[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR20170083383A - Apparatus for Growing Epitaxial Wafer - Google Patents

Apparatus for Growing Epitaxial Wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20170083383A
KR20170083383A KR1020160002778A KR20160002778A KR20170083383A KR 20170083383 A KR20170083383 A KR 20170083383A KR 1020160002778 A KR1020160002778 A KR 1020160002778A KR 20160002778 A KR20160002778 A KR 20160002778A KR 20170083383 A KR20170083383 A KR 20170083383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
lift
susceptor
epitaxial
support
Prior art date
Application number
KR1020160002778A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
조만기
이정두
피중호
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020160002778A priority Critical patent/KR20170083383A/en
Publication of KR20170083383A publication Critical patent/KR20170083383A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A43—FOOTWEAR
    • A43B—CHARACTERISTIC FEATURES OF FOOTWEAR; PARTS OF FOOTWEAR
    • A43B3/00—Footwear characterised by the shape or the use
    • A43B3/10—Low shoes, e.g. comprising only a front strap; Slippers
    • A43B3/108—Low shoes, e.g. comprising only a front strap; Slippers characterised by the sole
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A43—FOOTWEAR
    • A43B—CHARACTERISTIC FEATURES OF FOOTWEAR; PARTS OF FOOTWEAR
    • A43B7/00—Footwear with health or hygienic arrangements
    • A43B7/06—Footwear with health or hygienic arrangements ventilated
    • A43B7/08—Footwear with health or hygienic arrangements ventilated with air-holes, with or without closures
    • A43B7/084—Footwear with health or hygienic arrangements ventilated with air-holes, with or without closures characterised by the location of the holes
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A43—FOOTWEAR
    • A43B—CHARACTERISTIC FEATURES OF FOOTWEAR; PARTS OF FOOTWEAR
    • A43B7/00—Footwear with health or hygienic arrangements
    • A43B7/12—Special watertight footwear
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예는 반응 챔버 내부에 서셉터를 배치하고, 서셉터 상에 올려진 웨이퍼에 소스 가스를 반응시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서, 상기 반응 챔버 하부에 배치되며 상기 반응 챔버 내부 및 웨이퍼를 가열시키는 열원, 상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트, 상기 메인 샤프트 상에서 복수개의 암으로 연장되어 서셉터의 외주부를 지지하는 서셉터 지지대, 상기 메인 샤프트를 감싸며 웨이퍼의 교체시 상하 방향으로 이동되는 리프트 샤프트 및 상기 리프트 샤프트의 상부 둘레에서 연장되며, 상방향으로 갈수록 직경이 커지는 원통형으로 형성된 리프트 지지대를 포함한다. 따라서, 웨이퍼 표면의 국부적인 온도 편차를 제어할 수 있고 이에 에피택셜 웨이퍼의 두께를 평탄하도록 제어할 수 있다.An embodiment of the present invention is an apparatus for manufacturing an epitaxial wafer by disposing a susceptor in a reaction chamber and reacting a source gas with a wafer placed on the susceptor, A main shaft for supporting the susceptor in a vertical direction, a susceptor support extending from the main shaft to a plurality of arms and supporting the outer periphery of the susceptor, And a lift supporter extending in the upper periphery of the lift shaft and formed in a cylindrical shape having a larger diameter toward the upper side. Thus, it is possible to control the local temperature deviation of the wafer surface and to control the thickness of the epitaxial wafer to be flat.

Figure P1020160002778
Figure P1020160002778

Description

에피택셜 웨이퍼 성장 장치{Apparatus for Growing Epitaxial Wafer}[0001] Apparatus for Growing Epitaxial Wafer [0002]

본 발명은 에피택셜 성장장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 상의 국부적인 온도 차이를 제어하여 웨이퍼 상에 에피택셜 박막을 균일하게 성장시킬 수 있는 에피택셜 성장 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an epitaxial growth apparatus, and more particularly, to an epitaxial growth apparatus capable of uniformly growing an epitaxial thin film on a wafer by controlling a local temperature difference on the wafer.

경면 가공된 실리콘 웨이퍼에 실리콘 단결정의 에피택셜 박막을 성장시킨 것을 에피택셜 실리콘 웨이퍼(epitaxial silicon wafer)라고 한다. 상기 에피택셜 실리콘 웨이퍼는 에피택셜 반응기 내부에 배치된 서셉터 위에 웨이퍼를 안착시키고, 에피택셜 반응기의 측면에 마련된 가스 공급부를 통해 원료 가스를 공급하고, 공급되는 원료 가스와 웨이퍼를 반응시켜 웨이퍼 표면에 에피택셜막을 성장시킨 것이다. An epitaxial silicon wafer on which a silicon single crystal epitaxial thin film is grown on a mirror-finished silicon wafer is referred to as an epitaxial silicon wafer. In the epitaxial silicon wafer, a wafer is placed on a susceptor disposed in an epitaxial reactor, a raw material gas is supplied through a gas supply unit provided on a side surface of the epitaxial reactor, a raw material gas is reacted with the wafer, Epitaxial film is grown.

도 1은 일반적인 에피택셜 성장 장치를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 반응 챔버(100)의 외주면을 형성하는 하부 라이너(102) 및 그 상부에 상부 라이너(109)가 배치될 수 있다. 1 is a cross-sectional view showing a general epitaxial growth apparatus. Referring to FIG. 1, a lower liner 102 forming an outer circumferential surface of the reaction chamber 100 and an upper liner 109 disposed thereon may be disposed.

그리고, 반응 챔버(101)의 중심부의 공간에는 웨이퍼(W)가 안착되는 서셉터(105)가 마련된다. 그리고, 반응 챔버(101) 측면에 배치되는 가스 도입구(103)를 통하여 공급되는 원료 가스는 서셉터 지지대(106)에 의해 지지되는 서셉터(105) 상에 안착된 웨이퍼(W) 표면을 따라 흐르면서 에피택셜막을 성장시키고, 가스 배출구(104)를 통해 배출된다. A susceptor 105 on which the wafer W is placed is provided in a space in the center of the reaction chamber 101. The raw material gas supplied through the gas inlet 103 disposed on the side of the reaction chamber 101 is moved along the surface of the wafer W placed on the susceptor 105 supported by the susceptor support 106 The epitaxial film is grown, and is discharged through the gas outlet 104.

도 2는 종래의 에피택셜 반응기 중에서 서셉터가 놓여지는 부분의 일면을 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 반응 챔버(101) 내부에는 웨이퍼(W)가 놓여지는 서셉터(105)가 배치되고, 서셉터는 다수개의 갈래로 뻗어진 서셉터 지지대(106)에 의해 지지된다. 2 is a cross-sectional view showing one surface of a portion of a conventional epitaxial reactor where a susceptor is placed. Referring to FIG. 2, a susceptor 105 in which a wafer W is placed is disposed inside the reaction chamber 101, and the susceptor is supported by a plurality of branched susceptor supports 106.

반응 챔버 하부에는 에피택셜 성장 장치 내부에 배치된 웨이퍼(W)에 열을 공급하는 열원(113)이 배치되며, 상기 열원(113)에서 발생되는 열은 서셉터를 통과하여 웨이퍼에 전달되어 웨이퍼에 대한 에피택셜 반응이 진행될 수 있다. 그러나, 하부에 배치된 열원(113)에서 발생되는 열의 전달 경로에는 반응 챔버(101) 내부의 각종 구조물이 배치되어 있어 웨이퍼로 균일하게 전달되지 못한다. 특히, 서셉터 지지대(106)는 열의 전달 경로를 차단함으로 인해, 서셉터 지지대가 위치하는 지점 상부의 웨이퍼 영역에는 상대적으로 적은 열이 전달된다. 예를 들어, 웨이퍼의 A영역과 열원(113) 사이에 장애물이 없는 경우 A 영역에는 상대적으로 많은 열이 전달되지만, 웨이퍼의 B영역과 같이 열원 사이에 장애물이 있는 경우 B 영역에는 상대적으로 적은 열이 전달된다. A heat source 113 for supplying heat to the wafer W disposed in the epitaxial growth apparatus is disposed under the reaction chamber, and the heat generated from the heat source 113 is transmitted to the wafer through the susceptor, A corresponding epitaxial reaction can proceed. However, various structures in the reaction chamber 101 are disposed in the heat transfer path generated by the heat source 113 disposed at the lower part, and thus are not uniformly transferred to the wafer. In particular, due to the blocking of the heat transfer path, the susceptor support 106 transfers relatively little heat to the wafer area above the point where the susceptor support is located. For example, if there is no obstacle between the A region of the wafer and the heat source 113, a relatively large amount of heat is transferred to the A region. However, if there is an obstacle between the heat sources such as the B region of the wafer, ≪ / RTI >

도 3은 종래의 에피택셜 성장 장치에서 공정을 실시한 웨이퍼의 온도 분포를 나타낸 평면도이다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼의 중심부 근처의 점선 영역은 증착된 에피막의 두께가 상대적으로 얇은 것을 나타내고 있다. 상기 빗금친 영역은 서로 연결되어 있지 않고 독립된 섬 모양으로 형성되어 있기 때문에, 웨이퍼의 직경 방향으로 에피막의 두께가 일부 파여지는 부분이 발생하므로 에피막이 웨이퍼의 동일 직경 상에서 비대칭적으로 형성된다. 3 is a plan view showing a temperature distribution of a wafer subjected to a process in a conventional epitaxial growth apparatus. Referring to FIG. 3, the dotted line near the center of the wafer indicates that the thickness of the deposited epitaxial film is relatively thin. Since the hatched regions are not connected to each other but are formed in island shapes, a portion where the thickness of the epilayer is partially drawn in the radial direction of the wafer is generated, so that the epilayers are formed asymmetrically on the same diameter of the wafer.

이에, 에피택셜 공정을 거치는 웨이퍼는 직경 방향으로 그 두께 편차가 커지고, 에피택셜 웨이퍼의 품질에도 큰 영향을 미치게 된다.Thus, the wafer subjected to the epitaxial process has a large thickness variation in the diameter direction, and has a great influence on the quality of the epitaxial wafer.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼에 열을 가해주는 열원이 웨이퍼가 안착되는 서셉터의 하부에 배치되는 에피택셜 성장 장치에 있어서, 상기 열원과 서셉터 사이에서 웨이퍼로 전달되는 열을 차단하는 것을 방지하면서 웨이퍼로 균일하게 열이 전달될 수 있는 에피택셜 성장 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present invention provides an epitaxial growth apparatus in which a heat source for applying heat to a wafer is disposed below a susceptor on which a wafer is placed, And an object thereof is to provide an epitaxial growth apparatus capable of uniformly transferring heat to a wafer while preventing it from being cut off.

본 발명의 실시예는 반응 챔버 내부에 서셉터를 배치하고, 서셉터 상에 올려진 웨이퍼에 소스 가스를 반응시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서, 상기 반응 챔버 하부에 배치되며 상기 반응 챔버 내부 및 웨이퍼를 가열시키는 열원; 상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트; 상기 메인 샤프트 상에서 복수개의 암으로 연장되어 서셉터의 외주부를 지지하는 서셉터 지지대; 상기 메인 샤프트를 감싸며 웨이퍼의 교체시 상하 방향으로 이동되는 리프트 샤프트; 및 상기 리프트 샤프트의 상부 둘레에서 연장되며, 상방향으로 갈수록 직경이 커지는 원통형으로 형성된 리프트 지지대를 포함할 수 있다. An embodiment of the present invention is an apparatus for manufacturing an epitaxial wafer by disposing a susceptor in a reaction chamber and reacting a source gas with a wafer placed on the susceptor, And a heat source for heating the wafer; A main shaft supporting the susceptor in a vertical direction; A susceptor support extending from the main shaft to a plurality of arms to support an outer periphery of the susceptor; A lift shaft that covers the main shaft and moves up and down when a wafer is replaced; And a lift support rod extending in an upper periphery of the lift shaft and formed in a cylindrical shape having a larger diameter in an upward direction.

실시예에서 상기 웨이퍼 상의 동일한 직경에 해당되는 지점은 상기 열원에서 전달되는 열량이 동일한 것을 특징으로 한다. In an embodiment, the points corresponding to the same diameter on the wafer are characterized in that the heat transferred from the heat source is the same.

그리고, 상기 리프트 지지대는 상기 리프트 샤프트와 일체형으로 형성될 수 있으며, 상기 리프트 지지대의 표면은 동일한 두께로 형성될 수 있다.  The lift support may be integrally formed with the lift shaft, and the surface of the lift support may have the same thickness.

그리고, 상기 리프트 지지대는 투명 쿼츠(quartz)로 이루어질 수 있다. The lift support may be made of transparent quartz.

그리고, 상기 서셉터 지지대에는 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 리프트 핀이 삽입되기 위한 관통홀이 형성될 수 있다. The susceptor support base may be provided with a through hole for inserting a lift pin for moving the wafer up and down.

그리고, 상기 리프트 지지대의 상면에는 상기 리프트 샤프트가 상승시 상기 리프트 핀과 접촉하여 상기 리프트 핀을 상승시키는 접촉부가 마련될 수 있다. The upper surface of the lift supporter may be provided with a contact portion for raising the lift pin in contact with the lift pin when the lift shaft rises.

본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 성장 장치는 웨이퍼가 안착되는 서셉터의 하부에서 전달되는 열이 상기 웨이퍼로 균일하게 전달될 수 있도록 열의 전달 경로를 변경하여 줌으로써, 웨이퍼 표면의 국부적인 온도 편차를 제어할 수 있고 이에 에피택셜 웨이퍼의 두께를 평탄하도록 제어할 수 있다. The epitaxial wafer growing apparatus according to the present invention controls the local temperature deviation of the surface of the wafer by changing the heat transfer path so that the heat transmitted from the lower part of the susceptor on which the wafer is placed is uniformly transferred to the wafer So that the thickness of the epitaxial wafer can be controlled to be flat.

본 발명에 따르면, 에피택셜 웨이퍼 공정을 실시함에 있어서 추가적인 공정 조건을 변경하지 않고도 웨이퍼의 국부적인 온도 불균일 현상을 제어할 수 있고, 특히 웨이퍼의 중심부에 해당하는 영역의 두께의 평탄도를 개선하여 에피택셜 웨이퍼의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, in the epitaxial wafer process, it is possible to control the local temperature unevenness phenomenon of the wafer without changing the additional process conditions, and in particular, to improve the flatness of the thickness of the region corresponding to the central portion of the wafer, The quality and yield of the individual wafer can be improved.

도 1은 일반적인 에피택셜 성장 장치를 나타낸 단면도
도 2는 종래의 에피택셜 반응기 중에서 서셉터가 놓여지는 부분의 일면을 나타낸 단면도
도 3은 종래의 에피택셜 반응기에서 공정을 실시한 웨이퍼의 온도 분포를 나타낸 평면도
도 4는 에피택셜 성장 장치에서 본 발명의 구성이 포함되는 영역을 구체적으로 나타낸 단면도
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치를 나타낸 도면
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 리프트 지지대를 나타낸 도면
도 7은 본 발명에 따른 에피택셜 성장 장치에서 성장된 웨이퍼의 온도 분포를 나타낸 도면
도 8은 종래와 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치에서 성장된 에피막의 두께 프로파일을 나타낸 그래프
도 9는 에피택셜 성장 장치에서 성장된 에피막의 직경(㎜)에 따른 두께 편차(㎛)를 나타낸 그래프1 is a cross-sectional view showing a general epitaxial growth apparatus
2 is a cross-sectional view showing one surface of a portion where a susceptor is placed in a conventional epitaxial reactor
Fig. 3 is a plan view showing the temperature distribution of the wafer subjected to the process in the conventional epitaxial reactor
4 is a cross-sectional view specifically showing a region in which the structure of the present invention is included in the epitaxial growth apparatus
5 is a view showing an epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a view of a lift support according to an embodiment of the present invention;
7 is a graph showing a temperature distribution of a wafer grown in an epitaxial growth apparatus according to the present invention
8 is a graph showing a thickness profile of an epitaxial layer grown in an epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention,
9 is a graph showing the thickness deviation (占 퐉) according to the diameter (mm) of the epitaxial film grown in the epitaxial growth apparatus;

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위해 생략될 수 있다.The embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to these embodiments. In describing the present invention, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted for the sake of clarity of the present invention.

본 발명의 실시예는 에피택셜 성장 장치 내부에서 웨이퍼에 에피택셜막을 성장시키는 에피택셜 성장 장치에 있어서, 서셉터 하부에 마련된 부재에 특징이 있으며 그 외의 구성은 종래와 동일하게 적용될 수 있다. 특히, 본 발명은 웨이퍼에 전달되는 열을 균일하게 제어하기 위한 것으로 상기 웨이퍼에 열을 가하는 열원이 반응 챔버의 하부에 적어도 한 개 이상 배치되어 있는 에피택셜 성장 장치인 것으로 가정한다. An embodiment of the present invention is characterized in that the epitaxial growth apparatus for growing an epitaxial film on a wafer in an epitaxial growth apparatus is characterized by a member provided under the susceptor and the other configurations are applicable as in the conventional case. In particular, it is assumed that the present invention is an epitaxial growth apparatus for uniformly controlling heat transmitted to a wafer, in which at least one heat source for applying heat to the wafer is disposed at a lower portion of the reaction chamber.

도 4는 에피택셜 성장 장치에서 본 발명의 구성이 포함되는 영역을 구체적으로 나타낸 단면도이다. 도 4를 참조하면, 서셉터(105)에는 웨이퍼(w)가 얹혀지며, 상기 서셉터는 적어도 3개의 서셉터 지지대(106)가 그 외주면을 받치고 있다. 상기 서셉터 지지대의 단부에는 서셉터와 결합하는 연결부(116)가 형성되어 서셉터의 중심이 흔들리지 않도록 한다. Fig. 4 is a cross-sectional view specifically showing a region including the constitution of the present invention in the epitaxial growth apparatus. Referring to FIG. 4, a wafer W is placed on a susceptor 105, and at least three susceptor supports 106 support the outer circumferential surface of the susceptor 105. At the end of the susceptor support, a connection portion 116 is formed to engage with the susceptor so that the center of the susceptor is not shaken.

그리고, 서셉터 지지대(106)들은 각각 복수개의 관통홀이 형성될 수 있으며, 복수개의 관통홀 중 하나에는 리프트 핀(114)이 삽입될 수 있고, 서셉터 상에 마련된 관통홀에 리프트 핀의 상부가 끼워질 수 있다. 상기 리프트 핀(114) 또한 서셉터를 안정적으로 지지하기 위하여 적어도 3개 이상 마련될 수 있다. Each of the susceptor supports 106 may have a plurality of through holes. A lift pin 114 may be inserted into one of the plurality of through holes. In the through hole formed on the susceptor, Can be inserted. At least three or more lift pins 114 may be provided to stably support the susceptor.

공정 챔버의 중심부에는 원형 기둥으로 형성되어 상기 서셉터를 지지하는 중심축 역할을 하는 메인 샤프트(117)가 마련되며, 상기 메인 샤프트의 상면에서 서셉터 지지대가 복수개가 연장 형성될 수 있다. 상기 메인 샤프트(117)의 하부는 회전구동장치와 연결되며, 에피택셜 웨이퍼를 성장시키는 공정 중에 서셉터(106)를 지지하면서 회전이 이루어지게 된다. In the center of the process chamber, a main shaft 117 formed as a circular column and serving as a center shaft for supporting the susceptor is provided, and a plurality of susceptor supports may be extended from the upper surface of the main shaft. The lower portion of the main shaft 117 is connected to the rotation driving device and is rotated while supporting the susceptor 106 during the process of growing the epitaxial wafer.

그리고, 상기 메인 샤프트 (117)의 표면을 감싸도록 중심이 관통된 형상의 리프트 샤프트(118)가 마련된다. 상기 리프트 샤프트(118)의 하부는 구동 장치와 연결되며, 메인 샤프트(117)의 표면을 따라 상하 방향으로 이동이 가능하다. 상기 리프트 샤프트(118)의 상면에는 리프트 핀의 개수와 동일한 개수로 형성되는 리프트 지지암(107)이 마련될 수 있고, 상기 리프트 지지암(107)의 상면에는 리프트 핀(114)의 하면이 접촉하기 위한 접촉부(115)가 마련될 수 있다. A lift shaft 118 having a shape penetrating the center of the main shaft 117 to cover the surface of the main shaft 117 is provided. The lower portion of the lift shaft 118 is connected to the driving device and is movable up and down along the surface of the main shaft 117. The upper surface of the lift shaft 118 may be provided with the same number of lift support arms 107 as the number of lift pins and the lower surface of the lift pin 114 may be brought into contact with the upper surface of the lift support arm 107 The contact portion 115 may be provided.

상기 리프트 샤프트(118)는 에피택셜 웨이퍼의 성장 공정이 끝난 후 서셉터로부터 웨이퍼를 분리하는 과정에서 구동되는 부재이다. 상기 리프트 샤프트(118)가 상승하게 되면 접촉부(115)에 리프트 핀(114)이 접촉하게 되고, 리프트 핀(114)이 상승함에 따라 웨이퍼(W)가 서셉터의 상부로 분리되므로, 이 때 새로운 웨이퍼로 교체가 가능하다. The lift shaft 118 is a member driven in the process of separating the wafer from the susceptor after the growth process of the epitaxial wafer is completed. When the lift shaft 118 rises, the lift pin 114 comes into contact with the contact portion 115. As the lift pin 114 rises, the wafer W is separated into the upper portion of the susceptor. Can be replaced with wafers.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치를 나타낸 도면이다. 5 is a view showing an epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.

실시예는 웨이퍼의 국부적인 온도 불균일 현상을 제어하기 위한 것으로, 특히 반응 챔버 하부에 마련된 열원에서 전달되는 열을 웨이퍼 상에 균일하게 전달되도록 하는데에 그 목적이 있다. 도 4와 같은 구조하에서는 열원에서 전달되는 열이 서셉터와 열원 사이에 배치되어 있는 구조물에 의해 차단되는 영역이 발생하게 된다. 따라서, 실시예는 웨이퍼에 전달되는 열이 웨이퍼의 동일한 직경 내에서 일정하게 제어될 수 있도록 특히 리프트 지지암의 형상을 변경하는 점에 특징이 있다. The embodiment is for controlling a local temperature non-uniformity phenomenon of a wafer, and in particular, it is intended to uniformly transfer heat transferred from a heat source provided under a reaction chamber onto a wafer. Under the structure shown in FIG. 4, a region where heat transmitted from the heat source is blocked by the structure disposed between the susceptor and the heat source is generated. Thus, the embodiment is characterized in that the heat transferred to the wafer can be constantly controlled within the same diameter of the wafer, in particular changing the shape of the lift support arm.

종래와 같이 리프트 지지암이 복수개의 암(arm)으로 이루어지는 경우에는 열원과 서셉터 사이에서 열 전달을 차단하는 소스가 되기 때문에 실시예는 리프트 샤프트(118) 상면에서 연장 형성되는 리프트 지지암을 복수개의 암으로 형성하지 않고 일체형 표면을 갖는 지지대가 되도록 형성한다. When the lift support arm is composed of a plurality of arms, the lift support arm is a source that interrupts the heat transfer between the heat source and the susceptor. Therefore, in the embodiment, a plurality of lift support arms extending from the upper surface of the lift shaft 118 It is formed so as to be a support having an integral surface without being formed by the arms.

도 5를 참조하면, 실시예의 리프트 지지대(110)는 상기 리프트 샤프트(118)의 상부 둘레에서 연장 형성되며, 상방향으로 갈수록 직경이 커지는 원통형으로 형성될 수 있다. 즉, 리프트 지지대(110)는 상부로 갈수록 직경이 커지기 때문에 수직방향에 대해 경사면이 형성되며, 실시예의 리프트 지지대는 깔때기(funnel) 형상으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the lift support 110 of the embodiment is formed to extend from the upper periphery of the lift shaft 118, and may have a cylindrical shape with a larger diameter toward the upward direction. That is, since the lift support bar 110 has a larger diameter as it goes to the upper part, an inclined surface is formed in the vertical direction, and the lift support bar of the embodiment can be formed in a funnel shape.

상기 리프트 지지대(110)의 경사면은 균일한 두께로 형성되며, 투명한 재질의 쿼츠(Quartz)로 이루어질 수 있다. The inclined surface of the lift support 110 may have a uniform thickness and may be made of a transparent quartz.

실시예의 리프트 지지대(110)의 표면은 두께가 균일하면서 하나의 표면을 갖도록 형성됨으로써, 열원에서 전달되는 열은 서셉터의 회전이 실시되는 동안 리프트 지지대(110)의 표면을 따라 동일한 양이 투과되며, 이에 웨이퍼의 동일한 직경에 해당되는 영역에는 동일한 열량이 전달될 수 있다. The surface of the lift support 110 of the embodiment is formed to have uniform thickness and one surface so that the heat transferred from the heat source is transmitted through the same amount along the surface of the lift support 110 during the rotation of the susceptor , So that the same amount of heat can be transferred to the area corresponding to the same diameter of the wafer.

또한, 실시예의 리프트 지지대(110)는 에피택셜 성장 공정이 수행되는 동안에는 일정한 위치에 고정되어 움직이지 않고, 에피택셜 성장 공정이 완료된 후에 웨이퍼의 교체시에만 구동하기 때문에 에피택셜 공정을 수행하는 도중에 열원에 의한 열투과량이 더욱 균일하게 이루어질 수 있다. In addition, since the lift support table 110 of the embodiment is fixed at a fixed position during the epitaxial growth process and does not move, it is driven only when the wafer is replaced after the epitaxial growth process is completed. Therefore, during the epitaxial process, Can be made more uniform.

에피택셜 공정의 수행 과정에서 메인 샤프트(117)의 회전에 따라 웨이퍼는 일정한 속도로 회전하므로, 열원에서 전달되는 다수개의 열의 전달 경로는 웨이퍼의 동일 직경 지점에서 동일하게 형성될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼 상의 동일한 직경에 해당되는 지점은 상기 열원에서 전달되는 열량이 동일할 수 있다.Since the wafer rotates at a constant speed in accordance with the rotation of the main shaft 117 in the process of performing the epitaxial process, the propagation paths of the plurality of heat transferred from the heat source may be formed at the same diameter point of the wafer. That is, a point corresponding to the same diameter on the wafer may have the same amount of heat transferred from the heat source.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 성장 장치를 나타낸 사시도이다. 6 is a perspective view illustrating an epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 리프트 지지대(110)의 상단부에는 리프트 샤프트(118)의 중심을 기준으로 복수개의 접촉부(115)가 서로 동일한 각도로 이격되어 형성될 수 있다. 상기 접촉부(115)는 리프트 핀(114) 하부와 접촉하여 리프트 샤프트(118)의 상승에 따라 리프트 핀을 상승시키기 위한 수단으로서 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위하여 적어도 3개 이상 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6, at the upper end of the lift support 110, a plurality of contact portions 115 may be formed at the same angle with respect to the center of the lift shaft 118. The contact portion 115 may be formed at least three or more in order to stably support the wafer as a means for raising the lift pin in contact with the lower portion of the lift pin 114 in accordance with the lift of the lift shaft 118.

도 6에 도시된 바와 같이 실시예의 리프트 지지대(110)는 리프트 샤프트(118)의 상부로부터 직경이 점점 커지는 깔대기 형상으로 이루어질 수 있다. 상기 리프트 지지대(110)의 측면은 리프트 샤프트 방향으로의 경사면이 형성되는데 상기 경사면의 각도는 리프트 핀을 향하도록 소정의 각도로 형성될 수 있으며, 리프트 지지대의 두께는 동일하게 형성될 수 있다. As shown in FIG. 6, the lift support 110 of the embodiment may be of a funnel shape increasing in diameter from the top of the lift shaft 118. The side surface of the lift supporter 110 is formed with an inclined surface in the direction of the lift shaft. The angle of the inclined surface may be formed at a predetermined angle to face the lift pin, and the thickness of the lift supporter may be the same.

상술한 바와 같은 실시예의 에피택셜 성장 장치를 적용하여 에피택셜 웨이퍼의 제조시에는 리프트 지지대에 의한 열전달이 차등적으로 일어나지 않게 되므로, 에피택셜 웨이퍼의 품질을 개선할 수 있다. 하기에서는 본 발명의 에피택셜 성장 장치를 사용시 특히 에피택셜 웨이퍼의 두께 평탄도가 개선되는 것을 실험으로서 평가하였다.The epitaxial growth apparatus of the embodiment as described above can be applied to improve the quality of the epitaxial wafer because the heat transfer by the lift support does not occur at the time of manufacturing the epitaxial wafer. In the following, it has been experimentally evaluated that the flatness of the epitaxial wafer is particularly improved when the epitaxial growth apparatus of the present invention is used.

도 7은 에피택셜 성장 장치에서 성장된 에피막의 두께맵을 나타낸 도면이다. 7 is a view showing a thickness map of an epitaxial film grown in an epitaxial growth apparatus.

도 7을 참조하면, 종래 도 3에 나타난 바와 같은 섬 모양의 색상 영역이 제거되고 동일한 온도를 나타내는 영역이 웨이퍼의 중심을 기준으로 동심원을 이루는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼의 직경 방향으로 에피막의 두께는 웨이퍼의 중심을 기준으로 대칭적으로 형성됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7, it can be seen that an island-shaped color region as shown in FIG. 3 is removed and a region showing the same temperature is concentric with the center of the wafer. Thus, it can be confirmed that the thickness of the epilayer in the radial direction of the wafer is symmetrically formed with respect to the center of the wafer.

도 8은 에피택셜 성장 장치에서 성장된 에피막의 두께 프로파일을 나타낸 그래프이다. 8 is a graph showing a thickness profile of an epitaxial film grown in an epitaxial growth apparatus.

도 8을 참조하면, 웨이퍼에 직경(㎜)에 따른 에피막의 두께(㎛)를 측정한 것으로 종래의 경우에는 특히 점선 영역과 같이 에피막의 두께가 급격히 얇아지는 구간이 발생하게 된다. 그러나 실시예의 경우에는 점선 영역에서 에피막의 두께의 증감이 거의 발생하지 않는 것을 확인할 수 있으며, 이는 에피택셜 웨이퍼의 두께 균일도가 향상된 것으로 판단할 수 있다.Referring to FIG. 8, the thickness (占 퐉) of the epilayer according to the diameter (mm) is measured on the wafer. In the conventional case, the epilayer has a thickness which becomes thinner like the dotted line. However, in the case of the embodiment, it can be confirmed that the increase or decrease in the thickness of the epilayer in the dotted line hardly occurs, and it can be judged that the uniformity of the thickness of the epitaxial wafer is improved.

도 9는 에피택셜 성장 장치에서 성장된 에피막의 직경(㎜)에 따른 두께 편차(㎛)를 나타낸 그래프이다.9 is a graph showing the thickness deviation (占 퐉) according to the diameter (mm) of the epitaxial film grown in the epitaxial growth apparatus.

도 9를 참조하면, 웨이퍼의 직경에 따른 각 지점에서의 에피막의 최대 두께와 최소 두께의 편차를 나타낸 것으로서, 종래의 경우에는 에피막 두께 편차가 0.1㎛의 범위에서 나타나지만, 실시예에서는 그 편차가 최대 0.03㎛ 이내의 범위에서 나타나므로 에피택셜 웨이퍼의 두께의 평탄도가 개선되었음을 확인할 수 있었다.Referring to FIG. 9, the maximum and minimum thickness deviations of the epitaxial film at respective points along the diameter of the wafer are shown. In the conventional case, the epitaxial film thickness deviation is in the range of 0.1 탆. It can be confirmed that the flatness of the thickness of the epitaxial wafer is improved because it appears within a range of 0.03 mu m or less.

표 1은 본 발명의 에피택셜 성장 장치로 성장된 에피택셜 웨이퍼의 유니포머티(Uniformity)와 에피막 두께 편차의 최대값을 나타낸 것이다.Table 1 shows the maximum value of the uniformity and the epi-film thickness deviation of the epitaxial wafer grown by the epitaxial growth apparatus of the present invention.

종래Conventional 실시예Example Uniformity(%)Uniformity (%) 1.331.33 0.370.37 Peak-Valley(㎛)Peak-Valley (占 퐉) 0.1040.104 0.0280.028

유니포머티(Uniformity(%))는 에피막의 최대 두께(Epimax)와 에피막의 최소 두께(Epimin)에 관련된 것으로, (Epimax-Epimin)/ (Epimax+Epimin)와 같이 나타내어진다. 즉, 유니포머티가 작을수록 에피택셜 웨이퍼의 평탄도가 높은 것으로 판단할 수 있다. 에피택셜 웨이퍼의 직경 방향을 따라서 33 포인트의 유니포미티를 측정해본 결과 종래의 경우에는 1.33이 나타났으나 실시예는 이 값이 0.37로 감소하였다.Uniformity (%) is related to the maximum thickness (Epi max ) of the epidermis and the minimum thickness (Epi min ) of the epidermis and is expressed as (Epi max -Epi min ) / (Epi max + Epi min ) . That is, the smaller the unity, the higher the flatness of the epitaxial wafer can be judged. The uniformity of 33 points along the radial direction of the epitaxial wafer was measured to be 1.33 in the conventional case, but this value decreased to 0.37 in the embodiment.

또한, 에피막의 최대 두께(peak)와 최소 두께(valley)를 감산하면 최대 편차가 도출되는데, 종래의 경우 0.104㎛로 측정되었으나, 실시예는 이 값이 0.028㎛로 감소하였다. 즉, 도 9와 표 1의 결과를 토대로 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 성장 장치를 적용하여 제조되는 에피택셜 웨이퍼의 두께 평탄도를 현저히 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다.In addition, the maximum deviation is obtained by subtracting the maximum peak and the minimum valley of the epilayer. In the conventional case, 0.104 탆 was measured, but in this example, this value was reduced to 0.028 탆. That is, it can be confirmed that the flatness of the thickness of the epitaxial wafer manufactured by applying the epitaxial wafer growing apparatus according to the embodiment can be remarkably improved based on the results shown in FIG. 9 and Table 1. [

따라서, 본 발명의 실시예와 같이 구성된 리프트 샤프트(118)가 포함되는 에피택셜 성장 장치는 웨이퍼가 안착되는 서셉터의 하부에 위치한 열원에서 전달되는 열량이 웨이퍼의 직경방향으로 동일하도록 변경되므로, 웨이퍼 표면의 국부적인 온도 편차를 제어할 수 있고 이에 에피택셜 웨이퍼의 두께를 평탄하도록 제어할 수 있다. Therefore, the epitaxial growth apparatus including the lift shaft 118 configured as the embodiment of the present invention is changed so that the amount of heat transferred from the heat source located at the lower portion of the susceptor on which the wafer is placed is the same in the radial direction of the wafer, The local temperature deviation of the surface can be controlled and the thickness of the epitaxial wafer can be controlled to be flat.

또한, 에피택셜 웨이퍼 공정을 실시함에 있어서 추가적인 공정 조건을 변경하지 않고도 웨이퍼의 국부적인 온도 불균일 현상을 제어할 수 있고, 특히 웨이퍼의 중심부에 해당하는 영역의 두께 평탄도를 개선하여 에피택셜 웨이퍼의 품질 및 수율을 향상시킬 수 있다. Further, in carrying out the epitaxial wafer process, it is possible to control the local temperature non-uniformity phenomenon of the wafer without changing the additional process conditions, and in particular, to improve the flatness of the thickness of the region corresponding to the central portion of the wafer, And the yield can be improved.

이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications other than those described above are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments of the present invention can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

105: 서셉터
106: 서셉터 지지대
110: 리프트 지지대
114: 리프트 핀
115: 접촉부
116: 연결부
117: 메인 샤프트
118: 리프트 샤프트105: susceptor
106: susceptor support
110: Lift support
114: Lift pin
115:
116:
117: Main shaft
118: Lift shaft

Claims (7)

반응 챔버 내부에 서셉터를 배치하고, 서셉터 상에 올려진 웨이퍼에 소스 가스를 반응시켜 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 장치로서,
상기 반응 챔버 하부에 배치되며 상기 반응 챔버 내부 및 웨이퍼를 가열시키는 열원;
상기 서셉터를 수직방향으로 지지하는 메인 샤프트;
상기 메인 샤프트 상에서 복수개의 암으로 연장되어 서셉터의 외주부를 지지하는 서셉터 지지대;
상기 메인 샤프트를 감싸며 웨이퍼의 교체시 상하 방향으로 이동되는 리프트 샤프트; 및
상기 리프트 샤프트의 상부 둘레에서 연장되며, 상방향으로 갈수록 직경이 커지는 원통형으로 형성된 리프트 지지대를 포함하는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.An apparatus for manufacturing an epitaxial wafer by disposing a susceptor in a reaction chamber and reacting a source gas on a wafer placed on the susceptor,
A heat source disposed under the reaction chamber and heating the inside of the reaction chamber and the wafer;
A main shaft supporting the susceptor in a vertical direction;
A susceptor support extending from the main shaft to a plurality of arms to support an outer periphery of the susceptor;
A lift shaft that covers the main shaft and moves up and down when a wafer is replaced; And
And a lift supporter extending from an upper periphery of the lift shaft and formed in a cylindrical shape having a larger diameter in an upward direction. 제 1항에 있어서,
상기 웨이퍼 상의 동일한 직경에 해당되는 지점은 상기 열원에서 전달되는 열량이 동일한 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method according to claim 1,
Wherein a point corresponding to the same diameter on the wafer has the same amount of heat transferred from the heat source. 제 1항에 있어서,
상기 리프트 지지대는 상기 리프트 샤프트와 일체형으로 형성되는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lift support is integrally formed with the lift shaft. 제 3항에 있어서,
상기 리프트 지지대의 표면은 동일한 두께로 형성되는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method of claim 3,
Wherein the surface of the lift support is formed to have the same thickness. 제 1항에 있어서,
상기 리프트 지지대는 투명 쿼츠(quartz)로 이루어지는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method according to claim 1,
Wherein the lift support is made of transparent quartz. 제 1항에 있어서,
상기 서셉터 지지대에는 상기 웨이퍼를 상하 이동시키는 리프트 핀이 삽입되기 위한 관통홀이 형성되는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method according to claim 1,
Wherein the susceptor support base is provided with a through hole for inserting a lift pin for vertically moving the wafer. 제 6항에 있어서,
상기 리프트 지지대의 상면에는 상기 리프트 샤프트가 상승시 상기 리프트 핀과 접촉하여 상기 리프트 핀을 상승시키는 접촉부가 마련되는 에피택셜 웨이퍼 성장 장치.The method according to claim 6,
And a contact portion for raising the lift pin is provided on the upper surface of the lift supporter in contact with the lift pin when the lift shaft rises.
KR1020160002778A 2016-01-08 2016-01-08 Apparatus for Growing Epitaxial Wafer KR20170083383A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160002778A KR20170083383A (en) 2016-01-08 2016-01-08 Apparatus for Growing Epitaxial Wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160002778A KR20170083383A (en) 2016-01-08 2016-01-08 Apparatus for Growing Epitaxial Wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20170083383A true KR20170083383A (en) 2017-07-18

Family

ID=59430727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160002778A KR20170083383A (en) 2016-01-08 2016-01-08 Apparatus for Growing Epitaxial Wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20170083383A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111304740A (en) * 2018-12-11 2020-06-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 Epitaxial growth device and manufacturing method thereof
KR20220082877A (en) * 2019-12-19 2022-06-17 가부시키가이샤 사무코 Vapor growth apparatus and vapor phase growth method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111304740A (en) * 2018-12-11 2020-06-19 西安奕斯伟硅片技术有限公司 Epitaxial growth device and manufacturing method thereof
KR20220082877A (en) * 2019-12-19 2022-06-17 가부시키가이샤 사무코 Vapor growth apparatus and vapor phase growth method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101608947B1 (en) Semiconductor substrate support susceptor for vapor-phase epitaxy, epitaxial wafer manufacturing device, and epitaxial wafer manufacturing method
JP6169809B2 (en) Epitaxial wafer growth system
US7615116B2 (en) Method for producing silicon epitaxial wafer and silicon epitaxial wafer
US9638376B2 (en) Susceptor
KR101405299B1 (en) Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same
WO2007091638A1 (en) Susceptor and apparatus for manufacturing epitaxial wafer
US10513797B2 (en) Manufacturing method of epitaxial silicon wafer
WO2016117839A1 (en) Method of preparing for re-operation of reactor for growing epitaxial wafer
TWI851023B (en) Method and apparatus for back-sealing silicon wafers
KR20100093563A (en) Epitaxial growth method
KR20170083383A (en) Apparatus for Growing Epitaxial Wafer
JP2007273623A (en) Method and device for manufacturing epitaxial wafer
US10036091B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
KR20160020373A (en) Apparatus for Growing Epitaxial Wafer
KR101411385B1 (en) Substrate supporting plate and apparatus for depositing thin film having the same
JP5811355B2 (en) Epitaxial wafer manufacturing apparatus and epitaxial wafer manufacturing method using the same
JP2015506588A (en) Susceptor
KR102195649B1 (en) Apparatus for Growing Epitaxial Wafer
KR101339580B1 (en) Manufacturing method for epitaxial soi wafer manufacturing apparatus
CN113223993A (en) Susceptor with sidewall humps for uniform deposition
KR20180014414A (en) Susceptor
KR101183616B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102693737B1 (en) Upper dome for epi chamber
CN216786305U (en) Base supporting part and epitaxial equipment comprising same
CN116463607A (en) Airflow adjusting structure of epitaxial growth equipment and epitaxial layer growth method