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KR20180006547A - 통합 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

통합 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

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KR20180006547A
KR20180006547A KR1020160086294A KR20160086294A KR20180006547A KR 20180006547 A KR20180006547 A KR 20180006547A KR 1020160086294 A KR1020160086294 A KR 1020160086294A KR 20160086294 A KR20160086294 A KR 20160086294A KR 20180006547 A KR20180006547 A KR 20180006547A
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KR
South Korea
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signal
node
switching transistor
turned
response
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KR1020160086294A
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박지은
유영욱
카말하싼
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하고, 복수의 스테이지들을 포함하는 통합 구동부에 있어서, 스테이지 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 제 2 신호 및 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부 및 제 3 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 제 1 신호 및 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함한다.

Description

통합 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치 {INTEGRATION DRIVER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 통합 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display; FED), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP) 및 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display; OLED) 등이 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 유망한 차세대 표시 장치로 각광받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 표시 패널, 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부, 스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부, 발광 제어 신호를 공급하는 발광 제어부 및 데이터 구동부, 스캔 구동부 및 발광 제어부를 제어하는 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 이 때, 스캔 신호를 생성하는 스캔 구동부의 스테이지들과 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어부의 스테이지들이 별도의 면적에 실장되어 데드 스페이스(dead space)가 증가할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하는 통합 구동부를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하는 통합 구동부를 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 목적은 상술한 목적으로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 통합 구동부는 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하고, 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 상기 스테이지 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 상기 제 2 신호 및 상기 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부 및 상기 제 3 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 상기 제 1 신호 및 상기 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 스캔 신호 생성부는 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터 상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 5 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터, 상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 전압 공급 라인과 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 스캔 출력 노드와 제2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터, 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터 및 상기 제 2 노드와 상기 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 6 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 스캔 신호로서 출력되고, 상기 제 7 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 클럭 신호가 상기 스캔 신호로서 출력될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광 제어 신호 생성부는 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 3 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터, 상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 6 노드 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 11 스위칭 트랜지스터, 상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 12 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 4 노드와 상기 제 6 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되고, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터의 W/L은 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L은 1이하일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 상기 제 5 신호 및 제 3클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성하는 초기화 신호 생성부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 초기화 신호 생성부는 상기 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 7 노드 사이에 연결되는 제 13 스위칭 트랜지스터, 상기 제 7 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 14 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 7 노드와 상기 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 4 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 캐리 신호는 이전 스테이지에서 출력되는 스캔 신호일 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널, 상기 화소들에 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 스테이지들을 포함하는 통합 구동부, 상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부 및 상기 통합 구동부 및 상기 데이터 구동부를 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 스테이지 각각은 개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 상기 제 2 신호 및 상기 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부 및 상기 제 3 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 상기 제 1 신호 및 상기 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 스캔 신호 생성부는 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터, 상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 5 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터, 상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 전압 공급 라인과 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터, 상기 제 2 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 스캔 출력 노드와 제2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터, 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터 및 상기 제 2 노드와 상기 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 6 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 스캔 신호로서 출력되고, 상기 제 7 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 클럭 신호가 상기 스캔 신호로서 출력될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 발광 제어 신호 생성부는 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 3 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터, 상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 6 노드 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터, 상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 11 스위칭 트랜지스터, 상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 12 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 4 노드와 상기 제 6 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되고, 상기 제12 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제2 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터의 W/L은 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L보다 클 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L은 1이하일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 상기 제 5 신호 및 제 3클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성하는 초기화 신호 생성부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 초기화 신호 생성부는 상기 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 7 노드 사이에 연결되는 제 13 스위칭 트랜지스터, 상기 제 7 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 14 스위칭 트랜지스터 및 상기 제 7 노드와 상기 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 4 커패시터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 캐리 신호는 이전 스테이지에서 출력되는 스캔 신호일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 통합 구동부 및 이를 포함하는 표시 장치는 스캔 신호 생성부에서 생성되는 신호들을 이용하여 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하는 스테이지를 포함함으로써, 스캔 신호를 생성하는 스테이지와 발광 제어 신호를 생성하는 스테이지를 별도의 면적에 실장할 때 발생하는 데드 스페이스(DEAD SPACE)를 감소시킬 수 있다. 다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 통합 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 통합 구동부에 포함되는 스테이지의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 2의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 4는 도 1의 통합 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 4의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7은 도 6의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 6의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 9는 도 8의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 통합 구동부를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 통합 구동부(100)는 복수의 스테이지들(120, 140, 160)을 포함할 수 있다. 각각의 스테이지들(120, 140, 160)은 종속적으로 연결되어 스캔 신호들(SCAN1, SCAN2, SCAN3) 및 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)을 순차적으로 출력할 수 있다. 스캔 신호들(SCAN1, SCAN2, SCAN3) 및 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)은 표시 패널의 화소들에 공급될 수 있다.
각각의 스테이지는 제 1 클럭 신호 공급 라인(L2)과 연결되어 제 1 클럭 신호(CLK1)를 공급받을 수 있다. 각각의 스테이지는 제 2 클럭 신호 공급 라인(L3)과 연결되어 제 2 클럭 신호(CLK2)를 공급받을 수 있다. 제 1 스테이지(120)는 개시 신호 공급 라인(L1)과 연결되어 개시 신호(FLM)를 공급받을 수 있다. 제 1 스테이지(120)를 제외한 스테이지들(120, 140, 160)은 캐리 신호 공급 라인(L4)들을 통해 이전 스테이지에서 출력되는 캐리 신호(CARRY1, CARRY2, CARRY3)를 공급받을 수 있다. 이 때, 캐리 신호(CARRY1, CARRY2, CARRY3)는 이전 스테이지에서 출력되는 스캔 신호(SCAN1, SCAN2, SCAN3)와 동일한 신호일 수 있다. 도 1에는 도시하지 않았지만 각각의 스테이지들(120, 140, 160)은 제 1 전압 공급 라인을 통해 제 1 전압을 공급받고, 제 2 전압 공급 라인을 통해 제 2 전압을 공급받을 수 있다. 이 때, 제 1 전압은 하이 레벨(예를 들어, 10V)을 갖는 전압이고, 제2 전압은 로우 레벨(예를 들어, -10V)을 갖는 전압일 수 있다.
제 1 스테이지(120)는 타이밍 제어부에서 공급되는 개시 신호(FLM), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 1 스캔 신호(SCAN1) 및 제 1 발광 제어 신호(EM1)를 생성할 수 있다. 제 1 스테이지(120)에서 생성되는 제 1 스캔 신호(SCAN1)는 제 1 스캔 라인을 통해 제 1 스캔 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 이 때, 제 1 스캔 신호(SCAN1)는 제 1 캐리 신호(CARRY1)로서 제 2 스테이지(140)에 공급될 수 있다. 또한, 제 1 스테이지(120)에서 생성되는 제 1 발광 제어 신호(EM1)는 제 1 발광 제어 라인을 통해 제 1 발광 제어 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다.
제 2 스테이지(140)는 제 1 스테이지(120)에서 공급되는 제 1 캐리 신호(CARRY1) 및 타이밍 제어부에서 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 2 스캔 신호(SCAN2) 및 제 2 발광 제어 신호(EM2)를 생성할 수 있다. 제 2 스테이지(140)에서 생성되는 제 2 스캔 신호(SCAN2)는 제 2 스캔 라인을 통해 제 2 스캔 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 이 때, 제 2 스캔 신호(SCAN2)는 제 2 캐리 신호(CARRY2)로서 제 3 스테이지(160)에 공급될 수 있다. 또한, 제 2 스테이지(140)에서 생성되는 제 2 발광 제어 신호(EM2)는 제 2 발광 제어 라인을 통해 제 2 발광 제어 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다.
제 3 스테이지(160)는 제 2 스테이지(140)에서 공급되는 제 2 캐리 신호(CARRY2) 및 타이밍 제어부에서 공급되는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 3 스캔 신호(SCAN3) 및 제 3 발광 제어 신호(EM3)를 생성할 수 있다. 제 3 스테이지(160)에서 생성되는 제 3 스캔 신호(SCAN3)는 제 3 스캔 라인을 통해 제 3 스캔 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다. 이 때, 제 3 스캔 신호(SCAN3)는 제 3 캐리 신호(CARRY3)로서 제 4 스테이지에 공급될 수 있다. 또한, 제 3 스테이지(160)에서 생성되는 제 3 발광 제어 신호(EM3)는 제 3 발광 제어 라인을 통해 제 3 발광 제어 라인과 연결된 화소들에 공급될 수 있다.
이와 같이, 통합 구동부(100)의 스테이지들(120, 140, 160)은 종속적으로 연결되어 스캔 신호들(SCAN1, SCAN2, SCAN3) 및 발광 제어 신호들(EM1, EM2, EM3)을 순차적으로 출력할 수 있다. 제 1 스테이지(120)는 개시 신호(FLM), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 1 스캔 신호(SCAN1) 및 제 1 발광 제어 신호(EM1)를 생성하고, 제 n 스테이지는 제 (n-1) 캐리 신호(CARRY[n-1]), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 n 스캔 신호(SCAN[n]) 및 제 n 발광 제어 신호(EM[n])를 생성할 수 있다. (단, n은2 이상의 자연수)
도 2는 도 1의 통합 구동부에 포함되는 스테이지의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 통합 구동부의 스테이지(200) 각각은 스캔 신호 생성부(220) 및 발광 제어 신호 생성부(240)를 포함할 수 있다.
스캔 신호 생성부(220)는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 1 노드(N1)에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드(N2)에 인가되는 제2 신호 및 제 3 노드(N3)에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 제 2 신호 및 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호(SCAN)를 생성할 수 있다. 이 때, 제 1 신호는 제 1 노드(N1)에 인가되는 전압이고, 제 2 신호는 제 2 노드(N2)에 인가되는 전압이며, 제 3 신호는 제 3 노드(N3)에 인가되는 전압일 수 있다. 제 1 신호, 제 2 신호 및 제 3 신호는 스위칭 트랜지스터의 동작을 제어하기 위한 로우 레벨의 전압 또는 하이 레벨의 전압을 가질 수 있다. 도 2의 스테이지(200)가 제 1 스테이지인 경우, 스캔 신호 생성부(220)에 개시 신호(FLM), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다. 도 2의 스테이지(200)가 제 n 스테이지인 경우, 스캔 신호 생성부(220)에 캐리 신호(CARRY), 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다. 이 때, 캐리 신호(CARRY)는 제 (n-1)번째 스테이지(200)에서 출력되는 스캔 신호(SCAN)일 수 있다.
스캔 신호 생성부(220)는 제 1 스위칭 트랜지스터(M1), 제 2 스위칭 트랜지스터(M2), 제 3 스위칭 트랜지스터(M3), 제 4 스위칭 트랜지스터(M4), 제 5 스위칭 트랜지스터(M5), 제 6 스위칭 트랜지스터(M6), 제 7 스위칭 트랜지스터(M7), 제 1 커패시터(C1) 및 제 2 커패시터(C2)를 포함할 수 있다.
제 1 스위칭 트랜지스터(M1)는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드(N1) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)는 제 1 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되는 경우, 개시 신호 공급 라인을 통해 공급되는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호 공급 라인을 통해 공급되는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)로 공급될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)는 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 제 5 노드(N5) 사이에 연결될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)는 제 3 노드(N3)와 연결되는 게이트 전극, 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 5 노드(N5)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되는 경우, 제 1 전압 공급 라인을 통해 공급되는 제 1 전압(VGH)이 제 5 노드(N5)로 공급될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 노드(N1)와 제 5 노드(N5) 사이에 연결될 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)는 제 2 클럭 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 1 전극 및 제 5 노드(N5)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온되는 경우, 제 5 노드(N5)의 전압이 제 1노드로 공급될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)는 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호(CLK1) 공급 라인과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 1 전극 및 제 1 클럭 신호(CLK1) 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되는 경우, 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제 3 노드(N3)로 공급될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)는 제 1 클럭 신호(CLK1) 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되는 경우, 제 2 전압 공급 라인을 통해 공급되는 제 2 전압(VGL)이 제 3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 스캔 출력 노드(NS) 사이에 연결될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 제 3 노드(N3)와 연결되는 게이트 전극, 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 스캔 출력 노드(NS)와 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되는 경우, 제 1 전압 공급 라인을 통해 공급되는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 공급될 수 있다. 이 때, 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압(VGH)이 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 2 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 스캔 출력 노드(NS)와 제 2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 게이트 전극, 스캔 출력 노드(NS)와 연결되는 제 1 전극 및 제 2 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되는 경우, 제 2 클럭 신호(CLK2)가 스캔 출력 노드(NS)로 공급될 수 있다. 이 때, 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)는 제 2 전압(VGL)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)는 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 1 전극 및 제 2 노드(N2)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되는 경우, 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호)이 제 2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 전압 공급 라인과 제 3 노드(N3) 사이에 연결될 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 1 커패시터(C1)는 제 1 전압(VGH)과 제 3 노드(N3)에 인가되는 전압(즉, 제 3 신호)의 차를 저장할 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 스캔 출력 노드(NS) 사이에 연결될 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)와 연결되는 제1 전극 및 스캔 출력 노드(NS)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 2 커패시터(C2)는 제 2 노드(N2)에 인가되는 전압(즉, 제 2 신호)과 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 전압의 차를 저장할 수 있다.
발광 제어 신호 생성부(240)는 제 3 신호 및 제 2 클럭 신호(CLK2)에 기초하여 제 4 노드(N4)에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 제 1 신호 및 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호(EM)를 생성할 수 있다. 이 때, 제 4 신호는 제 4 노드(N4)에 인가되는 전압일 수 있다. 제 4 신호는 스위칭 트랜지스터의 동작을 제어하기 위한 로우 레벨의 전압 또는 하이 레벨의 전압을 가질 수 있다.
발광 제어 신호 생성부(240)는 제 9 스위칭 트랜지스터(M9), 제 10 스위칭 트랜지스터(M10), 제 11 스위칭 트랜지스터(M11), 제 12 스위칭 트랜지스터(M12) 및 제 3 커패시터(C3)를 포함할 수 있다.
제 9 스위칭 트랜지스터(M9)는 제 2 전압(VGL)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 노드(N3)와 제 4 노드(N4) 사이에 연결될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)는 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 3 노드(N3)와 연결되는 제 1 전극 및 제 4 노드(N4)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호)이 제 4 노드(N4)에 공급될 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)는 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호(CLK2) 공급 라인과 제 6 노드(N6) 사이에 연결될 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)는 제 4 노드(N4)와 연결되는 게이트 전극, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 제 6 노드(N6)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)가 턴온되는 경우, 제 2 클럭 신호(CLK2)가 제 6 노드(N6)에 공급될 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)는 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 발광 출력 노드(NE) 사이에 연결될 수 있다. 제11 스위칭 트랜지스터(M11)는 제 1 노드(N1)와 연결되는 게이트 전극, 제 1 전압 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 발광 출력 노드(NE)와 연결되는 제2 전극을 포함할 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온되는 경우, 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 공급될 수 있다. 이 때, 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 1 전압(VGH)이 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)는 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 발광 출력 노드(NE) 사이에 연결될 수 있다. 제12 스위칭 트랜지스터(M12)는 제 4 노드(N4)와 연결되는 게이트 전극, 발광 출력 노드(NE)와 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되는 경우, 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 공급될 수 있다. 이 때, 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 2 전압(VGL)이 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다. 이 때, 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)의 W/L은 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)의 W/L보다 크게 설계될 수 있다. 예를 들어, 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)의 W/L은 1이하로 설계될 수 있다. 제 3 커패시터(C3)는 제 4 노드(N4)와 제 6 노드(N6) 사이에 연결될 수 있다. 제 3 커패시터(C3)는 제 4 노드(N4)와 연결되는 제 1 전극 및 제 6 노드(N6)와 연결되는 제2 노드(N2)를 포함할 수 있다. 제 3 커패시터(C3)는 제 4 노드(N4)에 인가되는 전압(즉, 제 4 신호)과 제 6 노드(N6)에 인가되는 전압의 차를 저장할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)은 피모스(P-channel Metal Oxide-Semiconductor; PMOS) 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)은 로우 레벨(예를 들어, VGL)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다. 도 2에는 피모스 트랜지스터들로 구현된 제 1 내지 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)을 도시하였으나, 제 1 내지 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 내지 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)은 엔모스(N-channel Metal Oxide-Semiconductor; NMOS) 트랜지스터들(M1, ..., M12)로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 제12 스위칭 트랜지스터(M1, ..., M12)들은 하이 레벨(예를 들어, VGH)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다.
도 3은 도 2의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3을 참조하면, 제 1 클럭 신호(CLK1)와 제 2 클럭 신호(CLK2)는 동일한 주기를 가질 수 있다. 제 2 클럭 신호(CLK2)는 제 1 클럭 신호(CLK1)보다 기 설정된 주기만큼 쉬프트되어 입력될 수 있다. 도 2에 도시된 스테이지(200)의 제 1 내지 12 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M12)은 로우 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온되고, 하이 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴오프될 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 로우 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 로우 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 1 기간(P1)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1) 및 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 이 때, 제 1 노드(N1)에 로우 레벨을 갖는 제 1 신호(S1)가 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 로우 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제3 노드(N3)에 인가될 수 있다. 이 때, 제 3 노드(N3)에 로우 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)가 인가될 수 있다. 제 3 신호(S3)에 응답하여 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압은 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다.
한편, 제 1 기간(P1)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 하이 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온될 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 도 2에서 설명한 바와 같이, 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)의 W/L이 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)의 W/L보다 크게 설계되므로, 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)를 통해 공급되는 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 즉, 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 1 전압(VGH)이 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 로우 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 2 기간(P2)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 제 2 기간(P2)에서 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 로우 레벨을 유지할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 신호(S2)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)는 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 한편, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프되고, 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되면, 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 신호(S1)에 응답하여 제4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 즉, 제 3 신호(S3)가 하이 레벨을 가질 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
한편, 제 2 기간(P2)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 하이 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온될 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다. 한편, 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴오프될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 3 기간(P3)에서 스캔 신호 생성부(220)는 로우 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 제 3 기간(P3)에서 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 로우 레벨을 유지할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 신호(S2)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)는 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 이 때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 커패시터(C2)에 의해 하강된 전압 레벨을 가질 수 있다. 즉, 스캔 출력 노드(NS)에 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 인가되면 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)와 스캔 출력 노드(NS)의 전압 차가 유지되므로 제 2 노드(N2)의 전압이 하강할 수 있다. 한편, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프되고, 제 2 전압에 응답하여 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되면, 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제1 신호(S1))에 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 신호(S1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 즉, 제 3 신호(S3)가 하이 레벨을 가질 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
한편, 제 3 기간(P3)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 하이 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온될 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 1 전압(VGH)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다. 한편, 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴오프될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 4 기간(P4)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 신호(S2)(VGL)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온될 수 있다. 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)는 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 이 때, 제 2 노드(N2)의 전압은 제 2 커패시터(C2)에 의해 상승된 전압 레벨을 가질 수 있다. 즉, 스캔 출력 노드(NS)에 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 인가되면 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)와 스캔 출력 노드(NS)의 전압 차가 유지되므로 제 2 노드(N2)의 전압이 상승할 수 있다. 한편, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴오프되고, 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되면, 제 2 노드(N2)의 전압이 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 신호(S1)에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)가 제3 노드(N3)에 공급될 수 있다. 즉, 제 3 신호(S3)가 하이 레벨을 가질 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 하이 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)에 응답하여 턴오프될 수 있다.
한편, 제 4 기간(P4)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 하이 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온될 수 있다. 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 1 전압(VGH)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다. 한편, 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴오프될 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 로우 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 5 기간(P5)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1)에 응답하여 제 1 스위칭 트랜지스터(M1) 및 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온될 수 있다. 제 1 스위칭 트랜지스터(M1)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY)가 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 이 때, 제 1 노드(N1)에 하이 레벨을 갖는 제 1 신호(S1)가 인가될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴오프될 수 있다. 제 5 스위칭 트랜지스터(M5)가 턴온되면 제3 노드에 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))에 응답하여 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되면, 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압(VGH)은 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다.
한편, 제 5 기간(P5)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 로우 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴오프될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 2 전압(VGL)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 6 기간(P6)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 제 6 기간(P6)에서 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 하이 레벨로 유지될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 2 신호(S2)에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다. 한편, 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되면 하이 레벨을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압이 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)는 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 턴오프될 수 있다. 이때, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 3 노드(N3)의 전압이 로우 레벨로 유지될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)는 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))에 응답하여 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압(VGH)은 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다.
한편, 제 6 기간(P6)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 로우 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴오프될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압에 응답하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 2 전압(VGL)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 7 기간(P7)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 출력할 수 있다. 제 7 기간(P7)에서 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 로우 레벨로 유지될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)에 응답하여 제 2 스위칭 트랜지스터(M2) 및 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압(VGH)은 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다. 한편, 로우 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)에 응답하여 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온될 수 있다. 제 2 스위칭 트랜지스터(M2) 및 제 3 스위칭 트랜지스터(M3)가 턴온되는 경우, 제 1 노드(N1)에 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 공급될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되므로, 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))이 제 2 노드(N2)에 공급될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다.
한편, 제 7 기간(P7)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 로우 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴오프될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압(즉, 제 4 신호(S4))에 응답하여 제 10 스위칭 트랜지스터(M10) 및 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온될 수 있다. 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)가 턴온되는 경우, 제 3 커패시터(C3)에 의해 제 4 노드(N4)의 전압이 로우 레벨 이하로 하강하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 안정적으로 구동될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 2 전압(VGL)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 통합 구동부의 스테이지(200)에 하이 레벨을 갖는 개시 신호(FLM) 또는 캐리 신호(CARRY), 하이 레벨을 갖는 제 1 클럭 신호(CLK1) 및 하이 레벨을 갖는 제 2 클럭 신호(CLK2)가 공급될 수 있다.
제 8 기간(P8)에서 스캔 신호 생성부(220)는 하이 레벨을 갖는 스캔 신호(SCAN)를 생성할 수 있다. 제 8 기간(P8)에서 제 2 커패시터(C2)에 의해 제 2 노드(N2)의 전압이 하이 레벨로 유지될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))에 응답하여 제 7 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴오프될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)에 의해 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온될 수 있다. 제 8 스위칭 트랜지스터(M8)가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 2 노드(N2)의 전압(즉, 제 2 신호(S2))이 제 1 노드(N1)에 공급될 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제 4 스위칭 트랜지스터(M4)가 턴오프될 수 있다. 한편, 제 1 커패시터(C1)에 의해 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 로우 레벨로 유지되므로, 로우 레벨을 갖는 제 3 신호(S3)에 응답하여 제 6 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온될 수 있다. 제 6 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 하이 레벨을 갖는 제 1 전압(VGH)이 스캔 출력 노드(NS)에 인가될 수 있다. 스캔 출력 노드(NS)에 인가되는 제 1 전압은 스캔 신호(SCAN)로서 출력될 수 있다.
한편, 제 8 기간(P8)에서 발광 제어 신호 생성부(240)는 로우 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)를 출력할 수 있다. 하이 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호(S1))에 응답하여 제11 스위칭 트랜지스터(M11)가 턴오프될 수 있다. 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온될 수 있다. 제 9 스위칭 트랜지스터(M9)가 턴온되는 경우, 로우 레벨을 갖는 제 3 노드(N3)의 전압(즉, 제 3 신호(S3))이 제 4 노드(N4)에 인가될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압(즉, 제 4 신호(S4))에 응답하여 제 10 스위칭 트랜지스터(M10) 제 10 스위칭 트랜지스터(M10)가 턴온되는 경우, 제 3 커패시터(C3)에 의해 로우 레벨 이하로 하강하였던 제 4 노드(N4)의 전압이 로우 레벨로 상승할 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 4 노드(N4)의 전압(즉, 제4 신호(S4))에 응답하여 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온될 수 있다. 제 12 스위칭 트랜지스터(M12)가 턴온되면 로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)이 발광 출력 노드(NE)에 인가될 수 있다. 발광 출력 노드(NE)에 인가되는 제 2 전압(VGL)은 발광 제어 신호(EM)로서 출력될 수 있다.
상술한 바와 같이, 통합 구동부의 스테이지(200)는 스캔 신호 생성부(220)에서 생성되는 신호들을 이용하여 스캔 신호(SCAN) 및 발광 제어 신호(EM)를 생성할 수 있다. 따라서, 스캔 구동부의 스테이지들과 발광 구동부의 스테이지들을 별도의 면적에 실장할 때 발생하는 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
도 4는 도 1의 통합 구동부에 포함되는 스테이지의 다른 예를 나타내는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 통합 구동부의 스테이지(300) 각각은 초기화 신호 생성부를 더 포함할 수 있다.
초기화 신호 생성부(360)는 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드(N7)에 인가되는 제 5 신호(S5)를 생성하고, 제 5 신호(S5) 및 제 3 클럭 신호(CLK3)에 기초하여 초기화 신호(INIT)를 생성할 수 있다. 이 때, 초기화 신호(INIT)는 화소에 포함되는 구동 트랜지스터 또는 유기 발광 다이오드를 초기화 시키는 전압일 수 있다. 또한, 제 5 신호(S5)는 제 7 노드(N7)에 인가되는 전압일 수 있다. 제 5 신호(S5)는 스위칭 트랜지스터의 동작을 제어하기 위한 로우 레벨의 전압 또는 하이 레벨의 전압을 가질 수 있다. 도 4의 스테이지(300)가 초기화 신호 생성부(360)를 포함하는 것을 제외하고, 도2의 스테이지(200)와 동일한 구조를 가지므로 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
초기화 신호 생성부(360)는 제 13 스위칭 트랜지스터(M13), 제 14 스위칭 트랜지스터(M14) 및 제 4 커패시터(C4)를 포함할 수 있다. 제 13 스위칭 트랜지스터(M13)는 제 2 전압(VGL)에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 노드(N1)와 제 7 노드(N7) 사이에 연결될 수 있다. 제13 스위칭 트랜지스터(M13)는 제 2 전압 공급 라인과 연결되는 게이트 전극, 제 1 노드(N1)와 연결되는 제 1 전극 및 제 7 노드(N7)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 13 스위칭 트랜지스터(M13)가 턴온되는 경우, 제 1 노드(N1)의 전압이 제 7 노드(N7)에 공급될 수 있다. 제 14 스위칭 트랜지스터(M14)는 제 7 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 초기화 신호 출력 노드(NI) 사이에 연결될 수 있다. 제14 스위칭 트랜지스터(M14)는 제 7 노드(N7)와 연결되는 게이트 전극, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 연결되는 제 1 전극 및 초기화 신호 출력 노드(NI)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다. 제 14 스위칭 트랜지스터(M14)가 턴온되는 경우, 제 3 클럭 신호(CLK3)가 초기화 신호 출력 노드(NI)에 공급될 수 있다. 제 4 커패시터(C4)는 제 7 노드(N7)와 초기화 신호 출력 노드(NI) 사이에 연결될 수 있다. 제 4 커패시터(C4)는 제 7 노드(N7)와 연결되는 제1 전극 및 초기화 신호 출력 노드(NI)와 연결되는 제 2 전극을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)은 피모스(P-channel Metal Oxide-Semiconductor; PMOS) 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)은 로우 레벨(예를 들어, VGL)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다. 도 4에는 피모스 트랜지스터들로 구현된 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)을 도시하였으나, 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)은 엔모스(N-channel Metal Oxide-Semiconductor; NMOS) 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)은 하이 레벨(예를 들어, VGH)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다.
도 5는 도 4의 스테이지의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 5를 참조하면, 제 1 클럭 신호(CLK1), 제 2 클럭 신호(CLK2) 및 제 3 클럭 신호(CLK3)는 동일한 주기를 가질 수 있다. 제 2 클럭 신호(CLK2)는 제 1 클럭 신호(CLK1)보다 기 설정된 시간만큼 지연되어 입력될 수 있다. 도 5에 도시된 스테이지(300)의 제 1 내지 14 스위칭 트랜지스터들(M1, ..., M14)은 로우 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴온되고, 하이 레벨을 갖는 전압에 응답하여 턴오프될 수 있다.
스캔 신호 생성부와 발광 제어 신호 생성부의 동작에 대해서는 도 3을 참조하여 설명하였으므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
로우 레벨을 갖는 제 2 전압(VGL)에 응답하여 제 13 스위칭 트랜지스터(M13)가 턴온되므로, 제 7 노드(N7)에는 제 1 노드(N1)의 전압이 공급될 수 있다. 로우 레벨을 갖는 제 1 노드(N1)의 전압(즉, 제 1 신호)이 제 7 노드(N7)에 공급되면, 제14 스위칭 트랜지스터(M14)가 턴온되어 제 3 클럭 신호(CLK3)를 초기화 신호(INIT)로서 출력할 수 있다.
상술한 바와 같이, 통합 구동부의 스테이지(300)는 스캔 신호 생성부(320)에서 생성되는 신호를 이용하여 발광 제어 신호(EM) 및 초기화 신호(INIT)를 추가적으로 생성할 수 있다. 따라서, 발광 제어 신호(EM)를 생성하기 위한 스테이지(300)들과 초기화 신호(INIT)를 생성하기 위한 스테이지(300)들을 별도의 면적에 실장할 때 발생하는 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이고, 도 7은 도 6의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(400)는 표시 패널(410), 통합 구동부(420), 데이터 구동부(430) 및 타이밍 제어부(440)를 포함할 수 있다.
표시 패널(410)은 복수의 화소(Px)들을 포함할 수 있다. 표시 패널(410)에는 복수의 스캔 라인들(SL), 복수의 발광 제어 라인들(EML) 및 복수의 데이터 라인들(DL)이 형성될 수 있다. 데이터 라인들(DL)과 스캔 라인들(SL)이 교차하는 영역에 복수의 화소(Px)들이 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 화소(Px)는 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS), 저장 커패시터(CST), 발광 트랜지스터(TE) 및 유기 발광 다이오드(EL)를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(TS)는 스캔 라인(SL)을 통해 공급되는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 스위칭 트랜지스터(TS)가 턴온되면 데이터 라인(DL)을 통해 공급되는 데이터 신호(DATA)가 저장 커패시터(CST)에 저장될 수 있다. 구동 트랜지스터(TD)는 데이터 신호(DATA)에 기초하여 구동 전류를 생성할 수 있다. 발광 트랜지스터(TE)는 발광 제어 라인(EML)을 통해 공급되는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴온 또는 턴오프될 수 있다. 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 발광 트랜지스터(TE)가 턴온되면 구동 전류가 유기 발광 다이오드(EL)에 공급될 수 있다. 도 7에는 도시되어 있지 않지만, 화소(Px)는 통합 구동부(420)에서 공급되는 초기화 신호에 응답하여 구동 트랜지스터(TD) 또는 유기 발광 다이오드(EL)를 초기화 시키는 초기화부를 더 포함할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 피모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 로우 레벨(예를 들어, ELVSS)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다. 도 7에는 피모스 트랜지스터들로 구현된 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)를 도시하였으나, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 엔모스 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 이 경우, 구동 트랜지스터(TD), 스위칭 트랜지스터(TS) 및 발광 트랜지스터(TE)는 하이 레벨(예를 들어, ELVDD)을 갖는 신호에 응답하여 턴온될 수 있다.
통합 구동부(420)는 복수의 스캔 라인(SL)들을 통해 화소(Px)들에 스캔 신호(SCAN)를 공급하고, 발광 제어 라인(EML)들을 통해 화소(Px)들에 발광 제어 신호(EM)를 공급할 수 있다. 통합 구동부(420)는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다. 각각의 스테이지들은 종속적으로 연결되어 스캔 신호(SCAN)들 및 발광 제어 신호(EM)들을 순차적으로 출력할 수 있다. 스테이지 각각은 스캔 신호 생성부 및 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다. 스캔 신호 생성부는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 제 2 신호 및 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호(SCAN)를 생성할 수 있다. 스캔 신호 생성부는 제 1 내지 8 스위칭 트랜지스터들 및 제 1 및 2 커패시터들을 포함할 수 있다. 스캔 신호 생성부는 스캔 구간 동안 화소(Px)의 스위칭 트랜지스터(TS)를 턴온시키는 스캔 신호(SCAN)를 공급할 수 있다. 발광 제어 신호 생성부는 제 3 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 제 1 신호 및 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호(EM)를 생성할 수 있다. 발광 제어 신호 생성부는 제 9 내지 12 스위칭 트랜지스터들 및 제 3 커패시터를 포함할 수 있다. 발광제어 신호 생성부는 발광 구간 동안 화소(Px)의 발광 트랜지스터(TE)를 턴온시키는 발광 제어 신호(EM)를 공급할 수 있다.
한편, 통합 구동부(420)는 초기화 신호 생성부를 더 포함할 수 있다. 초기화 신호 생성부는 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 제 5 신호 및 제 3 클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성할 수 있다. 초기화 신호 생성부는 제 13 및 14 트랜지스터들 및 제 4 커패시터를 포함할 수 있다. 초기화 신호 생성부는 초기화부를 포함하는 화소(Px)의 초기화 구간 동안 화소(Px)에 초기화 신호를 공급할 수 있다.
데이터 구동부(430)는 스캔 신호(SCAN)에 따라 복수의 데이터 라인(DL)들을 통해 화소(Px)들에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(440)는 통합 구동부(420) 및 데이터 구동부(430)를 제어하는 제어 신호들(CTL1, CTL2)을 생성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 도 6의 표시 장치(400)는 스캔 신호(SCAN) 및 발광 제어 신호(EM)를 생성하는 복수의 스테이지들을 포함하는 통합 구동부(420)를 포함함으로써, 스캔 구동부의 스테이지들과 발광 구동부의 스테이지들을 별도의 면적에 실장할 때 발생하는 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
도 8은 도 6의 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 9는 도 8의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 저장 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 장치(560)는 도 6의 표시 장치(400)에 상응할 수 있다. 나아가, 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 전자 기기(500)는 스마트폰(600)으로 구현될 수 있으나, 전자 기기(500)가 그에 한정되는 것은 아니다.
프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 또한, 프로세서(510)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(520)는 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(520)는 EPROM, EEPROM, 플래시 메모리, PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 저장 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Dist Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다.
입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 표시 장치(560)는 입출력 장치(540) 내에 구비될 수도 있다. 파워 서플라이(550)는 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 상술한 바와 같이, 표시 장치는 표시 패널, 통합 구동부, 데이터 구동부 및 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 표시 패널은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 통합 구동부의 각각의 스테이지들은 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부 및 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다. 스캔 신호 생성부는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 제 2 신호 및 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성할 수 있다. 발광 제어 신호 생성부는 제 3 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 제 1 신호 및 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. 초기화 신호 생성부는 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 제 5 신호 및 제 3 클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성할 수 있다. 데이터 구동부는 스캔 신호에 따라 복수의 데이터 라인(DL)들을 통해 화소(Px)들에 데이터 신호(DATA)를 공급할 수 있다. 타이밍 제어부(440)는 통합 구동부(420) 및 데이터 구동부(430)를 제어하는 제어 신호들(CTL1, CTL2)을 생성할 수 있다.
상술한 바와 같이 도 8의 전자 기기(500)는 통합 구동부를 구비하는 표시 장치를 포함할 수 있다. 통합 구동부는 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하는 복수의 스테이지들을 포함함으로써, 스캔 구동부의 스테이지들과 발광 구동부의 스테이지들을 별도의 면적에 실장할 때 발생하는 데드 스페이스를 감소시킬 수 있다.
본 발명은 표시 장치를 구비한 모든 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 디지털 카메라, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 타블렛 PC, 피디에이(PDA), 피엠피(PMP), MP3 플레이어, 네비게이션, 비디오폰 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 통합 구동부 120: 제 1 스테이지
140: 제 2 스테이지 160: 제 3 스테이지
200, 300: 스테이지 400: 표시 장치
500: 전자 기기 600: 스마트폰

Claims (20)

  1. 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 생성하고, 복수의 스테이지들을 포함하는 통합 구동부에 있어서, 상기 스테이지 각각은
    개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 상기 제 2 신호 및 상기 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부; 및
    상기 제 3 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 상기 제 1 신호 및 상기 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함하는 통합 구동부.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스캔 신호 생성부는
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 5 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 전압 공급 라인과 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 2 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 스캔 출력 노드와 제2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터;
    제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터; 및
    상기 제 2 노드와 상기 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 6 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 스캔 신호로서 출력되고, 상기 제 7 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 클럭 신호가 상기 스캔 신호로서 출력되는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 제어 신호 생성부는
    제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 3 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 6 노드 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 11 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 12 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 4 노드와 상기 제 6 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되고, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터의 W/L은 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L보다 큰 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L은 1이하인 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 상기 제 5 신호 및 제 3클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성하는 초기화 신호 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 초기화 신호 생성부는
    상기 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 7 노드 사이에 연결되는 제 13 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 7 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 14 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 7 노드와 상기 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 4 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 캐리 신호는 이전 스테이지에서 출력되는 스캔 신호인 것을 특징으로 하는 통합 구동부.
  11. 복수의 화소들을 포함하는 표시 패널;
    상기 화소들에 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 공급하는 복수의 스테이지들을 포함하는 통합 구동부;
    상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부; 및
    상기 통합 구동부 및 상기 데이터 구동을 제어하는 제어 신호들을 생성하는 타이밍 제어부를 포함하고, 상기 스테이지 각각은
    개시 신호 또는 캐리 신호, 제 1 클럭 신호 및 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 1 노드에 인가되는 제 1 신호, 제 2 노드에 인가되는 제 2 신호 및 제 3 노드에 인가되는 제 3 신호를 생성하고, 상기 제 2 신호 및 상기 제 3 신호에 기초하여 스캔 신호를 생성하는 스캔 신호 생성부; 및
    상기 제 3 신호 및 상기 제 2 클럭 신호에 기초하여 제 4 노드에 인가되는 제 4 신호를 생성하고, 상기 제 1 신호 및 상기 제 4 신호에 기초하여 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 스캔 신호 생성부는
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 개시 신호 공급 라인 또는 캐리 신호 공급 라인과 제 1 노드 사이에 연결되는 제 1 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 제 5 노드 사이에 연결되는 제 2 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 2 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 5 노드 사이에 연결되는 제 3 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 클럭 신호 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 4 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 클럭 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 5 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 3 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 전압 공급 라인과 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 6 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 2 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 스캔 출력 노드와 제2 클럭 신호 공급 라인 사이에 연결되는 제 7 스위칭 트랜지스터;
    제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이에 연결되는 제 8 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 전압 공급 라인과 상기 제 3 노드 사이에 연결되는 제 1 커패시터; 및
    상기 제 2 노드와 상기 스캔 출력 노드 사이에 연결되는 제 2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 6 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 스캔 신호로서 출력되고, 상기 제 7 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 클럭 신호가 상기 스캔 신호로서 출력되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 발광 제어 신호 생성부는
    제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 3 노드와 상기 제 4 노드 사이에 연결되는 제 9 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 클럭 신호 공급 라인과 제 6 노드 사이에 연결되는 제 10 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 1 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 1 전압 공급 라인과 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 11 스위칭 트랜지스터;
    상기 제 4 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 2 전압 공급 라인과 상기 발광 출력 노드 사이에 연결되는 제 12 스위칭 트랜지스터; 및
    상기 제 4 노드와 상기 제 6 노드 사이에 연결되는 제 3 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 1 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되고, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터가 턴온되는 경우, 상기 제 2 전압이 상기 발광 제어 신호로서 출력되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 제 11 스위칭 트랜지스터의 W/L은 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 제 12 스위칭 트랜지스터의 W/L은 1이하인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 신호에 기초하여 제 7 노드에 인가되는 제 5 신호를 생성하고, 상기 제 5 신호 및 제 3클럭 신호에 기초하여 초기화 신호를 생성하는 초기화 신호 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 초기화 신호 생성부는
    상기 제 2 전압에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 상기 제 1 노드와 상기 제 7 노드 사이에 연결되는 제 13 스위칭 트랜지스터
    상기 제 7 신호에 응답하여 턴온 또는 턴오프되고, 제 3 클럭 신호 공급 라인과 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 14 스위칭 트랜지스터 및
    상기 제 7 노드와 상기 초기화 신호 출력 노드 사이에 연결되는 제 4 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제 11 항에 있어서, 상기 캐리 신호는 이전 스테이지에서 출력되는 스캔 신호인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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