KR20180027852A - 후면 조사형 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2 내지 도 16은 도 1에 도시된 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
104 : 벌크 실리콘 기판 106 : 에피택시얼층
108 : 소자 분리 영역 110 : 게이트 절연막
112 : 게이트 전극 114 : 게이트 스페이서
120 : 포토 다이오드 122 : 전면 피닝층
124 : 후면 피닝층 126 : 고농도 불순물 영역
130 : 제1 절연층 132 : 제1 개구
134 : 제1 본딩 패드 136 : 제1 금속 배선층
140 : 제2 절연층 142 : 제2 개구
144 : 제2 본딩 패드 146 : 제2 금속 배선층
150 : 제3 절연층 152 : 제3 개구
154 : 제3 본딩 패드 156 : 제3 금속 배선층
160 : 제4 절연층 170 : 반사 방지층
172 : 차광 패턴 174 : 패시베이션층
180 : 제5 절연층 190 : 컬러 필터
192 : 마이크로렌즈 200 : 와이어
Claims (20)
- 포토 다이오드가 형성된 기판;
상기 기판의 전면 상에 형성된 절연층; 및
상기 절연층 상에 형성된 본딩 패드를 포함하되,
상기 본딩 패드는 상기 기판 및 상기 절연층을 관통하여 형성된 개구에 의해 노출되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제1항에 있어서, 상기 절연층 상에 형성된 금속 배선층을 더 포함하며,
상기 본딩 패드는 상기 금속 배선층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제2항에 있어서, 상기 절연층과 상기 본딩 패드 및 상기 금속 배선층 상에 형성되며 상기 본딩 패드를 노출시키는 제2 개구를 갖는 제2 절연층; 및
상기 제2 개구에 의해 노출된 상기 본딩 패드 상에 형성되는 제2 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제3항에 있어서, 상기 본딩 패드의 가장자리 부위는 상기 절연층과 상기 제2 절연층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서.
- 제3항에 있어서, 상기 제2 절연층 상에 형성된 제2 금속 배선층을 더 포함하며,
상기 제2 본딩 패드는 상기 제2 금속 배선층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제5항에 있어서, 상기 제2 절연층과 상기 제2 본딩 패드 및 상기 제2 금속 배선층 상에 형성되며 상기 제2 본딩 패드를 노출시키는 제3 개구를 갖는 제3 절연층; 및
상기 제3 개구에 의해 노출된 상기 제2 본딩 패드 상에 형성된 제3 본딩 패드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제6항에 있어서, 상기 제3 절연층 상에 형성된 제3 금속 배선층; 및
상기 제3 절연층과 상기 제3 본딩 패드 및 상기 제3 금속 배선층 상에 형성된 제4 절연층을 더 포함하며,
상기 제3 본딩 패드는 상기 제3 금속 배선층과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제1항에 있어서, 상기 기판은 제1 도전형을 갖고,
상기 포토 다이오드는 제2 도전형을 가지며,
상기 기판의 전면과 상기 포토 다이오드 사이에는 상기 제1 도전형을 갖는 전면 피닝층이 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제8항에 있어서, 상기 기판의 후면과 상기 포토 다이오드 사이에는 상기 제1 도전형을 갖는 후면 피닝층이 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 후면 상에 형성된 컬러 필터; 및
상기 컬러 필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제10항에 있어서, 상기 기판의 후면 상에 형성된 반사 방지층;
상기 반사 방지층 상에 형성된 차광 패턴; 및
상기 반사 방지층 및 상기 차광 패턴 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하며,
상기 컬러 필터는 상기 패시베이션층 상에 형성되며, 상기 개구는 상기 패시베이션층 및 상기 반사 방지층을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서. - 제11항에 있어서, 상기 컬러 필터와 상기 패시베이션층 사이에 형성된 제5 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서.
- 기판 내에 포토 다이오드를 형성하는 단계;
상기 기판의 전면 상에 절연층을 형성하는 단계;
상기 절연층 상에 본딩 패드를 형성하는 단계; 및
상기 본딩 패드를 노출시키기 위하여 상기 기판 및 상기 절연층을 관통하는 개구를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제13항에 있어서, 상기 절연층 상에 금속 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
상기 본딩 패드는 상기 금속 배선층과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제14항에 있어서, 상기 절연층과 상기 본딩 패드 및 상기 금속 배선층 상에 상기 본딩 패드를 노출시키는 제2 개구를 갖는 제2 절연층을 형성하는 단계;
상기 제2 개구에 의해 노출된 상기 본딩 패드 상에 제2 본딩 패드를 형성하는 단계; 및
상기 제2 절연층 상에 제2 금속 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제15항에 있어서, 상기 제2 절연층과 상기 제2 본딩 패드 및 상기 제2 금속 배선층 상에 상기 제2 본딩 패드를 노출시키는 제3 개구를 갖는 제3 절연층을 형성하는 단계;
상기 제3 개구에 의해 노출된 상기 제2 본딩 패드 상에 제3 본딩 패드를 형성하는 단계; 및
상기 제3 절연층 상에 제3 금속 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제13항에 있어서, 상기 기판의 후면 상에 반사 방지층을 형성하는 단계;
상기 반사 방지층 상에 차광 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 반사 방지층 및 상기 차광 패턴 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
상기 개구는 상기 패시베이션층 및 상기 반사 방지층을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제17항에 있어서, 상기 패시베이션층과 상기 개구 및 상기 본딩 패드의 표면들 상에 패드 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 패드 보호층 상에 컬러 필터를 형성하는 단계;
상기 컬러 필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및
상기 본딩 패드가 노출되도록 상기 패드 보호층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서의 제조 방법. - 제17항에 있어서, 상기 패시베이션층 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 및
상기 컬러 필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하며,
상기 개구는 상기 마이크로렌즈를 형성한 후 상기 패시베이션층과 상기 반사 방지층을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 후면 조사형 이미지 센서 제조 방법.
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