KR20170016701A - 유기 발광 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
샘플 | 호스트 | 구동 전압 (V) |
EL 피크 (nm) |
전류효율 (cd/A) |
실시예 1 | Mat 1 | 6.8 | 516 | 38 |
실시예 2 | Mat 12 | 5.9 | 516 | 38 |
실시예 3 | Mat 14 | 6.3 | 516 | 43 |
실시예 4 | Mat 15 | 5.89 | 516 | 42 |
실시예 5 | Mat 16 | 5.8 | 516 | 41 |
실시예 6 | Mat 25 | 5.77 | 516 | 39 |
실시예 7 | Mat 26 | 5.8 | 516 | 38.5 |
실시예 8 | Mat 38 | 5.86 | 517 | 39 |
실시예 9 | Mat 40 | 5.87 | 516 | 40 |
실시예 10 | Mat 48 | 6.4 | 516 | 41 |
실시예 11 | Mat 64 | 5.8 | 516 | 42 |
실시예 12 | Mat 70 | 6.2 | 516 | 44 |
실시예 13 | Mat 81 | 5.9 | 516 | 43 |
실시예 14 | Mat 88 | 5.91 | 516 | 40 |
실시예 15 | Mat 100 | 6.0 | 516 | 39.8 |
실시예 16 | Mat 105 | 5.9 | 516 | 41 |
실시예 17 | Mat 105 | 6.8 | 516 | 38 |
실시예 18 | Mat 117 | 6.2 | 516 | 43 |
실시예 19 | Mat 122 | 5.8 | 516 | 40 |
실시예 20 | Mat 134 | 6.6 | 517 | 41 |
실시예 21 | Mat 139 | 5.9 | 516 | 39.6 |
실시예 22 | Mat 151 | 6.4 | 516 | 39 |
실시예 23 | Mat 156 | 6.5 | 516 | 42 |
실시예 24 | Mat 168 | 6.0 | 516 | 45 |
비교예 1 | CBP | 6.93 | 516 | 38.2 |
샘플 | 호스트 | 구동 전압(V) | 전류효율(cd/A) |
실시예 25 | Mat 5 | 5.1 | 8.9 |
실시예 26 | Mat 10 | 5.0 | 8.3 |
실시예 27 | Mat 11 | 4.8 | 9.1 |
실시예 28 | Mat 12 | 4.8 | 9.0 |
실시예 29 | Mat 15 | 4.78 | 8.6 |
실시예 30 | Mat 28 | 5.0 | 9.0 |
실시예 31 | Mat 37 | 4.9 | 8.8 |
실시예 32 | Mat 38 | 5.0 | 8.6 |
실시예 33 | Mat 55 | 5.1 | 8.6 |
실시예 34 | Mat 59 | 4.8 | 9.5 |
실시예 35 | Mat 61 | 5.2 | 8.12 |
실시예 36 | Mat 78 | 4.9 | 8.6 |
실시예 37 | Mat 12 | 4.9 | 9.0 |
실시예 38 | Mat 95 | 4.9 | 8.56 |
실시예 39 | Mat 97 | 5.2 | 8.5 |
실시예 40 | Mat 112 | 5.0 | 8.62 |
실시예 41 | Mat 114 | 5.2 | 8.9 |
실시예 42 | Mat 129 | 4.8 | 9.2 |
실시예 43 | Mat 146 | 4.9 | 9.1 |
실시예 44 | Mat 163 | 5.1 | 8.4 |
비교예 2 | CBP | 5.25 | 8.2 |
샘플 | 정공수송층 | 구동 전압 (V) | 전류효율 (cd/A) |
실시예 45 | Mat 7 | 5.1 | 18.1 |
실시예 46 | Mat 18 | 4.8 | 18.1 |
실시예 47 | Mat19 | 4.7 | 18.8 |
실시예 48 | Mat 20 | 4.5 | 18.5 |
실시예 49 | Mat 21 | 5.0 | 18.1 |
실시예 50 | Mat 27 | 5.2 | 18.1 |
실시예 51 | Mat 31 | 5.1 | 18.9 |
실시예 52 | Mat 41 | 4.9 | 18.5 |
실시예 53 | Mat42 | 4.9 | 18.0 |
실시예 54 | Mat 43 | 4.7 | 18.2 |
실시예 55 | Mat 65 | 4.8 | 18.6 |
실시예 56 | Mat 66 | 4.5 | 18.7 |
실시예 57 | Mat 83 | 4.7 | 18.0 |
실시예 58 | Mat 85 | 4.9 | 18.5 |
실시예 59 | Mat 101 | 4.9 | 18.5 |
실시예 60 | Mat 102 | 4.8 | 18.3 |
실시예 61 | Mat 119 | 4.6 | 18.1 |
실시예 62 | Mat 123 | 5.0 | 18.9 |
실시예 63 | Mat 136 | 5.2 | 18.2 |
실시예 64 | Mat153 | 5.1 | 18.2 |
실시예 65 | Mat 170 | 5.1 | 18.0 |
비교예 3 | NPB | 5.2 | 18.1 |
Claims (12)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
R1과 R2, R2과 R3 및 R3과 R4 중 적어도 하나는 상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합되어 축합 고리를 형성하고;
점선은 축합이 이루어지는 부분이며;
X1 및 X2는 각각 독립적으로 O, S, Se, N(Ar2), C(Ar3)(Ar4) 및 Si(Ar5)(Ar6)로 구성된 군으로부터 선택되고, 상기 X2가 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
A1 내지 A4는 각각 독립적으로 N 또는 C(R5)이며;
상기 화학식 2로 표시되는 고리와 축합 고리를 형성하지 않는 R1 내지 R4와, R5은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 R5가 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
Ar1 내지 Ar6은 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 Ar1 내지 Ar6 각각이 복수 개인 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 R1 내지 R5 및 Ar1 내지 Ar6의 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴옥시기, C3~C40의 알킬실릴기, C6~C60의 아릴실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상으로 치환기로 치환되거나 비치환되며, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. - 제1항에 있어서,
상기 Ar2는 C6~C60의 아릴기 또는 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기이고,
상기 Ar2의 아릴기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며,
상기 Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1~C40의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기이며,
상기 R5는 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기 또는, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기인, 화합물. - 제3항에 있어서,
상기 Ar2는 페닐, 비페닐, 피리다진, 플루오렌, 아크리딘, 이미다졸 및 트리아졸로 이루어진 군에서 선택될 수 있고,
상기 Ar2의 페닐, 비페닐, 피리다진, 플루오렌, 아크리딘, 이미다졸 및 트리아졸은 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 페닐기, 비페닐기, 트리페닐렌기, 피리미디닐기, 이미다졸릴기, 카바졸릴기 및 디벤조티오페닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며,
상기 Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 메틸기, 치환 또는 비치환된 에틸기, 치환 또는 비치환된 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 비페닐기이며,
상기 R5는 치환 또는 비치환된 페닐기 또는, 치환 또는 비치환된이미다졸릴기인 것을 특징으로 하는 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 Ar1 내지 Ar6 중 적어도 하나는 하기 화학식 6으로 표시되는 치환기이거나 페닐기인, 화합물:
[화학식 6]
상기 화학식 6에서,
*는 상기 화학식 1 또는 화학식 2에 결합되는 부분을 의미하고;
L1은 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 N 또는 C(R6)이나, 상기 Z1 내지 Z5 중 적어도 하나는 N이고;
R6은 수소, 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기 C1~C40의 알킬옥시기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고, 상기 R6가 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 L1의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, 상기 R6의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. - 제5항에 있어서,
상기 화학식 6으로 표시되는 치환기는 하기 A-1 내지 A-15 중 어느 하나로 표시되는 치환기인 것을 특징으로 하는 화합물:
상기 A-1 내지 A-15에서,
n은 0 내지 4의 정수로서, 상기 n이 0인 경우, 수소가 치환기 R7로 치환되지 않는 것을 의미하고, 상기 n이 1 내지 4의 정수인 경우, R7는 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택되거나, 인접하는 기와 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있고, 상기 R7이 복수 개인 경우 이들은 서로 동일하거나 상이하며;
상기 R7의 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴옥시기, 알킬옥시기, 아릴아민기, 알킬실릴기, 알킬보론기, 아릴보론기, 아릴포스핀기, 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 아릴실릴기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며;
*, L1 및 R6는 각각 상기 화학식 6에서 정의된 바와 같다. - 제5항에 있어서,
상기 L1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이며,
상기 R6는 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기인, 화합물. - 제1항에 있어서,
상기 Ar1 내지 Ar6 중 적어도 하나는 하기 화학식 7로 표시되는 치환기인, 화합물:
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
*는 상기 화학식 1 또는 화학식 2에 결합되는 부분을 의미하고;
L2은 단일결합, C6~C18의 아릴렌기 및 핵원자수 5 내지 18개의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되며;
R8 및 R9는 각각 독립적으로 C1~C40의 알킬기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기 및 C6~C60의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택되거나, 상기 R8 및 R9가 결합하여 축합 고리를 형성할 수 있으며;
상기 L2의 아릴렌기 및 헤테로아릴렌기와, R8 및 R9의 알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 및 아릴아민기는 각각 독립적으로 중수소, 할로겐, 시아노기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C2~C40의 알키닐기, C6~C60의 아릴기, 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기, C6~C60의 아릴옥시기, C1~C40의 알킬옥시기, C6~C60의 아릴아민기, C3~C40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40개의 헤테로시클로알킬기, C1~C40의 알킬실릴기, C1~C40의 알킬보론기, C6~C60의 아릴보론기, C6~C60의 아릴포스핀기, C6~C60의 모노 또는 디아릴포스피닐기 및 C6~C60의 아릴실릴기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환되거나 비치환되고, 복수 개의 치환기로 치환되는 경우, 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. - 제8항에 있어서,
상기 L2는 단일결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이며,
상기 R8 및 R9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C60의 아릴기 또는, 치환 또는 비치환된 핵원자수 5 내지 60개의 헤테로아릴기인 것을 특징으로 하는 화합물. - (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 1층 이상의 유기물층 중에서 적어도 하나는 제1항의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자. - 제11항에 있어서,
상기 화합물을 포함하는 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 수명 개선층, 발광층 및 발광 보조층으로 이루어진 군에서 선택되는 유기 전계 발광 소자.
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