing a predetermined pattern (Q). In this embodiment, the required exposure amount is 100% of exposure amount.
도 11 을 참조하여, 노광 처리의 제 1 변형예에 대하여 설명한다. 도 11 은, 합성 그래프 (J) 의 제 1 변형예 (JA) 를 나타내는 도면이다. 도 11 에 나타내는 바와 같이, 필요 노광량이 노광량 100 % 인 경우, 예를 들어, 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 30 % 로 하고, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 70 % 로 해도 된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된다 (30 % + 70 % = 100 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.Referring to Fig. 11, a first modified example of the exposure process will be described. 11 is a view showing a first modification (JA) of the synthesis graph (J). As shown in FIG. 11, when the required exposure amount is 100% of exposure amount, for example, the exposure amount of the drawn light irradiated by the first exposure treatment is 30% of the exposure amount, and the exposure amount of the drawn light irradiated by the second exposure treatment is the exposure amount of 70 %. Therefore, the substrate W is irradiated with writing light having an exposure amount of 100% (30% + 70% = 100%). As a result, since the writing light of the exposure amount equivalent to the required exposure amount is irradiated to the substrate W, it becomes possible to draw a predetermined pattern Q on the substrate W.
(2) 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 노광량 100 % 이다. 그러나, 본 발명은, 이것에 한정되지 않는다. 필요 노광량은, 노광량 0 % 보다 크면 된다. 또한, 필요 노광량은, 노광량 100 % 보다 커도 된다.(2) In the present embodiment, the required exposure amount is 100% of the exposure amount. However, the present invention is not limited to this. The required exposure amount may be greater than 0% of the exposure amount. Further, the required exposure amount may be greater than 100% of the exposure amount.
도 12 를 참조하여, 노광 처리의 제 2 변형예에 대하여 설명한다. 도 12 는, 합성 그래프 (J) 의 제 2 변형예 (JB) 를 나타내는 도면이다. 도 12 에 나타내는 바와 같이, 필요 노광량이 노광량 70 % 인 경우, 예를 들어, 제 1 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 35 % 로 하고, 제 2 노광 처리로 조사되는 묘화 광의 노광량을 노광량 35 % 로 해도 된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 70 % 의 묘화 광이 조사된다 (35 % + 35 % = 70 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.A second modified example of the exposure process will be described with reference to FIG. 12. It is a figure which shows the 2nd modified example (JB) of the synthesis graph (J). As shown in FIG. 12, when the required exposure amount is 70% of exposure amount, for example, the exposure amount of the drawn light irradiated by the first exposure treatment is set to the
(3) 본 실시 형태에서는, 필요 노광량은, 소정 영역 (W1) 의 모든 위치에 있어서 일정한 노광량 100 % 이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 필요 노광량은, 소정 영역 (W1) 중 묘화 광이 조사되는 장소마다 (화소마다) 상이해도 된다.(3) In the present embodiment, the required exposure amount is 100% of the constant exposure amount in all positions of the predetermined area W1. However, the present invention is not limited to this. The required exposure amount may be different (for each pixel) in each of the predetermined areas W1 where drawing light is irradiated.
(4) 본 실시 형태에서는, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화할 때, 노광 처리가 2 회 실시된다. 구체적으로는, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리가 실시된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리는 3 회 이상 실시되어도 된다. 예를 들어, 노광 처리는, 4 회 실시되어도 된다.(4) In this embodiment, when drawing a predetermined pattern Q on the board | substrate W, exposure process is performed twice. Specifically, the first exposure process and the second exposure process are performed. However, the present invention is not limited to this. The exposure treatment may be performed three or more times. For example, exposure treatment may be performed 4 times.
도 13 을 참조하여, 노광 처리가 4 회 실시된 경우의 묘화 광의 노광량에 대하여 설명한다. 도 13 은, 합성 그래프 (J) 의 제 3 변형예 (JC) 를 나타내는 도면이다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리와, 제 3 노광 처리와, 제 4 노광 처리가 실시되어도 된다. 이 경우, 필요 노광량을 노광량 100 % 로 하면, 제 1 노광 처리 ∼ 제 4 노광 처리의 각각에 있어서, 예를 들어, 노광량 25 % 의 묘화 광이 조사된다. 따라서, 기판 (W) 에 노광량 100 % 의 묘화 광이 조사된다 (25 % + 25 % + 25 % + 25 % = 100 %). 그 결과, 필요 노광량과 동등한 노광량의 묘화 광이 기판 (W) 에 조사되기 때문에, 기판 (W) 에 소정 패턴 (Q) 을 묘화하는 것이 가능해진다.With reference to FIG. 13, the exposure amount of the drawn light in the case where the exposure process is performed 4 times is demonstrated. 13 is a view showing a third modification (JC) of the synthesis graph (J). As shown in FIG. 13, a 1st exposure process, a 2nd exposure process, a 3rd exposure process, and a 4th exposure process may be performed. In this case, if the required exposure amount is 100% of the exposure amount, in each of the first exposure treatment to the fourth exposure treatment, for example, a writing light having an exposure amount of 25% is irradiated. Therefore, the substrate W is irradiated with drawing light having an exposure amount of 100% (25% + 25% + 25% + 25% = 100%). As a result, since the writing light of the exposure amount equivalent to the required exposure amount is irradiated to the substrate W, it becomes possible to draw a predetermined pattern Q on the substrate W.
(5) 도 14 를 참조하여, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 의 위치 관계의 변형예에 대하여 설명한다. 도 14 는, 합성 그래프 (J) 의 제 4 변형예 (JD) 를 나타내는 도면이다.(5) With reference to FIG. 14, a modified example of the positional relationship between the first connection region G31 and the second connection region G32 will be described. It is a figure which shows the 4th modified example (JD) of the synthesis graph (J).
본 실시 형태에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 은, 서로 겹치지 않는 장소에 배치된다 (도 8 참조). 그러나, 본 발명은, 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리마다 형성되는 연결 영역 (G3) 의 위치는, 특별히 한정되지 않는다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 제 1 연결 영역 (G31) 과, 제 2 연결 영역 (G32) 이, 서로 겹치는 장소에 배치되어도 된다. 그 결과, 소정 패턴 (Q) 의 현상 후에, 연결 영역 (G3) 에 발생하는 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.In this embodiment, the 1st connection area G31 and the 2nd connection area G32 are arrange | positioned in the place which does not overlap with each other (refer FIG. 8). However, the present invention is not limited to this. The position of the connection region G3 formed for each exposure treatment is not particularly limited. As shown in FIG. 14, the 1st connection area G31 and the 2nd connection area G32 may be arrange | positioned at the place overlapping each other. As a result, after the development of the predetermined pattern Q, the exposure stripes R occurring in the connection region G3 can be relaxed.
이하에서는, 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G32) 이 서로 겹치는 장소에 배치되는 경우에도, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있는 원리에 대하여 설명한다. 본원 발명자는, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 소정의 임계값을 초과하면, 노광 줄무늬 (R) 의 진함이 갑자기 증가하는 것을 발견하였다. 요컨대, 연결 영역 (G3) 의 노광량이 소정의 임계값보다 적을 때에는, 노광 줄무늬 (R) 가 완화되어 있다. 따라서, 본원과 같이 소정 영역 (W1) 에 대한 노광 처리를 복수 실시함으로써, 연결 영역 (G3) 의 노광량을 소정의 임계값보다 적게 할 수 있기 때문에, 연결 영역 (G3) 에 형성되는 노광 줄무늬 (R) 가 완화된 상태를 확보할 수 있다. 그 결과, 제 1 연결 영역 (G31) 과 제 2 연결 영역 (G32) 이 서로 겹치는 장소에서도, 노광 처리를 한 번에 완료하는 경우에 비하여, 노광 줄무늬 (R) 를 완화시킬 수 있다.Hereinafter, a description will be given of a principle capable of alleviating the exposure streaks R even when the first connection region G31 and the second connection region G32 are disposed at overlapping locations. The inventor of the present application has found that when the exposure amount of the connection region G3 exceeds a predetermined threshold, the darkness of the exposure stripes R suddenly increases. That is, when the exposure amount of the connection region G3 is less than a predetermined threshold, the exposure streak R is relaxed. Therefore, by performing a plurality of exposure treatments on the predetermined area W1 as described herein, the exposure amount of the connection area G3 can be made smaller than a predetermined threshold, and therefore the exposure stripes R formed in the connection area G3 ) Can be relaxed. As a result, even in a place where the first connection region G31 and the second connection region G32 overlap each other, the exposure streak R can be relaxed compared to when the exposure process is completed at once.
(6) 광학 유닛 (40) 의 광 변조 소자는, GLV 에 한정되지 않는다. 광학 유닛 (40) 의 광 변조 소자는, 묘화 광의 출사율을 변경할 수 있는 구조를 가지고 있으면 된다. 광 변조 소자는, 예를 들어, DMD (Digital Micromirror Device) 여도 된다.(6) The optical modulation element of the
(7) 본 실시 형태에서는, 1 개의 광학 유닛 (40) 이 형성된다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 광학 유닛 (40) 은, 예를 들어, 2 개 이상 형성되어 있어도 된다. 광학 유닛 (40) 이 2 개 형성되는 경우, 예를 들어, 일방의 광학 유닛 (40) 이 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 중 절반의 영역의 노광을 담당하고, 타방의 광학 유닛 (40) 이 소정 영역 (W1) 중 나머지 절반의 노광을 담당한다.(7) In the present embodiment, one
(8) 본 실시 형태에서는, 노광 처리가 실시될 때, 기판 (W) 이 이동한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 노광 처리가 실시될 때, 광학 유닛 (40) 이 이동해도 되고, 기판 (W) 및 광학 유닛 (40) 의 양방이 이동해도 된다. 또한, 기판 (W) 이 이동하는 것은, 기판 (W) 이 스테이지 (10) 에 유지되어 있는 상태에서, 스테이지 (10) 가 이동하는 것을 나타낸다.(8) In the present embodiment, when exposure processing is performed, the substrate W moves. However, the present invention is not limited to this. When the exposure process is performed, the
(9) 도 4 에 나타내는 스텝 S20 및 스텝 S30 이 실시될 때의, 기판 (W) 의 이동 속도에 대하여 설명한다.(9) The moving speed of the substrate W when steps S20 and S30 shown in Fig. 4 are performed will be described.
본 실시 형태에서는, 스텝 S20 및 스텝 S30 의 각각에 있어서, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 50 % 의 묘화 광을 조사하는 경우 (도 5 및 도 7 참조), 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우 (도 9(a) 참조) 와 비교하여, 묘화 광의 에너지는 동일하면서, 기판 (W) 의 이동 속도는 2 배의 속도로 한다. 그 결과, 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우와 비교하여, 노광 처리에 필요로 하는 시간이 길어지는 것을 억제할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.In this embodiment, in each of step S20 and step S30, when the writing light of 50% of exposure amount is irradiated to the predetermined area W1 of the substrate W (see Figs. 5 and 7), the predetermined area W1 With respect to), compared with the case where the drawn light having an exposure amount of 100% is irradiated at once (see Fig. 9 (a)), the energy of the drawn light is the same and the moving speed of the substrate W is doubled. As a result, it can suppress that the time required for exposure processing is prolonged compared with the case where the drawing light of 100% of exposure amount is irradiated to the predetermined area | region W1 at a time. However, the present invention is not limited to this.
스텝 S20 및 스텝 S30 의 각각에 있어서, 기판 (W) 의 소정 영역 (W1) 에 대하여 노광량 50 % 의 묘화 광을 조사하는 경우, 노광량 100 % 의 묘화 광을 한 번에 조사하는 경우와 비교하여, 묘화 광의 에너지는 반감시키면서, 기판 (W) 의 이동 속도는 동일하게 해도 된다.In each of step S20 and step S30, when drawing light of 50% of exposure amount is drawn to the predetermined area | region W1 of the board | substrate W, compared with the case of irradiating drawing light of 100% of exposure amount at once, The moving speed of the substrate W may be the same while halving the energy of the drawing light.
(10) 본 실시 형태에서는, 기판 (W) 에 묘화되는 패턴은, 노광 처리 후의 현상에 의해, 노광된 영역이 최종적으로 화상 패턴으로서 남는 네거티브 패턴이다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기판 (W) 에 묘화되는 패턴은, 노광 처리 후의 현상에 의해, 노광되지 않은 영역이 남는 포지티브 패턴이어도 된다.(10) In the present embodiment, the pattern drawn on the substrate W is a negative pattern in which the exposed area finally remains as an image pattern by development after exposure processing. However, the present invention is not limited to this. The pattern drawn on the substrate W may be a positive pattern in which unexposed areas remain due to development after exposure processing.
본 발명은, 묘화 장치, 및 묘화 방법의 분야에 이용 가능하다.The present invention can be used in the fields of a drawing device and a drawing method.
W ; 기판
1 ; 묘화 장치
10 ; 스테이지
20 ; 구동 기구
40 ; 광학 유닛 (조사부)
60 ; 제어부
G3 ; 연결 영역
W1 ; 소정 영역W; Board
One ; Drawing device
10; stage
20; Drive mechanism
40; Optical unit (irradiation unit)
60; Control
G3; Connection area
W1; A certain area
Claims (9)
상기 묘화 광을 조사하는 조사부와,
상기 조사부를 제어하는 제어부,
를 구비하고,
상기 조사부가 다중 노광 처리를 실시하도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 조사부에 의해 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 장치.A drawing device for drawing a pattern on the substrate by irradiating drawing light to the substrate,
An irradiation unit for irradiating the drawing light;
Control unit for controlling the irradiation unit,
Equipped with,
The control unit controls the irradiation unit so that the irradiation unit performs multiple exposure processing,
The multiple exposure process includes a plurality of exposure processes for irradiating the drawing light with the irradiation part on a predetermined area of the substrate,
Each of the plurality of exposure processes includes a process of irradiating the drawing light in parallel by the irradiation part so that a connection region is formed,
The said connection area | region is a drawing apparatus which shows the area | region which partially overlaps the irradiation area of the said drawing light irradiated in parallel.
상기 다중 노광 처리에 의해 형성된 복수의 상기 연결 영역이, 서로 겹치지 않는 장소에 위치하는, 묘화 장치.According to claim 1,
The drawing apparatus in which the said several connection area formed by the said multiple exposure process is located in the place which does not overlap with each other.
상기 복수의 노광 처리 중 적어도 2 개의 노광 처리에서는 상기 기판에 동일한 패턴이 묘화되도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하는, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
In at least two exposure processes among the plurality of exposure processes, the control unit controls the irradiation unit so that the same pattern is drawn on the substrate.
상기 연결 영역은 패턴이 묘화되는 영역인, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The connection area is an area where a pattern is drawn, a drawing device.
상기 다중 노광 처리에 의해 상기 기판에 소정 패턴이 묘화되는 경우, 상기 노광 처리마다 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 노광량의 각각의 합계가, 상기 소정 패턴을 묘화하기 위해서 필요한 필요 노광량과 대략 동일해지도록, 상기 제어부가 상기 조사부를 제어하는, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
When a predetermined pattern is drawn on the substrate by the multiple exposure process, for each exposure process, the sum of each of the exposure doses of the drawing light irradiated to the substrate is approximately equal to the required exposure amount required to draw the predetermined pattern. , Wherein the control unit controls the irradiation unit.
상기 기판을 유지하는 스테이지와,
상기 조사부에 대하여 상기 스테이지를 이동시키는 구동 기구
를 추가로 구비하고,
상기 조사부에 대한 상기 스테이지의 이동 속도가 빨라질수록, 상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 노광량이 감소하도록, 상기 제어부가 상기 구동 기구를 제어함으로써 상기 묘화 광의 노광량을 조정하는, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
A stage for holding the substrate,
Driving mechanism for moving the stage with respect to the irradiation portion
It is further provided,
The drawing apparatus adjusts the exposure amount of the said drawing light by controlling the said drive mechanism so that the exposure amount of the said drawing light with respect to the said board | substrate decreases, so that the moving speed of the said stage with respect to the said irradiation part increases.
상기 기판에 대한 상기 묘화 광의 조사 위치와, 상기 묘화 광의 노광량의 관계를 나타내는 그래프는, 사다리꼴상으로 형성되는 부분을 갖고,
상기 사다리꼴상의 부분은, 상기 노광량이 일정한 중앙부와, 상기 중앙부에 연이어 있고, 상기 중앙부로부터 이간됨에 수반하여 상기 노광량이 체감하는 1 쌍의 단부를 갖고,
상기 1 쌍의 단부 사이에는 상기 중앙부가 위치하는, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The graph showing the relationship between the irradiation position of the drawing light with respect to the substrate and the exposure amount of the drawing light has a portion formed in a trapezoidal shape,
The trapezoidal portion has a central portion where the exposure amount is constant, and is connected to the central portion, and has a pair of ends where the exposure amount is sensed as being separated from the central portion,
The drawing device is located between the pair of ends, the central portion.
상기 복수의 노광 처리는, 제 1 노광 처리와, 제 2 노광 처리를 포함하고,
상기 제 1 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 1 노광량이, 상기 제 2 노광 처리시에 상기 기판에 조사된 상기 묘화 광의 제 2 노광량과 동등하거나, 또는, 상기 제 1 노광량이 상기 제 2 노광량과 상이한, 묘화 장치.The method of claim 1 or 2,
The plurality of exposure processes include a first exposure process and a second exposure process,
The first exposure amount of the drawing light irradiated to the substrate during the first exposure processing is equal to the second exposure amount of the drawing light irradiated to the substrate during the second exposure processing, or the first exposure amount is the A drawing device different from the second exposure amount.
다중 노광 처리를 실시하는 다중 노광 공정을 포함하고,
상기 다중 노광 처리는, 상기 기판의 소정 영역에 대하여 상기 묘화 광을 조사하는 노광 처리를 복수 포함하고,
상기 복수의 노광 처리의 각각은, 연결 영역이 형성되도록 상기 묘화 광을 병렬로 조사하는 처리를 포함하고,
상기 연결 영역은, 상기 병렬로 조사된 상기 묘화 광의 조사 영역의 일부끼리 겹치는 영역을 나타내는, 묘화 방법.As a drawing method of drawing a pattern on the substrate by irradiating the drawing light to the substrate,
It includes a multiple exposure process for performing multiple exposure treatment,
The multiple exposure process includes a plurality of exposure processes for irradiating the drawn light onto a predetermined area of the substrate,
Each of the plurality of exposure processes includes a process of irradiating the drawing light in parallel so that a connection region is formed,
The said connection area | region represents the area | region which partially overlaps with the irradiation area of the said drawing light irradiated in parallel.
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