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KR20180072022A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20180072022A
KR20180072022A KR1020160174570A KR20160174570A KR20180072022A KR 20180072022 A KR20180072022 A KR 20180072022A KR 1020160174570 A KR1020160174570 A KR 1020160174570A KR 20160174570 A KR20160174570 A KR 20160174570A KR 20180072022 A KR20180072022 A KR 20180072022A
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KR
South Korea
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substrate
projection
data
protrusion
pixels
Prior art date
Application number
KR1020160174570A
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English (en)
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전재현
김병선
김지혜
남희
이동훈
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
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Publication date
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Priority to US15/843,367 priority patent/US10679566B2/en
Priority to EP17208995.5A priority patent/EP3340329B1/en
Priority to CN201711382596.6A priority patent/CN108206005B/zh
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Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역과, 상기 제1 영역의 주변에 제공되는 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 영역 상에 위치하며, 화소들이 제공되는 복수의 아일랜드 패턴과, 서로 인접한 아일랜드 패턴들을 연결하는 복수의 브릿지 패턴을 포함하는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 제2 영역으로 돌출된 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
최근에는 이러한 표시 장치가 휘거나 접거나, 또는 늘어날 수 있도록 개발되고 있다.
본 발명은 연신되더라도 균일한 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 의한 표시 장치는, 제1 영역과, 상기 제1 영역의 주변에 제공되는 제2 영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 영역 상에 위치하며, 화소들이 제공되는 복수의 아일랜드 패턴과, 서로 인접한 아일랜드 패턴들을 연결하는 복수의 브릿지 패턴을 포함하는 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 제2 영역으로 돌출된 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 브릿지 패턴 상에는 상기 화소들에 연결되는 배선들이 제공될 수 있다.
또한, 상기 아일랜드 패턴은 사각 형상을 갖고, 상기 아일랜드 패턴의 각 변에 상기 브릿지 패턴들이 연결될 수 있다.
또한, 상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 기판이 연신된 정도를 산출하기 위한 센싱라인들을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 상기 센싱라인들에 포함될 수 있다.
또한, 상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉되고, 상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 이격되어 멀어질 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부는, 상기 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고, 상기 제2 돌출부는, 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 돌출부와 연결되도록 상기 브릿지 패턴의 일 측으로부터 돌출될 수 있다.
또한, 주사선들을 통해 상기 화소들로 주사 신호를 공급하는 주사 구동부; 데이터선들을 통해 상기 화소들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 상기 센싱라인들의 저항 변화량을 참조하여 상기 기판이 연신된 정도를 산출하는 센싱부; 및 상기 기판이 연신된 정도를 참조하여 상기 데이터 신호를 보상하는 데이터 보상부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 센싱라인들은 상기 데이터선들과 접촉할 수 있다.
또한, 상기 데이터 구동부는, 제1 기간 동안 상기 데이터선들로 영상을 표시하기 위한 데이터 신호를 공급하고, 제2 기간 동안 상기 데이터선들로 상기 기판이 연신된 정도를 산출하기 위한 기준 데이터 신호를 공급할 수 있다.
또한, 상기 센싱부는 상기 제2 기간 동안 상기 데이터선들에 흐르는 전류량을 획득할 수 있다.
또한, 어느 하나의 아일랜드 패턴과, 상기 어느 하나의 아일랜드 패턴에 연결된 브릿지 패턴 사이에 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부가 복수 개 제공되며, 상기 기판이 연신된 정도가 클수록, 서로 접촉된 제1 돌출부 및 제2 돌출부의 개수가 작아질 수 있다.
또한, 상기 화소들로 제1 전원을 공급하기 위한 구동 전압 라인과, 서브 구동 전압 라인을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 상기 서브 구동 전압 라인에 포함될 수 있다.
또한, 상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 이격되고, 상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉할 수 있다.
또한, 상기 기판이 연신된 경우, 상기 구동 전압 라인과 상기 서브 구동 전압 라인을 통해 상기 화소들로 상기 제1 전원이 공급될 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부는 상기 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고, 상기 제2 돌출부는, 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 돌출부와 연결되도록 상기 브릿지 패턴의 일 측으로부터 돌출될 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부는 어느 하나의 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고, 상기 제2 돌출부는, 상기 어느 하나의 아일랜드 패턴에 인접한 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출될 수 있다.
또한, 상기 베이스층 상에 제공되는 제1 절연막; 상기 제1 절연막 상에 제공되는 제2 절연막을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 구동 전압 라인은 상기 제2 절연막 상에 제공될 수 있다.
또한, 상기 화소들 각각은 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는, 상기 제1 절연막 상에 제공되는 게이트 전극; 상기 제2 절연막 상에 제공되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부는 상기 제2 절연막 상에 제공될 수 있다.
또한, 상기 구동 전압 라인과 상기 서브 구동 전압 라인은 동일한 층에 제공될 수 있다.
다음으로, 본 발명의 실시예에 의한, 기판 및 상기 기판 상에 위치하는 화소들을 포함하는 표시 장치의 구동 방법은, 데이터선들로 기준 데이터 신호를 공급하는 단계; 상기 데이터선들로 흐르는 전류의 크기를 참조하여 상기 기판이 연신된 정도를 산출하는 단계; 상기 기판이 연신된 정도를 참조하여, 영상을 표시하기 위한 데이터 신호를 보상하는 단계; 및 보상된 데이터 신호를 상기 데이터선들을 통해 상기 화소들로 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 데이터선들에, 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함하는 센싱라인들이 연결되고, 상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉되고, 상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 이격되어 멀어질 수 있다.
또한, 상기 기판이 연신된 정도가 클수록 상기 센싱라인들의 저항이 커질 수 있다.
또한, 상기 기판이 연신되면, 상기 데이터 신호는, 상기 화소들이 보상 전 데이터 신호에 대응하여 발광할 때보다 높은 휘도로 발광하도록 보상될 수 있다.
본 발명에 의하면, 연신되더라도 균일한 영상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 포함된 기판을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 화소의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 6는 도 4에 도시된 화소의 구성을 예시적으로 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6의 Ⅰ-Ⅰ' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱라인들을 나타낸 평면도이다.
도 9는 도 8의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 따른 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치가 연신된 경우, 서로 분리된 센싱라인들을 나타낸 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 의한 서브 구동 전압 라인을 나타낸 평면도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치가 연신된 경우, 서로 접촉된 돌출부들을 나타낸 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 의한 서브 구동 전압 라인을 나타낸 평면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 16a 및 도 16b는 도 15에 도시된 영역 A를 확대하여 나타낸 도면이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 이하의 설명에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 도면에서 본 발명과 관계없는 부분은 본 발명의 설명을 명확하게 하기 위하여 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
이하, 본 발명의 실시예들과 관련된 도면들을 참고하여, 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 대해 설명하도록 한다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치에 포함된 기판을 나타낸 도면이다.
도 1를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는, 표시 패널(300)과 표시 구동부(400)를 포함할 수 있다.
표시 패널(300)은 화소들(PXL), 화소들(PXL)에 연결된 데이터선들(D1~Dq) 및 주사선들(S1~Sp)을 포함할 수 있다.
각각의 화소들(PXL)은 데이터선들(D1~Dq) 및 주사선들(S1~Sp)을 통해 데이터 신호 및 주사 신호를 공급받을 수 있다.
또한, 화소들(PXL)은 제1 전원(ELVDD) 및 제2 전원(ELVSS)과 연결될 수 있다.
화소들(PXL)은 발광 소자(예를 들어, 유기발광 다이오드)를 포함할 수 있으며, 제1 전원(ELVDD)으로부터 발광 소자를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류에 의해, 데이터 신호에 대응하는 빛을 생성할 수 있다.
표시 구동부(400)는 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420), 센싱부(430), 데이터 보상부(440) 및 타이밍 제어부(450)를 포함할 수 있다.
주사 구동부(410)는 주사 구동부 제어신호(SCS)에 응답하여 주사선들(S1~Sp)에 주사 신호들을 공급할 수 있다. 예를 들어, 주사 구동부(410)는 주사선들(S1~Sp)에 주사 신호들을 순차적으로 공급할 수 있다.
주사선들(S1~Sp)과의 연결을 위하여, 주사 구동부(410)는 화소들(PXL)이 형성된 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 연성 회로 기판 등과 같은 별도의 구성 요소를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
데이터 구동부(420)는 타이밍 제어부(450)로부터 데이터 구동부 제어신호(DCS)와 영상 데이터(DATA)를 입력 받아, 데이터 신호를 생성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 각 프레임은 제1 기간과 제2 기간을 포함할 수 있다. 제1 기간은 영상을 표시하기 위한 데이터 신호들이 화소들(PXL)로 공급되고 상기 데이터 신호들에 대응하는 영상이 표시되는 기간일 수 있으며, 제2 기간은 각 프레임 기간 중 제1 기간을 제외한 기간, 즉 영상이 표시되지 않는 비표시 기간일 수 있다.
데이터 구동부(420)는 생성된 데이터 신호를, 제1 기간 동안 데이터선들(D1~Dq)에 공급할 수 있다.
또한, 데이터 구동부(420)는 제2 기간 동안, 데이터선들(D1~Dq)의 저항을 센싱하기 위한 기준 데이터 신호를 공급할 수 있다.
데이터선들(D1~Dq)과의 연결을 위하여, 데이터 구동부(420)는 화소들(PXL)이 형성된 기판(100) 상에 직접 실장되거나, 연성 회로 기판 등과 같은 별도의 구성 요소를 통해 기판(100)과 연결될 수 있다.
특정 주사선으로 주사 신호가 공급되면, 상기 특정 주사선과 연결된 일부의 화소들(PXL)은 데이터선들(D1~Dq)로부터 전달되는 데이터 신호를 공급받을 수 있으며, 상기 일부의 화소들(PXL)은 공급받은 데이터 신호에 대응하는 휘도로 발광할 수 있다.
센싱부(430)는, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 정도를 센싱할 수 있다. 예를 들어, 센싱부(430)는 제2 기간 동안 데이터선들(D1~Dq) 각각에 흐르는 전류량을 획득할 수 있으며, 상기 전류량으로부터 유기 발광 표시 장치(1) 내에 위치하는 센싱라인들의 저항 변화를 획득할 수 있다.
센싱부(430)는 센싱라인들의 저항 변화를 참조로 하여, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 정도를 센싱할 수 있다.
센싱부(430)는 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 정도를 나타내는 신호(STS)를 데이터 보상부(440)로 전달할 수 있다.
데이터 보상부(440)는 센싱부(430)로부터 획득한 신호(STS)를 참조로 하여, 표시 패널(300)에 제공될 데이터 신호를 보상할 수 있다.
센싱부(430)와 데이터 보상부(440)를 통해, 표시 패널(300)에 표시되는 영상의 휘도를 보상하는 방법에 관하여는 이하에서 구체적으로 살펴보도록 한다.
타이밍 제어부(450)는 주사 구동부(410)와 데이터 구동부(420)를 제어하기 위한 제어신호들을 생성할 수 있다.
예를 들어, 상기 제어신호들은 주사 구동부(410)를 제어하기 위한 주사 구동부 제어신호(SCS)와, 데이터 구동부(420)를 제어하기 위한 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 포함할 수 있다.
이때, 타이밍 제어부(450)는 외부 입력 신호를 이용하여 주사 구동부 제어신호(SCS)와 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 생성할 수 있다.
예를 들어, 외부 입력 신호는 도트 클럭(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수직 동기 신호(Vsync) 및 수평 동기 신호(Hsync)를 포함할 수 있다.
또한, 타이밍 제어부(450)는 주사 구동부 제어신호(SCS)를 주사 구동부(410)로 공급하고, 데이터 구동부 제어신호(DCS)를 데이터 구동부(420)로 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(450)는 외부에서 입력되는 영상 데이터(RGB)를 데이터 구동부(420)의 사양에 맞는 영상 데이터(DATA)로 변환하여, 데이터 구동부(420)로 공급할 수 있다.
데이터 인에이블 신호(DE)는 유효한 데이터가 입력되는 기간을 정의하는 신호이며 1 주기는 수평 동기 신호(Hsync)와 같은 1 수평기간으로 설정될 수 있다.
도 1에서는 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420), 및 타이밍 제어부(450)를 개별적으로 도시하였으나, 상기 구성 요소들 중 적어도 일부는 필요에 따라 통합될 수 있다.
또한, 도 1에서는 데이터 보상부(440)가 타이밍 제어부(450)에 통합된 것으로 도시하였으나, 데이터 보상부(440)는 센싱부(430)에 통합될 수도 있고, 데이터 보상부(440)는 센싱부(430) 및 타이밍 제어부(450)로부터 분리되어 별개로 형성될 수도 있다.
또한, 주사 구동부(410), 데이터 구동부(420), 및 타이밍 제어부(450)는 칩 온 글래스(Chip On Glass), 칩 온 플라스틱(Chip On Plastic), 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package), 칩 온 필름(Chip On Film) 등과 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(300)의 기판(100)은 상부에 형성되는 화소(PXL) 등을 지지하는 구조물일 수 있으며, 연신(延伸) 가능한 것으로서 적어도 일 방향으로 늘어나거나 줄어들 수 있다.
기판(100)은 화소 영역(AA)과 주변 영역(NA)을 포함할 수 있다.
화소 영역(AA)에는 다수의 화소들(PXL)이 위치하며, 이에 따라 화소 영역(AA)에서는 소정의 영상을 표시할 수 있다. 따라서, 화소 영역(AA)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
주변 영역(NA)에는 화소들(PXL)을 구동하기 위한 구성 요소들(예를 들어, 표시 구동부(400) 및 배선 등)이 위치할 수 있다. 주변 영역(NA)에는 화소들(PXL)이 존재하지 않으므로, 비표시 영역으로 지칭될 수 있다.
예를 들어, 주변 영역(NA)은 화소 영역(AA)의 외측에 존재할 수 있으며, 화소 영역(AA)의 적어도 일부를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다.
기판(100)은 유리, 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(100)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 기판(100)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 2를 참조하면, 화소 영역(AA)은 제1 영역(AA1)과 제2 영역(AA2)을 포함할 수 있다.
제1 영역(AA1) 상에는 후술할 베이스층의 아일랜드 패턴과 브릿지 패턴이 제공될 수 있다. 따라서, 제1 영역(AA1)의 형상은 아일랜드 패턴과 브릿지 패턴의 형상에 대응될 수 있다.
제2 영역(AA2)은 제1 영역(AA1)의 주변 영역으로서, 제1 영역(AA1)의 외측에 존재하며, 제1 영역(AA1)의 테두리를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 제2 영역(AA2) 상에는, 후술할 센싱라인들 및 서브 구동 전압 라인과 중첩되는 영역을 제외하고는 베이스층이 제공되지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 베이스층(110)은 아일랜드(island) 형태로 이루어질 수 있으며, 복수의 아일랜드 패턴(IS)와 복수의 브릿지 패턴(BR)를 포함할 수 있다.
구체적으로, 복수의 아일랜드 패턴(IS)은 제1 축(X축) 및 제2 축(Y축) 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다. 또한, 서로 인접한 아일랜드 패턴들(IS)은 적어도 어느 하나의 브릿지 패턴(BR)을 통해 서로 연결될 수 있다.
각 아일랜드 패턴(IS) 상에는 화소 구조(예를 들어, 박막 트랜지스터, 커패시터, 유기 발광 다이오드 등)가 형성될 수 있으며, 하나의 화소(PXL)가 형성될 수도 있고 복수의 화소(PXL)가 형성될 수도 있다.
각 브릿지 패턴(BR) 상에는 화소 구조에 전원 전압, 데이터 신호, 주사 신호 등을 공급하기 위한 배선들이 형성될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1)가 연신되는 경우, 아일랜드 패턴(IS) 사이의 간격이 증가 또는 감소할 수 있다. 이 경우, 각 아일랜드 패턴(IS)의 형상은 변형되지 않을 수 있다. 즉, 아일랜드 패턴(IS)의 폭 및 높이가 증가 또는 감소되지 않을 수 있다. 따라서 아일랜드 패턴(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 구조도 변형되지 않을 수 있다.
다만, 기판(100)이 연신되는 경우 아일랜드 패턴(IS)을 연결하는 브릿지 패턴들(BR)이 변형될 수 있다.
한편, 도 3에서는 각각의 아일랜드 패턴(IS)이 사각형인 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 아일랜드 패턴(IS)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 아일랜드 패턴(IS)를 연결하는 브릿지 패턴(BR)의 형상 또한 도 3에 도시된 것에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다.
도 4 및 도 5는 도 1에 도시된 화소의 실시예들을 나타내는 도면이다. 특히, 도 4 및 도 5에서는 설명의 편의를 위하여, 제p 주사선(Sp) 및 제q 데이터선(Dq)과 접속된 화소(PXL, PXL')를 도시하기로 한다.
먼저, 도 4를 참조하면, 화소(PXL)는 유기 발광 다이오드(OLED)와, 제q 데이터선(Dq) 및 제p 주사선(Sp)에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)를 제어하기 위한 화소 회로(PC)를 포함한다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소 회로(PC)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다.
이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소 회로(PC)로부터 공급되는 전류에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
화소 회로(PC)는 제p 주사선(Sp)으로 주사 신호가 공급될 때 제q 데이터선(Dq)으로 공급되는 데이터 신호를 저장할 수 있으며, 상기 저장된 데이터 신호에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 공급되는 전류량을 제어할 수 있다.
예를 들어, 화소 회로(PC)는 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 제q 데이터선(Dq)과 제2 트랜지스터(TR2) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 트랜지스터(TR1)는 게이트 전극이 제p 주사선(Sp)에 접속되고, 제1 전극은 제q 데이터선(Dq)에 접속되며, 제2 전극은 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극에 접속될 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 제p 주사선(Sp)으로부터 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어, 제q 데이터선(Dq)으로부터의 데이터 신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급할 수 있다.
이 때, 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호에 대응되는 전압을 충전할 수 있다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제1 전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 연결될 수 있다.
예를 들어, 제2 트랜지스터(TR2)는 게이트 전극이 스토리지 커패시터(Cst)의 제1 전극 및 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 전극에 연결되고, 제1 전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제2 전극 및 제1 전원(ELVDD)에 연결되며, 제2 전극은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결될 수 있다.
이와 같은 제2 트랜지스터(TR2)는 구동 트랜지스터로서, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
이때, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제2 트랜지스터(TR2)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 생성할 수 있다.
여기서, 트랜지스터들(TR1, TR2)의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터들(TR1, TR2)의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.
또한, 도 4에서는 예시적으로 트랜지스터들(TR1, TR2)이 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시하였으나, 다른 실시예에서는 트랜지스터들(TR1, TR2)이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
제1 전원(ELVDD)은 고전위 전압이고, 제2 전원(ELVSS)은 저전위 전압일 수 있다.
예를 들어, 제1 전원(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 전원(ELVSS)은 음전압 또는 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소(PXL')는 유기 발광 다이오드(OLED), 제1 트랜지스터(TR1) 내지 제7 트랜지스터(TR7) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 제6 트랜지스터(TR6)를 경유하여 제1 트랜지스터(TR1)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원(ELVSS)에 접속될 수 있다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 트랜지스터(TR1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성할 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)로 전류가 흐를 수 있도록 제1 전원(ELVDD)은 제2 전원(ELVSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
제7 트랜지스터(TR7)는 초기화 전원(Vint)과 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제7 트랜지스터(TR7)의 게이트 전극은 제p+1 주사선(Sp+1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제7 트랜지스터(TR7)는 제p+1 주사선(Sp+1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 초기화 전원(Vint)의 전압을 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극으로 공급할 수 있다. 여기서, 초기화 전원(Vint)은 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정될 수 있다.
도 5에서는 제7 트랜지스터(TR7)가 제p+1 주사선(Sp+1)으로 공급되는 주사 신호에 따라 초기화되는 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제7 트랜지스터(TR7)는 제p-1 주사선(Sp-1)으로 공급되는 주사 신호에 따라 초기화될 수도 있다.
제6 트랜지스터(TR6)는 제1 트랜지스터(TR1)와 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제6 트랜지스터(TR6) 게이트 전극은 제p 발광 제어선(Ep)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제6 트랜지스터(TR6)는 제p 발광 제어선(Ep)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제5 트랜지스터(TR5)는 제1 전원(ELVDD)과 제1 트랜지스터(TR1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제5 트랜지스터(TR5)의 게이트 전극은 제p 발광 제어선(Ep)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제5 트랜지스터(TR5)는 제p 발광 제어선(Ep)으로 발광 제어신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온될 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1; 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(TR5)를 경유하여 제1 전원(ELVDD)에 접속되고, 제 2전극은 제6 트랜지스터(TR6)를 경유하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 접속될 수 있다. 그리고, 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제1 트랜지스터(TR1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여, 제1 전원(ELVDD)으로부터 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제3 트랜지스터(TR3)는 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 전극과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제3 트랜지스터(TR3)의 게이트 전극은 제p 주사선(Sp)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제3 트랜지스터(TR3)는 제p 주사선(Sp)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 전극과 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제3 트랜지스터(TR3)가 턴-온될 때 제1 트랜지스터(TR1)는 다이오드 형태로 접속될 수 있다.
제4 트랜지스터(TR4)는 제1 노드(N1)와 초기화 전원(Vint) 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제4 트랜지스터(TR4)의 게이트 전극은 제p-1 주사선(Sp-1)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제4 트랜지스터(TR4)는 제p-1 주사선(Sp-1)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 노드(N1)로 초기화 전원(Vint)의 전압을 공급할 수 있다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제q 데이터선(Dq)과 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극 사이에 접속될 수 있다. 그리고, 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극은 제p 주사선(Sp)에 접속될 수 있다. 이와 같은 제2 트랜지스터(TR2)는 제p 주사선(Sp)으로 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제q 데이터선(Dq)과 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 전극을 전기적으로 접속시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 전원(ELVDD)과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 이와 같은 스토리지 커패시터(Cst)는 데이터 신호 및 제1 트랜지스터(TR1)의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장할 수 있다.
여기서, 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)의 제1 전극은 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나로 설정되고, 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)의 제2 전극은 제1 전극과 다른 전극으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극이 소스 전극으로 설정되면 제2 전극은 드레인 전극으로 설정될 수 있다.
또한, 도 5에서는 예시적으로 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)이 PMOS 트랜지스터인 것으로 도시하였으나, 다른 실시예에서는 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)이 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
제1 전원(ELVDD)은 고전위 전원이고, 제2 전원(ELVSS)은 저전위 전원일 수 있다.
예를 들어, 제1 전원(ELVDD)은 양전압으로 설정되고, 제2 전원(ELVSS)은 음전압 또는 그라운드 전압으로 설정될 수 있다.
다음으로, 도 6 및 도 7을 참조하여, 아일랜드 패턴(IS) 상에 형성되는 화소(PXL)의 구조에 대해 설명하도록 한다.
도 6은 도 4에 도시된 화소의 구성을 예시적으로 도시한 평면도이고, 도 7은 도 6의 Ⅰ-Ⅰ' 선에 따른 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 게이트 라인(GL)은 제1 방향(X축 방향)과 제2 방향(Y축 방향) 중 어느 한 방향으로 연장될 수 있다.
데이터 라인(DL)은 게이트 라인(GL)과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다.
구동 전압 라인(DVL)은 데이터 라인(DL)과 실질적으로 동일한 방향으로 연장될 수 있다.
게이트 라인(GL)은 제1 트랜지스터(TR1)에 주사 신호를 전달하고, 데이터 라인(DL)은 제1 트랜지스터(TR1)에 데이터 신호를 전달하며, 구동 전압 라인(DVL)은 제2 트랜지스터(TR2)에 제1 전원(ELVDD)을 제공한다.
즉, 게이트 라인(GL)은 도 1에 도시된 주사선들(S1~Sp)에 대응하고, 데이터 라인(DL)은 도 1에 도시된 데이터선들(D1~Dq)에 대응하는 구성일 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 제1 게이트 전극(GE1)과 제1 소스 전극(SE1), 및 제1 드레인 전극(DE1)을 포함한다. 상기 제1 게이트 전극(GE1)은 상기 게이트 라인(GL)에 연결되며, 상기 제1 소스 전극(SE1)은 상기 데이터 라인(DL)에 연결된다. 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 전극(즉, 제2 게이트 전극(GE2))에 연결된다.
제1 트랜지스터(TR1)는 상기 게이트 라인(GL)에 인가되는 주사 신호에 따라 상기 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 신호를 제2 트랜지스터(TR2)에 전달한다.
제2 트랜지스터(TR2)는 제2 게이트 전극(GE2)과, 제2 소스 전극(SE2) 및 제2 드레인 전극(DE2)을 포함한다. 상기 제2 게이트 전극(GE2)은 제1 트랜지스터(TR1)에 연결되고 상기 소스 제2 전극(EL2)은 상기 구동 전압 라인(DVL)에 연결되며, 상기 제2 드레인 전극(DE2)은 발광 소자에 연결된다.
상기 발광 소자는 발광층(EML)과, 상기 발광층(EML)을 사이에 두고 서로 대향하는 제1 전극(EL1) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 드레인 전극(DE2)과 연결된다. 상기 제2 전극(EL2)에는 공통 전압이 인가되며, 상기 발광층(EML)은 상기 제2 트랜지스터(TR2)의 출력 신호에 따라 발광할 수 있다. 여기서, 상기 발광층(EML)으로부터 출사되는 광은 상기 발광층의 재료에 따라 달라질 수 있으며, 컬러광 또는 백색광일 수 있다.
커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(TR2)의 상기 제2 게이트 전극(GE2)과 상기 제2 소스 전극(SE2) 사이에 연결되며, 상기 제2 트랜지스터(TR2)의 상기 제2 게이트 전극(GE2)에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다.
이하에서는, 상술한 화소(PXL)의 구성들을 적층 순서에 따라 설명한다.
본 발명의 실시예에 의한 화소(PXL)는, 베이스층(110)의 아일랜드 패턴(IS) 상에 제공된다.
베이스층(110)은 기판(100) 위에 위치하는 것으로, 폴리이미드(Polyimide), 폴리아미드(Polyamide), 폴리아크릴계(polyacrylates) 등으로 이루어질 수 있다.
베이스층(110) 위에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 버퍼층(120)이 개재될 수 있다.
이러한 버퍼층(120)은 베이스층(110)의 상면의 평활성을 높이거나 베이스층(110) 등으로부터의 불순물이 트랜지스터들(TR1, TR2)로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
상기 버퍼층(120)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등으로 형성될 수 있으며, 상기 베이스층(110)의 재료 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(120)은 단일막 구조를 가질 수도 있고, 다중층 구조를 가질 수도 있다.
버퍼층(120) 위에는 제1 액티브 패턴(ACT1)과 제2 액티브 패턴(ACT2)이 제공된다. 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 반도체 소재로 형성된다. 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 제2 액티브 패턴(ACT2)은 각각 소스 영역(SCA), 드레인 영역(DRA), 및 상기 소스 영역(SCA)과 상기 드레인 영역(DRA) 사이에 제공된 채널 영역(CNA)을 포함한다. 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)은 폴리 실리콘, 아몰퍼스 실리콘, 산화물 반도체 등으로 이루어진 반도체 패턴일 수 있다. 특히, 상기 채널 영역(CNA)는 불순물로 도핑되지 않은 반도체 패턴으로서, 진성 반도체일 수 있다. 상기 소스 영역(SCA) 및 상기 드레인 영역(DRA)은 불순물이 도핑된 반도체 패턴일 수 있다. 상기 불순물로는 n형 불순물, p형 불순물, 기타 금속과 같은 불순물이 도핑될 수 있다.
상기 산화물 반도체는 티타늄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 게르마늄(Ge), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 이들의 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(Zn-In-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O), 인듐-갈륨 산화물 (In-Ga-O), 인듐-주석 산화물(In-Sn-O), 인듐-지르코늄 산화물(In-Zr-O), 인듐-지르코늄-아연 산화물(In-Zr-Zn-O), 인듐-지르코늄-주석 산화물(In-Zr-Sn-O), 인듐-지르코늄-갈륨 산화물(In-Zr-Ga-O), 인듐-알루미늄 산화물(In-Al-O), 인듐-아연-알루미늄 산화물(In-Zn-Al-O), 인듐-주석-알루미늄 산화물(In-Sn-Al-O), 인듐-알루미늄-갈륨 산화물(In-Al-Ga-O), 인듐-탄탈륨 산화물(In-Ta-O), 인듐-탄탈륨-아연 산화물(In-Ta-Zn-O), 인듐-탄탈륨-주석 산화물(In-Ta-Sn-O), 인듐-탄탈륨-갈륨 산화물(In-Ta-Ga-O), 인듐-게르마늄 산화물(In-Ge-O), 인듐-게르마늄-아연 산화물(In-Ge-Zn-O), 인듐-게르마늄-주석 산화물(In-Ge-Sn-O), 인듐-게르마늄-갈륨 산화물(In-Ge-Ga-O), 티타늄-인듐-아연 산화물(Ti-In-Zn-O), 하프늄-인듐-아연 산화물(Hf-In-Zn-O) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 액티브 패턴(ACT1) 및 제2 액티브 패턴(ACT2) 상에는 제1 절연막(140)이 제공된다. 제1 절연막(140)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 단층 또는 복수 층일 수 있다.
상기 제1 절연막(140) 상에는 게이트 라인(GL)과 연결된 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)이 제공된다. 상기 게이트 라인(GL), 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 금속으로 이루어질 수 있다.
상기 금속은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있으며, 이외에도 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu) 중 적어도 하나, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
또한, 상기 게이트 라인(GL), 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 단일막으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금속들 및 합금들 중 2 이상 물질이 적층된 다중막으로 형성될 수도 있다.
상기 제1 게이트 전극(GE1)과 제2 게이트 전극(GE2)은 각각 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)과 제2 액티브 패턴(ACT2)의 채널 영역(CNA)에 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다.
상기 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2) 상에는 상기 제1 및 제2 게이트 전극들(GE1, GE2)을 덮도록 제2 절연막(160)이 제공된다. 상기 제2 절연막(160)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함할 수 있다.
상기 제2 절연막(160)의 상에는 제1 소스 전극(SE1)과 제1 드레인 전극(DE1), 제2 소스 전극(SE2)과 제2 드레인 전극(DE2)이 제공된다.
상기 제1 소스 전극(SE1)과 상기 제1 드레인 전극(DE1)은 상기 제1 절연막(140) 및 상기 제2 절연막(160)에 형성된 콘택홀에 의해 상기 제1 액티브 패턴(ACT1)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 접촉된다.
상기 제2 소스 전극(SE2)과 상기 제2 드레인 전극(DE2)은 상기 제1 절연막(140) 및 상기 제2 절연막(160)에 형성된 콘택홀에 의해 상기 제2 액티브 패턴(ACT2)의 소스 영역(SCA)과 드레인 영역(DCA)에 각각 접촉된다.
상기 제2 절연막(160) 상에 제공되는 소스 전극들(SE1, SE2), 드레인 전극들(DE1, DE2), 구동 전압 라인(DVL) 등은 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu)와 같은 금속 중 적어도 하나, 또는 금속들의 합금으로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 제2 게이트 전극(GE2)의 일부와 상기 구동 전압 라인(DVL)의 일부는 각각 제1 커패시터 전극(CE1) 및 제2 커패시터 전극(CE2)이며, 상기 제2 절연막(160)을 사이에 두고 상기 커패시터(Cst)를 구성한다.
상기 제1 소스 전극(SE1)과 상기 제1 드레인 전극(DE1), 상기 제2 소스 전극(SE2)과 상기 제2 드레인 전극(DE2) 상에는 제3 절연막(180)이 제공된다. 상기 제3 절연막(180)은 상기 트랜지스터들(TR1, TR2)를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
상기 제3 절연막(180) 상에는 발광 소자의 애노드로서 제1 전극(EL1)이 제공된다. 상기 제1 전극(EL1)은 상기 제3 절연막(180)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 드레인 전극(DE2)에 연결된다. 여기서, 상기 제1 전극(EL1)은 캐소드로도 사용될 수 있으나, 이하 실시예에서는 애노드인 경우를 일 예로서 설명한다.
상기 제1 전극(EL1)은, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명한 도전 물질이나 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사성 금속을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(EL1) 상에는 각 화소(PXL)에 대응하도록 화소 영역을 구획하는 화소 정의막(PDL)이 제공된다. 상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(EL1)의 상면을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 즉, 화소 정의막(PDL)은 각 화소에 대응하도록 화소 영역을 구획할 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)의 개구부에는 발광층(EML)이 제공된다.
상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(EML) 상에는 제2 전극(EL2)이 제공된다. 상기 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 등의 금속막 및/또는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전성막으로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(EL2)은 금속 박막을 포함하는 이중막 이상의 다중막으로 이루어질 수 있으며, 예를 들어, ITO/Ag/ITO 의 삼중막으로 이루어질 수도 있다.
상기 봉지층(SL)은 상기 제2 전극(EL2) 상에 제공되어 상기 제2 전극(EL2)을 커버한다. 상기 봉지층(SL)은 단일층으로 이루어질 수 있으나, 복층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 봉지층(SL)은 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)으로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 봉지층(SL1)과 제2 봉지층(SL2)은 서로 다른 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 봉지층(SL1)은 유기 재료로, 상기 제2 봉지층(SL2)은 무기 재료로 이루어질 수 있다.
그러나, 상기 봉지층(SL) 복층 여부나 재료는 이에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 상기 봉지층(SL)은 서로 교번하여 적층된 다수의 유기 재료층과 다수의 무기 재료층을 포함할 수 있다.
한편, 도 4 내지 도 7에 도시된 화소(PXL, PXL')의 구조는 본 발명의 일 실시예일뿐이므로, 본 발명의 화소(PXL, PXL')가 상기 구조에 한정되는 것은 아니다. 즉, 화소(PXL, PXL')에 포함되는 트랜지스터와 커패시터의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 화소(PXL, PXL')에 포함되는 트랜지스터들과 커패시터의 구조 또한 다양하게 변경될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 센싱라인들을 나타낸 평면도이고, 도 9는 도 8의 Ⅱ-Ⅱ' 선에 따른 단면도이다. 도 8 및 도 9에서는 설명의 편의를 위하여, 화소들(PXL)에 연결되는 다양한 배선들은 생략하고, 센싱라인들(RSL)만을 도시하였다.
도 8을 참조하면, 베이스층(110) 상에는 화소들(PXL) 및 상기 화소들(PXL)에 연결되는 배선들(예를 들어, 데이터선들, 주사선들, 전원공급배선 등) 외에, 센싱라인들(RSL)이 더 형성될 수 있다.
센싱라인들(RSL)은 제1 센싱라인(RSL1), 제2 센싱라인(RSL2) 및 제3 센싱라인(RSL3)을 포함할 수 있다.
제3 센싱라인(RSL3)은 화소(PXL)와 가장 인접하도록 위치하고, 제1 센싱라인(RSL1)은 화소(PXL)와 가장 멀도록 위치할 수 있다. 제2 센싱라인(RSL2)은 제1 센싱라인(RSL1)과 제3 센싱라인(RSL3) 사이에 위치할 수 있다.
센싱라인들(RSL)은 브릿지 패턴(BR)와 아일랜드 패턴(IS) 상에 위치할 수 있으며, 일 방향을 따라 연장될 수 있다.
각각의 센싱라인들(RSL)은 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)을 포함할 수 있다. 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)은 센싱라인들(RSL)의 일부로서, 센싱라인들(RSL) 중 제2 영역(AA2)으로 돌출된 부분이 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)일 수 있다.
제1 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31)은 아일랜드 패턴(IS)으로부터 제2 영역(AA2) 쪽으로 돌출될 수 있다.
또한, 제2 돌출부들(RSL12, RSL22, RSL32)은 브릿지 패턴(BR)으로부터 제2 영역(AA2) 방향으로 돌출될 수 있다. 특히, 제2 돌출부들(RSL12, RSL22, RSL32)은 제2 영역(AA2) 상에서 제1 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31)과 접촉될 수 있도록, 제1 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31)을 향하여 돌출될 수 있다.
제2 영역(AA2)에서, 제3 센싱라인(RSL3)의 돌출부들(RSL31, RSL32)은, 제1 센싱라인(RSL1) 및 제2 센싱라인(RSL2)의 돌출부들(RSL11, RSL12, RSL21, RSL22)과, 아일랜드 패턴(IS)와 브릿지 패턴(BR)의 연결부 사이에 위치할 수 있다. 센싱라인들(RSL)은 제1 절연막(140) 상에 제공될 수 있다.
센싱라인들(RSL)은 제1 절연막(140) 상에 형성되는 전극들/배선들(예를 들어, 게이트라인(GL), 게이트전극(GE1, GE2) 등)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
또한, 센싱라인들(RSL)은, 제1 절연막(140) 상에 상기 전극들/배선들과 동시에 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2 영역(AA2)에서, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)과 중첩되는 영역에 베이스층(110), 버퍼층(120), 제1 절연막(140)이 제공될 수 있다. 즉, 베이스층(110)은 아일랜드 패턴(IS) 및 브릿지 패턴(BR) 외에, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32) 형상에 대응되는 패턴을 더 포함할 수 있다.
센싱라인들(RSL)은 제2 절연막(160)에 형성된 콘택홀에 의해 데이터라인(DL)에 접촉할 수 있다. 상기 콘택홀은 센싱라인들(RSL)과 데이터라인(DL)이 중첩하는 영역에 형성될 수 있다.
한편, 도 9에서는 센싱라인들(RSL)이 제1 절연막(140) 상에 제공되는 것으로 도시하였으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 9에는 도시되지 않았으나, 제1 절연막(140)과 제2 절연막(160) 사이에 별도의 절연막이 위치하고, 상기 절연막 상에 센싱라인들(RSL)이 제공될 수도 있다. 또는, 제2 절연막(160) 상에 별도의 절연막이 위치하고, 상기 절연막 상에 센싱라인들(RSL)이 제공될 수도 있다.
이 경우에는, 상기 절연막 상에 센싱라인들(RSL)과 데이터 라인(DL)을 전기적으로 접촉시키는 콘택홀이 형성될 수 있다.
이하에서는, 유기 발광 표시 장치(1)가 어느 정도 연신되었는지, 센싱라인들(RSL)을 이용하여 유기 발광 표시 장치(1)의 변형율을 산출하는 방법에 관하여 구체적으로 살펴보도록 한다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치가 연신된 경우, 서로 분리된 센싱라인들을 나타낸 도면이다.
본 발명의 실시예에 의한 센싱라인들(RSL)은 제2 영역(AA2)에서 분리될 수 있다. 즉, 센싱라인들(RSL)은 일체(一體)로 형성된 것이 아닐 수 있다.
따라서, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되지 않은 경우에는 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)이 서로 접촉되어 전기적으로 연결된 상태일 수 있다.
이와 달리, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되면, 브릿지 패턴(BR)은 연신되고 아일랜드 패턴(IS)은 회전함에 따라, 도 10 및 도 11에 도시된 것과 같이, 서로 접촉되어 있던 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)이 이격되어 멀어질 수 있다.
이 때, 도 11에 도시된 것과 같이, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32) 하부에 위치하는 베이스층(110), 버퍼층(120) 및 제1 절연막(140)이 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)과 함께 분리될 수 있다.
다만, 본 발명이 도 11에 도시된 것에 제한되는 것은 아니며, 베이스층(110), 버퍼층(120) 및 제1 절연막(140)은 연신되기만 할 뿐 분리되지 않으며, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32) 만이 분리될 수도 있다.
유기 발광 표시 장치(1)가 연신되기 시작하면, 아일랜드 패턴(IS)와 브릿지 패턴(BR)의 연결부로부터 가장 멀리 떨어진 제1 센싱라인(RSL1)의 돌출부들(RSL11, RSL12)부터 분리되고, 연신되는 정도가 커질수록 제2 센싱라인(RSL2)과 제3 센싱라인(RSL3)의 돌출부들(RSL21, RSL31, RSL22, RSL32)이 순차적으로 분리될 수 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치(1)의 변형율에 따라 분리된 센싱라인들(RSL)의 개수가 상이할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 센싱부(430)는 제2 기간 동안 각 데이터라인(DL)으로 흐르는 전류의 양을 획득할 수 있다.
상술한 바와 같이, 각 데이터라인(DL)에는 센싱라인들(RSL)이 콘택홀을 통해 접촉된다.
센싱라인들(RSL)의 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)이 모두 접촉되어 있을 때 기준 데이터 신호에 대응하는 전류가 흐르는 배선의 넓이와, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32) 중 하나 이상이 분리되어 이격되었을 때 상기 전류가 흐르는 배선의 넓이가 서로 다를 수 있다. 즉, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되는 정도에 따라 센싱라인들(RSL)의 저항이 달라질 수 있다.
따라서, 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)이 모두 접촉되어 있을 때 측정된 전류량, 제1 센싱라인(RSL1)의 돌출부들(RSL11, RSL12)이 분리되어 이격되어 있을 때 측정된 전류량, 제1 및 제2 센싱라인(RSL1, RSL2)의 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL12, RSL22)이 분리되어 이격되어 있을 때 측정된 전류량, 및 돌출부들(RSL11, RSL21, RSL31, RSL12, RSL22, RSL32)이 모두 분리되어 이격되었을 때 측정된 전류량이 서로 다르게 된다.
센싱부(430)는 측정된 전류량을 참조로 하여 유기 발광 표시 장치(1)가 어느 정도 연신되었는지 그 변형율을 판단할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 데이터 보상부(440)는, 센싱부(430)에서 센싱한 유기 발광 표시 장치(1)의 변형율을 참조로 하여, 화소들(PXL)에 공급될 데이터 신호를 보상할 수 있다.
특히, 데이터 보상부(440)는 영상의 휘도가 밝아지도록 데이터 신호를 보상할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 정도가 클수록 보상되는 값이 커질 수 있다.
본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치(1)는 연신 가능한 것으로, 만일 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되면, 연신된 영역 내에 위치하는 화소들(PXL) 간 간격이 멀어지게 된다. 즉, 연신된 영역 내의 화소 분포율은 연신되지 않은 영역 내의 화소 분포율보다 낮아지게 된다.
이 경우, 연신되지 않은 영역에 비하여 연신된 영역의 영상이 어두워 보이는 문제점이 발생할 수 있다.
하지만, 본 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 경우 화소들(PXL)로 공급되는 데이터 전압을 보상하여 휘도를 높일 수 있으므로, 상술한 문제점을 해결할 수 있다.
본 명세서에서는 하나의 데이터선에 연결되는 센싱라인들(RSL)이 세 개인 것으로 상정하여 설명하였으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 센싱라인들(RSL)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 센싱라인들(RSL)이 많을수록 유기 발광 표시 장치(1)의 연신 정도를 정밀하게 판단할 수 있다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 의한 서브 구동 전압 라인을 나타낸 평면도이다. 도 12에서는 설명의 편의를 위하여, 유기 발광 표시 장치(1)에 포함되는 다양한 배선들 중, 각 화소(PXL)에 연결되는 구동 전압 라인(DVL)과 서브 구동 전압 라인(SDVL)만을 도시하였다.
도 12를 참조하면, 구동 전압 라인(DVL)은 베이스층(110)의 브릿지 패턴(BR)과 아일랜드 패턴(IS) 상에 제공되며, 일 방향을 따라 연장되어 형성될 수 있다.
구동 전압 라인(DVL)은 각 화소(PXL; 특히, 도 4의 제2 트랜지스터(TR2)와 도 5의 제5 트랜지스터(TR5))로 제1 전원(ELVDD)를 제공한다.
이 때 구동 전압 라인(DVL)은 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되더라도 분리되지 않는다.
다음으로, 서브 구동 전압 라인(SDVL)은 베이스층(110)의 브릿지 패턴(BR)과 아일랜드 패턴(IS) 상에 제공될 수 있다.
서브 구동 전압 라인(SDVL)은 돌출부들(SDVL1, SDVL2)을 포함할 수 있다. 돌출부들(SDVL1, SDVL2)은 서브 구동 전압 라인(SDVL)의 일부로서, 서브 구동 전압 라인(SDVL) 중 제2 영역(AA2)으로 돌출된 부분이 돌출부들(SDVL1, SDVL2)일 수 있다.
제1 돌출부(SDVL1)는 아일랜드 패턴(IS)로부터 제2 영역(AA2) 쪽으로 돌출될 수 있다. 돌출부들(SDVL1, SDVL2)의 일단이 구부러진 형상(예를 들어, L 형상)일 수 있다.
또한, 제2 돌출부(SDVL2)는 브릿지 패턴(BR)로부터 제2 영역(AA2) 방향으로, 특히 제1 돌출부(SDVL1)를 향하여 돌출될 수 있다.
즉, 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)는 제2 영역(AA2)에서 서로 마주보도록 위치할 수 있다.
서브 구동 전압 라인(SDVL)은 구동 전압 라인(DVL)과 동일한 층에 제공될 수 있다. 즉, 서브 구동 전압 라인(SDVL)은 제2 절연막(160) 상에 제공될 수 있다.
서브 구동 전압 라인(SDVL)은 제2 절연막(160) 상에 제공되는 전극들/배선들(예를 들어, 트랜지스터들의 소스 전극 및 드레인 전극, 구동 전압 라인, 커패시터 전극 등)과 동일한 재료로 형성될 수 있다.
또한, 서브 구동 전압 라인(SDVL)은 제2 절연막(160) 상에 제공되는 상기 전극들/배선들과 동시에 형성될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되지 않은 경우, 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)는 서로 이격되어 위치할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 경우, 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)는 서로 접촉될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치가 연신된 경우, 서로 접촉된 돌출부들을 나타낸 도면이다.
유기 발광 표시 장치(1)가 연신되면, 브릿지 패턴(BR)은 늘어나고 아일랜드 패턴(IS)는 회전함에 따라, 도 13에 도시된 것과 같이, 서로 이격되어 있던 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)가 서로 접촉하게 된다.
제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)가 이격된 상태일 때에는, 서브 구동 전압 라인(SDVL)을 통해 제1 전원(ELVDD)이 화소(PXL)로 공급되지 못한다.
이와 달리, 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)가 접촉된 상태일 때에는, 서브 구동 전압 라인(SDVL)을 통해 제1 전원(ELVDD)이 화소(PXL)로 공급될 수 있다.
즉, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되면, 각 화소(PXL)는 구동 전압 라인(DVL)뿐만 아니라, 서브 구동 전압 라인(SDVL)을 통해 제1 전원(ELVDD)을 공급받을 수 있다.
본 발명에 의한 유기 발광 표시 장치(1)는 연신 가능한 것으로, 만일 유기 발광 표시 장치(1)가 연신되면, 구동 전압 라인(SDVL)이 늘어나게 되고, 이는 구동 전압 라인(SDVL)의 저항 증가를 야기한다.
구동 전압 라인(SDVL)의 저항이 증가하면, 제1 전원(ELVDD)의 전원공급원으로부터 멀리 위치한 화소들(PXL)에는 제1 전원(ELVDD)이 충분히 공급되지 못할 수 있으며, 따라서 휘도의 균일성이 떨어지는 문제점이 발생한다.
하지만, 본 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치(1)가 연신된 경우 화소들(PXL)로, 구동 전압 라인(DVL)뿐만 아니라, 서브 구동 전압 라인(SDVL)을 통해 제1 전원(ELVDD)을 공급할 수 있으므로, 상술한 문제점을 해결할 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 의한 서브 구동 전압 라인을 나타낸 평면도이다.
도 14를 참조하면, 서브 구동 전압 라인(SDVL)은 돌출부들(SDVL1, SDVL2)을 포함할 수 있다. 제1 돌출부(SDVL1)는 아일랜드 패턴(IS)으로부터 제2 영역(AA2) 쪽으로 돌출될 수 있다.
돌출부들(SDVL1, SDVL2)은 일단이 구부러진 형상(예를 들어, L자 형상)일 수 있다.
또한, 제2 돌출부(SDVL2)는 제1 돌출부(SDVL1)를 포함하는 아일랜드 패턴(IS)을 제외한 다른 아일랜드 패턴(IS)으로부터 제2 영역(AA2) 방향으로 돌출될 수 있다. 특히 제1 돌출부(SDVL1)를 향하여 돌출될 수 있다.
즉, 제1 돌출부(SDVL1)와 제2 돌출부(SDVL2)는 제2 영역(AA2)에서 서로 마주보도록 위치할 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 의한 유기 발광 표시 장치의 베이스층을 나타낸 평면도이다. 도 15에서는 네 개의 아일랜드 패턴(IS)만을 도시하였으나 기판(100) 상에 위치하는 아일랜드 패턴(IS)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 도 15에서는 설명의 편의를 위하여 화소들(PXL)에 연결되는 다양한 배선들은 생략하고, 센싱라인(RSL')만을 도시하였다.
베이스층(110')의 형상을 제외한 다른 구성은 도 1 내지 도 14를 참조하여 설명한 것과 동일하므로, 그에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 베이스층(110')은 기판(100) 상에 구비되는 것으로서, 아일랜드(island) 형태로 이루어질 수 있다.
구체적으로, 복수의 아일랜드 패턴(IS)은 제1 축(X축) 및 제2 축(Y축) 방향을 따라 규칙적으로 배열될 수 있다.
각 아일랜드 패턴(IS) 상에는 상술한 화소(PXL)가 제공될 수 있으며, 하나의 화소(PXL)가 제공될 수도 있고 복수의 화소(PXL)가 제공될 수도 있다.
아일랜드 패턴(IS)은 제1 내지 재4 변(IS1~IS4)으로 둘러싸일 수 있으며, 아일랜드 패턴의 각 변(IS1~IS4)에는 브릿지 패턴(BR')과 주변 영역(PR)이 위치할 수 있다.
브릿지 패턴(BR')은 인접하는 아일랜드 패턴들(IS)을 연결할 수 있으며, 각 브릿지 패턴(BR') 상에는 화소(PXL)에 전원, 데이터 신호, 주사 신호 등을 공급하기 위한 배선들이 형성될 수 있다.
기판(100)은 제1 영역(AA1')과 제2 영역(AA2')을 포함할 수 있다.
제1 영역(AA1') 상에는 아일랜드 패턴(IS), 브릿지 패턴(BR') 및 주변 영역(PR)이 제공될 수 있다. 따라서, 제1 영역(AA1')의 형상은 아일랜드 패턴(IS), 브릿지 패턴(BR') 및 주변 영역(PR)의 형상에 대응될 수 있다.
제2 영역(AA2')은 제1 영역(AA1')의 주변 영역으로서, 제1 영역(AA1')의 외측에 존재하며, 제1 영역(AA1')의 테두리를 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 제2 영역(AA2') 상에는, 후술할 센싱라인(RSL')과 중첩되는 영역을 제외하고는 베이스층(110')이 제공되지 않을 수 있다.
기판(100)이 연신 되는 경우, 아일랜드 패턴(IS) 사이의 간격이 증가 또는 감소할 수 있다. 이 경우, 각 아일랜드 패턴(IS)의 형상은 변형되지 않을 수 있다. 즉, 아일랜드 패턴(IS)의 폭 및 높이가 증가 또는 감소되지 않을 수 있다.
따라서 아일랜드 패턴(IS) 상에 형성되는 화소의 구조도 변형되지 않을 수 있다.
다만, 기판(100)이 연신되는 경우 아일랜드 패턴(IS)를 연결하는 브릿지 패턴들(BR')이 변형될 수 있다.
아일랜드 패턴(IS)의 어느 한 변(IS1~IS4)에 위치하는 브릿지 패턴(BR')과 주변 영역(PR) 사이에는 슬릿(S)이 형성될 수 있다. 슬릿(S)은 일단에 위치하는 곡선부(Sr)를 포함할 수 있다.
브릿지 패턴(BR')의 두께, 슬릿(S)의 길이, 슬릿(S)의 폭 등을 조절하여 연신율을 조절할 수 있다.
센싱라인(RSL)은 브릿지 패턴(BR'), 아일랜드 패턴(IS) 및 주변 영역(PR) 상에 위치할 수 있으며, 특정 방향을 따라 연장될 수 있다.
센싱라인(RSL')은 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')를 포함할 수 있다. 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')는 센싱라인(RSL')의 일부로서, 센싱라인(RSL') 중 제2 영역(AA2')으로 돌출된 부분이 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')일 수 있다. 즉, 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')는 제2 영역(AA2') 상에 위치할 수 있다.
한편, 도 15에서는 하나의 센싱라인(RSL')이 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 센싱라인(RSL')의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 도 15에 도시된 영역 A를 확대하여 나타낸 도면이다. 특히, 도 16a은 기판이 연신되지 않은 경우를 나타낸 도면이며, 도 16b은 기판이 연신된 경우를 나타낸 도면이다.
도 16a를 참조하면, 기판(100)이 연신되지 않은 경우, 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')는 접촉된 상태일 수 있다.
이와 다르게, 도 16b를 참조하면, 기판(100)이 연신된 경우, 서로 인접한 주변영역(PR)과 브릿지(BR') 간의 간격이 멀어짐에 따라 제1 돌출부(RSL11')와 제2 돌출부(RSL12')가 서로 이격되어 멀어질 수 있다.
한편, 도 15에 도시되지는 않았으나, 베이스층(110') 상에는 센싱라인(RSL) 대신 서브 구동 전압 라인(SDVL)이 제공될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 유기 발광 표시 장치
300: 표시 패널
400: 표시 구동부
410: 주사 구동부
420: 데이터 구동부
430: 센싱부
440: 데이터 보상부
450: 타이밍 제어부

Claims (27)

  1. 제1 영역과, 상기 제1 영역의 주변에 제공되는 제2 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 제1 영역 상에 위치하며, 화소들이 제공되는 복수의 아일랜드 패턴과, 서로 인접한 아일랜드 패턴들을 연결하는 복수의 브릿지 패턴을 포함하는 베이스층; 및
    상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 제2 영역으로 돌출된 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 브릿지 패턴 상에는 상기 화소들에 연결되는 배선들이 제공되는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 아일랜드 패턴은 사각 형상을 갖고,
    상기 아일랜드 패턴의 각 변에 상기 브릿지 패턴들이 연결되는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 베이스층 상에 제공되며, 상기 기판이 연신된 정도를 산출하기 위한 센싱라인들을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 상기 센싱라인들에 포함된 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉되고,
    상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 이격되어 멀어지는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는, 상기 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고,
    상기 제2 돌출부는, 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 돌출부와 연결되도록 상기 브릿지 패턴의 일 측으로부터 돌출된 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    주사선들을 통해 상기 화소들로 주사 신호를 공급하는 주사 구동부;
    데이터선들을 통해 상기 화소들로 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    상기 센싱라인들의 저항 변화량을 참조하여 상기 기판이 연신된 정도를 산출하는 센싱부; 및
    상기 기판이 연신된 정도를 참조하여 상기 데이터 신호를 보상하는 데이터 보상부를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 센싱라인들은 상기 데이터선들과 접촉하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 데이터 구동부는,
    제1 기간 동안 상기 데이터선들로 영상을 표시하기 위한 데이터 신호를 공급하고,
    제2 기간 동안 상기 데이터선들로 상기 기판이 연신된 정도를 산출하기 위한 기준 데이터 신호를 공급하는 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 센싱부는 상기 제2 기간 동안 상기 데이터선들에 흐르는 전류량을 획득하는 표시 장치.
  12. 제7항에 있어서,
    어느 하나의 아일랜드 패턴과, 상기 어느 하나의 아일랜드 패턴에 연결된 브릿지 패턴 사이에 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부가 복수 개 제공되며,
    상기 기판이 연신된 정도가 클수록, 서로 접촉된 제1 돌출부 및 제2 돌출부의 개수가 작아지는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 화소들로 제1 전원을 공급하기 위한 구동 전압 라인과, 서브 구동 전압 라인을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 상기 서브 구동 전압 라인에 포함된 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 이격되고,
    상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판이 연신된 경우, 상기 구동 전압 라인과 상기 서브 구동 전압 라인을 통해 상기 화소들로 상기 제1 전원이 공급되는 표시 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는 상기 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고,
    상기 제2 돌출부는, 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 돌출부와 연결되도록 상기 브릿지 패턴의 일 측으로부터 돌출된 표시 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 돌출부는 어느 하나의 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출되고,
    상기 제2 돌출부는, 상기 어느 하나의 아일랜드 패턴에 인접한 아일랜드 패턴의 일 측으로부터 돌출된 표시 장치.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 베이스층 상에 제공되는 제1 절연막;
    상기 제1 절연막 상에 제공되는 제2 절연막을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 구동 전압 라인은 상기 제2 절연막 상에 제공되는 표시 장치.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 화소들 각각은 트랜지스터를 포함하며, 상기 트랜지스터는,
    상기 제1 절연막 상에 제공되는 게이트 전극;
    상기 제2 절연막 상에 제공되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 표시 장치.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 제1 돌출부 및 상기 제2 돌출부는 상기 제2 절연막 상에 제공되는 표시 장치.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 구동 전압 라인과 상기 서브 구동 전압 라인은 동일한 층에 제공되는 표시 장치.
  24. 기판 및 상기 기판 상에 위치하는 화소들을 포함하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    데이터선들로 기준 데이터 신호를 공급하는 단계;
    상기 데이터선들로 흐르는 전류의 크기를 참조하여 상기 기판이 연신된 정도를 산출하는 단계;
    상기 기판이 연신된 정도를 참조하여, 영상을 표시하기 위한 데이터 신호를 보상하는 단계; 및
    보상된 데이터 신호를 상기 데이터선들을 통해 상기 화소들로 공급하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 데이터선들에, 제1 돌출부와 제2 돌출부를 포함하는 센싱라인들이 연결되고,
    상기 기판이 연신되지 않은 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 서로 접촉되고, 상기 기판이 연신된 경우 상기 제1 돌출부와 상기 제2 돌출부는 이격되어 멀어지는 표시 장치의 구동 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 기판이 연신된 정도가 클수록 상기 센싱라인들의 저항이 커지는 표시 장치의 구동 방법.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 기판이 연신되면, 상기 데이터 신호는, 상기 화소들이 보상 전 데이터 신호에 대응하여 발광할 때보다 높은 휘도로 발광하도록 보상되는 표시 장치의 구동 방법.
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