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KR20180117329A - Apparatus for sensing particle - Google Patents

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KR20180117329A
KR20180117329A KR1020170050302A KR20170050302A KR20180117329A KR 20180117329 A KR20180117329 A KR 20180117329A KR 1020170050302 A KR1020170050302 A KR 1020170050302A KR 20170050302 A KR20170050302 A KR 20170050302A KR 20180117329 A KR20180117329 A KR 20180117329A
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South Korea
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light
unit
opening
flow path
disposed
Prior art date
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KR1020170050302A
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Korean (ko)
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KR102319455B1 (en
Inventor
고용준
김선우
안용호
최주승
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of KR20180117329A publication Critical patent/KR20180117329A/en
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Abstract

An apparatus for sensing particles according to an embodiment includes: a light emitting unit which emits light; an ionization unit converting polarity of the particles of introduced air into ionized particles; and a scattering unit disposed in a path after the ionization unit below the light emitting unit, flowing air crossing the optical axis of the light emitting unit including ionized particles and providing scattered light by the ionized particles, and the apparatus also comprises: a light receiving unit disposed on the optical axis below the flow path unit and through which the scattered light passing through the flow path unit is incident; and a repulsive force generating unit applying repulsive force having the same polarity as the polarity of the ionized particles introduced into the scattering unit to the ionized particles entering the scattering unit.

Description

입자 센싱 장치{Apparatus for sensing particle}Apparatus for sensing particle

실시 예는 입자 센싱 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a particle sensing device.

일반적으로 먼지와 같은 입자를 센싱하는 먼지 센싱 장치의 경우, 광을 먼지를 향해 조사하고, 먼지에서 산란된 광을 센싱하여 먼지에 대한 정보를 얻는다. 이러한 기존의 먼지 센싱 장치의 내부로 먼지가 계속해서 유입됨에 따라, 먼지 센싱 장치의 내부 특히, 광학계에 먼지가 쌓여, 먼지에 대한 정확한 정보를 획득하기 어려울 수도 있다. 이를 해소하기 위해, 먼지 센싱 장치의 사용자는 일정 주기 예를 들어, 3개월이나 6개월 주기로 먼지 센싱 장치에서 광학계를 직접 청소해야 하는 불편한 문제점이 따르게 된다.Generally, in the case of a dust sensing apparatus for sensing particles such as dust, light is irradiated toward the dust, and the light scattered from the dust is sensed to obtain information on the dust. As dust continues to flow into the conventional dust sensing apparatus, dust may accumulate in the interior of the dust sensing apparatus, particularly in the optical system, and it may be difficult to obtain accurate information on the dust. In order to solve this problem, the user of the dust sensing apparatus is inconvenient to clean the optical system directly in the dust sensing apparatus at a certain period of time, for example, every three months or six months.

실시 예는 입자의 오염을 방지할 수 있는 입자 센싱 장치를 제공하는 데 있다.An embodiment is to provide a particle sensing device capable of preventing particle contamination.

일 실시 예에 의한 입자 센싱 장치는 광을 방출하는 발광부; 유입된 공기의 입자를 이온화된 입자로 극성을 변환하는 이온화부; 상기 발광부 아래에서 상기 이온화부 이후 경로에 배치되며, 상기 이온화된 입자를 포함하는 공기가 상기 발광부의 광축과 교차하게 유동하며, 상기 이온화된 입자에 의한 산란광을 제공하는 산란부를 포함하는 유로부; 상기 유로부 아래에서 상기 광축에 배치되며, 상기 유로부를 통과한 상기 산란광이 입사되는 수광부; 및 상기 산란부로 유입된 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성의 척력을 상기 산란부로 진입한 상기 이온화된 입자에 미치는 척력 생성부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a particle sensing apparatus including: a light emitting unit emitting light; An ionization unit for converting polarity of the particles of the introduced air into ionized particles; And a scattering portion disposed in a path after the ionizing portion below the light emitting portion and including a scattering portion that flows through the air including the ionized particles to cross the optical axis of the light emitting portion and provides scattered light by the ionized particles; A light receiving portion disposed in the optical axis below the channel portion and receiving the scattered light passing through the channel portion; And a repulsive force generating unit for applying a repulsive force having the same polarity as the polarity of the ionized particle introduced into the scattering unit to the ionized particle entering the scattering unit.

예를 들어, 상기 유로부는 상기 공기가 유입되는 유로 입구부; 상기 공기가 유출되는 유로 출구부; 및 상기 유로 입구부와 상기 산란부 사이에 위치한 입구측 유로 중간부를 포함하고, 상기 유로 입구부는 외부로부터 상기 공기가 유입되는 유입구; 및 상기 유입구로부터 상기 입구측 유로 중간부 사이에 형성된 유입 경로를 포함하고, 상기 산란부는 상기 유로 입구부와 상기 유로 출구부 사이에서 상기 광축에 위치할 수 있다.For example, the flow path portion may include a flow path inlet portion into which the air flows; A flow path outlet through which the air flows; And an inlet-side flow path intermediate portion located between the flow path inlet portion and the scattering portion, wherein the flow path inlet portion includes an inlet port through which the air flows from the outside; And an inflow path formed between the inlet and the inlet-side flow path middle portion, wherein the scattering portion may be located on the optical axis between the flow path inlet portion and the flow path outlet portion.

예를 들어, 상기 이온화부는 상기 유입구, 상기 유입 경로 또는 상기 입구측 유로 중간부 중 적어도 한 곳에 배치될 수 있다.For example, the ionization portion may be disposed at at least one of the inlet, the inflow path, or the inlet-side flow path middle portion.

예를 들어, 상기 척력 생성부는 상기 발광부 측에 배치되어 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성을 띄는 적어도 하나의 제1 전극; 및 상기 수광부 측에 상기 적어도 하나의 제1 전극과 마주하며 배치되어 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성을 띄는 적어도 하나의 제2 전극을 포함할 수 있다.For example, the repulsion generating unit may include at least one first electrode disposed on the light emitting unit side and having the same polarity as the polarity of the ionized particles; And at least one second electrode facing the at least one first electrode on the light receiving unit side and having the same polarity as the polarity of the ionized particle.

예를 들어, 상기 발광부는 광원부; 상기 광축에 배치되어 상기 광원부로부터 방출된 광이 상기 산란부를 향해 출사되는 제1 개구부를 정의하며, 상기 광원부를 수용하는 발광 케이스; 및 상기 발광 케이스에 수용되며, 상기 광원부와 상기 제1 개구부 사이에서 상기 광축에 배치되며, 상기 광원부에서 방출된 광을 상기 제1 개구부로 집광시키는 렌즈부를 포함할 수 있다.For example, the light emitting unit may include a light source unit; A light emitting case disposed in the optical axis and defining a first opening through which light emitted from the light source portion is emitted toward the scattering portion, the light emitting case including the light source portion; And a lens unit accommodated in the light emitting case and disposed on the optical axis between the light source unit and the first opening and configured to condense light emitted from the light source unit into the first opening.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 제1 전극은 상기 발광 케이스 상에서 상기 제1 개구부 및 상기 산란부 근처에 배치되는 제1-1 전극을 포함할 수 있다.For example, the at least one first electrode may include a 1-1 electrode disposed on the light emitting case near the first opening and the scattering portion.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 제1 전극은 상기 발광 케이스 내부에서 상기 렌즈부와 상기 제1 개구부 사이의 상기 광축에 배치되는 제1-2 전극을 포함할 수 있다.For example, the at least one first electrode may include a first-second electrode disposed in the optical axis between the lens portion and the first opening in the light-emitting case.

예를 들어, 상기 수광부는 투광성 부재; 및 상기 산란부에서 상기 이온화된 입자에 의한 상기 산란광을 센싱하는 광 감지부를 포함할 수 있다.For example, the light-receiving portion may include a light-transmitting member; And a light sensing unit for sensing the scattered light by the ionized particles in the scattering unit.

예를 들어, 상기 입자 센싱 장치는 상기 산란부와 상기 수광부 사이에 배치되며, 상기 수광부로 입사되는 광의 량을 조정하며 상기 광축에 배치된 제3 개구부를 갖는 수광 입사부를 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 제2 전극은 상기 수광 입사부 상에서 상기 제3 개구부 및 상기 산란부 근처에 배치되는 제2-1 전극; 상기 투광성 부재의 상측에 배치되는 제2-2 전극; 또는 상기 투광성 부재의 하측에 배치되는 제2-3 전극 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.For example, the particle sensing device may further include a light receiving portion disposed between the scattering portion and the light receiving portion, the light receiving portion having a third opening disposed in the optical axis, the amount of light incident on the light receiving portion being adjusted, The second electrode of the second electrode is disposed on the light receiving incidence portion near the third opening and the scattering portion; A second -2 electrode disposed on the upper side of the light transmitting member; Or a second electrode arranged on the lower side of the light transmitting member.

예를 들어, 상기 입자 센싱 장치는 상기 수광부 아래에서 상기 광축에 배치되며, 상기 수광부를 통과한 광을 흡수하는 광 흡수부를 더 포함할 수 있다.For example, the particle sensing apparatus may further include a light absorbing portion disposed at the optical axis below the light receiving portion and absorbing light passing through the light receiving portion.

예를 들어, 전술한 상기 제1 또는 제2 전극 중 적어도 하나는 투광성 전도층을 포함할 수 있다.For example, at least one of the above-described first or second electrodes may include a light-transmitting conductive layer.

실시 예에 의한 입자 센싱 장치는 입자에 의해 광학계가 오염됨을 방지할 수 있고, 광학계에 오염된 입자를 제거하는 청소 횟수를 줄이거나 청소해야 하는 번거로움을 덜 수 있고, 입자에 대한 정확한 정보를 센싱할 수 있다.The particle sensing apparatus according to the embodiment can prevent the optical system from being contaminated by the particles, reduce the number of times of cleaning for removing the contaminated particles from the optical system or reduce the inconvenience of cleaning, can do.

도 1은 실시 예에 의한 입자 센싱 장치의 개념을 설명하기 위한 개략적인 블럭도이다.
도 2는 이온화된 입자에 의해 산란된 산란광의 예시적인 프로파일을 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 입자 센싱 장치의 일 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 4a는 도 3에 도시된 유로부, 이온화부 및 척력 생성부를 설명하기 위해, 'A1' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 4b 및 도 4c는 도 3에 도시된 척력 생성부의 다른 실시 예를 설명하기 위해, 'B1' 부분의 실시 예에 의한 확대 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 입자 센싱 장치의 다른 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 6a는 도 5에 도시된 유로부, 이온화부 및 척력 생성부를 설명하기 위해 'A2' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 6b 및 도 6c는 도 5에 도시된 척력 생성부의 다른 실시 예를 설명하기 위해, 'B2' 부분의 실시 예에 의한 확대 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 입자 센싱 장치의 또 다른 실시 예의 단면도를 나타낸다.
도 8a는 도 7에 도시된 척력 생성부의 실시 예, 유로부, 이온화부를 설명하기 위해 'A3' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 8b 및 도 8c는 도 7에 도시된 척력 생성부의 다른 실시 예를 설명하기 위해, 'B3' 부분의 실시 예에 의한 확대 단면도이다.
도 9는 도 3에 도시된 'C' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 10은 도 9에 도시된 광 감지부의 일 실시 예의 평면 형상을 나타낸다.
도 11은 도 9에 도시된 광 감지부의 또 다른 실시 예의 평면 형상을 나타낸다.
도 12는 도 1에 도시된 입자 센싱 장치의 또 다른 실시 예에 의한 단면도를 나타낸다.
도 13은 도 12에 도시된 입자 센싱 장치의 측면도를 나타낸다.
도 14는 도 12에 도시된 입자 센싱 장치의 상측 사시도를 나타낸다.
도 15는 도 14에 도시된 입자 센싱 장치의 좌측 사시도를 각각 나타낸다.
도 16은 도 14에 도시된 I-I'선을 따라 절개한 평면도를 나타낸다.
도 17은 도 12에 도시된 'D' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 18은 도 12에 도시된 'E' 부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 19는 도 1에 도시된 정보 분석부의 일 실시 예의 블럭도이다.
도 20은 실시 예에 의한 입자 센서의 개략적인 사시도를 나타낸다.
1 is a schematic block diagram for explaining the concept of a particle sensing apparatus according to an embodiment.
Figure 2 shows an exemplary profile of scattered light scattered by ionized particles.
Figure 3 shows a cross-sectional view of one embodiment of the particle sensing device shown in Figure 1;
FIG. 4A is an enlarged sectional view of the 'A1' portion to explain the flow path portion, the ionization portion, and the repulsive force generating portion shown in FIG. 3, and FIGS. 4B and 4C show another embodiment of the repulsive force generating portion shown in FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view according to an embodiment of the 'B1' portion.
Figure 5 shows a cross-sectional view of another embodiment of the particle sensing device shown in Figure 1;
FIG. 6A is an enlarged cross-sectional view of the 'A2' portion in order to explain the passage portion, the ionizing portion, and the repulsive force generating portion shown in FIG. 5, and FIGS. 6B and 6C illustrate another embodiment of the repulsive force generating portion shown in FIG. Sectional view according to an embodiment of the 'B2' portion.
Figure 7 shows a cross-sectional view of another embodiment of the particle sensing device shown in Figure 1;
8A is an enlarged cross-sectional view of an 'A3' portion to explain an embodiment of the repulsive force generating portion shown in FIG. 7, a flow path portion and an ionizing portion, and FIGS. 8B and 8C are cross- B3 " in the enlarged cross-sectional view according to the embodiment of the present invention.
9 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'C' shown in FIG.
FIG. 10 shows a planar shape of an embodiment of the light sensing unit shown in FIG.
FIG. 11 shows a plan view of another embodiment of the light sensing unit shown in FIG.
12 shows a cross-sectional view according to another embodiment of the particle sensing device shown in Fig.
13 shows a side view of the particle sensing device shown in Fig.
14 is a top perspective view of the particle sensing apparatus shown in Fig.
Fig. 15 shows a left perspective view of the particle sensing device shown in Fig. 14, respectively.
16 is a plan view cut along the line I-I 'shown in FIG.
17 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'D' shown in FIG.
18 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'E' shown in FIG.
19 is a block diagram of an embodiment of the information analysis unit shown in FIG.
20 shows a schematic perspective view of a particle sensor according to an embodiment.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate understanding of the present invention. However, the embodiments according to the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. Embodiments of the invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art.

본 실시 예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the present embodiment, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) on or under includes both the two elements being directly in contact with each other or one or more other elements being indirectly formed between the two elements.

또한 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.Also, when expressed as "on" or "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.It is also to be understood that the terms "first" and "second," "upper / upper / upper," and "lower / lower / lower" But may be used to distinguish one entity or element from another entity or element, without necessarily requiring or implying an order.

이하, 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100: 100A 내지 100D)를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다. 설명의 편의상, 데카르트 좌표계(x축, y축, z축)를 이용하여 입자 센싱 장치(100: 100A 내지 100D)를 설명하지만, 다른 좌표계에 의해서도 이를 설명할 수 있음은 물론이다. 또한, 데카르트 좌표계에 따르면, x축, y축, z축은 서로 직교하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, x축, y축, z축은 서로 교차할 수도 있다.Hereinafter, a particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. For convenience of explanation, the particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) is described using a Cartesian coordinate system (x-axis, y-axis, z-axis), but it can be explained by other coordinate systems. Further, according to the Cartesian coordinate system, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are orthogonal to each other, but the embodiment is not limited thereto. That is, the x-axis, the y-axis, and the z-axis may intersect with each other.

도 1은 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100)의 개념을 설명하기 위한 개략적인 블럭도로서, 발광부(110), 유로부(120), 수광부(130), 광 흡수(dumping)부(144), 신호 변환부(140), 정보 분석부(142), 이온화부(150), 척력 생성부(160), 하우징(170) 및 팬(fan)(180)을 포함할 수 있다.1 is a schematic block diagram for explaining the concept of the particle sensing apparatus 100 according to the embodiment and includes a light emitting unit 110, a channel unit 120, a light receiving unit 130, a light absorbing unit 144 A signal transforming unit 140, an information analyzing unit 142, an ionizing unit 150, a repulsive force generating unit 160, a housing 170, and a fan 180.

도 1을 참조하면, 발광부(110)는 광을 방출하는 역할을 하며, 광원부(112), 렌즈부(114) 및 발광 케이스(116)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the light emitting unit 110 may emit light, and may include a light source unit 112, a lens unit 114, and a light emitting case 116.

광원부(112)는 제1 광(L1)을 방출하는 역할을 하며 적어도 하나의 광원을 포함할 수 있다. 광원부(112)에 포함되는 광원은 발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode) 또는 레이져 다이오드(LD:Laser Diode) 중 적어도 하나일 수 있으며, 실시 예는 광원부(112)를 구현하는 광원의 특정한 형태나 광원의 개수에 국한되지 않는다. 예를 들어, 광원부(112)를 구현하는 광원으로서, 직진성을 갖는 블루 LED, 고휘도 LED, 칩 LED, 하이프럭스 LED 또는 파워 LED 일 수 있으나, 실시 예에 의한 광원은 특정한 LED의 형태에 국한되지 않는다.The light source unit 112 serves to emit the first light L1 and may include at least one light source. The light source included in the light source unit 112 may be at least one of a light emitting diode (LED) or a laser diode (LD). The light source unit 112 may include at least one of a light source, But not limited to. For example, the light source that implements the light source 112 may be a blue LED having high linearity, a high-brightness LED, a chip LED, a high-lux LED, or a power LED, but the light source according to the embodiment is not limited to a specific LED .

만일, 광원부(112)가 LED로 구현될 경우, 가시광선 파장 대역(예를 들어, 405 ㎚ 내지 660 ㎚) 또는 적외선(IR:Infrared) 파장 대역(예를 들어, 850 ㎚ 내지 940 ㎚)의 광을 방출할 수 있다. 또한, 광원부(112)가 LD로 구현될 경우 레드(red)/블루)(blue) 파장 대역(예를 들어, 450 ㎚ 내지 660 ㎚)의 광을 방출할 수 있다. 그러나, 실시 예는 광원부(112)에서 방출되는 제1 광(L1)의 특정한 파장 대역에 국한되지 않는다.If the light source unit 112 is implemented by an LED, light of a visible light wavelength band (for example, 405 nm to 660 nm) or an infrared (IR) wavelength band (for example, 850 nm to 940 nm) . ≪ / RTI > In addition, when the light source unit 112 is implemented as an LD, it can emit light in a red (blue) wavelength band (for example, 450 nm to 660 nm). However, the embodiment is not limited to a specific wavelength band of the first light L1 emitted from the light source section 112. [

또한, 발광부(110)에서 방출되는 제3 광(L3)의 세기는 3000 mcd 이상일 수 있으나, 실시 예는 방출되는 제3 광(L3)의 특정한 세기에 국한되지 않는다.Also, the intensity of the third light L3 emitted from the light emitting portion 110 may be higher than 3000 mcd, but the embodiment is not limited to the specific intensity of the third light L3 emitted.

전술한 발광부(110)의 광원의 패키징 형태는 SMD(Surface Mount Device) 타입이나 리드 타입(lead type)으로 구현될 수 있다. 여기서, SMD 타입이란, 후술되는 도 3에 도시된 바와 같이 발광부(112A)의 광원이 인쇄 회로 기판(PCB)에 솔더링을 통해 실장되는 패키징 형태를 의미한다. 또한, 리드 타입이란, 광원에서 PCB 전극에 연결할 수 있는 다리(lead)가 돌출된 패키징 형태를 의미한다. 그러나, 실시 예는 광원의 특정한 패키징 형태에 국한되지 않는다.The light source of the light emitting unit 110 may be packaged in a SMD (Surface Mount Device) type or a lead type. Here, the SMD type means a packaging type in which a light source of the light emitting portion 112A is mounted on a printed circuit board (PCB) through soldering, as shown in FIG. In addition, the lead type means a packaging type in which a lead that can be connected to a PCB electrode protrudes from a light source. However, the embodiment is not limited to a specific packaging form of the light source.

또한, 발광부(110)가 LD로 구현될 경우, LD는 금속으로 패키징된 TO Can type일 수 있으며, 5 ㎽ 이상의 전력을 소모할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, when the light emitting unit 110 is implemented as an LD, the LD may be a TO Can type packaged with metal and may consume 5 mW or more of power, but the embodiment is not limited thereto.

렌즈부(114)는 광원부(112)와 제1 개구부(OP1) 사이에서 광축(LX)에 배치될 수 있다. 즉, 렌즈부(114)는 광원부(112)로부터 제1 개구부(OP1)를 향해 제1 광(L1)이 지나가는 경로 상에 배치될 수 있다. 렌즈부(114)는 광원부(112)에서 방출된 제1 광(L1)을 제1 개구부(OP1)로 집광(L2)시키는 역할을 한다. 또한, 렌즈부(114)는 광원부(112)로부터 방출된 제1 광(L1)을 평행광(L2)으로 변환시키는 역할을 수행할 수도 있다. 이를 위해, 렌즈부(114)는 하나의 렌즈만을 포함할 수도 있고, 광축(LX)에 배열된 복수의 렌즈를 포함할 수도 있다. 렌즈부(114)의 재료는 일반 카메라 모듈이나 LED 모듈에 적용되는 렌즈와 동일할 수 있다.The lens unit 114 may be disposed on the optical axis LX between the light source unit 112 and the first opening OP1. That is, the lens unit 114 may be disposed on a path through which the first light L1 passes from the light source unit 112 toward the first opening OP1. The lens unit 114 functions to condense the first light L1 emitted from the light source unit 112 into the first opening OP1 (L2). The lens unit 114 may also convert the first light L1 emitted from the light source unit 112 into parallel light L2. For this purpose, the lens portion 114 may include only one lens or may include a plurality of lenses arranged on the optical axis LX. The material of the lens portion 114 may be the same as that applied to a general camera module or an LED module.

발광 케이스(116)는 광원부(112) 및 렌즈부(114)를 수용하며, 제1 개구부(OP1)를 정의하는 역할을 한다. 도 1의 경우, 발광 케이스(116)는 하우징(170)의 탑부(172)와 별개인 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 후술되는 도 12 내지 도 15에 예시된 바와 같이 발광 케이스(116)는 하우징(170)의 탑부(172)와 일체로 형성될 수도 있다. 이 경우, 발광 케이스(116)는 생략될 수 있다.The light emitting case 116 receives the light source unit 112 and the lens unit 114 and defines a first opening OP1. In the case of FIG. 1, the light emitting case 116 is illustrated as being separate from the top portion 172 of the housing 170, but the embodiment is not limited thereto. That is, the light emitting case 116 may be integrally formed with the top portion 172 of the housing 170, as illustrated in FIGS. 12 to 15 described later. In this case, the light emitting case 116 can be omitted.

또한, 발광 케이스(116)에 의해 정의될 수 있는 제1 개구부(OP1)는 광원부(112)로부터 방출되어 렌즈부(114)를 통과한 제2 광(L2)이 유로부(120)의 산란부(또는, 산란 공간)(SS)를 향해 제3 광(L3)으로서 출사되는 부분이며, 발광부(110)의 광축(LX)에 배치될 수 있다. 산란부(SS)에 대해서는 유로부(120)를 설명할 때 상세히 후술된다.The first opening OP1 which can be defined by the light emitting case 116 can be defined by the second light L2 emitted from the light source unit 112 and passing through the lens unit 114, (Or the scattering space) SS, and may be disposed on the optical axis LX of the light emitting portion 110. [ The scattering unit SS will be described later in detail when the flow path unit 120 is described.

또한, 제1 개구부(OP1)는 광원부(112)로부터 방출되는 제1 광(L1)의 발광 각도(view angle)에 대응하는 면적을 가질 수 있다. 일반적으로 광원부(112)가 될 수 있는 LED의 발광 각도는 광의 세기(luminous intensity)가 50%로 떨어질 때 약 15°이다. 이와 같이, LED는 빔의 파워가 중심에서 크기 때문에 제1 개구부(OP1)의 면적이 크지 않아도 원하는 세기의 광이 제1 개구부(OP1)를 통해 방출될 수 있다. 그러나, 발광 각도가 큰 경우, 원하는 세기를 갖는 제3 광(L3)이 발광부(110)에서 방출되도록 제1 개구부(OP1)의 면적을 결정한다면 광 손실이 발생하여 빛의 세기가 약해질 수 있다. 따라서, 발광 각도는 이를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1)가 원형 평면 형상을 가질 경우, 제1 개구부(OP1)의 직경이 15 ㎜보다 커지면 입자 센싱 장치(100)의 크기도 커지고 광 노이즈(noise)가 야기될 수 있다. 제1 개구부(OP1)의 직경은 2 ㎜ 내지 15 ㎜, 예를 들어, 3 ㎜ 내지 10 ㎜ 바람직하게는 4 ㎜ 내지 6 ㎜, 예를 들어, 5.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The first opening OP1 may have an area corresponding to a view angle of the first light L1 emitted from the light source unit 112. [ Generally, the emission angle of the LED, which may be the light source 112, is about 15 degrees when the luminous intensity falls to 50%. Thus, the light of the desired intensity can be emitted through the first opening OP1 even if the area of the first opening OP1 is not large because the power of the beam is large at the center. However, if the light emission angle is large, if the area of the first opening OP1 is determined so that the third light L3 having a desired intensity is emitted from the light emitting portion 110, light loss occurs and the intensity of the light is weakened have. Therefore, the light emission angle can be determined in consideration of this. For example, when the first opening OP1 has a circular planar shape, if the diameter of the first opening OP1 is larger than 15 mm, the size of the particle sensing device 100 becomes large and light noise may be caused have. The diameter of the first opening OP1 may be from 2 mm to 15 mm, for example from 3 mm to 10 mm, preferably from 4 mm to 6 mm, for example 5.5 mm, although the embodiment is not limited in this respect .

한편, 유로부(120)는 발광부(110) 아래에서 발광부(110)의 광축(LX)과 교차하게 배치될 수 있으며, 입자를 포함하는 공기는 유로부(120)를 통해 유동할 수 있다. 입자를 포함하는 공기는 유로부(120)의 유입구(IH)를 향해 IN1 방향으로 유입되어 유로부(120)의 유출구(OH)를 통해 OUT1 방향으로 배출될 수 있다. 예를 들어, 입자란, 공기 중에 부유하는 파티클로서, 먼지일 수도 있고 연기일 수도 있으며 실시 예는 입자의 특정한 형태에 국한되지 않는다.The flow path portion 120 may be disposed below the light emitting portion 110 so as to cross the optical axis LX of the light emitting portion 110 and the air including the particles may flow through the flow path portion 120 . The air including the particles can flow in the IN1 direction towards the inlet IH of the flow path portion 120 and can be discharged in the OUT1 direction through the outlet OH of the flow path portion 120. [ For example, particles may be particles that float in the air, may be dust or smoke, and embodiments are not limited to particular forms of particles.

유로부(120)의 유입구(IH)를 통해 IN1 방향으로 유입된 공기에 포함된 입자는 발광부(110)로부터 방출되는 제3 광(L3)에 의해 유로부(120)의 산란부(SS)에서 산란되며, 산란된 제4 광(L4)(이하, '산란광'이라 한다)이 수광부(130)로 제공될 수 있다. 여기서, 산란부(SS)에서 산란될 입자는 이온화부(150)에서 이온화된 입자로 극성이 변화된 입자에 해당한다. 이에 대해서는 상세히 후술된다.Particles included in the air flowing in the direction IN1 through the inlet IH of the flow path portion 120 are scattered by the third light L3 emitted from the light emitting portion 110, And scattered fourth light L4 (hereinafter, referred to as scattered light) may be provided to the light receiving unit 130. [ Here, the particles to be scattered in the scattering unit SS correspond to particles whose polarity is changed to ionized particles in the ionizing unit 150. [ This will be described in detail later.

도 1의 경우 유로부(120)는 발광부(110) 및 수광부(130)와 각각 이격된 것으로 예시되어 있지만, 이는 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100)의 개념을 설명하기 위함이다. 즉, 유로부(120)가 구현되는 방식에 따라 후술되는 입자 센싱 장치(100A 내지 100D)에서와 같이 유로부(120)는 발광부(110) 및 수광부(130)와 각각 접하여 배치될 수도 있다.1, the flow path unit 120 is illustrated as being spaced apart from the light emitting unit 110 and the light receiving unit 130, respectively. However, this is to explain the concept of the particle sensing apparatus 100 according to the embodiment. That is, the flow path unit 120 may be disposed in contact with the light emitting unit 110 and the light receiving unit 130, respectively, as in the particle sensing apparatuses 100A to 100D described below according to the manner in which the flow path unit 120 is implemented.

팬(180)은 유로부(120) 내에서 공기의 유동을 유도하는 역할을 한다. 즉, 팬(180)은 유로부(120) 내에서 공기의 유속을 일정하게 유지하는 역할을 한다. 이를 위해, 팬(180)은 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)으로 유로부(120)에 인접하여 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 팬(180)은 유로부(120)의 유출구(OH) 측에 배치될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 유로부(120) 내에서 공기의 유동을 유도할 수만 있다면, 실시 예는 팬(180)의 특정한 배치 위치에 국한되지 않는다.The fan 180 serves to induce the flow of air in the flow path portion 120. That is, the fan 180 maintains a constant flow rate of the air within the flow path portion 120. To this end, the fan 180 may be disposed adjacent to the flow path portion 120 in the direction (e.g., the y-axis direction) in which the air flows. For example, as shown in FIG. 1, the fan 180 may be disposed at the outlet (OH) side of the flow path portion 120, but the embodiment is not limited thereto. That is, the embodiment is not limited to the specific arrangement position of the fan 180, as long as it can induce the flow of air in the flow passage portion 120. [

예를 들어, 유로부(120) 내에서 입자를 포함하는 공기가 5 ㎖/sec의 유속을 유지하도록 유로부(120)를 구현하거나 팬(180)의 회전 속도를 결정할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 또한, 경우에 따라, 팬(180)은 생략될 수도 있다.For example, it is possible to implement the flow path portion 120 or determine the rotation speed of the fan 180 so that air containing particles in the flow path portion 120 maintains a flow rate of 5 ml / sec. However, It is not limited. Also, in some cases, the fan 180 may be omitted.

한편, 수광부(130)는 유로부(120)를 통과한 제4 광(L4)을 입사하는 역할을 하며, 이를 위해 유로부(120) 아래에서 광축(LX)에 배치될 수 있다. 여기서, 유로부(120)를 통과한 제4 광(L4)은 산란광 또는 비산란광 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light receiving unit 130 receives the fourth light L4 passing through the channel unit 120 and may be disposed on the optical axis LX under the channel unit 120. [ Here, the fourth light L4 having passed through the flow path portion 120 may include at least one of scattered light and scattered light.

도 2는 이온화된 입자(P)에 의해 산란된 산란광의 예시적인 프로파일을 나타낸다.Figure 2 shows an exemplary profile of scattered light scattered by ionized particles (P).

도 2를 참조하면, 산란광이란, 발광부(110)에서 방출된 제3 광(L3)이 유로부(120)를 통과하는 공기에 포함된 입자(P)에 의해서 산란된 광을 의미할 수 있다. 비산란광이란, 발광부(110)에서 방출된 제3 광(L3)이 유로부(120)를 통과하는 입자(P)에 의해 산란되지 않고 수광부(130)로 진행하는 광을 의미할 수 있다.2, scattered light may mean light that is scattered by particles P included in air passing through the flow path portion 120 by the third light L3 emitted from the light emitting portion 110 . The non-scattered light means light that the third light L3 emitted from the light emitting portion 110 travels to the light receiving portion 130 without being scattered by the particles P passing through the flow path portion 120. [

수광부(130)는 산란광을 수광하고, 수광된 광의 전기적 신호를 신호 변환부(140)로 제공할 수 있다.The light receiving unit 130 receives scattered light and can provide an electrical signal of the received light to the signal converting unit 140.

한편, 이온화부(150)는 유입된 공기의 입자를 이온화된 입자로 극성을 변환시키는 역할을 한다. 즉, 이온화부(150)는 산란부(SS)에서 산란될 입자를 이온화시키는 역할을 한다. 이를 위해, 이온화부(150)는 공기가 유동하는 경로 중에서 산란부(SS)로 공기가 진입하기 이전의 경로에 배치될 수 있다. 이러한 이온화부(150)의 위치는 후술되는 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 7 및 도 8a를 참조하여 상세히 후술된다.On the other hand, the ionization unit 150 serves to convert polarity of the particles of the introduced air into ionized particles. That is, the ionization unit 150 serves to ionize particles to be scattered in the scattering unit SS. For this purpose, the ionization unit 150 may be disposed in a path before the air enters the scattering unit SS among the paths through which the air flows. The position of the ionization unit 150 will be described later in detail with reference to FIG. 3, FIG. 4A, FIG. 5, FIG. 6A, FIG. 7 and FIG.

공기에 포함된 입자는 이온화부(150)에서 양 또는 음의 극성을 갖도록 이온화될 수 있다. 이를 위해, 예를 들어, 이온화부(150)는 코로나 방전에 의해 입자를 이온화할 수 있으나, 실시 예는 이온화부(150)에서 입자를 이온화하는 특정한 방식에 국한되지 않는다. 코로나 방전을 이용할 경우, 공기 중의 분자의 이온화가 일어나고, 입자(P)의 표면에 이온화된 분자가 부착되어, 입자(P)는 이온화될 수 있다.Particles contained in the air can be ionized so as to have a positive or negative polarity at the ionization portion 150. [ For this purpose, for example, the ionization section 150 may ionize the particles by corona discharge, but embodiments are not limited to any particular way of ionizing the particles in the ionization section 150. When the corona discharge is used, ionization of molecules in the air occurs, and ionized molecules are attached to the surface of the particles (P), so that the particles (P) can be ionized.

척력 생성부(160)는 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성의 척력을 생성하여, 산란부(SS)로 진입한 이온화된 입자에 척력을 미치는 역할을 한다. 산란부(SS)로 진입한 입자(P)가 양 또는 음의 극성으로 이온화되어 있고, 척력 생성부(160)에서 입자가 이온화된 극성과 동일한 극성의 척력을 이온화된 입자에 미칠 경우, 쿨롱(Coulomb) 힘에 의해 척력(또는, 정전기 척력)이 작용한다. 이로 인해, 입자(P)는 산란부(SS)에서 발광부(110)나 수광부(130) 쪽으로 유입됨이 방지될 수 있다. 즉, 입자는 제1 개구부(OP1)를 통해 발광부(110) 쪽으로 유입되지 않고, 후술되는 제3 개구부(OP3)를 통해 수광부(130) 쪽으로도 유입되지 않을 수 있다. 따라서, 입자(P)가 발광부(110)나 수광부(130)를 오염시킴을 방지할 수 있다.The repulsive force generating unit 160 generates a repulsive force having the same polarity as the polarity of the ionized particles and plays a role of imparting a repulsive force to the ionized particles entering the scattering unit SS. When the particles P entering into the scattering part SS are ionized with a positive or negative polarity and the repulsive force of the same polarity as the ionized polarity of the particles in the repulsive force generating part 160 is applied to the ionized particles, (Or electrostatic repulsive force) is applied by the Coulomb force. Thus, the particles P can be prevented from flowing into the light emitting portion 110 and the light receiving portion 130 at the scattering portion SS. That is, the particles do not flow into the light emitting portion 110 through the first opening OP1 and may not flow into the light receiving portion 130 through the third opening OP3 described later. Therefore, it is possible to prevent the particles P from contaminating the light emitting portion 110 and the light receiving portion 130.

도 1의 경우 유로부(120)는 이온화부(150) 및 척력 생성부(160)와 각각 이격된 것으로 예시되어 있지만, 이는 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100)의 개념을 설명하기 위함이다. 즉, 유로부(120)가 구현되는 방식에 따라 후술되는 도 3 내지 도 8c, 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이 유로부(120)는 이온화부(150) 및 척력 생성부(160)와 각각 접하여 배치될 수도 있다.1, the flow path unit 120 is illustrated as being spaced apart from the ionization unit 150 and the repulsive force generation unit 160. This is to explain the concept of the particle sensing apparatus 100 according to the embodiment. 3 to 8C and 12 to 15 according to the manner in which the flow path portion 120 is implemented, the flow path portion 120 includes the ionization portion 150 and the repulsion force generation portion 160, They may be arranged in contact with each other.

광 흡수부(144)는 수광부(130)를 통과한 제5 광(L5)을 흡수하는 역할을 하며, 이를 위해, 수광부(130) 아래에서 광축(LX)에 배치될 수 있다. 광 흡수부(144)는 수광부(130)에서 수광되지 않고 직진하는 불필요한 광(이하, '메인 광')을 흡수하여 가두는 일종의 암실에 해당할 수 있다.The light absorbing part 144 absorbs the fifth light L5 that has passed through the light receiving part 130 and may be disposed on the optical axis LX under the light receiving part 130. [ The light absorbing part 144 may correspond to a kind of dark room absorbing and absorbing unnecessary light which is not received by the light receiving part 130 but travels straight (hereinafter, 'main light').

한편, 다시 도 1을 참조하면, 하우징(170)은 발광부(110), 유로부(120), 수광부(130) 및 광 흡수부(144)를 수용하는 역할을 한다. 예를 들어, 하우징(170)은 탑부(172), 중간부(174) 및 버텀부(176)를 포함할 수 있다. 탑부(172)는 발광부(110)를 수용 가능한 부분이고, 중간부(174)는 유로부(120)와 팬(180)을 수용 가능한 부분이고, 버텀부(176)는 수광부(130)와 광 흡수부(144)를 수용 가능한 부분이다.1, the housing 170 serves to accommodate the light emitting portion 110, the flow path portion 120, the light receiving portion 130, and the light absorbing portion 144. Referring to FIG. For example, the housing 170 may include a top portion 172, a middle portion 174, and a bottom portion 176. The middle part 174 is a part capable of accommodating the flow path part 120 and the fan 180. The bottom part 176 is a part capable of receiving the light emitting part 110, Absorbing portion 144 is a portion that can accommodate the absorbing portion 144.

도 1의 경우, 하우징(170)의 중간부(174)와 유로부(120)가 별개인 것으로 예시되어 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 후술되는 입자 센싱 장치(100A 내지 100D)에서와 같이 하우징(170)의 중간부(174)에 의해 유로부(120A, 120B, 120C)가 형성될 수 있다.In the case of FIG. 1, the intermediate portion 174 of the housing 170 and the flow path portion 120 are illustrated as being different, but the embodiment is not limited thereto. According to another embodiment, the flow path portions 120A, 120B and 120C can be formed by the intermediate portion 174 of the housing 170 as in the particle sensing devices 100A to 100D described later.

신호 변환부(140)는 수광부(130)에서 입사된 전류 형태의 신호를 전압 형태의 신호로 변환하고, 변환된 결과를 전기적 신호로서 정보 분석부(142)로 출력할 수 있다. 경우에 따라, 신호 변환부(140)는 생략될 수 있으며, 수광부(130)가 신호 변환부(140)의 역할을 수행할 수도 있다. 이때, 수광부(130)로부터 출력되는 전기적 신호는 정보 분석부(142)로 직접 제공될 수 있다.The signal converting unit 140 may convert a current type signal input from the light receiving unit 130 into a voltage type signal and output the converted result to the information analysis unit 142 as an electrical signal. In some cases, the signal converting unit 140 may be omitted, and the light receiving unit 130 may serve as the signal converting unit 140. At this time, the electrical signal output from the light receiving unit 130 may be provided directly to the information analysis unit 142.

정보 분석부(142)는 신호 변환부(140)(또는, 신호 변환부(140)가 생략될 경우 수광부(130))로부터 제공된 전기적 신호를 이용하여 입자(P)의 개수, 농도, 크기 또는 형상 중 적어도 하나를 분석할 수 있다.The information analyzing unit 142 analyzes the number, density, size, or shape of the particles P using the electrical signal provided from the signal converting unit 140 (or the light receiving unit 130 when the signal converting unit 140 is omitted) Lt; / RTI > can be analyzed.

이하, 도 1에 도시된 입자 센싱 장치(100)의 실시 예(100A 내지 100D)에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.Hereinafter, embodiments 100A to 100D of the particle sensing apparatus 100 shown in FIG. 1 will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 도 1에 도시된 입자 센싱 장치(100)의 일 실시 예(100A)의 단면도를 나타낸다. 이해를 돕기 위해, 도 3에서 광이 진행하는 모습은 음영(L)으로 표기하였다.FIG. 3 shows a cross-sectional view of one embodiment 100A of the particle sensing device 100 shown in FIG. For the sake of clarity, FIG. 3 shows the progress of the light as shading (L).

도 3에 도시된 입자 센싱 장치(100A)는 발광부(110A), 유로부(120A), 수광부(130A), 광 흡수부(144), 이온화부(150A), 척력 생성부(160A), 하우징(172, 176) 및 팬(180)을 포함하며, 도 1에 도시된 신호 변환부(140) 및 정보 분석부(142)는 생략되었다.The particle sensing device 100A shown in Fig. 3 includes a light emitting portion 110A, a channel portion 120A, a light receiving portion 130A, a light absorbing portion 144, an ionizing portion 150A, a repulsive force generating portion 160A, 172, and 176, and a fan 180, and the signal conversion unit 140 and the information analysis unit 142 shown in FIG. 1 are omitted.

도 3에 도시된 발광부(110A), 유로부(120A), 수광부(130A), 광 흡수부(144), 이온화부(150A), 척력 생성부(160A), 하우징(172, 176) 및 팬(180)은 도 1에 도시된 발광부(110), 유로부(120), 수광부(130), 광 흡수부(144), 이온화부(150), 척력 생성부(160), 하우징(172, 176) 및 팬(180)과 각각 동일한 기능을 수행하므로, 도 3에 도시된 구성 요소의 각 기능에 대한 중복되는 설명을 생략한다.The light emitting unit 110A, the flow path unit 120A, the light receiving unit 130A, the light absorbing unit 144, the ionizing unit 150A, the repulsive force generating unit 160A, the housings 172 and 176, The light source unit 180 includes a light emitting unit 110, a channel unit 120, a light receiving unit 130, a light absorbing unit 144, an ionizing unit 150, a repulsive force generating unit 160, a housing 172, 176 and the fan 180, respectively, so that redundant description of each function of the components shown in FIG. 3 will be omitted.

도 3을 참조하면, 광원부(112A)는 하나의 광원만을 포함하고, 렌즈부(114A)는 하나의 렌즈만을 포함한다. 렌즈(114A)는 광원(112A)과 제1 개구부(OP1) 사이에서 광축(LX)에 배치되며, 광원(112A)에서 방출된 광을 제1 개구부(OP1)로 집광시키는 역할을 한다.Referring to FIG. 3, the light source unit 112A includes only one light source, and the lens unit 114A includes only one lens. The lens 114A is disposed on the optical axis LX between the light source 112A and the first opening OP1 and functions to condense the light emitted from the light source 112A into the first opening OP1.

도 4a는 도 3에 도시된 유로부(120A), 이온화부(150A) 및 척력 생성부(160A)를 설명하기 위해, 'A1' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 4b 및 도 4c는 도 3에 도시된 척력 생성부(160A)의 다른 실시 예(160B, 160C)를 설명하기 위해, 'B1' 부분의 실시 예(B11, B12)에 의한 확대 단면도로서, 설명의 편의상 도 3에 도시된 팬(180)의 도시는 도 4a 내지 도 4c에서 생략되었다.4A is an enlarged sectional view of the portion A1 'to explain the flow path portion 120A, the ionizing portion 150A and the repulsive force generating portion 160A shown in FIG. 3, and FIGS. 4B and 4C are cross- In order to explain other embodiments 160B and 160C of the repulsive force generating section 160A shown in FIG. 3, an enlarged cross-sectional view according to the embodiments B11 and B12 of the 'B1' (180) is omitted in Figs. 4A to 4C.

도 3 및 도 4를 참조하면, 유로부(120A)는 유로 입구부(FI), 입구측 유로 중간부(FII1), 산란부(SS), 출구측 유로 중간부(FII2) 및 유로 출구부(FO)를 포함할 수 있다.3 and 4, the flow path portion 120A includes a flow path inlet portion FI, an inlet side flow path middle portion FII1, a scattering portion SS, an outlet side flow path middle portion FII2, FO).

유로 입구부(FI)는 입자(P)를 포함할 수 있는 공기가 유입되는 부분으로서, 유입구(IH) 및 유입 경로를 포함할 수 있다. 여기서, 유입구(IH)는 외부로부터 IN1 방향으로 공기가 유입되는 유로부(120A)의 입구에 해당하고, 유입 경로란, 유입구(IH)로부터 입구측 유로 중간부(FII1) 사이에 형성된 경로에 해당한다.The flow path inlet portion FI is a portion into which air that may contain particles P is introduced, and may include an inlet port IH and an inlet path. The inlet IH corresponds to the inlet of the flow passage portion 120A into which the air flows from the outside in the IN1 direction and the inlet path corresponds to the path formed between the inlet IH and the inlet side flow passage middle portion FII1 do.

유로 출구부(FO)는 입자(P)를 포함할 수 있는 공기가 유출되는 부분으로서, 유출구(OH) 및 유출 경로를 포함할 수 있다. 여기서, 유출구(OH)는 공기가 OUT1 방향으로 외부로 유출되는 유로부(120A)의 출구에 해당하고, 유출 경로란, 출구측 유로 중간부(FII2)로부터 유출구(OH) 사이에 형성된 경로에 해당한다.The flow path outlet portion FO is a portion through which air that may contain particles P flows out, and may include an outlet port OH and an outflow path. Here, the outlet port OH corresponds to the outlet of the flow path portion 120A through which air flows out to the OUT1 direction, and the outlet path corresponds to the path formed between the outlet-side flow path intermediate portion FII2 and the outlet port OH do.

산란부(SS)는 이온화부(150A) 이후의 경로에 배치되며, 발광부(110A)와 수광부(130A) 사이 및 입구측 유로 중간부(FII1)와 출구측 유로 중간부(FII2) 사이에서 광축(LX)에 위치할 수 있다.The scattering section SS is arranged in the path after the ionization section 150A and is disposed between the light emitting section 110A and the light receiving section 130A and between the inlet side flow path middle part FII1 and the outlet side flow path middle part FII2, (LX).

산란부(SS)는 발광부(110A)에서 방출된 광이 입자(P)에 의해 산란되는 공간을 제공한다. 이를 위해, 산란부(SS)란, 발광부(110A)와 수광부(130A)가 서로 대향하는 방향(예를 들어, z축 방향)으로 유로부(120, 120A)에서 제1 개구부(OP1)와 중첩되는 영역으로서 정의될 수 있다. 이와 같이, 산란부(SS)가 광축(LX)에 배치되므로, 이온화된 입자를 포함하는 공기가 발광부(110A)의 광축(LX)과 교차하며 유동할 수 있다.The scattering portion SS provides a space in which the light emitted from the light emitting portion 110A is scattered by the particles P. [ To this end, the scattering portion SS is a portion in which the first opening OP1 and the second opening OP2 are formed in the flow paths 120 and 120A in the direction (for example, the z-axis direction) in which the light emitting portion 110A and the light receiving portion 130A face each other Can be defined as overlapping regions. Thus, since the scattering unit SS is disposed on the optical axis LX, the air including the ionized particles can flow while crossing the optical axis LX of the light emitting unit 110A.

입구측 유로 중간부(FII1)는 유로 입구부(FI)와 산란부(SS) 사이에 위치하고, 출구측 유로 중간부(FII2)는 산란부(SS)와 유로 출구부(FO) 사이에 위치할 수 있다.The inlet-side flow path intermediate portion FII1 is located between the flow path inlet portion FI and the scattering portion SS and the outlet-side flow path middle portion FII2 is positioned between the scattering portion SS and the flow path outlet portion FO .

실시 예에 의하면, 이온화부(150A)는 유입구(IH), 유입 경로 또는 입구측 유로 중간부(FII1) 중 적어도 한 곳에 배치될 수 있다.According to the embodiment, the ionization section 150A may be disposed at at least one of the inlet IH, the inflow path or the inlet-side flow path middle portion FII1.

이하, 도 4a에 예시된 바와 같이, 이온화부(150A)가 유로 입구부(FI)와 입구측 유로 중간부(FII1)에 걸쳐서 배치된 것으로 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 비록 도시되지는 않았지만, 이온화부(150A)는 유입구(IH)와 접하면서 유로부(120A)의 안쪽 또는 바깥쪽에 배치될 수도 있고, 유입구(IH)로부터 산란부(SS)쪽으로 더 이동하여 유로 입구부(FI)의 유입 경로 상에 배치될 수도 있고, 유로 입구부(F1)로부터 이격되어 입구측 유로 중간부(FII1)에 배치될 수도 있으며, 이 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있으므로 중복되는 설명을 생략한다. 즉, 이온화된 입자가 산란부(SS)로 제공될 수만 있다면, 실시 예는 이온화부(150A)의 특정 위치에 국한되지 않는다.Hereinafter, as illustrated in FIG. 4A, it is described that the ionization portion 150A is disposed over the flow path inlet FI and the inlet-side flow path intermediate portion FII1, but the embodiment is not limited to this. According to another embodiment, although not shown, the ionization portion 150A may be disposed on the inside or outside of the flow path portion 120A while being in contact with the inlet IH, and may be disposed in the scattering portion SS from the inlet IH. And may be disposed on the inlet passage FI or the inlet passage F1 in the inlet-side passage intermediate portion FII1. In this case as well, So that redundant description is omitted. That is, the embodiment is not limited to a specific position of the ionization section 150A, provided that the ionized particle can be provided to the scattering section SS.

입자(P)를 포함하는 공기가 유입구(IH)를 통해 유입된 후, 이온화부(150A)에서 이온화된다. 이후, 이온화된 입자는 입구측 유로 중간부(FII1)를 통해 산란부(SS)로 진행한 후, 출구측 유로 중간부(FII2)를 거쳐서 유로 출구부(FO)를 통해 배출된다. 이와 같이 입자(P)를 포함하는 공기가 유로부(120A)로 원활히 진행하는 것을 돕기 위해 팬(180)이 배치될 수 있음은 전술한 바와 같다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이 팬(180)은 유로 출구부(FO) 내에 배치될 수도 있고, 도시된 바와 달리 유로 출구부(FO)의 유출구(OH)에 인접하여 배치될 수도 있다. 또는 다른 실시 예에 의하면, 팬(180)은 유로 입구부(FI) 내에 배치되거나 유입구(IH)에 인접하여 배치될 수도 있다.Air containing the particles P is introduced through the inlet IH and then ionized in the ionization section 150A. Thereafter, the ionized particles pass through the inlet-side flow path middle portion FII1 to the scattering portion SS and then are discharged through the outlet port portion FO via the outlet-side flow path middle portion FII2. As described above, the fan 180 can be disposed to facilitate the air containing the particles P to smoothly travel to the flow path portion 120A. For example, as shown in FIG. 3, the fan 180 may be disposed in the flow passage outlet FO or may be disposed adjacent to the outlet port OH of the flow passage outlet FO, as shown in FIG. 3 . Or according to another embodiment, the fan 180 may be disposed within the flow path inlet FI or adjacent the inlet IH.

입자(P)를 포함하는 공기가 유로부(120A)를 지나가는 동안 제1 개구부(OP1)로부터 방출된 제3 광(L3)이 산란부(SS)에서 입자(P)와 부딪혀 도 2에 도시된 바와 같은 형태로 산란하게 된다. 이때, 산란부(SS)를 지나가는 모든 입자(P)가 발광부(110A)로부터 방출되는 제3 광(L3)에 의해 부딪히도록 하기 위해, 제1 개구부(OP1)로부터 출사된 제3 광(L3)이 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축과 z축)으로 산란부(SS)에서 광 커튼을 형성하기에 적합한 면적을 제1 개구부(OP1)가 가질 수 있다.The third light L3 emitted from the first opening OP1 while the air containing the particles P pass through the flow path portion 120A collides with the particles P at the scattering portion SS, It is scattered in the form of bar. At this time, in order to cause all the particles P passing through the scattering portion SS to strike by the third light L3 emitted from the light emitting portion 110A, the third light L emitted from the first opening OP1 An area suitable for forming the light curtain at the scattering portion SS in the direction (e.g., the x-axis and the z-axis) intersecting with the direction (e.g., the y-axis direction) An opening OP1 can be provided.

또한, 유로부(120A)의 단면적(예를 들어, x축과 z축 방향의 면적)은 제1 개구부(OP1)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 도 4a를 참조하면, 제1 개구부(OP1)의 x축 방향의 길이와 유로부(120A)의 x축 방향의 길이가 동일하다고 할 때, 제1 개구부(OP1)의 폭(D1)은 유로부(120A)의 높이(D2)보다 더 클 수 있다. 또는, 도 4a를 참조하면, 제1 개구부(OP1)는 원형 평면형상을 갖고, 유로부(120A)가 원형 측단면 형상을 가질 경우, 이 경우, 제1 개구부(OP1)의 y축 방향으로의 직경(D1)은 유로부(120A)의 직경(D2)보다 더 클 수 있다. 제1 개구부(OP1)의 폭(또는, 직경)(D1)은 2 ㎜ 내지 15 ㎜, 예를 들어, 3 ㎜ 내지 10 ㎜ 바람직하게는 4 ㎜ 내지 6 ㎜ 예를 들어, 5.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The sectional area (for example, the area in the x-axis and the z-axis direction) of the flow path portion 120A may be smaller than the area of the first opening OP1 (for example, the area in the x- and y-axis directions) . For example, referring to FIG. 4A, when the length of the first opening OP1 in the x-axis direction is equal to the length of the flow path portion 120A in the x-axis direction, the width D1 of the first opening OP1 May be greater than the height D2 of the flow path portion 120A. 4A, the first opening OP1 has a circular planar shape, and when the flow path portion 120A has a circular cross-sectional shape, in this case, the width of the first opening OP1 in the y- The diameter D1 may be larger than the diameter D2 of the flow path portion 120A. The width (or diameter) D1 of the first opening OP1 may be 2 mm to 15 mm, for example, 3 mm to 10 mm, preferably 4 mm to 6 mm, for example, 5.5 mm, The embodiment is not limited to this.

이와 같이, 유로부(120A)의 단면적이 제1 개구부(OP1)의 면적보다 작을 때, 유로부(120A)를 통과하는 입자(P)를 포함하는 공기의 량이 증가하여 즉, 유로부(120A)를 통과하는 입자가 많아지게 되어, 더욱 많은 량의 입자가 센싱될 수 있다.As described above, when the cross-sectional area of the flow path portion 120A is smaller than the area of the first opening portion OP1, the amount of air containing the particles P passing through the flow path portion 120A increases, A larger amount of particles can be sensed.

또한, 유로부(120A)의 단면적은 제1 개구부(OP1)로부터 출사되는 광의 빔 사이즈보다 작을 수 있다. 이로 인해, 유로부(120A)를 통과하는 입자(P)를 포함하는 공기의 량이 증가하여 즉, 유로부(120A)를 통과하는 입자의 량이 많아지게 되어, 더욱 많은 량의 입자(P)가 센싱될 수 있다.In addition, the cross-sectional area of the flow path portion 120A may be smaller than the beam size of the light emitted from the first opening OP1. As a result, the amount of air containing the particles P passing through the flow path portion 120A increases, that is, the amount of particles passing through the flow path portion 120A increases, .

전술한 바와 같이, 유로부(120A)를 통과하는 입자(P)의 량이 많아질수록 입자(P)에 대한 정보를 보다 많이 확보할 수 있기 때문에, 입자(P)에 대한 정보를 보다 정확하게 분석할 수 있다.As described above, since the information on the particles P can be more secured as the amount of the particles P passing through the flow path portion 120A increases, the information on the particles P can be more accurately analyzed .

많은 입자(P)가 통과할 수 있도록, 도 1에 도시된 유로부(120)는 도시된 구성 이외에 다양한 구성을 가질 수 있다.In order to allow a large number of particles P to pass through, the flow path portion 120 shown in FIG. 1 may have various configurations other than the illustrated configuration.

도 5는 도 1에 도시된 입자 센싱 장치(100)의 다른 실시 예(100B)의 단면도를 나타내고, 도 6a는 도 5에 도시된 유로부(120B), 이온화부(150B) 및 척력 생성부(160A)를 설명하기 위해 'A2' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 6b 및 도 6c는 도 5에 도시된 척력 생성부(160A)의 다른 실시 예(160B, 160D)를 설명하기 위해, 'B2' 부분의 실시 예(B21, B22)에 의한 확대 단면도로서, 설명의 편의상 도 5에 도시된 팬(180)의 도시는 도 6a 내지 도 6c에서 생략되었다.Fig. 5 shows a cross-sectional view of another embodiment 100B of the particle sensing device 100 shown in Fig. 1, Fig. 6A shows the flow path portion 120B, the ionization portion 150B and the repulsive force generating portion 6B and 6C are explanatory views of another embodiment 160B and 160D of the repulsive force generating section 160A shown in FIG. 5, in which 'B2' (B21, B22) of FIG. 5, the illustration of the fan 180 shown in FIG. 5 is omitted in FIGS. 6A to 6C for convenience of explanation.

도 3에 도시된 유로부(120A)와 도 5에 도시된 유로부(120B)의 단면 형상은 서로 다르고, 도 3에 도시된 이온화부(150A)가 배치된 위치와 도 5에 도시된 이온화부(150B)가 배치된 위치는 서로 다르다. 이를 제외하면, 도 5에 도시된 입자 센싱 장치(100B)는 도 3에 도시된 입자 센싱 장치(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다. 예를 들어, 도 4a를 참조하여 전술한 산란부(SS)에 대한 정의는 도 6a에 도시된 유로부(120B)에 대해서도 적용될 수 있다.The cross-sectional shapes of the flow path portion 120A shown in FIG. 3 and the flow path portion 120B shown in FIG. 5 are different from each other. The cross-sectional shape of the flow path portion 120B shown in FIG. 3 is different from that of the ionization portion 150A shown in FIG. (150B) are disposed are different from each other. Except for this, since the particle sensing apparatus 100B shown in FIG. 5 is the same as the particle sensing apparatus 100A shown in FIG. 3, the duplicate description will be omitted. For example, the definition of the scattering unit SS described above with reference to FIG. 4A can also be applied to the flow channel unit 120B shown in FIG. 6A.

도 3 및 도 4a를 참조하면, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 방향 및 z축 방향)으로, 유로 입구부(FI), 입구측 유로 중간부(FII1), 산란부(SS), 출구측 유로 중간부(FII2) 및 유로 출구부(FO)의 단면적은 일정하다.Referring to FIGS. 3 and 4A, a flow path is formed in the flow path inlet portion FI, the inlet side flow path LB, and the flow path side flow path LB in the direction (for example, the x axis direction and the z axis direction) The cross-sectional area of the side-passage intermediate portion FII1, the scattering portion SS, the outlet-side passage middle portion FII2, and the passage outlet portion F0 is constant.

반면에, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로 입구측 유로 중간부(FII1)의 단면적은 산란부(SS)에 접근할수록 감소하는 부분을 포함하고, 출구측 유로 중간부(FII2)의 단면적은 산란부(SS)로부터 멀어질수록 증가하는 부분을 포함할 수 있다.On the other hand, the cross-sectional area of the inlet-side passage intermediate portion FII1 in the direction (for example, the x-axis and the z-axis direction) intersecting with the direction in which the air flows (for example, And the sectional area of the outlet-side passage intermediate portion FII2 may include a portion that increases as the distance from the scattering portion SS increases.

예를 들어, 도 5 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로 입구측 유로 중간부(FII1)의 단면적은 산란부(SS)에 접근할수록 감소한 후 일정해지고, 출구측 유로 중간부(FII2)의 단면적은 산란부(SS)로부터 멀어질수록 일정한 후 증가할 수 있다. 또는, 도 5 및 도 6a에 도시된 바와 달리, 비록 도시되지는 않았지만 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로 입구측 유로 중간부(FII1)의 단면적은 산란부(SS)에 접근할수록 계속해서 감소하고, 출구측 유로 중간부(FII2)의 단면적은 산란부(SS)로부터 멀어질수록 계속해서 증가할 수도 있다.For example, as shown in Figs. 5 and 6A, in the direction intersecting with the direction in which the air flows (for example, the y-axis direction) (for example, the x-axis and the z- The sectional area of the portion FII1 decreases as it approaches the scattering portion SS and becomes constant and the sectional area of the middle portion FII2 of the outlet side flow passage FII2 may increase after a certain distance from the scattering portion SS. Alternatively, unlike the case shown in Figs. 5 and 6A, although not shown, an inlet (for example, an x-axis and a z-axis direction) intersecting with a direction The cross-sectional area of the outlet-side passage intermediate portion FII1 may continue to decrease as it approaches the scattering portion SS, and the cross-sectional area of the outlet-side passage middle portion FII2 may increase continuously as the distance from the scattering portion SS increases.

또한, 도 3 및 도 4a에 도시된 바와 달리, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로, 유로 입구부(FI) 및 유로 출구부(FO) 각각의 단면적은 산란부(SS)의 단면적보다 클 수 있다.3 and 4A, in a direction intersecting with the direction (for example, the y-axis direction) in which the air flows (for example, in the x-axis and z-axis directions) And the channel outlet portion FO may be larger than the cross-sectional area of the scattering portion SS.

또한, 도 4a 및 도 6a에 도시된 유로부(120A, 120B)에서, 입구측 유로 중간부(FII1)(또는, 출구측 유로 중간부(FII2))와 산란부(SS)가 연통하는 개구 영역이 제2 개구부(OP2)라고 정의할 때, 제1 개구부(OP1)의 면적(예를 들어, x축 및 y축 방향의 면적)은 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로 제2 개구부(OP2)의 단면적보다 클 수 있다.In the flow paths 120A and 120B shown in Fig. 4A and Fig. 6A, the opening-side flow path middle portion FII1 (or the outlet-side flow path middle portion FII2) The area of the first opening OP1 (for example, the area in the x-axis and the y-axis direction) is defined as the direction in which the air flows (for example, the y-axis direction) Sectional area of the second opening OP2 in the crossing direction (for example, the x-axis and the z-axis direction).

예를 들어, 도 4a 및 도 6a을 참조하면, 제1 개구부(OP1)의 x축 방향의 길이와 제2 개구부(OP2)의 x축 방향의 길이가 동일하다고 할 때, 제1 개구부(OP1)의 폭(D1)은 제2 개구부(OP2)의 높이(D4)보다 더 클 수 있다. 또는, 도 4a 및 도 6a를 참조하면, 제1 개구부(OP1)가 원형 평면형상을 갖고, 제2 개구부(OP2)가 원형 측단면 형상을 가질 경우, 제1 개구부(OP1)의 직경(D1)은 제2 개구부(OP2)의 직경(D4)보다 더 클 수 있다.For example, referring to FIGS. 4A and 6A, when the length of the first opening OP1 in the x-axis direction is equal to the length of the second opening OP2 in the x-axis direction, the first opening OP1, The width D1 of the second opening OP2 may be larger than the height D4 of the second opening OP2. 4A and 6A, when the first opening OP1 has a circular planar shape and the second opening OP2 has a circular cross-sectional shape, the diameter D1 of the first opening OP1, May be larger than the diameter D4 of the second opening OP2.

또한, 도 3 및 도 4a에 도시된 바와 달리, 이온화부(150B)는 입구측 유로 중간부(FII1)에만 배치된다.3 and 4A, the ionization portion 150B is disposed only in the inlet-side flow path middle portion FII1.

도 5 및 도 6a에 도시된 바와 같은 단면 형상을 유로부(120B)가 가질 경우, 입구측 및 출구측 유로 중간부(FII1, FII2)의 단면적의 변화로 인해, 보다 많은 입자(P)가 유로부(120B)를 통과할 수 있어, 입자(P)를 센싱하는 정확도가 증가할 수 있다.When the flow path portion 120B has a cross sectional shape as shown in Figs. 5 and 6A, more particles P are discharged from the flow path 120B due to the change in sectional area of the inlet side and outlet side flow path middle portions FII1 and FII2, Can pass through the portion 120B, and accuracy of sensing the particles P can be increased.

도 7은 도 1에 도시된 입자 센싱 장치(100)의 또 다른 실시 예(100C)의 단면도를 나타내고, 도 8a는 도 7에 도시된 척력 생성부(160E)의 실시 예(160F), 유로부(120C), 이온화부(150C)를 설명하기 위해 'A3' 부분을 확대 도시한 단면도이고, 도 8b 및 도 8c는 도 7에 도시된 척력 생성부(160E)의 다른 실시 예(160C, 160G)를 설명하기 위해, 'B3' 부분의 실시 예(B31, B32)에 의한 확대 단면도로서, 설명의 편의상 도 7에 도시된 팬(180)의 도시는 도 8a 내지 도 8c에서 생략되었다.FIG. 7 shows a cross-sectional view of another embodiment 100C of the particle sensing apparatus 100 shown in FIG. 1. FIG. 8A shows an embodiment 160F of the repulsive force generating section 160E shown in FIG. 7, A3 'to enlarge the ionization part 150C and the ionization part 150C and FIGS. 8B and 8C are cross-sectional views illustrating another embodiment 160C and 160G of the repulsion generation part 160E shown in FIG. Is an enlarged cross-sectional view of an embodiment (B31, B32) of the portion 'B3', and the illustration of the fan 180 shown in FIG. 7 is omitted in FIGS. 8A to 8C for convenience of explanation.

도 3에 도시된 유로부(120A)와 도 7에 도시된 유로부(120C)의 단면 형상은 서로 다르고, 도 3에 도시된 이온화부(150A)가 배치된 위치와 도 7에 도시된 이온화부(150C)가 배치된 위치가 서로 다르고, 도 3에 도시된 척력 생성부(160A)의 단면 형상과 도 7에 도시된 척력 생성부(160E)의 단면 형상이 서로 다르다. 이를 제외하면, 도 7에 도시된 입자 센싱 장치(100C)는 도 3에 도시된 입자 센싱 장치(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.The cross-sectional shapes of the flow path portion 120A shown in Fig. 3 and the flow path portion 120C shown in Fig. 7 are different from each other. The cross-sectional shape of the flow path portion 120C shown in Fig. And the sectional shape of the repulsive force generating portion 160E shown in FIG. 7 is different from that of the repulsive force generating portion 160A shown in FIG. Except for this, since the particle sensing apparatus 100C shown in FIG. 7 is the same as the particle sensing apparatus 100A shown in FIG. 3, a duplicate description will be omitted.

도 3 및 도 4a의 경우, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 방향 및 z축 방향)으로, 유로 입구부(FI), 입구측 유로 중간부(FII1), 산란부(SS), 출구측 유로 중간부(FII2) 및 유로 출구부(FO)의 단면적은 일정하다.In the case of Figs. 3 and 4A, in the direction intersecting with the direction in which the air flows (for example, the y-axis direction) (for example, the x-axis direction and the z- Sectional area of the flow path middle portion FII1, the scattering portion SS, the outlet-side flow path middle portion FII2, and the flow path outlet portion F0 is constant.

반면에, 도 7 및 도 8a의 경우, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로, 입구측 유로 중간부(FII1)의 단면적은 산란부(SS)에 접근할수록 감소한 후 증가한다. 또한, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로, 출구측 유로 중간부(FII2)의 단면적은 산란부(SS)로부터 멀어질수록 감소한 후 증가한다.On the other hand, in the case of FIGS. 7 and 8A, in the direction intersecting with the direction (for example, the y-axis direction) in which air flows (for example, ) Decreases as it approaches the scattering section (SS), and then increases. The cross-sectional area of the outlet-side passage intermediate portion FII2 is larger than the cross-sectional area of the scattering portion SS in the direction (for example, the x-axis and the z-axis direction) And then increases.

또한, 도 8a에 도시된 유로부(120C)의 입구측 중간 유로부(FII1)(또는, 출구측 중간 유로부(FII2))에서 공기가 유동하는 방향과 교차하는 방향으로 가장 작은 단면적을 갖는 개구 영역이 제2 개구부(OP2)라고 정의할 때, 제1 개구부(OP1)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)은 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로 제2 개구부(OP2)의 단면적보다 클 수 있다.It is also possible to provide the opening with the smallest cross sectional area in the direction intersecting the direction in which air flows in the inlet side intermediate flow path portion FII1 (or the outlet side intermediate flow path portion FII2) of the flow path portion 120C shown in FIG. 8A The area of the first opening OP1 (for example, the area in the x-axis and the y-axis direction) is defined as the direction in which the air flows (for example, the y-axis direction) Sectional area of the second opening OP2 in the direction (for example, the x-axis and the z-axis direction) intersecting the first opening OP2.

예를 들어, 도 8a를 참조하면, 제1 개구부(OP1)의 x축 방향의 길이와 제2 개구부(OP2)의 x축 방향의 길이가 동일하다고 할 때, 제1 개구부(OP1)의 폭(D1)은 제2 개구부(OP2)의 높이(D4)보다 더 클 수 있다. 또는, 도 8a를 참조하면, 제1 개구부(OP1)가 원형 평면형상을 갖고, 제2 개구부(OP2)가 원형 측단면 형상을 가질 경우, 제1 개구부(OP1)의 직경(D1)은 제2 개구부(OP2)의 직경(D4)보다 더 클 수 있다.8A, when the length of the first opening OP1 in the x-axis direction and the length of the second opening OP2 in the x-axis direction are equal to each other, the width of the first opening OP1 D1 may be greater than the height D4 of the second opening OP2. 8A, when the first opening OP1 has a circular planar shape and the second opening OP2 has a circular cross-sectional shape, the diameter D1 of the first opening OP1 is larger than the diameter D1 of the second opening OP1, Can be larger than the diameter D4 of the opening OP2.

예를 들어, 도 4a, 도 6a 및 도 8a에 도시된 제2 개구부(OP2)의 높이(D4)는 1 ㎜ 내지 10.0 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜ 내지 5.0 ㎜ 바람직하게는 1 ㎜ 내지 2.0 ㎜ 예를 들어, 2 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 이와 같이, 실시 예에 의하면, 제2 개구부(OP2)의 높이(D4)가 작아지므로, 입자 센싱 장치(100A 내지 100C) 전체의 크기를 줄일 수 있다.For example, the height D4 of the second opening OP2 shown in Figs. 4A, 6A and 8A is 1 mm to 10.0 mm, for example, 1 mm to 5.0 mm, preferably 1 mm to 2.0 mm, For example, it may be 2 mm, but the embodiment is not limited to this. As described above, according to the embodiment, since the height D4 of the second opening OP2 is small, the size of the entire particle sensing apparatuses 100A to 100C can be reduced.

또한, 보다 많은 입자가 유로부(120:120A, 120B, 120C)를 통과하도록 하기 위해서, 유로부(120)를 통과하는 공기의 유량의 부피 변화가 없어야 한다. 이를 위해, 도 7 및 도 8a에 도시된 바와 같이 제2 개구부(OP2)에 의해 더블 노즐(DN:Double Nozzle) 구조를 형성할 경우, 유로부(120C)를 통과하는 공기의 유량의 부피 변화가 있을 때에도, 공기의 유량을 측정이 용이할 정도로 조절할 수 있어, 입자(P)를 센싱하는 정확도가 증가할 수 있다. 예컨대, 더블 노즐 구조에 의해 병목 현상이 만들어지기 때문에, 보다 많은 입자(P)가 유로부(120C)를 통과할 수 있어, 입자(P)를 센싱하는 정확도가 증가할 수 있다.In order to allow more particles to pass through the flow path portions 120 (120A, 120B, and 120C), there is no change in the volume of the flow rate of the air passing through the flow path portion 120. [ 7 and 8A, when a double nozzle (DN) structure is formed by the second opening OP2, the volume change of the flow rate of air passing through the flow path portion 120C is The flow rate of the air can be adjusted so as to be easy to measure, and the accuracy of sensing the particles P can be increased. For example, since the bottleneck phenomenon is created by the double nozzle structure, more particles P can pass through the flow path portion 120C, and the accuracy of sensing the particles P can be increased.

도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 7 및 도 8a에 도시된 유로부(120A, 120B, 120C)의 구조는 일 례들에 불과하다. 즉, 유로부(120A, 120B, 120C)를 통해 보다 많은 공기가 유입될 수 있다면, 실시 예는 유로부(120)의 특정한 례에 국한되지 않는다.The structures of the flow paths 120A, 120B, and 120C shown in Figs. 3, 4A, 5, 6A, 7, and 8A are merely one example. That is, the embodiment is not limited to the specific example of the flow path portion 120, as long as more air can flow through the flow path portions 120A, 120B, and 120C.

또한, 도 6a 및 도 8a에 예시된 바와 같이, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로, 유입구(IH) 및 유출구(OH) 각각의 단면적은 제1 개구부(OP1) 면적보다 크고 제2 개구부(OP2)의 단면적보다 클 수 있다.In addition, as illustrated in Figs. 6A and 8A, inlets IH and IH are formed in a direction (for example, the x-axis and the z-axis direction) Sectional area of each of the outlets OH may be larger than the area of the first opening OP1 and larger than the sectional area of the second opening OP2.

또는, 공기가 유동하는 방향(예를 들어, y축 방향)과 교차하는 방향(예를 들어, x축 및 z축 방향)으로, 유로 입구부(FI)의 유입 경로 및 유로 출구부(FO)의 유출 경로 각각의 가장 넓은 단면적은 제1 개구부(OP1)의 면적보다 크고 제2 개구부(OP2)의 단면적보다 클 수 있다.Or the flow path outlet portion FO of the flow path inlet portion FI in the direction (for example, the x-axis and the z-axis direction) intersecting with the direction (for example, The outermost cross-sectional area of each of the outflow paths of the first opening OP1 and the second opening OP2 may be larger than the area of the first opening OP1 and larger than the cross-sectional area of the second opening OP2.

예를 들어, 유입구(IH) 및 유출구(OH) 각각의 x축 길이와 제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2) 각각의 x축 길이가 동일할 때, 유입구(IH) 및 유출구(OH) 각각의 z축 방향으로의 높이(D2)는 제1 개구부(OP1)의 y축 방향으로의 폭(D1)보다 크고, 제2 개구부(OP2)의 z축 방향으로의 높이(D4)보다 클 수 있다.For example, when the x-axis length of each of the inlet IH and the outlet OH is equal to the x-axis length of each of the first opening OP1 and the second opening OP2, the inlet IH and the outlet OH The height D2 in the z-axis direction is larger than the width D1 in the y-axis direction of the first opening OP1 and larger than the height D4 in the z-axis direction of the second opening OP2 .

또한, 예를 들어, 유로 입구부(FI)와 유로 출구부(FO)와 제2 개구부(OP2) 각각이 원형 측단면 형상을 갖고, 제1 개구부(OP1)가 원형 평면 형상을 가질 경우, 유입구(IH) 및 유출구(OH) 각각의 직경(D2)은 제1 개구부(OP1)의 직경(D1)보다 크고 제2 개구부(OP2)의 직경(D4)보다 클 수 있다.For example, when the flow path inlet portion FI, the flow path outlet portion FO, and the second opening portion OP2 each have a circular cross-sectional shape and the first opening portion OP1 has a circular planar shape, The diameter D2 of each of the inlet port IH and the outlet port OH may be larger than the diameter D1 of the first opening OP1 and larger than the diameter D4 of the second opening OP2.

유입구(IH)의 높이(또는, 직경)(D2)은 1 ㎜ 내지 15 ㎜, 예를 들어, 2 ㎜ 내지 8 ㎜ 바람직하게는 3 ㎜ 내지 4 ㎜ 예를 들어, 3.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 또한, 유출구(OH)의 높이(또는, 직경)은 5 ㎜ 내지 25 ㎜, 예를 들어, 8 ㎜ 내지 15 ㎜ 바람직하게는 10 ㎜ 내지 12 ㎜ 예를 들어, 11 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The height (or diameter) D2 of the inlet IH may be from 1 mm to 15 mm, for example from 2 mm to 8 mm, preferably from 3 mm to 4 mm, for example 3.5 mm, Is not limited to this. The height (or diameter) of the outlet OH may also be 5 mm to 25 mm, for example 8 mm to 15 mm, preferably 10 mm to 12 mm, for example 11 mm, But is not limited thereto.

또는, 예를 들어, 유입구(IH) 및 유출구(OH) 각각의 x축 길이와 제1 개구부(OP1) 및 제2 개구부(OP2) 각각의 x축 길이가 동일할 때, 유입 경로 및 유출 경로 각각의 z축 방향으로의 가장 높은 높이는 제1 개구부(OP1)의 y축 방향으로의 폭(D1)보다 크고 제2 개구부(OP2)의 z축 방향으로의 높이(D4)보다 클 수 있다.Or, for example, when the x-axis length of each of the inlet IH and the outlet OH is equal to the x-axis length of each of the first opening OP1 and the second opening OP2, Axis direction may be larger than the width D1 in the y-axis direction of the first opening OP1 and greater than the height D4 in the z-axis direction of the second opening OP2.

또한, 예를 들어, 유로 입구부(FI), 유로 출구부(FO) 및 제2 개구부(OP2) 각각이 원형 측단면 형상을 갖고, 제1 개구부(OP1)가 원형 평면 형상을 가질 경우, 유입 경로 및 유출 경로 각각에서 가장 큰 직경은 제1 개구부(OP1)의 직경(D1)보다 크고 제2 개구부(OP2)의 직경(D4)보다 클 수 있다.In addition, for example, when each of the flow path inlet part FI, the flow path outlet part FO and the second opening part OP2 has a circular cross-sectional shape and the first opening part OP1 has a circular plan shape, The largest diameter in each of the path and the outflow path may be larger than the diameter D1 of the first opening OP1 and larger than the diameter D4 of the second opening OP2.

한편, 다시 도 1을 참조하면, 수광부(130)는 입자(P)에서 산란된 광을 정확하게 감지하기 위해 다양한 구조를 가질 수 있다. 도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 수광부(130A)는 도 1에 도시된 수광부(130)의 일 실시 예에 해당한다.Referring again to FIG. 1, the light receiving unit 130 may have various structures for accurately detecting scattered light from the particles P. The light receiving unit 130A shown in FIGS. 3, 5, and 7 corresponds to the light receiving unit 130 shown in FIG.

도 9는 도 3에 도시된 'C' 부분을 확대 도시한 단면도이다.9 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'C' shown in FIG.

도 3 및 도 9를 참조하면, 수광부(130A)는 투광성 부재(132) 및 광 감지부(134)를 포함할 수 있다. 또한, 수광부(130A)는 광 가이드부(136A)를 더 포함할 수도 있으나, 경우에 따라, 광 가이드부(136A)는 생략될 수도 있다.3 and 9, the light receiving unit 130A may include a light transmitting member 132 and a light sensing unit 134. [ The light receiving portion 130A may further include a light guide portion 136A, but in some cases, the light guide portion 136A may be omitted.

투광성 부재(132)는 광을 투광시킬 수 있는 재질로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 유리로 구현될 수 있다. 투광성 부재(132)는 제1 면(132-1) 및 제2 면(132-2)을 포함할 수 있다. 제1 면(132-1)은 산란부(SS)와 대향하는 투광성 부재(132)의 윗면(즉, 탑면)에 해당하고, 제2 면(132-2)은 제1 면(132-1)의 반대측 면으로서 투광성 부재(132)의 아랫면(즉, 바닥면)에 해당할 수 있다.The light-transmissive member 132 may be formed of a material capable of transmitting light, and may be embodied as glass, for example. The light transmitting member 132 may include a first surface 132-1 and a second surface 132-2. The first surface 132-1 corresponds to the top surface (i.e., the top surface) of the light transmitting member 132 facing the scattering section SS and the second surface 132-2 corresponds to the first surface 132-1. (That is, the bottom surface) of the light transmitting member 132 as the opposite surface of the light transmitting member 132. [

광 감지부(134)와 광 가이드부(136A)는 투광성 부재(132)의 광축 주변에 배치될 수 있다. 광 감지부(134)와 광 가이드부(136A)는 투광성 부재(132)의 서로 상반되는 면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치되고, 광 가이드부(136A)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치될 수 있다. 또는, 도 9에 도시된 바와 달리, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치되고, 광 가이드부(136A)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치될 수도 있다. 이하, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치되고, 광 가이드부(136A)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치되는 것으로 설명하지만 그 반대의 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있다.The light sensing part 134 and the light guide part 136A may be disposed around the optical axis of the light transmitting member 132. [ The light sensing part 134 and the light guide part 136A may be disposed on mutually opposing surfaces of the light transmitting member 132. [ 9, the light sensing part 134 is disposed on the second surface 132-2 of the light transmissive member 132, and the light guiding part 136A is disposed on the second surface 132-2 of the light transmissive member 132. [ And may be disposed on the first surface 132-1. 9, the light sensing portion 134 is disposed on the first surface 132-1 of the light transmitting member 132 and the light guiding portion 136A is disposed on the second surface 132-1 of the light transmitting member 132, May be disposed on the surface 132-2. The light sensing portion 134 is disposed on the second surface 132-2 of the light transmitting member 132 and the light guiding portion 136A is disposed on the first surface 132-1 of the light transmitting member 132 The following explanation can be applied to the case of the reverse.

광 감지부(134)는 투광성 부재(132) 아래에서 광축(LX)의 주변에 배치되며, 산란부(SS)에서 입자(P)에 의해 산란된 후 수광 입사부(OP3)를 통해 입사된 광을 센싱할 수 있다. 수광 입사부에 대해서는 후술된다.The light sensing unit 134 is disposed around the optical axis LX under the light transmissive member 132 and is scattered by the particles P at the scattering unit SS and then incident on the light receiving unit OP3 through the light receiving unit OP3. Can be sensed. The light receiving incidence portion will be described later.

도 10은 도 9에 도시된 광 감지부(134)의 일 실시 예(134A)의 평면 형상을 나타낸다.FIG. 10 shows a planar shape of an embodiment 134A of the light sensing part 134 shown in FIG.

도 10을 참조하면, 광 감지부(134A)는 중앙부(134-1) 및 포토 다이오드(134-2)를 포함할 수 있다. 중앙부(134-1)는 산란부(SS)를 통과한 메인 광을 통과시켜 광 흡수부(144)로 보내기 위해, 광축(LX)에 위치하며 투광성을 갖는 재질로 구현될 수 있다. 예를 들어, 중앙부(134-1)는 유리로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 10, the light sensing unit 134A may include a center portion 134-1 and a photodiode 134-2. The central portion 134-1 may be formed of a material having a light transmitting property and located on the optical axis LX so as to pass the main light passing through the scattering portion SS to the light absorbing portion 144. [ For example, the central portion 134-1 may be made of glass.

또한, 중앙부(134-1)는 광 흡수부(144)의 광 입구(OPL)를 덮을 수 있다. 이와 같이, 중앙부(134-1)가 광 입구(OPL)를 덮을 경우, 광 흡수부(144)로 입자나 이물질의 침투가 방지될 수 있고, 산란부(SS)를 통과한 입자(P)가 광 흡수부(144)로 진입하는 것을 방지할 수 있어, 유로부(120A)에서의 입자(P)의 흐름이 원활해지고 측정 오차도 줄어들 수도 있다.The central portion 134-1 may cover the light entrance OPL of the light absorbing portion 144. [ As described above, when the center portion 134-1 covers the light entrance OPL, the penetration of particles or foreign matter into the light absorbing portion 144 can be prevented, and the particles P passing through the scattering portion SS The flow of the particles P in the flow path portion 120A can be smooth and the measurement error can also be reduced.

또한, 포토 다이오드(134-2)를 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치할 경우, 이물질로 인한 포토 다이오드(132-2)의 손상도 막을 수 있다.In addition, when the photodiode 134-2 is disposed on the second surface 132-2 of the light transmitting member 132, damage to the photodiode 132-2 due to foreign matter can be prevented.

포토 다이오드(134-2)는 중앙부(134-1)의 주변에 배치되고, 입자(P)에 의해 산란된 광을 센싱하는 역할을 한다. 포토 다이오드(134-2)는 일반적인 포토 다이오드의 구조에서 광을 흡수하는 액티브(active) 영역에 해당한다.The photodiode 134-2 is disposed around the center portion 134-1 and serves to sense the light scattered by the particles P. [ The photodiode 134-2 corresponds to an active region for absorbing light in the structure of a general photodiode.

예를 들어, 포토 다이오드(134-2)는 380 ㎚ 내지 1100 ㎚ 파장 대역의 광을 검출할 수 있으나, 실시 예는 포토 다이오드(134-2)에서 검출할 수 있는 특정한 파장 대역에 국한되지 않는다. 또한, 산란광이 잘 센싱될 수 있도록, 포토 다이오드(134-2)는 660 ㎚의 파장 대역에서 0.4A/W의 감도를 갖거나, 450 ㎚에서 0.3 A/W의 감도를 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.For example, the photodiode 134-2 can detect light in the 380 nm to 1100 nm wavelength band, but the embodiment is not limited to a specific wavelength band that can be detected by the photodiode 134-2. The photodiode 134-2 may have a sensitivity of 0.4 A / W at a wavelength band of 660 nm or a sensitivity of 0.3 A / W at 450 nm so that scattered light can be well sensed, Is not limited to this.

도 10을 참조하면, 광 감지부(134A)의 폭(W1)은 5 ㎜ 내지 20 ㎜ 예를 들어, 7 ㎜ 내지 15 ㎜, 바람직하게는 8 ㎜ 내지 10 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.10, the width W1 of the light sensing portion 134A may be between 5 mm and 20 mm, for example between 7 mm and 15 mm, preferably between 8 mm and 10 mm, It does not.

또한, 중앙부(134-1)의 폭(W2)은 3 ㎜ 내지 18 ㎜ 예를 들어, 5 ㎜ 내지 13 ㎜ 바람직하게는 7 ㎜ 내지 9 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The width W2 of the central portion 134-1 may be 3 mm to 18 mm, for example, 5 mm to 13 mm, and preferably 7 mm to 9 mm, but the embodiment is not limited to this.

또한, 포토 다이오드(134-2)의 평면상에서의 폭(W3)은 0.1 ㎜ 내지 5 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜ 내지 3 ㎜ 바람직하게는 1.5 ㎜ 내지 2.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the width W3 of the photodiode 134-2 on the plane may be 0.1 mm to 5 mm, for example, 1 mm to 3 mm, preferably 1.5 mm to 2.5 mm, Do not.

또한, 비록 도시되지는 않았지만, 도 9에 도시된 광 감지부(134)는 도 10에 도시된 바와 다른 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 10에 도시된 포토 다이오드(134-2)의 평면 형상은 원형 고리 형상이지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 광 감지부(134)가 중앙부(134-1)를 포함할 수 있다면, 포토 다이오드(134-2)는 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 포토 다이오드(134-2)는 원형 고리 형상 대신에, 장방형 고리 형상, 정방형 고리 형상, 삼각형 고리 형상 등의 다각형 고리 형상이거나 타원형 고리 형상일 수도 있다.In addition, although not shown, the light sensing part 134 shown in FIG. 9 may have various planar shapes as shown in FIG. For example, the planar shape of the photodiode 134-2 shown in Fig. 10 is circular, but the embodiment is not limited thereto. If the light sensing portion 134 can include the central portion 134-1, the photodiode 134-2 can have various planar shapes. For example, instead of the circular ring shape, the photodiode 134-2 may have a polygonal ring shape such as a rectangular ring shape, a square ring shape, a triangular ring shape, or an elliptic ring shape.

도 11은 도 9에 도시된 광 감지부(134)의 또 다른 실시 예(134B)의 평면 형상을 나타낸다.Fig. 11 shows a planar shape of another embodiment 134B of the light sensing part 134 shown in Fig.

포토 다이오드(134-2)는 동일 평면상에서 서로 이격되어 배치된 복수의 감지 세그먼트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 11에 예시된 바와 같이 포토 다이오드(134-2)는 서로 이격되어 배치된 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)를 포함할 수 있다.The photodiode 134-2 may include a plurality of sensing segments spaced apart from one another on the same plane. For example, as illustrated in FIG. 11, the photodiode 134-2 may include a plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 spaced from one another .

포토 다이오드(134-2)가 다각형 또는 타원형 고리 형상인 경우에도 도 11에 도시된 바와 같이, 서로 이격되어 배치된 복수의 감지 세그먼트로 나뉘어질 수 있다.Even when the photodiode 134-2 is polygonal or elliptical, it may be divided into a plurality of sensing segments arranged separately from each other, as shown in FIG.

또한, 도 11에 예시된 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)는 등간격 또는 서로 다른 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)의 이격된 간격(G)이 클수록, 신호 레벨이 증가하여 디자인 자유도가 증가할 수 있다. 예를 들어, 간격(G)은 0.01 ㎜ 내지 1 ㎜ 예를 들어, 0.1 ㎜ 내지 0.5 ㎜ 바람직하게는 0.15 ㎜ 내지 0.25 ㎜일 수 있으나 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Also, the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 illustrated in FIG. 11 may be spaced apart at equal intervals or at different intervals. For example, the larger the spaced distance G of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24, the higher the signal level and the greater the degree of design freedom. For example, the spacing G may be from 0.01 mm to 1 mm, for example from 0.1 mm to 0.5 mm, preferably from 0.15 mm to 0.25 mm, although the embodiments are not limited in this respect.

또한, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)는 서로 동일한 평면적을 가질 수도 있고, 서로 다른 평면적을 가질 수도 있다.In addition, the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 may have the same planarity with each other, or may have different planarities.

또한, 도 10 또는 도 11에 예시된 광 감지부(134A 또는 134B)는 평면상에서 대칭으로 배치될 수도 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 다른 실시 예에 의하면, 광 감지부(134A 또는 134B)는 평면상에서 비대칭으로 배치될 수도 있다.In addition, the light sensing portions 134A and 134B illustrated in FIG. 10 or 11 may be arranged symmetrically on a plane, but the embodiments are not limited thereto. According to another embodiment, the light sensing portion 134A or 134B may be arranged asymmetrically in a plane.

또한, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)는 평면상에서 대칭 또는 비대칭으로 배치될 수 있다.Further, the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 may be arranged symmetrically or asymmetrically on a plane.

도 11에 도시된 폭(W1, W2, W3)은 도 10에서 설명한 내용이 적용될 수 있다.The widths W1, W2, and W3 shown in FIG. 11 may be those described with reference to FIG.

예를 들어, 포토 다이오드(134-2)와 마찬가지로 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24) 각각은 380 ㎚ 내지 1100 ㎚ 파장 대역의 광을 검출할 수 있으나, 실시 예는 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)에서 검출할 수 있는 특정한 파장 대역에 국한되지 않는다. 또한, 산란광이 잘 센싱될 수 있도록, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24) 각각은 660 ㎚의 파장 대역에서 0.4A/W의 감도를 갖거나, 450 ㎚에서 0.3 A/W의 감도를 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.For example, like the photodiode 134-2, each of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 can detect light in the 380 nm to 1100 nm wavelength band , The embodiment is not limited to a specific wavelength band that can be detected in the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, 134-24. Each of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 has a sensitivity of 0.4 A / W in a wavelength band of 660 nm, or a sensitivity of 0.4 Nm to 0.3 A / W, but the embodiment is not limited to this.

도 11에 예시된 바와 같이, 포토 다이오드(134-2)가 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)로 이격되어 배치될 경우, 정보 분석부(142)는 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24) 각각에서 센싱된 결과의 상대적 크기를 이용하여 입자의 형상을 예측할 수 있다.As illustrated in FIG. 11, when the photodiode 134-2 is disposed apart from the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24, Can predict the shape of the particle using the relative magnitude of the sensed results in each of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, 134-24.

만일, 입자(P)의 형상이 대칭형 예를 들어 구형일 경우, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24) 각각 에서 감지된 산란 광의 세기는 서로 동일하다. 이와 같이, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)에서 감지된 광의 세기가 서로 동일할 경우, 정보 분석부(142)는 입자(P)가 대칭 형상을 갖는 것으로 결정할 수 있다.If the shape of the particles P is symmetrical, for example spherical, the intensities of scattered light detected in each of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 are equal to each other. Thus, when the intensities of light sensed by the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 are equal to each other, the information analysis unit 142 determines that the particles P have a symmetric shape .

반면에, 입자(P)의 형상이 비대칭형 예를 들어 비구형일 경우, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24) 각각에서 감지된 산란광의 세기는 서로 다르다. 이와 같이, 복수의 감지 세그먼트(134-21, 134-22, 134-23, 134-24)에서 감지된 광의 세기가 서로 다를 경우, 정보 분석부(142)는 입자(P)가 비대칭 형상을 갖는 것으로 결정할 수 있다. 그 밖에도 입자의 다양한 형상을 예측하기 위해, 복수의 감지 세그먼트의 분할된 형태와 분할된 개수가 변할 수 있음은 물론이다.On the other hand, when the shape of the particles P is asymmetric, for example, non-spherical, the intensity of scattered light detected in each of the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 is different . When the intensities of light sensed by the plurality of sensing segments 134-21, 134-22, 134-23, and 134-24 are different from each other, the information analyzer 142 determines that the particles P have an asymmetric shape . It goes without saying that, in order to predict various shapes of the particles, the divided shape and the number of the divided segments of the plurality of sensing segments can be changed.

발광부(110A)의 광원(112A)과 마찬가지로 전술한 수광부(130A)의 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)의 패키징 형태는 SMD 형태나 리드 타입으로 구현될 수 있다. 그러나, 실시 예는 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)의 특정한 패키징 형태에 국한되지 않는다.The packaging form of the photodiodes 134-2 and 134-21 to 134-24 of the light receiving unit 130A described above may be implemented as an SMD type or a lead type as in the light source 112A of the light emitting unit 110A. However, the embodiment is not limited to the specific packaging form of the photodiodes 134-2, 134-21 to 134-24.

한편, 수광 입사부는 산란부(SS)와 수광부(130A) 사이에 배치되어 수광부(130A)로 입사되는 광의 량을 조정하는 역할을 수행할 수 있다. 이를 위해, 도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이 수광 입사부는 광축(LX)에 배치된 제3 개구부(OP3)를 포함할 수 있다.On the other hand, the light receiving incidence portion is disposed between the scattering portion SS and the light receiving portion 130A, and can adjust the amount of light incident on the light receiving portion 130A. 3, 5, and 7, the light receiving incidence portion may include a third opening OP3 disposed on the optical axis LX.

제3 개구부(OP3)는 산란부(SS)에서 입자(P)에 의해 산란된 광의 전체량의 20% 내지 80%를 수광부(130A)로 입사시키기에 적합한 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)을 가질 수 있다.The third opening OP3 is an area suitable for entering 20% to 80% of the total amount of light scattered by the particles P in the scattering part SS to the light receiving part 130A Axial area).

예를 들어, 산란부(SS)에서 입자(P)에 의해 산란된 광 중에서 광축(LX)을 기준으로 산란부(SS)의 중심에서 후술되는 제5 개구부(OP5)까지가 좌우 12°일 경우, 즉, 도 3, 도 5 및 도 7에 각각 도시된 소정 각도(θ)가 24°일 경우 입자(P)에서 산란된 전체 광의 20%가 수광부(130A)로 입사될 수 있으며, 소정 각도(θ)가 60°(즉, 광축(LX)을 기준으로 좌우 30°)일 경우 입자(P)에서 산란된 전체 광의 50%가 수광부(130A)로 입사될 수 있다. 이를 고려할 때, 실시 예에 의하면, 제3 개구부(OP3)는 입자(P)에 의해 산란된 광 중에서 광축(LX)을 기준으로 좌우 합한 각도 즉, 소정 각도(θ)가 24° 내지 60° 예를 들어, 광축(LX)을 기준으로 좌우 30°의 범위에 있는 광이 수광부(130A)로 입사되기에 적합한 면적을 가질 수 있다. 이와 같이, 제3 개구부(OP3)의 면적을 조정함으로써, 수광부(130A)로 입사되는 광의 량이 조정될 수 있음을 알 수 있다.For example, in the light scattered by the particles P from the scattering unit SS, the distance from the center of the scattering unit SS to the fifth opening OP5, which will be described later, with respect to the optical axis LX is 12 degrees , That is, 20% of the total light scattered in the particles P can be incident on the light receiving portion 130A when the predetermined angle? Shown in FIGS. 3, 5 and 7 is 24 °, 50% of the total light scattered in the particles P can be incident on the light receiving portion 130A when the angle? is 60 degrees (i.e., left and right 30 degrees with respect to the optical axis LX). In consideration of this, in the third opening OP3, the left angle of the light scattered by the particles P with respect to the optical axis LX, that is, the predetermined angle? Is 24 ° to 60 ° The light receiving portion 130A can have an area suitable for the light in the range of 30 degrees to the left and right with respect to the optical axis LX. As described above, it can be seen that the amount of light incident on the light receiving portion 130A can be adjusted by adjusting the area of the third opening OP3.

또한, 도 4a, 도 6a 및 도 8a를 참조하면, 제3 개구부(OP3)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)은 제1 개구부(OP1)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)과 다를 수 있다. 예를 들어, 제3 개구부(OP3)가 원형 평면 형상을 가질 경우, 제3 개구부(OP3)의 직경(D3)이 10 ㎜보다 클 경우 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)의 면적보다 많은 산란 광이 유입되어 광 노이즈가 발생할 수 있다. 또한, 제3 개구부(OP3)의 직경(D3)이 2 ㎜보다 작을 경우 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)에서 산란광을 받는 량이 줄어들어 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)에서 감지된 신호의 크기가 작을 수 있다. 따라서, 제3 개구부(OP3)의 직경(D3)은 1 ㎜ 내지 12 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜ 내지 6 ㎜ 바람직하게는 2 ㎜ 내지 4 ㎜ 예를 들어, 3 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.4A, 6A and 8A, the area of the third opening OP3 (for example, the area in the x-axis and the y-axis direction) is larger than the area of the first opening OP1 (for example, the area in the x-axis direction and the y-axis direction). For example, when the third opening OP3 has a circular planar shape and the diameter D3 of the third opening OP3 is larger than 10 mm, the photodiodes 134-2, 134-21 to 134-24, Scattered light may be introduced into the photodiode, resulting in light noise. Further, when the diameter D3 of the third opening OP3 is smaller than 2 mm, the amount of scattered light received by the photodiodes 134-2 and 134-21 to 134-24 is reduced and the photodiodes 134-2 and 134-21 To 134-24 may be small in size. Therefore, the diameter D3 of the third opening OP3 may be from 1 mm to 12 mm, for example from 1 mm to 6 mm, preferably from 2 mm to 4 mm, for example 3 mm, It is not limited.

한편, 다시 도 9를 참조하면, 광 가이드부(136A)는 산란부(SS)에서 산란된 광을 광 감지부(134)로 가이드하는 역할을 한다. 이를 위해, 예를 들어 광 가이드부(136A)는 내측 격벽(136-1, 136-2)과 외측 격벽(136-3, 136-4)을 포함할 수 있다. 만일, 내측 격벽(136-1, 136-2)이 원형 평면 형상을 가질 경우 내측 격벽(136-1, 136-2)은 일체이고, 외측 격벽(136-3, 136-4)이 원형 평면 형상을 가질 경우 외측 격벽(136-3, 136-4)은 일체일 수 있다.Referring again to FIG. 9, the light guide unit 136A guides the light scattered by the scattering unit SS to the light sensing unit 134. Referring to FIG. For this purpose, for example, the light guide portion 136A may include inner side walls 136-1 and 136-2 and outer side walls 136-3 and 136-4. If the inner partitions 136-1 and 136-2 have a circular planar shape, the inner partitions 136-1 and 136-2 are integral, and the outer partitions 136-3 and 136-4 are circular, The outer side walls 136-3 and 136-4 may be integral with each other.

내측 격벽(136-1, 136-2)은 광축(LX)과 나란한 방향(예를 들어, z축 방향)으로 광 흡수부(144)의 광입구(OPL)와 중첩되는 제4 개구부(OP4)를 정의할 수 있다. 내측 격벽(136-1, 136-2)은 제3 개구부(OP3)를 통과한 산란된 광이 제5 개구부(OP5)로 진행하고, 제3 개구부(OP3)를 통과한 메인 광이 제4 개구부(OP4)로 진행함을 허용하는 높이(H1)를 가질 수 있다. 즉, 내측 격벽(136-1, 136-2)은 메인 광과 산란광을 분리하는 역할을 한다.The inner side walls 136-1 and 136-2 have a fourth opening OP4 overlapping the light entrance OPL of the light absorbing portion 144 in a direction parallel to the optical axis LX Can be defined. The scattered light having passed through the third opening OP3 proceeds to the fifth opening OP5 and the main light passing through the third opening OP3 passes through the third opening OP3, Lt; RTI ID = 0.0 > OP1. ≪ / RTI > That is, the inner partitions 136-1 and 136-2 serve to separate the main light and the scattered light.

내측 격벽(136-1, 136-2)의 높이(H1)는 1 ㎜ 내지 15 ㎜ 예를 들어, 2 ㎜ 내지 10 ㎜ 바람직하게는 3 ㎜ 내지 6 ㎜ 예를 들어, 5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The height H1 of the inner side walls 136-1 and 136-2 may be 1 mm to 15 mm, for example, 2 mm to 10 mm, preferably 3 mm to 6 mm, for example, 5 mm, Examples are not limited to these.

외측 격벽(136-3, 136-4)은 광축(LX)과 나란한 방향(예를 들어, z축 방향)으로 포토 다이오드(134-2)와 중첩되는 제5 개구부(OP5)를 내측 격벽(136-1, 136-2)과 함께 정의할 수 있다.The outer side walls 136-3 and 136-4 are connected to the fifth opening OP5 overlapping the photodiode 134-2 in the direction parallel to the optical axis LX -1, 136-2).

제5 개구부(OP5)의 폭(W4)은 0.1 ㎜ 내지 6 ㎜ 예를 들어, 0.5 ㎜ 내지 3 ㎜ 바람직하게는 0.8 ㎜ 내지 1.5 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The width W4 of the fifth opening OP5 may be 0.1 mm to 6 mm, for example, 0.5 mm to 3 mm, preferably 0.8 mm to 1.5 mm, for example, 1 mm, Do not.

전술한 바와 같이 내측 격벽(136-1, 136-2)과 외측 격벽(136-3, 136-4)이 배치될 경우, 도 3에 화살표로 표기한 바와 같이, 제3 개구부(OP3)로 입사된 산란광이 광 감지부(134)의 포토 다이오드(134-2)로 진행할 수 있으며, 제3 개구부(OP3)로 입사된 메인 광이 광 흡수부(144)를 향해 진행할 수 있다.When the inner partitions 136-1 and 136-2 and the outer partitions 136-3 and 136-4 are disposed as described above, as indicated by the arrow in FIG. 3, the third part OP3 Scattered light can proceed to the photodiode 134-2 of the light sensing part 134 and the main light incident on the third opening OP3 can proceed toward the light absorbing part 144. [

한편, 수광부(130A)는 감지 지지부(138)를 더 포함할 수도 있으나, 경우에 따라, 감지 지지부(138)는 생략될 수도 있다.Meanwhile, the light receiving portion 130A may further include the sensing support portion 138, but in some cases, the sensing support portion 138 may be omitted.

감지 지지부(138)는 광 감지부(134)를 지지하는 역할을 하며, 도 3에 도시된 바와 같이 하우징(170)의 버텀부(176)와 별개로 구현될 수도 있고 도시된 바와 달리 하우징(170)의 버텀부(176)와 일체로 구현될 수도 있다.The sensing support portion 138 serves to support the light sensing portion 134 and may be implemented separately from the bottom portion 176 of the housing 170 as shown in FIG. And the bottom portion 176 of the first embodiment.

한편, 일 실시 예에 의하면, 도 3에 예시된 바와 같이 광 흡수부(144)는 돌출부(144A) 및 흡수 케이스(144B)를 포함할 수 있다. 흡수 케이스(144B)는 수광부(130A)를 통과한 광이 입사되는 광 입구(OPL)를 정의하며, 수광부(130A)를 통과한 메인 광을 수용하는 역할을 한다. 광 입구(OPL)의 폭(예를 들어, y축 방향으로의 폭)은 2 ㎜ 내지 15 ㎜ 예를 들어, 3 ㎜ 내지 10 ㎜ 바람직하게는 4 ㎜ 내지 6 ㎜ 예를 들어, 5.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Meanwhile, according to one embodiment, as illustrated in FIG. 3, the light absorbing portion 144 may include a protrusion 144A and an absorption case 144B. The absorption case 144B defines a light entrance OPL through which the light passing through the light receiving unit 130A is incident and serves to receive the main light passing through the light receiving unit 130A. The width (for example, the width in the y-axis direction) of the light entrance OPL may be 2 mm to 15 mm, for example, 3 mm to 10 mm, preferably 4 mm to 6 mm, However, the embodiment is not limited to this.

이를 위해, 흡수 케이스(144B)의 내벽은 광 흡수성을 갖는 물질로 도포될 수 있다. 도 3의 경우, 흡수 케이스(144B)와 하우징(170)의 버텀부(176)는 별개인 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 후술되는 입자 센싱 장치(100D)에서와 같이, 하우징(170)의 버텀부(176)와 흡수 케이스(144B)는 일체형일 수 있다. 즉, 하우징(170)의 버텀부(176)는 흡수 케이스(144B)의 역할도 수행할 수 있다.To this end, the inner wall of the absorption case 144B may be coated with a material having a light absorbing property. In the case of FIG. 3, the absorption case 144B and the bottom portion 176 of the housing 170 are illustrated as being distinct, but the embodiment is not limited thereto. That is, as in the particle sensing apparatus 100D described later, the bottom portion 176 of the housing 170 and the absorption case 144B may be integrated. That is, the bottom portion 176 of the housing 170 can also serve as the absorption case 144B.

또한, 돌출부(144A)는 흡수 케이스(144B)의 바닥면으로부터 광 입구(OPL)를 향해 돌출된 형상을 가질 수 있다. 또한, 돌출부(144A)의 폭은 흡수 케이스(144B)의 바닥면으로부터 광입구(OPL)로 갈수록 좁아질 수 있다. 예를 들어, 도 3에 예시된 바와 같이 돌출부(144A)는 원(추)형 단면 형상을 가질 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 이와 같이, 돌출부(144A)가 배치될 경우, 광 입구(OPL)로 입사된 메인 광이 흡수 케이스(144B)의 내벽에서 반사되어 광 입구(OPL)로 빠져 나가는 것이 방지되고, 광 입구(OPL)를 통해 입사된 메인 광을 흡수 케이스(144B)의 내벽으로 반사시킴으로써, 광 입구(OPL)로 입사된 메인 광의 흡수율을 개선시킬 수 있다.The protrusion 144A may have a shape protruding from the bottom surface of the absorption case 144B toward the light inlet OPL. Further, the width of the protruding portion 144A may become narrower from the bottom surface of the absorption case 144B toward the light inlet OPL. For example, as illustrated in FIG. 3, the protrusion 144A may have a circular cross-sectional shape, but the embodiment is not limited thereto. When the protrusion 144A is disposed, the main light incident on the light entrance OPL is prevented from being reflected by the inner wall of the absorption case 144B and escaping to the light entrance OPL, The absorption rate of the main light incident on the light entrance OPL can be improved by reflecting the main light incident through the light entrance OPL to the inner wall of the absorption case 144B.

도 12는 도 1에 도시된 입자 센싱 장치(100)의 또 다른 실시 예(100D)에 의한 단면도를 나타내고, 도 13은 도 12에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 측면도를 나타내고, 도 14은 도 12에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 상측 사시도를 나타내고, 도 15는 도 14에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 좌측 사시도를 각각 나타내고, 도 16은 도 14에 도시된 I-I'선을 따라 절개한 평면도를 나타낸다.Fig. 12 shows a sectional view by another embodiment 100D of the particle sensing device 100 shown in Fig. 1, Fig. 13 shows a side view of the particle sensing device 100D shown in Fig. 12, Fig. 15 is a left perspective view of the particle sensing device 100D shown in Fig. 14, Fig. 16 is a perspective view of the particle sensing device IOO 'shown in Fig. 14, Fig.

도 12 내지 도 16에서 도 3 내지 도 11에 도시된 바와 다른 부분에 대해서만 살펴본다. 따라서, 이하에서 설명되는 부분 이외에 도 12 내지 도 16에 대해 설명되지 않은 부분은 도 3 내지 도 11에 대한 설명이 적용될 수 있음은 물론이다.Only the portions other than those shown in Figs. 12 to 16 and Figs. 3 to 11 will be described. Therefore, it is needless to say that the description of FIGS. 3 to 11 can be applied to portions other than those described below and not described with reference to FIGS.

도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 입자 센싱 장치(100A, 100B, 100C)에서 광원부(112A)의 패키징 형태가 SMD 타입인 반면, 도 12 내지 도 15에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 광원부(112B)는 돔 형태(또는, Through hole type) 형태의 LED일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 예를 들어, 돔 타입의 발광부(110B)의 직경(φ)은 3 ㎜ 내지 5 ㎜이고, view angle은 20°이하 일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In the particle sensing apparatuses 100A, 100B and 100C shown in Figs. 3, 5 and 7, the packaging form of the light source unit 112A is SMD type, while the particle sensing apparatus 100D shown in Figs. The light source portion 112B may be a dome-shaped (or through-hole type) LED, but the embodiment is not limited thereto. For example, the diameter φ of the dome type light emitting portion 110B may be 3 mm to 5 mm, and the view angle may be 20 ° or less, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 포토 다이오드(134-2)의 동작 온도는 -10 ℃ 내지 50 ℃일 수 있으나, 실시 예는 포토 다이오드(134-2)의 특정한 동작 온도에 국한되지 않는다.In addition, the operating temperature of the photodiode 134-2 may be -10 DEG C to 50 DEG C, but the embodiment is not limited to the specific operating temperature of the photodiode 134-2.

도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 입자 센싱 장치(100A, 100B, 100C)의 렌즈부(114A)는 하나의 렌즈만을 포함하는 반면, 도 12 내지 도 15에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 렌즈부(114B)는 제1 및 제2 렌즈(114B-1, 114B-2)를 포함할 수 있다. 제1 렌즈(114B-1)는 광원부(112B)로부터 방출된 광을 평행광으로 변환시키는 역할을 하고, 제2 렌즈(114B-2)는 제1 렌즈(114B-1)로부터 출사되는 평행광을 제1 개구부(OP1)로 집광시키는 역할을 수행할 수 있다.The lens portion 114A of the particle sensing devices 100A, 100B, and 100C shown in Figs. 3, 5, and 7 includes only one lens, whereas the particle sensing device 100D shown in Figs. The lens portion 114B of the first lens 114B-1 may include first and second lenses 114B-1 and 114B-2. The first lens 114B-1 serves to convert the light emitted from the light source portion 112B into parallel light and the second lens 114B-2 serves to convert the parallel light emitted from the first lens 114B- And can condense light to the first opening OP1.

도 3, 도 5 및 도 7에 도시된 입자 센싱 장치(100A, 100B, 100C)의 경우, 하우징(170)의 탑부(172)와 발광 케이스(116)가 별개인 반면, 도 12 내지 도 15에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 경우 하우징(170)의 탑부(172)와 발광 케이스(116)는 일체형이다. 즉, 하우징(170)의 탑부가 발광 케이스(116)의 역할을 수행함을 알 수 있다.In the case of the particle sensing apparatuses 100A, 100B and 100C shown in Figs. 3, 5 and 7, the tower portion 172 of the housing 170 and the light emitting case 116 are different, In the case of the particle sensing device 100D shown, the top portion 172 of the housing 170 and the light emitting case 116 are integral. That is, it can be seen that the top portion of the housing 170 serves as the light emitting case 116.

도 12 내지 도 15에 도시된 입자 센싱 장치(100D)의 유로부(120C)는 도 7 및 도 8a에 도시된 유로부(120C)와 마찬가지로 더블 노즐(DN)의 구조를 가질 수 있다. 따라서, 도 12 내지 도 15에 도시된 유로부(120C)의 중복되는 설명을 도 7 및 도 8a에 대한 유로부(120C)의 설명으로 대신한다.The flow path portion 120C of the particle sensing device 100D shown in Figs. 12 to 15 may have the structure of the double nozzle DN like the flow path portion 120C shown in Figs. 7 and 8A. Therefore, the description of the flow path portion 120C shown in Figs. 12 to 15 is replaced by the description of the flow path portion 120C shown in Figs. 7 and 8A.

도 12에서, 출구측 유로 중간부(FII2)의 최소폭(D5)은 1 ㎜ 내지 15 ㎜, 예를 들어, 2 ㎜ 내지 8 ㎜ 바람직하게는 3 ㎜ 내지 5 ㎜, 예를 들어, 4 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.12, the minimum width D5 of the outlet-side flow path middle portion FII2 is 1 mm to 15 mm, for example, 2 mm to 8 mm, preferably 3 mm to 5 mm, for example, 4 mm But the embodiment is not limited thereto.

도 17은 도 12에 도시된 'D' 부분을 확대 도시한 단면도이다.17 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'D' shown in FIG.

도 17을 참조하면, 수광 입사부(190)는 광 유도부(192), 커버 투광부(194) 및 광 차단부(196)를 포함할 수 있다.17, the light receiving incidence portion 190 may include a light guiding portion 192, a cover transparent portion 194, and a light intercepting portion 196.

광 유도부(192)는 산란부(SS)와 수광부(130B) 사이에 배치되어, 제3 개구부(OP3)를 정의할 수 있다. 여기서, 제3 개구부(OP3)의 특징은 도 3을 참조하여 전술한 제3 개구부(OP3)의 특징과 동일할 수 있다. 즉, 제3 개구부(OP3)는 산란부(SS)에서 입자(P)에 의해 산란된 광의 전체량의 20% 내지 80%가 수광부(130B)로 입사되기에 적합한 면적(예를 들어, x축 방향으로의 길이와 y축 방향으로의 폭을 갖는 면적)을 가질 수 있다. 또한, 입자(P)에 의해 산란된 광 중에서 광축(LX)을 기준으로 산란부(SS)의 중심에서 제5 개구부(OP5)까지가 좌우 합한 소정 각도(θ)가 24° 내지 60°예를 들어 60°의 범위에 있는 광이 수광부(130B)로 입사되기에 적합하도록, 제3 개구부(OP3)는 면적을 가질 수 있다. 이와 같이, 제3 개구부(OP3)의 면적을 조정함으로써, 수광부(130B)로 입사되는 광의 량이 조정될 수 있음을 알 수 있다.The light guide portion 192 may be disposed between the scattering portion SS and the light receiving portion 130B to define a third opening OP3. Here, the characteristic of the third opening OP3 may be the same as the characteristic of the third opening OP3 described above with reference to Fig. That is, the third opening OP3 is formed in such a manner that 20% to 80% of the total amount of light scattered by the particles P in the scattering section SS is an area suitable for entering the light receiving section 130B Direction and a width in the y-axis direction). In the light scattered by the particles P, the predetermined angle? From the center of the scattering portion SS to the fifth opening OP5 with respect to the optical axis LX is 24 ° to 60 ° The third opening OP3 may have an area such that the light in the range of 60 DEG is suitable for being incident on the light receiving portion 130B. As described above, it is understood that the amount of light incident on the light-receiving portion 130B can be adjusted by adjusting the area of the third opening OP3.

또한, 제3 개구부(OP3)의 면적은 제1 개구부(OP1)의 면적과 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 개구부(OP1)의 면적이 제3 개구부(OP3)의 면적보다 클 수 있다. 이 경우, 발광부(110B)로부터 발생한 광의 초점이 산란부(SS)의 중앙보다 멀게 형성되어 메인 빔으로 인한 측정 오류를 줄일 수 있다.The area of the third opening OP3 may be different from the area of the first opening OP1. For example, the area of the first opening OP1 may be larger than the area of the third opening OP3. In this case, the focal point of the light emitted from the light emitting portion 110B is formed to be farther from the center of the scattering portion SS, so that a measurement error due to the main beam can be reduced.

광 차단부(196)는 산란부(SS)와 광 유도부(192) 사이에 배치되어 제6 개구부(OP6)를 정의할 수 있다. 제6 개구부(OP6)의 폭(W5)을 조정함으로써, 메인 광이 포토 다이오드(134-2)로 입사됨을 차단하거나, 수광부(130B)로 입사되어 광 흡수부(132)로 진행하는 메인 광의 량을 조정할 수 있다.The light blocking portion 196 may be disposed between the scattering portion SS and the light guide portion 192 to define a sixth opening OP6. The width W5 of the sixth opening OP6 is adjusted so that the main light is prevented from entering the photodiode 134-2 or the amount of main light incident on the light receiving portion 130B and traveling to the light absorbing portion 132 Can be adjusted.

제6 개구부(OP6)의 폭(W5)은 1 ㎜ 내지 15 ㎜ 예를 들어, 2 ㎜ 내지 8 ㎜ 바람직하게는 3 ㎜ 내지 4 ㎜ 예를 들어, 3.5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The width W5 of the sixth opening OP6 may be, for example, 1 mm to 15 mm, for example, 2 mm to 8 mm, preferably 3 mm to 4 mm, for example 3.5 mm, Do not.

이와 같이 광 차단부(196)가 배치됨으로써 메인 광이 제5 개구부(OP5)를 통해 광 감지부(134)의 포토 다이오드(134-2)로 진행함이 차단될 수 있다. 여기서, 광 감지부(134)는 모듈 형태로 구현될 수 있다.By disposing the light intercepting portion 196 as described above, the main light can be prevented from proceeding to the photodiode 134-2 of the light sensing portion 134 through the fifth opening OP5. Here, the light sensing unit 134 may be implemented in a module form.

또한, 커버 투광부(194)는 제3 개구부(OP3)와 제6 개구부(OP6) 사이에 배치될 수 있다. 커버 투광부(194)는 수광부(130B)로 이물질이 입사됨을 차단하는 역할을 한다. 커버 투광부(194)가 배치됨으로써, 산란부(SS)를 지나가는 입자(P)가 수광부(130B)로 침투하는 것을 방지할 수 있어 유로부(120C)에서 입자(P)의 흐름이 원활해질 수 있고 측정 오차를 줄일 수 있다. 이 경우 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)과 제2 면(132-2) 중 어느 면에 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)를 형성하더라도 이물질로 인한 포토 다이오드(134-2, 134-21 내지 134-24)의 손상도 막을 수 있다.Further, the cover transparent portion 194 may be disposed between the third opening OP3 and the sixth opening OP6. The cover transparent portion 194 serves to prevent foreign matter from entering the light receiving portion 130B. The arrangement of the cover transparent portion 194 prevents the particles P passing through the scattering portion SS from penetrating into the light receiving portion 130B so that the flow of the particles P in the flow path portion 120C can be smooth And the measurement error can be reduced. In this case, even if the photodiodes 134-2 and 134-21 to 134-24 are formed on either the first surface 132-1 or the second surface 132-2 of the light transmitting member 132, The damage of the photodiodes 134-2 and 134-21 to 134-24 can also be prevented.

도 18은 도 12에 도시된 'E' 부분을 확대 도시한 단면도이다.18 is an enlarged cross-sectional view of the portion 'E' shown in FIG.

도 18에 도시된 광 감지부(134)와 광 가이드부(136B)는 투광성 부재(132)의 광축(LX) 주변에 배치될 수 있다. 광 감지부(132)와 광 가이드부(136B)는 투광성 부재(132)의 서로 상반되는 면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 18에 도시된 바와 같이, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치되고, 광 가이드부(136B)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치될 수 있다. 또는, 도 18에 도시된 바와 달리, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치되고, 광 가이드부(136B)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치될 수도 있다. 여기서, 제1 면(132-1)과 제2 면(132-2)은 도 9에 대한 전술한 설명에서 정의된 바와 같다. 이하, 광 감지부(134)는 투광성 부재(132)의 제2 면(132-2)에 배치되고, 광 가이드부(136B)는 투광성 부재(132)의 제1 면(132-1)에 배치되는 것으로 설명하지만 그 반대의 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있다.The light sensing part 134 and the light guide part 136B shown in Fig. 18 may be disposed around the optical axis LX of the light transmitting member 132. [ The light sensing part 132 and the light guide part 136B may be disposed on mutually opposing surfaces of the light transmitting member 132. [ 18, the light sensing portion 134 is disposed on the second surface 132-2 of the light transmitting member 132, and the light guide portion 136B is disposed on the second surface 132-2 of the light transmitting member 132 And may be disposed on the first surface 132-1. 18, the light sensing portion 134 is disposed on the first surface 132-1 of the light transmissive member 132 and the light guiding portion 136B is disposed on the second surface 132-1 of the light transmissive member 132, May be disposed on the surface 132-2. Here, the first surface 132-1 and the second surface 132-2 are as defined in the above description of FIG. The light sensing portion 134 is disposed on the second surface 132-2 of the light transmissive member 132 and the light guiding portion 136B is disposed on the first surface 132-1 of the light transmissive member 132 The following explanation can be applied to the case of the reverse.

내측 격벽(136-1, 136-2)의 구조가 다름을 제외하면, 도 18에 도시된 단면은 도 9에 도시된 단면과 동일하다. 따라서, 도 9에 도시된 단면과 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하였으며 간략히 설명하며, 다른 부분에 대해서만 다음과 같이 중점적으로 설명한다.Except that the structures of the inner side walls 136-1 and 136-2 are different, the cross section shown in Fig. 18 is the same as the cross section shown in Fig. Therefore, the same reference numerals are used for the same parts as those shown in Fig. 9, and a brief explanation will be given below.

내측 격벽(136-1, 136-2)은 제3 개구부(OP3)를 통과한 산란된 광이 제5 개구부(OP5)로 진행하고, 제6 개구부(OP6)를 통과한 메인 광이 제4 개구부(OP4)로 진행함을 허용하는 높이(H2)를 가질 수 있다. 예를 들어, 높이(H2)는 1 ㎜ 내지 15 ㎜ 예를 들어, 2 ㎜ 내지 10 ㎜ 바람직하게는 3 ㎜ 내지 6 ㎜ 예를 들어, 5 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The scattered light having passed through the third opening OP3 proceeds to the fifth opening OP5 and the main light passing through the sixth opening OP6 passes through the fourth opening Lt; RTI ID = 0.0 > (OP4). ≪ / RTI > For example, the height H2 may be from 1 mm to 15 mm, for example from 2 mm to 10 mm, preferably from 3 mm to 6 mm, e.g., 5 mm, although the embodiment is not limited in this respect.

내측 격벽(136-1, 136-2) 각각은 제4 개구부(OP4)를 정의하는 내측부(136-11, 136-21) 및 내측부(136-11, 136-21)로부터 연장되어 외측 격벽(136-3, 136-4)과 함께 제5 개구부(OP5)를 정의하는 외측부(136-12, 136-22)를 포함할 수 있다. 원형 평면 형상을 갖는 제4 개구부(OP4)의 직경은 메인 빔의 포커싱 사이즈보다 커야 한다. 만일, 제4 개구부(OP4)의 직경이 1 ㎜보다 작을 경우 메인 빔의 전부가 제4 개구부(OP4)를 통과하지 못해 포토 다이오드(134-2)로 입사됨으로써 포토 다이오드(134-2)에서 산란 광이 센싱되지 못할 수도 있다. 또한, 제4 개구부(OP4)의 직경이 8 ㎜보다 클 경우, 슬릿의 구현이 어려울 수 있다. 따라서, 제4 개구부(OP4)의 직경은 1 ㎜ 내지 8 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜ 내지 5 ㎜ 바람직하게는 1 ㎜ 내지 3 ㎜ 예를 들어, 2 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Each of the inner side walls 136-1 and 136-2 extends from the inner side 136-11 and 136-21 defining the fourth opening OP4 and the inner side 136-11 and 136-21, -3, 136-4, and a lateral portion 136-12, 136-22 defining a fifth opening OP5. The diameter of the fourth opening OP4 having a circular planar shape should be larger than the focusing size of the main beam. If the diameter of the fourth opening OP4 is smaller than 1 mm, all of the main beam can not pass through the fourth opening OP4 and is incident on the photodiode 134-2, The light may not be sensed. Further, when the diameter of the fourth opening OP4 is larger than 8 mm, it may be difficult to realize the slit. Thus, the diameter of the fourth opening OP4 may be from 1 mm to 8 mm, for example from 1 mm to 5 mm, preferably from 1 mm to 3 mm, for example, 2 mm, although embodiments are not limited in this respect .

또한, 제5 개구부(OP5)의 폭(W4)은 외측부(136-12, 126-22)의 폭(W6)보다 클 수 있다. 외측부(136-12, 126-22)의 폭(W6)은 0.1 ㎜ 내지 5 ㎜ 예를 들어, 0.4 ㎜ 내지 2 ㎜ 바람직하게는 0.6 ㎜ 내지 1 ㎜ 예를 들어, 1 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 예를 들어, 제5 개구부(OP5)의 폭(W4)이 1.1 ㎜일 경우, 외측부(136-12, 136-22)의 폭(W6)은 0.8 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The width W4 of the fifth opening OP5 may be larger than the width W6 of the outer side portions 136-12 and 126-22. The width W6 of the outer portions 136-12 and 126-22 may be 0.1 mm to 5 mm, for example, 0.4 mm to 2 mm, preferably 0.6 mm to 1 mm, for example, 1 mm, Is not limited to this. For example, when the width W4 of the fifth opening OP5 is 1.1 mm, the width W6 of the outer portions 136-12, 136-22 may be 0.8 mm, but the embodiment is not limited thereto .

또한, 내측 격벽(136-1, 136-2)의 외측부(136-12, 136-22)와 내측부(136-11, 136-21)는 일체로 형성될 수 있다.The outer side portions 136-12 and 136-22 and the inner side portions 136-11 and 136-21 of the inner side walls 136-1 and 136-2 may be integrally formed.

또한, 도 18에 도시된 바와 달리, 투광성 기판(132)의 제1 면(132-1)으로부터 제3 개구부(OP3)로 갈수록 외측부(136-12, 136-22) 또는 내측부(136-11, 136-21) 중 적어도 하나의 단면 폭은 감소할 수 있다. 즉, 내측부(136-11, 136-21)와 외측부(136-12, 136-22)의 구분은 산란된 빛이 각도를 가지고 포토 다이오드(134-2)로 잘 입사되게 하는 것이므로, 이와 같이 삼각형 단면 형상을 가질 수 있다.18, the outer portions 136-12, 136-22 or the inner portions 136-11, 136-11, 136-22, and 136-3 become closer to the third opening OP3 from the first surface 132-1 of the transparent substrate 132, 136-21) can be reduced. That is, the distinction between the inner portions 136-11 and 136-21 and the outer portions 136-12 and 136-22 is such that scattered light is incident on the photodiode 134-2 with an angle, Sectional shape.

또한, 도 18에 도시된 제4 개구부(OP4)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)은 도 17에 도시된 제6 개구부(OP6)의 면적(예를 들어, x축과 y축 방향의 면적)보다 작을 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 이와 같이, 제4 개구부(OP4)의 면적보다 제6 개구부(OP6)의 면적을 크게 할 경우, 메인 빔이 포토 다이오드(134-2)로 진행하는 것이 더욱 잘 차단될 수 있다.The area of the fourth opening OP4 shown in Fig. 18 (for example, the area in the x-axis and the y-axis direction) is larger than the area of the sixth opening OP6 shown in Fig. 17 And the area in the y-axis direction), but the embodiment is not limited to this. As described above, when the area of the sixth opening OP6 is made larger than the area of the fourth opening OP4, the progress of the main beam to the photodiode 134-2 can be further blocked.

한편, 산란부(SS)는 복수의 개구부와 접할 수 있다. 즉, 산란부(SS)는 발광부(110A, 110B)와 제1 개구부(OP1)를 통해 연통하고, 입구측 유로 중간부(FII1)(또는, 출구측 유로 중간부(FII2))와 제2 개구부(OP2)를 통해 연통하고, 수광부(130A, 130B)와 제3 개구부(OP3) 또는 제6 개구부(OP6)를 통해 연통할 수 있다.On the other hand, the scattering section SS can contact the plurality of openings. That is, the scattering portion SS communicates with the light emitting portions 110A and 110B through the first opening OP1 and the inlet-side flow passage middle portion FII1 (or the outlet-side flow passage middle portion FII2) Communicate with each other through the opening OP2 and communicate with the light receiving portions 130A and 130B through the third opening OP3 or the sixth opening OP6.

한편, 실시 예에 의하면, 척력 생성부(160)는 발광부(110A, 110B) 측에 배치된 적어도 하나의 제1 전극 및 수광부(130A, 130B) 측에 배치된 적어도 하나의 제2 전극을 포함할 수 있다.The repulsive force generating unit 160 includes at least one first electrode disposed on the light emitting units 110A and 110B and at least one second electrode disposed on the light receiving units 130A and 130B can do.

적어도 하나의 제1 및 제2 전극은 서로 마주보며 배치될 수 있다. 또한, 산란부(SS)로 진입한 이온화된 입자에 쿨롱 척력을 미치기 위해, 제1 및 제2 전극 각각은 입자가 이온화된 극성과 동일한 극성을 띌 수 있다.At least one of the first and second electrodes may be disposed facing each other. Further, in order to apply coulomb repulsion to the ionized particles entering the scattering unit SS, each of the first and second electrodes may have the same polarity as the ionized polarity.

또한, 적어도 하나의 제1 전극은 발광부(110A, 110B) 측에서 다양한 모습으로 다양한 위치에 배치되고, 적어도 하나의 제2 전극은 수광부(130A, 130B) 측에서 다양한 모습으로 다양한 위치에 배치될 수 있다.At least one first electrode may be arranged at various positions on the light emitting units 110A and 110B in various shapes and at least one second electrode may be arranged at various positions in various shapes on the light receiving units 130A and 130B .

적어도 하나의 제1 전극은 제1-1 전극 또는 제1-2 전극 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1-1 전극은 발광 케이스(116) 상에서 제1 개구부(OP1) 및 산란부(SS) 근처에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 6c, 도 7, 도 8a, 도 8c 또는 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 제1-1 전극(162A, 162C, 162D, 162E, 162F)은 발광 케이스(116)(또는, 하우징(170)의 탑부(172)) 상에서 제1 개구부(OP1) 및 산란부(SS) 근처에 배치될 수 있다. 제1-2 전극은 발광 케이스(116) 내부에서 렌즈부(114A, 114B)와 제1 개구부(OP1) 사이의 광축(LX)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4b, 도 4c, 도 6b, 도 6c, 도 8b에 도시된 바와 같이, 제1-2 전극(162B)은 발광 케이스(116) 내부에서 렌즈부(114A)와 제1 개구부(OP1) 사이의 광축(LX)에 배치될 수 있다.The at least one first electrode may include at least one of a 1-1 electrode or a 1-2 electrode. The first 1-1 electrode may be disposed on the light emitting case 116 near the first opening OP1 and the scattering portion SS. For example, as shown in FIGS. 3, 4A, 5, 6A, 6C, 7, 8A, 8C or 12 to 15, the first 1-1 electrodes 162A, 162C, 162D 162E and 162F may be disposed near the first opening OP1 and the scattering portion SS on the light emitting case 116 (or the tower portion 172 of the housing 170). The 1-2 electrode may be disposed within the light emitting case 116 at the optical axis LX between the lens portions 114A and 114B and the first opening OP1. For example, as shown in FIG. 4B, FIG. 4C, FIG. 6B, FIG. 6C, and FIG. 8B, the 1-2 electrode 162B includes a lens portion 114A and a first opening OP1, as shown in Fig.

예를 들어, 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 7, 도 8a, 도 8c 또는 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이 제1 전극은 제1-1 전극(162A, 162C, 162D, 162E, 162F)만을 포함하거나, 도 4b, 도 4c, 도 6b 또는 도 8b에 도시된 바와 같이 제1-2 전극(162B)만을 포함하거나, 도 6c에 도시된 바와 같이 제1-1 전극(162A)과 제1-2 전극(162B)을 모두 포함할 수 있다.For example, as shown in FIGS. 3, 4A, 5, 6A, 7, 8A, 8C or 12 to 15, the first electrode includes first 1-1 electrodes 162A, 162C, 162D , 162E, 162F, or only the first 1-2 electrode 162B as shown in FIG. 4B, 4C, 6B or 8B, or only the first 1-1 electrode 162A and the 1-2 electrode 162B.

또한, 제1-1 전극은 발광 케이스(116)에만 배치될 수도 있고, 발광 케이스(116)로부터 연장되어 하우징(170)의 탑부(172)까지 배치될 수도 있다. 예를 들어, 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 6c, 도 7에 도시된 바와 같이 제1-1 전극(162A, 162C)은 발광 케이스(116)에만 배치될 수도 있고, 도 8a 또는 도 8c에 도시된 바와 같이 제1-1 전극(162D, 162E)은 발광 케이스(116)로부터 하우징(170)의 탑부(172)까지 연장되어 배치될 수도 있다.The first 1-1 electrode may be disposed only in the light emitting case 116 or may extend from the light emitting case 116 to the top portion 172 of the housing 170. For example, as shown in FIGS. 3, 4A, 5, 6A, 6C and 7, the first 1-1 electrodes 162A and 162C may be disposed only in the light emitting case 116, The first 1-1 electrodes 162D and 162E may extend from the light emitting case 116 to the top portion 172 of the housing 170 as shown in FIG.

또한, 제2 전극은 제2-1 전극, 제2-2 전극 또는 제2-3 전극 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제2-1 전극은 수광 입사부 상에서 제3 개구부(OP3) 및 산란부(SS)의 근처에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a, 도 6c, 도 7, 도 8a, 도 8c 또는 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이, 제2-1 전극(164A, 164D, 164E, 164F)은 제3 개구부(OP3) 및 산란부(SS) 근처에 배치될 수 있다. 제2-2 전극은 투광성 부재(132)의 상측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4b, 도 6b, 도 8b 또는 도 8c에 도시된 바와 같이, 제2-2 전극(164B)은 투광성 부재(132)의 상측에 배치될 수 있다. 제2-3 전극은 투광성 부재(132)의 하측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 4c, 도 6c 또는 도 8c에 도시된 바와 같이, 제2-3 전극(164C)은 투광성 부재(132)의 하측에 배치될 수 있다. 이때, 제2-3 전극은 포토 다이오드(134-2)의 사이에 배치될 수 있다.In addition, the second electrode may include at least one of the second-first electrode, the second-second electrode, and the second-third electrode. The second-first electrode may be disposed on the light-receiving incidence portion in the vicinity of the third opening OP3 and the scattering portion SS. For example, as shown in Figs. 3, 4A, 5, 6A, 6C, 7, 8A, 8C or 12 to 15, the second-1 electrodes 164A, 164D, 164E And 164F may be disposed near the third opening OP3 and the scattering portion SS. The second electrode 2 may be disposed on the upper side of the light transmitting member 132. For example, as shown in FIG. 4B, FIG. 6B, FIG. 8B or FIG. 8C, the second -2 electrode 164B may be disposed above the light transmitting member 132. The second-third electrode may be disposed below the light-transmissive member 132. For example, as shown in FIG. 4C, FIG. 6C, or FIG. 8C, the second to third electrodes 164C may be disposed below the light transmitting member 132. At this time, the second to third electrodes may be disposed between the photodiodes 134-2.

예를 들어, 도 3, 도 4a, 도 5, 도 6a. 도 7, 도 8a 또는 도 12 내지 도 15에 도시된 바와 같이 제2 전극은 제2-1 전극(164A, 164D, 164F)만을 포함하거나, 도 4b, 도 6b 또는 도 8b에 도시된 바와 같이 제2-2 전극(164B)만을 포함하거나, 도 4c에 도시된 바와 같이 제2-3 전극(164C)만을 포함하거나, 비록 도시되지는 않았지만 제2-1 및 제2-2 전극을 포함하거나, 비록 도시되지는 않았지만 제2-2 및 제2-3 전극을 포함하거나, 도 6c에 도시된 바와 같이, 제2-1 및 제2-3 전극(164A, 164C)을 포함하거나, 도 8c에 도시된 바와 같이 제2-1 전극, 제2-2 전극 및 제2-3 전극(164E, 164B, 164C)을 모두 포함할 수 있다.For example, Figures 3, 4a, 5, 6a. The second electrode may include only the second-1 electrodes 164A, 164D, and 164F as shown in FIGS. 7, 8A, and 12 to 15, 2-2 electrode 164B only, or only the second-third electrode 164C as shown in FIG. 4C, or even though it is not shown to include the second-first and second-second electrodes, Although not shown, it includes the second and second electrodes 2 and 3, or includes the second and first and second electrodes 164A and 164C as shown in FIG. 6C, The second-second electrode, and the second-third electrode 164E, 164B, and 164C as described above.

또한, 제1-1 전극, 제1-2 전극, 제2-1 전극, 제2-2 전극 및 제2-3 전극 각각은 다양한 단면 형상을 가질 수 있다. 도 3 내지 도 8c 또는 도 12 내지 도 15에서 제1-1 전극(162A, 162C, 162D, 162E, 162F), 제1-2 전극(162B), 제2-1 전극(164A, 164D, 164E, 164F), 제2-2 전극(164B) 및 제2-3 전극(164C) 각각은 다각형 단면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, each of the 1-1 electrode, the 1-2 electrode, the 2-1 electrode, the 2-2 electrode, and the 2-3 electrode may have various cross-sectional shapes. The first 1-1 electrodes 162A, 162C, 162D, 162E, and 162F, the 1-2 electrode 162B, the 2-1 electrodes 164A, 164D, 164E, 164F, the second-second electrode 164B, and the second-third electrode 164C are each illustrated as having a polygonal cross-sectional shape, the embodiments are not limited thereto.

제1-1 전극(162A, 162C, 162D, 162E, 162F)과 제2-1 전극(164A, 164D, 164E, 164F)은 광축(LX)에 배치되지 않으므로 투과성 또는 비투광성 재질로 구현될 수 있는 반면, 제1-2 전극(162B), 제2-2 전극(164B) 및 제2-3 전극(164C) 각각은 광축(LX)에 배치되므로 투광성 재질로 구현될 수 있다. 이는, 렌즈부(114A, 114B)로부터 광 흡수부(144)로 광이 진행함을 방해하지 않기 위함이다. 예를 들어, 제1 또는 제2 전극 중 적어도 하나는 투광성 전도층(ITO)을 포함할 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.Since the first 1-1 electrodes 162A, 162C, 162D, 162E and 162F and the second-1 electrodes 164A, 164D, 164E and 164F are not arranged on the optical axis LX, they can be realized with a transparent or non- On the other hand, each of the 1-2 electrode 162B, the 2-2 electrode 164B, and the 2-3 electrode 164C is disposed on the optical axis LX, so that the 1-2 electrode 162B, the 2-2 electrode 164B, This is to prevent the light from progressing from the lens portions 114A and 114B to the light absorbing portion 144. [ For example, at least one of the first or second electrodes may comprise a light transmissive conductive layer (ITO), but embodiments are not limited in this respect.

제1 전극과 제2 전극 각각의 형상과 배치되는 위치는 전술한 례에 국한되지 않는다. 즉, 산란부(SS)를 지나가는 이온화된 입자에 척력을 가함으로써, 입자가 제1 및 제3 개구부(OP1, OP3)를 통해 발광부(110) 및 수광부(130)로 각각 들어옴을 막을 수만 있다면, 다양한 변형 례를 가질 수 있다.The shape of the first electrode and the position of the second electrode are not limited to the above-described examples. That is, by applying a repulsive force to the ionized particles passing through the scattering unit SS, it is possible to prevent the particles from entering the light emitting unit 110 and the light receiving unit 130 through the first and third openings OP1 and OP3 , And can have various modifications.

도 19는 도 1에 도시된 정보 분석부(142)의 일 실시 예(142A)의 블럭도로서, 증폭부(142-1) 및 제어부(142-2)를 포함할 수 있다.FIG. 19 is a block diagram of an embodiment 142A of the information analysis unit 142 shown in FIG. 1, and may include an amplification unit 142-1 and a control unit 142-2.

증폭부(142-1)는 수광부(130A, 130B)(또는, 신호 변환부(140))로부터 입력단자 IN2를 통해 입사된 전기적 신호를 증폭하고, 증폭된 결과를 제어부(142-2)로 출력할 수 있다. 제어부(142-2)는 증폭부(142-1)에서 증폭된 아날로그 신호와 펄스 폭 변조(PWM:Pulse Width Modulation) 기준 신호를 비교하고, 비교된 결과를 이용하여 입자(P)의 개수, 농도, 크기 또는 형상 중 적어도 하나를 분석하고, 분석된 결과를 출력단자 OUT2를 통해 출력할 수 있다.The amplification unit 142-1 amplifies the electrical signal input from the light receiving units 130A and 130B (or the signal conversion unit 140) through the input terminal IN2 and outputs the amplified result to the control unit 142-2 can do. The control unit 142-2 compares the analog signal amplified by the amplifying unit 142-1 with a pulse width modulation (PWM) reference signal and calculates the number of particles P, the concentration , Size, or shape of the image, and output the analyzed result through the output terminal OUT2.

도 20은 실시 예에 의한 입자 센서(1000)의 개략적인 사시도를 나타낸다.20 shows a schematic perspective view of the particle sensor 1000 according to the embodiment.

도 20에 도시된 입자 센서(1000)는 입자 센싱 장치(300), 베이스 기판(210) 및 복수의 와이어(222, 224)를 포함할 수 있다.The particle sensor 1000 shown in FIG. 20 may include a particle sensing device 300, a base substrate 210, and a plurality of wires 222 and 224.

도 20에 도시된 입자 센싱 장치(300)는 도 1 내지 도 19에 도시된 전술한 입자 센싱 장치(100, 100A 내지 100D)에 해당하므로, 중복되는 설명을 생략한다.Since the particle sensing apparatus 300 shown in FIG. 20 corresponds to the above-described particle sensing apparatuses 100, 100A to 100D shown in FIGS. 1 to 19, redundant description will be omitted.

베이스 기판(210)은 입자 센싱 장치(300)가 안착되는 부분으로서, 복수의 와이어(222, 224)를 통해 입자 센싱 장치(300)에서 필요한 전원을 공급하거나, 입자 센싱 장치(300)로부터의 신호를 수신하는 등의 역할을 수행할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(210)은 인쇄 회로 기판일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The base substrate 210 is a part on which the particle sensing device 300 is mounted and supplies power necessary for the particle sensing device 300 through the plurality of wires 222 and 224 or a signal from the particle sensing device 300 And the like. For example, the base substrate 210 may be a printed circuit board, but embodiments are not limited thereto.

예를 들어, 제1 와이어(222)는 척력 생성부(160)의 제1 전극과 연결되고, 제2 와이어(224)는 척력 생성부(160)의 제2 전극과 연결되어, 척력 생성부(160)에 포함된 제1 및 제2 전극 각각이 입자가 이온화된 극성과 동일한 극성을 띠도록 할 수 있다.For example, the first wire 222 is connected to the first electrode of the repulsive force generating unit 160, the second wire 224 is connected to the second electrode of the repulsive force generating unit 160, 160 may have the same polarity as the ionized polarity of each of the first and second electrodes.

전술한 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100, 100A 내지 100D)는 다음과 같은 효과를 갖는다.The particle sensing apparatuses 100, 100A to 100D according to the above-described embodiments have the following effects.

만일, 전술한 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100:100A 내지 100D)에서 이온화부(150) 및 척력 생성부(160)가 존재하지 않을 경우, 광학계 예를 들어, 렌즈부(114A, 114B)나 투광성 부재(132)에 입자가 쌓여 오염됨으로써, 입자에 대한 정확한 정보를 센싱할 수 없다. 반면에, 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100:100A 내지 100D)의 경우 이온화부(150)에서 입자를 이온화시킨 후, 이온화된 입자가 발광부(110)와 수광부(130) 사이의 산란부(SS)를 통과할 때, 척력 생성부(160)를 이용하여 이온화된 입자에 척력을 가함으로써, 제1 및 제3 개구부(OP1, OP3)를 통해 입자가 발광부(110) 및 수광부(130)로 각각 진입됨을 방지할 수 있다. 이로 인해, 입자 센싱 장치(100:100A 내지 100D)가 입자에 의해 오염됨을 방지할 수 있다. 따라서, 수동으로 주기적으로 사용자가 광학계에 오염된 입자를 제거하는 청소 횟수를 줄이거나 청소해야 하는 번거로움을 덜 수 있고, 입자에 대한 정확한 정보를 센싱할 수 있도록 한다.If the ionizing unit 150 and the repulsive force generating unit 160 do not exist in the particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) according to the above-described embodiment, the optical system, for example, the lens units 114A and 114B Particles are piled up and contaminated in the light transmitting member 132, so that accurate information on the particle can not be sensed. On the other hand, in the case of the particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) according to the embodiment, after the particles are ionized in the ionizing unit 150, the ionized particles are scattered by the scattering unit (not shown) between the light emitting unit 110 and the light receiving unit 130 SS through the first and third openings OP1 and OP3 by applying a repulsive force to the ionized particles by using the repulsive force generating unit 160. The light emitting unit 110 and the light receiving unit 130, Respectively. This makes it possible to prevent the particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) from being contaminated by particles. Therefore, it is possible to manually reduce the number of times of cleansing the user to remove the contaminated particles in the optical system periodically, and to reduce the inconvenience of cleaning and to accurately sense the particles.

또한, 전술한 실시 예는 입자(P)를 포함하는 공기가 유동하는 경로에 위치한 산란부(SS)로 광을 광축(LX) 방향으로 조사하고, 입자(P)에서 산란된 광을 광축(LX) 방향의 측방이 아니라 광축(LX) 방향과 나란한 방향에서 센싱하여 입자(P)에 대한 정보를 분석하는 전방형 입자 센싱 장치이다. 그러나, 전방향 입자 센싱 장치뿐만 아니라, 광을 광축 방향으로 먼지를 향해 조사하고 먼지에서 산란된 광을 광축의 측방에서 센싱하는 측방향 입자 센싱 장치에도 실시 예에 의한 이온화부(150) 및 척력 생성부(160)가 적용될 수 있음은 물론이다.The embodiment described above irradiates the light in the direction of the optical axis LX with the scattering part SS located in the path along which the air containing the particles P flows and adjusts the light scattered by the particles P to the optical axis LX (LX) direction, and analyzes the information on the particles (P). However, in addition to the omni-directional particle sensing device, the lateral particle sensing device that irradiates light toward dust in the direction of the optical axis and senses light scattered in the dust from the side of the optical axis, It is needless to say that the unit 160 can be applied.

전술한 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100:100A 내지 100D)는, 가전용 및 산업용 공기청정기, 공기정화기, 공기 세정기, 공기 냉각기, 에어컨에 적용될 수도 있고, 빌딩용 공기 질 운영 시스템(Air Quality management system), 차량용 실내/외 공조 시스템 또는 차량용 실내 공기질 측정 장치에 적용될 수 있다. 그러나, 실시 예에 의한 입자 센싱 장치(100, 100A 내지 100D)는 이러한 례에 국한되지 않고 다양한 분야에 적용될 수 있음은 물론이다.The particle sensing apparatus 100 (100A to 100D) according to the above-described embodiments can be applied to household and industrial air purifiers, air purifiers, air cleaners, air coolers, air conditioners, and air quality management system, a vehicle indoor / outdoor air conditioning system, or a vehicle indoor air quality measurement device. However, it is needless to say that the particle sensing apparatuses 100, 100A to 100D according to the embodiments are not limited to these examples and can be applied to various fields.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100, 100A 내지 100D: 입자 센싱 장치 110, 110A, 110B: 발광부
120, 120A, 120B, 120C: 유로부 130, 130A, 130B: 수광부
140: 신호 변환부 142: 정보 분석부
144: 광 흡수부 150, 150A, 150B, 150C: 이온화부
160, 160A, 160B, 160C, 160D, 160E, 160F, 160G, 160H: 척력 생성부
제1-1 전극: 162A, 162C, 162D, 162E
제1-2 전극: 162B 제2-1 전극: 164A, 164D, 164E
제2-2 전극: 164B 제2-3 전극: 164C
170: 하우징 180: 팬(fan)
100, 100A to 100D: particle sensing devices 110, 110A, 110B:
120, 120A, 120B, 120C: a flow path portion 130, 130A, 130B:
140: signal conversion unit 142: information analysis unit
144: light absorbing part 150, 150A, 150B, 150C: ionizing part
160, 160A, 160B, 160C, 160D, 160E, 160F, 160G, 160H:
1-1 electrode: 162A, 162C, 162D, 162E
Electrode 1-2: 162B Electrode 2-1: 164A, 164D, 164E
Electrode 2-2: 164B Electrode 2-3: Electrode 164C
170: housing 180: fan

Claims (11)

광을 방출하는 발광부;
유입된 공기의 입자를 이온화된 입자로 극성을 변환하는 이온화부;
상기 발광부 아래에서 상기 이온화부 이후 경로에 배치되며, 상기 이온화된 입자를 포함하는 공기가 상기 발광부의 광축과 교차하게 유동하며, 상기 이온화된 입자에 의한 산란광을 제공하는 산란부를 포함하는 유로부;
상기 유로부 아래에서 상기 광축에 배치되며, 상기 유로부를 통과한 상기 산란광이 입사되는 수광부; 및
상기 산란부로 유입된 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성의 척력을 상기 산란부로 진입한 상기 이온화된 입자에 미치는 척력 생성부를 포함하는 입자 센싱 장치.
A light emitting portion for emitting light;
An ionization unit for converting polarity of the particles of the introduced air into ionized particles;
And a scattering portion disposed in a path after the ionizing portion below the light emitting portion and including a scattering portion that flows through the air including the ionized particles to cross the optical axis of the light emitting portion and provides scattered light by the ionized particles;
A light receiving portion disposed in the optical axis below the channel portion and receiving the scattered light passing through the channel portion; And
And a repulsive force generating unit for applying a repulsive force having the same polarity as the polarity of the ionized particle introduced into the scattering unit to the ionized particle entering the scattering unit.
제1 항에 있어서, 상기 유로부는
상기 공기가 유입되는 유로 입구부;
상기 공기가 유출되는 유로 출구부; 및
상기 유로 입구부와 상기 산란부 사이에 위치한 입구측 유로 중간부를 포함하고,
상기 유로 입구부는
외부로부터 상기 공기가 유입되는 유입구; 및
상기 유입구로부터 상기 입구측 유로 중간부 사이에 형성된 유입 경로를 포함하고,
상기 산란부는 상기 유로 입구부와 상기 유로 출구부 사이에서 상기 광축에 위치하는 입자 센싱 장치.
2. The apparatus according to claim 1,
A flow path inlet through which the air flows;
A flow path outlet through which the air flows; And
And an inlet-side flow path intermediate portion located between the flow path inlet portion and the scattering portion,
The flow-
An inlet through which the air flows from the outside; And
And an inflow path formed between the inlet port and the inlet-side flow path middle part,
Wherein the scattering portion is located on the optical axis between the flow path inlet portion and the flow path outlet portion.
제2 항에 있어서, 상기 이온화부는 상기 유입구, 상기 유입 경로 또는 상기 입구측 유로 중간부 중 적어도 한 곳에 배치되는 입자 센싱 장치.3. The particle sensing device of claim 2, wherein the ionization portion is disposed at least one of the inlet, the inflow path, or the inlet-side flow path middle portion. 제1 항에 있어서, 상기 척력 생성부는
상기 발광부 측에 배치되어 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성을 띄는 적어도 하나의 제1 전극; 및
상기 수광부 측에 상기 적어도 하나의 제1 전극과 마주하며 배치되어 상기 이온화된 입자의 극성과 동일한 극성을 띄는 적어도 하나의 제2 전극을 포함하는 입자 센싱 장치.
The apparatus of claim 1, wherein the repulsive force generating unit
At least one first electrode disposed on the light emitting unit side and having the same polarity as the polarity of the ionized particles; And
And at least one second electrode disposed on the light receiving unit side opposite the at least one first electrode and having the same polarity as the polarity of the ionized particle.
제4 항에 있어서, 상기 발광부는
광원부;
상기 광축에 배치되어 상기 광원부로부터 방출된 광이 상기 산란부를 향해 출사되는 제1 개구부를 정의하며, 상기 광원부를 수용하는 발광 케이스; 및
상기 발광 케이스에 수용되며, 상기 광원부와 상기 제1 개구부 사이에서 상기 광축에 배치되며, 상기 광원부에서 방출된 광을 상기 제1 개구부로 집광시키는 렌즈부를 포함하는 입자 센싱 장치.
5. The light-emitting device according to claim 4,
A light source;
A light emitting case disposed in the optical axis and defining a first opening through which light emitted from the light source portion is emitted toward the scattering portion, the light emitting case including the light source portion; And
And a lens unit accommodated in the light emitting case and disposed on the optical axis between the light source unit and the first opening and configured to condense light emitted from the light source unit into the first opening.
제5 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 전극은
상기 발광 케이스 상에서 상기 제1 개구부 및 상기 산란부 근처에 배치되는 제1-1 전극을 포함하는 입자 센싱 장치.
6. The method of claim 5, wherein the at least one first electrode
And a 1-1 second electrode disposed on the light emitting case in the vicinity of the first opening and the scattering portion.
제5 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 전극은
상기 발광 케이스 내부에서 상기 렌즈부와 상기 제1 개구부 사이의 상기 광축에 배치되는 제1-2 전극을 포함하는 입자 센싱 장치.
6. The method of claim 5, wherein the at least one first electrode
And a first-second electrode disposed in the optical axis between the lens portion and the first opening in the light-emitting case.
제5 항에 있어서, 상기 수광부는
투광성 부재; 및
상기 산란부에서 상기 이온화된 입자에 의한 상기 산란광을 센싱하는 광 감지부를 포함하는 입자 센싱 장치.
6. The apparatus of claim 5, wherein the light-
A light transmitting member; And
And a light sensing unit for sensing the scattered light by the ionized particles in the scattering unit.
제8 항에 있어서, 상기 산란부와 상기 수광부 사이에 배치되며, 상기 수광부로 입사되는 광의 량을 조정하며 상기 광축에 배치된 제3 개구부를 갖는 수광 입사부를 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 제2 전극은
상기 수광 입사부 상에서 상기 제3 개구부 및 상기 산란부 근처에 배치되는 제2-1 전극;
상기 투광성 부재의 상측에 배치되는 제2-2 전극; 또는
상기 투광성 부재의 하측에 배치되는 제2-3 전극 중 적어도 하나를 포함하는 입자 센싱 장치.
9. The light emitting device according to claim 8, further comprising a light receiving portion disposed between the scattering portion and the light receiving portion, the light receiving portion having a third opening disposed in the optical axis and adjusting an amount of light incident on the light receiving portion,
The at least one second electrode
A second-1 electrode disposed on the light-receiving incidence portion in the vicinity of the third opening and the scattering portion;
A second -2 electrode disposed on the upper side of the light transmitting member; or
And a second-third electrode disposed below the light-transmitting member.
제4 항에 있어서, 상기 수광부 아래에서 상기 광축에 배치되며, 상기 수광부를 통과한 광을 흡수하는 광 흡수부를 더 포함하는 입자 센싱 장치.5. The particle sensing device according to claim 4, further comprising a light absorbing portion disposed in the optical axis below the light receiving portion and absorbing light passing through the light receiving portion. 제4 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 전극 중 적어도 하나는 투광성 전도층을 포함하는 입자 센싱 장치11. A particle sensing device according to any one of claims 4 to 10, wherein at least one of the first or second electrodes comprises a light-
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102227028B1 (en) * 2020-11-20 2021-03-15 주식회사 필라스크리에이션 Apparatus for Measuring Fine Dust
KR20220044144A (en) * 2020-09-30 2022-04-06 샤프 세미컨덕터 이노베이션 가부시키가이샤 Particle detection sensor and particle detection device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264146A (en) * 2003-02-28 2004-09-24 Horiba Ltd Optical device and analyzer having simple functions for preventing contamination and for correction
KR101096156B1 (en) * 2010-07-07 2011-12-20 안강호 Paticle measurement apparatus
JP2015179236A (en) * 2014-02-25 2015-10-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Dirt adhesion prevention device and optical dust detection device using the same
JP2017072428A (en) * 2015-10-06 2017-04-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 Photoelectric particle detection sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264146A (en) * 2003-02-28 2004-09-24 Horiba Ltd Optical device and analyzer having simple functions for preventing contamination and for correction
KR101096156B1 (en) * 2010-07-07 2011-12-20 안강호 Paticle measurement apparatus
JP2015179236A (en) * 2014-02-25 2015-10-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 Dirt adhesion prevention device and optical dust detection device using the same
JP2017072428A (en) * 2015-10-06 2017-04-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 Photoelectric particle detection sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220044144A (en) * 2020-09-30 2022-04-06 샤프 세미컨덕터 이노베이션 가부시키가이샤 Particle detection sensor and particle detection device
KR102227028B1 (en) * 2020-11-20 2021-03-15 주식회사 필라스크리에이션 Apparatus for Measuring Fine Dust

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