KR20170101126A - Method of dividing brittle substrate - Google Patents
Method of dividing brittle substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170101126A KR20170101126A KR1020170022787A KR20170022787A KR20170101126A KR 20170101126 A KR20170101126 A KR 20170101126A KR 1020170022787 A KR1020170022787 A KR 1020170022787A KR 20170022787 A KR20170022787 A KR 20170022787A KR 20170101126 A KR20170101126 A KR 20170101126A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- line
- brittle substrate
- crack
- edge
- trench line
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 15
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 60
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
- B28D1/225—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising for scoring or breaking, e.g. tiles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D7/00—Accessories specially adapted for use with machines or devices of the preceding groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/10—Glass-cutting tools, e.g. scoring tools
- C03B33/105—Details of cutting or scoring means, e.g. tips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 취성 기판(brittle substrate)의 분단(dividing) 방법에 관한 것으로, 특히, 날끝의 슬라이딩을 이용한 취성 기판의 분단 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
플랫 디스플레이 패널 또는 태양 전지 패널 등의 전기 기기의 제조에 있어서, 취성 기판을 분단하는 것이 자주 필요하게 된다. 전형적인 분단 방법에 있어서는, 우선, 취성 기판 상에 크랙 라인(crack line)이 형성된다. 본 명세서에 있어서 「크랙 라인」이란, 취성 기판의 두께 방향으로 부분적으로 진행된 크랙이 취성 기판의 표면 상에 있어서 라인 형상으로 연장되어 있는 것을 의미한다. 다음으로, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 구체적으로는, 취성 기판에 응력을 인가함으로써, 크랙 라인의 크랙이 두께 방향으로 완전히 진행된다. 이에 따라, 크랙 라인을 따라서 취성 기판이 분단된다.In the production of electric devices such as flat display panels or solar cell panels, it is often necessary to separate the brittle substrate. In a typical separation method, a crack line is first formed on a brittle substrate. In the present specification, "crack line" means that a crack partially extending in the thickness direction of the brittle substrate extends in a line shape on the surface of the brittle substrate. Next, a so-called brake process is performed. Specifically, by applying stress to the brittle substrate, the cracks in the crack line progress completely in the thickness direction. Thus, the brittle substrate is divided along the crack line.
특허문헌 1에 의하면, 유리판의 상면에 있는 패임이 스크라이브시에 발생한다. 이 특허문헌 1에 있어서는, 이 패임이 「스크라이브 라인」이라고 칭해지고 있다. 또한, 이 스크라이브 라인의 각설(刻設)과 동시에, 스크라이브 라인으로부터 직하(直下) 방향으로 연장되는 크랙이 발생한다. 이 특허문헌 1의 기술에 보이는 바와 같이, 종래의 전형적인 기술에 있어서는, 스크라이브 라인의 형성과 동시에 크랙 라인이 형성된다.According to
특허문헌 2에 의하면, 상기의 전형적인 분단 기술과는 현저하게 상이한 분단 기술이 제안되어 있다. 이 기술에 의하면, 우선, 취성 기판상에서의 날끝의 슬라이딩에 의해 소성 변형을 발생시킴으로써, 이 특허문헌 2에 있어서 「스크라이브 라인」이라고 칭해지는 홈 형상이 형성된다. 본 명세서에 있어서는, 이후에 있어서, 이 홈 형상의 것을 「트렌치 라인(trench line)」이라고 칭한다. 트렌치 라인이 형성되어 있는 시점에서는, 그 하방에 크랙은 형성되지 않는다. 그 후에 트렌치 라인을 따라서 크랙을 신전(伸展)시킴으로써, 크랙 라인이 형성된다. 즉, 전형적인 기술과는 상이하게, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인이 일단 형성되고, 그 후에 트렌치 라인을 따라서 크랙 라인이 형성된다. 그 후, 크랙 라인을 따라서 통상의 브레이크 공정이 행해진다.Patent Document 2 proposes a dividing technique that is significantly different from the above-described typical dividing technique. According to this technique, first, a groove shape called "scribe line" is formed in this patent document 2 by causing plastic deformation by sliding of a blade edge on a brittle substrate. Hereinafter, in this specification, this groove shape will be referred to as a " trench line ". At the time when the trench line is formed, a crack is not formed under the trench line. Thereafter, a crack is formed by extending a crack along the trench line. That is, unlike typical techniques, a trench line that does not involve cracks is once formed, and then a crack line is formed along the trench line. Thereafter, a normal breaking process is performed along the crack line.
상기 특허문헌 2의 기술과 같이, 크랙을 수반하지 않는 트렌치 라인을 적극적으로 이용하는 기술을, 본 명세서에 있어서는 「크랙리스 스크라이빙 기술」이라고 칭한다. 크랙리스 스크라이빙 기술에 있어서 형성되는 트렌치 라인은, 크랙의 동시 형성을 수반하는 전형적인 스크라이브 라인에 비하여, 보다 낮은 하중에서의 날끝의 슬라이딩에 의해 형성 가능하다. 하중이 작으면, 날끝에 가해지는 데미지도 작아진다. 따라서, 이 분단 기술에 의하면, 날끝의 수명을 연장할 수 있다. 날끝의 구성의 일종으로서, 상기 특허문헌 2에 의하면, 3개의 면이 합류하는 정점(頂点)과, 그로부터 연장되는 능선을 갖는 것이 개시되어 있다. 구체적으로는, 날끝은, 천면(天面)과 제1 측면과 제2 측면이 합류하는 정점과, 제1 측면 및 제2 측면이 이루는 능선을 갖는다. 취성 기판상에서 날끝이 슬라이딩되는 방향으로서는, 천면으로부터 능선을 향하는 제1 방향과, 능선으로부터 천면을 향하는 제2 방향이 개시되어 있다.A technique of positively utilizing a trench line that does not involve cracking is referred to as " crackless scrubbing technique " in this specification, as in the technique of Patent Document 2 above. The trench line formed in the crackless scrubbing technique can be formed by sliding the edge at a lower load as compared with a typical scribe line involving simultaneous formation of cracks. If the load is small, the damage to the blade edge is also reduced. Therefore, according to this breaking technique, the life of the blade can be prolonged. As a kind of edge configuration, according to Patent Document 2, it is disclosed that a vertex joining three surfaces and a ridge extending therefrom are disclosed. Specifically, the blade tip has a ridge formed by the top surface, the apex at which the first side surface and the second side join, and the first side surface and the second side surface. In the direction in which the blade tip slides on the brittle substrate, a first direction from the ceiling surface toward the ridge line and a second direction from the ridge line to the ceiling surface are disclosed.
전술한 날끝은, 크랙리스 스크라이빙 기술에 한정되지 않고, 크랙의 동시 발생을 수반하는 전형적인 스크라이빙 기술에 있어서도 널리 이용되어 온 것이다. 전형적인 스크라이빙 기술에 있어서는, 날끝의 슬라이딩 방향은, 상기 제1 방향이 표준적이다. 환언하면, 능선을 전측으로 하고, 천면을 후측으로하는 것이 표준적이다. 왜냐하면 그 쪽이, 날끝으로의 데미지를 억제하기 쉽기 때문이다. 한편으로, 크랙리스 스크라이빙 기술에 있어서는, 날끝으로의 하중이 낮은 점에서 날끝으로의 데미지가 억제되기 때문에, 상기 제2 방향도 충분히 실용적이다. 그리고 크랙리스 스크라이빙 기술에 있어서는, 그 용도에 따라서는, 제1 방향이 아닌 제2 방향이 특히 요망되는 경우가 있을 수 있다. 이러한 경우에 적합한 날끝의 구체적인 구성에 대해서는, 크랙리스 스크라이빙 기술의 검토가 시작되고나서 얼마되지 않았다는 점도 있어, 구체적인 검토가 아직 이루어지고 있지 않았다.The above-described edge is not limited to the crackless scrubbing technique but has also been widely used in a typical scribing technique involving simultaneous cracking. In a typical scribing technique, the sliding direction of the blade tip is standard in the first direction. In other words, it is standard to make the ridge as the front and the surface as the rear. Because it is easy to suppress the damage to the edge. On the other hand, in the crackless scrubbing technique, since the load on the blade edge is low, the damage to the blade edge is suppressed, so that the second direction is sufficiently practical. In the crackless scrubbing technique, there may be a case where a second direction other than the first direction is particularly desired depending on the use thereof. As for the specific configuration of the edge suitable for such a case, there is a point that the examination of the crackless scrubbing technique has not been carried out shortly, and detailed examination has not yet been carried out.
공업 목적으로 이용되는 날끝은, 그 교환 빈도가 비교적 높은 점에서, 용이하게 준비될 수 있는 것인 것이 바람직하다. 특히, 날끝의 슬라이딩 방향으로서 상기 제2 방향이 선택되는 경우는, 제1 방향이 선택되는 경우에 비해 날끝으로의 데미지가 가해지기 쉽다. 이 때문에, 날끝의 수명이 짧아지기 쉽고, 그에 따라서 날끝의 교환 빈도가 높아지기 쉽다. 따라서, 날끝이 용이하게 준비될 수 있는 것인 것이, 한층 더 바람직하다.It is preferable that the edge used for industrial purposes is easily prepared because of its relatively high exchange frequency. Particularly, in the case where the second direction is selected as the sliding direction of the blade tip, damage to the blade edge is more likely to occur than when the first direction is selected. Therefore, the life of the blade is likely to shorten, and the frequency of blade replacement tends to increase accordingly. Therefore, it is even more preferable that the blade tip can be easily prepared.
본 발명은 이상과 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 3개의 면이 합류하는 정점을 갖는 날끝이 그 능선을 후측으로 하여 슬라이딩되는 경우에 있어서, 날끝을 용이하게 준비하고, 또한 날끝의 충분한 수명을 확보할 수 있는, 취성 기판의 분단 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a blade having a blade having a vertex joining three surfaces, Which can secure a sufficient lifetime of the brittle substrate.
본 발명의 하나의 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼e)를 갖는다.The breaking method of the brittle substrate according to one aspect of the present invention has the following steps a) to e).
a) 하나의 면과, 하나의 면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 기판이 준비된다.a) A brittle substrate having a face and a thickness direction perpendicular to one face is prepared.
b) 제1 면과, 제1 면과 서로 이웃하는 제2 면과, 제2 면과 서로 이웃함으로써 능선을 이루고 또한 제1 면 및 제2 면의 각각과 서로 이웃함으로써 정점을 이루는 제3 면을 갖는 날끝이 준비된다. 능선은, 모따기 가공이 없는 것이다.b) a third surface which forms a ridge by being adjacent to the first surface, a second surface which is adjacent to the first surface, and a vertex by making a ridge adjacent to each of the first surface and the second surface, The blade tip is prepared. The ridgeline has no chamfering.
c) 취성 기판의 하나의 면 상에서 날끝을 능선으로부터 제1 면을 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 소성 변형에 의해 취성 기판의 하나의 면 상에 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.c) a trench line having a groove shape is formed on one surface of the brittle substrate by plastic deformation by sliding the edge of the blade on one surface of the brittle substrate in the direction from the ridge toward the first surface. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.
d) 공정 c)의 후에, 트렌치 라인을 따라서 두께 방향에 있어서의 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해서 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.d) After step c), a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line. Under the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line, below the trench line.
e) 크랙 라인을 따라서 취성 기판이 분단된다.e) The brittle substrate is divided along the crack line.
본 발명의 다른 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법은, 이하의 공정 a)∼e)를 갖는다.The breaking method of the brittle substrate according to another aspect of the present invention has the following steps a) to e).
a) 하나의 면과, 하나의 면에 수직인 두께 방향을 갖는 취성 기판이 준비된다. a) A brittle substrate having a face and a thickness direction perpendicular to one face is prepared.
b) 제1 면과, 제1 면과 서로 이웃하는 제2 면과, 제2 면과 서로 이웃함으로써 능선을 이루고 또한 제1 면 및 제2 면의 각각과 서로 이웃함으로써 정점을 이루는 제3 면을 갖는 날끝이 준비된다. 날끝은, 능선에 수직인 단면에 있어서 2㎛ 이하의 곡률 반경을 갖는다.b) a third surface which forms a ridge by being adjacent to the first surface, a second surface which is adjacent to the first surface, and a vertex by making a ridge adjacent to each of the first surface and the second surface, The blade tip is prepared. The edge of the blade has a radius of curvature of 2 占 퐉 or less in a cross section perpendicular to the ridge line.
c) 취성 기판의 하나의 면 상에서 날끝을 능선으로부터 제1 면을 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인이 소성 변형에 의해 취성 기판의 하나의 면 상에 형성된다. 트렌치 라인은, 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판이 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다.c) a trench line having a groove shape is formed on one surface of the brittle substrate by plastic deformation by sliding the edge of the blade on one surface of the brittle substrate in the direction from the ridge toward the first surface. The trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state where the brittle substrate is continuously connected in the direction crossing the trench line, below the trench line.
d) 공정 c)의 후에, 트렌치 라인을 따라 두께 방향에 있어서의 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인이 형성된다. 크랙 라인에 의해 트렌치 라인의 하방에 있어서 취성 기판은 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.d) After step c), a crack line is formed by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line. Below the trench line by the crack line, the brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line.
e) 크랙 라인을 따라서 취성 기판이 분단된다.e) The brittle substrate is divided along the crack line.
본 발명의 하나의 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법에 의하면, 날끝의 능선은, 모따기 가공이 없는 것이다. 이에 따라, 날끝의 능선이 모따기 가공이 있는 것인 경우에 비해, 날끝을 용이하게 준비할 수 있다. 또한, 크랙리스 스크라이빙 기술이 이용됨으로써, 날끝으로의 하중을 낮게 할 수 있다. 이에 따라, 능선을 후측으로 한 슬라이딩을 행하면서도, 날끝의 충분한 수명을 확보할 수 있다.According to the breaking method of the brittle substrate according to one aspect of the present invention, the ridge line of the blade edge has no chamfering. Thus, compared to the case where the ridgeline of the blade edge has a chamfering process, the blade edge can be easily prepared. Further, by using the crackless scrubbing technique, the load on the blade edge can be reduced. As a result, it is possible to ensure a sufficient life of the blade edge while sliding the ridge to the rear side.
본 발명의 다른 국면에 따르는 취성 기판의 분단 방법에 의하면, 날끝은, 능선에 수직인 단면에 있어서 2㎛ 이하의 곡률 반경을 갖는다. 이러한 곡률 반경은, 능선을 이루는 한쌍의 면이 형성된 후에, 능선에 대한 모따기 가공을 앞두고 있는 것만으로, 용이하게 얻어진다. 따라서, 날끝을 용이하게 준비할 수 있다. 또한, 크랙리스 스크라이빙 기술이 이용됨으로써, 날끝으로의 하중을 낮게 할 수 있다. 이에 따라, 능선을 후측으로 한 슬라이딩을 행하면서도, 날끝의 충분한 수명을 확보할 수 있다.According to the breaking method of the brittle substrate according to another aspect of the present invention, the edge of the blade has a radius of curvature of 2 占 퐉 or less on a cross section perpendicular to the ridge line. Such a radius of curvature can be easily obtained only by forming a pair of ridgelines and then chamfering the ridge line. Therefore, the blade can be easily prepared. Further, by using the crackless scrubbing technique, the load on the blade edge can be reduced. As a result, it is possible to ensure a sufficient life of the blade edge while sliding the ridge to the rear side.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 커팅 기구의 구성을 개략적으로 도시하는 측면도이다.
도 2는 도 1의 화살표 Ⅱ의 시점에서의 개략 평면도이다.
도 3은 도 2의 정점 근방의 부분 확대도이다.
도 4는 도 3의 능선에 수직인 단면에 있어서의 곡률 반경을 산출하기 위한 표면 프로파일을 개략적으로 나타내는 그래프도이다.
도 5는 본 발명의 실시 형태 1∼5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 구성을 개략적으로 나타내 보이는 플로우도이다.
도 6은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 7은 도 6의 선 Ⅶ-Ⅶ를 따르는 개략 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시 형태 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 9는 도 8의 선 Ⅸ-Ⅸ를 따르는 개략 단면도이다.
도 10은 비교예 1에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 커팅 기구의 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 11은 실시 형태 1의 실시예에 있어서의 취성 기판의 분단 형상을 나타내는 측면도이다.
도 12는 비교예 3에 있어서의 취성 기판의 분단 형상을 나타내는 측면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 형태 2에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 있어서의, 트렌치 라인의 형성 방법의 구성을 개략적으로 나타내는 플로우도이다.
도 14는 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 15는 도 14의 선 XV-XV를 따르는 개략 단면도이다.
도 16은 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 17은 본 발명의 실시 형태 3에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제3 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 18은 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제1 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 19는 본 발명의 실시 형태 4에 있어서의 취성 기판의 분단 방법의 제2 공정을 개략적으로 나타내는 상면도이다.
도 20은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 날끝의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 실시 형태 5에 있어서의 취성 기판의 분단 방법에 이용되는 어시스트 날끝의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a side view schematically showing a configuration of a cutting mechanism used in a method of cutting a brittle substrate according to
Fig. 2 is a schematic plan view at the time of the arrow II in Fig.
3 is a partially enlarged view of the vicinity of the apex of Fig. 2. Fig.
4 is a graph schematically showing a surface profile for calculating a radius of curvature in a cross section perpendicular to the ridge line in Fig.
5 is a flow chart schematically showing a configuration of a method for separating a brittle substrate in
6 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate cutting method according to
7 is a schematic cross-sectional view along line VII-VII in FIG.
8 is a top view schematically showing a second step of the brittle substrate cutting method according to the first embodiment of the present invention.
9 is a schematic cross-sectional view along line IX-IX of Fig.
10 is a plan view schematically showing a configuration of a cutting mechanism used in a method of dividing a brittle substrate in Comparative Example 1. Fig.
Fig. 11 is a side view showing the divided shape of the brittle substrate in the embodiment of
Fig. 12 is a side view showing the divided shape of the brittle substrate in Comparative Example 3. Fig.
13 is a flow chart schematically showing a configuration of a method of forming a trench line in the method for dividing a brittle substrate according to the second embodiment of the present invention.
14 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate breaking method according to Embodiment 3 of the present invention.
15 is a schematic cross-sectional view along line XV-XV in Fig.
16 is a top view schematically showing a second step of the brittle substrate breaking method according to the third embodiment of the present invention.
17 is a top plan view schematically showing a third step of the brittle substrate breaking method according to the third embodiment of the present invention.
18 is a top view schematically showing a first step of a brittle substrate breaking method according to
19 is a top view schematically showing the second step of the brittle substrate breaking method according to the fourth embodiment of the present invention.
Fig. 20 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a blade used in a method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 5 of the present invention. Fig.
21 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an assist blade used in the method of dividing a brittle substrate according to Embodiment 5 of the present invention.
이하, 도면에 기초하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 또한, 이하의 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙여 그 설명은 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.
<실시 형태 1>≪
(커팅 기구의 구성)(Configuration of Cutting Mechanism)
도 1 및 도 2를 참조하여, 우선, 본 실시 형태의 유리 기판(4)(취성 기판)의 분단 방법에 있어서의 트렌치 라인의 형성 공정에 이용되는 커팅 기구(50)의 구성에 대해서 설명한다. 커팅 기구(50)는 날끝(51) 및 생크(shank;52)를 갖고 있다. 날끝(51)은, 그 홀더로서의 생크(52)에 고정됨으로써 지지되어 있다.First, with reference to Figs. 1 and 2, the configuration of the cutting mechanism 50 used in the trench line forming process in the method of cutting the glass substrate 4 (brittle substrate) of the present embodiment will be described. The cutting mechanism 50 has a
날끝(51)에는, 천면(SD1)(제1 면)과, 천면(SD1)을 둘러싸는 복수의 면이 형성되어 있다. 이들 복수의 면은 측면(SD2)(제2 면) 및 측면(SD3)(제3 면)을 포함한다. 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)(제1∼제3 면)은, 서로 상이한 방향을 향하고 있고, 또한 서로 이웃하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1), 측면(SD2 및 SD3)이 합류하는 정점을 갖는다. 이 정점(PP)에 의하여 날끝(51)의 돌기부가 구성되어 있다. 또한 측면(SD2 및 SD3)은, 날끝(51)의 측부를 구성하는 능선(PS)을 이루고 있다. 능선(PS)은, 정점(PP)으로부터 선 형상으로 연장되어 있고, 또한, 선 형상으로 연장되는 볼록 형상을 갖는다. 이상의 구성으로부터, 날끝(51)은, 천면(SD1)과, 천면(SD1)과 서로 이웃하는 측면(SD2)과, 측면(SD2)과 서로 이웃함으로써 능선(PS)을 이루고 또한 천면(SD1) 및 측면(SD2)의 각각과 서로 이웃함으로써 정점(PP)을 이루는 측면(SD3)을 갖는다.A plurality of surfaces surrounding the ceiling surface SD1 (first surface) and the ceiling surface SD1 are formed in the
능선(PS)은, 모따기 가공이 없는 것이다. 이 때문에 날끝(51)의 능선은 예리한 형상을 이루고 있다. 구체적으로는, 날끝(51)은, 능선(PS)에 수직인 단면에 있어서의 곡률 반경(이하, 간단히 「능선(PS)의 곡률 반경」이라고도 칭함)으로서, 2㎛ 이하의 곡률 반경을 갖고, 바람직하게는 1㎛ 이하의 곡률 반경을 갖는다. 이 곡률 반경의 측정 방법의 예에 대해서, 이하에 설명한다.The ridgeline (PS) has no chamfering. Therefore, the ridgeline of the
도 3을 참조하여, 상기 곡률 반경은, 측정선(SR) 상에서의 측면(SD2 및 SD3)의 표면 프로파일의 측정 결과로부터 산출될 수 있다. 측정선(SR)은, 날끝(51) 중, 정점(PP) 근방의, 유리 기판(4)으로의 실질적인 작용 부분(ER) 내에 위치하는 것이다. 측정선(SR)은, 정점(PP)으로부터 떨어진 위치에서 능선(PS)과 직교한다. 작용 부분(ER)은, 능선(PS)에 직교하는 방향에 있어서의 치수 L1과, 능선(PS)을 따른 방향에 있어서의 치수 L2를 갖는다. 전형적으로는, 치수 L1은 30㎛ 이상 50㎛ 이하이고, 치수 L2는 10㎛ 이상 30㎛ 이하이다. 정점(PP)과 측정선(SR)의 간격(LD)은, 정점(PP)의 존재에 의한 표면 프로파일에의 영향이 충분히 작아지는 바와 같은 간격이고, 예를 들면 5㎛ 정도이다. 도 4는, 측정선(SR) 상의 위치와 높이(H)의 관계의 측정 결과를 개략적으로 나타내는 표면 프로파일이다. 표면 프로파일의 측정은, 예를 들면 레이저 현미경을 이용하여 행할 수 있다. 얻어진 표면 프로파일에 대하여 능선(PS)의 위치에서 원(RR)을 적용시킴으로써, 곡률 반경이 산출될 수 있다.Referring to Fig. 3, the radius of curvature can be calculated from the measurement results of the surface profiles of side surfaces SD2 and SD3 on the measurement line SR. The measuring line SR is located in the vicinity of the apex PP of the
날끝(51)은 다이아몬드 포인트인 것이 바람직하다. 즉 날끝(51)은, 경도 및 표면 거칠기를 작게 할 수 있는 점에서 다이아몬드로 만들어져 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 날끝(51)은 단결정 다이아몬드로 만들어져 있다. 더욱 바람직하게는 결정학적으로 말하여, 천면(SD1)은 {001}면이고, 측면(SD2 및 SD3)의 각각은 {111}면이다. 이 경우, 측면(SD2 및 SD3)은, 상이한 방향을 갖기는 하지만, 결정학상, 서로 등가인 결정면이다.The
또한 단결정이 아닌 다이아몬드가 이용되어도 좋고, 예를 들면, CVD(Chemical Vapor Deposition)법으로 합성된 다결정체 다이아몬드가 이용되어도 좋다. 혹은, 미립의 그래파이트나 비(非)그래파이트 형상 탄소로부터, 철족 원소 등의 결합재를 포함하지 않고 소결된 다결정체 다이아몬드 입자를 철족 원소 등의 결합재에 의해서 결합시킨 소결 다이아몬드가 이용되어도 좋다.Further, a diamond other than a single crystal may be used. For example, a polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, a sintered diamond in which polycrystalline diamond particles sintered without containing a binder such as an iron family element are bonded from a fine graphite or non-graphite carbon by a binding material such as an iron family element may be used.
생크(52)는 축방향(AX)을 따라서 연재(延在)하고 있다. 날끝(51)은, 천면(SD1)의 법선 방향이 축방향(AX)을 대체로 따르도록 생크(52)에 부착되는 것이 바람직하다.The
(유리 기판의 분단 방법)(Method of dividing glass substrate)
도 5에 나타내는 플로우도를 참조하면서, 다음으로, 유리 기판(4)의 분단 방법으로 대해서, 이하에 설명한다.With reference to a flow chart shown in Fig. 5, a method of dividing the
스텝 S10(도 5)에서, 분단되게 되는 유리 기판(4)(도 1)이 준비된다. 유리 기판(4)은, 상면(SF1)(하나의 면)과, 그 반대의 하면(SF2)(다른 하나의 면)을 갖고 있다. 상면(SF1)에는 가장자리(ED)가 형성되어 있다. 도 6에서 나타내는 예에 있어서는, 가장자리(ED)는 장방 형상을 갖는다. 유리 기판(4)은, 상면(SF1)에 수직인 두께 방향(DT)을 갖는다. 또한 스텝 S20(도 5)에서, 전술한, 날끝(51)을 갖는 커팅 기구(50)(도 1 및 도 2)가 준비된다.In step S10 (Fig. 5), the glass substrate 4 (Fig. 1) to be divided is prepared. The
도 6을 참조하여, 스텝 S30(도 5)에서 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 구체적으로는, 이하의 공정이 행해진다.Referring to Fig. 6, a trench line TL is formed in step S30 (Fig. 5). Specifically, the following steps are performed.
우선, 날끝(51)(도 1)의 정점(PP)이 상면(SF1)으로 위치 N1에서 밀어붙여진다. 이에 따라 날끝(51)이 유리 기판(4)에 접촉한다. 위치 N1은, 도시되어 있는 바와 같이, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)로부터 떨어져 있는 것이 바람직하다. 환언하면, 날끝(51)의 슬라이딩 개시 시점에 있어서, 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)에 충돌하는 것을 피할 수 있다.First, the apex PP of the blade edge 51 (Fig. 1) is pushed to the upper surface SF1 at the position N1. Whereby the
다음으로, 상기와 같이 밀어붙여진 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 슬라이딩된다(도 6의 화살표 참조). 날끝(51)(도 1)은, 상면(SF1) 상에서 능선(PS)으로부터 천면(SD1)을 향하는 방향으로 슬라이딩된다. 엄밀하게 말하면, 날끝(51)은, 능선(PS)으로부터 정점(PP)을 경유하여 천면(SD1)을 향하는 방향을 상면(SF1) 상에 투영한 방향(DB)으로 슬라이딩된다. 방향(DB)은, 정점(PP)의 근방에 있어서의 능선(PS)의 연재 방향을 상면(SF1) 상에 투영한 방향을 대체로 따르고 있다. 도 1에 있어서는, 방향(DB)은, 날끝(51)으로부터 연장되는 축방향(AX)을 상면(SF1) 상에 투영한 방향과 반대 방향에 대응하고 있다. 따라서 날끝(51)은 생크(52)에 의해서 상면(SF1) 상을 밀어나아가진다.Next, the
유리 기판(4)의 상면(SF1) 상을 슬라이딩되는 날끝(51)(도 1)의 능선(PS) 및 천면(SD1)의 각각은, 유리 기판(4)의 상면(SF1)과 각도(AG1) 및 각도(AG2)를 이루고 있다. 각도(AG2)는 각도(AG1)보다도 작은 것이 바람직하다.Each of the ridge line PS and the top surface SD1 of the blade edge 51 (Fig. 1) sliding on the upper surface SF1 of the
상기 슬라이딩에 의해서 상면(SF1) 상에 소성 변형이 발생된다. 이에 의해 상면(SF1) 상에, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인(TL)(도 7)이 형성된다. 트렌치 라인(TL)은, 유리 기판(4)의 소성 변형만에 의해 발생하는 것이 바람직하고, 그 경우, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 깎임이 발생하지 않는다. 깎임을 피하기 위해서는, 날끝(51)의 하중을 과도하게 높게 하지 않으면 좋다. 깎임이 없음으로써, 상면(SF1) 상에, 바람직하지 않은 미세한 파편이 발생하는 것을 피할 수 있다. 단, 약간의 깎임은, 통상, 허용될 수 있다.Plastic deformation is generated on the upper surface SF1 by the sliding. Thus, a trench line TL (Fig. 7) having a groove shape is formed on the upper surface SF1. It is preferable that the trench line TL is generated only by plastic deformation of the
트렌치 라인(TL)의 형성은, 위치 N1 및 위치 N3e의 사이에서, 위치 N1로부터 위치 N2를 경유하여 위치 N3e로 날끝(51)을 슬라이딩시킴으로써 행해진다. 위치 N2는, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)로부터 떨어져 있다. 위치 N3e는, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)에 위치하고 있다.The formation of the trench line TL is carried out by sliding the
트렌치 라인(TL)은, 트렌치 라인(TL)의 하방에 있어서 유리 기판(4)이 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 6에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향(DC)(도 7)에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성된다. 크랙리스 상태에 있어서는, 소성 변형에 의한 트렌치 라인(TL)은 형성되어 있기는 하지만, 그에 따른 크랙은 형성되어 있지 않다. 적절한 크랙리스 상태를 얻기 위하여, 날끝(51)에 가해지는 하중은, 트렌치 라인(TL) 형성 시점에서는 크랙이 발생하지 않는 정도로 작아지도록, 또한, 후의 공정에서 크랙을 발생시킬 수 있는 내부 응력의 상태를 만들어 내는 바와 같은 소성 변형이 발생하는 정도로 커지도록, 조정된다.The trench line TL is formed in a direction (DC) (Fig. 7) in which the
트렌치 라인(TL)을 형성하기 위하여 상기와 같이 슬라이딩된 날끝(51)은, 최종적으로 위치 N3e에 도달한다. 크랙리스 상태는, 날끝(51)이 위치 N2에 위치하고 있는 시점에서 유지되어 있고, 또한, 날끝(51)이 위치 N3e에 도달하는 순간까지 유지되어 있다. 날끝(51)이 위치 N3e에 도달하면, 날끝(51)의 능선(PS)(도 1)은, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)를 잘라내린다.The
도 8 및 도 9를 참조하여, 상기의 잘라내림에 의해서, 위치 N3e에 미세한 파괴가 발생한다. 이 파괴를 기점으로 하여, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력을 해방하도록 크랙이 발생한다. 구체적으로는, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)에 위치하는 위치 N3e로부터 트렌치 라인(TL)을 따라서, 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 신전한다(도 8에 있어서의 화살표 참조). 환언하면, 크랙 라인(CL)의 형성이 개시된다. 이에 따라, 스텝 S50(도 5)으로서, 위치 N3e로부터 위치 N1로 크랙 라인(CL)이 형성된다.Referring to Figs. 8 and 9, by the above cut-off, minute breakage occurs at the position N3e. From this breakdown, cracks are generated to release the internal stress in the vicinity of the trench line TL. More specifically, the cracks of the
또한, 크랙 라인(CL)의 형성을 보다 확실하게 하기 위하여, 날끝(51)이 위치 N2로부터 위치 N3e를 슬라이딩하는 속도를, 위치 N1로부터 위치 N2에 있어서의 속도보다 작게 해도 좋다. 동일하게, 위치 N2로부터 위치 N3e에 있어서 날끝(51)에 인가되는 하중을, 크랙리스 상태가 유지되는 범위에서 위치 N1로부터 위치 N2에 있어서의 하중보다 크게 해도 좋다.The speed at which the
크랙 라인(CL)에 의해서 트렌치 라인(TL)의 하방에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)의 연재 방향(도 8에 있어서의 횡방향)과 교차하는 방향(DC)(도 9)에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다. 여기에서 「연속적인 연결」이란, 환언하면, 크랙에 의해서 차단되어 있지 않은 연결을 말한다. 또한, 전술한 바와 같이 연속적인 연결이 끊어져 있는 상태에 있어서, 크랙 라인(CL)의 크랙을 통하여 유리 기판(4)의 부분끼리가 접촉하고 있어도 좋다. 또한, 트렌치 라인(TL)의 직하에 약간 연속적인 연결이 남아 있어도 좋다.9) intersecting with the extending direction (the lateral direction in Fig. 8) of the trench line TL below the trench line TL by the crack line CL, The continuous connection is disconnected. Here, " continuous connection " means, in other words, a connection not blocked by a crack. Further, in the state where the continuous connection is broken as described above, the portions of the
트렌치 라인(TL)(도 6)을 따라서 크랙 라인(CL)(도 8)이 신전하는 방향(도 8의 화살표)은, 트렌치 라인(TL)이 형성된 방향(도 6의 화살표)과 반대이다. 이러한 방향 관계에서 크랙 라인(CL)을 발생시키기 위해서는, 트렌치 라인(TL)의 형성을 위하여 날끝(51)이 방향(DB)(도 1)으로 슬라이딩할 때에, 각도(AG2)가 각도(AG1)보다도 작게 되어 있는 것이 바람직하다. 이 각도 관계가 만족되지 않으면, 크랙 라인(CL)이 발생하기 어렵다. 또한 각도(AG1) 및 각도(AG2)가 대체로 동일하면, 크랙 라인(CL)이 발생할지 아닐지가 불안정하게 되기 쉽다.The direction in which the crack line CL (Fig. 8) extends along the trench line TL (Fig. 6) (the arrow in Fig. 8) is opposite to the direction in which the trench line TL is formed (the arrow in Fig. 6). In order to generate the crack line CL in this directional relationship, when the
다음으로, 스텝 S60(도 5)에서, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다. 즉, 소위 브레이크 공정이 행해진다. 브레이크 공정은, 유리 기판(4)으로의 외력의 인가에 의해서 행할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상의 크랙 라인(CL)(도 9)을 향하여 하면(SF2) 상에 응력 인가 부재(예를 들면, 「브레이크 바」라고 칭해지는 부재)를 밀어붙임으로써, 크랙 라인(CL)의 크랙을 여는 바와 같은 응력이 유리 기판(4)으로 인가된다. 또한 크랙 라인(CL)이 그 형성시에 두께 방향(DT)으로 완전하게 진행한 경우는, 크랙 라인(CL)의 형성과 유리 기판(4)의 분단이 동시에 발생한다.Next, in step S60 (Fig. 5), the
이상에 의해 유리 기판(4)의 분단이 행해진다. 또한 상술한 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 소위 브레이크 공정과 본질적으로 상이하다. 브레이크 공정은, 이미 형성되어 있는 크랙을 두께 방향으로 더욱 신전시킴으로써 기판을 완전하게 분리하는 것이다. 한편, 크랙 라인(CL)의 형성 공정은, 트렌치 라인(TL)의 형성에 의해서 얻어진 크랙리스 상태로부터, 크랙을 갖는 상태로의 변화를 초래하는 것이다. 이 변화는, 크랙리스 상태가 갖는 내부 응력의 개방에 의해서 발생한다고 생각된다.As a result, the
(비교예 1)(Comparative Example 1)
도 10을 참조하여, 본 비교예의 날끝(59)의 정점(PP)은, 4개의 면(SE1∼SE4)이 합류하는 개소에 형성되어 있다. 정점(PP)으로부터는 4개의 능선(PS1∼PS4)이 형성되어 있다. 이 경우, 도 6의 공정에 있어서, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)를, 능선(PS1∼PS4) 중 어느 하나로 잘라내릴 수 있다. 따라서, 본 실시 형태와 동일하게, 크랙 라인(CL)이 확실하게 형성되기 쉬운 장점이 있다. 한편으로, 날끝(59)의 형성에 높은 가공 정밀도가 필요하게 되고, 따라서 그 형성이 용이하지 않다는 단점이 있다. 왜냐하면, 본 비교예와 같이 면(SE1∼SE4)이 합류하는 개소에 의해서 날끝의 정점(PP)이 형성되는 경우는, 이들 중 3개의 면이 합류하는 점을 통과하도록, 남는 1개의 면의 위치를 맞출 필요가 있기 때문이다.Referring to Fig. 10, the apex PP of the
(비교예 2)(Comparative Example 2)
본 비교예에 있어서는, 날끝(51)의 슬라이딩 방향이, 방향(DB)(도 1)과 반대인 것으로 한다. 이 경우, 도 6의 공정에 있어서, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)를, 능선(PS)이 아닌 천면(SD1)을 잘라내린다. 즉, 잘라내릴 때, 상기 본 실시 형태에 있어서는 예리한 능선(PS)이 작용하는데 대하여, 본 비교예에 있어서는, 평탄한 천면(SD1)이 작용한다. 이 때문에 본 비교예에 있어서는, 크랙 라인(CL)의 형성 개시의 계기가 되는 미세한 파괴가 발생하기 어렵게 된다. 따라서 크랙 라인(CL)이 확실하게 형성되기 어려워진다.In this comparative example, it is assumed that the sliding direction of the
(실시예 및 비교예 3)(Examples and Comparative Example 3)
도 11은, 본 실시 형태의 실시예에 있어서의 유리 기판(4)의 분단 형상을 개략적으로 나타내는 측면도이다. 도 12는, 비교예 3의 유리 기판(4)의 분단 형상을 개략적으로 나타내는 측면도이다. 분단되는 유리 기판(4)의 두께는 0.1㎜로 되었다. 유리 기판(4)이 분단됨으로써 얻어진 면(이하, 「분단면」이라고도 칭함)은, 도 11 및 도 12에 있어서의 우변에 대응하고 있고, 레이저 현미경에 의해서 얻어진 표면 프로파일에 기초하여, 분단면의 고도차를 강조하여 그려진 것이다. 분단에 이용된 날끝(51)의 능선(PS)(도 3)은, 실시예에 있어서는 모따기 가공이 없는 것으로 되고, 비교예 3에 있어서는 모따기가 있는 것으로 되었다. 능선(PS)의 곡률 반경은, 실시예에 있어서는 0.6㎛이고, 비교예 3에 있어서는 3.9㎛였다.Fig. 11 is a side view schematically showing the cut-out shape of the
실시예의 분단면은, 비교예 3의 분단면에 비해, 상면(SF1)에 대한 직각도가 양호했다. 또한 실시예의 분단면은, 비교예 3의 분단면에 비해, 평탄도가 양호했다. 구체적으로는, 분단면의 고도차가, 실시예에 있어서는 0.5㎛이고, 비교예 3에 있어서는 2.3㎛였다. 여기에서 「고도차」란, 분단면의 표면 프로파일 중, 가장 낮은 위치와 가장 높은 위치의 차이다. 이와 같이 실시예의 쪽이 비교예 3에 비해 양호한 분단면이 얻어지는 이유는, 능선(PS)의 곡률 반경이 작음으로써, 트렌치 라인(TL)의 형성시에 유리 기판(4)으로 부여되는 내부 응력이, 보다 국소적으로 집중하여 부여되기 때문이라고 추측된다.The cross section of the example of the embodiment was better than that of the cross section of the comparative example 3 in the perpendicularity to the upper surface SF1. In addition, the cross section of the example of the present invention was better than that of the cross section of the comparative example 3 in flatness. Specifically, the height difference of the cross section was 0.5 占 퐉 in the example and 2.3 占 퐉 in the comparative example 3. Here, the "height difference" is the difference between the lowest position and the highest position among the surface profiles of the cross section. The reason why the embodiment has such a good cross section as compared with the comparative example 3 is that the internal stress applied to the
(효과의 정리)(Summary of effects)
본 실시 형태에 의하면, 날끝(51)을 용이하게 준비할 수 있다. 그 제1 이유는, 상기 비교예 1과는 상이하게, 날끝(51)의 정점이, 천면(SD1), 측면(SD2) 및 측면(SD3)의 3개의 면이 합류하는 개소로서 형성되기 때문이다. 만일, 3개를 초과하는 면이 합류하는 개소에 의해서 날끝의 정점이 형성되는 경우, 3개의 면이 합류하는 점을 통과하도록, 남는 면의 위치를 맞출 필요가 있다. 이 때문에, 높은 가공 정밀도가 필요하게 된다. 이에 대하여, 3개의 면이 합류하는 개소에 의해서 날끝의 정점이 형성되는 경우, 그러한 높은 가공 정밀도는 필요하지 않다. 제2 이유는, 날끝(51)의 능선(PS)이, 모따기 가공이 없는 것이기 때문이다. 이에 의해, 날끝(51)의 능선(PS)이 모따기 가공이 있는 것인 경우에 비해, 날끝(51)을 용이하게 준비할 수 있다. 이를 다른 관점으로부터 보면, 날끝(51)이, 능선(PS)에 수직인 단면에 있어서 2㎛ 이하, 바람직하게는 1㎛ 이하의 곡률 반경을 갖기 때문이다. 이러한 곡률 반경은, 능선(PS)을 이루는 한쌍의 면이 형성된 후에, 능선(PS)에 대한 모따기 가공을 앞두고 있는 것만으로, 용이하게 얻어진다. 따라서, 날끝(51)을 용이하게 준비할 수 있다.According to the present embodiment, the
추가로, 본 실시 형태에 의하면, 크랙리스 스크라이빙 기술이 이용됨으로써, 날끝(51)에의 하중을 낮게 할 수 있다. 이에 의해, 천면(SD1)을 전측으로 하고 능선(PS)을 후측으로 하는 슬라이딩을 행하면서도, 날끝(51)의 충분한 수명을 확보할 수 있다.Further, according to the present embodiment, by using the crackless scrubbing technique, the load on the
추가로 본 실시 형태에 의하면, 능선(PS)에 대한 모따기 가공이 이루어진 비교예 3에 비해, 양호한 분단면이 얻어진다. 구체적으로는, 상면(SF1)에 대한 직각도가 양호한 분단면이 얻어진다. 또한, 평탄도가 양호한 분단면이 얻어진다.Furthermore, according to the present embodiment, a good sectional plane can be obtained as compared with Comparative Example 3 in which chamfering is performed on the ridge line PS. Specifically, a sectional plane having a good perpendicularity to the upper surface SF1 is obtained. In addition, a fractional section with good flatness is obtained.
추가로 본 실시 형태에 의하면, 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인(CL)을 보다 확실하게 형성할 수 있다. 그 제1 이유는, 상기 비교예 2와는 달리, 트렌치 라인(TL)의 형성을 위하여 슬라이딩된 날끝(51)의 능선(PS)이, 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)를 잘라내리기 때문이다. 제2 이유는, 이와 같이 잘라내림을 행하는 능선(PS)이, 모따기되어 있지 않기 때문에, 또는, 2㎛ 이하의 곡률 반경을 갖기 때문에, 예리한 상태에 있기 때문이다. 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)를, 예리한 능선(PS)이 잘라내림으로써, 크랙 라인(CL)을 보다 확실하게 형성할 수 있다.In addition, according to this embodiment, the crack line CL along the trench line TL can be more reliably formed. The first reason is that the ridge line PS of the slanted
<실시 형태 2>≪ Embodiment 2 >
다시 도 6을 참조하여, 본 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 있어서 날끝(51)이 슬라이딩하게 되는 위치에, 윤활제가 공급된다. 환언하면, 트렌치 라인(TL)(도 6)을 형성하는 공정(도 5:스텝 S30)은, 도 13에 나타내는 바와 같이, 윤활제를 공급하는 스텝 S31과, 윤활제가 공급된 위치에 있어서 날끝(51)이 슬라이딩되는 스텝 S32를 포함한다. 스텝 S31을 실시하기 위해서는, 예를 들면, 생크(52)(도 1)에 윤활제 공급부(도시하지 않음)가 형성되면 좋다. 또한, 이들 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 1의 구성과 거의 동일하기 때문에, 그 설명을 반복하지 않는다. 또한 스텝 S31은, 후술하는 실시 형태 3∼5에도 적용 가능하다.Referring again to Fig. 6, in this embodiment, a lubricant is supplied to a position at which the
본 실시 형태에 있어서는, 실시 형태 1과 동일하게, 날끝(51)의 진행 방향으로서 방향(DB)(도 1)이 선택되어 있다. 날끝(51)으로의 하중이 동일한 조건하에서는, 방향(DB)으로의 슬라이딩은, 그 역방향으로의 슬라이딩에 비해, 날끝(51)으로의 데미지가 커지기 쉽다. 본 실시 형태에 의하면, 이 데미지를 효과적으로 억제할 수 있다. 이에 따라, 날끝의 수명을 늘릴 수 있다.In this embodiment, as in the first embodiment, the direction DB (Fig. 1) is selected as the advancing direction of the
<실시 형태 3>≪ Embodiment 3 >
도 14를 참조하여, 스텝 S10(도 5)에서, 상기 실시 형태 1과 동일한 유리 기판(4)이 준비된다. 단 본 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에 어시스트 라인(AL)이 형성되어 있다. 도 15를 참조하여, 어시스트 라인(AL)은, 어시스트 트렌치 라인(TLa)과, 어시스트 크랙 라인(CLa)을 갖는다. 어시스트 트렌치 라인(TLa)은 홈 형상을 갖는다. 어시스트 크랙 라인(CLa)은, 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 어시스트 트렌치 라인(TLa)을 따라서 연장됨으로써 구성되어 있다.Referring to Fig. 14, in step S10 (Fig. 5), the
본 실시 형태에 있어서는, 어시스트 라인(AL)은 유리 기판(4)의 상면(SF1)에, 어시스트 트렌치 라인(TLa) 및 어시스트 크랙 라인(CLa)을 동시에 형성하는 공정에 의해서 형성된다. 이러한 어시스트 라인(AL)은, 통상의 전형적인 스크라이브 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들면, 이러한 어시스트 라인(AL)은, 도 14의 화살표로 나타내는 바와 같이, 날끝이 유리 기판(4)의 상면(SF1)의 가장자리(ED)에 올라앉고, 그리고 상면(SF1) 상을 이동함으로써 행할 수 있다. 올라앉을 때의 충격에 의해 미세한 크랙이 발생함으로써, 어시스트 트렌치 라인(TLa) 형성시에, 어시스트 크랙 라인(CLa)을 동시에 형성하는 것이, 용이하게 가능하다. 이 날끝은, 올라앉을 때의 날끝 및 유리 기판(4)으로의 데미지를 억제하기 위하여, 날끝(51)의 형상과는 상이한, 올라앉음에 적합한 형상을 갖는 것인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 날끝은, 회전 운동 가능하게 지지된 것(휠형인 것)인 것이 바람직하다. 환언하면, 날끝은 유리 기판(4) 상에서 슬라이딩이 아니라 회전 운동하는 것인 것이 바람직하다. 또한, 어시스트 라인(AL)의 기점은, 도 14에 있어서는 가장자리(ED)이지만, 가장자리(ED)로부터 떨어져 있어도 좋다.In the present embodiment, the assist line AL is formed by a step of simultaneously forming the assist trench line TLa and the assist crack line CLa on the upper surface SF1 of the
다음으로 스텝 S20(도 5)에서, 실시 형태 1과 동일한 날끝(51)이 준비된다. 또한, 전술한 어시스트 라인(AL)용 날끝의 준비를 용이하게 하기 위하여, 상기의 어시스트 라인(AL)이 이 날끝(51)을 이용하여 형성되어 있어도 좋다. 혹은, 날끝(51)의 형상과 동일한 형상을 갖는 날끝을 이용하여 상기의 어시스트 라인(AL)이 형성되어 있어도 좋다.Next, in step S20 (Fig. 5), the
도 16을 참조하여, 다음으로, 스텝 S30(도 5)에서 트렌치 라인(TL)이 형성된다. 구체적으로는, 이하의 공정이 행해진다.Referring to Fig. 16, next, a trench line TL is formed in step S30 (Fig. 5). Specifically, the following steps are performed.
우선 실시 형태 1과 동일한 동작이 행해진다. 구체적으로는, 상면(SF1)에 날끝(51)(도 1)의 정점(PP)이 위치 N1에서 밀어붙여진다. 다음으로, 밀어붙여진 날끝(51)이 유리 기판(4)의 상면(SF1) 상에서 방향(DB)(도 1)으로 슬라이딩된다(도 16의 화살표 참조). 이에 따라 상면(SF1) 상에 트렌치 라인(TL)이 크랙리스 상태로 형성된다.First, the same operation as in the first embodiment is performed. Concretely, the apex PP of the blade tip 51 (Fig. 1) is pushed at the position N1 on the upper surface SF1. Next, the extruded
본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 형성은, 위치 N1 및 위치 N3a의 사이에서, 위치 N1로부터 위치 N2를 경유하여 위치 N3a로 날끝(51)을 슬라이딩시킴으로써 행해진다. 위치 N3a는 어시스트 라인(AL) 상에 배치되어 있다. 위치 N2는, 위치 N1과 위치 N3a의 사이에 배치되어 있다. 바람직하게는, 날끝(51)은, 어시스트 라인(AL) 상의 위치 N3a를 넘어 추가로 위치 N4까지 슬라이딩된다. 위치 N4는 가장자리(ED)로부터 떨어져 있는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the formation of the trench line TL is performed by sliding the
트렌치 라인(TL)을 형성하기 위하여 상기와 같이 슬라이딩된 날끝(51)은, 위치 N3a에 있어서 어시스트 라인(AL)과 교차한다. 따라서 날끝(51)의 능선(PS)(도 1)도 어시스트 라인(AL)과 교차한다. 이 교차에 의해서 위치 N3a에 미세한 파괴가 발생한다. 이 파괴를 기점으로 하여, 트렌치 라인(TL) 부근의 내부 응력을 해방하도록 크랙이 발생한다. 구체적으로는, 어시스트 라인(AL) 상에 위치하는 위치 N3a로부터 트렌치 라인(TL)을 따라서, 두께 방향(DT)에 있어서의 유리 기판(4)의 크랙이 신전한다(도 17의 화살표 참조). 환언하면, 날끝(51)의 능선(PS)에 의해서 교차된 어시스트 라인(AL)으로부터, 트렌치 라인(TL)을 따라서, 크랙 라인(CL)이 신전한다. 이에 따라, 스텝 S50(도 5)으로서, 위치 N3a로부터 위치 N1로 크랙 라인(CL)이 형성된다. 크랙 라인(CL)의 형성 후는, 실시 형태 1과 동일하게, 크랙 라인(CL)에 의해서 트렌치 라인(TL)의 하방에 있어서 유리 기판(4)은 트렌치 라인(TL)과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있다.In order to form the trench line TL, the sliding
날끝(51)은, 위치 N3a에 도달한 후, 유리 기판(4)으로부터 떼어진다. 바람직하게는, 날끝(51)은, 위치 N3a를 넘어 위치 N4까지 슬라이딩된 후, 유리 기판(4)으로부터 떼어진다.The
다음으로, 스텝 S60(도 5)에서, 실시 형태 1과 동일하게, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다. 이상에 의해 본 실시 형태의 유리 기판(4)의 분단 방법이 행해진다.Next, in step S60 (Fig. 5), the
본 실시 형태에 의하면, 실시 형태 1과 동일하게, 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인(CL)을 보다 확실하게 형성할 수 있다. 왜냐하면, 트렌치 라인(TL)의 형성을 위하여 슬라이딩된 날끝(51)의 능선(PS)이, 유리 기판(4)의 상면(SF1)에 형성된 어시스트 라인(AL)과, 슬라이딩되는 날끝(51)의 정점에 의해 형성된 트렌치 라인(TL)이 교차하는 위치 N3a(도 16)에, 국소적으로 응력을 인가하기 때문이다. 이 응력 인가에 의해, 크랙 라인(CL)의 형성 개시의 계기가, 높은 확실성으로 얻어진다. 그 외, 실시 형태 1과 거의 동일한 효과가 얻어진다.According to the present embodiment, the crack line CL along the trench line TL can be more reliably formed as in the first embodiment. This is because the ridge line PS of the sliding
<실시 형태 4>≪ Fourth Embodiment >
본 실시 형태에 있어서는, 실시 형태 3과 상이하게, 어시스트 라인(AL)(도 15 및 도 16)이 갖는 어시스트 트렌치 라인(TLa) 및 어시스트 크랙 라인(CLa)의 각각이, 실시 형태 1에서 설명된 트렌치 라인(TL) 및 크랙 라인(CL)의 형성 방법과 유사한 방법에 의해 형성된다. 이하, 이 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.The assist trench line TLa and the assist crack line CLa of the assist line AL (Figs. 15 and 16), which are different from those of the third embodiment, Is formed by a method similar to the method of forming the trench line TL and the crack line CL. Hereinafter, this method will be described in detail.
우선, 어시스트 라인(AL)의 형성에 이용되는 날끝이 준비된다. 이 날끝은, 날끝(51)(도 1 및 도 2)과 동일해도 좋다. 즉, 어시스트 라인(AL)의 형성과, 그 후에 형성되는 트렌치 라인(TL)의 형성이, 공통의 날끝(51)에 의해서 행해져도 좋다. 혹은, 어시스트 라인(AL)의 형성을 위한 날끝으로서, 날끝(51)과는 별도의 날끝(이하, 「어시스트 날끝」이라고 칭함)이 준비되어도 좋다. 어시스트 날끝은, 날끝(51)(도 1 및 도 2)의 형상과 동일한 형상을 가져도 좋다. 혹은, 어시스트 날끝은, 날끝(51)의 형상과 상이한 형상을 가져도 좋다. 어시스트 날끝이 날끝(51)의 형상과 상이한 형상을 갖고 있는 경우에 있어서도, 어시스트 날끝은, 정점(PP) 및 능선(PS)을 형성하는 천면(SD1), 측면(SD2) 및 측면(SD3)의 구성을 갖고, 전술한 형상의 상이는, 이들 구성간의 배치의 상이에 의한 것인 것이 바람직하다. 여기에서 고려되고 있는 날끝의 「형상」은, 날끝 중, 정점(PP) 근방의 부분, 즉 유리 기판(4)에의 작용 부분의 형상이고, 이 작용 부분으로부터 떨어진 부분의 형상은, 통상, 중요하지 않다. 이하에 있어서, 설명을 장황하게 하지 않기 위하여, 어시스트 라인(AL)의 형성에 이용되는 날끝을, 그것이 날끝(51)인지 혹은 어시스트 날끝인지에 상관없이, 간단히 「날끝」이라고 칭하는 경우가 있다.First, a blade edge used for forming the assist line AL is prepared. This edge may be the same as the edge 51 (Figs. 1 and 2). That is, the formation of the assist line AL and the formation of the trench line TL to be formed thereafter may be performed by the
도 18을 참조하여, 다음으로, 트렌치 라인(TL)의 형성(도 6)과 유사한 방법에 의해서, 어시스트 트렌치 라인(TLa)이 크랙리스 상태로 형성된다. 도 19를 참조하여, 다음으로, 트렌치 라인(TL)을 따른 크랙 라인(CL)의 형성 방법(도 8)과 유사한 방법에 의해서, 어시스트 트렌치 라인(TLa)(도 18)을 따른 어시스트 트렌치 라인(TLa)이 형성된다. 이상에 의해, 어시스트 라인(AL)(도 15)이 형성된다.Referring to Fig. 18, the assist trench line TLa is formed in a crackle state by a method similar to the formation of the trench line TL (Fig. 6). Referring to FIG. 19, an assist trench line (FIG. 18) along the assist trench line TLa (FIG. 18) is formed by a method similar to the method of forming the crack line CL along the trench line TL TLa are formed. Thus, the assist line AL (Fig. 15) is formed.
다음으로, 실시 형태 3과 동일하게, 스텝 S30 및 S50(도 5)에서, 트렌치 라인(TL)(도 16) 및 크랙 라인(CL)(도 17)이 형성되고, 스텝 S60(도 5)에서, 크랙 라인(CL)을 따라서 유리 기판(4)이 분단된다. 이상에 의해 본 실시 형태의 유리 기판(4)의 분단 방법이 행해진다.16) and the crack line CL (Fig. 17) are formed in steps S30 and S50 (Fig. 5), and in step S60 (Fig. 5) , The
본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)(도 16)의 형성에 있어서 날끝(51)에 인가되는 하중은, 어시스트 트렌치 라인(TLa)(도 18)의 형성에 있어서 날끝에 인가되는 하중에 비해 크게 된다. 본 발명자의 실험적인 검토에 의하면, 이와 같이 하중에 차이를 형성함으로써, 크랙 라인(CL)(도 17)을 보다 확실하게 발생시킬 수 있다.In this embodiment, the load applied to the
바람직하게는, 트렌치 라인(TL)(도 16)의 형성에 있어서의 각도(AG2)(도 1)는, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성에 있어서의 각도(AG2)(도 1)보다도 작게 된다. 이러한 각도 관계가 이용됨으로써, 특히, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성을 위한 날끝이, 날끝(51), 또는, 날끝(51)의 형상과 동일한 형상을 갖는 어시스트 날끝인 경우라도, 전술한 하중의 차이를 형성하기 쉽다. 이 이유는, 날끝의 형상이 동일한 경우, 각도(AG2)가 작을수록, 트렌치 라인(TL)(또는 어시스트 트렌치 라인(TLa))을 크랙리스 상태로 형성 가능한 하중이 커지기 때문이다. 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서, 각도(AG2)가 지나치게 크면, 트렌치 라인(TL)을 크랙리스 상태로 형성하는 것과, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성시의 하중보다도 큰 하중을 이용하는 것을 양립시키는 것이 곤란해진다. 이에 대하여, 트렌치 라인(TL)(도 16)의 형성에 있어서의 각도(AG2)(도 1)가, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성에 있어서의 각도(AG2)(도 1)보다도 작게 되는 경우, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성시의 하중보다도 큰 하중을 이용하는 것이 용이해진다. 따라서, 트렌치 라인(TL)을 위한 날끝(51)에 고하중용의 날끝 설계를 적용하고, 또한, 어시스트 트렌치 라인(TLa)을 위한 날끝에 저하중용의 날끝 설계를 적용한다고 하는 배려가 불필요해진다. 따라서, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성에 있어서, 트렌치 라인(TL)의 형성에 이용되는 날끝(51), 또는 그 형상과 동일한 형상을 갖는 어시스트 날끝을 이용할 수 있다.Preferably, the angle AG2 (FIG. 1) in forming the trench line TL (FIG. 16) is smaller than the angle AG2 (FIG. 1) in the formation of the assist trench line TLa . Even when the edge for forming the assist trench line TLa is an assist edge having the same shape as that of the
전술한 바와 같이 각도(AG2)(도 1)에 차이가 형성되는 경우, 어시스트 트렌치 라인(TLa)을 형성하기 위한 날끝으로서, 트렌치 라인(TL)을 형성하기 위한 날끝(51)과는 별도로, 어시스트 날끝이 준비되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 날끝(51)의 각도(AG2)가 트렌치 라인(TL)의 형성에 적합한 것으로 된 상태에서 날끝(51)의 자세를 고정 해 둘 수 있다. 환언하면, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성 공정과 트렌치 라인(TL)의 형성 공정의 사이에서, 각도(AG2)의 최적화를 위한 날끝(51)의 자세 조정이 필요하게 된다.Apart from the
<실시 형태 5>≪ Embodiment 5 >
도 20 및 도 21을 참조하여, 본 실시 형태에 있어서는, 트렌치 라인(TL)의 형성에 있어서는 날끝(51)이 이용되고, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성에 있어서는, 실시 형태 4에서 설명된 어시스트 날끝으로서, 어시스트 날끝(51a)이 이용된다. 날끝(51)의 형상과, 어시스트 날끝(51a)의 형상은, 서로 상이하다. 예를 들면, 정점(PP)(도 2 참조)의 근방에 있어서 날끝(51) 및 어시스트 날끝(51a)의 각각은, 능선(PS)에 수직인 단면에 있어서의 능선(PS)의 각도(AP 및 APa)를 갖고, 각도(AP)는 각도(APa)보다도 크다. 또한, 이들 이외의 구성에 대해서는, 전술한 실시 형태 4의 구성과 거의 동일하기 때문에, 그 설명을 반복하지 않는다.20 and 21, in the present embodiment, the
본 실시 형태에 의하면, 어시스트 트렌치 라인(TLa)의 형성시와, 트렌치 라인(TL)의 형성시에서, 상이한 형상을 갖는 날끝이 이용된다. 이에 따라, 날끝의 형상으로서, 어시스트 트렌치 라인(TLa) 및 트렌치 라인(TL)의 각각의 형성에 있어서, 상대적으로 저하중에 적합한 것 및 고하중에 적합한 것을 이용할 수 있다. 따라서, 어시스트 트렌치 라인(TLa) 및 트렌치 라인(TL)의 형성시에 크랙리스 상태를 보다 확실하게 얻을 수 있고, 또한, 어시스트 트렌치 라인(TLa) 및 트렌치 라인(TL)의 각각으로부터 어시스트 크랙 라인(CLa) 및 크랙 라인(CL)을 보다 확실하게 발생시킬 수 있다.According to the present embodiment, at the time of forming the assist trench line TLa and at the time of forming the trench line TL, edges having different shapes are used. Accordingly, as the shape of the edge, it is possible to use those which are suitable for relatively lowering in the formation of each of the assist trench line TLa and the trench line TL and which are suitable for high load. Therefore, it is possible to more reliably obtain a crackle state at the time of formation of the assist trench line TLa and the trench line TL and also to obtain the assist crack line (trench) from each of the assist trench line TLa and the trench line TL CLa and the crack line CL can be more surely generated.
또한 상기 각 실시 형태에 있어서는 상면(SF1)의 가장자리가 장방 형상인 경우에 대해서 도시되어 있는데, 다른 형상이 이용되어도 좋다. 또한 상면(SF1)이 평탄한 경우에 대해서 설명했는데, 상면은 만곡해 있어도 좋다. 또한 트렌치 라인(TL)이 직선 형상인 경우에 대해서 설명했는데, 트렌치 라인(TL)은 곡선 형상이라도 좋다. 또한 취성 기판으로서 유리 기판(4)이 이용되는 경우에 대해서 설명했는데, 취성 기판은, 유리 이외의 취성 재료로 만들어져 있어도 좋고, 예를 들면, 세라믹스, 실리콘, 화합물 반도체, 사파이어 또는 석영으로 만들어질 수 있다.In each of the above embodiments, the edge of the upper surface SF1 is shown as being rectangular, but other shapes may be used. Although the case where the upper surface SF1 is flat is described, the upper surface may be curved. Further, although the case where the trench line TL is linear is described, the trench line TL may have a curved shape. The brittle substrate may be made of a brittle material other than glass. For example, the brittle substrate may be made of ceramics, silicon, a compound semiconductor, sapphire or quartz. have.
ED : 가장자리
AL : 어시스트 라인
CL : 크랙 라인
SD1 : 천면(제1 면)
SD2 : 측면(제2 면)
SD3 : 측면(제3 면)
SF, SF1 : 상면(하나의 면)
PP : 정점
TL : 트렌치 라인
PS : 능선
CLa : 어시스트 크랙 라인
TLa : 어시스트 트렌치 라인
4 : 유리 기판(취성 기판)
51 : 날끝
51a : 어시스트 날끝ED: Edge
AL: assist line
CL: crack line
SD1: Ceiling surface (first surface)
SD2: Side (second side)
SD3: Side (third side)
SF, SF1: upper surface (one surface)
PP: Vertex
TL: Trench line
PS: Ridgeline
CLa: assisted crackline
TLa: assist trench line
4: Glass substrate (brittle substrate)
51: End point
51a: assistant tip
Claims (4)
b) 제1 면과, 상기 제1 면과 서로 이웃하는 제2 면과, 상기 제2 면과 서로 이웃함으로써 능선을 이루고 또한 상기 제1 면 및 상기 제2 면의 각각과 서로 이웃함으로써 정점(頂点)을 이루는 제3 면을 갖는 날끝을 준비하는 공정을 구비하고, 상기 능선은, 모따기 가공이 없는 것이고, 추가로
c) 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에서 상기 날끝을 상기 능선으로부터 상기 제1 면을 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 소성 변형에 의해 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에 형성하는 공정을 구비하고, 상기 트렌치 라인은, 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성되고, 추가로
d) 상기 공정 c)의 후에, 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 신전(伸展)시킴으로써, 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해서 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
e) 상기 크랙 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하는
취성 기판의 분단 방법.a) preparing a brittle substrate having one face and a thickness direction perpendicular to the one face,
b) a first surface, a second surface adjacent to the first surface, and a second surface, the first surface, the second surface, and the first surface and the second surface, ), Wherein the ridgeline has no chamfering, and further comprises a step
c) sliding the nodal point on the one surface of the brittle substrate in a direction from the ridge toward the first surface, thereby forming a trench line having a groove shape on the one surface of the brittle substrate by plastic deformation Wherein the trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction crossing the trench line below the trench line,
d) forming a crack line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line after the step c), and forming a crack line by the crack line, The brittle substrate is disconnected continuously in the direction crossing the trench line, and further,
e) dividing the brittle substrate along the crack line
Method of breaking a brittle substrate.
b) 제1 면과, 상기 제1 면과 서로 이웃하는 제2 면과, 상기 제2 면과 서로 이웃함으로써 능선을 이루고 또한 상기 제1 면 및 상기 제2 면의 각각과 서로 이웃함으로써 정점을 이루는 제3 면을 갖는 날끝을 준비하는 공정을 구비하고, 상기 날끝은, 상기 능선에 수직인 단면에 있어서 2㎛ 이하의 곡률 반경을 갖고, 추가로
c) 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에서 상기 날끝을 상기 능선으로부터 상기 제1 면을 향하는 방향으로 슬라이딩시킴으로써, 홈 형상을 갖는 트렌치 라인을 소성 변형에 의해 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에 형성하는 공정을 구비하고, 상기 트렌치 라인은, 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판이 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적으로 연결되어 있는 상태인 크랙리스 상태가 얻어지도록 형성되고, 추가로
d) 상기 공정 c)의 후에, 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙을 신전시킴으로써, 크랙 라인을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 크랙 라인에 의해서 상기 트렌치 라인의 하방에 있어서 상기 취성 기판은 상기 트렌치 라인과 교차하는 방향에 있어서 연속적인 연결이 끊어져 있고, 추가로
e) 상기 크랙 라인을 따라서 상기 취성 기판을 분단하는 공정을 구비하는
취성 기판의 분단 방법.a) preparing a brittle substrate having one face and a thickness direction perpendicular to the one face,
and b) a first surface, a second surface adjacent to the first surface, and a second surface, which forms a ridge by neighboring the second surface and which is vertically adjacent to each of the first surface and the second surface, Wherein the blade has a radius of curvature of 2 mu m or less in a cross section perpendicular to the ridgeline,
c) sliding the nodal point on the one surface of the brittle substrate in a direction from the ridge toward the first surface, thereby forming a trench line having a groove shape on the one surface of the brittle substrate by plastic deformation Wherein the trench line is formed so as to obtain a crackle state in a state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction crossing the trench line below the trench line,
d) forming a crack line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line after the step c), and forming a crack line by the crack line under the trench line Wherein the brittle substrate is continuously disconnected in a direction crossing the trench line,
e) dividing the brittle substrate along the crack line
Method of breaking a brittle substrate.
상기 공정 d)는,
상기 공정 c)에 의해서 슬라이딩된 상기 날끝의 상기 능선이 상기 취성 기판의 상기 하나의 면의 가장자리를 잘라내리는 공정과,
상기 날끝의 상기 능선에 의해서 잘라내려진 상기 가장자리로부터 상기 트렌치 라인을 따라서 상기 크랙 라인이 신전하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The step d)
The step of cutting the edge of the one surface of the brittle substrate by the ridgeline of the edge of the blade slid by the step c)
And extending the crack line along the trench line from the edge cut by the ridgeline of the blade edge.
상기 공정 a)는 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에, 홈 형상을 갖는 어시스트 트렌치 라인과, 상기 두께 방향에 있어서의 상기 취성 기판의 크랙이 상기 어시스트 트렌치 라인을 따라 연장됨으로써 구성된 어시스트 크랙 라인을 갖는 어시스트 라인을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 공정 d)는,
상기 공정 c)에 의해 슬라이딩된 상기 날끝의 상기 능선이 상기 취성 기판의 상기 하나의 면 상에 형성된 상기 어시스트 라인과 교차하는 공정과,
상기 날끝의 상기 능선에 의해 교차된 상기 어시스트 라인으로부터 상기 트렌치 라인을 따라 상기 크랙 라인이 신전하는 공정을 포함하는 취성 기판의 분단 방법.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the step a) includes forming an assist crack line having a groove shape on the one surface of the brittle substrate and a crack of the brittle substrate extending in the thickness direction along the assist trench line The method comprising:
The step d)
Wherein the ridgeline of the blade slid by the step c) intersects the assist line formed on the one surface of the brittle substrate,
And extending the crack line along the trench line from the assist line intersected by the ridgeline of the blade edge.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016035039A JP6682907B2 (en) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | Brittle substrate cutting method |
JPJP-P-2016-035039 | 2016-02-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170101126A true KR20170101126A (en) | 2017-09-05 |
KR102713861B1 KR102713861B1 (en) | 2024-10-04 |
Family
ID=59721897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170022787A KR102713861B1 (en) | 2016-02-26 | 2017-02-21 | Method of dividing brittle substrate |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6682907B2 (en) |
KR (1) | KR102713861B1 (en) |
CN (1) | CN107127899B (en) |
TW (1) | TWI712478B (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI837150B (en) * | 2018-09-28 | 2024-04-01 | 日商三星鑽石工業股份有限公司 | How to break GaN substrates |
CN109203258A (en) * | 2018-11-13 | 2019-01-15 | 无锡温特金刚石科技有限公司 | A kind of conductor chip single-crystal diamond cutting tool |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09188534A (en) | 1995-11-06 | 1997-07-22 | Mitsuboshi Daiyamondo Kogyo Kk | Glass cutter wheel |
KR20130098201A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method for dividing alumina substrate |
KR20140107136A (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Scribing wheel, holder unit, scribing apparatus and method for manufacturing the scribing wheel |
WO2015151755A1 (en) | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for cutting brittle-material substrate |
WO2015182241A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for splitting brittle substrate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0031898A1 (en) * | 1979-12-18 | 1981-07-15 | Tag Semiconductors Limited, Wilmington Zürich Branch | Method of making doped regions to electrically insulate single semiconductor devices on a silicon wafer, and semiconductor arrangement produced by this method |
JPS6485712A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Nec Corp | Dicing method of semiconductor |
DE19950068B4 (en) * | 1999-10-16 | 2006-03-02 | Schmid Technology Systems Gmbh | Method and device for separating and detaching substrate disks |
FR2828428B1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-10-17 | Soitec Silicon On Insulator | DEVICE FOR PICKING UP SUBSTRATES AND ASSOCIATED METHOD |
US8051679B2 (en) * | 2008-09-29 | 2011-11-08 | Corning Incorporated | Laser separation of glass sheets |
CN104425695B (en) * | 2013-09-04 | 2017-10-03 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Light emitting diode |
JP2015058692A (en) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Scribing wheel pin, holder unit, and scribe device |
JP6357746B2 (en) * | 2013-09-24 | 2018-07-18 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Scribing wheel, holder unit, scribing device, scribing wheel manufacturing method and scribing method |
-
2016
- 2016-02-26 JP JP2016035039A patent/JP6682907B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-09 TW TW106104258A patent/TWI712478B/en active
- 2017-02-21 KR KR1020170022787A patent/KR102713861B1/en active IP Right Grant
- 2017-02-23 CN CN201710100502.5A patent/CN107127899B/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09188534A (en) | 1995-11-06 | 1997-07-22 | Mitsuboshi Daiyamondo Kogyo Kk | Glass cutter wheel |
KR20130098201A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-04 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Method for dividing alumina substrate |
KR20140107136A (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | Scribing wheel, holder unit, scribing apparatus and method for manufacturing the scribing wheel |
WO2015151755A1 (en) | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for cutting brittle-material substrate |
WO2015182241A1 (en) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | Method for splitting brittle substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201741106A (en) | 2017-12-01 |
JP2017149078A (en) | 2017-08-31 |
JP6682907B2 (en) | 2020-04-15 |
TWI712478B (en) | 2020-12-11 |
KR102713861B1 (en) | 2024-10-04 |
CN107127899A (en) | 2017-09-05 |
CN107127899B (en) | 2021-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6288258B2 (en) | Method for dividing brittle substrate | |
KR101912685B1 (en) | Method for severing brittle substrate | |
KR20170101126A (en) | Method of dividing brittle substrate | |
KR20160140386A (en) | Method of forming vertical cracks on brittle material substrate and method of dividing brittle material substrate | |
KR102066120B1 (en) | Dividing Method of Brittle Substrate | |
KR101851453B1 (en) | Method of forming inclined cracks on brittle material substrate and method of dividing brittle material substrate | |
KR20180136528A (en) | Separation method of brittle substrate | |
KR20160062695A (en) | Dividing method of brittle substrate | |
KR102083381B1 (en) | Method for cutting brittle substrate | |
KR102205786B1 (en) | Method of dividing brittle substrate | |
JP2017149079A (en) | Method for segmenting brittle substrate | |
KR101851069B1 (en) | Method for dividing brittle substrate | |
TWI607845B (en) | Breaking method of brittle substrate | |
JP2017065006A (en) | Method of segmenting brittle substrate | |
JP2017065007A (en) | Method of segmenting brittle substrate | |
KR20180002495A (en) | Method for dividing brittle substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
GRNT | Written decision to grant |