KR20190083474A - A substrate and an organic light emitting diode comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 기판, 유기발광소자 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate, an organic light emitting element, and a lighting apparatus.
기판, 제1 전극층, 발광층을 갖는 유기층, 및 제2 전극층을 순차로 포함하는 유기발광소자(OLED: organic light emitting diode)는 박형으로 제작이 가능할 뿐 아니라 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르다는 장점이 있으나, 광 추출 효율이 높지 않다는 단점이 있다. 광 추출효율이 낮은 주된 이유는, 굴절률이 높은 양극과 기판의 계면 등에서 빛이 유기발광소자의 내부로 전반사되기 때문이다.An organic light emitting diode (OLED) including a substrate, a first electrode layer, an organic layer having a light emitting layer, and a second electrode layer sequentially can be manufactured in a thin shape, can be driven at a low voltage, There is a disadvantage in that the light extraction efficiency is not high. The main reason why the light extraction efficiency is low is that light is totally reflected to the inside of the organic light emitting element at the interface between the anode and the substrate having a high refractive index.
광추출층은 내부 전반사에 의한 소자의 광 추출효율 저하를 개선하고자 사용되는 구성 중 하나이다. 예를 들어, ITO와 같은 양극과 글라스(glass) 사이에 내부 광추출층을 위치시키고 유기층에 갇힌 빛을 글라스로 추출하거나, 글라스 표면에 외부광추출층을 위치시키고 글라스 표면의 내부 전반사를 억제하여 글라스 내부의 빛을 외부로 추출하는 방법 등이 사용되고 있다. 내부 광추출층으로는 금속성 산란입자를 포함하는 코팅층이 주로 사용되고, 외부 광추출층으로는 비즈를 이용한 확산필름이나 마이크로렌즈어레이(MLA) 등의 구조체가 사용된다. 그런데, 산란입자를 포함하는 내부 광추출층이 존재하는 경우, 외부 광추출층에 의한 광추출율 증대 효과는 내부 광추출층 없이 단독으로 외부 광추출층을 사용하는 경우의 그것 보다 좋지 못하다. 하지만, 소자 전체의 총 광추출율을 증가 시키기 위해서는 내부 광추출층의 존재가 필수적이므로, 내부 광추출층이 존재하는 상황에서 외부 광추출을 최적화하는 것이 필요하다.The light extracting layer is one of the structures used to improve the deterioration of the light extraction efficiency of the device due to total internal reflection. For example, it is possible to place an inner light extraction layer between an anode such as ITO and a glass, to extract the light confined in the organic layer into a glass, or to place an external light extraction layer on the surface of the glass and suppress total internal reflection of the glass surface And a method of extracting the light inside the glass to the outside. As the inner light extracting layer, a coating layer containing metallic scattering particles is mainly used. As the external light extracting layer, a diffusion film using beads or a structure such as a microlens array (MLA) is used. However, when the inner light extracting layer including scattering particles is present, the light extracting efficiency by the outer light extracting layer is lower than that of the case where the outer light extracting layer is used alone without the inner light extracting layer. However, since the presence of the inner light extraction layer is essential to increase the total light extraction efficiency of the entire device, it is necessary to optimize the outer light extraction in the presence of the inner light extraction layer.
본 출원의 일 목적은, 소자의 광 추출 효율을 개선할 수 있는 기판, 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a substrate capable of improving the light extraction efficiency of the device, and an organic light emitting device including the same.
본 출원의 상기 목적 및 기타 그 밖의 목적은 하기 상세히 설명되는 본 출원에 의해 모두 해결될 수 있다.The above and other objects of the present application can be all solved by the present application, which is described in detail below.
본 출원에 관한 일례에서, 본 출원은 유기발광소자용 기판에 관한 것이다. 상기 기판은, 투광성 기재, 상기 투광성 기재의 일면 상에 위치하는 제1 광추출층, 및 상기 제1 광추출층이 위치하는 투광성 기재 일면의 반대 일면 상에 위치하는 제2 광추출층을 포함하며, 상기 제1 광추출층은 소정 구조의 돌기가 반복되는 패턴을 갖는다. 본 출원에서, 층간 적층 위치와 관련하여 사용되는 「상」 또는 「상에」라는 용어는, 어떤 구성이 다른 구성 바로 위에 형성되는 경우뿐 아니라 이들 구성 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미할 수 있다.In one example of the present application, the present application relates to a substrate for an organic light emitting element. The substrate includes a light-transmitting substrate, a first light-extracting layer located on one surface of the light-transmitting substrate, and a second light-extracting layer located on the opposite surface of the light-transmitting substrate surface on which the first light- , The first light extracting layer has a pattern in which projections of a predetermined structure are repeated. In the present application, the term " on " or " on " used in connection with the interlayer deposition position includes not only the case where a certain constitution is formed directly on another constitution but also the case where a third constitution is interposed It can mean to do.
상기 제1 광추출층이 갖는 돌기는 각뿔형상의 돌기일 수 있다. 본 출원에서 각뿔은, 복수 개의 삼각형 옆면이 하나의 꼭짓점에서 만나 형성되는 입체 구조를 의미할 수 있다.The protrusions of the first light extracting layer may be pyramidal protrusions. A pyramid in the present application may mean a three-dimensional structure in which a plurality of triangular side faces meet at one corner point.
하나의 예시에서, 상기 돌기의 높이는 500 ㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 돌기는 400 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 300 ㎛ 이하, 200 ㎛ 이하, 또는 100 ㎛ 이하의 높이를 가질 수 있다. 상기 범위를 초과하는 경우, 돌기 자체의 광 흡수율이 증가하기 때문에 투과율이 저하되는 문제가 있다. 돌기 높이의 하한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어, 10 ㎛ 이상, 20 ㎛ 이상, 또는 30 ㎛ 이상일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 적절한 가공성을 확보할 수 있다. In one example, the height of the protrusion may be less than 500 [mu] m. Specifically, the protrusions may have a height of 400 占 퐉 or less, 300 占 퐉 or less, 300 占 퐉 or less, 200 占 퐉 or less, or 100 占 퐉 or less. If it exceeds the above range, there is a problem that the light transmittance is lowered because the light absorption rate of the projections themselves increases. The lower limit of the height of the projection is not particularly limited, but may be, for example, 10 탆 or more, 20 탆 or more, or 30 탆 or more. When the above range is satisfied, appropriate workability can be ensured.
상기 돌기는 비대칭 각뿔형상의 돌기일 수 있다. 구체적으로, 도 1에서와 같이, 상기 돌기는 서로 마주보는 제1 및 제2 삼각면의 기울기가 서로 상이한 비대칭 각뿔형상의 돌기일 수 있다. 본 출원에서, 삼각면의 기울기란, 기판의 수평면으로부터 각뿔형상 돌기의 꼭지점을 향하는 법선을 기준으로, 기울기 측정 대상인 삼각면이 기울어진 각도를 의미할 수 있다. 상기 제1 및 제2 삼각면은 어느 하나의 돌기를 구성하는 옆면을 의미하며, 이를 위해 돌기의 꼭지점에서 서로 만나는 삼각면을 의미한다. 본 출원의 제1 광추출층에 포함되는 모든 각뿔 형상의 돌기는, 하나의 방향에서 관찰 시에, 상기 관계를 만족하는 임의의 제1 삼각면(A) 및 제2 삼각면(B)을 포함한다. 본 출원에서, 돌기의 꼭지점을 향하는 법선을 기준으로 기울기가 더 작은 돌기의 옆면은 제1 삼각면으로 호칭될 수 있다. 상기 돌기가 비대칭일 경우, 투명 기재의 제2 광추출층 측으로부터 입사된 광이 제1 광추출층에서 다시 제2 광추출층 측으로 되돌아가더라도 재추출될 수 있는 빛의 각도 범위로 이동히게 되므로, 돌기의 형태가 대칭인 경우보다 높은 광추출효율을 가질 수 있다.The protrusion may be an asymmetrical pyramidal protrusion. Specifically, as shown in FIG. 1, the protrusions may be asymmetrical pyramidal protrusions having different slopes of the first and second triangular surfaces facing each other. In the present application, the inclination of the triangular face may mean an angle at which the triangular face, which is the object of inclination measurement, is inclined with respect to the normal line from the horizontal plane of the substrate toward the apex of the pyramidal projection. The first and second triangular surfaces refer to the side surfaces constituting one of the protrusions, and thus the triangular surfaces meet at the apexes of the protrusions. All the pyramidal protrusions included in the first light extracting layer of the present application include arbitrary first triangular plane A and second triangular plane B that satisfy the above relationship when observed in one direction do. In the present application, the side surface of the projection having a smaller inclination with respect to the normal to the apex of the projection may be referred to as a first triangular face. If the protrusion is asymmetric, the light incident from the side of the second light extracting layer of the transparent substrate is moved to the angle range of light that can be reextracted even if the light returns from the first light extracting layer to the second light extracting layer side , The light extraction efficiency can be higher than that in the case where the shape of the projection is symmetrical.
하나의 예시에서, 상기 돌기에서 서로 마주보는 제1 및 제2 삼각면이 이루는 각도(α)는 45° 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 각도(α)의 상한은 45° 이하, 40° 이하, 또는 35° 이하일 수 있고, 그 하한은 20° 이상, 25° 이상, 또는 30° 이상일 수 있다. 제1 및 제2 삼각면이 이루는 각도가 상기 범위를 벗어나는 경우, 특정 각도의 빛이 내부 전반사에 의해 되돌아 내려오는 재귀반사가 발생하므로, 광 추출효율이 감소하게 된다.In one example, the angle [alpha] formed by the first and second triangular faces facing each other in the projection may be 45 [deg.] Or less. More specifically, the upper limit of the angle? May be 45 degrees or less, 40 degrees or less, or 35 degrees or less, and the lower limit may be 20 degrees or more, 25 degrees or more, or 30 degrees or more. When the angle formed by the first and second triangular planes is out of the above range, a retroreflection occurs in which light of a specific angle is returned by total internal reflection, resulting in a decrease in light extraction efficiency.
또 하나의 예시에서, 제1 삼각면의 기울기(β)는 15° 이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 삼각면의 기울기(β) 상한은 13° 이하 또는 10° 이하일 수 있고, 그 하한은 0° 초과일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 돌기의 비대칭 형상을 확보할 수 있고, 따라서 내부로 되돌아가는 빛의 각도 분포가 재추출될 수 있는 각도 범위로 더 이동하게 되기 때문에, 광 추출효율을 개선할 수 있다.In another example, the inclination [beta] of the first triangular surface may be 15 degrees or less. More specifically, the slope (?) Upper limit of the first triangular plane may be 13 degrees or less or 10 degrees or less, and the lower limit thereof may be more than 0 degrees. If the above range is satisfied, the asymmetric shape of the projections can be ensured, and the light extraction efficiency can be improved because the angle distribution of the light returning to the inside further moves to the angle range where the light can be reextracted.
또 하나의 예시에서, 서로 맞닿아 인접하는 돌기 사이에서, 하나의 변을 공통으로 갖는 2개의 삼각면이 이루는 각도(α')는 45° 이하일 수 있다. 본 출원에서 임의의 2개 돌기가 서로 맞닿아 인접한다는 것은, 이들 사이에 다른 돌기는 존재하지 않으며 서로 다른 2개 돌기의 어느 옆면(삼각면)이 하나의 변을 공통으로 갖는 다는 것을 의미한다. 예를 들어, 도 1에서와 같이, 돌기(P1)의 제2 삼각면(B)과, 상기 돌기(P1)와 맞닿아 인접하는 돌기(P2)의 제1 삼각면(A')이 이루는 각도(α')는 45 °이하일 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 각도(α')는 상기 각도(α)와 동일한 크기를 가질 수 있다. 상기 관계를 만족하는 경우, 하나의 돌기 내에서 발생하는 재귀 반사 효과를 제거할 수 있다.In another example, an angle? 'Formed by two triangular surfaces having one side in common between adjacent projections contacting each other may be 45 degrees or less. In the present application, the fact that any two protrusions are in contact with each other means that there are no protrusions therebetween, and that any side surface (triangular surface) of two different protrusions has one side in common. For example, as shown in Figure 1, the projections (P 1) comprising: a first triangular face (A ') of the second triangle side (B) and a projection (P 2) that abuts adjacent to the projections (P 1) of the May be less than or equal to 45 [deg.]. More specifically, the angle? 'May have the same size as the angle?. When the above relationship is satisfied, it is possible to eliminate the retroreflection effect occurring in one projection.
상기 제1 광추출층은 상기 구성의 돌기가 반복되는 규칙 또는 비규칙적인 패턴을 가질 수 있다. 본 출원에서 광 추출층이 규칙적인 패턴을 갖는다는 것은 동일한 형상의 비대칭 사각뿔만이 제1 광추출층 상에 위치하는 경우를 의미하거나, 또는 동일한 형상의 비대칭 사각뿔이 동일한 간격을 갖고 제1 광추출층 상에 위치하는 경우를 의미할 수 있다.The first light extracting layer may have a repeating rule or an irregular pattern of the protrusions of the constitution. In the present application, the fact that the light extracting layer has a regular pattern means that only asymmetrical quadrangular pyramids of the same shape are located on the first light extracting layer, or that the asymmetrical quadrangular pyramids of the same shape have the same interval, Layer < / RTI >
하나의 예시에서, 상기 패턴을 형성하는 돌기간 간격은 5 ㎛ 이하일 수 있다. 예를 들어, 어느 두 개의 돌기가 직접 인접하는 경우, 즉, 상기 2개 돌기 사이에 다른 돌기가 존재하지 않는 경우에, 어느 한 돌기 바닥면의 한 변에서 그어진 수직선이 다른 하나의 돌기 바닥면 중 가장 가까운 변에 이르는 거리는 5 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우 평탄면에 의해서 발생할 수 있는 내부 전반사 효과를 최소화할 수 있다. 즉, 돌기간 간격이 크다는 것은 돌기 사이에 존재하는 평탄면의 면적이 넓어지는 것, 또는 돌기 사이에 위치하는 평탄면의 개수가 많아진다는 것인데, 외부 광추출층이 없는 경우와 마찬가지로 내부전반사의 기회가 많아진다는 것을 의미한다. 이러한 점을 고려하여, 본 출원에서는, 돌기 간 간격을 상기 범위로 제어하여 내부 전반사를 최소화 할 수 있다.In one example, the interval of the interstices forming the pattern may be 5 占 퐉 or less. For example, when two protrusions are directly adjacent to each other, that is, when no protrusion is present between the two protrusions, a vertical line drawn on one side of one protrusion bottom surface The distance to the nearest side may be 5 占 퐉 or less. If the above range is satisfied, the total internal reflection effect that may be caused by the flat surface can be minimized. That is, the large interval between the protrusions means that the area of the flat surface existing between the protrusions is widened, or the number of flat surfaces located between the protrusions is increased. As in the case where there is no external light extraction layer, Which means more. In consideration of this point, in the present application, the interval between the projections can be controlled within the above-mentioned range to minimize the total internal total reflection.
상기 비대칭 각뿔형상의 돌기는 짝수개의 삼각면을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 각뿔은 사각뿔, 육각뿔, 또는 팔각뿔 등일 수 있다. 사각뿔일 경우, 가공성이 우수하며, 보다 쉬운 방법으로 광추출 효과를 구현할 수 있다.The asymmetric pyramidal protrusion may have an even number of triangular surfaces. For example, the pyramid may be a quadrangular pyramid, a hexagonal pyramid, or an octagonal pyramid. In the case of a quadrangular pyramid, the workability is excellent, and a light extracting effect can be realized by an easier method.
하나의 예시에서, 상기 돌기는 비대칭 사각뿔 형상을 가질 수 있다. 사각뿔인 경우, 4개의 삼각면에 의해 구획되는 밑면의 형상은 정사각형 또는 마름모일 수 있다. 사각뿔 형상인 돌기는 서로 마주하는 제1 삼각면과 제2 삼각면 외에도, 서로 마주하는 제3 삼각면과 제4 사각면을 포함할 수 있다. 제3 삼각면 및 제4 삼각면이라는 호칭은, 어느 삼각면을 제1 삼각면으로 호칭하느냐에 따라 결정되는 상대적인 호칭이다.In one example, the protrusion may have an asymmetrical quadrangular pyramid shape. In the case of a quadrangular pyramid, the bottom surface defined by four triangular planes may be square or rhombic. The protrusions having a quadrangular pyramid shape may include, in addition to the first triangular surface and the second triangular surface, facing each other, a third triangular surface and a fourth quadrilateral surface facing each other. The third triangular plane and the fourth triangular plane are relative names determined by which triangular plane is referred to as the first triangular plane.
상기 제3 삼각면과 제4 삼각면 역시 기울기가 서로 상이할 수 있으며, 서로 마주보는 제3 및 제4 삼각면이 이루는 각도(α)는 45° 이하일 수 있다. 또한, 제3 삼각면과 제4 사각면 중 돌기의 꼭지점을 향하는 법선을 기준으로 기울기가 더 작은 면을 제3 삼각면으로 호칭할 수 있으며, 제3 삼각면의 기울기(β) 역시 15° 이하일 수 있다. The third triangular surface and the fourth triangular surface may have different slopes, and the angle? Formed by the third and fourth triangular surfaces facing each other may be less than 45 degrees. The third triangular surface and the fourth quadrilateral surface may be referred to as a third triangular surface with a smaller inclination with respect to the normal line toward the vertex of the projection. The inclination beta of the third triangular surface may be equal to or smaller than 15 degrees .
또한, 본 출원에 관한 구체예에 따르면, 도 3에서와 같이, 상기 제1 내지 제4 삼각면에 의해 구획되는 밑면에서, 예를 들어, 상기 제1 삼각면과 제3 삼각면이 형성하는 돌기 밑면의 내각(δ)은 60 ° 내지 120 ° 일 수 있다. 상기 범위를 만족하는 경우, 광추출 효율을 더 높일 수 있다.3, in the bottom surface defined by the first to fourth triangular surfaces, for example, a protrusion formed by the first triangular surface and the third triangular surface, The internal angle? Of the bottom surface may be 60 to 120 degrees. When the above range is satisfied, the light extraction efficiency can be further increased.
하나의 예시에서, 상기 제1 광추출층은 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 경화성 수지로는 광 경화성 수지 또는 열 경화성 수지를 사용할 수 있다. 상기 광 경화성 수지로는 자외선 경화성 수지를 사용할 수 있다. 자외선 경화성 수지로는 대표적으로 아크릴 중합체, 예를 들어, 폴리에스테르 아크릴레이트 중합체, 폴리스티렌 아크릴레이트 중합체, 에폭시 아크릴레이트 중합체, 폴리우레탄 아크릴레이트 중합체 또는 폴리부타디엔 아크릴레이트 중합체, 실리콘 아크릴레이트 중합체 또는 알킬 아크릴레이트 중합체 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 열 경화성 수지로는, 예를 들어 실리콘 수지, 규소 수지, 프란 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 아미노 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지 또는 멜라민 수지 등을 사용할 수 있으나, 상기 나열된 수지 들에 제한되는 것은 아니다.In one example, the first light extracting layer may comprise a curable resin. As the curable resin, a photo-curable resin or a thermosetting resin can be used. As the photocurable resin, an ultraviolet curing resin may be used. The ultraviolet ray curable resin is typically an acrylic polymer such as a polyester acrylate polymer, a polystyrene acrylate polymer, an epoxy acrylate polymer, a polyurethane acrylate polymer or a polybutadiene acrylate polymer, a silicone acrylate polymer or an alkyl acrylate Polymers, and the like, but are not limited thereto. As the thermosetting resin, for example, a silicone resin, a silicon resin, a flan resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, an amino resin, a phenol resin, a urea resin, a polyester resin or a melamine resin may be used. But are not limited to resins.
상기 제1 광추출층은, 소정의 기재 상에 상기 설명된 경화성 수지 또는 이를 포함하는 조성물을 도포하고, 상기 비대칭 돌기 형상을 갖는 임프린팅 수단으로 경화성 수지층을 압착한 후 경화시켜 제조될 수 있다. 상기 임프린팅 수단으로는 도 2에서와 같은, 형상을 갖는 바이트로 가공된 임프린팅 몰드를 사용할 수 있다.The first light extracting layer may be prepared by applying the above-described curable resin or a composition containing the curable resin on a predetermined substrate, pressing the curable resin layer with the imprinting means having the asymmetric projection shape, and curing . As the imprinting means, it is possible to use an imprinting mold having a shape like the one shown in FIG.
상기 제1 광추출층의 굴절률은 특별히 제한되지 않으며, 인접하는 투광성 기재의 굴절률과 추출 효율을 고려하여 적절한 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 광추출층 및 하기 설명되는 투광성 기재는, 각각 1 내지 3 범위의 굴절률을 가질 수 있다.The refractive index of the first light extracting layer is not particularly limited and may be an appropriate value in consideration of the refractive index and extraction efficiency of the adjacent light transmitting substrate. For example, the first light extracting layer and the light-transmitting substrate described below may each have a refractive index in a range of 1 to 3. [
상기 제1 광추출층은 투광성 기재의 일면 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 광추출층과 투광성 기재의 계면 상에 상기 돌기가 위치할 수도 있고, 또는 제1 광추출층과 투광성 기재의 계면에 반대되는 제1 광추출층 일면 상에 상기 돌기가 위치할 수도 있다.The first light extracting layer may be located on one side of the light transmitting substrate. For example, the protrusion may be located on the interface between the first light extracting layer and the light-transmitting substrate, or the protrusion may be located on one surface of the first light extracting layer opposite to the interface between the first light extracting layer and the light- It may be located.
상기 투광성 기재는, 예를 들어, 상기 기판이 유기발광 소자에 사용되는 경우, 발광층으로부터 발생된 빛이 외부로 방출되는 경로 상에 위치할 수 있다. 본 출원에서 투광성이라 함은, 약 380 nm 내지 780 nm 파장의 광에 대한 투과율의 하한이 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 또는 95 % 이상이고, 그 상한은 약 100%로서 100% 미만인 경우를 의미할 수 있다. 상기 투광성의 정도는 본 출원의 광추출층에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.When the substrate is used for an organic light emitting device, the light transmitting substrate may be located on a path through which light generated from the light emitting layer is emitted to the outside. In the present application, the term "translucent" means that the lower limit of the transmittance for light having a wavelength of about 380 nm to 780 nm is at least 60%, at least 70%, at least 80%, at least 90%, or at least 95% % ≪ / RTI > and less than 100%. The degree of light transmittance can be similarly applied to the light extracting layer of the present application.
상기 투광성 기재는, 상기 소정의 투과율을 만족하고, 기판에 대하여 소정의 강도를 부여할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 투광성 기재로는, 유리 기재층 또는 투명 고분자 기재층이 사용될 수 있다. 유리 기재층으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등을 포함하는 기재층이 사용될 수 있고, 고분자 기재층으로는, PI(polyimide), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재층이 사용될 수 있으나, 상기 나열된 재료에 제한되는 것은 아니다.The translucent substrate may include a material that satisfies the predetermined transmittance and can impart a predetermined strength to the substrate. For example, as the light transmitting substrate, a glass base layer or a transparent polymer base layer may be used. As the glass base layer, a base layer including soda lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass or quartz can be used. As the polymer base layer, PI a substrate layer containing polyimide, PEN (polyethylene naphthalate), PC (polycarbonate), acrylic resin, poly (ethylene terephthalate), PES (poly sulfide) , But are not limited to the materials listed above.
상기 제2 광추출층은 제1 광추출층이 위치하는 투광성 기재 일면의 반대 일면 상에 위치하는 구성이다. 상기 제2 광추출층은, 산란입자와 바인더를 포함하는 코팅층일 수 있다.And the second light extracting layer is located on the opposite surface of the light transmitting substrate on which the first light extracting layer is located. The second light extracting layer may be a coating layer including scattering particles and a binder.
상기 제2 광추출층의 굴절률은 특별히 제한되지 않는다. 하나의 예시에서, 상기 제2 광추출층 바인더의 굴절률은 투광성 기재의 그것 보다 클 수 있고, 하기 설명되는 발광층의 굴절률과는 유사할 수 있다. 상기 제2 광추출층의 굴절률은 1 내지 3 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다.The refractive index of the second light extracting layer is not particularly limited. In one example, the refractive index of the second light extracting layer binder may be larger than that of the light-transmitting substrate, and may be similar to the refractive index of the light-emitting layer described below. The refractive index of the second light extracting layer may be appropriately selected within a range of 1 to 3.
본 출원에서, 「산란 입자」는, 광추출층에 함께 사용되는 바인더와는 상이한 굴절률을 가지고, 그리고 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란시킬 수 있는 입자를 의미할 수 있다. 이러한 입자로는, 1.0 내지 3.5의 굴절률, 예를 들면, 1.0 내지 2.0 또는 1.2 내지 1.8 정도이나 2.1 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가지고, 평균 입경이 50 nm 내지 20,000 nm 또는 100 nm 내지 5,000 nm 정도인 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2조 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 코어/셀 형태의 입자 또는 중공 입자 형태의 입자로 형성될 수도 있다.In the present application, " scattering particles " may mean particles which have a refractive index different from that of a binder used together in the light extracting layer, and which have an appropriate size and can scatter incident light. These particles preferably have a refractive index of about 1.0 to 3.5, for example, about 1.0 to 2.0 or about 1.2 to 1.8, or about 2.1 to 3.5 or 2.2 to 3.0, and have an average particle diameter of 50 nm to 20,000 nm or 100 nm to 5,000 nm can be exemplified. The scattering particle may have a shape such as a sphere, an ellipse, a polyhedron or an amorphous shape, but the shape is not particularly limited. Examples of the scattering particles include organic materials such as polystyrene or a derivative thereof, an acrylic resin or a derivative thereof, a silicone resin or a derivative thereof, or a novolak resin or a derivative thereof, or an organic material such as silica, alumina, titanium oxide or zirconium oxide Particles including an inorganic material can be exemplified. The scattering particles may be formed of only one of the above materials, or may be formed of two or more of the above materials, and if necessary, may be formed of particles in the form of core / shell or particles in the form of hollow particles .
하나의 예시에서, 상기 산란 입자의 함량은 제2 광추출층 형성에 사용되는 전체 수지 100 중량부 대비 약 5 내지 20 중량부 범위로 포함될 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.In one example, the content of the scattering particles may be in the range of about 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the total resin used for forming the second light extracting layer, but is not particularly limited thereto.
상기 제2 광추출층에서 상기 산란입자를 유지하는 바인더로는, 예를 들어, 투광성 기재와 동등한 굴절률을 가지는 소재를 사용할 수 있다. 구체적으로, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성, 올리고머성 또는 고분자성 유기 재료나 산화 규소, 질화 규소(silicon nitride), 옥시질화 규소(silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등이 사용될 수 있다.As the binder for holding the scattering particles in the second light extracting layer, for example, a material having a refractive index equivalent to that of the light-transmitting substrate can be used. Specifically, thermally or photo-curable monomeric, oligomeric or polymeric organic materials such as polyimide, a caldo resin having a fluorene ring, a urethane, an epoxide, a polyester or an acrylate series, An inorganic material such as silicon nitride, silicon oxynitride or polysiloxane, or an organic composite material may be used.
본 출원에 관한 다른 일례에서, 본 출원은 유기발광소자에 관한 것이다. 상기 소자는 기판, 상기 기판 상에 순차로 존재하는 제1 전극층, 발광층을 포함하는 유기층, 및 제2 전극층을 포함할 수 있다. 기판의 구성이나 그 밖의 특성은 상기 설명된 바와 동일하다 In another example of the present application, the present application relates to an organic light emitting device. The device may include a substrate, a first electrode layer sequentially disposed on the substrate, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode layer. The configuration and other characteristics of the substrate are the same as those described above
하나의 예시에서, 상기 전극층으로는, 유기발광소자의 제작에 사용되는 통상의 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층이 형성될 수 있다.In one example, a typical hole injecting or electron injecting electrode layer used for manufacturing an organic light emitting device may be formed as the electrode layer.
정공 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.The hole injecting electrode layer can be formed using, for example, a material having a relatively high work function, and can be formed using a transparent material when necessary. For example, the hole-injecting electrode layer may comprise a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture of two or more thereof having a work function of about 4.0 eV or more. As such a material, metal such as gold, CuI, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc tin oxide (ZTO), zinc oxide doped with aluminum or indium, magnesium indium oxide, nickel tungsten oxide, Metal oxides such as ZnO,
정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다. 정공 주입성 전극층의 막 두께는 광투과율이나 표면 저항 등에 따라 다르지만, 통상적으로 500 nm 또는 10 nm 내지 200 nm의 범위 내에 있을 수 있다.The hole injecting electrode layer may be formed by any means such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition or electrochemical means. In addition, the electrode layer formed according to need may be patterned through a process using known photolithography, shadow mask, or the like. The film thickness of the hole injecting electrode layer varies depending on the light transmittance, the surface resistance, and the like, but may be usually in the range of 500 nm or 10 nm to 200 nm.
전자 주입성 투명 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다. 전자 주입성 전극층은 필요에 따른 적절한 두께로 형성될 수 있다.The electron injecting transparent electrode layer can be formed using, for example, a transparent material having a relatively small work function. For example, a material suitable for forming the hole injecting electrode layer can be formed using a suitable material But is not limited thereto. The electron injecting electrode layer can also be formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method, and can be appropriately patterned when necessary. The electron injecting electrode layer may be formed to have an appropriate thickness as required.
상기 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 발광층이 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The organic layer may include at least one light emitting layer. The organic layer may include a plurality of light emitting layers of two or more layers. When the light emitting layer includes two or more light emitting layers, the light emitting layers may have a structure in which the light emitting layers are divided by an intermediate electrode having charge generating characteristics, a charge generating layer (CGL) or the like, but the present invention is not limited thereto.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 특별히 제한되는 것은 아니나, 발광층에 사용될 수 있는 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5'-difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3'-)iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.The light-emitting layer can be formed, for example, by using various fluorescent or phosphorescent organic materials known in the art. As a material that can be used for the light emitting layer, tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (aluminum (III) , C-545T (C 26 H 26 N 2 O 2 S), DSA-amine, TBSA, BTP, PAP-NPA, Spiro-FPA, Ph 3 Si (PhTDAOXD ), Cyclopenadiene derivatives such as PPCP (1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene), DPVBi (4,4'-bis (2,2'- diphenylyinyl) -1 , 1'-biphenyl), distyrylbenzene or a derivative thereof or DCJTB (4- (Dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- (1,1,7,7-tetramethyljulolidyl- ), DDP, AAAP, NPAMLI; Or Firpic, m-Firpic, N- Firpic, bon 2 Ir (acac), (C 6) 2 Ir (acac), bt 2 Ir (acac), dp 2 Ir (acac), bzq 2 Ir (acac), bo 2 Ir (acac), F 2 Ir (bpy), F 2 Ir (acac), op 2 Ir (acac), ppy 2 Ir (acac), tpy 2 Ir (acac), FIrppy (fac-tris [2- ( ( 2 , 4'-difluorophenyl) pyridine-C'2, N] iridium (III) or Btp 2 Ir (acac) C3 '-) iridium (acetylacetonate), and the like, but the present invention is not limited thereto. The light emitting layer may contain the above material as a host and may also include perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX or DCJTB. And may have a host-dopant system including a dopant.
발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.The light-emitting layer can be formed by suitably employing a kind that exhibits luminescence characteristics among electron-accepting organic compounds or electron-donating organic compounds described below.
유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.The organic layer may be formed with various structures, including various other functional layers known in the art, as long as the layer includes a light emitting layer. Examples of the layer that can be included in the organic layer include an electron injecting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, and a hole injecting layer.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4'-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.The electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound. As the electron-accepting organic compound in the above, any known compound can be used without any particular limitation. Examples of such organic compounds include polycyclic compounds or derivatives thereof such as p-terphenyl or quaterphenyl, naphthalene, tetracene, pyrene, coronene, ), Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, Heterocyclic compounds or derivatives thereof such as bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, or phenazine may be exemplified. It is also possible to use at least one of fluoroceine, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloferrinone, naphthoferrinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, and the like. Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinyl anthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, Quinacridone or rubrene or derivatives thereof, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1988-295695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-22557, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-81472, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1993-009470 or Japanese Patent Application Laid- For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, which is a metal chelated oxanoid compound, bis (8-quinolinolato) aluminum, Bis (benzo (f) -8-quinolinolato] zinc}, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, Tris (8-quinolinolato) indium], tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8- quinolinolato lithium, tris (5- Quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium and the like, metal complexes having at least one of 8-quinolinolato or a derivative thereof as an arbiter, Japanese Patent Laid- Oxadiazole compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1995-179394, 1995-278124, and 1995-228579, Stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives, and the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open (kokai) No. 1994-132080 Styryl derivatives disclosed in JP-A-1994-88072 and the like, diolefin derivatives disclosed in JP-A-1994-100857 and JP-A-1994-207170, and the like; Fluorescent brightening agents such as benzooxazole compounds, benzothiazole compounds or benzoimidazole compounds; Bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, Methylstyryl) -2-ethylbenzene, and the like; Bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5- Bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine such as bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- Distyrylpyrazine compounds, 1,4-phenylenedimethylidene, 4,4'-phenylenedimethylidyne, 2,5-xylenedimethylidyne, 2,6-naphthylenedimethylidyne, 1,4-biphenylene dimethyl (9,10-anthracenediyldimethylidine) or 4,4 '- (2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl , Dimethylidine compounds such as 4,4 '- (2,2-diphenylvinyl) biphenyl and derivatives thereof, silane disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-49079 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-293778 Silanamine derivatives, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279322 or Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-279323 Oxadiazole derivatives disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-109264, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-206865 and the like, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Oxynate derivatives disclosed in JP-A-1994-145146 and the like, tetraphenylbutadiene compounds disclosed in JP-A-1992-96990 and the like, organic trifunctional compounds disclosed in JP-A-1991-296595, Coumarin derivatives disclosed in JP-A-1990-191694 and the like, perylene derivatives disclosed in JP-A-1990-196885 and the like, naphthalene derivatives disclosed in JP-A-1990-255789, Phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-289676 or JP-A No. 1990-88689 or a derivative of phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-25029 Styrylamine derivatives disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-open Publication No. 2 (1990) can also be used as electron-accepting organic compounds contained in the low refractive layer. In addition, the electron injection layer may be formed using a material such as LiF or CsF.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.The hole blocking layer prevents the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting layer to improve the lifetime and efficiency of the device. If necessary, the hole blocking layer can be formed using a known material, As shown in FIG.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may include, for example, an electron donating organic compound. Examples of the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'- N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, Phenyl, N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N'- (N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl] 4-N, N-diphenylaminostilbene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-methoxy- Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethanesulfonate, 1,1-bis (4-di- N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p- tolylamino) -4 ' N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobis N-phenylcarbazole, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, Phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N (2-naphthyl) Phenylamino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4'- Bis [N- (2-phenanthryl) -biphenylphenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl) - N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-choronenyl) - N-phenylamino] biphenyl), 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) Bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4'-bis { Bis [N, N-di- (2-naphthyl) amino] fluorene or 4,4'-bis (N, N-di-p-tolylamino) terphenyl and bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine and the like are exemplified. It is not.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 상기 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ 공역 고분자 등도 사용될 수 있다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may be formed by dispersing the organic compound in the polymer, or by using a polymer derived from the organic compound. Furthermore, hole-transporting non-conjugated polymers such as π-conjugated polymers and poly (N-vinylcarbazole) such as polyparaphenylenevinylene and derivatives thereof, σ conjugated polymers of polysilane, and the like can also be used have.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.The hole injection layer may be formed by using a metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, a nonmetal phthalocyanine, a carbon film and an electrically conductive polymer such as polyaniline or by reacting the arylamine compound with an Lewis acid using the arylamine compound as an oxidizing agent You may.
본 출원에 관한 다른 일례에서, 본 출원은 상기 유기발광소자를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 디스플레이 장치에서, 상기 유기발광소자는 화소 또는 백라이트 역할을 할 수 있다. 그 외, 디스플레이 장치의 구성은 관련 기술분야에 공지된 것들이 적용될 수 있다.In another example related to the present application, the present application provides a display device including the organic light emitting element. In the display device, the organic light emitting element may serve as a pixel or a backlight. In addition, configurations of the display device can be applied to those known in the related art.
본 출원에 관한 또 다른 일례에서, 본 출원은 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치를 제공한다. 상기 조명 장치에서 상기 유기발광소자는 발광부의 역할을 수행한다. 그 외, 조명 장치에 필요한 구성들은 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 적용될 수 있다.In another example of the present application, the present application provides a lighting apparatus including the organic light emitting element. In the illumination device, the organic light emitting element plays a role of a light emitting portion. In addition, configurations necessary for the illumination device can be applied to those known in the art.
본 출원의 일례에 따르면, 광 추출 효율이 개선된 유기발광소자가 제공될 수 있다.According to an example of the present application, an organic light emitting device having improved light extraction efficiency can be provided.
도 1은, 본 출원의 일례에 따라, 비대칭 사각뿔이 제1 광추출층에 사용되는 경우, 어느 한 방향에서 바라본 제1 광추출층의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는, 본 출원 기판에 사용되는 제1 광추출층을 형성하는데 사용될 수 있는 임프린팅 몰드를 제작하기 위한 바이트의 형상을 도시한 것이다.
도 3은, 본 출원의 일례에 따른 제1 광추출층 돌기의 형상을 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는, 실시예 1에 사용된 제1 광추출층의 형상을 도시한 것이다.
도 5는 실시예 2에 사용된 제1 광추출층의 형상을 도시한 것이다.
도 6은 실시예 3에 사용된 제1 광추출층의 형상을 도시한 것이다.1 schematically shows a cross-section of a first light extracting layer viewed from either direction when an asymmetric quadrangular pyramid is used in the first light extracting layer, according to an example of the present application.
Figure 2 shows the shape of the bite for making an imprinting mold that can be used to form the first light extraction layer used in the present application substrate.
3 is a schematic view for explaining the shape of the first light extracting layer projection according to an example of the present application.
Fig. 4 shows the shape of the first light extracting layer used in Example 1. Fig.
Fig. 5 shows the shape of the first light extracting layer used in Example 2. Fig.
Fig. 6 shows the shape of the first light extracting layer used in Example 3. Fig.
이하, 실시예를 통해 본 출원을 상세히 설명한다. 그러나, 본 출원의 보호범위가 하기 설명되는 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present application will be described in detail by way of examples. However, the scope of protection of the present application is not limited by the embodiments described below.
실시예 1Example 1
기본 소자 구조Basic device structure
Zemax LLC의 ZEMAX S/W를 이용하여 시뮬레이션을 진행하였다. 시뮬레이션을 위해 실제 조명보다 단순화된 모델을 적용하였다. 구체적으로, 굴절률은 1.525인 유리기재, 굴절률은 1.75인 내부광추출층, 굴절률은 1.75인 유기발광층, 및 알루미늄 반사층을 순차로 포함하도록 소자를 단순화하였다. 내부광추출층의 산란특성은 ZEMAX의 자체 angular scatter모델을 사용하였으며 이때 파라미터값으로는 MFP 0.0015, angle 45, 흡수율 10%를 적용하였다.The simulation was performed using ZEMAX S / W of Zemax LLC. For the simulation, a simpler model than the actual lighting was applied. Specifically, the device was simplified to include a glass substrate having a refractive index of 1.525, an internal light extracting layer having a refractive index of 1.75, an organic light emitting layer having a refractive index of 1.75, and an aluminum reflecting layer. The scattering characteristics of the inner light extraction layer were ZEMAX 's own angular scatter model. The parameters were MFP 0.0015, angle 45, absorption rate 10%.
외부광추출층 모델링External light extraction layer modeling
상기 구성의 기본 소자 중 유리 기재 상에 비대칭 사각뿔형상의 돌기가 나열된 패턴, 즉, 외부광추출층을 적용하였다. 구체적으로, 비대칭사각뿔의 굴절률은 1.54이고, 바닥형태는 정사각형이고, 꼭지각 α는 40°이고, 제1 삼각면의 기울기(β)는 5° 였다. 광추출층의 형태는 도 4와 같다.A pattern in which protrusions of an asymmetrical quadrangular pyramid shape are arranged on a glass substrate, that is, an external light extracting layer, is applied. Specifically, the refractive index of the asymmetrical quadrangular pyramid was 1.54, the bottom shape was square, the vertex angle? Was 40 占 and the inclination? Of the first triangular face was 5 占. The shape of the light extracting layer is shown in Fig.
실시예 2Example 2
비대칭 사각뿔의 바닥형태가 마름모이고, 제1 삼각면 및 제3 삼각면이 형성하는 밑면 내각의 각도(δ)는 120° 인 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 소자를 모델링 한 후, 광추출효율을 계산하였다. 광추출층의 형태는 도 5와 같다.The device having the same structure as that of the first embodiment is modeled, except that the bottom shape of the asymmetrical quadrangular pyramid is rhombic, and the angle? Of the bottom internal angle formed by the first triangular face and the third triangular face is 120 占The extraction efficiency was calculated. The shape of the light extracting layer is shown in Fig.
실시예 3Example 3
비대칭 사각뿔의 바닥형태가 마름모이고, 제1 삼각면과 제3 삼각면이 형성하는 밑면 내각의 각도(δ)는 60° 인 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 구성의 소자를 모델링 한 후, 광추출효율을 계산하였다. 광추출층의 형태는 도 6과 같다.The device having the same structure as that of the first embodiment is modeled, except that the bottom shape of the asymmetrical quadrangular pyramid is rhombus and the angle? Of the bottom internal angle formed by the first triangular face and the third triangular face is 60 degrees. The extraction efficiency was calculated. The shape of the light extracting layer is shown in Fig.
비교예 1Comparative Example 1
실시예 1에서 모델링된 기본 소자를 사용하여 광추출효율을 계산하였다.The light extraction efficiency was calculated using the basic device modeled in Example 1.
비교예 2Comparative Example 2
패턴(외부 광추출층) 대신 다른 구조를 적용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하게 광추출효율을 계산하였다. 구체적으로, 패턴굴절률이 1.54인 마이크로렌즈어레이(MLA)를 실시예 1에서 모델링된 기본 소자 구조 상에 적용하였다. 마이크로렌즈는 지름 28 ㎛의 반구형태이고, 2 ㎛ 간격으로 육각 구조(honey comb)로 배열시켰다. The light extraction efficiency was calculated in the same manner as in Example 1, except that another structure was used instead of the pattern (external light extraction layer). Specifically, a microlens array (MLA) having a pattern refractive index of 1.54 was applied on the basic device structure modeled in Example 1. The microlenses were hemispherical with a diameter of 28 탆 and arranged in a honeycomb structure at intervals of 2 탆.
비교예 3Comparative Example 3
꼭지각이 90 °이고, 바닥면이 정사각형인 피라미드 형상의 대칭 사각뿔인 돌기 패턴을 갖는 필름(외부 광추출층)을, 비교예 1에 사용된 기본 소자 유리기재 외측면에 적용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 모델링하고, 광추출효율을 계산하였다.Except that the film (external light extracting layer) having a protrusion pattern of a pyramid-shaped symmetrical quadrangular pyramid having a vertex angle of 90 ° and a square bottom was applied to the outer surface of the base element glass substrate used in Comparative Example 1, The device was modeled in the same way as in (1), and the light extraction efficiency was calculated.
비교예 4Comparative Example 4
꼭지각이 65 °이고, 바닥면이 정사각형인 피라미드 형상의 대칭 사각뿔인 돌기 패턴을 갖는 필름(외부 광추출층)을, 비교예 1에 사용된 기본 소자 유리기재의 외측면에 적용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 모델링하고, 광추출효율을 계산하였다.Except that a film (external light extracting layer) having a projecting pattern of a pyramid-shaped symmetrical quadrangular pyramid having a vertex angle of 65 ° and a square bottom was applied to the outer surface of the base element glass substrate used in Comparative Example 1 The device was modeled in the same manner as in Example 1, and the light extraction efficiency was calculated.
비교예 5Comparative Example 5
꼭지각이 40 °이고, 바닥면이 정사각형인 피라미드 형상의 대칭 사각뿔인 돌기 패턴을, 비교예 1에 사용된 소자의 유리기재 외측면에 적용한 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 모델링하고, 광추출효율을 계산하였다.The device was modeled in the same manner as in Example 1, except that a protrusion pattern, which is a pyramid-shaped symmetrical quadrangular pyramid having a vertex angle of 40 ° and a square bottom, was applied to the outer surface of the glass substrate of the device used in Comparative Example 1 , And the light extraction efficiency was calculated.
광추출효율의 비교Comparison of light extraction efficiency
실시예 및 비교예에 대해 Zemax LLC의 ZEMAX S/W를 이용하여 광추출효율을 계산하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다.For the Examples and Comparative Examples, the light extraction efficiency was calculated using ZEMAX S / W of Zemax LLC. The results are shown in Table 1 below.
[표 1][Table 1]
Claims (10)
상기 제1 광추출층은, 서로 마주보는 제1 삼각면 및 제2 삼각면의 기울기가 서로 상이한 비대칭 각뿔형상의 돌기가 반복되는 패턴을 갖는 유기발광소자용 기판.Translucent substrate; A first light extracting layer located on one surface of the light transmitting substrate; And a second light extracting layer located on the opposite surface of the one surface of the translucent substrate on which the first light extracting layer is located,
Wherein the first light extracting layer has a repetitive pattern of asymmetrical pyramidal protrusions having different slopes of a first triangular face and a second triangular face facing each other.
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