KR20170010889A - Taking Off and Landing Approach Lighting Apparatus for Airport Flight - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 항공기의 이착륙에 도움을 주기 위해 공항 활주로에 매입되는 유도등에 관한 것으로, 보다 자세하게는 공항 활주로 이착륙 유도등에 요구되는 다양한 요건을 만족시키는 절전형 반도체 광원 이용 공항 활주로 유도등에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
항공기의 활주로 이착륙시에 이착륙에 도움을 주기 위해 유도등이 사용되는데, 종래기술에 따른 활주로 유도등은 전통적으로 열광원을 사용하고, 이러한 열광원에서는 가시광선 스펙트럼 성분과 적외선 스펙트럼 성분이 동시에 방출되어 비행기의 이착륙시에 기상 조건이 양호한 때에는 가시광선 스펙트럼을 사용하여 조종사가 육안으로 직접 유도등을 보면서 조정을 하여 이착륙을 시도하고, 기상 조건이 악화된 때에는 조종사가 조종석에서 적외선 카메라를 가동시켜서 이 열광원에서 방출되는 적외선을 감지하여 이착륙을 하게 된다. A guide light is used to help take-off and landing of an aircraft during take-off and landing of an aircraft. Traditionally, a runway guide light according to the prior art uses a light source. In such a light source, visible light spectrum component and infrared light spectrum component are simultaneously emitted, When the weather conditions are good at take-off and landing, the pilot uses the visible light spectrum to try and make landing and landing adjustments while watching the pilot directly. When the weather conditions deteriorate, the pilot drives the infrared camera in the cockpit and releases The infrared ray is detected and the takeoff and landing is carried out.
그런데, 이러한 열광원형 유도등은 전력 소비가 매우 커서(개당 100 ~ 500 W) 최근에는 에너지 효율이 좋은 LED 광원을 이용한 유도등의 필요성이 대두되었지만, 에너지 효율이 좋은 LED(예: 백색광 LED, 녹색광 LED)에서는 적외선 파장대가 거의 방출되지 않아서 실용화가 어려운 실정이다. In recent years, however, the need for an energy-efficient LED light source has led to the need for an induction lamp. However, energy-efficient LEDs (eg, white light LEDs, green light LEDs) The infrared wavelength band is hardly emitted and thus it is difficult to put it into practical use.
또한, 이러한 단점을 감안하여 최근 미국의 국립연구소와 주립대학교의 공동 연구에서는, 신재료 열광원을 섭씨 약 600~900도 정도로 가열하여 적외선 카메라에서 감지할 수 있는 적외선을 발생시키는 것을 성공시켜서 이를 활주로 유도등에 사용하고자 하였지만, 고온 가열 단열재 개발 및 상대적으로 높은 소비전력 등의 여러 문제가 아직 해결되지 못하여 현장에 적용되지 못하고 있는 실정이다. In consideration of these disadvantages, recently, in the joint research between the National Institute of the United States of America and the State University, it has succeeded in generating infrared rays that can be detected by the infrared camera by heating the new material heat source to about 600 to 900 degrees Celsius, However, many problems such as the development of high-temperature heating insulation materials and relatively high power consumption have not been solved yet, and thus, they have not been applied to the field.
종래기술의 이러한 문제점을 감안하여, 본 발명은, 공항 활주로 유도등에 요구되는 다양한 요건을 만족시키는 절전형 반도체 광원 이용 공항 활주로 유도등을 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems of the prior art, the present invention provides an energy-efficient airport runway guide lamp that satisfies various requirements required for an airport runway guide lamp.
이상과 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은, 공항 활주로용 유도등에 있어서, 가시광선용 LED 광원; 공항 유도등에서 요구되는 빔 패턴을 생성시키는 반도체 레이저 소자에 의한 적외선용 광원; 공항 활주로용 유도등에서 요구되는 빔 패턴 범위를 맞추기 위하여, 반도체 레이저 소자 내부 또는 외부의 상부에 부착되는 렌즈를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to accomplish the above object, the present invention provides an induction lamp for an airport runway, comprising: an LED light source for visible light; A light source for infrared rays by a semiconductor laser element which generates a beam pattern required in airport guidance and the like; And a lens attached to the inside or outside of the semiconductor laser device so as to match a beam pattern range required in an airport runway guidance or the like.
본 발명을 이용하면, 공항 활주로 유도등에 요구되는 다양한 요건을 만족시키는 절전형 반도체 광원 이용 공항 활주로 유도등을 제공하는 것이 가능해진다. By using the present invention, it becomes possible to provide a power-saving type semiconductor light source airport runway guide lamp that satisfies various requirements required for an airport runway guide lamp.
도1은 일반적인 측면 발광 반도체 레이저의 빔 발산 형태를 도시함.
도2는 일반적인 측면 발광 반도체 레이저에 실린더형 렌즈 적용시의 빔 발산 형태를 도시함.
도3은 본 발명에 따라 렌즈가 부착된 측면 발광 반도체 레이저의 구조를 도시함.
도4는 일반적인 빅셀의 빔 발산 형태를 도시함.
도5는 본 발명에 따라 일반적인 빅셀에 빔 쉐이핑 렌즈 적용시의 빔 발산 형태를 도시함.
도6은 본 발명에 따른 렌즈 부착 빅셀 어레이 칩 패키지의 구조를 도시함.
도7은 본 발명에 따른 공항 활주로 유도등의 램프 구조의 제1실시예.
도8은 본 발명에 따른 공항 활주로 유도등의 램프 구조의 제2실시예.
도9는 본 발명에 따른 공항 활주로 유도등의 램프 구조의 제3실시예.
도10은 본 발명에 따른 공항 활주로 유도등의 램프 구조의 제4실시예.1 shows a beam divergence form of a general side-emitting semiconductor laser.
2 shows a beam divergence pattern when a cylindrical lens is applied to a general side-emitting semiconductor laser.
Fig. 3 shows the structure of a side-emitting semiconductor laser with a lens according to the present invention.
FIG. 4 shows a beam divergence pattern of a general Vicell.
FIG. 5 shows a beam divergence pattern when a beam shaping lens is applied to a general Vicell according to the present invention.
6 shows a structure of a vicell array chip package with a lens according to the present invention.
7 is a first embodiment of a lamp structure of an airport runway guide lamp according to the present invention.
8 is a second embodiment of a lamp structure of an airport runway guide lamp according to the present invention.
9 is a third embodiment of the lamp structure of an airport runway guide lamp according to the present invention.
10 is a fourth embodiment of a lamp structure of an airport runway guide lamp according to the present invention.
먼저, 절전형 반도체 광원을 사용하는 공항 활주로 유도등에 요구되는 필수 요건들에 대해 설명하기로 한다. First, the essential requirements required for an airport runway guide lamp using a power-saving semiconductor light source will be described.
1. 공항 활주로 유도등은 광파장 성분으로 가시광선과 적외선 성분을 동시에 방출해야 한다. 1. The airport runway guide light must emit visible light and infrared light simultaneously as a light wavelength component.
2. 활주로에서 공중으로 투시될 때의 배광 패턴은 조사영역 (illuminated beam coverage)과 조사영역 내의 광신호 세기를 공항 관제탑과 조종석의 조정사가 모두 제어 시스템내에서 감지할 수 있는 범위이어야 한다. 2. The light distribution pattern when viewed from the runway in the air should be such that both the illuminated beam coverage and the optical signal intensity within the irradiated area can be detected by the control station and the cockpit coordinator in the control system.
3. 미국 연방항공청(FAA)에서 요구하는 에너지 소비 조건(바람직하게는 30 W 미만, 우선적으로는 45 W 미만)을 만족해야 한다. 3. Meet the energy consumption requirements (preferably less than 30 W, preferentially less than 45 W) required by the United States Federal Aviation Administration (FAA).
그리고, 이러한 필수 요건 이외에도, 등기구 사이즈를 고려하여 광원들이 PAR-38(직경 4.75인치, 약120 mm) 또는 PAR-56(직경 7인치, 약 177 mm)의 공항 활주로 유도등용 등(램프)기구 사이즈 내에 모두 배치되어야 한다는 추가 요건이 존재한다. In addition to these essential requirements, in addition to the requirements of the luminaire, the size of the lamps for the airport runway lights (lamps) of PAR-38 (diameter 4.75 inches, about 120 mm) or PAR-56 (diameter 7 inches, about 177 mm) Lt; / RTI >
한편, 미국 연방항공청(FAA)에서는 1300 ~ 2400 nm스펙트럼 대의 적외선을 항공 감시 시스템에서 사용하는 카메라 센서가 탐지가능해야 한다는 조건과 레이저 직진성으로 인한 눈의 안전 문제를 만족시키면, 레이저 다이오드가 적외선 광원으로 사용 가능하다고 정의하고 있다. On the other hand, the US Federal Aviation Administration (FAA), when the camera sensor using 1300 ~ 2400 nm spectral range infrared sensor is required to be detectable and the eye safety problem due to laser straightness is satisfied, the laser diode is used as an infrared light source It is defined as usable.
따라서, 본 발명에서는 가시광선용 LED에, 추가적으로 고에너지 효율과 우수한 광특성을 가지는 적외선용 반도체 광원과, 요구되는 빔 패턴을 맞추기 위한 렌즈를 사용하여, 상기의 요건들을 만족시키는 공항 활주로 유도등을 제공한다. Accordingly, the present invention provides an airport runway guide lamp that satisfies the above requirements by using a semiconductor light source for infrared rays having high energy efficiency and excellent optical characteristics, and a lens for matching a required beam pattern to the LED for visible light .
즉, 본 발명의 유도등에서는, 기존의 White Steady Burning 램프(PAR-38) 또는 Green Threshold 램프(PAR-56)에 사용되고 있는 열광원 대신에, 가시광선용 LED광원(예: 백색광 LED, 녹색광 LED)과 함께, LED광원에서 거의 방출되지 않는 적외선 광원으로서, 반도체를 이용한 레이저를 사용하고, 공항 유도등에서 요구되는 빔 패턴 범위를 정확하게 맞추기 위하여 반도체 레이저의 상부에 렌즈를 부착하여, 상기에서 언급한 미국 연방항공청에서 요구하는 유도등의 여러 조건들을 만족시키고자 한다. That is, in the inventive lighting device, LED light sources for visible light (for example, white light LEDs and green light LEDs) instead of the conventional light sources used for the white steady burning lamp (PAR-38) or the green threshold lamp In addition, a laser using a semiconductor is used as an infrared light source which is hardly emitted from the LED light source, and a lens is attached to the upper part of the semiconductor laser in order to precisely match a beam pattern range required in airport guidance, In order to satisfy the various conditions of the guidance light required by the user.
여기서, 본 발명에서 사용 가능한 적외선용 반도체 레이저 광원으로는, 예를 들면 표면 발광(Surface Emitting) 반도체 레이저나 측면 발광(Edge Emitting) 반도체 레이저가 가능한데, 바람직하게는 표면 발광 반도체 레이저 중 가장 널리 사용되고 있는 빅셀 (VCSEL, Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, 즉, III-V족 계열의 반도체 InP 베이스에 InAlGaAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, GaInAsSb, InSb 를 적용한 VCSEL) 어레이를 패키지화한 빅셀 어레이 칩 패키지이거나, 이와 유사한 반도체 재료를 사용하여 중고출력(mid-high level)을 내는 측면발광 반도체 레이저 다이오드 칩 패키지이다. As the semiconductor laser light source for infrared rays usable in the present invention, for example, a surface emitting semiconductor laser or an edge emitting semiconductor laser can be used, and it is most preferably used among surface emitting semiconductor lasers A VCSEL (Vertical Cavity Surface-Emitting Laser), that is, a VCSEL array in which InAlGaAs, InGaAs, InAlAs, InGaAsP, GaInAsSb, and InSb are applied to a semiconductor InP base of a group III-V system, Emitting semiconductor laser diode chip package that uses mid-high levels using similar semiconductor materials.
결국, 본 발명에서는 연방항공청이 요구하는 활주로 유도등에서 요구되는 적외선 영역에서의 광파워 조건과 빔패턴 및 구동 파워 조건을 만족시키기 위하여, 적외선 광원으로서, 표면 발광의 경우에는 빅셀 어레이 칩 패키지에 투과형 렌즈를 부착하는 구조를 사용하거나, 빅셀 칩 구조 또는 칩 사이즈 설계에 의한 렌즈 없이 빔 패턴을 만족하는 빅셀 구조를 사용하거나, 측면 발광의 경우에는 반도체 레이저 다이오드에 렌즈를 부착한 구조의 광원을 사용한다. As a result, in order to satisfy the optical power condition, the beam pattern, and the driving power condition in the infrared region required in the runway guidance demanded by the Federal Aviation Administration, in the case of the surface light emission, the transmission type lens Or a light source having a structure in which a lens is attached to a semiconductor laser diode is used in the case of side emission, or a light source having a structure in which a lens is attached to a semiconductor laser diode is used.
한편, 일반 레이저나 반도체 레이저에 시준렌즈 (Collimation lens)가 적용된 레이저는 직진성이 좋아서 먼 거리에서도 단위 면적당 파워밀도가 높지만, 측면 발광 레이저 다이오드에 렌즈를 적용하여 빔 쉐이핑을 하거나 표면발광 타입의 광원이 약 10도 정도의 FWHM(Full Width Half Maximum, 반치폭)을 가지고 일정 거리를 전파해 갈 경우에는 파워밀도가 현저히 떨어지게 된다. 예를 들어 직진성이 좋은 일반 레이저의 파워밀도가 1 mW/cm2 일 때에 100 m 전파거리에서의 10도 FWHM 빔의 반도체 레이저 광원의 경우에는 FWHM 파워의 면적이 약 1,000 m2 이고 단위 cm2당 파워밀도가 1/107 (1 천만분의 1)이하로 급격히 떨어지기 때문에, 공항관계자 및 조종사에게는 눈의 안전 (Eye-safe)에는 전혀 문제가 안된다. Meanwhile, a laser having a collimation lens applied to a general laser or a semiconductor laser has a high power density per unit area even at a long distance because of its good linearity. However, when a beam is shaped by applying a lens to a lateral emission laser diode, When a certain distance is propagated with FWHM (Full Width Half Maximum) of about 10 degrees, the power density is significantly lowered. For example, if the linearity is good general laser having a power density of 1 mW / cm 2 il when 100 m 10 Fig semiconductor laser light source of the FWHM beam in the propagation distance, the area of the FWHM power about 1,000 m 2 and the unit cm 2 per Since the power density drops sharply to less than 1/10 7 (10 millionths), there is no problem with eye-safe for airport officials and pilots.
이제, 이러한 점을 좀 더 현실적인 실제 작업환경 영역, 즉 짧은 거리와 연방항공청에서 요구하는 더욱 좁은 빔 발산각을 가지는 경우에 대해 살펴 보자. 이때, 측면 발광 레이저 다이오드나 빅셀 모두 빔 발산각이 유사한 경우 동일한 에너지 밀도 논리가 적용될 것이다. Now, let's look at this in the more realistic real-world working area, ie with shorter distances and narrower beam divergence angles required by the Federal Aviation Administration. At this time, the same energy density logic will be applied when the beam divergence angles of both the side-emission laser diode and the Vicell are similar.
즉, 레이저 파워가 1 W에 +/- 8°의 FWHM 빔 발산 각도를 가지고 있다고 가정하는 경우에, 전파 거리 약 4 m에서의 빔 영역 면적은 약 10,000 cm2가 되므로, 결과적으로 레이저의 전력 밀도는 0.1 mW/cm2 정도로 되어 상당히 떨어지게 된다.That is, assuming that the laser power has an FWHM beam divergence angle of +/- 8 ° to 1 W, the beam area area at a propagation distance of about 4 m is about 10,000 cm 2 , Is about 0.1 mW / cm < 2 >
결국, 이러한 정도는 1550 nm의 파장에서의 시력 보호 조건에 대해 정의된 MPE (Maximum Permissible Exposure, 최대 허용 노광량)값인 약 1 mW 보다도 1/10 정도의 무척 작은 값일 뿐만 아니라, 눈으로 빛이 들어오는 면적은 통상 0.39 cm2 이므로 눈의 망막으로 들어오는 광파워는 위에서 계산된 값(0.1 mW/cm2 )의 39% 정도가 되어 실제로 망막에 들어오는 광파워는 더욱 더 작게 되기 때문에, 공항관계자 및 조종사의 눈의 안전 (Eye-safe)을 아주 충분하게 보장하게 된다. 더구나 공항에서의 조명기구(lighting apparatus)설치, 유지 보수 작업자들은 고도로 훈련된 면허를 가지고 있는 사람들이 보호용 안경을 쓰고 작업하므로, 작업시 발생할 수 있는 눈의 안전(eye safety)은 더욱 더 보장되게 된다.Ultimately, this is not only a very small value of about 1/10 of the maximum permissible exposure (MPE) value defined for the visual acuity protection condition at a wavelength of 1550 nm, but also about 1 mW, is because normal 0.39 cm 2 because it is the optical power entering the retina of the eye is 39% of the value (0.1 mW / cm 2) calculation on the optical power actually entering the retina is even smaller, airport personnel, and the eyes of the pilot Eye-safe. ≪ / RTI > In addition, installation and maintenance of lighting apparatus at airports will ensure that the eye safety that can occur during work can be further assured by the use of protective eyewear by people with highly trained licenses .
한편, 본 발명에 사용 가능한 빅셀은 높은 광효율과 적절한 광파워, 특히 표면 발광구조를 유지함으로써 빔 발산 각도(Beam divergence angle)가 원형 대칭(circular symmetric)하기 때문에 FWHM을 약10도 정도 유지하여 공항 유도등에서 요구되는 빔패턴 기준과 유사한 발광각을 가지게 되어 적외선 카메라에 의해 용이하게 센싱된다. Meanwhile, since the beam divergence angle is circular symmetric by maintaining a high optical efficiency and an appropriate optical power, particularly a surface light emitting structure, the FWHM is maintained at about 10 degrees, Or the like, and is easily sensed by an infrared camera.
또한, 공항 조건 등에 따라 관제탑과 조종사에게 요구되는 빔패턴 조건이 8도인 경우, 일반적인 빅셀에서 나오는 빔의 FWHM가 10도 정도라서 요구조건과 약간 상이하더라도, 빅셀에서 나오는 빔을 원형 대칭(circular symmetric)한 조건으로 어레이를 구성하고 적절한 투과용 렌즈를 적용하여 필요한 빔패턴을 용이하게 제어하면 이 요구조건을 용이하게 충족시킬 수 있다. In addition, if the beam pattern condition required for the control tower and the pilot is 8 degrees according to the airport conditions, the beam emitted from the big cell is circularly symmetric even if the FWHM of the beam from the general vixel is about 10 degrees, This requirement can easily be met by constructing the array under one condition and applying the appropriate transmission lens to easily control the required beam pattern.
그러나, 측면 발광 레이저 다이오드는 칩의 활성층 영역의 구조 및 사이즈에 따라서, 통상 수평방향으로 약 8 ~ 15도, 수직 방향으로 약 25 ~ 45도 정도의 발산각을 가지고 적외선이 방출되는데, 공항 조건 등에 따라 관제탑과 조종사에게 요구되는 빔패턴 조건이 수직, 수평 모두 약 8도 정도일 경우, 측면 발광 레이저 다이오드 앞단에 굴절광학계 실린더형(cylindrical) 렌즈를 부착하여 빔 쉐이핑을 수행함으로써 수평 및 수직 방향의 빔을 미국 항공청에서 요구하는 8도 내외의 발산각 형태로 제어할 수 있다. However, depending on the structure and size of the active layer region of the chip, the side-emission laser diode generally emits infrared rays with a divergence angle of about 8 to 15 degrees in the horizontal direction and about 25 to 45 degrees in the vertical direction, When the beam pattern conditions required for the control tower and the pilot are about 8 degrees in both the vertical and horizontal directions, a cylindrical lens of a refractive optical system is attached to the front of the side-emission laser diode to perform beam shaping, It can be controlled in the form of divergence angle of about 8 degrees required by US aviation agency.
그리고, 빅셀이나 측면 발광 레이저 다이오드와 같은 반도체 레이저 광원은 신뢰성, 수명 특성, 소비전력 및 사이즈 면에서 기존의 열광원 보다 월등히 우수하여, 이러한 반도체 레이저 광원을 적절한 어레이 및 칩 사이즈로 패키지하여 가시광선용 LED(예: 백색광 LED, 녹색광 LED)와 전원공급장치와 함께 PAR-38이나 PAR-56 등기구에 적절하게 배치하여 램프를 구성하면, 미국 연방항공청(FAA)에서 요구하는 적외선 파장대, 빔패턴 구현, 저파워 소모 및 작은 사이즈 구현이 모두 가능해진다. Semiconductor laser light sources such as a Vicell or a side-emission laser diode are far superior in terms of reliability, lifetime characteristics, power consumption, and size to conventional thermal light sources. Such semiconductor laser light sources are packaged in an appropriate array and chip size, (Such as white light LEDs, green light LEDs) and power supplies as well as the PAR-38 or PAR-56 luminaire, the infrared wavelength band required by the FAA Power consumption and small size are both possible.
한편, 가장 널리 사용되고 있는 미국의 연방항공청 (FAA)에서 발행된 문건에서는, 적외선의 경우에는 약 8도의 빔 발산각을 요구하고 있지만, 가시광선 LED 광원의 경우는 원형 대칭(circular symmetric)한 빔의 발산각에 대해 반치폭(FWHM)이 약 +/- 4 ~ 8도 정도로 되어야 한다고 규약하고 있는데, 가시광원 LED는 렌즈 없이 발산각의 반치폭이 약 120도 정도의 Lambertian 빔 패턴이 나오지만 이를 약 4~10도의 반치폭으로 만드는 렌즈는 상용화(한국의 Any Casting사 또는 대만의 LED Link사의 Narrow Beam Angle용 렌즈)가 되어 있을 정도로 널리 알려져 있다. On the other hand, documents issued by the FAA, the most widely used document in the United States, require a beam divergence angle of about 8 degrees in the case of infrared rays, but a circular symmetric beam in the case of visible light LED light sources (FWHM) should be about +/- 4 to 8 degrees for the divergence angle. The visible light LED has a Lambertian beam pattern with a half-width of about 120 degrees without a lens, but it is about 4 to 10 The half-width lens is widely known to be commercialized (Any Casting in Korea or Narrow Beam Angle lens in Taiwan's LED Link).
따라서, 이하에서는 적외선용 반도체 레이저인 측면 발광 레이저 다이오드와 빅셀 어레이 칩 패키지를 예를 들어서, 상부에 렌즈를 부착하여 공항 유도등에서 요구되는 빔 패턴을 정확하게 맞추는 방법에 대해 자세히 설명하기로 한다. Therefore, in the following, a method of precisely aligning a beam pattern required for airport guidance by attaching a lens to the upper side, for example, a side-emission laser diode and a big cell array chip package, which are infrared semiconductor lasers, will be described in detail.
도1과 같이 일반적으로 측면 발광 반도체 레이저(1)의 정션(junction)(2)에서 방출되는 빔은, 활성층의 구조 및 사이즈에 따라 약간의 차이가 있지만, 대부분 수평 방향으로는 반치폭이 약 8 ~ 15도 정도의 발산각으로, 수직 방향으로는 반치폭이 약 25 ~ 45도 정도의 발산각으로 빔패턴이 나온다.
As shown in FIG. 1, the beam emitted from the
이를 공항 유도등에서 요구되는 원형 대칭이고 수평/수직 방향 모두 +/-8도 정도의 반치폭으로 나오게 하기 위하여, 본 발명에서는 도2와 같이 실린더형(cylindrical) 렌즈(3)를 사용하여 빔 쉐이핑을 하여, 수평/수직 방향 반치폭이 모두 +/-8도 정도가 되게 한다.
In order to bring it to a circular symmetry required in an airport induction and the like and to have a half width of about +/- 8 degrees in both horizontal and vertical directions, in the present invention, beam shaping is performed using a
또한, 도3에 렌즈가 부착된 측면 발광 반도체 레이저의 외형이 도시되어 있는데, 레이저 다이/서브 마운트 상부(4)에 실린더형 렌즈(3)가 부착되게 된다.
3 shows the outline of the side-emitting semiconductor laser to which the lens is attached, the
다음으로, 빅셀의 경우에는 도4와 같은 빔 발산 형상을 보이는데, 수직형 표면 발광 구조에서는 빅셀(4)의 정션(5)에서 방출되는 빔은 원형 대칭한 빔이고 반치폭 발산각 약 10도 정도이다.
4, the beam emitted from the
이를 공항 유도등에서 요구되는 약 +/- 8도 정도의 반치폭 발산각으로 만들기 위하여, 도5와 같이 빅셀(4) 앞단에 빔 쉐이핑 렌즈(6)를 부착하여 약 +/- 8도 정도의 반치폭의 발산각이 되게 한다. 여기서 빅셀(4)의 정션(5)에서 방출되는 빔의 원형 대칭인 10도 정도의 발산각을 공항 유도등에서 요구하는 4~8도 정도의 약간 작아지는 발산각으로 만드는 것이므로, 빅셀용 렌즈(6)는 측면 발광 반도체 레이저용 렌즈(3)보다 훨씬 간단한 원형 대칭(circular symmetric) 구조를 가지게 된다.
As shown in FIG. 5, a
이제, 측면 발광 반도체 레이저는 광통신 및 측정용으로 널리 사용되고 있고 단일 칩으로도 본 발명에 적용 가능한 중고출력 광파워가 출력되며 쉐이핑용 굴절광학계 실린더 렌즈 역시 이미 개발되어 널리 알려져 있기 때문에, 본 발명에 사용 가능한 측면 발광 반도체 레이저에 대한 구체적인 내부 구조 설명을 생략하고, 이하에서는 본 발명에서 적외선용 빅셀 광원으로 사용되는 빅셀 어레이 칩 패키지를 만드는 방법에 대해 도면을 참작하여 설명하기로 한다. Now, since the side-emitting semiconductor laser is widely used for optical communication and measurement, and a pre-used optical power applicable to the present invention is also output by a single chip, and a refracting optical system cylinder lens for shaping has already been developed and widely known, A description of a specific internal structure for a possible side light emitting semiconductor laser is omitted, and a method of making a big cell array chip package used as a big cell light source for infrared rays in the present invention will be described below with reference to the drawings.
공항 유도등에서 요구되는 광파워 특성 범위(눈의 안전 + 적외선 카메라 감지 가능)와 빔 패턴 조건을 동시에 만족시키기 위하여, 본 발명에서 사용되는 빅셀 어레이 구조는, 도6에 도시된 바와 같이 동일한 반도체 디바이스 제조 공정을 활용하여 빅셀 싱글 칩(15) 구조를 5 x 5 ~ 30 x 30 으로 반복하여 형성되는 사각형 어레이 마스크를 통하여 어레이 구조를 형성하는 어레이 칩(array chip)(11)으로 제작되고, 이러한 어레이 칩(11)이 티오 캔(TO Can)(12) 내에 실장되는 빅셀 어레이 칩 패키지 형태로 사용되게 된다. In order to simultaneously satisfy the optical power characteristic range (eye safety + infrared camera detection) required for airport guidance and the like and the beam pattern condition, the Vicell array structure used in the present invention has the same semiconductor device fabrication And an array chip (11) for forming an array structure through a rectangular array mask formed by repeating the structure of the Vixel single chip (15) by 5 x 5 to 30 x 30 using the above process, (11) can be used in the form of a big cell array chip package which is mounted in a TO can (12).
그리고, 이러한 어레이 칩(11)은 동일한 싱글 디바이스가 반복된 구조이고, 공정상 마스크만 다를 뿐 모든 반도체 공정은 1개의 싱글 칩 제조나 어레이 칩 제조나 거의 동일한 공정을 통하여 제작된다.
The
또한, 이러한 빅셀 어레이 칩 패키지의 상부에는 적외선광을 투과시키면서 어레이 칩(11)을 보호하는 글라스 윈도우(glass window)(13)가 존재하고, 하부에는 글라스 윈도우(13)와 어레이 칩(11)이 설치되는 스템(stem)(14)이 존재하며, 어레이 칩(11)의 상부에는 렌즈(16)가 부착되는 티오 캔(TO Can) 타입이며, TEC (Thermo Electric Cooler, 열전냉각기)에 의해 쿨링을 하는 것이 바람직하지만, 공항 사정에 따라 TEC 없이 구동하였을 때 빅셀 어레이의 광출력이 유도등에서 필요한 출력을 제공할 경우에는 TEC 없는 티오 캔 타입 패키지로 유도등을 구성할 수도 있다.
A
그리고, 본 발명의 램프를 구성함에 있어서, 적외선 반도체 빅셀 어레이 칩 패키지를 가시광 LED 패키지와 함께 설치한 하이브리드 타입의 모듈을 동일한 PCB에 동일한 히트 싱크(heat Sink)에 설치하여 동일 램프 기구물 (PAR-38 또는 PAR-56)에 장착하는 것도 가능하고, 어댑티브 히트 싱크(adaptive heat sink)를 서멀 그리스(thermal grease)나 서멀 패드(thermal pad)를 이용하여 빅셀 어레이 칩 패키지에만 따로 부착하는 것도 가능하며, 어댑티브 히트 싱크를 동일 PCB나 동일 FR4 PCB에 장착할 때 스크류(screw)나 클램프(clamp)를 활용하여 고정하는 구조도 가능하다. In building the lamp of the present invention, a hybrid type module in which an infrared semiconductor vixel array chip package is installed together with a visible light LED package is mounted on the same PCB on the same heat sink to form the same lamp mechanism (PAR-38 Or PAR-56). It is also possible to attach the adaptive heat sink separately to the Vicell array chip package using a thermal grease or a thermal pad, It is also possible to use a screw or a clamp to fix the heat sink to the same PCB or the same FR4 PCB.
그리고, 빅셀 어레이 칩(11)은 도6과 같은 사각형 배열이 아닐 수도 있으며 다양한 구조가 가능하다. 예를 들어, 10 x 10의 정사각형 배열 구조 대신에 9 x 11의 직사각형 배열 구조도 충분히 가능하다.
In addition, the big
다음으로, 본 발명에 따른 공항 유도등에서 LED와 반도체 레이저(예: 측면 발광 반도체 레이저 또는 빅셀 어레이 칩 패키지)를 배치하는 방법에 대해 설명하기로 한다. Next, a method of arranging an LED and a semiconductor laser (for example, a side-emitting semiconductor laser or a big cell array chip package) in an airport induction lamp according to the present invention will be described.
요구되는 광출력(바람직하게는 순수 광출력 약 0.5 W)과 빔패턴의 조건을 감안하여, PAR-38, PAR-56의 공간내의 메탈(metal) PCB에는 LED를 우선 배치하고, FR4 PCB에는 반도체 레이저를 배치하며, FR4 PCB를 열전도도가 좋은 하부기판 (substrate)의 상부에 적절한 TIM (Thermal Interface Material) 재료를 이용하여 장착하는 등의 다양한 방법으로, 가시광선용 LED 패키지와 적외선용 반도체 레이저 패키지를 주어진 PAR-38, PAR-56 기구물 내에 배치하게 된다. Considering the required light output (preferably about 0.5 W of pure optical output) and the condition of the beam pattern, the LED is placed first in the metal PCB in the space of PAR-38 and PAR-56, A laser is arranged and an FR4 PCB is mounted on an upper portion of a substrate having a good thermal conductivity using an appropriate TIM (Thermal Interface Material) material, an LED package for visible light and a semiconductor laser package for infrared Will be placed within a given PAR-38, PAR-56 appliance.
예를 들어, 도7과 같이 메탈 PCB(17)에 가시광선용 LED들(18)이 원주 형태로 배열되고 가운데에 단일의 적외선용 반도체 레이저(19)가 FR4 PCB(20)상에 배치되는 것도 가능하고, 도8과 같이 LED들(18)이 일측에 배치되고 다른 측에 반도체 레이저(19)가 FR4 PCB(20)상에 배치되는 것도 가능하며, 도9, 10과 같이 2개 이상 10개 미만 정도의 복수의 패키지로 적외선 광원을 구성하여 중앙에 반도체 레이저들(19)을 FR4 PCB(20)상에 모아서 배치하거나(도9) 일측에 반도체 레이저들(19)을 FR4 PCB(20)상에 모아서 배치하는 것(도10)도 가능하다(도9, 10에서는 2개의 패키지를 사용하는 것을 도시함).
For example, as shown in FIG. 7, it is also possible that the
한편, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다는 것에 유의해야 한다. While the present invention has been described in connection with certain exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims.
예를 들어, 상기의 빅셀 어레이 칩 패키지에 대해 기재된 부분에서, 티오 캔 타입 관련 기재부터 스크류나 클램프를 이용한 고정 관련 기재까지는 측면 발광 레이저 다이오드의 경우에도 동일하게 적용 가능하다. For example, in the portion described for the above-mentioned Big-cell array chip package, the same applies to the case of the side-emission laser diode from the thio-can type-related substrate to the fixing-related substrate using a screw or a clamp.
Claims (13)
가시광선을 방출하는 LED들을 포함하는 LED 패키지;
공항 활주로의 이착륙 유도등에서 가시광선 광원에 대해 요구되는 빔 패턴 범위를 정확하게 맞추기 위해, 상기 LED의 상부에 부착되는 LED용 렌즈;
1300~2400 nm 영역의 적외선을 방출하는 반도체 레이저 소자들을 포함하는 반도체 레이저 패키지;
공항 활주로의 이착륙 유도등에서 적외선 광원에 대해 요구되는 빔 패턴 범위를 정확하게 맞추기 위해, 상기 반도체 레이저 패키지의 상부에 부착되는 반도체 레이저 패키지용 렌즈;
상기 가시광선용 LED 패키지가 상부에 배치되는 가시광선용 기판;
상기 적외선용 반도체 레이저 패키지가 상부에 배치되는 적외선용 기판;
상기 가시광선용 LED 패키지와 상기 적외선용 반도체 레이저 패키지에 전원을 공급하는 전원공급장치;
상기 가시광선용 기판, 상기 적외선용 기판 및 상기 전원공급장치가 배치되는 기구물을 포함하고,
상기 적외선용 반도체 레이저 패키지는, 상부로 상기 적외선용 반도체 레이지 패키지의 적외선광을 투과시키면서 상기 적외선용 반도체 레이저 패키지를 보호하는 글라스 윈도우와, 상기 글라스 윈도우와 상기 반도체 레이저 패키지용 렌즈와 상기 적외선용 반도체 레이저 패키지가 상부에 설치되는 스템을 가지는 티오 캔 타입 패키지에 내장되는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.In the takeoff and landing light of an airport runway,
An LED package including LEDs emitting visible light;
A lens for an LED attached to an upper portion of the LED to precisely match a beam pattern range required for a visible light source in an airport runway take off and landing induction,
A semiconductor laser package including semiconductor laser elements emitting infrared rays in a range of 1300 to 2400 nm;
A lens for a semiconductor laser package attached to an upper portion of the semiconductor laser package in order to precisely match a beam pattern range required for an infrared light source in an airport runway takeoff and landing induction;
A substrate for a visible light ray on which the LED package for visible light is disposed;
An infrared ray substrate on which the infrared semiconductor laser package is disposed;
A power supply for supplying power to the LED package for visible light and the infrared semiconductor laser package;
A substrate for visible light, a substrate for infrared rays, and an apparatus in which the power supply device is disposed,
Wherein the infrared semiconductor laser package comprises: a glass window for protecting the infrared semiconductor laser package while transmitting infrared light of the infrared semiconductor package; and a lens for sealing the glass window, the lens for the semiconductor laser package, Wherein the laser package is embedded in a Tiocan-type package having a stem mounted on the upper part thereof.
상기 반도체 레이저 소자는 측면 발광 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor laser device is a side-emission laser diode.
상기 반도체 레이저 소자는 빅셀 어레이 칩 패키지인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor laser device is a vixel array chip package.
상기 LED는 백색광 LED 또는 녹색광 LED인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the LED is a white light LED or a green light LED.
상기 기구물은 PAR-38 기구물인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein said mechanism is a PAR-38 mechanism.
상기 기구물은 PAR-56 기구물인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein said device is a PAR-56 device.
상기 가시광선용 기판은 메탈 PCB인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등. The method according to claim 1,
Wherein the substrate for visible light is a metal PCB.
상기 반도체 레이저 패키지는 TEC 쿨링을 하는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor laser package performs TEC cooling.
상기 가시광선용 기판과 상기 적외선용 기판이 동일한 PCB인 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the visible light ray substrate and the infrared ray substrate are the same PCB.
어댑티브 히트 싱크를 서멀 그리스나 서멀 패드를 이용하여 상기 적외선용 반도체 레이저 패키지에만 따로 부착하는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Wherein the adaptive heat sink is separately attached to the infrared semiconductor laser package using thermal grease or a thermal pad.
상기 적외선용 기판은 FR4 PCB이며, 상기 FR4 PCB가 상기 메탈 PCB의 상부 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.8. The method of claim 7,
Wherein the substrate for infrared rays is an FR4 PCB, and the FR4 PCB is attached to an upper surface of the metal PCB.
상기 적외선용 기판이 상기 가시광선용 기판 위의 중앙에 배치되고, 적어도 하나의 적외선용 반도체 레이저 패키지가 적외선용 기판상에 배치되며, 적외선용 기판의 둘레의 가시광선용 기판상에 가시광선용 LED 패키지들이 배치되는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
At least one infrared semiconductor laser package is disposed on the infrared light-emitting substrate, and the LED packages for visible light are arranged on the substrate for visible light around the infrared light-emitting substrate Of the airport runway.
상기 적외선용 기판이 상기 가시광선용 기판 위의 일측에 배치되고, 적어도 하나의 적외선용 반도체 레이저 패키지가 적외선용 기판에 배치되며, 다른 측의 가시광선용 기판상에 가시광선용 LED 패키지들이 배치되는 것을 특징으로 하는 공항 활주로의 이착륙 유도등.The method according to claim 1,
Characterized in that the infrared-use substrate is disposed on one side of the substrate for visible light, at least one infrared-ray semiconductor laser package is arranged on the infrared-ray substrate, and the LED packages for visible light are arranged on the other- Take off landing light of airport runway.
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