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KR20170015150A - Grinding apparatus - Google Patents

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KR20170015150A
KR20170015150A KR1020160087998A KR20160087998A KR20170015150A KR 20170015150 A KR20170015150 A KR 20170015150A KR 1020160087998 A KR1020160087998 A KR 1020160087998A KR 20160087998 A KR20160087998 A KR 20160087998A KR 20170015150 A KR20170015150 A KR 20170015150A
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South Korea
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grinding
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ultrasonic
wafer
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Korean (ko)
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유키 이노우에
준수 우
신야 와타나베
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 초음파를 전파하는 세정수를 분사하여 연삭 지석을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에, 연삭 지석의 연삭력을 유지한다.
(해결 수단) 연삭 장치 (1) 에 있어서, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 과, 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정하는 전류값 측정부 (14) 와, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 전류값에 따라 초음파 발진의 ON/OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 을 포함하고, ON/OFF 수단 (16) 은, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 대해 상한값과 하한값을 설정하고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 초음파 세정수 공급 수단 (9) 에 구비되는 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하여 연삭하는 것으로 하였다.
[PROBLEMS] To grind a wafer by using a grinding apparatus for spraying cleansing water that propagates ultrasonic waves to clean a grinding stone, the grinding force of the grinding stone is maintained.
An ultrasonic washing water supply means 9 for spraying ultrasonic cleaning water to a grinding surface 740a of a grinding stone 740 provided in the grinding means 7; A current value measuring unit 14 for measuring the current value of the spindle motor 72 and an ON / OFF means 16 for switching on / off the ultrasonic oscillation according to the current value measured by the current value measuring unit 14 The ON / OFF means 16 sets an upper limit value and a lower limit value for the current value of the spindle motor 72, which is changed during grinding by the grinding means 7 and measured by the current value measuring unit 14 The supply of the high frequency power from the high frequency power supply 91 provided in the ultrasonic cleaning water supply means 9 is switched ON between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measurement unit 14 / OFF means 16 to perform grinding.

Description

연삭 장치{GRINDING APPARATUS}GRINDING APPARATUS

본 발명은 웨이퍼에 대해 연삭 지석을 맞닿게 하여 연삭할 수 있는 연삭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a grinding apparatus capable of abrading a grinding stone against a wafer.

반도체 웨이퍼, 사파이어, SiC, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3), 유리 등의 각종 피가공물은, 연삭 장치에 의해 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후에, 절삭 장치 등에 의해 분할되어 각각의 디바이스 등이 되고, 각종 전자 기기 등에 이용되고 있다. 이러한 연삭에 사용되는 연삭 장치는, 피가공물인 웨이퍼에 대해 회전하는 연삭 지석의 연삭면을 맞닿게 함으로써, 웨이퍼의 연삭을 실시할 수 있다. 여기서, 이러한 연삭을 실시하면, 연삭 지석의 연삭면에 연삭 부스러기 등에 의한 클로깅이나 글레이징이 발생됨으로써 연삭 지석의 연삭력이 저하된다. 그리고, 연삭 지석의 클로깅이나 글레이징은, 피가공물이 이른바 난연삭재인 경우에 특히 많이 발생한다. 난연삭재로는, 사파이어나 SiC 와 같은 경질재와, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 나 유리와 같은 연질재가 있다. 예를 들어, 연질재의 리튬탄탈레이트를, 많은 기공을 구비하는 비트리파이드 본드로 형성된 연삭 지석으로 연삭하면, 기공 내에 연삭 부스러기가 들어가 클로깅이나 글레이징이 발생한다. 그래서, 클로깅 등에 의한 연삭 지석의 연삭력의 저하를 방지하기 위해, 피가공물의 연삭 중에 연삭 지석의 연삭면에 드레서 보드를 꽉 눌러, 연삭과 동시에 연삭 지석의 연삭면을 드레스하는 방법이 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).Various kinds of work materials such as semiconductor wafers, sapphire, SiC, lithium tantalate (LiTaO 3 ) and glass are grinded by a grinding machine to be formed into a predetermined thickness and then divided by a cutting device or the like into individual devices or the like. Electronic devices and the like. The grinding apparatus used for such grinding can grind the wafer by abutting the grinding surface of the grinding stone rotating with respect to the wafer as the workpiece. Here, when such grinding is performed, clogging or glazing due to abrasive grains is generated on the grinding surface of the grinding stone, thereby lowering the grinding force of the grinding stone. Further, clogging or glazing of the grinding stone occurs particularly in the case where the workpiece is a so-called hardened abrasive. As the hardening material, there are hard materials such as sapphire and SiC, and soft materials such as lithium tantalate (LiTaO 3 ) and glass. For example, when the lithium tantalate of a soft material is ground with a grinding stone formed of a non-tripide bond having many pores, grinding chips enter the pores and clogging or glazing occurs. In order to prevent a reduction in the grinding force of the grinding stone due to clogging or the like, there is a method of dressing the grinding surface of the grinding stone simultaneously with grinding by pressing the dresser board against the grinding surface of the grinding stone during grinding of the workpiece ( See, for example, Patent Document 1).

그러나, 드레서 보드를 연삭 지석에 꽉 눌러 드레스를 실시하는 경우에는, 드레서 보드가 마모되기 때문에, 드레서 보드를 정기적으로 교환할 필요가 생긴다. 그래서, 드레서 보드를 사용하지 않고 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 방법으로서, 피가공물의 연삭 중에 고압수나 2 유체 등으로 이루어지는 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 세정하는 방법이 있고, 또한 초음파 노즐로부터 세정수에 초음파를 전파하여 세정수를 초음파 진동시킴으로써, 연삭 지석의 표면에 클로깅된 연삭 부스러기뿐만 아니라, 연삭 지석의 글레이징에 의해 지석 표면으로부터 지석 내부에까지 파고든 연삭 부스러기도 제거하여 연삭 지석의 연삭력을 유지하는 연삭 장치에 대해, 본 출원인은 특허 출원을 실시하였다 (예를 들어, 일본 특허출원 2014-084198호).However, when the dresser is pressed by pressing the dresser board against the grinding stone, since the dresser board is worn out, it is necessary to replace the dresser board regularly. Thus, as a method for maintaining the grinding force of the grinding stone without using the dresser board, there is a method of spraying cleaning water composed of high-pressure water or two fluid onto the grinding surface of the grinding stone during grinding of the workpiece, The ultrasonic vibration is transmitted from the ultrasonic nozzle to the cleansing water to ultrasonically oscillate the cleansing water so as to remove not only grinding particles clogged on the surface of the grinding stone but also grinding fragments that are grinding from the surface of the grinding stone to the inside of the grinding stone by glazing of the grinding stone, The present applicant has filed a patent application (for example, Japanese Patent Application No. 2014-084198).

일본 공개특허공보 2011-189456호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-189456

그러나, 상기 일본 특허출원 2014-084198호에 기재되어 있는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼에 연삭 가공을 실시하는 경우에, 연삭 중에 초음파 발진부로부터 단순히 초음파를 계속 발진시켜 세정수에 초음파를 계속 전파하면, 연삭 지석의 연삭력이 저하된다는 현상이 확인되고 있다. 그래서, 초음파를 전파시킨 세정수를 연삭 지석의 연삭면에 대해 분사하여 연삭면을 세정하는 연삭 장치를 사용하여 웨이퍼를 연삭하는 경우에 있어서, 높은 연삭력을 유지함으로써, 웨이퍼를 복수 장 연속하여 효율적으로 연삭한다는 과제가 있다.However, when grinding the wafer using the grinding apparatus described in the above-mentioned Japanese Patent Application No. 2014-084198, if ultrasonic waves are simply propagated from the ultrasonic oscillation portion during grinding to continuously propagate the ultrasonic waves to the washing water, The grinding force of the grinding wheel is lowered. Therefore, in the case of grinding a wafer by using a grinding apparatus that cleans the grinding surface by spraying cleansing water that has propagated an ultrasonic wave to the grinding surface of the grinding stone, by holding a high grinding force, There is a problem of grinding.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서, 그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고, 그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값 하한값을 설정하고, 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 그 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는 연삭 장치이다.According to an aspect of the present invention, there is provided a spindle motor including a holding table for holding a wafer, a spindle motor for rotating a spindle for rotatably mounting a grinding wheel in which a grinding wheel for grinding a wafer held on the holding table is arranged in an annular shape, And grinding water supply means for supplying grinding water to the grinding stone and the wafer. In addition to the grinding water supply means, ultrasonic waves are propagated to the grinding surface contacting the wafer of the grinding stone And a current value measuring unit for measuring a current value of the spindle motor. The ultrasonic wave oscillation is turned on and off according to the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit Wherein the ultrasonic cleaning water supply means includes an injection port for spraying the cleansing water onto the grinding surface, And a high frequency power supply for supplying a high frequency power to the ultrasonic oscillation unit. The on / off unit is changed during grinding by the grinding unit, and the current value measuring unit When the upper limit value of the current value of the spindle motor is set and the high frequency power is supplied from the high frequency power supply and the cleaning water which propagates the ultrasonic wave is sprayed on the grinding surface, The supply of the high frequency power from the high frequency power supply is stopped to supply the cleaning water that does not propagate the ultrasonic wave to the grinding surface and the supply of the high frequency power from the high frequency power supply is stopped and the ultrasonic wave is not propagated When the cleaning water is grinding while spraying on the grinding surface, the current value measuring unit When the current value is lowered to the lower limit value, a cleaning water which propagates ultrasonic waves by supplying a high frequency power from the high frequency power supply is supplied to the grinding surface, and the upper limit value of the current value of the spindle motor, Frequency power from the high-frequency power supply is switched by ON / OFF means to grind the grinding device.

본 발명에 관련된 연삭 장치는, 연삭수 공급 수단과는 별도로 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고, 초음파 세정수 공급 수단은, 세정수를 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하는 것으로 하고, ON/OFF 수단은, 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고, 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 상한값까지 높아지면 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 전류값 측정부가 측정하는 전류값이 하한값까지 낮아지면 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 연삭면에 공급하고, 전류값 측정부가 측정하는 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭할 수 있도록 하고 있다. 이와 같이, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부에 의해 스핀들 모터의 전류값을 감시하고, 스핀들 모터의 전류값에 의해 ON/OFF 수단에 의해 초음파 발진부로부터의 초음파의 발진과 정지를 전환함으로써, 초음파 발진부로부터 발진된 초음파를 초음파 노즐로부터 분사된 세정수를 통하여 간헐적으로 연삭 지석의 연삭면에 대해 전파시켜 연삭면을 드레스함으로써, 연삭 지석의 연삭력을 일정한 레벨로 유지하는 것이 가능해지고, 복수 장의 웨이퍼를 연속하여 효율적으로 연삭하는 것이 가능해진다.The grinding apparatus according to the present invention further comprises ultrasonic cleaning water supply means for spraying cleaning water for propagating ultrasonic waves to a grinding surface contacting the wafer of the grinding stone separately from the grinding water supply means, And an ON / OFF means for switching ON / OFF of the ultrasonic oscillation in accordance with the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit, wherein the ultrasonic cleaning water supply means supplies the cleaning water to the grinding surface And a high frequency power source for supplying a high frequency power to the ultrasonic oscillation section. The ON / OFF means is changed during grinding by the grinding means, and the current value measuring section An upper limit value and a lower limit value of the current value of the spindle motor to be measured are set and a high frequency electric power is supplied from the high frequency electric power source to propagate the ultrasonic wave When the current value measured by the current value measuring unit is increased to the upper limit value while grinding while spraying the washing water onto the grinding surface, supply of the high frequency power from the high frequency power supply is stopped, and washing water for propagating the ultrasonic wave is supplied to the grinding surface, When the supply of high-frequency power from the high-frequency power supply is stopped, and the grinding wheel is grinding while spraying cleansing water that propagates ultrasonic waves, when the current value measured by the current value measuring unit is lowered to the lower limit value, the ultrasonic wave is supplied from the high- The cleaning water to be propagated is supplied to the grinding surface and the supply of the high frequency power from the high frequency power supply is switched by the ON / OFF means between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor to be measured by the current value measuring unit have. In this manner, during the grinding process, the current value of the spindle motor is monitored by the current value measuring unit and the oscillation and stop of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit are switched by the ON / OFF means according to the current value of the spindle motor, It is possible to maintain the grinding force of the grinding stone at a constant level by intermittently propagating the ultrasonic wave oscillated from the oscillating portion to the grinding surface of the grinding stone intermittently through the washing water injected from the ultrasonic nozzle to dress the grinding surface, Can be continuously and efficiently grinded.

도 1 은 연삭 장치의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 2 는 유지 테이블에 유지된 웨이퍼를 연삭 휠로 연삭하고 있는 상태를 나타내는 측면도이다.
도 3 은 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파를 계속 발진시키면서 연삭 가공을 실시한 비교예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 ON/OFF 수단을 작동시키지 않고 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 실시하여 초음파 발진의 정지와 재개를 실시하여 연삭 가공을 실시한 비교예 2 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 ON/OFF 수단을 작동시켜 고주파 전원으로부터의 고주파의 공급을 스핀들 모터의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 전환하여 연삭 가공을 실시한 실시예 1 에 있어서의 스핀들 모터의 전류값을 나타내는 그래프이다.
1 is a perspective view showing an example of a grinding apparatus.
2 is a side view showing a state in which a wafer held on a holding table is ground with a grinding wheel.
3 is a graph showing the current value of the spindle motor in Comparative Example 1 in which grinding was performed while the ultrasonic wave was continuously oscillated by supplying the high frequency power from the high frequency power supply without operating the ON / OFF means.
4 is a graph showing a current value of a spindle motor in Comparative Example 2 in which grinding is performed by stopping and resuming ultrasonic oscillation by supplying high frequency power from a high frequency power source without operating the ON / OFF means .
5 is a graph showing the current value of the spindle motor according to the first embodiment in which the ON / OFF means is operated to supply the high frequency power from the high frequency power supply between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor .

도 1 에 나타내는 연삭 장치 (1) 는, 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 를, 연삭 수단 (7) 에 의해 연삭하는 장치이다. 연삭 장치 (1) 의 베이스 (10) 상의 전방 (-Y 방향측) 은, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 에 대해 웨이퍼 (W) 의 착탈이 실시되는 영역인 착탈 영역 (A) 이 되어 있고, 베이스 (10) 상의 후방 (+Y 방향측) 은, 연삭 수단 (7) 에 의해 유지 테이블 (30) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 의 연삭이 실시되는 영역인 연삭 영역 (B) 이 되어 있다.The grinding apparatus 1 shown in Fig. 1 is an apparatus for grinding a wafer W held on a holding table 30 by means of a grinding means 7. The front side (-Y direction side) of the base 10 of the grinding apparatus 1 is provided with the attaching / detaching area A, which is a region where the wafer W is attached / detached with respect to the holding table 30 by the unillustrated carrying means, And the back side (+ Y direction side) of the base 10 is a grinding region B which is a region where grinding of the wafer W held on the holding table 30 by the grinding means 7 is performed .

연삭 영역 (B) 에는, 칼럼 (11) 이 세워 형성되어 있고, 칼럼 (11) 의 측면에는 연삭 이송 수단 (5) 이 배치 형성되어 있다. 연삭 이송 수단 (5) 은, 연직 방향 (Z 축 방향) 의 축심을 갖는 볼 나사 (50) 와, 볼 나사 (50) 에 평행하게 배치 형성된 1 쌍의 가이드 레일 (51) 과, 볼 나사 (50) 의 상단에 연결되어 볼 나사 (50) 를 회동 (回動) 시키는 모터 (52) 와, 내부의 너트가 볼 나사 (50) 에 나사 결합되어 측부가 가이드 레일 (51) 에 슬라이딩 접촉하는 승강판 (53) 과, 승강판 (53) 에 연결되어 연삭 수단 (7) 을 유지하는 홀더 (54) 로 구성되고, 모터 (52) 가 볼 나사 (50) 를 회동시키면, 이에 수반하여 승강판 (53) 이 가이드 레일 (51) 에 가이드되어 Z 축 방향으로 왕복 이동하고, 홀더 (54) 에 유지된 연삭 수단 (7) 이 Z 축 방향으로 연삭 이송된다.In the grinding region B, a column 11 is formed upright, and a grinding and conveying means 5 is disposed on a side surface of the column 11. The grinding and conveying means 5 includes a ball screw 50 having an axis in the vertical direction (Z-axis direction), a pair of guide rails 51 arranged in parallel with the ball screw 50, A motor 52 which is connected to an upper end of the ball screw 50 to rotate the ball screw 50 and a nut 52 which is screwed to the ball screw 50 so that the side portion is in sliding contact with the guide rail 51, And a holder 54 connected to the lifting plate 53 and holding the grinding means 7. When the motor 52 rotates the ball screw 50, the lifting plate 53 Is reciprocated in the Z-axis direction while being guided by the guide rails 51, and the grinding means 7 held by the holder 54 is ground and transported in the Z-axis direction.

유지 테이블 (30) 은, 예를 들어, 그 외형이 원 형상이고, 포러스 부재 등으로 이루어지며 웨이퍼 (W) 를 흡착하는 흡착부 (300) 와, 흡착부 (300) 를 지지하는 프레임체 (301) 를 구비한다. 흡착부 (300) 는 도시되지 않은 흡인원에 연통되고, 흡인원이 흡인함으로써 만들어진 흡인력이, 흡착부 (300) 의 노출면이고 프레임체 (301) 의 상면과 면일하게 형성되어 있는 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 은 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다. 또, 유지 테이블 (30) 은, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 회전 수단 (31) (도 1 에는 도시 생략) 에 의해 구동되어 회전 가능하게 되어 있고, 또한, 유지 테이블 (30) 의 바닥면측에 배치 형성된 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해, 착탈 영역 (A) 과 연삭 영역 (B) 사이를 Y 축 방향으로 왕복 이동 가능하게 되어 있다.The holding table 30 includes a suction unit 300 that is circular and has a circular shape and is formed of a porous member or the like and sucks the wafer W and a frame body 301 that supports the suction unit 300 . The suction unit 300 is connected to a suction source (not shown), and the suction force generated by sucking the suction source is applied to the holding surface 300a formed on the upper surface of the frame body 301 and the exposed surface of the suction unit 300 , The holding table 30 sucks and holds the wafer W on the holding surface 300a. The holding table 30 is rotatably driven by a rotating means 31 (not shown in Fig. 1) provided on the bottom surface side of the holding table 30, And is reciprocally movable in the Y-axis direction between the attaching / detaching area A and the grinding area B by a not-shown Y-axis direction moving means disposed on the bottom surface side.

연삭 수단 (7) 은, 축 방향이 연직 방향 (Z 축 방향) 인 스핀들 (70) 과, 스핀들 (70) 을 회전 가능하게 지지하는 스핀들 하우징 (71) 과, 스핀들 (70) 을 회전 구동시키는 스핀들 모터 (72) 와, 스핀들 (70) 의 하단에 접속된 원 형상의 마운트 (73) 와, 마운트 (73) 의 하면에 착탈 가능하게 접속된 연삭 휠 (74) 을 구비한다. 그리고, 연삭 휠 (74) 은, 휠 기대 (741) 와, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 환상으로 배치 형성된 대략 직방체 형상의 복수의 연삭 지석 (740) 을 구비한다. 연삭 지석 (740) 은, 예를 들어, 결합재가 되는 유기공 타입의 비트리파이드 본드로 다이아몬드 지립 등이 고착되어 성형되어 있다. 또한, 연삭 지석 (740) 의 형상은, 환상으로 일체로 형성되어 있는 것이어도 되고, 연삭 지석 (740) 을 구성하는 결합재도, 비트리파이드 본드에 한정되지 않고 레진 본드 또는 메탈 본드 등이어도 된다.The grinding means 7 includes a spindle 70 whose axial direction is the vertical direction (Z-axis direction), a spindle housing 71 for rotatably supporting the spindle 70, a spindle housing 71 for rotating the spindle 70, A circular mount 73 connected to the lower end of the spindle 70 and a grinding wheel 74 detachably connected to the lower surface of the mount 73. The motor 72 is provided with: The grinding wheel 74 includes a wheel base 741 and a plurality of substantially parallelepiped grinding wheels 740 that are annularly arranged on the bottom surface of the wheel base 741. The grinding wheel 740 is formed by fixing diamond abrasive grains and the like, for example, as organic binder type non-tripide bond which becomes a bonding material. The shape of the grinding wheel 740 may be integrally formed in an annular shape, and the bonding material constituting the grinding wheel 740 is not limited to the non-trippled bond but may be a resin bond or a metal bond.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 (70) 의 내부에는, 연삭수가 지나는 길이 되는 유로 (70a) 가, 스핀들 (70) 의 축 방향 (Z 축 방향) 에 관통하여 형성되어 있고, 유로 (70a) 는, 또한 마운트 (73) 를 지나, 휠 기대 (741) 에 형성된 유로 (70b) 에 연통되어 있다. 유로 (70b) 는, 휠 기대 (741) 의 내부에 있어서 스핀들 (70) 의 축 방향과 직교하는 방향으로, 휠 기대 (741) 의 둘레 방향에 일정한 간격을 두고 배치 형성되어 있고, 휠 기대 (741) 의 바닥면에 있어서 연삭 지석 (740) 을 향하여 연삭수를 분출할 수 있도록 개구되어 있다.2, a flow path 70a having a length passing through the grinding water is formed in the spindle 70 so as to penetrate in the axial direction (Z-axis direction) of the spindle 70, and the flow path 70a And further passes through the mount 73 and communicates with the oil passage 70b formed in the wheel base 741. [ The oil passage 70b is formed in the wheel base 741 at regular intervals in the circumferential direction of the wheel base 741 in a direction orthogonal to the axial direction of the spindle 70, The grinding wheel 740 is opened so that the grinding water can be jetted toward the grinding wheel 740.

연삭수 공급 수단 (8) 은, 예를 들어, 수원이 되는 펌프 등으로 이루어지는 연삭수 공급원 (80) 과, 연삭수 공급원 (80) 에 접속되어 스핀들 (70) 내부의 유로 (70a) 와 연통되는 배관 (81) 으로 구성되어 있다.The grinding water supply means 8 is connected to a grinding water supply source 80 made of, for example, a pump or the like which is a water source, and is connected to the grinding water supply source 80 to communicate with the flow path 70a in the spindle 70 And a pipe 81.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 접속되어 있다. 전류값 측정부 (14) 는, 연삭 휠 (74) 에 의한 웨이퍼를 연삭할 때 발생하는 연삭 부하에 따라 변화하는 전류값, 즉, 연삭 휠 (74) 에 접속된 스핀들 (70) 의 회전 구동에 제공되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값을 측정한다. 또, 전류값 측정부 (14) 에는, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단 (16) 이 접속되어 있다.As shown in Fig. 1, the spindle motor 72 is connected to a current value measuring section 14. [ The current value measuring unit 14 measures the current value that varies depending on the grinding load generated when the wafer is ground by the grinding wheel 74, The current value of the provided spindle motor 72 is measured. The current value measuring unit 14 is connected with an ON / OFF means 16 for switching ON / OFF of the ultrasonic oscillation according to the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 have.

도 1 에 나타내는 초음파 세정수 공급 수단 (9) 은, 세정수를 주로 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하는 분사구 (900) 와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부 (901) 를 구비하는 초음파 노즐 (90) 과, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 을 구비한다. 초음파 노즐 (90) 의 배치 형성 위치는, 예를 들어, 연삭 영역 (B) 내에 있는 유지 테이블 (30) 에 인접하는 위치로, 또한 연삭 휠 (74) 의 하방에 있는 위치이며, 연삭 중인 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대해 초음파 노즐 (90) 의 선단인 분사구 (900) 가 대향하도록 배치 형성되어 있다. 또한, 초음파 노즐 (90) 은, 예를 들어, 도시되지 않은 Z 축 방향 이동 수단에 의해 Z 축 방향으로 이동 가능하게 배치 형성되어도 된다. 그리고, 초음파 노즐 (90) 에는, 펌프 등으로 구성되어 세정수를 공급하는 세정수 공급원 (92) 과 연통되는 배관 (920) 이 접속되어 있다.The ultrasonic cleaning water supply means 9 shown in Fig. 1 includes ultrasonic wave oscillation units 901 for jetting the cleaning water mainly on the grinding surface 740a of the grinding stone 740 and an ultrasonic oscillation unit 901 for generating ultrasonic waves. A nozzle 90 and a high frequency power source 91 for supplying high frequency power to the ultrasonic oscillation portion 901. [ The arrangement position of the ultrasonic nozzle 90 is located at a position adjacent to the holding table 30 in the grinding area B and below the grinding wheel 74, And the jetting port 900, which is the tip of the ultrasonic nozzle 90, is opposed to the grinding surface 740a of the ultrasonic nozzle 740. Further, the ultrasonic nozzle 90 may be formed so as to be movable in the Z-axis direction by, for example, a Z-axis direction moving means (not shown). The ultrasonic nozzle 90 is connected to a pipe 920 which is composed of a pump or the like and communicates with a washing water supply source 92 for supplying washing water.

초음파 노즐 (90) 의 내부에 배치 형성되어 있는 초음파 발진부 (901) 에는, 초음파 발진부 (901) 에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 (91) 이, 도전선 (910) 을 개재하여 접속되어 있다. 초음파 발진부 (901) 는, 고주파 전원 (91) 으로부터 소정의 고주파 전력이 공급되면, 초음파 발진부 (901) 에 구비되는 도시되지 않은 진동 소자가 고주파 전력을 기계 진동으로 변환함으로써 초음파를 발진시킨다. 그리고, 발진된 초음파는, 초음파 노즐 (90) 의 내부에 있어서, 세정수 공급원 (92) 으로부터 공급되어, 배관 (920) 을 통하여 초음파 노즐 (90) 의 내부에 보내진 세정수에 대해 전파된다. 초음파가 전파된 세정수 (L) 는, 분사구 (900) 로부터 예를 들어 +Z 방향을 향하여 분사되고, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 접촉한다.A high frequency power source 91 for supplying a high frequency power to the ultrasonic oscillation section 901 is connected to the ultrasonic oscillation section 901 disposed inside the ultrasonic nozzle 90 via a conductive line 910. [ When a predetermined high frequency power is supplied from the high frequency power source 91, the ultrasonic oscillation unit 901 oscillates the ultrasonic wave by converting a high frequency power into a mechanical oscillation, which is not shown in the figure, provided in the ultrasonic oscillation unit 901. The oscillated ultrasonic waves are supplied from the washing water supply source 92 in the ultrasonic nozzle 90 and propagated to the washing water sent to the inside of the ultrasonic nozzle 90 through the pipe 920. The cleansing water L having propagated the ultrasonic waves is jetted from the jetting port 900 in the + Z direction, for example, and comes into contact with the grinding surface 740a of the grinding wheel 740.

이하에, 도 1 ∼ 5 를 사용하여, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 를 연삭 장치 (1) 에 의해 연속하여 복수 장 연삭하는 경우의, 연삭 장치 (1) 의 동작 및 연삭 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the operation of the grinding apparatus 1 and the grinding method in the case of continuously grinding a plurality of wafers W shown in Fig. 1 by the grinding apparatus 1 will be described with reference to Figs. 1 to 5 .

도 1 에 나타내는 웨이퍼 (W) 는, 예를 들어, 리튬탄탈레이트 (LiTaO3) 로 형성되는 직경이 6 인치인 기판 상에 SAW 디바이스 등이 배치 형성된 웨이퍼이다. 예를 들어, 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 도시되지 않은 SAW 디바이스 등이 배치 형성되어 있고, 연삭 가공이 실시될 때에 웨이퍼 (W) 의 표면 (Wa) 에는 보호 테이프 (T) 가 첩착 (貼着) 되어 보호된 상태가 되고, 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 이 연삭 휠 (74) 에 의해 연삭된다. 또한, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류는, 리튬탄탈레이트로 형성되는 웨이퍼에 한정되지 않고, 연삭 지석 (740) 의 종류 등과의 관계에 의해 적절히 변경 가능하고, 유리와 같은 연질재로 형성되는 웨이퍼나, SiC 또는 사파이어와 같은 경질재로 형성되는 웨이퍼여도 된다.The wafer W shown in Fig. 1 is a wafer on which a SAW device or the like is disposed, for example, on a substrate having a diameter of 6 inches formed of lithium tantalate (LiTaO 3 ). For example, a SAW device or the like not shown is arranged on the surface Wa of the wafer W, and the protective tape T is adhered to the surface Wa of the wafer W when the grinding process is performed So that the back surface Wb of the wafer W is ground by the grinding wheel 74. As a result, The shape and the kind of the wafer W are not limited to wafers formed of lithium tantalate but may be appropriately changed in accordance with the type of the grinding wheel 740 and the like, Or a hard material such as SiC or sapphire.

웨이퍼 (W) 의 연삭에 있어서는, 먼저, 도 1 에 나타내는 착탈 영역 (A) 내 에 있어서, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 보호 테이프 (T) 가 첩착된 웨이퍼 (W) 가 유지 테이블 (30) 상에 반송된다. 그리고, 웨이퍼 (W) 의 보호 테이프 (T) 측과 유지 테이블 (30) 의 유지면 (300a) 을 대향시켜 위치 맞춤을 실시한 후, 웨이퍼 (W) 를 웨이퍼의 이면 (Wb) 이 상측이 되도록 유지면 (300a) 상에 대치한다. 그리고, 유지 테이블 (30) 에 접속된 도시되지 않은 흡인원에 의해 만들어지는 흡인력이 유지면 (300a) 에 전달됨으로써, 유지 테이블 (30) 이 유지면 (300a) 상에서 웨이퍼 (W) 를 흡인 유지한다.1, the wafer W to which the protective tape T is adhered by the unillustrated carrying means is held on the holding table 30 . Then, the protective tape T side of the wafer W is aligned with the holding surface 300a of the holding table 30, and then the wafer W is held so that the back surface Wb of the wafer is on the upper side Face 300a. A suction force generated by a suction source (not shown) connected to the holding table 30 is transmitted to the holding surface 300a so that the holding table 30 sucks and holds the wafer W on the holding surface 300a .

이어서, 웨이퍼 (W) 를 유지한 유지 테이블 (30) 이, 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 착탈 영역 (A) 으로부터 연삭 영역 (B) 내의 연삭 수단 (7) 아래까지 +Y 방향으로 이동하고, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 이루어진다. 위치 맞춤은, 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심이 유지 테이블 (30) 의 회전 중심에 대해 소정의 거리만큼 +Y 방향으로 어긋나, 연삭 지석 (740) 의 회전 궤도가 유지 테이블 (30) 의 회전 중심을 지나도록 실시된다. 그리고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 -Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 대향하고 있는 상태가 된다. 또, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 +Y 방향의 영역에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 -Z 방향을 향하여 노출되고, 초음파 노즐 (90) 의 선단이 되는 분사구 (900) 와 대향하고 있는 상태가 된다.Next, the holding table 30 holding the wafer W is moved in the + Y direction from the attaching / detaching area A to the position under the grinding means 7 in the grinding area B by Y-axis direction transferring means (not shown) , The grinding wheel (74) provided in the grinding means (7) is aligned with the wafer (W). 2, the rotation center of the grinding wheel 74 is displaced in the + Y direction by a predetermined distance with respect to the rotation center of the holding table 30, and the rotation of the grinding wheel 740 So that the orbit is passed through the center of rotation of the holding table 30. The grinding surface 740a of the grinding wheel 740 is opposed to the back surface Wb of the wafer W in the -Y direction from the center of rotation of the grinding wheel 74. [ The grinding surface 740a of the grinding wheel 740 is exposed in the -Z direction in the + Y direction from the center of rotation of the grinding wheel 74 and the jetting port 900, which is the tip of the ultrasonic nozzle 90, As shown in Fig.

연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 과 웨이퍼 (W) 의 위치 맞춤이 실시된 후, 스핀들 모터 (72) 에 의해 스핀들 (70) 이 회전 구동되는 것에 수반하여 연삭 휠 (74) 이 회전한다. 또, 연삭 수단 (7) 이 연삭 이송 수단 (5) (도 2 에는 도시 생략) 에 의해 -Z 방향으로 보내져, 연삭 수단 (7) 에 구비되는 연삭 휠 (74) 이 -Z 방향으로 강하되어 가고, 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 -Y 방향의 영역에서 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿음으로써 연삭 가공이 실시된다. 또한, 연삭 중에는, 회전 수단 (31) 이 유지 테이블 (30) 을 회전시키는 것에 수반하여, 유지면 (300a) 상에 유지된 웨이퍼 (W) 도 회전하므로, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 전체면의 연삭 가공을 실시한다. 또, 연삭 지석 (740) 이 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 에 맞닿을 때, 연삭수 공급 수단 (8) 이, 연삭수를 스핀들 (70) 중의 유로 (70a) 를 통해 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 접촉 부위에 대해 공급하여, 연삭 지석 (740) 과 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 의 접촉 부위를 냉각시킨다.After the positioning of the grinding wheel 74 provided on the grinding means 7 and the wafer W is performed, the grinding wheel 74 is rotated with the rotation of the spindle 70 by the spindle motor 72 Rotate. The grinding means 7 is sent in the -Z direction by the grinding and conveying means 5 (not shown in Fig. 2) so that the grinding wheel 74 provided in the grinding means 7 is lowered in the -Z direction And the grinding wheel 740 abuts against the back surface Wb of the wafer W in the region in the -Y direction from the center of rotation of the grinding wheel 74. As a result, During the grinding operation, the grinding wheel 740 rotates the wafer W by rotating the holding table 30 as the rotating means 31 rotates the wafer W held on the holding surface 300a, The entire surface of the back surface Wb of the wafer W is subjected to grinding. When the grinding stone 740 comes into contact with the back surface Wb of the wafer W, the grinding water supply means 8 supplies the grinding water to the grinding stone 740 through the flow path 70a in the spindle 70, And the contact portion between the grinding wheel 740 and the back surface Wb of the wafer W is cooled.

또한, 연삭 중에 있어서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 고주파 전원 (91) 으로부터 초음파 발진부 (901) 에 대해 소정의 고주파 전력이 공급되어 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 발진됨과 함께, 세정수 공급원 (92) 으로부터 초음파 노즐 (90) 에 대해 세정수가 공급됨으로써, 세정수에 초음파가 전파되어, 초음파 노즐 (90) 의 분사구 (900) 로부터 분사되는 세정액 (L) 이 초음파 진동을 수반하는 것이 된다. 이 초음파 진동은, 세정액 (L) 의 분사 방향의 소정 범위 (예를 들어, 분사구 (900) 에서 +Z 방향을 향하여 폭 10 ㎜ 정도의 범위) 내에서 발생한다. 이 소정 범위의 중간 영역에 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 위치하도록, 초음파 노즐 (90) 의 연직 방향 (Z 축 방향) 의 위치가 결정되고, 이로써, 연삭면 (740a) 이 하강해도 연삭 중에 연삭 휠 (74) 의 회전 중심으로부터 +Y 방향의 영역에 있어서 연삭면 (740a) 이 세정액 (L) 에 의해 세정되어 드레스된다.2, a predetermined high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 91 to the ultrasonic oscillation section 901 to generate ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation section 901, and a cleaning water supply source 92 The ultrasonic vibration is transmitted to the ultrasonic nozzle 90 through the ultrasonic wave nozzle 90 so that the ultrasonic vibration is accompanied by the cleaning liquid L sprayed from the jet opening 900 of the ultrasonic nozzle 90. This ultrasonic vibration occurs within a predetermined range of the jetting direction of the cleaning liquid L (for example, a range of about 10 mm in width from the jetting port 900 toward the + Z direction). The position of the ultrasonic nozzle 90 in the vertical direction (Z-axis direction) is determined so that the grinding surface 740a of the grinding stone 740 is positioned in the intermediate region of the predetermined range, whereby the grinding surface 740a is lowered The grinding surface 740a is cleaned by the cleaning liquid L and is dressed in the region in the + Y direction from the center of rotation of the grinding wheel 74 during chart surface grinding.

상기 연삭 가공은, 예를 들어, 이하의 조건으로 실시한다.The grinding process is performed under the following conditions, for example.

웨이퍼 (W) 의 연삭량 : 15 ㎛The amount of grinding of the wafer W  : 15 탆

스핀들 (70) 의 회전수 : 1000 rpmThe number of rotations of the spindle 70  : 1000 rpm

유지 테이블 (30) 의 회전수 : 300 rpmThe rotation number of the holding table 30  : 300 rpm

연삭 이송 수단 (5) 의 연삭 이송 속도 : 0.3 ㎛/초The grinding and conveying speed of the grinding and conveying means 5  : 0.3 m / sec

초음파 발진부 (901) 의 진동 주파수 : 500 ㎑The oscillation frequency of the ultrasonic oscillation portion 901  : 500 kHz

상기 조건으로 1 장의 웨이퍼 (W) 를 소정의 연삭량만큼 연삭하고, 1 장의 웨이퍼 (W) 의 연삭을 완료시킨 후, 도 1 에 나타내는 연삭 이송 수단 (5) 에 의해 연삭 수단 (7) 을 +Z 방향으로 이동시켜 연삭 가공이 완료된 웨이퍼 (W) 로부터 이간시키고, 또한 도시되지 않은 Y 축 방향 이송 수단에 의해 유지 테이블 (30) 을-Y 방향으로 이동시켜 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치로 되돌린다. 착탈 영역 (A) 의 원래의 위치까지 돌아온 유지 테이블 (30) 상에 재치 (載置) 되어 있는 연삭 가공이 실시된 웨이퍼 (W) 를, 도시되지 않은 반송 수단이 유지 테이블 (30) 로부터 도시되지 않은 웨이퍼 카세트에 반송하여 수납한다. 이어서, 도시되지 않은 반송 수단이, 연삭 가공 전의 다른 새로운 1 장의 웨이퍼 (W) 를 유지 테이블 (30) 에 반송하고, 상기와 동일하게 연삭 가공을 실시해 간다.After one wafer W is ground by a predetermined grinding amount and grinding of one wafer W is completed under the above conditions, the grinding means 7 is rotated by + Z Axis direction, and the holding table 30 is moved in the -Y direction by the Y-axis direction moving means (not shown) to move to the original position of the attaching / detaching area A Turn it. The wafer W subjected to the grinding process placed on the holding table 30 returned to the original position of the attaching / detaching area A is transferred from the holding table 30 And then stored in the wafer cassette. Then, the unillustrated conveying means conveys another new wafer W before the grinding process to the holding table 30, and performs grinding in the same manner as described above.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고 , 예를 들어, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속해서 연삭하였다.In Comparative Example 1, during grinding of the wafer W, a plurality of wafers W are held by the grinding wheel 74 without operating the ON / OFF means 16 provided in the grinding apparatus 1, The ultrasonic oscillation unit 901 starts to oscillate the ultrasonic waves and then continuously propagates ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation unit 901 to the washing water L continuously and further continuously feeds the plurality of wafers W Lt; / RTI >

여기서, 연삭 가공 중에, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 이 클로깅되거나 글레이징되거나 함으로써 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되면, 연삭 가공 중 에 있어서의 웨이퍼 (W) 의 이면 (Wb) 으로부터의 저항이 증대되고, 그에 수반하여 스핀들 모터 (72) 의 전류값도 상승해 간다. 그리고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 개시한 후, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 초음파 발진부 (901)로부터 끊임없이 세정수 (L) 에 초음파를 계속 전파하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 의 세정을 계속하면, 연삭 휠 (74) 의 회전력을 만들어 내어 전류값 측정부 (14) 에 의해 측정되는 스핀들 모터 (72) 의 전류값은, 도 3 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이 상승해 간다. 즉, 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 저하되는 현상이 확인되고, 그 이후에는, 초음파를 계속 발진시키고 있는 한에 있어서는, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는 경우가 없는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 1 에 있어서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 3 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내고 있지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스된 후를 나타내고 있다.If the grinding force of the grinding wheel 740 is lowered by grinding or grinding the grinding surface 740a of the grinding wheel 740 during the grinding process, And the current value of the spindle motor 72 increases accordingly. After the start of the ultrasonic wave oscillation from the ultrasonic oscillation section 901, the ultrasonic oscillation section 901 constantly propagates ultrasonic waves to the cleansing water L during the grinding of the wafer W, The current value of the spindle motor 72, which is measured by the current value measuring unit 14 by generating the rotational force of the grinding wheel 74, increases as shown in the graph of Fig. 3 I'll go. In other words, it was confirmed that the grinding force of the grinding wheel 740 was lowered. Thereafter, it was confirmed that the current value of the spindle motor 72 did not fall as long as the ultrasonic wave was continuously oscillated. Therefore, in the comparative example 1, the grinding force of the grinding wheel 740 can not be maintained, which is inadequate for grinding a plurality of wafers W in succession. In the graph shown in Fig. 3, on the vertical axis, the lowering of the current value due to revolution of the grinding wheel 74 when the wafer W is exchanged with the unillustrated carrying means is not shown, 8 shows a state in which a plurality of wafers W are ground by the grinding wheel 740 and then ultrasonic waves propagate to the cleaning liquid L so that the grinding surface 740a is cleaned and dressed.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비교예 2 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에, 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시키지 않고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 실시하지 않는 것으로 하였다. 먼저, 비교예 1 에 있어서의 경우와 동일하게, 연삭 휠 (74) 에 의해 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파의 발진을 개시하고, 그 후에도 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 끊임없이 세정수 (L) 에 계속 전파하고, 추가로 웨이퍼 (W) 의 연삭을 복수 장 계속해서 실시한다.In Comparative Example 2, during grinding of the wafer W, the ON / OFF means 16 provided in the grinding apparatus 1 was not operated and ultrasonic oscillation from the ultrasonic oscillation portion 901 was not performed. First, a plurality of wafers W are ground by the grinding wheel 74, and ultrasonic oscillation is started from the ultrasonic oscillation section 901, and thereafter the ultrasonic oscillation section 901 ) Continuously propagates the ultrasonic waves to the washing water L, and further grinding of the wafer W is continuously carried out.

그리고 웨이퍼 (W) 의 연삭을 계속해서 실시해 가고, 비교예 1 에서 확인할 수 있었던 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는 현상이 일어난 후에, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨다. 그러자, 도 4 에 나타내는 그래프에 보이는 바와 같이, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하강하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하는 현상이 확인되었다.Then, the grinding of the wafer W is continued, and after the phenomenon that the current value of the spindle motor 72 ascertained in the comparative example 1 is raised, the supply of the high-frequency power from the high-frequency power supply 91 is stopped , Thereby stopping the oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901. Then, as shown in the graph of FIG. 4, it was confirmed that the current value of the spindle motor 72 is lowered again, that is, the grinding force of the grinding wheel 740 rises.

그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 정지시킨 상태에서 추가로 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 계속 연삭하면, 다시 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승하는, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 하강해 가는 현상이 확인되었다. 그리고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상승한 후에, 다시 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하고, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시켜도, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강하지 않고 연삭 지석 (740) 의 연삭력이 상승하지 않는 것이 확인되었다. 따라서, 비교예 2 에서는, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 유지할 수 없어, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 데에는 부적격이 된다. 또한, 도 4 에 나타내는 그래프에서는, 세로축에 있어서는, 웨이퍼 (W) 를 도시되지 않은 반송 수단으로 교환할 때의 연삭 휠 (74) 의 공전에 의한 전류값의 저하는 나타내지 않고, 또, 가로축에 있어서는, 세정액 (L) 에 계속해서 초음파가 전파되어 연삭면 (740a) 이 세정되어 드레스되면서 연삭 지석 (740) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연삭한 후를 나타내고 있다.However, when the ultrasonic wave oscillation from the ultrasonic oscillation unit 901 is stopped and further the plurality of wafers W are continuously grinded, the current value of the spindle motor 72 rises again. In other words, 740) was found to be lowered. After the current value of the spindle motor 72 rises again, the supply of the high-frequency power again from the high-frequency power supply 91 is resumed, and the ultrasonic wave is oscillated from the ultrasonic oscillation section 901 to propagate the ultrasonic wave to the washing water L , It was confirmed that the current value of the spindle motor 72 did not fall and the grinding force of the grinding wheel 740 did not rise. Therefore, in the comparative example 2, the grinding force of the grinding wheel 740 can not be maintained, which is inadequate for grinding a plurality of wafers W in succession. In the graph shown in Fig. 4, on the ordinate axis, the current value due to revolving of the grinding wheel 74 when the wafer W is exchanged with the unillustrated carrying means is not shown, and on the abscissa And ultrasonic waves are continuously propagated to the cleaning liquid L so that the grinding surface 740a is cleaned and dressed and then a plurality of wafers W are ground by the grinding stone 740.

(실시예 1)(Example 1)

실시예 1 에서는, 웨이퍼 (W) 의 연삭 중에 연삭 장치 (1) 에 구비되는 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜 연삭을 실시하는 경우에 대해 설명한다.In the first embodiment, grinding is performed by operating the ON / OFF means 16 provided in the grinding apparatus 1 during grinding of the wafer W. [

먼저, ON/OFF 수단 (16) 에는, 연삭 수단 (7) 에 의한 연삭 중에 변화되어 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값을 미리 설정해 둔다.The upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 during grinding by the grinding means 7 are set in advance in the ON / OFF means 16.

스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값은, 예를 들어, 상기 비교예 2 에 있어서 확인할 수 있었던 초음파의 발진을 정지시킨 후의 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 최저값보다는 적어도 높은 전류값이고, 당해 최저값보다 1 A 정도 높은 전류값이면 바람직하다. 본 실시예 1 에 있어서는, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 8.5 A 로 설정한다.The lower limit value of the current value of the spindle motor 72 is at least a higher current value than the minimum value of the current value of the spindle motor 72 after stopping the oscillation of the ultrasonic wave, It is preferable that the current value is about 1 A higher than the minimum value. In the first embodiment, for example, the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 is set to 8.5 A.

한편, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 9 A 로 설정한다. 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값은, 예를 들어, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값을 기초로 결정되고, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 하한값보다 1 A 정도 큰 범위에서 결정하면 바람직하다. 또한, 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값 및 하한값은, 본 실시예 1 에 한정되는 것이 아니고, 웨이퍼 (W) 의 형상 및 종류 그리고 연삭 지석 (740) 의 종류 등에 따라 적절히 변경 가능해진다.On the other hand, the upper limit value of the current value of the spindle motor 72 is set to 9 A, for example. The upper limit value of the current value of the spindle motor 72 is determined on the basis of the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 and is determined in the range of 1 A larger than the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 . The upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor 72 are not limited to the first embodiment but can be changed appropriately according to the shape and kind of the wafer W and the type of the grinding wheel 740.

이하에, 미리 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값을 9 A 로 하고, 또한 전류값의 하한값을 8.5 A 로 하여 설정한 ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 수단 (7) 에 의해 웨이퍼 (W) 를 연삭해 가는 경우에 대해, 도 5 의 그래프를 사용하여 설명한다. 도 5 에는 도시하고 있지 않지만, 복수 장의 웨이퍼 (W) 를 연삭한 후, 고주파 전원 (91) 으로부터 고주파 전력을 초음파 발진부 (901) 에 공급하여 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파가 전파되어 초음파 진동을 수반하는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사하면서 연삭해 간다. 그렇게 하면, 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 의 공급에 의해, 초음파 진동이 연삭면 (740a) 에 전파되어, 연삭 지석 (740) 을 형성하는 비트리파이드 본드의 기공 중에 들어간 연삭 부스러기가 기공 중으로부터 긁어져 나온다. 그 때문에, 연삭 지석 (740) 의 연삭 저항이 저하되어 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 하강해 가고, 요컨대 연삭 지석 (740) 의 연삭력은 높아져 간다. 그러나, 그 후, 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 계속 발진시키면, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 스핀들 모터 (72) 의 전류값은 상승해 간다.The ON / OFF means 16 is set in advance so that the upper limit value of the current value of the spindle motor 72 is 9 A and the lower limit value of the current value is 8.5 A, The case of grinding the wafer W will be described using the graph of Fig. 5, after a plurality of wafers W are ground, a high-frequency power is supplied from the high-frequency power source 91 to the ultrasonic oscillation section 901 to propagate the ultrasonic waves from the ultrasonic oscillation section 901, And grinding is performed while spraying the washing water L to the grinding surface 740a of the grinding stone 740. The supply of the cleansing water L to the grinding surface 740a of the grinding stone 740 causes the ultrasonic vibration to propagate to the grinding surface 740a so that the non-treble bond 740, which forms the grinding stone 740, The grinding debris entering into the pores of the pores is scratched out from the pores. Therefore, the grinding resistance of the grinding wheel 740 is lowered, and the current value of the spindle motor 72 is lowered. In other words, the grinding force of the grinding wheel 740 becomes higher. After that, when the ultrasonic wave is continuously oscillated from the ultrasonic oscillation portion 901, the current value of the spindle motor 72 rises as shown in Fig.

그리고, 예를 들어, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 작동하여 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시킨다. 그렇게 하면, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지되고, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다.5, at the time when the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 becomes higher than the upper limit value 9 A, the ON / OFF means 16 To stop the supply of the high-frequency electric power from the high-frequency electric power source 91. The ultrasonic oscillation from the ultrasonic oscillation portion 901 is stopped and the cleansing water L that does not propagate the ultrasonic waves is supplied to the grinding surface 740a of the grinding stone 740. [

ON/OFF 수단 (16) 에 의해 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 분사시키면서 연삭해 가면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 하한값인 8.5 A 까지 낮아진다. 이 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 재개하여 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진을 재개하고, 초음파가 전파되는 세정수 (L) 를 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급한다.The supply of the high frequency power from the high frequency power source 91 is stopped by the ON / OFF means 16 and the washing water L which does not propagate ultrasonic waves is grinded while spraying the grinding surface 740a of the grinding stone 740 The current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 is lowered to the lower limit value of 8.5 A as shown in the graph of FIG. At this point in time, the ON / OFF means 16 restarts the supply of the high-frequency power from the high-frequency power source 91 to resume oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation portion 901, and the cleansing water L, Is supplied to the grinding surface 740a of the grinding wheel 740.

이렇게 하여 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 대한 세정수 (L) 를 개재한 초음파의 전파가 재개되면, 도 5 의 그래프에 나타내는 바와 같이, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 다시 상승해 간다. 그리고, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값인 9 A 까지 높아진 시점에 있어서, ON/OFF 수단 (16) 이 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시키고, 초음파 발진부 (901) 로부터의 초음파의 발진이 정지된다. 그렇게 하면, 초음파가 전파되지 않는 세정수 (L) 가 연삭 지석 (740) 의 연삭면 (740a) 에 공급된다. 이와 같이, ON/OFF 수단 (16) 은, 스핀들 모터 (72) 의 전류값이 상한값과 하한값 사이의 값을 취하도록 초음파의 발진을 제어하면서 연삭을 속행한다.5, when the ultrasonic wave propagates through the cleansing water L to the grinding surface 740a of the grinding stone 740 in this manner, as shown in the graph of FIG. 5, The current value of the motor 72 rises again. When the current value of the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 increases to the upper limit value 9 A, the ON / OFF unit 16 supplies the high frequency power from the high frequency power supply 91 And the oscillation of the ultrasonic wave from the ultrasonic oscillation unit 901 is stopped. Then, cleansing water L, which does not propagate the ultrasonic waves, is supplied to the grinding surface 740a of the grinding stone 740. Thus, the ON / OFF unit 16 continues grinding while controlling the oscillation of the ultrasonic wave so that the current value of the spindle motor 72 takes a value between the upper limit value and the lower limit value.

또한, 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 이 전환할 때에는, ON/OFF 의 전환과 동시에, 웨이퍼 (W) 의 교환도 실시하면 바람직하다. 즉, 예를 들어, 1 장의 웨이퍼 (W) 에 대해 항상 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON (또는 OFF) 으로 한 상태에서, 소정의 연삭량을 연삭하여 연삭 가공을 실시하면 바람직하다.When the ON / OFF means 16 switches the supply of the high-frequency power from the high-frequency power source 91, it is preferable that the wafer W be exchanged at the same time as switching ON / OFF. That is, for example, it is desirable that the grinding process is performed by grinding a predetermined amount of grinding while the supply of the high-frequency power from the high frequency power source 91 is always ON (or OFF) to one wafer W Do.

이와 같이, 연삭 장치 (1) 는, 실시예 1 에 있어서 나타내는 바와 같이, ON/OFF 수단 (16) 을 작동시켜, 연삭 가공 중에 있어서, 전류값 측정부 (14) 가 측정하는 스핀들 모터 (72) 의 전류값의 상한값과 하한값 사이에서 고주파 전원 (91) 으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단 (16) 에 의해 전환하고, 간헐적으로 초음파 발진부 (901) 로부터 초음파를 발진시켜 세정수 (L) 에 초음파를 전파시킴으로써, 연삭 지석 (740) 의 연삭력을 일정 범위로 유지하는 것이 가능해져, 웨이퍼 (W) 를 복수 장 연속하여 연삭하는 것이 가능해진다.Thus, the grinding apparatus 1 operates the ON / OFF means 16 to rotate the spindle motor 72 measured by the current value measuring unit 14 during the grinding process, as shown in the first embodiment. Frequency power from the high frequency power supply 91 is switched by the ON / OFF means 16 between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the washing water L and the ultrasonic wave is intermittently oscillated from the ultrasonic oscillation unit 901, It is possible to keep the grinding force of the grinding stone 740 in a certain range, and it becomes possible to grind a plurality of wafers W in succession.

1 : 연삭 장치
10 : 베이스
11 : 칼럼
14 : 전류값 측정부
16 : ON/OFF 수단
30 : 유지 테이블
300 : 흡착부
300a : 유지면
301 : 프레임체
31 : 회전 수단
5 : 연삭 이송 수단
50 : 볼 나사
51 : 가이드 레일
52 : 모터
53 : 승강판
54 : 홀더
7 : 연삭 수단
70 : 스핀들
70a : 유로
70b : 유로
72 : 스핀들 모터
73 : 마운트
74 : 연삭 휠
740 : 연삭 지석
740a : 연삭면
741 : 휠 기대
8 : 연삭수 공급 수단
80 : 연삭수 공급원
81 : 배관
9 : 초음파 세정수 공급 수단
90 : 초음파 노즐
900 : 분사구
901 : 초음파 발진부
91 : 고주파 전원
910 : 도전선
92 : 세정수 공급원
920 : 배관
W : 웨이퍼
Wa : 웨이퍼의 표면
Wb : 웨이퍼의 이면
T : 보호 테이프
A : 착탈 영역
B : 연삭 영역
1: Grinding device
10: Base
11: Column
14: current value measuring section
16: ON / OFF means
30: maintenance table
300:
300a:
301: frame body
31: rotating means
5: Grinding and conveying means
50: Ball Screw
51: Guide rail
52: Motor
53: Steel plate
54: Holder
7: Grinding means
70: spindle
70a: Euro
70b: Euro
72: Spindle motor
73: Mounting
74: grinding wheel
740: Grinding wheel
740a: Grinding surface
741: wheel anticipation
8: Grinding water supply means
80: Grinding water supply source
81: Piping
9: Ultrasonic cleaning water supply means
90: Ultrasonic nozzle
900: nozzle
901: ultrasonic oscillation portion
91: High frequency power source
910: Conductive wire
92: Washing water supply source
920: Piping
W: Wafer
Wa: the surface of the wafer
Wb: the back side of the wafer
T: Protective tape
A: Removable area
B: grinding area

Claims (1)

웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 그 유지 테이블에 유지되는 웨이퍼를 연삭하는 연삭 지석을 환상으로 배치 형성한 연삭 휠을 회전 가능하게 장착하는 스핀들을 회전시키는 스핀들 모터를 갖는 연삭 수단과, 그 연삭 지석과 웨이퍼에 연삭수를 공급하는 연삭수 공급 수단을 구비하는 연삭 장치로서,
그 연삭수 공급 수단과는 별도로 그 연삭 지석의 웨이퍼에 접촉하는 연삭면에 초음파를 전파하는 세정수를 분사하는 초음파 세정수 공급 수단과, 그 스핀들 모터의 전류값을 측정하는 전류값 측정부와, 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 전류값에 따라 초음파 발진의 ON 과 OFF 를 전환하는 ON/OFF 수단을 포함하고,
그 초음파 세정수 공급 수단은, 그 세정수를 그 연삭면에 분사하는 분사구와 초음파를 발진시키는 초음파 발진부를 구비하는 초음파 노즐과, 그 초음파 발진부에 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원을 구비하고,
그 ON/OFF 수단은, 그 연삭 수단에 의한 연삭 중에 변화되어 그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 상한값과 하한값을 설정하고,
그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 상한값까지 높아지면 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 정지시켜 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급이 정지되어 초음파를 전파하지 않는 세정수를 그 연삭면에 분사하면서 연삭하고 있을 때 그 전류값 측정부가 측정하는 그 전류값이 그 하한값까지 낮아지면 그 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급하여 초음파를 전파하는 세정수를 그 연삭면에 공급하고,
그 전류값 측정부가 측정하는 그 스핀들 모터의 그 전류값의 그 상한값과 그 하한값 사이에서 그 고주파 전원으로부터의 고주파 전력의 공급을 ON/OFF 수단에 의해 전환하여 연삭하는, 연삭 장치.
A grinding means having a holding table for holding a wafer and a spindle motor for rotating a spindle for rotatably mounting a grinding wheel formed by annularly arranging a grinding stone for grinding a wafer held on the holding table; 1. A grinding apparatus comprising grinding water supply means for supplying grinding water to a wafer,
An ultrasonic cleaning water supply means for spraying cleaning water that propagates ultrasonic waves to a grinding surface that contacts the wafer of the grinding stone separately from the grinding water supply means, a current value measurement unit for measuring a current value of the spindle motor, And an ON / OFF means for switching ON / OFF of ultrasonic oscillation in accordance with a current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit,
The ultrasonic cleaning water supply means includes an ultrasonic nozzle having an injection hole for spraying the cleansing water to the grinding surface and an ultrasonic oscillation portion for oscillating ultrasonic waves, and a high frequency power source for supplying high frequency electric power to the ultrasonic oscillation portion,
The ON / OFF means is changed during grinding by the grinding means and sets the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit,
Frequency power from the high-frequency power source and grinding the grinding surface while spraying cleaning water that propagates ultrasonic waves, the current value measured by the current value measuring unit becomes higher to the upper limit value, the high- The supply of the ultrasonic waves is stopped and the washing water not propagating ultrasonic waves is supplied to the grinding surface,
When the supply of high-frequency power from the high-frequency power source is stopped and grinding is performed while spraying cleaning water not propagating ultrasonic waves on the grinding surface, if the current value measured by the current value measuring unit becomes lower to the lower limit value, Supplying cleaning water for propagating ultrasonic waves by supplying high-frequency power to the grinding surface,
Frequency power from the high-frequency power supply is switched by ON / OFF means between the upper limit value and the lower limit value of the current value of the spindle motor measured by the current value measuring unit.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7012454B2 (en) * 2017-04-27 2022-01-28 株式会社岡本工作機械製作所 Manufacturing method of electrostatic suction chuck and manufacturing method of semiconductor device
JP6506797B2 (en) * 2017-06-09 2019-04-24 Towa株式会社 Grinding apparatus and grinding method
JP7045212B2 (en) * 2018-02-08 2022-03-31 株式会社ディスコ Grinding device
JP7032217B2 (en) * 2018-04-05 2022-03-08 株式会社ディスコ Polishing equipment
JP7299773B2 (en) * 2019-07-09 2023-06-28 株式会社ディスコ Grinding equipment
JP2021176661A (en) * 2020-05-07 2021-11-11 株式会社ディスコ Grinding device
JP2023076059A (en) * 2021-11-22 2023-06-01 株式会社ディスコ Creep feed grinder

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (en) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd How to dress a grinding wheel
JPH0557610A (en) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd Grinding method
JP2001096461A (en) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method and dressing device for grinding wheel
JP2009279710A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp Centering and edging method and centering and edging device
JP2011189456A (en) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp Grinding device and grinding method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0577161A (en) * 1991-03-13 1993-03-30 Mitsubishi Materials Corp Dressing device for grinding machine
JP3305732B2 (en) * 1991-05-28 2002-07-24 日立ビアメカニクス株式会社 Control method of surface grinder
EP0576937B1 (en) * 1992-06-19 1996-11-20 Rikagaku Kenkyusho Apparatus for mirror surface grinding
JP2000117630A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Dressing tool for wafer chamfering device, and dressing mechanism for the wafer chamfering device using the dressing tool
JP2001113455A (en) * 1999-10-14 2001-04-24 Sony Corp Chemical mechanical polishing device and method
JP2001328069A (en) * 2000-05-24 2001-11-27 Ebara Corp Method and device for cleaning of dresser in grinding device
TW492065B (en) * 2001-07-20 2002-06-21 United Microelectronics Corp Structure of polishing pad conditioner and method of use
CN100347827C (en) * 2002-02-20 2007-11-07 株式会社荏原制作所 Polishing method and grinding fluid
KR101214506B1 (en) * 2004-11-01 2012-12-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Polishing apparatus
JP2006281341A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Grinding equipment
US20070128995A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Disco Corporation Polishing grindstone and method for producing same
JP5254539B2 (en) * 2006-08-09 2013-08-07 株式会社ディスコ Wafer grinding equipment
JP2009094326A (en) * 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer grinding method
KR101616595B1 (en) * 2009-06-04 2016-04-28 아사히 가라스 가부시키가이샤 Method for grinding plate-like body
JP5550940B2 (en) * 2010-02-23 2014-07-16 株式会社ディスコ Transport mechanism
US8920214B2 (en) * 2011-07-12 2014-12-30 Chien-Min Sung Dual dressing system for CMP pads and associated methods
JP5856433B2 (en) * 2011-10-21 2016-02-09 株式会社ディスコ Grinding method of sapphire substrate
JP2013123792A (en) * 2011-12-16 2013-06-24 Fujitsu Ltd Method for manufacturing semiconductor device, and grinding device
JP6239354B2 (en) * 2012-12-04 2017-11-29 不二越機械工業株式会社 Wafer polishing equipment
JP6166974B2 (en) * 2013-07-22 2017-07-19 株式会社ディスコ Grinding equipment
CN103921213B (en) * 2014-03-14 2017-01-04 河南理工大学 Multiple spot ultrasonic activation CBN wheel dresser
CN104440559A (en) * 2014-11-24 2015-03-25 河南理工大学 Ultrasonic laser composite dressing device for superabrasive grinding wheel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6025653A (en) * 1983-07-20 1985-02-08 Hitachi Ltd How to dress a grinding wheel
JPH0557610A (en) * 1991-08-27 1993-03-09 Toshiba Mach Co Ltd Grinding method
JP2001096461A (en) * 1999-09-29 2001-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd Dressing method and dressing device for grinding wheel
JP2009279710A (en) * 2008-05-23 2009-12-03 Olympus Corp Centering and edging method and centering and edging device
JP2011189456A (en) 2010-03-15 2011-09-29 Disco Corp Grinding device and grinding method

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