KR20180078603A - Read-out integrated circuit - Google Patents
Read-out integrated circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180078603A KR20180078603A KR1020160183529A KR20160183529A KR20180078603A KR 20180078603 A KR20180078603 A KR 20180078603A KR 1020160183529 A KR1020160183529 A KR 1020160183529A KR 20160183529 A KR20160183529 A KR 20160183529A KR 20180078603 A KR20180078603 A KR 20180078603A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capacitors
- sampling
- capacitor
- integration circuit
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 63
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 48
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
- G01T7/005—Details of radiation-measuring instruments calibration techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/15—Instruments in which pulses generated by a radiation detector are integrated, e.g. by a diode pump circuit
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/36—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry
- G01T1/366—Measuring spectral distribution of X-rays or of nuclear radiation spectrometry with semi-conductor detectors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06G—ANALOGUE COMPUTERS
- G06G7/00—Devices in which the computing operation is performed by varying electric or magnetic quantities
- G06G7/12—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers
- G06G7/18—Arrangements for performing computing operations, e.g. operational amplifiers for integration or differentiation; for forming integrals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
본 발명의 구성은 검출된 전하 신호를 적분하는 적분 회로 부, 노이즈 제거와 동시에 파형의 샘플링을 위한 LPF & Sampling(track-and-hold) 회로 부, 샘플링 된 파형의 Data 를 가지고 연산하여 최종 값을 도출하는 산술 연산 부, 그리고 본 동작을 수행하기 위한 제어신호 발생 부 그리고 추가로 산술 연산 부에서 도출된 계산 값을 저장하는 메모리가 추가될 수 있음.The configuration of the present invention includes an integration circuit for integrating the detected charge signal, an LPF & Sampling (track-and-hold) circuit for sampling the waveform at the same time as noise removal, A control signal generating unit for performing the operation, and a memory for storing the calculation value derived from the arithmetic operation unit.
Description
본 발명은 검출회로에 관한 것이다.The present invention relates to a detection circuit.
도 1을 참조하면, 종래의 TFT flat panel을 이용한 X-ray detector는 포토다이오드에서 발생한 신호 전하를 검출하기 위해 panel 외곽부에 검출회로부 (CMOS Readout IC)를 구비하여 사용함. Referring to FIG. 1, an X-ray detector using a conventional TFT flat panel is equipped with a CMOS readout IC at the outer edge of the panel to detect a signal charge generated in the photodiode.
도 2 및 3을 참조하면, 검출 회로 각 채널의 전하 검출부(charge amplifier)는 픽셀의 신호 전하를 적분(누적)하여 전압으로 변환함. Referring to FIGS. 2 and 3, the charge amplifier of each channel of the detection circuit integrates (accumulates) the signal charge of the pixel and converts it into a voltage.
전하 검출부에서 전압으로 변환된 신호원에 포함된 각 픽셀 및 검출 회로에서 야기되는 White noise 특성의 잡음을 효과적으로 줄이기 위해, Low-pass filter를 각 검출부 회로에 내장하여, 고주파 노이즈의 영향으로 발생하는 감도 저하를 방지함.A low-pass filter is built in each detector circuit so as to effectively reduce the noise of the white noise characteristic caused by each pixel included in the signal source converted into the voltage from the charge detector and the white noise characteristic caused by the detection circuit, Prevent degradation.
Low-pass filter를 통과한 신호원에 남아있는 Low-frequency noise 및 DC-offset error 등을 제거 하기 위해, 샘플링 스위치 및 커패시터를 구비한 correlated double sampling(CDS) 잡음 저감 기법이 추가로 사용됨.A correlated double sampling (CDS) noise reduction technique with a sampling switch and a capacitor is additionally used to eliminate low-frequency noise and DC-offset errors in the low-pass filter.
LPF(Low-pass filter)는 신호의 변화 정도를 특정 주파수 대역 안으로 제한시킴으로 써, 빠른 변화율을 가진 신호원의 변화 정도를 억제하여 High frequency noise를 억제하는 데에 효과적이며, 이를 이용해 Charge amplifier에서 출력되는 신호원에 포함된 High frequency noise를 억제시켜 노이즈의 영향을 크게 줄여 High frequency noise로 인해 발생하는 감도 저하를 방지.The low-pass filter (LPF) limits the degree of change of the signal within a specific frequency band, thereby suppressing the degree of change of the signal source having a high rate of change, thereby suppressing high frequency noise. By suppressing the high frequency noise contained in the signal source, it greatly reduces the influence of noise, preventing the sensitivity drop caused by high frequency noise.
CDS(correlated double sampling)는 Reset 직후의 전하 적분 전 initial-state 의 검출회로 출력 전압을 sample1을 통해 샘플링하고 전하 신호 적분 후 검출 회로에서 출력되는 출력 전압을 sample2를 통해 샘플링한 뒤, 두 샘플링 전압의 값의 차(difference)를 구함으로 써, 검출 회로부의 DC Offset error를 제거함과 동시에, 두 샘플링 간격의 주기에 따라 Low frequency noise 를 제거하는 High-pass filter(HPF) 기능을 함께 수행함.CDS (correlated double sampling) samples the output voltage of the detection circuit of the initial-state before charge integration just after reset through sample1, samples the output voltage output from the detection circuit after integration of the charge signal through sample2, By taking the difference between the values, the DC offset error of the detection circuitry is removed and a high-pass filter (HPF) function is performed to eliminate low frequency noise according to the period of two sampling intervals.
LPF에서의 높은 Accuracy를 얻기 위하여 각 Sampling time은 Ts 만큼의 settling time의 추가 sampling time을 가지게 되며, CDS 의 Sampling 동작 완료의 주기 Tcds는, Tint과 LPF로 인해 발생하는 Ts의 합 이상으로 설정되어야 함.In order to obtain high accuracy in the LPF, each sampling time has an additional sampling time of Ts settling time, and the cycle Tcds of the completion of the sampling operation of the CDS should be set to be equal to or greater than the sum of Ts generated by Tint and LPF .
LPF에서의 Cut-off frequency는 1/RC 로 결정되며, CDS로 형성되는 HPF의 cut-off frequency 는 2x(1/Tcds) 로 결정됨.The cut-off frequency in LPF is determined by 1 / RC, and the cut-off frequency of HPF formed by CDS is determined by 2x (1 / Tcds).
한 Row의 최종 완료 주기 TL(1 Row Line time)은 높은 Accuracy를 위해 Ts 길게 늘릴수록 함께 비례하여 증가하는 관계를 가지므로 높은 Accuracy와 검출 회로부의 동작 속도는 서로 Trade-off 관계를 형성, 반면 긴 Ts를 사용할 경우 Low frequency noise 영향으로 인해 오히려 검출 회로 시스템의 감도를 저감 시키므로 Ts 혹은 Tcds와 TL 간의 적절한 조율이 필요.The high accuracy and the operation speed of the detection circuit part form a trade-off relationship with each other, since the TL (1 Row Line time) of one row has a relation of increasing proportionally as Ts is increased for high accuracy. If Ts is used, the sensitivity of the detection circuit system is reduced due to the influence of low frequency noise. Therefore, proper coordination between Ts or Tcds and TL is required.
RC network로 형성된 Low-pass filter는 이론적으로 최종 값에 도달하기 위한 주기가 무한대이며, 원하는 Accuracy를 얻기 위한 정도로 무한대의 주기를 유한적인 주기로 감소시킨다 하더라도, ADC 16bit 기준의 Accuracy를 얻기 위해선 RC time constant의 11배 정도의 긴 settling time을 필요로 함.Although the low-pass filter formed by the RC network has the infinite period to reach the final value theoretically, and to reduce the infinite period to a finite period to obtain the desired accuracy, the RC time constant And it requires a long settling time of about 11 times that of
높은 High-frequency noise 제거 대역폭을 가지기 위해서, RC time-constant를 구성하고 있는 sampling capacitor를 크게 구성해야 하며 이로 인하여 Integrated circuit design 중 layout 적인 측면에서 불합리한 특성을 가짐.In order to have a high high-frequency noise removal bandwidth, the sampling capacitor constituting the RC time-constant must be largely constituted, which is unreasonable in terms of layout in the integrated circuit design.
높은 Accuracy를 얻기 위해 증가시킨 Ts는 비례적으로 증가하는 TL에 의해 검출 시스템의 속도를 크게 감소시키며, 이는 동영상과 같은 빠른 속도를 요구하는 검출 시스템을 구성하는데 큰 한계점으로 다가옴.Increased Ts to obtain high accuracy significantly reduces the speed of the detection system by the proportionally increasing TL, which is a critical limitation in constructing a detection system that requires high speed such as moving images.
Ts의 증가는 CDS로 형성되는 HPF의 Cut-off frequency 또한 감소시켜, CDS Low-frequency noise 감쇄 효과를 저감시켜, 최종적으로 검출 시스템의 감도를 감쇄시킴.The increase in Ts also reduces the cut-off frequency of the HPF formed by the CDS, thereby reducing the CDS low-frequency noise attenuation and ultimately attenuating the sensitivity of the detection system.
상기 문제로 검출 시스템의 Accuracy와 Speed 그리고 Low & High frequency noise 저감 특성은 서로 Trade-off 관계에 강하게 묶여서 서로의 특성을 개별적으로 향상시키는 데에 한계점이 뚜렷함.Due to the above problems, the accuracy and speed of the detection system and the low and high frequency noise reduction characteristics are tightly bound to each other in the trade-off relationship, so that there is a limit to improving the characteristics of each other individually.
본 발명은 LPF 가 포함된 신호 검출 회로의 출력부에서 Noise가 미치는 영향을 개선함과 동시에 검출 회로의 동작 속도를 크게 향상하는 것에 과제가 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has a problem to improve the influence of noise on the output portion of the signal detecting circuit including the LPF and to greatly improve the operation speed of the detecting circuit.
본 발명의 구성은 검출된 전하 신호를 적분하는 적분 회로 부, 노이즈 제거와 동시에 파형의 샘플링을 위한 LPF & Sampling(track-and-hold) 회로 부, 샘플링 된 파형의 Data 를 가지고 연산하여 최종 값을 도출하는 산술 연산 부, 그리고 본 동작을 수행하기 위한 제어신호 발생 부 그리고 추가로 산술 연산 부에서 도출된 계산 값을 저장하는 메모리가 추가될 수 있음.The configuration of the present invention includes an integration circuit for integrating the detected charge signal, an LPF & Sampling (track-and-hold) circuit for sampling the waveform at the same time as noise removal, A control signal generating unit for performing the operation, and a memory for storing the calculation value derived from the arithmetic operation unit.
본 발명에 따르면, 신호 검출회로(ROIC)의 동작 속도 개선으로 인해, 빠른 시스템 속도가 요구되는 동영상 X-ray 등의 영상 시스템 등을 구축하는데 적합.According to the present invention, it is suitable for constructing a video system such as a moving picture X-ray which requires a high system speed due to improvement of the operation speed of the signal detection circuit (ROIC).
잡음 제거의 성능 개선으로 인하여 X-ray detector 등의 감도를 향상 가능.Improvement of sensitivity of X-ray detector due to improved performance of noise elimination.
연속적인 선량을 주사해야 하는 동영상 X-ray 시스템의 경우 빠른 본 발명과 같은 신호 검출 시스템의 속도 증대는 환자에게 X 선량의 조사 시간을 크게 줄여주는 효과를 제공.In the case of a moving image X-ray system in which a continuous dose is to be injected, the speed increase of the signal detection system such as the present invention provides an effect of greatly reducing the irradiation time of the X-ray dose to the patient.
종래 시스템과 대비하여 회로부의 Layout 면적의 감소로, 최종 설계 구조에 따라 생산 단가 절감 효과 기대.Compared with the conventional system, the reduction of the layout area of the circuit part is expected to reduce the production cost according to the final design structure.
경쟁사 대비 동영상 X-ray시스템 등의 적합성 및, 저 잡음 고감도, 저 선량, 단가 절감 효과에 따른 강력한 경쟁력 확보.Compared to competitors, it has strong competitiveness due to its suitability for video X-ray system, low noise, high sensitivity, low dose, and cost saving effect.
도 1 내지 5는 종래 기술과 관련된 도면.
도 6 내지 26은 본 발명과 관련된 도면.Figures 1 to 5 are diagrams related to the prior art.
Figures 6-26 relate to the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 6은 한 채널에 해당하는 LPF가 삽입된 CMOS 신호 검출 회로이며, 다채널을 수용할 수 있음.6 is a CMOS signal detection circuit in which an LPF corresponding to one channel is inserted and can accommodate multiple channels.
LPF가 포함된 검출 회로는 TFT pixel matrix의 각 채널과 연결되어 검출된 전하를 적분하는 「적분 회로 부」, RC 네트워크를 구성하기 위한 공통저항(Rcommon) 과 공통 저항을 거쳐 전하 적분 회로부의 입력신호를 추종하여 샘플링 하는 여러 capacitor 로 구성된 「LPF & Sampling 부」, 기존의 데이터와 현재 측정되고 있는 데이터를 통합시켜 계산하는「산술 연산 부」, 마지막으로 해당 시스템의 스위치 동작을 통합하여 제어하는 「신호 제어 부」, 추가로 기존의 LPF를 통해 출력되는 신호 데이터를 저장하고 보관하는 「데이터 메모리 부」가 더해질 수 있음. The detection circuit including the LPF includes an "integration circuit portion" that integrates the detected charges connected to each channel of the TFT pixel matrix, a common resistance (Rcommon) for constituting the RC network, and an input signal of the charge integration circuit portion , "LPF & Sampling", which consists of several capacitors that follow the sampling of the input signal, and "Arithmetic operation part" which integrates the existing data with the currently measured data. Finally, Control unit ", and a" data memory unit "for storing and storing the signal data output through the existing LPF.
「LPF & Sampling 부」 에 해당하는 각 단일 Sampling 유닛은 해당 시스템의 시스템 Timing Clock과 동기화 된 신호에 따라 일정한 간격으로 적분 회로부의 출력 파형의 순간 순간을 Track & Hold하여 전압을 유지시키고, 각 인접한 두 Sampling capacitor를 CDS 처리함으로써, 신호의 integration value를 얻어낼 수 있음.Each single sampling unit corresponding to "LPF & Sampling Unit" tracks and momentarily keeps momentary moment of the output waveform of the integration circuit unit at a constant interval according to the signal synchronized with the system timing clock of the corresponding system, The integration value of the signal can be obtained by CDS processing the sampling capacitor.
「산술 연산 부」는 Sampling 부에서 얻어진 데이터를 통해 해당 Channel의 RC network와 관련된 RC time constant factor를 산출함, RC 관련 factor를 이용하여 향후 일반적인 동작 과정에서 측정되는 파형의 초기치 데이터만을 수집하여 이를 이용해 최종 값을 산출함.The arithmetic operation unit calculates the RC time constant factor related to the RC network of the channel through the data obtained from the sampling unit. By using the RC-related factor, only the initial value data of the waveform measured in the normal operation process in the future is collected, Final value is calculated.
해당 발명의 동작은 크게 두가지로 구분할 수 있으며 첫번째 동작(Mode1)은, 신호 검출 회로 각각의 채널에 해당하는 LPF RC network의 time constant 와 관련된 factor를 구하는 동작, 두 번째 동작(Mode2)은, factor를 이용하여, 일반적인 전하를 검출하는 동작에서 일부분의 추종 값만을 측정하여 최종 값을 예측해 내는 동작임.The first operation (Mode 1) is to obtain a factor related to the time constant of the LPF RC network corresponding to each channel of the signal detection circuit. The second operation (Mode 2) In the operation of detecting a general charge, only a part of the follow-up value is measured and the final value is predicted.
해당 발명의 동작 방식에서 나뉘어진 두 가지 Mode는 명확한 구분을 위하여 그 명칭을 임시로 여기서 첫 번째 Mode1을 Preset Mode로, 두 번째 Mode2를 Normal Mode 라 칭함.In order to clearly distinguish the two modes divided by the operation method of the present invention, the name is temporarily referred to herein as a
Preset Mode는 사용자의 선택에 따라, Normal Mode와는 별개로 구동 초기에 수행하거나 Normal Mode가 수행되기 바로 이전에 함께 수행할 수 있으며, 해당 발명을 위해 추가되는 동작 모드임과 동시에, Normal Mode 수행전에 반드시 1회 이상 실행 되어야 함.Preset mode can be performed either at the beginning of the operation independently of the normal mode or immediately before the execution of the normal mode according to the user's selection, and it is an operation mode added for the invention, Must be executed more than once.
모든 Mode에서는 동작 직전, INTRST 스위치를 통해 적분 회로 부 및 LPF&Sampling 부의 모든 Node가 Reference 전압 Level 로 세팅됨.In all modes, all nodes of the integration circuit and LPF & Sampling are set to the reference voltage level through the INTRST switch just before operation.
Preset Mode에서는 사용자의 선택에 따른 특정 Test 전하가 인가되고 적분 회로부는 인가된 전하의 양에 따라 LPF&Sampling 부로 전압을 출력한다. 적분 회로부로 인해 출력부의 전위가 상승 됨에 따라, 동기화된 특정 클럭마다 전압을 Sampling capacitor에 순차적으로 담아준다. 그 후 샘플링된 값을 인접한 커패시터끼리 CDS로 가져와서, 외부 산술 연산 장치 등을 통해 RC time constant와 관련된 factor로 환산한 후 그 값을 메모리에 저장한다.In the preset mode, a specific test charge according to the user's selection is applied and the integration circuit outputs the voltage to the LPF & Sampling unit according to the amount of applied charge. As the potential of the output part rises due to the integration circuit part, the voltage is sequentially stored in the sampling capacitor for each specific clock synchronized. Then, the sampled value is taken into the CDS among the adjacent capacitors, converted into a factor related to the RC time constant through an external arithmetic operation device, and the value is stored in the memory.
Normal Mode는 종래의 시스템과 동일한 상황에서 동작하는 가장 일반적인 동작 모드로써, 외부 신호의 양에 따라, 전하가 적분 회로부로 인가되면, 그 인가된 값에 따라 LPF&Sampling 부로 전압 신호를 출력하게 된다. 여기에서 종래의 시스템은 Sampling capacitor에 적분회로부의 Reference 전압값과 적분 회로부의 최종 세틀링 값 이 두가지를 샘플링하여 CDS로 값을 읽어 오지만, 제시된 발명의 방식에서는 적분 회로부에서 출력되고 있는 파형을 동기화된 특정 클럭마다 서로 다른 샘플링 커패시터 에 여러 번 샘플링 하여 그 값을 읽어온다. 여기에서 읽어온 값은 Preset Mode에서 구했던 factor와 결합하여 최종 값을 산출 해냄.The normal mode is the most common operation mode that operates in the same situation as the conventional system. When the charge is applied to the integration circuit part according to the amount of the external signal, the voltage signal is outputted to the LPF & Sampling part according to the applied value. Here, in the conventional system, the sampling voltage of the integration circuit portion and the final settling value of the integration circuit portion are sampled to the sampling capacitor and the value is read to the CDS. In the proposed method, however, Sampling is performed several times on different sampling capacitors per specific clock, and the values are read. The value read here is combined with the factor obtained in Preset Mode to calculate the final value.
위 두가지 모두에서 강조된 동기화된 특정 클럭이라 함은, 사용자가 정하는 Sampling 주기이며, 해당 Sampling 주기는 Preset Mode와 Normal Mode에서 그 주기의 값이 동일해야 하고, 이 Sampling 주기는 내부 신호 제어 부에 의해 control 됨.The synchronized specific clock emphasized in both of the above is the sampling period determined by the user. The sampling period should be the same value in Preset Mode and Normal Mode, and this sampling period is controlled by the internal signal controller being.
동일한 RC Network 에서 얻어낸 모든 신호의 출력 파형은 1/RC 의 Cutoff frequency 를 가지는 동일한 Low-Frequency pass 특성의 bandwidth 를 형성함, 즉 불필요한 고주파 변화 량을 억압하는 특성은 신호원과 무관하게 RC Network 에 귀속된 것이므로, 변화 량이 없는 특정 인가 레벨의 Accuracy 를 얻기 위해 해당 RC Network 에서 오랜 시간을 기다리는 행위는 RC Network 를 사용하게 됨으로써 희생해야 하는 아날로그적인 Trade-off 적 대가이며 특정 신호의 Settling 을 위한 Wait time을 준수하는 것 자체가 노이즈를 제거하기 위한 필수적 요소가 아니므로 동일한 RC network 를 사용하면서 초기치의 파형 변화의 추세만을 가지고 계산적으로 wait time 없이 최종 값을 추측해낼 수 있다면, 높은 accuracy를 위한 불필요한 wait time은 감소하면서, 노이즈 Bandwidth 는 그대로 유지할 수 있는 특징이 있음.The output waveform of all the signals obtained from the same RC network form the same low-frequency pass characteristic bandwidth having a cutoff frequency of 1 / RC, that is, the characteristic that suppresses unnecessary high frequency change amounts is attributed to the RC network Therefore, waiting for a long time in the RC network to obtain a certain level of accreditation without changing amount is an analog trade-off cost to be sacrificed by using the RC network, and the wait time for setting a specific signal Since the compliance itself is not an essential element to eliminate the noise, if you can use the same RC network to estimate the final value without the wait time, only the trend of the initial waveform changes, the unnecessary wait time for high accuracy The noise bandwidth can be maintained as it is. .
도 7을 참조하면, 기본적인 RC 네트워크는 다음의 Input signal에 대해 다음과 같은 Time Response를 나타냄. 해당 수식에서 현재 해당하는 시간t 그리고 시간 t 그리고 시간 t에 따른 출력 값 Vout, RC 네트워크를 구성하는 RC time constant 값 을 미리 알 수 있다면 초기 인가되는 신호 값 Vin 을 알 수 있음. Referring to FIG. 7, the basic RC network shows the following time response for the following input signals. If the current time t, time t and output value Vout according to time t and the RC time constant value constituting the RC network are known in advance, the signal value Vin initially applied can be known.
LPF가 삽입된 신호 검출회로의 Time constant(RC) 를 구해내는 개략적인 방법은 도 8을 참고할 수 있음, 신호 검출 회로의 입력부에 특정 신호를 인가한 상태에서, 각 Capacitor에 Track & Hold되는 주기를 정하고(혹은 특정 Clock 에 동기화 하고), 신호 검출 회로에서 출력되는 값을 앞서 정한 주기대로 일정한 간격으로 Sampling capacitor에 Track & Hold시킴. 일정한 시간 t 값을 미리 알고 있고, 일정한 시간 t에 따른 출력값 Vout도 알고 있으며, 인가한 특정신호 값 Vin도 알고 있으므로, 해당 LPF 이 RC time constant를 구해낼 수 있음.FIG. 8 is a schematic diagram for obtaining the time constant (RC) of the signal detection circuit in which the LPF is inserted. When a specific signal is applied to the input of the signal detection circuit, (Or synchronize to a specific clock), and keep track & hold the value output from the signal detection circuit to the sampling capacitor at regular intervals according to the predefined period. Since the output value Vout according to the constant time t is known in advance and the specific signal value Vin is also known, the LPF can obtain the RC time constant.
도 9 내지 11을 참조하여, CDS 방식은 두 인접한 캐패시터의 Track and Hold된 값의 difference value를 함께 read하여 Low frequency noise/Offset error를 제거하기 위한 기술로, LPF가 적용된 신호 검출회로의 두 인접한 Sampling Capacitor에 CDS를 적용하기 위해서는 전하 적분 회로부에 전하가 주입되는 integration time(Tint)과 LPF로 인해 생기는 settling time(Ts)의 추가분이 포함된 Sampling time(TCDS)이 필요하게 됨. 이산 영역의 CDS 동작 시스템을 Z-transform으로 전개 후 다시 주파수 영역에서 재 전개하면 High-pass filter 특성을 가지는 수식으로 전개되며, LPF가 적용된 CDS 시스템을 역시 이와 같이 해석하면 아래와 같은 수식이 전개됨.9 to 11, the CDS scheme is a technique for reading low frequency noise / offset error by reading the difference value of the track and hold values of two adjacent capacitors together. In the CDS scheme, two adjacent sampling In order to apply CDS to a capacitor, a sampling time (T CDS ) including an integration time (Tint) in which a charge is injected into a charge integration circuit and an addition of a settling time (Ts) due to an LPF is required. The CDS operation system of the discrete region is developed by the Z-transform and then re-developed in the frequency domain. The CDS system with the LPF applied is developed as follows.
해당 수식의 의미는 integration time과 settling time이 길수록, 주파수 영역에서의 Low-frequency signal을 pass할 수 있는 frequency region이 넓어지는 것을 의미하며, 이는 Low-frequency noise 유입을 허용한다는 의미임. 해당 발명에서는, Ts 에 해당하는 시간을 대폭 줄임으로 써, Tcds 의 크기를 크게 줄임으로 써, Low-noise 유입상황을 크게 제한시켜 Low noise 영향을 크게 감쇄시킴.The meaning of the equation is that the longer the integration time and the settling time, the wider the frequency region to pass the low-frequency signal in the frequency domain. This means that it allows low-frequency noise input. In the present invention, by greatly reducing the time corresponding to Ts, the size of the Tcds is greatly reduced, and the influence of the low noise is largely restrained by greatly reducing the influence of the low noise.
도 12는 해당 발명의 방식을 적용시키기 위해 설계될 수 있는 실시예 중 하나로 적분 회로 부와, LPF&Sampling 부를 나타낸 것임.FIG. 12 shows an integrated circuit part and an LPF & Sampling part, which can be designed to apply the method of the present invention.
LPF가 포함된 해당 검출회로는 하나의 공통 LPF 저항과 큰 메인 커패시터 하나 그리고 상대적으로 매우 작은 다수의 서브 커패시터를 병렬적으로 연결하여, LPF&Sampling 회로 부를 구성하고 있음.The corresponding detection circuit with LPF consists of one common LPF resistor, one large main capacitor, and a relatively small number of sub-capacitors in parallel to form an LPF & Sampling circuit.
다수의 서브 샘플링 커패시터는 메인 샘플링 커패시터 보다 적은 크기로 구성되어 있어, LPF&Sampling 부에서 형성되는 RC time constant는 Rcommon*Cmain로 근사화가 가능함.Since the number of sub-sampling capacitors is smaller than that of the main sampling capacitor, the RC time constant formed by the LPF & Sampling unit can be approximated by Rcommon * Cmain.
Preset Mode에서 RC time constant factor를 구하기 위해선 신호 검출 회로에서 발생할 수 있는 각종 Offset error 등을 고려해야 하므로, 각종 발생할 수 있는 에러를 고려한 다음 수식을 이용하여 RC time constant factor를 구함.In order to obtain the RC time constant factor in Preset Mode, various offset errors that may occur in the signal detection circuit should be considered. Therefore, considering the various possible errors, the RC time constant factor is obtained using the following equation.
해당 실시예는 Preset Mode와 Normal Mode 두가지의 Mode로 동작되며, Normal Mode 시행 전 반드시 한번 이상 Preset Mode를 실행해야 하며, 각 모드별 샘플링 해야하는 적분 회로부의 출력파형은 도 13과 같음.The embodiment is operated in two modes of Preset Mode and Normal Mode. It is necessary to execute Preset Mode more than once before Normal Mode is executed, and the output waveform of the integration circuit portion to be sampled for each mode is as shown in FIG.
동작 모드의 예를 든 도 14의 회로의 경우 LPF & Sampling 부는 하나의 메인 커패시터 와 4개의 서브 커패시터로 구성되어 있음.In the circuit of FIG. 14, which is an example of the operation mode, the LPF & Sampling section consists of one main capacitor and four sub capacitors.
[Preset Mode의 경우][Preset Mode]
도 15를 참조하여, 특정 Test 신호를 검출하기 전, 리셋 동작(INTRST, 전체 SWsub ON)을 통해 모든 node의 전위를 Vref로 세팅함.Referring to FIG. 15, the potential of all nodes is set to Vref through a reset operation (INTRST, all SWsub ON) before detecting a specific test signal.
INTRST 스위치를 off한 후 Inject 스위치를 on하여 Test 신호원의 전하를 적분함.Turn off the INTRST switch and turn on the Inject switch to integrate the charge of the test signal source.
Inject 스위치가 off되는 적분 완료 순간의 전위를 SWsub1 스위치를 off함으로써, 첫번째 서브 샘플링 커패시터에 샘플링함. (V0 샘플링)Sampling is performed on the first sub-sampling capacitor by turning off the SWsub1 switch at the moment of completion of the integration when the injection switch is turned off. (V0 sampling)
그 후 동기화된 클럭에 따라 일정한 시간 간격을 두고 증가되고 있는 출력 파형을 각각 SWsub2,SWsub3 스위치를 off 함으로써 샘플링 함. (V1,V2 샘플링)Then, the output waveforms are sampled by turning off the switches SWsub2 and SWsub3, respectively, at a predetermined time interval according to the synchronized clock. (V1, V2 sampling)
마지막으로 ADC accuracy에 맞는 충분히 긴 적분시간 (16bit 기준 11tau)이 지난 후 Vin SWsub4를 off함으로써 마지막 샘플링을 수행함. (Vin 샘플링)Finally, the final sampling is performed by turning off Vin SWsub4 after a sufficiently long integration time (16-bit base 11tau) to match the ADC accuracy. (Vin sampling)
V0와 Vin 값, V1과 V2 값을 각각 CDS 방식으로 읽어 들인 후 내부에 함께 집적되거나 혹은 외부에 존재하는 산술 연산 부의 계산을 통해 RC factor를 구해 낸 후 메모리에 해당 factor 값을 저장함.V0 and Vin values, and V1 and V2 values are read by CDS method, respectively. Then, they are integrated together, or the RC factor is calculated through the calculation of an arithmetic operation unit existing in the outside, and the corresponding factor value is stored in the memory.
해당 Preset Mode를 통해 구해지는 Preset Factor는 다음과 같은 수식을 통해 계산될 수 있음.The preset factor obtained through the Preset Mode can be calculated by the following equation.
[Normal Mode의 경우][Normal Mode]
도 16을 참조하여, 각 픽셀의 신호를 검출하기 전, 리셋 동작(INTRST, SWsub ON)을 통해 모든 node의 전위를 Vref로 세팅한 후 Vref 전위를 SWsub1 스위치를 off 시킴으로써 첫번째 서브 샘플링 커패시터에 샘플링함. (Vref 샘플링)16, before the signal of each pixel is detected, the potential of all nodes is set to Vref through the reset operation (INTRST, SWsub ON), and the Vref potential is sampled to the first sub-sampling capacitor by turning off the SWsub1 switch . (Vref sampling)
INTRST 스위치를 off한 후 Inject 스위치를 on하여 픽셀 신호원의 전하를 적분함.Turn off the INTRST switch and turn on the Inject switch to integrate the charge from the pixel source.
Inject 스위치가 off되는 적분 완료 순간의 전위를 SWsub3 스위치를 off함으로써, 세번째 서브 샘플링 커패시터에 샘플링한다. (V0 샘플링)Sampling is performed on the third sub-sampling capacitor by turning off the SWsub3 switch at the moment of completion of integration where the injection switch is turned off. (V0 sampling)
그 후 동기화된 클럭에 따라 일정한 시간 간격을 두고 증가되고 있는 출력 파형을 각각 SWsub2,SWsub4, 스위치를 off함으로써 두번째, 네번째 서브 샘플링 커패시터에 샘플링함. (V1,V2 샘플링)The output waveforms are then sampled on the second and fourth subsampling capacitors by turning off SWsub2, SWsub4, and SWsub4, respectively, at constant time intervals according to the synchronized clock. (V1, V2 sampling)
Vref와 V0 값, V1과 V2 값을 각각 CDS 방식으로 읽어 들인 후 Preset Mode에서 구했던 factor를 메모리에서 가져온 후, 내부에 함께 집적되거나 혹은 외부에 구비된 산술 연산 장치를 이용해 최종 세틀링 값을 예측해 냄.Vref and V0 values, V1 and V2 values are read by CDS method, and the factor obtained in Preset Mode is taken out from the memory, and then integrated together or predicted final settling value using an external arithmetic unit. .
해당 Normal Mode를 통해 구해지는 계산치는 최종값을 구하는데 다음과 같이 사용됨.The calculated value obtained through the corresponding Normal Mode is used as follows to obtain the final value.
Preset Mode 및 Normal Mode에 동기화된 클록별 자세한 sequence는 실시예에 구체적으로 표기되어 있음.Detailed sequences for each clock synchronized to the Preset Mode and the Normal Mode are specifically indicated in the embodiment.
해당 실시 예는 공통 LPF 저항과 하나의 큰 Main capacitor 그리고 다수의 Sub capacitor로 LPF & Sampling 회로부가 구성되어 있음.In this embodiment, a common LPF resistor, a large main capacitor, and a plurality of sub capacitors constitute an LPF & Sampling circuit.
실시예의 동작 순서에 대한 내용은 전술 되어 있음.The operation sequence of the embodiment is described above.
도 19의 sequence는 Preset Mode를 기준으로 한 것임.The sequence of FIG. 19 is based on the preset mode.
도 20의 sequence는 Normal Mode를 기준으로 한 것임.The sequence of FIG. 20 is based on Normal Mode.
본 발명에서는 신호 검출 회로부의 연속적인 신호 검출을 위하여, 사용자의 의지에 따라 파이프라인 동작을 사용할 수 있으며, 각 채널에 해당하는 픽셀의 다수의 Row 를 추가로 샘플링 하기 위한 추가의 서브 샘플링 커패시터를 다수 추가 하는 것이 가능함. 이와 관련하여 도 21 및 22를 참조할 수 있음.In the present invention, a pipeline operation can be used according to the user's desire for continuous signal detection of the signal detection circuit unit. Further, a plurality of additional sub-sampling capacitors for further sampling a plurality of Row of pixels corresponding to each channel It is possible to add. See FIGS. 21 and 22 in this regard.
도 23을 참조하여, 종래기술 대비 샘플링 주기를 감소시킴으로 써, 빠른 신호 검출 속도를 가짐과 동시에 High Frequency noise 제거 특성은 종래 기술과 동일함.Referring to FIG. 23, by reducing the sampling period in comparison with the prior art, the high frequency noise removal characteristic is the same as that of the prior art, while having a fast signal detection speed.
도 24를 참조하여, 종래기술 대비 크게 감소된 샘플링 주기(Ts)로 인하여, CDS 동작 주기(Tcds) 또한 감소 되어 CDS 동작을 통해 제거되는 Low frequency noise의 범위가 더욱 증가됨.Referring to FIG. 24, the CDS operation period Tcds is also reduced due to a significantly reduced sampling period Ts compared with the prior art, thereby further increasing the range of the low frequency noise removed through the CDS operation.
도 25를 참조하여, 노이즈 제거 특성을 양호하게 하기 위함과 동시에 CDS 동작을 위하여 채널의 Row 마다 커다란 capacitor 2개를 사용하는 종래의 회로 대비, 제안된 회로는 큰 Main capacitor 하나와 작은 Sub capacitor 의 여러 개 사용으로 인하여 반도체 Layout 측면에서 더욱 유리한 위치 선점. 파이프 라인 동작을 위한 예비 Row 샘플링 동작이 필요하게 되는 경우 해당 방식의 장점 극대화.Referring to FIG. 25, in comparison with a conventional circuit using two large capacitors for each row of channels for CDS operation to improve the noise canceling characteristic, the proposed circuit has a large main capacitor and a plurality of small sub capacitors The position preemption is more advantageous in terms of semiconductor layout due to the use of the dog. Maximize the benefits of that method when you need to perform a preliminary Row sampling operation for pipeline operation.
신호 검출회로(ROIC)의 동작 속도 개선으로 인해, 빠른 시스템 속도가 요구되는 동영상 X-ray 등의 영상 시스템 등을 구축하는데 적합.It is suitable for constructing video systems such as video X-ray which requires fast system speed due to improvement of operation speed of signal detection circuit (ROIC).
잡음 제거의 성능 개선으로 인하여 X-ray detector 등의 감도를 향상 가능.Improvement of sensitivity of X-ray detector due to improved performance of noise elimination.
연속적인 선량을 주사해야 하는 동영상 X-ray 시스템의 경우 빠른 본 발명과 같은 신호 검출 시스템의 속도 증대는 환자에게 X 선량의 조사 시간을 크게 줄여주는 효과를 제공.In the case of a moving image X-ray system in which a continuous dose is to be injected, the speed increase of the signal detection system such as the present invention provides an effect of greatly reducing the irradiation time of the X-ray dose to the patient.
종래 시스템과 대비하여 회로부의 Layout 면적의 감소로, 최종 설계 구조에 따라 생산 단가 절감 효과 기대.Compared with the conventional system, the reduction of the layout area of the circuit part is expected to reduce the production cost according to the final design structure.
경쟁사 대비 동영상 X-ray시스템 등의 적합성 및, 저 잡음 고감도, 저 선량, 단가 절감 효과에 따른 강력한 경쟁력 확보.Compared to competitors, it has strong competitiveness due to its suitability for video X-ray system, low noise, high sensitivity, low dose, and cost saving effect.
도 26은 시뮬레이션 결과임 (12비트 Accuracy 기준 종래의 시스템과 비교하여 8배 이상 샘플링 속도 감소).Fig. 26 shows the result of the simulation (the sampling rate is reduced by 8 times or more as compared with the conventional system based on the 12-bit Accuracy).
전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and equivalents thereof.
Claims (7)
상기 적분회로의 출력단에 일단이 연결된 공통저항과, 상기 공통저항의 타단에 서로 병렬 접속되어 RC 네트워크를 구성하며 상기 적분회로부에서 출력된 신호를 순차적으로 추종하여 샘플링하는 다수의 캐패시터를 포함하는 LPF샘플링부와;
상기 다수의 캐패시터에서 샘플링된 신호를 CDS(correlated double sampling) 방식으로 읽어들여 연산하는 산술연산부
를 포함하는 검출회로.
An integration circuit connected to the channel of the TFT pixel matrix to integrate the detected charge;
A common resistor connected at one end to the output terminal of the integrating circuit and a plurality of capacitors connected in parallel at the other end of the common resistor to constitute an RC network and to sequentially sample and output signals output from the integrating circuit, Wealth;
An arithmetic operation unit for reading a sampled signal from the plurality of capacitors by a correlated double sampling (CDS)
≪ / RTI >
상기 LPF샘플링부는, 상기 다수의 캐패시터로서 다수의 서브(sub)캐패시터 및 상기 다수의 서브캐패시터와 병렬 접속되고, 상기 다수의 서브캐패시터 보다 용량이 큰 메인캐패시터를 더 포함하고,
상기 다수의 서브캐패시터 각각은 상기 공통저항과 스위치를 통해 연결되며,
상기 메인캐패시터는 상기 공통저항에 직접 연결된
검출회로.
The method according to claim 1,
Wherein the LPF sampling unit further includes a plurality of sub capacitors as the plurality of capacitors and a main capacitor connected in parallel with the plurality of sub capacitors and having a larger capacity than the plurality of sub capacitors,
Wherein each of the plurality of sub-capacitors is connected to the common resistor through a switch,
The main capacitor is connected directly to the common resistor
Detection circuit.
상기 산술연산부는,
프리셋(preset) 모드에서, 상기 다수의 캐패시터의 샘플링된 신호를 통해 상기 채널의 RC 시정수 팩터(factor)를 산출하며,
노멀(normal) 모드에서, 상기 다수의 캐패시터의 샘플링된 신호에 상기 RC 시정수 팩터를 결합하여 출력값을 산출하는
검출회로.
The method according to claim 1,
The arithmetic operation unit,
Calculating a RC time factor of the channel through a sampled signal of the plurality of capacitors in a preset mode,
In the normal mode, the RC time constant factors are combined with the sampled signals of the plurality of capacitors to calculate an output value
Detection circuit.
상기 프리셋 모드와 노멀 모드에서 상기 다수의 캐패시터의 샘플링 주기는 동일한
검출회로.
The method of claim 3,
Wherein the sampling cycles of the plurality of capacitors in the preset mode and the normal mode are the same
Detection circuit.
상기 RC 시정수 팩터를 저장하는 메모리부
를 더 포함하는 검출회로.
The method of claim 3,
A memory unit for storing the RC time constant factor;
≪ / RTI >
상기 프리셋 모드에서,
상기 적분회로부는 테스트신호를 입력받아 적분하고,
1번째 캐패시터는 상기 테스트신호의 입력이 종료되는 순간에 상기 적분회로부에서 출력된 전위를 샘플링하며,
2번째 및 3번째 캐패시터는, 상기 1번째 캐패시터의 샘플링 후 동기화된 클럭에 따라 제1시간 간격으로 상기 적분회로부에서 출력된 전위를 샘플링하며,
4번째 캐패시터는, 상기 3번째 캐패시터의 샘플링 후 상기 제1시간 보다 긴 제2시간에 상기 적분회로부에서 출력된 전위를 샘플링하는
검출회로.
The method of claim 3,
In the preset mode,
Wherein the integration circuit part receives and integrates a test signal,
The first capacitor samples the potential output from the integration circuit portion at the moment when the input of the test signal is terminated,
The second and third capacitors sample the potentials output from the integration circuit section at a first time interval according to the synchronized clock after sampling of the first capacitor,
The fourth capacitor samples the potential output from the integration circuit part at a second time longer than the first time after sampling the third capacitor
Detection circuit.
상기 노멀 모드에서,
1번째 캐패시터는, 리셋 상태의 상기 적분회로부에서 출력된 기준 전위를 샘플링하고,
상기 적분회로부는, 상기 리셋 상태 후 상기 채널에서 신호를 입력받아 적분하며,
3번째 캐패시터는, 상기 채널에서의 신호 입력이 종료되는 순간에 상기 적분회로부에서 출력된 전위를 샘플링하며,
2번째 및 4번째 캐패시터는, 상기 3번째 캐패시터의 샘플링 후 동기화된 클럭에 따라 일정 시간 간격으로 상기 적분회로부에서 출력된 전위를 샘플링하는
검출회로.The method of claim 3,
In the normal mode,
The first capacitor samples the reference potential output from the integration circuit portion in the reset state,
Wherein the integration circuit unit receives and integrates a signal from the channel after the reset state,
The third capacitor samples the potential output from the integration circuit portion at the moment when signal input to the channel is terminated,
The second and fourth capacitors sample the potentials output from the integration circuit section at predetermined time intervals according to the synchronized clock after sampling of the third capacitor
Detection circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160183529A KR102083386B1 (en) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | Read-out integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160183529A KR102083386B1 (en) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | Read-out integrated circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180078603A true KR20180078603A (en) | 2018-07-10 |
KR102083386B1 KR102083386B1 (en) | 2020-03-02 |
Family
ID=62915702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160183529A Active KR102083386B1 (en) | 2016-12-30 | 2016-12-30 | Read-out integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102083386B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111374683A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | Digital X-ray detector and method for driving digital X-ray detector |
WO2020188235A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | Oxford Nanopore Technologies Limited | Current measurement apparatus, molecular entity sensing apparatus, method of measuring a current, method of sensing a molecular entity |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010033851A (en) * | 1998-01-05 | 2001-04-25 | 비센트 비.인그라시아 | Circuit and method for reducing sampling noise |
JP2012129983A (en) * | 2010-11-26 | 2012-07-05 | Fujifilm Corp | Radiograph image detector and radiograph imaging system |
JP2012137422A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Primearth Ev Energy Co Ltd | Voltage detection circuit |
US20150288890A1 (en) * | 2012-10-04 | 2015-10-08 | Sony Corporation | Imaging unit and imaging method |
-
2016
- 2016-12-30 KR KR1020160183529A patent/KR102083386B1/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010033851A (en) * | 1998-01-05 | 2001-04-25 | 비센트 비.인그라시아 | Circuit and method for reducing sampling noise |
JP2012129983A (en) * | 2010-11-26 | 2012-07-05 | Fujifilm Corp | Radiograph image detector and radiograph imaging system |
JP2012137422A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Primearth Ev Energy Co Ltd | Voltage detection circuit |
US20150288890A1 (en) * | 2012-10-04 | 2015-10-08 | Sony Corporation | Imaging unit and imaging method |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111374683A (en) * | 2018-12-28 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | Digital X-ray detector and method for driving digital X-ray detector |
US11313982B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-04-26 | Lg Display Co., Ltd. | Digital X-ray detector and method for driving the same |
CN111374683B (en) * | 2018-12-28 | 2023-10-27 | 乐金显示有限公司 | Digital X-ray detector and method for driving digital X-ray detector |
WO2020188235A1 (en) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | Oxford Nanopore Technologies Limited | Current measurement apparatus, molecular entity sensing apparatus, method of measuring a current, method of sensing a molecular entity |
US11994486B2 (en) | 2019-03-19 | 2024-05-28 | Oxford Nanopore Technologies Plc | Current measurement apparatus, molecular entity sensing apparatus, method of measuring a current, method of sensing a molecular entity |
US12235233B2 (en) | 2019-03-19 | 2025-02-25 | Oxford Nanopore Technologies Plc | Current measurement apparatus, molecular entity sensing apparatus, method of measuring a current, method of sensing a molecular entity |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102083386B1 (en) | 2020-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE49401E1 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
US7280140B2 (en) | Image sensor reading during reset and reading on release from reset | |
US10136090B2 (en) | Threshold-monitoring, conditional-reset image sensor | |
JP6572025B2 (en) | Radiation imaging apparatus and control method thereof | |
US11462043B2 (en) | System, device, method related to fingerprint sensing | |
JP5858695B2 (en) | Solid-state imaging device and driving method of solid-state imaging device | |
US9596424B2 (en) | Image capturing apparatus and method of controlling the same | |
US9736411B2 (en) | Image sensor pixel having multiple sensing node gains | |
US10051224B2 (en) | Dual sample-and-hold circuit with resistive gain | |
JP6100443B2 (en) | Amplifier adapted for CMOS imaging sensors | |
WO2015038569A2 (en) | Oversampled image sensor with conditional pixel readout | |
JP2009033305A (en) | Solid-state imaging device | |
US20070195183A1 (en) | Method and circuit for determining the response curve knee point in active pixel image sensors with extended dynamic range | |
JP2018019269A (en) | Sensor, driving method, and electronic device | |
CN102939745B (en) | Decorrelation channel sample for digital image | |
US10687005B2 (en) | Analog-to-digital converters for phase-detection autofocus image sensors | |
KR102083386B1 (en) | Read-out integrated circuit | |
WO2006087952A1 (en) | Signal detecting method and device, and radioactive image signal detecting method and system | |
US9973716B2 (en) | Reset noise reduction for pixel readout with pseudo correlated double sampling | |
KR20150065662A (en) | Image pickup apparatus and image pickup method | |
US7242429B1 (en) | Method for cancellation of the effect of charge feedthrough on CMOS pixel output | |
US9307174B2 (en) | Solid-state imaging apparatus using counter to count a clock signal at start of change in level of a reference signal | |
TW201719366A (en) | Image sampling method and sensing system | |
US20210215834A1 (en) | Radiation imaging apparatus, radiation imaging system, method of controlling radiation imaging apparatus, and non-transitory computer-readable storage medium | |
JP6589275B2 (en) | Signal processing apparatus and method, and imaging apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20161230 |
|
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 20170125 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20180305 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20161230 Comment text: Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190227 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20191125 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200225 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200225 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20221226 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240110 Start annual number: 5 End annual number: 5 |