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KR20180032153A - 플라스마 처리 방법 - Google Patents

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KR20180032153A
KR20180032153A KR1020170000105A KR20170000105A KR20180032153A KR 20180032153 A KR20180032153 A KR 20180032153A KR 1020170000105 A KR1020170000105 A KR 1020170000105A KR 20170000105 A KR20170000105 A KR 20170000105A KR 20180032153 A KR20180032153 A KR 20180032153A
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plasma
gas
wafer
cleaning
etching
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KR1020170000105A
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KR101953149B1 (ko
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하야토 와타나베
마사히토 모리
다카오 아라세
다쿠 이와세
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
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Abstract

본 발명의 목적은, 제품 웨이퍼의 연속 처리에 있어서, 금속계 화합물의 발생을 억제할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은, 금속제의 처리실에서 시료를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 플라스마를 이용해서 상기 시료를 에칭하고, 상기 시료의 에칭 후, 상기 처리실을 플라스마 클리닝하고, 상기 플라스마 클리닝 후, S와 O를 함유하는 단(單)가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 처리하는 것을 특징으로 한다.

Description

플라스마 처리 방법{PLASMA PROCESSING METHOD}
본 발명은, 반도체 제조 장치의 프로세스에 관한 것이며, 특히, 플라스마 에칭의 플라스마 처리 방법에 관한 것이다.
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 트랜지스터의 게이트 전극으로 되는 Poly-Si막, Poly-Si막을 패터닝할 때에 사용하는 하드 마스크로 되는 SiO2, SiON막 또는 C계의 막을 플라스마 에칭할 경우, C계나 Si계의 반응 생성물이 진공 용기(처리실 내)에 퇴적되어서 에칭 성능의 경시(經時) 변화를 일으킨다.
이 경시 변화를 억제하기 위하여, SF6, NF3, CF4 등의 F계 가스, 산소를 포함하는 혼합 가스 플라스마를 이용해서 퇴적된 반응 생성물을 제거하는 플라스마 클리닝이 일반적으로 이용된다. 또한, 이 플라스마 클리닝 시에는, 웨이퍼 스테이지의 위에 더미 웨이퍼를 재치(載置)하지 않은 상태에서 행해지는 웨이퍼리스 클리닝이라는 방법이 일반적으로 행해지고 있다. 이 웨이퍼리스 클리닝을 실시했을 경우, 웨이퍼 대치(戴置) 전극 상에 웨이퍼를 설치하고 있지 않기 때문에, 전극의 웨이퍼 대치면이 플라스마의 조사에 의해서 소모되고, 웨이퍼 대치면을 구성하고 있는 금속 원소가 챔버 내에 확산되어서 금속 오염을 일으키는 경우가 있다.
예를 들면, 전극의 웨이퍼 대치면의 재료가 알루미나(Al2O3)를 주성분으로 할 경우, 전극 표면의 소모에 의해서 Al 오염이 일어날 우려가 있다.
이 문제를 해결하는 수단으로서 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 플라스마 처리 장치에 있어서의 스테이지 전극의 피처리체의 대치면을 구성하는 재료가 Al2O3를 주성분으로 하는 재료이고, 피처리체의 에칭 처리 방법으로서, 에칭 처리용의 가스에 BCl3을 이용하고, 클리닝 방전 수단에 의한, N매째의 피처리체에의 소정의 플라스마 처리와 N+1매째의 피처리체에의 소정의 처리 사이에 행하는 클리닝 방전에 있어서, 클리닝 가스로서 O2를 이용한 방전에 의해, 에칭 처리용의 가스에 포함되는 금속 원소인 B와 반응해서 휘발성의 반응 생성물 B-Cl 데포로부터 Cl을 선택적으로 제거하는 제1 클리닝 방전과, 클리닝 가스로서 SF6 또는 CxFy 가스를 이용한 방전에 의해, 환원성의 원소 B를 제거하는 제2 클리닝 방전의 적어도 2개의 클리닝 방전을 행함으로써, 피처리체에의 에칭 처리에 있어서의 금속 오염의 양을 저감하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 메탈을 갖는 웨이퍼를 플라스마 에칭했을 경우의 프로세스 성능의 변동을 억제하는 기술로서 특허문헌 2에 코팅 처리 후에 웨이퍼를 플라스마 에칭하고, 플라스마 에칭에 메탈 클리닝 및 불소 함유 가스에 의한 플라스마 클리닝을 행하는 것이 개시되어 있다.
일본 특개2015-32780호 공보 일본 특개2011-192872호 공보
최근, 3D-NAND 등의 3차원 구조 디바이스 개발에 있어서, 심혈(深穴), 심구(深溝) 에칭이 사용되고, 제품 웨이퍼의 플라스마 처리가 장시간화되어 오고 있다. 이 결과, 처리실이나 웨이퍼 스테이지에의 퇴적물의 부착량도 증가하기 때문에, 처리실의 클리닝 공정도 장시간화되어 왔다. 이 장시간화에 수반하여, 부착물이 제거된 어느 부분의 알루미나 표면이나 알루마이트 표면 등의 금속 표면이 플라스마에 노출되는 시간이 많아질수록 불소와 금속 표면이 반응해서 AlFx 등의 금속계의 화합물이 새롭게 발생해 버린다. 이 금속계 화합물의 발생에 의해 다음의 제품 웨이퍼의 플라스마 처리 시에 AlF 등의 이물로서 부착되어서 수율 저하나 디바이스 특성의 열화(劣化)라는 문제가 발생한다.
이와 같이 특허문헌 1에 개시된 방법에서는, 장시간의 클리닝을 실시했을 경우의 AlFx 등의 금속계의 화합물의 제거에 대하여 충분히 고려되어 있지 않았다.
또한, 특허문헌 2에 개시된 코팅 스텝을 이용한 경우여도, 특허문헌 1과 마찬가지로 장시간의 클리닝을 실시했을 경우의 AlFx 등의 금속계의 화합물의 제거에 대하여 충분히 고려되어 있지 않았다.
이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은, 제품 웨이퍼의 연속 처리에 있어서, 금속계 화합물의 발생을 억제할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다.
본 발명은, 금속제의 처리실에서 시료를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 플라스마를 이용해서 상기 시료를 에칭하는 공정과, 상기 시료의 에칭 후, 불소를 함유하는 가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 클리닝하는 공정과, 상기 플라스마 클리닝하는 공정 후, S와 O를 함유하는 단(單)가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 처리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해, 제품 웨이퍼의 연속 처리에 있어서, 금속계 화합물의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 플라스마 처리 방법에 있어서 사용한 플라스마 처리 장치의 종단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예의 플라스마 처리 방법을 나타내는 플로차트.
도 3은 Al 오염량을 나타내는 도면.
도 4는 Al2O3 기판 표면을 XPS 분석한 결과를 나타내는 도면.
도 5는 SiO2 기판 표면을 XPS 분석한 결과를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예의 플라스마 처리 방법을 나타내는 플로차트.
최초로 본 발명의 일 실시예의 플라스마 처리에 있어서 사용하는 플라스마 처리 장치인 플라스마 에칭 장치에 대하여 설명한다. 도 1은, 평행 평판형의 유효 자장(effective magnetic field) VHF(Very High Frequency) 플라스마 에칭 장치의 종단면도이다. 이 플라스마 에칭 장치는, 처리실(106)과 VHF 방사 안테나(111)와 진공 펌프(도시하지 않음) 및 압력 제어 밸브(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 또, 처리실(106)은, 알루미늄 또는 스테인리스 등의 금속으로 이루어지고, 처리실(106)의 내벽의 표면 재료로서는, 석영이나 이트리아 함유막과 함께 알루미늄알루마이트 피막이 이용되고 있다.
에칭용 가스는, 매스 플로우 컨트롤러(도시하지 않음)와 스톱 밸브(도시하지 않음)를 경유해서 가스 도입구(107)를 통과함에 의해, 샤워 플레이트(112)의 동심원 형상의 구멍으로부터 각각 처리실(106) 내에 도입된다. 그리고, 처리실(106)의 하부에 설치된 배기구(도시하지 않음)로부터 터보 펌프(도시하지 않음) 및 드라이 펌프(도시하지 않음)에 의해 배기된다. 이와 같이 도입된 에칭용 가스는, 플라스마 발생 수단에 의해 조사된 전자파의 에너지에 의해 해리되어 플라스마가 생성, 유지된다.
플라스마의 발생 수단은, 200MHz의 VHF파의 플라스마 생성용 고주파 전원(101)과, 제1 정합기(102)와, 전자석(104)으로 이루어지는 자장 발생 수단을 갖고 있다. 시료인 웨이퍼(113)를 재치하는 시료대인 웨이퍼 스테이지(116)는, 복수의 온도 제어 수단 등(도시하지 않음)을 이용해서 웨이퍼 스테이지(116)의 복수 부분을 서로 다른 소정의 온도로 제어하는 것이 가능하다.
이때, 웨이퍼(113)와 웨이퍼 스테이지(116)의 열적인 접촉을 향상시키기 위하여, 정전기로 웨이퍼를 흡착시키는, 소위 정전 흡착(Electric Static Chuck) 방식을 채용하고 있고, 웨이퍼 스테이지(116)의 웨이퍼측 표면은, 알루미나(Al2O3)를 주로 하는 세라믹막으로 구성되어 있다.
웨이퍼 스테이지(116)에는, 플라스마 중으로부터 웨이퍼(113)에 이온을 인입하고, 그 이온 에너지를 제어하기 위한 4MHz의 RF 바이어스 전원(119)과, 제2 정합기(117)가 접속되어 있다.
다음으로 본 발명의 일 실시예인 플라스마 처리 방법에 대하여 도 2를 참조하면서 설명한다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예인 플라스마 처리 방법의 플로차트이다. 플라스마 처리 개시에 수반하여, 스텝S201에 있어서, 반송 수단(도시하지 않음)에 의해 제품 웨이퍼를 처리실(106)에 반입해서 웨이퍼 스테이지(116)에 재치한다. 계속해서 스텝S202에 있어서, 웨이퍼 스테이지에 재치된 제품 웨이퍼를 소정의 플라스마 처리 조건에 의해 플라스마 에칭한다. 또, 본 실시예의 소정의 플라스마 처리 조건은, 3차원 메모리 제조용의 플라스마 처리 조건으로 했다. 다음으로 스텝S203에 있어서, 플라스마 에칭된 제품 웨이퍼를 처리실(106)로부터 반송 수단(도시하지 않음)에 의해 반출한다.
다음으로 스텝S204에 있어서, 웨이퍼 스테이지(116)의 웨이퍼의 재치면이 노출된 상태(웨이퍼 스테이지(116)에 웨이퍼가 재치되어 있지 않은 상태)에서 처리실(106) 내를 플라스마 클리닝한다. 이 플라스마 클리닝에 사용되는 가스는, 처리실(106)의 퇴적물의 조성이나 그 반응 생성물의 휘발성에 따라서 적절한 가스종이 선택된다. 예를 들면, 퇴적물이 Si를 주로 포함하는 경우는, 그 반응 생성물의 휘발성이 높은, SF6, NF3, CF4, CHF3 등의 F 원소를 함유하는 가스, 이 F 원소를 함유하는 가스와 O2와의 혼합 가스 또는, 이 불소 원소를 함유하는 가스와 N2와의 혼합 가스계를 이용한다.
또한, 퇴적물이 탄소를 주로 포함하는 경우에는, O2 또는 N2와 F 원소를 함유하는 가스의 혼합 가스를 이용한다. 또한, 퇴적물이 금속을 주로 포함하는 경우는, Cl2 가스, Cl2와 BCl3의 혼합 가스를 이용한다.
따라서, 본 실시예의 스텝S204의 플라스마 클리닝으로서는, 퇴적물이 Si를 주로 포함하는 경우의 플라스마 클리닝, 퇴적물이 탄소를 주로 포함하는 경우의 플라스마 클리닝, 또는 퇴적물이 금속을 주로 포함하는 경우의 플라스마 클리닝 중 어느 하나를 적어도 실시하면 되지만, 본 실시예에서는, O2 가스와 SF6 가스의 혼합 가스에 의한 플라스마를 이용해서 탄소계 퇴적물을 제거하고, SF6 가스와 Ar 가스의 혼합 가스에 의한 플라스마를 이용해서 Si계 퇴적물을 제거했다.
이 스텝S204의 플라스마 클리닝을 실시함에 의해, 스텝S202에 있어서의 제품 웨이퍼의 플라스마 에칭 처리 중에 처리실(106) 내표면에 부착된 반응 생성물이나 데포성 가스에 기인한 Si나 C를 포함하는 퇴적물을 제거할 수 있고, 이것에 의해 에칭 성능을 안정화시킬 수 있다.
또한 메탈게이트 구조를 갖는 제품 웨이퍼를 처리한 후에 처리실(106) 등에 부착되는 Ti, Ta, Hf 등의 금속을 포함하는 퇴적물을 제거할 경우, 스텝S204의 처리의 최종 스텝에 SiCl4 가스를 이용해서 실리콘산화막계의 피막을 처리실 내(106) 표면에 퇴적시키는 스텝을 삽입함에 의해, 처리실 내(106)나 웨이퍼 스테이지(116) 표면(알루미나) 기인의 제품 웨이퍼에의 금속 오염을 저감시킬 수 있다.
다음으로 스텝S205에 있어서, 트리트먼트 공정으로서 COS 가스 또는 SO2 가스 등의 S 원소와 O 원소를 함유하는 가스를 이용해서 처리실(106) 내를 플라스마 처리한다. 이 COS 가스 또는 SO2 가스 등의 S 원소와 O 원소를 함유하는 가스를 이용한 플라스마 처리에 의해서, 후술하는 이유에 의해 처리실(106) 내에 퇴적되어 있는 AlFx 등의 금속계의 화합물을 제거할 수 있다. 또, 본 실시예에서는, COS 가스와 O2 가스의 혼합 가스를 이용했다. 여기에서, 도 2에 나타내는 바와 같이 스텝S204의 플라스마 클리닝과 스텝S205의 트리트먼트 공정을 합친 공정을 「매엽(枚葉)후처리」라 한다.
계속해서 스텝S206에 있어서, 미처리의 제품 웨이퍼의 유무를 판단한다. 미처리의 제품 웨이퍼가 있는 경우는, 스텝S201 내지 스텝S206을 순차적으로, 실시하고, 미처리의 제품 웨이퍼가 없는 경우는, 스텝S207로 진행한다. 스텝S207에 있어서는, 오염·이물 검사를 실시할지의 여부를 미리 정해진 기준에 의거해서 판정한다. 오염·이물 검사를 실시한다고 판정한 경우는, 스텝S208에 있어서, 오염·이물 검사를 실시하고, 오염·이물 검사를 실시하지 않는다고 판정한 경우는, 플라스마 처리를 종료한다. 또, 본 실시예에서는, 스텝S208의 오염·이물 검사에 있어서, 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(116)에 재치해서 10초간의 Ar 가스에 의한 플라스마 처리를 실시해서 금속의 오염량을 측정했다.
Al의 오염량에 대해서 본 실시예의 플라스마 처리 방법과 비교예로서의 플라스마 처리 방법을 비교한 실험 결과를 도 3에 나타낸다. 또, 비교예로서의 플라스마 처리 방법은, 도 2에 나타내는 플로차트의 플라스마 처리 방법의 스텝S201 내지 스텝S204를 실시하고, 도 2의 스텝S204의 플라스마 클리닝에 O2 가스만에 의한 플라스마 클리닝을 추가한 것이다.
도 3에 나타내는 바와 같이 본 실시예의 스텝S205의 트리트먼트 공정을 실시함에 의해, Al의 금속 오염량을 22.0E10atoms/㎠에서 4.6E10atoms/㎠로 감소시킬 수 있었다. 또한, Al 이외의 금속의 오염량에 대해서 본 실시예의 플라스마 처리 방법과 종래의 플라스마 처리 방법을 비교한 실험 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 바와 같이 Mg, Mn, Fe, Ni, Cu의 금속의 오염량도 본 실시예의 플라스마 처리 방법의 쪽이 종래의 플라스마 처리 방법보다 오염량이 감소하는 결과로 되었다.
[표 1]
Figure pat00001
또한, SF6 가스에 의한 플라스마 클리닝 및 COS 가스와 O2 가스의 혼합 가스에 의한 트리트먼트를 Al2O3의 소편(小片)을 첩부(貼付)한 웨이퍼에서 실시한 경우의 Al2O3의 소편을 첩부한 웨이퍼의 조성 및 플라스마 처리를 실시하지 않은 경우의 Al2O3의 소편을 첩부한 웨이퍼(레퍼런스)를 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 분석기에 의해 측정한 결과를 도 4에 나타낸다. 또, Al2O3의 소편은, AlFx 등의 금속계의 화합물의 대용으로서 사용했다.
또한, SF6 가스에 의한 플라스마 클리닝 및 COS 가스와 O2 가스의 혼합 가스에 의한 트리트먼트를 SiO2의 소편을 첩부한 웨이퍼에서 실시한 경우의 SiO2의 소편을 첩부한 웨이퍼의 조성 및 플라스마 처리를 실시하지 않은 경우의 SiO2의 소편을 첩부한 웨이퍼(레퍼런스)를 XPS 분석기에 의해 측정한 결과를 도 5에 나타낸다.
도 4는, Al2O3 상에 S와 O의 성분이 부착되어, Al의 성분이 감소해 있는 결과를 나타낸다. 한편, 도 5는, SiO2 표면 상에 S와 O가 거의 부착되어 있지 않은 결과를 나타낸다. 이들 결과는, Al2O3 표면에 선택적으로 S와 O가 부착되어 있는 것을 나타내고 있고, Al 표면이 SO3 또는 SO4 2-와 Al2(SO4)3 등으로 황화(硫化)해서 Al 표면이 표면 개질되어 있다고 생각된다. 또한, Al과 AlFx 등의 금속계의 화합물은 마찬가지의 경향을 나타낸다고 생각되기 때문에, AlFx 등의 금속계의 화합물에 대해서도 도 4 및 5와 마찬가지의 결과로 된다고 생각된다.
이로부터, 처리실을 S 원소 및 O 원소를 포함하는 가스에 의해 처리실을 플라스마 처리하는 트리트먼트 공정(스텝S206)을 갖는 본 실시예의 플라스마 처리를 실시함에 의해서, 플라스마 에칭 장치의 처리실의 측벽에 부착, 또는 노출한 Al의 표면이 SOx화되어서 웨이퍼에의 재부착을 방지함에 의해 Al 오염량이 저감되었다고 생각된다. 이 Al 오염량 저감에 의해 AlF에 기인한 이물 저감과 디바이스 성능 열화를 억제할 수 있었다고 생각된다.
이상, 본 실시예의 플라스마 처리를 행함에 의해, 3차원 메모리 제조 등에 요구되는 플라스마 처리 후의 매엽 클리닝이 장시간화되어도, 이물이 발생하지 않으며, 또한 진공 용기 내로부터의 금속 오염(특히 Al)을 억제할 수 있어, 수율 저하나 디바이스 성능의 열화를 억제하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시예의 플라스마 처리 방법에 있어서, 제품 웨이퍼를 처리실에 반입하기 전에 트리트먼트 공정(스텝S205)을 추가해도 된다. 구체적으로는 도 6에 나타내는 바와 같이 제품 웨이퍼를 처리실(106)에 반입하는 스텝S201 전에 트리트먼트 공정의 스텝S601을 실시한다. 또, 도 6에 나타내는 플로차트의 각 스텝 중에서 도 2에 나타내는 플로차트의 각 스텝과 같은 부호의 스텝은, 같은 스텝 내용이기 때문에, 설명을 생략한다. 또한, 도 6의 스텝S601의 트리트먼트 공정과 도 6의 스텝S205의 트리트먼트 공정은 동일한 스텝 내용이다. 도 6에 나타내는 플라스마 처리를 행함에 의해, 막구조나 개구율이 서로 다른 제품 웨이퍼를 처리 이력에 영향을 받지 않고, 같은 처리실(106)에 있어서, 최초의 제품 웨이퍼여도 2매째 이후의 제품 웨이퍼와 마찬가지로 금속 오염이나 이물을 저감하는 것이 가능하게 된다.
또한 본 실시예의 스텝S204에 있어서, 웨이퍼 스테이지(116)에 웨이퍼가 재치되어 있지 않은 상태로서 설명했지만, 본건 발명의 과제인 AlFx 등의 금속계 화합물의 「Al」은, 웨이퍼 스테이지(116)의 재치면으로부터의 석출만을 대상으로 하고 있는 것은 아니고, 처리실 내벽으로부터 석출되는 「Al」도 대상으로 하기 때문에, 웨이퍼 스테이지(116)에 웨이퍼가 재치되어 있어도 본 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시예의 스텝S202은, 3차원 메모리 제조용의 플라스마 처리 조건의 플라스마 처리로서 설명했지만, 메탈 게이트 전극 가공, fin-FET 제조 등의 플라스마 처리 조건에서도 본 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도 2에 나타내는 플라스마 처리 방법에서는, 웨이퍼 반입(스텝S201) 전에 실시되는 에이징 처리를 생략하고 있지만, 에이징 처리를 웨이퍼 반입(스텝S201) 전에 실시함에 의해, 처리실(106) 내의 각 파츠를 세정하거나 함에 의해서 퇴적물의 부착 상태나 처리실(106) 내 파츠의 온도 등이 제품 처리 시와 크게 서로 다른 경우여도 본 실시예와 마찬가지로 금속 오염 및 이물의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예로서 도 1에 나타낸 VHF 드라이 에칭 장치에 적용한 경우에서 설명했지만, 용량 결합 플라스마나 유도 결합 플라스마, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라스마와 같은 다른 플라스마원을 이용하는 플라스마 에칭 장치에 있어서도, 각각의 플라스마원에 적합한 가스 혼합비, 가스 유량, 압력, 플라스마 생성용 고주파 전력이 조정된 트리트먼트 공정을 이용함에 의해, 본 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, CVD 등 다른 플라스마 처리 장치에 있어서도 S나 O를 포함하는 가스, 또는 각각의 혼합 가스를 CVD 등 다른 플라스마 처리 장치에 도입해서 도 2 또는 도 6의 플로차트와 같은 플라스마 처리를 행함에 의해, Al 등의 금속 오염을 저감하는 것이 가능하게 된다.
101 : 플라스마 생성용 고주파 전원 102 : 제1 정합기
104 : 전자석 106 : 처리실
107 : 가스 도입 111 : VHF 방사 안테나
112 : 샤워 플레이트 113 : 웨이퍼
116 : 웨이퍼 스테이지 117 : 제2 정합기
119 : RF 바이어스 전원

Claims (4)

  1. 금속제의 처리실에서 시료를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서,
    플라스마를 이용해서 상기 시료를 에칭하는 공정과,
    상기 시료의 에칭 후, 불소를 함유하는 가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 클리닝하는 공정과,
    상기 플라스마 클리닝하는 공정 후, S와 O를 함유하는 단(單)가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 처리하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 S와 O를 함유하는 단가스는, COS 가스 또는 SO2 가스인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 시료를 에칭하는 공정 전, 상기 S와 O를 함유하는 단가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 처리하는 공정을 더 갖는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 방법.
  4. 금속제의 처리실에서 시료를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서,
    플라스마를 이용해서 상기 시료를 에칭하는 공정과,
    상기 시료를 에칭하는 공정 후, 상기 처리실을 플라스마 클리닝하는 공정과,
    상기 플라스마 클리닝하는 공정 후, S와 O를 함유하는 단가스를 이용해서 상기 처리실을 플라스마 처리하는 공정을 갖고,
    상기 플라스마 클리닝은, 실리콘을 함유하는 막을 불소를 함유하는 가스를 이용해서 제거하는 플라스마 클리닝과 탄소를 함유하는 막을 제거하는 플라스마 클리닝과 금속을 함유하는 막을 제거하는 플라스마 클리닝을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 방법.
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