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KR20170123296A - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device Download PDF

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KR20170123296A
KR20170123296A KR1020170136253A KR20170136253A KR20170123296A KR 20170123296 A KR20170123296 A KR 20170123296A KR 1020170136253 A KR1020170136253 A KR 1020170136253A KR 20170136253 A KR20170136253 A KR 20170136253A KR 20170123296 A KR20170123296 A KR 20170123296A
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KR
South Korea
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electrode
layer
light emitting
organic light
wave pattern
Prior art date
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KR1020170136253A
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Inventor
남연희
박성기
임정식
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
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Publication date
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Abstract

The present invention relates to an organic light emitting display device capable of improving the light extraction efficiency of the organic light emitting display device by forming a wave pattern on the lower side of an organic light emitting diode through heat treatment. The organic light emitting display device includes: a thin film transistor formed on a substrate; a planarization layer which is formed on the entire surface of the substrate including the thin film transistor and has a drain contact hole on a drain electrode of the thin film transistor and an upper surface with the wave pattern; a first electrode formed on the planarization layer to be electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole and includes the wave pattern; an organic light emitting layer which is formed on the first electrode and includes the wave pattern; and a second electrode formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer and including the wave pattern.

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display, and more particularly, to an organic light emitting display capable of improving light extraction efficiency of an organic light emitting display.

다양한 정보를 화면으로 구현하는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 공간성, 편리성의 추구로 구부릴 수 있는 플렉시블(Flexible) 디스플레이가 요구되면서 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하는 유기 발광 표시 장치가 근래에 각광받고 있다.The image display device that implements various information on the screen is a key technology in the era of information and communication, and it is developing thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display device that controls the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display device has recently been spotlighted as a flexible display capable of bending due to space and convenience.

이러한 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터가 형성된 제 1 기판 상에 제 1 전극, 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 유기 발광층, 전자 주입층(Electron Transport Layer; ETL), 전자 수송층(Electron Injection Layer; EIL) 및 제 2 전극을 순서대로 적층해 형성된 유기 발광 다이오드와, 유기 발광 표시 다이오드를 캐핑(Capping)하여 덮는 제 2 기판을 포함하여 이루어질 수 있다.The OLED display includes a first substrate on which a thin film transistor is formed, a first electrode, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an organic emission layer, an electron transport layer An organic light emitting diode (ETL), an electron injection layer (EIL), and a second electrode are stacked in this order, and a second substrate for capping and covering the organic light emitting display diode.

이하, 일반적인 유기 발광 표시 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general organic light emitting display will be described in detail.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a general organic light emitting diode display.

도 1과 같이, 일반적인 유기 발광 표시 장치는, 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 제 1 기판(10), 제 1 기판(10) 상에 형성된 유기 발광 다이오드(20) 및 유기 발광 다이오드(20)를 덮도록 형성된 제 2 기판(30)을 포함한다. 구체적으로, 유기 발광 다이오드(20)는 제 1 전극(20a), 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)(미도시), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)(20b), 유기 발광층(20c), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(20d), 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(미도시), 제 2 전극(20e)을 포함한다.1, a general organic light emitting display includes a first substrate 10 on which a thin film transistor (TFT) is formed, an organic light emitting diode 20 formed on the first substrate 10, and an organic light emitting diode 20 (Not shown). The organic light emitting diode 20 includes a first electrode 20a, a hole injection layer (HIL) (not shown), a hole transport layer (HTL) 20b, an organic light emitting layer 20c, An electron transport layer (ETL) 20d, an electron injection layer (EIL) (not shown), and a second electrode 20e.

상기와 같은 유기 발광 표시 장치는 제 1 전극(20a)과 제 2 전극(20e) 사이에 전압을 인가하면 제 1 전극(20a)으로부터 정공(Hole)이 제 2 전극(20e)으로부터 전자(Electron)가 주입되어 유기 발광층(20c)에서 재결합하여 엑시톤(Exciton)이 생성되고, 엑시톤(Exciton)이 기저상태로 떨어지면서 발광한다. 그런데, 현재 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율은 약 20% 정도로, 광 추출 효율을 향상시키기 위한 기술이 요구된다.When a voltage is applied between the first electrode 20a and the second electrode 20e, a hole from the first electrode 20a is electron-emitted from the second electrode 20e, Are recombined in the organic light emitting layer 20c to form excitons, and the excitons fall to the ground state and emit light. However, the light extraction efficiency of the organic light emitting display device is about 20%, and a technique for improving the light extraction efficiency is required.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열 팽창 계수(Thermal Expansion Coefficient)의 차이를 이용하는 열처리 공정으로 유기 발광 다이오드 하부에 웨이브(Wave) 패턴을 형성하여 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting diode (OLED) which can improve a light extraction efficiency by forming a wave pattern under the organic light emitting diode by a heat treatment process using a difference in thermal expansion coefficient An object of the present invention is to provide a light emitting display.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 발광 표시 장치는, 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터를 포함한 상기 기판 전면에 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극상에 드레인 콘택홀을 갖고, 상부 표면이 웨이브 패턴을 갖는 평탄화층; 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 형성되고, 웨이브 패턴을 갖는 제 1 전극; 상기 제 1 전극상에 형성되고 웨이브 패턴을 갖는 유기 발광층; 그리고 상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 형성되고, 웨이브 패턴을 갖는 제 2 전극을 포함에 그 특징이 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a thin film transistor formed on a substrate; A planarization layer formed on the entire surface of the substrate including the thin film transistor, the planarization layer having a drain contact hole on a drain electrode of the thin film transistor and having an upper surface having a wave pattern; A first electrode formed on the planarization layer and electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole, the first electrode having a wave pattern; An organic emission layer formed on the first electrode and having a wave pattern; And a second electrode formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer and having a wave pattern.

상기 평탄화층의 열팽창 계수가 상기 제 1 전극의 열팽창 계수보다 큰 것을 특징으로 한다.And the thermal expansion coefficient of the planarization layer is larger than the thermal expansion coefficient of the first electrode.

상기 평탄화층과 상기 제 1 전극의 웨이브 패턴은 열 처리에 의해 동시에 형성됨을 특징으로 한다.And the wave pattern of the planarization layer and the first electrode are simultaneously formed by heat treatment.

상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 비 발광 영역에 뱅크층을 더 포함함을 특징으로 한다.And a bank layer in a non-emission region between the first electrode and the second electrode.

상기 제 1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 구비되고, 상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 전자 수송층과 전자 주입층이 더 구비되며, 상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층도 웨이브 패턴을 가짐을 특징으로 한다.A hole injecting layer and a hole transporting layer are further provided between the first electrode and the organic light emitting layer, an electron transporting layer and an electron injecting layer are further provided between the organic light emitting layer and the second electrode, and the hole injecting layer, , The electron transporting layer and the electron injecting layer also have a wave pattern.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The organic light emitting display of the present invention as described above has the following effects.

첫째, 평탄화층의 표면에 웨이브(Wave) 패턴을 형성하여, 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.First, a wave pattern may be formed on the surface of the planarization layer to improve the light extraction efficiency of the OLED display.

둘째, 평탄화층과 제 1 전극의 열 팽창 계수(Thermal Expansion Coefficient)의 차이를 이용하는 열처리 공정만으로 평탄화층 상부 표면에 웨이브 패턴을 형성할 수 있으므로, 추가적인 마스크 공정이 필요 없을 뿐만 아니라, 기존 구조에 바로 적용 가능하다.Second, since a wave pattern can be formed on the upper surface of the planarization layer only by a heat treatment process using a difference in thermal expansion coefficient between the planarization layer and the first electrode, an additional mask process is not required, Applicable.

도 1은 일반적인 유기 발광 표시 장치의 단면도.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도.
도 3a는 열 처리를 실시한 후, 제 1 전극 사진.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도.1 is a sectional view of a general organic light emitting display device.
FIGS. 2A to 2F are process sectional views of an organic light emitting display device according to the present invention.
3A is a photograph of a first electrode after a heat treatment.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A; FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도이다.2A to 2F are process cross-sectional views of an organic light emitting display according to the present invention.

도 2a와 같이, 먼저, 제 1 기판(100) 상에 박막 트랜지스터를 형성한다. 구체적으로, 제 1 기판(100) 상에는 매트릭스 형태로 배열되는 신호 라인들이 서로 교차하여 복수개의 화소 영역이 정의된다. 그리고, 신호 라인들이 교차하는 교차 지점에 박막 트랜지스터가 형성된다. 신호 라인들은 데이터 전압을 인가하는 데이터 라인, 각 데이터 라인에 인접하여 데이터 라인과 평행하게 형성되고 유기 발광 다이오드가 구동하는 동안에 항상 전원이 인가되는 전원 라인 및 데이터 라인과 전원 라인에 수직으로 교차되며 박막 트랜지스터의 온/오프(On/Off)를 제어하는 게이트 라인을 포함한다.As shown in FIG. 2A, a thin film transistor is formed on a first substrate 100. Specifically, on the first substrate 100, signal lines arranged in a matrix form intersect with each other to define a plurality of pixel regions. Then, a thin film transistor is formed at the intersection point where the signal lines cross each other. The signal lines are formed to be parallel to the data lines adjacent to the data lines adjacent to the respective data lines and to be perpendicular to the power lines and data lines to which power is always supplied while the organic light emitting diodes are driven, And a gate line for controlling on / off of the transistor.

그리고, 데이터 라인과 전원 라인 및 게이트 라인의 교차영역에 형성되는 화소 영역에는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 스토리지 캐패시터 및 유기 발광 다이오드가 형성되며, 도면에서 개시하는 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터이다.A switching thin film transistor, a driving thin film transistor, a storage capacitor, and an organic light emitting diode are formed in a pixel region formed at a crossing region of the data line, the power supply line and the gate line. The thin film transistor is a driving thin film transistor.

박막 트랜지스터는 액티브층(110), 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130) 및 소스, 드레인 전극(150a, 150b)을 포함한다. 구체적으로, 제 1 기판(100) 상에 아몰퍼스 실리콘(Amorphous Si)을 증착한 후 아몰퍼스 실리콘을 레이저, 열 처리 공정으로 결정화하여 폴리 실리콘(Ploy Si)을 형성하고, 폴리 실리콘을 포토리소그래피 공정과 식각 공정을 이용하여 패터닝하여 액티브층(110)을 형성한다.The thin film transistor includes an active layer 110, a gate insulating film 120, a gate electrode 130, and source and drain electrodes 150a and 150b. Specifically, after amorphous silicon is deposited on the first substrate 100, amorphous silicon is crystallized by a laser and heat treatment process to form polysilicon (Plyy Si), and polysilicon is subjected to photolithography and etching The active layer 110 is formed.

그리고, 액티브층(110)을 포함하는 제 1 기판(100) 전면에 게이트 절연막(120)을 형성하고, 게이트 절연막(120) 상에 게이트 전극(130)을 형성한다. 게이트 전극(130)을 마스크로 이용하여 액티브층(110)의 양 측면에 각각 n+ 불순물을 주입하여 액티브층(110)의 채널 영역(110b)을 사이에 두고 마주보는 소스 영역(110c)과 드레인 영역(110a)을 형성한다. 게이트 전극(130)이 형성된 게이트 절연막(120) 상에 층간 절연막(140)을 형성하고, 층간 절연막(140)과 게이트 절연막(120)을 선택적으로 제거하여 액티브층(110)의 소스 영역(110c)과 드레인 영역(110a)을 각각 노출시키는 홀(미도시)을 형성한다.A gate insulating layer 120 is formed on the entire surface of the first substrate 100 including the active layer 110 and a gate electrode 130 is formed on the gate insulating layer 120. N + impurity is implanted into both sides of the active layer 110 using the gate electrode 130 as a mask so that the source region 110c and the drain region 110c opposed to each other with the channel region 110b of the active layer 110 therebetween. (110a). An interlayer insulating film 140 is formed on the gate insulating film 120 on which the gate electrode 130 is formed and the interlayer insulating film 140 and the gate insulating film 120 are selectively removed to form the source region 110c of the active layer 110, (Not shown) exposing the source and drain regions 110a.

이어, 홀(미도시)이 형성된 층간 절연막(140) 상에 소스, 드레인 금속층(미도시)을 형성하고, 소스, 드레인 금속층(미도시)을 패터닝하여 소스 전극(150a)과 드레인 전극(150b)을 형성한다. 이 때, 소스 전극(150a)은 소스 영역(110c)과 접속하며, 드레인 전극(150b)은 드레인 영역(110a)과 접속한다.A source and drain metal layer (not shown) is formed on the interlayer insulating film 140 having holes (not shown), and a source electrode 150a and a drain electrode 150b are formed by patterning a source and drain metal layer (not shown) . At this time, the source electrode 150a is connected to the source region 110c, and the drain electrode 150b is connected to the drain region 110a.

이어, 도 2b와 같이, 박막 트랜지스터를 포함한 층간 절연막(140) 전면에 평탄화층(160)을 형성한다. 이 때, 평탄화층(160)은 광경화성(UV curable) 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 광경화성 물질은 노즐을 통한 슬릿 코팅(slit coating), 스핀 코팅(spin coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 나이프 제팅(knife jetting) 등의 방식으로 층간 절연막(140) 전면에 코팅된다. 또한, 평탄화층(160)은 광경화형 친수성(hydrophilic) 액상(liquid) 고분자전구체(prepolymer)와 광개시제(photo initiator) 및 점착 촉진제(adhesion promoter)를 포함하며, UV와 같은 광을 조사하여 경화시켜 형성된다.Next, as shown in FIG. 2B, a planarization layer 160 is formed on the entire surface of the interlayer insulating layer 140 including the thin film transistor. At this time, the planarization layer 160 is preferably formed of a UV curable material. The photocurable material is coated on the entire surface of the interlayer insulating film 140 by a method such as slit coating, spin coating, ink-jet printing, or knife jetting through a nozzle. The planarization layer 160 may include a photopolymerizable hydrophilic liquid polymer prepolymer, a photo initiator, and an adhesion promoter. The planarization layer 160 may be formed by irradiating light such as UV, do.

그리고, 도 2c와 같이, 평탄화층(160)을 선택적으로 제거하여 드레인 전극(150b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(160a)을 형성한다. 이어, 유기 발광 다이오드의 제 1 전극을 형성하기 위해, 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 드레인 콘택홀(160a)을 포함한 평탄화층(160) 전면에 틴 옥사이드(Tin Oxide: TO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide: IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO) 등과 같은 투명 도전성 물질(170a)을 증착한다.Then, as shown in FIG. 2C, the planarization layer 160 is selectively removed to form a drain contact hole 160a exposing the drain electrode 150b. Then, a tin oxide (TO), indium tin oxide (ITO), or the like is deposited on the entire surface of the planarization layer 160 including the drain contact hole 160a through a deposition method such as a sputtering method to form the first electrode of the organic light emitting diode A transparent conductive material 170a such as Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), and Indium Tin Zinc Oxide (ITZO) is deposited.

그런데, 상술한 바와 같이, 현재 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율은 약 20% 정도이므로, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 열 처리를 통해 유기 발광 다이오드 하부에 웨이브 패턴을 형성하여 웨이브 형태의 패턴이 후술할 유기 발광층에서 방출되는 광의 경로를 증가시켜 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, since the light extraction efficiency of the organic light emitting display device is about 20%, the manufacturing method of the organic light emitting display device of the present invention forms a wave pattern in the lower part of the organic light emitting diode through heat treatment, The pattern of the organic light emitting layer can increase the path of light emitted from the organic light emitting layer to improve light extraction efficiency of the organic light emitting display.

구체적으로, 평탄화층(160)을 형성하기 위한 광경화성 물질의 열 팽창 계수(Thermal Expansion Coefficient)가 유기 발광 다이오드의 제 1 전극을 형성하기 위한 투명 도전성 물질(170a)의 열 팽창 계수보다 크며, 이는 열에 의한 광경화성 물질의 팽창 수준이 투명 도전성 물질(170a)에 비해 크다는 것을 의미한다.Specifically, the thermal expansion coefficient of the photo-curable material for forming the planarization layer 160 is larger than the thermal expansion coefficient of the transparent conductive material 170a for forming the first electrode of the organic light emitting diode, It means that the degree of expansion of the photo-curing substance by heat is larger than that of the transparent conductive material 170a.

따라서, 도 2d와 같이, 평탄화층(160)과 투명 도전성 물질(170a)이 차례로 적층된 제 1 기판(100)을 열 처리 오븐에서 열 처리를 실시한다. 이 때, 열 처리는 40℃ ~ 300℃의 온도에서, 30초 ~ 30분 동안 실시하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 열 처리를 실시하면, 열에 의한 평탄화층(160)의 팽창 수준이 투명 도전성 물질(170a)에 비해 크기 때문에 압축 응력(Compressive Stress)이 발생하게 되어 평탄화층(160)의 상부 표면과 투명 도전성 물질(170a)에 웨이브 형태의 패턴이 형성된다.Accordingly, as shown in FIG. 2D, the first substrate 100, in which the planarization layer 160 and the transparent conductive material 170a are sequentially stacked, is subjected to heat treatment in a heat treatment oven. At this time, it is preferable that the heat treatment is performed at a temperature of 40 ° C to 300 ° C for 30 seconds to 30 minutes. When the heat treatment is performed as described above, since the expansion level of the planarization layer 160 due to heat is larger than that of the transparent conductive material 170a, a compressive stress is generated, and the upper surface of the planarization layer 160 and the transparent A wave-like pattern is formed on the conductive material 170a.

도 3a는 열 처리를 실시한 후, 투명 도전성 물질의 사진이며, 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ'에 따른 단면도이다.FIG. 3A is a photograph of a transparent conductive material after heat treatment, and FIG. 3B is a sectional view taken along line I-I 'of FIG. 3A.

열 처리를 실시하면, 평탄화층의 열 팽창 계수와 투명 도전성 물질의 열 팽창 계수의 차이로 인해, 도 3a, 도 3b와 같이, 평탄화층(160)의 표면에 불규칙적인 웨이브 패턴이 형성되고, 투명 도전성 물질(170a) 역시, 불규칙적인 웨이브 패턴이 형성된다. 상기와 같이 형성된 웨이브 패턴은, 후술할 유기 발광층에서 방출되는 광의 경로를 증가시켜, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.3A and 3B, irregular wave patterns are formed on the surface of the planarization layer 160 due to the difference between the thermal expansion coefficient of the planarization layer and the thermal expansion coefficient of the transparent conductive material, Irregular wave patterns are also formed in the conductive material 170a. The wave pattern formed as described above can increase the light extraction efficiency by increasing the path of light emitted from the organic light emitting layer to be described later.

이어, 웨이브 패턴이 형성된 투명 도전성 물질(170a)을 패터닝하여 제 1 전극(170)을 형성한다. 제 1 전극(170)은 애노드(Anode)로, 박막 트랜지스터의 드레인 전극(160a)과 전기적으로 접속된다. 특히, 제 1 전극(170)이 투명 도전성 물질로 형성되어 후술할 유기 발광층에서 발생된 광이 제 1 전극(170)을 투과하여 제 1 기판(100) 하부로 방출된다.Next, the first electrode 170 is formed by patterning the transparent conductive material 170a having the wave pattern formed thereon. The first electrode 170 is an anode and is electrically connected to the drain electrode 160a of the thin film transistor. In particular, the first electrode 170 is formed of a transparent conductive material, and light generated in the organic light emitting layer, which will be described later, is transmitted through the first electrode 170 and emitted to the lower portion of the first substrate 100.

더욱이, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 평탄화층(160)과 제 1 전극(170)의 열 팽창 계수(Thermal Expansion Coefficient)의 차이를 이용하는 간단한 열처리 공정만으로 평탄화층(160) 표면에 웨이브 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 추가적인 마스크 공정이 필요 없을 뿐만 아니라, 기존 구조에 바로 적용 가능하다.The method of manufacturing an organic light emitting display according to the present invention may further include a step of forming a first electrode 170 on the surface of the planarization layer 160 by a simple heat treatment using a difference in thermal expansion coefficient between the planarization layer 160 and the first electrode 170 A wave pattern can be formed. Thus, not only does an additional mask process be required, but it is also readily applicable to existing structures.

또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 제 1 전극(170)과 드레인 전극(150b)의 접촉 특성을 향상시키기 위해, 열 처리 후 투명 도전성 물질(170a)을 제거하고, 웨이브 패턴이 형성된 평탄화층(160) 상에 다시 투명 도전성 물질을 증착하고 이를 패터닝하여 제 1 전극(170)을 형성할 수 있다.Although not shown in the drawing, the transparent conductive material 170a may be removed after the heat treatment to improve contact characteristics between the first electrode 170 and the drain electrode 150b, and the planarization layer 160, The first electrode 170 may be formed by depositing a transparent conductive material on the first electrode 170 and patterning the same.

이어, 도 2e와 같이, 평탄화층(160) 상에 발광 영역을 정의하기 위한 뱅크홀을 갖는 뱅크(180)를 형성한 후, 뱅크홀 내부에 유기 발광층(190)을 형성한다. 유기 발광층(190)은 증착 공정 방법으로 형성되어, 유기 발광층(190)은 제 1 전극(170)의 웨이브 패턴을 따라 형성된다. 구체적으로, 증착 공정 방법은 개구부를 갖는 섀도우 마스크(Shadow Mask)를 정렬하고, 섀도우 마스크 하부에 유기물 소스(Source)를 위치시켜, 섀도우 마스크의 개구부를 통해 뱅크홀 내부에 유기 물질을 증착시키는 방법이다.2E, a bank 180 having a bank hole for defining a light emitting region is formed on the planarization layer 160, and then an organic light emitting layer 190 is formed in the bank hole. The organic light emitting layer 190 is formed by a deposition process so that the organic light emitting layer 190 is formed along the wave pattern of the first electrode 170. Specifically, the deposition process is a method of aligning a shadow mask having an opening, placing an organic source under the shadow mask, and depositing an organic material inside the bank hole through the opening of the shadow mask .

이어, 유기 발광층(190) 상에 제 2 전극(200)을 형성한다. 제 2 전극(200) 역시, 제 1 전극(170)의 웨이브 패턴을 따라 형성된다. 특히, 제 2 전극(200)은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mo)을 포함하는 일 함수(work function)가 낮은 도전성 금속그룹을 증착하여 형성되며, 유기 발광층(190)에서 발생된 광이 제 2 전극(200)에서 반사되어 제 1 기판(100) 하부로 방출된다.Next, a second electrode 200 is formed on the organic light emitting layer 190. The second electrode 200 is also formed along the wave pattern of the first electrode 170. In particular, the second electrode 200 is formed by depositing a conductive metal group having a low work function including aluminum (Al), calcium (Ca), and magnesium (Mo) The light is reflected by the second electrode 200 and is emitted to the lower portion of the first substrate 100.

특히, 제 1 전극(170)과 유기 발광층(190) 사이에는 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)(미도시)과 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)(미도시)이 형성되어, 제 1 전극(170)으로부터 유기 발광층(190)으로 정공의 주입을 원활하게 한다. 그리고, 유기 발광층(190)과 제 2 전극(200) 사이에 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(미도시)과 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(미도시) 제 2 전극(200)으로부터 유기 발광층(190)으로 전자의 주입을 원활하게 한다.In particular, a hole injection layer (HIL) (not shown) and a hole transport layer (HTL) (not shown) are formed between the first electrode 170 and the organic light emitting layer 190, The injection of holes from the electrode 170 into the organic light emitting layer 190 is smoothly performed. An electron transport layer (ETL) (not shown) and an electron injection layer (EIL) (not shown) second electrode 200 are formed between the organic light emitting layer 190 and the second electrode 200, The injection of electrons into the organic light emitting layer 190 is smooth.

이 때, 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)(미도시), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)(미도시), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL)(미도시) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)(미도시)도 제 1 전극(170)의 웨이브 패턴을 따라 형성된다.At this time, a hole injecting layer (HIL) (not shown), a hole transport layer (HTL) (not shown), an electron transport layer (ETL) Electron Injection Layer (EIL) (not shown) is also formed along the wave pattern of the first electrode 170.

마지막으로, 도 2f와 같이, 박막 트랜지스터와 유기 발광 다이오드를 외부로부터 밀봉하기 위해, 제 1 기판(100)의 가장자리를 따라 형성된 실런트(미도시)를 통해 제 1 기판(100)과 제 2 기판(300)을 합착한다. 이 때, 제 2 기판(300) 상에는 외부로부터 유입된 수분 및 산소를 흡수하는 흡습제(300a)가 형성되어 유기 발광 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 흡습제(300a)는 실런트(미도시) 내부에 형성되어도 무방하다.2F, the first substrate 100 and the second substrate 100 are connected to each other through a sealant (not shown) formed along the edge of the first substrate 100 to seal the thin film transistor and the organic light emitting diode from the outside, 300). The moisture absorbent 300a may be formed on the second substrate 300 to absorb moisture and oxygen from the outside to improve the reliability of the OLED display 300. The moisture absorbent 300a may include a sealant As shown in FIG.

상기와 같은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 평탄화층(160)과 투명 도전성 물질(170a)의 열 팽창 계수의 차이를 이용하여, 간단한 열 처리로 평탄화층(160)의 상부 표면과 제 1 전극(170)에 웨이브 형태의 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 웨이브 형태의 패턴이 유기 발광층에서 방출되는 광의 경로를 증가시켜 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 추가적인 마스크 공정을 진행하지 않고도 웨이브 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 기존 구조에 바로 적용 가능하므로, 제조 비용을 증가시키지 않고도 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The method of manufacturing the organic light emitting display of the present invention as described above may be performed by using a difference in thermal expansion coefficient between the planarization layer 160 and the transparent conductive material 170a, A wave-like pattern can be formed on the first electrode 170. Accordingly, it is possible to increase the light extraction efficiency of the OLED display by increasing the path of the light emitted from the organic emission layer. In addition, it is possible to form a wave pattern without an additional mask process, and since it can be directly applied to an existing structure, the light extraction efficiency can be increased without increasing the manufacturing cost.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

100: 제 1 기판 110: 액티브층
110a: 드레인 영역 110b: 채널 영역
110c: 소스 영역 120: 게이트 절연막
130: 게이트 전극 140: 층간 절연막
150a: 소스 전극 150b: 드레인 전극
160: 평탄화층 170a: 투명 도전성 물질
170: 제 1 전극 180: 뱅크
190: 유기 발광층 200: 제 2 전극
300: 제 2 기판 300a: 흡습제100: first substrate 110: active layer
110a: drain region 110b: channel region
110c: source region 120: gate insulating film
130: gate electrode 140: interlayer insulating film
150a: source electrode 150b: drain electrode
160: planarization layer 170a: transparent conductive material
170: first electrode 180: bank
190: organic light emitting layer 200: second electrode
300: second substrate 300a: desiccant

Claims (5)

기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터를 포함한 상기 기판 전면에 형성되고, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극상에 드레인 콘택홀을 갖고, 상부 표면이 웨이브 패턴을 갖는 평탄화층;
상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 평탄화층 상에 형성되고, 웨이브 패턴을 갖는 제 1 전극;
상기 제 1 전극상에 형성되고 웨이브 패턴을 갖는 유기 발광층; 그리고
상기 유기 발광층을 포함한 기판 전면에 형성되고, 웨이브 패턴을 갖는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.A thin film transistor formed on a substrate;
A planarization layer formed on the entire surface of the substrate including the thin film transistor, the planarization layer having a drain contact hole on a drain electrode of the thin film transistor and having an upper surface having a wave pattern;
A first electrode formed on the planarization layer and electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole, the first electrode having a wave pattern;
An organic emission layer formed on the first electrode and having a wave pattern; And
And a second electrode formed on the entire surface of the substrate including the organic light emitting layer and having a wave pattern. 제 1 항에 있어서,
상기 평탄화층의 열팽창 계수가 상기 제 1 전극의 열팽창 계수보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the planarization layer has a thermal expansion coefficient larger than that of the first electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 평탄화층과 상기 제 1 전극의 웨이브 패턴은 열 처리에 의해 동시에 형성됨을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the wave pattern of the planarization layer and the first electrode are simultaneously formed by heat treatment. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 비 발광 영역에 뱅크층을 더 포함함을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a bank layer in a non-emission region between the first electrode and the second electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 상기 유기 발광층 사이에 정공 주입층과 정공 수송층이 더 구비되고,
상기 유기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 전자 수송층과 전자 주입층이 더 구비되며,
상기 정공 주입층, 상기 정공 수송층, 상기 전자 수송층 및 상기 전자 주입층도 웨이브 패턴을 가짐을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
A hole injecting layer and a hole transporting layer are further provided between the first electrode and the organic light emitting layer,
An electron transport layer and an electron injection layer are further provided between the organic light emitting layer and the second electrode,
Wherein the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer have a wave pattern.
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