KR20180126027A - Pattern forming method, manufacturing method of substrate, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, and imprint mold manufacturing method - Google Patents
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Abstract
중합성 화합물인 성분 (a1) 및 용제인 성분 (d1)을 포함하는 경화성 조성물 (A1)의 층을 기판 표면에 적층하고, 상기 경화성 조성물의 층 상에, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a2)를 포함하는 경화성 조성물 (A2)의 액적을 이산적으로 적하하고, 계속해서 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 경화성 조성물 (A1) 및 상기 경화성 조성물 (A2)의 혼합층을 샌드위치하고, 상기 혼합층에 광을 조사함으로써 경화시키고, 상기 몰드를 경화 후의 상기 혼합층으로부터 분리하여, 상기 기판 상에 패턴을 형성한다.A layer of a curable composition (A1) comprising a component (a1) as a polymerizable compound and a component (d1) as a solvent is laminated on the surface of a substrate and a component (a2) which is at least a polymerizable compound is coated on the layer of the curable composition (A1) and the curable composition (A2) are sandwiched between the mold and the substrate, and the light is irradiated to the mixed layer , And the mold is separated from the mixed layer after curing to form a pattern on the substrate.
Description
본 발명은 패턴 형성 방법, 가공 기판의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 임프린트 몰드의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pattern forming method, a method of manufacturing a processed substrate, an optical component manufacturing method, a circuit board manufacturing method, an electronic component manufacturing method, and a manufacturing method of an imprint mold.
반도체 디바이스나 MEMS 등에 있어서는, 미세화의 요구가 높아지고 있으며, 미세 가공 기술로서, 광 나노임프린트 기술이 주목받고 있다.2. Description of the Related Art In semiconductor devices, MEMS and the like, there is a growing demand for miniaturization, and as a microfabrication technique, optical nanoimprint technology has attracted attention.
광 나노임프린트 기술에서는, 표면에 미세한 요철 패턴이 형성된 몰드(형)를 광경화성 조성물(레지스트)이 도포된 기판(웨이퍼)에 밀어붙인 상태에서 광경화성 조성물을 경화시킨다. 이에 의해, 몰드의 요철 패턴을 광경화성 조성물의 경화막에 전사하여, 패턴을 기판 상에 형성한다. 광 나노임프린트 기술에 따르면, 기판 상에 수 나노미터 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다.In a photo-nanoimprint technique, a photo-curable composition is cured in a state in which a mold having a fine concavo-convex pattern formed on its surface is pressed against a substrate (wafer) coated with a photo-curable composition (resist). Thus, the concavo-convex pattern of the mold is transferred to the cured film of the photo-curing composition to form a pattern on the substrate. According to the optical nanoimprint technique, a minute structure of several nanometers order can be formed on a substrate.
특허문헌 1에 기재된 광 나노임프린트 기술을, 도 1a 내지 도 1f를 사용하여 설명한다. 우선, 기판(101) 상의 패턴 형성 영역에 잉크젯법을 사용하여, 액상의 레지스트(102)를 이산적으로 적하한다(배치 공정 (1), 도 1a 내지 도 1c). 적하된 레지스트(102)의 액적은 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표(104)로 나타내는 바와 같이 기판(101) 상에 퍼지는데, 이 현상을 프리스프레드라고 칭한다(도 1c). 이어서, 이 레지스트(102)를, 패턴이 형성된, 후술하는 조사광(106)에 대하여 투명한 몰드(형)(105)를 사용하여 성형한다(형 접촉 공정 (2), 도 1d). 형 접촉 공정에 있어서는, 레지스트(102)의 액적이, 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표(104)로 나타내는 바와 같이 기판(101)과 몰드(105)의 간극의 전역으로 퍼진다(도 1d). 이 현상을 스프레드라고 칭한다. 또한, 형 접촉 공정에 있어서는, 레지스트(102)는 몰드(105) 상의 오목부의 내부로도 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표(104)로 나타내는 바와 같이 모세관 현상에 의해 충전된다(도 1d의 부분 확대부). 이 충전 현상을 필이라고 칭한다. 스프레드와 필이 완료될 때까지의 시간을 충전 시간이라고 칭한다. 레지스트(102)의 충전이 완료된 후, 조사광(106)을 조사하여 레지스트(102)를 경화시키고(광조사 공정 (3), 도 1e)), 그 후, 기판(101)을 몰드(105)로부터 분리한다(이형 공정 (4), 도 1f). 이들 공정을 실시함으로써, 소정의 패턴 형상을 갖는 광경화막(107)(도 1f)이 기판(101) 상에 형성된다.The optical nanoimprint technique described in
특허문헌 1에 기재된 광 나노임프린트 기술에 있어서는, 형 접촉 개시부터 스프레드와 필이 완료될 때까지의 시간(충전 시간)이 길어, 스루풋이 낮다고 하는 과제가 있었다.In the optical nanoimprint technique disclosed in
그래서 본 발명자들은 충전 시간이 짧은, 즉 고스루풋의 광 나노임프린트 기술(Short Spread Time Nanoimprint Lithography, 이하, SST-NIL)을 고안하였다. SST-NIL은, 도 2a 내지 도 2g의 모식 단면도에 도시하는 바와 같이,Therefore, the present inventors have devised a short-span time Nanoimprint Lithography (SST-NIL) with a short charge time, i.e., a high throughput. As shown in the schematic sectional views of Figs. 2A to 2G, the SST-
기판(201) 상에, 액상의 경화성 조성물 (A1)(202)을 적층하는 제1 적층 공정 (1)(도 2a 및 도 2b),A first laminating step 1 (Figs. 2A and 2B) for laminating a liquid curable composition (A1) 202 on a
상기 경화성 조성물 (A1)(202)의 층 상에, 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적을 이산적으로 적층하는 제2 적층 공정 (2)(도 2c 및 도 2d),A second lamination step (2) (Figs. 2C and 2D) for discretely laminating droplets of the curable composition (A2) 203 onto the layer of the curable composition (A1)
패턴을 갖는 몰드(205)와 기판(201)의 사이에 경화성 조성물 (A1)(202)과 경화성 조성물 (A2)(203)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 혼합층을 샌드위치하는 형 접촉 공정 (3)(도 2e),(3) in which a mixed layer in which a curable composition (A1) 202 and a curable composition (A2) 203 are partially mixed is sandwiched between a
상기 혼합층을, 몰드(205)측으로부터 조사광(206)을 조사함으로써 경화시키는 광조사 공정 (4)(도 2f),A light irradiation step 4 (FIG. 2F) for curing the mixed layer by irradiating the
패턴을 갖는 몰드(205)를 경화 후의 경화성 조성물을 포함하는 층(패턴 형상을 갖는 경화막(207))으로부터 분리하는 이형 공정 (5)(도 2g),A mold releasing step 5 (Fig. 2G) for separating the
를 갖는다..
SST-NIL에 있어서, 제2 적층 공정 (2)부터 이형 공정 (5)까지의 일련의 공정 단위를 「샷」이라고 칭하고, 몰드(205)가 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와 접촉하는 영역, 즉 기판(201) 상에서 패턴이 형성되는 영역을 「샷 영역」이라고 칭한다.In SST-NIL, a series of process steps from the second laminating step (2) to the mold-forming step (5) is referred to as "shot", and the
SST-NIL에 있어서는, 이산적으로 적하된 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적이, 경화성 조성물 (A1)(202)의 액막 상에 있어서 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표(204)로 나타내는 바와 같이 빠르게 확대되기 때문에, 충전 시간이 짧아, 고스루풋이다. SST-NIL의 상세한 메커니즘은 후술한다.In SST-NIL, the droplets of the curable composition (A2) 203 dropping discretely are dispersed in the liquid phase of the curable composition (A1) 202 as indicated by an
본 발명이 해결하고자 하는 SST-NIL의 과제를, 도 3a 내지 도 3d의 모식 단면도를 사용하여 설명한다. 도 3a 내지 도 3c의 공정 (1) 내지 (3)은, 도 2c 내지 도 2g에 있어서의 제2 적층 공정 내지 이형 공정에 대응하고, 도 3d의 공정 (4)는, 후속의 샷의 제2 적층 공정에 대응한다.The problems of the SST-NIL to be solved by the present invention will be explained using the schematic cross-sectional views of FIGS. 3A to 3D. The steps (1) to (3) in FIGS. 3A to 3C correspond to the second laminating step to the mold releasing step in FIGS. 2C to 2G, and the step (4) It corresponds to the lamination process.
경화성 조성물 (A1)(302)은, 기판(301) 상에 샷 영역보다 넓은 면적, 예를 들어 기판(301) 전체면에, 예를 들어 스핀 코트법을 사용하여 적층된다. 한편, 경화성 조성물 (A2)(303)는 제1 샷 영역(304)에 한정하여, 예를 들어 잉크젯법을 사용하여 이산적으로 적층된다(공정 (1), 도 3a).The curable composition (A1) 302 is laminated on the
형 접촉 공정 내지 광조사 공정(공정 (2), 도 3b)에 걸쳐, 조사광(306)을 조사함에 따른 광경화를 저해하는 산소를 방출시키기 위해, 분위기 제어용 기체(307)가 몰드(308) 주변으로부터 분사된다. 이때, 제2 샷 영역(305) 등, 제1 샷 영역(304) 밖에 적층되어 있는 경화성 조성물 (A1)(302)에도 분위기 제어용 기체(307)가 분사된다.The
여기서, 인접하는 제2 샷 영역(305) 중, 분위기 제어용 기체(307)가 분사된 영역(309)(공정 (3), 도 3c)에 있어서, 적하된 경화성 조성물 (A2)(303)의 액적(310)의 확대가 특히 빠름을 알 수 있었다(공정 (4), 도 3d). 즉, 본 발명자들은, 제2 샷 영역(305) 내에서, 액적의 확대 속도에 분포가 발생함으로써 균일하게 패턴을 형성할 수 없다고 하는 과제를 알아냈다.Here, the droplet of the curable composition (A2) 303 dropped in the region 309 (the step (3), FIG. 3C) in which the
본 발명은 고스루풋이며, 또한 기판 상에서 균일한 패턴을 형성 가능한 SST-NIL 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an SST-NIL technique which is high throughput and capable of forming a uniform pattern on a substrate.
본 발명에 관한 패턴 형성 방법은, 기판의 표면에, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a1) 및 용제인 성분 (d1)을 포함하는 경화성 조성물 (A1)을 포함하는 층을 적층하는 제1 적층 공정 (1),A pattern forming method according to the present invention is a method for forming a pattern comprising a first laminating step of laminating a layer containing a curable composition (A1) containing at least a polymerizable compound (a1) and a solvent component (d1) One),
상기 경화성 조성물 (A1)을 포함하는 층 상에, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a2)를 포함하는 경화성 조성물 (A2)의 액적을 이산적으로 적하하여 적층하는 제2 적층 공정 (2),A second lamination step (2) in which droplets of the curable composition (A2) containing at least a polymerizable compound (a2) are discretely dripped and laminated on the layer containing the curable composition (A1)
패턴을 갖는 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 경화성 조성물 (A1) 및 상기 경화성 조성물 (A2)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 혼합층을 샌드위치하는 형 접촉 공정 (3),(3) sandwiching a mixed layer in which the curable composition (A1) and the curable composition (A2) are partially mixed between a mold having a pattern and the substrate,
상기 혼합층을 상기 몰드측으로부터 광을 조사함으로써 경화시키는 광조사 공정 (4),A light irradiation step (4) for curing the mixed layer by irradiating light from the mold side,
상기 몰드를 경화 후의 상기 혼합층으로부터 분리하는 이형 공정 (5)(5) for separating the mold from the cured mixed layer,
를 해당 순으로 갖는 패턴 형성 방법이며,In a corresponding order,
상기 경화성 조성물 (A1) 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 90중량% 이상이고,The content of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1) is 90% by weight or more,
상기 제2 적층 공정 (2)에 있어서의 상기 경화성 조성물 (A1) 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 10중량% 이하이고,, The content of the component (d1) as a solvent in the curing composition (A1) in the second laminating step (2) is 10% by weight or less,
상기 용제인 성분 (d1)의 표면 장력이, 상기 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1)의 성분의 조성물의 표면 장력보다 낮은Wherein the surface tension of the component (d1) which is the solvent is lower than the surface tension of the composition of the component of the curable composition (A1) except for the component (d1)
것을 특징으로 한다..
본 발명에 따르면, 고스루풋이며, 또한 균일성이 우수한 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a pattern forming method which is high in throughput and excellent in uniformity.
본 발명의 다른 특징은, 첨부된 도면을 참조하여 각종 실시 형태를 예시하는 이하의 설명에 의해 밝혀진다.Other features of the present invention will become apparent from the following description, which illustrates various embodiments with reference to the accompanying drawings.
도 1a는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 1b는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 1c는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 1d는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 1e는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 1f는, 광 나노임프린트 기술의 선행 예를 도시하는 모식 단면도이다.
도 2a는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2b는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2c는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2d는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2e는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2f는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 2g는, SST-NIL 기술을 도시하는 모식 단면도이다.
도 3a는, 발명이 해결하고자 하는 과제를 설명하는 모식 단면도이다.
도 3b는, 발명이 해결하고자 하는 과제를 설명하는 모식 단면도이다.
도 3c는, 발명이 해결하고자 하는 과제를 설명하는 모식 단면도이다.
도 3d는, 발명이 해결하고자 하는 과제를 설명하는 모식 단면도이다.1A is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
1B is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
1C is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
FIG. 1D is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
1E is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
1F is a schematic cross-sectional view showing a prior art example of the optical nanoimprint technique.
2A is a schematic cross-sectional view showing an SST-NIL technique.
2B is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
2C is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
2D is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
2E is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
2F is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
2G is a schematic cross-sectional view showing the SST-NIL technique.
Fig. 3A is a schematic cross-sectional view for explaining a problem to be solved by the invention.
3B is a schematic cross-sectional view for explaining a problem to be solved by the invention.
3C is a schematic cross-sectional view for explaining a problem to be solved by the invention.
FIG. 3D is a schematic cross-sectional view for explaining a problem to be solved by the invention.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 적절하게 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 설명하는 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 당업자의 통상의 지식에 기초하여, 이하에 설명하는 실시 형태에 대하여 적절하게 변경, 개량 등이 더해진 것도 본 발명의 범위에 포함된다. 또한, 경화성 조성물 (A1)에 포함되는 성분 (a)를 성분 (a1)이라고 표기하고, 경화성 조성물 (A2)에 포함되는 성분 (a)를 성분 (a2)라고 표기한다. 성분 (b) 내지 성분 (d)에 대해서도 마찬가지이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as appropriate. However, the present invention is not limited to the embodiments described below. It is also within the scope of the present invention that modifications, improvements, and the like, as appropriate, are added to the embodiments described below based on the ordinary knowledge of those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. The component (a) contained in the curable composition (A1) is referred to as component (a1), and the component (a) contained in the curable composition (A2) is referred to as component (a2). The same applies to the components (b) to (d).
[경화성 조성물][Curable composition]
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1)은, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a1) 및 용제인 성분 (d1)을 갖는 조성물이다. 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1)은, 광중합 개시제인 성분 (b1), 비중합성 화합물인 성분 (c1)을 더 함유해도 된다.The curable composition (A1) of the present embodiment is a composition having at least a component (a1) which is a polymerizable compound and a component (d1) which is a solvent. The curable composition (A1) of the present embodiment may further contain a component (b1) which is a photopolymerization initiator and a component (c1) which is a non-polymerizable compound.
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A2)는, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a2)를 갖는 조성물이다. 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A2)는, 광중합 개시제인 성분 (b2), 비중합성 화합물인 성분 (c2), 용제인 성분 (d2)를 더 함유해도 된다.The curable composition (A2) of the present embodiment is a composition having a component (a2) which is at least a polymerizable compound. The curable composition (A2) of the present embodiment may further contain a component (b2) as a photopolymerization initiator, a component (c2) as a non-polymerizable compound, and a component (d2) as a solvent.
또한, 본 명세서에 있어서 경화막이란, 기판 상에서 경화성 조성물을 중합시켜 경화시킨 막을 의미한다. 또한, 경화막의 형상은 특별히 한정되지 않고, 표면에 패턴 형상을 가져도 된다.In this specification, the term "cured film" means a film obtained by curing a curable composition on a substrate. In addition, the shape of the cured film is not particularly limited, and the surface may have a pattern shape.
이하, 각 성분에 대하여, 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component will be described in detail.
<성분 (a): 중합성 화합물><Component (a): Polymerizable compound>
성분 (a)는 중합성 화합물이다. 여기서, 본 명세서에 있어서 중합성 화합물이란, 광중합 개시제인 성분 (b)로부터 발생한 중합 인자(라디칼 등)와 반응하여, 연쇄 반응(중합 반응)에 의해 고분자 화합물을 포함하는 막을 형성하는 화합물이다.Component (a) is a polymerizable compound. Herein, the polymerizable compound in the present specification is a compound which forms a film containing a polymer compound by a chain reaction (polymerization reaction) by reacting with polymerization factors (such as radicals) generated from the component (b) as a photopolymerization initiator.
이러한 중합성 화합물로서는, 예를 들어 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다. 중합성 화합물인 성분 (a)는, 1종류의 중합성 화합물만으로 구성되어 있어도 되고, 복수 종류의 중합성 화합물로 구성되어 있어도 된다.As such a polymerizable compound, for example, a radical polymerizable compound can be mentioned. The component (a) which is a polymerizable compound may be composed of only one kind of polymerizable compound or may be composed of plural kinds of polymerizable compounds.
라디칼 중합성 화합물로서는, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 1개 이상 갖는 화합물, 즉 (메트)아크릴 화합물인 것이 바람직하다. 따라서, 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물은, 성분 (a)로서 (메트)아크릴 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 성분 (a)의 주성분이 (메트)아크릴 화합물인 것이 보다 바람직하고, 성분 (a) 모두가 (메트)아크릴 화합물인 것이 가장 바람직하다. 또한, 여기서 기재하는 성분 (a)의 주성분이 (메트)아크릴 화합물이라는 것은, 성분 (a)의 90중량% 이상이 (메트)아크릴 화합물임을 나타낸다.The radical polymerizing compound is preferably a compound having at least one acryloyl group or methacryloyl group, that is, a (meth) acrylic compound. Therefore, the curable composition according to the present embodiment preferably contains a (meth) acrylic compound as the component (a), more preferably the (meth) acrylic compound as the main component of the component (a) Most preferably all of them are (meth) acrylic compounds. Also, the main component of the component (a) described herein is a (meth) acrylic compound, which indicates that at least 90% by weight of the component (a) is a (meth) acrylic compound.
라디칼 중합성 화합물이, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 1개 이상 갖는 복수 종류의 화합물로 구성되는 경우에는, 단관능 (메트)아크릴 모노머와 다관능 (메트)아크릴 모노머를 포함하는 것이 바람직하다. 이것은, 단관능 (메트)아크릴 모노머와 다관능 (메트)아크릴 모노머를 조합함으로써, 기계적 강도가 강한 경화막이 얻어지기 때문이다.In the case where the radical polymerizing compound is composed of a plurality of compounds having at least one acryloyl group or methacryloyl group, it is preferable to include monofunctional (meth) acrylic monomers and polyfunctional (meth) acrylic monomers . This is because a cured film having a high mechanical strength can be obtained by combining a monofunctional (meth) acrylic monomer and a polyfunctional (meth) acrylic monomer.
아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 1개 갖는 단관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 페녹시-2-메틸에틸(메트)아크릴레이트, 페녹시에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 3-페녹시-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-페닐페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 4-페닐페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 3-(2-페닐페닐)-2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, EO 변성 p-쿠밀페놀의 (메트)아크릴레이트, 2-브로모페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2,4-디브로모페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2,4,6-트리브로모페녹시에틸(메트)아크릴레이트, EO 변성 페녹시(메트)아크릴레이트, PO 변성 페녹시(메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 디아세톤(메트)아크릴아미드, 이소부톡시메틸(메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, t-옥틸(메트)아크릴아미드, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸(메트)아크릴레이트, N,N-디에틸(메트)아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of monofunctional (meth) acrylic compounds having one acryloyl group or methacryloyl group include phenoxyethyl (meth) acrylate, phenoxy-2-methylethyl (meth) acrylate, phenoxyethoxy (Meth) acrylate, 3-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-phenylphenoxyethyl (Meth) acrylate of EO-modified p-cumylphenol, 2-bromophenoxyethyl (meth) acrylate, 2,4-dibromo Modified phenoxy (meth) acrylate, PO-modified phenoxy (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 1-adamantyl (meth) acrylate, 2-methyl- (Meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl Acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, acryloylmorpholine, 2-hydroxyethyl Acrylates such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (Meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, , Heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, (Meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (Meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, isostearyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (Meth) acrylate, ethoxyethyleneglycol (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxyethyleneglycol (Meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, diacetone (meth) acrylamide, isobutoxymethyl (Meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, t-octyl (meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, diethylaminoethyl (Meth) acrylate, N, N-diethyl (meth) acrylamide, N, N-dimethylaminopropyl (meth) acrylamide and the like.
상기 단관능 (메트)아크릴 화합물의 시판품으로서는, 아로닉스(등록 상표) M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150, M156(이상, 도아 고세이제), MEDOL10, MIBDOL10, CHDOL10, MMDOL30, MEDOL30, MIBDOL30, CHDOL30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, 비스코트 #150, #155, #158, #190, #192, #193, #220, #2000, #2100, #2150(이상, 오사카 유키 가가쿠 고교제), 라이트 아크릴레이트 BO-A, EC-A, DMP-A, THF-A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, P-200A, NP-4EA, NP-8EA, 에폭시에스테르 M-600A(이상, 교에샤 가가쿠제), KAYARAD(등록 상표) TC110S, R-564, R-128H(이상, 닛폰 가야쿠제), NK 에스테르 AMP-10G, AMP-20G(이상, 신나카무라 가가쿠 고교제), FA-511A, 512A, 513A(이상, 히타치 가세이제), PHE, CEA, PHE-2, PHE-4, BR-31, BR-31M, BR-32(이상, 다이이치 고교 세야쿠제), VP(BASF제), ACMO, DMAA, DMAPAA(이상, 고진제) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Molecules (registered trademark) M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150 and M156 MIBDOL10, CHDOL10, MMDOL30, MEDOL30, MIBDOL30, CHDOL30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, Viscot # 150, # 155, # 158, # 190, # 192, # 193, # 220, A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, DOP-A and DOP-A, 2100 and 2150 (manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo) R-128H (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), NK (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), P-200A, NP-4EA, NP-8EA, epoxy ester M- PHA, PHE-2, PHE-4, BR-31 and PHA-10G, AMP-10G and AMP-20G (all manufactured by Shin Nakamura Kagaku Kogyo K.K.), FA-511A, 512A and 513A But are not limited to, BR-31M, BR-32 (manufactured by Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), VP (manufactured by BASF), ACMO, DMAA and DMAPAA
또한, 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, EO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, PO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, EO, PO 변성 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디메탄올디(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴로일옥시)이소시아누레이트, 비스(히드록시메틸)트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, EO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, PO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, EO, PO 변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of polyfunctional (meth) acrylic compounds having two or more acryloyl groups or methacryloyl groups include trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, EO-modified trimethyl (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (Meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, , 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, 1,3-adamantanedimethanol di (meth) acrylate, tris (2- (Meth) acrylates such as isocyanurate tri (meth) acrylate, tris (acryloyloxy) isocyanurate, bis (hydroxymethyl) tricyclodecanedi (meth) acrylate, dipentaerythritol penta Bis (4 - ((meth) acryloxy) phenyl) propane, PO-modified 2,2-bis ) Propane, EO, PO-modified 2,2-bis (4 - ((meth) acryloxy) phenyl) propane and the like.
상기 다관능 (메트)아크릴 화합물의 시판품으로서는, 유피머(등록 상표) UV SA1002, SA2007(이상, 미츠비시 가가쿠제), 비스코트 #195, #230, #215, #260, #335HP, #295, #300, #360, #700, GPT, 3PA(이상, 오사카 유키 가가쿠 고교제), 라이트 아크릴레이트 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE-3A, PE-4A, DPE-6A(이상, 교에샤 가가쿠제), KAYARAD(등록 상표) PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60, -120, HX-620, D-310, D-330(이상, 닛폰 가야쿠제), 아로닉스(등록 상표) M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309, M310, M315, M325, M400(이상, 도아 고세이제), 리폭시(등록 상표) VR-77, VR-60, VR-90(이상, 쇼와 고분시제) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.As commercially available products of the above polyfunctional (meth) acrylic compound, Epimer (registered trademark) UV SA1002, SA2007 (manufactured by Mitsubishi Chemical), Viscot # 195, # 230, # 215, # 260, # 335HP, # 295, A, 9G-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE-3A, PE-4A, DPE-6A (above, Kyoe Shagagaku), KAYARAD (registered trademark) PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA- M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309, M310, M315, M325, M400 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Lipoxi (registered trademark) VR-77, VR-60 and VR-90 (manufactured by Showa Kogen Corporation) and the like.
또한, 상술한 화합물군에 있어서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 그것과 동등한 알코올 잔기를 갖는 메타크릴레이트를 의미한다. (메트)아크릴로일기란, 아크릴로일기 또는 그것과 동등한 알코올 잔기를 갖는 메타크릴로일기를 의미한다. EO는 에틸렌옥사이드를 나타내고, EO 변성 화합물 A란, 화합물 A의 (메트)아크릴산 잔기와 알코올 잔기가 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 통하여 결합하고 있는 화합물을 나타낸다. 또한, PO는 프로필렌옥사이드를 나타내고, PO 변성 화합물 B란, 화합물 B의 (메트)아크릴산 잔기와 알코올 잔기가 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 통하여 결합하고 있는 화합물을 나타낸다.Further, in the above-mentioned group of compounds, (meth) acrylate means acrylate or methacrylate having an alcohol residue equivalent thereto. (Meth) acryloyl group means a methacryloyl group having an acryloyl group or an alcohol residue equivalent thereto. EO represents ethylene oxide, and EO-modified compound A refers to a compound in which a (meth) acrylic acid residue and an alcohol residue of Compound A are bonded through a block structure of an ethylene oxide group. PO represents a propylene oxide, and the PO-modified compound B refers to a compound in which a (meth) acrylic acid residue and an alcohol residue of the compound B are bonded through a block structure of a propylene oxide group.
중합성 화합물인 성분 (a1)의 경화성 조성물 (A1)에 있어서의 배합 비율은, 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)의 합계 중량, 즉 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1)의 성분의 합계 중량에 대하여, 50중량% 이상 100중량% 이하이면 된다. 또한, 바람직하게는 80중량% 이상 100중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 90중량% 보다 크고 100중량% 이하이다.The compounding ratio of the component (a1) which is a polymerizable compound in the curable composition (A1) is such that the total weight of the component (a1), the component (b1) and the component (c1) Is not less than 50% by weight and not more than 100% by weight based on the total weight of the components of the component (A1). Further, it is preferably 80 wt% or more and 100 wt% or less, more preferably 90 wt% or more and 100 wt% or less.
중합성 화합물인 성분 (a1)의 경화성 조성물 (A1)에 있어서의 배합 비율을, 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)의 합계 중량에 대하여 50중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By setting the blending ratio of the component (a1) as the polymerizable compound in the curable composition (A1) to 50% by weight or more based on the total weight of the component (a1), the component (b1) and the component (c1) A cured film having a certain degree of mechanical strength can be obtained.
중합성 화합물인 성분 (a2)의 경화성 조성물 (A2)에 있어서의 배합 비율은, 성분 (a2), 성분 (b2), 성분 (c2)의 합계 중량, 즉 용제인 성분 (d2)를 제외한 경화성 조성물 (A2)의 성분의 합계 중량에 대하여, 50중량% 이상 99.9중량% 이하이면 된다. 또한, 바람직하게는 80중량% 이상 99중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 90중량% 보다 크고 98중량% 이하이다.The compounding ratio of the component (a2) which is the polymerizable compound in the curing composition (A2) is such that the total weight of the component (a2), the component (b2) and the component (c2) Is not less than 50 wt% and not more than 99.9 wt% with respect to the total weight of the components of the component (A2). Further, it is preferably 80% by weight or more and 99% by weight or less, more preferably 90% by weight or more and 98% by weight or less.
중합성 화합물인 성분 (a2)의 경화성 조성물 (A2)에 있어서의 배합 비율을, 성분 (a2), 성분 (b2), 성분 (c2)의 합계 중량에 대하여 50중량% 이상으로 함으로써, 얻어지는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By setting the blending ratio of the component (a2) which is a polymerizable compound in the curable composition (A2) to 50% by weight or more based on the total weight of the component (a2), the component (b2) and the component (c2) A cured film having a certain degree of mechanical strength can be obtained.
또한, 후술하는 바와 같이, 경화성 조성물 (A1)은, 성분 (d1)을 함유하는 것이 바람직하고, 성분 (a1)은 용제인 성분 (d1)을 포함하는 경화성 조성물 (A1)의 성분의 합계 중량에 대하여, 0.01중량% 이상 10중량% 이하이면 된다.As will be described later, the curable composition (A1) preferably contains the component (d1), and the component (a1) preferably contains the component (d1) which is a solvent and the total weight of the components of the curable composition By weight or more and 0.01% by weight or more and 10% by weight or less.
<성분 (b): 광중합 개시제>≪ Component (b): Photopolymerization initiator >
성분 (b)는 광중합 개시제이다.Component (b) is a photopolymerization initiator.
본 명세서에 있어서 광중합 개시제는, 소정의 파장의 광을 감지하여 상기 중합 인자(라디칼)를 발생시키는 화합물이다. 구체적으로는, 광중합 개시제는 광(적외선, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등의 하전 입자선 등, 방사선)에 의해 라디칼을 발생시키는 중합 개시제(라디칼 발생제)이다.In the present specification, the photopolymerization initiator is a compound which detects the light of a predetermined wavelength and generates the polymerization factor (radical). Specifically, the photopolymerization initiator is a polymerization initiator (radical generator) that generates radicals by light (radiation such as charged particle beams of infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X rays,
성분 (b)는, 1종류의 광중합 개시제로 구성되어 있어도 되고, 복수 종류의 광중합 개시제로 구성되어 있어도 된다.The component (b) may be composed of one kind of photopolymerization initiator or may be composed of plural kinds of photopolymerization initiators.
라디칼 발생제로서는, 예를 들어 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o- 또는 p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체 등의 치환기를 가져도 되는 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체; 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논(미힐러 케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 4,4'-디아미노벤조페논 등의 벤조페논 유도체; 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온 등의 α-아미노 방향족 케톤 유도체; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 유도체; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인, 프로필벤조인 등의 벤조인 유도체; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체; N-페닐글리신 등의 N-페닐글리신 유도체; 아세토페논, 3-메틸아세토페논, 아세토페논벤질케탈, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 아세토페논 유도체; 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤 유도체; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 유도체; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(O-벤조일옥심)], 에타논, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-, 1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심에스테르 유도체; 크산톤, 플루오레논, 벤즈알데히드, 플루오렌, 안트라퀴논, 트리페닐아민, 카르바졸, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Examples of the radical generating agent include 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole Dimeric dimer, 2- (o- or p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, etc. 2,4,5-triarylimidazole dimer which may have a substituent of the formula: Benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), N, N'-tetraethyl-4,4'- diaminobenzophenone, 4-methoxy- Benzophenone derivatives such as' -dimethylaminobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone and 4,4'-diaminobenzophenone; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propane-l- - < / RTI > aminoaromatic ketone derivatives such as < RTI ID = Dianthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2,3-di (tert-butylanthraquinone) 2-methyl anthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethyl anthraquinone Quinones such as quinone; Benzoin ether derivatives such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether; Benzoin derivatives such as benzoin, methylbenzoin, ethylbenzoin and propylbenzoin; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; Acridine derivatives such as 9-phenylacridine and 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane; N-phenylglycine derivatives such as N-phenylglycine; Acetophenone derivatives such as acetophenone, 3-methylacetophenone, acetophenone benzyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; Thioxanthone derivatives such as thioxanthone, diethylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone and 2-chlorothioxanthone; 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis- (2,6-dimethoxybenzoyl) Acylphosphine oxide derivatives such as phosphine oxide; Ethanone, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbaldehyde, 1- Oxazol-3-yl] -, 1- (O-acetyloxime); (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2-hydroxy- 2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and the like, but are not limited thereto.
상기 라디칼 발생제의 시판품으로서, Irgacure 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 2959, CGI-1700, -1750, -1850, CG24-61, Darocur 1116, 1173, Lucirin(등록 상표) TPO, LR8893, LR8970(이상, BASF제), 유베크릴 P36(UCB제) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.As commercial products of the radical generators, Irgacure 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784, 2959, CGI-1700, -1750, -1850, CG24-61, Darocur 1116, 1173, Lucirin (registered trademark) TPO , LR8893, LR8970 (manufactured by BASF), and Ubecryl P36 (manufactured by UCB), but are not limited thereto.
이들 중에서도, 성분 (b)는 아실포스핀옥사이드계 중합 개시제인 것이 바람직하다. 또한, 상기 예 중, 아실포스핀옥사이드계 중합 개시제는 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물이다.Among them, the component (b) is preferably an acylphosphine oxide-based polymerization initiator. In the above examples, the acylphosphine oxide-based polymerization initiator may be 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, bis (2,6- Dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, and other acylphosphine oxide compounds.
광중합 개시제인 성분 (b)의 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 있어서의 배합 비율은, 성분 (a), 성분 (b), 후술하는 성분 (c)의 합계 중량, 즉 용제인 성분 (d)를 제외한 경화성 조성물 (A1) 또는 (A2)의 성분의 합계 중량에 대하여, 0.1중량% 이상 50중량% 이하이면 된다. 또한, 바람직하게는 0.1중량% 이상 20중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 1중량% 이상 10중량% 이하이다.The blending ratio of the component (b) as the photopolymerization initiator in the curable compositions (A1) and (A2) is such that the total weight of the component (a), the component (b) ) Is 0.1 to 50% by weight based on the total weight of the components of the curable composition (A1) or (A2). Further, it is preferably 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, and more preferably 1 wt% or more and 10 wt% or less.
성분 (b)의 배합 비율을 성분 (a), 성분 (b), 성분 (c)의 합계 중량에 대하여 0.1중량% 이상으로 함으로써, 조성물의 경화 속도가 빨라져, 반응 효율을 좋게 할 수 있다. 또한, 성분 (b)의 배합 비율을 성분 (a), 성분 (b), 성분 (c)의 합계 중량에 대하여 50중량% 이하로 함으로써, 얻어지는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By setting the compounding ratio of the component (b) to 0.1% by weight or more based on the total weight of the components (a), (b) and (c), the curing rate of the composition is increased and the reaction efficiency can be improved. When the blending ratio of the component (b) is 50% by weight or less based on the total weight of the components (a), (b) and (c), the cured film obtained is to be a cured film having a certain degree of mechanical strength .
<성분 (c): 비중합성 화합물><Component (c): Non-polymerizable compound>
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)는, 전술한 성분 (a), 성분 (b) 외에, 여러 가지 목적에 따라, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 비중합성 화합물인 성분 (c)를 더 함유할 수 있다. 이러한 성분 (c)로서는, (메트)아크릴로일기 등의 중합성 관능기를 갖지 않으며, 또한 소정의 파장의 광을 감지하여 상기 중합 인자(라디칼)를 발생시키는 능력을 갖지 않는 화합물을 들 수 있다. 예를 들어, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 폴리머 성분, 기타 첨가제 등을 들 수 있다. 성분 (c)로서 상기 화합물을 복수 종류 함유해도 된다.The curable compositions (A1) and (A2) according to the present embodiment may contain, in addition to the above-described components (a) and (b) May further contain component (c). Examples of such a component (c) include a compound which does not have a polymerizable functional group such as a (meth) acryloyl group and does not have the ability to generate the polymerization factor (radical) by sensing light having a predetermined wavelength. For example, a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, a polymer component, and other additives may be cited. As the component (c), a plurality of such compounds may be contained.
증감제는, 중합 반응 촉진이나 반응 전화율의 향상을 목적으로 하여, 적절하게 첨가되는 화합물이다. 증감제로서, 예를 들어 증감 색소 등을 들 수 있다.The sensitizer is a compound suitably added for the purpose of promoting the polymerization reaction and improving the conversion rate of the reaction. As sensitizers, for example, sensitizing dyes and the like can be mentioned.
증감 색소는, 특정한 파장의 광을 흡수함으로써 여기되고, 광중합 개시제인 성분 (b)와 상호 작용하는 화합물이다. 또한, 여기서 기재하는 상호 작용이란, 여기 상태의 증감 색소로부터 광중합 개시제인 성분 (b)로의 에너지 이동이나 전자 이동 등이다.The sensitizing dye is a compound which is excited by absorbing light of a specific wavelength and interacts with the component (b) which is a photopolymerization initiator. The interaction described here is energy transfer or electron transfer from the sensitizing dye in the excited state to the component (b) as the photopolymerization initiator.
증감 색소의 구체예로서는, 안트라센 유도체, 안트라퀴논 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 카르바졸 유도체, 벤조페논 유도체, 티오크산톤 유도체, 크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 페노티아진 유도체, 캄파퀴논 유도체, 아크리딘계 색소, 티오피릴륨염계 색소, 멜로시아닌계 색소, 퀴놀린계 색소, 스티릴퀴놀린계 색소, 케토쿠마린계 색소, 티옥산텐계 색소, 크산텐계 색소, 옥소놀계 색소, 시아닌계 색소, 로다민계 색소, 피릴륨염계 색소 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Specific examples of the sensitizing dye include anthracene derivatives, anthraquinone derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, carbazole derivatives, benzophenone derivatives, thioxanthone derivatives, xanthone derivatives, coumarin derivatives, phenothiazine derivatives, camphorquinone derivatives, Based dye, a thiopyranium dye, a thiopyrilium dye, a melocyanine dye, a quinoline dye, a styrylquinoline dye, a ketokmarine dye, a thioxanthene dye, a xanthene dye, an oxolin dye, a cyanine dye, Based dye, a pyruvic salt-based pigment, and the like, but are not limited thereto.
증감제는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The sensitizer may be used alone or in combination of two or more.
수소 공여체는, 광중합 개시제인 성분 (b)로부터 발생한 개시 라디칼이나, 중합 성장 말단의 라디칼과 반응하여, 보다 반응성이 높은 라디칼을 발생시키는 화합물이다. 광중합 개시제인 성분 (b)가 광 라디칼 발생제인 경우에 첨가하는 것이 바람직하다.The hydrogen donor is a compound which reacts with an initiating radical generated from the component (b) which is a photopolymerization initiator or with a radical at the polymerization growing end to generate a more reactive radical. It is preferable to add the component (b) which is a photopolymerization initiator when it is a photo-radical generator.
이러한 수소 공여체의 구체예로서는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 알릴티오요소, 트리에틸아민, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논, N,N-디메틸아미노벤조산에틸에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산이소아밀에스테르, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 트리에탄올아민, N-페닐글리신 등의 아민 화합물, 2-머캅토-N-페닐벤조이미다졸, 머캅토프로피온산에스테르 등의 머캅토 화합물, s-벤질이소티우로늄-p-톨루엔술피네이트 등의 황 화합물, 트리-n-부틸포스핀 등의 인 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.Specific examples of such a hydrogen donor include n-butylamine, di-n-butylamine, allyl thiourea, triethylamine, triethylenetetramine, 4,4'-bis (dialkylamino) benzophenone, Amine compounds such as dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, triethanolamine and N-phenylglycine, 2-mercapto-N-phenylbenzoimidazole , Mercapto compounds such as mercaptopropionic ester, sulfur compounds such as s-benzylisothiuronium-p-toluenesulfinate, and phosphorus compounds such as tri-n-butylphosphine. Do not.
수소 공여체는 1종류를 단독으로 사용해도 되고 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 수소 공여체는 증감제로서의 기능을 가져도 된다.The hydrogen donor may be used alone or in combination of two or more. In addition, the hydrogen donor may have a function as a sensitizer.
몰드와 레지스트의 사이의 계면 결합력의 저감, 즉 후술하는 이형 공정에 있어서의 이형력의 저감을 목적으로 하여, 경화성 조성물에 내첨형 이형제를 첨가할 수 있다. 본 명세서에 있어서 내첨형이란, 경화성 조성물의 배치 공정 전에 미리 경화성 조성물에 첨가되어 있는 것을 의미한다.An internal mold releasing agent may be added to the curable composition for the purpose of reducing the interfacial bonding force between the mold and the resist, that is, for reducing the releasing force in a mold-releasing step to be described later. As used herein, the term " internal form " means that the curable composition is added in advance to the curable composition prior to the placement process of the curable composition.
내첨형 이형제로서는, 실리콘계 계면 활성제, 불소계 계면 활성제 및 탄화수소계 계면 활성제 등의 계면 활성제 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서 내첨형 이형제는 중합성을 갖지 않는 것으로 한다.As the internal mold releasing agent, a surfactant such as a silicone surfactant, a fluorine surfactant, and a hydrocarbon surfactant can be used. Further, in the present invention, the internal mold release agent does not have polymerizability.
불소계 계면 활성제로서는, 퍼플루오로알킬기를 갖는 알코올의 폴리알킬렌 옥사이드(폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드 등) 부가물, 퍼플루오로폴리에테르의 폴리알킬렌옥사이드(폴리에틸렌옥사이드, 폴리프로필렌옥사이드 등) 부가물 등이 포함된다. 또한, 불소계 계면 활성제는, 분자 구조의 일부(예를 들어, 말단기)에 히드록실기, 알콕시기, 알킬기, 아미노기, 티올기 등을 가져도 된다.Examples of the fluorine-based surfactant include polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) adduct of an alcohol having a perfluoroalkyl group, adduct of a perfluoropolyether polyalkylene oxide (polyethylene oxide, polypropylene oxide, etc.) And the like. The fluorine-based surfactant may have a hydroxyl group, an alkoxy group, an alkyl group, an amino group, a thiol group, or the like in a part of the molecular structure (for example, terminal group).
불소계 계면 활성제로서는 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서는, 예를 들어 메가팍(등록 상표) F-444, TF-2066, TF-2067, TF-2068(이상, DIC제), 플루오라드 FC-430, FC-431(이상, 스미토모 쓰리엠제), 서플론(등록 상표) S-382(AGC제), EFTOP EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127, MF-100(이상, 토켐 프로덕츠제), PF-636, PF-6320, PF-656, PF-6520(이상, OMNOVA Solutions제), 유니다인(등록 상표) DS-401, DS-403, DS-451(이상, 다이킨 고교제), 프터젠트(등록 상표) 250, 251, 222F, 208G(이상, 네오스제) 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a commercially available product may be used. As commercial products, for example, Megapak (registered trademark) F-444, TF-2066, TF-2067, TF-2068 (manufactured by DIC), Fluorad FC-430 and FC- 431 (manufactured by Sumitomo 3M) EF-126, EF-127, MF-100 (manufactured by TOKEM PRODUCTS), PF-636 (trade name, , PF-6320, PF-656, PF-6520 (manufactured by OMNOVA Solutions), Unidyne DS-401, DS-403, DS- 250), 251, 222F, and 208G (manufactured by Neos Co., Ltd.).
또한, 내첨형 이형제는 탄화수소계 계면 활성제여도 된다.The internal release agent may be a hydrocarbon-based surfactant.
탄화수소계 계면 활성제로서는, 탄소수 1 내지 50의 알킬알코올에 탄소수 2 내지 4의 알킬렌옥사이드를 부가한, 알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물 등이 포함된다.Examples of the hydrocarbon surfactants include alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts in which an alkylene oxide having 2 to 4 carbon atoms is added to an alkyl alcohol having 1 to 50 carbon atoms.
알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물로서는, 메틸알코올에틸렌옥사이드 부가물, 데실알코올에틸렌옥사이드 부가물, 라우릴알코올에틸렌옥사이드 부가물, 세틸알코올에틸렌옥사이드 부가물, 스테아릴알코올에틸렌옥사이드 부가물, 스테아릴알코올에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 부가물 등을 들 수 있다. 또한, 알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물의 말단기는, 단순하게 알킬알코올에 폴리알킬렌옥사이드를 부가하여 제조할 수 있는 히드록실기에 한정되지 않는다. 이 히드록실기가 다른 치환기, 예를 들어 카르복실기, 아미노기, 피리딜기, 티올기, 실라놀기 등의 극성 관능기나 알킬기, 알콕시기 등의 소수성 관능기로 치환되어 있어도 된다.Examples of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts include methyl alcohol ethylene oxide adduct, decyl alcohol ethylene oxide adduct, lauryl alcohol ethylene oxide adduct, cetyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol ethylene oxide adduct, stearyl alcohol Ethylene oxide / propylene oxide adducts and the like. The terminal group of the alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct is not limited to a hydroxyl group which can be produced by simply adding a polyalkylene oxide to an alkyl alcohol. The hydroxyl group may be substituted with a hydrophobic functional group such as a polar functional group such as a carboxyl group, an amino group, a pyridyl group, a thiol group or a silanol group, an alkyl group or an alkoxy group.
알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물은 시판품을 사용해도 된다. 시판품으로서는, 예를 들어 아오키 유시 고교제의 폴리옥시에틸렌메틸에테르(메틸알코올에틸렌옥사이드 부가물)(BLAUNON MP-400, MP-550, MP-1000), 아오키 유시 고교제의 폴리옥시에틸렌데실에테르(데실알코올에틸렌옥사이드 부가물)(FINESURF D-1303, D-1305, D-1307, D-1310), 아오키 유시 고교제의 폴리옥시에틸렌라우릴에테르(라우릴알코올에틸렌옥사이드 부가물)(BLAUNON EL-1505), 아오키 유시 고교제의 폴리옥시에틸렌세틸에테르(세틸알코올에틸렌옥사이드 부가물)(BLAUNON CH-305, CH-310), 아오키 유시 고교제의 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르(스테아릴알코올에틸렌옥사이드 부가물)(BLAUNON SR-705, SR-707, SR-715, SR-720, SR-730, SR-750), 아오키 유시 고교제의 랜덤 중합형 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌스테아릴에테르(BLAUNON SA-50/50 1000R, SA-30/70 2000R), BASF제의 폴리옥시에틸렌메틸에테르(Pluriol(등록 상표) A760E), 가오제의 폴리옥시에틸렌알킬에테르(에멀겐 시리즈) 등을 들 수 있다.Commercially available alkyl alcohol polyalkylene oxide adducts may be used. Examples of commercially available products include polyoxyethylene methyl ether (methyl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNON MP-400, MP-550, MP-1000) manufactured by Aoki Yushi Co., Ltd., polyoxyethylene decyl ether (FINESURF D-1303, D-1305, D-1307, D-1310), polyoxyethylene lauryl ether (lauryl alcohol ethylene oxide adduct) manufactured by Aoki Yushi Co., Ltd. (BLAUNON EL- 1505), polyoxyethylene cetyl ether (cetyl alcohol ethylene oxide adduct) (BLAUNON CH-305, CH-310) manufactured by Aoki Yushi Co., Ltd., polyoxyethylene stearyl ether (stearyl alcohol ethylene oxide adduct Water) (BLAUNON SR-705, SR-707, SR-715, SR-720, SR-730, SR-750), randomly polymerized polyoxyethylene polyoxypropylene stearyl ether (BLAUNON SA- 50/50 1000R, SA-30/70 2000R), polyoxyethylene methyl Terminus (Pluriol (TM) A760E), polyoxyethylene alkyl ether of claim Gao (meolgen series) and the like.
이들 탄화수소계 계면 활성제 중에서도 내첨형 이형제로서는, 알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물인 것이 바람직하고, 장쇄 알킬알코올폴리알킬렌옥사이드 부가물인 것이 보다 바람직하다.Among these hydrocarbon surfactants, the internal release agent is preferably an alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct, more preferably a long chain alkyl alcohol polyalkylene oxide adduct.
내첨형 이형제는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다.One type of the internal mold release agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.
비중합성 화합물인 성분 (c)의 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 있어서의 배합 비율은, 성분 (a), 성분 (b), 후술하는 성분 (c)의 합계 중량, 즉 용제인 성분 (d)를 제외한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 성분의 합계 중량에 대하여, 0중량% 이상 50중량% 이하이면 된다. 또한, 바람직하게는 0.1중량% 이상 50중량% 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1중량% 이상 20중량% 이하이다.The blending ratio of the component (c) as the non-polymer compound to the curable composition (A1) and the component (A2) is such that the total weight of the component (a), the component (b) (C) is 0% by weight or more and 50% by weight or less based on the total weight of the components of the curable compositions (A1) and (A2). Further, it is preferably 0.1 wt% or more and 50 wt% or less, and more preferably 0.1 wt% or more and 20 wt% or less.
성분 (c)의 배합 비율을 성분 (a), 성분 (b), 성분 (c)의 합계 중량에 대하여 50중량% 이하로 함으로써, 얻어지는 경화막을 어느 정도의 기계적 강도를 갖는 경화막으로 할 수 있다.By setting the blending ratio of the component (c) to 50 wt% or less based on the total weight of the components (a), (b) and (c), the resulting cured film can be a cured film having a certain degree of mechanical strength .
<성분 (d): 용제>≪ Component (d): Solvent >
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1)은, 용제인 성분 (d1)을 함유한다. 후술하는 바와 같이, 기판 상에 대한 경화성 조성물 (A1)의 도포 방법으로서 스핀 코트법이 바람직하기 때문이다. 본 발명의 광 나노임프린트법에 의해 1nm 이상 100nm 이하의 패턴을 형성하기 위해서는, 경화성 조성물 (A1)의 막 두께도 1nm 이상 100nm 이하 정도인 것이 바람직하다. 이 때문에, 용제인 성분 (d1)의 경화성 조성물 (A1) 중의 함유율은, 90중량% 이상 99.99중량% 이하가 바람직하고, 99중량% 이상 99.9중량% 이하가 특히 바람직하다. 경화성 조성물 (A1)의 용제인 성분 (d1)로서는, 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)이 용해되며, 또한 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)을 포함하는 혼합물, 즉 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1)의 성분의 조성물보다 표면 장력이 낮은 용제를 사용한다. 용제인 성분 (d1)의 표면 장력이 낮을수록, 스핀 코트법으로 균일한 막이 얻어진다. 더욱 바람직한 용제로서는 상압에 있어서의 비점이 80℃ 이상 200℃ 이하인 용제이다. 더욱 바람직하게는, 에스테르 구조, 케톤 구조, 수산기, 에테르 구조 중 어느 것을 적어도 1개 갖는 용제이다. 구체적으로는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 락트산에틸로부터 선택되는 단독, 혹은 이들 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 혼합 용제이다.The curable composition (A1) of the present embodiment contains a component (d1) which is a solvent. This is because the spin coating method is preferable as a coating method of the curable composition (A1) on a substrate as described later. In order to form a pattern of 1 nm or more and 100 nm or less by the photo-nanoimprint method of the present invention, the film thickness of the curable composition (A1) is preferably about 1 nm or more and 100 nm or less. Therefore, the content of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1) is preferably 90 wt% or more and 99.99 wt% or less, particularly preferably 99 wt% or more and 99.9 wt% or less. As the component (d1) which is the solvent of the curable composition (A1), the component (a1), the component (b1) and the component (c1) A solvent having a lower surface tension than the composition of the components of the curable composition (A1) except for the component (d1) which is a solvent is used. The lower the surface tension of the component (d1) which is the solvent, the more uniform the film is obtained by the spin coating method. A more preferred solvent is a solvent having a boiling point at normal pressure of 80 占 폚 to 200 占 폚. More preferably, it is a solvent having at least one of an ester structure, a ketone structure, a hydroxyl group and an ether structure. Specific examples include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone,? -Butyrolactone, ethyl lactate, or a mixture containing at least one of these Solvent.
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A2)도, 용제인 성분 (d2)를 함유하고 있어도 된다. 경화성 조성물 (A2)에 첨가하는 성분 (d2)로서는, 성분 (a2), 성분 (b2), 성분 (c2)가 용해되는 용제라면, 특별히 한정은 되지 않는다. 바람직한 용제로서는 상압에 있어서의 비점이 80℃ 이상 200℃ 이하인 용제이다. 더욱 바람직하게는, 에스테르 구조, 케톤 구조, 수산기, 에테르 구조 중 어느 것을 적어도 1개 갖는 용제이다. 구체적으로는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 락트산에틸로부터 선택되는 단독, 혹은 이들 중 적어도 1종류 이상을 함유하는 혼합 용제이다.The curable composition (A2) of the present embodiment may also contain a component (d2) which is a solvent. The component (d2) to be added to the curable composition (A2) is not particularly limited as long as it is a solvent in which the component (a2), the component (b2) and the component (c2) are dissolved. A preferable solvent is a solvent having a boiling point at normal pressure of 80 占 폚 to 200 占 폚. More preferably, it is a solvent having at least one of an ester structure, a ketone structure, a hydroxyl group and an ether structure. Specific examples include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, cyclohexanone, 2-heptanone,? -Butyrolactone, ethyl lactate, or a mixture containing at least one of these Solvent.
<경화성 조성물의 배합 시의 온도>≪ Temperature during compounding of curable composition >
본 실시 형태의 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)를 제조할 때에는, 각 성분을 소정의 온도 조건 하에서 혼합ㆍ용해시킨다. 구체적으로는, 0℃ 이상 100℃ 이하의 범위에서 행한다.In the production of the curable compositions (A1) and (A2) of the present embodiment, each component is mixed and dissolved under a predetermined temperature condition. Concretely, it is performed in a range of 0 ° C or more and 100 ° C or less.
<경화성 조성물의 점도>≪ Viscosity of Curable Composition >
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)는 액체인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 후술하는 형 접촉 공정에 있어서, 경화성 조성물 (A1) 및/또는 (A2)의 스프레드 및 필이 빠르게 완료, 즉 충전 시간이 짧기 때문이다.The curable compositions (A1) and (A2) of the present embodiment are preferably liquid. This is because the spreading and filling of the curable composition A1 and / or A2 is completed quickly, that is, the charging time is short in the mold contact process described below.
본 실시 형태에 관한 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1)의 성분의 조성물의 25℃에서의 점도는, 1mPaㆍs 이상 1000mPaㆍs 이하인 것이 바람직하다. 또한, 보다 바람직하게는 1mPaㆍs 이상 500mPaㆍs 이하이고, 더욱 바람직하게는 1mPaㆍs 이상 100mPaㆍs 이하이다.The viscosity of the composition of the component of the curable composition (A1) other than the component (d1) which is the solvent in the present embodiment at 25 占 폚 is preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 1000 mPa 占 퐏 or less. More preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 500 mPa 占 퐏 or less, and still more preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 100 mPa 占 퐏 or less.
본 실시 형태에 관한 용제인 성분 (d2)를 제외한 경화성 조성물 (A2)의 성분의 조성물의 25℃에서의 점도는, 1mPaㆍs 이상 100mPaㆍs 이하인 것이 바람직하다. 또한, 보다 바람직하게는 1mPaㆍs 이상 50mPaㆍs 이하이고, 더욱 바람직하게는 1mPaㆍs 이상 12mPaㆍs 이하이다.The viscosity of the composition of the component of the curable composition (A2) other than the component (d2) which is the solvent in the present embodiment at 25 占 폚 is preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 100 mPa 占 퐏 or less. More preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 50 mPa 占 퐏 or less, and still more preferably 1 mPa 占 퐏 or more and 12 mPa 占 퐏 or less.
경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 점도를 100mPaㆍs 이하로 함으로써, 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)를 몰드에 접촉할 때 스프레드 및 필이 빠르게 완료된다(비특허문헌 1). 즉, 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물을 사용함으로써, 광 나노임프린트법을 높은 스루풋으로 실시할 수 있다. 또한, 충전 불량에 의한 패턴 결함이 발생하기 어렵다.By setting the viscosities of the curable compositions (A1) and (A2) to 100 mPa 占 퐏 or less, the spreads and peels are completed quickly when the curable compositions (A1) and (A2) are brought into contact with the mold (Non-Patent Document 1). That is, by using the curable composition according to the present embodiment, the optical nanoimprint method can be performed with high throughput. In addition, pattern defects due to poor charging are unlikely to occur.
또한, 점도를 1mPaㆍs 이상으로 함으로써, 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)를 기판 상에 도포할 때 도포 얼룩이 발생하기 어려워진다. 또한, 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)를 몰드에 접촉할 때, 몰드의 단부로부터 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)가 유출되기 어려워진다.When the viscosity is 1 mPa s or more, uneven coating is less likely to occur when the curable compositions (A1) and (A2) are coated on a substrate. Further, when the curable compositions (A1) and (A2) are brought into contact with the mold, the curable compositions (A1) and (A2) are difficult to flow out from the ends of the mold.
<경화성 조성물의 표면 장력>≪ Surface tension of curable composition >
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 있어서, 용제인 성분 (d)를 제외한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 성분의 조성물의 23℃에서의 표면 장력은, 5mN/m 이상 70mN/m 이하인 것이 바람직하다. 또한, 보다 바람직하게는 7mN/m 이상 50mN/m 이하이고, 더욱 바람직하게는 10mN/m 이상 40mN/m 이하이다. 여기서, 표면 장력이 높을수록, 예를 들어 5mN/m 이상이면, 모세관력이 강하게 작용하기 때문에, 경화성 조성물 (A1) 및/또는 (A2)를 몰드에 접촉시켰을 때, 충전(스프레드 및 필)이 단시간에 완료된다(비특허문헌 1).In the curable compositions (A1) and (A2) of the present embodiment, the surface tension of the composition of the components of the curable compositions (A1) and (A2) other than the component (d) being a solvent at 23 캜 is preferably 5 mN / m Or more and 70 mN / m or less. It is more preferably 7 mN / m or more and 50 mN / m or less, and still more preferably 10 mN / m or more and 40 mN / m or less. Here, when the surface tension is higher, for example, 5 mN / m or more, the capillary force acts strongly, so that when the curable composition A1 and / or A2 is brought into contact with the mold, charging (spreading and peeling) And is completed in a short time (non-patent document 1).
또한, 표면 장력을 70mN/m 이하로 함으로써, 경화성 조성물을 경화하여 얻어지는 경화막이 표면 평활성을 갖는 경화막이 된다.By setting the surface tension to 70 mN / m or less, the cured film obtained by curing the curable composition becomes a cured film having surface smoothness.
본 실시 형태에 있어서는, 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1)의 성분의 조성물의 표면 장력이, 용제인 성분 (d2)를 제외한 경화성 조성물 (A2)의 성분의 조성물의 표면 장력보다 높은 것이 바람직하다. 형 접촉 공정 전에, 후술하는 마란고니 효과에 의해 경화성 조성물 (A2)의 프리스프레드가 가속되어(액적이 광범위하게 퍼져), 후술하는 형 접촉 공정 중의 스프레드에 요하는 시간이 단축되어, 결과로서 충전 시간이 단축되기 때문이다.In the present embodiment, the surface tension of the composition of the component of the curable composition (A1) other than the component (d1) which is the solvent is higher than the surface tension of the composition of the component of the curable composition (A2) . The free spread of the curable composition A2 is accelerated (the droplet spreads widely) due to the effect of the marangoni to be described later, so that the time required for the spread in the mold-contacting step to be described later is shortened, Is shortened.
마란고니 효과란 액체의 표면 장력의 국소적인 차에 기인한 자유 표면 이동의 현상이다(비특허문헌 2). 표면 장력, 즉 표면 에너지의 차를 구동력으로 하여, 표면 장력이 낮은 액체가, 보다 넓은 표면을 덮는 확산이 발생한다. 즉, 기판 전체면에 표면 장력이 높은 경화성 조성물 (A1)을 도포해 두고, 표면 장력이 낮은 경화성 조성물 (A2)를 적하하면, 경화성 조성물 (A2)의 프리스프레드가 가속되는 것이다. 경화성 조성물 (A2)가 경화성 조성물 (A1)의 막에 적하될 때, 경화성 조성물 (A1)의 막의 표면 장력은, 경화성 조성물 (A2)의 표면 장력보다 2mN/m 이상 높은 것이 바람직하다.The Marangoni effect is a phenomenon of free surface movement due to the local difference in the surface tension of the liquid (Non-Patent Document 2). Using a difference in surface tension, that is, a difference in surface energy, as a driving force, diffusion occurs in which a liquid having a low surface tension covers a wider surface. That is, when the curable composition (A1) having a high surface tension is applied to the entire surface of the substrate and the curable composition (A2) having a low surface tension is dropped, the free spread of the curable composition (A2) is accelerated. When the curable composition (A2) is dropped onto the film of the curable composition (A1), the surface tension of the film of the curable composition (A1) is preferably 2 mN / m or more higher than the surface tension of the curable composition (A2).
여기서, 본 발명의 발명자들은, 도포된 경화성 조성물 (A1)의 막 중에 잔존하는 용제인 성분 (d1)이 상기 마란고니 효과에 크게 영향을 미친다는 것을 알아냈다. 전술한 바와 같이, 본 발명의 용제인 성분 (d1)에는, 스핀 코트 균일성을 위해 표면 장력이 낮은 용제를 사용한다. 경화성 조성물 (A1)의 막 중에 용제인 성분 (d1)이 잔존해 있으면, 막의 표면 장력이 낮아, 마란고니 효과가 충분히 발현되지 않는다.Here, the inventors of the present invention have found that the component (d1) which is a solvent remaining in the film of the applied curable composition (A1) greatly affects the Marangoni effect. As described above, for the component (d1) which is the solvent of the present invention, a solvent having a low surface tension is used for spin coat uniformity. If the component (d1) which is a solvent remains in the film of the curable composition (A1), the surface tension of the film is low and the effect of the marangoni is not fully manifested.
용제인 성분 (d1)이 잔존해 있는 상태에서, 도 3b에 도시하는 바와 같이 분위기 제어 기체(307)가 분사되면, 그 영역에 있어서 용제인 성분 (d1)의 휘발이 촉진된다. 표면 장력이 낮은 용제인 성분 (d1)이 휘발함으로써 경화성 조성물 (A1)의 막의 표면 장력이 높아지고, 마란고니 효과가 강하게 발현된다. 즉, 도 3a의 제2 샷 영역(305)에 있어서, 마란고니 효과가 강한 부분과 약한 부분이 발생하여, 패턴 형성의 균일성이 손상되는 것이다.When the
상기 견해에 기초하여, 본 발명자들은 도포된 경화성 조성물 (A1) 중의 잔존 용제 (d1)을 미리 적게 해 두어야 한다는 결론에 도달하였다. 본 발명에 따르면, 분위기 제어 기체(307)가 분사되는 영역과 그렇지 않은 영역에서 마란고니 효과의 차가 작고, 균일한 패턴 형성이 가능하게 된다.On the basis of the above view, the present inventors reached the conclusion that the remaining solvent (d1) in the applied curable composition (A1) should be kept in advance. According to the present invention, the difference in the marangoney effect between the region where the
<경화성 조성물의 접촉각>≪ Contact angle of the curable composition &
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 접촉각은, 용제인 성분 (d)를 제외한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 성분의 조성물에 대하여, 기판 표면 및 몰드 표면의 양쪽에 대하여 0°이상 90°이하인 것이 바람직하다. 접촉각이 90°보다 크면, 몰드 패턴의 내부나 기판과 몰드의 간극에 있어서 모세관력이 부의 방향(몰드와 경화성 조성물간의 접촉 계면을 수축시키는 방향)으로 작용하여, 충전되지 않는다. 0°이상 30°이하인 것이 특히 바람직하다. 접촉각이 낮을수록 모세관력이 강하게 작용하기 때문에, 충전 속도가 빠르다(비특허문헌 1).The contact angles of the curable compositions (A1) and (A2) according to the present embodiment are set such that the composition of the components of the curable compositions (A1) and (A2) except for the component (d) Is preferably from 0 DEG to 90 DEG. If the contact angle is larger than 90 DEG, the capillary force acts in the negative direction (direction in which the contact interface between the mold and the curable composition contracts) in the inside of the mold pattern or the gap between the substrate and the mold, and is not charged. And it is particularly preferable that the angle is not less than 0 DEG and not more than 30 DEG. The lower the contact angle is, the stronger the capillary force is, so the charging speed is faster (Non-Patent Document 1).
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 점도, 표면 장력 및 접촉각은, 용제인 성분 (d)를 첨가함으로써 변화시킬 수 있지만, 용제인 성분 (d)는 경화성 조성물의 경화를 방해한다. 따라서, 본 실시 형태에서는 용제인 성분 (d)를 제외한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)의 성분의 조성물의 점도, 표면 장력 및 접촉각을 소정의 값으로 하는 것이 바람직하다.The viscosity, surface tension and contact angle of the curable compositions (A1) and (A2) according to the present embodiment can be changed by adding the component (d) as a solvent, but the component (d) as a solvent interferes with the curing of the curable composition do. Therefore, in the present embodiment, it is preferable to set the viscosity, surface tension, and contact angle of the composition of the components of the curable compositions (A1) and (A2) other than the component (d) being a solvent to a predetermined value.
<경화성 조성물에 혼입되어 있는 불순물>≪ Impurities mixed in the curable composition >
본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)는, 가능한 한 불순물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서 기재하는 불순물이란, 전술한 성분 (a), 성분 (b), 성분 (c) 및 성분 (d) 이외의 것을 의미한다.It is preferable that the curable compositions (A1) and (A2) of this embodiment contain as little impurities as possible. The impurities described here mean those other than the above-mentioned components (a), (b), (c) and (d).
따라서, 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물은, 정제 공정을 거쳐 얻어진 것이면 바람직하다. 이러한 정제 공정으로서는 필터를 사용한 여과 등이 바람직하다.Therefore, the curable composition according to the present embodiment is preferably one obtained through a purification process. Such a purification process is preferably filtration using a filter or the like.
필터를 사용한 여과를 행할 때에는, 구체적으로는 전술한 성분 (a), 성분 (b) 및 필요에 따라 첨가하는 첨가 성분을 혼합한 후, 예를 들어 구멍 직경 0.001㎛ 이상 5.0㎛ 이하의 필터로 여과하는 것이 바람직하다. 필터를 사용한 여과를 행할 때에는, 다단계로 행하거나, 다수회 반복하거나 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 여과한 액을 다시 여과해도 된다. 구멍 직경이 상이한 필터를 복수 사용하여 여과해도 된다. 여과에 사용하는 필터로서는, 폴리에틸렌 수지제, 폴리프로필렌 수지제, 불소 수지제, 나일론 수지제 등의 필터를 사용할 수 있지만, 특별히 한정되는 것은 아니다.The filtration using the filter is carried out by mixing the above-mentioned components (a), (b) and additives to be added as required, and then filtrating them with a filter having a pore diameter of 0.001 to 5.0 m . When filtration using a filter is performed, it is more preferable to perform filtration in multiple stages or to repeat filtration many times. Further, the filtrate may be filtered again. It may be filtered using a plurality of filters having different hole diameters. As the filter used for filtration, a filter made of a polyethylene resin, a polypropylene resin, a fluororesin, a nylon resin, or the like can be used, but it is not particularly limited.
이러한 정제 공정을 거침으로써, 경화성 조성물에 혼입된 파티클 등의 불순물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 파티클 등의 불순물에 의해, 경화성 조성물을 경화한 후에 얻어지는 경화막에 부주의하게 요철이 발생하여 패턴의 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있다.By such a purification step, impurities such as particles incorporated in the curable composition can be removed. Thereby, impurities such as particles can inadvertently cause irregularities in the cured film obtained after curing the curable composition, thereby preventing occurrence of defects in the pattern.
또한, 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물을, 반도체 집적 회로를 제조하기 위해 사용하는 경우, 제품의 동작을 저해하지 않도록 하기 위해, 경화성 조성물 중에 금속 원자를 함유하는 불순물(금속 불순물)이 혼입되는 것을 최대한 피하는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 경화성 조성물에 포함되는 금속 불순물의 농도로서는, 10ppm 이하가 바람직하고, 100ppb 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.In the case where the curable composition according to the present embodiment is used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, the incorporation of impurities (metal impurities) containing metal atoms in the curable composition is minimized so as not to hinder the operation of the product It is desirable to avoid. In this case, the concentration of the metal impurity contained in the curable composition is preferably 10 ppm or less, more preferably 100 ppb or less.
[패턴 형성 방법][Pattern formation method]
이어서, 본 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법에 대하여, 도 2a 내지 도 2g의 모식 단면도를 사용하여 설명한다.Next, the pattern forming method according to the present embodiment will be described using the schematic sectional views of Figs. 2A to 2G.
본 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법은, 광 나노임프린트 방법의 일 형태이다. 본 실시 형태의 패턴 형성 방법은,The pattern forming method according to the present embodiment is a form of the optical nanoimprint method. In the pattern forming method of the present embodiment,
기판(201) 상에, 상술한 본 실시 형태의 경화성 조성물 (A1)(202)을 적층하는 제1 적층 공정 (1),A first lamination step (1) of laminating the above-described curable composition (A1) 202 of the present embodiment on a
상기 경화성 조성물 (A1)(202)의 층 상에, 경화성 조성물 (A2)(203)를 적층하는 제2 적층 공정 (2),A second lamination step (2) of laminating the curable composition (A2) 203 on the layer of the curable composition (A1) 202,
패턴을 갖는 몰드(205)와 기판(201)의 사이에 경화성 조성물 (A1)(202)과 경화성 조성물 (A2)(203)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 혼합층을 샌드위치하는 형 접촉 공정 (3),(3) sandwiching a mixed layer in which a curable composition (A1) 202 and a curable composition (A2) 203 are partially mixed between a mold (205) having a pattern and a substrate (201)
상기 혼합층을 몰드(205)측으로부터 조사광(206)을 조사함으로써 경화시키는 광조사 공정 (4),A light irradiation step (4) of curing the mixed layer by irradiating the irradiation light (206) from the mold (205) side,
몰드(205)를 경화 후의 경화성 조성물을 포함하는 경화막(207)으로부터 분리하는 이형 공정 (5)(5) for separating the mold (205) from the cured film (207) containing the curable composition after curing,
를 갖는다..
본 실시 형태에 관한 패턴 형상을 갖는 경화막의 제조 방법에 의해 얻어지는 경화막은, 1nm 이상 10mm 이하의 사이즈의 패턴을 갖는 막인 것이 바람직하다. 또한, 10nm 이상 100㎛ 이하의 사이즈의 패턴을 갖는 막인 것이 보다 바람직하다. 또한, 일반적으로, 광을 이용하여 나노사이즈(1nm 이상 100nm 이하)의 패턴(요철 구조)을 갖는 막을 제작하는 패턴 형성 기술은, 광 나노임프린트법이라고 불리고 있다. 본 실시 형태에 관한 패턴 형성 방법은 광 나노임프린트법을 이용하고 있다.The cured film obtained by the process for producing a patterned cured film according to the present embodiment is preferably a film having a pattern of a size of 1 nm or more and 10 mm or less. It is more preferable that the film has a pattern of a size of 10 nm or more and 100 占 퐉 or less. Generally, a pattern forming technique for producing a film having a nano-size (1 nm or more and 100 nm or less) pattern (concavo-convex structure) using light is called a photo-nanoimprint method. The pattern forming method according to the present embodiment uses a photo-nanoimprint method.
이하, 각 공정에 대하여 설명한다.Hereinafter, each process will be described.
<제1 적층 공정 (1)>≪ First lamination step (1) >
본 공정(제1 적층 공정)에서는, 도 2a 및 도 2b에 도시하는 바와 같이, 전술한 본 실시 형태에 관한 경화성 조성물 (A1)(202)을 기판(201) 상에 적층(도포)하여 도포막을 형성한다.2A and 2B, the curable composition (A1) 202 according to the present embodiment described above is laminated (coated) on a
경화성 조성물 (A1)(202)을 배치하는 대상인 기판(201)은 피가공 기판이며, 통상 실리콘 웨이퍼가 사용된다. 기판(201) 상에는 피가공층이 형성되어 있어도 된다. 기판(201) 및 피가공층의 사이에 또 다른 층이 형성되어 있어도 된다. 또한, 기판(201)으로서 석영 기판을 사용하면, 석영 임프린트 몰드의 레플리카(몰드 레플리카)를 제작할 수 있다.The
단 본 발명에 있어서, 기판(201)은 실리콘 웨이퍼나 석영 기판에 한정되는 것은 아니다. 기판(201)은 알루미늄, 티타늄-텅스텐 합금, 알루미늄-규소 합금, 알루미늄-구리-규소 합금, 산화규소, 질화규소 등의 반도체 디바이스용 기판으로서 알려져 있는 것 중에서도 임의로 선택할 수 있다.However, in the present invention, the
또한, 사용되는 기판(201)(피가공 기판) 혹은 피가공층의 표면은, 실란 커플링 처리, 실라잔 처리, 유기 박막의 성막 등의 표면 처리에 의해 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와의 밀착성이 향상되어 있어도 된다.The surface of the substrate 201 (substrate to be processed) or the work layer to be used is subjected to surface treatment such as silane coupling treatment, silazane treatment or film formation of an organic thin film to form the curable compositions A1 and 202 A2) 203 may be improved.
본 실시 형태에 있어서, 경화성 조성물 (A1)(202)을 기판(201) 혹은 피가공층 상에 배치하는 방법으로서는, 예를 들어 잉크젯법, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바 코트법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 스캔법 등을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 스핀 코트법이 특히 바람직하다.Examples of the method for disposing the curable composition (A1) 202 on the
본 발명에 있어서는, 경화성 조성물 (A1)(202)을 기판(201) 혹은 피가공층 상에 배치함에 있어서, 경화성 조성물 (A1)(202) 막 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 10중량% 이하가 되도록 한다. 이를 위해, 필요에 따라 베이크 공정을 실시하여, 용제인 성분 (d1)을 휘발시키는 것이 바람직하다. 또한, 베이크 공정에 있어서 휘발되지 않도록, 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)은 휘발성이 낮은 편이 바람직하다.In the present invention, when the curable composition (A1) 202 is disposed on the
베이크 공정은 오븐이나 핫 플레이트 등, 기지의 방법을 사용할 수 있다. 베이크 조건은 30 내지 200℃, 1 내지 600초 등의 조건에서 행할 수 있다. 용제인 성분 (d1)을 휘발시키면서, 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1)이 휘발되지 않도록, 적절하게 조건을 설정하는 것이 바람직하다.The baking process can be performed by a known method such as an oven or a hot plate. The baking can be performed at 30 to 200 DEG C for 1 to 600 seconds. It is preferable to appropriately set the conditions so that the component (a1), the component (b1), and the component (c1) are not volatilized while the component (d1) which is the solvent is volatilized.
또한, 경화성 조성물 (A1)(202)의 막의 평균 막 두께는, 사용하는 용도에 따라서도 상이하지만, 예를 들어 0.1nm 이상 10,000nm 이하이고, 바람직하게는 1nm 이상 20nm 이하이고, 특히 바람직하게는 1nm 이상 10nm 이하이다.The average film thickness of the film of the curable composition (A1) 202 varies depending on the intended use, but is, for example, from 0.1 nm to 10,000 nm, preferably from 1 nm to 20 nm, 1 nm or more and 10 nm or less.
<제2 적층 공정 (2)>≪ Second lamination step (2) >
본 공정(제2 적층 공정)에서는, 도 2c 및 도 2d에 도시하는 바와 같이, 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적을, 상기 경화성 조성물 (A1)(202)의 층 상에 이산적으로 적하하여 배치하는 것이 바람직하다. 배치 방법으로서는 잉크젯법이 특히 바람직하다. 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적은, 몰드(205) 상에 오목부가 밀(密)하게 존재하는 영역에 대향하는 기판(201) 상에는 밀하게, 오목부가 소(疎)하게 존재하는 영역에 대향하는 기판(201) 상에는 소하게 배치된다. 이에 의해, 후술하는 잔막을, 몰드(205) 상의 패턴의 소밀에 구애되지 않고 균일한 두께로 제어할 수 있다.In this step (second laminating step), droplets of the curable composition (A2) 203 are dispersed dropwise onto the layer of the curable composition (A1) 202 as shown in Fig. 2C and Fig. 2D . As an arrangement method, an ink-jet method is particularly preferable. The liquid droplets of the curable composition (A2) 203 are uniformly pressed on the
본 발명에 있어서는, 본 공정(제2 적층 공정)에서 배치된 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적은, 전술한 바와 같이, 표면 에너지(표면 장력)의 차를 구동력으로 하는 마란고니 효과에 의해, 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표(204)의 방향으로 빠르게 퍼진다(프리스프레드)(도 2d).In the present invention, as described above, the droplets of the curable composition (A2) 203 disposed in the present step (second laminating step) are reduced by the effect of the Marangoni effect using the difference in surface energy (surface tension) And spread rapidly in the direction of the
본 발명에 있어서는, 경화성 조성물 (A1)(202) 막 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율을 10중량% 이하로 함으로써, 인접 샷을 위해 분사된 분위기 제어 기체(307)(도 3b 참조)의 영향을 크게 받지 않고, 마란고니 효과가 균일하게 발현되어, 제2 샷 영역(305) 내에서 균일한 패턴 형성이 가능하게 된다.In the present invention, by setting the content of the component (d1) as the solvent in the curable composition (A1) 202 film to 10% by weight or less, the influence of the atmosphere control gas 307 (see FIG. 3B) The Marangoni effect is uniformly expressed, and a uniform pattern can be formed in the
<형 접촉 공정 (3)>≪ Mold contact process (3) >
이어서, 도 2e에 도시하는 바와 같이, 전공정(제1 및 제2 적층 공정)에서 형성된 경화성 조성물 (A1)(202) 및 경화성 조성물 (A2)(203)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 액체의 층에 패턴 형상을 전사하기 위한 원형 패턴을 갖는 몰드(205)를 접촉시킨다. 이에 의해, 몰드(205)가 표면에 갖는 미세 패턴의 오목부에 경화성 조성물 (A1)(202) 및 경화성 조성물 (A2)(203)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 액체가 충전(필)되어, 몰드(205)의 미세 패턴에 충전(필)된 액막이 된다.Subsequently, as shown in Fig. 2E, the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203, which are formed in the previous step (first and second laminating steps) The
몰드(205)로서는, 다음 공정(광조사 공정)을 고려하여 광투과성 재료로 구성된 몰드(205)를 사용하면 된다. 몰드(205)를 구성하는 재료의 재질로서는, 구체적으로는 유리, 석영, PMMA, 폴리카르보네이트 수지 등의 광투과성 수지, 투명 금속 증착막, 폴리디메틸실록산 등의 유연막, 광경화막, 금속막 등이 바람직하다. 단, 몰드(205)를 구성하는 재료의 재질로서 광투과성 수지를 사용하는 경우에는, 경화성 조성물에 포함되는 성분에 용해되지 않는 수지를 선택할 필요가 있다. 열팽창 계수가 작고 패턴 변형이 작다는 점에서, 몰드(205)를 구성하는 재료의 재질은, 석영인 것이 특히 바람직하다.As the
몰드(205)가 표면에 갖는 미세 패턴은, 4nm 이상 200nm 이하의 패턴 높이를 갖는 것이 바람직하다.The fine pattern that the
패턴 높이가 낮을수록, 이형 공정에 있어서 몰드(205)를 레지스트의 경화막(207)으로부터 떼어내는 힘, 즉 이형력이 낮으며, 또한 이형에 수반하여 레지스트 패턴이 찢어져 마스크측에 잔존하는 이형 결함수가 적다. 몰드(205)를 떼어낼 때의 충격에 의한 레지스트 패턴의 탄성 변형으로 인접 레지스트 패턴끼리 접촉하여, 레지스트 패턴이 유착 혹은 파손되는 경우가 있지만, 패턴 폭에 대하여 패턴 높이가 2배 정도 이하(애스펙트비 2 이하)이면, 그러한 문제들을 피할 수 있을 가능성이 높다. 한편, 패턴 높이가 지나치게 낮으면, 기판(201)(피가공 기판)의 가공 정밀도가 낮다.The lower the pattern height, the lower the releasing force of releasing the
몰드(205)에는, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와 몰드(205)의 표면의 박리성을 향상시키기 위해, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와 몰드(205)의 형 접촉 공정인 본 공정 전에 표면 처리를 행해 두어도 된다. 표면 처리의 방법으로서는, 몰드(205)의 표면에 이형제를 도포하여 이형제층을 형성하는 방법을 들 수 있다. 여기서, 몰드(205)의 표면에 도포하는 이형제로서는, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 탄화수소계 이형제, 폴리에틸렌계 이형제, 폴리프로필렌계 이형제, 파라핀계 이형제, 몬탄계 이형제, 카르나우바계 이형제 등을 들 수 있다. 예를 들어, 다이킨 고교(주)제의 옵툴(등록 상표) DSX 등의 시판 중인 도포형 이형제도 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 이형제는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 병용하여 사용해도 된다. 이들 중에서도 불소계 및 탄화수소계의 이형제가 특히 바람직하다.In the
본 공정(형 접촉 공정)에 있어서, 도 2e에 도시하는 바와 같이, 몰드(205)와 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)를 접촉시킬 때, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)에 가하는 압력은 특별히 한정은 되지 않는다. 해당 압력은 0MPa 이상 100MPa 이하로 하면 된다. 또한, 해당 압력은 0MPa 이상 50MPa 이하인 것이 바람직하고, 0MPa 이상 30MPa 이하인 것이 보다 바람직하고, 0MPa 이상 20MPa 이하인 것이 더욱 바람직하다.When the
본 발명에서는, 전공정(제2 적층 공정)에 있어서 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적의 프리스프레드가 진행되고 있기 때문에, 본 공정에 있어서의 경화성 조성물 (A2)(203)의 스프레드는 빠르게 완료된다. 경화성 조성물 (A2)(203)의 액적간 경계 영역에 있어서는, 스프레드가 마지막으로 완료되며, 또한 경화성 조성물 (A1)(202)의 농도가 높다.In the present invention, since the free spread of the droplets of the curable composition (A2) 203 is progressing in the previous step (second lamination step), the spread of the curable composition (A2) 203 in this step is fast Is completed. In the liquid-droplet boundary region of the curable composition (A2) 203, the spread is finally completed and also the concentration of the curable composition (A1) 202 is high.
이상과 같이, 본 공정에 있어서 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)의 스프레드 및 필이 빠르게 완료되기 때문에, 몰드(205)와 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)를 접촉시키는 시간을 짧게 설정할 수 있다. 즉 단시간에 많은 패턴 형성 공정을 완료할 수 있어, 높은 생산성이 얻어지는 것이, 본 발명의 효과의 하나이다. 접촉시키는 시간은, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들어 0.1초 이상 600초 이하로 하면 된다. 또한, 해당 시간은 0.1초 이상 3초 이하인 것이 바람직하고, 0.1초 이상 1초 이하인 것이 특히 바람직하다. 0.1초보다 짧으면, 스프레드 및 필이 불충분해지고, 미충전 결함이라고 불리는 결함이 다발하는 경향이 있다.As described above, since the spreading and filling of the curable compositions (A1) 202 and (A2) 203 are completed quickly in this step, the
본 공정은, 대기 분위기 하, 감압 분위기 하, 불활성 가스 분위기 하 중 어느 조건 하에서도 행할 수 있지만, 산소나 수분에 의한 경화 반응에 대한 영향을 방지할 수 있기 때문에, 감압 분위기나 불활성 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. 불활성 가스 분위기 하에서 본 공정을 행하는 경우에 사용할 수 있는 불활성 가스의 구체예로서는, 질소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤, 각종 프레온 가스 등, 혹은 이들의 혼합 가스를 들 수 있다. 대기 분위기 하를 포함하여 특정한 가스의 분위기 하에서 본 공정을 행하는 경우, 바람직한 압력은 0.0001기압 이상 10기압 이하이다. 불활성 가스는, 몰드(205)의 주위로부터, 몰드(205)와 기판(201)의 간극을 향하여 불어 넣어진다.The present step can be carried out under atmospheric pressure, under a reduced pressure atmosphere, or under an inert gas atmosphere. However, since it is possible to prevent the influence of oxygen or moisture on the curing reaction, . Specific examples of the inert gas that can be used in the present process in an inert gas atmosphere include nitrogen, carbon dioxide, helium, argon, various kinds of freon gas, or a mixed gas thereof. When this step is carried out under an atmosphere of a specific gas including an atmosphere, the preferable pressure is 0.0001 to 10 atm. The inert gas is blown from the periphery of the
형 접촉 공정은, 응축성 가스를 포함하는 분위기(이하, 「응축성 가스 분위기」라고 칭함) 하에서 행해도 된다. 본 명세서에 있어서 응축성 가스란, 몰드(205) 상에 형성된 미세 패턴의 오목부, 및 몰드(205)와 기판(201)의 간극에, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와 함께 분위기 중의 가스가 충전되었을 때, 충전 시에 발생하는 모세관 압력으로 응축하여 액화되는 가스를 가리킨다. 또한 응축성 가스는, 형 접촉 공정에서 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)와 몰드(205)가 접촉하기 전에는 분위기 중에 기체로서 존재한다(도 1d의 부분 확대부 참조).The mold contact process may be performed under an atmosphere containing a condensable gas (hereinafter referred to as a " condensable gas atmosphere "). The condensable gas in this specification refers to the curable compositions (A1), (A2), (A2), and (203) in the concave portion of the fine pattern formed on the
응축성 가스 분위기 하에서 형 접촉 공정을 행하면, 미세 패턴의 오목부에 충전된 가스가 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)에 의해 발생하는 모세관 압력에 의해 액화함으로써 기포가 소멸되기 때문에, 충전성이 우수하다. 응축성 가스는, 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)에 용해되어도 된다.When the mold contact process is performed in a condensable gas atmosphere, the gas filled in the concave portions of the fine patterns is liquefied by the capillary pressure generated by the curable compositions (A1), (A2), and (203) Therefore, the filling property is excellent. The condensable gas may be dissolved in the curable composition (A1) 202 and / or (A2) 203.
응축성 가스의 비점은, 형 접촉 공정의 분위기 온도 이하이면 한정은 되지 않지만, -10℃ 내지 23℃가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10℃ 내지 23℃이다. 이 범위이면, 충전성이 더 우수하다.The boiling point of the condensable gas is not limited as long as it is not higher than the ambient temperature of the mold-contacting step, but it is preferably -10 캜 to 23 캜, more preferably 10 캜 to 23 캜. If it is in this range, the filling property is more excellent.
응축성 가스의 형 접촉 공정의 분위기 온도에서의 증기압은, 형 접촉 공정에서 압인할 때의 몰드(205)와 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)를 접촉시킬 때, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)에 가하는 압력 이하이면 제한이 없지만, 0.1 내지 0.4MPa이 바람직하다. 이 범위이면, 충전성이 더 우수하다. 분위기 온도에서의 증기압이 0.4MPa보다 크면, 기포의 소멸의 효과를 충분히 얻지 못하는 경향이 있다. 한편, 분위기 온도에서의 증기압이 0.1MPa보다 작으면, 감압이 필요해져, 장치가 복잡해지는 경향이 있다.The vapor pressure at the atmospheric temperature of the mold-contacting step of the condensable gas is such that when the
형 접촉 공정의 분위기 온도는, 특별히 제한이 없지만, 20℃ 내지 25℃가 바람직하다.The atmosphere temperature in the mold-contacting step is not particularly limited, but is preferably 20 占 폚 to 25 占 폚.
응축성 가스로서, 구체적으로는 트리클로로플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본(CFC), 플루오로카본(FC), 하이드로클로로플루오로카본(HCFC), 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판(CHF2CH2CF3, HFC-245fa, PFP) 등의 하이드로플루오로카본(HFC), 펜타플루오로에틸메틸에테르(CF3CF2OCH3, HFE-245mc) 등의 하이드로플루오로에테르(HFE) 등의 프레온류를 들 수 있다.Specific examples of the condensable gas include chlorofluorocarbon (CFC) such as trichlorofluoromethane, fluorocarbon (FC), hydrochlorofluorocarbon (HCFC), 1,1,1,3,3-penta Hydrofluorocarbons such as hydrofluorocarbon (HFC) such as fluoropropane (CHF 2 CH 2 CF 3 , HFC-245fa, PFP) and pentafluoroethyl methyl ether (CF 3 CF 2 OCH 3 , HFE-245mc) Ether (HFE), and the like.
이들 중, 형 접촉 공정의 분위기 온도가 20℃ 내지 25℃에서의 충전성이 우수하다고 하는 관점에서, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판(23℃에서의 증기압 0.14MPa, 비점15℃), 트리클로로플루오로메탄(23℃에서의 증기압 0.1056MPa, 비점 24℃) 및 펜타플루오로에틸메틸에테르가 바람직하다. 또한, 안전성이 우수하다고 하는 관점에서, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판이 특히 바람직하다.Among them, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane (having a vapor pressure of 0.14 MPa at 23 DEG C, a boiling point of 25 DEG C, 15 占 폚), trichlorofluoromethane (vapor pressure at 23 占 폚 0.1056 MPa, boiling point 24 占 폚) and pentafluoroethyl methyl ether are preferable. From the viewpoint of excellent safety, 1,1,1,3,3-pentafluoropropane is particularly preferable.
응축성 가스는 1종류를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 또한 이들 응축성 가스는 공기, 질소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤 등의 비응축성 가스와 혼합하여 사용해도 된다. 응축성 가스와 혼합하는 비응축성 가스로서는, 충전성의 관점에서, 헬륨이 바람직하다. 헬륨은 몰드(205)를 투과할 수 있다. 그 때문에, 형 접촉 공정에서 몰드(205) 상에 형성된 미세 패턴의 오목부에 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)와 함께 분위기 중의 가스(응축성 가스 및 헬륨)가 충전되었을 때, 응축성 가스가 액화됨과 함께 헬륨은 몰드(205)를 투과한다.One type of condensable gas may be used alone, or two or more types may be mixed and used. These condensable gases may be used in combination with non-condensable gases such as air, nitrogen, carbon dioxide, helium, and argon. As the non-condensable gas to be mixed with the condensable gas, helium is preferable from the viewpoint of the filling ability. Helium can permeate through the
<광조사 공정 (4)>≪ Light irradiation step (4) >
이어서, 도 2f에 도시하는 바와 같이, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 경화성 조성물 (A2)(203)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 혼합층에 대하여, 몰드(205)를 통하여 조사광(206)을 조사한다. 보다 상세하게는, 몰드(205)의 미세 패턴에 충전된 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)에, 몰드(205)를 통하여 조사광(206)을 조사한다. 이에 의해, 몰드(205)의 미세 패턴에 충전된 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)는, 조사되는 조사광(206)에 의해 경화되어 패턴 형상을 갖는 경화막(207)이 된다.Subsequently, as shown in FIG. 2F, irradiating light 206 is irradiated to the mixed layer in which the curable composition (A1) 202 and the curable composition (A2) 203 are partially mixed through the
여기서, 몰드(205)의 미세 패턴에 충전된 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)에 조사하는 조사광(206)은, 경화성 조성물 (A1)(202) 및 (A2)(203)의 감도 파장에 따라 선택된다. 구체적으로는, 150nm 이상 400nm 이하의 파장의 자외광이나, X선, 전자선 등을 적절하게 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.Here, the
이들 중에서도, 조사광(206)은 자외광이 특히 바람직하다. 이것은, 경화 보조제(광중합 개시제)로서 시판되고 있는 것은, 자외광에 감도를 갖는 화합물이 많기 때문이다. 여기서 자외광을 발하는 광원으로서는, 예를 들어 고압 수은등, 초고압 수은등, 저압 수은등, Deep-UV 램프, 탄소 아크등, 케미컬 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저 등을 들 수 있지만, 초고압 수은등이 특히 바람직하다. 또한 사용하는 광원의 수는 1개여도 되고 또는 복수여도 된다. 또한, 광조사를 행할 때에는, 몰드(205)의 미세 패턴에 충전된 경화성 조성물 (A1)(202) 및/또는 (A2)(203)의 전체면에 행해도 되고, 일부 영역에만 행해도 된다.Of these, ultraviolet light is particularly preferable as the
또한, 광조사는, 기판(201) 상의 전체 영역에 단속적으로 복수회 행해도 되고, 전체 영역에 연속 조사해도 된다. 또한, 제1 조사 과정에서 일부 영역 A를 조사하고, 제2 조사 과정에서 영역 A와는 상이한 영역 B를 조사해도 된다.The light irradiation may be performed intermittently a plurality of times over the entire area on the
<이형 공정 (5)>≪ Molding Process (5) >
이어서, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)과 몰드(205)를 분리한다. 본 공정(이형 공정)에서는, 도 2g에 도시하는 바와 같이, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)과 몰드(205)를 분리하고, 공정 (4)(광조사 공정)에 있어서, 몰드(205) 상에 형성된 미세 패턴의 반전 패턴이 되는 패턴 형상을 갖는 경화막(207)이 자립한 상태로 얻어진다. 또한, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)의 요철 패턴의 오목부에도 경화막이 잔존하는데, 이 막을 잔막(108)이라고 칭하기로 한다(도 1f의 부분 확대부 참조).Then, the
또한, 형 접촉 공정을 응축성 가스 분위기 하에서 행한 경우, 이형 공정에서 경화막(207)과 몰드(205)를 분리할 때, 경화막(207)과 몰드(205)가 접촉하는 계면의 압력이 저하됨에 수반하여 응축성 가스가 기화된다. 이에 의해, 경화막(207)과 몰드(205)를 분리하기 위해 필요한 힘인 이형력을 저감시키는 효과를 발휘하는 경향이 있다.When the mold contact process is performed in a condensable gas atmosphere, the pressure at the interface where the cured
패턴 형상을 갖는 경화막(207)과 몰드(205)를 분리하는 방법으로서는, 분리할 때 패턴 형상을 갖는 경화막(207)의 일부가 물리적으로 파손되지 않으면 특별히 한정되지 않으며, 각종 조건 등도 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 기판(201)(피가공 기판)을 고정하여 몰드(205)를 기판(201)으로부터 멀어지도록 이동시켜 박리해도 된다. 혹은, 몰드(205)를 고정하여 기판(201)을 몰드(205)로부터 멀어지도록 이동시켜 박리해도 된다. 혹은, 이들 양쪽을 정반대의 방향으로 잡아당겨 박리해도 된다.The method of separating the cured
이상의 공정 (1) 내지 공정 (5)를 갖는 일련의 공정(제조 프로세스)에 의해, 원하는 요철 패턴 형상(몰드(205)의 요철 형상에 기인하는 패턴 형상)을, 원하는 위치에 갖는 경화막(207)을 얻을 수 있다.By the series of steps (manufacturing process) having the above-described steps (1) to (5), the desired concavo-convex pattern shape (pattern shape caused by the concave- convex shape of the mold 205) ) Can be obtained.
본 실시 형태의 패턴 형상을 갖는 막의 제조 방법에서는, 공정 (1)에서 기판(201) 표면의 대부분에 경화성 조성물 (A1)(202)을 일괄하여 적층하고, 공정 (2) 내지 공정 (5)를 포함하는 반복 단위(샷)를, 동일 기판 상에서 반복하여 복수회 행할 수 있다. 또한, 공정 (1) 내지 공정 (5)를 동일 기판 상에서 반복하여 복수회 행해도 된다. 공정 (1) 내지 공정 (5) 혹은 공정 (2) 내지 공정 (5)를 포함하는 반복 단위(샷)를 복수회 반복함으로써, 기판(201)(피가공 기판)의 원하는 위치에 복수의 원하는 요철 패턴 형상(몰드(205)의 요철 형상에 기인하는 패턴 형상)을 갖는 경화막(207)을 얻을 수 있다. 또한, 공정 (1) 내지 공정 (5)를 기판(201) 전체면에 대하여 일괄하여 행해도 된다.In the method of producing a film having a pattern shape according to the present embodiment, the curable composition (A1) 202 is laminated on the bulk of the surface of the
공정 (1) 내지 공정 (5)를 거쳐 얻어진, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)을 마스크로 하여, 기판(201)(피가공 기판) 혹은 기판(201)(피가공 기판) 상의 피가공층을 에칭 등의 가공 수단을 사용하여 패턴상으로 가공할 수 있다. 또한, 패턴 형상을 갖는 경화막(207) 상에 피가공층을 더 성막한 후에, 에칭 등의 가공 수단을 사용하여 패턴 전사를 행해도 된다. 이와 같이 하여, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)의 패턴 형상에 기초하는 회로 구조를 기판(201) 상에 형성할 수 있다. 이에 의해, 반도체 소자 등에서 이용되는 회로 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이 회로 기판과 회로 기판의 회로 제어 기구 등을 접속함으로써, 디스플레이, 카메라, 의료 장치 등의 전자 기기를 형성할 수도 있다. 여기서 말하는 반도체 소자란, 예를 들어 LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, NAND 플래시 등을 들 수 있다.Using the cured
공정 (1) 내지 공정 (5)를 거쳐 얻어진, 패턴 형상을 갖는 경화막(207)을 회절 격자나 편광판 등의 광학 부재(광학 부재의 일 부재로서 사용하는 경우를 포함함)로서 이용하여, 광학 부품을 얻을 수도 있다. 이러한 경우, 적어도 기판(201)과, 이 기판(201) 상의 패턴 형상을 갖는 경화막(207)을 갖는 광학 부품으로 할 수 있다.The cured
또한, 기판(201)으로서 석영 기판을 사용하여, 공정 (1) 내지 공정 (5)를 거쳐 패턴 형상을 갖는 경화막(207)을 제작하고, 에칭 등의 가공 수단을 사용하여 패턴 전사를 행하여 석영 임프린트 몰드의 석영 레플리카(몰드 레플리카)를 제작할 수도 있다.A cured
[임프린트 전처리 코팅 재료(경화성 조성물 (A1)) 및 임프린트 레지스트(경화성 조성물 (A2))의 세트][Set of imprint pretreatment coating material (curable composition (A1)) and imprint resist (curable composition (A2)]]
상술한 본 발명의 다른 측면은, 기판 상에 전처리 코팅이 되는 액막을 형성하고, 액막에 대하여 경화성 조성물 (A2)를 포함하는 액적을 부여함으로써 액적 성분의 기판면 방향의 확산을 촉진하는 임프린트 전처리 코팅 재료(경화성 조성물 (A1))를 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide an imprint pretreatment coating which promotes diffusion of a droplet component in a substrate surface direction by forming a liquid film to be pretreated on a substrate and applying a droplet containing the curable composition (A2) (Curable composition (A1)).
즉, 본 발명은 기판 상에 전처리 코팅이 되는 액막을 형성하고, 상기 액막에 대하여 액적을 부여함으로써 액적 성분의 기판면 방향의 확산을 촉진하는 경화성 조성물 (A1)을 포함하는 임프린트 전처리 코팅 재료이며,That is, the present invention is an imprint pretreatment coating material comprising a curable composition (A1) for forming a liquid film to be pretreated on a substrate and promoting diffusion of a liquid component in a direction of a substrate surface by applying droplets to the liquid film,
상기 임프린트 전처리 코팅 재료 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 90중량% 이상이고,The content of the component (d1) as a solvent in the imprint pretreatment coating material is 90% by weight or more,
상기 액적의 부여 시의 상기 임프린트 전처리 코팅 재료 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 10중량% 이하이고,The content of the component (d1) as a solvent in the imprint pretreatment coating material at the time of applying the droplets is 10% by weight or less,
상기 용제인 성분 (d1)의 표면 장력이, 상기 용제인 성분 (d1)을 제외한 상기 임프린트 전처리 코팅 재료의 성분의 조성물의 표면 장력보다 낮은Wherein the surface tension of the component (d1) which is the solvent is lower than the surface tension of the composition of the component of the imprint pretreatment coating material excluding the component (d1) which is the solvent
것을 특징으로 하는 임프린트 전처리 코팅 재료를 포함한다.≪ RTI ID = 0.0 > a < / RTI > imprint pretreatment coating material.
임프린트 전처리 코팅의 표면 장력이 부여되는 액적의 표면 장력보다 높은 것이 바람직하다.It is preferable that the surface tension of the imprint pretreatment coating is higher than the surface tension of the droplet imparted thereto.
특히, 용제를 제외한 임프린트 전처리 코팅 재료의 성분의 조성물의 표면 장력이, 용제를 제외한 임프린트 레지스트의 성분의 조성물의 표면 장력보다 높은 것이 바람직하다.In particular, it is preferable that the surface tension of the composition of the component of the imprint pretreatment coating material excluding the solvent is higher than the surface tension of the composition of the component of the imprint resist except for the solvent.
이에 의해, 액막에 대하여 액적을 부여함으로써 액적 성분의 기판면 방향의 확산이 촉진되고, 적합한 임프린트를 실현할 수 있다.Thus, the liquid droplet is applied to the liquid film, whereby the diffusion of the liquid component in the substrate surface direction is promoted, and a suitable imprint can be realized.
특히, 임프린트 레지스트와, 임프린트 전처리 코팅 재료를 조합한 세트로서 제공되는 것이 바람직하다.In particular, it is preferable to be provided as a combination of an imprint resist and an imprint pretreatment coating material.
즉, 용제를 제외한 상기 임프린트 전처리 코팅 재료의 성분의 조성물의 표면 장력이, 용제를 제외한 상기 임프린트 레지스트의 성분의 조성물의 표면 장력보다 높다고 하는 관계로 조합된 세트로서 제공됨으로써, 적합한 임프린트를 실현한다.That is, the surface tension of the composition of the component of the imprint pre-treatment coating material other than the solvent is higher than the surface tension of the composition of the component of the imprint resist except the solvent, so that a suitable set of imprints is realized.
또한, 용제를 제외한 임프린트 전처리 코팅 재료의 성분의 조성물의 표면 장력과, 용제를 제외한 임프린트 레지스트의 성분의 조성물의 표면 장력의 차가, 1mN/m 이상 25mN/m 이하인 조합의 세트이면 보다 바람직하다.It is more preferable that the set of the combination of the surface tension of the composition of the component of the imprint pretreatment coating material other than the solvent and the surface tension of the composition of the component of the imprint resist except for the solvent is 1 mN / m or more and 25 mN / m or less.
또한, 본 발명의 다른 측면은, 임프린트 전처리 코팅 재료를 기판 상에 코팅 함으로써, 임프린트를 행하기 위한 적합한 기판의 전처리 방법도 제공하는 것이다.Another aspect of the present invention is to provide a method of pretreating a suitable substrate for imprinting by coating an imprint pretreatment coating material on the substrate.
게다가, 본 발명은 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성 방법도 포함하는 것이다. 임프린트 전처리 코팅 재료가 코팅된 기판 상에 레지스트를 불연속으로 적하하는 공정을 가짐으로써, 레지스트 성분의 기판면 방향의 확산이 촉진되어, 임프린트에 요하는 시간을 단축할 수 있다.In addition, the present invention also includes a pattern formation method for forming a pattern on a substrate. By having the step of dropping the resist discontinuously on the substrate coated with the imprint pretreatment coating material, the diffusion of the resist component in the direction of the substrate surface is promoted, and the time required for the imprinting can be shortened.
<실시예><Examples>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명의 기술적 범위는 이하에 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 사용되는 「부」 및 「%」는 특별히 나타내지 않는 한 모두 중량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the technical scope of the present invention is not limited to the following Examples. In the following, "parts" and "%" used herein are by weight unless otherwise indicated.
(실시예 1)(Example 1)
(1) 경화성 조성물 (A1-1)의 조제(1) Preparation of curable composition (A1-1)
하기에 나타나는 성분 (a1), 성분 (b1), 성분 (c1), 성분 (d1)을 배합하고, 이것을 0.2㎛의 초고분자량 폴리에틸렌제 필터로 여과하여, 실시예 1의 경화성 조성물 (A1-1)을 조제하였다.The curable composition (A1-1), the component (b1), the component (c1) and the component (d1) shown below were blended and filtered with a filter made of a 0.2 mu m ultra high molecular weight polyethylene filter, Was prepared.
(1-1) 성분 (a1): 합계 100중량부(1-1) Component (a1): 100 parts by weight in total
트리메틸올프로판트리아크릴레이트(알드리치제, 약칭 TMPTA): 100중량부Trimethylolpropane triacrylate (Aldrich, abbreviated as TMPTA): 100 parts by weight
(1-2) 성분 (b1): 합계 0중량부(1-2) Component (b1): 0 parts by weight in total
성분 (b1)은 첨가하지 않았다.The component (b1) was not added.
(1-3) 성분 (c1): 합계 0중량부(1-3) Component (c1): 0 parts by weight in total
성분 (c1)은 첨가하지 않았다.Component (c1) was not added.
(1-4) 성분 (d1): 합계 33000중량부(1-4) Component (d1): 33000 parts by weight in total
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(도쿄 가세이 고교제, 약칭 PGMEA): 33000중량부Propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., abbreviated as PGMEA): 33000 parts by weight
(2) 경화성 조성물 (A2-1)의 조제(2) Preparation of curable composition (A2-1)
하기에 나타나는 성분 (a2), 성분 (b2), 성분 (c2), 성분 (d2)를 배합하고, 이것을 0.2㎛의 초고분자량 폴리에틸렌제 필터로 여과하여, 실시예 1의 경화성 조성물 (A2-1)을 조제하였다.The curable composition (A2-1) of Example 1 was obtained by blending the components (a2), (b2), (c2) and (d2) shown below and filtering the mixture with a filter made of an ultra- Was prepared.
(2-1) 성분 (a2): 합계 94중량부(2-1) Component (a2): 94 parts by weight in total
이소보르닐아크릴레이트(교에샤 가가쿠제, 상품명: IB-XA): 9중량부Isobornyl acrylate (trade name: IB-XA, available from Kyoeisha Chemical Co., Ltd.): 9 parts by weight
벤질아크릴레이트(오사카 유키 가가쿠 고교제, 상품명: V#160): 38중량부Benzyl acrylate (trade name: V # 160, manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.): 38 parts by weight
네오펜틸글리콜디아크릴레이트(교에샤 가가쿠제, 상품명: NP-A): 47중량부Neopentyl glycol diacrylate (trade name: NP-A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.): 47 parts by weight
(2-2) 성분 (b2): 합계 3중량부(2-2) Component (b2): 3 parts by weight in total
Lucirin TPO(BASF제): 3중량부Lucirin TPO (made by BASF): 3 parts by weight
(2-3) 성분 (c2): 합계 0.8중량부(2-3) Component (c2): 0.8 parts by weight in total
폴리옥시에틸렌(13)스테아릴에테르(가오제, 에멀겐 320P): 0.8중량부Polyoxyethylene (13) stearyl ether (Kao Zeon, EMULGEN 320P): 0.8 parts by weight
(2-4) 성분 (d2): 합계 0중량부(2-4) Component (d2): 0 parts by weight in total
성분 (d2)는 첨가하지 않았다.The component (d2) was not added.
(3) 경화성 조성물 (A1-1) 및 (A2-1)의 표면 장력의 측정(3) Measurement of surface tension of the curable compositions (A1-1) and (A2-1)
자동 표면 장력계 DY-300(교와 가이멘 가가쿠제)을 사용하여, 백금 플레이트를 사용한 플레이트법에 의해, 25℃에 있어서의 용제인 성분 (d1)을 제외한 경화성 조성물 (A1-1)의 성분의 조성물의 표면 장력을 측정한바, 36.0mN/m였다. 또한, 용제인 성분 (d1)의 표면 장력을 측정한바, 27.2mN/m였다. 경화성 조성물 (A2-1)의 표면 장력을 측정한바, 32.7mN/m였다.(A1-1) except for the component (d1) which is a solvent at 25 deg. C was measured by a plate method using an automatic surface tension meter DY-300 (Kyowa Geimengagaku Co., Ltd.) The surface tension of the composition was measured to be 36.0 mN / m. The surface tension of the component (d1) as a solvent was measured and found to be 27.2 mN / m. The surface tension of the curable composition (A2-1) was measured and found to be 32.7 mN / m.
또한, 측정은, 측정 횟수 5회, 백금 플레이트의 프리웨트 침지 거리 0.35mm의 조건에서 행하였다. 1회째 측정값을 제외하고, 2회째부터 5회째 측정값의 평균값을 표면 장력으로 하였다.The measurement was carried out under the conditions of the number of times of measurement 5 times and the pre-wet immersion distance of the platinum plate 0.35 mm. The average value of the measured values from the second to the fifth times was taken as the surface tension, except for the first measured value.
(4) 프리스프레드 촉진 효과에 관한 고찰(4) Consideration on the effect of free spread promotion
경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 0중량%라고 가정한다. 경화성 조성물 (A1-1) 막의 표면 장력은 36.0mN/m이며, 경화성 조성물 (A2-1)의 32.7mN/m보다 2mN/m 이상 높기 때문에, 프리스프레드 촉진 효과를 강하게 얻을 수 있다.It is assumed that the residual ratio of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 0% by weight. The surface tension of the curable composition (A1-1) film is 36.0 mN / m, which is higher than 32.7 mN / m of the curable composition (A2-1) by 2 mN / m or more.
(5) 샷 영역 내의 패턴 형성 균일성에 관한 고찰(5) Discussion on pattern uniformity in shot area
마찬가지로, 경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 0중량%라고 가정한다. 성분 (a1)의 휘발성은 낮고, 용제인 성분 (d1)의 휘발의 영향도 경미하기 때문에, 인접 샷을 위해 분위기 제어 기체가 분사된 부분에서도 큰 조성 변동을 받지 않고 마란고니 효과가 균일하게 발현되어, 당해 샷 내에서 균일한 패턴 형성이 가능하다.Similarly, it is assumed that the residual rate of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 0 wt%. Since the volatility of the component (a1) is low and the influence of the volatilization of the component (d1) which is a solvent is also slight, even in the portion where the atmosphere control gas is injected for the adjacent shots, the marangoni effect is uniformly expressed , It is possible to form a uniform pattern in the shot.
(실시예 2)(Example 2)
(1) 내지 (3) 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 대하여(1) to (3) with respect to the curable compositions (A1) and (A2)
실시예 1과 마찬가지의 조성물을 사용하였다.The same composition as in Example 1 was used.
(4) 프리스프레드 촉진 효과에 관한 고찰(4) Consideration on the effect of free spread promotion
경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 10중량%라고 가정한다. 이 경우, 경화성 조성물 (A1-1) 막의 표면 장력은 35.1mN/m이며, 경화성 조성물 (A2-1)의 32.7mN/m보다 2mN/m 이상 높기 때문에, 프리스프레드 촉진 효과를 강하게 얻을 수 있다.It is assumed that the residual ratio of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 10% by weight. In this case, the surface tension of the curable composition (A1-1) film is 35.1 mN / m, which is higher than 32.7 mN / m of the curable composition (A2-1) by 2 mN / m or more.
(5) 샷 영역 내의 패턴 형성 균일성에 관한 고찰(5) Discussion on pattern uniformity in shot area
마찬가지로, 경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 10중량%라고 가정한다. 성분 (a1)의 휘발성은 낮고, 용제인 성분 (d1)의 휘발의 영향도 경미하기 때문에, 인접 샷을 위해 분위기 제어 기체가 분사된 부분에서도 큰 조성 변동을 받지 않고 마란고니 효과가 균일하게 발현되어, 당해 샷 내에서 균일한 패턴 형성이 가능하다.Similarly, it is assumed that the residual rate of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 10% by weight. Since the volatility of the component (a1) is low and the influence of the volatilization of the component (d1) which is a solvent is also slight, even in the portion where the atmosphere control gas is injected for the adjacent shots, the marangoni effect is uniformly expressed , It is possible to form a uniform pattern in the shot.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
(1) 내지 (3) 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 대하여(1) to (3) with respect to the curable compositions (A1) and (A2)
실시예 1과 마찬가지의 조성물을 사용하였다.The same composition as in Example 1 was used.
(4) 프리스프레드 촉진 효과에 관한 고찰(4) Consideration on the effect of free spread promotion
경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 20중량%라고 가정한다. 이 경우, 경화성 조성물 (A1-1) 막의 표면 장력은 34.2mN/m이며, 경화성 조성물 (A2-1)의 32.7mN/m과의 차가 2mN/m 이하라는 점에서, 프리스프레드 촉진 효과는 불충분하다.It is assumed that the residual ratio of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 20% by weight. In this case, since the surface tension of the curable composition (A1-1) film is 34.2 mN / m and the difference from 32.7 mN / m of the curable composition (A2-1) is 2 mN / m or less, the effect of promoting free spread is insufficient .
(5) 샷 영역 내의 패턴 형성 균일성에 관한 고찰(5) Discussion on pattern uniformity in shot area
마찬가지로, 경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 20중량%라고 가정한다. 인접 샷을 위한 분위기 제어 기체가 분사된 부분에서는 용제인 성분 (d1)의 휘발이 진행되고, 경화성 조성물 (A1-1)의 표면 장력이 높아지고, 마란고니 효과가 발현되고, 프리스프레드 촉진 효과가 얻어진다. 한편, 분위기 제어 기체가 분사되지 않은 부분에서는, 전술한 바와 같이 프리스프레드 촉진 효과가 불충분하다. 이 때문에, 당해 샷 내의 패턴 형성의 균일성이 낮다.Similarly, it is assumed that the residual ratio of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 20% by weight. In the portion where the atmosphere control gas for the adjacent shot is sprayed, the volatilization of the component d1 as the solvent progresses, the surface tension of the curable composition A1-1 is increased, the Marangoni effect is exhibited, and the free spread promoting effect is obtained Loses. On the other hand, in the portion where the atmosphere control gas is not sprayed, the effect of promoting free spread is insufficient as described above. Therefore, uniformity of pattern formation in the shot is low.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
(1) 내지 (3) 경화성 조성물 (A1) 및 (A2)에 대하여(1) to (3) with respect to the curable compositions (A1) and (A2)
실시예 1과 마찬가지의 조성물을 사용하였다.The same composition as in Example 1 was used.
(4) 프리스프레드 촉진 효과에 관한 고찰(4) Consideration on the effect of free spread promotion
경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 50중량%라고 가정한다. 이 경우, 경화성 조성물 (A1-1) 막의 표면 장력은 31.6mN/m이며, 경화성 조성물 (A2-1)의 32.7mN/m보다 낮다는 점에서, 프리스프레드 촉진 효과는 불충분하다.It is assumed that the residual rate of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 50% by weight. In this case, the surface tension of the curable composition (A1-1) film is 31.6 mN / m, which is lower than 32.7 mN / m of the curable composition (A2-1), so that the effect of promoting free spread is insufficient.
(5) 샷 영역 내의 패턴 형성 균일성에 관한 고찰(5) Discussion on pattern uniformity in shot area
마찬가지로, 경화성 조성물 (A1-1) 막 중의 용제인 성분 (d1) 잔존율을 50중량%라고 가정한다. 인접 샷을 위한 분위기 제어 기체가 분사된 부분에서는 용제인 성분 (d1)의 휘발이 진행되고, 경화성 조성물 (A1-1)의 표면 장력이 높아지고, 마란고니 효과가 발현되고, 프리스프레드 촉진 효과가 얻어진다. 한편, 분위기 제어 기체가 분사되지 않은 부분에서는, 전술한 바와 같이 프리스프레드 촉진 효과가 불충분하다. 이 때문에, 당해 샷 내의 패턴 형성의 균일성이 낮다.Similarly, it is assumed that the residual ratio of the component (d1) as a solvent in the curable composition (A1-1) film is 50% by weight. In the portion where the atmosphere control gas for the adjacent shot is sprayed, the volatilization of the component d1 as the solvent progresses, the surface tension of the curable composition A1-1 is increased, the Marangoni effect is exhibited, and the free spread promoting effect is obtained Loses. On the other hand, in the portion where the atmosphere control gas is not sprayed, the effect of promoting free spread is insufficient as described above. Therefore, uniformity of pattern formation in the shot is low.
(실시예 및 비교예의 정리)(Summary of Examples and Comparative Examples)
실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 2의 조성표를 표 1 및 표 2에, 결과를 표 3에 정리하여 나타낸다.The compositions of Examples 1 to 2 and Comparative Examples 1 to 2 are shown in Tables 1 and 2, and the results are summarized in Table 3.
표 3에 있어서, 프리스프레드 촉진 효과의 평가는 경화성 조성물 (A1)을 적용하지 않는 종래의 광 나노임프린트 프로세스를 기준으로 한 상대 평가로 하였다. 즉, 종래의 광 나노임프린트 프로세스보다 빠른 속도라면 촉진 효과 「있음」이라고 하고, 동일한 정도라면 「불충분」이라고 하였다. 실시예 1 내지 2의 프리스프레드는 비교예 1 내지 2보다 빠르고, 프리스프레드 촉진 효과가 보인다.In Table 3, the evaluation of the effect of free spread promotion was made on the basis of a conventional optical nanoimprint process in which the curable composition (A1) was not applied. That is, if the speed is higher than that of the conventional optical nanoimprint process, the facilitating effect is called " Yes " The free spreads of Examples 1 and 2 are faster than those of Comparative Examples 1 and 2, and the free spread promotion effect is shown.
실시예 1 내지 2에서는 프리스프레드가 빠르며, 또한 패턴 형성의 균일성이 양호하다. 비교예 1 내지 2에서는 프리스프레드가 느리며, 또한 패턴 형성이 샷 내에서 불균일하다.In Examples 1 and 2, the free spread is fast and the uniformity of pattern formation is good. In Comparative Examples 1 and 2, the free spread is slow, and the pattern formation is nonuniform within the shot.
이상, 본 실시 형태의 패턴 형성 방법이 고스루풋이며, 또한 균일성이 우수함이 나타났다.As described above, the pattern forming method of the present embodiment has a high throughput and shows excellent uniformity.
이 출원은 2016년 3월 31일에 출원된 미국 특허 출원 번호 62/315,736 및 2017년 3월 8일에 출원된 미국 특허 출원 번호 15/453,521로부터의 우선권을 주장하는 것이며, 그들 내용을 인용하여 이 출원의 일부로 하는 것이다.This application claims priority from U.S. Patent Application No. 62 / 315,736, filed March 31, 2016, and U.S. Patent Application Serial No. 15 / 453,521, filed March 8, 2017, As part of the application.
101: 기판
102: 레지스트
104: 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표
105: 몰드
106: 조사광
107: 패턴 형상을 갖는 광경화막
108: 잔막
201: 기판(피가공 기판)
202: 경화성 조성물 (A1)
203: 경화성 조성물 (A2)
204: 액적이 퍼지는 방향을 나타내는 화살표
205: 몰드
206: 조사광
207: 경화막
301: 기판
302: 경화성 조성물 (A1)
303: 경화성 조성물 (A2)
304: 제1 샷 영역
305: 제2 샷 영역
306: 조사광
307: 분위기 제어 기체
308: 몰드
309: 분위기 제어 기체가 분사된 영역
310: 분위기 제어 기체가 분사된 영역 (A1)에 적하된 경화성 조성물 (A2)의 액적101: substrate
102: Resist
104: arrow indicating the direction in which the droplet spreads
105: mold
106: irradiation light
107: Photocuring film having a pattern shape
108:
201: substrate (substrate to be processed)
202: Curable composition (A1)
203: Curable composition (A2)
204: arrow indicating the direction in which the droplet spreads
205: Mold
206: irradiation light
207:
301: substrate
302: Curable composition (A1)
303: Curable composition (A2)
304: first shot area
305: second shot area
306: irradiation light
307: atmosphere control gas
308: Mold
309: area where the atmosphere control gas is injected
310: The droplet of the curable composition (A2) dropped in the region (A1) in which the atmosphere control gas is injected
Claims (20)
상기 경화성 조성물 (A1)을 포함하는 층 상에, 적어도 중합성 화합물인 성분 (a2)를 포함하는 경화성 조성물 (A2)의 액적을 이산적으로 적하하여 적층하는 제2 적층 공정 (2),
패턴을 갖는 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 경화성 조성물 (A1) 및 상기 경화성 조성물 (A2)가 부분적으로 혼합하여 이루어지는 혼합층을 샌드위치하는 형 접촉 공정 (3),
상기 혼합층을 상기 몰드측으로부터 광을 조사함으로써 경화시키는 광조사 공정 (4),
상기 몰드를 경화 후의 상기 혼합층으로부터 분리하는 이형 공정 (5)
를 이 순으로 갖는 패턴 형성 방법이며,
상기 경화성 조성물 (A1) 중의 상기 용제인 성분 (d1)의 함유율이 90중량% 이상이고,
상기 제2 적층 공정 (2)에 있어서의 상기 경화성 조성물 (A1) 중의 상기 용제인 성분 (d1)의 함유율이 10중량% 이하이고,
상기 용제인 성분 (d1)의 표면 장력이, 상기 용제인 성분 (d1)을 제외한 상기 경화성 조성물 (A1)의 성분의 조성물의 표면 장력보다 낮은 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.A first lamination step (1) of laminating a layer containing a curable composition (A1) containing at least a polymerizable compound (a1) and a solvent component (d1)
A second lamination step (2) in which droplets of the curable composition (A2) containing at least a polymerizable compound (a2) are discretely dripped and laminated on the layer containing the curable composition (A1)
(3) sandwiching a mixed layer in which the curable composition (A1) and the curable composition (A2) are partially mixed between a mold having a pattern and the substrate,
A light irradiation step (4) for curing the mixed layer by irradiating light from the mold side,
(5) for separating the mold from the cured mixed layer,
In this order,
The content of the component (d1) as the solvent in the curable composition (A1) is 90% by weight or more,
, The content of the component (d1) as the solvent in the curing composition (A1) in the second laminating step (2) is 10% by weight or less,
Wherein the surface tension of the component (d1) which is the solvent is lower than the surface tension of the composition of the component of the curable composition (A1) except for the component (d1) which is the solvent.
상기 임프린트 전처리 코팅 재료 중의 용제인 성분 (d1)의 함유율이 90중량% 이상이고,
상기 액적의 부여 시의 상기 임프린트 전처리 코팅 재료 중의 상기 용제인 성분 (d1)의 함유율이 10중량% 이하이고,
상기 용제인 성분 (d1)의 표면 장력이, 상기 용제인 성분 (d1)을 제외한 상기 임프린트 전처리 코팅 재료의 성분의 조성물의 표면 장력보다 낮은 것을 특징으로 하는 임프린트 전처리 코팅 재료.An imprint pretreatment coating material for forming a liquid film to be a pretreatment coating on a substrate and promoting diffusion of a liquid component in a substrate surface direction by applying a liquid droplet to the liquid film,
The content of the component (d1) as a solvent in the imprint pretreatment coating material is 90% by weight or more,
(D1) as the solvent in the imprint pretreatment coating material at the time of applying the droplets is 10% by weight or less,
Wherein the surface tension of the component (d1) which is the solvent is lower than the surface tension of the composition of the component of the imprint pretreatment coating material excluding the component (d1) which is the solvent.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662315736P | 2016-03-31 | 2016-03-31 | |
US62/315,736 | 2016-03-31 | ||
US15/453,521 | 2017-03-08 | ||
US15/453,521 US10754245B2 (en) | 2016-03-31 | 2017-03-08 | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
PCT/JP2017/012779 WO2017170625A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | Pattern formation method, machined substrate manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, and imprint mold manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180126027A true KR20180126027A (en) | 2018-11-26 |
KR102209277B1 KR102209277B1 (en) | 2021-01-29 |
Family
ID=59961469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020187030398A KR102209277B1 (en) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | Pattern formation method, processing board manufacturing method, optical component manufacturing method, circuit board manufacturing method, electronic component manufacturing method, imprint mold manufacturing method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10754245B2 (en) |
JP (1) | JP7094878B2 (en) |
KR (1) | KR102209277B1 (en) |
CN (1) | CN109075033B (en) |
TW (1) | TWI643020B (en) |
WO (1) | WO2017170625A1 (en) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
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US10829644B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10620539B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10095106B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10845700B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
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-
2017
- 2017-03-08 US US15/453,521 patent/US10754245B2/en active Active
- 2017-03-29 JP JP2018508116A patent/JP7094878B2/en active Active
- 2017-03-29 KR KR1020187030398A patent/KR102209277B1/en active IP Right Grant
- 2017-03-29 CN CN201780022158.0A patent/CN109075033B/en active Active
- 2017-03-29 WO PCT/JP2017/012779 patent/WO2017170625A1/en active Application Filing
- 2017-03-31 TW TW106111218A patent/TWI643020B/en active
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JP7094878B2 (en) | 2022-07-04 |
US10754245B2 (en) | 2020-08-25 |
TW201802582A (en) | 2018-01-16 |
JPWO2017170625A1 (en) | 2019-02-07 |
TWI643020B (en) | 2018-12-01 |
WO2017170625A1 (en) | 2017-10-05 |
KR102209277B1 (en) | 2021-01-29 |
US20170285464A1 (en) | 2017-10-05 |
CN109075033A (en) | 2018-12-21 |
CN109075033B (en) | 2024-04-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |