KR20170104366A - Circuit protection device - Google Patents
Circuit protection device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170104366A KR20170104366A KR1020160180228A KR20160180228A KR20170104366A KR 20170104366 A KR20170104366 A KR 20170104366A KR 1020160180228 A KR1020160180228 A KR 1020160180228A KR 20160180228 A KR20160180228 A KR 20160180228A KR 20170104366 A KR20170104366 A KR 20170104366A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sheet
- circuit protection
- noise filter
- laminate
- sheets
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- WONYMNWUJVKVII-UHFFFAOYSA-N 3,5-diiodothyropropionic acid Chemical compound IC1=CC(CCC(=O)O)=CC(I)=C1OC1=CC=C(O)C=C1 WONYMNWUJVKVII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006367 Si—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0296—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices involving a specific disposition of the protective devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 회로 보호 소자에 관한 것으로, 특히 공통 모드 노이즈를 제거하는 회로 보호 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit protection element, and more particularly to a circuit protection element for eliminating common mode noise.
기존의 차동 시그널링(differential signaling)은 두 라인을 이용하여 신호를 전송하는데, 이에 비해 대역폭을 증가시키면서 동일 속도로 신호를 전송할 수 있는 세 라인을 이용한 차동 시그널링(differential signaling)이 최근 제안되었다. 세 라인을 이용한 차동 시그널링은 스마트폰의 카메라, LCD 등의 디스플레이 등에 적용할 수 있다. 기존의 두 라인을 이용한 차동 시그널링을 디-파이(D-PHY)라 하고 세 라인을 이용한 차동 시그널링을 시-파이(C-PHY)라고 한다. 따라서, 시-파이는 디-파이에 비해 신호 전송 라인의 수를 줄일 수 있다. 예를 들어, 스마트폰의 LCD에 4K 영상을 구현하기 위해 기존의 디-파이로는 20개의 전송 라인이 필요한데, 시-파이를 이용하면 전송 라인을 9개로 줄일 수 있다.Conventional differential signaling transmits signals using two lines. Differential signaling using three lines capable of increasing the bandwidth and transmitting signals at the same speed has recently been proposed. Differential signaling using three lines can be applied to the display of cameras and LCDs of smart phones. Differential signaling using two existing lines is referred to as D-PHY and differential signaling using three lines is referred to as C-PHY. Therefore, Si-P may reduce the number of signal transmission lines compared to D-Fi. For example, in order to realize 4K image on LCD of smartphone, existing DIPRO requires 20 transmission lines. By using Si-Fi, transmission lines can be reduced to 9.
기존의 차동 시그널링은 두개의 전송 라인이 짝을 이루어 하나의 신호를 전송하는데, 이상적인 경우에는 신호의 위상(phase)이 서로 다른 차동 신호만 존재해야 한다. 그런데, 신호원인 반도체 칩셋의 상태나 신호 전송 라인의 몸체인 PCB, 그리고 커넥터 등의 상태에 따라 완벽한 두 신호 사이의 위상차(out of phase)를 유지하기 어렵다. 위상차의 유지는 시스템이 복잡해지고, 전송 라인이 길어질수록 더 어렵기 때문에 특히 스마트폰에서는 상호간의 신호 위상이 같은 공통 모드 성분이 발생하고, 이 신호는 노이즈로 작용하여 주변 회로들에 영향을 미치게 된다. 특히, 노이즈에 민감한 무선 통신 감도에 영향을 미치며, 민감한 순서로는 GPS, 800㎒ 2G/3G 무선통신, 1.8㎓ 대역, 와이파이(wifi) 대역 등이다. 이러한 공통 모드 노이즈 성분을 제거하여 통신 품질을 개선하기 위하여 공통 모드 노이즈 필터가 사용되고 있으며, 데이터 전송량이 많은 멀티미디어 전송 라인이 마련되는 LCD, 카메라, USB, 외부 디스플레이 등에 장착될 수 있다.In the conventional differential signaling, two transmission lines are paired to transmit one signal. In an ideal case, only differential signals having different phases of the signals must exist. However, it is difficult to maintain an out of phase between two complete signals depending on the state of the semiconductor chip set as the signal source, the PCB as the body of the signal transmission line, and the state of the connector. Since maintaining the phase difference is complicated as the system becomes complicated and the transmission line becomes longer, it is more difficult for a smartphone to generate a common mode component having the same signal phase among each other, and this signal acts as noise and affects peripheral circuits . Especially, it affects noise sensitive wireless communication sensitivity, and in the sensitive order, GPS, 800MHz 2G / 3G wireless communication, 1.8GHz band, WiFi band and so on. In order to improve the communication quality by removing the common mode noise component, a common mode noise filter is used. The common mode noise filter can be mounted on an LCD, a camera, a USB, an external display, or the like.
상기한 바와 같이 고품질 영상, 음성 서비스에 대한 요구가 증가함에 따라 새로운 시-파이 방식이 제안되었으며, 기존의 두 라인이 하나의 짝을 이루는 것에서 세 라인이 하나의 짝을 이루어 신호를 전송하게 되면서 신호 전송이 더욱 복잡하게 된다. 따라서, 발생되는 노이즈를 제거할 수 있는 필터도 기존의 필터는 적용이 불가능하게 되었다. 즉, 라인 수 변경에 따라 부품의 패키지 자체가 달라져야 하므로 외형상 기존 필터 적용이 불가능하며, 필터의 내부 회로 역시 변경이 되어야 제대로 된 신호를 통과시켜 주면서 노이즈를 제거할 수 있다.As described above, as the demand for high-quality video and voice service has increased, a new time-phi method has been proposed. In the conventional two-line paired devices, three lines transmit signals in one pair, Transmission becomes more complicated. Therefore, it is impossible to apply a filter that can remove generated noise to a conventional filter. In other words, since the package itself must be changed according to the change of the number of lines, it is impossible to apply the existing filter to the external shape. Also, if the internal circuit of the filter is changed, the noise can be removed while passing a proper signal.
한편, 일반적인 회로 보호 소자는 노이즈 필터가 구현된 적층체의 전체 표면에 유리질 시트를 형성한다. 즉, 복수의 시트가 적층되어 적층체가 구현되는데, 적층체의 최하층 및 최상층이 유리질 시트로 이루어진다. 그런데, 적층체의 표면 전체에 유리질 시트가 형성되면 유리질 시트가 수분을 흡수하여 소자의 신뢰성을 저하시킬 수 있다. 또한, 유리질 시트가 더 형성됨으로써 회로 보호 소자의 두께가 증가하게 된다.On the other hand, a general circuit protection element forms a glassy sheet on the entire surface of the laminate on which the noise filter is implemented. That is, a plurality of sheets are stacked to form a laminate, wherein the lowermost layer and the uppermost layer of the laminate consist of a glassy sheet. However, when a vitreous sheet is formed on the entire surface of the laminate, the vitreous sheet absorbs moisture, which may lower the reliability of the device. Further, since the glassy sheet is further formed, the thickness of the circuit protection element is increased.
본 발명은 공통 모드의 노이즈를 제거하는 회로 보호 소자를 제공한다.The present invention provides a circuit protection device for eliminating common mode noise.
본 발명은 세 라인에서 동시에 발생하는 공통 모드 노이즈와 두 라인 사이에서 발생하는 공통 모드 노이즈를 제거하는 회로 보호 소자를 제공한다.The present invention provides a circuit protection element that eliminates common mode noise that occurs simultaneously in three lines and common mode noise that occurs between the two lines.
본 발명은 상부 및 하부 표면에 유리질 시트가 형성되지 않아 두께를 줄일 수 있는 회로 보호 소자를 제공한다.The present invention provides a circuit protection device capable of reducing the thickness without forming a glassy sheet on upper and lower surfaces.
본 발명의 일 양태에 따른 회로 보호 소자는 도전 패턴이 선택적으로 형성된 복수의 시트가 적층된 적층체를 포함하고, 세개의 신호 라인에 마련되어 상기 세개의 신호 라인 각각의 공통 모드 노이즈와 두 신호 라인 사이의 공통 모드 노이즈를 제거한다.A circuit protection device according to an aspect of the present invention includes a laminated body in which a plurality of sheets on which conductive patterns are selectively formed are laminated and is provided on three signal lines so that common mode noise of each of the three signal lines, Thereby eliminating common mode noise.
상기 적층체 내에 서로 이격되어 마련되며, 각각 복수의 코일 패턴을 구비하는 셋 이상의 노이즈 필터부; 및 상기 적층체 외부에 마련되어 상기 셋 이상의 노이즈 필터부와 각각 연결된 외부 전극을 포함한다.At least three noise filter parts spaced apart from each other in the laminate and each having a plurality of coil patterns; And an external electrode provided outside the multilayer body and connected to the at least three noise filter units.
상기 셋 이상의 노이즈 필터부는 상기 시트의 적층 방향으로 소정 간격 이격되어 마련된다.The three or more noise filter portions are spaced apart from each other by a predetermined distance in the stacking direction of the sheets.
상기 노이즈 필터부는, 복수의 상기 시트 상에 각각 형성된 복수의 코일 패턴; 선택된 시트에 형성되며 적어도 두 코일 패턴을 연결하는 복수의 수직 연결 배선; 및 상기 복수의 코일 패턴 각각으로부터 외부로 인출 형성되어 상기 외부 전극과 연결되는 복수의 인출 전극을 포함한다.The noise filter unit may include: a plurality of coil patterns formed on the plurality of sheets; A plurality of vertical connection wirings formed on the selected sheet and connecting at least two coil patterns; And a plurality of outgoing electrodes formed outwardly from the plurality of coil patterns and connected to the outer electrodes.
적어도 하나의 상기 노이즈 필터부는 상기 코일 패턴의 회전 수가 다르다.At least one of the noise filter portions has a different number of revolutions of the coil pattern.
적어도 하나의 상기 노이즈 필터부는 상기 코일 패턴의 중심에 형성된 자심을 더 포함한다.The at least one noise filter portion further includes a magnetic core formed at the center of the coil pattern.
상기 적층체 내에 마련된 적어도 하나의 캐패시터를 더 포함한다.And at least one capacitor provided in the laminate.
상기 적층체 내에 마련된 적어도 하나의 과전압 보호부를 더 포함한다.And at least one overvoltage protector provided in the laminate.
상기 노이즈 필터부가 형성된 시트는 비자성체 시트이고, 상기 과전압 보호부가 형성된 시트는 자성체 시트이다.The sheet on which the noise filter section is formed is a non-magnetic substance sheet, and the sheet on which the overvoltage protection section is formed is a magnetic substance sheet.
상기 적층체 표면의 적어도 일부에 형성되며, 상기 적층체의 표면과는 다른 재질의 표면 개질 부재를 더 포함한다.And a surface modification member formed on at least a part of the surface of the laminate and made of a material different from the surface of the laminate.
상기 외부 전극은 상기 적층체의 최하층 및 최상층 시트의 적어도 어느 하나 상에 연장 형성되며, 상기 표면 개질 부재는 적어도 상기 외부 전극의 연장 영역과 상기 적층체 사이에 마련된다.The external electrode is formed on at least one of the lowermost layer and the uppermost layer sheet of the laminate, and the surface modification member is provided between at least the extension region of the external electrode and the laminate.
상기 표면 개질 부재는 적어도 일부가 불연속적 또는 연속적으로 형성된다.The surface modification member is at least partially formed discontinuously or continuously.
본 발명은 복수의 시트가 적층된 적층체 내에 복수의 코일 패턴이 형성되고 적어도 둘 이상의 코일 패턴이 서로 연결되어 하나의 노이즈 필터부를 형성하며, 이러한 노이즈 필터부가 적층체 내에 적어도 셋 이상 구현된다. 즉, 본 발명은 적층체 내에 셋 이상의 노이즈 필터부가 마련된다. 또한, 복수의 노이즈 필터부는 적층체 외부에 형성된 복수의 외부 전극과 연결되어 세개의 신호 라인에 마련된다. 따라서, 세 신호 라인에서 동시에 발생하는 공통 모드 노이즈와 두 신호 라인 사이에서 발생하는 공통 모드 노이즈를 제거할 수 있고, 그에 따라 시-파이(C-PHY)에 적용 가능하다.The present invention is characterized in that a plurality of coil patterns are formed in a laminate in which a plurality of sheets are laminated and at least two coil patterns are connected to each other to form one noise filter portion, and at least three such noise filter portions are formed in the laminate. That is, in the present invention, three or more noise filter portions are provided in the laminate. Further, the plurality of noise filter portions are connected to a plurality of external electrodes formed on the outside of the laminate to be provided in three signal lines. Therefore, common mode noise occurring simultaneously in three signal lines and common mode noise occurring between the two signal lines can be eliminated, and thus applicable to C-PHY.
또한, 표면 전체에 유리질 층이 형성되지 않음으로써 소자의 두께를 줄일 수 있고, 그에 따라 사이즈가 축소되어 실장 면적 및 높이가 감소되는 전자기기에 대응하여 회로 보호 소자를 장착할 수 있다. 그리고, 표면 전체에 유리질층이 형성되지 않기 때문에 수분의 흡수를 억제할 수 있고, 그에 따라 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Further, since the glassy layer is not formed on the entire surface, the thickness of the device can be reduced, and the circuit protection device can be mounted corresponding to the electronic device whose size is reduced and the mounting area and height are reduced. Since the glassy layer is not formed on the entire surface, absorption of moisture can be suppressed, and reliability of the device can be improved.
한편, 소자의 사이즈가 작아지면 외부 전극의 면적이 작아져 외부 전극과 적층체의 밀착력이 감소되고 그에 따라 PCB에 실장 시 부착 강도가 낮아질 수 있지만, 본 발명에 의하여 외부 전극과 적층체의 밀착력을 향상시켜 부착 강도를 증가시킬 수 있다. On the other hand, as the size of the device decreases, the area of the external electrode becomes smaller to reduce the adhesion between the external electrode and the laminate, thereby lowering the adhesion strength when mounted on the PCB. So that the bonding strength can be increased.
도 1 내지 도 4는 이상적인 신호와 딜레이에 따른 신호의 파형도.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 설명하기 위한 도면들.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 설명하기 위한 도면들.
도 14 및 도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 설명하기 위한 도면들.
도 16 내지 도 20은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 설명하기 위한 도면들.
도 21 및 도 22은 본 발명의 실시 예들에 따른 회로 보호 소자의 회로도 및 공통 모드 노이즈의 파형도.Figs. 1 to 4 are waveform diagrams of signals according to ideal signals and delays. Fig.
5 to 10 are views for explaining a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention.
11 to 13 are views for explaining a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention.
14 and 15 are views for explaining a circuit protection device according to a third embodiment of the present invention.
16 to 20 are views for explaining a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention.
21 and 22 are a circuit diagram of a circuit protection device according to embodiments of the present invention and waveforms of common mode noise.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 여러 층 및 각 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 표현하였으며 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭하도록 하였다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of other various forms of implementation, and that these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know completely. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly illustrate the various layers and regions, and the same reference numerals denote the same elements in the drawings.
공통 모드 노이즈는 각 신호들의 전압 레벨에 이상이 있거나, 딜레이(delay)가 발생하거나, PCB의 특성 임피던스에 차이가 있을 경우 등에 의해 발생하게 되고 다양한 원인만큼이나 발생하는 경우의 수도 상당히 많다. 그러나, 세개의 신호 라인 중 하나의 신호 라인에서 딜레이가 발생했을 때를 시뮬레이션하여 도 2 내지 도 4에 예시하였다. 또한, 딜레이가 발생되지 않는 이상적인 경우를 도 1에 나타내었다.Common-mode noise is caused by abnormal voltage level of each signal, delay, difference in characteristic impedance of PCB, etc., and there are a lot of cases when it occurs as various causes. However, a case where a delay occurs in one signal line among three signal lines is simulated and illustrated in FIG. 2 to FIG. An ideal case in which no delay occurs is shown in Fig.
도 1은 딜레이가 발생되지 않는 이상적인 경우의 신호 파형으로서, 도 1의 (a)는 세 개의 신호 파형을 예시한 파형도이고, 도 1의 (b)는 공통 모드 노이즈의 신호 파형이다. 도 1에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제 3 신호(11, 12, 13)에 딜레이가 발생되지 않아 이상적인 경우 공통 모드 노이즈가 발생되지 않음을 알 수 있다.Fig. 1 shows a signal waveform in an ideal case where no delay is generated. Fig. 1 (a) is a waveform diagram illustrating three signal waveforms, and Fig. 1 (b) is a signal waveform of common mode noise. As shown in FIG. 1, no delay occurs in the first to
도 2의 (a)는 제 1 신호(11)에 딜레이가 발생된 경우의 신호 파형이고, 도 2의 (b)는 제 1 신호(11)의 딜레이에 의한 공통 모드 노이즈의 신호 파형이다. 도 2의 (b)에서 B로 표기된 것은 제 1 신호(11)와 제 2 신호(12) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이고, C로 표기된 것은 제 2 신호(12)와 제 3 신호(13) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이다.2 (a) shows a signal waveform when a delay is generated in the first signal 11, and FIG. 2 (b) shows a signal waveform of common mode noise due to a delay of the first signal 11. 2B is a common mode noise generated between the first signal 11 and the
도 3의 (a)는 제 2 신호(12)에 딜레이가 발생된 경우의 신호 파형이고, 도 3의 (b)는 제 2 신호(12)의 딜레이에 의한 공통 모드 노이즈의 신호 파형이다. 도 3의 (b)에서 A로 표기된 것은 제 1 및 제 2 신호(11, 12) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이고, C로 표기된 것은 제 2 및 제 3 신호(12, 13) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이다.3 (a) shows a signal waveform when a delay is generated in the
도 4의 (a)는 제 3 신호(13)에 딜레이가 발생된 경우의 신호 파형이고, 도 4의 (b)는 제 3 신호(13)의 딜레이에 의한 공통 모드 노이즈의 신호 파형이다. 도 4의 (b)에서 A로 표기된 것은 제 3 신호(13)와 제 1 신호(11) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이고, B로 표기된 것은 제 2 신호(12)와 제 3 신호(13) 사이에서 발생된 공통 모드 노이즈이다.4A is a signal waveform when a delay is generated in the third signal 13 and FIG. 4B is a signal waveform of a common mode noise due to the delay of the third signal 13. FIG. In FIG. 4 (b), A is a common mode noise generated between the third signal 13 and the first signal 11, and what is denoted by B is the
상기한 바와 같이 하나의 신호에 딜레이가 발생하면 두 신호 라인 사이에 공통 모드 노이즈가 발생하며, 만약 두 신호 라인에 동시에 딜레이가 발생한다거나 세 신호 라인에 동시에 딜레이가 발생하면서 각각 시간 차이가 있는 경우에는 세 신호 라인에도 동시에 공통 모드 노이즈가 발생하게 된다.As described above, when a delay occurs in one signal, a common mode noise occurs between the two signal lines. If there is a delay in both signal lines or a delay occurs in three signal lines simultaneously, Common mode noise is simultaneously generated in all three signal lines.
이러한 공통 모드 노이즈 성분을 제거하려면 두 신호 라인만을 대책할 수 있는 기존의 필터로는 어려우며, 여러 개의 소자를 이용하면 가능하겠지만 비용은 크게 늘어나는 반면에 실장 면적이 증가하는 등 좋은 효과를 얻기는 어렵다. 한편, 고속 신호 라인의 경우 인덕터의 직류 저항(RDC)의 크기 관리도 중요하다. 그러나, 여러 개의 소자를 연결할 경우 그 값이 크게 높아지거나, 직류 저항이 낮은 소자를 선택해야 하지만 찾기도 어렵고 직류 저항이 낮은 소자의 경우 노이즈 제거 효과도 좋지 않은 경우가 대부분이다.To eliminate this common-mode noise component, it is difficult to use a conventional filter that can cope with only two signal lines. Although it is possible to use a plurality of elements, cost increases greatly, but it is difficult to obtain a good effect such as an increase in a mounting area. On the other hand, in the case of high-speed signal lines, it is also important to manage the size of the inductor's direct current resistance (RDC). However, when a plurality of elements are connected to each other, the value thereof is greatly increased, or a device having a low DC resistance is selected. However, most of the devices having a low DC resistance have a poor noise removal effect.
따라서, 여러 필요 사항들을 만족할 수 있는 노이즈 제거 부품이 필요하게 되며, 이러한 요구 조건을 만족할 수 있는 본 발명의 실시 예들에 따른 회로 소자를 설명하면 다음과 같다.Accordingly, there is a need for a noise canceling part that can satisfy various requirements. A circuit element according to embodiments of the present invention, which can satisfy such a requirement, will be described as follows.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 회로 보호 소자의 사시도이고, 도 6은 투시 평면도이며, 도 7는 분해 사시도이다. 또한, 도 8 및 도 9는 제 1 실시 예 및 그 변형 예에 따른 A-A' 라인을 따라 절취한 상태의 단면도이다. 그리고, 도 10은 적어도 일부 표면의 개략도이다.FIG. 5 is a perspective view of a circuit protection device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 6 is a perspective plan view, and FIG. 7 is an exploded perspective view. 8 and 9 are sectional views taken along the line A-A 'according to the first embodiment and its modified example. And Figure 10 is a schematic view of at least some surfaces.
도 5 내지 도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 복수의 시트(101 내지 108; 100)가 적층된 적층체(1000)와, 적층체(1000) 내에 형성된 복수의 코일 패턴(210 내지 260; 200)을 포함하는 적어도 셋 이상의 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300; 2000)와, 적층체(1000)의 외부에 마련되어 노이즈 필터부(2000)와 연결되는 외부 전극(3100, 3200; 3000)을 포함할 수 있다. 또한, 적층체(1000)와 외부 전극(3000) 사이의 적어도 일부에 마련된 표면 개질 부재(4000)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 노이즈 필터부(2000)는 세개 마련되며, 시트(100)의 적층 방향으로 소정 간격 이격되어 마련될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 적층체(1000) 내에 적어도 셋 이상의 노이즈 필터부(2000)가 마련되고, 노이즈 필터부(2000)는 외부 전극(3000)과 연결되어 외부 전극(3000)을 통해 신호 라인과 연결될 수 있다.5 to 10, a circuit protection device according to an embodiment of the present invention includes a laminate 1000 in which a plurality of
1. 적층체1. Laminate
적층체(1000)는 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 수평 방향으로 서로 직교하는 일 방향(예를 들어 X 방향) 및 타 방향(예를 들어 Y 방향)으로 각각 소정의 길이 및 폭을 갖고, 수직 방향(예를 들어 Z 방향)으로 소정의 높이를 갖는 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 여기서, X 방향으로의 길이는 Y 방향으로의 폭과 같거나 다를 수 있고, Y 방향으로의 폭은 Z 방향으로의 높이와 같거나 다를 수 있다. 예를 들어, 길이 및 폭이 같거나 다르고, 길이에 대하여 높이가 다를 수 있는데, 길이, 폭 및 높이의 비는 1∼5:1: 0.2∼2 일 수 있다. 즉, 폭을 기준으로 길이가 폭보다 1배 내지 5배 정도 클 수 있고, 높이는 폭보다 0.2배 내지 2배일 수 있다. 그러나, 이러한 X, Y 및 Z 방향의 크기는 하나의 예로서 적층형 소자가 연결되는 전자기기의 내부 구조, 적층형 소자의 형상 등에 따라 다양하게 변형 가능하다.The
적층체(1000)는 복수의 시트(101 내지 108; 100)가 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 X 방향으로 소정의 길이를 갖고 Y 방향으로 소정의 폭을 가지며, Z 방향으로 소정의 두께를 갖는 복수의 시트(100)를 적층하여 형성될 수 있다. 따라서, 시트(100)의 길이 및 폭에 의해 적층체(1000)의 길이 및 폭이 결정되고, 시트(100)의 적층 수에 의해 적층체(1000)의 높이가 결정될 수 있다. 한편, 복수의 시트(100)는 자성체 시트 또는 비자성체 시트일 수 있다. 즉, 복수의 시트(100)가 모두 자성체 시트이거나 비자성체 시트일 수 있다. 그러나, 복수의 시트(100)는 적어도 일부가 자성체 시트일 수 있고, 나머지가 비자성체 시트일 수 있다. 예를 들어, 노이즈 필터부(2000)가 구현된 시트, 즉 제 1 내지 제 6 시트(101 내지 106)는 비자성체 시트일 수 있고, 그 하부 및 상부에 마련된 제 7 및 제 8 시트(107, 108)는 자성체 시트일 수 있다. 한편, 자성체 시트는 예를 들어 NiZnCu 또는 NiZn계 자성체 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들어, NiZnCu계 자성체 시트는 Fe2O3, ZnO, NiO, CuO가 혼합되어 형성될 수 있는데, Fe2O3, ZnO, NiO 및 CuO가 예를 들어 5:2:2:1의 비율로 혼합될 수 있다. 또한, 비자성체 시트는 예를 들어 저온 동시 소결 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic; LTCC)을 이용하여 제작될 수 있다. LTCC 물질은 Al2O3, SiO2, 유리 물질을 포함할 수 있다.The
복수의 시트(100)는 소정 두께를 갖는 사각형의 판 형상으로 마련될 수 있다. 예를 들어, 길이 및 폭이 동일한 정사각형의 판 형상으로 마련될 수 있고, 길이 및 폭이 다른 직사각형의 판 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 복수의 시트(100)는 모두 동일 두께로 형성될 수 있고, 적어도 어느 하나가 다른 것들에 비해 두껍거나 얇게 형성될 수 있다. 한편, 복수의 시트(100)는 예를 들어 1㎛∼4000㎛의 두께로 형성될 수 있고, 3000㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000)의 두께에 따라 시트(100) 각각의 두께가 1㎛∼4000㎛일 수 있고, 예를 들어 1㎛∼300㎛일 수 있다. 그런데, 적층형 소자의 사이즈에 따라 시트(100)의 두께 및 적층 수 등이 조절될 수 있다. 즉, 두께가 얇거나 사이즈가 작은 적층형 소자에 적용되는 경우 시트(100)는 얇은 두께로 형성될 수 있고, 두께가 두껍거나 사이즈가 큰 적층형 소자에 적용되는 경우 시트(100)는 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 또한, 시트들(100)이 동일한 수로 적층되는 경우 적층형 소자의 사이즈가 작아 높이가 낮을수록 두께가 얇아지고 적층형 소자의 사이즈가 커질수록 두께가 두꺼울 수 있다. 물론, 얇은 시트가 큰 사이즈의 적층형 소자에도 적용될 수 있는데, 이 경우 시트의 적층 수가 증가하게 된다.The plurality of
또한, 적층체(1000)는 하부 및 상부의 적어도 하나에 마련된 커버층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 즉, 적층체(1000)는 최하층 및 최상층에 각각 마련된 커버층을 포함할 수 있다. 이때, 커버층은 상부 또는 하부에 하나만 마련될 수도 있고, 상부 및 하부에 모두 마련될 수도 있다. 물론, 별도의 커버층이 마련되지 않고 최하층의 시트, 즉 제 7 시트(107)가 하부 커버층으로 기능하고, 최상층의 시트, 즉 제 8 시트(108)가 상부 커버층으로 기능할 수도 있다. 하부 및 상부 커버층으로 기능하는 제 7 및 제 8 시트(107, 108)은 그 사이의 시트들(101 내지 106) 각각의 두께보다 두꺼울 수 있다. 이때, 제 7 및 제 8 시트(107, 108), 즉 커버층은 시트들(101 내지 106)과 동일 두께의 시트를 복수 적층하여 형성할 수도 있다. 또한, 제 7 및 제 8 시트(107, 108)는 서로 다른 두께로 형성될 수도 있는데, 예를 들어 제 8 시트(108)가 제 7 시트(107)보다 두꺼울 수 있다. 여기서, 제 7 및 제 8 시트(107, 108)는 자성체 시트로 형성될 수 있으며, 적어도 둘 이상의 자성체 시트가 적층되어 형성될 수도 있다.In addition, the
2. 2. 노이즈noise 필터부The filter unit
노이즈 필터부(2000)는 복수의 시트(100)에 선택적으로 형성된 복수의 코일 패턴(210 내지 260; 200), 적어도 둘 이상의 코일 패턴(200)을 상하 연결하며 도전 물질이 매립된 홀(310 내지 350; 300)로 이루어진 수직 연결 배선(300a, 300b, 300c), 그리고 코일 패턴(200)으로부터 시트(100)의 외부로 노출되도록 인출되는 인출 전극(410 내지 460; 400)을 포함할 수 있다. 즉, 복수의 시트(100)의 상부에는 코일 패턴(210 내지 260; 200)이 각각 형성되고, 시트(100)의 적층 방향, 즉 수직 방향의 적어도 둘 이상의 코일 패턴(200)이 도전 물질이 매립된 홀(310 내지 350: 300), 즉 수직 연결 배선(300a, 300b, 300c)을 통해 연결된다. 따라서, 수직 방향으로 연결된 복수, 예를 들어 두개의 코일 패턴(200)이 하나의 노이즈 필터부(2000)를 각각 형성하고, 예를 들어 세개의 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300; 2000)가 수직 방향으로 이격되어 적층된다. 즉, 시트들(100)의 적층 방향으로 적어도 세개의 노이즈 필터부(2000)가 형성된다. 여기서, 노이즈 필터부(2000)는 공통 모드 노이즈를 제거하는 공통 모드 노이즈 필터를 포함한다. 또한, 적어도 세개의 노이즈 필터부(2000)는 적층체(1000) 외부의 외부 전극(3000)과 연결된다.The
제 1 시트(101)에는 제 1 코일 패턴(210) 및 제 1 인출 전극(410)이 형성된다. 제 1 시트(101) 상측에 마련된 제 2 시트(102)에는 제 2 코일 패턴(220), 도전 물질이 매립된 홀(310) 및 제 2 인출 전극(420)이 형성된다. 제 2 시트(102) 상측에 마련된 제 3 시트(230)에는 제 3 코일 패턴(230), 서로 이격된 복수의 도전 물질이 매립된 홀(321, 322; 320) 및 제 3 인출 전극(430)이 형성된다. 제 3 시트(103) 상측에 마련된 제 4 시트(104)에는 제 4 코일 패턴(240), 서로 이격된 복수의 도전 물질이 매립된 홀(331, 332, 333; 330) 및 제 4 인출 전극(440)이 형성된다. 제 4 시트(104) 상측에 마련된 제 5 시트(105)에는 제 5 코일 패턴(250), 서로 이격된 복수의 도전 물질이 매립된 홀(341, 342; 340) 및 제 5 인출 전극(450)이 형성된다. 제 5 시트(105) 상측에 마련된 제 6 코일 패턴(260), 도전 물질이 매립된 홀(350) 및 제 6 인출 전극(460)이 형성된다.A
제 1 내지 제 6 코일 패턴(210 내지 260; 200) 각각은 제 1 내지 제 6 시트(101 내지 106) 각각의 중앙 영역으로부터 일 방향으로 회전하여 소정의 턴 수로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 코일 패턴(210)은 제 2 시트(102)의 홀(310)에 대응되는 영역으로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있고, 제 2 코일 패턴(220)은 홀(310)과 소정 간격 이격되고 제 3 시트(103)의 홀(321)에 대응되는 영역으로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있다. 또한, 제 3 코일 패턴(230)은 서로 이격된 홀들(321, 322)과 소정 간격 이격되고 제 4 시트(104)의 홀(331)과 대응되는 영역으로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있고, 제 4 코일 패턴(240)은 제 2 시트(102)의 홀(310)과 제 3 시트(103)의 홀(322)에 대응되는 영역에 형성된 홀(333)로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있다. 그리고, 제 5 코일 패턴(250)은 제 4 시트(104)의 홀(332)에 대응되는 영역에 형성된 홀(342)로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있고, 제 6 코일 패턴(260)은 제 5 시트(105)의 홀(341)에 대응되는 영역에 형성될 홀(350)로부터 일 방향으로 회전하여 형성될 수 있다. 또한, 코일 패턴(200)은 소정의 회전수로 형성될 수 있는데, 2 내지 20 의 회전수로 형성될 수 있다. 이때, 코일 패턴(200)의 회전수는 적어도 하나가 다를 수 있는데, 예를 들어 제 1, 제 3 및 제 5 코일 패턴(210, 230, 250)이 3 내지 20 의 회전수로 형성되고, 제 2, 제 4 및 제 6 코일 패턴(220, 240, 260)이 각각 2.5 내지 18 의 회전수로 형성될 수 있다. 즉, 제 1, 제 3 및 제 5 코일 패턴(210, 230, 250)의 회전수가 제 2, 제 4 및 제 6 코일 패턴(220, 240, 260)의 회전수와 같거나 많을 수 있다. 또한, 코일 패턴(200)은 소정의 선폭 및 간격을 가지며, 반시계 및 시계 방향의 적어도 어느 한 방향으로 외측으로 회전하는 나선형으로 형성될 수 있다. 이때, 코일 패턴(200)의 선폭은 동일하거나 다를 수 있고, 간격은 동일하거나 다를 수 있다. 즉, 코일 패턴(200)의 회전수에 따라 동일 코일 패턴(200)의 선 간격은 다를 수 있다. 또한, 코일 패턴(200)은 회전 방향이 다를 수 있다. 예를 들어, 제 1, 제 3 및 제 5 코일 패턴(210, 220, 250)은 반시계 방향으로 회전하고, 제 2, 제 4 및 제 6 코일 패턴(220, 240, 260)은 시계 방향으로 회전할 수 있다. 그러나, 모든 코일 패턴(200)이 시계 방향 또는 반시계 방향의 동일 방향으로 회전할 수도 있다. 한편, 코일 패턴(200)은 나선형 이외에 직선, 곡선 형태 등 다양한 형상으로 형성될 수도 있다. 즉, 본 발명의 노이즈 필터부(2000)는 복수의 도전 패턴이 상하 연결될 수 있고, 복수의 도전 패턴의 적어도 어느 하나가 나선형 형태를 가지고, 적어도 다른 하나는 나선형 형태가 아닌 다른 형태를 가질 수도 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 적어도 하나의 코일 패턴(300)의 내측에 자심 구조가 형성될 수 있다. 즉, 시트(100)의 중앙부에 자성체 물질이 매립되어 자심이 형성되고 자심을 둘러싸도록 코일 패턴(300)이 형성될 수도 있다.Each of the first to
한편, 코일 패턴(200)은 시트(100)의 외측 방향으로 인출되는 인출 전극(410 내지 460; 400)과 연결될 수 있다. 제 1 코일 패턴(210)과 연결되는 제 1 인출 전극(410)은 제 1 시트(101)의 일 장변의 소정 영역으로 노출되도록 형성된다. 제 2 코일 패턴(220)과 연결되는 제 2 인출 전극(420)은 제 2 시트(102)의 일 장변으로 노출되도록 형성되며, 제 1 인출 전극(410)과 이격되어 형성된다. 제 3 코일 패턴(230)과 연결되는 제 3 인출 전극(430)은 제 3 시트(103)의 일 장변으로 노출되도록 형성되며, 제 1 및 제 2 인출 전극(410, 420)과 이격되어 형성된다. 제 4 코일 패턴(240)과 연결되는 제 4 인출 전극(440)은 제 4 시트(104)의 타 장변으로 노출되도록 형성되며 제 1 인출 전극(410)과 대응되는 영역으로 노출되도록 형성된다. 제 5 코일 패턴(250)과 연결되는 제 5 인출 전극(450)은 제 5 시트(105)의 타 장변으로 노출되도록 형성되며, 제 4 인출 전극(440)과 이격되고 제 2 인출 전극(420)과 대응되도록 형성된다. 제 6 코일 패턴(260)과 연결되는 제 6 인출 전극(460)은 제 6 시트(106)의 타 장변으로 노출되도록 형성되며, 제 4 및 제 5 인출 전극(440, 450)과 이격되고 제 3 인출 전극(430)과 대응되도록 형성된다. 한편, 인출 전극(400)은 코일 패턴(200)의 폭보다 넓은 폭으로 형성되며, 바람직하게는 외부 전극(3000)의 폭보다 좁거나 동일한 폭으로 형성될 수 있다. 인출 전극(400)의 폭이 코일 패턴(200)의 폭보다 넓게 형성됨으로써 외부 전극(3000)과의 접촉 면적을 증가시킬 수 있고, 그에 따라 인출 전극(400)과 외부 전극(3000)의 접촉 저항을 줄일 수 있다. Meanwhile, the
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 4 코일 패턴(210, 240)이 수직 연결 배선(300a)을 통해 연결되어 제 1 노이즈 필터부(2100)를 이룬다. 즉, 제 4 코일 패턴(240)이 제 4 시트(104)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(333), 제 3 시트(103)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(322), 제 2 시트(102)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(310)을 통해 제 1 코일 패턴(210)과 연결된다. 제 2 및 제 5 코일 패턴(220, 250)이 수직 연결 배선(300b)을 통해 연결되어 제 2 노이즈 필터부(2200)를 이룬다. 즉, 제 5 코일 패턴(250)이 제 5 시트(105)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(342), 제 4 시트(104)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(332), 제 3 시트(103)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(321)을 통해 제 2 코일 패턴(220)과 연결된다. 그리고, 제 3 및 제 6 코일 패턴(230, 260)이 수직 연결 배선(300c)를 통해 연결되어 제 3 노이즈 필터부(2300)를 이룬다. 즉, 제 6 코일 패턴(260)이 제 6 시트(105)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(350), 제 5 시트(104)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(341), 제 4 시트(104)에 형성된 도전 물질이 매립된 홀(331)을 통해 제 3 코일 패턴(230)과 연결된다. 그러나, 서로 이격된 코일 패턴의 연결 방식은 다양하게 변형 가능하며, 예를 들어 도 9에 도시된 바와 같이 제 3 및 제 4 코일 패턴(230, 240)이 제 1 수직 연결 배선(300a)에 의해 연결되고, 제 2 및 제 5 코일 패턴(220, 260)이 제 2 수직 연결 배선(300b)에 의해 연결되며, 제 1 및 제 6 코일 패턴(210, 260)이 제 3 수직 연결 배선(300c)에 의해 연결되어 각각 제 1 내지 제 3 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300; 2000)를 이룰 수 있다.As shown in FIGS. 7 and 8, the first and
한편, 제 1 코일 패턴(210)과 연결된 제 1 인출 전극(410)은 제 1-1 외부 전극(3110)과 연결되고 제 4 코일 패턴(240)과 연결된 제 4 인출 전극(440)은 제 2-1 외부 전극(3210)과 연결된다. 또한, 제 2 코일 패턴(220)과 연결된 제 2 인출 전극(420)은 제 1-2 외부 전극(3120)과 연결되고 제 5 코일 패턴(250)과 연결된 제 4 인출 전극(450)은 제 2-2 외부 전극(3220)과 연결된다. 또한, 제 3 코일 패턴(230)과 연결된 제 3 인출 전극(430)은 제 1-3 외부 전극(3130)과 연결되고 제 6 코일 패턴(260)과 연결된 제 6 인출 전극(460)은 제 2-3 외부 전극(3230)과 연결된다. 따라서, 따라서, 제 1 노이즈 필터부(2100)는 제 1-1 및 제 2-1 외부 전극(3110, 3210) 사이에 연결되고, 제 2 노이즈 필터부(2200)는 제 1-2 및 제 2-2 외부 전극(3120, 3220) 사이에 연결되며, 제 3 노이즈 필터(2300)은 제 1-3 및 제 2-3 외부 전극(3130, 3230) 사이에 연결된다.The
한편, 제 1 내지 제 3 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300)를 각각 이루는 코일 패턴(200)의 회전 수가 서로 동일할 수도 있고, 각각 다를 수도 있다. 노이즈 필터부(2000)를 이루는 코일 패턴(200)의 회전수가 각각 다름에 따라 하나의 회로 보호 소자가 적어도 둘 이상의 임피던스 특성을 가질 수 있다.On the other hand, the number of rotations of the
3. 외부 전극3. External electrode
외부 전극(3000)은 적층체(1000)의 서로 대향되는 두 측면에 각각 마련될 수 있다. 즉, 시트들(100)의 적층 방향을 수직 방향(즉 Z 방향)이라 할 때 적층체(1000)의 수직 방향의 대향되는 수평 방향(즉 Y 방향)의 서로 대향되는 두 측면에 외부 전극(3000)이 형성될 수 있다. 또한, 외부 전극(3000)은 두 측면에 세개씩 마련될 수 있다. 즉, 세개의 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300)에 대하여 두 측면에 각각 두개의 외부 전극(3000)이 형성될 수 있다. 이때, 적층체(1000)이 일 측면에 형성된 외부 전극(3110, 3120, 3130)을 제 1 외부 전극(3100)이라 하고, 타 측면에 형성된 외부 전극(3210, 3220, 3230)을 제 2 외부 전극(3200)이라 한다. 이러한 외부 전극(3000)은 적층체(1000) 내부의 제 1 내지 제 3 노이즈 필터(2100, 2200, 2300)와 연결되며, 적층체(1000) 외부에서 일 단자 및 타 단자, 예를 들어 신호 입력 단자 및 신호 출력 단자에 연결될 수 있다.The external electrodes 3000 may be provided on two opposite sides of the
제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)은 적층체(1000)의 상부면 및 하부면으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)은 적층체(1000)의 Z 방향으로 서로 대향되는 두면, 즉 상부면 및 하부면에 연장 형성될 수 있다. 따라서, 외부 전극(3000)은 적층체(1000)의 측면으로부터 상부면 및 하부면에 연장 형성되어 예컨데 "ㄷ"자 형상으로 형성될 수 있다.The first and second external electrodes 3100 and 3200 may extend from the upper surface and the lower surface of the
한편, 외부 전극(3000)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 외부 전극(3000)은 Ag 등의 금속층으로 형성될 수 있고, 금속층 상에 적어도 하나의 도금층이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 외부 전극(3000)은 구리층, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 적층 형성될 수도 있다. 또한, 외부 전극(3000)은 예를 들어 0.5%∼20%의 Bi2O3 또는 SiO2를 주성분으로 하는 다성분계의 글래스 프릿(Glass frit)을 금속 분말과 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 글래스 프릿과 금속 분말의 혼합물은 페이스트 형태로 제조되어 적층체(1000)의 서로 대향되는 두면에 도포될 수 있다. 이렇게 외부 전극(3000)에 글래스 프릿이 포함됨으로써 외부 전극(3000) 적층체(10)의 밀착력을 향상시킬 수 있고, 인출 전극(400)과 외부 전극(3000)의 콘택 반응을 향상시킬 수 있다. 또한, 글래스가 포함된 도전성 페이스트가 도포된 후 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(3000)이 형성될 수 있다. 즉, 글래스가 포함된 금속층과, 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(3000)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 외부 전극(3000)은 글래스 프릿과 Ag 및 Cu의 적어도 하나가 포함된 층을 형성한 후 전해 또는 무전해 도금을 통하여 Ni 도금층 및 Sn 도금층 순차적으로 형성할 수 있다. 이때, Sn 도금층은 Ni 도금층과 같거나 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 한편, 외부 전극(3000)은 2㎛∼100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, Ni 도금층이 1㎛∼10㎛의 두께로 형성되고, Sn 또는 Sn/Ag 도금층은 2㎛∼10㎛의 두께로 형성될 수 있다.Meanwhile, the external electrode 3000 may be formed of at least one layer. The external electrode 3000 may be formed of a metal layer such as Ag, and at least one plating layer may be formed on the metal layer. For example, the external electrode 3000 may be formed by laminating a copper layer, a Ni plating layer, and a Sn or Sn / Ag plating layer. The external electrode 3000 may be formed by mixing a multi-component glass frit containing Bi 2 O 3 or SiO 2 as a main component with, for example, 0.5% to 20% of a metal powder. At this time, a mixture of the glass frit and the metal powder may be prepared in the form of a paste and applied to two opposite surfaces of the
4. 표면 개질 부재4. Surface modification member
표면 개질 부재(4000)는 적층체(1000) 표면의 적어도 일부에 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재(4000)는 적층체(1000)의 표면 전체에 형성될 수도 있고, 적층체(1000)의 외부 전극(3000)과 접촉되는 영역에만 형성될 수 있다. 다시 말하면, 표면 개질 부재(4000)가 적층체(1000) 표면의 일부에 형성되는 표면 개질 부재(4000)는 적층체(1000)와 외부 전극(3000) 사이에 형성될 수 있다. 이때, 표면 개질 부재(4000)는 외부 전극(3000)의 연장 영역에 접촉되어 형성될 수 있다. 즉, 적층체(1000)의 상부면 및 하부면으로 연장 형성된 외부 전극(3000)의 일 영역과 적층체(1000) 사이에 표면 개질 부재(4000)가 마련될 수 있다. 또한, 표면 개질 부재(4000)는 그 상부에 형성되는 외부 전극(3000)보다 같거나 다른 크기로 마련될 수 있다. 예를 들어, 적층체(1000)의 상부면 및 하부면으로 연장 형성된 외부 전극(3000)의 일부의 면적보다 50% 내지 150%의 면적으로 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재(4000)는 외부 전극(3000)의 연장 영역의 크기보다 작거나 큰 크기로 형성될 수도 있고, 같은 크기로 형성될 수도 있다. 물론, 표면 개질 부재(4000)는 적층체(1000)의 측면에 형성된 외부 전극(3000)과의 사이에도 형성될 수 있다. 이러한 표면 개질 부재(4000)는 유리(glass) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표면 개질 부재(4000)는 소정 온도, 예를 들어 950℃ 이하에서 소성 가능한 무(無)붕규산 유리(non-borosilicate glass)(SiO2-CaO-ZnO-MgO계 유리)를 포함할 수 있다. 또한, 표면 개질 부재(4000)는 자성체 물질이 더 포함될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재(4000)가 형성될 영역이 자성체 시트로 이루어져 있으면 표면 개질 부재(4000)와 자성체 시트의 결합을 용이하게 하기 위해 표면 개질 부재(4000) 내에 자성체 물질이 일부 포함될 수 있다. 이때, 자성체 물질은 예를 들어 NiZnCu계 자성체 분말을 포함하며, 유리 물질 100wt%에 대하여 자성체 물질이 예를 들어 1∼15wt% 포함될 수 있다. 한편, 표면 개질 부재(4000)는 적어도 일부가 적층체(1000)의 표면에 형성될 수 있다. 이때, 유리 물질은 도 10의 (a)에 도시된 바와 같이 적어도 일부가 적층체(1000) 표면에 고르게 분포될 수 있고, 도 10의 (b)에 도시된 바와 같이 적어도 일부가 서로 다른 크기로 불규칙적으로 분포될 수도 있다. 물론, 표면 개질 부재(4000)는 적층체(1000)의 표면에 연속적으로 형성되어 막 형태를 가질 수도 있다. 또한, 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이 적층체(1000)의 적어도 일부 표면에는 오목부가 형성될 수도 있다. 즉, 유리 물질이 형성되어 볼록부가 형성되고 유리 물질이 형성되지 않은 영역의 적어도 일부가 패여 오목부가 형성될 수도 있다. 이때, 유리 물질은 적층체(1000) 표면으로부터 소정 깊이로 형성되어 적어도 일부가 적층체(1000) 표면보다 높게 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재(4000)는 적어도 일부가 적층체(1000)의 표면과 동일 평면을 이룰 수 있고, 적어도 일부가 적층체(1000)의 표면보다 높게 유지될 수 있다. 이렇게 외부 전극(3000) 형성 이전에 적층체(1000)의 일부 영역에 유리 물질을 분포시켜 표면 개질 부재(4000)를 형성함으로써 적층체(1000) 표면을 개질시킬 수 있고, 그에 따라 표면의 저항을 균일하게 할 수 있다. 따라서, 외부 전극의 형상을 제어할 수 있고, 그에 따라 외부 전극의 형성을 용이하게 할 수 있다. 한편, 표면 개질 부재(4000)를 적층체(1000) 표면의 소정 영역에 형성하기 위해 유리 물질을 포함하는 페이스트를 소정 시트의 소정 영역에 인쇄하거나 도포할 수 있다. 예를 들어, 제 7 시트(107) 하면의 여섯 영역과 제 8 시트(108) 상면의 여섯 영역에 유리 페이스트를 도포한 후 경화시켜 표면 개질 부재(4000)를 형성할 수 있다. 또한, 유리 페이스트는 적층형 소자의 사이즈로 절단하기 이전의 세라믹 그린 시트의 소정 영역에 도포될 수 있다. 즉, 세라믹 그린 시트의 복수의 영역에 유리질 페이스트를 도포한 후 유리질 페이스트가 형성된 부분을 포함하여 적층형 소자 단위의 절단선으로 그린 시트를 절단하고, 이를 노이즈 필터부 등이 형성된 시트와 적층하여 회로 보호 소자를 제작할 수 있다. 이때, 표면 개질 부재(4000)가 적층체(1000)의 가장자리에 형성되므로 유리질 페이스트가 도포된 영역을 중심으로 적층형 소자 단위로 절단될 수 있다. The
한편, 표면 개질 부재(4000)는 산화물을 이용하여 형성할 수도 있다. 즉, 표면 개질 부재(4000)는 유리질 물질 및 산화물의 적어도 하나를 이용하여 형성할 수 있고, 자성체 물질을 더 포함하여 형성할 수도 있다. 이때, 표면 개질 부재(4000)는 결정 상태 또는 비결정 상태의 산화물이 적층체(1000)의 표면에 분산되어 분포될 수 있고, 표면에 분포된 산화물은 적어도 일부가 용융될 수 있다. 이때, 산화물의 경우에도 도 10의 (a) 내지 도 10의 (c)에 도시된 바와 같이 형성될 수 있다. 또한, 표면 개질 부재(4000)가 산화물로 형성되는 경우에도 산화물이 서로 이격되어 섬 형태로 분포될 수 있고, 적어도 일 영역에는 막 형태로 형성될 수도 있다. 여기서, 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물은 예를 들어 Bi2O3, BO2, B2O3, ZnO, Co3O4, SiO2, Al2O3, MnO, H2BO3, H2BO3, Ca(CO3)2, Ca(NO3)2, CaCO3 중 적어도 하나 이상을 이용할 수 있다.On the other hand, the
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시 예는 복수의 시트(100)가 적층된 적층체(1000) 내에 복수의 코일 패턴(200)이 형성되고 적어도 둘 이상의 코일 패턴(200)이 서로 연결되어 하나의 노이즈 필터부(2000)를 형성하며, 이러한 노이즈 필터부(2000)가 적층체(1000) 내에 적어도 셋 이상 구현된다. 또한, 복수의 노이즈 필터부(2000)는 적층체(1000) 외부에 형성된 복수의 외부 전극(3000)과 연결되어 신호 라인 사이에 마련된다. 따라서, 세 신호 라인에서 동시에 발생하는 공통 모드 노이즈와 두 신호 라인 사이에서 발생하는 공통 모드 노이즈를 제거할 수 있고, 그에 따라 시-파이(C-PHY)에 적용 가능하다.As described above, in one embodiment of the present invention, a plurality of
또한, 표면 전체에 유리질 층이 형성되지 않음으로써 소자의 두께를 줄일 수 있고, 그에 따라 사이즈가 축소되어 실장 면적 및 높이가 감소되는 전자기기에 대응하여 회로 보호 소자를 장착할 수 있다. 그리고, 표면 전체에 유리질층이 형성되지 않기 때문에 수분의 흡수를 억제할 수 있고, 그에 따라 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 소자의 사이즈가 작아지면 외부 전극의 면적이 작아져 외부 전극과 적층체의 밀착력이 감소되고 그에 따라 PCB에 실장 시 부착 강도가 낮아질 수 있지만, 본 발명에 의하여 외부 전극과 적층체의 밀착력을 향상시켜 부착 강도를 증가시킬 수 있다. Further, since the glassy layer is not formed on the entire surface, the thickness of the device can be reduced, and the circuit protection device can be mounted corresponding to the electronic device whose size is reduced and the mounting area and height are reduced. Since the glassy layer is not formed on the entire surface, absorption of moisture can be suppressed, and reliability of the device can be improved. On the other hand, as the size of the device decreases, the area of the external electrode becomes smaller to reduce the adhesion between the external electrode and the laminate, thereby lowering the adhesion strength when mounted on the PCB. So that the bonding strength can be increased.
도 11은 은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자의 투시 평면도이고, 도 12는 분리 사시도이며, 도 13은 회로도이다. 본 발명의 제 2 실시 예는 복수의 노이즈 필터부(2000)의 적어도 일 영역 사이에 적어도 하나의 내부 전극을 포함하는 캐패시터가 형성된다. 즉, 본 발명의 제 2 실시 예는 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 적어도 하나의 노이즈 필터부(2000)에 캐패시터가 형성되고, 도 13에 도시된 바와 같이 복수의 노이즈 필터부(2000)에 각각 캐패시터가 형성될 수 있다.Fig. 11 is a perspective plan view of a circuit protection device according to a second embodiment of the present invention, Fig. 12 is an exploded perspective view, and Fig. 13 is a circuit diagram. The second embodiment of the present invention is formed with a capacitor including at least one internal electrode between at least one region of the plurality of
도 11 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 복수의 시트(100)가 적층된 적층체(1000)와, 적층체(1000) 내에 마련되며 복수의 코일 패턴(200)을 각각 포함하는 적어도 셋 이상의 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300; 2000)와, 적층체(1000)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 노이즈 필터부(2000)와 연결되는 외부 전극(3100, 3200; 3000)과, 적층체(1000) 내의 소정 영역에 마련된 적어도 하나의 내부 전극(510, 520; 500)을 포함한다.11 to 13, the circuit protection device according to the second embodiment of the present invention includes a
즉, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 적층체(1000) 내에 적어도 두개의 내부 전극(510, 520)이 적어도 일부 중첩되도록 마련되어 그 사이에 적어도 하나의 캐패시터가 형성된다. 예를 들어, 제 6 시트(106)와 제 8 시트(108) 사이에 두개의 시트(109, 110)가 각각 마련되고, 각각의 시트(109, 110) 상에 소정 형상의 내부 전극(510, 520)이 적어도 일부 중첩되도록 형성되어 캐패시터가 형성된다. 즉, 제 1 및 제 2 내부 전극(510, 520)과 그 사이에 형성된 제 10 시트(110)에 의해 캐패시터가 형성된다. 여기서, 적어도 둘 이상의 내부 전극(510, 520)은 적층체(1000)의 대향되는 두 측면에 각각 형성된 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)의 적어도 어느 하나와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 내부 전극(510)은 제 1-3 외부 전극(3130)과 연결되고 제 2 내부 전극(520)은 제 2-2 외부 전극(3220)과 연결될 수 있다. 이때, 외부 전극(3000)의 적어도 하나는 접지 단자와 연결될 수 있는데, 예를 들어 제 1-3 외부 전극(3130)이 접지 단자와 연결될 수 있다. 한편, 제 1 및 제 2 내부 전극(510, 520)의 적어도 하나가 접지 단자와 연결되기 위해 적층체(1000) 외부에 제 3 외부 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 내부 전극(510, 520)의 적어도 어느 하나는 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)과 연결되지 않고 제 3 외부 전극과 연결될 수 있다. 이때, 제 3 외부 전극은 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)이 형성되지 않은 적층체(1000)의 서로 대향되는 두 면에 형성될 수 있고, 접지 단자와 연결될 수 있다. 따라서, 이 경우 제 1 및 제 2 내부 전극(510, 520)의 어느 하나가 제 3 외부 전극을 통해 접지 단자와 연결될 수 있다. 한편, 캐패시터는 코일 패턴(200) 사이에 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도시되지는 않았지만, 제 3 코일 패턴(230)과 제 4 코일 패턴(240) 사이에 캐패시터가 형성될 수 있다. 이를 위해 각각 제 3 및 제 4 코일 패턴(230, 240)이 각각 형성된 제 3 및 제 4 시트(130, 140) 사이에 적어도 하나 이상의 시트가 더 마련되고 적어도 하나 이상의 시트에 적어도 하나 이상의 내부 전극이 형성되어 캐패시터가 구현될 수 있다. 예를 들어, 제 3 및 제 4 시트(130, 140) 사이에 내부 전극(500)이 각각 형성된 시트(109, 110)가 마련되어 캐패시터가 형성될 수 있다. 또한, 하나의 내부 전극이 형성된 하나의 시트가 코일 패턴(200) 사이에 마련될 수 있다. 이때, 하나의 시트가 더 마련되고 내부 전극이 하나 형성되는 경우 내부 전극과 그 상부의 코일 패턴, 그리고 내부 전극과 그 하부의 코일 패턴 사이에 캐패시터가 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극과 시트를 사이에 두고 인접한 코일 패턴 사이에 캐패시터가 형성될 수 있다. 물론, 코일 패턴(200) 사이의 적어도 둘 이상의 영역에 적어도 둘 이상의 내부 전극(500)이 각각 형성되어 적층체(1000) 내에 적어도 둘 이상의 캐패시터가 형성될 수도 있다. 이때, 캐패시터를 형성하기 위한 내부 전극(500)은 다양한 형태로 형성될 수 있고, 코일 패턴(200)을 서로 연결하기 위해 내부 전극(500)이 형성된 시트에도 도전 물질이 매립된 홀이 형성되어야 하고, 도전 물질이 매립된 홀과 소정 간격 이격되어 내부 전극(500)이 형성될 수 있다. 따라서, 적층체(1000) 내에 적어도 하나의 캐패시터가 형성되며, 예를 들어 도 13에 도시된 바와 같이 각각의 노이즈 필터에 각각 캐패시터가 형성될 수 있다.That is, in the circuit protection device according to the second embodiment of the present invention, at least two
상기한 바와 같은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 코일 패턴(200)의 회전수, 캐패시터의 내부 전극(500)의 면적, 그리고 코일 패턴(200) 사이의 간격, 즉 시트(102 내지 106)의 두께를 조절함으로써 인덕턴스 및 캐패시턴스를 조절할 수 있고, 그에 따라 억제할 수 있는 주파수의 노이즈를 조절할 수 있다. 예를 들어, 시트(102 내지 106)의 두께를 줄이면 낮은 주파수 대역의 노이즈를 억제할 수 있고, 두께를 증가시키면 높은 주파수 대역의 노이즈를 억제할 수 있다. 이렇게 세개의 노이즈 필터부(2000)와 하나 이상의 캐패시터로 이루어진 회로 보호 소자, 즉 공통 모드 노이즈 필터는 적어도 둘 이상의 주파수 대역의 노이즈를 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 둘 이상의 주파수 대역의 노이즈를 억제할 수 있고, 그에 따라 다양한 주파수의 기능을 채용하는 스마트폰 등의 휴대용 전자기기에 이용되어 전자기기의 품질을 향상시킬 수 있다.The circuit protection device according to the second embodiment of the present invention as described above can be fabricated by using the number of revolutions of the
한편, 본 발명에 따른 회로 보호 소자는 복수의 노이즈 필터부(2000)와 ESD 등의 과전압으로부터 전자기기 등을 보호하기 위한 과전압 보호부가 결합된 구조로 마련될 수도 있다. 즉, 적어도 셋 이상의 노이즈 필터(2000)와 과전압 보호부가 결합되어 회로 보호 소자가 구현될 수 있다. 이러한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 도 14 및 도 15를 이용하여 설명하면 다음과 같다. 도 14은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 회로 보호 소자의 사시도이고, 도 15는 분해 사시도이다.Meanwhile, the circuit protection device according to the present invention may be provided with a structure in which a plurality of
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 복수의 코일 패턴(200)을 각각 포함하는 적어도 세개의 노이즈 필터부(2100, 2200, 2300; 2000)와, 적층체(1000)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 적어도 세개의 노이즈 필터부(2000)와 연결되는 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)과, 적층체(1000) 내에 마련된 과전압 보호부(5000)와, 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)과 이격되어 적층체(1000)의 서로 대향되는 두 측면에 형성되며 과전압 보호부(5000)와 연결되는 제 3 외부 전극(3300)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 3 외부 전극(3300)은 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)이 형성되지 않은 적층체(1000)의 측면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)이 적층체(1000)의 Y 방향으로 대향되는 두 측면에 형성되고, 제 3 외부 전극(3300)은 적층체(1000)의 X 방향으로 대향되는 두 측면에 형성될 수 있다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 회로 보호 소자는 각각 복수의 코일 패턴(200)을 포함하는 적어도 셋 이상의 노이즈 필터부(2000)가 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)과 연결되고, 적층체(1000) 내부에서 노이즈 필터부(2000)와 이격되어 과전압 보호부(5000)가 마련되어 제 3 외부 전극(3300)과 연결된다. 한편, 도시되지 않았지만, 본 발명의 제 2 실시 예에서 설명된 적어도 하나의 내부 전극을 포함하는 캐패시터가 본 발명의 제 3 실시 예도 적용될 수 있다.14 and 15, the circuit protection device according to the third embodiment of the present invention includes at least three
과전압 보호부(5000)는 인출 전극(471 내지 476, 480) 및 홀(361 내지 366)이 각각 선택적으로 형성된 적어도 둘 이상의 시트(111, 112)가 적층되어 구성된다. 여기서, 시트들(111, 112)은 제 1 시트(101)와 제 7 시트(107), 즉 제 1 시트(101)와 하부 커버층 사이에 마련될 수 있다. 물론, 시트들(111, 112)은 제 6 시트(106)와 제 8 시트(108), 즉 제 6 시트(106)와 상부 커버층 사이에 마련될 수도 있다. 시트들(111, 112)은 노이즈 필터부(2000)를 이루는 시트들(100)과 동일 두께 및 동일 형상을 갖는 사각형의 판 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 시트들(111, 112)은 비자성체 시트 또는 자성체 시트로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 노이즈 필터부(2000)를 이루는 시트들(101 내지 106)은 비자성체 시트로 이루어질 수 있고, 하부 및 상부 커버층으로 이용되는 제 7 및 제 8 시트(107, 108)와 과전압 보호부(5000)가 구성되는 시트들(111, 112)은 자성체 시트로 이루어질 수 있다.The
시트(112)의 상면에는 복수의 인출 전극(471 내지 476; 470)이 형성된다. 복수의 인출 전극(470)은 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)과 연결되는 복수의 노이즈 필터부(2000)의 인출 전극(410 내지 460)과 각각 동일 위치에 형성될 수 있다. 따라서, 인출 전극(471)은 제 1-1 외부 전극(3110)과 접속되고, 인출 전극(422)은 제 1-2 외부 전극(3120)과 접속되며, 인출 전극(473)은 제 1-3 외부 전극(3130)과 접속될 수 있다. 또한, 인출 전극(474)은 제 2-1 외부 전극(3210)과 접속되고, 인출 전극(475)은 제 2-2 외부 전극(3220)과 접속되며, 인출 전극(476)은 제 2-3 외부 전극(3230)과 접속될 수 있다. 또한, 시트(112) 상에는 복수의 홀(361 내지 366)이 형성되는데, 복수의 홀(361 내지 366)은 복수의 인출 전극(471 내지 476)의 일 단부에 각각 형성될 수 있다. 또한, 복수의 홀(361 내지 366)은 각각 과전압 보호 물질에 의해 매립된다. 과전압 보호 물질은 PVA(Polyvinyl Alcohol) 또는 PVB(Polyvinyl Butyral) 등의 유기물에 Ru, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Cr, W, Fe 등에서 선택된 적어도 하나의 도전성 물질을 혼합한 물질로 형성할 수 있다. 또한, 과전압 보호 물질은 상기 혼합 물질에 ZnO 등의 바리스터 물질 또는 Al2O3 등의 절연성 세라믹 물질을 더 혼합하여 형성할 수 도 있다. 물론, 과전압 보호 물질은 상기 물질 이외에 다양한 물질이 이용될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호 물질은 다공성의 절연 물질 및 공극(void)의 적어도 어느 하나를 이용할 수 있다. 즉, 다공성의 절연 물질이 홀에 매립 또는 도포될 수도 있고, 홀 내에 공극이 형성될 수도 있으며, 다공성의 절연 물질과 도전 물질의 혼합 물질이 홀에 매립 또는 도포될 수도 있다. 또한, 다공성의 절연 물질, 도전 물질 및 공극이 홀 내에서 층을 이루어 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도전층 사이에 다공성의 절연층이 형성되며, 절연층 사이에 공극이 형성될 수도 있다. 이때, 공극은 절연층의 복수의 기공이 서로 연결되어 형성될 수도 있다. 여기서, 다공성의 절연 물질은 50∼50000 정도의 유전율을 갖는 강유전체 세라믹이 이용될 수 있다. 예를 들어, 절연성 세라믹은 MLCC 등의 유전체 재료 분말, ZrO, ZnO, BaTiO3, Nd2O5, BaCO3, TiO2, Nd, Bi, Zn, Al2O3 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 다공성의 절연 물질은 1㎚∼5㎛ 정도 크기의 기공이 복수 형성되어 30%∼80%의 기공률로 형성된 다공성 구조로 형성될 수 있다. 이때, 기공 사이의 최단 거리는 1㎚∼5㎛ 정도일 수 있다. 또한, 과전압 보호 물질로 이용되는 도전 물질은 도전성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있으며, 도전성 세라믹은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Bi 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용할 수 있다. 한편, 복수의 홀(361 내지 366) 내부가 비어 빈 공간을 유지하고 빈 공간이 과전압 보호 부재로 이용될 수도 있다.A plurality of
시트(111)는 시트(112)의 하측에 마련되며, 그 상부에는 인출 전극(480)이 형성된다. 인출 전극(480)은 시트(195)의 일 변으로부터 이와 대향되는 타 변으로 각각 노출되도록 형성될 수 있다. 즉, 인출 전극(480)은 시트(112) 상에 형성된 인출 전극들(471 내지 476)이 노출되는 변과 직교하는 변에 각각 노출되도록 형성된다. 이러한 인출 전극(480)은 적층체(1000)의 서로 대향되는 두 측면에 형성된 제 3 외부 전극(3310, 3320; 3300)과 연결된다. 또한, 인출 전극(480)의 소정 영역은 시트(111)의 홀들(361 내지 366)과 연결되는데, 이를 위해 홀들(361 내지 366)과 연결되는 부분은 다른 영역에 비해 폭이 넓도록 형성될 수 있다.The
또한, 시트(112) 상에는 시트(미도시)가 마련될 수 있다. 미도시된 시트는 노이즈 필터부(2000)와 과전압 보호부(5000)을 분리하기 위해 마련되며, 이들 사이의 간섭을 억제하는 두께로 형성될 수 있다. 미도시된 시트는 시트들(111, 112)과 동일 두께를 갖는 복수의 시트가 적층되어 형성될 수 있다.Further, a sheet (not shown) may be provided on the
상기와 같은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 복수의 노이즈 필터부(2000)와 과전압 보호부(5000)가 복합된 회로 보호 소자는 전자기기에 사용되는 신호 입력 단자와 시스템 사이에 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)이 접속되고, 접지 단자에 제 3 외부 전극(3300)이 접속되어 공통 모드 노이즈를 제거할 뿐만 아니라 입출력 단자로 유입되는 정전기 등의 고전압을 접지 단자로 흘려줄 수 있다. 즉, 과전압 보호부(5000)가 입력 단자와 출력 단자 사이에서 접지 단자와 연결되어 회로 보호 소자의 양단 사이에 원하지 않는 소정 전압 이상의 전압이 인가되면, 과전압 보호 물질의 전도성 입자 사이에 방전이 일어나게 되어 접지 단자로 전류를 흘려주고, 해당 회로 보호 소자의 양단 사이의 전압 차이를 줄이게 된다. 예를 들어, 과전압 보호부(5000)는 홀들(361 내지 366) 내에 매립된 과전압 보호 물질이 전도성 물질과 다공성의 절연성 물질이 소정의 비율로 혼합된 상태로 존재할 수 있다. 즉, 절연성 물질 사이에 전도성 입자가 존재하게 되며, 인출 전극(471 내지 476)에 소정 전압 이하의 전압이 인가되는 경우에는 절연 상태를 유지하고, 인출 전극(471 내지 476)에 소정 전압 이상의 전압이 인가되는 경우에는 전도성 입자 사이에 방전이 일어나게 되어 해당 인출 전극(471 내지 476) 사이의 전압 차이를 줄이게 된다. 이때, 회로 보호 소자의 양단은 도통 상태가 되는 것이 아니기 때문에, 입력 신호는 왜곡 없이 그대로 입출력 단자에 전달된다. 즉, 회로 보호 소자는 정전기 발생시에도 해당 정전기는 해당 회로 보호 소자를 통하여 접지로 빠져나가게 되어 회로를 보호하는 동시에 시스템이 주고받는 신호는 그대로 유지된다.The circuit protection device in which the plurality of
도 16 내지 도 20은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 설명하기 위한 도면들이다. 즉, 도 16은 회로도이고, 도 17 및 도 19은 제 4 실시 예들에 따른 개략 투시 평면도이며, 도 18 및 도 20는 도 17 및 도 19의 일부 분리 사시도이다.16 to 20 are views for explaining a circuit protection device according to a fourth embodiment of the present invention. 16 is a circuit diagram, Figs. 17 and 19 are a schematic perspective plan view according to the fourth embodiment, and Figs. 18 and 20 are a partially separated perspective view of Figs. 17 and 19. Fig.
도 16에 도시된 바와 같이, 회로 보호 소자와 연결된 세개의 라인, 즉 각각 세개의 입력 라인 및 출력 라인에 캐패시터가 형성된다. 이렇게 접지 단자로 동일한 캐패시턴스를 구현하면 차동 신호는 캐패시턴스를 인식하지 못하고 통과하지만 공통 모드만 캐패시턴스에 의해 필터링된다. 이를 위해 입력 단자와 출력 단자에 모두 연결되거나, 입력 단자 또는 출력 단자의 어느 한쪽에만 연결될 수 있다. 구체적으로, 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 외부 전극(3100, 3200)에 각각 연결된 복수의 내부 전극(511, 512, 513, 521, 522, 523)과 내부 전극의 하측 또는 상측에 제 3 외부 전극(3300)과 연결된 공통 전극(530)이 마련될 수 있다. 이때, 복수의 내부 전극들(511, 512, 513, 521, 522, 523)은 서로 이격되며 공통 전극(530)과 소정 영역 중첩될 수 있다. 또한, 내부 전극들(511, 512, 513, 521, 522, 523)이 형성된 시트(114)의 하측 또는 상측에 공통 전극(530)이 형성된 시트(113)이 마련되며, 이들 시트(114, 115)는 본 발명의 실시 예들에 따른 적층체(1000) 내부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예의 노이즈 필터부(2000)와 상부 커버층, 즉 제 8 시트(108) 사이에 마련될 수 있다. 물론, 본 발명의 제 2 실시 예의 내부 전극이 형성된 시트, 즉 도 12의 시트(109, 110) 대신에 시트들(114, 115)가 마련될 수 있다. 따라서, 내부 전극들(511, 512, 513, 521, 522, 523)과 공통 전극(530) 사이에 캐패시턴스가 구현될 수 있다. 또한, 이러한 캐패시터는 과전압 보호부와 함께 구현될 수도 있다.As shown in Fig. 16, a capacitor is formed in three lines connected to the circuit protection element, i.e., three input lines and three output lines, respectively. When the same capacitance is realized by the ground terminal, the differential signal passes through the capacitor without recognizing the capacitance, but only the common mode is filtered by the capacitance. To this end, it may be connected to both the input terminal and the output terminal, or to either the input terminal or the output terminal. Specifically, as shown in FIGS. 17 and 18, a plurality of
또한, 도 18에 도시된 바와 같이 제 1 외부 전극(5100)에 각각 연결된 내부 전극들(511, 512, 513)과, 그 하측에 마련되며 제 3 외부 전극(6300)과 연결된 된 공통 전극(530)과, 그 하측에 마련되며 제 2 외부 전극(5200)에 각각 연결된 내부 전극들(521, 522, 523)이 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(510), 공통 전극(530) 및 내부 전극들(520)이 적층될 수 있다. 이때, 내부 전극들(510)과 내부 전극들(520)은 중첩되며, 공통 전극(530)과 중첩될 수 있다. 또한, 내부 전극들(511, 512, 513)이 소정의 시트(115) 상에 형성되고, 공통 전극(530)이 소정의 시트(114) 상에 형성되며, 내부 전극들(521, 522, 523)이 소정의 시트(113) 상에 형성되어 이들 시트(113, 114, 115)가 적층될 수 있다. 또한, 이들 시트들(113, 114, 115)는 본 발명의 실시 예들에 따른 적층체(1000) 내부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 제 1 및 제 3 실시 예의 노이즈 필터부(2000)와 상부 커버층, 즉 제 8 시트(108) 사이에 마련될 수 있다. 물론, 본 발명의 제 2 실시 예의 내부 전극이 형성된 시트, 즉 도 12의 시트(109, 110) 대신에 시트들(114, 115)가 마련될 수 있다. 따라서, 내부 전극들(511, 512, 513, 521, 522, 523)과 공통 전극(530) 사이에 캐패시턴스가 구현될 수 있다. 또한, 이러한 캐패시터는 과전압 보호부와 함께 구현될 수도 있다.18,
도 21 및 도 22는 본 발명의 실시 예들에 따른 공통 모드 노이즈를 제거할 수 있는 회로 보호 소자의 회로도 및 그에 따른 공통 모드 노이즈의 파형도이다.21 and 22 are circuit diagrams of a circuit protection element capable of removing common mode noise according to embodiments of the present invention, and waveforms of common mode noise according to the circuit diagram.
도 21 의 (a)는 본 발명의 제 1 실시 예로서 세 개의 신호 라인에 각각 노이즈 필터부가 형성된 회로 보호 소자의 회로도이다. 즉, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 적층체 내에 세개의 노이즈 필터부가 마련된 회로 보호 소자의 회로도이다. 또한, 도 21의 (b)는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 회로 보호 소자를 적용하지 않는 경우와 적용한 경우의 공통 모드 노이즈의 파형도이다. 여기서, 도면 부호 20은 본 발명에 따른 회로 보호 소자를 적용하지 않은 경우의 공통 모드 노이즈 성분이고, 도면 부호 30은 회로 보호 소자를 적용한 경우의 공통 모드 노이즈 성분이다. 도시된 바와 같이 회로 보호 소자를 적용하지 않은 경우 공통 모드 노이즈 성분이 크게 나타나지만, 회로 보호 소자를 적용하는 경우 공통 모드 노이즈 성분을 크게 줄일 수 있다.21A is a circuit diagram of a circuit protection element in which noise filter portions are respectively provided in three signal lines as a first embodiment of the present invention. That is, it is a circuit diagram of a circuit protection element provided with three noise filter portions in a laminate according to the first embodiment of the present invention. FIG. 21 (b) is a waveform diagram of common mode noise when the circuit protection device according to the first embodiment of the present invention is not applied and when it is applied. FIG. Here,
도 22의 (a)는 본 발명의 제 2 실시 예로서 세 개의 신호 라인에 복수의 노이즈 필터 및 캐패시터가 형성된 회로 보호 소자의 회로도이다. 즉, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 적층체 내에 세 개의 노이즈 필터부가 마련되고 이들 사이에 캐패시터가 형성된 회로 보호 소자의 회로도이다. 또한, 도 22의 (b)는 이러한 회로 보호 소자를 적용하지 않는 경우(도면 부호 40)와 적용한 경우(도면 부호 50)의 공통 모드 노이즈의 파형도이다. 도시된 바와 같이 회로 보호 소자를 적용한 경우 공통 모드 노이즈 성분을 크게 줄일 수 있다. 한편, 이러한 회로의 예시 이외에 다양한 L, C, 공통 모드 필터의 조합으로 공통 모드 노이즈를 제거할 수 있다.22 (a) is a circuit diagram of a circuit protection element in which a plurality of noise filters and capacitors are formed on three signal lines, according to a second embodiment of the present invention. That is, it is a circuit diagram of a circuit protection element in which three noise filter portions are provided in the stacked body according to the second embodiment of the present invention, and a capacitor is formed therebetween. Fig. 22 (b) is a waveform diagram of the common mode noise when the circuit protection element is not applied (reference numeral 40) and when the circuit protection element is applied (reference numeral 50). As shown in the figure, when a circuit protection element is applied, the common mode noise component can be greatly reduced. On the other hand, common mode noise can be removed by a combination of various L, C, and common mode filters in addition to the circuit example.
본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms. In other words, the above-described embodiments are provided so that the disclosure of the present invention is complete, and those skilled in the art will fully understand the scope of the invention, and the scope of the present invention should be understood by the appended claims .
1000 : 적층체
2000 : 노이즈 필터부
3000 : 외부 전극
4000 : 표면 개질 부재
5000 : 과전압 보호부1000: laminate 2000: noise filter part
3000: external electrode 4000: surface modification member
5000: Overvoltage Protection Unit
Claims (12)
세개의 신호 라인에 마련되어 상기 세개의 신호 라인 각각의 공통 모드 노이즈와 두 신호 라인 사이의 공통 모드 노이즈를 제거하는 회로 보호 소자.
And a stacked body in which a plurality of sheets on which conductive patterns are selectively formed are stacked,
A circuit protection element provided in each of the three signal lines to eliminate common mode noise of each of the three signal lines and common mode noise between the two signal lines.
상기 적층체 외부에 마련되어 상기 셋 이상의 노이즈 필터부와 각각 연결된 외부 전극을 포함하는 회로 보호 소자.
[2] The apparatus of claim 1, further comprising: at least three noise filter parts spaced apart from each other in the laminate, each having at least three coil patterns; And
And an external electrode provided outside the stacked body and connected to the at least three noise filter portions.
The circuit protection device according to claim 2, wherein the three or more noise filter portions are spaced apart from each other by a predetermined distance in a stacking direction of the sheets.
복수의 상기 시트 상에 각각 형성된 복수의 코일 패턴;
선택된 시트에 형성되며 적어도 두 코일 패턴을 연결하는 복수의 수직 연결 배선; 및
상기 복수의 코일 패턴 각각으로부터 외부로 인출 형성되어 상기 외부 전극과 연결되는 복수의 인출 전극을 포함하는 회로 보호 소자.
The noise filter according to claim 3,
A plurality of coil patterns respectively formed on the plurality of sheets;
A plurality of vertical connection wirings formed on the selected sheet and connecting at least two coil patterns; And
And a plurality of lead-out electrodes formed outwardly from each of the plurality of coil patterns and connected to the outer electrode.
The circuit protection element according to claim 3, wherein at least one of the noise filter portions has a number of revolutions of the coil pattern.
4. The circuit protection element of claim 3, wherein the at least one noise filter portion further comprises a magnetic core formed at the center of the coil pattern.
3. The circuit protection device of claim 2, further comprising at least one capacitor provided in the stack.
The circuit protection device according to claim 1, further comprising at least one overvoltage protection portion provided in the laminate.
The circuit protection element according to claim 8, wherein the sheet on which the noise filter section is formed is a non-magnetic substance sheet, and the sheet on which the overvoltage protection section is formed is a magnetic substance sheet.
The circuit protection device according to claim 2, further comprising a surface modification member formed on at least a part of the surface of the laminate, the surface modification member being made of a material different from the surface of the laminate.
11. The circuit protection device according to claim 10, wherein the external electrode is formed on at least one of the lowermost layer and the uppermost layer sheet of the laminate, and the surface modification member is provided between at least the extension region of the external electrode and the laminate.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201780015304.7A CN108780795B (en) | 2016-03-07 | 2017-03-03 | Circuit protection device |
JP2018545935A JP2019514196A (en) | 2016-03-07 | 2017-03-03 | Circuit protection element |
PCT/KR2017/002342 WO2017155250A1 (en) | 2016-03-07 | 2017-03-03 | Circuit protection element |
TW106107172A TWI655747B (en) | 2016-03-07 | 2017-03-06 | Circuit protection device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160027325 | 2016-03-07 | ||
KR20160027325 | 2016-03-07 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180086076A Division KR102216555B1 (en) | 2016-03-07 | 2018-07-24 | Circuit protection device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170104366A true KR20170104366A (en) | 2017-09-15 |
Family
ID=59926946
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160180228A KR20170104366A (en) | 2016-03-07 | 2016-12-27 | Circuit protection device |
KR1020180086076A KR102216555B1 (en) | 2016-03-07 | 2018-07-24 | Circuit protection device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180086076A KR102216555B1 (en) | 2016-03-07 | 2018-07-24 | Circuit protection device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019514196A (en) |
KR (2) | KR20170104366A (en) |
CN (1) | CN108780795B (en) |
TW (1) | TWI655747B (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019112329A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | 주식회사 아모텍 | Diode composite device and manufacturing method therefor |
US20210272750A1 (en) * | 2018-06-12 | 2021-09-02 | Moda-Innochips Co., Ltd. | Laminated device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114446927B (en) * | 2020-10-30 | 2024-10-18 | 瑞昱半导体股份有限公司 | Inductor device |
KR20240030266A (en) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 아모텍 | Multilayer common mode filter |
KR20240030264A (en) * | 2022-08-30 | 2024-03-07 | 주식회사 아모텍 | Multilayer common mode filter |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3166702B2 (en) * | 1998-03-24 | 2001-05-14 | 株式会社村田製作所 | Laminated common mode choke coil |
JP2001358017A (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | Laminated coil component |
CN1220328C (en) * | 2001-06-21 | 2005-09-21 | 株式会社村田制作所 | Noise filter |
JP2004072006A (en) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Laminated common-mode noise filter |
JP2004214643A (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-29 | Tdk Corp | Laminated chip varistor and manufacturing method therefor |
JP2005223262A (en) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Mitsubishi Materials Corp | Multilayer common mode choke coil and its manufacturing process |
JP4458093B2 (en) * | 2005-01-07 | 2010-04-28 | 株式会社村田製作所 | Electronic component and electronic component manufacturing method |
JP4682890B2 (en) * | 2006-03-23 | 2011-05-11 | 三菱マテリアル株式会社 | Multilayer noise filter |
KR100876206B1 (en) | 2007-04-11 | 2008-12-31 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Circuit protection device and manufacturing method thereof |
KR100845948B1 (en) * | 2007-04-11 | 2008-07-11 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Circuit protection device and method of manufacturing the same |
KR101135354B1 (en) * | 2010-10-14 | 2012-04-16 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Circuit protection device and method of manufacturing the same |
JP5505564B2 (en) * | 2011-08-31 | 2014-05-28 | 株式会社村田製作所 | Multilayer common mode choke coil and high frequency components |
WO2013031842A1 (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-07 | 株式会社 村田製作所 | Ferrite ceramic composition, ceramic electronic component, and production method for ceramic electronic component |
JP5716835B2 (en) * | 2011-09-14 | 2015-05-13 | 株式会社村田製作所 | ESD protection device and manufacturing method thereof |
CN104254895B (en) * | 2012-05-02 | 2018-05-04 | 株式会社村田制作所 | Electronic component |
JP6074653B2 (en) * | 2012-09-07 | 2017-02-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Common mode noise filter |
KR101554333B1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-09-21 | 주식회사 이노칩테크놀로지 | Circuit protection device |
-
2016
- 2016-12-27 KR KR1020160180228A patent/KR20170104366A/en not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-03-03 JP JP2018545935A patent/JP2019514196A/en active Pending
- 2017-03-03 CN CN201780015304.7A patent/CN108780795B/en active Active
- 2017-03-06 TW TW106107172A patent/TWI655747B/en active
-
2018
- 2018-07-24 KR KR1020180086076A patent/KR102216555B1/en active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019112329A1 (en) * | 2017-12-07 | 2019-06-13 | 주식회사 아모텍 | Diode composite device and manufacturing method therefor |
US20210272750A1 (en) * | 2018-06-12 | 2021-09-02 | Moda-Innochips Co., Ltd. | Laminated device |
US12027303B2 (en) | 2018-06-12 | 2024-07-02 | Moda-Innochips Co., Ltd. | Laminated device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019514196A (en) | 2019-05-30 |
TW201803083A (en) | 2018-01-16 |
CN108780795A (en) | 2018-11-09 |
CN108780795B (en) | 2023-06-20 |
KR102216555B1 (en) | 2021-02-17 |
TWI655747B (en) | 2019-04-01 |
KR20180088611A (en) | 2018-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102216555B1 (en) | Circuit protection device | |
US12027303B2 (en) | Laminated device | |
KR101825695B1 (en) | Circuit protection device | |
TWI614990B (en) | Circuit protection device | |
KR102084737B1 (en) | Method of manufacturing a complex component and the complex component manufactured by the same and electronic device having the same | |
KR101900881B1 (en) | Laminate type device | |
KR102053356B1 (en) | Method of manufacturing a complex component and the complex component manufactured by the same and electronic device having the same | |
KR101949442B1 (en) | Complex component and electronic device having the same | |
KR20180044018A (en) | Circuit protection device | |
JP2007214509A (en) | Laminated electronic component | |
KR102122026B1 (en) | Stacking type filter | |
KR102053355B1 (en) | Laminated component and electronic device having the same | |
KR101934084B1 (en) | Complex component and electronic device having the same | |
KR102522082B1 (en) | Laminated device | |
WO2017155250A1 (en) | Circuit protection element | |
KR101207663B1 (en) | Method of manufacturing a common mode filter for HDMI | |
KR101207667B1 (en) | common mode filter for HDMI | |
KR20070090677A (en) | Laminated chip device and method of manufacturing thereof | |
WO2019107984A1 (en) | Stacked filter | |
WO2018124492A1 (en) | Complex device and electronic device having same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment |