KR20170068064A - An etching method for substarate and a secondary battery comprising substrate ethched by the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극의 식각 방법, 상기 방법으로 식각된 전극을 포함하는 이차 전지 및 이의 제조 방법에 대한 것으로, 본 발명에 따르면 레이저 어블레이션 공정의 속도를 경제적으로 증가시켜 전극을 효과적으로 식각시킬 수 있고, 전지 형상의 자유도를 높일 수 있으며 에너지를 집속시켜 선택적으로 상부층을 제거할 수 있어서 고품질의 이차전지를 경제적으로 제공할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a method of etching an electrode, a secondary battery including the electrode etched by the above method, and a method of manufacturing the same, and the present invention can economically increase the speed of the laser ablation process, The degree of freedom of the shape of the battery can be increased and the energy can be concentrated and the upper layer can be selectively removed, thereby providing a high-quality secondary battery economically.
Description
본 발명은 전극의 식각 방법, 상기 전극의 식각 방법에 의해 전극을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전지의 제조 방법 및 상기 식각 방법으로 식각된 전극을 포함하는 이차 전지에 대한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a secondary battery, which comprises etching an electrode by an electrode etching method, and etching the electrode by the etching method of the electrode, and a secondary battery including the electrode etched by the etching method.
모바일 기기에 대한 기술 개발과 수요가 증가함에 따라 에너지원으로서의 이차전지의 수요가 급격히 증가하고 있고, 그에 따라 다양한 요구에 부응할 수 있는 이차전지에 대한 많은 연구가 행해지고 있다.2. Description of the Related Art As technology development and demand for mobile devices have increased, the demand for secondary batteries as energy sources has been rapidly increasing, and a lot of research has been conducted on secondary batteries that can meet various demands.
이러한 이차전지는 전극조립체가 전해액과 함께 전지케이스에 내장되는 형태로 제조된다. 상기 전극조립체는 제조 방법에 따라 스택형, 폴딩형, 스택-폴딩형 등으로 구분된다. 스택형 또는 스택-폴딩형 전극조립체의 경우, 단위 조립체가 양극과 음극이 분리막을 사이에 두고 순차적으로 적층되는 구조로 이루어져 있다. 이러한 전극 조립체를 만들기 위해서는 전극 탭이 형성된 양극과 음극을 먼저 제조하는 것이 필요하다.Such a secondary battery is manufactured such that the electrode assembly is embedded in the battery case together with the electrolyte solution. The electrode assembly may be classified into a stack type, a folding type, and a stack-folding type according to a manufacturing method. In the case of the stacked or stacked-folded electrode assembly, the unit assembly has a structure in which an anode and a cathode are sequentially stacked with a separator interposed therebetween. To fabricate such an electrode assembly, it is necessary to first fabricate a positive electrode and a negative electrode having electrode tabs.
즉, 전극 탭이 형성된 단위 전극을 제조하기 위해서는 먼저 일면 또는 양면에 전극 활물질이 도포되어 있는 연속적인 전극 시트에 전극 탭을 형성하는 노칭 과정이 필요하다. 상기 노칭 과정은 일반적으로 다이 상에 전극 시트를 위치시키고, 프레스를 사용하여 전극 시트의 일부를 타발하는 공정에 의해 수행하는 것이 일반적이다.That is, in order to manufacture a unit electrode having an electrode tab, a notching process is required to form an electrode tab on a continuous electrode sheet coated with an electrode active material on one or both surfaces. The notching process is generally performed by a process of placing an electrode sheet on a die and pressing a part of the electrode sheet using a press.
한편, 본 발명자들은 상기와 같이 노칭 과정을 수행할 경우 전극 탭이 형성된 전극의 형상이 제한되어 전지 형상의 자유도가 낮아지는 문제점을 인식하였으며 이에 예의 검토한 결과 이차 전지의 제조에 레이저 어블레이션 공정을 도입함으로써 전지 형상의 자유도를 높일 수 있음을 발견하였다. 또한 이러한 레이저 어블레이션 공정을 이차 전지의 제조에 도입할 경우 레이저의 파워 증가에는 한계가 있어 공정 속도를 높이는데 어려움이 있음을 발견하고 공정 속도를 경제적으로 향상시킬 수 있는 방법을 검토하여, 고품질의 이차 전지를 경제적으로 제공할 수 있는 본원 발명을 발명하게 되었다. On the other hand, the inventors of the present invention have recognized that when the notching process is performed as described above, the shape of the electrode having the electrode tab is limited and the degree of freedom of the battery shape is lowered. The degree of freedom of the battery shape can be increased. In addition, when such a laser ablation process is introduced into the manufacture of a secondary battery, there is a limit to increase the power of the laser, and it is found that it is difficult to increase the process speed, and by examining a method of economically improving the process speed, The inventors invented the present invention which can economically provide the secondary battery.
즉, 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, That is, an object of the present invention is to solve the above problems of the prior art,
전극의 식각 시 레이저 어블레이션 공정을 도입하여 전지 형상의 자유도를 높이고, 레이저와 함께 열풍기를 사용하여 에너지를 전달함으로써 레이저를 통해 전달해야 하는 에너지의 양을 감소시켜 경제적으로 레이저 어블레이션의 공정 속도를 증가시킬 수 있는 전극의 식각 방법을 제공하는 것이다.In the etching of the electrode, the laser ablation process is introduced to increase the degree of freedom of the shape of the cell, and energy is transferred by using a hot air fan together with the laser, thereby reducing the amount of energy to be transferred through the laser, And a method of etching an electrode.
또 본 발명의 목적은 상기 전극의 식각 방법으로 식각된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전지를 제공하는 것이다. It is another object of the present invention to provide a secondary battery comprising an electrode etched by the method of etching the electrode.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 In order to solve the above problems,
전극 표면에 형성된 활물질 막의 일부를 레이저 조사에 의해 제거하는 레이저 어블레이션 공정에 의한 전극의 식각 방법으로서,A method of etching an electrode by a laser ablation process in which a part of an active material film formed on an electrode surface is removed by laser irradiation,
상기 식각 전에 전극을 가열하는 단계를 포함하는 전극의 식각 방법을 제공한다.And heating the electrode before the etching.
또 본 발명은 상기 전극의 식각 방법에 의해 전극을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전지의 제조 방법을 제공한다. The present invention also provides a method of manufacturing a secondary battery, which comprises etching the electrode by an etching method of the electrode.
또한 본 발명은 상기 전극의 식각 방법으로 식각된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전지를 제공한다. The present invention also provides a secondary battery comprising an electrode etched by the method of etching the electrode.
본 발명에 따르면 전지 형상의 자유도를 높일 수 있으며, 레이저 어블레이션 공정의 속도를 경제적으로 증가시켜 전극을 효과적으로 식각시킬 수 있고, 에너지를 집속시켜 선택적으로 상부층을 제거할 수 있어서 고품질의 이차전지를 경제적으로 제공할 수 있는 효과가 있다. According to the present invention, it is possible to increase the degree of freedom of the shape of the battery, economically increase the speed of the laser ablation process, effectively etch the electrode, focus the energy and selectively remove the upper layer, As shown in FIG.
도 1은 실시예 1에 따라 전극을 식각한 결과를 나타낸 사진이다.
도 2는 도 1을 확대한 사진이다.
도 3은 비교예 1에 따라 전극을 식각한 결과를 나타낸 사진이다.
도 4는 도 3을 확대한 사진이다.
도 5는 실시예 2에 따라 전극을 식각한 결과를 나타낸 사진이다.
도 6은 도 5를 확대한 사진이다.
도 7은 비교예 2에 따라 전극을 식각한 결과를 나타낸 사진이다.
도 8은 도 7을 확대한 사진이다.
도 9는 본원 발명 실시예 1 내지 4의 레이저 어블레이션 공정을 간략히 나타낸 모식도이다.
도 10은 본원 발명 비교예 1 및 2의 금속 노칭 공정을 간략히 나타낸 모식도이다. 1 is a photograph showing the result of etching an electrode according to Example 1. Fig.
Fig. 2 is an enlarged photograph of Fig.
Fig. 3 is a photograph showing the result of etching the electrode according to Comparative Example 1. Fig.
Fig. 4 is an enlarged photograph of Fig.
5 is a photograph showing the result of etching the electrode according to the second embodiment.
Fig. 6 is an enlarged photograph of Fig.
7 is a photograph showing the result of etching the electrode according to Comparative Example 2. Fig.
Fig. 8 is an enlarged photograph of Fig.
9 is a schematic view briefly showing the laser ablation process of the first to fourth embodiments of the present invention.
10 is a schematic view briefly showing the metal notching process of Comparative Examples 1 and 2 of the present invention.
본 발명은, According to the present invention,
전극 표면에 형성된 활물질 막의 일부를 레이저 조사에 의해 제거하는 레이저 어블레이션 공정에 의한 전극의 식각 방법으로서,A method of etching an electrode by a laser ablation process in which a part of an active material film formed on an electrode surface is removed by laser irradiation,
상기 식각 전에 전극을 가열하는 단계를 포함하는 전극의 식각 방법에 대한 것이다.And heating the electrode before the etching.
본 명세서에서 상기 "전극"은 특별히 제한되지는 않지만, 바람직하게는 전해질 배터리 전극 컴포넌트일 수 있다. The "electrode" in this specification is not particularly limited, but may preferably be an electrolyte battery electrode component.
본 명세서에서 "레이저 어블레이션 공정”이란, 전극 기판 위에 이차원적으로 형성된 막의 일부 영역을 레이저를 조사함으로써 제거하는 방법을 의미한다. In the present specification, the term " laser ablation process " means a method of removing a part of a film formed two-dimensionally on an electrode substrate by irradiating a laser.
본 발명에서 레이저 어블레이션 공정에 의해 전극을 식각하는 것은 전지 형상의 자유도를 높이기 위함이다. 종래에 제공되는 탭을 갖는 전극 조립체는 천편일률적인 형상으로서, 이러한 이차 전지를 사용하는 디바이스의 부품 설계 역시 이차전지의 형상을 고려해야 하는 등 제약이 많았다. 그러나, 본 발명에 의해 제공되는 전극의 식각 방법에 의해, 전지의 형상 자유도를 향상시킬 수 있음은 물론, 전극 조립체의 형상에 따른 제한 없이 디바이스의 설계를 보다 다양하게 할 수 있어 바람직하다.The etching of the electrode by the laser ablation process in the present invention is intended to increase the degree of freedom of the shape of the battery. Conventionally provided electrode assemblies with tabs have a uniform shape, and the design of parts of devices using such secondary batteries has also been limited, for example, in consideration of the shape of the secondary battery. However, by the etching method of the electrode provided by the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of shape of the battery, and it is possible to design the device more variously without depending on the shape of the electrode assembly.
즉, 전극 식각 시 레이저 어블레이션 공정을 적용하면, 전극 활물질 식각 부분에 탭이 위치하도록 커팅이 가능하여 탭부의 형상을 원하는 형상대로 얻을 수 있다. 예를 들어, 전극 내부에 탭이 있는 구조, 탭부보다 높은 전극, 직사각형 이외의 탭 형상 등을 얻을 수 있으나 이에 한정되지 않는다. That is, when the laser ablation process is applied during the electrode etching, the tab can be cut so that the electrode active material is etched so that the shape of the tab can be obtained in a desired shape. For example, a structure having a tab inside the electrode, an electrode higher than the tab, and a tab shape other than a rectangular shape can be obtained, but the present invention is not limited thereto.
본 발명에서 상기 식각 전에 전극을 가열하는 단계를 포함하는 것은, 전극을 가열하여 레이저와 함께 에너지를 전달함으로써 레이저를 통해 전달해야 하는 에너지의 양을 감소시켜 경제적으로 공정 속도를 증가시킬 수 있기 때문이다.The reason for including the step of heating the electrode before the etching in the present invention is to heat the electrode and transfer the energy with the laser, thereby reducing the amount of energy to be transferred through the laser, thereby increasing the process speed economically .
상기 레이저의 펄스 에너지와 피크 파워 등에 의해 식각 속도가 결정되는데 레이저의 파워 증가에는 한계가 있어 공정 속도를 높이는데 어려움이 있었고, 레이저 어블레이션의 공정 속도를 높이기 위하여 광학계의 스캐너를 복수 개로 사용하는 방법 등을 검토하였으나 그 비용 면에서 불리한 단점이 있었으며, 본 발명은 이러한 단점을 해결한 것이다. The etch rate is determined by the pulse energy and the peak power of the laser. However, there is a limit to increase the power of the laser, which makes it difficult to increase the processing speed. In order to increase the laser ablation process speed, a method of using a plurality of scanners of the optical system However, the method has disadvantages in terms of cost, and the present invention solves such disadvantages.
본 발명의 일 실시예에 있어서,In one embodiment of the present invention,
상기 활물질 막은 양극 활물질 막 또는 음극 활물질 막일 수 있다. The active material layer may be a positive active material layer or a negative active material layer.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서, In another embodiment of the present invention,
상기 양극 활물질 막은 전기 화학적 반응을 일으킬 수 있는 물질로서 리튬 함유 금속 산화물 또는 황 화합물일 수 있고, The cathode active material film may be a lithium-containing metal oxide or a sulfur compound as a substance capable of causing an electrochemical reaction,
특히 리튬 함유 금속 산화물로는 LiCoO2, LiMnxO2x(x=1 또는 2임), LiFePO4, LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2 및 LiNi1 - xCoxMyO2 (x=0~0.2이고, M=Mg, Ca, Sr, Ba 및 La로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, y=0.001~0.02임)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. Particularly, lithium-containing metal oxides include LiCoO 2 , LiMn x O 2x (x = 1 or 2), LiFePO 4 , LiNi 1/3 Co 1/3 Mn 1/3 O 2, and LiNi 1 - x Co x M y O 2 at least one element selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba and La, and y = 0.001 to 0.02) But is not limited thereto.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,In another embodiment of the present invention,
상기 음극 활물질 막은 그래파이트, 실리콘계 화합물, 게르마늄 함유 물질 및 주석 함유 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The negative electrode active material layer is preferably composed of at least one selected from the group consisting of graphite, a silicon compound, a germanium-containing material, and a tin-containing material, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서,In another embodiment of the present invention,
상기 가열하는 단계는 열풍기(heat gun), 고주파(RF) 유도기, 유도 적외선(IR) 램프 및 핫 플레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상에 의해 수행할 수 있으며, 열풍기에 의해 수행하는 것이 경제성 및 장비 설치의 유용성 때문에 바람직하나 동일한 효과를 달성할 수 있는 열 조사 수단이면 그 종류에 한정이 없다. The heating may be performed by at least one selected from the group consisting of a heat gun, a RF induction unit, an induction infrared (IR) lamp, and a hot plate. It is desirable because of the availability of equipment installation, but there is no limitation to the kind of heat irradiation means that can achieve the same effect.
본 발명의 일 실시예에 있어서, In one embodiment of the present invention,
상기 레이저는 펄스 레이저일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The laser may be a pulsed laser, but is not limited thereto.
이하에서 레이저 어블레이션 공정에 사용하는 장치 및 공정 조건에 대해 상세하게 설명한다. Hereinafter, the apparatus and process conditions used in the laser ablation process will be described in detail.
상기 레이저 어블레이션 공정에 사용하는 장치는 레이저 빔을 방출하는 레이저 발진기, 상기 레이저 발진기로부터 방출된 레이저 빔을 집속하여 전극에 조사하는 집속 렌즈를 구비한다. 집속 렌즈를 통과한 레이저 빔은 그 초점 스팟이 전극의 표면에 닿는 것이 바람직하다. 여기서 초점 스팟이란 후술할 초점 심도 내의 레이저 빔을 지칭한다. The apparatus used in the laser ablation process includes a laser oscillator for emitting a laser beam, and a focusing lens for focusing the laser beam emitted from the laser oscillator and irradiating the laser beam onto the electrode. It is preferable that the focal spot of the laser beam passing through the focusing lens touches the surface of the electrode. Here, the focus spot refers to a laser beam within a focus depth described later.
상기 초점 심도는, 집속된 레이저 스팟의 최소 반지름이 Wo, 집속 렌즈의 초점 거리가 f일 때, 집속된 레이저 스팟의 반지름이 Wo인 두 지점 사이의 거리를 의미한다. 초점 심도 내의 레이저 빔인 초점 스팟 내에 전극이 위치해야 충분한 레이저 어블레이션이 수행되며, 초점 스팟을 벗어나게 되면 레이저 빔의 에너지량이 현저하게 하락하기 때문에 레이저 어블레이션 공정이 불완전하게 수행된다. The depth of focus means the distance between two points where the radius of the focused laser spot is Wo when the minimum radius of the focused laser spot is Wo and the focusing distance of the focusing lens is f. Sufficient laser ablation is performed so that the electrode is positioned within the focus spot, which is the laser beam within the depth of focus, and the laser ablation process is incompletely performed because the amount of energy of the laser beam significantly drops when the focus spot is deviated.
상기 초점 스팟의 크기(Wo)는 하기 식 1로 나타낼 수 있다. The size Wo of the focus spot can be expressed by the following equation (1).
[식 1][Formula 1]
상기 식 1에서, λ는 레이저의 파장이고, M2은 빔 모드 파라미터(Beam Mode Parameter)라는 변수로서 레이저의 품질을 나타내고, f는 집속 렌즈의 초점 거리이며, D는 집속 렌즈에 유입되는 레이저 빔의 광폭이다.In the formula 1, λ is the laser wavelength, M 2 denotes a laser-quality as a variable called beam mode parameter (Beam Mode Parameter), f is the focal length of the focusing lens, D is the laser beam entering the condenser lens .
초점 심도는 하기 식 2로 나타낼 수 있으며, 하기 식 2에서 L은 초점 심도를 의미한다. The depth of focus can be expressed by the following equation (2), where L denotes the depth of focus.
[식 2][Formula 2]
상기 식 1 및 2의 관계로부터, 하기 식 3이 도출된다.From the relations of the above-mentioned expressions 1 and 2, the following expression 3 is derived.
[식 3][Formula 3]
초점 스팟의 크기(Wo)가 작으면 레이저 빔의 에너지가 좁은 구역에 집중되어 레이저 어블레이션 공정 수행이 용이하며, 초점 심도가 길면 전극의 레이저 빔에 대한 위치가 변하거나 전극의 표면이 고르지 않더라도 항상 원활하게 레이저 어블레이션이 가능하기 때문에, 이상적으로는 초점 스팟의 크기(Wo)가 작고 동시에 초점 심도는 긴 것이 좋다.If the size Wo of the focus spot is small, the energy of the laser beam is concentrated in a narrow region to facilitate the laser ablation process. If the depth of focus is long, the position of the electrode with respect to the laser beam changes, Ideally, the size Wo of the focus spot is small and the depth of focus is long, because laser ablation can be performed smoothly.
그러나, 상기 식 3을 참조하면, 초점 심도는 레이저 스팟의 크기와 비례한다.However, referring to Equation 3, the depth of focus is proportional to the size of the laser spot.
따라서, 만약 초점 스팟의 크기가 작다면 레이저 빔의 단위 면적당 에너지 밀도는 높일 수 있으나, 초점심도도 이와 함께 짧아지기 때문에 커팅 대상물의 레이저 빔에 대한 위치가 변하거나 커팅 대상물의 표면이 고르지 않은 경우에는 커팅 대상물이 원활하게 커팅되지 않게 된다.Therefore, if the size of the focal spot is small, the energy density per unit area of the laser beam can be increased. However, since the focal depth is also reduced together with the laser spot, the position of the cutting object with respect to the laser beam is changed or the surface of the cutting object is uneven The cutting object is not cut smoothly.
반대로, 초점 심도가 길다면 레이저 어블레이션 공정 대상인 전극의 레이저 빔에 대한 위치가 변하거나 전극의 표면이 고르지 않은 경우에 덜 민감하게 되므로, 전극이나 초점의 위치 등을 설정하는 작업은 용이하게 되나, 초점 스팟의 크기도 초점 심도와 함께 커지기 때문에 레이저 빔의 단위 면적당 에너지 밀도가 레이저 어블레이션 공정을 수행할 수 있는 수준보다 낮아지게 되는 문제가 있다.On the contrary, if the depth of focus is long, it becomes less sensitive when the position of the electrode to be laser ablation process is changed with respect to the laser beam or when the surface of the electrode is uneven, so that it is easy to set the position of the electrode or the focus, There is a problem that the energy density per unit area of the laser beam becomes lower than a level at which the laser ablation process can be performed because the spot size also increases with the depth of focus.
이와 같이, 초점 심도가 매우 길고, 이와 동시에 초점 스팟의 크기를 매우 작게 하는 것이 불가능하기 때문에, 전극의 레이저 어블레이션 공정에 있어서도 초점 심도와 초점 스팟의 크기 간의 균형을 맞추는 것이 매우 중요하다. 또한, 레이저를 이용하여 전극을 어블레이션하는 데에 있어서, 어떤 변수가 중요 변수인지를 파악하는 것이 필요하다.Thus, it is very important to balance the depth of focus and the size of the focus spot in the laser ablation process of the electrode, since it is impossible to make the depth of focus very long and at the same time make the size of the focus spot very small. It is also necessary to grasp what variables are important variables in ablation of the electrodes using a laser.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서,In another embodiment of the present invention,
상기 레이저의 집속 렌즈의 초점 거리는 100 mm 내지 300 mm일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The focal length of the converging lens of the laser may be 100 mm to 300 mm, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서, In another embodiment of the present invention,
상기 레이저의 펄스 폭(pulse width)은 1 ns 내지 300 ns 인 것이 바람직하고, 5 ns 내지 30 ns 인 것이 보다 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The pulse width of the laser is preferably from 1 ns to 300 ns, more preferably from 5 ns to 30 ns, but is not limited thereto.
상기 레이저 펄스 폭의 크기가 상기 수치범위보다 크면 전극에 대한 레이저의 열 전달 시간이 길어 주변부에 대한 열영향이 크고, 상기 수치범위보다 작으면 충분한 에너지 전달이 이루어지지 않아 식각 효율이 저하되기 때문에 상기 수치 범위 내인 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. If the size of the laser pulse width is larger than the numerical range, the heat transfer time of the laser to the electrode is long and the thermal effect on the periphery is large. If the laser pulse width is smaller than the numerical range, sufficient energy transfer is not performed, But it is not limited thereto.
본 발명의 일 실시예에 있어서,In one embodiment of the present invention,
M2은 빔 모드 파라미터(Beam mode parameter)라는 변수로서 레이저의 품질을 나타내는데, 이론값은 1이며 실제로는 약 1.3의 값을 갖는다. 본 발명에서 사용하는 레이저의 M2 값은 1에 가까울수록 좋으나 레이저의 출력 및 발진 방식에 따라 달라질 수 있다. M2 값이 2 이상이 될 경우에 초점 스폿의 사이즈를 작게 만들기 위해서는 초점 심도가 커지기 때문에 1.0 내지 2.0의 값을 갖는 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다.M 2 is a variable called a beam mode parameter, which indicates the quality of the laser, with a theoretical value of 1 and a value of about 1.3. The M 2 value of the laser used in the present invention is preferably as close as 1, but may be varied depending on the laser output and oscillation method. In order to reduce the size of the focal spot when the M 2 value is 2 or more, the depth of focus becomes large, so that it is preferable to have a value of 1.0 to 2.0, but the present invention is not limited thereto.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서, In another embodiment of the present invention,
상기 레이저의 진동수는 20 kHz 내지 1000 kHz 인 것이 바람직하고, 70 kHz 내지 500 kHz 인 것이 보다 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The frequency of the laser is preferably 20 kHz to 1000 kHz, more preferably 70 kHz to 500 kHz, but is not limited thereto.
레이저 빔 사이의 중첩률에 의하여, 상기 레이저의 진동수가 상기 수치범위보다 크면 빔 사이의 간격이 좁아 레이저에 의한 열 영향이 큰 단점이 있으며, 상기 수치범위보다 작으면 빔 사이의 간격이 너무 넓어 빔의 영향이 적은 부분이 존재하고 그에 따라 활물질 알갱이가 제거되지 않기 때문에 상기 레이저의 진동수가 상기 수치범위 내인 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. If the frequency of the laser is larger than the numerical range, there is a disadvantage in that the interval between the beams is narrow and the thermal effect by the laser is large. Due to the superposition ratio between the laser beams, And the active material grains are not removed. Therefore, the frequency of the laser is preferably within the above range, but is not limited thereto.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 있어서, In another embodiment of the present invention,
상기 레이저의 속도는 0.5 m/s 내지 5 m/s 인 것이 바람직하고, 3 m/s 내지 5 m/s 인 것이 보다 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The speed of the laser is preferably 0.5 m / s to 5 m / s, more preferably 3 m / s to 5 m / s, but is not limited thereto.
본 발명의 일 실시예에 있어서, In one embodiment of the present invention,
상기 레이저 스팟의 크기는 18 ㎛ 내지 86 ㎛ 인 것이 바람직하고, 25 ㎛ 내지 60 ㎛인 것이 보다 바람직하나 이에 한정되지 않는다.The size of the laser spot is preferably 18 탆 to 86 탆, more preferably 25 탆 to 60 탆, but is not limited thereto.
상기 레이저 스팟의 크기는 레이저 어블레이션 가공 시 전극 표면에서 가공 결과에 크게 영향을 미치며, The size of the laser spot greatly affects the machining result on the electrode surface during laser ablation,
상기 레이저 스팟의 크기가 상기 수치범위보다 크면 레이저의 에너지 강도가 너무 낮아 충분한 식각이 이루어지지 않으며, 상기 수치범위보다 작으면 식각 효율이 저하되기 때문에 상기 수치 범위 내인 것이 바람직하다. If the size of the laser spot is larger than the numerical range, the energy intensity of the laser is too low to perform sufficient etching. If the laser spot is smaller than the numerical range, the etching efficiency is lowered.
본 발명의 다른 일 실시예에 있어서, In another embodiment of the present invention,
상기 레이저 펄스 에너지의 크기는 0.1 μJ 내지 1000 μJ 인 것이 바람직하나 이에 한정되지 않는다. The size of the laser pulse energy is preferably from 0.1 μJ to 1000 μJ, but is not limited thereto.
상기 레이저 펄스 에너지의 크기는 본원 발명의 레이저 어블레이션 가공 시 전극 표면에서의 가공 결과에 크게 영향을 미치며, 상기 레이저의 펄스 에너지의 크기가 1000 μJ 를 초과하면 활물질 뿐 아니라 활물질 하부의 전극도 식각하여 활물질의 선택적 식각이 어려우며, 상기 레이저의 펄스 에너지의 크기가 0.1 μJ 미만이면 충분한 식각이 이루어지지 않아 식각 효율이 저하되기 때문에 상기 수치 범위 내인 것이 바람직하다. When the pulse energy of the laser exceeds 1000 μJ, not only the active material but also the electrode under the active material is also etched by the laser ablation process of the present invention. It is difficult to selectively etch the active material, and if the pulse energy of the laser is less than 0.1 μJ, sufficient etching is not performed and the etching efficiency is lowered.
또 본 발명은 상기 식각 방법에 의해 전극을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이차 전지의 제조 방법에 대한 것이다. The present invention also relates to a method of manufacturing a secondary battery, which comprises etching the electrode by the etching method.
또한 본 발명은 상기 식각 방법으로 식각된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차 전지에 대한 것이다. The present invention also relates to a secondary battery comprising the electrode etched by the etching method.
이하 본 발명을 비한정적인 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명한다. 하기에 개시되는 본 발명의 실시 형태는 어디까지 예시로써, 본 발명의 범위는 이들의 실시 형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 범위는 특허청구범위에 표시되었고, 더욱이 특허 청구범위 기록과 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경을 함유하고 있다. 또한, 이하의 실시예, 비교예에서 함유량을 나타내는 "%" 및 "부"는 특별히 언급하지 않는 한 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of non-limiting examples. The embodiments of the present invention described below are by way of example only and the scope of the present invention is not limited to these embodiments. The scope of the present invention is indicated in the claims, and moreover, includes all changes within the meaning and range of equivalency of the claims. In the following Examples and Comparative Examples, "%" and "part" representing the content are on a mass basis unless otherwise specified.
실시예Example
실시예Example 1. 전극 표면의 양극 활물질 막의 1. A positive electrode active material film 식각Etching
(1) 알루미늄 호일을 일측에 전극 탭이 형성되도록 각각 절취하여 양극 전극판을 제조하였다. 양극 활물질로서 LiCoO2, 도전재로 카본블랙 및 그래파이트, 결합제로 플루오르화 폴리비닐리덴(PVdF)을 용제인 N-메틸 피롤리돈에 첨가하여 양극 혼합물을 제조하고, 전극 탭을 제외한 알루미늄 호일의 양면에 각각 도포하였다. 이렇게 제조된, 양극 활물질 막으로 코팅된 전극(LG화학㈜ 제조)을 열풍기(H1600, metabo 사 제조)로, 전극과의 거리 30 cm를 유지하면서 가열하였다.(1) An aluminum foil was cut to form an electrode tab on one side to prepare a positive electrode plate. A positive electrode mixture was prepared by adding LiCoO 2 as a positive electrode active material, carbon black and graphite as a conductive material, and polyvinylidene fluoride (PVdF) as a binder to a solvent N-methylpyrrolidone to prepare a positive electrode mixture. Respectively. The thus-prepared electrode coated with a cathode active material film (manufactured by LG Chemical Co., Ltd.) was heated with a hot air heater (H1600, manufactured by metabo) while maintaining a distance of 30 cm from the electrode.
(2) 가열된 전극 표면의 양극 활물질 막에 하기 표 1에 기재된 조건으로 레이저를 조사(SPI 사 제조, G4)하여 레이저 어블레이션 공정을 수행하였다. 동일한 조건으로 조사 횟수를 증가시키면서 전극의 식각 정도가 최적화되는 횟수를 확인하였다. (2) A laser ablation process was performed on the cathode active material film on the surface of the heated electrode by irradiating laser (SP4 manufactured by G4) under the conditions shown in Table 1 below. And the number of times that the etching degree of the electrode was optimized was ascertained while the number of irradiation was increased under the same conditions.
그 결과를 도 1 및 도 2에 나타내었으며, 레이저를 5회 조사 시 최적화되었다. The results are shown in FIG. 1 and FIG. 2, and were optimized when the laser was irradiated five times.
실시예Example 2. 전극 표면의 음극 활물질 막의 2. Negative electrode active material membrane on the electrode surface 식각Etching
(1) 구리 호일을 일측에 전극 탭이 형성되도록 각각 절취하여 음극 전극판을 제조하였다. 음극 활물질로서 인조 흑연, 도전재로 카본 블랙, 결합제로 스티렌-부타디엔 고무(SBR), 첨가제로 카복시메틸 셀룰로오스(CMC)를 용제인 증류수에 첨가하여 음극 혼합물 슬러리를 제조하였으며, 전극 탭을 제외한 구리 호일의 양면에 각각 도포하였다. 이렇게 제조된, 음극 활물질 막으로 코팅된 전극(LG화학㈜ 제조)을 열풍기(H1600, metabo 사 제조)로, 전극과의 거리 30 cm를 유지하면서 가열하였다. (1) A copper foil was cut to form an electrode tab on one side to prepare a negative electrode plate. A negative electrode mixture slurry was prepared by adding artificial graphite as a negative electrode active material, carbon black as a conductive material, styrene-butadiene rubber (SBR) as a binder and carboxymethylcellulose (CMC) as an additive to distilled water as a solvent. Respectively. The electrode (LG Chemical Co., Ltd.) coated with the negative electrode active material film thus prepared was heated with a hot air (H1600, manufactured by metabo) at a distance of 30 cm from the electrode.
(2) 가열된 전극 표면의 음극 활물질 막에 하기 표 2에 기재된 조건으로 레이저를 조사(SPI 사 제조, G4)하여 레이저 어블레이션 공정을 수행하였다. 동일한 조건으로 조사 횟수를 증가시키면서 전극의 식각 정도가 최적화되는 횟수를 확인하였다. (2) The negative electrode active material film on the surface of the heated electrode was subjected to a laser ablation process by irradiating a laser (SP4 manufactured by G4) under the conditions shown in Table 2 below. And the number of times that the etching degree of the electrode was optimized was ascertained while the number of irradiation was increased under the same conditions.
그 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었으며, 레이저를 4회 조사 시 최적화되었다. The results are shown in Fig. 5 and Fig. 6, and were optimized when the laser was irradiated four times.
실시예Example 3. 전극 표면의 양극 활물질 막의 3. The positive electrode active material membrane on the electrode surface 식각Etching
실시예 1의 (1)단계를 수행하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 전극의 식각 정도가 최적화되는 횟수를 확인하였다.The number of times that the etching degree of the electrode was optimized in the same manner was confirmed except that the step (1) of Example 1 was not performed.
그 결과를 도 3 및 도 4에 나타내었으며, 레이저를 7회 조사 시 최적화되었다. The results are shown in Fig. 3 and Fig. 4, and were optimized when the laser was irradiated seven times.
실시예Example 4. 전극 표면의 음극 활물질 막의 4. Negative electrode active material film on the electrode surface 식각Etching
실시예 2의 (1)단계를 수행하지 않은 것을 제외하고는 동일한 방법으로 전극의 식각 정도가 최적화되는 횟수를 확인하였다.The number of times that the etching degree of the electrode was optimized in the same manner was confirmed except that the step (1) of Example 2 was not performed.
그 결과를 도 7 및 도 8에 나타내었으며, 레이저를 5회 조사 시 최적화되었다. The results are shown in FIG. 7 and FIG. 8, and optimized when the laser was irradiated five times.
비교예Comparative Example 1. 전극 표면의 양극 활물질 막의 1. A positive electrode active material film 식각Etching
음극 활물질 막으로 코팅된 전극(LG화학㈜ 제조) 표면을 금속 노칭하였다. 금속 노칭은 대한민국 특허등록공보 제1370855호에 개시된 방법에 의해 수행하였다. The surface of the electrode coated with the negative active material film (manufactured by LG Chemical Co., Ltd.) was notched. The metal notching was carried out by the method disclosed in Korean Patent Registration No. 1370855. [
비교예Comparative Example 2. 전극 표면의 음극 활물질 막의 2. Negative electrode active material membrane on the electrode surface 식각Etching
전극 표면의 음극 활물질 막을 금속 노칭하였다. The negative active material film on the electrode surface was notched with metal.
상기 실시예 1 내지 4에 따라 활물질 막을 식각한 결과 도 9에 나타낸 것처럼 활물질 막의 식각 부분에 탭이 위치하도록 커팅이 가능하여 탭 위치 및 탭의 형상을 자유롭게 설계할 수 있었다. 이에 반해 비교예 1 및 2의 경우 도 10에 나타낸 것처럼 전극 코팅 시 선형 탭부가 형성되기 때문에 금속 노칭 공정 수행 후 탭부 형상이 제한된다.As a result of etching the active material film according to the first to fourth embodiments, it was possible to cut the tab to be located at the etched portion of the active material film as shown in FIG. 9, and the tab position and the tab shape could be freely designed. On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 and 2, as shown in FIG. 10, since a linear tapped portion is formed during electrode coating, the shape of the tab after the metal notching process is limited.
또한 실시예 1 내지 4에 따라 활물질 막의 식각 정도를 비교하여 택트 타임(tact time, 각 공정 시간의 최대 시간을 의미하며 활물질 막이 충분히 식각되는지 여부를 육안으로 확인하여, 그 시간을 측정하였음)의 감소되는 정도를 확인하였다.In addition, according to Examples 1 to 4, the degree of etching of the active material film was compared to determine a tact time (which means the maximum time of each process time, whether or not the active material film was sufficiently etched and visually confirmed and the time was measured) .
양극 활물질 막의 경우, 열풍기 없이 식각을 수행한 실시예 3 대비 열풍기와 함께 식각을 수행한 실시예 1의 경우, 택트 타임이 약 28 % 감소하였다.In the case of the cathode active material film, the tact time was reduced by about 28% in the case of Example 1 in which etching was performed together with the hot air as compared with Example 3 in which etching was performed in the absence of hot air.
음극 활물질 막의 경우, 열풍기 없이 식각을 수행한 실시예 4 대비 열풍기와 함께 식각을 수행한 실시예 2의 경우, 택트 타임이 약 20 % 감소하였다.In the case of the anode active material film, the tact time was reduced by about 20% in the case of Example 2 in which etching was performed together with the hot air as compared with Example 4 in which etching was performed in the absence of hot air.
상기 결과로 보아, 열풍기를 사용한 실시예 1 및 2의 경우 레이저 어블레이션 공정 속도가 향상된 것을 알 수 있었다. 즉, 활물질 막에 레이저 어블레이션 공정을 수행할 때 어블레이션을 위한 필요 에너지가 정해져 있는데, 이 때 일정 에너지를 레이저 대신 열 조사 수단인 열풍기를 통하여 전달함으로써 레이저를 통하여 전달해야 하는 에너지 양을 줄일 수 있어 경제적으로 레이저 어블레이션 공정 속도를 향상시킬 수 있는 것이다.As a result, it was found that the laser ablation process speed was improved in Examples 1 and 2 using the hot air. In other words, when the laser ablation process is performed on the active material film, the energy required for the ablation is determined. At this time, a certain energy is transferred through the heat irradiator instead of the laser, thereby reducing the amount of energy to be transferred through the laser So that the laser ablation process speed can be improved economically.
Claims (14)
상기 식각 전에 전극을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 식각 방법.A method of etching an electrode by a laser ablation process in which a part of an active material film formed on an electrode surface is removed by laser irradiation,
And heating the electrode prior to the etching.
상기 활물질 막은 LiCoO2, LiMnxO2x(x=1 또는 2임), LiFePO4, LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2 및 LiNi1 - xCoxMyO2 (x=0~0.2이고, M=Mg, Ca, Sr, Ba 및 La로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소이며, y=0.001~0.02임)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 양극 활물질 막인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the active material layer is made of LiCoO 2 , LiMn x O 2 x (x = 1 or 2), LiFePO 4 , LiNi 1/3 Co 1/3 Mn 1/3 O 2 and LiNi 1 - x Co x M y O 2 (x = 0 to 0.2 and M = Mg, Ca, Sr, Ba and La, and y = 0.001 to 0.02) Wherein the electrode is an active material film.
상기 활물질 막은 그래파이트, 실리콘계 화합물, 게르마늄 함유 물질 및 주석 함유 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어진 음극 활물질 막인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the active material film is a negative electrode active material film comprising at least one selected from the group consisting of graphite, a silicon-based compound, a germanium-containing material, and a tin-containing material.
상기 가열하는 단계는 열풍기(heat gun), 고주파(RF) 유도기, 유도 적외선(IR) 램프 및 핫 플레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the heating step is performed by at least one selected from the group consisting of a heat gun, a RF induction unit, an induction infrared (IR) lamp, and a hot plate.
상기 레이저는 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법. The method according to claim 1,
Characterized in that the laser is a pulsed laser.
상기 레이저의 집속 렌즈의 초점 거리는 100 mm 내지 300 mm 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the focusing distance of the converging lens of the laser is 100 mm to 300 mm.
상기 레이저의 펄스 폭(pulse width)은 1 ns 내지 300 ns 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pulse width of the laser is from 1 ns to 300 ns.
상기 레이저는 그 품질을 나타내는 변수인 빔 모드 파라미터의 값(M2)이 1 내지 2.0 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the value of the beam mode parameter (M 2 ), which is a variable indicative of the quality of the laser, is 1 to 2.0.
상기 레이저의 진동수는 20 kHz 내지 1000 kHz 인 것을 특징으로 하는. 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the frequency of the laser is 20 kHz to 1000 kHz. Electrode etching method.
상기 레이저의 속도는 0.5 m/s 내지 5 m/s 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법.The method according to claim 1,
Wherein the speed of the laser is from 0.5 m / s to 5 m / s.
상기 레이저 스팟의 크기는 18 ㎛ 내지 86 ㎛ 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법. The method according to claim 1,
Characterized in that the size of the laser spot is between 18 [mu] m and 86 [mu] m.
상기 레이저 펄스 에너지의 크기는 0.1 μJ 내지 1000 μJ 인 것을 특징으로 하는, 전극의 식각 방법. The method according to claim 1,
Wherein the laser pulse energy has a magnitude in the range of 0.1 μJ to 1000 μJ.
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